JPH09260245A - マスクの異物除去装置 - Google Patents
マスクの異物除去装置Info
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- JPH09260245A JPH09260245A JP6412296A JP6412296A JPH09260245A JP H09260245 A JPH09260245 A JP H09260245A JP 6412296 A JP6412296 A JP 6412296A JP 6412296 A JP6412296 A JP 6412296A JP H09260245 A JPH09260245 A JP H09260245A
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- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
- G03F1/82—Auxiliary processes, e.g. cleaning or inspecting
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- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 マスクの洗浄をなくし、修正などの回数を低
減し、マスクの使用効率を向上させる。また、露光装置
内で積極的に異物を除去することにより、スループット
を向上させる。 【解決手段】 例えば、Ｘ線マスク上の異物を、帯電あ
るいは誘電分極させることによって除去する。具体的に
は、Ｘ線マスクのマスクパターンに対向する位置に電極
を設け、異物を停電させるかあるいは分極させることに
よってマスクから除去する。
減し、マスクの使用効率を向上させる。また、露光装置
内で積極的に異物を除去することにより、スループット
を向上させる。 【解決手段】 例えば、Ｘ線マスク上の異物を、帯電あ
るいは誘電分極させることによって除去する。具体的に
は、Ｘ線マスクのマスクパターンに対向する位置に電極
を設け、異物を停電させるかあるいは分極させることに
よってマスクから除去する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は光放射線等を用いて
所望の回路パターンをウエハ上に転写する露光に用いら
れる露光用マスク、特にＸ線露光用マスクの異物除去装
置および露光方法、特にＸ線露光方法に関する。
所望の回路パターンをウエハ上に転写する露光に用いら
れる露光用マスク、特にＸ線露光用マスクの異物除去装
置および露光方法、特にＸ線露光方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体集積回路は年々微細化し、これに
伴って回路パターンをウエハ上に転写する露光装置に
は、より微細なパターンを転写する能力が要求されてい
る。このため露光装置にし使用される露光光の波長は次
第に短くなっている。現在、最も微細な転写が可能な方
法として、軟Ｘ線を用いた露光方法が検討されている。
伴って回路パターンをウエハ上に転写する露光装置に
は、より微細なパターンを転写する能力が要求されてい
る。このため露光装置にし使用される露光光の波長は次
第に短くなっている。現在、最も微細な転写が可能な方
法として、軟Ｘ線を用いた露光方法が検討されている。
【０００３】半導体集積回路の転写露光において、マス
クの異物による汚染は非常に大きな問題である。マスク
に異物が付着した場合は、それがウエハに転写され、パ
ターンの欠陥となる。このため、マスクの異物の付着は
極力避けなければならない。特に軟Ｘ線を用いた露光で
は、Ｘ線の物質の透過率が一般に極めて低いため、ごく
小さい異物もＸ線を透過せず欠陥の原因となる。
クの異物による汚染は非常に大きな問題である。マスク
に異物が付着した場合は、それがウエハに転写され、パ
ターンの欠陥となる。このため、マスクの異物の付着は
極力避けなければならない。特に軟Ｘ線を用いた露光で
は、Ｘ線の物質の透過率が一般に極めて低いため、ごく
小さい異物もＸ線を透過せず欠陥の原因となる。
【０００４】可視、紫外光を用いた露光方法では、しば
しば、マスクの異物付着を防止するため、ニトロセルロ
ース、パリレン等の有機薄膜で形成されたペリクルが取
り付けられている。ペリクルの装置によって、マスクが
直接異物によって汚染されることがなくなり、投影露光
型の露光方法では、ペリクルを結像光学系の被写界深度
外に配することにより、ペリクル上に異物が付着しても
それはウエハ上に転写されない。Ｘ線露光用マスクに対
