JP5635577B2 - フォトマスクの製造方法、フォトマスク、パターン転写方法、及びフラットパネルディスプレイの製造方法 - Google Patents
フォトマスクの製造方法、フォトマスク、パターン転写方法、及びフラットパネルディスプレイの製造方法 Download PDFInfo
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Description
特許文献1には、4階調をもつフォトマスクの製造方法が記載されている。これによると、2回の描画工程によって、遮光部、透光部、第1半透光部、第2半透光部(第1半透光部と第2半透光部は光透過率が異なる)を製造することができる。
まず、透明基板上に第1半透光膜と遮光膜とをこの順に積層し、更に第1レジスト膜を形成した、多階調フォトマスク用ブランクを用意する(図2(A)参照)。ここでレジストはポジ型でもネガ型でも良いが、ここではポジ型として説明する。次に、このブランクに対して、描画機を用いて第1描画し、現像することにより、第1レジストパターンを形成する(図2(B)参照)。このレジストパターンは、第1半透光部の形成領域と、遮光部形成領域を覆う。
第1半透光膜のエッチングが完了した後、第1レジストパターンを剥離する(図2(E)参照)。そして、形成された遮光膜パターン、第1半透光膜パターンを含む全面に、第2半透光膜を成膜する(図2(F)参照)。そして、更に第2レジストを塗布し、第2レジスト膜を形成する(図2(G)参照)。
次いで、第2レジスト膜に対して第2描画を行い、現像することで、第2レジストパターンを得る。このレジストパターンは、第2半透光部の形成領域を覆い、更に、遮光部形成領域を覆うものである(図2(H)参照)。
そして、この第2レジストパターンをマスクとして第2半透光膜をエッチングして透光部を形成するとともに、第2半透光膜と遮光膜との積層部分をエッチングして、第1半透光膜を露出させる(図2(I)参照)。
次に、第2レジストパターンを剥離することにより、4階調フォトマスクが完成する(図2(J)参照)。
すなわち、左側にシフトした場合の図3(c)では、境界に第1半透光膜と第2半透光膜の離間した隙間(以下スリットともいう)が形成される。
また、逆(右側)にシフトした場合の図3(e)では、境界に、第1半透光膜と第2半透光膜が重なった部分(ラインともいう)が形成される。
上記の離間(スリット)、又は重なり(ライン)によって、この転写用パターンを、被転写体に転写するときの透過光の強度分布を図4及び5に示す。
即ち、露光光学条件は、NAが0.085、σ(Sigma:Coherence)が0.9であって、g線、h線、i線を含むブロード波長光源を用いて、その強度比は、g:h:i=1:0.8:0.95とした。用いた4階調フォトマスクは、透明基板の透過率を100%としたとき、遮光部は0%、第1半透光膜の透過率が60%、第2半透光部の透過率が10%とした。また、半透光膜の有する位相シフト量は30°とした。
図4においては、隙間(スリット)が無い場合(0μm)、つまり理想的な製造工程による場合、0.5μmの隙間(スリット)が形成された場合、及び1.0μmの隙間(スリット)が形成された場合の、透過光の光強度分布をそれぞれ示す。
図5においては、重なり(ライン)が無い場合(0μm)、つまり理想的な製造工程による場合、0.5μmの重なり(ライン)が形成された場合、及び1.0μmの重なり(ライン)が形成された場合の、透過光の光強度分布をそれぞれ示す。
すなわち、フォトマスク面内で、第1、第2半透光部の境界付近に、上記隙間(スリット)が形成される部分(図3(c)参照)と、第1、第2半透光膜の重なり(ライン)が形成される部分(図3(e)参照、この部分には遮光膜も重なって形成される)とが、位置によって異なり、結果的に同一面上に両者(図3(c)及び(e))が混在することになる。これは、フォトマスクを描画機に複数回配置する際に生じる位置のずれと、複数回の描画に際して生じる描画機の座標ずれが位置によって不均一に生じることとの総和として生じる。
欠陥検査としては、同一のパターンが複数個所に形成された転写用パターンであれば、その2つの部分についてパターン欠陥検査装置を用いて観察し、透過率を比較することでパターン欠陥を検出する方法(ダイ・トゥ・ダイ(Die−to−Die)検査法)が最も効率的で精度も高い。すなわち、異なる箇所の同一パターンの透過率を比較し、その相違が閾値を超える部分があると、欠陥の存在が示唆される。
