JP4863563B2 - プリント配線板及びプリント配線板の製造方法 - Google Patents
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、ＩＣチップなどの電子部品を載置するプリント基板及びその製造方法に関し、特にコンデンサを内蔵するプリント配線板及びその製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
現在、パッケージ基板用のプリント配線板では、ＩＣチップへの電力の供給を円滑にする等の目的のため、チップコンデンサを表面実装することがある。
【０００３】
チップコンデンサからＩＣチップまでの配線のリアクタンス分は周波数に依存するため、ＩＣチップの駆動周波数の増加に伴い、チップコンデンサを表面実装させても十分な効果を得ることができなかった。このため、本出願人は、特願平１１−２４８３１１号にて、コア基板に凹部を形成し、凹部にチップコンデンサを収容させる技術を提案した。また、コンデンサを基板に埋め込む技術としては、特開平６−３２６４７２号、特開平７−２６３６１９号、特開平１０−２５６４２９号、特開平１１−４５９５５号、特開平１１−１２６９７８号、特開平１１−３１２８６８号等がある。
【０００４】
特開平６−３２６４７２号には、ガラスエポキシからなる樹脂基板に、コンデンサを埋め込む技術が開示されている。この構成により、電源ノイズを低減し、かつ、チップコンデンサを実装するスペースが不要になり、絶縁性基板を小型化できる。また、特開平７−２６３６１９号には、セラミック、アルミナなどの基板にコンデンサを埋め込む技術が開示されている。この構成により、電源層及び接地層の間に接続することで、配線長を短くし、配線のインダクタンスを低減している。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上述した特開平６−３２６４７２号、特開平７−２６３６１９号は、ＩＣチップからコンデンサの距離をあまり短くできず、ＩＣチップの更なる高周波数領域においては、現在必要とされるようにインダクタンスを低減することができなかった。特に、樹脂製の多層ビルドアップ配線板においては、セラミックから成るコンデンサと、樹脂からなるコア基板及び層間樹脂絶縁層の熱膨張率の違いから、チップコンデンサの端子とビアとの間に断線、チップコンデンサと層間樹脂絶縁層との間で剥離、層間樹脂絶縁層にクラックが発生し、長期に渡り高い信頼性を達成することができなかった。
【０００６】
一方、特願平１１−２４８３１１号の発明では、コンデンサの配設位置ずれがあったとき、コンデンサの端子とビアとの接続が正確にできず、コンデンサからＩＣチップへの電力供給ができなくなる恐れがあった。
【０００７】
本発明は、上述した課題を解決するためになされたものであり、その目的は、コンデンサを内蔵し、接続信頼性を高めたプリント配線板及びプリント配線板の製造方法を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
上述した問題を達成するため、請求項１のプリント配線板では、コンデンサを収容するコア基板に、層間樹脂絶縁層と導体回路とを交互に積層してなるプリント配線板であって、
前記コンデンサを収容するコア基板が、第１の樹脂基板と、コンデンサを収容する開口を有する第２の樹脂基板と、第３の樹脂基板とを、接着板を介在させて積層してなり、
前記第１の樹脂基板、前記第３の樹脂基板を貫通し、前記コンデンサの一対の電極へ前記コア基板の両面から接続する電解銅めっきから成るバイアホールを配設しており、
前記コンデンサのメタライズからなる電極の表面には、メタライズからなる電極の凹凸を無くすように導電性ペーストが塗布され、更に、該導電性ペースト上に銅めっき膜が設けられていることを技術的特徴とする。
【０００９】