しても同様のＸ線透過薄膜、いわゆるペリクルを装着し
たマスクが提案されている（特公平５−８８５３４、特
開平５−１５０４４５等）。
しば、マスクの異物付着を防止するため、ニトロセルロ
ース、パリレン等の有機薄膜で形成されたペリクルが取
り付けられている。ペリクルの装置によって、マスクが
直接異物によって汚染されることがなくなり、投影露光
型の露光方法では、ペリクルを結像光学系の被写界深度
外に配することにより、ペリクル上に異物が付着しても
それはウエハ上に転写されない。Ｘ線露光用マスクに対
しても同様のＸ線透過薄膜、いわゆるペリクルを装着し
たマスクが提案されている（特公平５−８８５３４、特
開平５−１５０４４５等）。
【０００５】しかしながら、Ｘ線露光では、ペリクルを
装着した場合、ペリクルによるＸ線の吸収が大きく、露
光光の強度が大きく減衰してしまうという問題がある。
減衰を少なくするためにはペリクルを極めて薄くしなけ
ればならないが、Ｘ線透過率の高い材料は波長によって
限定され、これらの材料で薄いペリクルを作製すること
は難しい。有機薄膜では膜厚を薄くすることは可能だ
が、耐熱性が低いため、Ｘ線の吸収により温度が上昇
し、破損、変形が生じる等の問題がある。さらには、取
扱中に破損し易いという問題もある。特に通常Ｘ線露光
は真空中、あるいは減圧雰囲気中、あるいは高純度の気
体で置換した雰囲気中で行われるため、マスクにペリク
ルを装着した場合、露光装置内ではペリクル内部とその
周囲の雰囲気の圧力差によるペリクルの破損ないしは変
形がおきる危険がある。このため現在では、一般にはペ
リクルを装着せずに使用されている。
装着した場合、ペリクルによるＸ線の吸収が大きく、露
光光の強度が大きく減衰してしまうという問題がある。
減衰を少なくするためにはペリクルを極めて薄くしなけ
ればならないが、Ｘ線透過率の高い材料は波長によって
限定され、これらの材料で薄いペリクルを作製すること
は難しい。有機薄膜では膜厚を薄くすることは可能だ
が、耐熱性が低いため、Ｘ線の吸収により温度が上昇
し、破損、変形が生じる等の問題がある。さらには、取
扱中に破損し易いという問題もある。特に通常Ｘ線露光
は真空中、あるいは減圧雰囲気中、あるいは高純度の気
体で置換した雰囲気中で行われるため、マスクにペリク
ルを装着した場合、露光装置内ではペリクル内部とその
周囲の雰囲気の圧力差によるペリクルの破損ないしは変
形がおきる危険がある。このため現在では、一般にはペ
リクルを装着せずに使用されている。
【０００６】ペリクルを使用しない場合、異物の付着を
完全に防止することは困難である。したがって付着した
異物を除去する必要が生じる。異物を除去する方法とし
ては、一般的にマスク洗浄、あるいはイオンビーム等を
用いてマスク修正する方法が採用される。
完全に防止することは困難である。したがって付着した
異物を除去する必要が生じる。異物を除去する方法とし
ては、一般的にマスク洗浄、あるいはイオンビーム等を
用いてマスク修正する方法が採用される。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、パター
ンが微細化するにしたがって、マスク洗浄あるいはマス
ク修正は難しくなる。特にＸ線マスクではその構造から
困難さが増大する。Ｘ線マスクは透過型マスクと反射型
マスクに大別される。透過型マスクは、Ｘ線を透過する
極めて薄い自立薄膜状に、Ｘ線を透過しない吸収体が所
望のパターンに形成されている。また、反射型マスクは
基板上に所望の波長のＸ線を反射する多層膜構造の反射
部を所望のパターンに形成したものである。基板上に多
層膜層をパターン状に形成したものの他、基板上に多層
膜層を均一に形成し更にその上に吸収帯層をパターン状
に形成したもの、基板上に形成した多層膜層をイオンビ
ーム等により所望のパターンに層構造を破壊し非反射部
を形成したもの等がある。
ンが微細化するにしたがって、マスク洗浄あるいはマス
ク修正は難しくなる。特にＸ線マスクではその構造から
困難さが増大する。Ｘ線マスクは透過型マスクと反射型
マスクに大別される。透過型マスクは、Ｘ線を透過する
極めて薄い自立薄膜状に、Ｘ線を透過しない吸収体が所
望のパターンに形成されている。また、反射型マスクは
基板上に所望の波長のＸ線を反射する多層膜構造の反射
部を所望のパターンに形成したものである。基板上に多
層膜層をパターン状に形成したものの他、基板上に多層
膜層を均一に形成し更にその上に吸収帯層をパターン状
に形成したもの、基板上に形成した多層膜層をイオンビ
ーム等により所望のパターンに層構造を破壊し非反射部
を形成したもの等がある。
【０００８】従って透過型マスクでは自立薄膜の応力に
影響を与えないように、また、反射型マスクでは反射部