これらは、上記のとおり、最終製品において、その動作に影響を及ぼすものではないが、疑似欠陥として多数が検出されるという不都合が生じる。疑似欠陥が多数検出されると、真の欠陥が検出されにくくなるほか、生産効率が大きく低下するリスクがある。更には、通常の欠陥発生確率を超えて、多数の疑似欠陥が欠陥として検出される場合、検査不可能と判定され、工程が停止する場合もある。
特に、本発明は、複数の半透光膜にパターニングを施して4階調又はそれ以上の多階調フォトマスクを製造するに際し、アライメントずれに起因する、各パターンの位置ずれにもかかわらず、生産効率を下げることなく、最終製品の精度を得られる、フォトマスクの製造方法を提案することを目的とする。
前記第2半透光部は、前記透明基板上に、前記第1半透光膜と異なる露光光透過率をもつ第2半透光膜が形成されてなり、前記第1半透光部と前記第2半透光部とは隣接する部分を有する多階調フォトマスクの製造方法において、前記透明基板上に、第1半透光膜及び遮光膜を積層し、更に第1レジスト膜を形成した、フォトマスクブランクを用意する工程と、前記第1レジスト膜に対して、第1描画を施して第1レジストパターンを形成する工程と、前記第1レジストパターンをマスクとして前記遮光膜と前記第1半透光膜とをエッチングする、第1エッチング工程と、前記第1エッチング工程後の前記透明基板全面に、第2半透光膜と第2レジスト膜とを形成する工程と、前記第2レジスト膜に対して、第2描画を施して第2レジストパターンを形成する工程と、前記第2レジストパターンをマスクとして、前記第2半透光膜をエッチングする、第2エッチング工程とを有し、前記第2エッチング後の前記第1半透光部と前記第2半透光部との境界においては、前記第1半透光膜と前記第2半透光膜との周縁部が所定範囲の重なり代だけ重なりをもつように、前記第1描画又は前記第2描画の描画データを形成することを特徴とする。
また、第1半透光膜と第2半透光膜との周縁部が所定範囲の重なり代だけ重なりをもつように、第1描画又は第2描画の描画データを形成することについては、第1描画の際のみに、重なりをもつような描画データを形成することも含まれるし、第2描画の際のみに、重なりをもつような描画データを形成することも含まれるし、第1描画及び第2描画の両方において、重なりをもつような描画データを形成することも含まれる。
尚、本実施態様では、遮光膜、第1半透光膜、及び第2半透光膜に加えて、更に他の膜が形成される場合も含まれる。また、第1、第2レジスト膜は、ポジレジストでもネガレジストでもよい。
また、第1半透光膜と第2半透光膜とのエッジ(端部)が所定範囲の離間距離だけ離間するように、第1描画又は第2描画のデータを形成することについては、第1描画の際のみに、離間するような描画データを形成することも含まれるし、第2描画の際のみに、離間するような描画データを形成することも含まれるし、第1描画及び第2描画の両方において、離間するような描画データを形成することも含まれる。
尚、本実施態様においても、遮光膜、第1半透光膜、及び第2半透光膜に加えて、更に他の膜が形成される場合も含まれる。また、第1、第2レジスト膜は、ポジレジストでもネガレジストでもよい。
これにより、図4に示すように、常に、有利な(断面の傾斜角が大きいレジストパターンを形成可能な)多階調フォトマスクを製造することができる。
本発明の多階調フォトマスクの製造方法における第1の実施形態においては、図2と同様な製造過程を実施するが、図2(B)に対応する第1描画、又は図2(H)に対応する第2描画において、第1半透光膜と第2半透光膜との周縁部が所定範囲の重なり代だけ重なりをもつように、第1描画又は第2描画の描画データを形成する点で異なる。
ただし、第2描画工程の代わりに、第1描画工程で、第1半透光膜と第2半透光膜とが重なるようにサイジングした描画データを形成することもできるし、第1描画データ及び第2描画データの両方で、第1半透光膜と第2半透光膜とが重なるようにサイジングした描画データを形成することもできる。
そして、第2レジスト膜に対して、第2描画を施して第2レジストパターンを形成する(図2(H)対応)。
はじめに、図6(A)、(B)を用いて、アライメントずれにより、描画が左側へシフトした場合を説明する。図2(H)の第2描画/現像段階に対応する図6(A)では、描画が左側へシフトしたにも関わらず、第1半透光膜及び第2半透光膜の境界部分において、第2描画後の第2レジストパターンの右端(エッジ)部分が、第1半透光膜上に重なっているところを示す。これは、第2描画において、アライメントずれの最大値に対応した所定の値だけ、第2レジストパターンの右端部分を右側(第1半透光膜及び第2半透光膜が重なる方向)へ拡張させた描画データを形成することにより実現できる。換言すれば、レジストの幅を、アライメントずれの最大値に対応した所定寸法だけ大きく形成することになる。
