KR20170060226A - 디스플레이용 위상반전마스크 및 그 제조 방법 - Google Patents

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Abstract

패턴 구조 및 공정 간소화를 통해 마스크 제조 비용을 절감할 수 있는 디스플레이용 위상반전마스크 및 그 제조 방법에 대하여 개시한다.
본 발명에 따른 디스플레이용 위상반전마스크는 액티브 영역과, 상기 액티브 영역과 이격된 외측에 배치되는 비액티브 영역과, 상기 액티브 영역 및 비액티브 영역 사이에 배치되는 블라인드 영역을 갖는 투명 기판; 상기 투명 기판 상의 액티브 영역에 형성되어, 입사광의 투과율을 조절하는 제1 위상반전 패턴; 및 상기 투명 기판의 블라인드 영역 및 비액티브 영역에 배치되며, 상기 제1 위상반전 패턴과 동일층에 동일한 두께로 형성된 제2 위상반전 패턴;을 포함하며, 상기 제1 및 제2 위상반전 패턴 각각은 5 ~ 50%의 반사율을 갖는 것을 특징으로 한다.

Description

디스플레이용 위상반전마스크 및 그 제조 방법{PHASE SHIFT MASK FOR DISPLAY AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME}
본 발명은 디스플레이용 위상반전마스크 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 패턴 구조 및 공정 간소화를 통해 마스크 제조 비용을 절감할 수 있는 디스플레이용 위상반전마스크 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
일반적으로, 평판 디스플레이 패널 제작 또는 반도체 제작에 필요한 마스크는 완전히 빛을 차단하는 차단 영역과 빛을 100% 투과하는 투과 영역으로 나뉘어진다. 위상반전마스크(phase shift mask : PSM)의 경우는 위의 두 영역에 위상 또는 위상과 투과율을 조절하여 노광 공정에서 필요한 공정 마진인 해상도(resolution) 및 초점심도(depth of focus)를 향상시킨다. 이때, 하나의 박막으로 위상과 투과율을 조절하는 위상반전마스크를 하프톤 위상반전마스크라고 한다.
최근, 디스플레이 제작 공정에서는 고화질 제품에 대한 기술 개발이 요구 되면서, 패널상에 필요한 해상도 및 초점심도에 대한 개선을 필요로 하고 있다.
도 1 내지 도 4는 종래에 따른 위상반전마스크 제조 방법을 나타낸 공정 단면도이다.
도 1에 도시된 바와 같이, 액티브 영역(AA)과, 액티브 영역(AA)과 이격된 외측에 배치되는 비액티브 영역(NAA)과, 액티브 영역(AA) 및 비액티브 영역(NAA) 사이에 배치되는 블라인드 영역(BA)을 갖는 투명 기판(10)의 상부 전면에 불투명 금속 물질층(25)을 형성한다.
다음으로, 불투명 금속 물질층(25)이 형성된 투명 기판(10)의 상부 전면에 제1 포토마스크 물질층(미도시)을 형성한 후, 제1 포토마스크 물질층을 선택적으로 노광 및 현상하여 액티브 영역(AA)이 노출되도록 비액티브 영역(NAA) 및 블라인드 영역(BA)을 덮는 제1 포토마스크 패턴(M1)을 형성한다.
이에 따라, 액티브 영역(AA)에 배치되는 불투명 금속 물질층(25)이 제1 포토마스트 패턴(M1)의 외부로 노출된다.
도 2에 도시된 바와 같이, 제1 포토마스크 패턴(도 1의 M1)의 외측으로 노출된 불투명 금속 물질층(도 1의 25)을 선택적으로 제거하여 비액티브 영역(NAA) 및 블라인드 영역(BA)에 차광 패턴(20)을 형성한다.
다음으로, 차광 패턴(20)의 상부를 덮는 제1 포토마스트 패턴을 스트립 공정으로 제거한 후, 차광 패턴(20) 및 투명 기판(10)의 상부 전면을 덮는 위상반전 물질층(35)을 형성한다.
도 3에 도시된 바와 같이, 위상반전 물질층(35)의 상부 전면을 덮는 제2 포토마스크 물질층(미도시)을 형성한 후, 제2 포토마스크 물질층을 선택적으로 노광 및 현상하여 액티브 영역(AA) 및 비액티브 영역(NAA)의 일부와 블라인드 영역(BA) 전체를 덮는 제2 포토마스크 패턴(M2)을 형성한다.
