JP6229807B1 - マスクブランク - Google Patents
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Abstract
【課題】パターン重ね合せ精度の良いフォトマスクを得ることができる、マスクブランクの提供。【解決手段】吸収膜を備える第一主表面と導電膜を備える第二主表面とを有するマスクブランクで、前記導電膜における前記ガラス基板とは反対側の面のうち、外周を除く１４２ｍｍ□の面形状が、下記式中のｋとｌとの和が３以上２５以下である全てのａｋｌＰｋ（ｘ）Ｐｌ（ｙ）を足した成分の平坦度が２０ｎｍ以下である。【選択図】図１
Description
本発明は、マスクブランク、特にＥＵＶ（Ｅｘｔｒｅｍｅ Ｕｌｔｒａ Ｖｉｏｌｅｔ：極端紫外）光を使用するＥＵＶリソグラフィ（ＥＵＶＬ）用反射型マスクブランクに関する。
マスクブランクは、第一及び第二の主表面を有するガラス基板と、ガラス基板の第一の主表面に形成される膜と、ガラス基板の第二の主表面に形成される導電膜とを有する。第一の主表面には、少なくとも、光を反射する反射膜と、光を吸収する吸収膜とがこの順で形成される。吸収膜等に回路パターンが形成されることで、フォトマスクが得られる。
マスクブランクは、回路パターンが形成される第一の主表面と、静電チャックで吸着される第二の主表面とを有する。マスクブランクの吸着面は、導電膜のガラス基板とは反対側の主表面である。マスクブランクの吸着面は、静電チャックの平らな面で吸着され、その面に倣う。
フォトマスクの回路パターンの歪みが許容範囲に収まるように、マスクブランクの第一及び第二の主表面には高い平坦度が求められている。特に第一の主表面の中央領域には、回路パターンが形成されるため、高い平坦度が求められている。同様に、第二の主表面の中央領域には、静電吸着時の変形を抑制して回路パターンの歪みを抑制するため、高い平坦度が求められる。
マスクブランクの第一の主表面の平坦度は、ガラス基板の第一の主表面の平坦度、および反射膜や吸収膜、導電膜等の成膜の過程で生じる反りなどに依存する。同様に、マスクブランクの第二の主表面の平坦度は、ガラス基板の第二の主表面の平坦度、および反射膜や吸収膜、導電膜等の成膜の過程で生じる反りなどに依存する。
マスクブランク用ガラス基板やマスクブランクの平坦度測定には、通常、光学干渉計が使用される（例えば特許文献１参照）。光学干渉計は、測定面の各測定点における基準面からの高さを測定する。測定面の最大高低差を、平坦度と呼ぶ。
従来は、マスクブランクの第二の主表面（つまり、フォトマスクの吸着面）の平坦度と、当該マスクブランクを用いて作製されるフォトマスクのパターン重ね合わせ精度との相関性があるのではないかとの認識はあったものの、最適な第二の主表面の平坦度は見出されていなかった。
本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであって、パターン重ね合わせ精度の良いフォトマスクを得ることができる、マスクブランクの提供を主な目的とする。
上記目的を達成するため、本発明の一態様によれば、
第一の主表面と前記第一の主表面に対向する第二の主表面とを有するガラス基板と、
前記第一の主表面上に形成され、回路パターンが形成される膜と、
前記第二の主表面上に形成される導電膜とを備えるマスクブランクであって、
前記回路パターンが形成される膜は、光を吸収する吸収膜であり、
前記吸収膜と前記ガラス基板との間に、前記光を反射する反射膜を備え、
前記導電膜における前記ガラス基板とは反対側の面のうち、その四角枠状の外周領域を除く、縦１４２ｍｍ、横１４２ｍｍの正方形の中央領域の面形状を下記式で表すと、
下記式中のｋとｌとの和が３以上２５以下である全てのａｋｌＰｋ（ｘ）Ｐｌ（ｙ）を足した成分の平坦度が２０ｎｍ以下である、マスクブランク。
第一の主表面と前記第一の主表面に対向する第二の主表面とを有するガラス基板と、
前記第一の主表面上に形成され、回路パターンが形成される膜と、
前記第二の主表面上に形成される導電膜とを備えるマスクブランクであって、
前記回路パターンが形成される膜は、光を吸収する吸収膜であり、
前記吸収膜と前記ガラス基板との間に、前記光を反射する反射膜を備え、
前記導電膜における前記ガラス基板とは反対側の面のうち、その四角枠状の外周領域を除く、縦１４２ｍｍ、横１４２ｍｍの正方形の中央領域の面形状を下記式で表すと、
下記式中のｋとｌとの和が３以上２５以下である全てのａｋｌＰｋ（ｘ）Ｐｌ（ｙ）を足した成分の平坦度が２０ｎｍ以下である、マスクブランク。
本発明の一態様によれば、パターン重ね合わせ精度の良いフォトマスクを得ることができるマスクブランクが提供される。
以下、本発明を実施するための形態について図面を参照して説明する。各図面において、同一の又は対応する構成には、同一の又は対応する符号を付して説明を省略する。尚、本明細書において、「矩形」とは、長方形や正方形の他、長方形や正方形の角を面取りした形を含む。
＜マスクブランク＞
図１は、一実施形態によるマスクブランクを示す図である。図１に示すマスクブランク１０は、反射型であって、ガラス基板２０と、反射膜３０と、保護膜４０と、吸収膜５０と、低反射膜６０と、導電膜７０とを有する。
図１は、一実施形態によるマスクブランクを示す図である。図１に示すマスクブランク１０は、反射型であって、ガラス基板２０と、反射膜３０と、保護膜４０と、吸収膜５０と、低反射膜６０と、導電膜７０とを有する。
ガラス基板２０は、第一の主表面２１と、第一の主表面２１に対向する第二の主表面２２とを有する。ガラス基板２０の第一の主表面２１には、反射膜３０、保護膜４０、吸収膜５０、および低反射膜６０がこの順で形成される。一方、ガラス基板２０の第二の主表面２２には、導電膜７０が形成される。
ガラス基板２０のガラスは、ＳｉＯ２を９０質量％以上含む石英ガラスが好ましい。石英ガラスに占めるＳｉＯ２含有量の上限値は、１００質量％である。石英ガラスは、一般的なソーダライムガラスに比べて、線膨張係数が小さく、温度変化による寸法変化が小さい。石英ガラスは、ＳｉＯ２の他に、ＴｉＯ２含んでよい。石英ガラスは、ＳｉＯ２を９０〜９５質量％、ＴｉＯ２を５〜１０質量％含んでよい。ＴｉＯ２含有量が５〜１０質量％であると、室温付近での線膨張係数が略ゼロであり、室温付近での寸法変化がほとんど生じない。石英ガラスは、ＳｉＯ２およびＴｉＯ２以外の微量成分を含んでもよいが、微量成分を含まないことが好ましい。
