TWI252376B - Server - Google Patents

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1252376 玫、發明說明： 技術領域 本發明係有關於半導體領域之曝光光罩之製造方法、光 罩基板資訊產生料、半料裝置之製造方法、光罩基板 、曝光光罩及伺服器。 先前技術 隨著半導體裝置細微化夕、隹丰^ <進步，ί疋咼了對於光微影製程 之細微化的要東。3^ ，裝置的設計規則已達到0 i 3 ^爪之 :微化：控制之圖案尺寸精度必需要求至10 nm左右極為嚴 密之精度。結果使得近年來使用於半導體製造過程之光微 影製程的課題越來越為顯著。 該課題係針對被使料微影製程之光罩基板平坦度，其 係有關圖案形成製程之高精度化的原因之一。_，伴隨著 細微化而在微影製程眾之焦點公差變小之中，已不得忽視 光罩基板之平坦度。 Q此因本發明者們不斷研究關於光罩基板之平坦度的 結果’可明確瞭解到以下之事項。 因光罩基板之表面形狀有各式各樣，即使是相同的平坦 度，亦有凸型、凹型、鞍型、其他混合型等種種之形狀。 因此，即使為相同的平坦度，藉由真空夾盤夾持光罩基板 於晶圓曝光裝置之光罩台之場合時，因光罩台或真空夾盤 的配合性，在夾持時光罩基板會產生大量變形之場合、幾 乎不k形之場合或相反地平坦度變佳之場合。 此係因夾持後之光罩基板之平坦度係依附於夾持前之光

O:\88\88181.DOC -5- 1252376 罩基板之表面形狀，且即使相同之光罩基板亦會由於進行 真空夾盤之處而有所變化。但由於以往只管理平坦度，因 而不同i光罩基板表面形狀，會因將光罩基板夾持於晶圓 曝光裝置之光罩台後使光罩基板之平坦度會大大地惡化之 情形。 然後，了解到在如此已劣化之平坦度之光罩基板上形成 圖案並使用所得到之曝光光罩來製造半導體裝置係造成製 品生產率的主要原因。 【發明所欲解決之問題】 _ 如上述，本發明者們在比較了將光罩基板夾持於晶圓曝 光裝置之光罩台前後光罩基板的平坦度，確認了依其光罩 基板之表面形狀而有夾持後平坦度變差者的存在，並發現 - 該平坦度的惡化係造成製品生產率降低之主要原因。 k 本發明係考慮上述事項而為者，其目的在於提供一種有 效的曝光光罩之製造方法、光罩基板資訊產生方法、半導 體裝置之製造方法、光罩基板、曝光光罩及伺服器，以解 決由於將光罩基板夾持於晶圓曝光裝置之光罩台造成光罩 基板平坦度惡化，而引起製品生產率降低之問題。 【發明内容】 本發明之第丨視點之曝光光罩之製造方法，其特徵為具有 .取得對複數個光罩基板各個顯示主面之表面形狀之第1資 訊，與顯示於各光罩基板曝光裝置之光罩台其夾持前後^ 前述主面之平坦度之第2資訊之製程；製作前述各光罩基板 - 與該前述第1資訊與前述第2資訊之對應關係，並由所^作 O:\88\88181.DOC -6 - 1252376 之對應關係中選擇顯示所希望之平坦度之製程；與前述複 數個光罩基板分開而準備與該所選擇之第2資訊及於前述 對應關係之第1資訊所顯示之表面形狀具有相同表面形狀 之光罩基板之製程；於該已準備之光罩基板上形成所希望 之圖案之製程。 於本發明之第2視點之曝光光罩之製造方法，其特徵為具 有·對於複數個光罩基板之各個，由其顯示各光罩基板與 各光罩基板之主面之表面形狀之第1資訊，與顯示於各光罩 基板之曝光裝置之光罩台夾持前後之前述主面之平坦度之 第2資訊的對應關係中選擇顯示所希望之平坦度之第2資訊 ，而與前述複數個光罩基板分開而準備具有與該已選擇之 第2資訊具有對應關係之第1資訊所示表面形狀相同之光罩 基板之製程·，於該已準備之光罩基板上形成所希望之圖案 之製程。 於本發明之第3視點之曝光光罩之製造方法，其特徵係具 有對於複數個光罩基板之各個，取得顯示主面表面形狀 之資訊之製程；製作前述各光罩基板與其前述資訊之對應 關係之製程；由所製作之對應關係中選擇顯示凸狀之表面 形狀之貝Λ，並由前述複數個光罩基板中選擇出與該選擇 資訊為處於前料應關係之光罩基板之製程；及在已選擇 之光罩基板上形成所希望之圖案之製程。 於本發明之第4視點之曝光光罩之製造方法，其特徵為具 2次對複數個光罩基板之各個取得顯示主面之表面形狀之 弟1資訊’與顯示由測定裝置所測定之前述主面之平坦度與