이에 따라, 제2 포토마스크 패턴(M2)의 외측으로 위상반전 물질층(35)의 일부가 노출된다.
도 4에 도시된 바와 같이, 제2 포토마스크 패턴(도 3의 M2)의 외측으로 노출된 위상반전 물질층(도 3의 35)과, 위상반전 물질층 하부의 차광 패턴(도 3의 20)을 선택적으로 제거하여 액티브 영역(AA)에 배치되는 위상반전 패턴(30)과, 블라인드 영역(BA) 및 비액티브 영역(NAA)에 차광층(22) 및 위상반전층(32)이 차례로 적층된 2층 구조의 광차단 패턴(40)을 형성한다. 또한, 비액티브 영역(NAA)의 일부에는 얼라인 마크(50)가 더 형성될 수 있다.
다음으로, 제2 포토마스크 패턴을 스트립 공정으로 제거한다.
상기의 과정으로 제조되는 종래에 따른 위상반전마스크(1)는 투명 기판(10) 상의 액티브 영역(AA)에 위상반전 패턴(30)이 형성되고, 비액티브 영역(NAA) 및 블라인드 영역(BA)에는 차광층(22) 및 위상반전층(32)이 차례로 적층된 2층 구조의 광차단 패턴(40)이 형성된다.
이에 따라, 종래에 따른 위상반전마스크(1)는 2회의 포토리쏘그래피 공정으로 위상반전 패턴(30) 및 광차단 패턴(40)을 형성해야 하므로 마스크 제조 공정이 복잡하여 제조 시간 및 비용이 증가할 수 밖에 없으며, 이 결과 생산 수율이 저하되는 문제가 있었다.
관련 선행문헌으로는 대한민국 공개특허공보 제10-2008-0098789호(2008.11.12 공개)가 있으며, 상기 문헌에는 하프톤 위상반전마스크 및 그 제조방법이 기재되어 있다.
본 발명의 목적은 패턴 구조 및 공정 간소화를 통해 마스크 제조 비용을 절감할 수 있는 디스플레이용 위상반전마스크 및 그 제조 방법을 제공하는 것이다.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 실시예에 따른 디스플레이용 위상반전마스크는 액티브 영역과, 상기 액티브 영역과 이격된 외측에 배치되는 비액티브 영역과, 상기 액티브 영역 및 비액티브 영역 사이에 배치되는 블라인드 영역을 갖는 투명 기판; 상기 투명 기판 상의 액티브 영역에 형성되어, 입사광의 투과율을 조절하는 제1 위상반전 패턴; 및 상기 투명 기판의 블라인드 영역 및 비액티브 영역에 배치되며, 상기 제1 위상반전 패턴과 동일층에 동일한 두께로 형성된 제2 위상반전 패턴;을 포함하며, 상기 제1 및 제2 위상반전 패턴 각각은 5 ~ 50%의 반사율을 갖는 것을 특징으로 한다.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 실시예에 따른 디스플레이용 위상반전마스크 제조 방법은 (a) 액티브 영역과, 상기 액티브 영역과 이격된 외측에 배치되는 비액티브 영역과, 상기 액티브 영역 및 비액티브 영역 사이에 배치되는 블라인드 영역을 갖는 투명 기판의 상부 전면에 위상반전 물질층을 형성하는 단계; (b) 상기 위상반전 물질층 상에 제1 위상반전 패턴 형성 영역 및 제2 위상반전 패턴 형성 영역을 덮는 포토마스크 패턴을 형성하는 단계; (c) 상기 포토마스크 패턴의 외측으로 노출된 위상반전 물질층을 식각하여, 상기 액티브 영역에 제1 위상반전 패턴을 형성함과 동시에, 상기 비액티브 영역 및 블라인드 영역에 제2 위상반전 패턴을 형성하는 단계;를 포함하며, 상기 (c) 단계에서, 상기 제1 및 제2 위상반전 패턴 각각을 5 ~ 50%의 반사율을 갖도록 형성하는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따른 디스플레이용 위상반전마스크 및 그 제조 방법은 1회의 마스크 공정만으로 제1 및 제2 위상반전 패턴을 동시에 형성하면 되므로 마스크 제조 공정 시간 및 비용의 단축으로 생산 수율을 획기적으로 향상시킬 수 있는 이점이 있다.
