JP6161913B2 - マスクブランク用基板の製造方法、多層反射膜付き基板の製造方法、マスクブランクの製造方法、および転写用マスクの製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、マスクブランク用基板の製造方法、このマスクブランク用基板を用いた多層反射膜付き基板の製造方法、このマスクブランク用基板または多層反射膜付き基板を用いたマスクブランクの製造方法、およびこのマスクブランクを用いた転写用マスクの製造方法に関する。

半導体デザインルール１ｘ世代（ハーフピッチ（ｈｐ）１４ｎｍ、１０ｎｍ等）で使用されるマスクブランクとして、ＥＵＶ露光用の反射型マスクブランク、ＡｒＦエキシマレーザー露光用のバイナリーマスクブランクおよび位相シフトマスクブランク、並びにナノインプリント用マスクブランクがある。

半導体デザインルール１ｘ世代で使用されるＥＵＶ露光用の反射型マスクブランクの製造に用いられるマスクブランク用基板の主表面（すなわち、転写パターンを形成する側の表面）は、基板の周縁領域を除外した１３２ｍｍ×１３２ｍｍの領域について平坦度３０ｎｍ以下の平坦性が求められ、ＡｒＦエキシマレーザー露光用のバイナリーマスクブランクおよび位相シフトマスクブランクの製造に用いられるマスクブランク用基板の主表面は、基板の周縁領域を除外した１４２ｍｍ×１４２ｍｍの領域について平坦度０．２μｍ以下の平坦性が求められている。

また、半導体デザインルール１ｘ世代で使用されるマスクブランクでは、３０ｎｍ級の欠陥が問題となる。３０ｎｍ級の欠陥の欠陥検査を行う高感度の欠陥検査装置において、表面粗さはバックグランドノイズに影響する。このため、半導体デザインルール１ｘ世代で使用されるマスクブランクの製造に用いられるマスクブランク用基板の主表面は、二乗平均平方根粗さ（ＲＭＳ）で０．１０ｎｍ以下、より好ましくは、０．０８ｎｍ以下の平滑性が求められている。

マスクブランク用基板の表面の加工方法が、特許文献１に記載されている。
特許文献１では、ガラス基板表面の所定領域ごとに平坦度を測定する平坦度分布測定工程と、平坦度分布が測定されたガラス基板表面を、ガスクラスターイオンビームエッチング、プラズマエッチングまたは磁気粘弾性流体研磨により、所定領域ごとに加工条件を変えて加工する第１の加工工程と、第１の加工工程が施されたガラス基板表面を仕上げ研磨する第２の加工工程とを行うことにより、ガラス基板の表面を加工する。第１の加工工程は、個々のガラス基板ごとに行う。

特許第４９９７８１５号公報

特許文献１に記載された加工方法では、第２の加工工程は、研磨スラリーを用いて行う低荷重の機械的研磨により微小量だけ研磨する両面仕上げ研磨により行われる。この両面仕上げ研磨では、基板の大きさよりも大きい研磨パッドが張り付けられた上下の研磨定盤の間にキャリアで保持されたガラス基板をセットし、コロイダルシリカ砥粒を含有する研磨スラリーを供給しながら、ガラス基板を、上下の研磨定盤内で自転しながら公転することによって研磨する。

一般的に、この両面仕上げ研磨は、１枚のキャリアに複数のガラス基板をセットして行われるが、各々のガラス基板には、板厚のばらつきや、表面凹凸のばらつきがある。このため、第１の加工工程を個々に行ったガラス基板を、第２の加工工程で一度に加工する場合、主表面および裏面の研磨取り代制御が難しく、所定の特性をもった高い平坦性と平滑性のガラス基板を得ることは難しい。

また、第２の加工工程で使用する研磨パッドには、加工を行うにつれて経時変化が生じる。このため、第２の加工工程を両面仕上げ研磨により行う場合、主表面および裏面の研磨取り代制御が難しく、所望の特性をもった高い平坦性と平滑性のガラス基板を得ることは難しい。

このため、本発明は、上述した問題点に鑑みてなされたものであり、所望の特性をもったマスクブランク用基板の実用的な製造方法、このマスクブランク用基板を用いた多層反射膜付き基板の製造方法、このマスクブランク用基板または多層反射膜付き基板を用いたマスクブランクの製造方法、およびこのマスクブランクを用いた転写用マスクの製造方法を提供することを目的とする。

上述した課題を解決するため、本発明は以下の構成を有する。

（構成１）主表面が研磨されたマスクブランク用基板の該主表面に対する凹凸形状を測定し、凹凸形状情報を取得する第１凹凸形状測定工程と、
前記第１凹凸形状測定工程によって取得された前記凹凸形状情報に基づいて前記主表面の平坦度を改善するための加工条件を決定し、該加工条件で前記第１凹凸形状測定工程における凹凸形状の測定領域内の領域を加工する平坦度改善工程と、
前記平坦度改善工程の後、前記主表面に対する凹凸形状を測定し、凹凸形状情報を取得する第２凹凸形状測定工程と、
前記第２凹凸形状測定工程によって取得された前記凹凸形状情報に基づいて前記主表面の平坦度を調整するための加工部位を特定し、前記マスクブランク用基板の前記主表面に対向して配置される触媒面を有する運動体を使用して、前記触媒面と前記加工部位との間に処理液を介在させた状態で、前記加工部位に対して触媒基準エッチングによる局所加工を施す局所加工工程と、
を有することを特徴とするマスクブランク用基板の製造方法。

（構成２）前記局所加工工程は、前記触媒面を前記加工部位に接触又は接近させ、前記触媒面と前記加工部位とを相対運動させることにより、前記加工部位に対して触媒基準エッチングによる局所加工を施すことを特徴とする構成１記載のマスクブランク用基板の製造方法。

（構成３）前記触媒面は、前記マスクブランク用基板の前記主表面より小さい面積を有することを特徴とする構成１または２記載のマスクブランク用基板の製造方法。

（構成４）前記加工部位は、前記第２凹凸形状測定工程における凹凸形状の測定領域内に位置することを特徴とする構成１乃至３のいずれか一に記載のマスクブランク用基板の製造方法。

（構成５）前記平坦度改善工程は、前記第１凹凸形状測定工程における凹凸形状の測定領域内の該測定領域より狭い領域を加工することを特徴とする構成１乃至４のいずれか一に記載のマスクブランク用基板の製造方法。

（構成６）前記平坦度改善工程は、磁気粘弾性流体研磨、ガスクラスターイオンビームエッチング、またはプラズマエッチングにより、前記第１凹凸形状測定工程における凹凸形状の測定領域内の領域を加工することを特徴とする構成１乃至５のいずれか一に記載のマスクブランク用基板の製造方法。

（構成７）前記平坦度改善工程と前記第２凹凸形状測定工程との間に、表面に研磨パッドを張り付けた研磨定盤に研磨液を供給しながら、前記研磨パッドと前記主表面とを相対運動させる研磨工程を有することを特徴とする構成１乃至６のいずれか一に記載のマスクブランク用基板の製造方法。

（構成８）前記触媒は、白金、金、遷移金属及びこれらのうちの少なくとも一つを含む合金からなる群より選ばれる少なくとも一種の材料からなることを特徴とする構成１乃至７のいずれか一に記載のマスクブランク用基板の製造方法。

（構成９）前記マスクブランク用基板は、ガラス材料からなることを特徴とする構成１乃至８のいずれか一に記載のマスクブランク用基板の製造方法。

（構成１０）前記処理液は、前記マスクブランク用基板に対して常態では溶解性を示さない溶媒からなることを特徴とする構成１乃至９のいずれか一に記載のマスクブランク用基板の製造方法。

（構成１１）前記処理液は、純水からなることを特徴とする構成１０記載のマスクブランク用基板の製造方法。

（構成１２）構成１乃至１１のいずれか一に記載のマスクブランク用基板の製造方法によって得られたマスクブランク用基板の主表面上に、多層反射膜を形成することを特徴とする多層反射膜付き基板の製造方法。

（構成１３）構成１乃至１１のいずれか一に記載のマスクブランク用基板の製造方法によって得られたマスクブランク用基板の主表面上、または、構成１２記載の多層反射膜付き基板の製造方法によって得られた多層反射膜付き基板の多層反射膜上に、転写パターン用薄膜を形成することを特徴とするマスクブランクの製造方法。

（構成１４）構成１３に記載のマスクブランクの製造方法によって得られたマスクブランクの転写パターン用薄膜をパターニングして、転写パターンを形成することを特徴とする転写用マスクの製造方法。

上述したように、本発明に係るマスクブランク用基板の製造方法によれば、平坦度改善工程によって平坦度が改善された主表面に対する凹凸形状を測定し、凹凸形状情報を取得した後、その凹凸形状情報に基づいて主表面の平坦度を調整するための加工部位を特定し、触媒面を有する運動体を使用して、触媒面と加工部位との間に処理液を介在させた状態で、その加工部位を触媒基準エッチングにより加工する。触媒基準エッチングによる加工では、触媒面上に吸着している処理液中の分子から生成した活性種と加工部位とが反応して、加工部位が加工される。活性種は触媒面上にのみ生成し、触媒面付近から離れると失活する。このため、主表面の平坦度を調整するための加工部位を局所的に加工することができる。また、主表面の平坦度を調整するための加工部位だけを局所的に加工するため、加工時間を短くすることができる。また、触媒基準エッチングによる加工では、研磨剤を用いないため、マスクブランク用基板に対するダメージが極めて少なく、新たな欠陥の生成を防止することができる。したがって、所望の特性をもったマスクブランク用基板を短時間で製造することができる。

