JP2005043838A - フォトマスクブランク用基板の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【効果】 本発明により製造される基板は、ウェハー露光時に良好な表面平坦形状を示すものであり、この基板を使用してフォトマスクブランクを作製し、更にフォトマスクに加工すれば、ウェハー露光装置のマスクステージにフォトマスクを真空チャック等により固定したときに、基板表面の反りが小さく平坦性の高い状態となりウェハー上に微細な露光パターンを正確な位置と幅で描画することが可能である。
【選択図】 なし
Description
一辺の長さが6インチ以上の四角形のフォトマスクブランク用基板であって、該基板のマスクパターンを形成する上面の外周縁をなす各々の辺の内側2mmと10mmとの間の四角リング形状領域において、この四角リング形状領域が、基板外周に向かって下向きに傾斜していると共に、上記上面の四角リング形状領域の最小自乗平面から上記四角リング形状領域への高さの最大値と最小値との差が0.5μm以下であるフォトマスクブランク用基板が、フォトマスク使用時、即ち、ウェハー露光時に良好なパターン形成面形状を与えるものであり、この基板を使用してフォトマスクブランクを作製し、更にフォトマスクに加工すれば、ウェハー露光装置のマスクステージにフォトマスクを真空チャック等により固定したときに、パターン形成面が反りの小さい平坦性の高い状態となってマスクパターンを所定の位置に正確に位置させることができ、ウェハー上に微細な露光パターンを正確な位置と幅で描画することができるものであることを見出した。
上記基板原板から研磨中間品を得る研磨において、上記研磨中間品の四角リング形状領域が基板外周に向かって上向きに傾斜した形状となるように、基板原板を周縁部より中央部の研磨速度を速くして研磨すると共に、得られた上記研磨中間品を、周縁部より中央部の研磨速度を遅くして更に研磨すること、又は上記研磨中間品の四角リング形状領域が基板外周に向かって下向きに傾斜した形状となるように、基板原板を周縁部より中央部の研磨速度を遅くして研磨すると共に、得られた上記研磨中間品を、周縁部より中央部の研磨速度を速くして更に研磨すること、特に好ましくは
上記基板原板から研磨中間品を得る研磨において、更に、上記主面領域の最小自乗平面から上記主面領域の四隅への高さの最大値と最小値との差が0.3μm以下となるように研磨することにより、上記したような基板を歩留まりよく効率的に製造できることを見出し、本発明をなすに至った。
請求項1:
一辺の長さが6インチ以上の四角形のフォトマスクブランク用基板であって、該基板のマスクパターンを形成する上面の外周縁をなす辺のうち対向する1対の2辺の内側2mmと10mmとの間で、かつ長さ方向両端から2mmの部分を各々除いた範囲にある1対の帯状領域において、この帯状領域が、基板外周に向かって各々下向きに傾斜していると共に、上記上面の帯状領域の最小自乗平面から上記帯状領域への高さの最大値と最小値との差が0.5μm以下であるフォトマスクブランク用基板を製造する方法であって、
基板原板を、上記上面の外周縁をなす各々の辺の内側2mmと10mmとの間の四角リング形状領域とこの四角リング形状領域の内周縁の内側に存するパターン形成領域とで構成される主面領域の最小自乗平面から上記主面領域への高さの最大値と最小値との差が1.5μm以下となるように研磨して研磨中間品を得、次いでこの研磨中間品を更に研磨することを特徴とするフォトマスクブランク用基板の製造方法。
請求項2:
一辺の長さが6インチ以上の四角形のフォトマスクブランク用基板であって、該基板のマスクパターンを形成する上面の外周縁をなす各々の辺の内側2mmと10mmとの間の四角リング形状領域において、この四角リング形状領域が、基板外周に向かって下向きに傾斜していると共に、上記上面の四角リング形状領域の最小自乗平面から上記四角リング形状領域への高さの最大値と最小値との差が0.5μm以下であるフォトマスクブランク用基板を製造する方法であって、
基板原板を、上記上面の外周縁をなす各々の辺の内側2mmと10mmとの間の四角リング形状領域とこの四角リング形状領域の内周縁の内側に存するパターン形成領域とで構成される主面領域の最小自乗平面から上記主面領域への高さの最大値と最小値との差が1.5μm以下となるように研磨して研磨中間品を得、次いでこの研磨中間品を更に研磨することを特徴とするフォトマスクブランク用基板の製造方法。
請求項3:
上記基板原板から研磨中間品を得る研磨において、上記研磨中間品の四角リング形状領域が基板外周に向かって上向きに傾斜した形状となるように、基板原板を周縁部より中央部の研磨速度を速くして研磨すると共に、得られた上記研磨中間品を、周縁部より中央部の研磨速度を遅くして更に研磨することを特徴とする請求項1又は2記載のフォトマスクブランク用基板の製造方法。
請求項4:
