JP2000058431A - 荷電粒子線転写用マスク - Google Patents
荷電粒子線転写用マスクInfo
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
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- B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 パターン密度が一様でない場合に起こるクー
ロンデフォーカスの違いを補正した荷電粒子線転写用マ
スクを提供する。 【解決手段】 本発明の荷電粒子線転写用マスク６は、
複数の異なるパターン密度を備えたサブフィールド８を
有し、そのサブフィールド８毎に荷電粒子線５を分割照
射して感応基板にパターンを縮小転写するものである。
このマスク６は、該サブフィールド８毎にパターンを転
写する際にそのパターン密度が異なることに起因するク
ーロンデフォーカス量３の違いを打ち消すように、あら
かじめ該サブフィールド８の光軸方向の位置（高さ）を
変えておくことにより該クーロンデフォーカス量３の違
いを補正するものである。
ロンデフォーカスの違いを補正した荷電粒子線転写用マ
スクを提供する。 【解決手段】 本発明の荷電粒子線転写用マスク６は、
複数の異なるパターン密度を備えたサブフィールド８を
有し、そのサブフィールド８毎に荷電粒子線５を分割照
射して感応基板にパターンを縮小転写するものである。
このマスク６は、該サブフィールド８毎にパターンを転
写する際にそのパターン密度が異なることに起因するク
ーロンデフォーカス量３の違いを打ち消すように、あら
かじめ該サブフィールド８の光軸方向の位置（高さ）を
変えておくことにより該クーロンデフォーカス量３の違
いを補正するものである。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、１００nm以下の微
細・高密度パターンをも高スループット、高精度で感応
基板に形成することを企図した荷電粒子線転写用マスク
に関するものである。特には、パターン密度が一様でな
い場合に起こるクーロンデフォーカスの違いやクーロン
効果によるパターン歪みを補正した荷電粒子線転写用マ
スクに関するものである。
細・高密度パターンをも高スループット、高精度で感応
基板に形成することを企図した荷電粒子線転写用マスク
に関するものである。特には、パターン密度が一様でな
い場合に起こるクーロンデフォーカスの違いやクーロン
効果によるパターン歪みを補正した荷電粒子線転写用マ
スクに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】一個の半導体チップ全体の回路パターン
を備えたマスク（レチクル）に電子ビームを照射し、そ
の照射範囲のパターンの像を二段の投影レンズにより縮
小転写する電子ビーム露光方式がある。この場合、マス
ク全範囲に一括して電子ビームを照射して一度にパター
ンを転写しようとすると、精度良くパターンを転写する
ことができない。これに比べて精度良くパターンを転写
できる分割転写方式が提案されている。
を備えたマスク（レチクル）に電子ビームを照射し、そ
の照射範囲のパターンの像を二段の投影レンズにより縮
小転写する電子ビーム露光方式がある。この場合、マス
ク全範囲に一括して電子ビームを照射して一度にパター
ンを転写しようとすると、精度良くパターンを転写する
ことができない。これに比べて精度良くパターンを転写
できる分割転写方式が提案されている。
【０００３】この分割転写方式として、マスクを多数の
小領域（サブフィールド）に分割し、小領域ごとに照射
ビームをステップアンドリピート式に移動させること或
いは連続走査することにより、ステージ上に載置された
感応基板上にマスクの縮小像を形成する装置は公知であ
る。
小領域（サブフィールド）に分割し、小領域ごとに照射
ビームをステップアンドリピート式に移動させること或
いは連続走査することにより、ステージ上に載置された
感応基板上にマスクの縮小像を形成する装置は公知であ
る。
【０００４】また、メンブレン上に散乱体でパターン形
成したマスク又はこれの散乱体に穴を設けたマスクに電
子ビームを照射し、散乱体で散乱されたビームをコント
ラスト開口で除去することにより、マスクの縮小像を感
応基板上に形成することは公知である。
成したマスク又はこれの散乱体に穴を設けたマスクに電
子ビームを照射し、散乱体で散乱されたビームをコント
ラスト開口で除去することにより、マスクの縮小像を感
応基板上に形成することは公知である。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来のマスク
においては、スループットを向上させるためにビーム電
流を大きくすると、クーロン効果によってビームにボケ
やフォーカス位置のずれ（以下、「デフォーカス」とい
う。）が生じ、また像に歪みが発生することが分かっ
た。また、サブフィールド内部でパターン密度に偏りの
ある非一様なパターンを形成したサブフィールドでは、
特にビームのボケやデフォーカスや歪みの量が大きくな
るという問題があることが分かった。なお、ここでいう
像の歪みとは、像の回転角のずれ及び倍率のずれも含む
像の形状の設定値からのずれ全体をいう。
においては、スループットを向上させるためにビーム電
流を大きくすると、クーロン効果によってビームにボケ
やフォーカス位置のずれ（以下、「デフォーカス」とい
う。）が生じ、また像に歪みが発生することが分かっ
た。また、サブフィールド内部でパターン密度に偏りの
ある非一様なパターンを形成したサブフィールドでは、
特にビームのボケやデフォーカスや歪みの量が大きくな
るという問題があることが分かった。なお、ここでいう
像の歪みとは、像の回転角のずれ及び倍率のずれも含む
像の形状の設定値からのずれ全体をいう。
【０００６】たとえばマスクにおいてサブフィールド毎
にパターン密度（電流量）が異なる場合、それに伴いク
ーロン効果によるデフォーカス量も異なるため、サブフ
ィールド毎に焦点面の高さ（位置）が異なることとな
る。このような場合は、電子光学系によるリフォーカス
またはステージを高さ方向に動かして感応基板の高さ補
正を行う必要があった。
にパターン密度（電流量）が異なる場合、それに伴いク
ーロン効果によるデフォーカス量も異なるため、サブフ