O:\88\88181.DOC 1252376 "置之光罩夾持構造而模擬於前述曝光裝置設置各光 罩基板時之前述主面之平坦度之第2資訊之製程；製作前述 各光罩基板與前述第丨資訊與前述第2資訊之對應關係之製 私，由所製作之對應關係中選擇顯示所希望之平坦度第2資 凡且舁别述複數個光罩基板分開而準備具有與為與該選 擇 < 第2資訊為處於前述對應關係之第丨資訊所顯示之表面 形狀相同表面形狀之光罩基板之製程；及於該已準備之光 罩基板上形成所希望之圖案之製程。 於本發明 < 第5視點之曝光光罩之製造方法，其特徵為具 有·由顯示各光罩基板與各光罩基板之主面之表面形狀之 第1貝訊’與顯示由測定裝置所測定之前述主面之平坦度與 曝光裝置之光罩夾持構造而模擬於前述曝光裝置設置各光 罩基板時 < 前述主面之平坦度之第2資訊的對於複數個光 罩基板之對應關係中，選擇顯示所希望之平坦度之第2資訊 ’且與㈤述複數個光罩基板分開而準備具有與為與該選擇 义第2資訊為處於前述對應關係之第1資訊所顯示之表面形 狀相同表面形狀之光罩基板之製程；及於該已準備之光罩 基板上形成所希望之圖案之製程。 於本發明之第6視點之曝光光罩之製造方法，其特徵為具 有：取得顯示光罩基板與光軍基板主面之表面形狀之第1資 訊之製程；取得由前述主面之平坦度與曝光裝置之光罩夾 持構造而模擬於前述曝光裝置設置各光罩基板時之前述主 面之平坦度之第2資訊之製程；及判斷由前述模擬所取得之 則述光罩基板主面之平坦度是否適合其規格，若判斷適合

O:\88\88181.DOC -8- 1252376 其規格則處理前述光罩基板形成曝光光罩之製程 於本發明之第7視點之光罩基板資訊產生方法，其特徵為 具有：對於複數個光罩基板之各個，取得顯示主面之表面 形狀之第1資訊，與顯示於曝光裝置之光罩台夾持前後之寸 述主面平坦度之第2資訊之製程；及對前述各光罩基板鱼: 述第1資訊與前述第2資訊加以對應並記憶製程。

於本發明之第8視點之光罩基板資訊產生方法，其特徵為 具有·對複數個光罩基板之各個，取得顯示主面之表面形 狀，資訊之製程；及在所取得之資訊中，記憶主面表面形 狀顯示為凸狀之資訊及與之對應之光罩基板之製程。> 於本發明〈第9視點之光罩基板資訊產生方法，其特徵為 具有對複數個光罩基板之各個，取得顯示主面之表面形 狀之第1資訊，與顯示由測定裝置所測定之前述主面之平坦 度鉍暴光裝置之光罩夾持構造而模擬於前述曝光裝置設置 各光罩基板時之前述主面之平坦度之第2資訊之製程；及對

前述各光罩基板與前述第1資訊與前述第2資訊加以對應並 記憶之記憶製程。 於本發明之第10視點之半導體裝置之製造方法，其特徵 為具有··將依據上述第〗至第3視點中之一者之製造方法所 製造之曝光光罩夹持於曝光裝置之光罩台上之製程；藉由 照明光學系統照明於前述曝光光罩上所形成之圖案，且將 煎述圖案 < 影像於所希望之基板上成像之製程；及根據前 述成像將前述所希望之基板上形成有前述成像之層加以圖 案化，並使用於半導體元件的形成之製程。 O:\88\88181.DOC -9- 1252376 万；本發明之第u視點之半導體裝置 A目士 k万法，其特微 為:、有.將具備有具主面之基板與包含形成於前 <遮光體之圖案，且前述主面其週邊 荽俞、中甘j 、 飞自0表面形狀係向 ，处土板义邊緣側其高度較前述主面中央 ώ： 4 <衣面高 又為低<曝光光罩，夾持於曝光裝置之光罩台上之製浐· 猎：照明光學系統照明於前述曝光光罩上所形成之圖=: 再藉由投影光學系統將前述圖案之影像於所希望之基=上 成像之製程；及根據前述成像將前述所希望之

