JP2011141536A - フォトマスク用ガラス基板及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【効果】IC等の製造の際に重要な光リソグラフィ法で使用されるシリカガラス系等のフォトマスク用ガラス基板において、フォトマスク露光時のマスクステージにフォトマスクを真空チャック等により固定したときのフォトマスクの全体の表面形状変化が抑制されたガラス基板を、従来の検査工程と同様の工程で生産性よく提供することができる。
【選択図】なし
Description
請求項1:
正方形形状の基板表面に遮光膜がパターニング形成されてなるフォトマスクが露光機に保持される保持部が位置する上記基板の表面であり、該表面の周縁をなす辺のうち対向する2辺の各々の辺から内側2mmと10mmの間で、かつ各々の辺の長さ方向両端から2mmの部分を除いた範囲に位置する二つの帯状領域において、
任意の共通基準平面から各帯状領域内の各座標への距離に基づき算出される、帯状領域の二つの最小自乗平面の法線同士がなす角度が10秒以下であり、
二つの帯状領域の任意の一方の最小自乗平面をF1、帯状領域の他方の最小自乗平面をF2、上記表面の周縁をなす4辺から内側2mmまでの範囲を除いた上記二つの帯状領域を含む主面領域の最小自乗平面をF3とし、F3と平行な平面F3’を、F1の帯状領域相当領域の中心とF2の帯状領域相当領域の中心とが、F3’に対して同じ側に位置するように配置して仮想したとき、F1の帯状領域相当領域の中心からF3’に下ろした垂線の距離D1と、F2の帯状領域相当領域の中心からF3’に下ろした垂線の距離D2との差の絶対値|D1−D2|で表わされる、帯状領域の高さが0.5μm以下であることを特徴とするフォトマスク用ガラス基板。
請求項2:
帯状領域の平坦度がいずれも1.0μm以下であることを特徴とする請求項1記載のフォトマスク用ガラス基板。
請求項3:
上記表面の周縁をなす4辺から内側10mmまでの範囲を除いた中央部正方形領域の平坦度が0.5μm以下であることを特徴とする請求項1又は2記載のフォトマスク用ガラス基板。
請求項4:
一辺152mm、厚さ6.35mmのシリカガラス製基板であることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項記載のフォトマスク用ガラス基板。
請求項5:
表面に遮光膜がパターニング形成されたフォトマスクに用いられる正方形形状のガラス基板を製造する方法であって、
上記表面の周縁をなす辺のうち対向する2辺の各々の辺から内側2mmと10mmの間で、かつ各々の辺の長さ方向両端から2mmの部分を除いた範囲に位置する二つの帯状領域と、
上記表面の周縁をなす4辺から内側2mmまでの範囲を除いた上記二つの帯状領域が含まれる主面領域とを設定し、
主面領域について、任意の共通基準平面から領域内の各座標への距離に基づき最小自乗平面を算出し、
主面領域の最小自乗平面と二つの帯状領域の実面形状とを対比し、
これらの差分に応じて帯状領域内の各座標における除去量を算出し、
局所研磨又は局所エッチングによって上記除去量に相当する二つの帯状領域の基板表面部を除去することを特徴とするフォトマスク用ガラス基板の製造方法。
請求項6:
上記主面領域の最小自乗平面と二つの帯状領域の実面形状との差分を、二つの帯状領域が共に主面領域の最小自乗平面と平行となり、かつ上記共通基準平面から領域内の各座標への距離に基づき算出した帯状領域の二つの最小自乗平面について、
二つの帯状領域の任意の一方の最小自乗平面をF1、帯状領域の他方の最小自乗平面をF2、上記表面の周縁をなす4辺から内側2mmまでの範囲を除いた上記二つの帯状領域を含む主面領域の最小自乗平面をF3とし、F3と平行な平面F3’を、F1の帯状領域相当領域の中心とF2の帯状領域相当領域の中心とが、F3’に対して同じ側に位置するように配置して仮想したとき、F1の帯状領域相当領域の中心からF3’に下ろした垂線の距離D1と、F2の帯状領域相当領域の中心からF3’に下ろした垂線の距離D2との差の絶対値|D1−D2|で表わされる、帯状領域の高さが0となる二つの帯状領域の目標形状を算出し、帯状領域の目標形状と実面形状との差分から求めることを特徴とする請求項5記載のフォトマスク用ガラス基板の製造方法。
請求項7:
上記帯状領域の目標形状を主面領域の最小自乗平面とすることを特徴とする請求項6記載のフォトマスク用ガラス基板の製造方法。
請求項8:
更に、上記表面の周縁をなす4辺から内側10mmまでの範囲を除いた中央部正方形領域を設定し、
中央部正方形領域について、上記共通基準平面から領域内の各座標への距離に基づき最小自乗平面を算出し、
中央部正方形領域の最小自乗平面と中央部正方形領域の実面形状とを対比し、