ィールド毎に焦点面の高さ（位置）が異なることとな
る。このような場合は、電子光学系によるリフォーカス
またはステージを高さ方向に動かして感応基板の高さ補
正を行う必要があった。
【０００７】また、マスクに電子ビームを照射した際に
サブフィールド内に非一様な電流分布が生じることによ
り、転写パターンに非一様で大きな歪みが生じることが
分かった。なお、ここでいう非一様パターンの歪みと
は、例えばマスク上の比較的長い直線パターンを高次の
曲線状にゆがめて転写してしまうタイプの歪みをいい、
このような歪みを電子光学系で補正することは困難であ
る。
サブフィールド内に非一様な電流分布が生じることによ
り、転写パターンに非一様で大きな歪みが生じることが
分かった。なお、ここでいう非一様パターンの歪みと
は、例えばマスク上の比較的長い直線パターンを高次の
曲線状にゆがめて転写してしまうタイプの歪みをいい、
このような歪みを電子光学系で補正することは困難であ
る。
【０００８】本発明は上記のような事情を考慮してなさ
れたものであり、その目的は、サブフィールド毎にパタ
ーン密度が一様でない場合に起こるクーロンデフォーカ
スの違いを補正した荷電粒子線転写用マスクを提供する
ことにある。また、本発明の目的は、クーロン効果によ
るパターン歪みを補正した荷電粒子線転写用マスクを提
供することである。
れたものであり、その目的は、サブフィールド毎にパタ
ーン密度が一様でない場合に起こるクーロンデフォーカ
スの違いを補正した荷電粒子線転写用マスクを提供する
ことにある。また、本発明の目的は、クーロン効果によ
るパターン歪みを補正した荷電粒子線転写用マスクを提
供することである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、本発明の第１態様に係る荷電粒子線転写用マスク
は、複数の異なるパターン密度のサブフィールドを有
し、そのサブフィールド毎に荷電粒子線を分割照射して
感応基板にパターンを縮小転写するマスクであって；該
サブフィールド毎にパターンを転写する際にそのパター
ン密度が異なることに起因するクーロンデフォーカス量
の違いを打ち消すように、あらかじめ該サブフィールド
の光軸方向の位置を変えておくことにより該クーロンデ
フォーカス量の違いを補正することを特徴とする。
め、本発明の第１態様に係る荷電粒子線転写用マスク
は、複数の異なるパターン密度のサブフィールドを有
し、そのサブフィールド毎に荷電粒子線を分割照射して
感応基板にパターンを縮小転写するマスクであって；該
サブフィールド毎にパターンを転写する際にそのパター
ン密度が異なることに起因するクーロンデフォーカス量
の違いを打ち消すように、あらかじめ該サブフィールド
の光軸方向の位置を変えておくことにより該クーロンデ
フォーカス量の違いを補正することを特徴とする。
【００１０】第１態様に係る荷電粒子線転写用マスクで
は、マスク製作に先立ってサブフィールド毎のパターン
密度に応じたクーロンデフォーカス量を求めておき、そ
のデフォーカスを打ち消すように該マスクのサブフィー
ルド毎に光軸方向の位置を変えることにより、パターン
密度が一様でない場合に起こるクーロンデフォーカスの
違いを補正することができ、像の焦点位置を一定に保つ
ことができる。
は、マスク製作に先立ってサブフィールド毎のパターン
密度に応じたクーロンデフォーカス量を求めておき、そ
のデフォーカスを打ち消すように該マスクのサブフィー
ルド毎に光軸方向の位置を変えることにより、パターン
密度が一様でない場合に起こるクーロンデフォーカスの
違いを補正することができ、像の焦点位置を一定に保つ
ことができる。
【００１１】また、本発明の第２態様に係る荷電粒子線
転写用マスクは、パターンを備えたサブフィールドを有
し、そのサブフィールド毎に荷電粒子線を分割照射して
感応基板にパターンを縮小転写するマスクであって；
該サブフィールド内のパターンを転写する際に起こるク
ーロン効果によるパターン歪みを打ち消すように、あら
かじめ該サブフィールド内のパターンを歪ませておくこ
とにより該パターン歪みを補正することを特徴とする。
また、上記パターン歪みは、像の回転ずれ、倍率ずれ及
び高次の曲線状の歪みのうちの少なくとも一つを含むこ
とが好ましい。
転写用マスクは、パターンを備えたサブフィールドを有
し、そのサブフィールド毎に荷電粒子線を分割照射して
感応基板にパターンを縮小転写するマスクであって；
該サブフィールド内のパターンを転写する際に起こるク
ーロン効果によるパターン歪みを打ち消すように、あら
かじめ該サブフィールド内のパターンを歪ませておくこ
とにより該パターン歪みを補正することを特徴とする。
また、上記パターン歪みは、像の回転ずれ、倍率ずれ及
び高次の曲線状の歪みのうちの少なくとも一つを含むこ
とが好ましい。
【００１２】第２態様に係る荷電粒子線転写用マスクで
は、マスク製作に先立ってサブフィールド内のクーロン
歪を求めておき、クーロン効果による歪みを打ち消すよ
うにあらかじめ歪ませたマスクを製作することにより、
電子光学系による補正が困難なクーロン効果によるパタ
ーン歪みを補正することができる。
は、マスク製作に先立ってサブフィールド内のクーロン
歪を求めておき、クーロン効果による歪みを打ち消すよ
うにあらかじめ歪ませたマスクを製作することにより、
電子光学系による補正が困難なクーロン効果によるパタ
ーン歪みを補正することができる。
【００１３】また、本発明の第３態様に係る荷電粒子線
転写用マスクは、非一様パターンを備えたサブフィール
ドを有し、サブフィールド毎に荷電粒子線を分割照射し
て感応基板にパターンを縮小転写するマスクであって；
該サブフィールド内の非一様パターンを転写する際に
起こるクーロン効果によるパターン歪みを打ち消すよう
に、あらかじめ該サブフィールド内のパターンを歪ませ
ておくことにより該パターン歪みを補正することを特徴
とする。
転写用マスクは、非一様パターンを備えたサブフィール
ドを有し、サブフィールド毎に荷電粒子線を分割照射し
て感応基板にパターンを縮小転写するマスクであって；
該サブフィールド内の非一様パターンを転写する際に
起こるクーロン効果によるパターン歪みを打ち消すよう
に、あらかじめ該サブフィールド内のパターンを歪ませ
ておくことにより該パターン歪みを補正することを特徴
とする。
【００１４】第３態様に係る荷電粒子線転写用マスクで
は、マスク製作に先立ってサブフィールド内で電流分布