請求項１のプリント配線板では、コア基板内にコンデンサを収容することが可能となり、ＩＣチップとコンデンサとの距離が短くなるため、プリント配線板のループインダクタンスを低減できる。また、樹脂基板を積層してなるためコア基板に十分な強度を得ることができる。更に、コア基板の両面に第１樹脂基板、第３樹脂基板を配設することでコア基板を平滑に構成するため、コア基板の上に層間樹脂絶縁層および導体回路を適切に形成することができ、プリント配線板の不良品発生率を低下させることができる。更に、コア基板の両面にバイアホールを設けてあるため、ＩＣチップとコンデンサとを、また、外部接続基板とコンデンサとを最短の距離で接続することができ、外部接続基板からＩＣチップへの瞬時的な大電力供給が可能になる。
【００１０】
コア基板上に層間樹脂絶縁層を設けて、該層間樹脂絶縁層にバイアホールもしくはスルーホールを施して、導電層である導体回路を形成するビルドアップ法によって形成する回路を意味している。それらには、セミアディティブ法、フルアディティブ法のいずれかを用いることができる。
【００１１】
また、接続用配線を配設することにより、コンデンサの下部にも、配線を施すことが可能となる。そのために配線の自由度が増して、高密度化、小型化をすることができる。
【００１２】
コンデンサと基板との間には樹脂が充填されることが望ましい。コンデンサと基板間の空隙をなくすことによって、内蔵されたコンデンサが挙動することが小さくなるし、コンデンサを起点とする応力が発生しても、該充填された樹脂により緩和することができる。また、該樹脂にはコンデンサとコア基板とを接着させ、マイグレーションを低下させるという効果も有する。
【００１３】
また、コンデンサのメタライズからなる電極の表面に導電性ペーストが塗布されているため、表面が完全にフラットになる。このため、樹脂基板にレーザで開口を穿設した際に、電極の表面に樹脂が残ることが無くなり、該電極とめっきによるバイアホールとの接続信頼性を高めることができる。
【００１４】
請求項１では、コンデンサの電極の導電性ペースト上に金属層を設けてあるため、電極でのマイグレーションの発生を防止することができ、また、接続抵抗を更に低減することができる。
【００１５】
請求項２では、コンデンサの表面に、粗化処理を施す。これにより、セラミックからなるチップコンデンサと接着用樹脂層、樹脂基板との密着性が高くなり、ヒートサイクル試験を実施しても界面での接着用樹脂層、樹脂基板の剥離が発生することがない。
【００１６】
請求項３では、コンデンサの表面に、シランカップリング、樹脂被膜の塗布等の濡れ性改善処理を施す。これにより、セラミックからなるチップコンデンサと接着用樹脂層、樹脂基板との密着性が高くなり、ヒートサイクル試験を実施しても界面での接着用樹脂層、樹脂基板の剥離が発生することがない。
【００１７】
請求項４では、接着板が心材に熱硬化性樹脂を含浸させてなるため、コア基板に高い強度を持たせることができる。
【００１８】
請求項５では、第１、第２、第３樹脂基板は、心材に樹脂を含浸させてなるため、コア基板に高い強度を持たせることができる。具体例としてガラスエポキシ、ガラスフェノルなどの補強材が含浸されているものを用いることができる。
【００１９】
請求項６では、コア基板内に複数個のコンデンサを収容するため、コンデンサの高集積化が可能となる。そのために、より多くの静電容量を確保することができる。
【００２０】
請求項７では、第２の樹脂基板に導体回路が形成されているため、基板の配線密度を高め、層間樹脂絶縁層の層数を減らすことができる。
【００２１】
請求項８では、基板内に収容したコンデンサに加えて表面にコンデンサを配設してある。プリント配線板内にコンデンサが収容してあるために、ＩＣチップとコンデンサとの距離が短くなり、ループインダクタンスを低減し、瞬時に電源を供給することができ、一方、プリント配線板の表面にもコンデンサが配設してあるので、大容量のコンデンサを取り付けることができ、ＩＣチップに大電力を容易に供給することが可能となる。
【００２２】
請求項９では、表面のコンデンサの静電容量は、内層のコンデンサの静電容量以上であるため、高周波領域における電源供給の不足がなく、所望のＩＣチップの動作が確保される。
【００２３】