上記基板原板から研磨中間品を得る研磨において、上記研磨中間品の四角リング形状領域が基板外周に向かって下向きに傾斜した形状となるように、基板原板を周縁部より中央部の研磨速度を遅くして研磨すると共に、得られた上記研磨中間品を、周縁部より中央部の研磨速度を速くして更に研磨することを特徴とする請求項1又は2記載のフォトマスクブランク用基板の製造方法。
請求項5:
上記基板原板から研磨中間品を得る研磨において、更に、上記主面領域の最小自乗平面から上記主面領域の四隅への高さの最大値と最小値との差が0.3μm以下となるように研磨することを特徴とする請求項3又は4記載のフォトマスクブランク用基板の製造方法。
本発明のフォトマスクブランク用基板の製造方法は、一辺の長さが6インチ以上の四角形のフォトマスクブランク用基板であって、該基板のマスクパターンを形成する上面の外周縁をなす辺のうち対向する1対の2辺の内側2mmと10mmとの間で、かつ長さ方向両端から2mmの部分を各々除いた範囲にある1対の帯状領域において、この帯状領域が、基板外周に向かって各々下向きに傾斜していると共に、上記上面の帯状領域の最小自乗平面から上記帯状領域への高さの最大値と最小値との差が0.5μm以下であるフォトマスクブランク用基板を製造する方法であり、基板原板を、上記上面の外周縁をなす各々の辺の内側2mmと10mmとの間の四角リング形状領域とこの四角リング形状領域の内周縁の内側に存するパターン形成領域とで構成される主面領域の最小自乗平面から上記主面領域への高さの最大値と最小値との差が1.5μm以下となるように研磨して研磨中間品を得、次いでこの研磨中間品を更に研磨するものである。
(2)測定間隔:0.05〜0.35mm。測定間隔が広すぎると充分な形状予測ができないおそれがあり、また、測定間隔が細かすぎると測定に手間がかかりすぎるおそれがある。
(3)測定精度(誤差):0.01〜0.1μm。測定誤差が大きすぎると充分な形状予測ができないおそれがあり、また、測定誤差が小さ過ぎても手間がかかるばかりで効率が悪くなるおそれがある。
基板原板を、まず第1段階の研磨によって特定の中間形状とした後、第2段階の研磨を行うものである。この場合、好ましい中間形状を有するものを経由しないと、最終的に好ましい形状を有するものを歩留まり良く得ることが難しい。
〔製造方法1〕
まず、第1段階の研磨で基板上面(研磨面)が下記の中間形状1又は2の要件を満たす研磨中間品を作製し、更にこれを研磨条件が異なる第2段階の研磨で研磨する。
主面領域の最小自乗平面から上記主面領域への高さの最大値と最小値との差が1.5μm以下、好ましくは1.0μm以下であり、かつ四角リング形状領域が基板外周に向かって上向きに傾斜しているもの。
(中間形状2)
主面領域の最小自乗平面から上記主面領域への高さの最大値と最小値との差が1.5μm以下、好ましくは1.0μm以下であり、上記最小自乗平面から上記主面領域の四隅(頂点)への高さの最大値と最小値との差(CIR)が0.5μm以下、好ましくは0.3μm以下であり、かつ四角リング形状領域が基板外周に向かって上向きに傾斜しているもの。
〔製造方法2〕
まず、第1段階の研磨で基板上面(研磨面)が下記の中間形状3又は4の要件を満たす研磨中間品を作製し、更にこれを研磨条件が異なる第2段階の研磨で研磨する。
主面領域の最小自乗平面から上記主面領域への高さの最大値と最小値との差が1.5μm以下、好ましくは1.0μm以下であり、かつ四角リング形状領域が基板外周に向かって下向きに傾斜しているもの。
(中間形状4)
主面領域の最小自乗平面から上記主面領域への高さの最大値と最小値との差が1.5μm以下、好ましくは1.0μm以下であり、上記最小自乗平面から上記主面領域の四隅(頂点)への高さの最大値と最小値との差(CIR)が0.5μm以下、好ましくは0.3μm以下であり、かつ四角リング形状領域が基板外周に向かって下向きに傾斜しているもの。
152mm(6インチ)角のフォトマスクブランク用基板原板を、コロイダルシリカを用い、両面研磨装置で研磨速度を周縁部より中央部を速くして研磨し、図5(A)に示されるような、主面領域において、その最小自乗平面から主面領域への高さの最大値と最小値との差(以下、主面平坦度という)が0.74μm、上記最小自乗平面から主面領域の四隅への高さの最大値と最小値との差(以下、CIRという)が0.27μmであり、主面領域が凹型形状をなす研磨中間品を得た。
レチクル吸着定盤回転速度:下定盤回転速度 120rpm:50rpm
研磨時間 5min
152mm(6インチ)角のフォトマスクブランク用基板原板を、実施例1と同様に研磨速度を周縁部より中央部を速くして研磨して、図6(A)に示されるような主面平坦度が0.88μm、CIRが0.27μmであり、主面領域が凹型形状をなす研磨中間品を得た。
レチクル吸着定盤回転速度:下定盤回転速度 120rpm:33rpm
研磨時間 4min
152mm(6インチ)角のフォトマスクブランク用基板原板を、実施例1と同様に研磨速度を周縁部より中央部を速くして研磨して、図7(A)に示されるような主面平坦度が0.88μm、CIRが0.52μmであり、主面領域が凹型形状をなす研磨中間品を得た。