도 1 내지 도 4는 종래에 따른 위상반전마스크 제조 방법을 나타낸 공정 단면도.
도 5는 본 발명의 실시예에 따른 디스플레이용 위상반전마스크를 나타낸 평면도.
도 6은 도 5의 A-A' 선을 따라 절단하여 나타낸 단면도.
도 7 내지 도 9는 본 발명의 실시예에 따른 디스플레용 위상반전마스크 제조 방법을 나타낸 공정 단면도.
본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나, 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성요소를 지칭한다.
이하, 첨부된 도면을 참조로 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 디스플레이용 위상반전마스크 및 그 제조 방법에 관하여 상세히 설명하면 다음과 같다.
도 5는 본 발명의 실시예에 따른 디스플레이용 위상반전마스크를 나타낸 평면도이고, 도 6은 도 5의 A-A' 선을 따라 절단하여 나타낸 단면도이다.
도 5 및 도 6을 참조하면, 본 발명의 실시예에 따른 디스플레이용 위상반전마스크(100)는 투명 기판(110), 제1 위상반전 패턴(130) 및 제2 위상반전 패턴(140)을 포함한다.
투명 기판(110)은 노광 공정 중 소정 파장대의 광을 완전히 투과시킬 수 있는 재질을 이용하는 것이 바람직하며, 일 예로 석영(quartz), 글래스(glass) 등이 이용될 수 있다. 이러한 투명 기판(110)은 광이 투과되는 투과부 및 광의 투과율이 조절되 위상반전부를 구비하는 액티브 영역(AA)과, 액티브 영역(AA)과 이격된 외측에 배치되는 비액티브 영역(NAA)과, 액티브 영역(AA) 및 비액티브 영역(NAA) 사이에 배치되는 블라인드 영역(BA)을 구비한다.
제1 위상반전 패턴(130)은 투명 기판(110) 상의 액티브 영역(AA), 보다 구체적으로는 액티브 영역(AA)의 위상반전부에 형성되어, 입사광의 투과율을 조절하는 역할을 한다.
이러한 위상반전 패턴(130)은 크롬(Cr) 화합물, 몰리브덴실리콘(MoSi) 계열의 화합물, 실리콘(Si), 텅스텐(W), 알루미늄(Al) 등을 포함하는 위상반전 물질 중에서 선택된 1종 이상으로 형성된다.
제2 위상반전 패턴(140)은 투명 기판(110)의 블라인드 영역(BA) 및 비액티브 영역(NAA)에 배치된다. 이때, 제2 위상반전 패턴(140)은 제1 위상반전 패턴(130)과 동일층에 동일한 두께로 형성되는 것이 바람직한데, 이는 제2 위상반전 패턴(140)을 제1 위상반전 패턴(130)과 동종 재질로 동일한 층에 형성할 경우, 1회의 포토리쏘그래피 공정만으로 투명 기판(110) 상에 제1 및 제2 위상반전 패턴(130, 140)을 동시에 형성할 수 있기 때문이다.
따라서, 제2 위상반전 패턴(140)은, 제1 위상반전 패턴(130)과 마찬가지로, 크롬(Cr) 화합물, 몰리브덴실리콘(MoSi) 계열의 화합물, 실리콘(Si), 텅스텐(W) 및 알루미늄(Al)을 포함하는 위상반전 물질 그룹 중에서 선택된 1종 이상으로 형성된다.
이러한 제1 및 제2 위상반전 패턴(130, 140) 각각은 400 ~ 1,000nm의 두께로 형성하는 것이 바람직하다. 제1 및 제2 위상반전 패턴(130, 140) 각각의 두께가 400nm 미만일 경우에는 위상반전 물질의 투과율이 지나치게 높아져, 투과부와 위상반전부의 경계 부분에서 투과되는 빛의 세기가 강하게 나타나는 현상에 의해 위상반전에 의한 해상력 향상 효과를 제대로 발휘하는 데 어려움이 따를 수 있다. 반대로, 제1 및 제2 위상반전 패턴(130, 140) 각각의 두께가 1,000nm를 초과할 경우에는 위상반전 물질의 투과율이 지나치게 낮아지거나, 지나치게 위상이 반전되어 위상반전 효과가 감소되는 문제가 있을 뿐만 아니라, 위상반전 물질을 습식 식각 공정으로 패터닝하는 과정에서 균일한 막질의 프로파일을 형성하기 어려울 수 있다. 이로 인하여, 역시 위상반전 효과가 감소되는 문제가 발생될 우려가 있다.