反射膜３０は、ＥＵＶ（Extreme Ultra Violet）などの光を反射する。反射膜３０は、例えば高屈折率層と低屈折率層とを交互に積層した多層反射膜であってよい。高屈折率層は例えばシリコン（Ｓｉ）により形成され、低屈折率層は例えばモリブデン（Ｍｏ）により形成される。反射膜３０の成膜方法としては、例えばイオンビームスパッタリング法、マグネトロンスパッタリング法などのスパッタリング法が用いられる。
保護膜４０は、吸収膜５０に回路パターン５３（図２参照）を形成するためのエッチングから反射膜３０を保護するものである。保護膜４０は、例えばＲｕ、Ｓｉ、またはＴｉＯ２などによって形成される。保護膜４０の成膜方法としては、例えばスパッタリング法が用いられる。保護膜４０は、任意の構成であって、なくてもよい。
吸収膜５０は、ＥＵＶなどの光を吸収する。吸収膜５０は、例えばタンタル（Ｔａ）、クロム（Ｃｒ）、パラジウム（Ｐｄ）から選ばれる少なくとも１つの元素を含む単金属、合金、窒化物、酸化物、酸窒化物などにより形成される。吸収膜５０の成膜方法としては、例えばスパッタリング法が用いられる。吸収膜５０は、回路パターン５３（図２参照）が形成される膜である。
低反射膜６０は、吸収膜５０と同様に回路パターン６３（図２参照）が形成される膜である。低反射膜６０は、回路パターン５３、６３の検査光に対し吸収膜５０よりも低反射特性を有する。低反射膜６０は、例えばＴａＯＮまたはＴａＯなどによって形成される。低反射膜６０の成膜方法としては、例えばスパッタリング法が用いられる。低反射膜６０は、任意の構成であって、なくてもよい。
導電膜７０は、露光機の静電チャックでフォトマスクを静電吸着するためのものである。導電膜７０は、例えば窒化クロム（ＣｒＮ）などで形成される。導電膜７０の成膜方法としては、例えばスパッタリング法が用いられる。
マスクブランク１０の第一の主表面１１は、フォトリソグラフィ法およびエッチング法などによって回路パターンが形成されるものである。上記構成のマスクブランク１０では、低反射膜６０のガラス基板２０とは反対側の主表面６１がマスクブランク１０の第一の主表面１１に対応する。尚、上述の如く、低反射膜６０はなくてもよく、その場合、吸収膜５０のガラス基板２０とは反対側の主表面５１がマスクブランクの第一の主表面に対応する。以下、マスクブランク１０の第一の主表面１１を、回路パターン形成面１１とも呼ぶ。
一方、マスクブランク１０の第二の主表面１２は、静電チャックで吸着されるものである。上記構成のマスクブランク１０では、導電膜７０のガラス基板２０とは反対側の主表面７２がマスクブランクの第二の主表面１２に対応する。以下、マスクブランク１０の第二の主表面１２を、吸着面１２とも呼ぶ。
＜フォトマスク＞
図２は、一実施形態によるフォトマスクを示す図である。図２に示すフォトマスクは、図１に示すマスクブランク１０の回路形成面１１に回路パターン６３、５３を形成することで得られる。回路パターン６３、５３の形成には、フォトリソグラフィ法およびエッチング法が用いられる。回路パターン６３、５３の形成に用いられるレジスト膜がマスクブランクに含まれてもよい。
図２は、一実施形態によるフォトマスクを示す図である。図２に示すフォトマスクは、図１に示すマスクブランク１０の回路形成面１１に回路パターン６３、５３を形成することで得られる。回路パターン６３、５３の形成には、フォトリソグラフィ法およびエッチング法が用いられる。回路パターン６３、５３の形成に用いられるレジスト膜がマスクブランクに含まれてもよい。
図２に示すフォトマスクは、反射型であって、ガラス基板２０と、反射膜３０と、保護膜４０と、回路パターン５３が形成された吸収膜５０と、回路パターン６３が形成された低反射膜６０と、導電膜７０とを有する。上述の如く、保護膜４０と低反射膜６０は、任意の構成であって、なくてもよい。
フォトマスクは、例えばＥＵＶ光源の露光機に搭載される。露光機は、反射型のフォトマスクを静電チャックで吸着する。導電膜７０のガラス基板２０とは反対側の主表面７２は、静電チャックの平らな面で吸着され、その面に倣う。
＜マスクブランクの吸着面の形状＞
図３は、一実施形態によるマスクブランクの吸着面を示す平面図である。図３において、ｘ方向は横方向、ｙ方向は縦方向であり、ｘ方向とｙ方向とは互いに直交する方向である。図３に示すように、マスクブランク１０の吸着面１２は、矩形である。
図３は、一実施形態によるマスクブランクの吸着面を示す平面図である。図３において、ｘ方向は横方向、ｙ方向は縦方向であり、ｘ方向とｙ方向とは互いに直交する方向である。図３に示すように、マスクブランク１０の吸着面１２は、矩形である。
吸着面１２は、例えば縦１５２ｍｍ、横１５２ｍｍの矩形の形状を有する。吸着面１２のうち、その四角枠状の外周領域を除く、縦１４２ｍｍ、横１４２ｍｍの正方形の領域を中央領域１２１と呼ぶ。中央領域１２１の中心と、吸着面１２の中心とは一致する。
尚、吸着面１２の縦寸法は１５２ｍｍ以上であってよい。また、吸着面１２の横寸法は１５２ｍｍ以上であってよい。これらの場合も、吸着面１２のうち、その外周領域を除く、縦１４２ｍｍ、横１４２ｍｍの正方形の領域を中央領域１２１と呼ぶ。
吸着面１２の中央領域１２１の面形状は、下記式によって表す。
図４は、次数ｍが０、１、２、３のときのＰｋ（ｘ）Ｐｌ（ｙ）が表す面形状を示す図である。図４では、代表的に、（ｋ，ｌ）の組合せが（０，０）、（１，０）、（２，０）、（３，０）のときのＰｋ（ｘ）Ｐｌ（ｙ）が表す面形状を示す。
図５は、次数ｍが２６と３０のときのＰｋ（ｘ）Ｐｌ（ｙ）が表す面形状を示す図である。図５では、代表的に、（ｋ，ｌ）の組合せが（２６，０）、（３０，０）のときのＰｋ（ｘ）Ｐｌ（ｙ）が表す面形状を示す。