また、本発明に係る多層反射膜付き基板の製造方法によれば、上述したマスクブランク用基板の製造方法により得られたマスクブランク用基板を用いて多層反射膜付き基板を製造するので、基板要因による特性の悪化を防止することができ、所望の特性をもった多層反射膜付き基板を製造することができる。

また、本発明に係るマスクブランクの製造方法によれば、上述したマスクブランク用基板の製造方法により得られたマスクブランク用基板または上述した多層反射膜付き基板の製造方法によって得られた多層反射膜付き基板を用いてマスクブランクを製造するので、基板要因による特性の悪化を防止することができ、所望の特性をもったマスクブランクを製造することができる。

また、本発明に係る転写用マスクの製造方法によれば、上述したマスクブランクの製造方法により得られたマスクブランクを用いて転写用マスクを製造するので、被転写体における転写パターンの位置ずれを防止することができ、所望の特性をもった転写用マスクを製造することができる。

マスクブランク用基板に対して触媒基準エッチングによる局所加工を施す局所的触媒基準エッチング加工装置の構成を示す部分断面図である。 マスクブランク用基板に対して触媒基準エッチングによる局所加工を施す局所的触媒基準エッチング加工装置の構成を示す平面図である。 本発明の実施例１における、マスクブランク用基板の主表面の触媒基準エッチングによる局所加工前の凹凸形状を示す図である。 本発明の実施例１における、マスクブランク用基板の主表面の触媒基準エッチングによる局所加工後の凹凸形状を示す図である。

以下、本発明の実施の形態に係るマスクブランク用基板の製造方法、このマスクブランク用基板を用いた多層反射膜付き基板の製造方法、このマスクブランク用基板または多層反射膜付き基板を用いたマスクブランクの製造方法、およびこのマスクブランクを用いた転写用マスクの製造方法を詳細に説明する。

実施の形態１．
実施の形態１では、マスクブランク用基板の製造方法を説明する。

この実施の形態１では、マスクブランク用基板の主表面に対する凹凸形状情報を取得する第１凹凸形状測定工程と、第１凹凸形状測定工程によって取得された凹凸形状情報に基づいて、主表面の平坦度を改善するための加工条件で第１凹凸形状測定工程における凹凸形状の測定領域内の領域を加工する平坦度改善工程と、平坦度改善工程の後、マスクブランク用基板の主表面に対する凹凸形状情報を取得する第２凹凸形状測定工程と、第２凹凸形状測定工程によって取得された凹凸形状情報に基づいて、主表面の平坦度を調整するための加工部位に対して触媒基準エッチングによる局所加工を施す局所加工工程とにより、マスクブランク用基板を製造する。
以下、各工程を詳細に説明する。

１．第１凹凸形状測定工程
マスクブランク用基板の製造方法では、先ず、マスクブランク用基板の主表面（転写パターンを形成する側の表面）に対する凹凸形状情報を取得する第１凹凸形状測定工程を行う。尚、必要に応じて、マスクブランク用基板の主表面と反対側の裏面に対する凹凸形状情報を取得してもよい。

この第１凹凸形状測定工程では、先ず、酸化セリウムやコロイダルシリカなどの研磨砥粒を用いたポリッシングやラッピングによりマスクブランク用基板の主表面および裏面が研磨されたマスクブランク用基板を準備する。
その後、主表面および裏面が研磨されたマスクブランク用基板の主表面、又は主表面および裏面に対する凹凸形状を測定し、主表面や裏面の凹凸形状情報を取得する。

第１凹凸形状測定工程での凹凸形状情報の取得領域は、後述する平坦度改善工程での加工領域より広い領域である。マスクブランク用基板が６０２５サイズ（１５２ｍｍ×１５２ｍｍ×６．３５ｍｍ）の場合、凹凸形状情報の取得領域は、例えば、基板の周縁領域を除外した１４８ｍｍ×１４８ｍｍの領域、好ましくは１４９ｍｍ×１４９ｍｍの領域、より好ましくは１５０ｍｍ×１５０ｍｍの領域である。

第１凹凸形状測定工程で取得される凹凸形状情報には、表面形態情報と位置情報とが含まれる。表面形態情報は、例えば、主表面上や裏面上の多数の地点（例えば、１０２４×１０２４の地点）における、ある基準面からの高さ情報である。位置情報は、マスクブランク用基板の主表面上や裏面上での位置が特定できる情報であればよい。例えば、ある点を基準とした座標情報である。表面形態情報が主表面上や裏面上の多数の地点における高さ情報であり、位置情報がその多数の地点における座標情報であれば、凹凸形状情報は、主表面や裏面の多数の地点における高さ情報と座標情報との集合である。この場合、その凹凸形状情報をコンピュータなどに保存し、その凹凸形状情報に基づいた主表面や裏面の凹凸形状を、モニターなどの表示装置に出力することができる（図３、図４を参照）。

第１凹凸形状測定工程は、例えば、平坦度測定装置（トロペル社製 ＵｌｔｒａＦｌａｔ２００）または非接触表面形状測定装置（Ｚｙｇｏ社製 Ｎｅｗｖｉｅｗ６３００）を用いて行う。この装置を用いることにより、マスクブランク用基板の主表面および裏面の凹凸形状情報を容易に取得することができる。ただし、マスクブランク用基板の上述した領域全体の凹凸形状情報を取得する場合には、平坦度測定装置（トロペル社製 ＵｌｔｒａＦｌａｔ２００）が好ましい。

マスクブランク用基板の材料は、特に制限されない。例えば、合成石英ガラス、ソーダライムガラス、ボロシリケートガラス、アルミノシリケートガラス、ＳｉＯ_２−ＴｉＯ_２系ガラス等のガラスや、ガラスセラミックスを使用することができる。その他、シリコンや金属なども使用することができる。ただし、透過型マスクブランクに使用する基板材料は、使用する露光波長に対して透光性を有する材料である必要がある。例えば、ＡｒＦエキシマレーザー露光用のバイナリーマスクブランクおよび位相シフトマスクブランクに使用する基板材料は、合成石英ガラスが好ましい。また、反射型マスクブランクに使用する基板材料は、低熱膨張性を有する材料である必要がある。例えば、ＥＵＶ露光用の反射型マスクブランクに使用する基板材料は、ＳｉＯ_２−ＴｉＯ_２系ガラスが好ましい。

２．平坦度改善工程
次に、第１凹凸形状測定工程によって取得された凹凸形状情報に基づいて、主表面の平坦度を改善するための加工条件で第１凹凸形状測定工程における凹凸形状の測定領域内の領域を加工する平坦度改善工程を行う。尚、必要に応じて、マスクブランク用基板の裏面に対して平坦度改善工程を行ってもよい。

この平坦度改善工程では、先ず、第１凹凸形状測定工程によって取得された主表面、又は主表面および裏面に対する凹凸形状情報に基づいて主表面や裏面の平坦度を改善するための加工条件を決定する。
その後、決定した加工条件で、主表面や裏面の、第１凹凸形状測定工程における凹凸形状の測定領域内の領域を加工する。

平坦度改善工程での加工領域は、第１凹凸形状測定工程における凹凸形状の測定領域内のその測定領域より狭い領域である。これにより、平坦度改善工程を効率的に行うことができる。また、マスクブランク用基板には、平坦度改善工程の段階で所定の平坦度（基準値）が要求される領域があるため、この平坦度改善工程での加工領域は、その領域より広い領域である。マスクブランク用基板が６０２５サイズの場合、半導体デザインルール１ｘ世代で使用されるＥＵＶ露光用の反射型マスクブランクの製造に用いられるマスクブランク用基板は基板の周縁領域を除外した１４６ｍｍ×１４６ｍｍの領域について、半導体デザインルール１ｘ世代で使用されるＡｒＦエキシマレーザー露光用のバイナリーマスクブランクおよび位相シフトマスクブランクの製造に用いられるマスクブランク用基板は基板の周縁領域を除外した１４２ｍｍ×１４２ｍｍの領域について、平坦度改善工程の段階で所定の平坦度（基準値）が要求される。このため、マスクブランク用基板が６０２５サイズの場合、平坦度改善工程での加工領域は、例えば、基板の周縁領域を除外した１４２ｍｍ×１４２ｍｍの領域、好ましくは１４６ｍｍ×１４６ｍｍの領域、より好ましくは１４８ｍｍ×１４８ｍｍの領域である。

平坦度を改善するための加工は、１回行う場合もあるし、複数回行う場合もある。複数回行う場合、それぞれの加工領域は、同じであってもよいし、異なっていてもよい。加工領域を異ならせる場合、前段の加工領域を後段の加工領域より広くする。これにより、加工時間を短くすることができる。例えば、前段の加工領域は１４８ｍｍ×１４８ｍｍの領域であり、後段の加工領域は１４２ｍｍ×１４２ｍｍの領域である。