—卜 A 7\^ 有前述成像之層加以圖案化，並使用於半導體元件的 之製程。 乂 於本發明〈第12視點之光罩基板，其特徵為··具備有具 王面<基板與覆蓋前述主面之遮光體，前述主面週邊區域 的表面形狀係向著前述基板之邊緣部，其高度較前述主面 中央區域之表面為低。 於本發明之第13視點之曝光光罩，其特徵為··具備有具 主面之基板與包含在前述主面上所形成之遮光體之圖案， 則述王面週邊區域的表面形狀係向著前述基板之邊緣側， 其高度較前述主面中央區域之表面為低之形狀。 於本發明之第14視點之伺服器，其特徵為具備有··進行 記憶包含顯示對應關係資訊網頁之處理的手段，上述對應 關係顯示各光罩基板與各光罩基板之主面表面形狀之第i 資訊與顯示於各光罩基板曝光裝置之光罩台其夾持前後之 岫述主面之平坦度之第2資訊之對於複數個光罩基板之對 應關係；進行接收來自顧客對前述網頁之要求之訊息之處 O:\88\88181.DOC -10- 1252376 里的手#又，進仃於顧客側以可顯示之形態傳送前述網頁之 處理的手段，及進行接收來自傳送前述網頁之前述顧客之 月’j述光罩基板申請訊息之處理的手段。 、子本毛月之上述及其他目白勺，以及新穎特徵，可藉由本 說明書之記載及添附之圖式而明瞭。 【實施方式】 以下參照圖式說明本發明之實施之形態（以下，稱為實施 形態）。 ' (弟1實施形態） 圖1係顯示有關本發明之第丨實施形態之曝光光罩之製造 方法之流程圖。 首先，準備以152 mm的角於厚約6 mm之石英基板上形成 月吴覆盍其 < 遮光體的模而成之u片光罩基板Α〜κ，對該等 光罩基板Α〜Κ，藉由基板平坦度測定裝置（尼得克公司製） 測定主面，取得於曝光裝置之光罩台藉由真空央盤夾持前 的11片光罩基板A〜κ主面之表面形狀及平坦度（步驟S1)。 在此，測定於圖2(a)中去除光罩基板之邊緣區域142 mm 角區域（第1區域）1之平坦度。第1區域1係實際上形成圖案之 圖案形成區域。 另外’於該實施形態，第1區域1之表面形狀為凸、凹係如 圖2(b)、圖2(c)分別所示，意味著對於連結第丨區域丨之兩端的 線L1，上為凸下為凹之形狀。圖3(a)、圖3(b)分別顯示表面 形狀上為凸、下為凹之概觀。 另一方面’第2區域2之表面形狀為凸或凹，係如圖2(幻 O:\88\88181.DOC -11 - 1252376 所不’意味著向著光罩基板之邊緣部，其高度較第巧域工 之表面為低之形狀（凸）或變高之形狀（凹）。又，於第2實施 形態詳細敘述有關第2區域2。 其次，根據上述取得之結果，將u片光罩基板Α〜κ各個 ，分類成主面表面形狀的各個種類（步騾S2)。其結果顯示 於表1。表面形狀之種類（第丨資訊）由上述測定結果可分類為 凸型、凹型、鞍型、魚板型4種。另外，於光罩台夾持前之 第1區域1之平坦度的測定值（第2資訊）係控制於〇 4 #m〜〇.5 μπι之範圍。於圖3(c)、圖3(d)係分別顯示出表面形狀為鞍型 、魚板型者之概觀。 【表1】 光罩基板 夾持前之平坦度(μιη) 夾持前之表面形狀 夾持後之平坦/Κμπι) A 0.5 凸 0.4 B 0.4 凸 0.4 C 0.45 凸 0.4 D 0.5 凹 0.8 E 0·5 凹 1.0 F 0.4 鞍 0.9 G 0.5 鞍 0.9 Η 0.4 魚板 0.4 I 0.5 魚板 0.4 J 0.5 魚板(旋轉90度） 0.2 K 0.5 魚板(旋轉90度） 0.3 O:\88\88181.DOC -12- 1252376 接著，於ArF晶圓曝光裝置（尼康公司製）之光罩台，藉由 真空夾盤依序夾持上述丨丨片光罩基板Α〜κ，並進行測定以 真空夾盤夾持後各光罩基板主面的平坦度（步騾S3)。在此 ，測定去除光罩基板之邊緣區域142 mm角之第丨區域丨（圖 2(a))之平坦度。其後如表丨所示，關於u片光罩基板a〜κ， 製作表面形狀之種類與以真空夾盤夾持前後之平坦度之值 的對應關係（步騾S4)。 由表1得知，表面形狀為凸型之光罩基板A〜c其夹持後之 平坦度係與夾持前相同或稍微變好，但表面形狀為凹型及 鞍型之光罩基板D〜G之平坦度於夾持後呈現惡化。 另外，關於表面形狀為魚板型之光罩基板，係將在光罩 台上之光罩基板之配置方向對於夾持而配置於特定之方向 者（光罩基板Η、1)，及與該特定方向正交之方向，即於使 其旋轉90度之方向配置並變更被夾持之光罩基板處者（光 罩基板J、Κ)，進行測定平坦度。 其結果如表1所示，可得知魚板型光罩基板Η〜κ其真空夾 盤後之平坦度係因對夾持之光罩基板之配置方向而改變。 亦即，可得知魚板型光罩基板Η〜κ其真空夾盤後之平坦 度亦會因被真空夾盤後之光罩基板位置而改變。 具體而言，如光罩基板，若將於光罩台上之光罩 基板之配置方向配置於對於夾盤之特定之方向，則魚板型 <弧度邊緣會碰觸到曝光裝置之光罩台之夾盤，其平坦戶 幾乎無法改善，但另一方面，若如光罩基板卜κ般使並= 置於旋轉90度之方向，其魚板型之孤度邊緣不會碰觸到曝

O:\88\88181.DOC -13- 1252376 光裝置之光罩台之夾盤，而平坦度會成為〇3 以下，可 確認到平坦度已改善（表υ。另外，其他表面形狀之光罩基 板Α〜G作旋轉者未顯示於表丨，係因了解到即使令其旋轉亦 無法改善其平坦度之故。 其次，如上述，由預先知曉之真空夹盤夾持前後之表面 形狀的種類及平坦度的值之包含Π片光罩基板a〜k之光罩 基板群中，與U片光罩基板Α〜Κ分開地準備具有合乎規格 之平坦度之光罩基板及具相同種類之表面形狀之光罩基板 (y % S5)在此，對於该分開準備之光罩基板，係選擇與 光罩基板J相同形狀之場合作說明。 另外，光罩基板A〜K及上述分開準備之光罩基板，係其 圖案形成區域之平坦度控制於特定之規格内所形成者，而 表面形狀的不同則是因離散所造成。 接著，於上述分開準備之光罩基板上塗保護膜。 <後，繼續眾所皆知之曝光光罩之製造製程。即藉由電 子線描繪裝置於光罩基板上之保護膜描繪出所希望之圖案 。接著將保護膜顯像而形成保護膜圖案，其次以該保護膜 圖案作為光罩，藉由反應性離子姓刻裝置進行光罩基板遮 ^體之_加工而形成遮光體圖案。然後，剥離保護膜圖 案，進行清洗光罩基板表面，而完成形成有所希望之光罩 圖案之曝光光罩（步驟S6)。又上述所希望之圖案係包含電 路圖案或包含電路圖案及對位用之圖案。 —將如此所得到之曝光光罩設置於ArF晶圓曝光裝置，並測 疋王面平坦度’可確認到G.2㈣之良好值。’然後，若採用