詳しくは以下に説明するが、本発明者は、吸着面１２の中央領域１２１において、次数ｍが３以上２５以下である全てのａｋｌＰｋ（ｘ）Ｐｌ（ｙ）を足した成分の平坦度を２０ｎｍ以下に抑えることで、パターン重ね合わせ精度（ＯＰＤ：Out of plane distortion）の良いフォトマスクを得ることができることを見出した。平坦度とは、最大高低差のことであり、ＰＶ（Peak to Valley）値とも呼ぶ。
図４に実線で示すように、次数ｍが０（ゼロ）のときのＰｋ（ｘ）Ｐｌ（ｙ）によって表される面は、ｘｙ平面（ｚ＝０）に対して平行なオフセット面であり、平面であるので、静電吸着による中央領域１２１の変形の原因にはならない。
図４に破線で示すように、次数ｍが１のときのＰｋ（ｘ）Ｐｌ（ｙ）によって表される面は、ｘｙ平面に対して傾斜した平面であるので、静電吸着による中央領域１２１の変形の原因にはならない。
図４に１点鎖線で示すように、次数ｍが２のときのＰｋ（ｘ）Ｐｌ（ｙ）によって表される面は、曲面であるので、静電吸着による中央領域１２１の変形の原因になりうるが、後述する理由で、パターン重ね合わせ精度（ＯＰＤ）には影響を与えないものとして取り扱う。
次数ｍが２である成分は、図４に示すように下に凸の曲面、または、上に凸の曲面である。このような曲面は、成膜の過程で生じた反りであると考えられる。この反りは、例えばガラス基板２０とガラス基板２０の上に形成される膜との熱膨張差に起因する内部応力によって生じる。
図６は、一実施形態によるマスクブランクの成膜の過程で生じる反りを示す図である。図６において、矢印は、成膜の過程で生じる内部応力の作用方向を表す。尚、図６では吸着面１２に圧縮応力が、回路パターン形成面１１に引張応力が作用しているが、圧縮応力と引張応力とは逆でもよく、吸着面１２に引張応力が、回路パターン形成面１１に圧縮応力が作用してもよい。
図６に示すように、成膜の過程で生じる反りは、吸着面１２と回路パターン形成面１１とで同じになる。そのため、吸着面１２を平らな面に吸着すると、吸着面１２と回路パターン形成面１１の両方が平らな面に矯正される。
吸着面１２の中央領域１２１の次数ｍが２である成分と、回路パターン形成面１１の中央領域１１１の次数ｍが２である成分とは、略同じ形状の曲面になる。そのため、これらの成分は、両方とも、静電吸着によって平らに矯正される。
そこで、本実施形態では、吸着面１２の中央領域１２１の次数ｍが２である成分は、パターン重ね合わせ精度（ＯＰＤ）に影響を与えない成分として取り扱う。同様に、回路パターン形成面１１の中央領域１１１（図８参照）の次数ｍが２である成分は、パターン重ね合せ精度（ＯＰＤ）に影響を与えない成分として取り扱う。
図４に２点鎖線で示すように、次数ｍが３のときのＰｋ（ｘ）Ｐｌ（ｙ）によって表される面は、曲面であるので、静電吸着による中央領域１２１の変形の原因になりえ、パターン重ね合わせ精度（ＯＰＤ）に影響を与えうる。パターン重ね合せ精度（ＯＰＤ）に影響を与えうるのは、次数ｍが３以上の成分である。
一方、次数ｍが２６以上の成分は、次数ｍが２５以下の成分に比べ、空間波長が短い成分であるため、静電吸着による中央領域１２１の変形にはほとんど影響を与えない。静電吸着による中央領域１２１の変形は、中央領域１２１の凹凸形状が静電チャックの吸着面に倣って平らになろうとするために生じる。吸着力が中央領域１２１の全面で均等であると仮定して、中央領域１２１の２つの隣り合う凸部の頂点が吸着面に点接触しているときの２点間の最大変位量を両端固定支持梁の等分布荷重条件から計算すると、その最大変位量は一波長長さの４乗に比例すると見積もられる。一波長長さは次数ｍに反比例するので、次数ｍが２６の成分に起因する最大変位量は、次数ｍが３の成分に起因する最大変位量の約１／６０００と十分小さい。そのため、次数ｍが２６以上の成分は、静電吸着による中央領域１２１の変形にはほとんど影響を与えないものと考えられ、パターン重ね合せ精度（ＯＰＤ）にほとんど影響を与えないものと考えられる。
また、次数ｍが２６以上の成分、つまり空間波長が短い成分は、干渉計の測定ノイズ（例えば振動や温度変化によるノイズ、光学ノイズ）を拾いやすい。また、干渉計で測定される測定点のピッチは０．１〜１ｍｍの範囲にあり、空間波長がこのピッチより短い成分は干渉計で測定できない。これらより、次数ｍが２６以上の成分には含まれる誤差が大きく、次数ｍが２６以上の成分まで管理した場合、誤差の影響を受けてしまい、パターン重ね合わせ精度（ＯＰＤ）の良いフォトマスクを得ることができないおそれがある。
そこで、本実施形態では、吸着面１２の中央領域１２１において、低次成分の平坦度を２０ｎｍ以下に抑える。本明細書において、低次成分とは、次数ｍが３以上２５以下である全てのａｋｌＰｋ（ｘ）Ｐｌ（ｙ）を足した成分のことである。また、低次成分の平坦度とは、低次成分のｚ方向における最大高低差のことである。
吸着面１２の中央領域１２１において、低次成分の平坦度が２０ｎｍ以下であると、詳しくは実施例の欄で説明するが、パターン重ね合せ精度（ＯＰＤ）を向上できる。中央領域１２１において、低次成分の平坦度は、好ましくは１８ｎｍ以下、より好ましくは１６ｎｍ以下である。
ところで、マスクブランク１０は、ガラス基板２０上に各種の膜を成膜することで得られ、成膜に起因する応力によって僅かに反る。この反りの形状は、主に次数ｍが２の成分で表され、次数ｍが３以上の成分をほとんど含まない。
そのため、ガラス基板２０の第二の主表面２２と、その第二の主表面２２に形成される導電膜７０のガラス基板２０とは反対側の主表面７２（つまり、マスクブランク１０の吸着面１２）とで、低次成分の平坦度は略同じになる。
従って、ガラス基板２０の第二の主表面２２の中央領域２２１（図７参照）において、低次成分の平坦度は、例えば２０ｎｍ以下とされる。中央領域２２１において、低次成分の平坦度は、好ましくは１８ｎｍ以下、より好ましくは１６ｎｍ以下である。
ガラス基板２０の第二の主表面２２は、例えば縦１５２ｍｍ、横１５２ｍｍの矩形の形状を有する。その主表面２２のうち、その四角枠状の外周領域を除く、縦１４２ｍｍ、横１４２ｍｍの正方形の領域を中央領域２２１と呼ぶ。中央領域２２１の中心と、第二の主表面２２の中心とは一致する。