平坦度改善工程では、磁気粘弾性流体研磨（Magneto Rheological Finishing：ＭＲＦ）、ガスクラスターイオンビームエッチング（Gas Cluster Ion Beam etching：ＧＣＩＢ）、またはプラズマエッチングにより、第１凹凸形状測定工程における凹凸形状の測定領域内の領域を加工する。
ＭＲＦは、磁性流体に研磨スラリーを混合させた磁性研磨スラリーを、被加工物（マスクブランク用基板）に高速で接触させるとともに、接触部分の滞留時間をコントロールすることにより、局所的に研磨を行う局所加工方法である。磁性研磨スラリーに含まれる研磨粒子としては、シリカ、酸化セリウム、ダイヤモンド等の１種以上からなる材料を使用することができる。加工効率の点から、研磨粒子は、酸化セリウムやダイヤモンドから選ばれる１種以上の材料を使用することが好ましい。例えば、酸化セリウム（ＱＥＤ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｉｅｓ社製Ｃ−３０、Ｃ−２０、Ｃ−１０等）、ダイヤモンドペースト（ＱＥＤ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｉｅｓ社製Ｄ−２０、Ｄ−１０等）を使用することができる。
ＧＣＩＢは、常温常圧で気体の反応性物質（ソースガス）を、真空装置内に断熱膨張させつつ噴出させてガスクラスタイオンを生成し、これにより電子照射してイオン化させることにより生成したガスクラスタイオンを、高電界で加速してガスクラスタイオンビームとし、これを被加工物に照射してエッチング加工する局所加工方法である。
プラズマエッチングとして、例えば、局所プラズマエッチングを用いたドライケミカル平坦化法（Dry Chemical Planarization：ＤＣＰ）がある。ＤＣＰは、局所的にプラズマエッチングし、凸度に応じてプラズマエッチング量をコントロールすることにより、局所的にドライエッチングを行う局所加工方法である。

主表面や裏面の平坦度を改善するための加工条件は、第１凹凸形状測定工程によって取得された凹凸形状情報と平坦度改善工程の段階でマスクブランク用基板に要求される主表面や裏面の平坦度の基準値とを比較し、その差分に応じて決定する。半導体デザインルール１ｘ世代で使用されるＥＵＶ露光用の反射型マスクブランクの製造に用いられるマスクブランク用基板を製造する際、平坦度改善工程で要求されるマスクブランク用基板の主表面および裏面の平坦度の基準値は、マスクブランク用基板が６０２５サイズの場合、基板の周縁領域を除外した１４６ｍｍ×１４６ｍｍの領域において、５０ｎｍ以下である。また、半導体デザインルール１ｘ世代で使用されるＡｒＦエキシマレーザー露光用のバイナリーマスクブランクおよび位相シフトマスクブランクの製造に用いられるマスクブランク用基板を製造する際、平坦度改善工程で要求されるマスクブランク用基板の主表面の平坦度の基準値は、マスクブランク用基板が６０２５サイズの場合、基板の周縁領域を除外した１４２ｍｍ×１４２ｍｍの領域において、０．３μｍ以下である。

３．研磨工程
平坦度改善工程後、マスクブランク用基板の主表面や裏面の平滑性を高めるための研磨工程を行う場合がある。この研磨工程は、平坦度改善工程によってマスクブランク用基板の主表面や裏面が荒れた場合、すなわち、主表面や裏面が所望の平滑性を満たさなくなった場合などに行う。

この研磨工程では、表面に研磨パッドを張り付けた研磨定盤に研磨液を供給しながら、研磨パッドとマスクブランク用基板の主表面や裏面とを相対運動させ、主表面や裏面を研磨する。

４．第２凹凸形状測定工程
次に、平坦度改善工程または研磨工程の後、マスクブランク用基板の主表面に対する凹凸形状情報を取得する第２凹凸形状測定工程を行う。尚、必要に応じて、マスクブランク用基板の裏面に対する凹凸形状情報を取得してもよい。

この第２凹凸形状測定工程では、マスクブランク用基板の主表面、又は主表面および裏面に対する凹凸形状を測定し、主表面や裏面の凹凸形状情報を取得する。

第２凹凸形状測定工程での凹凸形状情報の取得領域は、後述する局所加工工程で平坦度を調整する領域より広い領域である。マスクブランク用基板が６０２５サイズの場合、凹凸形状情報の取得領域は、例えば、基板の周縁領域を除外した１４８ｍｍ×１４８ｍｍの領域、好ましくは１４９ｍｍ×１４９ｍｍの領域、より好ましくは１５０ｍｍ×１５０ｍｍの領域である。

第２凹凸形状測定工程で取得される凹凸形状情報には、第１凹凸形状測定工程と同様に、表面形態情報と位置情報とが含まれる。
第２凹凸形状測定工程は、第１凹凸形状測定工程と同様の装置を用いて行う。

５．局所加工工程
次に、第２凹凸形状測定工程によって取得された凹凸形状情報に基づいて、主表面の平坦度を調整するための加工部位に対して触媒基準エッチング（Catalyst-Referred Etching：ＣＡＲＥ）による局所加工を施す局所加工工程を行う。この局所加工工程は、平坦度改善工程で得られた平坦度が研磨工程によって悪化したために平坦度を戻す場合や、平坦度改善工程で得られた平坦度が不十分であるために平坦度を更に向上させる場合などに行う。尚、必要に応じて、マスクブランク用基板の裏面に対して局所加工工程を行ってもよい。

この局所加工工程では、先ず、第２凹凸形状測定工程によって取得された凹凸形状情報に基づいて主表面、又は主表面および裏面の平坦度を調整するための加工部位を特定する。

局所加工工程での加工部位は、第２凹凸形状測定工程における凹凸形状の測定領域内から特定する。これにより、局所加工工程を効率的に行うことができる。また、マスクブランク用基板には、所定の平坦度（基準値）が要求される領域があるため、局所加工工程での加工部位は、その領域の平坦度を調整するように特定する。マスクブランク用基板が６０２５サイズの場合、半導体デザインルール１ｘ世代で使用されるＥＵＶ露光用の反射型マスクブランクの製造に用いられるマスクブランク用基板は、主表面の場合、基板の周縁領域を除外した１３２ｍｍ×１３２ｍｍの領域について所定の平坦度（基準値）が要求され、裏面の場合、基板の周縁領域を除該した１４２ｍｍ×１４２ｍｍの領域について所定の平坦度（基準値）が要求される。また、半導体デザインルール１ｘ世代で使用されるＡｒＦエキシマレーザー露光用のバイナリーマスクブランクおよび位相シフトマスクブランクの製造に用いられるマスクブランク用基板は、基板の周縁領域を除外した１４２ｍｍ×１４２ｍｍの領域について所定の平坦度が要求される。このため、半導体デザインルール１ｘ世代で使用されるＥＵＶ露光用の反射型マスクブランクの製造に用いられるマスクブランク用基板を製造する際、マスクブランク用基板が６０２５サイズの場合、加工部位は、基板の周縁領域を除外した１３２ｍｍ×１３２ｍｍの領域や、１４２ｍｍ×１４２ｍｍの領域の平坦度を調整するように特定する。また、半導体デザインルール１ｘ世代で使用されるＡｒＦエキシマレーザー露光用のバイナリーマスクブランクおよび位相シフトマスクブランクの製造に用いられるマスクブランク用基板を製造する際、マスクブランク用基板が６０２５サイズの場合、加工部位は、基板の周縁領域を除外した１４２ｍｍ×１４２ｍｍの領域の平坦度を調整するように特定する。

主表面や裏面の平坦度を調整するための加工部位は、第２凹凸形状測定工程によって取得された凹凸形状情報とマスクブランク用基板に要求される主表面や裏面の平坦度の基準値とを比較することにより、特定する。半導体デザインルール１ｘ世代で使用されるＥＵＶ露光用の反射型マスクブランクの製造に用いられるマスクブランク用基板を製造する際、マスクブランク用基板の主表面および裏面に要求される平坦度の基準値は、マスクブランク用基板が６０２５サイズの場合、主表面は、基板の周縁領域を除外した１３２ｍｍ×１３２ｍｍの領域において、３０ｎｍ以下、裏面は、基板の周縁領域を除外した１４２ｍｍ×１４２ｍｍの領域において、３０ｎｍ以下である。また、半導体デザインルール１ｘ世代で使用されるＡｒＦエキシマレーザー露光用のバイナリーマスクブランクおよび位相シフトマスクブランクの製造に用いられるマスクブランク用基板を製造する際、マスクブランク用基板の主表面に要求される平坦度の基準値は、マスクブランク用基板が６０２５サイズの場合、基板の周縁領域を除外した１４２ｍｍ×１４２ｍｍの領域において、０．２μｍ以下である。
例えば、凹凸形状情報が、主表面上の多数の地点における高さ情報と座標情報との集合である場合、その凹凸形状情報に基づいて主表面や裏面の凹凸形状を、モニターなどの表示装置に表示する（図３，４を参照）。そして、モニターなどの表示を参照して、主表面や裏面の平坦度を調整するための加工部位を特定する。
主表面や裏面の平坦度を調整するための加工部位は、モニターなどの表示を参照して特定するだけでなく、所定のアルゴリズムを用いることによって、特定することもできる。

その後、マスクブランク用基板の主表面や裏面に対向して配置される触媒面を有する運動体を使用して、触媒面と加工部位との間に処理液を介在させた状態で、加工部位に対して触媒基準エッチングによる局所加工を施す。

この場合、先ず、触媒面を有する運動体を、触媒面がマスクブランク用基板の主表面や裏面に対向して配置された状態で、加工部位の位置に配置する。そして、触媒面と加工部位との間に処理液を供給し、触媒面と加工部位との間に処理液を介在させた状態で、運動体の触媒面を、その加工部位に接触又は接近させ、マスクブランク用基板に所定の荷重（加工圧）を加えながら、触媒面と加工部位とを相対運動させる。触媒面と加工部位との間に処理液を介在させた状態で、触媒面と加工部位とを相対運動させると、触媒面上に吸着している処理液中の分子から生成した活性種と加工部位が反応して、加工部位が加工される。活性種は触媒面上にのみ生成し、触媒面付近から離れると失活することから、触媒面が接触又は接近する加工部位以外ではほとんど活性種との反応が起こらない。このようにして、加工部位に対して触媒基準エッチングによる局所加工を施す。加工部位が複数個所ある場合、すべての加工部位に対して、同様に、触媒基準エッチングによる局所加工を施す。これにより、高い平坦性のマスクブランク用基板を得ることができる。