が一様でない場合に起こるクーロン効果による歪みを求
めておき、該マスクのサブフィールド内のパターンをク
ーロン効果による歪みを打ち消すようにあらかじめ歪ま
せたマスクを製作する。これにより、電流分布が一様で
ない場合に起こる電子光学系による補正が困難なクーロ
ン効果によるパターン歪みを補正することができる。
は、マスク製作に先立ってサブフィールド内で電流分布
が一様でない場合に起こるクーロン効果による歪みを求
めておき、該マスクのサブフィールド内のパターンをク
ーロン効果による歪みを打ち消すようにあらかじめ歪ま
せたマスクを製作する。これにより、電流分布が一様で
ない場合に起こる電子光学系による補正が困難なクーロ
ン効果によるパターン歪みを補正することができる。
【００１５】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施の形態を説明する。図１（ａ）は、荷電粒子線転写用
マスクにおいてパターン密度が大きいサブフィールド
（感応基板面に到達する電流が大きい）のクーロンデフ
ォーカスを示す図であり、図１（ｂ）は、パターン密度
が小さいサブフィールド（感応基板面に到達する電流が
小さい）のクーロンデフォーカスを示す図である。つま
り、図１（ａ），（ｂ）は、パターン密度が異なるサブ
フィールドを感応基板に転写する際に起こるクーロンデ
フォーカスの違いを示している。
施の形態を説明する。図１（ａ）は、荷電粒子線転写用
マスクにおいてパターン密度が大きいサブフィールド
（感応基板面に到達する電流が大きい）のクーロンデフ
ォーカスを示す図であり、図１（ｂ）は、パターン密度
が小さいサブフィールド（感応基板面に到達する電流が
小さい）のクーロンデフォーカスを示す図である。つま
り、図１（ａ），（ｂ）は、パターン密度が異なるサブ
フィールドを感応基板に転写する際に起こるクーロンデ
フォーカスの違いを示している。
【００１６】図１（ａ），（ｂ）に示すように、マスク
（図示せず）を透過したパターンビームはレンズ１によ
り縮小され、焦点面２の近傍に結像される。この際、露
光するパターンにクーロン効果ぼけ４が生じる。また、
マスクを通過したパターンビームのクーロン効果は、図
１（ａ）のパターン密度が大きいサブフィールドでは大
きく、図１（ｂ）のパターン密度が小さいサブフィール
ドでは小さい。このため、焦点面２とクーロン効果ぼけ
４との距離であるクーロンデフォーカス量３は、図１
（ｂ）のパターン密度が小さいサブフィールドの場合よ
り図１（ａ）のパターン密度が大きいサブフィールドの
場合の方が大きくなる。
（図示せず）を透過したパターンビームはレンズ１によ
り縮小され、焦点面２の近傍に結像される。この際、露
光するパターンにクーロン効果ぼけ４が生じる。また、
マスクを通過したパターンビームのクーロン効果は、図
１（ａ）のパターン密度が大きいサブフィールドでは大
きく、図１（ｂ）のパターン密度が小さいサブフィール
ドでは小さい。このため、焦点面２とクーロン効果ぼけ
４との距離であるクーロンデフォーカス量３は、図１
（ｂ）のパターン密度が小さいサブフィールドの場合よ
り図１（ａ）のパターン密度が大きいサブフィールドの
場合の方が大きくなる。
【００１７】図１（ｃ）は、本発明の第１の実施の形態
による荷電粒子線転写用マスクを示す断面図である。荷
電粒子線転写用マスク６は、分割転写方式の荷電粒子線
転写装置に用いられるパターンの拡大マスクであって、
小領域（サブフィールド）毎にパターン密度（電流量）
が異なることに起因するクーロンデフォーカスの違いを
補正したものである。
による荷電粒子線転写用マスクを示す断面図である。荷
電粒子線転写用マスク６は、分割転写方式の荷電粒子線
転写装置に用いられるパターンの拡大マスクであって、
小領域（サブフィールド）毎にパターン密度（電流量）
が異なることに起因するクーロンデフォーカスの違いを
補正したものである。
【００１８】このマスク６は、拡大した転写パターンを
有する薄膜からなる複数のサブフィールド８がマスク支
持体７によって連結されて構成されており、シリコン基
板をエッチングすることにより製作される。これらのサ
ブフィールド８はパターン密度によって例えば３種類に
分けられる。即ち、パターン密度が大のサブフィールド
８ａ、パターン密度が中のサブフィールド８ｂ、パター
ン密度が小のサブフィールド８ｃの３種類である。これ
らのサブフィールドの光軸方向（マスク６に荷電粒子線
５が照射される方向）の位置については、パターン密度
が大のサブフィールド８ａを一番高い位置に形成し、パ
ターン密度が小のサブフィールド８ｃを一番低い位置に
形成し、パターン密度が中のサブフィールド８ｂを中間
の位置に形成している。
有する薄膜からなる複数のサブフィールド８がマスク支
持体７によって連結されて構成されており、シリコン基
板をエッチングすることにより製作される。これらのサ
ブフィールド８はパターン密度によって例えば３種類に
分けられる。即ち、パターン密度が大のサブフィールド
８ａ、パターン密度が中のサブフィールド８ｂ、パター
ン密度が小のサブフィールド８ｃの３種類である。これ
らのサブフィールドの光軸方向（マスク６に荷電粒子線
５が照射される方向）の位置については、パターン密度
が大のサブフィールド８ａを一番高い位置に形成し、パ
ターン密度が小のサブフィールド８ｃを一番低い位置に
形成し、パターン密度が中のサブフィールド８ｂを中間
の位置に形成している。
【００１９】このようにサブフィールド毎に高さを変え
た段差を有するマスク６を形成することにより、荷電粒
子線転写装置にマスク６を設置してパターン転写を行う
際に、クーロンデフォーカス量３に応じて荷電粒子線源
（図示せず）と各サブフィールド８ａ，８ｂ，８ｃとの
距離を予め変えることができる。つまり、クーロンデフ
ォーカス量が大きく焦点位置が遠いサブフィールド８ａ
では荷電粒子線源とサブフィールド８ａとの距離を短く
し、クーロンデフォーカス量が小さく焦点位置が近いサ
ブフィールド８ｃでは荷電粒子線源とサブフィールド８
ｃとの距離を長くすることができる。その結果、サブフ
ィールド毎に異なるクーロンデフォーカスの違いを補正
し、像の焦点位置を一定に保つようにすることができ
る。
た段差を有するマスク６を形成することにより、荷電粒
子線転写装置にマスク６を設置してパターン転写を行う
際に、クーロンデフォーカス量３に応じて荷電粒子線源