これらの差分に応じて中央部正方形領域内の各座標における除去量を算出し、
局所研磨又は局所エッチングによって上記除去量に相当する中央部正方形領域の基板表面部を除去することを特徴とする請求項5乃至7のいずれか1項記載のフォトマスク用ガラス基板の製造方法。
請求項9:
上記局所研磨又は局所エッチングの後に、両面研磨を行い、二つの帯状領域の平坦度をいずれも1.0μm以下とすることを特徴とする請求項5乃至8のいずれか1項記載のフォトマスク用ガラス基板の製造方法。
請求項10:
上記局所研磨又は局所エッチングの後に、両面研磨を行い、上記表面の周縁をなす4辺から内側10mmまでの範囲を除いた中央部正方形領域の平坦度を0.5μm以下とすることを特徴とする請求項5乃至8のいずれか1項記載のフォトマスク用ガラス基板の製造方法。
請求項11:
上記局所研磨又は局所エッチングによる加工の後に行う、加工面の面質及び欠陥品質を向上させるための研磨工程において生じる研磨前後の上記帯状領域の形状変化を予め評価し、該形状変化に相当する量を除いた調整除去量を算出し、帯状領域の局所研磨又は局所エッチングにおいて、上記調整除去量を基板表面部の除去量として、基板表面部を除去した後、上記研磨工程を実施することを特徴とする請求項5乃至8のいずれか1項記載のフォトマスク用ガラス基板の製造方法。
請求項12:
一辺152mm、厚さ6.35mmのシリカガラス製基板であることを特徴とする請求項5乃至11のいずれか1項記載のフォトマスク用ガラス基板の製造方法。
本発明においては、正方形形状の基板表面に遮光膜がパターニング形成されてなるフォトマスクが露光機に保持される保持部に位置する上記基板の表面を対象とする。そして、この表面において、フォトマスクが露光機に保持される際の保持部に位置する所定の領域、即ち、図1に示されるように、基板表面1の周縁をなす辺のうち、対向する2辺の各々の内側2mmと10mmとの間で、かつ各々の辺の長さ方向両端から2mmの部分を各々除いた範囲にある領域を帯状領域21とし、この帯状領域21,21について、対向する一対の帯状領域21,21のそれぞれの平均平面(最小自乗平面)が、概平行で、かつ段差(高さ)が0.5μm以下とする。
(1)基板表面の周縁をなす辺のうち対向する2辺の各々の辺から内側2mmと10mmの間で、かつ各々の辺の長さ方向両端から2mmの部分を除いた範囲に位置する二つの帯状領域と、上記表面の周縁をなす4辺から内側2mmまでの範囲を除いた上記二つの帯状領域が含まれる主面領域とを設定し、主面領域について、任意の共通基準平面から領域内の各座標への距離に基づき最小自乗平面を算出し、主面領域の最小自乗平面と二つの帯状領域の実面形状とを対比し、これらの差分に応じて帯状領域内の各座標における除去量を算出し、局所研磨又は局所エッチングによって上記除去量に相当する二つの帯状領域の基板表面部を除去すること
ができ、更に、
(2)基板表面の周縁をなす4辺から内側10mmまでの範囲を除いた中央部正方形領域を設定し、中央部正方形領域について、上記共通基準平面から領域内の各座標への距離に基づき最小自乗平面を算出し、中央部正方形領域の最小自乗平面と中央部正方形領域の実面形状とを対比し、これらの差分に応じて中央部正方形領域内の各座標における除去量を算出し、局所研磨又は局所エッチングによって上記除去量に相当する中央部正方形領域の基板表面部を除去すること
を組み合わせてプラズマエッチング等による局所エッチング、又は回転型小型加工ツール等による局所研磨をすることができる。(1)及び(2)の方法は、1回のみならず、2回以上実施してもよく、また、(1)の方法と(2)の方法とを交互に実施することもできる。
一辺152mmの正方形の表面を有し、厚さ6.4mmの石英基板を用意した。まず、この石英基板の表面を光学干渉式の平坦度測定機で測定したところ、一対の帯状領域の二つの帯状領域の各々の最小自乗平面の法線がなす角度が19.62秒、二つの帯状領域の高さの差が0.87μmであった。このとき、一対の帯状領域について、任意の一方の最小自乗平面をF1、帯状領域の他方の最小自乗平面をF2、上記表面の周縁をなす4辺から内側2mmまでの範囲を除いた上記二つの帯状領域を含む主面領域の最小自乗平面をF3とし、F3と平行な平面F3’を、F1の帯状領域相当領域の中心とF2の帯状領域相当領域の中心とが、F3’に対して同じ側に位置するように配置して仮想したとき、F1の帯状領域相当領域の中心からF3’に下ろした垂線の距離D1と、F2の帯状領域相当領域の中心からF3’に下ろした垂線の距離D2との差の絶対値|D1−D2|を帯状領域の高さとした。また、中央部正方形領域のフラットネスは0.338μmであった。