尚、ガラス基板２０の第二の主表面２２の縦寸法は１５２ｍｍ以上であってよい。また、ガラス基板２０の第二の主表面２２の横寸法は１５２ｍｍ以上であってよい。これらの場合も、第二の主表面２２のうち、その外周領域を除く、縦１４２ｍｍ、横１４２ｍｍの正方形の領域を中央領域２２１と呼ぶ。
＜マスクブランクの回路パターン形成面の面形状＞
図８は、一実施形態によるマスクブランクの回路パターン形成面を示す平面図である。図８に示すように、マスクブランク１０の回路パターン形成面１１は、矩形である。
図８は、一実施形態によるマスクブランクの回路パターン形成面を示す平面図である。図８に示すように、マスクブランク１０の回路パターン形成面１１は、矩形である。
回路パターン形成面１１は、例えば縦１５２ｍｍ、横１５２ｍｍの矩形の形状を有する。回路パターン形成面１１のうち、その四角枠状の外周領域を除く、縦１４２ｍｍ、横１４２ｍｍの正方形の領域を中央領域１１１と呼ぶ。中央領域１１１の中心と、回路パターン形成面１１の中心とは一致する。
尚、回路パターン形成面１１の縦寸法は１５２ｍｍ以上であってよい。また、回路パターン形成面１１の横寸法は１５２ｍｍ以上であってよい。これらの場合も、回路パターン形成面１１のうち、その外周領域を除く、縦１４２ｍｍ、横１４２ｍｍの正方形の領域を中央領域１１１と呼ぶ。
回路パターン形成面１１の中央領域１１１の面形状は、吸着面１２の中央領域１２１の面形状と同様に、ルジャンドル多項式を用いて表される。
本実施形態では、回路パターン形成面１１の中央領域１１１において、低次成分の平坦度が例えば２０ｎｍ以下である。中央領域１１１において、低次成分の平坦度は、好ましくは１８ｎｍ以下、より好ましくは１６ｎｍ以下である。
ところで、マスクブランク１０は、ガラス基板２０上に各種の膜を成膜することで得られ、成膜に起因する応力によって僅かに反る。この反りの形状は、主に次数ｍが２の成分で表され、次数ｍが３以上の成分をほとんど含まない。
そのため、ガラス基板２０の第一の主表面２１と、その第一の主表面２１に形成される低反射膜６０のガラス基板２０とは反対側の主表面６１（つまり、マスクブランク１０の回路パターン形成面１１）とで、低次成分の平坦度は略同じになる。
従って、ガラス基板２０の第一の主表面２１の中央領域２１１（図９参照）において、低次成分の平坦度は、例えば２０ｎｍ以下とされる。中央領域２１１において、低次成分の平坦度は、好ましくは１８ｎｍ以下、より好ましくは１６ｎｍ以下である。
ガラス基板２０の第一の主表面２１は、例えば縦１５２ｍｍ、横１５２ｍｍの矩形の形状を有する。その主表面２１のうち、その四角枠状の外周領域を除く、縦１４２ｍｍ、横１４２ｍｍの正方形の領域を中央領域２１１と呼ぶ。中央領域２１１の中心と、第一の主表面２１の中心とは一致する。
尚、ガラス基板２０の第一の主表面２１の縦寸法は１５２ｍｍ以上であってよい。また、ガラス基板２０の第一の主表面２１の横寸法は１５２ｍｍ以上であってよい。これらの場合も、第一の主表面２１のうち、その外周領域を除く、縦１４２ｍｍ、横１４２ｍｍの正方形の領域を中央領域２１１と呼ぶ。
＜ガラス基板の製造方法＞
図１０は、一実施形態によるガラス基板の製造方法のフローチャートである。図１１は、ガラス基板を研磨する研磨機の一部を破断して示す斜視図である。図１２は、一実施形態によるガラス基板の研磨時の状態を示す断面図である。
図１０は、一実施形態によるガラス基板の製造方法のフローチャートである。図１１は、ガラス基板を研磨する研磨機の一部を破断して示す斜視図である。図１２は、一実施形態によるガラス基板の研磨時の状態を示す断面図である。
図１０に示すように、ガラス基板２０の製造方法は、研磨工程Ｓ１１と、局所加工工程Ｓ１２とを有する。
研磨工程Ｓ１１では、ガラス基板２０と研磨パッド１００との間に研磨スラリーを供給し、第一の主表面２１の全体および第二の主表面２２の全体を研磨する。研磨工程Ｓ１１では、研磨パッド１００および／または研磨スラリーを交換しながら、研磨を繰り返し行ってよい。
研磨パッド１００は、図１１および図１２に示すようにガラス基板２０の板厚方向両側に配設されてよく、第一の主表面２１と第二の主表面２２とを同時に研磨してもよい。尚、研磨パッド１００は、ガラス基板２０の板厚方向片側に配設されてもよく、第一の主表面２１と第二の主表面２２とを順番に研磨してもよい。その順序は特に限定されず、どちらが先に研磨されてもよい。
研磨パッド１００は、図１１および図１２に示すように定盤１１０に貼り付けて用いられる。研磨パッド１００の研磨面は、第一の主表面２１と第二の主表面２２よりも大きい。また、研磨パッド１００の研磨面の半径は、ガラス基板２０を保持するキャリア１２０の直径よりも大きくてよい。この場合、キャリア１２０は、研磨パッド１００の中心線を中心に公転させられながら、キャリア１２０の中心線を中心に自転させられる。
研磨パッド１００としては、例えばウレタン系研磨パッド、不織布系研磨パッド、またはスウェード系研磨パッドなどが用いられる。研磨工程Ｓ１１で用いられる少なくとも１つの研磨パッド１００は、ナップ層（ＮＡＰ層）と呼ばれる多孔質の樹脂層１０１を有する。樹脂層１０１は、基材１０２上に形成されており、ガラス基板２０に当接する面に開口孔を有する。
研磨スラリーは、研磨粒子と分散媒とを含む。研磨粒子は、例えばコロイダルシリカ、または酸化セリウムなどで形成される。分散媒としては、水、または有機溶媒などが用いられる。研磨スラリーは、研磨パッド１００とガラス基板２０との間に供給される。
局所加工工程Ｓ１２では、ガラス基板２０の第一の主表面１１および第二の主表面１２を局所的に加工する。局所加工工程Ｓ１２では、第一の主表面１１および第二の主表面１２とを順番に加工してもよい。その順序は特に限定されず、どちらが先に加工されてもよい。
局所加工工程Ｓ１２では、例えばイオンビームエッチング法、ガスクラスターイオンビーム（ＧＣＩＢ）エッチング法、プラズマエッチング法、湿式エッチング法、磁性流体による研磨法、または回転研磨ツールによる研磨法などが用いられる。
