JP2002139825A

JP2002139825A - 露光用マスクの清掃方法および露光用マスクの清掃装置

Info

Publication number: JP2002139825A
Application number: JP2000335975A
Authority: JP
Inventors: Yogo Kawasaki; 洋吾川崎; Satoshi Tsujiku; 聡都竹
Original assignee: Ibiden Co Ltd
Current assignee: Ibiden Co Ltd
Priority date: 2000-11-02
Filing date: 2000-11-02
Publication date: 2002-05-17

Abstract

(57)【要約】【課題】所望の配線パターンを形成できる露光用マス
クの清掃方法および露光用マスクの清掃装置を提案す
る。【解決手段】除電装置１２０を用いてフォトマスク９
６を除電して、粘着ローラー１００を用いてフォトマス
ク９６を清掃する。フォトマスク９６の清掃と、ほこり
１０２の再付着の防止とを行うため、微細な配線パター
ンを形成できる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は、プリント配線板
に用いる露光用マスクの清掃方法および清掃装置に関す
るものである。

【０００２】

【従来の技術】プリント配線板の配線パターン形成工程
について、図１３を参照して説明する。この基板１３０
の上には銅箔１３４を被覆させている（図１３（Ａ）参
照）。まず、銅箔１３４を被覆させた基板１３０の上に
感光性ドライフィルム１３２を貼り付ける。そして、感
光性ドライフィルム１３２上にパターン１９６ａの描か
れた露光用マスク１９６を載置する。次いで、露光用マ
スク１９６に紫外線等を照射して、感光性ドライフィル
ム１３２を露光する（図１３（Ｂ）参照）。その後、現
像処理することにより、感光性ドライフィルム１３２の
非露光部分を除去して、露光した個所に所定パターンの
レジスト１３２を残す（図１３（Ｃ）参照）。続いて、
エッチング液を噴射して、レジスト１３２非形成部の銅
箔１３４を溶解除去する（図１３（Ｄ）参照）。そし
て、薬品を用いてレジスト１３２を剥離、除去して、導
体パターン１３４を形成する（図１３（Ｅ）参照）。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】ＩＣチップ等を実装す
るためのパッケージ基板の製造作業は、ファインピッチ
で配線を形成できるように清浄度が高いクリーンルーム
内で行っている。しかしながら、クリーンルーム内に
も、微視的にほこりが存在する。図１３を参照して上述
したように、露光を行う際には、露光用マスクに紫外線
を照射する。紫外線の照射によって露光用マスクが帯電
するため、クリーンルーム内のほこりが露光用マスクに
付着する。この付着したほこりを取り除くため、アルコ
ール等で露光用マスクを拭いて清掃している。しかし、
すぐに、露光用マスクにほこりが付着するため、露光用
マスクを綺麗な状態に保つことが困難であり、ほこりに
より、微細な配線パターンが形成できないことがある。

【０００４】本発明は、上述した課題を解決するために
なされたものであり、その目的とするところは、微細な
配線パターンを形成できる露光用マスクの清掃方法およ
び露光用マスクの清掃装置を提供することにある。

【０００５】

【課題を解決するための手段】上述した目的を達成する
ため、請求項１の露光用マスクの清掃方法では、プリン
ト配線板の露光用マスクにおいて、少なくとも以下
（ａ）の工程を備えることを技術的特徴とする：（ａ）
粘着ローラを用いて、マスク上のほこりを取り除く工
程。

【０００６】請求項１の露光用マスクの清掃方法では、
粘着ローラを用いて、ほこりが付着しているマスクを清
掃する。つまり、粘着ローラにほこりを付着させること
により、マスクからほこりを取り除くため、マスクを綺
麗な状態に保ち、微細な配線パターンを形成できる。

【０００７】請求項２の露光用マスクの清掃方法では、
プリント配線板の露光用マスクにおいて、少なくとも以
下（ａ）の工程を備えることを技術的特徴とする：
（ａ）除電装置を用いて除電することによって、露光用
マスクを清掃する工程。

【０００８】請求項２の露光用マスクの清掃方法では、
除電装置を用いて、帯電しているマスクを除電する。つ
まり、除電したことによって露光用マスクの帯電の影響
を除き、マスクへのほこりの付着を防ぐことができる。
したがって、マスクを綺麗な状態に保ち、微細な配線パ
ターンを形成することが可能となる。

【０００９】請求項３の露光用マスクの清掃方法では、
プリント配線板の露光マスクにおいて、少なくとも以下
（ａ）〜（ｂ）の工程を備えることを技術的特徴とす
る。：（ａ）除電装置を用いて、除電することによって
露光用マスクを清掃する工程；（ｂ）粘着ローラを用い
て、前記露光用マスク上のほこりを取り除く工程；

【００１０】請求項３の露光用マスクの清掃方法では、
除電装置によって、帯電しているマスクを除電した後、
粘着ローラを用いて、マスク上のほこりを取り除く。つ
まり、マスクを除電することにより、ほこりを取り除く
ことができる。更に、粘着ローラを使用するため、マス
クを綺麗な状態にできる。また、マスクを除電している
ため、ほこりの再付着を防止できる。したがって、微細
な配線パターンを形成することが可能となる。

【００１１】請求項４の露光用マスクの清掃方法では、
請求項２または請求項３に記載のプリント配線板の露光
マスクの清掃方法において、集塵装置を用いて、前記ほ
こりを静電集塵する工程を更に備えることを技術的特徴
とする。

【００１２】請求項４の露光用マスクの清掃方法では、
マスク上を清掃した後、集塵装置を用いて、ほこりを静
電集塵する。つまり、マスク上に残留したほこりや、粘
着ローラによって空気中に舞上がったほこりを静電集塵
するため、ほこりの再付着を防止できる。したがって、
マスクの綺麗な状態を保持できるため、微細な配線パタ
ーンを形成できる。