一方、従来の描画データでは、点線で示すように、実際の描画が左側へシフトした場合には、第1半透光膜と第2半透光膜とが離間し、右側へシフトした場合には、第1半透光膜と第2半透光膜とが重なるようになる。つまり、アライメントずれによって、第1半透光膜と第2半透光膜とが離間するパターンと重なるパターンが混在することになる。
より好ましくは、0.1<A≦1.0μmである。
本実施形態においては、重なり代の所定範囲を、上記の範囲とすることにより、設計パターンに影響を及ぼさずに、仕様を満たす多階調フォトマスクを提供できる。
また、第1半透光膜の露光光透過率をT1、第2半透光膜の露光光透過率をT2とするとき、T1>T2である場合、第2レジストパターンが、境界において、第2半透光部領域側から第1半透光部領域側に、上記所定幅分大きく形成されるよう、第2描画の描画データを形成することが好ましい。
逆に、T1<T2の場合、第1レジストパターンが、境界において、第1半透光部領域側から第2半透光部領域側に、上記所定幅分大きく形成されるよう、第1描画の描画データを形成することが好ましい。
また、光学シミュレーションにより、半透光膜の重なり幅や、隙間の幅、またはその形成位置は、最適な描画データを形成することができる。尚、第1描画と第2描画の描画データの双方を補正し、その合計として、上記所定の重なり幅を形成しても良い。
尚、上記の第1の実施形態では、露光された部分が除去されるポジレジストを用いているが、これに限られるものではなく、露光された部分が残るネガレジストを用いることができ、用途に応じて決定できる。
次に、本発明の多階調フォトマスクの製造方法における第2の実施形態について説明する。本実施形態においても、図2と同様な製造過程を実施するが、図2(B)に対応する第1描画、又は図2(H)に対応する第2描画において、第1半透光膜及び第2半透光膜の端部(エッジ)が所定範囲の離間距離だけ離間するように、第1描画又は第2描画の描画データを形成する点で異なる。
具体的には、まず、透明基板上に、第1半透光膜及び遮光膜を積層し、更に第1レジスト膜を形成した、フォトマスクブランクを用意する(図2(A)対応)、次に、第1レジスト膜に対して、第1描画を施し、現像して第1レジストパターンを形成する(図2(B)対応)。尚、この第1描画においては、描画データを加工せず、後工程の第2描画において、第1半透光膜及び第2半透光膜の端部(エッジ)が所定範囲の離間距離だけ離間するように、描画データを形成する。尚、第2描画に関する本発明の実施形態については、図7を用いて追って詳細に説明する。
ただし、第2描画工程の代わりに、第1描画工程で、第1半透光膜と第2半透光膜とが離間するように描画データを形成することもできるし、第1描画データ及び第2描画データの両方で、第1半透光膜と第2半透光膜とが離間するように描画データを形成することもできる。
そして、第2レジスト膜に対して、第2描画を施して第2レジストパターンを形成する(図2(H)対応)。
図7(A)、(B)では、アライメントずれにより、描画が左側へシフトした場合を示し、図7(C)、(D)では、アライメントずれにより、描画が右側へシフトした場合を示す。
一方、従来の描画データでは、点線で示すように、描画が左側へシフトした場合には、第1半透光膜と第2半透光膜とが離間し、右側へシフトした場合には、第1半透光膜と第2半透光膜とが重なるようになる。つまり、アライメントずれによって、第1半透光膜と第2半透光膜とが離間するパターンと重なるパターンが混在することになる。
より好ましくは、0.1<B≦1.0μmである。
本実施形態においては、離間距離の範囲を上記の範囲とすることにより、設計パターンに影響を及ぼさずに、仕様を満たす多階調フォトマスクを提供できる。
尚、境界に離間距離を形成するために、第1レジストパターンの端部(エッジ)を、第1半透光部形成領域側に後退させるか、第2レジストパターンの端部(エッジ)を、第2半透光部形成領域側に後退させるか、或いは、第1及び第2レジストパターンの端部(エッジ)をそれぞれ後退させるか、いずれでも良い。
逆にT1<T2の場合は、境界に離間距離を形成するために、第2レジストパターンの端部(エッジ)を、境界部分において、所定離間距離の幅分、後退させる(つまり第2レジストパターンの幅を理想状態に比べて小さくする)ことができる。これは、第2描画に用いる描画データの補正により行える。尚、第1描画と第2描画の描画データの双方を補正し、その合計として、上記所定離間距離を形成しても良いことは言うまでも無い。
上記の第2の実施形態では、露光された部分が除去されるポジレジストを用いているが、これに限られるものではなく、露光された部分が残るネガレジストを用いることができ、用途に応じて決定できる。
