TWI286264B - Manufacturing method for exposure mask, generating method for mask substrate information - Google Patents

Description

1286264 • · '· 玖、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 ， 本發明係有關於半導體領域之曝光光罩之製造方法、光 罩基板資訊產生方法、半導體裝置之製造方法、光罩基 板、曝光光罩及伺服器。 【先前技術】 隨著半導體裝置細微化之進步，提高了對於光微影製程 之細微化的要求。目前，裝置的設計規則已達到〇 ·丨3 之細微化’控制之圖案尺寸精度必需要求至丨〇 nm左右極 為嚴密之精度。結果使得近年來使用於半導體製造過程之 光微影製程的課題越來越為顯著。 該課題係針對被使用於微影製程之光罩基板平坦度，其 係有關圖案形成製程之高精度化的原因之一。即，伴隨著 細微化而在微影製程眾之焦點公差變小之中，已不得忽視 光罩基板之平坦度。 因此，因本發明者們不斷研究關於光罩基板之平坦度的 結果，可明確瞭解到以下之事項。 因光罩基板之表面形狀有各式各樣，即使是相同的平坦 度’亦有凸型、凹型、鞍型、其他混合型等種種之形狀。 因此，即使為相同的平坦度，藉由真空夾盤夾持光罩基板 於B曰圓曝光裝置之光罩台之場合日夺，因光罩台或真空爽盤 ' ^ ^ 在夾持時光罩基板會產生大量變形之場合、幾 乎不k形之場合或相反地平坦度變佳之場合。 此係因夾持後之光罩基板之平坦度係依附於夾持前之光

O:\100\100106.DOC 1286264 •· " 罩基板之表面形狀，且即使相同之光罩基板亦會由於進行 真空夾盤之處而有所變化。但由於以往只管理平坦度，因 而不同之光罩基板表面形狀，會因將光罩基板夹持於晶圓 曝光裝置之光單台後使光罩基板之平坦度會大大地惡化之 情形。 然後’ 了解到在如此已劣化之平坦度之光罩基板上形成 圖案並使用所得到之曝光光罩來製造半導體裝置係造成製 品生產率的主要原因。 【發明所欲解決之問題】 如上述，本發明者們在比較了將光罩基板夹持於晶圓曝 光裝置之光罩台前後光罩基板的平坦度，確認了依其光罩 基板之表面形狀而有夾持後平坦度變差者的存在，並發現 忒平坦度的惡化係造成製品生產率降低之主要原因。 本發明係考慮上述事項而為者，其目的在於提供一種有 效的曝光光罩之製造方法、光罩基板資訊產生方法、半導 體裝置之製造方法、光罩基板、曝光光罩及飼服器，以解 決由於將光罩基板夾持於晶圓曝光裝置之光罩台造成光罩 基板平坦度惡化，而引起製品生產率降低之問題。 【發明内容】 本發明之第1視點之曝光光罩之製造方法，其特徵為具 有·取彳于對複數個光罩基板各個顯示主面之表面形狀之第 1資訊，與顯示於各光罩基板曝光裝置之光罩台其夾持前 後之前述主面之平坦度之第2資訊之製程；製作前述各光 罩基板與該前述第1資訊與前述第2資訊之對應關係，並由 O:\100\100106.DOC -6 - 1286264 所製作之對應關係中選擇顯示所希望之平坦度之製程；與 如述複數個光罩基板分開而準備與該所選擇之第2資訊及 於前述對應關係之第1資訊所顯示之表面形狀具有相同表 . 面形狀之光罩基板之製程；於該已準備之光罩基板上形成 所希望之圖案之製程。 於本發明之第2視點之曝光光罩之製造方法，其特徵為 具有：對於複數個光罩基板之各個，由其顯示各光罩基板 _ 與各光罩基板之主面之表面形狀之第1資訊，與顯示於各 光罩基板之曝光裝置之光罩台夾持前後之前述主面之平坦 度之第2資訊的對應關係中選擇顯示所希望之平坦度之第2 資訊，而與前述複數個光罩基板分開而準備具有與該已選 擇之第2資訊具有對應關係之第丨資訊所示表面形狀相同2 光罩基板之製程；於該已準備之光罩基板上形成所希望之 圖案之製程。 於本發明之第3視點之曝光光罩之製造方法，其特徵係 • 具有：對於複數個光罩基板之各個，取得顯示主面表面形 狀之資訊之製程；製作前述各光罩基板與其前述資訊之對 應關係之製程；由所製作之對應關係中選擇顯示凸狀之表 面形狀之資訊，並由前述複數個光罩基板中選擇出與該選 擇資訊為處於前述對應關係之光罩基板之製程；及在已選 擇之光罩基板上形成所希望之圖案之製程。 於本發明之第4視點之曝光光罩之製造方法，其特徵為 具有··對複數個光罩基板之各個取得顯示主面之表面形狀 之第1育訊，與顯示由測定裝置所測定之前述主面之平坦