一辺152mmの正方形の表面を有し、厚さ6.4mmの石英基板を用意した。まず、この石英基板の表面を光学干渉式の平坦度測定機で測定したところ、一対の帯状領域の二つの帯状領域の各々の最小自乗平面の法線がなす角度が38.44秒、二つの帯状領域の高さの差が0.74μmであった。このとき、実施例1と同様に、絶対値|D1−D2|を帯状領域の高さとした。また、中央部正方形領域のフラットネスは0.542μmであった。
一辺152mmの正方形の表面を有し、厚さ6.4mmの石英基板を用意した。まず、この石英基板の表面を光学干渉式の平坦度測定機で測定したところ、一対の帯状領域の二つの帯状領域の各々の最小自乗平面の法線がなす角度が51.63秒、二つの帯状領域の高さの差が1.48μmであった。このとき、実施例1と同様に、絶対値|D1−D2|を帯状領域の高さとした。また、中央部正方形領域のフラットネスは1.467μmであった。
一辺152mmの正方形の表面を有し、厚さ6.4mmの石英基板を用意した。まず、この石英基板の表面を光学干渉式の平坦度測定機で測定したところ、一対の帯状領域の二つの帯状領域の各々の最小自乗平面の法線がなす角度が25.45秒、二つの帯状領域の高さの差が0.87μmであった。このとき、実施例1と同様に、絶対値|D1−D2|を帯状領域の高さとした。また、中央部正方形領域のフラットネスは0.338μmであった。
まず、実施例4と同様の方法で作製した基板を10枚準備し、これらを予備基板とした。これら10枚の予備基板に対して光学干渉式の平坦度測定機で表面形状を測定して、軟質のスエード製研磨布とコロイダルシリカを用いた最終研磨工程(両面研磨)を実施し、研磨工程後、再び表面形状を測定して、それぞれの基板に対して最終研磨後の表面形状の高さデータから最終研磨前の表面形状の高さデータを差し引き、差分を求め10枚を平均して最終研磨での形状変化を評価した。軟質のスエード製研磨布とコロイダルシリカを用いた最終研磨工程では基板表面形状は凸形状化する特性があるが、この場合の形状変化は0.134μmの凸形状であった。
2 主面領域
21 帯状領域
22 中央部正方形領域
3 基板端面から2mm内側の位置
4 基板端面から10mm内側の位置
5 局所研磨又は局所エッチングを行う前の基板表面
6 主面領域の最小自乗平面
61 主面領域の最小自乗平面と平行な平面
62 主面領域の最小自乗平面と平行な平面内の帯状領域相当領域
7 二つの帯状領域のうちの一方の最小自乗平面
71 二つの帯状領域のうちの他方の最小自乗平面
72 帯状領域の最小自乗平面と平行な平面内の帯状領域相当領域
8 二つの帯状領域の一方の最小自乗平面の帯状領域相当領域の中心から主面領域の最小自乗平面と平行な面に下ろした垂線
81 二つの帯状領域の他方の帯状領域の最小自乗平面の帯状領域相当領域の中心から主面領域の最小自乗平面と平行な面に下ろした垂線
9 局所研磨又は局所エッチングを行ったあとの基板表面
41 ガラス基板
42 小型回転加工ツール
43 ツール回転軸方向
44 回転軸方向を基板に投影した直線
45 回転加工ツールの移動方式の例
Claims (12)
- 正方形形状の基板表面に遮光膜がパターニング形成されてなるフォトマスクが露光機に保持される保持部が位置する上記基板の表面であり、該表面の周縁をなす辺のうち対向する2辺の各々の辺から内側2mmと10mmの間で、かつ各々の辺の長さ方向両端から2mmの部分を除いた範囲に位置する二つの帯状領域において、
任意の共通基準平面から各帯状領域内の各座標への距離に基づき算出される、帯状領域の二つの最小自乗平面の法線同士がなす角度が10秒以下であり、
二つの帯状領域の任意の一方の最小自乗平面をF1、帯状領域の他方の最小自乗平面をF2、上記表面の周縁をなす4辺から内側2mmまでの範囲を除いた上記二つの帯状領域を含む主面領域の最小自乗平面をF3とし、F3と平行な平面F3’を、F1の帯状領域相当領域の中心とF2の帯状領域相当領域の中心とが、F3’に対して同じ側に位置するように配置して仮想したとき、F1の帯状領域相当領域の中心からF3’に下ろした垂線の距離D1と、F2の帯状領域相当領域の中心からF3’に下ろした垂線の距離D2との差の絶対値|D1−D2|で表わされる、帯状領域の高さが0.5μm以下であることを特徴とするフォトマスク用ガラス基板。 - 帯状領域の平坦度がいずれも1.0μm以下であることを特徴とする請求項1記載のフォトマスク用ガラス基板。
- 上記表面の周縁をなす4辺から内側10mmまでの範囲を除いた中央部正方形領域の平坦度が0.5μm以下であることを特徴とする請求項1又は2記載のフォトマスク用ガラス基板。
- 一辺152mm、厚さ6.35mmのシリカガラス製基板であることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項記載のフォトマスク用ガラス基板。