具体的な半透光膜の素材を例示すると、Cr化合物(Crの酸化物、窒化物、炭化物、酸化窒化物、酸化窒化炭化物など)、Si化合物(SiO2、SOG)、金属シリサイド化合物(TaSi、MoSi、WSi又はそれらの窒化物、酸化窒化物など)を使用することができる。
遮光膜素材は、Cr又はCr化合物(Crの酸化物、窒化物、炭化物、酸化窒化物、酸化窒化炭化物など)の他、Ta、W又はそれらの化合物(上記金属シリサイドを含む)などを使用することができる。
尚、エッチング選択性を考慮すると、第1半透光膜がMoSi系、Si系、第2半透光膜と遮光膜がCr系とすることが好ましい。
いずれの場合も、T1とT2のそれぞれの露光光透過率は、該多階調フォトマスクの用途に応じて決定される。また、上記光学シミュレーションを通じて調整することができる。
好ましくは、第1半透光膜又は第2半透光膜の一方のもつ露光光透過率が、40〜80%であるとき、他方のもつ露光光透過率が、5〜50%である。また、両者の露光光透過率の差が、30%以上であることが好ましい。
また、第1半透光膜、第2半透光膜ともに、露光光に対する位相シフト量は、90°以下であり、好ましくは60°以下である。この場合、露光光の代表波長(例えばi線)に対しての位相シフト量とするが、i線〜g線のすべてに対して上記の位相シフト量範囲であることが好ましい。
尚、第1、第2の実施形態の製造方法は、2つの部分の透過率を比較することでパターン欠陥を検出するダイ・トゥ・ダイ(Die−to−Die)検査法を用いた欠陥検査工程を含むときに、本発明の効果が顕著に得られる。
上述のように、図6及び7に、本発明の多階調フォトマスクの製造方法の要部を示す。ここでは、第2レジストパターンを形成するための第2描画に用いる描画データの形成過程で、設計値にもとづく描画データに対して、補正を施した描画データを用いた場合を示す。
図6(A)、(C)においては、上記第1の実施形態を適用して、第2レジストパターン形成用の、第2描画の描画データを、設計値に対して、補正(実線)した場合に形成されるレジストパターンを示す。
そして、このレジストパターンをマスクとして、第2半透光膜と遮光膜とをエッチングし、得られた多階調フォトマスクを、図6(B)、(D)に示す。第2レジストパターンが、第1レジストパターンに対して、右側にシフトしても、左側にシフトしても、第1半透光部と第2半透光部の隣接する境界部分においては、第1、第2半透光膜の重なり(遮光膜も積層している)が形成されている。すなわち、第1、第2半透光膜が、該境界において、アライメントずれに起因した隙間を形成することが無い。従って、上記のダイ・トゥ・ダイ(Die−to−Die)検査における不都合が生じない。
そして、このレジストパターンをマスクとして、第2半透光膜と遮光膜とをエッチングし、得られた多階調フォトマスクを、図7(B)、(D)に示す。第2レジストパターンが、第1レジストパターンに対して、右側にシフトしても、左側にシフトしても、第1半透光部と第2半透光部の隣接する境界部分においては、第1、第2半透光膜が離間した隙間が形成されている。すなわち、第1、第2半透光膜が、該境界において、アライメントずれに起因した重なりを形成することが無い。従って、この場合も、上記のダイ・トゥ・ダイ(Die−to−Die)検査における不都合が生じない。
本発明は、上記の第1の実施形態によって得られた多階調フォトマスクを含む。具体的には、透明基板上に、透光部、遮光部、第1半透光部、及び第2半透光部を含む転写用パターンを備えた多階調フォトマスクであって、第1半透光部は、透明基板上に第1半透光膜が形成されてなり、第2半透光部は、透明基板上に、第1半透光膜と異なる露光光透過率をもつ第2半透光膜が形成されてなり、第1半透光部と第2半透光部とは隣接する部分を有する多階調フォトマスクにおいて、第1半透光部と第2半透光部とが隣接する境界部分においては、第1半透光膜と第2半透光膜との周縁部が0.1〜1.5μmの範囲の重なり代だけ重なりをもって形成される多階調フォトマスクである。
この場合、第1半透光部と第2半透光部との境界においては、第1半透光膜と第2半透光膜とのアライメントずれに起因する、0.1〜1.5μmの離間が生じていない。
この場合、第1半透光部と第2半透光部との境界においては、第1半透光膜と第2半透光膜とのアライメントずれに起因する、0.1〜1.5μmの重なりが生じていない。
本発明は、上記製造方法によるフォトマスクを用いて、露光装置によって、転写用パターンを被転写体に転写するパターン転写方法も含む。更に、このパターン転写方法を用いる、フラットパネルディスプレイ(FPD)製造方法も含む。