O:\100\100106.DOC 度與曝光裝置之光罩夾持構造而模擬於前述曝光裝置設置 各光罩基板時之前述主面之平坦度之第2資訊之製程；製 作前述各光罩基板與前述第i資訊與前述第2f訊之對應關 係之製程；由所製作之對應關係中選擇顯示所希望之平坦 度第2資訊，且與前述複數個光罩基板分開而準備具有與 為與該選擇之第2資訊為處於前述對應關係之第丨資訊所顯 示之表面形狀相同表面形狀之光罩基板之製程；及於該已 準備之光罩基板上形成所希望之圖案之製程。 於本發明之第5視點之曝光光罩之製造方法，其特徵為 具有：由顯示各光罩基板與各光罩基板之主面之表面形狀 之第1資訊，與顯示由測定裝置所測定之前述主面之平坦 度與曝光裝置之光罩夾持構造而模擬於前述曝光裝置設置 各光罩基板時之前述主面之平坦度之第2資訊的對於複數 個光罩基板之對應關係中，選擇顯示所希望之平坦度之第 2資訊，且與前述複數個光罩基板分開而準備具有與為與 该選擇之第2資訊為處於前述對應關係之第丨資訊所顯示之 表面形狀相同表面形狀之光罩基板之製程；及於該已準備 之光罩基板上形成所希望之圖案之製程。 於本發明之第6視點之曝光光罩之製造方法，其特徵為 具有：取得顯示光罩基板與光罩基板主面之表面形狀之第 1貧訊之製程；取得由前述主面之平坦度與曝光裝置之光 罩夾持構造而模擬於前述曝光裝置設置各光罩基板時之十 述主面之平坦度之第2資訊之製程；及判斷由前述模擬$ 取得之前述光罩基板主面之平坦度是否適合其規格，若判 O:\100\100106.DOC -8- 1286264 斷適合其規格則處理前述光罩基板形成曝光光罩之製程。 _ 於本發明之第7視點之光罩基板資訊產生方法，其特徵 為具有··對於複數個光罩基板之各個，取得顯示主面之表 面形狀之第1資訊，與顯示於曝光裝置之光罩台夾持前後 之前述主面平坦度之第2資訊之製程；及對前述各光罩基 板與前述第1資訊與前述第2資訊加以對應並記憶製程。 於本I明之第8視點之光罩基板資訊產生方法，其特徵 φ 為具有··對複數個光罩基板之各個，取得顯示主面之表面 形狀之資訊之製程；及在所取得之資訊中，記憶主面表面 形狀顯示為凸狀之資訊及與之對應之光罩基板之製程。 於本發明之第9視點之光罩基板資訊產生方法，其特徵 - 為具有··對複數個光罩基板之各個，取得顯示主面之表面 形狀之第1資訊，與顯示由測定裝置所測定之前述主面之 平坦度與曝光裝置之光罩夾持構造而模擬於前述曝光裝置 設置各光罩基板時之前述主面之平坦度之第2資訊之製 瞻程；及對前述各光罩基板與前述第丨資訊與前述第2資訊加 以對應並記憶之記憶製程。 於本發明之第10視點之半導體裝置之製造方法，其特徵 為具有：將依據上述第1至第3視點中之一者之製造方法戶^ 製造之曝光光罩夾持於曝光裝置之光罩台上之製程；藉由 照明光學系統照明於前述曝光光罩上所形成之圖案，且將 前述圖案之影像於所希望之基板上成像之製程；及根據前 述成像將前述所希望之基板上形成有前述成像之層加以圖 案化，並使用於半導體元件的形成之製程。 O:\IOO\lO01O6.DOC -9- 1.28^264 於本發明之第丨丨視點之半導體裝置之製造方法，其特徵 為具有：將具備有具主面之基板與包含形成於前述主面上 之遮光體之圖案，且前述主面其週邊區域的表面形狀係向 著别述基板之邊緣側其高度較前述主面中央區域之表面高 度為低之曝光光罩，夾持於曝光裝置之光罩台上之製程； 藉由照明光學系統照明於前述曝光光罩上所形成之圖案， 再藉由投影光學系統將前述圖案之影像於所希望之基板上 成像之製程；及根據前述成像將前述所希望之基板上形成 有前述成像之層加以圖案化，並使用於半導體元件的形成 之製程。 於本發明之第12視點之光罩基板，其特徵為：具備有具 主面之基板與覆蓋前述主面之遮光體，前述主面週邊區域 的表面形狀係向著前述基板之邊緣部，其高度較前述主面 中央區域之表面為低。 於本發明之第13視點之曝光光罩，其特徵為··具備有具 主面之基板與包含在前述主面上所形成之遮光體之圖案， 别述主面週邊區域的表面形狀係向著前述基板之邊緣側， 其高度較前述主面中央區域之表面為低之形狀。 於本發明之第14視點之伺服器，其特徵為具備有··進行 各己憶包含顯示對應關係資訊網頁之處理的手段，上述對應 關係顯示各光罩基板與各光罩基板之主面表面形狀之第1 資訊與顯示於各光罩基板曝光裝置之光罩台其夾持前後之 前述主面之平坦度之第2資訊之對於複數個光罩基板之對 應關係；進行接收來自顧客對前述網頁之要求之訊息之處 O:\100\100106.DOC -10- ί28^264 理的手段；進行於顧客侧以可顯示之形態傳送前述網頁之 冑理的手段；及進行接收來自傳送前述網頁之前述顧客之 前述光罩基板申請訊息之處理的手段。 對本發明之上述及其他目的，以及新穎特徵，可藉由本 說明書之記載及添附之圖式而明瞭。 【實施方式】 以下參照圖式說明本發明之實施之形態（以下，稱為實 魯 施形態）。 (第1實施形態） 圖1係顯示有關本發明之第丨實施形態之曝光光罩之製造 方法之流程圖。 首先，準備以152 mm的角於厚約6 mm之石英基板上形 歧覆蓋其之遮光體的模而成^片光罩基板Α〜κ，對該 等光罩基板Α〜Κ，藉由基板平坦度測定裝置（尼得克公司 製）測定主面，取得於曝光裝置之光罩台藉由真空夾盤夾 • 持月的11片光罩基板A〜K主面之表面形狀及平坦度（步驟 S1) 〇 在此，測定於圖2(a)中去除光罩基板之邊緣區域142 mm 角區域（第1區域）1之平坦度。第！區域j係實際上形成圖案 之圖案形成區域。 另外，於該實施形態，第丨區域〗之表面形狀為凸、凹係 如圖2(b)、圖2(c)分別所示，意味著對於連結第丨區域丨之 兩知的線L1，上為凸下為凹之形狀。圖3(幻、圖3(b)分別 顯示表面形狀上為凸、下為凹之概觀。