請求項１０では、表面のコンデンサのインダクタンスは、内層のコンデンサのインダクタンス以上であるため、高周波領域における電源供給の不足がなく、所望のＩＣチップの動作が確保される。
【００２４】
請求項１１では、絶縁性接着剤の熱膨張率を、収容層よりも小さく、即ち、セラミックからなるコンデンサに近いように設定してある。このため、ヒートサイクル試験において、コア基板とコンデンサとの間に熱膨張率差から内応力が発生しても、コア基板にクラック、剥離等が生じ難く、高い信頼性を達成できる。
【００２５】
請求項１２では、外縁の内側に電極の形成されたチップコンデンサを用いるため、バイアホールを経て導通を取っても外部電極が大きく取れ、アライメントの許容範囲が広がるために、接続不良がなくなる。
【００２６】
請求項１３では、マトリクス状に電極が形成されたコンデンサを用いるので、大判のチップコンデンサをコア基板に収容することが容易になる。そのため、静電容量を大きくできるので、電気的な問題を解決することができる。さらに、種々の熱履歴などを経てもプリント配線板に反りが発生し難くなる。
【００２７】
請求項１４では、コンデンサに多数個取り用のチップコンデンサを複数連結させてもよい。それによって、静電容量を適宜調整することができ、適切にＩＣチップを動作させることができる。
【００２８】
請求項１６のプリント配線板の製造方法は、少なくとも以下（ａ）〜（ｄ）の工程を備えることを技術的特徴とする：
（ａ）第１の樹脂基板に接着材料を介してメタライズ電極の上に該メタライズ電極の凹凸を無くすように導電性ペーストを塗布し、更に、導電性ペースト上に銅めっき膜が設けられたコンデンサを取り付ける工程；
（ｂ）第３の樹脂基板と、前記コンデンサを収容する開口を有する第２の樹脂基板と、前記第１の樹脂基板とを、前記第１の樹脂基板の前記コンデンサを前記第２の樹脂基板の前記開口に収容させ、且つ、前記第３の樹脂基板を前記第２の樹脂基板の前記開口を塞ぐように積層してコア基板とする工程；
（ｃ）前記（ｂ）工程の後、前記第１の樹脂基板側及び前記第３の樹脂基板側へレーザを照射して、前記コア基板の両面に前記コンデンサの一対の電極へ至るバイアホール用開口を形成する工程；
（ｄ）前記コア基板の両面に形成された前記バイアホール用開口に同時に電解銅めっきで前記コンデンサの電極に接続するバイアホールを形成する工程。
【００２９】
請求項１６のプリント配線板の製造方法では、コア基板内にコンデンサを収容することが可能となり、ＩＣチップとコンデンサとの距離が短くなるため、プリント配線板のループインダクタンスを低減できる。
【００３０】
また、コンデンサの電極の表面に導電性ペーストを塗布してあるため、表面が完全にフラットになる。このため、樹脂基板にレーザで開口を穿設した際に、電極の表面に樹脂が残ることが無くなり、該電極とめっきによるバイアホールとの接続信頼性を高めることができる。
【００３４】
請求項１７のプリント配線板の製造方法では、少なくとも以下（ａ）〜（ｆ）の工程を備えることを技術的特徴とする：
（ａ）片面に金属膜を貼り付けた第１の樹脂基板および第３の樹脂基板の、金属膜にバイアホール形成用開口を形成する工程；
（ｂ）前記第１の樹脂基板の金属膜非形成面に、接着材料を介してメタライズ電極の上に該メタライズ電極の凹凸を無くすように導電性ペーストを塗布し、更に、導電性ペースト上に銅めっき膜が設けられたコンデンサを取り付ける工程；
（ｃ）前記第３の樹脂基板と、前記コンデンサを収容する開口を有する第２の樹脂基板と、前記第１の樹脂基板とを、前記第１の樹脂基板の前記コンデンサを前記第２の樹脂基板の前記開口に収容させ、且つ、前記第３の樹脂基板を前記第２の樹脂基板の前記開口を塞ぐように、前記金属膜非形成面に接着板を介在させて積層する工程；
（ｄ）前記（ｃ）工程の後、前記第１の樹脂基板、前記第２の樹脂基板、及び、前記第３の樹脂基板を加熱加圧してコア基板とする工程；
（ｅ）前記第１の樹脂基板および前記第３の樹脂基板に形成された前記バイアホール形成用開口にレーザを照射して、前記コア基板の両面に前記コンデンサの一対の電極へ至るバイアホール用開口を形成する工程；