転写に用いる露光装置は、標準的なLCD(液晶ディスプレイ)用露光装置とすることができる。この場合、例えば、開口数NA0.06〜0.10、σ0.5〜1.0 の範囲とすることができる。こうした露光装置は、一般に、3μm程度を解像限界としている。
もちろん、本発明は、より広い範囲の露光機を用いた転写に際して適用することも可能である。例えば、NAが0.06〜0.14、又は0.06〜0.15の範囲とすることができる。NAが0.08を超える、高解像度の露光機にもニーズが生じており、これらにも適用できる。
こうした露光装置は、光源としてi線、h線、g線を含み、これらをすべて含んだ照射光(単一光源に対し、ブロードな光源であるため、以下ブロード光ともいう)を用いることができる。この場合(或いは光学シミュレーションに際して)、透過率や、位相シフト量を特定するために、代表波長として、i線、h線、g線のいずれかを用いても良い。シミュレーションにおいては、単純化のためにこれらの強度比を1:1:1としても良く、または実際の露光装置の強度比を考慮した比率にしても良い。
尚、被転写体上に用いるレジストは、ポジ型でもネガ型でも良く、用途に応じて決定できる。
本発明に用いる、透明基板としては、表面を研磨した石英ガラス基板などが用いられる。大きさは特に制限されず、当該マスクを用いて露光する基板(例えばフラットパネルディスプレイ用基板など)に応じて適宜選定される。例えば一辺300mm以上の矩形基板が用いられる。
MoSi系の膜に対しては、弗化水素酸、珪弗化水素酸、弗化水素アンモニウムなどのフッ素化合物に、過酸化水素、硝酸、硫酸などの酸化剤を添加したエッチング液を使用することができる。又は、フッ素系のエッチングガスを用いてもよい。
好ましくは、エッチング工程では、すべてウェットエッチングを適用することが、設備上便宜的である。
上記の実施形態の説明においては、第1、第2半透光膜、及び遮光膜を形成する場合を示しているが、遮光膜の代わりに半透光膜であってもよい。従って、遮光膜を、第3の半透光膜と読み替えることができ、第1〜第3の半透光膜は、任意の露光光透過率をとることができる。
更に、本発明は、上述の実施形態には限られず、その他様々な実施形態が含まれる。
13 遮光部
14 透光部
15A 第1半透光部
15B 第2半透光部
16 透光性基板
17A 第1半透光膜
17B 第2半透光膜
18 遮光膜
20 フォトマスクブランク
21 第1レジストパターン
24 フォトマスクブランク
25 第2レジストパターン
Claims (8)
- 透明基板上に、透光部、遮光部、第1半透光部、及び第2半透光部を含む転写用パターンを備えた多階調フォトマスクであって、
前記第1半透光部は、前記透明基板上に第1半透光膜が形成されてなり、
前記第2半透光部は、前記透明基板上に、前記第1半透光膜と異なる露光光透過率をもつ第2半透光膜が形成されてなり、
前記第1半透光部と前記第2半透光部とは隣接する部分を有する多階調フォトマスクの製造方法において、
前記透明基板上に、第1半透光膜及び遮光膜を積層し、更に第1レジスト膜を形成した、フォトマスクブランクを用意する工程と、
前記第1レジスト膜に対して、第1描画を施して第1レジストパターンを形成する工程と、
前記第1レジストパターンをマスクとして前記遮光膜と前記第1半透光膜とをエッチングする、第1エッチング工程と、
前記第1エッチング工程後の前記透明基板全面に、第2半透光膜と第2レジスト膜とを形成する工程と、
前記第2レジスト膜に対して、第2描画を施して第2レジストパターンを形成する工程と、
前記第2レジストパターンをマスクとして、前記第2半透光膜をエッチングする、第2エッチング工程とを有し、
前記第2エッチング後の前記第1半透光部と前記第2半透光部との境界においては、前記第1半透光膜と前記第2半透光膜との周縁部が所定範囲の重なり代だけ重なりをもつように、前記第1描画又は前記第2描画の描画データを形成することを特徴とする、多階調フォトマスクの製造方法。 - 前記重なり代の前記所定範囲が、0より大きく1.5μmより小さい範囲であることを特徴とする、請求項1に記載の多階調フォトマスクの製造方法。
- 透明基板上に、透光部、遮光部、第1半透光部、及び第2半透光部を含む転写用パターンを備えた多階調フォトマスクであって、
前記第1半透光部は、前記透明基板上に第1半透光膜が形成されてなり、
前記第2半透光部は、前記透明基板上に、前記第1半透光膜と異なる露光光透過率をもつ第2半透光膜が形成されてなり、
前記第1半透光部と前記第2半透光部とは隣接する部分を有する多階調フォトマスクの製造方法において、
前記透明基板上に、第1半透光膜及び遮光膜を積層し、更に第1レジスト膜を形成した、フォトマスクブランクを用意する工程と、
前記第1レジスト膜に対して、第1描画を施して第1レジストパターンを形成する工程と、