触媒面と加工部位との相対運動は、触媒面と加工部位とが相対的に移動する運動であれば、特に制限されない。マスクブランク用基板を固定し運動体を移動する場合、運動体を固定しマスクブランク用基板を移動する場合、運動体とマスクブランク用基板の両方を移動する場合のいずれであってもよい。運動体が移動する場合、その運動は、マスクブランク用基板の主表面や裏面に垂直な方向の軸を中心として回転する場合や、マスクブランク用基板の主表面や裏面と平行な方向に往復運動する場合などである。同様に、マスクブランク用基板が移動する場合、その運動は、マスクブランク用基板の主表面や裏面に垂直な方向の軸を中心として回転する場合や、マスクブランク用基板の主表面や裏面と平行な方向に往復運動する場合などである。

マスクブランク用基板に加える荷重（加工圧）は、例えば、１〜２００ｈＰａである。

触媒面を形成する触媒は、活性種を生成できるものであれば、特に制限されない。例えば、水素を酸化し、水素イオンと原子とを取り出す反応を促進する白金、金、遷移金属（例えば、モリブデン、鉄、銀、銅）、及びこれらのうちの少なくとも一つを含む合金（例えば、ステンレス鋼（ＳＵＳ））からなる群より選ばれる少なくとも一種の材料を使用することができる。また、セラミックス系固体触媒を使用することもできる。

処理液は、マスクブランク用基板に対して常態では溶解性を示さない溶媒であれば、特に制限されない。このような処理液を使用することにより、マスクブランク用基板が処理液によって溶解せず、不必要なマスクブランク用基板の変形を防止することができる。例えば、純水、オゾン水、炭酸水、水素水を使用することができる。また、マスクブランク用基板が、常態ではハロゲンを含む分子が溶けた処理液によって溶解しない場合には、ハロゲンを含む分子が溶けた処理液を使用することもできる。ここで、ハロゲンを含む分子としては、ハロゲン化水素が好ましいが、Ｃ−Ｆ、Ｓ−Ｆ、Ｎ−Ｆ、Ｃ−Ｃｌ、Ｓ−Ｃｌ、Ｎ−Ｃｌ等の結合を有する分子を用いることもできる。ハロゲンとしては、フッ素（Ｆ）、塩素（Ｃｌ）、臭素（Ｂｒ）、ヨウ素（Ｉ）が挙げられるが、化学的な反応は原子番号が大きくなるにしたがって小さくなるので、処理液として実際に使用できるのは、フッ化水素酸（ＨＦ水溶液）である。しかし、フッ化水素酸（ＨＦ水溶液）ではガラス中のＳｉＯ_２成分を溶解させてしまい、塩酸（ＨＣｌ水溶液）では、低熱膨張性を有するＳｉＯ_２−ＴｉＯ_２系ガラスに含まれるＴｉを選択的に溶出させてしまう。これらの要因や加工時間を考慮し、適切な濃度に調整したハロゲン化水素酸を用いることが好ましい。

マスクブランク用基板がガラス材料からなる場合、触媒として白金を使用し、処理液として純水を使用することにより、触媒基準エッチングによる局所加工を行うことができる。触媒として白金を使用し、処理液として純水を使用することにより、加水分解反応が進行すると考えられる。このため、マスクブランク用基板がガラス材料からなる場合、コストや加工特性の観点から、触媒として白金を使用し、処理液として純水を使用することが好ましい。

運動体は、触媒面が形成される触媒定盤を備えている。触媒面が形成される触媒定盤の部分の材料は、特に制限されない。例えば、ゴム、光透過性の樹脂、発泡性の樹脂、不織布を使用することができる。触媒面は、マスクブランク用基板の主表面と対向する触媒定盤の表面に触媒をコーティングすることにより形成される。
触媒定盤の全体形状は、特に制限されない。例えば、円盤、球、円柱、円錐、角錐の外形のものを使用することができる。触媒面が形成される触媒定盤の部分の表面形状も、特に制限されない。例えば、平面、半球、丸みを帯びた形状のものを使用することができる。

触媒定盤に形成される触媒面は、マスクブランク用基板の主表面や裏面より小さい面積を有している。これにより、加工部位を局所的に加工しやすくなる。また、大型の触媒面の場合に生じ得る撓みやへたり等を抑制することができる。例えば、触媒面の面積は、１０ｍｍ^２〜１００００ｍｍ^２である。

触媒基準エッチングによる局所加工における加工取り代は、例えば、５ｎｍ〜１００ｎｍである。

図１および図２はマスクブランク用基板に対して触媒基準エッチングによる局所加工を施す局所的触媒基準エッチング加工装置の一例を示す。図１は局所的触媒基準エッチング加工装置の部分断面図であり、図２は局所的触媒基準エッチング加工装置の平面図である。尚、以下の説明は、マスクブランク用基板Ｍの主表面Ｍ１に対して局所加工を施す場合について説明するが、裏面Ｍ２に対して局所加工を施す場合にも適用できる。その場合には、主表面Ｍ１を裏面Ｍ２に置き換える。

局所的触媒基準エッチング加工装置１は、円筒形のチャンバー２と、チャンバー２内に配置され、マスクブランク用基板Ｍを支持する基板支持手段３と、マスクブランク用基板Ｍに対向して配置される運動体４と、運動体４を所定の位置に移動させる運動体移動手段５と、マスクブランク用基板Ｍの主表面Ｍ１上に処理液を供給する処理液供給手段６とを備えている。

チャンバー２は、後述する基板支持手段３の軸部３３をチャンバー２内に配置するために、チャンバー２の底部２３の中央に形成された開口部２１と、処理液供給手段６から供給された処理液を排出するために、チャンバー２の底部２３の、開口部２１より外周寄りに形成された排出口２２とを備えている。図１では、排出口２２から処理液が排出される様子が矢印で示されている。

基板支持手段３は、マスクブランク用基板Ｍを支える支持部３１と、支持部３１を固定する平面部３２と、平面部３２を支え、開口部２１を通ってチャンバー２の外部まで延在する軸部３３とを備えている。支持部３１は、局所的触媒基準エッチング加工装置１を上から見たとき、矩形状であり、マスクブランク用基板Ｍの裏面Ｍ２周縁の四辺を支える収容部３１ａを備えている。平面部３２は、局所的触媒基準エッチング加工装置１を上から見たとき、円形状である。軸部３３は、支持部３１に載置されるマスクブランク用基板Ｍの主表面Ｍ１と垂直な方向に延在し、駆動手段（図示せず）により、支持部３１に載置されるマスクブランク用基板Ｍの主表面Ｍ１と垂直な方向の軸を回転中心として回転することができる（図１中の矢印Ａを参照）。軸部３３の回転中心の延長方向に、平面部３２の中心と支持部３１に載置されるマスクブランク用基板Ｍの中心とが位置する。軸部３３が回転することにより、軸部３３に支えられている平面部３２がその中心を回転中心として回転し、さらに、平面部３２に固定されている支持部３１に載置されるマスクブランク用基板Ｍがその中心を回転中心として回転する。

運動体４は、触媒定盤４１と、触媒定盤４１を取り付ける触媒定盤取付部４２とを備えている。触媒定盤４１は、定盤本体と、定盤本体を覆うように定盤本体の表面全面に形成される被覆部材と、マスクブランク用基板と対向する側の被覆部材の表面全面にコーティングにより形成される触媒面とから構成される。触媒定盤取付部４２には、触媒定盤４１に荷重を加えるエアシリンダ４２ａと、エアシリンダ４２ａにより触媒定盤４１に加えられる荷重を測定し、所定の荷重を超えないようにエアバルブをオン・オフして、エアシリンダ４２ａによって触媒定盤４１に加えられる荷重を制御するロードセル４２ｂとが設けられている。触媒基準エッチングによる局所加工を行うとき、エアシリンダ４２ａによって触媒定盤４１に加えられる荷重（加工圧）が、マスクブランク用基板Ｍにかかる。運動体４は、後述する運動体移動手段５のアーム部５１に設けられた駆動手段（図示せず）により、支持部３１に載置されるマスクブランク用基板Ｍの主表面Ｍ１と垂直な軸を回転中心として回転することができる（図１，２中の矢印Ｂを参照）。

運動体移動手段５は、運動体４の上端に接続され、チャンバー２の周囲まで、支持部３１に載置されるマスクブランク用基板Ｍの主表面Ｍ１と平行な方向に延びるアーム部５１と、アーム部５１のチャンバー２の周囲まで延びた端部を支え、支持部３１に載置されるマスクブランク用基板Ｍの主表面Ｍ１と垂直な方向に延びる軸部５２と、軸部５２の下端を支持する土台部５３と、チャンバー２の周囲に配置され、土台部５３の移動経路を定めるガイド５４とを備えている。アーム部５１は、その長手方向に移動することができる（図１，２中の両矢印Ｃを参照）。軸部５２は、その長手方向に移動することにより、アーム部５１を上下動させることができる（図１中の両矢印Ｄを参照）。土台部５３は、支持部３１に載置されたマスクブランク用基板Ｍの主表面Ｍ１と垂直な方向の軸を回転中心として所定の角度だけ回転することにより、アーム部５１を旋回させることができる（図１，２中の両矢印Ｅを参照）。ガイド５４は、支持部３１に載置されるマスクブランク用基板Ｍの隣り合う二辺と平行な方向（第１の方向と第２の方向）に配置され、土台部５３のＬ字形の移動経路を形成する。土台部５３は、第１の方向のガイド５４に沿って移動することにより、アーム部５１を第１の方向に移動させ（図２中の両矢印Ｆを参照）、第２の方向のガイド５４に沿って移動することにより、アーム部５１を第２の方向に移動させることができる（図２中の両矢印Ｇを参照）。このようなアーム部５１の移動により、支持部３１に載置されたマスクブランク用基板Ｍの主表面Ｍ１の所定の位置に触媒定盤４１を配置することができる。