（ｆ）前記コア基板の両面に形成された前記バイアホール用開口に同時に電解銅めっきで前記コンデンサの電極に接続するバイアホールを形成する工程。
【００３５】
請求項１７では、コア基板内にコンデンサを収容することが可能となり、ＩＣチップとコンデンサとの距離が短くなるため、プリント配線板のループインダクタンスを低減できる。また、片面に金属膜が形成された第１、第３の樹脂基板の金属膜に、エッチングなどにより開口を設け、開口の位置にレーザを照射することにより、開口から露出した樹脂絶縁層を除去して、バイアホール用の開口を設けている。これにより、バイアホールの開口径は、金属膜の開口径に依存することになるため、バイアホールを適切な開口径で形成することが可能となる。また同様に、バイアホールの開口位置精度も、金属膜の開口位置に依存することになるため、レーザの照射位置精度は低くてもバイアホールを適切な位置に形成することが可能となる。
【００３６】
その上、樹脂基板を積層してなるためコア基板に十分な強度を得ることができる。更に、コア基板の両面に第１樹脂基板、第３樹脂基板を配設することでコア基板を平滑に構成するため、コア基板の上に層間樹脂絶縁層および導体回路を適切に形成することができ、プリント配線板の不良品発生率を低下させることができる。更に、コア基板の両面にバイアホールを設けてあるため、ＩＣチップとコンデンサとを、また、外部接続基板とコンデンサとを最短の距離で接続することができ、外部接続基板からＩＣチップへの瞬時的な大電力供給が可能になる。
【００３７】
また、コンデンサの電極の表面に導電性ペーストを塗布してあるため、表面が完全にフラットになる。このため、樹脂基板にレーザで開口を穿設した際に、電極の表面に樹脂が残ることが無くなり、該電極とめっきによるバイアホールとの接続信頼性を高めることができる。
【００３８】
請求項１８のプリント配線板の製造方法では、少なくとも以下（ａ）〜（ｇ）の工程を備えることを技術的特徴とする：
（ａ）片面に金属膜を貼り付けた第１の樹脂基板および第３の樹脂基板の、金属膜に通孔を形成する工程；
（ｂ）前記第１の樹脂基板の金属膜非形成面に、接着材料を介してメタライズ電極の上に該メタライズ電極の凹凸を無くすように導電性ペーストを塗布し、更に、導電性ペースト上に銅めっき膜が設けられたコンデンサを取り付ける工程；
（ｃ）前記第３の樹脂基板と、前記コンデンサを収容する開口を有する第２の樹脂基板と、前記第１の樹脂基板とを、前記第１の樹脂基板の前記コンデンサを前記第２の樹脂基板の前記開口に収容させ、且つ、前記第３の樹脂基板を前記第２の樹脂基板の前記開口を塞ぐように、前記金属膜非形成面に接着板を介在させて積層する工程；
（ｄ）前記（ｃ）工程の後、前記第１の樹脂基板、前記第２の樹脂基板、及び、前記第３の樹脂基板を加熱加圧してコア基板とする工程；
（ｅ）前記第１の樹脂基板および前記第３の樹脂基板に形成された前記通孔にレーザを照射して、前記コア基板の両面にコンデンサの一対の電極へ至るバイアホール用開口を形成する工程；
（ｆ）前記金属膜を除去、又は、薄くする工程；
（ｇ）電解銅めっきで前記コア基板の表面に導体回路を形成すると共に、前記コア基板の両面に形成された前記バイアホール用開口に前記コンデンサの電極に接続するバイアホールを両面同時に形成する工程。
【００３９】
請求項１８では、コア基板内にコンデンサを収容することが可能となり、ＩＣチップとコンデンサとの距離が短くなるため、プリント配線板のループインダクタンスを低減できる。また、片面に金属膜が形成された第１、第３の樹脂基板の金属膜に、エッチングなどにより開口を設け、開口の位置にレーザを照射することにより、開口から露出した樹脂絶縁層を除去して、バイアホール用の開口を設けている。その後、金属膜をエッチングなどにより除去する。これにより、バイアホールの開口径は、金属膜の開口径に依存することになるため、バイアホールを適切な開口径で形成することが可能となる。また同様に、バイアホールの開口位置精度も、金属膜の開口位置に依存することになるため、レーザの照射位置精度は低くてもバイアホールを適切な位置に形成することが可能となる。また、金属膜をエッチングなどにより除去することにより、配線の厚さを薄く形成することができるので、ファインピッチな配線を形成することが可能となる。