前記第1レジストパターンをマスクとして前記遮光膜と前記第1半透光膜とをエッチングする、第1エッチング工程と、
前記第1エッチング工程後の前記透明基板全面に、第2半透光膜と第2レジスト膜とを形成する工程と、
前記第2レジスト膜に対して、第2描画を施して第2レジストパターンを形成する工程と、
前記第2レジストパターンをマスクとして、前記第2半透光膜をエッチングする、第2エッチング工程とを有し、
前記第2エッチング後の前記第1半透光部と前記第2半透光部との境界においては、前記第1半透光膜と前記第2半透光膜のエッジが所定範囲の離間距離だけ離間するように、前記第1描画又は前記第2描画のデータを形成することを特徴とする、前記多階調フォトマスクの製造方法。 - 前記離間距離の前記所定範囲が、0より大きく1.5μmより小さい範囲であることを特徴とする、請求項3に記載の多階調フォトマスクの製造方法。
- 透明基板上に、透光部、遮光部、第1半透光部、及び第2半透光部を含む転写用パターンを備えた多階調フォトマスクであって、
前記第1半透光部は、前記透明基板上に第1半透光膜が形成されてなり、
前記第2半透光部は、前記透明基板上に、前記第1半透光膜と異なる露光光透過率をもつ第2半透光膜が形成されてなり、
前記第1半透光部と前記第2半透光部とは隣接する部分を有する多階調フォトマスクにおいて、
前記第1半透光部と第2半透光部とが隣接する境界部分においては、前記第1半透光膜と前記第2半透光膜との周縁部が0.1〜1.5μmの範囲の重なり代だけ重なりをもって形成されることを特徴とする、多階調フォトマスク。 - 透明基板上に、透光部、遮光部、第1半透光部、及び第2半透光部を含む転写用パターンを備えた多階調フォトマスクであって、
前記第1半透光部は、前記透明基板上に第1半透光膜が形成されてなり、
前記第2半透光部は、前記透明基板上に、前記第1半透光膜と異なる露光光透過率をもつ第2半透光膜が形成されてなり、
前記第1半透光部と前記第2半透光部とは隣接する部分を有する多階調フォトマスクにおいて、
前記第1半透光部と第2半透光部とが隣接する境界部分においては、前記第1半透光膜と前記第2半透光膜とのエッジが0.1〜1.5μmの範囲の離間距離だけ離間して形成されることを特徴とする、多階調フォトマスク。 - 請求項1〜4の何れか1項に記載の製造方法による多階調フォトマスク、又は請求項5又は6に記載の多階調フォトマスクを用い、露光装置によって、前記転写用パターンを、被転写体に転写することを特徴とする、パターン転写方法。
- 請求項7に記載の転写方法を用いることを特徴とする、フラットパネルディスプレイの製造方法。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012212030A JP5635577B2 (ja) | 2012-09-26 | 2012-09-26 | フォトマスクの製造方法、フォトマスク、パターン転写方法、及びフラットパネルディスプレイの製造方法 |
KR1020130112126A KR101414343B1 (ko) | 2012-09-26 | 2013-09-17 | 포토마스크의 제조 방법, 포토마스크, 패턴 전사 방법 및 플랫 패널 디스플레이의 제조 방법 |
TW102133708A TWI477891B (zh) | 2012-09-26 | 2013-09-17 | 光罩之製造方法、光罩、圖案轉印方法、及平板顯示器之製造方法 |
CN201310439264.2A CN103676468B (zh) | 2012-09-26 | 2013-09-24 | 光掩模及其制造方法、转印方法及平板显示器的制造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012212030A JP5635577B2 (ja) | 2012-09-26 | 2012-09-26 | フォトマスクの製造方法、フォトマスク、パターン転写方法、及びフラットパネルディスプレイの製造方法 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2014066863A JP2014066863A (ja) | 2014-04-17 |
JP2014066863A5 JP2014066863A5 (ja) | 2014-05-29 |
JP5635577B2 true JP5635577B2 (ja) | 2014-12-03 |
Family
ID=50314471