- 表面に遮光膜がパターニング形成されたフォトマスクに用いられる正方形形状のガラス基板を製造する方法であって、
上記表面の周縁をなす辺のうち対向する2辺の各々の辺から内側2mmと10mmの間で、かつ各々の辺の長さ方向両端から2mmの部分を除いた範囲に位置する二つの帯状領域と、
上記表面の周縁をなす4辺から内側2mmまでの範囲を除いた上記二つの帯状領域が含まれる主面領域とを設定し、
主面領域について、任意の共通基準平面から領域内の各座標への距離に基づき最小自乗平面を算出し、
主面領域の最小自乗平面と二つの帯状領域の実面形状とを対比し、
これらの差分に応じて帯状領域内の各座標における除去量を算出し、
局所研磨又は局所エッチングによって上記除去量に相当する二つの帯状領域の基板表面部を除去することを特徴とするフォトマスク用ガラス基板の製造方法。 - 上記主面領域の最小自乗平面と二つの帯状領域の実面形状との差分を、二つの帯状領域が共に主面領域の最小自乗平面と平行となり、かつ上記共通基準平面から領域内の各座標への距離に基づき算出した帯状領域の二つの最小自乗平面について、
二つの帯状領域の任意の一方の最小自乗平面をF1、帯状領域の他方の最小自乗平面をF2、上記表面の周縁をなす4辺から内側2mmまでの範囲を除いた上記二つの帯状領域を含む主面領域の最小自乗平面をF3とし、F3と平行な平面F3’を、F1の帯状領域相当領域の中心とF2の帯状領域相当領域の中心とが、F3’に対して同じ側に位置するように配置して仮想したとき、F1の帯状領域相当領域の中心からF3’に下ろした垂線の距離D1と、F2の帯状領域相当領域の中心からF3’に下ろした垂線の距離D2との差の絶対値|D1−D2|で表わされる、帯状領域の高さが0となる二つの帯状領域の目標形状を算出し、帯状領域の目標形状と実面形状との差分から求めることを特徴とする請求項5記載のフォトマスク用ガラス基板の製造方法。 - 上記帯状領域の目標形状を主面領域の最小自乗平面とすることを特徴とする請求項6記載のフォトマスク用ガラス基板の製造方法。
- 更に、上記表面の周縁をなす4辺から内側10mmまでの範囲を除いた中央部正方形領域を設定し、
中央部正方形領域について、上記共通基準平面から領域内の各座標への距離に基づき最小自乗平面を算出し、
中央部正方形領域の最小自乗平面と中央部正方形領域の実面形状とを対比し、
これらの差分に応じて中央部正方形領域内の各座標における除去量を算出し、
局所研磨又は局所エッチングによって上記除去量に相当する中央部正方形領域の基板表面部を除去することを特徴とする請求項5乃至7のいずれか1項記載のフォトマスク用ガラス基板の製造方法。 - 上記局所研磨又は局所エッチングの後に、両面研磨を行い、二つの帯状領域の平坦度をいずれも1.0μm以下とすることを特徴とする請求項5乃至8のいずれか1項記載のフォトマスク用ガラス基板の製造方法。
- 上記局所研磨又は局所エッチングの後に、両面研磨を行い、上記表面の周縁をなす4辺から内側10mmまでの範囲を除いた中央部正方形領域の平坦度を0.5μm以下とすることを特徴とする請求項5乃至8のいずれか1項記載のフォトマスク用ガラス基板の製造方法。
- 上記局所研磨又は局所エッチングによる加工の後に行う、加工面の面質及び欠陥品質を向上させるための研磨工程において生じる研磨前後の上記帯状領域の形状変化を予め評価し、該形状変化に相当する量を除いた調整除去量を算出し、帯状領域の局所研磨又は局所エッチングにおいて、上記調整除去量を基板表面部の除去量として、基板表面部を除去した後、上記研磨工程を実施することを特徴とする請求項5乃至8のいずれか1項記載のフォトマスク用ガラス基板の製造方法。
- 一辺152mm、厚さ6.35mmのシリカガラス製基板であることを特徴とする請求項5乃至11のいずれか1項記載のフォトマスク用ガラス基板の製造方法。
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Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2016004821A (ja) * | 2014-06-13 | 2016-01-12 | 旭硝子株式会社 | マスクブランク用ガラス基板の製造方法 |
KR20160018437A (ko) * | 2014-08-07 | 2016-02-17 | 아사히 가라스 가부시키가이샤 | 마스크 블랭크용 유리 기판 및 그의 제조 방법 |
JP2017102411A (ja) * | 2015-12-04 | 2017-06-08 | 旭硝子株式会社 | マスクブランク用のガラス基板、マスクブランク、およびフォトマスク |