（図示せず）と各サブフィールド８ａ，８ｂ，８ｃとの
距離を予め変えることができる。つまり、クーロンデフ
ォーカス量が大きく焦点位置が遠いサブフィールド８ａ
では荷電粒子線源とサブフィールド８ａとの距離を短く
し、クーロンデフォーカス量が小さく焦点位置が近いサ
ブフィールド８ｃでは荷電粒子線源とサブフィールド８
ｃとの距離を長くすることができる。その結果、サブフ
ィールド毎に異なるクーロンデフォーカスの違いを補正
し、像の焦点位置を一定に保つようにすることができ
る。
【００２０】なお、サブフィールド８を構成する薄膜の
適切な高さは、マスク製作前にあらかじめ求めておく。
即ち、サブフィールド毎のパターン密度に応じたクーロ
ンデフォーカス量を例えばシミュレーションによって求
め、サブフィールド毎のクーロンデフォーカス量の違い
を打ち消して像の焦点位置を一定に保つような高さをマ
スク製作に先立って求めておく。そして、そのような適
切な高さに薄膜を形成したマスクを製作する。
適切な高さは、マスク製作前にあらかじめ求めておく。
即ち、サブフィールド毎のパターン密度に応じたクーロ
ンデフォーカス量を例えばシミュレーションによって求
め、サブフィールド毎のクーロンデフォーカス量の違い
を打ち消して像の焦点位置を一定に保つような高さをマ
スク製作に先立って求めておく。そして、そのような適
切な高さに薄膜を形成したマスクを製作する。
【００２１】次に、図１（ｃ）のマスクの製作方法の一
例について図２〜図７を参照しつつ説明する。図２〜図
７は、図１（ｃ）に示す荷電粒子線転写用マスクの製作
方法を示す断面図である。
例について図２〜図７を参照しつつ説明する。図２〜図
７は、図１（ｃ）に示す荷電粒子線転写用マスクの製作
方法を示す断面図である。
【００２２】まず、図２に示すように、シリコン基板４
１の表面上にレジスト膜４３を形成し、このレジスト膜
４３をパターニングする。次に、このパターニングされ
たレジスト膜４３をマスクとしてシリコン基板４１にお
けるパターン密度が小のサブフィールド８ｃを所定量だ
けエッチングする。
１の表面上にレジスト膜４３を形成し、このレジスト膜
４３をパターニングする。次に、このパターニングされ
たレジスト膜４３をマスクとしてシリコン基板４１にお
けるパターン密度が小のサブフィールド８ｃを所定量だ
けエッチングする。
【００２３】この後、図３に示すように、レジスト膜４
３をパターニングすることにより、レジスト膜４３にお
けるパターン密度が中のサブフィールド８ｂがさらに開
口される。次に、このパターニングされたレジスト膜４
３をマスクとしてシリコン基板４１におけるパターン密
度が小と中のサブフィールド８ｃ、８ｂを所定量だけエ
ッチングする。
３をパターニングすることにより、レジスト膜４３にお
けるパターン密度が中のサブフィールド８ｂがさらに開
口される。次に、このパターニングされたレジスト膜４
３をマスクとしてシリコン基板４１におけるパターン密
度が小と中のサブフィールド８ｃ、８ｂを所定量だけエ
ッチングする。
【００２４】次に、図４に示すように、レジスト膜４３
をパターニングすることにより、レジスト膜４３におけ
るパターン密度が大のサブフィールド８ａがさらに開口
される。次に、このパターニングされたレジスト膜４３
をマスクとしてシリコン基板４１におけるパターン密度
が小と中と大のサブフィールド８ｃ、８ｂ、８ａを所定
量だけエッチングする。
をパターニングすることにより、レジスト膜４３におけ
るパターン密度が大のサブフィールド８ａがさらに開口
される。次に、このパターニングされたレジスト膜４３
をマスクとしてシリコン基板４１におけるパターン密度
が小と中と大のサブフィールド８ｃ、８ｂ、８ａを所定
量だけエッチングする。
【００２５】この後、図５に示すように、上記レジスト
膜４３を除去した後、シリコン基板４１の裏面上にレジ
スト膜４５を形成し、このレジスト膜４５をパターニン
グする。次に、このパターニングされたレジスト膜４５
をマスクとしてシリコン基板４１におけるパターン密度
が大のサブフィールド８ａを所定量だけエッチングす
る。
膜４３を除去した後、シリコン基板４１の裏面上にレジ
スト膜４５を形成し、このレジスト膜４５をパターニン
グする。次に、このパターニングされたレジスト膜４５
をマスクとしてシリコン基板４１におけるパターン密度
が大のサブフィールド８ａを所定量だけエッチングす
る。
【００２６】次に、図６に示すように、レジスト膜４５
をパターニングすることにより、レジスト膜４５におけ
るパターン密度が中のサブフィールド８ｂがさらに開口
される。次に、このパターニングされたレジスト膜４５
をマスクとしてシリコン基板４１におけるパターン密度
が中と大のサブフィールド８ｂ、８ａを所定量だけエッ
チングする。
をパターニングすることにより、レジスト膜４５におけ
るパターン密度が中のサブフィールド８ｂがさらに開口
される。次に、このパターニングされたレジスト膜４５
をマスクとしてシリコン基板４１におけるパターン密度
が中と大のサブフィールド８ｂ、８ａを所定量だけエッ
チングする。
【００２７】この後、図７に示すように、上記レジスト
膜４５を除去する。このようにして荷電粒子線転写用マ
スクが製作される。
膜４５を除去する。このようにして荷電粒子線転写用マ
スクが製作される。
【００２８】上記第１の実施の形態によれば、サブフィ
ールド毎に縮小転写を行う荷電粒子線転写用マスクにお
いて、パターン密度が一様でない場合に起こるクーロン
デフォーカス量の違いを打ち消すようにサブフィールド
毎の高さを変えている。これにより、サブフィールド毎
に異なるクーロンデフォーカスの違いを補正してその影
響を最小限に抑えることができ、像の焦点位置を一定に
保つことができる。したがって、電子光学系やステージ
を高さ方向に動かして感応基板の高さの補正を行う必要
がなくなり、電子光学系やステージにかかる負担を著し
く軽減することができる。
ールド毎に縮小転写を行う荷電粒子線転写用マスクにお
いて、パターン密度が一様でない場合に起こるクーロン
デフォーカス量の違いを打ち消すようにサブフィールド
毎の高さを変えている。これにより、サブフィールド毎
に異なるクーロンデフォーカスの違いを補正してその影
響を最小限に抑えることができ、像の焦点位置を一定に
保つことができる。したがって、電子光学系やステージ
を高さ方向に動かして感応基板の高さの補正を行う必要
がなくなり、電子光学系やステージにかかる負担を著し