イオンビームエッチング法、およびガスクラスターイオンビームエッチング法は、ビームの照射位置を変更でき、面形状の局所的な修正に適している。特に、ガスクラスターイオンビームエッチング法が好適である。ガスクラスターイオンビームエッチング法は、ガス状の原子や分子の塊（ガスクラスター）をイオン化、加速して用いる方法である。ガスクラスターのソースガスとしては、ＳＦ６、Ａｒ、Ｏ２、Ｎ２、ＮＦ３、Ｎ２Ｏ、ＣＨＦ３、ＣＦ４、Ｃ２Ｆ６、Ｃ３Ｆ８、Ｃ４Ｆ６、ＳｉＦ４、ＣＯＦ２などのガスを単独で、または混合して使用できる。これらの中でもＳＦ６およびＮＦ３が好ましい。
磁性流体による研磨法は、研磨粒子を含む磁性流体を用いる方法である。磁性流体は、例えば担体中に非コロイド磁気物質が分散された流体であり、磁界下におかれると、レオロジー特性（粘性、弾性、及び可塑性）が変化する。研磨粒子は、例えばシリカ、酸化セリウム、またはダイヤモンドなどで形成される。
回転研磨ツールによる研磨法は、回転研磨ツールを回転させながらガラス基板２０に接触させる方法である。回転研磨ツールの研磨面は、第一の主表面１１および第二の主表面１２よりも小さい。回転研磨ツールには、研磨粒子を含むスラリーが供給される。研磨粒子は、例えばシリカ、酸化セリウム、アルミナ、ジルコニア、炭化ケイ素、ダイヤモンド、チタニア、またはゲルマニアなどで形成される。
本実施形態では、第一の主表面１１の中央領域１１１における低次成分の平坦度、および第二の主表面１２の中央領域１２１における低次成分の平坦度を所定値以下にするため、上記の局所加工工程Ｓ１２と、研磨工程Ｓ１１とが行われる。
局所加工工程Ｓ１２は、高さの高い部分を局所的に加工することで、加工された部分と加工されない部分との高低差を低減する。局所加工工程Ｓ１２は、低次成分のうち凸と凹の間隔が比較的長い成分（次数ｍが３以上９以下の成分、以下、「３次以上９次以下成分」とも呼ぶ）の平坦性を改善できる。一方、低次成分のうち凸と凹の間隔が比較的短い成分（次数ｍが１０以上２５以下の成分、以下、「１０次以上２５次以下成分」とも呼ぶ）の平坦度は、研磨工程Ｓ１１によって改善する。
研磨工程Ｓ１１で用いられる少なくとも１つの研磨パッド１００は、ナップ層と呼ばれる多孔質の樹脂層１０１を有するものである。樹脂層１０１を形成する樹脂としては、例えばポリウレタンやポリカーボネートなどが用いられる。
樹脂層１０１を形成する樹脂の１００％モジュラスは、例えば５ＭＰａ以上である。１００％モジュラスとは試験片の伸びが試験片の元の長さの１００％になるときの引張応力をいい、その引張応力は日本工業規格（ＪＩＳ Ｋ ６２５０ ３．７）に準拠して測定される。樹脂の１００％モジュラスは、樹脂に孔がない状態で測定する。
樹脂層１０１を形成する樹脂の１００％モジュラスが５ＭＰａ以上であれば、樹脂層１０１が硬いため、樹脂層１０１の平坦な研磨面によって１０次以上２５次以下成分の平坦度が改善できる。樹脂層１０１を形成する樹脂の１００％モジュラスは、好ましくは７ＭＰａ以上である。
ところで、回転する研磨パッド１００の中心部と外周部とでは、周方向の速さに差が生じる。周方向の速さの差に起因する研磨レートの差は、樹脂層１０１が硬くなるほど顕著に表れ、３次以上９次以下成分の平坦度を悪化させる原因となる。
樹脂層１０１を形成する樹脂の１００％モジュラスは、１０ＭＰａ以下である。樹脂層１０１が硬過ぎないため、回転する研磨パッド１００の中心部と外周部との研磨レートの差が小さい。そのため、３次以上９次以下成分の平坦度の悪化が抑制できる。樹脂層１０１を形成する樹脂の１００％モジュラスは、好ましくは８ＭＰａ以下である。
なお、上記の１００％モジュラスの数値範囲を満たす研磨パッド１００を研磨に用いる場合には、酸化セリウムを含有する研磨スラリーを使用することが好ましい。コロイダルシリカ含有研磨スラリーの研磨速度は酸化セリウム含有研磨スラリーの研磨速度と比較して小さく、コロイダルシリカ含有研磨スラリーを使用した場合、１０次以上２５次以下の成分の平坦度を改善することができないおそれがある。
本実施形態によれば、上述の如く、研磨工程Ｓ１１において３次以上９次以下成分の平坦度の悪化を抑制しつつ１０次以上２５次以下成分の平坦度を改善し、その後の局所加工工程Ｓ１２において３次以上９次以下成分の平坦度を改善する。
尚、ガラス基板２０の製造方法は、研磨工程Ｓ１１、局所加工工程Ｓ１２以外の工程をさらに有してもよい。
例えば、ガラス基板２０の製造方法は、仕上げ研磨工程をさらに有してもよい。仕上げ研磨工程では、局所加工工程Ｓ１２の後に、研磨工程Ｓ１１と同様に、第一の主表面１１の全体や第二の主表面１２の全体を研磨する。仕上げ研磨工程では、３次以上９次以下成分の平坦度が再び悪化しないように、研磨条件が設定される。
また、ガラス基板２０の製造方法は、洗浄工程をさらに有してもよい。洗浄工程では、ガラス基板２０を洗浄する。洗浄工程は、例えば研磨工程Ｓ１１と局所加工工程Ｓ１２の間、局所加工工程Ｓ１２と仕上げ研磨工程との間、仕上げ研磨工程の後などに行われる。
例１〜４では、下記の２次研磨工程において用いられるナップ層を形成する樹脂の１００％モジュラス（表１参照）が異なる以外は、同じ条件でガラス基板の製造を行い、得られたガラス基板の第一および第二の主表面の中央領域の平坦度を測定した。
その後、ガラス基板の第一の主表面に反射膜と保護膜と吸収膜と低反射膜をこの順で成膜し、且つガラス基板の第二の主表面に導電膜を成膜してマスクブランクを製造した。反射膜や保護膜、吸収膜、低反射膜の成膜条件は、例１〜４で同じ条件とした。例１〜２が実施例、例３〜４が比較例である。
［ガラス基板の製造］
ガラス基板の製造では、研磨工程、局所加工工程、仕上げ研磨工程をこの順で行った。また、研磨工程では、１次研磨工程、２次研磨工程、３次研磨工程をこの順で行った。以下、各工程について説明する。
ガラス基板の製造では、研磨工程、局所加工工程、仕上げ研磨工程をこの順で行った。また、研磨工程では、１次研磨工程、２次研磨工程、３次研磨工程をこの順で行った。以下、各工程について説明する。
なお、研磨工程における研磨量は、研磨前後の基板の重量変化とガラスの比重を用いて計算した。また、片面の研磨量は、小さな穴を表面にあけたガラス基板を準備し、研磨前後の穴の深さの差を計算することで算出した。
［１次研磨工程］