【００１３】請求項５の露光用マスクの清掃装置では、
プリント配線板の露光マスクにおいて、マスク上のほこ
りを取り除く粘着ローラを備えることを技術的特徴とす
る。

【００１４】請求項５の露光用マスクの清掃装置では、
粘着ローラによって、マスク上のほこりを取り除くこと
ができるため、マスクを綺麗な状態にすることができ
る。したがって、微細な配線パターンを形成することが
可能となる。

【００１５】請求項６の露光用マスクの清掃装置では、
プリント配線板の露光マスクにおいて、マスクを除電す
る除電装置を備えることを技術的特徴とする。

【００１６】請求項６の露光用マスクの清掃装置では、
除電装置により、帯電したマスクを除電する。つまり、
除電装置を備えることによって、帯電の影響を受けてマ
スクに付着したほこりを取り除くことができるため、マ
スクを綺麗な状態に保つことができる。したがって、微
細な配線パターンを形成することが可能となる。

【００１７】請求項７の露光用マスクの清掃装置では、
プリント配線板の露光マスクにおいて、露光用マスクを
除電する除電装置と、前記露光用マスク上のほこりを取
り除く粘着ローラとを備えることを技術的特徴とする。

【００１８】請求項７の露光用マスクの清掃装置では、
除電装置によって、帯電したマスクを除電した後、粘着
ローラによってマスクの清掃を行う。つまり、清掃装置
が除電装置と、粘着ローラとを備えているため、マスク
上のほこりを取り除くことができ、マスクを綺麗な状態
に保つことができる。更に、マスクを除電しているた
め、ほこりの再付着を防止できる。したがって、微細な
配線パターンを形成することが可能となる。

【００１９】請求項８の露光用マスクの清掃装置では、
請求項６または請求項７に記載のプリント配線板の露光
マスクの清掃装置において、集塵装置を用いて、前記ほ
こりを静電集塵する集塵装置を備えることを技術的特徴
とする。

【００２０】請求項８の露光用マスクの清掃装置では、
マスクを清掃した後、集塵装置によって、マスク上に残
ったほこりや、空気中のほこりを静電集塵する。つま
り、集塵装置を備えているため、ほこりの再付着を防止
できる。したがって、マスクを綺麗な状態を保つことが
できるため、微細な配線パターンを形成することが可能
となる。

【００２１】請求項９の露光用マスクの除電装置では、
請求項６または請求項７に記載の前記除電装置は、空気
のイオン化を行い、イオン化した空気を利用して、前記
露光用マスクの帯電を中和することを技術的特徴とす
る。

【００２２】請求項９の露光用マスクの除電装置では、
清掃装置内の空気をイオン化させて、清掃装置内に陽イ
オンと陰イオンとを発生させる。次いで、マスクの帯電
極性と反対の極性のイオンをマスク表面に付着させる。
そして、マスクの帯電を中和させて、マスクを除電す
る。つまり、除電装置によって、マスクを除電できるた
め、帯電によってマスク上に付着したほこりを取り除け
る。また、マスクにほこりの再付着を防止できる。した
がって、微細な配線パターンを形成することが可能とな
る。

【００２３】

【発明の実施の形態】まず、本発明の実施形態に係る露
光装置について図８を参照して説明する。露光装置１２
６は、紫外線を照射する露光機１２７が備えられてい
る。露光装置１２６では、フォトマスク９６が載置され
た基板３０に露光機１２７を用いて、紫外線の照射を行
う（図８（Ａ）参照）。ここで、フォトマスク９６に
は、配線パターンが描画されている。配線パターンが描
画されたフォトマスク９６を基板３０の上に載置して露
光を行うと、基板３０上の感光性ドライフィルム（図示
せず）に、配線パターンが露光される。更に、露光装置
１２６には、フォトマスク９６を清掃装置１２４へ搬送
する搬送装置１２８が配置されている。露光終了後、フ
ォトマスク９６を基板３０から剥離する。続いて、搬送
装置１２８を用いて、フォトマスク９６を清掃装置１２
４へ搬送する。搬送装置１２８と接続されている清掃装
置１２４では、搬送されたフォトマスク９６を清掃する
（図８（Ｂ）参照）。

【００２４】本発明の実施形態に係る清掃装置１２４に
ついて図９を参照して説明する。清掃装置１２４は、フ
ォトマスク９６の除電を行う除電装置１２０と、フォト
マスク９６上のほこり１０２を取り除く粘着ローラ１０
０と、フォトマスク９６上のほこり１０２や空気中のほ
こり１０２を静電集塵する集塵装置１２２とから構成さ
れる。清掃装置１２４では、まず、除電装置１２０を用
いて、フォトマスク９６の除電を行う。ほこり１０２
は、フォトマスク９６への露光の際の帯電の影響を受け
てフォトマスク９６に付着したため、この除電によっ
て、フォトマスク９６に付着したほこり１０２を取り除
くと共に、ほこりの付着を防ぐことが可能となる。次
に、除電されたフォトマスク９６上にあるほこり１０２
を粘着ローラ１００を用いて取り除く。このときに、粘
着ローラ１００によって空気中に舞上げられたほこり１
０２を集塵装置１２２を用いて静電集塵する。

【００２５】上述した粘着ローラ１００の構成について
図１０を参照して更に詳細に説明する。粘着ローラ１０
０は、円筒表面が粘着面である円筒状に形成されたロー
ラ部１００ａと、ローラ部１００ａの長手方向を軸とし
て形成されたローラ軸１００ｂと、ローラ軸１００ｂと
接続されて、ローラ軸１００ｂを中心にローラ部１００
ａを回転させるアーム部１００ｃとから構成される。こ
の粘着ローラ１００は、フォトマスク９６上を回転する
ことによって、ローラ部１００ａ表面の粘着面にフォト
マスク９６上のほこり１０２を付着させながら、ほこり
１０２を取り除く。