く軽減することができる。
【００２９】図８は、本発明の第２の実施の形態による
荷電粒子線転写用マスクを説明するための図である。こ
の荷電粒子線転写用マスクは、クーロン効果による転写
像の倍率ずれ補正用Pre-Distorted マスクである。
荷電粒子線転写用マスクを説明するための図である。こ
の荷電粒子線転写用マスクは、クーロン効果による転写
像の倍率ずれ補正用Pre-Distorted マスクである。
【００３０】図８（ａ）は、サブフィールドのパターン
を感応基板に転写する際に起こるクーロン効果による転
写像の倍率ずれについて補正を行っていないマスクのサ
ブフィールドを示す平面図である。図８（ｂ）は、図８
（ａ）に示すサブフィールドのパターンが感応基板に転
写された際のクーロン効果による転写像の倍率ずれの様
子を示す平面図である。図８（ｃ）は、クーロン効果に
よる転写像の倍率ずれについて補正をしたマスクのサブ
フィールドを示す平面図であり、図８（ｄ）は、図８
（ｃ）に示すサブフィールドのパターンが感応基板に転
写された際の転写像を示す平面図である。
を感応基板に転写する際に起こるクーロン効果による転
写像の倍率ずれについて補正を行っていないマスクのサ
ブフィールドを示す平面図である。図８（ｂ）は、図８
（ａ）に示すサブフィールドのパターンが感応基板に転
写された際のクーロン効果による転写像の倍率ずれの様
子を示す平面図である。図８（ｃ）は、クーロン効果に
よる転写像の倍率ずれについて補正をしたマスクのサブ
フィールドを示す平面図であり、図８（ｄ）は、図８
（ｃ）に示すサブフィールドのパターンが感応基板に転
写された際の転写像を示す平面図である。
【００３１】図８（ａ）に示すサブフィールド１５は、
ステンシルパターン１６を備えたメンブレン領域１７に
よって形成されている。このメンブレン領域１７におけ
るステンシルパターン１６をすべて含む照明領域１８に
荷電粒子線を照射することにより、図８（ｂ）に示すよ
うに、感応基板３０にサブフィールド１５のステンシル
パターン１６が転写される。この際、その転写パターン
１６´は、クーロン効果による転写像の倍率ずれが生じ
てしまう。つまり、倍率ずれが生じなかったとしたら転
写されるであろう理想的な転写位置１９に比べて拡大さ
れた転写パターン１６´となる。したがって、このよう
な倍率ずれを打ち消すようにあらかじめサブフィールド
内のパターンを歪ませたPre-Distorted マスクを製作す
れば、このマスクのパターンを感応基板に転写した際に
理想の転写位置１９にパターンを転写することができ
る。
ステンシルパターン１６を備えたメンブレン領域１７に
よって形成されている。このメンブレン領域１７におけ
るステンシルパターン１６をすべて含む照明領域１８に
荷電粒子線を照射することにより、図８（ｂ）に示すよ
うに、感応基板３０にサブフィールド１５のステンシル
パターン１６が転写される。この際、その転写パターン
１６´は、クーロン効果による転写像の倍率ずれが生じ
てしまう。つまり、倍率ずれが生じなかったとしたら転
写されるであろう理想的な転写位置１９に比べて拡大さ
れた転写パターン１６´となる。したがって、このよう
な倍率ずれを打ち消すようにあらかじめサブフィールド
内のパターンを歪ませたPre-Distorted マスクを製作す
れば、このマスクのパターンを感応基板に転写した際に
理想の転写位置１９にパターンを転写することができ
る。
【００３２】本実施の形態では、図８（ｃ）に示すよう
に、クーロン効果による転写像の倍率ずれについてあら
かじめ補正をしたPre-Distorted マスクを製作する。こ
のため、図８（ｄ）に示すように、そのマスクのサブフ
ィールド２０のステンシルパターン２１を感応基板３０
に転写した場合、その転写パターン２１´にクーロン効
果による転写像の倍率ずれが生じても、結果的に理想の
転写位置にパターンを転写することができる。
に、クーロン効果による転写像の倍率ずれについてあら
かじめ補正をしたPre-Distorted マスクを製作する。こ
のため、図８（ｄ）に示すように、そのマスクのサブフ
ィールド２０のステンシルパターン２１を感応基板３０
に転写した場合、その転写パターン２１´にクーロン効
果による転写像の倍率ずれが生じても、結果的に理想の
転写位置にパターンを転写することができる。
【００３３】なお、クーロン効果による転写像の倍率ず
れを打ち消すようなPre-Distortedマスクのサブフィー
ルド２０内のパターン倍率ずれ歪みは、マスク製作前に
あらかじめ求めておく。即ち、サブフィールド２０内の
よって生じるクーロン効果による倍率ずれを、マスク製
作に先立って例えばシミュレーションによって求めてお
く。
れを打ち消すようなPre-Distortedマスクのサブフィー
ルド２０内のパターン倍率ずれ歪みは、マスク製作前に
あらかじめ求めておく。即ち、サブフィールド２０内の
よって生じるクーロン効果による倍率ずれを、マスク製
作に先立って例えばシミュレーションによって求めてお
く。
【００３４】図９は、本発明の第３の実施の形態による
荷電粒子線転写用マスクを説明するための図である。こ
の荷電粒子線転写用マスクは、クーロン効果による転写
像の回転ずれ補正用Pre-Distorted マスクである。
荷電粒子線転写用マスクを説明するための図である。こ
の荷電粒子線転写用マスクは、クーロン効果による転写
像の回転ずれ補正用Pre-Distorted マスクである。
【００３５】図９（ａ）は、サブフィールドのパターン
を感応基板に転写する際に起こるクーロン効果による転
写像の回転ずれについて補正を行っていないマスクのサ
ブフィールドを示す平面図である。図９（ｂ）は、図９
（ａ）に示すサブフィールドのパターンが感応基板に転
写された際のクーロン効果による転写像の回転ずれの様
子を示す平面図である。図９（ｃ）は、クーロン効果に
よる転写像の回転ずれについて補正をしたマスクのサブ
フィールドを示す平面図であり、図９（ｄ）は、図９
（ｃ）に示すサブフィールドのパターンが感応基板に転
写された際の転写像を示す平面図である。
を感応基板に転写する際に起こるクーロン効果による転
写像の回転ずれについて補正を行っていないマスクのサ
ブフィールドを示す平面図である。図９（ｂ）は、図９
（ａ）に示すサブフィールドのパターンが感応基板に転
写された際のクーロン効果による転写像の回転ずれの様