O:\88\88181.DOC -14- 1252376 將如此平坦度高之曝光光罩夾持於曝光裝置之光罩台上， 再藉由照明光學系統照明於上述之曝光光罩上所形成之圖 案’而以投影光學系統在所希望之基板上成像上述圖案之 曝光方法，則晶圓曝光時之焦點公差會格外的增加並大幅 提高DRAM等之半導體製品之生產率。 如此依據本實施形態，可實現一種有效的曝光光罩之製 造方法，其可解決因將光罩基板夾持在晶圓曝光裝置之光 罩台上後光罩基板之主面平坦度惡化，所引起製品生產率 降低之問題。 光罩基板A〜K及上述分開準備之光罩基板，其對位用記 號亦可預先形成。又將光罩基板夾持於光罩台之手段並不 限定於真空夾盤。 (第2實施形態） 第1實施形態中僅對圖2(a)所示之光罩基板1之主面之第1 區域1取得表面形狀及平坦度（步驟S1)，但於本實施形態中 係分別對第1區域1及包圍該第丨區域丨之第2區域2的2個區 域取得表面形狀及平坦度。 在此，第1區域1係以光罩基板中心作為區域之中心，為 一邊長為142 mm之矩形形狀的區域，而第2區域2則為包圍 该第1區域丨，且一邊長為15〇 mm之嘴巴形狀之區域（由矩形 开y狀之區域中除去以該矩形形狀之區域中心為區域之中心 之較其為小之矩形形狀區域的區域）。藉由將光罩基板工設 置方、曝光裝置之光罩台時之真空夾盤，其被夾持的區域（光 罩夾持區域）幾乎包含於第2區域2。即在第2區域2為了夾持