【００２６】上述した除電装置１２０の構成について図
１１を参照して更に詳細に説明する。この除電装置１２
０は、高圧を供給するパワーユニット１０４Ａと、高圧
を放電電極１０６Ａに印加する高圧ケーブル１０８と、
アース極１１０と、アース極１１０との間に高圧電界を
作り出す放電電極１０６Ａとから構成される。アース電
極１１０は、放電電極１０６Ａを覆うように配設されて
いる。除電装置１２０では、パワーユニット１０４Ａか
ら高圧ケーブル１０８を介して、放電電極１０６Ａに高
圧が印加される。この高圧の印加によって、放電電極１
０６Ａとアース極１１０との間に高圧電界が発生して、
空気がイオン化される。ここで、この高圧電界は交流電
界であるため、イオン化によって陽イオンと陰イオンと
が混在している。このイオン化された空気のうち、帯電
しているフォトマスク９６の帯電極性と反対の極性を持
つイオンが、フォトマスク９６に引きつけられ付着す
る。このイオンの付着によって、フォトマスク９６の帯
電が中和されることとなり、フォトマスク９６は除電さ
れる。

【００２７】上述した集塵装置１２２の構成について図
１２を参照して更に詳細に説明する。この集塵装置１２
２は、電圧を供給するパワーユニット１０４Ｂと、空気
をイオン化する放電電極１０６Ｂと、ほこり１０２を集
塵する集塵電極１１２とから構成される。集塵電極１１
２は、パワーユニット１０４Ｂと接続されて、パワーユ
ニット１０４Ｂは、放電電極１０６Ｂと接続されてい
る。集塵装置１２２では、パワーユニット１０４Ｂか
ら、放電電極１０６Ｂに高圧が印加される。放電電極１
０６Ｂに高圧が印加されることによって、放電電極１０
６Ｂは、イオンや電子を発生させる。この放電電極１０
６Ｂが発生させた電子によって、ほこり１０２は帯電さ
れる。帯電されたほこり１０２は、集塵電極１１２に引
きつけられる。したがって、フォトマスク９６上のほこ
り１０２を取り除くこととなる。

【００２８】続いて、上述した露光装置を用いるプリン
ト配線板の製造工程について説明する。図７は、完成し
たプリント配線板１０の断面図を示している。

【００２９】プリント配線板１０は、コア基板３０の表
面及び裏面にビルドアップ配線層８０Ａ、８０Ｂが形成
されている。コア基板３０には、スルーホール３６が形
成され、コア基板３０の両面には、導体回路３４が形成
されている。また、ビルドアップ配線層８０Ａ、８０Ｂ
は、導体回路５８（バイアホール６０を含む）が形成さ
れた層間樹脂絶縁層５０と、導体回路１５８（バイアホ
ール１６０を含む）が形成された層間樹脂絶縁層１５０
とからなる。層間樹脂絶縁層１５０上には、ソルダーレ
ジスト層７０が配設されている。ソルダーレジスト層７
０には、導体回路１５８の開口部７１ａ、バイアホール
１６０の開口部７１ｂ、及び、半田パッド７５ａ、７５
ｂが形成され、半田パッド７５ａ、７５ｂ上には半田バ
ンプ７８が配設されている。

【００３０】引き続き、図７を参照して上述したプリン
ト配線板の製造方法について、図１〜図７を参照して説
明する。

【００３１】（１）厚さ０．８ｍｍのガラスエポキシ樹
脂またはＢＴ（ビスマレイミド−トリアジン）樹脂から
なる基板３０の両面に１８μｍの銅箔３２がラミネート
されている銅張積層板３０Ａを出発材料とする（図１
（Ａ）参照）。まず、この銅張積層板３０Ａをドリル削
孔し、続いてめっきレジストを形成した後、この基板に
無電解銅めっき処理を施してスルーホール３６を形成
し、さらに、銅箔３２を常法に従いパターン状にエッチ
ングすることにより、基板３０の両面に下層導体回路３
４を形成する（図１（Ｂ）参照）。

【００３２】（２）下層導体回路３４を形成した基板３
０を水洗いし、乾燥した後、エッチング液を基板３０の
両面にスプレイで吹きつけて、下層導体回路３４の表面
とスルーホール３６のランド表面３６ａとをエッチング
することにより、下層導体回路３４の全表面に粗化面３
４α、３６αを形成する（図１（Ｃ）参照）。ここで、
エッチング液として、イミダゾール銅（II）錯体１０重
量部、グリコール酸７重量部、塩化カリウム５重量部お
よびイオン交換水７８重量部を混合したものを使用す
る。

【００３３】（３）熱硬化性樹脂であるエポキシ系樹脂
を主成分とする樹脂充填剤４０を、基板３０の両面に印
刷機を用いて塗布することにより、下層導体回路３４間
またはスルーホール３６内に充填し、加熱乾燥を行う。
即ち、この工程により、樹脂充填剤４０が下層導体回路
３４の間あるいはスルーホール３６内に充填される（図
１（Ｄ）参照）。

【００３４】（４）上記（３）の処理を終えた基板３０
の片面を、ベルト研磨紙（三共理化学社製）を用いたベ
ルトサンダー研磨により、下層導体回路３４の表面やス
ルーホール３６のランド表面３６ａに樹脂充填剤４０が
残らないように研磨し、ついで、上記ベルトサンダー研
磨による傷を取り除くためのバフ研磨を行う。このよう
な一連の研磨を基板３０の他方の面についても同様に行
う。そして、充填した樹脂充填剤４０を加熱硬化させる
（図２（Ａ）参照）。