O:\100\100106.DOC -11 - 128^264 另一方面，第2區域2之表面形狀為凸或凹，係如圖2(d) 所示，意味著向著光罩基板之邊緣部，其高度較第丨區域1 之表面為低之形狀（凸）或變高之形狀（凹）。又，於第2實施 形態詳細敘述有關第2區域2。 其次，根據上述取得之結果，將1丨片光罩基板A〜K各 個，分類成主面表面形狀的各個種類（步驟S2)。其結果顯 示於表1。表面形狀之種類（第1資訊）由上述測定結果可分 類為凸型、凹型、鞍型、魚板型4種。另外，於光罩台炎 持前之第1區域1之平坦度的測定值（第2資訊）係控制於ο.* Mm〜〇·5 /πη之範圍。於圖3(c)、圖3(d)係分別顯示出表面形 狀為鞍型、魚板型者之概觀。 【表1】 光罩基板 夾持前之平坦度(μηι) 夾持前之表面形狀 -夾f後之平扫度 _A 0.5 凸 B 0.4 凸 ........ _C 0.45 凸 __________ 04 D 0.5 凹 ——— 0.8 E 0.5 凹 ^—-- __L0 F 0.4 鞍 —--- ---— G 0.5 鞍 0.9 Η 0.4 魚板 —-—__ I 0.5 魚板 ..... J 0.5 魚板(旋轉90度） __02 K 0.5 魚板(旋轉90度） ------ -^_ O:\100\100106.DOC -12- 1286264 接著，於ArF晶圓曝光裝置（尼康公司製）之光罩台，藉 由真空夾盤依序夾持上述11片光罩基板Α〜κ，並進行測定 以真空夾盤夾持後各光罩基板主面的平坦度（步驟S3)。在 此’測定去除光罩基板之邊緣區域142 mm角之第1區域 1(圖2(a))之平坦度。其後如表1所示，關於11片光罩基板 A〜K，製作表面形狀之種類與以真空夾盤夾持前後之平坦 度之值的對應關係（步驟S4)。 由表1得知，表面形狀為凸型之光罩基板A〜c其夾持後 之平坦度係與夾持前相同或稍微變好，但表面形狀為凹型 及鞍型之光罩基板D〜G之平坦度於夾持後呈現惡化。 另外，關於表面形狀為魚板型之光罩基板，係將在光罩 台上之光罩基板之配置方向對於夾持而配置於特定之方向 者（光罩基板Η、I)，及與該特定方向正交之方向，即於使 其旋轉90度之方向配置並變更被夾持之光罩基板處者（光 罩基板J、Κ) ’進行測定平坦度。 其結果如表1所示，可得知魚板型光罩基板Η〜κ其真空 央盤後之平坦度係因對夾持之光罩基板之配置方向而改 變。 亦即，可得知魚板型光罩基板Η〜κ其真空夾盤後之平坦 度亦會因被真空夾盤後之光罩基板位置而改變。 具體而言’如光罩基板Η、I般，若將於光罩台上之光罩 基板之配置方向配置於對於夾盤之特定之方向，則魚板型 之弧度邊緣會碰觸到曝光裝置之光罩台之夾盤，其平坦度 幾乎無法改善，但另一方面，若如光罩基板j、κ般使其配 O:\100\100I06.DOC -13- 1286264 置於旋轉90度之方& # ^ 向’其魚板型之弧度邊緣不會碰觸到曝 光裝置之光罩么夕 °夾盤，而平坦度會成為0.3 /mi以下，可 確邊到平坦度已改善（表υ。另外其他表面形狀之光罩基 板A G作故轉者未顯示於表1，係因了解到即使令其旋轉 亦無法改善其平坦度之故。 八人如上述，由預先知曉之真空夾盤夾持前後之表面 形狀的種類及平坦度的值之包含n片光罩基板Μ之光罩 板群中與11片光罩基板Α〜κ分開地準備具有合乎規格 平-度之光罩基板及具相同種類之表面形狀之光罩基板 (步驟S5)。在此，對於該分開準備之光罩基板，係選擇與 光罩基板J相同形狀之場合作說明。 另外，光罩基板A〜K及上述分開準備之光罩基板，係其 圖案形成區域之平坦度控制於特定之規格内所形成者，而 表面形狀的不同則是因離散所造成。 接著，於上述分開準備之光罩基板上塗保護膜。 之後，繼續眾所皆知之曝光光罩之製造製程。即藉由電 子線描繪裝置於光罩基板上之保護膜描繪出所希望之圖 案。接著將保護膜顯像而形成保護膜圖案，其次以該保護 膜圖案作為光罩，藉由反應性離子蝕刻裝置進行光罩基板 遮光體之|虫刻加工而形成遮光體圖案。然後，剝離保護膜 圖案，進行清洗光罩基板表面，而完成形成有所希望之光 罩圖案之曝光光罩（步驟S6)。又上述所希望之圖案係包含 電路圖案或包含電路圖案及對位用之圖案。 將如此所得到之曝光光罩設置於ArF晶圓曝光裝置，並 O:\100\100106.DOC -14- 1286264 4 測定主面平坦度’可確認到0.2 μιη之良好值。然後，若採 用將如此平坦度高之曝光光罩夾持於曝光裝置之光罩台 上’再藉由照明光學糸統照明於上述之曝光光罩上所形成 之圖案，而以投影光學系統在所希望之基板上成像上述圖 案之曝光方法’則晶圓曝光時之焦點公差會格外的增加並 大幅提高DRAM等之半導體製品之生產率。 如此依據本實施形態，可實現一種有效的曝光光罩之製 造方法，其可解決因將光罩基板夾持在晶圓曝光裝置之光 罩台上後光罩基板之主面平坦度惡化，所引起製品生產率 降低之問題。 光罩基板A〜K及上述分開準備之光罩基板，其對位用記 號亦可預先形成。又將光罩基板夾持於光罩台之手段並不 限定於真空夾盤。 (第2實施形態） 第1實施形態中僅對圖2(a)所示之光罩基板丨之主面之第1 區域1取得表面形狀及平坦度（步驟S1)，但於本實施形態 中係分別對第1區域1及包圍該第i區域1之第2區域2的2個 區域取得表面形狀及平坦度。 在此，第1區域1係以光罩基板中心作為區域之中心，為 一邊長為142 mm之矩形形狀的區域，而第2區域2則為包圍 該第1區域1 ’且一邊長為15〇 mm之嘴巴形狀之區域（由矩 形形狀之區域中除去以該矩形形狀之區域中心為區域之中 心之較其為小之矩形形狀區域的區域）。