の多層構造に影響を与えないように修正を行なう必要が
ある。これらはいずれもかなり難しい。また、１つ１つ
異物を取り除くため効率も悪い。また、洗浄について
も、透過型マスクを洗浄することは非常に困難である。
反射型マスクは洗浄は可能であるが、パターン倒れ等の
マスクパターンへの影響も少なくない。また、頻繁なマ
スク洗浄はマスクの使用効率の低下を招く。また、しば
しば露光装置内でのごみ検査によって、使用できないこ
とが判明すると、露光装置のスループットを低下させる
ことにもなる。
影響を与えないように、また、反射型マスクでは反射部
の多層構造に影響を与えないように修正を行なう必要が
ある。これらはいずれもかなり難しい。また、１つ１つ
異物を取り除くため効率も悪い。また、洗浄について
も、透過型マスクを洗浄することは非常に困難である。
反射型マスクは洗浄は可能であるが、パターン倒れ等の
マスクパターンへの影響も少なくない。また、頻繁なマ
スク洗浄はマスクの使用効率の低下を招く。また、しば
しば露光装置内でのごみ検査によって、使用できないこ
とが判明すると、露光装置のスループットを低下させる
ことにもなる。
【０００９】光露光用マスク、電子線露光用マスクでは
マスク洗浄、修正はＸ線マスク程困難ではないが、度重
なる洗浄、修正は、同様にスループットの低下、マスク
精度の低下を招く。したがって、マスク洗浄、マスク修
正より簡易に異物を取り除く改良された方法が望まれて
いる。
マスク洗浄、修正はＸ線マスク程困難ではないが、度重
なる洗浄、修正は、同様にスループットの低下、マスク
精度の低下を招く。したがって、マスク洗浄、マスク修
正より簡易に異物を取り除く改良された方法が望まれて
いる。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明により、光、電子
線、放射線等を用いて所望の回路パターンをウエハ上に
転写する露光に用いられる露光用マスクおいて、露光用
マスクに付着した異物を帯電させる手段または分極させ
る手段を具備してなる露光用マスクの異物除去装置が提
供させる。
線、放射線等を用いて所望の回路パターンをウエハ上に
転写する露光に用いられる露光用マスクおいて、露光用
マスクに付着した異物を帯電させる手段または分極させ
る手段を具備してなる露光用マスクの異物除去装置が提
供させる。
【００１１】上記の露光用マスクは汎用的にはＸ線露光
用マスクである。
用マスクである。
【００１２】上記した異物除去装置において、異物を帯
電または分極させる手段は、電極により電場を形成する
もの、電子線照射によるもの、またはＸ線照射によるも
のであることが好ましい。
電または分極させる手段は、電極により電場を形成する
もの、電子線照射によるもの、またはＸ線照射によるも
のであることが好ましい。
【００１３】また、上記異物除去装置において、帯電あ
るいは分極した露光用マスクを除電するための機構を具
備することが好ましい。
るいは分極した露光用マスクを除電するための機構を具
備することが好ましい。
【００１４】また、光、電子線、放射線等を用いて所望
の回路パターンをウエハ上に転写する露光に用いられる
露光用マスクにおいて、露光用マスクに付着し異物を帯
電させる手段または分極させる手段を具備してなる異物
除去装置を露光装置内に設けた露光装置が提供される。
の回路パターンをウエハ上に転写する露光に用いられる
露光用マスクにおいて、露光用マスクに付着し異物を帯
電させる手段または分極させる手段を具備してなる異物
除去装置を露光装置内に設けた露光装置が提供される。
【００１５】また、上に記載の露光装置がＸ線を用いて
所望の回路パターンをウエハ上に転写する露光するＸ線
露光装置であることが好ましい。
所望の回路パターンをウエハ上に転写する露光するＸ線
露光装置であることが好ましい。
【００１６】前記の異物除去装置、あるいは上記のＸ線
露光装置を用い、露光前に露光用マスクに付着した異物
の除去を行なうことが特に好ましい。
露光装置を用い、露光前に露光用マスクに付着した異物
の除去を行なうことが特に好ましい。
【００１７】本発明によれば、マスク上の異物を帯電あ
るいは誘電分極させることによって容易に除去すること
ができる。具体的には、マスクのマスクパターンに対向
する位置に電極を設け、異物を帯電させるかあるいは分
極させることによってマスクから除去することができ
る。また、電子線やＸ線の照射等の種々の方法により異
物を帯電させ、電場を形成することによってマスクより
除去する方法も可能である。
るいは誘電分極させることによって容易に除去すること
ができる。具体的には、マスクのマスクパターンに対向
する位置に電極を設け、異物を帯電させるかあるいは分