レチクル吸着定盤回転速度:下定盤回転速度 120rpm:50rpm
研磨時間 7min
152mm(6インチ)角のフォトマスクブランク用基板原板を、コロイダルシリカを用い、両面研磨装置で研磨速度を周縁部より中央部を遅くして研磨し、図8(A)に示されるような、主面平坦度が0.80μm、CIRが0.22μmであり、主面領域が凸型形状をなす研磨中間品を得た。
レチクル吸着定盤回転速度:下定盤回転速度 120rpm:33rpm
研磨時間 20min
152mm(6インチ)角のフォトマスクブランク用基板原板を、実施例5と同様に研磨速度を周縁部より中央部を遅くして研磨して、図9(A)に示されるような主面平坦度が0.68μm、CIRが0.13μmであり、主面領域が凸型形状をなす研磨中間品を得た。
レチクル吸着定盤回転速度:下定盤回転速度 120rpm:20rpm
研磨時間 20min
[実施例6]
152mm(6インチ)角のフォトマスクブランク用基板原板を、実施例5と同様に研磨速度を周縁部より中央部を遅くして研磨して、図10(A)に示されるような主面平坦度が1.28μm、CIRが0.52μmであり、主面領域が凸型形状をなす研磨中間品を得た。
レチクル吸着定盤回転速度:下定盤回転速度 103rpm:50rpm
研磨時間 10min
152mm(6インチ)角のフォトマスクブランク用基板原板を、実施例5と同様に研磨速度を周縁部より中央部を遅くして研磨して、図11(A)に示されるような主面平坦度が0.91μm、CIRが0.40μmであり、主面領域が凸型形状をなす研磨中間品を得た。
レチクル吸着定盤回転速度:下定盤回転速度 103rpm:50rpm
研磨時間 10min
152mm(6インチ)角のフォトマスクブランク用基板原板を、コロイダルシリカを用い、両面研磨装置で研磨し、図12(A)に示されるような、主面平坦度が1.72μm、CIRが1.72μmであり、主面領域の四隅の1つが上向き、残りの3つが下向きのねじれ形状をなす研磨中間品を得た。
レチクル吸着定盤回転速度:下定盤回転速度 120rpm:50rpm
研磨時間 5min
実施例2の方法でフォトマスクブランク用基板を30枚製造した。これらの主面領域における主面平坦度はいずれも0.5μm以下であり、四角リング形状領域が基板外周に向かって下向きに傾斜していた。これらを用いてスパッタリングによりクロム膜(膜厚100nm)を成膜してフォトマスクブランクを成膜し、次いでこのフォトマスクブランク上にレジスト膜を成膜してリソグラフィによりレジスト膜を加工し、更にレジスト膜をエッチングマスクとしてマスクパターンを形成した後にレジスト膜を剥離することにより、露光時にウェハー上での線幅が0.1μmとなるライン&スペースパターンを基板の主面領域中のパターン被覆率(Crに覆われている率)が94%となるように形成してフォトマスクを得、これをウェハー露光装置のマスクステージにフォトマスクを真空チャックしたところ27枚が良好な平坦性を示した。
実施例5の方法でフォトマスクブランク用基板を30枚製造した。これらの主面領域における主面平坦度はいずれも0.5μm以下であり、帯状領域が基板外周に向かって各々下向きに傾斜していた。これらを用いてスパッタリングによりクロム膜(膜厚100nm)を成膜してフォトマスクブランクを成膜し、次いでこのフォトマスクブランク上にレジスト膜を成膜してリソグラフィによりレジスト膜を加工し、更にレジスト膜をエッチングマスクとしてマスクパターンを形成した後にレジスト膜を剥離することにより、露光時にウェハー上での線幅が0.1μmとなるライン&スペースパターンを基板の主面領域中のパターン被覆率(Crに覆われている率)が94%となるように形成してフォトマスクを得、これをウェハー露光装置のマスクステージにフォトマスクを真空チャックしたところ26枚が良好な平坦性を示した。
比較例1の方法でフォトマスクブランク用基板を30枚製造した。これらの主面領域における主面平坦度はいずれも0.5μmを超えるものであった。これらを用いてスパッタリングによりクロム膜(膜厚100nm)を成膜してフォトマスクブランクを成膜し、次いでこのフォトマスクブランク上にレジスト膜を成膜してリソグラフィによりレジスト膜を加工し、更にレジスト膜をエッチングマスクとしてマスクパターンを形成した後にレジスト膜を剥離することにより、露光時にウェハー上での線幅が0.1μmとなるライン&スペースパターンを基板の主面領域中のパターン被覆率(Crに覆われている率)が94%となるように形成してフォトマスクを得、これをウェハー露光装置のマスクステージにフォトマスクを真空チャックしたところ、良好な平坦性を示したものは13枚であった。
2 帯状領域
3 四角リング形状領域
4 パターン形成領域
5 主面領域
11 基板
12 下定盤
13 トップリング
21 最小自乗平面
22 面
Claims (5)
