WO2006078025A1

WO2006078025A1 - 計測方法、計測システム、検査方法、検査システム、露光方法及び露光システム

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Publication number: WO2006078025A1
Application number: PCT/JP2006/300988
Authority: WO
Inventors: Shinichi Okita
Original assignee: Nikon Corporation
Priority date: 2005-01-24
Filing date: 2006-01-24
Publication date: 2006-07-27
Also published as: JPWO2006078025A1; KR101193432B1; TWI402890B; KR20070100866A; JP5278719B2; TW200644078A

Abstract

　レチクル計測機にレチクルをロードし（ステップＳ５０）、レチクル計測機のレチクルホルダに保持された状態でのレチクルの面形状を事前に計測する（ステップＳ５２）。レチクル計測機のレチクルホルダと露光装置のレチクルホルダとの面形状差が既知であるため、計測結果にこの面形状差分を加味して、露光装置のレチクルホルダに保持された状態と等価な状態でのレチクルの面形状を算出することができる（ステップＳ５６）。算出された面形状は、例えば、露光時の結像状態の補正に用いられる。

Description

明細書

計測方法、計測システム、検査方法、検査システム、露光方法及び露光システム技術分野

[0001] 本発明は、計測方法、計測システム、検査方法、検査システム、露光方法及び露光システムに係り、さら〖こ詳しくは、露光に用いられる物体の平坦度に関する情報を計測する計測方法及びシステム、露光に用いられる物体上の異物又は一部の欠陥を検査するための検査方法及びシステム、該計測方法及び検査方法を用いた露光方法及び露光システムに関する。

背景技術

[0002] 半導体素子、液晶表示素子等を製造するためのリソグラフイエ程では、マスク又はレチクル (以下「レチクル」と総称する）に形成されたパターンを、投影光学系を介してレジスト等が塗布されたウェハ又はガラスプレート等の基板 (以下、「ウェハ」と総称する）上に転写する露光装置、例えばステップ'アンド'リピート方式の縮小投影露光装置（いわゆるステツノ）や、このステツパに改良をカ卩えたステップ'アンド'スキャン方式の走査型投影露光装置 (いわゆるスキャニング'ステツバ）等の逐次移動型の投影露光装置 (以下、「露光装置」と略述する）が主として用いられて！/ヽる。

[0003] この種の投影露光装置の投影光学系においては、限界に近い解像力が求められているため、近年では、その解像力を高めるべく投影光学系の開口数 (NA)が大きく設定されるにつれて焦点深度 (DOF)が力なり浅くなつてきており、投影光学系の光軸方向に関し、ウェハの露光面をその焦点深度内に位置させるフォーカス'レベリング制御に対する要求精度が厳しくなつてきている。

[0004] このような状況では、レチクルの微小な変形も見逃すことができな、。例えば、仮にレチクルのパターン領域の面 (パターン面）がほぼ一様に投影光学系側に橈んでいる場合に、投影光学系の光軸方向に関するウェハの目標位置をパターン領域全面で同じとしてしまうと、露光面が DOFからはずれて部分的にデフォーカスが発生してしまう。 [0005] また、レチクルのパターン面が変形すると、そのパターン面上のパターンの投影光学系の光軸に垂直な方向の結像位置も変化 (横ずれ)することがあり、このようなバタ一ンの横ずれはディストーション誤差の要因にもなる。

[0006] 以上のような背景から、レチクル平坦度のより精密な管理が要求されるようになってきて、る。例えばレチクルホルダにおけるレチクルの保持方法を工夫したりする技術はその一例である（例えば、特許文献 1)。また、要求されるパターンの転写精度に応じたレチクルの平坦度に関する規格が厳格に規定されており、例えばレチクル表面の最大値と最小値との差として表現される平坦度が 0. 5ミクロン以内であることがその合格基準として採用されている。

[0007] ところが、この規格は、あくまでレチクル自体の平坦度に関する規格であり、実際の露光中には、以下の理由などにより、その平坦度がさらに低下する。

(a)自重による橈み

(b)レチクルをレチクルホルダ (プラテン）に強引に吸着保持する際に両者の接触面の平面度の相違により発生するレチクルの変形

[0008] レチクルホルダに保持されたレチクルの変形は、レチクル毎に、更には露光装置のレチクルホルダ毎（号機毎とほぼ同義）に異なったものとなるため、そのときのレチクルの平坦度に関する情報を取得するには、露光装置のレチクルホルダに露光に用いられるレチクルを実際に吸着保持した状態で計測するしかない。しかし、この場合には、一連の露光工程中に、レチクルホルダ上にレチクルを保持した後でその変形を計測するという工程を行う必要があるため、露光工程におけるスループットの低下が懸念される。

[0009] 特許文献 1：特開 2004— 328014号公報

発明の開示

課題を解決するための手段

[0010] 上記事情の下になされた本発明は、第 1の観点力すると、所定の保持装置に保持された物体を用いて露光を行う露光装置にその物体を搬入する前に、前記所定の保持装置に保持された状態又はそれと等価な状態での前記物体の平坦度に関する情報を取得する事前取得工程を含む計測方法である。 [0011] ここで、「所定の保持装置に保持された状態と等価な状態」とは、所定の保持装置に保持された状態ではなヽが、所定の保持装置とほぼ同等の保持状態で物体を保持可能な保持装置に保持された状態だけでなぐその状態での物体の平坦度に関する情報を取得すれば、その情報から所定の保持装置の保持された状態での物体の平坦度に関する情報を算出又は推定することが可能な状態をも含むものとする。また、ここで、「物体の平坦度に関する情報」とは、その物体面の平坦度の算出に有用な情報であり、例えばその物体の面形状データが代表的なものとして挙げられる。

[0012] これによれば、露光に用いられる物体を露光装置に搬入する前に、所定の保持装置に保持された状態又はそれと等価な状態での物体の平坦度に関する情報を取得するので、露光装置におけるスループットに影響を与えることなぐその物体の平坦度に関する情報を露光前に認識することができる。

[0013] 本発明は、第 2の観点力もすると、マスク上に形成されたパターンを、投影光学系を介して、感光物体上に転写する露光方法であって、本発明の計測方法を用いて、前記マスク及び前記感光物体の少なくとも一方の平坦度に関する情報を計測する計測工程と;前記計測の結果に基づいて、前記投影光学系の結像特性の補正と、前記マスク及び前記感光物体の相対位置の補正との少なくとも一方を行ヽつつ、前記パターンを、前記感光物体上に転写する転写工程と;を含む第 1の露光方法である。协る場合には、本発明の計測方法を用いて露光に用いられるマスク又は感光物体の平坦度に関する情報を計測するため、スループットを低下させることなぐ高精度な露光を実現することができる。

[0014] 本発明は、第 3の観点力すると、所定の保持装置に保持された物体を用いて露光を行う露光方法であって、前記所定の保持装置に保持された状態での前記物体の平坦度が良好となるように、前記物体の保持状態を調整する工程と;前記調整された保持状態で前記所定の保持装置により前記物体を保持しつつ、前記パターンを、前記感光物体上に転写する工程と；を含む第 2の露光方法である。カゝかる場合には、所定の保持装置に保持された物体を用いて露光を行う際に、その物体の平坦度が良好となるように、その保持状態が調整された保持装置により物体を保持することができるので、高精度な露光を実現することができる。 [0015] 本発明は、第 4の観点力すると、所定の保持装置に保持された物体を用いて露光を行う露光装置にその物体を搬入する前に、前記物体上に付着した異物及び前記物体の一部の欠損の少なくとも一方に関する情報を取得する事前取得工程を含む検査方法である。これによれば、露光に用いられる物体を露光装置に搬入する前に、物体上に付着した異物及び物体の一部の欠損の少なくとも一方に関する情報を取得するので、露光装置におけるスループットに影響を与えることなぐその物体に付着した異物及び物体の一部の欠損の少なくとも一方に関する情報をいち早く認識することができる。

[0016] 本発明は、第 5の観点力もすると、マスク上に形成されたパターンを、投影光学系を介して、感光物体上に転写する露光方法であって、本発明の検査方法を用いて、前記マスク上及び前記感光物体上の少なくとも一方に対する異物の付着又は一部の欠損に対する事前処理を行う事前処理工程と;前記事前処理結果に基づいて、前記パターンを、前記感光物体上に転写する転写工程と;を含む第 3の露光方法である。力かる場合には、本発明の検査方法を用いて、マスク又は感光物体上の異物の付着又は一部の欠損を露光装置に搬入する前に検出し、その検出結果に基づいて露光を行うので、その異物の付着又は一部の欠損に伴う歩留まりの低下を防止することができる。

[0017] 本発明は、第 6の観点力すると、所定の保持装置に保持された物体を用いて露光を行う露光装置と;前記露光装置にその物体を搬入する前に、前記所定の保持装置に保持された状態又はそれと等価の状態での前記物体の平坦度に関する情報を取得する事前取得装置と；を備える第 1の露光システムである。これによれば、露光に用いられる物体を露光装置に搬入する前に、所定の保持装置に保持された状態又はそれと等価な状態での物体の平坦度に関する情報を取得する。このようにすれば、露光装置におけるスループットに影響を与えることなぐその物体の平坦度に関する情報を露光前に認識することができる。

[0018] 本発明は、第 7の観点力すると、所定の保持装置に保持された物体を用いて露光を行う露光装置と;前記露光装置にその物体を搬入する前に、前記物体上の異物及び一部の欠損の少なくとも一方に関する情報を取得する事前取得装置と;備える第 2の露光システムである。力かる場合には、事前取得装置を用いて露光に用いられる物体上の異物及び一部の欠損の少なくとも一方に関する情報を、その物体を露光装置に搬入する前に取得することができる。

図面の簡単な説明

[図 1]本発明の第 1の実施形態に係る露光システムの構成を概略的に示す図である。

[図 2]本発明の第 1の実施形態に係る露光装置の構成を概略的に示す図である。

[図 3]図 3 (A)は、レチクルホルダの構成の一例を示す斜視図であり、図 3 (B)は、ゥェハホルダの構成の一例を示す斜視図である。

[図 4]本発明の第 1の実施形態に係るレチクル計測機の構成を概略的に示す図である。

[図 5]本発明の第 1の実施形態に係るトラックの構成を概略的に示す図である。

[図 6]本発明の第 1の実施形態に係るウェハ計測機の構成を概略的に示す図である

[図 7]本発明の第 1の実施形態に係るレチクルの面形状の事前計測の準備処理の処理手順を示すフローチャートである。

[図 8]本発明の第 1の実施形態に係るレチクルの面形状の計測の処理手順を示すフローチャートである。

[図 9]本発明の第 1の実施形態に係るウェハの面形状の計測の処理手順を示すフロ一チャートである。

[図 10]露光動作の処理手順を示すフローチャートである。

[図 11]レチクルの面形状の計測結果の一例（その 1)を示す図である。

[図 12]レチクルの面形状の計測結果の一例（その 2)を示す図である。

[図 13]ウェハの面形状の計測結果の一例（その 3)を示す図である。

[図 14]本発明の第 1の実施形態におけるパイプライン処理を説明するための図である。

[図 15]本発明の第 2の実施形態におけるウェハ計測機の概略的な構成を示す図である。

[図 16]本発明の第 2の実施形態に係るレチクルの面形状の計測の処理手順を示すフローチャートである。

[図 17]本発明の第 3の実施形態におけるレチクル計測機の概略的な構成を示す図である。

[図 18]本発明の第 3の実施形態に係るウェハの面形状の計測の処理手順を示すフローチャートである。発明を実施するための最良の形態

[0020] 《第 1の実施形態〉〉

以下、本発明の第 1の実施形態を図 1〜図 14に基づいて説明する。図 1には、本発明に係る計測方法及び露光方法を好適に実施可能な第 1の実施形態の露光システム 200の全体構成が概略的に示されて、る。

[0021] この露光システム 200は、感光物体としての半導体ウェハやガラスプレート等の基板 (以下、総称して「ウェハ」とする。）を処理して、マイクロデバイス等の装置を製造する「基板処理工場」に設置されている。図 1に示されるように、露光システム 200は、レーザ光源 1等を備えた露光装置 100、該露光装置 100に隣接して配置された塗布現像装置 (以下、「トラック」と呼ぶこととする） 300、レチクルの面形状を計測するレチクル計測機 800Aとを備えている。トラック 300内には、ウェハ計測機 400Aが設けられている。

[0022] この露光装置 100及びトラック 300の組合せについては、これらを一体として「基板処理装置」とみなすことができる。基板処理装置では、ウェハ上にフォトレジスト等の感光剤を塗布する塗布工程と、ウェハの平坦度に関する情報 (面形状)を事前に取得する事前取得工程と;感光剤が塗布されたウェハ上に、レチクル上に形成されたノターンを転写する露光工程と、露光工程が終了したウェハを現像する現像工程等を、必要なときには露光システム 200内の他の装置と協調しつつ行う。このうち、塗布工程及び現像工程は、トラック 300により実施され、露光工程は、露光装置 100により実施され、事前取得工程は、トラック 300及び後述する解析システム 600により実施される。なお、レチクルの面形状の事前取得工程は、レチクル計測機 800A及び後述する解析システム 600によって実施される。

[0023] 基板処理装置において、露光装置 100及びトラック 300は、相互にインライン接続されている。ここでのインライン接続とは、装置間及び各装置内の処理ユニット間を、ロボットアームゃスライダ等のウェハを自動搬送する搬送装置を介して接続することを意味する。

[0024] なお、図 1では、紙面の都合上、基板処理装置が 1つだけしか図示されていないが、実際には、露光システム 200には、複数台の基板処理装置が設置されている。すなわち、露光システム 200においては、露光装置 100と、露光装置 100にインライン接続されたトラック 300とが複数台設けられて、る。

[0025] さらに、露光システム 200は、各露光装置 100により実施される露光工程を集中的に管理する露光工程管理コントローラ 500と、各種演算処理や解析処理を行う解析システム 600と、基板処理工場内の各装置を全体的に管理する工場内生産管理ホストシステム 700とを備えて、る。

[0026] この露光システム 200を構成している各装置のうち、少なくとも各基板処理装置（10 0、 300)及びレチクル計測機 800Aは、温度及び湿度が管理されたクリーンルーム内に設置されている。また、各装置は、基板処理工場内に敷設された LAN (Local A rea Network)等のネットワーク又は専用回線 (有線又は無線)を介して接続されており、これらの間で適宜にデータ通信を行うことができるようになつている。

[0027] ウェハ計測機 400Aは、露光装置 100とは独立して動作する装置であり、後に詳述するが、トラック 300内に配置される複数の処理ユニットのうちの 1つとして設けられており、露光装置 100にウェハを搬入する前に、予めウェハの露光対象面の面形状を計測する装置である。また、レチクル計測機 800Aは、他の装置 (基板処理装置（10 0、 300)等）とは独立して設けられた計測装置であり、この露光システム 200において単一又は複数設けられて、る。

[0028] [露光装置]

露光装置 100は、本第 1の実施形態では、ステップ'アンド'スキャン方式の投影露光装置 (走査型露光装置)であるものとする。図 2には、露光装置 100の概略構成が模式的に示されている。図 2に示されるように、この露光装置 100は、図 1に示されるレーザ光源 1及び不図示の照明光学系を含む照明系、この照明系力のエネルギビームとしての露光用照明光 (以下、「照明光」と略述する) ILにより照明されるレチクル Rを保持するレチクルステージ RST、投影光学系 PL、搬入されるウェハ Wが搭載されるウェハステージ WST及びこれらの制御系等を備えている。

[0029] 前記レチクルステージ RSTは、例えばリニアモータ等を含むレチクルステージ駆動部 56Rによって、上記照明系の光軸 (後述する投影光学系 PLの光軸 AXに一致）に垂直な XY平面内で微少駆動可能 (Z軸回りの回転を含む)であるとともに、所定の走查方向（ここでは Y軸方向とする）に指定された走査速度で駆動可能となっている。