極させることによってマスクから除去することができ
る。また、電子線やＸ線の照射等の種々の方法により異
物を帯電させ、電場を形成することによってマスクより
除去する方法も可能である。
【００１８】また、これらのマスクの異物を除去する機
構を露光装置内に設けることにより、露光前に簡易にマ
スク上の異物を除去することが可能になり、露光効率を
大幅に改善することができる。また、マスク洗浄、マス
ク修正の割合を大幅に減少することもできる。
構を露光装置内に設けることにより、露光前に簡易にマ
スク上の異物を除去することが可能になり、露光効率を
大幅に改善することができる。また、マスク洗浄、マス
ク修正の割合を大幅に減少することもできる。
【００１９】これらの異物除去機構はＸ線露光用マスク
において特に有効であるが、光露光用マスク、あるいは
電子線露光用マスク等に用いても有効である。
において特に有効であるが、光露光用マスク、あるいは
電子線露光用マスク等に用いても有効である。
【００２０】
実施例１ 最も簡単な異物を除去する機構は、マスクパターンに対
向して電極を設けるものである。反射型マスクを用いた
典型的な実施例の模式図を図１に示す。
向して電極を設けるものである。反射型マスクを用いた
典型的な実施例の模式図を図１に示す。
【００２１】反射型マスク１は、基板３上に反射面とし
て多層膜層２が形成され、さらにその上に所望のパター
ンの吸収体層４が形成されている。基板３は通常Ｓｉ
Ｃ，ＳｉＯ2 ，Ｓｉ等が一般的に用いられる。また、耐
熱性等を考慮した場合には、Ｍｏ等の金属基板を用いる
場合もある。多層膜層２は最も一般的には２種類の光学
定数の異なる物質の交互層からなっている。交互層を形
成する物質は、使用するＸ線の波長によって選択され、
波長１３ｎｍ付近ではＭｏ−Ｓｉ多層膜、波長５ｎｍ付
近ではＣｒ−Ｃ，Ｎｉ−Ｃ，Ｗ−Ｃ多層膜等が一般的に
使用されている。多層膜の上にさらにＷ，Ａｕ等の吸収
体層を形成し、所望のパターンにパターニングして吸収
体４とする。他に、多層膜層をパターン上に除去するか
あるいはその層構造を破壊する等して吸収体を形成する
こともできる。
て多層膜層２が形成され、さらにその上に所望のパター
ンの吸収体層４が形成されている。基板３は通常Ｓｉ
Ｃ，ＳｉＯ2 ，Ｓｉ等が一般的に用いられる。また、耐
熱性等を考慮した場合には、Ｍｏ等の金属基板を用いる
場合もある。多層膜層２は最も一般的には２種類の光学
定数の異なる物質の交互層からなっている。交互層を形
成する物質は、使用するＸ線の波長によって選択され、
波長１３ｎｍ付近ではＭｏ−Ｓｉ多層膜、波長５ｎｍ付
近ではＣｒ−Ｃ，Ｎｉ−Ｃ，Ｗ−Ｃ多層膜等が一般的に
使用されている。多層膜の上にさらにＷ，Ａｕ等の吸収
体層を形成し、所望のパターンにパターニングして吸収
体４とする。他に、多層膜層をパターン上に除去するか
あるいはその層構造を破壊する等して吸収体を形成する
こともできる。
【００２２】反射型マスク１のマスクパターンに対向し
て電極５を配置し、高電圧を印加する。多層膜層は、前
述のようにほぼ導電体とみなされ、多層膜層の接地した
場合も多層膜層を絶縁した場合も、多層膜表面は電極と
逆の電荷を帯びる。このため多層膜表面に付着した異物
が導体である場合には、多層膜表面と一体で帯電し、多
層膜層と反発して脱離して電極に引き付けられる。絶縁
体である場合には、誘電分極し電場勾配にしたがって電
極に引き付けられる。半導体である場合には、両方の性
質を導電率に応じてもち、やはり電極に引き付けられ
る。多層膜層が絶縁体、半導体である場合にも、誘電分
極により多層膜表面に電極と逆の電荷が誘起されるた
め、同様の効果が得られる。また、基板は導体、半導
体、絶縁体の種類に係わらず効果が得られる。
て電極５を配置し、高電圧を印加する。多層膜層は、前
述のようにほぼ導電体とみなされ、多層膜層の接地した
場合も多層膜層を絶縁した場合も、多層膜表面は電極と
逆の電荷を帯びる。このため多層膜表面に付着した異物
が導体である場合には、多層膜表面と一体で帯電し、多
層膜層と反発して脱離して電極に引き付けられる。絶縁
体である場合には、誘電分極し電場勾配にしたがって電
極に引き付けられる。半導体である場合には、両方の性
質を導電率に応じてもち、やはり電極に引き付けられ
る。多層膜層が絶縁体、半導体である場合にも、誘電分
極により多層膜表面に電極と逆の電荷が誘起されるた
め、同様の効果が得られる。また、基板は導体、半導
体、絶縁体の種類に係わらず効果が得られる。
【００２３】異物が絶縁体の場合には、マスク面と電極
間で電場勾配が存在することが肝要であるため、電極形
状はこれを考慮して決定する。電場勾配の大きい形状と