또한, 본 발명의 실시예에 따른 디스플레이용 위상반전마스크(100)는 얼라인 마크(150) 및 바코드 마크(160)를 더 포함할 수 있다.
얼라인 마크(150)는 비표시 영역(NAA)의 마주보는 양측 중앙 부분에 각각 배치될 수 있으며, 디스플레이용 위상반전마스크(100)와 패널을 얼라인할 시, 얼라인 키 역할을 수행하게 된다. 이러한 얼라인 마크(150)는 다양한 크기 및 모양으로 설계될 수 있으며, 위상반전 물질층을 선택적으로 제거하는 것에 의해 형성될 수 있다.
바코드 마크(160)는 비표시 영역(NAA)의 일측 상단 부분에 배치될 수 있으며, 위상반전마스크(100)에 각인되어 위상반전마스크(100)를 식별하기 위한 용도로 사용된다. 이러한 바코드 마크(160)는, 얼라인 마크(150)와 마찬가지로, 다양한 크기 및 모양으로 설계될 수 있으며, 위상반전 물질층을 선택적으로 제거하는 것에 의해 형성될 수 있다.
이에 따라, 제2 위상반전 패턴(140)은 얼라인 마크 형성 영역 및 바코드 마크 형성 영역을 제외한 블라인드 영역(BA) 및 비액티브 영역(NAA) 전체에 형성될 수 있다.
특히, 본 발명의 실시예에 따른 디스플레이용 위상반전마스크(100)는 액티브 영역(AA)의 외측에 배치되는 블라인드 영역(BA) 및 비액티브 영역(NAA)의 처리에 대한 것으로 마스크의 제조 공정을 매우 단순화할 수 있는 장점이 있다.
이때, 본 발명의 실시예에 따른 디스플레이용 위상반전마스크(100)는 액티브 영역(AA) 밖의 영역은 두 가지 항목에 의해 마스크 상태가 결정될 수 있다.
첫째는, 액티브 영역(AA) 밖의 패턴 중에 얼라인 마크(150) 및 위상반전마스크(100)를 식별할 수 있는 바코드 마크(160)가 필요한 기능을 수행하기 위한 기본 요구 조건이고, 둘째는, 액티브 영역(AA) 및 비액티브 영역(NAA) 사이에 배치되는 블라인드 영역(BA)의 기본 요구 조건이다. 즉, 블라인드 영역(BA)은 노광 중첩을 실시해야 할 경우에는 투과율이 "0" 이어야 하나, 노광 중첩을 실시할 필요가 없을 경우에는 투과율 "0"의 요구 조건에서 자유로울 수 있다.
이때, FPD(Flat Panel Display)에서 사용하는 노광 장비 및 노광 공정 조건의 특성은 위의 두 가지 요구 조건에서 웨이퍼를 사용하는 노광 장비 및 노광 공정 조건과 다르며, 이러한 이유로 액티브 영역(AA)의 외측에 배치되는 블라인드 영역(BA) 및 비액티브 영역(NAA)의 처리가 상당히 자유로울 수 있다.
따라서, 디스플레이 공정에서 사용하는 노광 공정은 블라인드 영역(BA)이 빛을 차단해야 할 필요가 없으며, 얼라인 마크(150) 및 바코드 마크(160)가 형성되는 비표시 영역(NAA)의 경우에는 위상반전마스크(100)에서 반사되는 빛을 사용하면 되므로 제2 위상반전 패턴(140)의 반사율을 조절할 경우, 종래의 차광층을 사용하지 않아도 사용상의 문제를 제거할 수 있게 된다.
다시 말해, 본 발명의 실시예에 따른 디스플레이용 위상반전마스크(100)는 제1 및 제2 위상반전 패턴(130, 140)의 원래 요구사항인 위상과 3 ~ 20%의 투과율을 만족하도록 설계함과 더불어, 노광 장비에서 요구하는 반사율을 5 ~ 50%로 조절하는 것에 의해, 별도의 차광층을 사용하지 않아도 사용상의 문제가 발생하지 않는다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예에 따른 디스플레이용 위상반전마스크 제조 방법에 대하여 설명하도록 한다.