藉由將光罩基板1 設置於曝光裝置之光罩台時之真空夾盤，其被夾持的區域 O:\100\100106.DOC -15- 1286264 (光罩夾持£域）歲乎包含於第2區域2。即在第2區域2為了 • 夾持光罩基板於光罩台之力量幾乎全部起了作用。 在以往的技術延長線上，不僅圖案形成區域，若考慮亦 管理光罩夾持區域之平坦度，則成為擴大第丨區域〗，藉此 管理包含了光罩夾持區域之區域平坦度。 但在目前之光罩製造技術中，要將光罩基板丨之主面全 體平坦化非常困難，現況為其光罩基板丨之主面平坦度於 _ 邊緣部急遽地惡化，為此，若擴大第1區域1，則其光罩基 板1之中心部的平坦度雖可，但因光罩基板丨之邊緣部的平 一度麦差’故會降低對光罩基板1之主面全體之平坦度的 測定結果。因此，於本實施形態中如上述係對包含光罩中 心之第1區域1，及包圍該第i區域i之第2區域2的2個區域 取得表面形狀及平坦度。 以基板平坦度測定裝置（NI公司製），測定於152 mm的角 而厚約6 mm之石英基板上形成遮光體而成之光罩基板的主 • 面平坦度及表面形狀，並準備第1區域1之平坦度及表面形 狀、第2區域2之平坦度及表面形狀其準備各自不同之13片 光罩基板A〜Μ。 接著’於ArF晶圓曝光裝置（尼康公司製）依序設置該j 3 片光罩基板A〜Μ，測定經由真空夾盤進行夾持後之各光罩 基板之主面的平坦度。 其次，製作有關13片光罩基板Α〜Μ其表面形狀之種類及 經由真空夾盤夾持前後之第1及第2區域之平坦度之值的對 應關係。其結果顯示於表2。 O:\100\100106.DOC -16- 1286264 4 【表2】 第1區域(夾持前） 第2區域(夾持前） 第1區域(夾持後） 光罩基板 平坦度(Atm) 表面形狀 平坦度 表面形狀 平坦度(μηι) A 0.3 凸 4 凸 0.3 B 0.3 凸 3 凹 1.5 C 0.35 凸 4 魚板 0.6 D 0.35 凸 4 魚板(90度旋轉） 0.3 E 0.35 凸 4 鞍 1.0 F 0.35 凹 4 凸 0.3 G 0.35 凹 4 凸 0.8 Η 0.35 凹 4 魚板 0.8 I 0.35 凹 4 魚板(90度旋轉） 0.4 J 0.35 凹 4 鞍 0.9 K 0.5 鞍 3 鞍 1.0 L 0.5 魚板 3 魚板 0.9 Μ 0.4 魚板 3 魚板(90度旋轉） 0.4 13片光罩基板a〜μ之第1及第2區域之表面形狀係分類為 凸型、凹型、鞍型及魚板型4種。表面形狀為單純的凸型 形狀之光罩基板Α之第1及第2區域之表面形狀皆為凸。另 一方面’如附有帽簷之帽子般的光罩基板B之表面形狀， 於第1區域為凸而在第2區域則為凹。 由表2得知，以真空夾盤因夾持而造成第1區域之平面形 狀惡化之光罩基板’其第2區域之表面形狀有凹型及鞍型 者。另外’表面形狀為魚板型之光罩基板C、d、Η、I、 O:\lOO\10O1O6.DOC -17- 1286264 M因光罩台上之光罩基板之配置方向不同，而顯示 不同結果。 具體而言，若將光罩台上之光罩基板之配置方向配置於 對於爽盤之特定之方向，則魚板型之弧度邊緣會碰觸到曝 光装置之光罩台之夾盤而降低平坦度，但若配置於使其旋 轉90度之方向上，則其魚板型之弧度邊緣不會碰觸到曝光 裝置之光罩台之夾盤，而平坦度變為〇·4 μιη以下，可確認 _ 配置於該方向（使其旋轉90度）上幾乎全部之光罩基板的平 坦度均被改善。 另外’亦可確認藉由真空夾盤之夾持後之第丨區域之平 坦度係與夾持前之第丨區域之表面形狀幾乎無關。亦即在 藉由真空夾盤之夾持前後之光罩基板主面之形狀變化幾乎 是由第2區域之表面形狀所決定。 此外’將第2區域之平坦度與第丨區域之平坦度比較，儘 管數值為格外的差，但可確認第2區域之表面形狀為凸之 φ 場合’其藉由真空夾盤之夾持後之光罩基板之第1區域之 表面形狀幾乎無變化。 由以上事項，藉由對複數個光罩基板製作其第1區域1及 第2區域2之表面形狀之種類，與經由真空夾盤夾持前後之 光罩基板主面之平坦度之值的對應關係，可使為管理光罩 夾盤區域無須擴展到必要以上，第1區域1之平坦度不需要 其必要以上之嚴苛值而可採用現實之值，並且，考慮第2 區域2之表面形狀，可更確實選擇藉由真空夾盤之夾持前 後之光罩基板主面平坦度變化少之光罩基板。 O:\100\100106.DOC -18- 1286264 4 其次如上述，由預先知曉之真空夾盤夹持前後之第1區 域1，及第2區域2表面形狀的種類及及光罩基板主面夾持 後平坦度的值之包含13片光罩基板A〜Μ之光罩基板群中， 與13片光罩基板Α〜Μ分開地準備具有合乎規格之平坦度之 光罩基板及具相同種類之表面形狀之光罩基板。 在此，該分開準備之光罩基板，係準備與光罩基板^^為 相同表面形狀（第1區域為凹、第2區域為凸）之物。於測定 該光罩基板後，第1區域之平坦度為〇·3 以下，而第2區 域之平坦度為4 μηι以下。 其次’於光罩基板上塗保護膜。 之後，繼續習知之製造方法之曝光光罩之製造製程。即 藉由電子線描繪裝置於光罩基板上之保護膜描繪出所希望 之圖案。接著對保護膜加以顯影而形成保護膜圖案，其次 將該保護膜圖案作為光罩藉由反應性離子蝕刻裝置進行光 罩基板遮光體之蝕刻加工並形成遮光體圖案。