子を示す平面図である。図９（ｃ）は、クーロン効果に
よる転写像の回転ずれについて補正をしたマスクのサブ
フィールドを示す平面図であり、図９（ｄ）は、図９
（ｃ）に示すサブフィールドのパターンが感応基板に転
写された際の転写像を示す平面図である。
【００３６】図９（ａ）に示すサブフィールド１５は、
ステンシルパターン２２を備えたメンブレン領域１７に
よって形成されている。このメンブレン領域１７におけ
るステンシルパターン２２をすべて含む照明領域１８に
荷電粒子線を照射することにより、図９（ｂ）に示すよ
うに、感応基板３０にサブフィールド１５のステンシル
パターン２２が転写される。この際、その転写パターン
２２´は、クーロン効果による転写像の回転ずれが生じ
てしまう。つまり、回転ずれが生じなかったとしたら転
写されるであろう理想的な転写位置に比べてある角度回
転された転写パターン２２´となる。
ステンシルパターン２２を備えたメンブレン領域１７に
よって形成されている。このメンブレン領域１７におけ
るステンシルパターン２２をすべて含む照明領域１８に
荷電粒子線を照射することにより、図９（ｂ）に示すよ
うに、感応基板３０にサブフィールド１５のステンシル
パターン２２が転写される。この際、その転写パターン
２２´は、クーロン効果による転写像の回転ずれが生じ
てしまう。つまり、回転ずれが生じなかったとしたら転
写されるであろう理想的な転写位置に比べてある角度回
転された転写パターン２２´となる。
【００３７】本実施の形態では、図９（ｃ）に示すよう
に、クーロン効果による転写像の回転ずれについてあら
かじめ補正をしたPre-Distorted マスクを製作する。こ
のため、図９（ｄ）に示すように、そのマスクのサブフ
ィールド２０のステンシルパターン２３を感応基板３０
に転写した場合、その転写パターン２３´にクーロン効
果による転写像の回転ずれが生じても、結果的に理想の
転写位置にパターンを転写することができる。
に、クーロン効果による転写像の回転ずれについてあら
かじめ補正をしたPre-Distorted マスクを製作する。こ
のため、図９（ｄ）に示すように、そのマスクのサブフ
ィールド２０のステンシルパターン２３を感応基板３０
に転写した場合、その転写パターン２３´にクーロン効
果による転写像の回転ずれが生じても、結果的に理想の
転写位置にパターンを転写することができる。
【００３８】なお、クーロン効果による転写像の回転ず
れを打ち消すようなPre-Distortedマスクのサブフィー
ルド２０内のパターン回転ずれ歪みは、マスク製作に先
立って例えばシミュレーションによってあらかじめ求め
ておく。
れを打ち消すようなPre-Distortedマスクのサブフィー
ルド２０内のパターン回転ずれ歪みは、マスク製作に先
立って例えばシミュレーションによってあらかじめ求め
ておく。
【００３９】図１０は、本発明の第４の実施の形態によ
る荷電粒子線転写用マスクを説明するための図である。
この荷電粒子線転写用マスクは、非一様パターンのクー
ロン歪み補正用Pre-Distorted マスクである。
る荷電粒子線転写用マスクを説明するための図である。
この荷電粒子線転写用マスクは、非一様パターンのクー
ロン歪み補正用Pre-Distorted マスクである。
【００４０】図１０（ａ）は、荷電粒子線転写用マスク
における非一様パターンを備えたサブフィールドを示す
模式的な平面図である。図１０（ｂ）は、図１０（ａ）
に示すサブフィールドのパターンが感応基板に転写され
た際のクーロン効果による像歪みの様子を示す模式図で
ある。図１０（ｃ）は、第４の実施の形態による荷電粒
子線転写用マスクにおけるサブフィールドのパターンが
感応基板に転写された際にクーロン効果によるパターン
歪みが補正された様子を示す模式図である。
における非一様パターンを備えたサブフィールドを示す
模式的な平面図である。図１０（ｂ）は、図１０（ａ）
に示すサブフィールドのパターンが感応基板に転写され
た際のクーロン効果による像歪みの様子を示す模式図で
ある。図１０（ｃ）は、第４の実施の形態による荷電粒
子線転写用マスクにおけるサブフィールドのパターンが
感応基板に転写された際にクーロン効果によるパターン
歪みが補正された様子を示す模式図である。
【００４１】図１０（ａ）に示すサブフィールド２８
は、パターン密度に偏りのあるものである。このサブフ
ィールド２８は第１〜第３の領域２８ａ〜２８ｃにより
構成されており、第１及び第２の領域２８ａ，２８ｂの
みに電流が一様に分布する。なお、第１の領域２８ａは
開口率５０％のパターンが形成されており、第２の領域
２８ｂは開口率１００％のパターンが形成されており、
第３の領域２８ｃは開口率０％である。
は、パターン密度に偏りのあるものである。このサブフ
ィールド２８は第１〜第３の領域２８ａ〜２８ｃにより
構成されており、第１及び第２の領域２８ａ，２８ｂの
みに電流が一様に分布する。なお、第１の領域２８ａは
開口率５０％のパターンが形成されており、第２の領域
２８ｂは開口率１００％のパターンが形成されており、
第３の領域２８ｃは開口率０％である。
【００４２】図１０（ｂ）に示すように、図１０（ａ）
のサブフィールド２８のパターンが感応基板３０に転写
された際、そのパターン密度に偏りがあり第１及び第２
の領域２８ａ，２８ｂのみに電流が一様に分布するた
め、電流密度が非一様なサブフィールド内のクーロン効
果によって像歪みが生じる。これにより、もし像歪みが
生じなかったとしたら転写されるであろう理想の転写位
置１０にはパターンが転写されず、歪み後の転写パター
ンの位置１１は理想転写位置１０より例えば内側に歪ん
だり、ずれてしまったりする。したがって、このような
像歪みを打ち消すようにあらかじめサブフィールド内の
パターンを歪ませたPre-Distorted マスクを製作すれ
ば、このマスクのパターンを感応基板に転写した際に理
想転写位置にパターンを転写することができる。
のサブフィールド２８のパターンが感応基板３０に転写
された際、そのパターン密度に偏りがあり第１及び第２
の領域２８ａ，２８ｂのみに電流が一様に分布するた
め、電流密度が非一様なサブフィールド内のクーロン効
果によって像歪みが生じる。これにより、もし像歪みが
生じなかったとしたら転写されるであろう理想の転写位
置１０にはパターンが転写されず、歪み後の転写パター
ンの位置１１は理想転写位置１０より例えば内側に歪ん