【００３５】このようにして、スルーホール３６等に充
填された樹脂充填剤４０の表層部および下層導体回路３
４上面の粗化層３４αを除去して基板３０両面を平滑化
し、樹脂充填剤４０と下層導体回路３４とが粗化面３４
αを介して強固に密着し、またスルーホール３６の内壁
面と樹脂充填剤４０とが粗化面３６αを介して強固に密
着した配線基板を得る。

【００３６】（５）次に、上記（４）の処理を終えた基
板３０の両面に、上記（２）で用いたエッチング液と同
じエッチング液をスプレイで吹きつけ、一旦平坦化され
た下層導体回路３４の表面とスルーホール３６のランド
表面３６ａとをエッチングすることにより、下層導体回
路３４の全表面に粗化面３４βを形成する（図２（Ｂ）
参照）。

【００３７】（６）次に、上記工程を経た基板の両面
に、厚さ５０μｍの熱硬化型樹脂シートを温度５０〜１
５０℃まで昇温しながら圧力５ｋｇ／ｃｍ² で真空圧着
ラミネートし、層間樹脂絶縁層５０を設ける（図２
（Ｃ）参照）。真空圧着時の真空度は、１０ｍｍＨｇで
ある。

【００３８】（７）次に、波長１０．４μｍのＣＯ₂ ガ
スレーザにて、ビーム径５ｍｍ、トップハットモード、
パルス幅５０μ秒、マスクの穴径０．５ｍｍ、１ショッ
トの条件でエポキシ系樹脂からなる層間樹脂絶縁層５０
に直径８０μｍのバイアホール用開口５１を設ける（図
２（Ｄ）参照）。この後、酸素プラズマを用いてデスミ
ア処理を行う。

【００３９】（８）次に、クロム酸、過マンガン酸塩な
どの酸化剤等に浸漬させることによって、層間樹脂絶縁
層５０の粗化面５０αを設ける。（図３（Ａ）参照）。
該粗化面５０αは、０．１〜５μｍの範囲で形成される
ことがよい。その一例として、過マンガン酸ナトリウム
溶液５０ｇ／ｌ、温度６０℃中に５〜２５分間浸漬させ
ることによって、２〜３μｍの粗化面５０αを設ける。
上記以外には、日本真空技術株式会社製のＳＶ−４５４
０を用いてプラズマ処理を行い、層間樹脂絶縁層５０の
表面に粗化面５０αを形成することもできる。この際、
不活性ガスとしてはアルゴンガスを使用し、電力２００
Ｗ、ガス圧０．６Ｐａ、温度７０℃の条件で、２分間プ
ラズマ処理を実施する。

【００４０】（９）次に、粗化面５０αが形成された層
間樹脂絶縁層５０上に、金属層５３を設ける（図３
（Ｂ）参照）。金属層５３は、無電解めっきによって形
成させる。予め、層間樹脂絶縁層５０の表層にパラジウ
ムなどの触媒を付与させて、無電解めっき液に５〜６０
分間浸漬させることにより、０．１〜５μｍの範囲でめ
っき膜である金属層５３を設ける。その一例として、〔無電解めっき水溶液〕ＮｉＳＯ₄ ０．００３ｍｏｌ／ｌ酒石酸０．２００ｍｏｌ／ｌ硫酸銅０．０３０ｍｏｌ／ｌＨＣＨＯ０．０５０ｍｏｌ／ｌＮａＯＨ０．１００ｍｏｌ／ｌ α、α´−ビピルジル１００ｍｇ／ｌポリエチレングリコール（ＰＥＧ）０．１０ｇ／ｌ３４℃の液温度で４０分間浸漬させた。上記以外でも上述したプラズマ処理と同じ装置を用い、
内部のアルゴンガスを交換した後、Ｎｉ及びＣｕをター
ゲットにしたスパッタリングを、気圧０．６Ｐａ、温度
８０℃、電力２００Ｗ、時間５分間の条件で行い、Ｎｉ
／Ｃｕ金属層５３を層間樹脂絶縁層５０の表面に形成す
ることもできる。このとき、形成されたＮｉ／Ｃｕ金属
層５３の厚さは０．２μｍである。

【００４１】（１０）上記処理を終えた基板３０の両面
に、市販の感光性ドライフィルム９４を貼り付け、配線
パターン９６ａが描画されたフォトマスク９６を載置す
る。次いで、図８を参照して上述した露光機１２７を用
いて、１００ｍＪ／ｃｍ² の紫外線で露光し（図３
（Ｃ）参照）、フォトマスク９６の配線パターン９６ａ
の非描画部を硬化させる。

【００４２】（１１）続いて、フォトマスク９６と、基
板３０とを剥離して、上述した図１１に示す除電装置１
２０を用いて、フォトマスク９６を除電する。この除電
によって、帯電の影響を受けてフォトマスク９６上に付
着したほこり１０２を取り除く（図４（Ａ）参照）。更
に、上述した図１０に示す粘着ローラ１００を用いて、
このフォトマスク９６上で粘着ローラ１００を転がし
て、フォトマスク９６上のほこり１０２を付着する（図
４（Ｂ）参照）。そして、上述した図１２に示す集塵装
置１２２を用いて、フォトマスク９６上に残留したほこ
り１０２や粘着ローラ１００が空気中に舞上げたほこり
１０２を静電集塵する（図４（Ｃ）参照）。