然後，剝離 保護膜圖案，接著進行清洗光罩基板表面，完成形成有所 希望之光罩圖案之曝光光罩。又上述所希望之圖案係包含 電路圖案者，或包含電路圖案及對位用之圖案。 將如此得到之曝光光罩設置於ArF晶圓曝光裝置並在測 定第1區域之平坦度，可確認到〇·2 μηι之良好的平坦度。 然後’藉由將如此高平坦度之曝光光罩夾持於曝光裝置之 光罩台上，以照明光學系統照明上述之曝光光罩上所形成 之圖案，採用藉由投影光學系統形成上述圖案之圖像於所 希望之基板（例如被塗有保護膜之基板）上之曝光方法，則 O:\100\100106.DOC •19- 1286264 晶圓曝光時之焦點公差會袼外的增加，並大幅提高dram 等之半導體製品之生產率。 如此本實施形態亦與第1實施形態相同，可提供一種曝 光光罩之製造方法，可有效解決將光罩基板夾持於晶圓曝 光展置之光罩台之後光罩基板之主面平坦度的惡化所造成 之製品生產率降低之問題。 光罩基板A〜Μ及上述另外準備之光罩基板，其對位用記 0 號亦可是預先所形成的。又將光罩基板夾持於光罩台之手 段並未限定於真空夾盤。 另外’由表2得知，第2區域之表面形狀為凸狀者則由真 二夾盤夾持後之第1區域之平坦度良好，故亦可使用製作 第2區域之表面形狀為凸狀之光罩基板或曝光光罩而加以 使用之方法。 於第2區域，具有如上述之表面形狀，即凸狀之光罩基 板或曝光光罩，例如於石英基板之邊緣區域或較其更内側 修 之區域（中央區域）中，其中央區域部份可由利用快速研磨 率而得到。具體而言，可藉使用研磨裝置而以較以往更長 的時間來研磨石英基板主面而得到。之後，依習知之方法 形成遮光體膜而得光罩基板，此外以進行遮光體之圖案形 成可得曝光光罩。 然後’將形成具有如此之特定之表面形狀（此處為凸）之 第2區域之曝光光罩夾持於曝光裝置之光罩台上，藉由照 明光學系統照明上述曝光光罩上所形成之圖案，而採用藉 由投影光學系統在所希望之基板（例如被塗有保護膜之基 O:\100\100106.DOC -20 - 1286,264 板）上將上述圖案之圖像成像之曝光方法，則與第1實施形 態相同，其晶圓曝光時之焦點公差會格外的增加並大幅提 高DRAM等之半導體製品之生產率。 另外，以彺為使主面之全體儘量變平坦而會進行研磨石 英基板。因此’為不使研磨比例差異顯著，並未刻意控制 加長研磨時間。所以，即使因研磨之離散使其第2區域之 表面形狀成為凸或凹，其程度亦較本實施形態之光罩基板 及曝光光罩明顯的小。 (第3實施形態） 於本實施形態中係利用模擬，取得相當於藉由真空夾盤 夾持後之光罩基板之主面之表面形狀之光罩基板之主面之 表面形狀。 首先，藉由基板平坦度測定裝置（NI公司製）測定圖案形 成區域（圖2⑷之第！區域1}之平坦度，而求出以152麵角 而厚約6 mm之石冑基板上形成遮光體而成<光罩基板之主

面之表面形狀及平坦度，並準備表面形狀及平坦度各自不 同之13片光罩基板a〜Μ。 其次，由ΑΓΡ晶圓曝光裝置（尼康公司製）之光罩夹盤構 造，及上述13片光罩基板Α〜Μ之主面其上述所測定之平坦 度，使用有限元素法，以模擬取得在ArF晶圓曝光裝置之 光罩台藉由真空夾盤㈣㈣上述W光罩基板A〜M時之 光罩基板A~M之主面平坦度。又，亦可使用解析的方法代 替有限元素法。接著，為確認該模擬是否正確，藉由真空 夾盤依序實際地㈣上述之13片光罩基板a〜m於上述^

O:\100\100106.DOC -21 - 1286.264 晶圓曝光裝置，並進行载藉由真空夾盤夾持後之各光罩 基板之主面之之平坦度、结果’由模擬所得到之光罩基板 A〜M其主面之平坦度，與以實際上設置於趙晶圓曝光裝 置之基板平坦度測定裝置測定所得到之光罩基板A，其主 面之平坦度’係如表3所示’可確認在光罩基板A，幾乎 是所有光罩基板中，只有0.1 μιη以下之差。 【表3】 光罩基板 光罩基板主ί δ之測定資料 •由模擬所得之平坦唐 實際央持德之平i曰庚 平坦度(/mi) 表面形狀 平坦度(μιη) 斗"i曰唐ΓίΧΓΠ、 A 0.3 凸 _ 0.3 0 3 B 0.3 凸 — 1.5 i ς C 0.35 &_ 0.6 <L · 0 6 D 0.35 — 0.3 \J ·\β 0 3 E 0.35 凸 1.0 10 F 0.35 凹 0.5 0.3 G 0.35 凹 0.7 0.8 Η 0.35 凹 — 0.8 0.8 I 0.35 凹 0.5 0.4 J 0.35 凹 _ 0.9 0.9 —----- K 0.5 鞍 1.3 10 L 0.5 魚板 0 9 〇 Q Μ 0.4 魚板 一_ 0.4 \j.y 0.4 即，關於光罩基板，製作前述實施形態中之表面形狀種 類與藉由真空夾盤失持前後《平坦度之值的對應關係時，