【００４０】
その上、樹脂基板を積層してなるためコア基板に十分な強度を得ることができる。更に、コア基板の両面に第１樹脂基板、第３樹脂基板を配設することでコア基板を平滑に構成するため、コア基板の上に層間樹脂絶縁層および導体回路を適切に形成することができ、プリント配線板の不良品発生率を低下させることができる。
【００４１】
また、コンデンサの電極の表面に導電性ペーストを塗布してあるため、表面が完全にフラットになる。このため、樹脂基板にレーザで開口を穿設した際に、電極の表面に樹脂が残ることが無くなり、該電極とめっきによるバイアホールとの接続信頼性を高めることができる。
【００４２】
本発明のにおいて層間樹脂絶縁層、接続層として使用する樹脂フィルムは、酸または酸化剤に可溶性の粒子（以下、可溶性粒子という）が酸または酸化剤に難溶性の樹脂（以下、難溶性樹脂という）中に分散したものである。
なお、本発明で使用する「難溶性」「可溶性」という語は、同一の酸または酸化剤からなる溶液に同一時間浸漬した場合に、相対的に溶解速度の早いものを便宜上「可溶性」と呼び、相対的に溶解速度の遅いものを便宜上「難溶性」と呼ぶ。
【００４３】
上記可溶性粒子としては、例えば、酸または酸化剤に可溶性の樹脂粒子（以下、可溶性樹脂粒子）、酸または酸化剤に可溶性の無機粒子（以下、可溶性無機粒子）、酸または酸化剤に可溶性の金属粒子（以下、可溶性金属粒子）等が挙げられる。これらの可溶性粒子は、単独で用いても良いし、２種以上併用してもよい。
【００４４】
上記可溶性粒子の形状は特に限定されず、球状、破砕状等が挙げられる。また、上記可溶性粒子の形状は、一様な形状であることが望ましい。均一な粗さの凹凸を有する粗化面を形成することができるからである。
【００４５】
上記可溶性粒子の平均粒径としては、０．１〜１０μｍが望ましい。この粒径の範囲であれば、２種類以上の異なる粒径のものを含有してもよい。すなわち、平均粒径が０．１〜０．５μｍの可溶性粒子と平均粒径が１〜３μｍの可溶性粒子とを含有する等である。これにより、より複雑な粗化面を形成することができ、導体回路との密着性にも優れる。なお、本発明において、可溶性粒子の粒径とは、可溶性粒子の一番長い部分の長さである。
【００４６】
上記可溶性樹脂粒子としては、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂等からなるものが挙げられ、酸あるいは酸化剤からなる溶液に浸漬した場合に、上記難溶性樹脂よりも溶解速度が速いものであれば特に限定されない。
上記可溶性樹脂粒子の具体例としては、例えば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、ポリフェニレン樹脂、ポリオレフィン樹脂、フッ素樹脂等からなるものが挙げられ、これらの樹脂の一種からなるものであってもよいし、２種以上の樹脂の混合物からなるものであってもよい。
【００４７】
また、上記可溶性樹脂粒子としては、ゴムからなる樹脂粒子を用いることもできる。上記ゴムとしては、例えば、ポリブタジエンゴム、エポキシ変性、ウレタン変性、（メタ）アクリロニトリル変性等の各種変性ポリブタジエンゴム、カルボキシル基を含有した（メタ）アクリロニトリル・ブタジエンゴム等が挙げられる。これらのゴムを使用することにより、可溶性樹脂粒子が酸あるいは酸化剤に溶解しやすくなる。つまり、酸を用いて可溶性樹脂粒子を溶解する際には、強酸以外の酸でも溶解することができ、酸化剤を用いて可溶性樹脂粒子を溶解する際には、比較的酸化力の弱い過マンガン酸塩でも溶解することができる。また、クロム酸を用いた場合でも、低濃度で溶解することができる。そのため、酸や酸化剤が樹脂表面に残留することがなく、後述するように、粗化面形成後、塩化パラジウム等の触媒を付与する際に、触媒が付与されなたかったり、触媒が酸化されたりすることがない。