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012212030A Active JP5635577B2 (ja) | 2012-09-26 | 2012-09-26 | フォトマスクの製造方法、フォトマスク、パターン転写方法、及びフラットパネルディスプレイの製造方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5635577B2 (ja) |
KR (1) | KR101414343B1 (ja) |
CN (1) | CN103676468B (ja) |
TW (1) | TWI477891B (ja) |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR102157644B1 (ko) * | 2014-08-13 | 2020-09-21 | (주)에스앤에스텍 | 다계조 포토 마스크 및 그의 제조 방법 |
JP2016224289A (ja) * | 2015-06-01 | 2016-12-28 | Hoya株式会社 | フォトマスクの製造方法、フォトマスク及び表示装置の製造方法 |
JP6767735B2 (ja) * | 2015-06-30 | 2020-10-14 | Hoya株式会社 | フォトマスク、フォトマスクの設計方法、フォトマスクブランク、および表示装置の製造方法 |
JP6514143B2 (ja) * | 2016-05-18 | 2019-05-15 | Hoya株式会社 | フォトマスクの製造方法、フォトマスク、及び表示装置の製造方法 |
JP6556673B2 (ja) * | 2016-07-26 | 2019-08-07 | Hoya株式会社 | フォトマスクの製造方法、描画装置、表示装置の製造方法、フォトマスク基板の検査方法、及びフォトマスク基板の検査装置 |
TW201823855A (zh) * | 2016-09-21 | 2018-07-01 | 日商Hoya股份有限公司 | 光罩之製造方法、光罩、及顯示裝置之製造方法 |
CN106991931B (zh) * | 2017-05-11 | 2019-07-23 | 武汉华星光电技术有限公司 | 显示面板及其膜层检测系统 |
CN111965887A (zh) * | 2020-09-18 | 2020-11-20 | 信利(仁寿)高端显示科技有限公司 | 一种掩膜版的制作方法及彩膜基板的制作工艺 |
Family Cites Families (23)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1325994A (zh) * | 2000-05-31 | 2001-12-12 | 上海博德基因开发有限公司 | 一种新的多肽——丝氨酸蛋白酶12和编码这种多肽的多核苷酸 |
JP3875648B2 (ja) * | 2003-04-08 | 2007-01-31 | Hoya株式会社 | グレートーンマスクの欠陥検査方法 |
TWI286663B (en) * | 2003-06-30 | 2007-09-11 | Hoya Corp | Method for manufacturing gray tone mask, and gray tone mask |
JP4393290B2 (ja) * | 2003-06-30 | 2010-01-06 | Hoya株式会社 | グレートーンマスクの製造方法及び薄膜トランジスタ基板の製造方法 |
JP2006030320A (ja) * | 2004-07-12 | 2006-02-02 | Hoya Corp | グレートーンマスク及びグレートーンマスクの製造方法 |
JP4587837B2 (ja) * | 2005-02-18 | 2010-11-24 | Hoya株式会社 | グレートーンマスクの製造方法及びグレートーンマスク |
US7914971B2 (en) * | 2005-08-12 | 2011-03-29 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light exposure mask and method for manufacturing semiconductor device using the same |
CN1740909B (zh) * | 2005-09-26 | 2011-04-13 | 友达光电股份有限公司 | 光罩及其制造方法 |
WO2007074806A1 (ja) * | 2005-12-26 | 2007-07-05 | Hoya Corporation | フォトマスクブランク及びフォトマスクの製造方法、並びに半導体装置の製造方法 |