도 7 내지 도 9는 본 발명의 실시예에 따른 디스플레용 위상반전마스크 제조 방법을 나타낸 공정 단면도이다.
도 7에 도시된 바와 같이, 투명 기판(110)의 상부 전면에 위상반전 물질층(135)을 형성한다. 이때, 투명 기판(110)은 액티브 영역(AA)과, 액티브 영역(AA)과 이격된 외측에 배치되는 비액티브 영역(NAA)과, 액티브 영역(AA) 및 비액티브 영역(NAA) 사이에 배치되는 블라인드 영역(BA)을 갖는다.
이러한 투명 기판(110)은 노광 공정 중 소정 파장대의 광을 완전히 투과시킬 수 있는 재질을 이용하는 것이 바람직하며, 일 예로 석영(quartz), 글래스(glass) 등이 이용될 수 있다.
여기서, 위상반전 물질층(135)은 크롬(Cr) 화합물, 몰리브덴실리콘(MoSi) 계열의 화합물, 실리콘(Si), 텅스텐(W), 알루미늄(Al) 등에서 선택된 1종 이상의 재질로 형성될 수 있다.
다음으로, 위상반전 물질층(135)이 형성된 투명 기판(110)의 상부 전면을 덮는 포토마스크 물질층(200)을 형성한다.
도 8에 도시된 바와 같이, 포토마스크 물질층(도 7의 200)을 선택적으로 노광 및 현상하여, 제1 위상반전 패턴 형성 영역 및 제2 위상반전 패턴 형성 영역을 덮는 포토마스크 패턴(M1)을 형성한다.
다음으로, 포토마스크 패턴(M1)의 외측으로 노출된 위상반전 물질층을 선택적으로 식각하여, 액티브 영역(AA)에 제1 위상반전 패턴(130)을 형성함과 동시에, 비액티브 영역(NAA) 및 블라인드 영역(BA)에 제2 위상반전 패턴(140)을 형성한다.
또한, 제1 및 제2 위상반전 패턴(130, 140)을 형성함과 동시에, 비표시 영역(NAA)에 얼라인 마크(150) 및 바코드 마크(도 5의 160)를 더 형성할 수 있다. 이때, 얼라인 마크(150)는 비표시 영역(NAA)의 마주보는 양측 중앙 부분에 각각 배치될 수 있고, 바코드 마크는 비표시 영역(NAA)의 일측 상단 부분에 배치될 수 있다.
이때, FPD(Flat Panel Display)에서 사용하는 노광 장비 및 노광 공정 조건의 특성은 위의 두 가지 요구 조건에서 웨이퍼를 사용하는 노광 장비 및 노광 공정 조건과 다르며, 이러한 이유로 액티브 영역(AA)의 외측에 배치되는 블라인드 영역(BA) 및 비액티브 영역(NAA)의 처리가 상당히 자유로울 수 있다.
따라서, 디스플레이 공정에서 사용하는 노광 공정은 블라인드 영역(BA)이 빛을 차단해야 할 필요가 없으며, 얼라인 마크(150) 및 바코드 마크가 형성되는 비표시 영역(NAA)의 경우에는 위상반전마스크에서 반사되는 빛을 사용하면 되므로 제2 위상반전 패턴(140)의 반사율을 조절할 경우, 종래의 차광층을 사용하지 않아도 사용상의 문제를 제거할 수 있게 된다.
다시 말해, 본 발명에서는 제1 및 제2 위상반전 패턴(130, 140)의 원래 요구사항인 위상과 3 ~ 20%의 투과율을 만족하도록 설계함과 더불어, 노광 장비에서 요구하는 반사율을 5 ~ 50%로 조절하는 것에 의해, 별도의 차광층을 사용하지 않아도 사용상의 문제가 발생하지 않는다.
다음으로, 도 9에 도시된 바와 같이, 제1 및 제2 위상반전 패턴(130, 140)을 덮는 포토마스크 패턴(도 8의 M1)을 스트립한다. 이러한 스크립 공정에 의해, 포토마스크 패턴이 제거되어, 포토마스크 패턴과 중첩된 하부에 배치되던 제1 및 제2 위상반전 패턴(130, 140)이 외부로 노출된다.
전술한 바와 같이, 종래에 따른 위상반전마스크 제조 방법은 차광층 및 위상반전막 2개의 패턴을 형성해야 하므로 2-마스크 공정을 실시할 수 밖에 없으며, 이는 결국 마스크 제조 공정 시간 및 비용을 증가시키는 요인으로 작용하여 생산 수율을 하락시키는 결과를 초래하였다.