O:\88\88181.DOC -15- 1252376 光罩基板於光罩台之力量幾乎全部起了作用。 在以往的技術延長線上，不僅圖案形成區域，若 ㈣光罩爽持區域之平坦度’則成為擴大第i區域i，藉此 f理包含了光罩夾持區域之區域平坦度。 但在目前之光罩製造技術中，要將光罩基w之主面全體 平坦化非常困難’現況為其光罩基w之主面平坦度於邊緣 部急遽地惡化，為此，若擴大第！區域i，則其光罩基板以 中心部的平坦度雖可，㈣光罩基板丨之邊緣部的平坦度變 差’故會降低對群基w之主面全體之平坦度的測定結果 。因此，於本實施形態中如上述係對包含光罩中心之第^區 域1，及包圍該第i區域丨之第2區域2的2個區域取得表面形 狀及平坦度。 以基板平坦度測定裝置（NI公司製），測定於152 mm的角 而厚約6 mm之石英基板上形成遮光體而成之光罩基板的主 面平坦度及表面形狀，並準備第丨區域丨之平坦度及表面形 狀弟2區域2之平坦度及表面形狀其準備各自不同之I]片 光罩基板A〜M。 接著，於ArF晶圓曝光裝置（尼康公司製）依序設置該丨3片 光罩基板A〜Μ，測定經由真空夾盤進行夾持後之各光罩基 板之主面的平坦度。 其次，製作有關13片光罩基板Α〜]VI其表面形狀之種類及 經由真空夾盤夾持前後之第丨及第2區域之平坦度之值的對 應關係。其結果顯示於表2。 【表2】 O:\88\88181.DOC -16- 1252376 第1區域(夬持前） 第2區域(夾持前） 第1區域(夾持後) 光罩基板 平坦度(μηι) 表面形狀 平坦度〇um) 表面形狀 平坦度(/zm) A 0.3 凸 4 凸 0.3 B 0.3 凸 3 凹 1.5 C 0.35 凸 4 魚板 0.6 D 0.35 凸 4 魚板(90度旋轉） 0.3 E 0.35 凸 4 鞍 1.0 F 0.35 凹 4 凸 0.3 G 0.35 凹 4 凸 0.8 Η 0.35 凹 4 魚板 0.8 , I 0.35 凹 —4 魚板(90度旋轉） 0.4 ---—--- J 0.35 凹 4 鞍 0.9 K 0.5 鞍 3 鞍 1.0 L 0.5 魚板 3 魚板 0.9 M 0.4 魚板 3 魚板(90度旋轉） 0.4 1 3片光罩基板A〜M之第1及第2區域之表面形狀係分類為 凸型、凹型、鞍型及魚板型4種。表面形狀為單純的凸型形 狀之光罩基板A之第1及第2區域之表面形狀皆為凸。另一方 面’如附有帽簷之帽子般的光罩基板B之表面形狀，於第i 區域為凸而在第2區域則為凹。 由表2得知，以真空夾盤因夾持而造成第1區域之平面形 狀惡化之光罩基板，其第2區域之表面形狀有凹型及鞍型者 。另外’表面形狀為魚板型之光罩基板C、d、H、I、；l、m O:\88\88181.DOC -17- 1252376 Q光罩口上之光罩基板之配置方向不同，而顯示不同結 果。 具m而g ’若將光罩台上之光罩基板之配置方向配置於 對於夾盤之特定之方向，則魚板型之弧度邊緣會碰觸到曝 光裝置之光罩台之夾盤而降低平坦度，但若配置於使其旋 轉90度之方向上，則其魚板型之弧度邊緣不會碰觸到曝光 裝置之光罩台之夾盤，而平坦度變為〇·4 μιη以下，可確認 配置於孩方向（使其旋轉90度）上幾乎全部之光罩基板的平 坦度均被改善。 另外，亦可確認藉由真空夾盤之夾持後之第丨區域之平坦 度係與夹持前之第1區域之表面形狀幾乎無關。亦即在藉由 真芝爽盤之夾持前後之光罩基板主面之形狀變化幾乎是由 第2區域之表面形狀所決定。 此外，將第2區域之平坦度與第丨區域之平坦度比較，儘 管數值為格外的差，但可確認第2區域之表面形狀為凸之場 合，其藉由真空夾盤之夾持後之光罩基板之第丨區域之表面 形狀幾乎無變化。 由以上事項，藉由對複數個光罩基板製作其第丨區域丨及 第2區域2之表面形狀之種類，與經由真空夾盤夹持前後之 光罩基板主面之平坦度之值的對應關係、，彳使為管^Μ 夾盤區域無須擴展到必要以上，第丨區域丨之平坦度不需要 其必要以上之嚴苛值而可採用現實之值，並且，考慮第2區 域2之表面形狀，可更確實選擇藉由真空夾盤之夾持、前後之 光罩基板主面平坦度變化少之光罩基板。 O:\88\88181.DOC -18- 1252376 其次如上述’由預先知曉之真空夾盤夾持前後之第1區域 1’及第2區域2表面形狀的種類及及光罩基板主面夾持後平 坦度的值之包含13片光罩基板A〜M之光罩基板群中，與13 片光罩基板A〜Μ分開地準備具有合乎規格之平坦度之光罩 基板及具相同種類之表面形狀之光罩基板。 在此，該分開準備之光罩基板，係準備與光罩基板F為相 同表面形狀（第1區域為凹、第2區域為凸）之物。於測定該光 罩基板後，第1區域之平坦度為〇·3 μιη以下，而第2區域之 平坦度為4 μηι以下。 其次，於光罩基板上塗保護膜。 之後，繼續習知之製造方法之曝光光罩之製造製程。即 藉由電子線描繪裝置於光罩基板上之保護膜描繪出所希望 之圖案。接著對保護膜加以顯影而形成保護膜圖案，其次 將該保護膜圖案作為光罩藉由反應性離子蝕刻裝置進行光 罩基板遮光體之蝕刻加工並形成遮光體圖案。然後，剥離 保濩膜圖案，接著進行清洗光罩基板表面，完成形成有所 希望之光罩圖案之曝光光罩。又上述所希望之圖案係包含 電路圖案者，或包含電路圖案及對位用之圖案。 將如此得到之曝光光罩設置於ArF晶圓曝光裝置並在測 定第1區域之平坦度，可確認到〇·2 μηι之良好的平坦度。然 後藉由將如此而平坦度之曝光光罩夾持於曝光裝置之光 罩台上’以照明光學系統照明上述之曝光光罩上所形成之 圖案，採用藉由投影光學系統形成上述圖案之圖像於所希 望之基板（例如被塗有保護膜之基板）上之曝光方法，則晶圓

O:\88\88181.DOC -19- 1252376 曝光時ι焦點公差會格外的增加，並大幅提高dram等之 . 半導體製品之生產率。 如此本實施形態亦與第丨實施形態相同，可提供一種曝光 光罩之製造方法，可有效解決將光罩基板夾持於晶圓曝光 裝置之光罩台之後光罩基板之主面平坦度的惡化所造成之 製品生產率降低之問題。 光罩基板A〜Μ及上述另外準備之光罩基板，其對位用記 號亦可是預先所形成的。又將光罩基板夾持於光罩台之手 段並未限定於真空夾盤。 φ 、另外，由表2得知，第2區域之表面形狀為凸狀者則由真 丄夾盤夾持叙第i區域之平坦度良好，故亦可使用製作第 2區域《表面形狀為凸狀之光罩基板或曝光光罩而加以使 用之方法。 、於第2區域’具有如上述之表面形狀，即凸狀之光罩基板 或曝光光罩’例如於石英基板之邊緣區域或較其更内側之 ，域（中央區域）中’其中央區域部份可由利用快速研磨率㊉ 仔到。具體而言’可藉使用研磨裝置而以較以往更長的時 間來研磨石英基板主面而得到。之後，依習知之方法形成 遮光體膜而得光罩基板’此外以進行遮光體之圖案形成可 得曝光光罩。 然後，將形成具有如此之特定之表面形狀（此處為凸）之帛 2區域之曝光光罩夾持於曝光裝置之光罩台上，藉由照明光 學系統照明上述曝光光罩上所形成之圖案，而採用藉由投-影光學系統在所希望之基板（例如被塗有保護膜之基板）上