【００４３】（１２）フォトマスク９６と剥離した基板
３０を、０．８％炭酸ナトリウムで現像処理し、フォト
マスク９６の配線パターン９６ａの非描画部分（未硬化
部分）を溶解することで、厚さ１５μｍのめっきレジス
ト５４のパターンを形成する（図５（Ａ）参照）。上述
した図９の清掃装置１２４を用いて、フォトマスク９６
を清掃したことによって、フォトマスク９６にほこりが
付着しないため、ほこりの影響を全く受けず露光でき
る。したがって、この露光によって形成されためっきレ
ジスト５４のパターンを精密に形成できるため、以降の
工程でファインピッチな配線パターンを形成できる。な
お、上述したマスクの清掃は、１回露光を行う毎に除電
を行い、数回露光を行った際に、粘着ローラ１００によ
るほこりの除去を行うことが、作業効率の観点から好適
である。

【００４４】（１３）次に、以下の条件で電解めっきを
施して、厚さ１５μｍの電解めっき膜５６を形成する
（図５（Ｂ）参照）。なお、電解めっき水溶液中の添加
剤は、アトテックジャパン社製のカパラシドＨＬであ
る。

【００４５】〔電解めっき水溶液〕硫酸２．２４ｍｏｌ／ｌ硫酸銅０．２６ｍｏｌ／ｌ添加剤１９．５ｍｌ／ｌ〔電解めっき条件〕電流密度１Ａ／ｄｍ² 時間６５分温度２２±２ ℃

【００４６】（１４）ついで、めっきレジスト５４を５
％ＮａＯＨで剥離除去した後、そのめっきレジスト５４
の下に存在していたＮｉ／Ｃｕ金属層５３を硝酸および
硫酸と過酸化水素との混合液を用いるエッチングにて溶
解除去し、Ｎｉ／Ｃｕ金属層５３及び電解めっき膜５６
からなる厚さ１６μｍの導体回路５８（バイアホール６
０を含む）を形成する（図５（Ｃ）参照）。

【００４７】（１５）次に、上記（５）の工程と同様に
エッチングを導体回路５８（バイアホール６０を含む）
の表面に行うことにより、導体回路５８（バイアホール
６０を含む）の表面に粗化面５８αを形成する（図５
（Ｄ）参照）。

【００４８】（１６）続いて、上記（６）〜（１５）の
工程を、繰り返すことにより、さらに上層に、層間樹脂
絶縁層１５０を形成する。そして、層間樹脂絶縁層１５
０上に導体回路１５８（バイアホール１６０を含む）を
形成する（図６（Ａ）参照）。

【００４９】（１７）次に、ジエチレングリコールジメ
チルエーテル（ＤＭＤＧ）に６０重量％の濃度になるよ
うに溶解させた、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂
（日本化薬社製）のエポキシ基５０％をアクリル化した
感光性付与のオリゴマー（分子量：４０００）４６．６
７重量部、メチルエチルケトンに溶解させた８０重量％
のビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（油化シェル社製、
商品名：エピコート１００１）１５重量部、イミダゾー
ル硬化剤（四国化成社製、商品名：２Ｅ４ＭＺ−ＣＮ）
１．６重量部、感光性モノマーである多官能アクリルモ
ノマー（日本化薬社製、商品名：Ｒ６０４）３重量部、
同じく多価アクリルモノマー（共栄化学社製、商品名：
ＤＰＥ６Ａ）１．５重量部、分散系消泡剤（サンノプコ
社製、商品名：Ｓ−６５）０．７１重量部を容器にと
り、攪拌、混合して混合組成物を調製し、この混合組成
物に対して光重合開始剤としてベンゾフェノン（関東化
学社製）２．０重量部、光増感剤としてのミヒラーケト
ン（関東化学社製）０．２重量部を加えて、粘度を２５
℃で２．０Ｐａ・ｓに調整したソルダーレジスト組成物
（有機樹脂絶縁材料）を得る。なお、ソルダーレジスト
として市販のものを用いることもできる。なお、粘度測
定は、Ｂ型粘度計（東京計器社製、ＤＶＬ−Ｂ型）で６
０ｒｐｍの場合はローターＮｏ．４、６ｒｐｍの場合は
ローターＮｏ．３によった。

【００５０】（１８）基板の両面に、上記ソルダーレジ
スト組成物を２０μｍの厚さで塗布し、７０℃で２０分
間、７０℃で３０分間の条件で乾燥処理を行った後、ソ
ルダーレジスト開口部７１ａ、７１ｂのパターンが描画
された厚さ５ｍｍのフォトマスクをソルダーレジスト層
７０に密着させて、１０００ｍＪ／ｃｍ² の紫外線で露
光して、ＤＭＴＧ溶液で現像処理し、開口部７１ａ（導
体回路１５８の半田パッド用）、開口部７１ｂ（バイア
ホール１６０の半田パッド用）を形成する。さらに、８
０℃で１時間、１００℃で１時間、１２０℃で１時間、
１５０℃で３時間の条件でそれぞれ加熱処理を行ってソ
ルダーレジスト層７０を硬化させ、開口部７１ａ、７１
ｂを有する、厚さが２０μｍのソルダーレジスト層（有
機樹脂絶縁層）７０を形成する（図６（Ｂ）参照）。