이와 달리, 본 발명의 실시예에 따른 디스플레이용 위상반전마스크 제조 방법은 1회의 마스크 공정만으로 제1 및 제2 위상반전 패턴을 동시에 형성하면 되므로 마스크 제조 공정 시간 및 비용의 단축으로 생산 수율을 획기적으로 향상시킬 수 있게 된다.
이상에서는 본 발명의 실시예를 중심으로 설명하였지만, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 기술자의 수준에서 다양한 변경이나 변형을 가할 수 있다. 이러한 변경과 변형은 본 발명이 제공하는 기술 사상의 범위를 벗어나지 않는 한 본 발명에 속한다고 할 수 있다. 따라서 본 발명의 권리범위는 이하에 기재되는 청구범위에 의해 판단되어야 할 것이다.
100 : 위상반전마스크 110 : 투명 기판
130 : 제1 위상반전 패턴 140 : 제2 위상반전 패턴
150 : 얼라인 마크 160 : 바코드 마크
AA : 액티브 영역 NAA : 비액티브 영역
BA : 블라인드 영역

Claims (7)

  1. 액티브 영역과, 상기 액티브 영역과 이격된 외측에 배치되는 비액티브 영역과, 상기 액티브 영역 및 비액티브 영역 사이에 배치되는 블라인드 영역을 갖는 투명 기판;
    상기 투명 기판 상의 액티브 영역에 형성되어, 입사광의 투과율을 조절하는 제1 위상반전 패턴; 및
    상기 투명 기판의 블라인드 영역 및 비액티브 영역에 배치되며, 상기 제1 위상반전 패턴과 동일층에 동일한 두께로 형성된 제2 위상반전 패턴;을 포함하며,
    상기 제1 및 제2 위상반전 패턴 각각은 5 ~ 50%의 반사율을 갖는 것을 특징으로 하는 디스플레이용 위상반전마스크.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 제1 및 제2 위상반전 패턴 각각은
    크롬(Cr) 화합물, 몰리브덴실리콘(MoSi) 계열의 화합물, 실리콘(Si), 텅스텐(W) 및 알루미늄(Al)을 포함하는 위상반전 물질 그룹 중에서 선택된 1종 이상으로 형성된 것을 특징으로 하는 디스플레이용 위상반전마스크.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 제1 및 제2 위상반전 패턴 각각은
    400 ~ 1,000nm의 두께를 갖는 것을 특징으로 하는 디스플레이용 위상반전마스크.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 제1 및 제2 위상반전 패턴 각각은
    3 ~ 20%의 투과율을 갖는 것을 특징으로 하는 디스플레이용 위상반전마스크.
  5. (a) 액티브 영역과, 상기 액티브 영역과 이격된 외측에 배치되는 비액티브 영역과, 상기 액티브 영역 및 비액티브 영역 사이에 배치되는 블라인드 영역을 갖는 투명 기판의 상부 전면에 위상반전 물질층을 형성하는 단계;
    (b) 상기 위상반전 물질층 상에 제1 위상반전 패턴 형성 영역 및 제2 위상반전 패턴 형성 영역을 덮는 포토마스크 패턴을 형성하는 단계;
    (c) 상기 포토마스크 패턴의 외측으로 노출된 위상반전 물질층을 식각하여, 상기 액티브 영역에 제1 위상반전 패턴을 형성함과 동시에, 상기 비액티브 영역 및 블라인드 영역에 제2 위상반전 패턴을 형성하는 단계;를 포함하며,
    상기 (c) 단계에서, 상기 제1 및 제2 위상반전 패턴 각각을 5 ~ 50%의 반사율을 갖도록 형성하는 것을 특징으로 하는 디스플레이용 위상반전마스크 제조 방법.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 (c) 단계에서,
    상기 제1 및 제2 위상반전 패턴 각각은
    3 ~ 20%의 투과율을 갖는 것을 특징으로 하는 디스플레이용 위상반전마스크 제조 방법.
  7. 제5항에 있어서,
    상기 (c) 단계 이후,
    (d) 상기 제1 및 제2 위상반전 패턴을 덮는 포토마스크 패턴을 스트립하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 디스플레이용 위상반전마스크 제조 방법.
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