JP2017107007A (ja) * | 2015-12-08 | 2017-06-15 | 旭硝子株式会社 | マスクブランク用のガラス基板、マスクブランク、およびフォトマスク |
WO2018020994A1 (ja) * | 2016-07-27 | 2018-02-01 | Hoya株式会社 | マスクブランク用基板の製造方法、マスクブランクの製造方法、転写用マスクの製造方法、半導体デバイスの製造方法、マスクブランク用基板、マスクブランク及び転写用マスク |
WO2020196555A1 (ja) * | 2019-03-28 | 2020-10-01 | Hoya株式会社 | マスクブランク用基板、導電膜付き基板、多層反射膜付き基板、反射型マスクブランク、反射型マスク、及び半導体装置の製造方法 |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102358826B (zh) * | 2011-08-19 | 2013-08-07 | 湖南皓志新材料股份有限公司 | 一种铝掺杂的氧化锆复合抛光粉的制备方法 |
JP5776491B2 (ja) * | 2011-10-24 | 2015-09-09 | 信越化学工業株式会社 | フォトマスク用、レチクル用又はナノインプリント用のガラス基板及びその製造方法 |
CN110865620B (zh) * | 2019-11-27 | 2022-01-25 | 郑州旭飞光电科技有限公司 | 一种基板玻璃在线抽检系统、方法及包装系统 |
Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05241322A (ja) * | 1992-02-28 | 1993-09-21 | Hoya Corp | フォトマスクブランクの検査方法、フォトマスクの製造方法、フォトマスクブランク及びフォトマスクブランク用ガラス基板 |
JP2001332480A (ja) * | 2000-05-24 | 2001-11-30 | Canon Inc | 原版チャック、該原版チャックを備えた露光装置および半導体デバイス製造方法 |
JP2003050458A (ja) * | 2001-05-31 | 2003-02-21 | Toshiba Corp | 露光マスクの製造方法、マスク基板情報生成方法、半導体装置の製造方法、マスク基板、露光マスクおよびサーバー |
JP2005043838A (ja) * | 2003-07-25 | 2005-02-17 | Shin Etsu Chem Co Ltd | フォトマスクブランク用基板の製造方法 |
JP2005043836A (ja) * | 2003-07-25 | 2005-02-17 | Shin Etsu Chem Co Ltd | フォトマスクブランク用基板の選定方法 |
JP2005043835A (ja) * | 2003-07-25 | 2005-02-17 | Shin Etsu Chem Co Ltd | フォトマスクブランク用基板、フォトマスクブランク及びフォトマスク |
JP2005043830A (ja) * | 2003-07-25 | 2005-02-17 | Shin Etsu Chem Co Ltd | フォトマスクブランク用基板、フォトマスクブランク及びフォトマスク |
JP2007025728A (ja) * | 2001-05-31 | 2007-02-01 | Toshiba Corp | マスク基板情報生成方法、マスク基板の製造方法およびマスク基板の検査方法 |
JP2008116571A (ja) * | 2006-11-01 | 2008-05-22 | Hoya Corp | マスクブランク用基板の製造方法及びマスクブランクの製造方法、並びに転写マスクの製造方法 |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6537844B1 (en) | 2001-05-31 | 2003-03-25 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Manufacturing method for exposure mask, generating method for mask substrate information, mask substrate, exposure mask, manufacturing method for semiconductor device and server |