O:\88\88181.DOC -20- 1252376 將上述圖案之圖像成像之曝 +先万法，則與第1實施形態相同 ’其晶圓曝光時之焦點公差备 ^ θ格外的增加並大幅提高 dram等之半導體製品之生產率。 尺加扠门 :外“任為使王面〈全體儘量變平坦而會進行研磨石 英基板:因此，為不使研磨比例差異顯著，並未刻意控制 加長研磨時間。所以，即使 使因研曆 < 離散使其第2區域之表 面形狀成為凸或凹，其程声十去二士、 、％度亦較本實施形態之光罩基板及 曝光光罩明顯的小。 (第3實施形態） 以實施形態中_用㈣’取得相μ藉由真空爽盤 夾持後之光罩基板之主面之表㈣狀之光罩基板之主面之 表面形狀。 首先，藉由基板平坦度測定裝置（ΝΙ公司製）測定圖案形 成區域（圖2⑷之第i區域狀平坦度，而求出以152麵角而 厚約6 mm之石錢板上形錢光體而成之光罩隸之主面 之表面形狀及平坦度，並準備表面形狀及平坦度各自不同 之13片光罩基板a〜Μ。 其次，由ArF晶圓曝光裝置（尼康公司製）之光罩夾盤構造 ，及上述13片光罩基板a〜μ之主面其上述所測定之平坦度 ，使用有限元素法，以模擬取得在ArF晶圓曝光裝置之光罩 台藉由真空夾盤依序夾持上述13片光罩基板a〜m時之光罩 基板A〜Μ之主面平坦度。又，亦可使用解析的方法代替有 限元素法。接著，為確認該模擬是否正確，藉由真空夾盤 依序實際地夾持上述之13片光罩基板Α〜μ於上述晶圓 O:\88\8818I.DOC -21 - 1252376 曝光裝置，並進行測定藉由真空夾盤夾持後之各光罩基板 之主面之之平坦度。結果，由模擬所得到之光罩基板A〜M 其主面之平坦度，與以實際上設置於ArF晶圓曝光装置之基 板平坦度測定裝置測定所得到之光罩基板A~M其主面之$ 坦度，係如表3所示，可確認在光罩基板A〜M幾乎是所有光 罩基板中，只有0· 1 μηι以下之差。 【表3】 光罩基板 光罩基板主面 之測定資料 由模擬所得之平ie度 實際夾持後之平坦唐 平坦度〇xm) 表面形狀 平坦度(μιη) 平坦度(Mm) A 0.3 凸 0.3 0.3 B 0.3 凸 1.5 --------- 1.5 C 0.35 凸 0.6 0.6 D 0.35 凸 0.3 0.3 E 0.35 凸 1.0 1·0 F 0.35 凹 0.5 0.3 G 0.35 凹 0.7 0.8 Η 0.35 凹 0.8 0.8 I 0.35 凹 0.5 0.4 J 0.35 凹 0.9 0.9 K 0.5 鞍 1.3 1.0 L 0.5 魚板 0.9 0.9 Μ 0.4 魚板 0.4 0.4 即，關於光罩基板，製作前述實施形態中之表面形狀種 O:\88\88181.DOC -22- 1252376 顽興藉由真空夹盤夾持前後之平坦度之值的對應關係時， 可將精由真空夾盤夾持前後之平坦度之值置換成利用模擬 所取仔之值。 由琢結果，藉由基板平坦度測定裝置（NI公司製）測定圖 木开y成區域（圖2(a)之第1區域丨）之平坦度且求出光罩基板 王面<表面形狀，接著，由曝光裝置之光罩夾盤構造及已 取知I光罩基板之主面之上述平坦度，而模擬真空夾盤依 序將光罩基板夾持於曝光裝置之光罩台時之光罩基板之主 面 < 表面形狀，可預測出實際上將光罩基板設置於晶圓曝春 光裝置時之光罩基板主面之表面形狀。因此，可進行較以 往格外南精度之光罩基板主面之表面形狀及平坦度之管理 〇 圖4係顯示有關本發明之第3實施形態之曝光光罩之製造 ’ 方法的泥程圖。於圖4之流程圖中，在步騾S3，係利用模擬 取得藉由真空夾盤夾持光罩基板時之光罩基板之主面之表 面形狀。然後在步驟S4，製作表面形狀、使用基板平坦度 鲁 測足裝置所取得之平坦度及利用模擬所取得之平坦度之對 應關係。關於步騾S1、S2、S5、S6係於圖1之流程圖相同。 其次’在步驟S5與上述13片光罩基板A〜Μ分開準備以下 光罩基板：基板主面之表面形狀由基板平坦度測定裝置測 定’且藉由真空夾盤依序將光罩基板夾持於曝光裝置之光 罩台時之光罩基板主面之表面形狀藉由模擬得知變為0.2 μηι之平坦度者。 之後，在步驟S6繼續習知之製造方法之曝光光罩之製造 O:\88\88181.DOC -23- 1252376 製程。亦即藉由電子線騎裝置於料基板上之保護膜描 、，會出所希望《®案。接著對保護膜進行顯像以形成保護膜 圖案’其次將該保護膜圖案作為光罩而藉由反應性離子姓 =裝置進㈣罩基板遮光體之姓刻加工’並形成遮光體圖 案（光罩圖案）。之後，剥離保護膜圖案，接著進行清洗光罩 基板表面，完成形成有所希望之光罩圖案之曝光光罩。將 孩曝光光罩實際設置於ArF晶圓曝光裝置且使用基板平坦 度測定裝置測定其主面之表面形狀及平坦度後，可確認到 如同模擬得之0.2 Mm之良好平坦度。然後，若將如此高平 坦度之曝光光罩夾持於曝光裝置之光罩台上，再藉由照明 光學系統知、明在上述曝光光罩上所形成之圖案，而採用藉 由投影光學系統在所希望之基板（例如被塗有保護膜之基 板）上將上述圖案之像成像之曝光方法，則晶圓曝光時之焦 點公差會格外的增加，並大幅提高DRAM等之半導體製品 之生產率。 如此，本實施形態亦與第1實施形態、第2實施形態相同 ，可實現一種有效的曝光光罩之製造方法，其可解決將光 罩基板夾持於晶圓曝光裝置之光罩台之後光罩基板主面平 坦度惡化所造成製品生產率降低之問題。 光罩基板A〜Μ及上述另外準備之光罩基板，其對位用記 號亦可預先形成。又，將光罩基板夾持於光罩台之手段並 未限定於真空夾盤。 於上述之各實施形態，例如晶圓曝光裝置非為ArF晶圓曝 光裝置亦可。另外，亦可於光罩圖案形成後，更測定光罩 O:\88\88181.DOC -24· 1252376 基板主面之平坦度，由其測定資料以模擬取得設置光罩基 ， 板於曝光裝置時之光罩基板主面之表面形狀。藉此，由於 光罩圖案形成時所產生之光罩基板主面的變形亦會考慮在 以模擬所取得之結果中，故可進行更高精度之光罩基板主 面之表面形狀及平坦度的管理。此外，光罩並不限定於ArF 用或KRF用者，亦可適用於例如真空紫外線曝光用之反射 型光罩、X光線曝光用光罩、電子線曝光用光罩等。 (第4實施形態） 馨 於本實施形態中，係藉由模擬取得相當於藉由真空夾盤 夾持後之光罩基板主面之表面形狀的光罩基板之主面的表 面形狀。 圖5 _不有關本實施形態之曝光光罩之製造方法的流程 圖。 在步驟s 1，藉由以基板平坦度測定裝置（NI公司製）測定 圖案形成區域（圖2(a)之第1區域丨）之平坦度，而求出於152 mm角且厚約6 mm之石英基板上形成遮光體而成之丨片光罩馨 基板主面之表面形狀及平坦度。 其次，於步驟S2，由ArF晶圓曝光裝置（尼康公司製）之光 罩夹‘構k及上述丨片光罩基板主面之上述所測定之平坦 度使用有限疋素法，利用模擬取得藉由真空夾盤依序夾 持上逑1片光罩基板於ArF晶圓曝光裝置之光罩台時之光罩 基板王面艾平坦度。又，亦可使用解析的方法取代有限元 · 素法。 接著，於步驟S3，判斷藉由模擬所取得之前述光罩基板