【００５１】（１９）次に、ソルダーレジスト層７０を
形成した基板を、塩化ニッケル（２．３×１０^-1ｍｏｌ
／ｌ）、次亜リン酸ナトリウム（２．８×１０^-1ｍｏｌ
／ｌ）、クエン酸ナトリウム（１．６×１０^-1ｍｏｌ／
ｌ）を含むｐＨ＝４．５の無電解ニッケルめっき液に２
０分間浸漬して、開口部７１ａ、７１ｂに厚さ５μｍの
ニッケルめっき層７２を形成する。さらに、その基板を
シアン化金カリウム（７．６×１０^-3ｍｏｌ／ｌ）、塩
化アンモニウム（１．９×１０^-1ｍｏｌ／ｌ）、クエン
酸ナトリウム（１．２×１０^-1ｍｏｌ／ｌ）、次亜リン
酸ナトリウム（１．７×１０^-1ｍｏｌ／ｌ）を含む無電
解めっき液に８０℃の条件で７．５分間浸漬して、ニッ
ケルめっき層７２上に、厚さ０．０３μｍの金めっき層
７４を形成する。これにより開口部７１ａ、７１ｂ内
に、ニッケルめっき層７２及び金めっき層７４からなる
半田パッド７５ａを形成する。なお、半田パッド７５
ａ、７５ｂは表面が平坦な導体回路１５８上に形成され
た半田パッドであり、半田パッド７５ｂは、バイアホー
ル１６０上に形成された半田パッドである。（図６
（Ｃ）参照）。

【００５２】（２０）次に、ソルダーレジスト層７０の
開口部７１ａ、７１ｂと相対したパターンを形成された
印刷用マスクを用意する。この印刷用マスクをソルダー
レジスト層７０に載置して、印刷用マスクを介して、半
田ペーストを印刷する。続いて、半田ペーストをリフロ
ーして半田バンプ７８を形成する。上記工程を経て、半
田パッド７５ａ、７５ｂに半田バンプ７８が形成された
プリント配線板１０を製造することができる（図７参
照）。

【００５３】上記工程によって、帯電しているフォトマ
スク９６を除電して、粘着ローラ１００でフォトマスク
９６上のほこり１０２を取り除くことによって、フォト
マスク９６を綺麗な状態に保つことができる。更に、集
塵装置１２２を用いて、静電集塵することによって、フ
ォトマスク９６の清掃後、フォトマスク９６にほこり１
０２が付着しない。したがって、微細な配線パターンが
形成できる。

【００５４】上述した熱硬化型樹脂シートには、難溶性
樹脂、可溶性粒子、硬化剤、その他の成分が含有されて
いる。それぞれについて以下に説明する。

【００５５】本発明の製造方法において使用する熱硬化
型樹脂シートは、酸または酸化剤に可溶性の粒子（以
下、可溶性粒子という）が酸または酸化剤に難溶性の樹
脂（以下、難溶性樹脂という）中に分散したものであ
る。なお、本発明で使用する「難溶性」「可溶性」とい
う語は、同一の酸または酸化剤からなる溶液に同一時間
浸漬した場合に、相対的に溶解速度の早いものを便宜上
「可溶性」と呼び、相対的に溶解速度の遅いものを便宜
上「難溶性」と呼ぶ。

【００５６】上記可溶性粒子としては、例えば、酸また
は酸化剤に可溶性の樹脂粒子（以下、可溶性樹脂粒
子）、酸または酸化剤に可溶性の無機粒子（以下、可溶
性無機粒子）、酸または酸化剤に可溶性の金属粒子（以
下、可溶性金属粒子）等が挙げられる。これらの可溶性
粒子は、単独で用いても良いし、２種以上併用してもよ
い。

【００５７】上記可溶性粒子の形状は特に限定されず、
球状、破砕状等が挙げられる。また、上記可溶性粒子の
形状は、一様な形状であることが望ましい。均一な粗さ
の凹凸を有する粗化面を形成することができるからであ
る。

【００５８】上記可溶性粒子の平均粒径としては、０．
１〜１０μｍが望ましい。この粒径の範囲であれば、２
種類以上の異なる粒径のものを含有してもよい。すなわ
ち、平均粒径が０．１〜０．５μｍの可溶性粒子と平均
粒径が１〜３μｍの可溶性粒子とを含有する等である。
これにより、より複雑な粗化面を形成することができ、
導体回路との密着性にも優れる。なお、本発明におい
て、可溶性粒子の粒径とは、可溶性粒子の一番長い部分
の長さである。

【００５９】上記可溶性樹脂粒子としては、熱硬化性樹
脂、熱可塑性樹脂等からなるものが挙げられ、酸あるい
は酸化剤からなる溶液に浸漬した場合に、上記難溶性樹
脂よりも溶解速度が速いものであれば特に限定されな
い。上記可溶性樹脂粒子の具体例としては、例えば、エ
ポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、ポリフ
ェニレン樹脂、ポリオレフィン樹脂、フッ素樹脂等から
なるものが挙げられ、これらの樹脂の一種からなるもの
であってもよいし、２種以上の樹脂の混合物からなるも
のであってもよい。

【００６０】また、上記可溶性樹脂粒子としては、ゴム
からなる樹脂粒子を用いることもできる。上記ゴムとし
ては、例えば、ポリブタジエンゴム、エポキシ変性、ウ
レタン変性、（メタ）アクリロニトリル変性等の各種変
性ポリブタジエンゴム、カルボキシル基を含有した（メ
タ）アクリロニトリル・ブタジエンゴム等が挙げられ
る。これらのゴムを使用することにより、可溶性樹脂粒
子が酸あるいは酸化剤に溶解しやすくなる。つまり、酸
を用いて可溶性樹脂粒子を溶解する際には、強酸以外の
酸でも溶解することができ、酸化剤を用いて可溶性樹脂
粒子を溶解する際には、比較的酸化力の弱い過マンガン
酸塩でも溶解することができる。また、クロム酸を用い
た場合でも、低濃度で溶解することができる。そのた
め、酸や酸化剤が樹脂表面に残留することがなく、後述
するように、粗化面形成後、塩化パラジウム等の触媒を
付与する際に、触媒が付与されなたかったり、触媒が酸
化されたりすることがない。