- 一辺の長さが6インチ以上の四角形のフォトマスクブランク用基板であって、該基板のマスクパターンを形成する上面の外周縁をなす辺のうち対向する1対の2辺の内側2mmと10mmとの間で、かつ長さ方向両端から2mmの部分を各々除いた範囲にある1対の帯状領域において、この帯状領域が、基板外周に向かって各々下向きに傾斜していると共に、上記上面の帯状領域の最小自乗平面から上記帯状領域への高さの最大値と最小値との差が0.5μm以下であるフォトマスクブランク用基板を製造する方法であって、
基板原板を、上記上面の外周縁をなす各々の辺の内側2mmと10mmとの間の四角リング形状領域とこの四角リング形状領域の内周縁の内側に存するパターン形成領域とで構成される主面領域の最小自乗平面から上記主面領域への高さの最大値と最小値との差が1.5μm以下となるように研磨して研磨中間品を得、次いでこの研磨中間品を更に研磨することを特徴とするフォトマスクブランク用基板の製造方法。 - 一辺の長さが6インチ以上の四角形のフォトマスクブランク用基板であって、該基板のマスクパターンを形成する上面の外周縁をなす各々の辺の内側2mmと10mmとの間の四角リング形状領域において、この四角リング形状領域が、基板外周に向かって下向きに傾斜していると共に、上記上面の四角リング形状領域の最小自乗平面から上記四角リング形状領域への高さの最大値と最小値との差が0.5μm以下であるフォトマスクブランク用基板を製造する方法であって、
基板原板を、上記上面の外周縁をなす各々の辺の内側2mmと10mmとの間の四角リング形状領域とこの四角リング形状領域の内周縁の内側に存するパターン形成領域とで構成される主面領域の最小自乗平面から上記主面領域への高さの最大値と最小値との差が1.5μm以下となるように研磨して研磨中間品を得、次いでこの研磨中間品を更に研磨することを特徴とするフォトマスクブランク用基板の製造方法。 - 上記基板原板から研磨中間品を得る研磨において、上記研磨中間品の四角リング形状領域が基板外周に向かって上向きに傾斜した形状となるように、基板原板を周縁部より中央部の研磨速度を速くして研磨すると共に、得られた上記研磨中間品を、周縁部より中央部の研磨速度を遅くして更に研磨することを特徴とする請求項1又は2記載のフォトマスクブランク用基板の製造方法。
- 上記基板原板から研磨中間品を得る研磨において、上記研磨中間品の四角リング形状領域が基板外周に向かって下向きに傾斜した形状となるように、基板原板を周縁部より中央部の研磨速度を遅くして研磨すると共に、得られた上記研磨中間品を、周縁部より中央部の研磨速度を速くして更に研磨することを特徴とする請求項1又は2記載のフォトマスクブランク用基板の製造方法。
- 上記基板原板から研磨中間品を得る研磨において、更に、上記主面領域の最小自乗平面から上記主面領域の四隅への高さの最大値と最小値との差が0.3μm以下となるように研磨することを特徴とする請求項3又は4記載のフォトマスクブランク用基板の製造方法。
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Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2010061828A1 (ja) * | 2008-11-26 | 2010-06-03 | Hoya株式会社 | マスクブランク用基板 |
JP2011141536A (ja) * | 2009-12-11 | 2011-07-21 | Shin-Etsu Chemical Co Ltd | フォトマスク用ガラス基板及びその製造方法 |
US8007961B2 (en) | 2008-10-01 | 2011-08-30 | Hoya Corporation | Mask blank substrate set and mask blank set |
KR101092594B1 (ko) * | 2008-09-26 | 2011-12-13 | 호야 가부시키가이샤 | 마스크블랭크용 기판의 제조방법 및 마스크블랭크용 기판 |
JP2014002395A (ja) * | 2013-07-31 | 2014-01-09 | Hoya Corp | マスクブランク用基板セットの製造方法、マスクブランクセットの製造方法、フォトマスクセットの製造方法、及び半導体デバイスの製造方法 |
JP2014038333A (ja) * | 2004-09-29 | 2014-02-27 | Hoya Corp | マスクブランク用基板、マスクブランク、露光用マスク、半導体デバイスの製造方法、及びマスクブランク用基板の製造方法 |
KR20160018437A (ko) * | 2014-08-07 | 2016-02-17 | 아사히 가라스 가부시키가이샤 | 마스크 블랭크용 유리 기판 및 그의 제조 방법 |