O:\100\100106.DOC -22- 1286264 可將藉由真空夾盤夾持前後之平坦度之值置換成利用模擬 所取得之值。 由该結果，藉由基板平坦度測定裝置（NI公司製）測定圖 案形成區域（圖2(a)之第1區域丨）之平坦度且求出光罩基板 主面之表面形狀，接著，由曝光裝置之光罩夾盤構造及已 取得之光罩基板之主面之上述平坦度，而模擬真空夾盤依 序將光罩基板夾持於曝光裝置之光罩台時之光罩基板之主 φ 面之表面形狀，可預測出實際上將光罩基板設置於晶圓曝 光裝置時之光罩基板主面之表面形狀。因此，可進行較以 往格外高精度之光罩基板主面之表面形狀及平坦度之管 理。 圖4係顯示有關本發明之第3實施形態之曝光光罩之製造 方法的流程圖。於圖4之流程圖中，在步驟S3，係利用模 擬取得藉由真空夾盤夾持光罩基板時之光罩基板之主面之 表面形狀。然後在步驟S4，製作表面形狀、使用基板平坦 φ 度測定裝置所取得之平坦度及利用模擬所取得之平坦度之 對應關係。關於步驟S1、S2、S5、S6係於圖1之流程圖相 同。 其次，在步驟S5與上述13片光罩基板Α〜Μ分開準備以下 光罩基板·基板主面之表面形狀由基板平坦度測定裝置測 定’且藉由真空夾盤依序將光罩基板夾持於曝光裝置之光 罩台時之光罩基板主面之表面形狀藉由模擬得知變為〇.2 /im之平坦度者。 之後，在步驟S6繼續習知之製造方法之曝光光罩之製造 O:\100\100106.DOC -23- 1286264 製程。亦即藉由電子線描繪裝置於光罩基板上之保護膜描 繪出所希望之圖案。接著對保護膜進行顯像以形成保護膜 圖案，其次將該保護膜圖案作為光罩而藉由反應性離子蝕 刻裝置進行光罩基板遮光體之蝕刻加工，並形成遮光體圖 案（光罩圖案）。之後，剝離保護膜圖案，接著進行清洗光 罩基板表面，完成形成有所希望之光罩圖案之曝光光罩。 將該曝光光罩實際設置於ArF晶圓曝光裝置且使用基板平 坦度測定裝置測定其主面之表面形狀及平坦度後，可確認 到如同模擬得之0·2 μιη之良好平坦度。然後，若將如此高 平坦度之曝光光罩夾持於曝光裝置之光罩台上，再藉由照 明光學系統照明在上述曝光光罩上所形成之圖案，而採用 藉由投衫光學系統在所希望之基板（例如被塗有保護膜之 基板）上將上述圖案之像成像之曝光方法，則晶圓曝光時 之焦點公差會格外的增加，並大幅提高Dram等之半導體 製品之生產率。 如此’本實施形態亦與第丨實施形態、第2實施形態相 同，可實現一種有效的曝光光罩之製造方法，其可解決將 光罩基板夾持於晶圓曝光裝置之光罩台之後光罩基板主面 平坦度惡化所造成製品生產率降低之問題。 光罩基板A〜Μ及上述另外準備之光罩基板，其對位用記 號亦可預先形成。又，將光罩基板夾持於光罩台之手段並 未限定於真空夾盤。 於上述之各實施形態，例如晶圓曝光裝置非為ArF晶圓 曝光裝置亦可。另外，亦可於光罩圖案形成後，更測定光 O:\100\100106.DOC -24 - 1286264 罩基板主面之平坦度，由其測定資料以模擬取得設置光罩 基板於曝光裝置時之光罩基板主面之表面形狀。藉此，由 於光罩圖案形成時所產生之光罩基板主面的變形亦會考慮 — 在以模擬所取得之結果中，故可進行更高精度之光罩基板 主面之表面形狀及平坦度的管理。此外，光罩並不限定於 ArF用或KRF用者，亦可適用於例如真空紫外線曝光用之 反射型光罩、X光線曝光用光罩、電子線曝光用光罩等。 ^ (第4實施形態） 於本實施形態中，係藉由模擬取得相當於藉由真空夾盤 夾持後之光罩基板主面之表面形狀的光罩基板之主面的表 面形狀。 圖5顯示有關本實施形態之曝光光罩之製造方法的流程 圖。 在步驟s 1，藉由以基板平坦度測定裝置（NI公司製）測定 圖案形成區域（圖2(a)之第1區域1)之平坦度，而求出於152 φ mn^且厚約6 mm之石英基板上形成遮光體而成之丨片光罩 基板主面之表面形狀及平坦度。 其次，於步驟S2 ’由ArF晶圓曝光裝置（尼康公司製）之 光罩夾盤構造及上述1片光罩基板主面之上述所測定之平 坦度，使用有限元素法，利用模擬取得藉由真空夹盤依序 夾持上述1片光罩基板於ArF晶圓曝光裝置之光罩台時之光 罩基板主面之平坦度。又，亦可使用解析的方法取代有限 元素法。 接著，於步驟S3，判斷藉由模擬所取得之前述光罩基板 O:\100\100106.DOC -25- 1286264 主面之平坦度是否適合其規格，若判斷為適合其規格之場 合時則於步驟S4進入曝光光罩之製造製程。 另一方面，於步驟S3判斷上述光罩基板之平坦度不適合 規格之場合時，則於步驟S5剝離上述光罩基板之石英基板 上的遮光體膜。接著，於步驟S6研磨石英基板之表面。接 著’於步驟S7在石英基板研磨後之表面上重新形成遮光體 膜，並重回步驟S1測定平坦度。 本實施形態亦與第1實施形態、第2實施形態、第3實施 形態相同，可實現一種有效的曝光光罩之製造方法，其可 解決將光罩基板夾持於晶圓曝光裝置之光罩台之後光罩基 板主面平坦度惡化所造成製品生產率降低之問題。 另外，上述光罩基板其對位用記號亦可預先形成。又， 將光罩基板夾持於光罩台之手段並未限定於真空夾盤。 此外，例如晶圓曝光裝置非ArF晶圓曝光裝置亦可。另 外’亦可於光罩圖案形成後再次測定光罩基板主面之平坦 度，由其測定資料，以模擬取得設置光罩基板於曝光裝置 時之光罩基板主面之表面形狀。藉此，由於光罩圖案形成 時所產生之光罩基板主面的變形亦會考慮在以模擬所取得 之結果中’故可進行更高精度之光罩基板主面之表面形狀 及平坦度的管理。此外，光罩並不限定於ArF用或KRF用 者，亦可適用於例如真空紫外線曝光用之反射型光罩、X 光線曝光用光罩、電子線曝光用光罩等。 (第5實施形態） 其次，說明有關本發明之第5實施形態之光罩基板資訊 O:\100M00106.DOC -26- 1286264 4 產生方法。 