だり、ずれてしまったりする。したがって、このような
像歪みを打ち消すようにあらかじめサブフィールド内の
パターンを歪ませたPre-Distorted マスクを製作すれ
ば、このマスクのパターンを感応基板に転写した際に理
想転写位置にパターンを転写することができる。
【００４３】図１０（ｃ）に示すように、上記Pre-Dist
orted マスクにおけるサブフィールドのパターンが感応
基板３０に転写された場合は、クーロン効果による像歪
みが生じることによって転写パターン１３は理想位置に
形成されることになる。この図における符号１２に示す
パターンの転写位置は、上記Pre-Distorted マスクのサ
ブフィールドのパターンがクーロン効果による像歪みが
生じなかった場合の位置を示している。
orted マスクにおけるサブフィールドのパターンが感応
基板３０に転写された場合は、クーロン効果による像歪
みが生じることによって転写パターン１３は理想位置に
形成されることになる。この図における符号１２に示す
パターンの転写位置は、上記Pre-Distorted マスクのサ
ブフィールドのパターンがクーロン効果による像歪みが
生じなかった場合の位置を示している。
【００４４】なお、図１０（ｂ），（ｃ）に示す第１の
領域３０ａは図１０（ａ）に示す第１の領域２８ａに対
応するものであり、図１０（ｂ），（ｃ）に示す第２の
領域３０ｂは図１０（ａ）に示す第２の領域２８ｂに対
応するものである。
領域３０ａは図１０（ａ）に示す第１の領域２８ａに対
応するものであり、図１０（ｂ），（ｃ）に示す第２の
領域３０ｂは図１０（ａ）に示す第２の領域２８ｂに対
応するものである。
【００４５】また、クーロン効果による像歪みを打ち消
すようなPre-Distorted マスクのサブフィールド２８内
のパターン歪みは、マスク製作前にあらかじめ求めてお
く。即ち、サブフィールド２８内の非一様なパターンに
よって生じるクーロン効果歪みを、マスク製作に先立っ
て例えばシミュレーションによって求めておく。そし
て、そのようなクーロン効果による歪みを打ち消すよう
にあらかじめ歪ませたパターンがサブフィールドに形成
されたPre-Distorted マスクを製作する。これにより、
このPre-Distorted マスクのパターンを感応基板に転写
した場合、電流分布が一様でない場合に起こるクーロン
効果によるパターン歪みが補正され、結果的に、理想位
置にパターンを転写することができる。
すようなPre-Distorted マスクのサブフィールド２８内
のパターン歪みは、マスク製作前にあらかじめ求めてお
く。即ち、サブフィールド２８内の非一様なパターンに
よって生じるクーロン効果歪みを、マスク製作に先立っ
て例えばシミュレーションによって求めておく。そし
て、そのようなクーロン効果による歪みを打ち消すよう
にあらかじめ歪ませたパターンがサブフィールドに形成
されたPre-Distorted マスクを製作する。これにより、
このPre-Distorted マスクのパターンを感応基板に転写
した場合、電流分布が一様でない場合に起こるクーロン
効果によるパターン歪みが補正され、結果的に、理想位
置にパターンを転写することができる。
【００４６】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、サ
ブフィールド毎にパターンを転写する際にそのパターン
密度が異なることに起因するクーロンデフォーカス量の
違いを打ち消すように、あらかじめ該サブフィールドの
光軸方向の位置を変えている。したがって、パターン密
度が一様でない場合に起こるクーロンデフォーカスの違
いを補正した荷電粒子線転写用マスクを提供することが
できる。
ブフィールド毎にパターンを転写する際にそのパターン
密度が異なることに起因するクーロンデフォーカス量の
違いを打ち消すように、あらかじめ該サブフィールドの
光軸方向の位置を変えている。したがって、パターン密
度が一様でない場合に起こるクーロンデフォーカスの違
いを補正した荷電粒子線転写用マスクを提供することが
できる。
【００４７】また、本発明によれば、サブフィールド内
のパターンを転写する際に起こるクーロン効果によるパ
ターン歪みを打ち消すように、あらかじめ該サブフィー
ルド内のパターンを歪ませている。したがって、クーロ
ン効果によるパターン歪みを補正した荷電粒子線転写用
マスクを提供することができる。
のパターンを転写する際に起こるクーロン効果によるパ
ターン歪みを打ち消すように、あらかじめ該サブフィー
ルド内のパターンを歪ませている。したがって、クーロ
ン効果によるパターン歪みを補正した荷電粒子線転写用
マスクを提供することができる。
【図１】図１（ａ），（ｂ）は、パターン密度が異なる
サブフィールドを感応基板に転写する際に起こるクーロ
ンデフォーカスの違いを示す模式図であり、図１（ｃ）
は、本発明の第１の実施の形態による荷電粒子線転写用
マスクを示す断面図である。
サブフィールドを感応基板に転写する際に起こるクーロ
ンデフォーカスの違いを示す模式図であり、図１（ｃ）
は、本発明の第１の実施の形態による荷電粒子線転写用
マスクを示す断面図である。
【図２】図１（ｃ）に示す荷電粒子線転写用マスクの製
作方法を示す断面図である。
作方法を示す断面図である。
【図３】図１（ｃ）に示す荷電粒子線転写用マスクの製
作方法を示すものであり、図２次の工程を示す断面図で
ある。
作方法を示すものであり、図２次の工程を示す断面図で
ある。
【図４】図１（ｃ）に示す荷電粒子線転写用マスクの製
作方法を示すものであり、図３の次の工程を示す断面図
である。
作方法を示すものであり、図３の次の工程を示す断面図
である。
【図５】図１（ｃ）に示す荷電粒子線転写用マスクの製
作方法を示すものであり、図４の次の工程を示す断面図
である。
作方法を示すものであり、図４の次の工程を示す断面図
である。
【図６】図１（ｃ）に示す荷電粒子線転写用マスクの製
作方法を示すものであり、図５の次の工程を示す断面図
である。
作方法を示すものであり、図５の次の工程を示す断面図
である。
【図７】図１（ｃ）に示す荷電粒子線転写用マスクの製
作方法を示すものであり、図６の次の工程を示す断面図
である。
作方法を示すものであり、図６の次の工程を示す断面図
である。
【図８】図８（ａ）〜（ｄ）は、本発明の第２の実施の
形態による荷電粒子線転写用マスクを説明するための平