しては針状、フィラメント状の電極が適切である。これ
らの形状の電極でマスクパターン全面の異物を除去する
場合には、電極をスキャンする、マスクをスキャンす
る、電極列を配置する等の必要がある。また網状の電極
によってマスク全面を一括で異物を除去することも可能
である。
間で電場勾配が存在することが肝要であるため、電極形
状はこれを考慮して決定する。電場勾配の大きい形状と
しては針状、フィラメント状の電極が適切である。これ
らの形状の電極でマスクパターン全面の異物を除去する
場合には、電極をスキャンする、マスクをスキャンす
る、電極列を配置する等の必要がある。また網状の電極
によってマスク全面を一括で異物を除去することも可能
である。
【００２４】具体的な実施形態の例は以下のようであ
る。波長１３ｎｍのＸ線用としてＳｉＣ基板上に反射層
としてＭｏ−Ｓｉ多層膜を形成し、さらにＷ層の吸収体
層をパターニングして形成する。マスクパターンに対向
する位置に、マスクパターンより１０ｍｍ離して直径
０．０５ｍｍのタングステンフィラメントを電極５とし
て配置する。電極には２０ＫＶの電圧を印加する。電極
５をマスク面に沿ってスキャンしマスク全面の異物を除
去する。
る。波長１３ｎｍのＸ線用としてＳｉＣ基板上に反射層
としてＭｏ−Ｓｉ多層膜を形成し、さらにＷ層の吸収体
層をパターニングして形成する。マスクパターンに対向
する位置に、マスクパターンより１０ｍｍ離して直径
０．０５ｍｍのタングステンフィラメントを電極５とし
て配置する。電極には２０ＫＶの電圧を印加する。電極
５をマスク面に沿ってスキャンしマスク全面の異物を除
去する。
【００２５】前記異物除去機構は、光透過性のレチクル
上に光を透過しない物質によって所望の回路パターンを
形成した光露光用マスク、あるいは電子線露光用マスク
等に対しても用いることができる。
上に光を透過しない物質によって所望の回路パターンを
形成した光露光用マスク、あるいは電子線露光用マスク
等に対しても用いることができる。
【００２６】実施例２ マスクの異物除去は露光直前に行うことが効果的であ
る。このため、露光装置内に異物除去装置を設けること
が効果的である。
る。このため、露光装置内に異物除去装置を設けること
が効果的である。
【００２７】実施例１のマスククリーニング機構を露光
装置内に設けた場合を示す。この異物除去装置を用いて
マスクの異物を除去し、露光を行う工程を露光装置内で
のマスクの流れにしたがって説明する（図２）。マスク
はあらかじめマスクキャリア７に収納され、使用するマ
スクのみがごみ検査装置８まで搬送され、ごみ検査装置
のステージ９上にマスクチャックされる。ごみ検査光学
系１０に隣接して、前記異物除去用の電極５がマスクに
対向するように配置されている。ごみ検査前に、ステー
ジをスキャンさせ、電極５により異物を取り除く。この
後にごみ検査光学系を用いてごみ検査を行う。このと
き、電極５はごみ検査光学系の光路を妨げないように配
置される。ごみ検査後、使用可能なマスクは露光光路内
の露光用マスクステージ１１に搬送され、露光Ｘ線Ｌを
用いて露光される。
装置内に設けた場合を示す。この異物除去装置を用いて
マスクの異物を除去し、露光を行う工程を露光装置内で
のマスクの流れにしたがって説明する（図２）。マスク
はあらかじめマスクキャリア７に収納され、使用するマ
スクのみがごみ検査装置８まで搬送され、ごみ検査装置
のステージ９上にマスクチャックされる。ごみ検査光学
系１０に隣接して、前記異物除去用の電極５がマスクに
対向するように配置されている。ごみ検査前に、ステー
ジをスキャンさせ、電極５により異物を取り除く。この
後にごみ検査光学系を用いてごみ検査を行う。このと
き、電極５はごみ検査光学系の光路を妨げないように配
置される。ごみ検査後、使用可能なマスクは露光光路内
の露光用マスクステージ１１に搬送され、露光Ｘ線Ｌを
用いて露光される。
【００２８】この方法によって異物を除去したのちに
は、マスク表面が帯電している可能性があるため除電す
ることが望ましい。除電する方法としては、簡易にはマ
スク表面を接地する方法がある。しかしより積極的に
は、図３に示すように異物除去のための電極５と同様の
電極１３をマスクパターン上に配し、交流を印加しマス
ク上をスキャンし除電する。除電用電極としては、交流
を印加した電極の代わりに、直流の正負の電極を交互に
複数本配置してもよい。また、電極５および除電電極１
３は、電場勾配を調整するために図３に示すように接地
電極で遮蔽したり、あるいはマスクとの間に電位制御用
グリッドを設けてもよい。
は、マスク表面が帯電している可能性があるため除電す
ることが望ましい。除電する方法としては、簡易にはマ
スク表面を接地する方法がある。しかしより積極的に