[0030] 前記レチクルステージ RST上には、レチクルホルダ RHが設けられている。該レチタルホルダ RHは、例えば真空吸着により、レチクル Rを、そのパターン領域側の面（以下、「パターン面」という）が— Z側を向くように吸着保持している。図 3 (A)の斜視図に示されるように、レチクルホルダ RHには、レチクル Rをその X軸両端でレチクル Rを吸着保持する Y軸方向に延びる 3つの吸着面が設けられている。この 3つの吸着面には、それぞれレチクル Rと当接するプラテン部と、真空源と配管を介して連通する溝部とがそれぞれ設けられている。図 3 (A)では、両部を図示していない。レチクル Rを吸着保持する際には、プラテン部に支持されたレチクル Rによって外気力も遮蔽された溝部が真空状態となり、外気圧の力によりレチクル Rが吸着保持されるようになる。したがって、レチクル Rに対する吸着力は、この溝部の真空度に応じたものとなる。露光装置 100では、主制御装置 20の指示の下、不図示の真空源による排気力を調整することにより、レチクル Rに対する吸着力を制御することが可能となっている。

[0031] 図 2に戻り、レチクルステージ RSTには、レチクル Rの下方に、照明光 ILの通路となる開口が形成されている。この開口の大きさは、照明領域 IARより大きくなるように設定されている。

[0032] レチクルステージ RST上には、レチクルレーザ干渉計（以下、「レチクル干渉計」という） 54Rからのレーザビームを反射する移動鏡 52Rが固定されており、レチクルステージ RSTの XY面内の位置はレチクル干渉計 54Rによって、例えば 0. 5〜lnm程度の分解能で常時検出される。ここで、実際には、図 3 (A)に示されるように、レチクルステージ RST上には、走査露光時の非走査方向（X軸方向）に直交する反射面を有する移動鏡が設けられ、レチクルステージ RSTの走査方向（Y軸方向）に関しては、コーナーキューブ型ミラー（例えばレトロリフレクタなど）が ₂つ設けられ、それぞれに対応する測長軸を有する干渉計が設けられているが、図 2ではこれらが代表的に移動鏡 52R、レチクル干渉計 54Rとして示されている。すなわち、 Y軸方向に関しては、レチクル干渉計 54Rは、測長軸を 2軸有する 2軸干渉計であり、このレチクル干渉計 54Rの計測値に基づきレチクルステージ RSTの Y位置にカ卩え、 Z軸回りの回転（ Θ z回転)も計測できるようになつている。なお、例えば、レチクルステージ RSTの端面を鏡面加工して反射面 (移動鏡 52Rの反射面に相当）を形成しても良い。

[0033] レチクル干渉計 54Rからのレチクルステージ RSTの位置情報は、ステージ制御装置 19及びこれを介して主制御装置 20に送られるようになつている。ステージ制御装置 19は、主制御装置 20の指示に応じてレチクルステージ駆動部 56Rを介してレチクルステージ RSTの移動を制御する。

[0034] なお、図 2では図示していないが、レチクルステージ RSTには、下側（― Z側）の平面度の良好なガラス基板よりなるレチクルフィデューシャルマーク板 (以下、「レチクルマーク板」と略述する）が設けられている。このレチクルマーク板は、レチクル Rと同材質のガラス素材、例えば合成石英ゃホタル石、フッ化カリウムその他のフッ化物結晶などから成り、レチクルステージ RSTに固定されている。このレチクルマーク板の基準面は、設計上でレチクル Rのパターン面と同じ高さ、かつ前述のスリット状の照明領域 IARとほぼ同一の大きさに設定されている。この基準面は、高い平坦度を有しており、複数の評価マークが、その基準面全体にほぼ均等に (例えばマトリクス状に）に形成されている。レチクルステージ RSTの移動により、レチクルマーク板力投影光学系 PLの光軸 AX上に位置すると、投影光学系 PLを介して得られる複数の評価マーク像を、ウェハステージ WST側に形成することが可能となっている。この複数の評価マーク像力なる結像面は、レチクルマーク板の基準面の投影像面であるとみなすことができる。本第 1の実施形態では、この投影像面力ウェハステージ WSTのフォーカス'レペリング制御を行う際の基準像面となる。

[0035] 前記投影光学系 PLは、その光軸 AXの方向が Z軸方向となるように、レチクルステージ RSTの図 2における下方に配置されている。投影光学系 PLは、両側テレセントリックな縮小系であり、光軸 AXの方向に沿って所定間隔で配置された複数枚のレンズエレメントから成る屈折光学系が使用されている。この投影光学系 PLの投影倍率は、例えば 1Z4、 1Z5等となっている。このため、不図示の照明系からの照明光 IL によってレチクル R上のスリット状の照明領域 IARが照明されると、レチクル Rを通過した照明光 ILにより、投影光学系 PLを介してその照明領域 IAR内のレチクル Rの回路パターンの縮小像 (部分縮小像)が表面にレジスト (感光剤）が塗布されたウェハ W 上の前記照明領域 IARと共役な露光領域 IAに形成される。

[0036] 投影光学系 PLとしては、複数枚、例えば 10〜20枚程度の屈折光学素子（レンズ素子） 13のみ力も成る屈折系が用いられている。この投影光学系 PLを構成する複数枚のレンズ素子 13のうち、物体面側（レチクル R側）の複数枚 (ここでは、説明を簡略化するために 4枚とする）のレンズ素子 13 , 13 , 13 , 13は、結像特性補正コント口

1 2 3 4

ーラ 48によって外部から駆動可能な可動レンズとなっている。レンズ素子 13〜13

1 4 は、不図示の二重構造のレンズホルダをそれぞれ介して鏡筒に保持されている。これらレンズ素子 13〜13は、内側レンズホルダにそれぞれ保持され、これらの内側レ

1 4

ンズホルダが不図示の駆動素子、例えばピエゾ素子などにより重力方向に 3点で外側レンズホルダに対して支持されている。そして、これらの駆動素子に対する印加電圧を独立して調整することにより、レンズ素子 13〜13のそれぞれを投影光学系 PL

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の光軸方向である Z軸方向にシフト駆動、及び XY面に対する傾斜方向（すなわち X 軸回りの回転方向（ θ X方向）及び Y軸回りの回転方向（ Θ y方向）に駆動可能 (チルト可能)な構成となっている。

[0037] その他のレンズ素子 13は、通常のレンズホルダを介して鏡筒に保持されている。なお、レンズ素子 13〜13に限らず、投影光学系 PLの瞳面近傍、又は像面側に配置

1 4

されるレンズ素子、あるいは投影光学系 PLの収差、特にその非回転対称成分を補正する収差補正板 (光学プレート)などを駆動可能に構成しても良い。更に、それらの駆動可能な光学素子の自由度 (移動可能な方向）は 3つに限られるものではなく 1 つ、 2つあるいは 4つ以上でも良い。

[0038] 各駆動素子の駆動電圧 (駆動素子の駆動量)が、主制御装置 20からの指令に応じて結像特性補正コントローラ 48により制御され、これによつて、投影光学系 PLの結像特性、例えば、フォーカス、像面湾曲、ディストーション、倍率、球面収差、非点収差及びコマ収差などを補正することが可能となっている。 [0039] 前記ウェハステージ WSTは、 XYステージ 42と、該 XYステージ 42上に搭載された Zチルトステージ 38とを含んで構成されて、る。

[0040] 前記 XYステージ 42は、ウェハステージ WSTの稼動範囲に敷設された不図示のゥェハステージベースの上面の上方に不図示のエアベアリングによって例えば数 μ m 程度のクリアランスを介して浮上支持され、ウエノ、ステージ駆動部 56Wを構成する不図示のリニアモータ等によって走査方向である Y軸方向（図 2における紙面直交方向 )及びこれに直交する X軸方向（図 2における紙面内左右方向）に 2次元駆動が可能に構成されている。

[0041] 前記 Zチルトステージ 38は、 3つの Z駆動部 27A, 27B, 27C (但し、紙面奥側の Z 駆動部 27Cは不図示）によって XYステージ 42上で 3点にて支持されている。これらの Z駆動部 27A〜27Cは、 Zチルトステージ 38の下面のそれぞれの支持点を投影光学系 PLの光軸方向（Z軸方向）に独立して駆動する 3つのァクチユエータ（例えばボイスコイルモータなど） 21 A、 21B、 21C (但し、紙面奥側のァクチユエータ 21Cは不図示）と、これらのァクチユエータ 21A、 21B、 21Cそれぞれによる各支持点の Z軸方向の駆動量 (基準位置力もの変位)をそれぞれ検出するエンコーダ 23A〜23C (但し、紙面奥側のエンコーダ 23Cは不図示）とを含んで構成されている。ここで、ェンコ一ダ 23A〜23Cとしては、例えば光学式又は静電容量式等のリニアエンコーダを使用することができる。

[0042] 本第 1の実施形態では、上記ァクチユエータ 21A〜21Cによって Zチルトステージ 3 8を、光軸 AXの方向（Z軸方向）及び光軸に直交する面 (XY面）に対する傾斜方向、すなわち X軸回りの回転方向である 0 X方向、 Y軸回りの回転方向である 0 y方向に駆動する駆動装置が構成されている。また、エンコーダ 23A〜23Cで計測される Zチルトステージ 38の Z駆動部 27A〜27Cによる各支持点の Z軸方向の駆動量 (基準点力もの変位量）は、ステージ制御装置 19及びこれを介して主制御装置 20に供給されるようになっている。

[0043] Zチルトステージ 38上には、移動鏡 52Wが固定されており、外部に配置されたゥェハレーザ干渉計（以下、「ウェハ干渉計」という） 54Wによって、移動鏡 52Wを介して、 Zチルトステージ 38 (ウェハステージ WST)の XY面内の位置が例えば 0. 5〜lnm 程度の分解能で常時検出されている。

[0044] ここで、実際には、 Zチルトステージ 38上には、走査露光時の走査方向である Y軸方向に直交する反射面を有する Y移動鏡と非走査方向である X軸方向に直交する反射面を有する X移動鏡とが設けられ、これに対応してウェハ干渉計も X軸方向位置計測用の Xレーザ干渉計と Y軸方向位置計測用の Yレーザ干渉計とが設けられている力図 2ではこれらが代表的に移動鏡 52W、ウェハ干渉計 54Wとして示されている。なお、例えば、 Zチルトステージ 38の端面を鏡面加工して反射面 (前述の X移動鏡、 Y移動鏡の反射面に相当）を形成しても良い。また、 Xレーザ干渉計及び Yレーザ干渉計は測長軸を複数有する多軸干渉計であり、ウェハステージ WSTの X、 Y位置の他、回転 (ョーイング (Z軸回りの回転である Θ z回転）、ピッチング (X軸回りの回転である θ X回転）、ローリング (Y軸回りの回転である Θ y回転)）も計測可能となっている。従って、以下の説明ではウェハ干渉計 54Wによって、 Zチルトステージ 38の X、 Y、 θ ζ, θ γ, θ χの 5自由度方向の位置が計測されるものとする。また、多軸干渉計は 4 5° 傾いて Ζチルトステージ 38に設置される反射面を介して、投影光学系 PLが載置される架台 (不図示）に設置される反射面にレーザビームを照射し、投影光学系 PL の光軸方向（Z軸方向）に関する相対位置情報を検出するようにしても良い。

[0045] ウェハステージ WSTの位置情報 (又は速度情報）は、ステージ制御装置 19及びこれを介して主制御装置 20に供給されるようになっている。ステージ制御装置 19は、主制御装置 20の指示に応じてウエノ、ステージ駆動部 56Wを介してウェハステージ WSTの XY面内の位置を制御するとともに、 Z駆動部 27A〜27Cを駆動して Zチルトステージ 38の Z位置及び傾斜を制御する。

[0046] 前記 Zチルトステージ 38上に、ウェハホルダ WHが設けられ、該ウェハホルダ WH 上に、ウェハ Wが真空吸着されている。図 3 (B)に示されるように、ウェハホルダ WH は、その外観が所定肉厚の円形板状の本体部 26、該本体部 26の上面（図 2における紙面手前側の面)の外周部近傍の所定幅の環状領域を除く中央部の所定面積の領域に所定の間隔で設けられた複数の突起状のピン部 32, 32,……、これら複数のピン部 32が配置された前記領域を取り囲む状態で外周縁近傍に設けられた環状の凸部（以下、「リム部」と称する） 28等を備えて、る。ピン部 32が配置された領域は、真空源と、配管等を介して連通しており、ウェハ wを載置する際には、この領域が真空状態となり、ウェハ Wがピン 32等に支持された状態で吸着保持される。

[0047] 図 2に戻り、また、ウェハステージ WST上には、後述するレチクルァライメント用の複数対の第 1基準マーク、後述するァライメント系 ALGのベースライン計測用の基準マーク等が形成された基準マーク板 FM力その表面がほぼウェハ Wの表面と同一高さとなるように固定されている。なお、基準マーク板 FM上には、前述のレチクルマーク板の基準面の投影像や、後述する焦点位置検出系の計測点領域をカバーする大きさの鏡面加工が施された平面も設けられている。この平面の高さも、ウェハ Wの表面と同じ高さとなるように規定されて、る。

[0048] 本第 1の実施形態の露光装置 100には、主制御装置 20によってオン'オフが制御される光源を有し、投影光学系 PLの結像面に向けて多数のピンホール又はスリットの像を形成するための結像光束を光軸 AXに対して斜め方向より照射する照射系 60 aと、それらの結像光束のウェハ Wの表面での反射光束を受光する受光系 60bとからなる射入射方式の多点焦点位置検出系（以下、単に「焦点位置検出系」と呼ぶ)が設けられている。この多数のスリット像が形成される地点が、この焦点位置検出系（60a 、 60b)の計測点となり、この計測点力も成る領域を、以下では「計測点領域」ともいう。この計測点領域は、露光領域 IA及びその周辺の領域に対応するように配置されている。すなわち、焦点位置検出系（60a, 60b)の複数の計測点では、それぞれその点でのウェハ Wの Z軸方向の位置（高さ）を検出することができるようになっており、全ての計測点のウェハ Wの面位置から、複数の計測点の計測結果から、露光領域 IA 及びその周辺全体のウエノ、 Wの表面の Z位置すなわち傾斜を求めることができるようになっている。

[0049] なお、本第 1の実施形態の焦点位置検出系（60a、 60b)と同様の多点焦点位置検出系の詳細な構成は、例えば特開平 6— 283403号公報 (対応米国特許第 5, 448 , 332号)等に開示されている。本国際出願で指定した指定国 (又は選択した選択国 )の国内法令が許す限りにおいて、上記公報及び対応する米国特許における開示を援用して本明細書の記載の一部とする。なお、上記公報等に記載の多点焦点位置検出系は、前述のように、ウェハ W上の露光領域 IAだけでなぐその周辺の Z位置も計測することができるようになっており、走査方向のウェハ wの起伏を先読みする機能等を有している力それらの機能は有していなくても良ぐまた、照射系 60aによつて照射される光束の形状は、平行四辺形その他の形状であっても良い。

[0050] ステージ制御装置 19では、走査露光時等に、受光系 60bからの焦点ずれ信号 (デフォーカス信号）、例えば Sカーブ信号に基づいて焦点ずれが零あるいは焦点深度内となるように、ウェハ Wの Z位置及び XY面に対する傾斜を、ウェハステージ駆動部 56Wを介して制御することにより、オートフォーカス（自動焦点合わせ)及びオートレベリングを実行する。