O:\88\88181.DOC -25- 1252376 主面之平坦度是否適合其規格，若判斷為適合其規格之場 合時則於步驟S4進入曝光光罩之製造製程。 另一方面，於步騾S3判斷上述光罩基板之平坦度不適合 規格之場合時，則於步驟35剥離上述光罩基板之石英基板 上的遮光體膜。接著，於步驟S6研磨石英基板之表面。接 著’於步驟S 7在石英基板研磨後之表面上重新形成遮光體 膜，並重回步騾S 1測定平坦度。 本實施形態亦與第1實施形態、第2實施形態、第3實施形 態相同，可實現一種有效的曝光光罩之製造方法，其可解 決將光罩基板夾持於晶圓曝光裝置之光罩台之後光罩基板 主面平坦度惡化所造成製品生產率降低之問題。 另外’上述光罩基板其對位用記號亦可預先形成。又， 將光罩基板夾持於光罩台之手段並未限定於真空夾盤。 此外’例如晶圓曝光裝置非ArF晶圓曝光裝置亦可。另外 ’亦可於光罩圖案形成後再次測定光罩基板主面之平坦度 ，由其測定資料，以模擬取得設置光罩基板於曝光裝置時 之光罩基板主面之表面形狀。藉此，由於光罩圖案形成時 所產生之光罩基板主面的變形亦會考慮在以模擬所取得之 結果中，故可進行更高精度之光罩基板主面之表面形狀及 平坦度的管理。此外，光罩並不限定於ArF用或KRF用者， 亦可適用於例如真空紫外線曝光用之反射型光罩、X光線曝 光用光罩、電子線曝光用光罩等。 (第5實施形態） 其次，說明有關本發明之第5實施形態之光罩基板資訊產 O:\88\88181.DOC -26- 1252376 生方法。 、本實施形態之光罩基板資訊產生方法係具備有 《η片光罩基板a〜κ之各個’依照圖!之流 S3，U曰士工、走 例如步驟S1〜 .3取仔王面《表面形狀與夹持前後主面之平坦 ，及關於11片光罩基板Α〜κ，製作如表 :主 表面形狀之種類與平坦度的值之對應關係之製程 ^ 對應記憶於電腦（PC)等之製程。 、以 此外二亦可將記憶於電腦(PC)等之上述對應加以顯示。 具體而言，例如於收容有11片光罩基板A〜K之容器上貼上 印刷有顯示内容之貼紙亦可。 藉由對上述對應採用如此之顯示方法，則可容易管理可 解決將光罩基板夹持於晶圓曝光裝置之光罩台之後光罩基 板主面平坦度惡化所造成製品生產率降低之問題的光罩i 板。 此外，於圖1之流程圖中之步驟S2之後，藉由將在圖工之 流程圖之步驟S2所取得之資訊中顯示主面之表面形狀為凸 狀之資訊，及與其對應之光罩基板加以對應，並將該對應 記憶於電腦（PC)等，而可進行與本實施形態之光罩基板資 汛產生方法不同之其他光罩基板資訊產生方法。此時亦與 本實施形態之光罩基板資訊產生方法相同，對於該對應， 藉由貼紙等顯示’同樣地可易於進行光罩基板之管理。 在此’舉表1之11片光罩基板A〜K為例說明關於光罩基板 資訊產生方法，但對於表2之13片光罩基板A〜μ亦可進行同 樣的光罩基板資訊產生。 O:\88\88181.DOC -27- 1252376 具有於表2所示之内容或表3所示之内容之表格。 依據本實施形態，因可購入將光罩基板夾持於晶圓曝光 裝置之光罩台後平坦度高之光罩基板，實現一種伺服器， 其可有效解決將光罩基板夹持於晶圓曝光裝置之光罩台之 後光罩基板主面平坦度惡化所造成製品生產率降低之問題 〇 以上’說明了關於本發明之實施形態，但本發明並非限 疋於此類之實施形態。例如，於上述實施形態中凸型形狀 <光罩基板可得良好之結果，但亦有因設置光罩基板之曝 光裝置，而使得凹型形狀之光罩基板反而可得到良好結果 之情形。亦即因真空夾盤後之光罩基板之平坦度，係大大 又到光罩夾盤台及光罩夾盤面之形狀配合的影響，故依所 使用光罩夾盤台而應選擇之光罩主面之形狀會改變。 此外，於上述各實施形態中說明了關於ArF晶圓曝光裝置 用之光罩基板之場合，但亦可利用於其他之光罩基板，例 如KrF晶圓曝光裝置用之光罩基板、真空紫外線曝光用之反 射型光罩基板、X光線曝光用光罩基板、電子線曝光用光罩 基板等。 此外，於上述各實施形態係包含了種種階段之發明，可 由所揭示的複數個構成要件之適當組合，而抽出得到種種 、發月例如，即使由實施形態所顯示之全部構成要件中 削除幾個構成要件，★人Ii + @ n 脊午万；了解決在發明所欲解決的課題之攔 中所描述之課題之場合時，能夠抽出該構成要件被削除之