処理液供給手段６は、触媒定盤４１の中央に形成された処理液供給孔（図示せず）と、触媒定盤取付部４２内に配置され、処理液供給孔に処理液を供給する処理液供給ノズル６１と、アーム部５１内に配置され、処理液供給ノズル６１に処理液を供給する配管（図示せず）とを備えている。処理液は、アーム部５１内の配管を通って触媒定盤取付部４２内の処理液供給ノズル６１に供給され、触媒定盤４１の中央に形成された処理液供給孔からマスクブランク用基板Ｍの主表面Ｍ１上に供給される。なお、処理液の供給方法としては、これに限定されるものではなく、運動体４の外部に処理液を供給する処理液供給ノズルを設けて処理液を供給してもよい。

加工取り代を設定どおりに確保するための制御方法としては、例えば、予め別に用意したマスクブランク用基板Ｍに対して、種々の局所加工条件（加工圧力、回転数（触媒定盤、マスクブランク用基板）、処理液の流量）、加工時間と加工取り代の関係を求めておき、所望の加工取り代となる局所加工条件と加工時間を決定し、上記加工時間を管理することで、加工取り代を制御することができる。これに限定されるものではなく、加工取り代を設定どおりに確保できる方法であれば、種々の方法を選択してもよい。

図１および図２に示す局所的触媒基準エッチング加工装置を用いて、触媒基準エッチングによる局所加工を行う場合、先ず、マスクブランク用基板Ｍを、局所加工する面である主表面Ｍ１を上側に向けて支持部３１に載置して固定する。

その後、アーム部５１の長手方向移動（両矢印Ｃ）、アーム部５１の旋回移動（両矢印Ｅ）、アーム部５１の第１方向移動（両矢印Ｆ）、アーム部５１の第２方向移動（両矢印Ｇ）により、触媒定盤４１の触媒面がマスクブランク用基板Ｍの主表面Ｍ１に対向して配置された状態で、局所加工工程によって特定された加工部位の位置に触媒定盤４１を配置する。

その後、基板支持手段３および運動体４を所定の回転速度で回転させながら、触媒定盤４１の中央に形成された処理液供給孔からマスクブランク用基板Ｍの主表面Ｍ１上に処理液を供給し、マスクブランク用基板Ｍの主表面Ｍ１と触媒面との間に処理液を介在させる。その状態で、触媒定盤４１の触媒面を、アーム部５１の上下移動（両矢印Ｄ）により、ガラス基板Ｍの主表面Ｍ１に接触又は接近させる。その際、触媒定盤４１に加えられる荷重が所定の値に制御され、マスクブランク用基板Ｍには、所定の荷重（加工圧）がかかる。

その後、所定の加工取り代になった時点で、基板支持手段３および運動体４の回転および処理液の供給を止める。そして、アーム部５１の上下移動（両矢印Ｄ）により、触媒定盤４１を、マスクブランク用基板Ｍの主表面Ｍ１から所定の距離だけ離す。

その後、局所加工工程によって特定された加工部位が他にもある場合、同様に、触媒基準エッチングによる局所加工を施す。
局所加工工程によって特定されたすべての加工部位に対して、触媒基準エッチングによる局所加工を行った後、支持部３１からマスクブランク用基板Ｍを取り外す。

このような第１凹凸形状測定工程と、平坦度改善工程と、第２凹凸形状測定工程と、局所加工工程とにより、マスクブランク用基板が製造される。

この実施の形態１のマスクブランク用基板の製造方法によれば、平坦度改善工程によって平坦度が改善された主表面Ｍ１や裏面Ｍ２に対する凹凸形状を測定し、凹凸形状情報を取得した後、その凹凸形状情報に基づいて主表面Ｍ１や裏面Ｍ２の平坦度を調整するための加工部位を特定し、触媒面を有する運動体４を使用して、触媒面と加工部位との間に処理液を介在させた状態で、その加工部位を触媒基準エッチングにより加工する。触媒基準エッチングによる加工では、触媒面上に吸着している処理液中の分子から生成した活性種と加工部位とが反応して、加工部位が加工される。活性種は触媒面上にのみ生成し、触媒面付近から離れると失活する。このため、主表面Ｍ１や裏面Ｍ２の平坦度を調整するための加工部位を局所的に加工することができる。また、主表面Ｍ１や裏面Ｍ２の平坦度を調整するための加工部位だけを局所的に加工するため、加工時間を短くすることができる。また、触媒基準エッチングによる加工では、研磨剤を用いないため、マスクブランク用基板Ｍに対するダメージが極めて少なく、新たな欠陥の生成を防止することができる。したがって、所望の特性をもったマスクブランク用基板を短時間で製造することができる。
なお、この実施の形態１のマスクブランク用基板の製造方法で説明した平坦度改善工程、局所加工工程について、マスクブランク用基板Ｍの主表面Ｍ１および裏面Ｍ２の両方行う場合において、どちらの面を先に行っても構わないが、欠陥品質の点で高い品質が要求される主表面Ｍ１を考えると、裏面Ｍ２の加工を行った後に、主表面Ｍ１の加工を行う方が好ましい。

なお、この実施の形態１のマスクブランク用基板の製造方法で説明した方法により製造したマスクブランク用基板Ｍは、バイナリーマスクブランク、位相シフトマスクブランク、ナノインプリント用マスクブランクの製造に使用することができる。バイナリーマスクブランクは、ＭｏＳｉ系、Ｔａ系、Ｃｒ系のいずれであってもよい。位相シフトマスクブランクは、ハーフトーン型位相シフトマスクブランク、レベンソン型位相シフトマスクブランク、クロムレス型位相シフトマスクブランクのいずれであってもよい。

実施の形態２．
実施の形態２では、多層反射膜付き基板の製造方法を説明する。

この実施の形態２では、実施の形態１のマスクブランク用基板の製造方法で説明した方法により製造したマスクブランク用基板Ｍの主表面Ｍ１上に、高屈折率層と低屈折率層とを交互に積層した多層反射膜を形成し、さらに、この多層反射膜上に保護膜を形成して、多層反射膜付き基板を製造する。

この実施の形態２による多層反射膜付き基板の製造方法によれば、実施の形態１のマスクブランク用基板の製造方法により得られたマスクブランク用基板Ｍを用いて多層反射膜付き基板を製造するので、基板要因による特性の悪化を防止することができ、所望の特性をもった多層反射膜付き基板を製造することができる。

なお、この実施の形態２の多層反射膜付き基板の製造方法で説明した方法により製造した多層反射膜付き基板は、反射型マスクブランクの製造に使用することができる。

実施の形態３．
実施の形態３では、マスクブランクの製造方法を説明する。

この実施の形態３では、実施の形態１のマスクブランク用基板の製造方法で説明した方法により製造したマスクブランク用基板Ｍの主表面Ｍ１上に、転写パターン用薄膜としての遮光膜を形成してバイナリーフォトマスクブランクを製造し、または転写パターン用薄膜としてのハーフトーン膜を形成してハーフトーン型位相シフトマスクブランクを製造し、または転写パターン用薄膜としてハーフトーン膜、遮光膜を順次形成してハーフトーン型位相シフトマスクブランクを製造する。これらのバイナリーフォトマスクブランク及びハーフトーン型位相シフトマスクブランクは、透過型マスクブランクである。

また、この実施の形態３では、実施の形態２の多層反射膜付き基板の製造方法で説明した方法により製造した多層反射膜付き基板の保護膜上に転写パターン用薄膜としての吸収体膜を形成し、さらに多層反射膜を形成していない裏面に裏面導電膜を形成して、反射型マスクブランクを製造する。

この実施の形態３によれば、実施の形態１のマスクブランク用基板の製造方法により得られたマスクブランク用基板Ｍまたは実施の形態２の多層反射膜付き基板の製造方法によって得られた多層反射膜付き基板を用いてマスクブランクを製造するので、基板要因による特性の悪化を防止することができ、所望の特性をもったマスクブランクを製造することができる。

実施の形態４．
実施の形態４では、転写用マスクの製造方法を説明する。

この実施の形態４では、実施の形態３のマスクブランクの製造方法で説明した方法により製造した透過型マスクブランクまたは反射型マスクブランクの転写パターン用薄膜上に、露光・現像処理を行ってレジストパターンを形成する。このレジストパターンをマスクにして転写パターン用薄膜をエッチング処理して、転写パターンを形成して転写用マスクを製造する。

この実施の形態４によれば、実施の形態３のマスクブランクの製造方法により得られたマスクブランクを用いて転写用マスクを製造するので、被転写体における転写パターンの位置ずれを防止することができ、所望の仕様を満たす転写用マスクを製造することができる。

以下、実施例に基づいて本発明をより具体的に説明する。

実施例１．
Ａ．マスクブランク用基板の製造
１．基板の準備
主表面及び裏面が研磨された６０２５サイズ（１５２ｍｍ×１５２ｍｍ×６．３５ｍｍ）のＴｉＯ_２−ＳｉＯ_２ガラス基板を準備した。なお、ＴｉＯ_２−ＳｉＯ_２ガラス基板は、
以下の粗研磨加工工程、精密研磨加工工程、超精密研磨加工工程を経て得られたものである。