は、図３に示すように異物除去のための電極５と同様の
電極１３をマスクパターン上に配し、交流を印加しマス
ク上をスキャンし除電する。除電用電極としては、交流
を印加した電極の代わりに、直流の正負の電極を交互に
複数本配置してもよい。また、電極５および除電電極１
３は、電場勾配を調整するために図３に示すように接地
電極で遮蔽したり、あるいはマスクとの間に電位制御用
グリッドを設けてもよい。
【００２９】異物除去装置は、ごみ検査装置のステージ
上以外に、マスクの露光ステージの所定位置前面やマス
クキャリアからの搬送途中あるいはマスクキャリア内等
に設けることができる。また、露光装置内に設置するだ
けではなく、他の装置、例えばマスク検査装置に組み込
んで使用することも可能である。このときに同様の電極
構成で電極の形状を針状とし、ごみ検査装置で検出され
た異物上に針状電極を配し異物を１つずつ取り除くこと
も可能である。
上以外に、マスクの露光ステージの所定位置前面やマス
クキャリアからの搬送途中あるいはマスクキャリア内等
に設けることができる。また、露光装置内に設置するだ
けではなく、他の装置、例えばマスク検査装置に組み込
んで使用することも可能である。このときに同様の電極
構成で電極の形状を針状とし、ごみ検査装置で検出され
た異物上に針状電極を配し異物を１つずつ取り除くこと
も可能である。
【００３０】実施例３ 第１の実施例の異物除去方法を透過型マスクに適用した
例を示す。透過型マスクは、ＳｉＣ，ＳｉＮ等のＸ線透
過自立薄膜（メンブレン）上に、Ｗ，Ａｕ等のＸ線吸収
体層を所望のパターンにパターニングして用いる。透過
型マスクではメンブレンのどちらの面に異物が存在して
も転写パターンに影響する。したがって、異物除去用電
極はマスクの両側に配置し、両面の除去を行う。また、
除電のための電極も同様にマスクの両側に設ける。図４
に具体的な実施形態の模式図を示す。透過型マスクはＳ
ｉ基板状に厚さ２μｍのＳｉＣ層を形成し基板を一部除
去して自立膜としたＳｉＣメンブレン上に、Ｗ層を形成
し、所望のパターンにパターニングして吸収体とする。
異物除去用電極としてタングステンのフィラメント状電
極をメンブレンの両側に約５ｍｍ離して配置する。電極
には一方に＋５ＫＶ、もう一方に−５ＫＶの電圧を印加
する。フィラメントをスキャンし、マスク全面の異物を
帯電あるいは誘電分極させ電極に引き付けて除去する。
交流を印加した同様のフィラメント状電極を設けマスク
面をスキャンすることによって、異物除去後には帯電し
たマスクを除電する。
例を示す。透過型マスクは、ＳｉＣ，ＳｉＮ等のＸ線透
過自立薄膜（メンブレン）上に、Ｗ，Ａｕ等のＸ線吸収
体層を所望のパターンにパターニングして用いる。透過
型マスクではメンブレンのどちらの面に異物が存在して
も転写パターンに影響する。したがって、異物除去用電
極はマスクの両側に配置し、両面の除去を行う。また、
除電のための電極も同様にマスクの両側に設ける。図４
に具体的な実施形態の模式図を示す。透過型マスクはＳ
ｉ基板状に厚さ２μｍのＳｉＣ層を形成し基板を一部除
去して自立膜としたＳｉＣメンブレン上に、Ｗ層を形成
し、所望のパターンにパターニングして吸収体とする。
異物除去用電極としてタングステンのフィラメント状電
極をメンブレンの両側に約５ｍｍ離して配置する。電極
には一方に＋５ＫＶ、もう一方に−５ＫＶの電圧を印加
する。フィラメントをスキャンし、マスク全面の異物を
帯電あるいは誘電分極させ電極に引き付けて除去する。
交流を印加した同様のフィラメント状電極を設けマスク
面をスキャンすることによって、異物除去後には帯電し
たマスクを除電する。
【００３１】実施例４ 本発明の他の実施形態として、電子線等によって異物を
帯電させ脱離させる方法がある。真空中にマスクを配置
し、マスクパターンに対向する位置に電子銃を設け、マ
スク表面に電子線を照射する。このとき、マスク表面は
電気的に絶縁された状態とする。マスクおよび異物は、
電子線の照射によって負に帯電し、マスク表面と異物が
反発し異物が脱離する。より確実に異物を脱離する方法
として、マスクパターン上に電子線の飛程を妨害しない
ような電極を形成し、正の電圧を印加してもよい。負に
帯電した異物は電極に引かれ脱離する。
帯電させ脱離させる方法がある。真空中にマスクを配置
し、マスクパターンに対向する位置に電子銃を設け、マ
スク表面に電子線を照射する。このとき、マスク表面は
電気的に絶縁された状態とする。マスクおよび異物は、
電子線の照射によって負に帯電し、マスク表面と異物が
反発し異物が脱離する。より確実に異物を脱離する方法
として、マスクパターン上に電子線の飛程を妨害しない
ような電極を形成し、正の電圧を印加してもよい。負に