[0051] さらに、露光装置 100は、ウェハステージ WST (正確にはウェハホルダ WH)に保持されたウェハ W上のァライメントマーク及び基準マーク板 FM上に形成された基準マークの位置計測等に用いられるオフ 'ァクシス（off-axis)方式のァライメント系 ALG を備えている。このァライメント系 ALGとしては、例えばウェハ W上のレジストを感光させないブロードバンドな検出光束を対象マークに照射し、その対象マークからの反射光により受光面に結像された対象マークの像と不図示の指標の像とを撮像素子 (CC D等）を用いて撮像し、それらの撮像信号を出力する画像処理方式の FIA (Field Image Alignment)系のセンサが用いられる。 FIA系のセンサは、例えば特開平 2— 5 4103号公報 (対応する米国特許第 4, 962, 318号明細書)などに開示されている。本国際出願で指定した指定国 (又は選択した選択国)の国内法令が許す限りにおいて、上記公報及び対応する米国特許における開示を援用して本明細書の記載の一部とする。なお、 FIA系に限らず、コヒーレントな検出光を対象マークに照射し、その対象マークから発生する散乱光又は回折光を検出したり、その対象マークから発生する 2つの回折光 (例えば同次数)を干渉させて検出したりするァライメントセンサを単独であるいは適宜組み合わせて用いることは勿論可能である。

[0052] さらに、本第 1の実施形態の露光装置 100では、図示は省略されている力レチクル Rの上方に、投景光学系 PLを介してレチクル R上の一対のレチクルマークと対応する基準マーク板上の一対の第 1基準マークとを同時に観察するための露光波長の光を用いた TTR (Through The Reticle)ァライメント系から成る一対のレチクルァライメント系が設けられている。これらのレチクルァライメント系としては、例えば特開平 7 — 176468号公報 (対応する米国特許第 5, 646, 413号)などに開示されるものと同様の構成のものが用いられる。本国際出願で指定した指定国 (又は選択した選択国 )の国内法令が許す限りにおいて、上記公報及び対応する米国特許における開示を援用して本明細書の記載の一部とする。

[0053] 前記制御系は、図 2中、前記主制御装置 20によって主に構成される。主制御装置 20は、 CPU (中央演算処理装置）、 ROM (リード 'オンリ'メモリ）、 RAM (ランダム.ァクセス 'メモリ）等力もなる、わゆるワークステーション (又はマイクロコンピュータ）等から構成され、前述した種々の制御動作を行う他、装置全体を統括して制御する。ステージ制御装置 19は、主制御装置 20の指示に従って、ウェハステージ WST(XYステージ 42、 Zチルトステージ 38)及びレチクルステージ RSTの位置制御を行う。

[0054] [レチクル計測機]

次に、レチクル計測機 800Aの構成について図 4に基づいて説明する。このレチクル計測機 800Aでは、露光装置 100におけるレチクルステージ RSTに相当するレチクルステージ RST'と、レチクルホルダ RHと同型のホルダであるレチクルホルダ RH' と、フィゾー干渉計 60とを備えている。

[0055] このレチクル計測機 800Aは、露光システム 200のレチクル Rを搬送する不図示のレチクル搬送系による搬送経路中に設置されている。露光システム 200では、例えば露光工程管理コントローラ 500の管理の下、この露光装置 100にレチクル Rを搬入する前に、不図示のレチクル搬送系により、レチクル計測機 800Aにレチクル Rが搬入され、レチクルホルダ RH'上に適切なバキューム圧で、真空吸着保持されるようになる。レチクル計測機 800Aは、レチクルホルダ RH，上に吸着保持された状態でのレチクル Rのパターン面の面形状を計測する。

[0056] このとき、レチクル Rは、そのパターン面が Z側を向くように保持されるものとする。

レチクル Rのパターン面の面形状の計測を可能とするために、レチクル計測機 800A においては、レチクルホルダ RH，の—Z側、すなわちレチクルホルダ RH，上に保持されたレチクル Rのパターン面側に、フィゾー干渉計 60が設けられて!/、る。

[0057] このフィゾー干渉計 60は、レーザ光源 61、レンズ 62、絞り 63、ビームスプリッタ 64、

λ Ζ4波長板 65、コリメータレンズ 66、参照面 67Α、 68Αが形成された参照面用部材 67、 68、レンズ 69、干渉縞検出部 70及び処理装置 71などを含んで構成されている。

[0058] 図 4に示されるように、例えば発振波長 633nmの He— Neレーザ等のレーザ光源 6 1から発した光は、可干渉性を有し、紙面に平行な偏光方位 (X軸方向）を有する直線偏光の光束となるように設定されている。この光束は、レンズ 62及び迷光等を除去するための絞り 63を経た後、ビームスプリッタ 64に入射する。

[0059] ビームスプリッタ 64は、 X軸方向に偏光方位を有する直線偏光の光束を透過させる。透過した光束は、 λ Ζ4波長板 65に入射し、円偏光に変換されて、コリメータレンズ 66で平行光に変換された後、参照面用部材 67に入射する。参照面用部材 67に形成された参照面 67Αでは、この平行光が一部反射し、残りが透過するようになる。この透過した光束は、レチクルホルダ RH'に保持されたレチクル Rのパターン面全面に照射され、例えば、レチクル Rのパターン面全面がクロム蒸着されている場合には、照射された平行光はそのパターン面で反射する。

[0060] 参照面用部材 67の参照面 67Αで反射された光 (参照光）と、レチクル Rのパターン面で反射された光 (測定光）とは、 λ Ζ4波長板 65により Υ軸方向に偏光変位を有する直線偏光に変換され、コリメータレンズ 66を通って集光されながらビームスプリッタ 64で反射される。ビームスプリッタ 64で反射された光束は、レンズ 69で平行光に変換されて CCD (電荷結合素子： Charge Coupled Device)から成る干渉縞検出部 70 に導かれる。この干渉縞検出部 70の受光面には、参照面用部材 67の参照面 67Aと、レチクル Rのパターン面の両方の反射面から反射されて合成された光の干渉縞が形成され、干渉縞検出部 70により、この干渉縞が検出される。

[0061] すなわち、参照面用部材 67の参照面 67Aと、レチクル Rのパターン面との距離を d とすると、 1回の往復で 2dの光路差で参照光と測定光が干渉し、その光路差がレーザ波長の 1Z2の奇数倍であるときには、互いに打ち消し合って暗線を生じさせ、光路差がレーザ波長の整数倍であるときには、互いに強め合って明線を生じさせ、この結果、干渉縞検出部 70の受光面上に干渉縞が生じる。

[0062] この干渉縞の検出結果は、処理装置 71に送られる。処理装置 71は、この干渉縞の検出結果に基づいてレチクルホルダ RH，に保持されたレチクル Rのパターン面の面形状を算出する。具体的には、処理装置 71は、干渉縞の検出結果に基づいて、干渉縞の明線及び暗線の数を累積演算することにより、その干渉縞の分布状態に従つたレチクル Rのパターン面の勾配に応じた面形状データを仮決定する。そして、その累積演算に伴い、仮決定された面形状データに含まれる一定の勾配や一定のデフオーカス (オフセット成分)を、面形状データに内在する累積誤差として除去し、最終的なレチクル Rの面形状データを算出する。この面形状データは、例えば、ある面内位置 (XY位置）に対する面高さ（Z位置）のデータなどのディジタルデータとして算出される。

[0063] 一方、レチクル R力そのパターン面にクロム蒸着が施されて!/ヽな、透過レチクルであった場合、レチクル Rのパターン面全面に照射された光束の一部はそのパターン領域で反射するものの、残りの光束は、レチクル Rのパターン面とは反対側の面まで達し、その面を一部は反射し、残りは透過する。レチクル Rを透過した光束は、もう 1 つの参照面用部材 68の参照面 68Aまで達する。この参照面 68Aは、反射率が高い面であり、この面でこの光束が反射し、レチクル Rまで戻るようになる。そして、上述したのと同様の光路で、参照面用部材 67、 68の参照面 67A、 68Aをそれぞれ反射した参照光と、レチクル Rのパターン面を反射した、あるいは、その反対側の面を反射した測定光との干渉縞力干渉縞検出部 70において検出される。

[0064] このように、このレチクル計測機 800Aにお!/、ては、パターン面にクロムが全面蒸着されたレチクルをレチクルホルダ RH'に保持させた場合には、参照面用部材 67の参照面 67Aで反射した参照光とパターン面で反射した測定光との干渉縞が、干渉縞検出部 70で観測されるようになり、レチクル Rとして透過レチクルをレチクルホルダ RH，に保持させた場合には、参照面用部材 68の参照面 68Aでそれぞれ反射した参照光と、パターン面とその裏面で反射した測定光との干渉縞が観測されるようになる。これにより、レチクル計測機 800Aでは、全面がクロム蒸着されたレチクルであっても、透過レチクルであっても、そのパターン領域に回路パターンが形成されたレチクルであつても、そのパターン面全面の面形状を計測することが可能である。ここで、レチクル平坦度の計測は、パターン全面について行う必要はなぐレチクルパターン設計データに基づき、 X軸方向、 Y軸方向に所定のピッチで均等に、レチクル面の透過、又は、反射部分の複数の計測点力近似的に求めてもよい。例えば、 Y軸方向（スキャン方向）に 7点、 X軸方向に 5点で、レチクル面内 35点の計測点における計測値より近似的にレチクル平坦度を求める。

[0065] なお、このレチクルステージ RST'には、レチクルステージ RSTと同様に、レチクルマーク板に相当するマーク板が設けられている。フィゾー干渉計 60によりレチクルホルダ RH，に保持されたレチクル Rのパターン面の面形状を計測する際には、このマーク板の面形状もあわせて計測されるようになる。すなわち、レチクル計測機 800A の計測結果によれば、マーク板の面位置を基準としたレチクル Rのパターン面の面形状データが得られることになる。

[0066] また、レチクル計測機 800Aでは、このフィゾー干渉計 60を、レーザ光束が被検体を 2度通過するダブルパス型の干渉計とすることにより、その検出精度を向上させることが可能である。

[0067] [塗布現像装置]

次に、各基板処理装置が備えるトラック 300について、図 5を参照して説明する。トラック 300は、露光装置 100を囲むチャンバ内に、露光装置 100にインライン方式で接続可能となるように設置されている。トラック 300には、その中央部を横切るようにゥエノ、 Wを搬送する搬送ライン 301が配置されている。この搬送ライン 301の一端に未露光若しくは前工程の基板処理装置で処理がなされた多数のウェハ Wを収納するゥェハキャリア 302と、本基板処理装置で露光工程及び現像工程を終えた多数のゥェハ Wを収納するウェハキャリア 303とが配置されており、搬送ライン 301の他端に露光装置 100のチャンバ側面のシャツタ付きの搬送口（不図示）が設置されている。

[0068] また、トラック 300に設けられた搬送ライン 301の一側に沿ってコータ部（塗布部） 3 10が設けられており、他側に沿ってデベロツバ部（現像部） 320が設けられている。コータ部 310は、ウェハ Wにフォトレジストを塗布するレジストコータ 311と、そのウェハ W上のフォトレジストをプリベータするためのホットプレートからなるプリベータ装置 31 2と、プリベータされたウェハ wを冷却するためのクーリング装置 313を含んで構成されている。

[0069] デベロッパ部 320は、露光処理後のウェハ W上のフォトレジストをべ一キングする、いわゆる PEB (Post- Exposure Bake)を行うためのポストベータ装置 321、 PEBが行われたウェハ Wを冷却するためのクーリング装置 322及びウェハ Wのフォトレジストの現像を行うための現像装置 323を備えて構成されている。

[0070] [ウェハ計測機]

さらに、本第 1の実施形態では、ウェハ Wを露光装置 100に搬入する前に、当該ゥエノ、 Wの平坦度に関する情報 (面形状)を事前計測するウェハ計測機 400Aがインライン設置されている。図 6に示されるように、ウェハ計測機 400Aは、ウェハステージ WST，と、ウェハホルダ WH，と、フィゾー干渉計 60'とを含んで構成されている。ゥェハステージ WST，は、ウェハステージ WSTとほぼ同型のステージである力移動可能でない固定のステージであってもよい。また、ウェハホルダ WH，は、ウェハホルダ WHと同型のホルダであり、ウェハ Wを真空吸着することにより（すなわち露光装置 1 00のウェハホルダ WHと同じようにして）、これを保持する。

[0071] このウェハ計測機 400Aでは、レチクル計測機 800Aと同様に、ウェハホルダ WH' に吸着保持された状態でのウェハ Wの面形状を、フィゾー干渉計 60'を用いて計測する。このフィゾー干渉計 60'は、参照面用部材 68を備えていないほかは、フィゾー干渉計 60と同等の構成とすることができるので、その構成については、詳細な説明を省略する。すなわち、このフィゾー干渉計 60'は、反射計測型の干渉計である。

[0072] なお、このウェハステージ WST，には、ウェハステージ WSTと同様に、基準マーク板 FMに相当するマーク板が設けられている。このマーク板の面は、厳格にほぼ平面として規定されているので、マーク板の面形状に相当する信号は、そのマーク板の高さを示す信号となる。したがって、このマーク板の面形状に相当する信号と、ウェハ W の面形状に相当する信号とを比較すれば、マーク板の面の高さとウェハ Wの面形状の計測対象面の高さとの相対的関係が明ら力となり、それらの差分を求めることができるようになる。すなわち、マーク板の面を基準として、フィゾー干渉計 60'によりゥェハホルダ WH，に保持されたウエノ、 Wの面形状を計測することができる。

[0073] なお、図 5に示される、コータ部 310を構成する各ユニット（レジストコータ 311、プリベータ装置 312、クーリング装置 313)、デベロッパ部 320を構成する各ユニット（ポストベータ装置 321、クーリング装置 322、現像装置 323)及びウェハ計測機 400Aの構成及び配置は、あくまで一例であって、実際にはさらに複数の他の処理ユニットやノッファユニット等が設けられるとともに、各ユニットは空間的に配置され、各ユニット間でウエノ、 W又はウェハホルダ WHを搬送するロボットアームや昇降機等も設けられている。また、ウェハ Wが各ユニット間をどのような経路で通過して処理されるかは、処理ユニットの処理内容や全体としての処理時間の高速化等の観点から最適化され

、動的に変更され得る。

[0074] 露光装置 100が備える主制御装置 20、コータ部 310及びデベロツバ部 320、ゥェハ計測機 400A及び解析システム 600は、前述のように、有線又は無線で接続されており、各々の処理開始又は処理終了を示す信号が送受信される。また、本第 1の実施形態では、ウェハ計測機 400Aで計測された計測結果 (ウェハ計測機 400Aの処理装置 71で算出されたウェハ Wの面形状に相当するデータ (面形状データ)）は、解析システム 600に送られるが（通知されるが）、解析システム 600でなぐ露光装置 100の主制御装置 20に直接的に、あるいは解析システム 600を介して露光装置 100 の主制御装置 20に送られるようにしてもょ、。

[0075] なお、ウェハ計測機 400Aによるウェハ Wの面形状の計測は、ウェハ Wの前層のマーク形成が完了した後であれば行うことができる力ウェハ Wがトラック 300に搬入された後、望ましくはレジスト塗布後であって、かつ、露光装置 100への搬入前に行われる。なお、ウェハ計測機 400Aの設置場所は、本第 1の実施形態のようにトラック 30 0内には限られず、露光装置 100のチャンバ内であれば、例えばトラック 300内の外部でもよぐあるいはこれらの装置とは独立した計測専用の装置を設けて搬送装置で接続するようにしても良い。しかし、ウェハ計測機 400Aをトラック 300内に設置した場合には、ウエノ、 Wの前処理と、その面形状の自動計測を一括して行うことができるため、スノレープット〖こ有禾 IJとなる。