（１）粗研磨加工工程
端面面取加工および研削加工を終えたガラス基板を両面研磨装置に１０枚セットし、以下の研磨条件で粗研磨を行った。１０枚セットを５回行い合計５０枚のガラス基板の粗研磨を行った。なお、加工荷重、研磨時間は適宜調整して行った。
研磨スラリー：酸化セリウム（平均粒径２〜３μｍ）を含有する水溶液
研磨パッド：硬質ポリシャ（ウレタンパッド）
粗研磨後、ガラス基板に付着した研磨砥粒を除去するため、ガラス基板を洗浄槽に浸漬し、超音波を印加して洗浄を行った。

（２）精密研磨加工工程
粗研磨を終えたガラス基板を両面研磨装置に１０枚セットし、以下の研磨条件で精密研磨を行った。１０枚セットを５回行い合計５０枚のガラス基板の精密研磨を行った。なお、加工荷重、研磨時間は適宜調整して行った。
研磨スラリー：酸化セリウム（平均粒径１μｍ）を含有する水溶液
研磨パッド：軟質ポリシャ（スウェードタイプ）
精密研磨後、ガラス基板に付着した研磨砥粒を除去するため、ガラス基板を洗浄槽に浸漬し、超音波を印加して洗浄を行った。

（３）超精密研磨加工工程
精密研磨を終えたガラス基板を再び両面研磨装置に１０枚セットし、以下の研磨条件で超精密研磨を行った。１０枚セットを５回行い合計５０枚のガラス基板の超精密研磨を行った。なお、加工荷重、研磨時間は適宜調整して行った。
研磨スラリー：コロイダルシリカを含有するアルカリ性水溶液（ｐＨ１０．２）
（コロイダルシリカ含有量５０ｗｔ％）
研磨パッド：超軟質ポリシャ（スウェードタイプ）
研磨スラリー供給温度：２５℃
超精密研磨後、ガラス基板を水酸化ナトリウムのアルカリ洗浄液が入った洗浄槽に浸漬し、超音波を印加して洗浄を行った。

２．第１凹凸形状測定工程
その後、粗研磨加工工程、精密研磨加工工程、超精密研磨加工工程後のガラス基板の主表面および裏面に対する凹凸形状を、平坦度測定装置（トロペル社製 ＵｌｔｒａＦｌａｔ２００）を用いて測定した。凹凸形状測定は、ガラス基板の周縁領域を除外した１５０ｍｍ×１５０ｍｍの領域に対して、１０２４×１０２４の地点で行った。
ガラス基板の周縁領域を除外した１５０ｍｍ×１５０ｍｍの領域において、主表面および裏面の平坦度は、２９０ｎｍであった。
また、ガラス基板の主表面および裏面の凹凸形状の測定結果を、測定点ごとに仮想絶対平面に対する高さの情報（凹凸形状情報）としてコンピュータに保存した。

３．平坦度改善工程
先ず、第１凹凸形状測定工程によって取得された凹凸形状情報と平坦度改善工程の段階でガラス基板に要求される主表面および裏面の平坦度の基準値とを比較し、その差分を、ガラス基板の主表面および裏面の所定領域ごとにコンピュータで算出した。この差分が、後述する局所的な表面加工における各所定領域の必要除去量（加工取り代）となる。平坦度改善工程の段階でガラス基板に要求されるガラス基板の主表面および裏面の平坦度の基準値は、ガラス基板の周縁領域を除外した１４６ｍｍ×１４６ｍｍの領域において、５０ｎｍ以下である。

その後、ガラス基板の主表面および裏面の所定領域ごとに、必要除去量に応じた局所的な表面加工の加工条件を設定した。設定方法は以下の通りである。事前にダミー基板を用いて、実際の加工と同じようにダミー基板を、一定時間基板移動させずにある地点（スポット）で加工し、その形状を平坦度測定装置（トロペル社製 ＵｌｔｒａＦｌａｔ２００）にて測定し、単位時間当たりにおけるスポットでの加工体積を算出した。そして、単位時間当たりにおけるスポットでの加工体積と上述したように算出した各所定領域の必要除去量に従い、ガラス基板をラスタ走査する際の走査スピードを決定した。

その後、ガラス基板の主表面および裏面を、基板仕上げ装置（ＱＥＤ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｉｅｓ社製）を用いて、磁気粘弾性流体研磨（Magneto Rheological Finishing：ＭＲＦ）により、平坦度が上述の基準値以下となるように、所定領域ごとに設定した加工条件に従い、局所的に表面加工した。なお、このとき、酸化セリウムの研磨粒子を含有する磁性研磨スラリーを使用した。

その後、ガラス基板を、濃度約１０％の塩酸水溶液（温度約２５℃）が入った洗浄槽に約１０分間浸漬させた。
その後、純水によるリンス、イソプロピルアルコール（ＩＰＡ）による乾燥を行った。

４．研磨工程
先ず、平坦度改善工程によって荒れたガラス基板の主表面および裏面の平滑性を高めるために、研磨スラリーを用いて行う低荷重の機械的研磨により微小量だけガラス基板の主表面および裏面を研磨した。この研磨は、基板の大きさよりも大きい研磨パッドが張り付けられた上下の研磨定盤の間にキャリアで保持されたガラス基板をセットし、コロイダルシリカ砥粒（平均粒子径５０ｎｍ）を含有する研磨スラリーを供給しながら、ガラス基板を、上下の研磨定盤内で自転しながら公転することによって行った。
その後、ガラス基板を、水酸化ナトリウムのアルカリ洗浄液に浸漬し、超音波を印加して洗浄を行った。

５．第２凹凸形状測定工程
研磨工程後のガラス基板の主表面に対する凹凸形状を、平坦度測定装置（トロペル社製 ＵｌｔｒａＦｌａｔ２００）を用いて測定した。凹凸形状測定は、ガラス基板の周縁領域を除外した１５０ｍｍ×１５０ｍｍの領域に対して行った。また、ガラス基板の主表面の凹凸形状の測定結果を、測定点ごとに仮想絶対平面に対する高さの情報（凹凸形状情報）としてコンピュータに保存した。
図３は平坦度測定装置により測定された触媒基準エッチングによる局所加工前の主表面の凹凸形状を示す。図３（Ａ）はガラス基板の周縁領域を除外した１３２ｍｍ×１３２ｍｍの領域における、ガラス基板の主表面の凹凸形状の平面画像であり、図３（Ｂ）はガラス基板の周縁領域を除外した１３２ｍｍ×１３２ｍｍの領域における、ガラス基板の主表面の凹凸形状の立体視画像である。図３（Ａ）および図３（Ｂ）中の左側の数値は、仮想絶対平面からの高さを示している。
ガラス基板の周縁領域を除外した１３２ｍｍ×１３２ｍｍの領域において、主表面の平坦度は５２ｎｍであった。
また、ガラス基板の周縁領域を除外した１４２ｍｍ×１４２ｍｍの領域において、裏面（図示せず）の平坦度は６８ｎｍであった。

６．局所加工工程
研磨工程によって悪化した平坦度を戻すため、先ず、図３に示す凹凸形状を参照して、主表面の平坦度を調整するための加工部位を特定した。図３に示す凹凸形状では、四隅の高さが高いため、この部分を主表面の平坦度を調整するための加工部位に特定した。
その後、図１および図２に示す局所的触媒基準エッチング加工装置を用いて、加工部位である四隅の高さが高い部分に対して、触媒基準エッチングによる局所加工を施した。

この実施例では、ステンレス鋼（ＳＵＳ）製の直径３５ｍｍの円盤形状の定盤本体と、定盤本体を覆うように定盤本体の表面全面に形成されるフッ素ゴム（バイトン（登録商標））と、マスクブランク用基板と対向する側のフッ素ゴムの表面全面にコーティングにより形成される触媒面とから構成される触媒定盤４１を使用した。
加工条件は以下の通りである。
触媒：白金
処理液：純水
基板支持手段３の回転数（ガラス基板の回転数）：１０．３回転／分
運動体４の回転数（触媒定盤４１の回転数）：１０回転／分
加工圧：１５０ｈＰａ
加工取り代：４５ｎｍ

先ず、ガラス基板を、裏面を上側に向けて支持部３１に載置して固定した。
その後、アーム部５１の長手方向移動（両矢印Ｃ）、アーム部５１のスイング移動（両矢印Ｅ）、アーム部５１の第１方向移動（両矢印Ｆ）、アーム部５１の第２方向移動（両矢印Ｇ）により、触媒定盤４１の触媒面がガラス基板の裏面に対向して配置された状態で、触媒定盤４１を配置した。触媒定盤４１の配置位置は、ガラス基板を回転させたときに、触媒定盤４１の触媒面が、ガラス基板の四隅の高さが高い部分に接触又は接近することが可能な位置である。
その後、ガラス基板を１０．３回転／分の回転速度および触媒定盤４１を１０回転／分の回転速度で回転させる。ここで、ガラス基板の回転方向と触媒定盤４１の回転方向とが、互いに逆になるようにガラス基板および触媒定盤４１を回転させる。これにより、両者間に周速差をとり、触媒基準エッチングによる局所加工の効率を高めることができる。また、両者の回転数は、僅かに異なるように設定される。これにより、触媒定盤４１の触媒面がガラス基板の主表面上に対して異なる軌跡を描くように相対運動させることができ、触媒基準エッチングによる局所加工の効率を高めることができる。
ガラス基板および触媒定盤４１を回転させながら、触媒定盤４１の中央に形成された処理液供給孔からガラス基板の裏面上に純水を供給し、ガラス基板の裏面と触媒面との間に純水を介在させた。その状態で、触媒定盤４１の触媒面を、アーム部５１の上下移動（両矢印Ｄ）により、ガラス基板の裏面に接触又は接近させた。その際、触媒定盤４１に加えられる荷重が１５０ｈＰａに制御され、１５０ｈＰａの加工圧がガラス基板に加えられた。触媒定盤４１の触媒面を、ガラス基板の裏面に接触又は接近させると、ガラス基板の回転により、触媒定盤４１の触媒面が、ガラス基板の四隅の高さが高い部分に順番に繰り返し接触又は接近する。
その後、加工取代が４５ｎｍになった時点で、ガラス基板および触媒定盤４１の回転および純水の供給を止めた。そして、アーム部５１の上下移動（両矢印Ｄ）により、触媒定盤４１を、ガラス基板の裏面から所定の距離だけ離した。
その後、支持部３１からガラス基板を取り外した。