構成以作為發明。豆# A ，、他，在不超出本發明之要旨的範圍可

O:\88\88181.DOC -29- !252376 進行種種的變形。 [發明之效果] 如以上所說明，依據本發明，可實現有效的曝光光罩之 製造万法、光罩基板資訊產生方法、半導體裝置之製造方 去、光罩基板、曝光光罩及伺服器，其可有效解決將光罩 基板夫持於晶圓曝光裝置之光罩台之後光罩基板主面平坦 度惡化所造成製品生產率降低之問題。 【圖式簡單說明】 【圖1】 圖1係顯示有關本發明之第1實施形態之曝光光罩製造方 法之流程圖。 【圖2】 圖2(a)係光罩基板1主面之平面圖，亦即為說明第丨及第2 區域之圖式；圖2(b)係為說明光罩基板之第1區域1之圖式， 亦即第1區域1之剖面圖；圖2(c)係為說明光罩基板之第1區 域1之圖式，亦即第丨區域丨之其他剖面圖；圖2(d)係為說明 光罩基板之第2區域2之圖式，亦即第2區域2之剖面圖。 【圖3】 圖3(a)係為說明光罩基板之第1區域1之圖式，亦即第^區 域1之概略立體圖；圖3(b)係為說明光罩基板之第丨區域工之 圖式，亦即第1區域1之其他之概略立體圖；圖3((：)係為說明 光罩基板之第1區域丨之圖式，亦即第1區域1之其他之概略 立體圖；圖3(d)係為說明光罩基板之第}區域丨之圖式，亦即 第1區域1之其他之概略立體圖。 O:\88\88181.DOC -30- 1252376 【圖4】 圖4係顯示有關本發明之第3實施形態之曝光光罩之製造 方法的流程圖。 【圖5】 圖5係顯示有關本發明之第4實施形態之曝光光罩之製造 方法的流程圖。 【圖6】 圖6係顯示有關本發明之第6實施形態之伺服器模式圖。 【圖式代表符號說明】 1 ......第1區域 2 ......第2區域 11.. .·製作處 12.. ..伺服器 13.. ..顧客 14____畫面 15.. .·表格 16 —確認盒 17.…圖像符號 O:\88\88181.DOC -31 -

Claims (1)

1252376 拾、申請專利範園： L 一種伺服器，係具有·· 進行a k、包含頒示對應關係資訊之網頁之處理的手 羊又上述對應關係顯示各光罩基板與各光罩基板之主面 表面形狀之第丨資訊與顯示於各光罩基板曝光裝置之光 罩台其夾持前後之前述主面之平坦度之第2資訊之對於 複數個光罩基板之對應關係； 進行接受來自顧客對前述網頁之要求之訊息之處理 的手段； 進行於顧客側以可顯示之形態傳送前述網頁之處理 的手段； 進仃接受來自傳送前述網頁之前述顧客之前述光罩 基板申請訊息之處理的手段。 O:\88\88181.DOC