本實施形態之光罩基板資訊產生方法係具備有：對表^ 之11片光罩基板A〜K之各個，依照圖丨之流程，例如步驟 S1〜S3，取得主面之表面形狀與夾持前後主面之平坦度之 製程；及關於11片光罩基板A〜K，製作如表丨所示之光罩 基板與表面形狀之種類與平坦度的值之對應關係之製程； 及將該對應記憶於電腦（PC)等之製程。 _ 此外，亦可將記憶於電腦（PC)等之上述對應加以顯示。 具體而言，例如於收容有11片光罩基板Α〜κ之容器上貼上 印刷有顯示内容之貼紙亦可。 藉由對上述對應採用如此之顯示方法，則可容易管理可 解決將光罩基板夾持於晶圓曝光裝置之光罩台之後光罩基 板主面平坦度惡化所造成製品生產率降低之問題的光罩基 板。 此外，於圖1之流程圖中之步驟S2之後，藉由將在圖i之 φ 流程圖之步驟S2所取得之資訊中顯示主面之表面形狀為凸 狀之資訊’及與其對應之光罩基板加以對應，並將該對應 記憶於電腦（PC)等，而可進行與本實施形態之光罩基板資 訊產生方法不同之其他光罩基板資訊產生方法。此時亦與 本實施形態之光罩基板資訊產生方法相同，對於該對應， 藉由貼紙等顯示，同樣地可易於進行光罩基板之管理。 在此，舉表1之11片光罩基板A〜K為例說明關於光罩基 板資訊產生方法，但對於表2之13片光罩基板a〜m亦可進 行同樣的光罩基板資訊產生。 O:\lOO\lOO106.DOC -27- 1286264 (第6實施形態） 圖6係顯示有關本發明之第6實施形態之祠服器系統模式 圖。於第5實施形態中以貼紙作為顯示之示範例，但於本 實施形態中係在伺服器上顯示，因此可將本實施形態之光 罩基板貝矾產生方法利用於e_商務（電子郵件商務卜 首先，例如在製作處U製作顯示對應之如表1、表2或表 32的表格，將包含作為f訊之此表格之網頁儲存於祠服器 12。伺服盗12係記憶上述網頁之硬體等之記憶手段。 祠服器12係透過網際網路而與多數之顧客（顧客裝置）^ 連接。亦可使用專用線路取代網際網路。或採用網際網路 與專用線路之組合亦可。 伺服器12係具備有：進行接受來自顧客13對上述網頁之 要求訊息之處理的習知手段；進行在顧客端可顯示之形態 傳达上述網頁之處理的習知手段；進行接受來自傳送上述 網頁之顧客端13其基板光罩之申請訊息之處理的習知手 段。該習知手段係由例如LAN卡、記憶裝置、伺服器軟 體、CPU等所構成，並協調而進行所希望之處理。 伺服器12若接收到來自顧客13對上述網頁之要求訊息 時，則將使如圖3所示之晝面14顯示於顧客13之顯示器上 所必要之資訊傳送給顧客13。於畫面14顯示有：具有如表 1所示之内容之表格15、選擇所希望之基板光罩並加以確 認之確認盒16、及將購入確認盒中所確認之基板光罩之主 曰之决疋傳送至飼服器12之決疋圖像符號（ic〇n) 17。於圖6 中為求簡單，雖顯示出具有如表丨所示内容之表格15，但 O:\100\100106.doc -28- 1286264 亦可使用具有於表2所示之内容或表3所示之内容之表格。 . 依據本實施形態，因可購入將光罩基板夾持於晶圓曝光 裝置之光罩台後平坦度高之光罩基板，實現一種伺服器， 其可有效解決將光罩基板夾持於晶圓曝光裝置之光罩台之 後光罩基板主面平坦度惡化所造成製品生產率降低之問 題。 以上，說明了關於本發明之實施形態，但本發明並非限 • 疋於此類之實施形態。例如，於上述實施形態中凸型形狀 之光罩基板可得良好之結果，但亦有因設置光罩基板之曝 光裝置，而使得凹型形狀之光罩基板反而可得到良好結果 之情形。亦即因真空夾盤後之光罩基板之平坦度，係大大 又到光罩夾盤台及光罩夾盤面之形狀配合的影響，故依所 使用光罩夾盤台而應選擇之光罩主面之形狀會改變。 此外，於上述各實施形態中說明了關於ArF晶圓曝光裝 置用之光罩基板之場合，但亦可利用於其他之光罩基板， •例如KrF晶圓曝光裝置用之光罩基板、真空紫外線曝光用 之反射型光罩基板、X光線曝光用光罩基板、電子線曝光 用光罩基板等。 此外，於上述各實施形態係包含了種種階段之發明，可 由所揭示的複數個構成要件之適當組合’而抽出得到種種 之如月例如，即使由實施形態所顯示之全部構成要件中 削除幾個構成要件，於可解決在發明所欲解決的課題之攔 中所描述之課題之場合時，能夠抽出該構成要件被削除之 構成以作為發明。其他，在不超出本發明之要旨的範圍可

Q:\100\100106.DOC -29- 1286264 進行種種的變形。 [發明之效果] 如以上所說明，依據本發明，可實現有效的曝光光罩之 製造方法、光罩基板資訊產生方法、半導體裝置之製造方 法、光罩基板、曝光光罩及伺服器，其可有效解決將光罩 基板夹持於晶圓曝光裝置之光罩台之後光罩基板主面平坦 度惡化所造成製品生產率降低之問題。

【圖式簡單說明】 【圖1】 圖1係顯示有關本發明之第丨實施形態之曝光光罩製造方 法之流程圖。 【圖2】 圖2(a)係光罩基板1主面之平面圖，亦即為說明第丨及第2 區域之圖式；圖2(b)係為說明光罩基板之第1區域1之圖 式’亦即第1區域1之剖面圖；圖2(c)係為說明光罩基板之 第1區域1之圖式，亦即第1區域1之其他剖面圖；圖2(d)係 為說明光罩基板之第2區域2之圖式，亦即第2區域2之剖面 圖0 【圖3】 圖3 (a)係為說明光罩基板之第1區域1之圖式，亦即第1區 域1之概略立體圖；圖3 (b)係為說明光罩基板之第1區域1之 圖式，亦即第1區域1之其他之概略立體圖；圖3(c)係為說 明光罩基板之第1區域1之圖式，亦即第1區域1之其他之概 略立體圖；圖3(d)係為說明光罩基板之第丨區域丨之圖式， O:\100\100106.DOC -30- 1286264 亦即第1區域1之其他之概略立體圖。 【圖4】 圖4係顯示有關本發明之第3實施形態之曝光光罩之製造 方法的流程圖。· 【圖5】 圖5係顯示有關本發明之第4實施形態之曝光光罩之製造 方法的流程圖。 【圖6】 圖6係顯示有關本發明之第6實施形態之伺服器模式圖。 【主要元件符號說明】 1 第1區域 2 第2區域 11 製作處 12 伺服器 13 14 15 16 17