その後、支持部３１から取り外したガラス基板の端面をスクラブ洗浄した。
その後、このガラス基板を王水（温度約６５℃）が入った洗浄槽に約１０分浸漬させた。
その後、純水によるリンス、乾燥を行った。
次に、ガラス基板を、主表面を上側に向けて支持部３１に載置して、上述のようにガラス基板の裏面に対して行った局所加工を主表面に対して実施した。

このようにして、マスクブランク用基板を作製した。

７．評価
半導体デザインルール１ｘ世代で使用されるＥＵＶ露光用の反射型マスクブランクの製造に用いられるマスクブランク用基板の主表面および裏面は、以下の平滑性、平坦性を有することが好ましい。
平滑性：主表面の表面粗さが、二乗平均平方根粗さ（ＲＭＳ）で０．１０ｎｍ以下、好ましくは、０．０８ｎｍ以下。３０ｎｍ級の欠陥の欠陥検査を行う高感度の欠陥検査装置において、表面粗さはバックグランドノイズに影響するためである。
平坦性：ガラス基板が６０２５サイズの場合、主表面は、基板の周縁領域を除外した１３２ｍｍ×１３２ｍｍの領域について平坦度３０ｎｍ以下、裏面は、基板の周縁領域を除外した１４２ｍｍ×１４２ｍｍの領域について平坦度３０ｎｍ以下。平坦度は、仮想絶対平面に対する、平坦度測定領域内の最も高い位置と最も低い位置との高さとの差で表される。仮想絶対平面は、仮想絶対平面から基板表面までの距離を、平坦度測定領域全体に対して二乗平均したときに最小の値となる面である。

局所加工工程後のガラス基板の主表面および裏面に対して、表面粗さ、平坦度を測定した。
表面粗さは、基板の中心の１μｍ×１μｍの領域に対して、原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）により測定した。表面粗さは、二乗平均平方根粗さ（ＲＭＳ）で０．０６ｎｍと良好であった。
平坦度は、主表面は、基板の周縁領域を除外した１３２ｍｍ×１３２ｍｍの領域に対して、裏面は、基板の周縁領域を除外した１４２ｍｍ×１４２ｍｍの領域に対して、平坦度測定装置（トロペル社製 ＵｌｔｒａＦｌａｔ２００）により測定した。
図４は平坦度測定装置により測定された触媒基準エッチングによる局所加工後の主表面の凹凸形状を示す。図４（Ａ）はガラス基板の周縁領域を除外した１３２ｍｍ×１３２ｍｍの領域における、ガラス基板の主表面の凹凸形状の平面画像であり、図４（Ｂ）はガラス基板の周縁領域を除外した１３２ｍｍ×１３２ｍｍの領域における、ガラス基板の主表面の凹凸形状の立体視画像である。図４（Ａ）および図４（Ｂ）中の左側の数値は、仮想絶対平面からの高さを示している。
ガラス基板の周縁領域を除外した１３２ｍｍ×１３２ｍｍの領域において、主表面の平坦度は２９ｎｍと良好であった。触媒基準エッチングによる局所加工により、平坦度が５２ｎｍから２９ｎｍに向上した。
また、ガラス基板の周縁領域を除外した１４２ｍｍ×１４２ｍｍの領域において、裏面の平坦度は３０ｎｍと良好であった。触媒基準エッチングにより、平坦度が６８ｎｍから３０ｎｍに向上した。
実施例１の方法により、高い平坦性と平滑性のガラス基板が得られた。
また、実施例１の方法により、ガラス基板を５０枚作製したところ、全数、表面粗さは、二乗平均平方根粗さ（ＲＭＳ）で０．０６ｎｍ以下と良好であり、主表面および裏面の平坦度も、３０ｎｍ以下と良好であった。

Ｂ．多層反射膜付き基板の製造
次に、局所加工工程後のガラス基板の主表面上に、イオンビームスパッタリング法により、シリコン膜（Ｓｉ）からなる高屈折率層（膜厚４．２ｎｍ）とモリブデン膜（Ｍｏ）からなる低屈折率層（２．８ｎｍ）とを交互に、高屈折率層と低屈折率層とを１ペアとし、４０ペア積層して、多層反射膜（膜厚２８０ｎｍ）を形成した。
その後、この多層反射膜上に、イオンビームスパッタリング法により、ルテニウム（Ｒｕ）からなる保護膜（膜厚２．５ｎｍ）を形成した。

このようにして、高い平坦性と平滑性の多層反射膜付き基板を作製した。
この得られた多層反射膜付き基板についてＥＵＶ光（波長１３．５ｎｍ）の反射率をＥＵＶ反射率測定装置により測定した。その結果、ガラス基板主表面の高い平滑性により、保護膜表面も高い平滑性を保っており、反射率は６４％と高反射率であった。

Ｃ．反射型マスクブランクの製造
次に、このようにして作製された多層反射膜付き基板の保護膜上に、ホウ化タンタル（ＴａＢ）ターゲットを使用し、キセノン（Ｘｅ）と窒素（Ｎ_２）との混合ガス雰囲気による反応性スパッタリング（ＤＣスパッタリング）により、タンタルホウ素窒化膜（ＴａＢＮ）からなる吸収体膜（膜厚７０ｎｍ）を形成した。

その後、多層反射膜付き基板の多層反射膜を形成していない裏面上に、クロム（Ｃｒ）ターゲットを使用し、アルゴン（Ａｒ）と窒素（Ｎ_２）との混合ガス雰囲気による反応性スパッタリング（ＤＣスパッタリング）により、クロム窒化膜（ＣｒＮ）からなる裏面導電膜（膜厚２０ｎｍ）を形成した。

このようにして、高い平坦性を維持したＥＵＶ露光用の反射型マスクブランクを作製した。

Ｄ．反射型マスクの製造
次に、このようにして作製された反射型マスクブランク上に、電子線描画（露光）用化学増幅型レジストをスピンコート法により塗布し、加熱及び冷却工程を経て、膜厚が１５０ｎｍのレジスト膜を形成した。
その後、形成されたレジスト膜に対し、電子線描画装置を用いて所望のパターン描画を行った後、所定の現像液で現像してレジストパターンを形成した。
その後、このレジストパターンをマスクにして、吸収体膜のドライエッチングを行って、保護膜上に吸収体膜パターンを形成した。ドライエッチングガスとしては、塩素（Ｃｌ_２）ガスを用いた。
その後、レジストパターンを除去し、洗浄を行なった。

このようにして、高い平坦性と高い反射率を有するＥＵＶ露光用の反射型マスクを作製した。

実施例２．
Ａ．マスクブランク用ガラス基板の製造
１．基板の準備、および第１凹凸形状測定工程
先ず、実施例１と同様に主表面及び裏面が研磨された６０２５サイズ（１５２ｍｍ×１５２ｍｍ×６．３５ｍｍ）のＴｉＯ_２−ＳｉＯ_２ガラス基板を準備し、主表面および裏面の第１凹凸形状測定工程を行った。
２．平坦度改善工程
次に、磁気粘弾性流体研磨（ＭＲＦ）による局所的な表面加工を２回行った以外は実施例１と同様に平坦度改善工程を行った。１回目のＭＲＦによる表面加工では、平均粒径の大きい酸化セリウムの研磨粒子を含有する磁性研磨スラリーを使用し、２回目のＭＲＦによる表面加工では、平均粒径の小さい酸化セリウムの研磨粒子を含有する磁性研磨スラリーを使用した。
３．第２凹凸形状測定工程
次に、実施例１で行った研磨工程を行わずに、実施例１と同様に、第２凹凸形状測定工程を行った。ガラス基板の周縁領域を除外した１３２ｍｍ×１３２ｍｍの領域において、主表面の平坦度は６０ｎｍであった。
また、ガラス基板の周縁領域を除外した１４２ｍｍ×１４２ｍｍの領域において、裏面の平坦度は７４ｎｍであった。
４．局所加工工程
次に、平坦度改善工程で得られた平坦度が不十分であり、平坦度を更に向上させるため、実施例１と同様に、主表面および裏面に局所加工工程を行った。
５．評価
局所加工工程後のガラス基板の主表面および裏面に対して、表面粗さ、平坦度を測定した。
表面粗さは、基板の中心の１μｍ×１μｍの領域に対して、原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）により測定した。表面粗さは、二乗平均平方根粗さ（ＲＭＳ）で０．０６ｎｍと良好であった。
平坦度は、主表面は、基板の周縁領域を除外した１３２ｍｍ×１３２ｍｍの領域に対して、裏面は、基板の周縁領域を除外した１４２ｍｍ×１４２ｍｍの領域に対して、平坦度測定装置（トロペル社製 ＵｌｔｒａＦｌａｔ２００）により測定した。主表面および裏面の平坦度は３０ｎｍと良好であった。触媒基準エッチングによる局所加工により、主表面の平坦度は６０ｎｍから３０ｎｍに向上し、裏面の平坦度は７４ｎｍから３０ｎｍに向上した。
実施例２の方法により、高い平坦性と平滑性のガラス基板が得られた。
また、実施例２の方法により、ガラス基板を５０枚作製したところ、全数、表面粗さは、二乗平均平方根粗さ（ＲＭＳ）で０．０６ｎｍ以下と良好であり、平坦度も、３０ｎｍ以下と良好であった。