【００４８】
上記可溶性無機粒子としては、例えば、アルミニウム化合物、カルシウム化合物、カリウム化合物、マグネシウム化合物およびケイ素化合物からなる群より選択される少なくとも一種からなる粒子等が挙げられる。
【００４９】
上記アルミニウム化合物としては、例えば、アルミナ、水酸化アルミニウム等が挙げられ、上記カルシウム化合物としては、例えば、炭酸カルシウム、水酸化カルシウム等が挙げられ、上記カリウム化合物としては、炭酸カリウム等が挙げられ、上記マグネシウム化合物としては、マグネシア、ドロマイト、塩基性炭酸マグネシウム等が挙げられ、上記ケイ素化合物としては、シリカ、ゼオライト等が挙げられる。これらは単独で用いても良いし、２種以上併用してもよい。
【００５０】
上記可溶性金属粒子としては、例えば、銅、ニッケル、鉄、亜鉛、鉛、金、銀、アルミニウム、マグネシウム、カルシウムおよびケイ素からなる群より選択される少なくとも一種からなる粒子等が挙げられる。また、これらの可溶性金属粒子は、絶縁性を確保するために、表層が樹脂等により被覆されていてもよい。
【００５１】
上記可溶性粒子を、２種以上混合して用いる場合、混合する２種の可溶性粒子の組み合わせとしては、樹脂粒子と無機粒子との組み合わせが望ましい。両者とも導電性が低くいため樹脂フィルムの絶縁性を確保することができるとともに、難溶性樹脂との間で熱膨張の調整が図りやすく、樹脂フィルムからなる層間樹脂絶縁層にクラックが発生せず、層間樹脂絶縁層と導体回路との間で剥離が発生しないからである。
【００５２】
上記難溶性樹脂としては、層間樹脂絶縁層に酸または酸化剤を用いて粗化面を形成する際に、粗化面の形状を保持できるものであれば特に限定されず、例えば、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂、これらの複合体等が挙げられる。また、これらの樹脂に感光性を付与した感光性樹脂であってもよい。感光性樹脂を用いることにより、層間樹脂絶縁層に露光、現像処理を用いてバイアホール用開口を形成することできる。
これらのなかでは、熱硬化性樹脂を含有しているものが望ましい。それにより、めっき液あるいは種々の加熱処理によっても粗化面の形状を保持することができるからである。
【００５３】
上記難溶性樹脂の具体例としては、例えば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、ポリフェニレン樹脂、ポリオレフィン樹脂、フッ素樹脂等が挙げられる。これらの樹脂は単独で用いてもよいし、２種以上を併用してもよい。さらには、１分子中に、２個以上のエポキシ基を有するエポキシ樹脂がより望ましい。前述の粗化面を形成することができるばかりでなく、耐熱性等にも優れてるため、ヒートサイクル条件下においても、金属層に応力の集中が発生せず、金属層の剥離などが起きにくいからである。
【００５４】
上記エポキシ樹脂としては、例えば、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、アルキルフェノールノボラック型エポキシ樹脂、ビフェノールＦ型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、フェノール類とフェノール性水酸基を有する芳香族アルデヒドとの縮合物のエポキシ化物、トリグリシジルイソシアヌレート、脂環式エポキシ樹脂等が挙げられる。これらは、単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。それにより、耐熱性等に優れるものとなる。
【００５５】
本発明で用いる樹脂フィルムにおいて、上記可溶性粒子は、上記難溶性樹脂中にほぼ均一に分散されていることが望ましい。均一な粗さの凹凸を有する粗化面を形成することができ、樹脂フィルムにバイアホールやスルーホールを形成しても、その上に形成する導体回路の金属層の密着性を確保することができるからである。また、粗化面を形成する表層部だけに可溶性粒子を含有する樹脂フィルムを用いてもよい。それによって、樹脂フィルムの表層部以外は酸または酸化剤にさらされることがないため、層間樹脂絶縁層を介した導体回路間の絶縁性が確実に保たれる。