１次研磨工程では、図１１に示す両面研磨機を用いてガラス基板の２つの主表面を同時に研磨した。また、第一の主表面が下定盤と相対するように基板を載置した。１次研磨工程では、下記の研磨スラリーと、下記の研磨パッドとを用いた。
研磨スラリー：酸化セリウムからなる平均粒径１．５μｍの研磨粒子を含有する水溶液
研磨パッド：ウレタン系研磨パッド
研磨時間：７０分
研磨量：両面で５０μｍ
１次研磨工程の後、２次研磨工程の前に、洗浄工程を行った。
１次研磨工程では、図１１に示す両面研磨機を用いてガラス基板の２つの主表面を同時に研磨した。また、第一の主表面が下定盤と相対するように基板を載置した。１次研磨工程では、下記の研磨スラリーと、下記の研磨パッドとを用いた。
研磨スラリー：酸化セリウムからなる平均粒径１．５μｍの研磨粒子を含有する水溶液
研磨パッド：ウレタン系研磨パッド
研磨時間：７０分
研磨量：両面で５０μｍ
１次研磨工程の後、２次研磨工程の前に、洗浄工程を行った。
［２次研磨工程］
２次研磨工程では、図１１に示す両面研磨機を用いてガラス基板の２つの主表面を同時に研磨した。また、第一の主表面が下定盤と相対するように基板を載置した。２次研磨工程では、下記の研磨スラリーと、下記の研磨パッドとを用いた。
研磨スラリー：酸化セリウムからなる平均粒径１．０μｍの研磨粒子を含有する水溶液
研磨パッド：ポリエチレンテレフタレートの基材と、その基材上に形成したナップ層とで構成される研磨パッド
研磨時間：６０分
研磨量：表１に記載
２次研磨工程の後、３次研磨工程の前に、洗浄工程を行った。
２次研磨工程では、図１１に示す両面研磨機を用いてガラス基板の２つの主表面を同時に研磨した。また、第一の主表面が下定盤と相対するように基板を載置した。２次研磨工程では、下記の研磨スラリーと、下記の研磨パッドとを用いた。
研磨スラリー：酸化セリウムからなる平均粒径１．０μｍの研磨粒子を含有する水溶液
研磨パッド：ポリエチレンテレフタレートの基材と、その基材上に形成したナップ層とで構成される研磨パッド
研磨時間：６０分
研磨量：表１に記載
２次研磨工程の後、３次研磨工程の前に、洗浄工程を行った。
［３次研磨工程］
３次研磨工程では、図１１に示す両面研磨機を用いてガラス基板の２つの主表面を同時に研磨した。また、第一の主表面が下定盤と相対するように基板を載置した。３次研磨工程では、下記の研磨スラリーと、下記の研磨パッドとを用いた。
研磨スラリー：コロイダルシリカからなる平均粒径３０ｎｍの研磨粒子を含有するｐＨ３に調整された水溶液
研磨パッド：超軟質ポリッシャ
研磨時間：６０分
研磨量：両面で１μｍ
３次研磨工程の後、局所加工工程の前に、洗浄工程を行った。
３次研磨工程では、図１１に示す両面研磨機を用いてガラス基板の２つの主表面を同時に研磨した。また、第一の主表面が下定盤と相対するように基板を載置した。３次研磨工程では、下記の研磨スラリーと、下記の研磨パッドとを用いた。
研磨スラリー：コロイダルシリカからなる平均粒径３０ｎｍの研磨粒子を含有するｐＨ３に調整された水溶液
研磨パッド：超軟質ポリッシャ
研磨時間：６０分
研磨量：両面で１μｍ
３次研磨工程の後、局所加工工程の前に、洗浄工程を行った。
［局所加工工程］
局所加工工程では、片面研磨機を用いてガラス基板の２つの主表面を順番に局所的に加工した。局所加工工程では、下記の研磨スラリーと、下記の研磨パッドとを用いた。
研磨スラリー：酸化セリウムからなる平均粒径１．０μｍの研磨粒子を含有する水溶液
研磨パッド：軟質ポリッシャ
局所加工工程の後、仕上げ研磨工程の前に、洗浄工程を行った。
局所加工工程では、片面研磨機を用いてガラス基板の２つの主表面を順番に局所的に加工した。局所加工工程では、下記の研磨スラリーと、下記の研磨パッドとを用いた。
研磨スラリー：酸化セリウムからなる平均粒径１．０μｍの研磨粒子を含有する水溶液
研磨パッド：軟質ポリッシャ
局所加工工程の後、仕上げ研磨工程の前に、洗浄工程を行った。
［仕上げ研磨工程］
仕上げ研磨工程では、図１１に示す両面研磨機を用いてガラス基板の２つの主表面を同時に研磨した。仕上げ研磨工程では、下記の研磨スラリーと、下記の研磨パッドとを用いた。
研磨スラリー：コロイダルシリカからなる平均粒径３０ｎｍの研磨粒子を含有するｐＨ３に調整された水溶液
研磨パッド：超軟質ポリッシャ
研磨時間：３０分
研磨量：５００ｎｍ
仕上げ研磨工程の後、平坦度の測定の前に、洗浄工程を行った。
仕上げ研磨工程では、図１１に示す両面研磨機を用いてガラス基板の２つの主表面を同時に研磨した。仕上げ研磨工程では、下記の研磨スラリーと、下記の研磨パッドとを用いた。
研磨スラリー：コロイダルシリカからなる平均粒径３０ｎｍの研磨粒子を含有するｐＨ３に調整された水溶液
研磨パッド：超軟質ポリッシャ
研磨時間：３０分
研磨量：５００ｎｍ
仕上げ研磨工程の後、平坦度の測定の前に、洗浄工程を行った。
［ガラス基板の平坦度の測定］
ガラス基板の２つの主表面の中央領域の平坦度は、フジノン社製の平坦度測定機により測定した。ここでは、重力の影響を排除するため、ガラス基板を略垂直に立てて測定を行った。平坦度測定機により測定面の輪郭を求め、その輪郭から、次数ｍが２以上の全成分（つまり、生データ）のＰＶ値、全成分から２次成分を除いたＰＶ値、および低次成分のＰＶ値を算出した。
ガラス基板の２つの主表面の中央領域の平坦度は、フジノン社製の平坦度測定機により測定した。ここでは、重力の影響を排除するため、ガラス基板を略垂直に立てて測定を行った。平坦度測定機により測定面の輪郭を求め、その輪郭から、次数ｍが２以上の全成分（つまり、生データ）のＰＶ値、全成分から２次成分を除いたＰＶ値、および低次成分のＰＶ値を算出した。
平坦度の測定結果を、２次研磨工程における１００％モジュラスや研磨量と共に、表１に示す。
例２では、１００％モジュラスが８ＭＰａのパッドを用いた結果、第一の主表面の中央領域における低次成分のＰＶ値が１８．９ｎｍ、第二の主表面の中央領域における低次成分のＰＶ値が１５．８ｎｍとなった。これは１００％モジュラスが最適な値のパッドを使用した結果、第一の主表面の中央領域および第二の主表面の中央領域の双方で低次成分の平坦度が十分に改善されたためと考えられる。