[0076] この露光システム 200における、ウェハプロセス処理は、各基板処理装置でそれぞれ行われており、各基板処理装置は、露光工程管理コントローラ 500により統括的に制御'管理される。露光工程管理コントローラ 500は、これに付属する記憶装置に、露光システム 200で処理する各ロットあるいは各ウェハについてのプロセスを制御するための種々の情報、そのための種々のパラメータある!/、は露光履歴データ等の種々の情報を蓄積する。そして、これらの情報に基づいて、各ロットに適切な処理が施されるように、各基板処理装置を制御'管理する。

[0077] また、解析システム 600は、露光装置 100、トラック 300 (ウェハ計測機 400A)、露光装置 100の光源、レチクル計測機 800A等とは独立して動作する装置であり、それら各種装置力ネットワークを経由して各種データを収集し、必要な解析処理を行う。

[0078] 工場内生産管理ホストシステム 700は、基板処理工場内の全ての半導体製造プロセスを統括管理する。

[0079] [レチクルパターン面の面形状の事前計測の準備処理]

次に、図 1に示される露光システム 200において、レチクルホルダ RHに保持された状態と同等の状態でのレチクル Rのパターン面の面形状を事前計測するための準備処理について、図 7のフローチャートを参照して説明する。この準備処理は、基板処理工場内における、露光装置 100ゃレチクル計測機 800A、トラック 300の組み立ての際にあわせて行われる。なお、このとき、すなわち、露光システム 200内のレチクル計測機 800A及び露光装置 100以外の構成要素の組み立て及び調整はすでに完了しているものとし、工場内生産管理ホストシステム 700、露光工程管理コントローラ 500はすでに稼動しているものとする。また、この準備処理では、そのパターン面にクロムが全面蒸着された基準物体としての基準レチクル Rが用いられる。

T

[0080] まず、ステップ S 10において、レチクル計測機 800A内にフィゾー干渉計 60を設置し、このフィゾー干渉計 60により、図 4に示されるレチクル Rのパターン面（被検面）の面形状の計測を可能な状態に調整する。すなわち、フィゾー干渉計 60内の光学系を図 4に示される状態に設置する。この調整は、組み立て用ロボットにより自動的に行われるようにしてもよい。この調整では、フィゾー干渉計 60の計測結果を、処理装置 7 1力も解析システム 600へ送信することができるような調整も併せて行われる。なお、この時点で、レチクル計測機 800A内において、レチクルステージ RST，及びレチクルホルダ RH'を、図 4に示される状態には設置しないものとする。また、参照面用部材 68については、この時点でまだ、図 4に示されるように設置しておく必要はない。

[0081] 次のステップ S12では、露光装置 100に設置されることとなるレチクルステージ RS T及びレチクルホルダ RHを、図 4に示されるレチクルステージ RST'及びレチクルホルダ RH'と同じように設置し、レチクルホルダ RH'上にレチクル Rを吸着保持可能な状態に調整するとともに、フィゾー干渉計 60を用いてレチクル R及びマーク板の面形状を適切な状態で計測できるように、フィゾー干渉計 60に対するそれらの位置及び姿勢等を調整する。

[0082] 次のステップ S 14では、不図示のレチクル搬送系を用いて基準レチクル Rをレチク

T

ルホルダ RH上にロードし、レチクルホルダ RHに基準レチクル Rを吸着保持させる。

τ

そして、次のステップ S 16では、フィゾー干渉計 60を用いて、基準レチクル Rのパタ

T

ーン面の面形状を計測する。この計測結果は、処理装置 71から解析システム 600に送られる。さらに、次のステップ S18では、基準レチクル Rを不図示のレチクル搬送

T

系を用いてアンロードし、適当な場所に待機させる。

[0083] 次のステップ S 20では、レチクルステージ RST及びレチクルホルダ RHを、レチクル計測機 800A力ら取り外し、レチクルステージ RST，及びレチクルホルダ RH'を設置し、レチクルホルダ RH上に基準レチクル Rを吸着保持可能な状態に調整するととも

T

に、フィゾー干渉計 60を用いてレチクル R及びマーク板の面形状を適切な状態で計測できるように、フィゾー干渉計 60に対するそれらの位置及び姿勢等を調整する。

[0084] 次のステップ S22では、待機させていた不図示のレチクル搬送系を用いて待機させていた基準レチクル Rをレチクルホルダ RHにロードし、レチクルホルダ RHに基準

T

レチクル Rを吸着保持させる。そして、次のステップ S 24では、フィゾー干渉計 60を

T

用いて、基準レチクル Rのパターン面の面形状を計測する。この計測結果は、処理

T

装置 71から解析システム 600に送られる。さらに、次のステップ S26では、レチクル搬送系を用いて基準レチクル Rをアンロードし、保管場所に戻す。

T

[0085] 次のステップ S28では、解析システム 600力ステップ S 16で取得されたレチクルホルダ RHに保持された状態での基準レチクル Rのパターン面の面形状データと、ス

T

テツプ S24で取得されたレチクルホルダ RH 'に保持された状態での基準レチクル R

T

のパターン面の面形状データとの差分に相当する面形状差データを算出する。ここでは、レチクルステージ RST'のマーク板の高さの計測結果を基準とした (一致させた）ときの面形状差 (マーク板に相当する信号を重ね合わせたときの各パターン面の面形状に相当する信号の差分)が算出される。解析システム 600は、この算出結果を記憶し、いつでも読み出せるように管理する。ステップ S28の終了後は、この準備処理を終了する。

[0086] このような準備処理を経た後、最終的に露光システム 200の各構成要素が組み立てられ（例えば、露光装置 100内で、レチクルステージ RST及びレチクルホルダ RH が図 2に示されるように設置される。レチクル計測機 800A内におけるレチクルステージ RST'及びレチクルホルダ RH'は、上述した工程を行った後、図 4に示されるような状態に、すでに設置されている）、実際に運用可能な状態に調整される。

[0087] なお、ウェハ計測機 400Aについても、上述したような処理と同様の処理が行われる。すなわち、ウェハステージ WST，及びウェハホルダ WH，の代わりにウェハステージ WST及びウェハホルダ WHを設置し、表面が鏡面加工された基準物体としての基準ウェハを吸着保持させたときの基準ウェハの面形状をフィゾー干渉計 60'により計測し、ウェハステージ WST，及びウェハホルダ WH，を設置し、ウェハホルダ WHに基準ウェハを保持させたときの基準ウェハの面形状をフィゾー干渉計 60'により計測し、基準マーク板 FMに相当するマーク板の表面を基準とした、それぞれの場合の面形状差データを、解析システム 600により求める。解析システム 600は、この面形状差データを不図示の記憶装置に格納し、そのデータをいつでも読み出せるように管理する。

[0088] 上述した準備処理は、露光システム 200内の全ての露光装置 100各々につ!/ヽて行われる。また、露光装置 1台 1台が、複数のレチクルホルダ RHの中力露光に用いるレチクルホルダ (すなわち実際にレチクル Rを保持するホルダ)を択一的に選択可能である場合には、複数のレチクルホルダ RHそれぞれについて、上述の動作が行われ、レチクル計測機 800Aのレチクルホルダ RH，との面形状差が解析システム 600 により求められる。解析システム 600は、これらすベてのレチクルホルダ RHと、そのレチクルホルダ RHについて上述のようにして算出された面形状差データとを関連付けて、不図示の記憶装置に格納し、いずれかのレチクルホルダ RHが用いられる際には、そのレチクルホルダ RHに対応する面形状差データを読み出すことができるように管理している。

[0089] [ウェハプロセス] 次に、図 1に示される露光システム 200において、すでに 1層目の露光が完了した 1 枚のウェハ Wに対する露光処理を行う場合の動作について図 8〜図 10のフローチヤート及び図 11〜図 13に基づいて説明する。なお、前提として、露光装置 100においては、レチクルステージ RSTに設けられたレチクルマーク板の投影像 (空間像)計測処理又はテスト露光などにより、そのレチクルマーク板の投影光学系 PLによる投影像面 (最良結像面）が検出されており、ステージ制御装置 19によるウェハステージ WS Tのフォーカス.レベリング制御においては、検出されたこの最良結像面に、ウェハ W の露光領域 IAに対応する表面が合致するようなフォーカス ·レべリング制御が行われるように、焦点位置検出系（60a, 60b)の検出オフセットが調整されているものとする

[0090] 図 8に示されるように、まず、ステップ S50では、工場内生産管理システム 700の管理の下、露光工程管理コントローラ 500が、不図示のレチクル搬送系により、露光装置 100にロードされることになるレチクル Rを、レチクル計測機 800Aまで搬送させ、レチクルホルダ RH，上にロードさせる。次のステップ S52では、レチクル計測器 800A 力レチクルホルダ RH'に保持された状態でのレチクル Rのパターン面に相当する面形状を計測する。この計測された面形状データ R(x, y) (x、 yは、レチクル Rのパターン中心を原点とする X軸方向、 Y軸方向の位置座標）は、解析システム 600に送信される。図 11、図 12には、計測された面形状 R(x、 y)の一例が示されている。図 11 では、 +Z側から見たときの XY面に対するレチクル Rのパターン面の Z位置の変化が示され、図 12は、 XY面に対するレチクル Rのパターン面の Z位置を、 3次元グラフ表示したものである。図 11、図 12に示されるように、レチクル Rは、レチクルホルダ RH，に保持されることにより、その保持部分に対しレチクル Rのパターン面の中心付近が落ち込むような形状に変形する。図 12に示されるように、レチクル Rのパターン面の Z 位置の最大値と最小値との差は、 0. 5ミクロン程度となっている。なお、図 12のグラフにお、ては、レチクル Rのマーク板の面の Z位置の最小値を原点として表示して!/、る

[0091] 図 8に戻り、ステップ S54では、不図示のレチクル搬送系により、レチクル Rをレチクル計測機 800A力もアンロードさせる。引き続き、レチクル搬送系は、このレチクル R を、露光装置 100に搬送する。

[0092] 次のステップ S56では、解析システム 600は、露光装置 100のレチクルホルダ RH に保持された状態とほぼ等価な状態でのレチクル Rの面形状データを算出する。すなわち、解析システム 600は、上記ステップ S28で算出された面形状差データ (これを dR(x、 y)とする）と、ステップ S52で取得されたレチクルホルダ RH，に保持された状態でのレチクル Rの面形状データ（R (x, y) )とに基づいて、レチクルホルダ RHに保持された状態とほぼ等価な状態でのレチクル Rの面形状データ (R' (X, y) =R (x , y) +dR (x, y) )を算出する。レチクル Rの面形状データ R，（x、 y)は、解析システム 600から露光工程管理コントローラ 500に送られる。

[0093] 次のステップ S58では、露光工程管理コントローラ 500は、レチクル Rのパターン面の平坦度が異常であるか否か、換言すれば、平坦度に関する要求精度を満たすことができないレチクル Rであるか否かを判断する。ここでは、上述のようにして求められたレチクル Rのパターン面の面形状データ R' (X, y)から、その平坦度に関する指標値を算出し、上記判断を、その値に基づいて行う。例えば、ここでは、面形状データ R ' (X, y)における面位置の最大値と最小値との差が、許容範囲内になければ、レチクル Rは平坦度異常であると判断する。この判断が肯定されれば、ステップ S60に進み、そのレチクル Rをリジェクトするように指示し (或いはモニタ上での表示機能などを用いて、そのレチクル Rのリジェクトを促し）、処理を終了する。一方、この判断が肯定されれば、ステップ S62に進む。

[0094] ステップ S62では、露光工程管理コントローラ 500は、主制御装置 20に、面形状データ R，（x、 y)を送るか、又は解析システム 600に、このレチクル Rのパターン面の面形状データ R' (X, y)を、主制御装置 20に送らせる。次のステップ S64では、レチクル Rを、露光装置 100に搬入させ、レチクル Rを図 2に示されるようにレチクルホルダ RH上に吸着保持させる。そして、次のステップ S66では、露光装置 100に対し、不図示のレチクルァライメント系によるレチクルァライメント及びベースライン計測などのレチクル Rに関する準備作業を、不図示のレチクルァライメント系及びァライメント系 A LGなどを用いて行うように指示する。なお、このような露光装置 100における一連の動作は、通常のスキャナと同様であるから、詳細説明については省略する。ステップ S66完了後 ίま、図 9のステップ S 70に進む。

[0095] 次のステップ S70では、露光工程管理コントローラ 500は、基板処理装置、すなわち露光装置 100及びトラック 300 (コータ部 310、デベロッパ部 320及びウェハ計測機 400A等）に対し、所定の手順でウェハ Wに対する処理をおこなうように指示する。この指示を受けると、ウェハキャリア 302から取り出された 1枚のウェハ Wは、搬送ライン 301上をレジストコータ 311まで搬送される。そして、レジストコータ 311内に搬入されたウェハ Wに対しフォトレジストが塗布され、さらに、そのウェハ Wは搬送ライン 30 1に沿ってプリベータ装置 312及びクーリング装置 313に搬送され、そのウェハ Wに対するレジスト処理が行われる。レジスト処理が完了すると、トラック 300から露光工程管理コントローラ 500に対し、レジスト処理完了通知が送られる。ステップ S72において、露光工程管理コントローラ 500は、この通知を取得する。

[0096] 次のステップ S74では、露光工程管理コントローラ 500は、ウェハ計測機 400Aにゥェハ Wをロードさせ、ステップ S76において、ウェハ計測機 400Aにより、ウェハ Wの面形状を計測させ、その面形状データ W(x、 y)を取得させる。図 13には、ここで、取得されたウェハ Wの面形状データ W(x、 y)の一例が示されている。

[0097] 次のステップ S 78では、ウェハ計測機 400Aからウェハ Wをアンロードし、不図示の搬送系により、ウエノ、 Wを露光装置 100に搬送させる。そして、ステップ S80では、露光工程管理コントローラ 500は、解析システム 600に、上記ステップ S28で算出された面形状差データ（dW(x、 y)とする）と、ステップ S52で取得されたウェハホルダ W H，に保持された状態でのウェハ Wの面形状データ (W(x, y) )とに基づいて、ウェハホルダ WHに保持された状態とほぼ等価な状態でのウェハ Wの面形状データ (W ( X, y) =W(x, y) +dW(x, y) )を算出させる。算出したウェハ Wの面形状データ W， (X, y)は、解析システム 600から露光工程管理コントローラ 500に送られる。

[0098] 次のステップ S82では、露光工程管理コントローラ 500は、ウェハ Wの平坦度が、要求精度を満たすことができないものである力否かを判断する。この判断は、ウェハ Wの面形状データ W' (x、 y)に基づいてその平坦度を表す指標値を算出し、その値を判断基準としてなされる。例えば、面形状データ W' (x, y)における最大値と最小値との差が、許容範囲でなければ、その平坦度は、要求精度を満たしておらず異常であると判断することができる。この判断が肯定されれば、ステップ S84に進み、露光工程管理コントローラ 500は、そのウェハ Wをリジェクトするように指示し (或いはモ- タ上での表示機能などを用いて、そのウェハ Wのリジェクトを促し）、処理を終了する

[0099] 一方、この判断が肯定されれば、ステップ S86に進む。ステップ S86では、露光ェ程管理コントローラ 500は、ウェハ Wの面形状データ W，（X, y)を、主制御装置 20に送るか、又は解析システム 600に対し、求められたウェハ Wの面形状データ W' (X, y )を、主制御装置 20に送るように指示する。そして、次のステップ S88では、露光工程管理コントローラ 500は、トラック 300に対し、ウェハ Wを露光装置 100に搬送させるように指示する。これにより、ウェハ Wが露光装置 100に搬入される。これにあわせて、露光工程管理コントローラ 500は、露光装置 100に対し、一連の露光動作を開始するように指示する。以降、図 10のステップ S90〜ステップ S108までの動作は、露光装置 100の主制御装置 20によって行われるものである。