Ｂ．多層反射膜付き基板の製造
実施例１と同様に、高い平坦性と平滑性の多層反射膜付き基板を作製した。
この得られた多層反射膜付き基板についてＥＵＶ光（波長１３．５ｎｍ）の反射率をＥＵＶ反射率測定装置により測定した。その結果、ガラス基板主表面の高い平滑性により、保護膜表面も高い平滑性を保っており、反射率は６４％と高反射率であった。

Ｃ．反射型マスクブランクの製造
実施例１と同様に、高い平坦性を維持したＥＵＶ露光用の反射型マスクブランクを作製した。

Ｄ．反射型マスクの製造
実施例１と同様に、高い平坦性と高い反射率を有するＥＵＶ露光用の反射型マスクを作製した。

比較例１．
第２凹凸形状測定工程および局所加工工程を実施しなかった以外は実施例１と同様の方法により、マスクブランク用基板を作製した。

得られたガラス基板の主表面に対して、表面粗さ、平坦度を測定した。
表面粗さは、基板の中心の１μｍ×１μｍの領域に対して、原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）により測定した。表面粗さは、二乗平均平方根粗さ（ＲＭＳ）で０．１０ｎｍであった。
平坦度は、基板の周縁領域を除外した１３２ｍｍ×１３２ｍｍの領域に対して、平坦度測定装置（トロペル社製 ＵｌｔｒａＦｌａｔ２００）により測定した。平坦度は５０ｎｍであった。
また、この比較例１の方法により、ガラス基板を５０枚作製したところ、平坦度３０ｎｍ以下のガラス基板の収率は８％であった。

なお、上述した実施例１および２では、ＥＵＶ露光用の反射型マスクブランクに使用するＴｉＯ_２−ＳｉＯ_２ガラス基板を用いてマスクブランク用基板の製造方法を説明したが、ＡｒＦエキシマレーザー露光用のバイナリーマスクブランクおよび位相シフトマスクブランクに使用する合成石英ガラス基板を用いても、同様にマスクブランク用基板を製造することができる。
半導体デザインルール１ｘ世代で使用されるＡｒＦエキシマレーザー露光用のバイナリーマスクブランクおよび位相シフトマスクブランクの製造に用いられるマスクブランク用基板の主表面は、以下の平滑性、平坦性を有することが好ましい。
平滑性：二乗平均平方根粗さ（ＲＭＳ）で表面粗さ０．１５ｎｍ以下、好ましくは、０．１０ｎｍ以下、より好ましくは、０．０８ｎｍ以下。
平坦性：基板の周縁領域を除外した１４２ｍｍ×１４２ｍｍの領域について平坦度０．２μｍ以下。
合成石英ガラス基板を用いて実施例１および２の方法でマスクブランク用基板を製造することにより、上述した高い平滑性および平坦性を有するマスクブランク用基板を製造することができる。

１ 局所的触媒基準エッチング加工装置、 ２ チャンバー、 ３ 基板支持手段、 ４ 運動体、 ５ 運動体移動手段、 ６ 処理液供給手段、 ２１ 開口部、 ２２ 排出口、 ２３ 底部、 ３１ 支持部、 ３１ａ 収容部、 ３２ 平面部、 ３３ 軸部、 ４１ 触媒定盤、 ４２ 触媒定盤取付部、 ４２ａ エアシリンダ、 ４２ｂ ロードセル、 ５１ アーム部、 ５２ 軸部、 ５３ 土台部、 ５４ ガイド、 ６１ 処理液供給ノズル、 Ｍ マスクブランク用基板、 Ｍ１ 主表面、 Ｍ２ 裏面。

Claims (13)

1. 主表面が研磨されたマスクブランク用基板の該主表面に対する凹凸形状を測定し、凹凸形状情報を取得する第１凹凸形状測定工程と、
   前記第１凹凸形状測定工程によって取得された前記凹凸形状情報に基づいて前記主表面の平坦度を改善するための加工条件を決定し、該加工条件で前記第１凹凸形状測定工程における凹凸形状の測定領域内の領域を加工する平坦度改善工程と、
   前記平坦度改善工程の後、前記主表面に対する凹凸形状を測定し、凹凸形状情報を取得する第２凹凸形状測定工程と、
   前記第２凹凸形状測定工程によって取得された前記凹凸形状情報に基づいて前記主表面の平坦度を調整するための加工部位を特定し、前記マスクブランク用基板の前記主表面に対向して配置される触媒面を有する運動体を使用して、前記触媒面と前記加工部位との間に処理液を介在させた状態で、前記加工部位に対して触媒基準エッチングによる局所加工を施す局所加工工程と、
   を有し、
   前記処理液は、純水、オゾン水、炭酸水又は水素水であることを特徴とするマスクブランク用基板の製造方法。
2. 前記平坦度改善工程と前記第２凹凸形状測定工程との間に、表面に研磨パッドを張り付けた研磨定盤に研磨液を供給しながら、前記研磨パッドと前記主表面とを相対運動させる研磨工程を有することを特徴とする請求項１記載のマスクブランク用基板の製造方法。
3. 主表面が研磨されたマスクブランク用基板の該主表面に対する凹凸形状を測定し、凹凸形状情報を取得する第１凹凸形状測定工程と、
   前記第１凹凸形状測定工程によって取得された前記凹凸形状情報に基づいて前記主表面の平坦度を改善するための加工条件を決定し、該加工条件で前記第１凹凸形状測定工程における凹凸形状の測定領域内の領域を加工する平坦度改善工程と、
   前記平坦度改善工程の後、前記主表面に対する凹凸形状を測定し、凹凸形状情報を取得する第２凹凸形状測定工程と、
   前記第２凹凸形状測定工程によって取得された前記凹凸形状情報に基づいて前記主表面の平坦度を調整するための加工部位を特定し、前記マスクブランク用基板の前記主表面に対向して配置される触媒面を有する運動体を使用して、前記触媒面と前記加工部位との間に処理液を介在させた状態で、前記加工部位に対して触媒基準エッチングによる局所加工を施す局所加工工程と、
   を有し、
   前記平坦度改善工程と前記第２凹凸形状測定工程との間に、表面に研磨パッドを張り付けた研磨定盤に研磨液を供給しながら、前記研磨パッドと前記主表面とを相対運動させる研磨工程を有することを特徴とするマスクブランク用基板の製造方法。
4. 前記局所加工工程は、前記触媒面を前記加工部位に接触又は接近させ、前記触媒面と前記加工部位とを相対運動させることにより、前記加工部位に対して触媒基準エッチングによる局所加工を施すことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一に記載のマスクブランク用基板の製造方法。
5. 前記触媒面は、前記マスクブランク用基板の前記主表面より小さい面積を有することを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一に記載のマスクブランク用基板の製造方法。
6. 前記加工部位は、前記第２凹凸形状測定工程における凹凸形状の測定領域内に位置することを特徴とする請求項１乃至５のいずれか一に記載のマスクブランク用基板の製造方法。
7. 前記平坦度改善工程は、前記第１凹凸形状測定工程における凹凸形状の測定領域内の該測定領域より狭い領域を加工することを特徴とする請求項１乃至６のいずれか一に記載のマスクブランク用基板の製造方法。
8. 前記平坦度改善工程は、磁気粘弾性流体研磨、ガスクラスターイオンビームエッチング、またはプラズマエッチングにより、前記第１凹凸形状測定工程における凹凸形状の測定領域内の領域を加工することを特徴とする請求項１乃至７のいずれか一に記載のマスクブランク用基板の製造方法。
9. 前記触媒は、白金、金、遷移金属及びこれらのうちの少なくとも一つを含む合金からなる群より選ばれる少なくとも一種の材料からなることを特徴とする請求項１乃至８のいずれか一に記載のマスクブランク用基板の製造方法。
10. 前記マスクブランク用基板は、ガラス材料からなることを特徴とする請求項１乃至９のいずれか一に記載のマスクブランク用基板の製造方法。
11. 請求項１乃至１０のいずれか一に記載のマスクブランク用基板の製造方法によって得られたマスクブランク用基板の主表面上に、多層反射膜を形成することを特徴とする多層反射膜付き基板の製造方法。
12. 請求項１乃至１０のいずれか一に記載のマスクブランク用基板の製造方法によって得られたマスクブランク用基板の主表面上、または、請求項１１記載の多層反射膜付き基板の製造方法によって得られた多層反射膜付き基板の多層反射膜上に、転写パターン用薄膜を形成することを特徴とするマスクブランクの製造方法。
13. 請求項１２に記載のマスクブランクの製造方法によって得られたマスクブランクの転写パターン用薄膜をパターニングして、転写パターンを形成することを特徴とする転写用マスクの製造方法。

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