例３では、１００％モジュラスが３ＭＰａのパッドを用いた結果、第一の主表面の中央領域における低次成分のＰＶ値が２７．０ｎｍ、第二の主表面の中央領域における低次成分のＰＶ値が２３．９ｎｍとなった。これは１００％モジュラスの値が低すぎるため、第一の主表面は勿論、第一の主表面よりも研磨量が相対的に多い第二の主表面であっても、低次成分の中でも１０次以上２５次以下成分の平坦度が十分改善されなかったためと考えられる。
例４では、１００％モジュラスが１４ＭＰａのパッドを用いた結果、第一の主表面の中央領域における低次成分のＰＶ値が２８．８ｎｍ、第二の主表面の中央領域における低次成分のＰＶ値が２２．７ｎｍとなった。これは１００％モジュラスの値が高すぎるため、低次成分の中の３次以上９次以下成分の平坦度が研磨前に比べ悪化したためと考えられる。
［導電膜の成膜］
導電膜としてのＣｒＮ膜を、マグネトロンスパッタリング法を用いて成膜した。ＣｒＮ膜のシート抵抗は１００Ω／□であった。ＣｒＮ膜の成膜条件を以下に示す。
Ｃｒ膜の成膜条件
ターゲット：Ｃｒターゲット
スパッタリングガス：ＡｒとＮ２とＨ２の混合ガス（Ａｒ：５８．２ｖｏｌ％、Ｎ２：４０ｖｏｌ％、Ｈ２：１．８ｖｏｌ％、ガス圧：０．１Ｐａ）
投入電力： １５００Ｗ
成膜速度：０．１８ｎｍ／ｓｅｃ
膜厚：１８５ｎｍ。
［導電膜の成膜］
導電膜としてのＣｒＮ膜を、マグネトロンスパッタリング法を用いて成膜した。ＣｒＮ膜のシート抵抗は１００Ω／□であった。ＣｒＮ膜の成膜条件を以下に示す。
Ｃｒ膜の成膜条件
ターゲット：Ｃｒターゲット
スパッタリングガス：ＡｒとＮ２とＨ２の混合ガス（Ａｒ：５８．２ｖｏｌ％、Ｎ２：４０ｖｏｌ％、Ｈ２：１．８ｖｏｌ％、ガス圧：０．１Ｐａ）
投入電力： １５００Ｗ
成膜速度：０．１８ｎｍ／ｓｅｃ
膜厚：１８５ｎｍ。
［反射膜の成膜］
反射膜としてのＭｏ／Ｓｉ多層反射膜を、イオンビームスパッタリング法を用いて成膜した。この成膜では、Ｍｏ層およびＳｉ層を交互に成膜することを５０周期繰り返した。各Ｍｏ層の厚さは２．３ｎｍ、各Ｓｉ層の厚さは４．５ｎｍ、Ｍｏ／Ｓｉ多層反射膜の厚さは３４０ｎｍとした。Ｍｏ層およびＳｉ層の成膜条件を以下に示す。
Ｍｏ層の成膜条件
ターゲット：Ｍｏターゲット
スパッタリングガス：Ａｒガス（ガス圧：０．０２Ｐａ）
電圧：７００Ｖ
成膜速度：０．０６４ｎｍ／ｓｅｃ
膜厚：２．３ｎｍ
Ｓｉ層の成膜条件
ターゲット：Ｓｉターゲット（ホウ素ドープ）
スパッタリングガス：Ａｒガス（ガス圧：０．０２Ｐａ）
電圧：７００Ｖ
成膜速度：０．０７７ｎｍ／ｓｅｃ
膜厚：４．５ｎｍ。
反射膜としてのＭｏ／Ｓｉ多層反射膜を、イオンビームスパッタリング法を用いて成膜した。この成膜では、Ｍｏ層およびＳｉ層を交互に成膜することを５０周期繰り返した。各Ｍｏ層の厚さは２．３ｎｍ、各Ｓｉ層の厚さは４．５ｎｍ、Ｍｏ／Ｓｉ多層反射膜の厚さは３４０ｎｍとした。Ｍｏ層およびＳｉ層の成膜条件を以下に示す。
Ｍｏ層の成膜条件
ターゲット：Ｍｏターゲット
スパッタリングガス：Ａｒガス（ガス圧：０．０２Ｐａ）
電圧：７００Ｖ
成膜速度：０．０６４ｎｍ／ｓｅｃ
膜厚：２．３ｎｍ
Ｓｉ層の成膜条件
ターゲット：Ｓｉターゲット（ホウ素ドープ）
スパッタリングガス：Ａｒガス（ガス圧：０．０２Ｐａ）
電圧：７００Ｖ
成膜速度：０．０７７ｎｍ／ｓｅｃ
膜厚：４．５ｎｍ。
［保護膜の成膜］
保護膜としてのＲｕ層を、イオンビームスパッタリング法を用いて成膜した。Ｒｕ層の成膜条件を以下に示す。
Ｒｕ層の成膜条件
ターゲット：Ｒｕターゲット
スパッタリングガス：Ａｒガス（ガス圧：０．０２Ｐａ）
電圧：７００Ｖ
成膜速度：０．０５２ｎｍ／ｓｅｃ
膜厚：２．５ｎｍ。
保護膜としてのＲｕ層を、イオンビームスパッタリング法を用いて成膜した。Ｒｕ層の成膜条件を以下に示す。
Ｒｕ層の成膜条件
ターゲット：Ｒｕターゲット
スパッタリングガス：Ａｒガス（ガス圧：０．０２Ｐａ）
電圧：７００Ｖ
成膜速度：０．０５２ｎｍ／ｓｅｃ
膜厚：２．５ｎｍ。
［吸収膜の成膜］
吸収膜としてのＴａＮ層を、マグネトロンスパッタリング法を用いて成膜した。ＴａＮ層の成膜条件を以下に示す。
ＴａＮ層の成膜条件
ターゲット：Ｔａターゲット、
スパッタリングガス：ＡｒとＮ２の混合ガス（Ａｒ：８６ｖｏｌ％、Ｎ２：１４ｖｏｌ％、ガス圧：０．３Ｐａ）、
投入電力：１５０Ｗ、
成膜速度：７．２ｎｍ／ｍｉｎ、
膜厚：６０ｎｍ。
吸収膜としてのＴａＮ層を、マグネトロンスパッタリング法を用いて成膜した。ＴａＮ層の成膜条件を以下に示す。
ＴａＮ層の成膜条件
ターゲット：Ｔａターゲット、
スパッタリングガス：ＡｒとＮ２の混合ガス（Ａｒ：８６ｖｏｌ％、Ｎ２：１４ｖｏｌ％、ガス圧：０．３Ｐａ）、
投入電力：１５０Ｗ、
成膜速度：７．２ｎｍ／ｍｉｎ、
膜厚：６０ｎｍ。
［低反射膜の成膜］
低反射膜としてのＴａＯＮ層を、マグネトロンスパッタリング法を用いて成膜した。ＴａＯＮ層の成膜条件を以下に示す。
ＴａＯＮ層の成膜条件
ターゲット：Ｔａターゲット、
スパッタリングガス：ＡｒとＯ２とＮ２の混合ガス（Ａｒ：４９ｖｏｌ％、Ｏ２：３７ｖｏｌ％、Ｎ２：１４ｖｏｌ％。ガス圧：０．３Ｐａ）
投入電力：２５０Ｗ、
成膜速度：２．０ｎｍ／ｍｉｎ、
膜厚：８ｎｍ。
低反射膜としてのＴａＯＮ層を、マグネトロンスパッタリング法を用いて成膜した。ＴａＯＮ層の成膜条件を以下に示す。
ＴａＯＮ層の成膜条件
ターゲット：Ｔａターゲット、
スパッタリングガス：ＡｒとＯ２とＮ２の混合ガス（Ａｒ：４９ｖｏｌ％、Ｏ２：３７ｖｏｌ％、Ｎ２：１４ｖｏｌ％。ガス圧：０．３Ｐａ）
投入電力：２５０Ｗ、
成膜速度：２．０ｎｍ／ｍｉｎ、
膜厚：８ｎｍ。
［マスクブランクの平坦度の測定］
マスクブランクの各主表面の中央領域の平坦度は、フジノン社製の平坦度測定機により測定した。ここでは、重力の影響を排除するため、マスクブランクを略垂直に立てて測定を行った。平坦度測定機により測定面の輪郭を求め、その輪郭から、全成分のＰＶ値、全成分から２次成分を除いたＰＶ値、低次成分のＰＶ値を算出した。
マスクブランクの各主表面の中央領域の平坦度は、フジノン社製の平坦度測定機により測定した。ここでは、重力の影響を排除するため、マスクブランクを略垂直に立てて測定を行った。平坦度測定機により測定面の輪郭を求め、その輪郭から、全成分のＰＶ値、全成分から２次成分を除いたＰＶ値、低次成分のＰＶ値を算出した。