[0100] この指示が送られた主制御装置 20では、ステップ S90において、不図示のプリァラィメント装置により、ウェハステージ WSTの移動位置（ウェハ干渉計 54Wの計測置に基づく位置)を規定するステージ座標系（本第 1の実施形態では、 XY座標系とする）と、ウェハ W上のショット領域の配列により規定される座標系（ウェハ座標系）とがある程度まで一致するように、ウェハステージ WSTに対するウェハ Wの回転ずれと中心位置ずれが高精度に調整されるいわゆるウェハブリアライメントを行う。

[0101] 次のステップ S92では、不図示のウェハローダを介して、ウェハ Wをウェハステージ WST上のウェハホルダ WH上にロードする。

[0102] 次のステップ S94では、ウェハァライメントを行う。ここでは、ァライメント系 ALGなどを用いた、 EGA方式などのウェハァライメントが行われる。なお、この EGA方式のゥェハァライメントについては、例えば特開昭 61—44429号公報及びこれに対応する米国特許第 4, 780, 617号などに開示されているので、詳細な説明を省略する。本国際出願で指定した指定国 (又は選択した選択国)の国内法令が許す限りにおいて、上記公報及び対応する米国特許における開示を援用して本明細書の記載の一部とする。 [0103] 次のステップ S96では、レチクル Rのパターン面の面形状データ R， (x, y)を、像面上の曲面に換算する。この換算は、投影光学系 PLの投影倍率を用いて行われる。この換算された面形状データを R，，（X, y)とする。この R，，（x、 y)は、レチクルマーク板の評価マーク像による基準面からのレチクル Rのパターン像の像面のずれ量を示データであるとみなすことができる。

[0104] 次!、で、ステップ S98では、ショット領域の配列番号を示すカウンタ pの値（以下、「カウンタ値 p」とする）に 1をセットし、最初のショット領域を露光対象領域とする。

[0105] 次に、ステップ S 100では、露光対象領域の配列座標（各ショット領域の中心位置座標）に基づいて、ウェハ Wの位置が露光対象領域を露光するための加速開始位置となるように、ステージ制御装置 19、ウェハステージ駆動部 56Wを介してウェハステージ WSTを移動させるとともに、レチクル Rの位置が加速開始位置となるようにステージ制御装置 19、レチクルステージ駆動部 56Rを介して、レチクルステージ RST を移動させる。すなわち、主制御装置 20は、ウェハァライメントの結果として得られたウェハ W上の各ショット領域の配列情報及びァライメント系 ALGのベースラインに基づいて、干渉計 54W、 54Rからの位置情報をモニタしつつ、ステージ制御装置 19の制御により、ウェハ Wの第 1ショット領域の露光のための走査開始位置 (加速開始位置）に、 Zチルトステージ 38 (ウェハステージ WST)を移動させるとともに、レチクルステージ RSTを走査開始位置 (加速開始位置）に移動させる。

[0106] 次のステップ S 102では、レチクルステージ RSTとウェハステージ WSTの相対走査を開始する。そして両ステージ RST、 WSTがそれぞれの目標走査速度に達し、等速同期状態に達すると、不図示の照明系からの照明光 ILによってレチクル Rのパターン領域が照明され始め、走査露光が開始される。そして、レチクル Rのパターン領域の異なる領域が照明光 ILで逐次照明され、パターン領域の全面に対する照明が完了することにより走査露光が終了する。これにより、レチクル Rの回路パターン等が投影光学系 PLを介してウェハ W上の露光対象領域に縮小転写される。すなわち、ここでは、ステップ 'アンド'スキャン方式の露光が行われる。

[0107] この走査露光中に、上記ステップ S96で求められたウェハ像面換算のレチクル尺の面形状データ R'，（X, y)に基づいて、レチクルステージ RSTの Y座標に応じて結像特性補正コントローラ 48を介して可動レンズを駆動するとともに、焦点位置検出系（6 Oa, 60b)の出力に基づいてステージ制御装置 19及びァクチユエータ 21A〜21Cを介して Zチルトステージ 38を駆動して、その補正後の走査像面にウェハ Wの面を一致させるように制御する。

[0108] これにより、走査露光中においては、非スキャン方向（X軸方向）のレチクル Rの照明領域 IARに相当する部分の面形状の変化による像面変化の 1次成分は、 Zチルトステージ 38のローリング (X軸方向チルト）制御で補正され、その 2次以上の成分は可動レンズの駆動により補正され、スキャン方向（Y軸方向）の像面変化は、 Zチルトステージ 38のピッチング (Y軸方向チルト）制御で補正され、像面のオフセット成分は、 Zチルトステージ 38の Z軸方向の制御（フォーカス制御）によって補正される。

[0109] なお、走査露光中の可動レンズの駆動による投影光学系 PLの結像特性の補正、例えば像面湾曲の補正は、走査露光中に常時行うことは必須ではなぐ例えば走査露光に先立って行うものとすることもできる。この場合、可動レンズの駆動によりフォーカス位置が変化する場合には、主制御装置 20は、発生するフォーカス位置の変化量 Δ Ζ'を走査露光前に算出しておき、走査露光中は、 Δ Ζ'だけ変化させたフォ一カス位置の目標値に基づいて、前述のフォーカス'レべリング制御を実行することとしても良い。これによつて、レチクル Rのパターン面の橈みによる像面湾曲及びデフォ一カスが補正されて、ウェハ Wの表面が高精度にレチクル Rのパターン面に対する実際の像面に焦点深度の範囲内で合わせ込まれる。

[0110] また、この走査露光中においては、レチクル Rの面形状データ R'，（x、 y)による補正と同時に、ウェハ Wの面形状データ W(x、 y)を用いたウェハステージ WSTの位置制御の補正も同時に行う。すなわち、ウェハ干渉計 54Wの計測値力得られる、ゥェハステージ WSTの X位置、 Y位置に基づいて、露光領域 IAに相当するウェハ Wの位置 (x、 y)を割り出す。そして、そのウェハ Wの位置 (X, y)におけるウェハの面形状データ W(x、 y)から算出された露光領域 IAに対応するウェハ Wの表面に基づいて、例えば、焦点位置検出系（60a, 60b)の検出オフセットを調整する。これにより、そのウェハ Wの基準マーク板の Z位置に対する露光領域 IAに対応するウェハ Wの面形状の変化に関わらず、パターンの最良結像面と、ウェハ Wの表面とが焦点深度の範囲内で一致するようになる。

[0111] 次のステップ S 104では、カウンタ値 pを参照し、全てのショット領域に露光が行われた力否かを判断する。ここでは、 p = l、すなわち、最初のショット領域に対して露光が行なわれたのみであるので、ステップ S 104での判断は否定され、ステップ S 106に進む。ステップ S 106では、カウンタ値 pをインクリメント（p p + 1)して、次のショット領域を露光対象領域とし、ステップ S100に戻る。

[0112] 以下、ステップ S 104での判断が肯定されるまで、ステップ S100→ステップ S 102 →ステップ S104→ステップ S106の処理、判断が繰り返され、ウェハ W上の複数のショット領域にレチクル Rの回路パターン等が転写される。ウェハ W上の全てのショット領域へのパターンの転写が終了すると、ステップ S 104での判断が肯定され、ステツプ S108に移行する。ステップ S108では、不図示のウェハローダによるウェハ Wのァンロードを指示する。

[0113] この指示により、ウェハステージ WSTからアンロードされたウェハ Wは、不図示のゥェハアンローダにより、トラック 300の搬送ライン 301まで搬送された後、搬送ライン 3 01に沿って順次ポストベータ装置 321及びクーリング装置 322を経て現像装置 323 に送られる。次のステップ S 110では、現像装置 323において、ウェハ Wの各ショット領域上に、レチクルのデバイスパターンに対応したレジストパターン像が現像される。現像が完了したウェハ Wは、必要に応じて形成されたパターンの線幅、重ね合わせ誤差等の不図示の計測装置で検査され、搬送ライン 301によってウェハキャリア 303 内に収納される。

[0114] 次のステップ S 112では、ウェハキャリア 303に収納されたウェハ Wは、他の処理装置に搬送され、エッチング (レジストで保護されていない部分を削り取る）を行い、ステップ S114において、レジスト剥離 (ステップ S96、不要となったレジストを取り除く）を行う。露光装置 100で露光を行う次のウェハ Wがある場合には、上述した S70 S11 4の処理をそのウェハ Wに対し繰り返し行う。これにより、ウェハキャリア 302に収納された例えば 1ロットのウェハ Wに対し、多重に回路パターンが形成される。

[0115] [パイプライン処理]

上述した本第 1の実施形態の処理手順においては、ウェハ計測機 400Aによるゥェハ Wの面形状の露光装置 100搬入前の計測工程（図 9のステップ S 70〜ステップ S8 8)を行うことにより、ウェハプロセス処理のスループットが低下することが懸念されるが、以下のようなパイプライン処理を適用することにより、スループットの低下を防止することが可能である。これにつ!/、て図 14に基づ、て説明する。

[0116] ウェハ Wの面形状の計測工程を追加したことにより、ウェハプロセス処理は、レジスト膜を形成するレジスト処理工程 A、ウェハ計測機 400Aによるウェハの面形状の計測工程 B、ァライメント及び露光を行う露光工程 C、露光後の熱処理や現像を行う現像工程 D、レジストパターンの測定を行う場合にはパターン寸法計測工程 Eの 5つの工程で構成されることになる。これらの 5つの工程で、数枚のウェハ W (同じ図では 3 枚）について、並行的に処理するパイプライン処理を行う。具体的には、また、ウェハ Wの計測工程 Bを先行するウェハ Wの露光工程 Cとを並行して行うことにより、全体のスループットに与える影響を極めて小さく抑えることができる。

[0117] また、現像工程 Dの実施後にレジスト寸法測定工程 Eを実施する場合には、事前計測工程 Bとレジスト寸法測定工程 Eを互いに重ならなヽようなタイミングで、これらをゥェハ計測機 400Aでパイプライン的に計測することにより、レジスト寸法測定装置を別途設ける必要がないので装置コストを削減することができるうえ、且つスループットにもそれほど悪影響を与えることはな、。

[0118] なお、図 14に示されるパイプライン処理はあくまでも一例であり、先行するウェハに対する露光を行っている間に次のウェハ Wに対するウェハブリアライメントを行うように工程をスケジューリングしてもよいことは勿論である。

[0119] 以上詳細に述べたように、本第 1の実施形態によれば、露光に用いられるレチクル R及びウェハ Wを露光装置 100に搬入する前に、レチクルホルダ RH及びウェハホルダ WHに保持された状態と等価な状態でのレチクル R及びウェハ Wの平坦度に関する情報 (それらの面形状データ R' ' (x、 y)、 W' (x, y) )を取得する。このようにすれば、露光装置 100におけるスループットに影響を与えることなぐそのレチクル R及びウェハ Wの平坦度に関する情報を、それらを用いた露光装置 100における露光動作を行う前に認識することができる。

[0120] より具体的には、本第 1の実施形態では、レチクルホルダ RH、ウェハホルダ WHに保持された状態でのレチクル R、ウェハ Wの面开状と、そのレチクル R、ウェハ Wを保持したときのその面形状との差分 (面形状差)が既知であるレチクルホルダ RH'、ゥェハホルダ WH，によりレチクル R、ウェハ Wを保持した状態で、レチクル R、ウェハ W の面形状を計測し、レチクルホルダ RH、ウェハホルダ WHに保持された状態でのレチクル R、ウェハ Wの面形状データと、前述の面形状差のデータとに基づいて、レチクルホルダ RH、ウェハホルダ WHに保持された状態と等価な状態でのレチクル RH、 WHの面形状データを算出する。このようにすれば、露光装置 100のレチクルホルダ RH、ウェハホルダ WHにレチクル R、ウェハ Wを直接保持した状態とせずとも、それらに保持された状態と等価な状態でのレチクル R、ウェハ Wの面形状を求めることが可能となる。これにより、レチクル R、ウェハ Wを露光装置 100に搬入する前に、露光中のレチクル R、ウェハ Wの面形状を事前に取得することができるようになる。

[0121] また、本第 1の実施形態では、このようなレチクル R、ウェハ Wの面形状を事前計測する工程に先立って、レチクルホルダ RH、ウェハホルダ WHに保持された基準レチクル R、基準ウェハの面开状と、レチクルホルダ RH，、ウェハホルダ WH,に保持さ τ

れたそれらの面形状とをそれぞれ計測し、それぞれの計測結果の差分をレチクルホルダ RHとレチクルホルダ RH，との面开状差、ウェハホルダ WHとウェハホルダ WH，との面形状差として算出する。この面形状差を求めることにより、レチクルホルダ RH、ウェハホルダ WHにレチクル R、ウェハ Wを保持させることなぐレチクルホルダ RH、ウェハホルダ WHに保持された状態でのレチクル R、ウェハ Wの面形状を算出することが可能となる。

[0122] また、本第 1の実施形態によれば、レチクル R、ウェハ Wの面形状の計測結果に基づいて、それらの平坦度異常を検出し、異常と判断した場合には、そのレチクル R、ウエノ、 Wをリジェクトする。このようにすれば、平坦度異常とみなされたレチクル R、ゥエノ、 Wは露光に用いな、ようにすることができ、露光工程を適切なものとすることができる。

[0123] また、本第 1の実施形態によれば、上述したように、露光装置 100に搬入される前に、レチクルホルダ RH、ウェハホルダ WHに保持された状態と等価な状態でのレチクル R、ウェハ Wの面形状を計測し、その計測結果に基づいて、投影光学系 PLの結像特性の補正と、レチクル R及びウェハ Wの相対位置の補正を行いつつ、レチクル R 上に形成された回路パターン等を、ウェハ W上に転写するので、高精度な露光を実現することができる。

[0124] なお、本第 1の実施形態では、レチクル Rの面形状に応じて、結像特性補正コント口ーラ 48を用いて、投影光学系 PLの結像特性のうち、フォーカス、像面湾曲、ディストーシヨンを補正した。これらの収差成分を補正することにより、レチクル Rのパターンを所望のウェハ W上の位置に転写することができるようになる。

[0125] また、本第 1の実施形態では、ウェハ Wの面形状に関しては、焦点位置検出系（60 a、 60b)の検出オフセットを、随時その面形状にあわせて調整していった力これには限られない。例えば、レチクル Rの像面換算の面形状データ R，，（x、 y)とウェハ W の面形状データ W' (x、 y)との和を、露光領域 IAに対応する部分で加算した結果に基づヽて、結像特性補正コントローラ 48を用いて投影光学系 PLの結像特性を調整するようにしてちょい。

[0126] なお、本第 1の実施形態では、レチクル Rの面形状と、ウェハ Wの面形状とを両方事前 (露光装置 100に搬入する前）に計測したが、どちらか一方だけ事前計測すればよ、ことは勿論である。レチクル Rの面形状のみを露光時の投影光学系 PLの結像特性に反映させる場合には、補正可能な収差成分として、投影光学系 PLのフォー力ス、像面湾曲、ディストーションを調整することになる力ウェハ Wの面形状のみの場合には、投影光学系 PLのフォーカスのみを調整することとなる。

[0127] また、本第 1の実施形態では、レチクル R、ウェハ Wの平坦度が要求精度を満たすことができないものである場合には、そのレチクル R、ウェハ Wをリジェクトした力これには限られない。平坦度が悪ィ匕している面がごく一部である場合には、残りの部分を露光に用いるようにすることもできる。例えば、レチクル Rのパターン領域に複数のチップ領域に対応する回路パターンが形成されている場合、平坦度が悪化しているチップ領域を露光しないように、不図示の照明系に備えられたレチクルブラインドを規定して露光を行うようにしてもよい。このことは、ウェハ Wについても同様であり、ゥェハ Wの全体の平坦度力許容値を上回っていても、それが一部の平坦度の悪ィ匕によるものか否かを判断し、平坦度が悪化して!/、る部分のショット領域のみを露光対象から除外することがでさる。