【００６１】上記可溶性無機粒子としては、例えば、ア
ルミニウム化合物、カルシウム化合物、カリウム化合
物、マグネシウム化合物およびケイ素化合物からなる群
より選択される少なくとも一種からなる粒子等が挙げら
れる。

【００６２】上記アルミニウム化合物としては、例え
ば、アルミナ、水酸化アルミニウム等が挙げられ、上記
カルシウム化合物としては、例えば、炭酸カルシウム、
水酸化カルシウム等が挙げられ、上記カリウム化合物と
しては、炭酸カリウム等が挙げられ、上記マグネシウム
化合物としては、マグネシア、ドロマイト、塩基性炭酸
マグネシウム等が挙げられ、上記ケイ素化合物として
は、シリカ、ゼオライト等が挙げられる。これらは単独
で用いても良いし、２種以上併用してもよい。

【００６３】上記可溶性金属粒子としては、例えば、
銅、ニッケル、鉄、亜鉛、鉛、金、銀、アルミニウム、
マグネシウム、カルシウムおよびケイ素からなる群より
選択される少なくとも一種からなる粒子等が挙げられ
る。また、これらの可溶性金属粒子は、絶縁性を確保す
るために、表層が樹脂等により被覆されていてもよい。

【００６４】上記可溶性粒子を、２種以上混合して用い
る場合、混合する２種の可溶性粒子の組み合わせとして
は、樹脂粒子と無機粒子との組み合わせが望ましい。両
者とも導電性が低くいため樹脂フィルムの絶縁性を確保
することができるとともに、難溶性樹脂との間で熱膨張
の調整が図りやすく、樹脂フィルムからなる層間樹脂絶
縁層にクラックが発生せず、層間樹脂絶縁層と導体回路
との間で剥離が発生しないからである。

【００６５】上記難溶性樹脂としては、層間樹脂絶縁層
に酸または酸化剤を用いて粗化面を形成する際に、粗化
面の形状を保持できるものであれば特に限定されず、例
えば、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂、これらの複合体等
が挙げられる。また、これらの樹脂に感光性を付与した
感光性樹脂であってもよい。感光性樹脂を用いることに
より、層間樹脂絶縁層に露光、現像処理を用いてビア用
開口を形成することできる。これらのなかでは、熱硬化
性樹脂を含有しているものが望ましい。それにより、め
っき液あるいは種々の加熱処理によっても粗化面の形状
を保持することができるからである。

【００６６】上記難溶性樹脂の具体例としては、例え
ば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、フェノキシ樹脂、
ポリイミド樹脂、ポリフェニレン樹脂、ポリオレフィン
樹脂、フッ素樹脂等が挙げられる。これらの樹脂は単独
で用いてもよいし、２種以上を併用してもよい。さらに
は、１分子中に、２個以上のエポキシ基を有するエポキ
シ樹脂がより望ましい。前述の粗化面を形成することが
できるばかりでなく、耐熱性等にも優れてるため、ヒー
トサイクル条件下においても、金属層に応力の集中が発
生せず、金属層の剥離などが起きにくいからである。

【００６７】上記エポキシ樹脂としては、例えば、クレ
ゾールノボラック型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡ型
エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、フェ
ノールノボラック型エポキシ樹脂、アルキルフェノール
ノボラック型エポキシ樹脂、ビフェノールＦ型エポキシ
樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエ
ン型エポキシ樹脂、フェノール類とフェノール性水酸基
を有する芳香族アルデヒドとの縮合物のエポキシ化物、
トリグリシジルイソシアヌレート、脂環式エポキシ樹脂
等が挙げられる。これらは、単独で用いてもよく、２種
以上を併用してもよい。それにより、耐熱性等に優れる
ものとなる。

【００６８】本発明で用いる樹脂フィルムにおいて、上
記可溶性粒子は、上記難溶性樹脂中にほぼ均一に分散さ
れていることが望ましい。均一な粗さの凹凸を有する粗
化面を形成することができ、樹脂フィルムにビアやスル
ーホールを形成しても、その上に形成する導体回路の金
属層の密着性を確保することができるからである。ま
た、粗化面を形成する表層部だけに可溶性粒子を含有す
る樹脂フィルムを用いてもよい。それによって、樹脂フ
ィルムの表層部以外は酸または酸化剤にさらされること
がないため、層間樹脂絶縁層を介した導体回路間の絶縁
性が確実に保たれる。

【００６９】上記樹脂フィルムにおいて、難溶性樹脂中
に分散している可溶性粒子の配合量は、樹脂フィルムに
対して、３〜４０重量％が望ましい。可溶性粒子の配合
量が３重量％未満では、所望の凹凸を有する粗化面を形
成することができない場合があり、４０重量％を超える
と、酸または酸化剤を用いて可溶性粒子を溶解した際
に、樹脂フィルムの深部まで溶解してしまい、樹脂フィ
ルムからなる層間樹脂絶縁層を介した導体回路間の絶縁
性を維持できず、短絡の原因となる場合がある。

【００７０】上記樹脂フィルムは、上記可溶性粒子、上
記難溶性樹脂以外に、硬化剤、その他の成分等を含有し
ていることが望ましい。上記硬化剤としては、例えば、
イミダゾール系硬化剤、アミン系硬化剤、グアニジン系
硬化剤、これらの硬化剤のエポキシアダクトやこれらの
硬化剤をマイクロカプセル化したもの、トリフェニルホ
スフィン、テトラフェニルホスフォニウム・テトラフェ
ニルボレート等の有機ホスフィン系化合物等が挙げられ
る。