【００５６】
上記樹脂フィルムにおいて、難溶性樹脂中に分散している可溶性粒子の配合量は、樹脂フィルムに対して、３〜４０重量％が望ましい。可溶性粒子の配合量が３重量％未満では、所望の凹凸を有する粗化面を形成することができない場合があり、４０重量％を超えると、酸または酸化剤を用いて可溶性粒子を溶解した際に、樹脂フィルムの深部まで溶解してしまい、樹脂フィルムからなる層間樹脂絶縁層を介した導体回路間の絶縁性を維持できず、短絡の原因となる場合がある。
【００５７】
上記樹脂フィルムは、上記可溶性粒子、上記難溶性樹脂以外に、硬化剤、その他の成分等を含有していることが望ましい。
上記硬化剤としては、例えば、イミダゾール系硬化剤、アミン系硬化剤、グアニジン系硬化剤、これらの硬化剤のエポキシアダクトやこれらの硬化剤をマイクロカプセル化したもの、トリフェニルホスフィン、テトラフェニルホスフォニウム・テトラフェニルボレート等の有機ホスフィン系化合物等が挙げられる。
【００５８】
上記硬化剤の含有量は、樹脂フィルムに対して０．０５〜１０重量％であることが望ましい。０．０５重量％未満では、樹脂フィルムの硬化が不十分であるため、酸や酸化剤が樹脂フィルムに侵入する度合いが大きくなり、樹脂フィルムの絶縁性が損なわれることがある。一方、１０重量％を超えると、過剰な硬化剤成分が樹脂の組成を変性させることがあり、信頼性の低下を招いたりしてしまうことがある。
【００５９】
上記その他の成分としては、例えば、粗化面の形成に影響しない無機化合物あるいは樹脂等のフィラーが挙げられる。上記無機化合物としては、例えば、シリカ、アルミナ、ドロマイト等が挙げられ、上記樹脂としては、例えば、ポリイミド樹脂、ポリアクリル樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリフェニレン樹脂、メラミン樹脂、オレフィン系樹脂等が挙げられる。これらのフィラーを含有させることによって、熱膨脹係数の整合や耐熱性、耐薬品性の向上などを図りプリント配線板の性能を向上させることができる。
【００６０】
また、上記樹脂フィルムは、溶剤を含有していてもよい。上記溶剤としては、例えば、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン類、酢酸エチル、酢酸ブチル、セロソルブアセテートやトルエン、キシレン等の芳香族炭化水素等が挙げられる。これらは単独で用いてもよいし、２種類以上併用してもよい。
【００６１】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施形態について図を参照して説明する。
先ず、本発明の第１実施形態に係るプリント配線板の構成について、図７、図８を参照して説明する。図７は、プリント配線板１０の断面を示し、図８は、図７に示すプリント配線板１０にＩＣチップ９０を搭載し、ドータボード９５側へ取り付けた状態を示している。
【００６２】
図７に示すように、プリント配線板１０は、複数個のチップコンデンサ２０を収容するコア基板３０と、ビルドアップ配線層８０Ａ、８０Ｂとからなる。ビルドアップ配線層８０Ａ、８０Ｂは、層間樹脂絶縁層６０、１６０とからなる。ビルドアップ配線層８０Ａ、８０Ｂの層間樹脂絶縁層６０には、導体回路１４８及びバイアホール１５０が形成され、層間樹脂絶縁層１６０には、導体回路２４８及びバイアホール２５０が形成されている。層間樹脂絶縁層１６０の上には、ソルダーレジスト層７０が形成されている。コア基板３０には、チップコンデンサ２０と接続するバイアホール５０及び導体回路４８が配設されている。ビルドアップ配線層８０Ａとビルドアップ配線層８０Ｂとは、コア基板３０に形成されたスルーホール５２を介して接続されている。
【００６３】