TWI432885B (zh) * | 2006-02-20 | 2014-04-01 | Hoya Corp | 四階光罩製造方法及使用此種方法中之光罩坯料板 |
KR101255616B1 (ko) * | 2006-07-28 | 2013-04-16 | 삼성디스플레이 주식회사 | 다중톤 광마스크, 이의 제조방법 및 이를 이용한박막트랜지스터 기판의 제조방법 |
JP5036328B2 (ja) * | 2007-01-24 | 2012-09-26 | Hoya株式会社 | グレートーンマスク及びパターン転写方法 |
JP5036349B2 (ja) * | 2007-02-28 | 2012-09-26 | Hoya株式会社 | グレートーンマスクの欠陥修正方法及びグレートーンマスクの製造方法 |
JP5108551B2 (ja) | 2008-02-15 | 2012-12-26 | Hoya株式会社 | 多階調フォトマスク及びそれを用いたパターン転写方法 |
JP5160286B2 (ja) | 2008-04-15 | 2013-03-13 | Hoya株式会社 | 多階調フォトマスク、パターン転写方法、及び薄膜トランジスタの製造方法 |
US7924423B2 (en) * | 2008-08-11 | 2011-04-12 | Ut-Battelle, Llc | Reverse photoacoustic standoff spectroscopy |
JP4849276B2 (ja) * | 2008-08-15 | 2012-01-11 | 信越化学工業株式会社 | グレートーンマスクブランク、グレートーンマスク、及び製品加工標識又は製品情報標識の形成方法 |
JP2010276724A (ja) * | 2009-05-26 | 2010-12-09 | Hoya Corp | 多階調フォトマスク、多階調フォトマスクの製造方法、及びパターン転写方法 |
KR20100138381A (ko) * | 2009-06-25 | 2010-12-31 | 엘지이노텍 주식회사 | 하프톤 마스크의 제조 방법 |
JP5409238B2 (ja) * | 2009-09-29 | 2014-02-05 | Hoya株式会社 | フォトマスク、フォトマスクの製造方法、パターン転写方法及び表示装置用画素電極の製造方法 |
JP2011081326A (ja) * | 2009-10-10 | 2011-04-21 | Hoya Corp | 多階調フォトマスクの製造方法及び多階調フォトマスク用ブランク、並びに電子デバイスの製造方法 |
TWI461833B (zh) * | 2010-03-15 | 2014-11-21 | Hoya Corp | 多調式光罩、多調式光罩之製造方法及圖案轉印方法 |
JP5123349B2 (ja) * | 2010-04-19 | 2013-01-23 | Hoya株式会社 | 多階調マスクの製造方法 |
-
2012
- 2012-09-26 JP JP2012212030A patent/JP5635577B2/ja active Active
-
2013
- 2013-09-17 KR KR1020130112126A patent/KR101414343B1/ko active IP Right Grant
- 2013-09-17 TW TW102133708A patent/TWI477891B/zh active
- 2013-09-24 CN CN201310439264.2A patent/CN103676468B/zh active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2014066863A (ja) | 2014-04-17 |
KR20140040645A (ko) | 2014-04-03 |
TW201418873A (zh) | 2014-05-16 |
TWI477891B (zh) | 2015-03-21 |
CN103676468A (zh) | 2014-03-26 |
CN103676468B (zh) | 2015-03-11 |
KR101414343B1 (ko) | 2014-07-02 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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A521 | Request for written amendment filed |
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