KR20190009772A (ko) | 2016-07-27 | 2019-01-29 | 호야 가부시키가이샤 | 마스크 블랭크용 기판의 제조 방법, 마스크 블랭크의 제조 방법, 전사용 마스크의 제조 방법, 반도체 디바이스의 제조 방법, 마스크 블랭크용 기판, 마스크 블랭크 및 전사용 마스크 |
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Families Citing this family (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI329779B (en) * | 2003-07-25 | 2010-09-01 | Shinetsu Chemical Co | Photomask blank substrate, photomask blank and photomask |
JP4232018B2 (ja) * | 2003-07-25 | 2009-03-04 | 信越化学工業株式会社 | フォトマスクブランク用基板の選定方法 |
JP2005043836A (ja) | 2003-07-25 | 2005-02-17 | Shin Etsu Chem Co Ltd | フォトマスクブランク用基板の選定方法 |
JP4488822B2 (ja) * | 2004-07-27 | 2010-06-23 | 株式会社東芝 | 露光用マスクの製造方法、露光装置、半導体装置の製造方法およびマスクブランクス製品 |
JP4750531B2 (ja) * | 2005-10-27 | 2011-08-17 | 富士通株式会社 | 形状シミュレーション方法、プログラム及び装置 |
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FR2997822B1 (fr) * | 2012-11-12 | 2014-12-26 | Dbapparel Operations | Bonnet de soutien-gorge a effet amplificateur |
EP3376287A1 (en) | 2017-03-14 | 2018-09-19 | ASML Netherlands B.V. | Methods of determining corrections for a patterning process, device manufacturing method, control system for a lithographic apparatus and lithographic apparatus |
US11199562B2 (en) | 2019-08-08 | 2021-12-14 | Western Digital Technologies, Inc. | Wafer testing system including a wafer-flattening multi-zone vacuum chuck and method for operating the same |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100855527B1 (ko) | 2001-02-13 | 2008-09-01 | 가부시키가이샤 니콘 | 유지장치, 유지방법, 노광장치 및 디바이스 제조방법 |
US6537844B1 (en) | 2001-05-31 | 2003-03-25 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Manufacturing method for exposure mask, generating method for mask substrate information, mask substrate, exposure mask, manufacturing method for semiconductor device and server |
JP3572053B2 (ja) | 2001-05-31 | 2004-09-29 | 株式会社東芝 | 露光マスクの製造方法、マスク基板情報生成方法、半導体装置の製造方法およびサーバー |
DE10314212B4 (de) | 2002-03-29 | 2010-06-02 | Hoya Corp. | Verfahren zur Herstellung eines Maskenrohlings, Verfahren zur Herstellung einer Transfermaske |
WO2004083961A1 (ja) | 2003-03-20 | 2004-09-30 | Hoya Corporation | レチクル用基板およびその製造方法、並びにマスクブランクおよびその製造方法 |
JP4232018B2 (ja) | 2003-07-25 | 2009-03-04 | 信越化学工業株式会社 | フォトマスクブランク用基板の選定方法 |