【００７１】上記硬化剤の含有量は、樹脂フィルムに対
して０．０５〜１０重量％であることが望ましい。０．
０５重量％未満では、樹脂フィルムの硬化が不十分であ
るため、酸や酸化剤が樹脂フィルムに侵入する度合いが
大きくなり、樹脂フィルムの絶縁性が損なわれることが
ある。一方、１０重量％を超えると、過剰な硬化剤成分
が樹脂の組成を変性させることがあり、信頼性の低下を
招いたりしてしまうことがある。

【００７２】上記その他の成分としては、例えば、粗化
面の形成に影響しない無機化合物あるいは樹脂等のフィ
ラーが挙げられる。上記無機化合物としては、例えば、
シリカ、アルミナ、ドロマイト等が挙げられ、上記樹脂
としては、例えば、ポリイミド樹脂、ポリアクリル樹
脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリフェニレン樹脂、メラ
ニン樹脂、オレフィン系樹脂等が挙げられる。これらの
フィラーを含有させることによって、熱膨脹係数の整合
や耐熱性、耐薬品性の向上などを図りプリント配線板の
性能を向上させることができる。

【００７３】また、上記樹脂フィルムは、溶剤を含有し
ていてもよい。上記溶剤としては、例えば、アセトン、
メチルエチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン類、
酢酸エチル、酢酸ブチル、セロソルブアセテートやトル
エン、キシレン等の芳香族炭化水素等が挙げられる。こ
れらは単独で用いてもよいし、２種類以上併用してもよ
い。

【００７４】なお、上述した実施形態では、露光用マス
クとして、エッチングレジストの露光装置を例に挙げた
が、本発明の露光用マスクの清掃方法は、層間樹脂絶縁
層、ソルダーレジストを露光する露光用マスクにも用い
得ることは言うまでもない。

【図面の簡単な説明】

【図１】（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）は、本発明の
第１実施形態に係るプリント配線板の製造工程図であ
る。

【図２】（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）は、本発明の
第１実施形態に係るプリント配線板の製造工程図であ
る。

【図３】（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）は、本発明の第１実施
形態に係るプリント配線板の製造工程図である。

【図４】（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）は、本発明の第１実施
形態に係る露光用マスクの清掃工程の説明図である。

【図５】（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）は、本発明の
第１実施形態に係るプリント配線板の製造工程図であ
る。

【図６】（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）は、本発明の第１実施
形態に係るプリント配線板の製造工程図である。

【図７】本発明の第１実施形態に係る露光装置を用いて
製造したプリント配線板の断面図である。

【図８】（Ａ）、（Ｂ）は、本発明に係る露光装置の説
明図である。

【図９】本発明に係る清掃装置の説明図である。

【図１０】図９に示す粘着ローラの説明図である。

【図１１】図９に示す除電装置の説明図である。

【図１２】図９に示す集塵装置の説明図である。

【図１３】（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）、（Ｅ）
は、従来技術におけるプリント配線板の露光用マスクを
用いた露光の説明図である。

【符号の説明】

３０コア基板３４下層導体回路３６スルーホール４０樹脂充填剤５０層間樹脂絶縁層５８導体回路６０バイアホール７０ソルダーレジスト層７１ａ開口部７１ｂ開口部７２ニッケルめっき層７４金めっき層７５ａ半田パッド７５ｂ半田パッド７８半田バンプ８０Ａ、８０Ｂビルドアップ配線層９４感光性ドライフィルム９６フォトマスク１００粘着ローラ１００ａローラ部１００ｂローラ軸１００ｃアーム部１０２ほこり１０４Ａ、１０４Ｂパワーユニット１０６Ａ、１０６Ｂ放電電極１０８高圧ケーブル１１０アース極１２０除電装置１２２集塵装置１２４清掃装置１２６露光装置１２７露光機１２８搬送装置１３２感光性ドライフィルム１３４銅箔１９６フォトマスク１５８導体回路１６０バイアホール

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】プリント配線板の露光用マスクにおい
て、少なくとも以下（ａ）の工程を備えることを特徴と
する露光用マスクの清掃方法：（ａ）粘着ローラを用い
て、マスク上のほこりを取り除く工程。
【請求項２】プリント配線板の露光用マスクにおい
て、少なくとも以下（ａ）の工程を備えることを特徴と
する露光用マスクの清掃方法：（ａ）除電装置を用いて
除電することによって露光用マスクを清掃する工程。
【請求項３】プリント配線板の露光用マスクにおい
て、少なくとも以下（ａ）〜（ｂ）の工程を備えること
を特徴とする露光用マスクの清掃方法：（ａ）除電装置
を用いて除電することによって、露光用マスクを清掃す
る工程；（ｂ）粘着ローラを用いて、前記露光用マスク
上のほこりを取り除く工程。
【請求項４】集塵装置を用いて、前記ほこりを静電集
塵する工程を更に備えることを特徴とする請求項２また
は請求項３に記載の露光用マスクの清掃方法。
【請求項５】プリント配線板の露光用マスクの清掃装
置において、マスク上のほこりを取り除く粘着ローラを
備えることを特徴とする露光用マスクの清掃装置。
【請求項６】プリント配線板の露光用マスクの清掃装
置において、マスクを除電する除電装置を備えることを
特徴とする露光用マスクの清掃装置。
【請求項７】プリント配線板の露光用マスクの清掃装
置において、マスクを除電する除電装置と、前記露光用
マスク上のほこりを取り除く粘着ローラとを備えること
を特徴とする露光用マスクの清掃装置。
【請求項８】前記露光用マスクの清掃装置において、
前記ほこりを静電集塵する集塵装置を備えることを特徴
とする請求項６または請求項７に記載の露光用マスクの
清掃装置。
【請求項９】前記除電装置は、空気のイオン化を行
い、イオン化した前記空気を利用して、前記露光用マス
クの帯電を中和することを特徴とする請求項６または請
求項７に記載の露光用マスクの除電装置。