［静電吸着時の平坦度の算出］
静電吸着時のマスクブランクの回路パターン形成面は、マスクブランクの吸着面が完全に平坦になったと仮定して求めた。具体的には、マスクブランクの吸着面が平坦になるために必要な変位を各測定点において算出し、各測定点において算出した変位をマスクプランの回路パターン形成面に適用することで、静電吸着時のマスクブランクの回路パターン形成面の輪郭を求めた。また、求めた回路パターン形成面の輪郭から、全成分のＰＶ値を算出した。
静電吸着時のマスクブランクの回路パターン形成面は、マスクブランクの吸着面が完全に平坦になったと仮定して求めた。具体的には、マスクブランクの吸着面が平坦になるために必要な変位を各測定点において算出し、各測定点において算出した変位をマスクプランの回路パターン形成面に適用することで、静電吸着時のマスクブランクの回路パターン形成面の輪郭を求めた。また、求めた回路パターン形成面の輪郭から、全成分のＰＶ値を算出した。
[パターン重ね合わせ精度の計算]
パターン重ね合わせ精度（ＯＰＤ）は、非特許文献（N.Harned,et.al., "EUV Mask flatness compensation in writing and exposure tools relating to total overlay" ,2007 International EUVL Symposium）に開示された方法で計算を行った。より具体的には、パターン重ね合わせ精度（ＯＰＤ）は、静電吸着時のマスクブランクの回路パターン形成面の中央領域における全成分のＰＶ値と、露光光入射角の正接（具体的にはｔａｎ６°）と、露光時の縮小倍率（具体的には１／４）との積として算出した。パターン重ね合わせ精度（ＯＰＤ）は、上記中央領域の平坦度がゼロの理想平面である場合からのパターンのずれの大きさを表す。ＯＰＤが小さいほど、ずれが小さい。
パターン重ね合わせ精度（ＯＰＤ）は、非特許文献（N.Harned,et.al., "EUV Mask flatness compensation in writing and exposure tools relating to total overlay" ,2007 International EUVL Symposium）に開示された方法で計算を行った。より具体的には、パターン重ね合わせ精度（ＯＰＤ）は、静電吸着時のマスクブランクの回路パターン形成面の中央領域における全成分のＰＶ値と、露光光入射角の正接（具体的にはｔａｎ６°）と、露光時の縮小倍率（具体的には１／４）との積として算出した。パターン重ね合わせ精度（ＯＰＤ）は、上記中央領域の平坦度がゼロの理想平面である場合からのパターンのずれの大きさを表す。ＯＰＤが小さいほど、ずれが小さい。
［まとめ］
試験および計算の結果を表２に示す。表２および以下の説明において、「静電吸着時のＰＶ値」とは、静電吸着時のマスクブランクの回路パターン形成面の中央領域における全成分のＰＶ値のことである。
試験および計算の結果を表２に示す。表２および以下の説明において、「静電吸着時のＰＶ値」とは、静電吸着時のマスクブランクの回路パターン形成面の中央領域における全成分のＰＶ値のことである。
一方で、表２から、マスクブランクの吸着面の中央領域における全成分から２次成分を除いたＰＶ値（つまり、次数ｍが３以上の全成分のＰＶ値）と、パターン重ね合わせ精度（ＯＰＤ）との相関性は、必ずしも高くないことがわかる。その結果として、マスクブランクの吸着面の中央領域において、次数ｍが２６以上の成分まで含めてＰＶ値を制御しても、パターン重ね合わせ精度（ＯＰＤ）の良いフォトマスクを得ることができないおそれがある。
さらに、表２から明らかなように、例２では、ガラス基板の第一の主表面の中央領域における低次成分の平坦度が２０ｎｍ以下であったため（表１参照）、マスクブランクの回路形成面の中央領域における低次成分の平坦度が２０ｎｍ以下であった。その結果、静電吸着時のＰＶ値を２５ｎｍ以下にすることができ、パターン重ね合せ精度（ＯＰＤ）を０．６０以下にすることができた。
以上、マスクブランクの実施形態などを説明したが、本発明は上記実施形態などに限定されず、特許請求の範囲に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形、改良が可能である。
１０ マスクブランク
１１ 第一の主表面（回路パターン形成面）
１２ 第二の主表面（吸着面）
２０ ガラス基板
２１ 第一の主表面
２２ 第二の主表面
３０ 反射膜
４０ 保護膜
５０ 吸収膜
６０ 低反射膜
７０ 導電膜
１１ 第一の主表面（回路パターン形成面）
１２ 第二の主表面（吸着面）
２０ ガラス基板
２１ 第一の主表面
２２ 第二の主表面
３０ 反射膜
４０ 保護膜
５０ 吸収膜
６０ 低反射膜
７０ 導電膜
Claims (2)
- 第一の主表面と前記第一の主表面に対向する第二の主表面とを有するガラス基板と、
前記第一の主表面上に形成され、回路パターンが形成される膜と、
前記第二の主表面上に形成される導電膜とを備えるマスクブランクであって、
前記回路パターンが形成される膜は、光を吸収する吸収膜であり、
前記吸収膜と前記ガラス基板との間に、前記光を反射する反射膜を備え、
前記導電膜における前記ガラス基板とは反対側の面のうち、その四角枠状の外周領域を除く、縦１４２ｍｍ、横１４２ｍｍの正方形の中央領域の面形状を下記式で表すと、
下記式中のｋとｌとの和が３以上２５以下である全てのａｋｌＰｋ（ｘ）Ｐｌ（ｙ）を足した成分の平坦度が２０ｎｍ以下である、マスクブランク。
- 前記回路パターンが形成される膜における前記ガラス基板とは反対側の面のうち、その四角枠状の外周領域を除く、縦１４２ｍｍ、横１４２ｍｍの正方形の中央領域の面形状を下記式で表すと、
下記式中のｋとｌとの和が３以上２５以下である全てのａｋｌＰｋ（ｘ）Ｐｌ（ｙ）を足した成分の平坦度が２０ｎｍ以下である、請求項1に記載のマスクブランク。
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