JP2005043836A (ja) | 2003-07-25 | 2005-02-17 | Shin Etsu Chem Co Ltd | フォトマスクブランク用基板の選定方法 |
TWI329779B (en) | 2003-07-25 | 2010-09-01 | Shinetsu Chemical Co | Photomask blank substrate, photomask blank and photomask |
-
2003
- 2003-07-25 JP JP2003280466A patent/JP4314462B2/ja not_active Expired - Lifetime
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- 2004-07-23 US US10/896,946 patent/US7344808B2/en active Active
Cited By (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2014038333A (ja) * | 2004-09-29 | 2014-02-27 | Hoya Corp | マスクブランク用基板、マスクブランク、露光用マスク、半導体デバイスの製造方法、及びマスクブランク用基板の製造方法 |
KR101092594B1 (ko) * | 2008-09-26 | 2011-12-13 | 호야 가부시키가이샤 | 마스크블랭크용 기판의 제조방법 및 마스크블랭크용 기판 |
KR101522295B1 (ko) * | 2008-10-01 | 2015-05-21 | 호야 가부시키가이샤 | 마스크블랭크용 기판 세트의 제조방법, 마스크블랭크 세트의 제조방법, 포토마스크 세트의 제조방법, 및 반도체 디바이스의 제조방법 |
US8318387B2 (en) | 2008-10-01 | 2012-11-27 | Hoya Corporation | Mask blank substrate set and mask blank set |
US8007961B2 (en) | 2008-10-01 | 2011-08-30 | Hoya Corporation | Mask blank substrate set and mask blank set |
KR101161349B1 (ko) * | 2008-10-01 | 2012-07-02 | 호야 가부시키가이샤 | 포토마스크 세트 및 반도체 디바이스의 제조방법 |
US8962223B2 (en) | 2008-11-26 | 2015-02-24 | Hoya Corporation | Mask blank, reflective mask blank, photomask, reflective mask, photomask set and method of manufacturing a semiconductor device |
JP5073835B2 (ja) * | 2008-11-26 | 2012-11-14 | Hoya株式会社 | マスクブランク用基板 |
US8399159B2 (en) | 2008-11-26 | 2013-03-19 | Hoya Corporation | Mask blank substrate |
CN102187275A (zh) * | 2008-11-26 | 2011-09-14 | Hoya株式会社 | 掩模板用基板 |
WO2010061828A1 (ja) * | 2008-11-26 | 2010-06-03 | Hoya株式会社 | マスクブランク用基板 |
JP2011141536A (ja) * | 2009-12-11 | 2011-07-21 | Shin-Etsu Chemical Co Ltd | フォトマスク用ガラス基板及びその製造方法 |
JP2014002395A (ja) * | 2013-07-31 | 2014-01-09 | Hoya Corp | マスクブランク用基板セットの製造方法、マスクブランクセットの製造方法、フォトマスクセットの製造方法、及び半導体デバイスの製造方法 |
KR20160018437A (ko) * | 2014-08-07 | 2016-02-17 | 아사히 가라스 가부시키가이샤 | 마스크 블랭크용 유리 기판 및 그의 제조 방법 |
JP2016038573A (ja) * | 2014-08-07 | 2016-03-22 | 旭硝子株式会社 | マスクブランク用ガラス基板、および、その製造方法 |
KR102341558B1 (ko) | 2014-08-07 | 2021-12-22 | 에이지씨 가부시키가이샤 | 마스크 블랭크용 유리 기판 및 그의 제조 방법 |
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