帯電した異物は電極に引かれ脱離する。
【００３２】図５に本実施形態の模式図を示す。反射型
マスクは、石英基板上に反射層としてＣｒ−Ｃ多層膜を
形成し、吸収体層としてＷ層をパターン化して形成し
た。真空容器中にマスクを配置し、熱電子放出型電子銃
１５を設け、引き出し電極、ビーム整形用の静電レンズ
（不図示）を設ける。電子ビームはマスクに向かって１
０ＫＶで加速し、マスク全体をスキャンする。マスク表
面および異物がこれによって帯電し、異物はマスク表面
と反発して脱離する。異物を除去した後にはマスク表面
を接地電極１６により接地し、除電する。より積極的に
は前述の除電電極を設ける。電子銃の異物が電子線によ
って損傷を受ける物質である場合には、異物が損傷し逆
に付着することもある。これを防止するためには加速電
圧を数ＫＶ以下に低く設定する。また異物の種類がわか
っている場合には、その物質の２次電子放出効率を考慮
し、帯電し易い加速電圧を決定する。
マスクは、石英基板上に反射層としてＣｒ−Ｃ多層膜を
形成し、吸収体層としてＷ層をパターン化して形成し
た。真空容器中にマスクを配置し、熱電子放出型電子銃
１５を設け、引き出し電極、ビーム整形用の静電レンズ
（不図示）を設ける。電子ビームはマスクに向かって１
０ＫＶで加速し、マスク全体をスキャンする。マスク表
面および異物がこれによって帯電し、異物はマスク表面
と反発して脱離する。異物を除去した後にはマスク表面
を接地電極１６により接地し、除電する。より積極的に
は前述の除電電極を設ける。電子銃の異物が電子線によ
って損傷を受ける物質である場合には、異物が損傷し逆
に付着することもある。これを防止するためには加速電
圧を数ＫＶ以下に低く設定する。また異物の種類がわか
っている場合には、その物質の２次電子放出効率を考慮
し、帯電し易い加速電圧を決定する。
【００３３】Ｘ線露光は、通常、真空中、減圧雰囲気中
で行われる。したがって真空中で行うＸ線露光の場合に
は、露光装置内の例えばごみ検査装置のマスクパターン
に対向する位置等に、前記異物除去装置を配置すること
によって本実施形態を実現することができる。
で行われる。したがって真空中で行うＸ線露光の場合に
は、露光装置内の例えばごみ検査装置のマスクパターン
に対向する位置等に、前記異物除去装置を配置すること
によって本実施形態を実現することができる。
【００３４】実施例５ 本発明の第５の実施形態として、露光Ｘ線を使って異物
を帯電させる方法がある。図６にこの実施形態の模式図
を示す。Ｘ線マスクには接地用電極１６を設け、通常の
露光時にはマスク表面は接地し、異物を除去する場合に
は絶縁された状態とする。絶縁された状態で露光用Ｘ線
を照射すると、マスク表面および異物は帯電し、異物は
マスク表面から脱離する。より効果的に脱離させるため
には、グリッド１７をマスク表面に配置し接地あるいは
負電圧を印加する。異物を除去後に接地電極１６により
マスクを接地する、あるいは前述の除電電極を設け、こ
れらによりマスクの帯電を除去する。
を帯電させる方法がある。図６にこの実施形態の模式図
を示す。Ｘ線マスクには接地用電極１６を設け、通常の
露光時にはマスク表面は接地し、異物を除去する場合に
は絶縁された状態とする。絶縁された状態で露光用Ｘ線
を照射すると、マスク表面および異物は帯電し、異物は
マスク表面から脱離する。より効果的に脱離させるため
には、グリッド１７をマスク表面に配置し接地あるいは
負電圧を印加する。異物を除去後に接地電極１６により
マスクを接地する、あるいは前述の除電電極を設け、こ
れらによりマスクの帯電を除去する。
【００３５】Ｘ線露光装置では露光光を利用して異物を
除去することもできる。
除去することもできる。
【００３６】
【発明の効果】本発明によりマスクの洗浄、修正回数を
低減し、マスクの使用効率を向上することができる。ま
た、露光装置内で積極的に異物を除去することにより、
スループットを向上させることができる。
低減し、マスクの使用効率を向上することができる。ま
た、露光装置内で積極的に異物を除去することにより、
スループットを向上させることができる。
【図１】本発明の第１の実施例の模式図である。
【図２】本発明の第１の実施例の異物除去装置を配置し
た場合のＸ線露光機内の模式図である。
た場合のＸ線露光機内の模式図である。
【図３】除電電極を設けた場合の模式図である。
【図４】透過型マスクを使用した第３の実施例の模式図
である。
である。
【図５】本発明の第４の実施例の模式図である。
【図６】本発明の第５の実施例の模式図である。