JP2004029735A (ja) | 2002-03-29 | 2004-01-29 | Hoya Corp | 電子デバイス用基板、該基板を用いたマスクブランクおよび転写用マスク、並びにこれらの製造方法、研磨装置および研磨方法 |
DE10314212B4 (de) | 2002-03-29 | 2010-06-02 | Hoya Corp. | Verfahren zur Herstellung eines Maskenrohlings, Verfahren zur Herstellung einer Transfermaske |
KR101048910B1 (ko) | 2003-03-20 | 2011-07-12 | 호야 가부시키가이샤 | 레티클용 기판 및 그 제조방법과, 마스크 블랭크 및 그제조방법 |
TWI329779B (en) * | 2003-07-25 | 2010-09-01 | Shinetsu Chemical Co | Photomask blank substrate, photomask blank and photomask |
JP4339214B2 (ja) * | 2004-09-13 | 2009-10-07 | Hoya株式会社 | マスクブランク用透明基板とその製造方法及びマスクブランクとその製造方法 |
DE102005046135B4 (de) * | 2004-09-29 | 2017-04-13 | Hoya Corp. | Substrat für Maskenrohling, Maskenrohling, Belichtungsmaske und Herstellungsverfahren für Maskenrohlingssubstrat |
JP5332249B2 (ja) * | 2007-06-05 | 2013-11-06 | 旭硝子株式会社 | ガラス基板の研磨方法 |
-
2010
- 2010-12-02 MY MYPI2010005727A patent/MY155168A/en unknown
- 2010-12-06 EP EP10252063.2A patent/EP2339399B1/en active Active
- 2010-12-06 JP JP2010271115A patent/JP5472065B2/ja active Active
- 2010-12-10 TW TW099143229A patent/TWI497196B/zh active
- 2010-12-10 US US12/964,762 patent/US8551346B2/en active Active
- 2010-12-10 CN CN201010582088.4A patent/CN102096311B/zh active Active
- 2010-12-10 KR KR1020100126030A patent/KR101618376B1/ko active IP Right Grant
-
2013
- 2013-09-06 US US14/020,454 patent/US9316902B2/en active Active
Patent Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05241322A (ja) * | 1992-02-28 | 1993-09-21 | Hoya Corp | フォトマスクブランクの検査方法、フォトマスクの製造方法、フォトマスクブランク及びフォトマスクブランク用ガラス基板 |
JP2001332480A (ja) * | 2000-05-24 | 2001-11-30 | Canon Inc | 原版チャック、該原版チャックを備えた露光装置および半導体デバイス製造方法 |
JP2003050458A (ja) * | 2001-05-31 | 2003-02-21 | Toshiba Corp | 露光マスクの製造方法、マスク基板情報生成方法、半導体装置の製造方法、マスク基板、露光マスクおよびサーバー |
JP2007025728A (ja) * | 2001-05-31 | 2007-02-01 | Toshiba Corp | マスク基板情報生成方法、マスク基板の製造方法およびマスク基板の検査方法 |
JP2005043838A (ja) * | 2003-07-25 | 2005-02-17 | Shin Etsu Chem Co Ltd | フォトマスクブランク用基板の製造方法 |
JP2005043836A (ja) * | 2003-07-25 | 2005-02-17 | Shin Etsu Chem Co Ltd | フォトマスクブランク用基板の選定方法 |