[0128] なお、平坦度異常が検出された場合には、レチクルホルダ RHを別のホルダに交換するようにしてもよい。具体的には、露光工程管理コントローラ 500は、図 8のステップ S58において、平坦度異常と判断した場合には、露光装置 100の主制御装置 20に対し、レチクルホルダ RHの交換を指示する。主制御装置 20は、レチクル Rが搬入される前に、レチクルホルダ RHの交換を不図示のレチクルホルダ交換系を用いて行う

[0129] また、例えば、露光装置 100が、複数のレチクルホルダ RHの中から 1つのレチクルホルダ RHを選択して、レチクルステージ RST上に載置可能である場合には、平坦度が許容範囲内となるレチクルホルダ RHを選択するようにしてもよい。この場合、解析システム 600は、露光装置 100に備えられた複数のレチクルホルダ RHそれぞれについて、レチクルホルダ RH'との面形状差データ dR(x、 y)を不図示の記憶装置に記憶して管理しているものとする。そして、図 8のステップ S56では、解析システム 6 00は、レチクル Rの面形状データ R (x、 y)と、各レチクルホルダ RHの面形状データ d R (x、 y)との和である面形状データ R' (x、 y)を算出し、露光工程管理コントローラ 50 0は、その算出結果に基づいて、パターン面の平坦度が最も良好なレチクルホルダ R Hを選択する。露光工程管理コントローラ 500は、この選択されたレチクルホルダ RH に関する情報 (例えばレチクルホルダ RHの識別番号)などを露光装置 100の主制御装置 20に送る。主制御装置 20は、レチクル Rを搬入する前に、選択されたレチクルホルダ RHをレチクルステージ RSTにロードする。なお、この平坦度が最も良好であるホルダの選択にっ、ては、ウェハホルダ WHにつ!/、ても同じように実施することができることはヽうまでもな!/ヽ。

[0130] さらに、レチクルホルダ RH，とレチクル Rとの間や、ウェハホルダ WH，とウェハ Wとの間に異物が挟みこまれてそれらの平坦度が悪ィ匕していることも考えられるので、一端、レチクルホルダ RH、ウェハホルダ WH、レチクル R、ウェハ Wを洗浄し、レチクル計測機 800A、ウェハ計測機 400Aにおいて、再度、面形状の計測を行うようにしてもよい。具体的には、露光工程管理コントローラ 500は、レチクル Rの面形状データ R ' (x、 y)力も得られる平坦度が所定の閾値を超えていた場合には、平坦度異常であるとみなし、基板処理工場内に備えられた洗浄装置に、レチクルホルダ RH、レチクル R又はウェハホルダ WH、ウェハ Wを搬送させ、それらを洗浄させる。洗浄後、レチクルホルダ RH及びレチクル R、ウェハホルダ WH及びウェハ Wは、再び、レチクル計測機 800A又はウェハ計測機 400Aに搬送され、図 8又は図 9に示される面形状データの事前取得工程が行われる。

[0131] なお、本第 1の実施形態では、レチクルホルダ RH，又はウェハホルダ WH，が保持するレチクル R又はウェハ Wの保持状態を調整可能であるとすることもできる。例えばウェハホルダ WH，のピン 32—本力例えばピエゾ素子などに接続されており、その先端部の高さがそれぞれ調整可能であった場合、ウェハについて行われる、図 7に示されるような準備処理を行った後、ウェハホルダ WHに保持された状態での基準ゥェハの面形状と、ウェハホルダ WH'に保持された基準ウェハの面形状とがほぼ一致するように、ピン 32を調整するようにしてもよい。このようにすれば、レチクルホルダ R Hに保持された状態での面形状と、レチクルホルダ RH'に保持された状態での面形状とをほぼ同じ状態とすることができるので、それらの面形状の計測精度をさらに向上させることができる。

[0132] 《第 2の実施形態〉〉

次に、本発明の第 2の実施形態について、図 15、図 16に基づいて説明する。上記第 1の実施形態では、ウェハホルダ WHに保持された状態と等価な状態 (面形状の差が既知である他のウェハホルダ WH'に保持された状態）でのウェハ Wの面形状を露光装置 100に搬入する前に計測した力本第 2の実施形態では、ウェハホルダ W Hに保持されたウェハ Wの面形状を直接事前計測する。ここで、上記第 1の実施形態と同一若しくは同等の構成部分については同一の符号を用いるとともに、その説明を簡略ィ匕し若しくは省略するものとする。本発明に係る検査方法及び露光方法を好適に実施可能な第 2の実施形態に係る露光システムは、前述した第 1の実施形態におけるウェハ計測機 400A (図 6)に代えて、図 15に示される、ウェハ計測機 400B を備え、露光装置 100とウェハ計測機 400Bとの間でウェハホルダ WHを搬送することができる不図示の搬送系をさらに備える点に特徴を有する。

[0133] 図 15には、ウェハ計測機 400Bの概略的な構成が示されている。図 15に示されるように、ウェハ計測機 400Bでは、専用のウェハホルダ WH，でなぐ露光装置 100で用いられるウェハホルダ WHがウェハステージ WST，の上に載置されて!、る。このゥェハホルダ WHは、上述したウェハホルダの搬送系により搬送され、ウェハステージ WST'の上にロードされたものである。ウェハ計測機 400Bでは、露光装置 100で用いられるウェハホルダ WHに吸着保持された状態、すなわち実際の露光中と同じ状態でのウェハ Wの面形状の計測を行う。

[0134] 次に、図 15に示されるウェハ計測機 400Bを用いたウェハ Wの面形状の計測を行う場合の動作について図 16のフローチャートに基づいて説明する。この計測動作は、本第 1の実施形態における露光動作の図 9のステップ S74〜ステップ S88の代わりに行われるものである。

[0135] まず、ステップ S200において、不図示のウェハホルダの搬送系により、ウェハホルダ WHを露光装置 100からウェハ計測機 400Bまで搬送し、ウェハステージ WST'上に載置する。次のステップ S202では、ウェハ Wを、ウェハステージ WST，に載置されたウェハホルダ WH上にロードする。次のステップ S204では、ウェハ計測機 400B は、ウェハ Wの面形状を計測し、ウェハ Wの面形状データ W，（x、 y)を露光工程管理コントローラ 500に送る。ステップ S206において、露光工程管理コントローラ 500 は、その面形状データ W' (x、 y)に基づく平坦度が許容範囲内である力否かを判断する。この判断が否定されれば、ステップ S208に進み、肯定されればステップ S214 に進む。ここでは、ウェハ Wの面形状データ W，（x、 y)が許容範囲外で、判断が否定され、ステップ S208に進むものとする。ステップ S208では、露光工程管理コントローラ 500は、ウエノ、 Wの面形状の計測回数が所定回数 (例えば 2回）を超えた力否かを判断する。ここでは、 1回目であるので、判断は否定され、ステップ S210に進む。

[0136] ステップ S210では、不図示の搬送系を用いてウェハ Wをー且アンロードし、ステツプ S202に戻り、ウェハ計測機 400Bにウェハ Wを再びロードする。このとき、ウェハ Wのロード位置を、前回のステップ S202におけるウェハ Wのロード位置に対し、所定距離 (例えば 100ミクロン程度)ずらした位置とする。そして、ステップ S204において、ウェハ計測機 400Bにおいてウェハ Wの面形状を再び計測し、ステップ S206において、露光工程管理コントローラ 500は、その面形状データ W' (x、 y)を取得し、ゥエノ、 wの平坦度が許容範囲内である力否かを判断する。

[0137] このように、ステップ S206において判断が肯定される力ステップ S208において、判断が肯定されるまで、ステップ S202〜ステップ S210のループ処理が繰り返され、ウェハホルダ WH上のウェハ Wの保持位置を数百ミクロンずらしながら、その都度、ゥエノ、 Wの面形状データ W' (x、 y)が取得される。このループ処理の繰り返し回数が所定回数以上となると、ステップ S208における判断が肯定され、ステップ S208に進み、そのウェハ Wをリジェクトして、処理を終了する。

[0138] 一方、ウェハ Wの面形状データ W，（x、 y)に基づく平坦度が許容範囲内となり、ステツプ S206における判断が肯定されれば、ステップ S214に進む。ステップ S214では、ウェハ Wをアンロードし（或いはモニタ上での表示機能などを用いて、ウェハ Wのアンロードを促し）、続くステップ S216では、ウェハホルダ WHをアンロードして（或いはモニタ上での表示機能などを用いて、ウェハホルダ WHのアンロードを促して）、露光装置 100に搬送し、ウェハステージ WST上に設置する。さらに、ステップ S218では、露光工程管理コントローラ 500は、最終的に取得されたウェハホルダ WH上のゥェハ Wの保持装置及びその保持位置でのウェハ Wの面形状データ W，（x、 y)を主制御装置 20に送信し、さらに、ステップ S220では、ウェハ Wを露光装置 100に搬送する。

[0139] ステップ S220の実行後は、上記第 1の実施形態と同様に、図 10のステップ S90〜ステップ S108の露光処理が行われ、現像 (ステップ S 110)、エッチング (ステップ S1 12)、レジスト剥離 (ステップ S 114)が行われる。

[0140] 以上詳細に述べたように、本第 2の実施形態によれば、露光装置 100で用いられるウェハホルダ WHに保持された状態でのウェハ Wの平坦度に関する情報（面形状）を、直接的に、露光装置 100にウェハ Wを搬入する前に事前計測するので、実際の露光中と同じ状態でのウェハ Wの面形状を直接計測することが可能となるので、高い計測精度が得られる。

[0141] また、本第 2の実施形態によれば、観点を変えてみると、ウェハホルダ WHに保持された状態でのウエノ、 Wの平坦度が良好となるように、ウェハ Wの保持状態を調整し、調整された保持状態でウェハホルダ WHによりウェハ Wを保持しつつ、レチクル R上のパターンを、ウェハ W上に転写する。力かる場合には、ウェハホルダ WHに保持されたウェハ Wを用いて露光を行う際に、ウェハ Wの平坦度が良好となるように、その保持状態が調整されたウェハホルダ WHによりウェハ Wを保持することができるので、高精度な露光を実現することができる。

[0142] なお、本第 2の実施形態では、露光装置 100で用いられるウェハホルダ WHをゥェハ計測機 400Bに搬送し、ウェハ Wの面形状を計測するので、この計測中、露光装置 100ではウェハホルダ WHを用いることができない。したがって、本第 2の実施形態では、複数のウェハホルダ WHを用意し、それらを順番に用いるようにすれば、露光装置 100における露光と、ウェハ計測機 400Bにおける計測とを同時並行で行うことができるようになる。このようにすれば、スループットを低下させることなぐウェハ W の面形状を事前に計測することができるようになる。

[0143] また、本第 2の実施形態によれば、ステップ S 202〜ステップ S210において、ゥェハホルダ WHにおける、ウェハ Wの保持位置を調整しつつ、ウェハ Wの面形状の計測を行い、露光装置 100内でウェハホルダ WHによりウェハ Wを保持する際には、ゥエノ、 Wの平坦度が最も良好だった保持位置でウェハ Wを保持する。このようにすれば、ウェハ Wの平坦度を最適化した状態でウェハホルダ WHにより、ウェハ Wを保持することが可能となる。

[0144] なお、本第 2の実施形態では、ウェハ Wの面形状 W(x、 y)力も得られたその平坦度が許容範囲内でな、場合には、ウェハホルダ WH上のウェハ Wの保持位置を変更したが、これに限らず、ウェハホルダ WHの吸着保持力を変更するようにしても良い。すなわち、ステップ S206、 S208において半 IJ断力否定された後に、ステップ S21 0におけるウェハ Wをアンロードした後、ステップ S202においてウェハ Wのロードを行ってウェハ Wの保持位置を変更する代わりに、ウェハホルダ WHのバキューム圧を変更し、ステップ S204に戻って、再びウェハ Wの面形状を計測するようにしても良い。そして、バキューム圧を所定範囲内で変化させ、ウェハ Wの面形状 W(x、 y)が許容範囲内となったときには、そのバキューム圧を、ウェハ Wを吸着保持するためのバキューム圧として、ウェハ Wの面形状 W(x、 y)とともに、露光装置 100の主制御装置 20に送るようにすればよ！、。 [0145] なお、この場合、バキューム圧を所定範囲内で変化させても、ウェハ Wの平坦度が許容範囲内とならなかった場合には、ウェハホルダ WHに保持されたウェハ Wの保持位置を変更して、さらにバキューム圧の調整を行うようにしてもよい。また、ウェハ W の保持位置を変化させても、ウェハ Wの平坦度が許容範囲内とならなカゝつた場合には、最も平坦度が良好であった保持位置にウェハ Wを保持し、その保持位置でゥェハ Wのバキューム圧を変化させて、最も良好であったバキューム圧を最適なバキューム圧として選択するようにしてもょ、。

[0146] また、ウェハホルダ WH上のウェハ Wの保持位置が好ましい位置であるか否かを判断するために、その保持位置でウェハ Wを保持したまま、ウェハホルダ WHのバキュ一ム圧を変化させ、ウェハ Wの面形状の変化を計測するようにしてもよい。ここで、その変化量が所定値よりも大きい場合には、その保持位置は、望ましい位置でないとし、ウェハホルダ WHのウェハ Wの保持位置を変更するようにしても良い。すなわち、バキューム圧に応じてウェハ Wの平坦度がほとんど変わらないような保持位置を、ゥエノ、 Wの最適な保持位置として選択するようにしてもよい。すなわち、ウェハホルダ WHの真空吸着力の変動に伴うウェハ Wの面形状の変動の度合 (大きさ）に基づいて、ウェハホルダ WHにおけるウェハ Wの最適な保持位置を求めるようにしてもよい。

[0147] なお、本第 2の実施形態では、ウェハ Wの面形状力得られるその平坦度が異常であると判断された場合には、ステップ S212において、ウェハ Wをリジェクトしたが、ウェハ Wをウェハホルダ WHからアンロードし、それぞれをクリーニングした後、上記事前計測処理をリトライするようにしてもよ!ヽ (或いはモニタ上での表示機能などを用いて、その旨を、すなわちウェハ Wとウェハホルダ WHのそれぞれをクリーニングする旨を促すようにしても良い)。

[0148] また、本第 2の実施形態では、露光装置 100において、複数のウェハホルダ WHを有している場合には、そのうちの 1つのウェハホルダ WHにウェハ Wを保持した状態で、その面形状を計測し、平坦度が最も良好だったウェハホルダ WHを選択的に用 V、るようにしても良ヽ（或いはモニタ上での表示機能などを用いて、平坦度が最も良好だったウェハホルダ WHを選択的に用いるように促しても良い)。具体的には、図 1 6のステップ S206で、平坦度許容値内において、判断が否定された場合には、他のウェハホルダ WHを、ウェハ計測機 400B上に載置し、そのウェハホルダ WHにゥェハ Wを保持した状態で、その面形状を計測する処理を、平坦度が許容範囲内となるまで繰り返すようにすればよ!、。

[0149] また、本第 2の実施形態では、ウェハホルダ WHに保持されたウェハ Wの面形状を直接的に、事前計測する場合について述べたが、レチクルホルダ RHに保持されたレチクル Rの面形状を直接事前計測するようにしてもょ、ことは勿論である。この場合、レチクルホルダ RHに保持された状態でのレチクル Rの面形状を事前に計測可能なレチクル計測機を備え、その計測機と露光装置との間でレチクルホルダ RHを搬送することができる不図示の搬送系をさらに備える必要がある。

[0150] 《第 3の実施形態〉〉

次に、本発明の第 3の実施形態について、図 17、図 18に基づいて説明する。ここで、上記第 1の実施形態と同一若しくは同等の構成部分については同一の符号を用いるとともに、その説明を簡略ィ匕し若しくは省略するものとする。この第 3の実施形態に係る露光システムでは、図 17の斜視図でその構成が模式的に示される、レチクル計測機 800Cを備える点に特徴を有する。