面図である。
形態による荷電粒子線転写用マスクを説明するための平
面図である。
【図９】図９（ａ）〜（ｄ）は、本発明の第３の実施の
形態による荷電粒子線転写用マスクを説明するための平
面図である。
形態による荷電粒子線転写用マスクを説明するための平
面図である。
【図１０】図１０（ａ）〜（ｃ）は、本発明の第４の実
施の形態による荷電粒子線転写用マスクであって、電流
分布が非一様なサブフィールドを転写する際に起こるク
ーロン効果による像の歪みをあらかじめ補正したPre-Di
storted マスクを説明するための図である。
施の形態による荷電粒子線転写用マスクであって、電流
分布が非一様なサブフィールドを転写する際に起こるク
ーロン効果による像の歪みをあらかじめ補正したPre-Di
storted マスクを説明するための図である。
１…レンズ ２…焦点面 ３…クーロンデフォーカス ４…クーロン効果
ぼけ ５…荷電粒子線 ６…荷電粒子線転
写用マスク ７…マスク支持体 ８…サブフィール
ド ８ａ…パターン密度が大のサブフィールド ８ｂ…パターン密度が中のサブフィールド ８ｃ…パターン密度が小のサブフィールド １０…理想の転写位置 １１…歪み後の転
写パターンの位置 １２…像歪みが生じなかった場合の転写パターンの位置 １３…転写パターン １５…サブフィー
ルド １６…ステンシルパターン １６´…転写パタ
ーン １７…メンブレン領域 １８…照明領域 １９…理想の転写位置 ２０…サブフィー
ルド ２１…ステンシルパターン ２１´…転写パタ
ーン ２２…ステンシルパターン ２２´…転写パタ
ーン ２３…ステンシルパターン ２３´…転写パタ
ーン ２８…サブフィールド ２８ａ…第１の領
域 ２８ｂ…第２の領域 ２８ｃ…第３の領
域 ３０…感応基板 ３０ａ…第１の領
域 ３０ｂ…第２の領域 ４１…シリコン基
板 ４３，４５…レジスト膜
ぼけ ５…荷電粒子線 ６…荷電粒子線転
写用マスク ７…マスク支持体 ８…サブフィール
ド ８ａ…パターン密度が大のサブフィールド ８ｂ…パターン密度が中のサブフィールド ８ｃ…パターン密度が小のサブフィールド １０…理想の転写位置 １１…歪み後の転
写パターンの位置 １２…像歪みが生じなかった場合の転写パターンの位置 １３…転写パターン １５…サブフィー
ルド １６…ステンシルパターン １６´…転写パタ
ーン １７…メンブレン領域 １８…照明領域 １９…理想の転写位置 ２０…サブフィー
ルド ２１…ステンシルパターン ２１´…転写パタ
ーン ２２…ステンシルパターン ２２´…転写パタ
ーン ２３…ステンシルパターン ２３´…転写パタ
ーン ２８…サブフィールド ２８ａ…第１の領
域 ２８ｂ…第２の領域 ２８ｃ…第３の領
域 ３０…感応基板 ３０ａ…第１の領
域 ３０ｂ…第２の領域 ４１…シリコン基
板 ４３，４５…レジスト膜
フロントページの続き (72)発明者 小島 真一 東京都千代田区丸の内３丁目２番３号株式 会社ニコン内 Ｆターム(参考） 2H095 BA02 BA08 BB02 5F056 AA27 CA04 CB32 CC14 CD09 CD10 FA05 FA07
Claims (4)
- 【請求項１】 複数の異なるパターン密度のサブフィー
ルドを有し、そのサブフィールド毎に荷電粒子線を分割
照射して感応基板にパターンを縮小転写するマスクであ
って；該サブフィールド毎にパターンを転写する際にそ
のパターン密度が異なることに起因するクーロンデフォ
ーカス量の違いを打ち消すように、あらかじめ該サブフ
ィールドの光軸方向の位置を変えておくことにより該ク
ーロンデフォーカス量の違いを補正することを特徴とす
る荷電粒子線転写用マスク。 - 【請求項２】 パターンを備えたサブフィールドを有
し、そのサブフィールド毎に荷電粒子線を分割照射して
感応基板にパターンを縮小転写するマスクであって；該
サブフィールド内のパターンを転写する際に起こるクー
ロン効果によるパターン歪みを打ち消すように、あらか
じめ該サブフィールド内のパターンを歪ませておくこと
により該パターン歪みを補正することを特徴とする荷電
粒子線転写用マスク。 - 【請求項３】 上記パターン歪みは、像の回転ずれ、倍
率ずれ及び高次の曲線状の歪みのうちの少なくとも一つ
を含むことを特徴とする請求項２記載の荷電粒子線転写
用マスク。 - 【請求項４】 非一様パターンを備えたサブフィールド
を有し、サブフィールド毎に荷電粒子線を分割照射して
感応基板にパターンを縮小転写するマスクであって；該
サブフィールド内の非一様パターンを転写する際に起こ
るクーロン効果によるパターン歪みを打ち消すように、
あらかじめ該サブフィールド内のパターンを歪ませてお
くことにより該パターン歪みを補正することを特徴とす
る荷電粒子線転写用マスク。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23114498A JP2000058431A (ja) | 1998-08-04 | 1998-08-04 | 荷電粒子線転写用マスク |
| US09/363,686 US6218058B1 (en) | 1998-08-04 | 1999-07-29 | Charged particle beam transfer mask |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23114498A JP2000058431A (ja) | 1998-08-04 | 1998-08-04 | 荷電粒子線転写用マスク |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000058431A true JP2000058431A (ja) | 2000-02-25 |
Family
ID=16918989
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|---|---|---|---|
| JP23114498A Pending JP2000058431A (ja) | 1998-08-04 | 1998-08-04 | 荷電粒子線転写用マスク |
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|---|---|
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