１ 反射型マスク ２ 多層膜反射層 ３ 基板 ４ 吸収体 ５ 電極 ６ 異物 ７ マスクキャリア ８ ごみ検査装置 ９ ごみ検査用ステージ １０ ごみ検査光学系 １１ 露光マスクステージ １２ 露光光学系 Ｌ 露光Ｘ線 １３ 除電電極 １４ 透過型マスク １５ 電子銃 １６ 接地電極 １７ グリッド
Claims (9)
- 【請求項１】 光、電子線、放射線等を用いて所望の回
路パターンをウエハ上に転写する露光に用いられる露光
用マスクおいて、露光用マスクに付着した異物を帯電さ
せる手段または分極させる手段を具備してなる露光用マ
スクの異物除去装置。 - 【請求項２】 露光用マスクがＸ線露光用マスクである
請求項１に記載の異物除去装置。 - 【請求項３】 異物を帯電または分極させる手段が電極
により電場を形成することによるものである請求項１に
記載の異物除去装置。 - 【請求項４】 異物を帯電または分極させる手段が電子
線照射によるものである請求項１に記載の異物除去装
置。 - 【請求項５】 異物を帯電または分極させる手段がＸ線
照射によるものである請求項１に記載の異物除去装置。 - 【請求項６】 請求項１に記載の異物除去装置におい
て、帯電あるいは分極した露光用マスクを除電するため
の機構を具備したことを特徴とする請求項１に記載の異
物除去装置。 - 【請求項７】 光、電子線、放射線等を用いて所望の回
路パターンをウエハ上に転写する露光に用いられる露光
用マスクにおいて、露光用マスクに付着した異物を帯電
させる手段または分極させる手段を具備してなる異物除
去装置を露光装置内に設けたことを特徴とした露光装
置。 - 【請求項８】 請求項７に記載の露光装置がＸ線を用い
て所望の回路パターンをウエハ上に転写する露光に用い
られるＸ線露光装置であることを特徴とした請求項７に
記載の露光装置。 - 【請求項９】 請求項１に記載の異物除去装置、あるい
は請求項７に記載のＸ線露項装置を用い、露光前に露光
用マスクに付着した異物の除去を行なうことを特徴とし
た露光方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6412296A JPH09260245A (ja) | 1996-03-21 | 1996-03-21 | マスクの異物除去装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6412296A JPH09260245A (ja) | 1996-03-21 | 1996-03-21 | マスクの異物除去装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09260245A true JPH09260245A (ja) | 1997-10-03 |
Family
ID=13248958
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6412296A Pending JPH09260245A (ja) | 1996-03-21 | 1996-03-21 | マスクの異物除去装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09260245A (ja) |
Cited By (19)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000082666A (ja) * | 1998-07-09 | 2000-03-21 | Canon Inc | Ｘ線マスク構造体、ｘ線露光装置、該ｘ線露光装置を用いたｘ線露光方法、ｘ線マスク構造体または該ｘ線露光装置を用いて作製された半導体デバイス及び該半導体デバイスの製造方法 |
| KR100389133B1 (ko) * | 2001-05-24 | 2003-06-25 | 삼성전자주식회사 | 반도체소자 제조용 노광장치 및 이의 구동방법 |
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| KR20170122556A (ko) | 2016-04-27 | 2017-11-06 | 주식회사 엘지화학 | 전기장 흡착 방식을 이용한 이물질 제거 시스템 및 제거 방법 |
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| CN113168088A (zh) * | 2018-11-27 | 2021-07-23 | Asml荷兰有限公司 | 隔膜清洁设备 |
-
1996
- 1996-03-21 JP JP6412296A patent/JPH09260245A/ja active Pending
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