[0151] 図 17に示されるように、レチクル計測機 800Cは、光源 801と、振動ミラー 802と、走査レンズ 803と、受光器 808、 809、 810とを含んで構成されている。また、レチクル Rのパターン面（被検面 804)上には、回路パターンが形成されているものとし、その一部に異物 806が付着しているものとする。

[0152] 光源 801から射出された光ビーム L1は、振動ミラー (ガルバノスキャナーミラー又はポリゴンスキャナーミラー） 802により偏向させられて走査レンズ 803に入射し、この走查レンズ 803から射出された光ビーム L2が、被検面 804上の走査線 805上を走査する。この際に、光ビーム L2の走査周期よりも遅い速度で被検面 804をその走査線 805に直交する方向に移動させると、光ビーム L2により被検面 804上の全面を走査することができる。この場合、被検面 804の表面上に異物 806が存在する領域に光ビーム L2が照射されると散乱光 L3が発生する。また、被検面 804上に付着した異物やパターン欠陥とは異なる、例えばレチクル R上の回路パターン、ウェハ W上の回路パターン等の周期的な構造 (以下、「パターン」と総称する） 807が存在する領域に光ビーム L2が照射されると、そのパターン 807からは回折光 L4が発生する。

[0153] 図 17においては、受光器 808、 809及び 810が相異なる方向から走査線 805に対向するように配置されて、る。異物 806から発生する散乱光 L3はほとんど全方向に向かって発生する等方的散乱光であるのに対して、パターン 807から発生する回折光 L4は回折によって生じるために空間的に離散的な方向に射出される光 (指向性の強い光)である。この散乱光 L3と、回折光 L4との性質の違いを用いて、受光器 808、 809及び 810の全てで光を検出した場合には、その光は欠陥からの散乱光であり、受光器 808、 809及び 810の内で 1つでも光を検出しない受光器が存在する場合には、その光はパターンからの回折光であると判断する。これにより、パターン 807と異物 806とを区別して検出することができる。

[0154] 次に、本第 3の実施形態に係る露光システム 200の動作について説明する。図 18 には、図 17のレチクル Rの面形状の事前計測の処理手順を示すフローチャートが示されている。図 18〖こ示されるよう〖こ、ステップ S300〖こおいて、レチクル Rをレチクル計測機 800Cにロードする。そして、ステップ S302において、上述のようにして、レチクル Rのパターン面 (ゴミの付着及びパターンの欠陥）を計測する。この計測結果は、露光工程コントローラ 500に送られる。次のステップ S304では、レチクル Rをレチクル計測機 800Cからアンロードする。

[0155] 次のステップ S306では、露光工程管理コントローラ 500は、この計測が 2回目の計測であるか否かを判断する。この判断が肯定されればステップ S312に進み、否定されればステップ S308に進む。ここでは、まだ計測が 1回目であるので判断は否定され、ステップ S308に進む。ステップ S308では、計測中に、散乱光 L3が観測され、レチクル R上に異物（例えば、図 17の異物 806)が発見されたか否かを判断する。この判断が否定されればステップ S314に進み、肯定されればステップ S310に進む。

[0156] ステップ S310では、不図示のクリーニング装置において、レチクル Rのパターン面をクリーニングする（或いはモニタ上での表示機能などを用いて、レチクル Rのパターン面のクリーニングを促す）。ステップ S310終了後は、ステップ S300に戻り、レチクル Rをレチクル計測機 800Cに再びロードし、ステップ S302において、異物、パターン欠陥の事前計測を行い、ステップ S304において、レチクル計測機 800Cからレチクル Rをアンロードし、ステップ S306では、 2回目の計測であるので判断は肯定され、ステップ S312に進む。

[0157] ステップ S312では、パターン面上に欠陥がある力否かを判断する。クリーニング後のレチクル Rに対する 2回目の計測でも、散乱光 L3が観測されるということは、パターン欠陥があるということを意味している。したがって、ここでは、 2回目の計測においても散乱光 L3が観測されていた場合には判断を肯定し、ステップ S318に進む。ステツプ S318では、レチクル Rをリジェクトし（或!/、はモニタ上での表示機能などを用いて、そのレチクル Rのリジェクトを促し）、処理を終了する。

[0158] 一方、ステップ S308において判断が否定された後（1回目の計測においてレチクル R上に散乱光 L3が観測されな力つた場合)又はステップ S312において判断が肯定された後（2回目の計測でもレチクル R上に散乱光 L3が観測されなカゝつた場合）は、ステップ S314に進む。ステップ S314では、レチクル Rを露光装置 100に搬入し、ステツプ S316において、第 1の実施形態のステップ S66 (図 8参照）と同様の準備処理を行う。ステップ S316実行後は、図 9、図 10と同様の処理が行われる。

[0159] 以上詳細に述べたように、本第 3の実施形態によれば、露光に用いられるレチクル Rを露光装置 100に搬入する前に、レチクル Rのパターン面上を計測し、レチクル R 上に付着した異物及びパターン欠損に関する情報を取得する。このようにすれば、露光装置 100におけるスループットに影響を与えることなぐそのレチクル Rに付着した異物及びパターン欠損をいち早く検出し、対処することができる。

[0160] また、本第 3の実施形態によれば、レチクル Rのパターン面を計測し、散乱光 L3が観測され異物が付着していると判断した場合には、ステップ S310において一度レチクル Rのパターン面をクリーニングし、再度上記計測を行っても、散乱光 L3が観測された場合には、パターン欠陥があると判断するので、パターン面上の異物と、パターン欠陥とも区別することが可能となり、異物があると判断した場合にはクリーニングを行い、パターン欠陥があると判断した場合にはレチクル Rのリジェクトを行うというように、それぞれ検出結果に応じて適切な処理を実行することができるようになる。

[0161] なお、本第 3の実施形態では、レチクル R上の異物又はパターン欠陥を事前計測するレチクル計測機 800Cを備える場合にっ、て述べたが、ウェハ W上の異物又はパターン欠陥を事前計測するウェハ計測機を備えるようにしてもよいことは勿論である。このウェハ計測機の構成及び動作は、上述したレチクル計測機 800Cの構成及び動作とほぼ同等とすることができるので、詳細な説明を省略する。

[0162] なお、本第 3の実施形態においても、レチクル Rのパターン欠陥が発生している箇所がごく一部である場合には、残りの部分を露光に用いるようにすることもできる。例えば、レチクル Rのパターン領域に、複数のチップ領域に対応する回路パターンが形成されている場合、パターン欠陥が発生しているチップ領域を露光しないように、不図示の照明系に備えられたレチクルブラインドを規定して露光を行うようにしてもょヽ

[0163] このことは、ウェハ Wについても同様であり、ウェハ W上の一部のショット領域にパターン欠陥が発生していても、それが一部のショット領域に限られるものであれば、パターン欠陥が発生したショット領域のみを露光対象力も除外することができる。

[0164] なお、上記第 1、第 2の実施形態では、レチクル R及びウェハ Wの平坦度に関する情報をそのレチクル R、ウエノ、 Wの面形状データとした力これには限られず、例えばその面形状の微分データ又は積分データであってもよい。また、そのレチクル R及びウェハ _Wの Z位置の分散や標準偏差、最大値と最小値との差であってもよい。また、この面形状データとしては、各 xy位置に対する Z位置の面形状マップ方式で表現されて、るものであっても良、し、関数形式で表現されて!、るものであってもよ!/、。

[0165] なお、上記各実施形態では、レチクルホルダ RHを、 3つの面で吸着保持するものとしたが、これには限らず、レチクル Rの 4角近傍を支持する 4点支持のレチクルホルダであってもかまわない。

[0166] なお、上記各実施形態では、レチクル R又はウェハ Wを保持するレチクルホルダ R H、 RH' ,ウェハホルダ WH、 WH，を真空吸着式のホルダであるものとした力静電吸着方式のホルダであってもよい。また、これらのホルダ RH、 RH，WH、 WHへの保持に際しては、ステージ RST、 WSTの走査に際し生じる加速度によるレチクル R、ゥェハ Wの位置ずれを防止するために、レチクル R、ウェハ Wをステージ RST、 WST に押し付ける機械的なクランプ機構を併用することも可能である。この場合、事前の平坦度の計測をする際にも、同じようなクランプ機構を併用した状態とするのが望ましい。

[0167] なお、上記各実施形態では、レチクル R、ウェハ Wの面形状を計測するためにフィゾー干渉計を用いた力これには限られない。レチクル R、ウェハ Wの面形状を計測装置は、被検面に接触することなぐその面形状を計測する計測装置であればよい。例えば、露光装置 100に備えられた、焦点位置検出系（60a、 60b)と同様の計測装置などを用いて、それらの面形状を計測するようにしてもよい。斜入射方式の検出系を用いれば、透明なレチクルであっても、複雑な回路パターンが形成されたウェハであっても、それらの面形状を精度良く計測することが可能となる。

[0168] また、上記各実施形態では、レチクル計測機 800A、 800Cを、露光装置 100とはィンラインに接続されて、な、計測機 (レチクルの搬送経路上に備えられた計測機)とし、ウェハ計測機 400A、 400Bを、露光装置 100とインラインに接続されている計測機とし、トラック 300内に設けられるものとした。このようにすれば、効率良くレチクルとウェハの事前計測を行うことができる。し力しながら、これには限られず、その逆であつてもょ、し、両方とも露光装置にインライン接続又はオフラインに設置されてヽても良い。なおこれらレチクル計測器（或いはレチクル検査器） 800A、 800Cや、ウェハ計測器（ウェハ検査器) 400A、 400B〖こ、上述の解析システム 600における解析機能や、その解析の結果出される指示 (例えば既述したようなウェハゃレチクルのリジェタト指示など）を出させるようにしても良、。

[0169] また、上記各実施形態では、照明光 ILとして、露光装置に一般に用いられているものであれば適用することができる。例えば、 KrFエキシマレーザ光（波長 248nm)、 A rFエキシマレーザ光（波長 193nm)、 g線（波長 436nm)、 i線（波長 365nm)、 Fレ

2 一ザ光 (波長 157nm)、銅蒸気レーザ、 YAGレーザ、半導体レーザなどの高調波等を照明光 ILとして用いることができる。

[0170] また、上記各実施形態の露光装置において、投影光学系は縮小系、等倍あるいは拡大系のいずれを用いても良いし、屈折系、反射屈折系、及び反射系のいずれであつても良い。いずれの光学系であっても、その結像特性を調整することができる光学系であれば、上記各実施形態のように、投影光学系の結像特性を調整して、露光精度を向上させることが可能である。 [0171] なお、上記各実施形態における露光装置を製造する際には、複数のレンズから構成される投影光学系を露光装置に組み込む。その後、光学調整をするとともに、多数の機械部品力なるレチクルステージやウェハステージ WSTを露光装置に取り付けて配線や配管を接続し、更に総合調整 (電気調整、動作確認等)をすることにより、上記各実施形態の露光装置を製造することができる。なお、上記第 1の実施形態においては、このレチクルステージ RST又はウェハステージ WSTを露光装置に取り付ける前に、基準レチクル R、基準ウェハを用いた平坦度差を算出する準備処理を行う

T

必要がある。また、露光装置の製造は温度及びクリーン度等が管理されたクリーンルームで行うことが望ましい。

[0172] なお、上記各実施形態では、ステップ'アンド'スキャン方式の投影露光装置について説明したが、本発明は、ステップ'アンド'リピート型の投影露光装置の他、プロキシミティ方式の露光装置など他の露光装置にも適用できることはいうまでもない。また、ショット領域とショット領域とを合成するステップ ·アンド'スティツチ方式の縮小投影露光装置にも本発明を好適に適用することができる。また、ウェハステージを 2基備えたツインステージ型の露光装置にも適用できる。また、液浸法を用いる露光装置にも本発明を適用することができるのは勿論である。

[0173] また、本発明は、半導体製造用の露光装置に限らず、液晶表示素子などを含むデイスプレイの製造に用いられる、デバイスパターンをガラスプレート上に転写する露光装置、薄膜磁気ヘッドの製造に用いられるデバイスパターンをセラミックウェハ上に転写する露光装置、及び撮像素子 (CCDなど）、マイクロマシン、有機 EL、 DNAチップなどの製造に用いられる露光装置などにも適用することができる。また、 EUV光、 X線、あるいは電子線及びイオンビームなどの荷電粒子線を露光ビームとして用いる露光装置に本発明を適用しても良ヽ。

[0174] また、半導体素子などのマイクロデバイスだけでなぐ光露光装置、 EUV露光装置、 X線露光装置、及び電子線露光装置などで使用されるレチクル又はマスクを製造するために、ガラス基板又はシリコンウェハなどに回路パターンを転写する露光装置にも本発明を適用できる。ここで、 DUV (遠紫外)光や VUV (真空紫外)光などを用いる露光装置では一般的に透過型レチクルが用いられ、レチクル基板としては石英ガラス、フッ素がドープされた石英ガラス、螢石、フッ化マグネシウム、又は水晶などが用いられる。また、プロキシミティ方式の X線露光装置、又は電子線露光装置などでは透過型マスク（ステンシルマスク、メンブレンマスク）が用いられ、マスク基板としてはシリコンウェハなどが用いられる。

[0175] また、上記各実施形態では、レチクル R及びウェハ Wの平坦度、異物及び欠陥等の計測結果は、解析システム 600に送られ、その計測結果を用いた演算を行い、露光工程管理コントローラ 500がその計測結果、演算結果等に基づく工程の制御を行つたが、これには限られない。例えば、解析システム 600によって、計測結果、演算結果等に基づく工程の制御が行われるようにしてもよぐレチクル R及びウェハ Wの平坦度、異物及び欠陥等の計測結果が直接、主制御装置 20に送られるようにし、主制御装置 20により、その計測結果を用いた演算を行ない、その演算結果に基づくェ程の制御を行なうようにしてもょ、。

[0176] 半導体デバイスは、デバイスの製造、性能設計を行うステップ、この設計ステップに基づ、たレチクルを製作するステップ、シリコン材料力ウェハを製作するステップ、前述した上記各実施形態の露光システム 200及び露光装置 100によりレチクルのパターンをウェハ Wに転写するステップ、メモリリペアステップ、デバイス組み立てステツプ (ダイシング工程、ボンディング工程、ノッケージ工程を含む）、検査ステップ等を経て製造される。

産業上の利用可能性

[0177] 以上説明したように、本発明の計測方法は、露光に用いられる物体の平坦度を計測するのに適しており、本発明の検査方法は、露光に用いられる物体上の異物又は一部の欠損を検出するのに適しており、本発明の露光方法及び露光システムは、半導体素子、液晶表示素子、撮像素子、薄膜磁気ヘッド等を製造するためのフォトリソグラフイエ程に適している。

Claims

請求の範囲

[1] 所定の保持装置に保持された物体を用いて露光を行う露光装置にその物体を搬入する前に、前記所定の保持装置に保持された状態又はそれと等価な状態での前記物体の平坦度に関する情報を取得する事前取得工程を含む計測方法。

[2] 請求項 1に記載の計測方法において、

前記事前取得工程は、

前記所定の保持装置に保持された状態での物体の平坦度に関する情報と、当該物体を保持した状態でのその物体の平坦度に関する情報との間の関係が既知である他の保持装置により前記物体を保持した状態で、前記物体の平坦度に関する情報を計測する第 1副工程と；

前記他の保持装置に保持された状態での前記物体の平坦度に関する情報の計測結果と、前記関係とに基づいて、前記所定の保持装置に保持された状態と等価な状態での前記物体の平坦度に関する情報を算出する第 2副工程と;を含むことを特徴とする計測方法。

