JP2008501232A - マスク基板のクリーニング - Google Patents
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Abstract
Description
マスク基板を支えるための支持手段と、
マスク基板から粒子を分離することによりマスク基板をクリーニングするためのエアロゾルノズルと、
を備える装置に関する。
マスク基板を準備するステップと、
マスク基板から粒子を分離するためにエアロゾル(噴霧剤)をマスク基板上に噴射するステップと、
を含む方法に関する。
「Arエアロゾル・クリーニング技術を用いたステンシル・レティクル・クリーニング(Stencil reticle cleaning using an Ar aerosol cleaning technique」と題された真空科学技術ジャーナルB(Journal of Vacuum Science and Technology B),Vol.20,No.1,2002年1月/2月、第71−75頁)における刊行物
マスク基板を準備するステップと、
マスク基板から粒子を分離するためにエアロゾル(噴霧剤)をマスク基板上に噴射するステップと、
粒子がマスク基板から分離された直後に粒子を捕捉するステップと、
を含む。
−冷却トラップと真空トラップとの組み合わせ、
−冷却トラップと静電トラップとの組み合わせ、
−冷却トラップとゲッタートラップとの組み合わせ、又は、
−冷却トラップとゲッタートラップと真空トラップと静電トラップとの組み合わせ、
も可能である(包括的なリストではない)。
Claims (23)
- マスク基板をクリーニングするための装置であって、
前記マスク基板を支えるための支持手段と、
前記マスク基板から粒子を分離することにより前記マスク基板をクリーニングするためのエアロゾルノズルと、
を備え、
前記エアロゾルノズル及び前記支持手段の直近に配置され、粒子が前記マスク基板から分離された後に粒子を捕捉するためのトラップを備えることを特徴とする装置。 - 前記トラップは、冷却トラップを構成することを特徴とする請求項1に記載の装置。
- 前記冷却トラップは、クリーニングプロセスのサブステップで前記マスク基板を加熱するとともに、クリーニングプロセスの他のサブステップで粒子を捕捉するように構成されていることを特徴とする請求項2に記載の装置。
- 前記トラップは、真空トラップを構成することを特徴とする請求項1乃至3のいずれか一項に記載の装置。
- 前記真空トラップは、分離された粒子を捕捉するための真空ギャップを備えていることを特徴とする請求項4に記載の装置。
- 前記エアロゾルノズルの近傍に配置され、前記真空ギャップへ向かうキャリアガス流を発生させるためのキャリアガスノズルを備えることを特徴とする請求項4又は5に記載の装置。
- 前記トラップは、静電トラップを構成することを特徴とする請求項1乃至6のいずれか一項に記載の装置。
- 前記静電トラップは、分離された粒子を引き付けるために前記分離された粒子の電荷の符号と反対の符号の電荷を有する部分を備えることを特徴とする請求項7に記載の装置。
- 前記静電トラップは、プラスに帯電されて分離された粒子及びマイナスに帯電されて分離された粒子の両方を引き付けるためにプラスに帯電された部分及びマイナスに帯電された部分の両方を備えることを特徴とする請求項8に記載の装置。
- 前記トラップは、ゲッタートラップを構成することを特徴とする請求項1乃至9のいずれか一項に記載の装置。
- 前記ゲッタートラップは、ゲッタープレートを備えることを特徴とする請求項10に記載の装置。
- 前記ゲッタープレートは、アルミニウム(Al)を含むことを特徴とする請求項10又は11に記載の装置。
- 前記マスク基板を加熱するためのヒータを備えることを特徴とする請求項1乃至12のいずれか一項に記載の装置。
- 前記マスク基板に対して熱を伝達するためにガスを放出するチャンネルを備えることを特徴とする請求項3又は13に記載の装置。
- 前記支持手段を前記ヒータから前記トラップへ移動させるための搬送手段を備えることを特徴とする請求項13又は14に記載の装置。
- 搬送方向(X)において測定される前記ヒータと前記トラップとの間の距離(D)は、同一方向(X)において測定される前記マスク基板の寸法(L)よりも小さいことを特徴とする請求項13乃至15のいずれか一項に記載の装置。
- 前記ヒータは、熱い物質のためのチャンネルを備えることを特徴とする請求項13乃至16のいずれか一項に記載の装置。
- マスク基板をクリーニングするための方法であって、
前記マスク基板を準備するステップと、
前記マスク基板から粒子を分離するためにエアロゾルを前記マスク基板上に噴射するステップと、
を含み、
粒子が前記マスク基板から分離された直後に粒子を捕捉することを特徴とする方法。 - 分離された粒子は、冷却トラップを用いて捕捉されることを特徴とする請求項18に記載の方法。
- 分離された粒子は、真空トラップを用いて捕捉されることを特徴とする請求項18又は19に記載の方法。
- 分離された粒子は、静電トラップを用いて捕捉されることを特徴とする請求項18乃至20のいずれか一項に記載の方法。
- 分離された粒子は、ゲッタートラップを用いて捕捉されることを特徴とする請求項18乃至21のいずれか一項に記載の方法。
- エアロゾルを噴射する前に、前記マスク基板が加熱されることを特徴とする請求項18乃至22に記載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US57517704P | 2004-05-28 | 2004-05-28 | |
PCT/IB2005/051619 WO2005116758A2 (en) | 2004-05-28 | 2005-05-18 | Cleaning a mask substrate |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008501232A true JP2008501232A (ja) | 2008-01-17 |
Family
ID=34967304
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007514243A Pending JP2008501232A (ja) | 2004-05-28 | 2005-05-18 | マスク基板のクリーニング |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20080302390A1 (ja) |
EP (1) | EP1754109A2 (ja) |
JP (1) | JP2008501232A (ja) |
KR (1) | KR20070029716A (ja) |
CN (1) | CN1961258A (ja) |
TW (1) | TW200610028A (ja) |
WO (2) | WO2005116758A2 (ja) |
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- 2005-05-18 CN CNA2005800172562A patent/CN1961258A/zh active Pending
- 2005-05-18 JP JP2007514243A patent/JP2008501232A/ja active Pending
- 2005-05-18 KR KR1020067024929A patent/KR20070029716A/ko not_active Application Discontinuation
- 2005-05-18 WO PCT/IB2005/051619 patent/WO2005116758A2/en active Application Filing
- 2005-05-18 EP EP05738592A patent/EP1754109A2/en not_active Withdrawn
- 2005-05-18 US US11/628,125 patent/US20080302390A1/en not_active Abandoned
- 2005-05-25 TW TW094117059A patent/TW200610028A/zh unknown
- 2005-05-27 WO PCT/IB2005/051749 patent/WO2005116759A2/en active Application Filing
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EP1754109A2 (en) | 2007-02-21 |
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US20080302390A1 (en) | 2008-12-11 |
CN1961258A (zh) | 2007-05-09 |
KR20070029716A (ko) | 2007-03-14 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20080516 |
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A711 | Notification of change in applicant |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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A601 | Written request for extension of time |
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