JP2007142433A - 露光線量決定方法及び露光装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】非露光領域における基準露光エネルギーより大きい所定の露光エネルギーを露光領域の特定位置において取得するように、露光領域における目標線量は決定される。また、目標線量は、所定の露光エネルギーよりも値の大きい露光エネルギーをマージン領域において取得するように、露光境界に隣接する露光領域のマージン領域で局所的に増加する。前記目標線量は、所定の露光エネルギーよりも値の小さい露光エネルギーを中間領域において取得するように、マージン領域に隣接する露光領域の中間領域で局所的に減少することもできる。
【選択図】図2
Description
Ec≦Ei<E0
ここで、Eiは中間領域における露光エネルギーを示し、Ecはビームで露光されるレジスト材料を完全に現像するために必要なクリア線量を示し、E0はマージン領域及び中間領域の外側に位置する露光領域の各部における所定の露光エネルギーを示す。
10 ・・・基材表面
11 ・・・材料膜
12 ・・・レジスト
13 ・・・パターン
2 ・・・電子ビーム
21 ・・・露光領域
22 ・・・非露光領域
23 ・・・露光境界
24 ・・・マージン領域
25 ・・・中間領域
30 ・・・露光装置
31 ・・・エアロック
32 ・・・作業台
33 ・・・モータ
34 ・・・偏向部
35 ・・・電子ビーム生成部
36 ・・・シャッタ
41 ・・・入力装置
43 ・・・コンピュータ
45 ・・・電子ビーム制御部
46 ・・・偏向制御部
47 ・・・インターフェース制御部
48 ・・・作業台制御
49 ・・・線量制御部
Claims (23)
- ビーム描画装置(30)を利用してパターン(13)を描画するための露光線量決定方法であり、そのパターン(13)が、所定のエネルギーを有するビームに対応して露光されるドットを単位として描かれるようにしたものであって、以下のステップを備えている。
―露光領域(21)及び非露光領域(22)を決定するステップ。露光境界(23)は前記露光領域と(21)前記非露光領域(22)とから定められる。
―露光領域(21)の特定位置における所定の露光エネルギーを取得するために、露光領域(21)における目標線量を決定するステップ。その所定の露光エネルギーは、非露光領域(22)における基準露光エネルギーより大きい。
―マージン領域(24)における露光エネルギーを、前記所定の露光エネルギーより大きくするために、露光領域(21)の露光境界(23)に隣接するマージン領域(24)における目標線量の値を局所的に増加させるステップ。 - 前記ビームが粒子又は光子から構成される請求項1記載の露光線量決定方法。
- 前記ビームが荷電粒子から構成される請求項2記載の露光線量決定方法。
- 前記荷電粒子がイオン及び電子から成る群より選択される請求項3記載の露光線量決定方法。
- 前記露光境界(23)に対して垂直に測定した場合の前記マージン領域(24)の幅が1μm以下である請求項1乃至4いずれかに記載の露光線量決定方法。
- 前記マージン領域(24)の幅が500nm未満である請求項5記載の露光線量決定方法。
- 前記マージン領域(24)の幅が150nm未満である請求項6記載の露光線量決定方法。
- 前記マージン領域(24)の幅が25nm未満である請求項7記載の露光線量決定方法。
- 前記マージン領域(24)の幅が5nm未満である請求項8記載の露光線量決定方法。
- 前記所定の露光エネルギーより小さい露光エネルギーを中間領域(25)において取得するように、露光領域(21)のマージン領域(24)に隣接する中間領域(25)における目標線量の値を局所的に減少させるステップを更に含む請求項1乃至9いずれかに記載の露光線量決定方法。
- 前記露光境界(23)に対して垂直に測定した場合の前記中間領域(25)の幅が240nm以下である請求項10記載の露光線量決定方法。
- 前記中間領域(25)の幅が100nm未満である請求項11記載の露光線量決定方法。
- 前記中間領域(25)の幅が50nm未満である請求項12記載の露光線量決定方法。
- 前記中間領域(25)の幅が5nm未満である請求項13記載の露光線量決定方法。
- 下式の関係を満たす請求項10乃至14いずれかに記載の露光線量決定方法。
Ec≦Ei<E0
但し、Eiは中間領域(25)における露光エネルギーを示し、Ecは前記ビームを露光するレジスト材料を完全に現像するために必要なクリア線量を示し、E0はマージン領域(24)及び中間領域(25)の外側に位置する露光領域(21)の各部における所定の露光エネルギーを示す。 - 下式の関係を満たす請求項1乃至15いずれかに記載の露光線量決定方法。
E0<Em≦10×E0
但し、Emはマージン領域(24)における露光エネルギーを示し、E0はマージン領域(24)及び中間領域(25)の外側に位置する露光領域(21)の各部における所定の露光エネルギーを示す。 - ビーム(2)を生成するものであって、そのビームは基材(1)上のレジスト材料(12)に、所定のエネルギーを有する当該ビームに対応して露光されるドットを単位としてパターンを規定するために用いられるものであるビーム生成部(45)と、
前記基材(1)を露光する線量を制御する線量制御部(49)と、
前記ビーム(2)を偏向する偏向部(34)と、
前記基材(1)を保持する基材保持部(32)と、
前記ビーム(2)の生成を制御するビーム制御部(45)と、
前記偏向部(34)を制御する偏向制御部(46)と、
コンピュータ(34)から受け付けるデータに対応させて、前記線量制御部(49)を制御するために用いられるインターフェース制御部(47)とから成る露光装置(30)であって、
前記データが、前記位置に依存して露光線量を決定し、
前記露光線量が、露光領域(21)の特定位置における所定の露光エネルギーを取得するための目標線量を含み、
前記所定の露光エネルギーが、非露光領域(22)における基準露光エネルギーよりも大きく、
前記インターフェース制御部が、露光領域(21)のマージン領域(24)における目標線量を局所的に増加させるために用いられるものであり、
前記マージン領域(24)が、露光領域(21)と非露光領域(22)との間の露光境界(23)に隣接し、
マージン領域(24)における露光エネルギーが前期所定の露光エネルギーよりも大きくなるように、前記目標線量の値を増加させる露光装置(30)。 - 前記ビームが粒子又は光子から構成される請求項17記載の露光装置(30)。
- 前記ビームが荷電粒子から構成される請求項18記載の露光装置(30)。
- 前記荷電粒子がイオン及び電子から成る群より選択される請求項19記載の露光装置(30)。
- 前記インターフェース制御部が、中間領域(25)における露光エネルギーを、前記所定の露光エネルギーよりも小さくするように、露光領域(21)のマージン領域(24)に隣接する中間領域(25)における目標線量を局所的に減少させる請求項17乃至20いずれかに記載の露光装置(30)。
- 下式の関係を満たす請求項21記載の露光装置。
Ec≦Ei<E0
但し、Eiは中間領域(25)における露光エネルギーを示し、Ecは前記ビームを露光するレジスト材料を完全に現像するために必要なクリア線量を示し、E0はマージン領域(24)及び中間領域(25)の外側に位置する露光領域(21)の各部における所定の露光エネルギーを示す。 - 前記インターフェース制御部(47)が前記目標線量を局所的に増加させる、下式の関係を満たす請求項17乃至22いずれかに記載の露光装置(30)。
E0<Em≦10×E0
但し、Emはマージン領域(24)における露光エネルギーを示し、E0はマージン領域(24)及び中間領域(25)の外側に位置する露光領域(21)の各部における所定の露光エネルギーを示す。
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