顧客 畫面 表格 確認盒 圖像符號 O:\100\100106.DOC -31 -

Claims (1)

1286264 %年>^7]丨f日修(更)正本 ’U4107171號專利申請案 中文申請專利範圍替換本(9'6年2月） 拾、申請專利範圍： 種光罩基板資訊產生方法，其特徵在於包含下列步 驟： 藉由測疋裝置取得與光罩基板之主面之表面形狀相關 之第1資訊之步驟；及由上述第i資訊與曝光裝置之光罩 夾持構造之相關資訊，產生在將上述光罩基板裝設於上 述曝光裝置時，藉由模擬所得之與上述主面之平坦度相 關之第2資訊之步驟。 2· —種光罩基板資訊產生方法，其特徵在於包含下列步 驟： 藉由測定裝置取得與光罩基板之主面之表面形狀相關 之第1貝Λ之步驟，及由上述第丨資訊與曝光裝置之光罩 夾持構造之相關資訊，產生在將上述光罩基板裝設於上 述曝光裝置時，藉由模擬所得之與上述主面之平坦度相 關之第2資訊之步驟；且 光罩基板係基於由此第2資訊所得之上述光罩基板之 主面之平坦度而選擇。 3·如請求項！或2之光罩基板資訊產生方法，其中產生與藉 由杈擬所得之上述主面之平坦度相關之第2資訊之步驟 中，配置於光罩台上之光罩基板之配置方向係對互相差 異90度之2方向個別產生。 4· 一種光罩基板資訊產生方法，其特徵在於包含： 關於複數光罩基板之每一個，由藉由測定裝置所測定 之主面之表面形狀之相關資訊與曝光裝置之光罩夾持構 100106-960215.doc 1286264 這之相關資訊，產生在將各光罩基板裝設於上述曝光裝 置時’藉由模擬所得之與上述主面之平坦度相關之資訊 之步驟；且 管理由上述步驟中所產生之資訊所得之上述光罩基板 之主面之平坦度之相關資訊。 5·如睛求項4之光罩基板資訊產生方法，其中藉由對於收 容有各光罩基板之容器，將上述各光罩基板與於上述步 驟藉由模擬所產生之表面形狀相關資訊記載作為上述光 罩基板之主面之平坦度之相關資訊，以進行管理。 6·如請求項1、2、4中任一項之光罩基板資訊產生方法， 其中上述光罩基板上之主面上形成有光罩圖案。 7·如睛求項6之光罩基板資訊產生方法，其中上述光罩圖 案係包含電路圖案或對位圖案之至少一種者。 8·如請求項1、2、4中任一項之光罩基板資訊產生方法， 其中上述光罩基板上預先形成有對位用記號。 9·如請求項1、2、4中任一項之光罩基板資訊產生方法， 其中上述藉由模擬之第2資訊之取得係使用有限元素 法。 1 〇 · —種光罩基板之製造方法，其特徵在於包含下列步驟： 準備於石英基板上形成有遮光體之光罩基板之步驟； 藉由測定裝置取得與上述光罩基板之主面之表面形狀 相關之第1資訊之步驟； 由上述第1資訊與曝光裝置之光罩夾持構造之相關資 訊’產生在將上述光罩基板裝設於上述曝光裝置時，藉 100106-960215.doc -2- !286264 由模擬所传之與上述主面之平坦度相關之第2資訊之步 驟；及 判斷由此第2資訊所得之上述光罩基板之主面之平坦 度是否合乎規袼之步驟。 一 u.-種光罩基板之製造方法，其特徵在於包含下列步驟： 藉由測定裝置取得與光罩基板之主面之表面形狀相關 之第1資訊之步驟； “由上述第1資訊與曝光裝置之光罩夾持構造之相關資 汛，產生在將上述光罩基板裝設於上述曝光裝置時，藉 由模擬所得之與上述主面之平坦度相關之第2資訊之^ 驟；及 判斷從此第2資訊所得之上述光罩基板之主面之平坦 度是否合乎規格之步驟；且 在上述光罩基板之平坦度經判斷不合乎規格時，剝離 上述光罩基板之主面上之遮光體，並於上述基板之主面 形成新遮光體。 12 ·種光罩基板之製造方法，其特徵在於包含下列步驟： 藉由測定裝置取得與光罩基板之主面之表面形狀相關 之第1資訊之步驟； 由上述第1資訊與曝光裝置之光罩夾持構造之相關資 訊’產生在將上述光罩基板裝設於上述曝光裝置時，藉 由模擬所得之與上述主面之平坦度相關之第2資訊之步 驟，及 判斷從此第2資訊所得之上述光罩基板之主面之平坦 100106-960215.doc -3- 1286264 度是否合乎規格之步驟；且 在上述光罩基板之平坦度經判斷不合乎規格時，剝離 上述光罩基板之主面上之遮光體，並於研磨上述基板之 主面後，於上述基板之主面形成新遮光體。 13. 一種光罩基板之檢查方法，其特徵在於包含下列步驟： 藉由測定裝置取得與光罩基板之主面之表面形狀相關 之第1資訊之步驟；及 由上述第1資訊與曝光裝置之光罩夾持構造之相關資 訊’產生在將上述光罩基板裝設於上述曝光裝置時，藉 由模擬所得之與上述主面之平坦度相關之第2資訊之步 驟；且 基於此第2資訊，選擇合乎規格之上述光罩基板。 100106-960215.doc 4