JP2005043835A (ja) * | 2003-07-25 | 2005-02-17 | Shin Etsu Chem Co Ltd | フォトマスクブランク用基板、フォトマスクブランク及びフォトマスク |
JP2005043830A (ja) * | 2003-07-25 | 2005-02-17 | Shin Etsu Chem Co Ltd | フォトマスクブランク用基板、フォトマスクブランク及びフォトマスク |
JP2008116571A (ja) * | 2006-11-01 | 2008-05-22 | Hoya Corp | マスクブランク用基板の製造方法及びマスクブランクの製造方法、並びに転写マスクの製造方法 |
Cited By (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2016004821A (ja) * | 2014-06-13 | 2016-01-12 | 旭硝子株式会社 | マスクブランク用ガラス基板の製造方法 |
KR20160018437A (ko) * | 2014-08-07 | 2016-02-17 | 아사히 가라스 가부시키가이샤 | 마스크 블랭크용 유리 기판 및 그의 제조 방법 |
JP2016038573A (ja) * | 2014-08-07 | 2016-03-22 | 旭硝子株式会社 | マスクブランク用ガラス基板、および、その製造方法 |
KR102341558B1 (ko) | 2014-08-07 | 2021-12-22 | 에이지씨 가부시키가이샤 | 마스크 블랭크용 유리 기판 및 그의 제조 방법 |
JP2017102411A (ja) * | 2015-12-04 | 2017-06-08 | 旭硝子株式会社 | マスクブランク用のガラス基板、マスクブランク、およびフォトマスク |
JP2017107007A (ja) * | 2015-12-08 | 2017-06-15 | 旭硝子株式会社 | マスクブランク用のガラス基板、マスクブランク、およびフォトマスク |
WO2018020994A1 (ja) * | 2016-07-27 | 2018-02-01 | Hoya株式会社 | マスクブランク用基板の製造方法、マスクブランクの製造方法、転写用マスクの製造方法、半導体デバイスの製造方法、マスクブランク用基板、マスクブランク及び転写用マスク |
JP6293986B1 (ja) * | 2016-07-27 | 2018-03-14 | Hoya株式会社 | マスクブランク用基板の製造方法、マスクブランクの製造方法、転写用マスクの製造方法、半導体デバイスの製造方法、マスクブランク用基板、マスクブランク及び転写用マスク |
JP2018106186A (ja) * | 2016-07-27 | 2018-07-05 | Hoya株式会社 | マスクブランク用基板、マスクブランク、転写用マスク及び半導体デバイスの製造方法 |
CN109463000A (zh) * | 2016-07-27 | 2019-03-12 | Hoya株式会社 | 掩模坯料用基板的制造方法、掩模坯料的制造方法、转印用掩模的制造方法、半导体器件的制造方法、掩模坯料用基板、掩模坯料及转印用掩模 |
US10983427B2 (en) | 2016-07-27 | 2021-04-20 | Hoya Corporation | Method for manufacturing a mask blank substrate, method for manufacturing a mask blank, method for manufacturing a transfer mask, method for manufacturing a semiconductor device, a mask blank substrate, a mask blank, and a transfer mask |
WO2020196555A1 (ja) * | 2019-03-28 | 2020-10-01 | Hoya株式会社 | マスクブランク用基板、導電膜付き基板、多層反射膜付き基板、反射型マスクブランク、反射型マスク、及び半導体装置の製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TWI497196B (zh) | 2015-08-21 |
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US20140004309A1 (en) | 2014-01-02 |
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