[3] 請求項 2に記載の計測方法において、

前記事前取得工程に先立って、

前記所定の保持装置に保持された状態での基準物体の平坦度に関する情報と、前記他の保持装置に保持された状態での前記基準物体の平坦度に関する情報とを計測し、それぞれの計測結果を差し引くことにより、前記関係としての前記両平坦度に関する情報間の差分を算出する工程をさらに含むことを特徴とする計測方法。

[4] 請求項 3に記載の計測方法において、

前記所定の保持装置を複数備えておき、

それらの中から、前記差分に基づいて、前記物体の平坦度が最も良好となる保持装置を、前記物体を保持する保持装置として選択する選択工程をさらに含むことを特徴とする計測方法。

[5] 請求項 1に記載の計測方法において、

前記事前取得工程では、

前記所定の保持装置に保持された状態での前記物体の平坦度に関する情報を直接計測することを特徴とする計測方法。

[6] 請求項 5に記載の計測方法において、

前記事前取得工程では、

前記所定の保持装置における前記物体の保持状態を調整しつつ、前記物体の平坦度に関する情報の計測を行、、

前記露光装置内で前記所定の保持装置により前記物体を保持する際には、前記調整の結果を考慮することを特徴とする計測方法。

[7] 請求項 6に記載の計測方法において、

前記事前取得工程では、

前記所定の保持装置による前記物体の保持力、保持位置、及び保持面の少なくとも 1つの変動に伴う前記物体の平坦度に関する情報の変動の度合に基づいて、前記所定の保持装置における前記物体の最適な保持位置を求めることを特徴とする計測方法。

[8] 請求項 5に記載の計測方法において、

前記事前取得工程における取得結果に基づいて平坦度異常を検出する検出工程と；

前記平坦度異常が検出された場合には、前記所定の保持装置の交換を行う交換工程と;をさらに含むことを特徴とする計測方法。

[9] 請求項 1又は 5に記載の計測方法において、

前記平坦度異常が検出された場合には、前記物体の除外と、前記物体を保持する保持装置の保持面のクリーニングとの少なくとも一方を行う処理工程と；をさらに含むことを特徴とする計測方法。

[10] マスク上に形成されたパターンを、投影光学系を介して、感光物体上に転写する露光方法であって、

請求項 1〜9の、ずれか一項に記載の計測方法を用いて、前記マスク及び前記感光物体の少なくとも一方の平坦度に関する情報を計測する計測工程と；前記計測の結果に基づいて、前記投影光学系の結像特性の補正と、前記マスク及び前記感光物体の相対位置の補正との少なくとも一方を行ヽつつ、前記パターンを、前記感光物体上に転写する転写工程と;を含む露光方法。

[11] 請求項 10に記載の露光方法において、

前記計測工程では、

前記マスクの平坦度に関する情報と前記感光物体の平坦度に関する情報とをそれぞれ計測して、前記マスクの平坦度に関する情報と前記感光物体の平坦度に関する情報との差分を求め、

前記転写工程では、

前記マスクの平坦度に関する情報と前記感光物体の平坦度に関する情報との差分を考慮して、前記投影光学系の結像特性の補正と、前記マスクと前記感光物体との相対位置の補正の少なくとも一方を行うことを特徴とする露光方法。

[12] 請求項 10に記載の露光方法において、

前記計測工程で、前記マスクの平坦度に関する情報を計測した場合には、前記投影光学系の結像特性には、前記投影光学系のフォーカス、像面湾曲、ディストーシヨンとの少なくとも 1つが含まれることを特徴とする露光方法。

[13] 請求項 10に記載の露光方法において、

前記計測工程で、前記感光物体の平坦度に関する情報を計測した場合には、前記投影光学系の結像特性には、前記投影光学系のフォーカスが含まれることを特徴とする露光方法。

[14] 請求項 10〜 13のいずれか一項に記載の露光方法において、

複数の感光物体各々に対し順番に、前記計測工程と、前記露光工程を行う場合に、先行する感光物体に対し前記露光工程を行う間に、続ヽて処理される感光物体に対して前記計測工程を行うことを特徴とする露光方法。

[15] 所定の保持装置に保持された物体を用いて露光を行う露光方法であって、

前記所定の保持装置に保持された状態での前記物体の平坦度が良好となるよう〖こ、前記物体の保持状態を調整する工程と；

前記調整された保持状態で前記所定の保持装置により前記物体を保持しつつ、露光を行う工程と；を含む露光方法。

[16] 物体を用いて露光を行う露光装置にその物体を搬入する前に、前記物体上に付着した異物及び前記物体の一部の欠損の少なくとも一方に関する情報を取得する事前取得工程を含む検査方法。

[17] 請求項 16に記載の検査方法において、

前記事前取得工程にぉ、て取得された情報に基づ、て、前記物体上の異物の付着及び前記物体の一部の欠損を検出する検出工程と；

前記検出工程において異物の付着が検出された場合には、その異物の除去を行う除去工程と；

前記検出工程において前記物体の一部の欠損が検出された場合には、その物体の除外を行う除外工程と;をさらに含むことを特徴とする検査方法。

[18] マスク上に形成されたパターンを、投影光学系を介して、感光物体上に転写する露光方法であって、

請求項 16又は 17に記載の検査方法を用いて、前記マスク上及び前記感光物体上の少なくとも一方に対する異物の付着又は一部の欠損に対する事前処理を行う事前処理工程と；

前記事前処理結果に基づいて、前記パターンを、前記感光物体上に転写する転写工程と；を含む露光方法。

[19] 請求項 18に記載の露光方法において、

前記マスクに形成されたパターンは、複数のチップ領域にそれぞれ対応する複数のパターンを含み、

前記事前処理工程にぉヽて、

前記マスク上の少なくとも 1つのパターンの領域内で異物又は一部の欠損が検出された場合には、

前記転写工程では、

異物又は一部の欠損が検出されたパターンの領域を遮蔽しつつ露光を行うか、又はそのチップ領域を露光対象の領域から除外することを特徴とする露光方法。

[20] 請求項 18に記載の露光方法において、複数の感光物体各々に対し順番に、前記事前処理工程と、前記露光工程を行う場合に、

先行する感光物体に対し前記露光工程を行う間に、続、て処理される感光物体に対して前記事前処理工程を行うことを特徴とする露光方法。

[21] 所定の保持装置に保持された物体を用いて露光を行う露光装置と；

前記露光装置にその物体を搬入する前に、前記所定の保持装置に保持された状態又はそれと等価の状態での前記物体の平坦度に関する情報を取得する事前取得装置と；を備える露光システム。

[22] 請求項 21に記載の露光システムにお、て、

前記事前取得装置は、

前記所定の保持装置に保持された状態での物体の平坦度に関する情報と、その物体を保持した状態でのその物体の平坦度に関する情報との間の関係が既知である他の保持装置により前記物体を保持した状態で、前記物体の平坦度に関する情報を計測する計測装置と；

前記他の保持装置に保持された状態での前記物体の平坦度に関する情報の計測結果と、前記関係とに基づいて、前記所定の保持装置に保持された状態と等価な状態での前記物体の平坦度に関する情報を算出する算出装置と;を備えることを特徴とする露光システム。

[23] 請求項 21に記載の露光システムにお、て、

前記事前取得装置は、

前記所定の保持装置に保持された状態での前記物体の平坦度に関する情報を直接計測する計測装置を備えることを特徴とする露光システム。

[24] 請求項 23に記載の露光システムにおいて、

前記計測装置は、

前記所定の保持装置における前記物体の保持状態を調整しつつ、前記物体の平坦度に関する情報を計測し、

前記露光装置は、

前記計測装置における調整の結果を考慮して前記所定の保持装置における前記物体の保持状態を調整する調整装置をさらに備えることを特徴とする露光システム。

[25] 請求項 24に記載の露光システムにおいて、

前記事前取得装置は、

前記所定の保持装置による前記物体の保持力、保持位置、及び保持面の少なくとも 1つの変動に伴う前記物体の平坦度の変動の度合に基づいて、前記所定の保持装置における前記物体の最適な保持位置を前記調整の結果として求めることを特徴とする露光システム。

[26] 請求項 23に記載の露光システムにおいて、

前記事前取得装置における取得結果に基づいて平坦度異常を検出する検出装置と；

前記平坦度異常が検出された場合には、前記所定の保持装置の交換と、前記物体の除外と、前記保持装置の保持面のクリーニングとの少なくとも 1つを行う処理装置と；をさらに備えることを特徴とする露光システム。

[27] 請求項 21に記載の露光システムにおいて、

前記事前取得装置は、

前記物体の平坦度に関する情報を計測するための非接触検出方式の計測装置であることを特徴とする露光システム。

[28] 請求項 27に記載の露光システムにおいて、

前記計測装置は、フィゾー干渉計であることを特徴とする露光システム。

[29] 請求項 28に記載の露光システムにおいて、

前記フィゾー干渉計は、ダブルパス型の干渉計であることを特徴とする露光システム。

[30] 請求項 21に記載の露光システムにおいて、

前記露光装置は、マスク上に形成されたパターンを、投影光学系を介して、感光物体上に転写する投影露光装置であり、

前記事前取得装置は、前記マスク及び前記感光物体の少なくとも一方の平坦度に関する情報を取得し、

前記露光装置は、前記取得結果に基づいて、前記投影光学系の結像特性の補正と、前記マスクと前記感光物体との相対位置の補正の少なくとも一方を行、つつ、露光を行うことを特徴とする露光システム。

[31] 請求項 30に記載の露光システムにおいて、

前記事前取得装置は、

前記マスクの平坦度に関する情報と、前記感光物体の平坦度に関する情報とを計測し、それぞれの計測結果に基づ!ヽて前記マスクの平坦度に関する情報と前記感光物体の平坦度に関する情報との差分をさらに求め、

前記露光装置は、

前記マスクの平坦度に関する情報と前記感光物体の平坦度に関する情報との差分を考慮して、前記投影光学系の結像特性の補正と、前記マスク及び前記感光物体の相対位置の補正との少なくとも一方を行うことを特徴とする露光システム。

[32] 請求項 30に記載の露光システムにおいて、

前記マスクの平坦度に関する情報を計測する事前取得装置と、前記感光物体の平坦度に関する情報を計測する事前取得装置とを備え、

前記感光物体の平坦度に関する情報を計測する事前取得装置は、前記露光装置とインライン接続され、前記マスクの平坦度に関する情報を計測する事前取得装置は、前記マスクを搬送する搬送経路上に設置されてヽることを特徴とする露光システム

[33] 物体を用いて露光を行う露光装置と；

前記露光装置にその物体を搬入する前に、前記物体上の異物及び一部の欠損の少なくとも一方に関する情報を取得する事前取得装置と;備える露光システム。

[34] 請求項 33に記載の露光システムにおいて、

前記事前取得装置にぉ、て取得された情報に基づ、て、前記物体上の異物の付着及び一部の欠損を検出する検出装置と；

前記検出装置において物体上の異物の付着が検出された場合には、その異物の除去を行う異物除去装置と；

前記検出装置において、前記物体の一部の欠損が検出された場合には、その物体の除外を行う除外装置と;をさらに備えることを特徴とする露光システム。

[35] 請求項 34に記載の露光システムにおいて、

前記事前取得装置は、前記マスク上及び前記感光物体上の少なくとも一方に対する異物の付着又は一部の欠損に関する情報を取得し、

前記検出装置は、前記マスク上及び前記感光物体上の少なくとも一方に対する異物の付着又は一部の欠損を検出し、

前記露光装置は、

前記検出結果に基づいて、前記パターンを前記感光物体上に転写することを特徴とする露光システム。

[36] 請求項 35に記載の露光システムにおいて、

前記マスクに形成されたパターンが、複数のチップ領域にそれぞれ対応する複数のパターンを含み、

前記事前取得装置力前記マスク上の少なくとも 1つのパターンの領域内で異物又は一部の欠損があることを検出した場合には、

前記露光装置は、

前記検出装置において検出された異物又は一部の欠損があるパターンの領域に対応する部分を遮蔽しつつ露光を行うか、又は、そのチップ領域を露光対象の領域から除外することを特徴とする露光システム。

[37] 請求項 33〜36のいずれか一項に記載の露光システムにおいて、

前記事前取得装置は、前記露光装置とインライン接続されて、ることを特徴とする露光システム。

[38] 所定の保持装置に保持された物体を用いて露光を行う露光装置にその物体を搬入する前に、前記所定の保持装置に保持された状態又はそれと等価な状態での前記物体の平坦度に関する情報を取得することを特徴とする計測システム。

[39] 請求項 38に記載の計測システムは、

前記所定の保持装置に保持された状態での物体の平坦度に関する情報と、当該物体を保持した状態でのその物体の平坦度に関する情報との間の関係が既知である他の保持装置を備え、且つ該他の保持装置により前記物体を保持した状態で、前記物体の平坦度に関する情報を計測する計測ユニットと；

前記他の保持装置に保持された状態での前記物体の平坦度に関する情報の計測結果と、前記関係とに基づいて、前記所定の保持装置に保持された状態と等価な状態での前記物体の平坦度に関する情報を算出する算出ユニットと、を備えることを特徴とする計測システム。

[40] 請求項 38に記載の計測システムは、

前記物体の平坦度に関する情報を取得するのに先立って、

前記所定の保持装置に保持された状態での基準物体の平坦度に関する情報と、前記他の保持装置に保持された状態での前記基準物体の平坦度に関する情報とを計測し、それぞれの計測結果を差し引くことにより得られた、前記関係としての前記両平坦度に関する情報間の差分を記憶する記憶ユニット、をさらに備えることを特徴とする計測方法。

[41] 請求項 40に記載の計測システムは更に、

前記所定の保持装置を複数備えてある場合にお!ヽて、

それらの中から、前記差分に基づいて、前記物体の平坦度が最も良好となる保持装置を、前記物体を保持する保持装置として選択せしめる選択ユニットをさらに備えることを特徴とする計測システム。

[42] 請求項 38に記載の計測システムにお、て、

前記計測ユニットは、

前記所定の保持装置に保持された状態での前記物体の平坦度に関する情報を直接計測することを特徴とする計測システム。

[43] 請求項 42に記載の計測システムにおヽて、

前記計測ユニットは、

前記所定の保持装置における前記物体の保持状態を調整しつつ、前記物体の平坦度に関する情報の計測を行うことを特徴とする計測システム。

[44] 請求項 43に記載の計測システムは更に、前記所定の保持装置による前記物体の保持力、保持位置、及び保持面の少なくとも 1つの変動に伴う前記物体の平坦度に関する情報の変動の度合に基づいて、前記所定の保持装置における前記物体の最適な保持位置を求める演算ユニットを備えることを特徴とする計測システム。

[45] 請求項 42に記載の計測システムは更に、

前記算出ユニットで算出された前記物体の平坦度に関する情報に基づいて、前記物体の平坦度異常を検出する検出ユニットを備え、

前記平坦度異常が検出された場合には、前記所定の保持装置の交換を促すことを特徴とする計測システム。

[46] 請求項 38又は 42に記載の計測システムにおヽて、

前記算出ユニットで算出された前記物体の平坦度に関する情報に基づいて、前記物体の平坦度異常を検出する検出ユニットを更に備え、

前記平坦度異常が検出された場合には、前記物体の除外と、前記物体を保持する保持装置の保持面のクリーニングとの少なくとも一方を促すことを特徴とする計測システム。

[47] 物体を用いて露光を行う露光装置にその物体を搬入する前に、前記物体上に付着した異物及び前記物体の一部の欠損の少なくとも一方に関する情報を取得することを特徴とする検査システム。

[48] 請求項 47に記載の検査システムにお、て、

前記取得された情報に基づ!、て、前記物体上の異物の付着及び前記物体の一部の欠損を検出する検出ユニットを更に備え、

前記検出ユニットにおいて異物の付着が検出された場合には、その異物の除去を促し、

前記検出ユニットにおいて前記物体の一部の欠損が検出された場合には、その物体の除外を促すことを特徴とする検査システム。