チップコンデンサ２０は、図１５（Ａ）に示すように第１電極２１と第２電極２２と、第１、第２電極に挟まれた誘電体２３とから成り、誘電体２３には、第１電極２１側に接続された第１導電膜２４と、第２電極２２側に接続された第２導電膜２５とが複数枚対向配置されている。第１電極２１と第２電極２２の表面には、導電性ペースト２６を被覆させてある。
【００６４】
ここで、第１電極２１及び第２電極２２は、Ｎｉ、Ｐｂ、又はＡｇ金属のメタライズからなる。導電性ペースト２６は、Ｃｕ、Ｎｉ又はＡｇ等の金属粒子を含むペーストからなる。ここで、金属粒子の粒径は、０．１〜１０μｍが望ましく、特に、１〜５μｍが最適である。導電性ペーストとしては、金属粒子に、エポキシ樹脂などの熱硬化性樹脂、ポリフェニレンスルフィド（ＰＰＳ）樹脂を加えた有機系導電性ペーストが望ましい。この導電性ペースト２６の厚みは、１〜３０μｍが望ましい。１μｍ未満では、電極表面の凹凸を無くすことができず、一方、３０μｍを越えても、特に効果が向上しないからである。ここで、５〜２０μｍの厚みが最も望ましい。なお、２種類以上の径の異なる粒子を配合したペーストを用いることもでき、更に、２種類以上の径の異なる金属ペーストを被覆することも可能である。
【００６５】
チップコンデンサの電極２１，２２は、メタライズからなり表面に凹凸がある。このため、金属層を剥き出した状態で用いると、第１樹脂基板３０ａ及び第３樹脂基板３０ｃにレーザでバイアホール用開口３８を穿設する工程において、該凹凸に樹脂が残ることがある。この際には、当該樹脂残さにより第１、第２電極２１，２２とバイアホール５０との接続不良が発生する。本実施形態においては、導電性ペースト２６によって第１、第２電極２１，２２の表面が平滑になり、電極上に被覆されたバイアホール用開口３８を穿設した際に、樹脂残さが残らず、バイアホール５０を形成した際の電極２１，２２との接続信頼性を高めることができる。
【００６６】
更に、チップコンデンサ２０のセラミックから成る誘電体２３の表面には粗化層２３ａが設けられている。このため、セラミックから成るチップコンデンサ２０と第１、第２、第３樹脂基板３０ａ、３０ｂ、３０ｃ及びプリプレグ３６ａ、３６ｂとの密着性が高く、ヒートサイクル試験を実施しても界面での第１、第２、第３樹脂基板３０ａ、３０ｂ、３０ｃ及びプリプレグ３６ａ、３６ｂの剥離が発生することがない。この粗化層２３ａは、焼成後に、チップコンデンサ２０の表面を研磨することにより、また、焼成前に、粗化処理を施すことにより形成できる。
【００６７】
図８に示すように、上側のビルドアップ配線層８０Ａには、ＩＣチップ９０のパッド９２Ｅ，９２Ｐ、９２Ｓへ接続するための半田バンプ７６Ｕが配設されている。一方、下側のビルドアップ配線層８０Ｂには、ドータボード９５のパッド９４Ｅ１，９４Ｅ２，９４Ｐ１、９４Ｐ２、９４Ｓへ接続するための半田バンプ７６Ｄが配設されている。
【００６８】
ＩＣチップ９０の信号用パッド９２Ｓは、バンプ７６Ｕ−導体回路２４８−バイアホール２５０−導体回路１４８−バイアホール１５０−スルーホール５２−バイアホール１５０−導体回路１４８−バイアホール２５０−導体回路２４８−バンプ７６Ｄを介して、ドータボード９５の信号用パッド９４Ｓへ接続されている。
【００６９】
ＩＣチップ９０の接地用パッド９２Ｅは、バンプ７６Ｕ−バイアホール２５０−導体回路１４８−バイアホール１５０−導体回路４８−バイアホール５０を介してチップコンデンサ２０の第１電極２１へ接続されている。一方、ドータボード９５の接地用パッド９４Ｅ１は、バンプ７６Ｄ−バイアホール２５０−導体回路１４８−バイアホール１５０−スルーホール５２−導体回路４８−バイアホール５０を介してチップコンデンサ２０の第１電極２１へ接続されている。また、接地用パッド９４Ｅ２は、バンプ７６Ｄ−バイアホール２５０−導体回路１４８−バイアホール１５０−導体回路４８−バイアホール５０を介してチップコンデンサ２０の第１電極２１へ接続されている。
【００７０】
ＩＣチップ９０の電源用パッド９２Ｐは、バンプ７６Ｕ−バイアホール２５０−導体回路１４８−バイアホール１５０−導体回路４８−バイアホール５０を介してチップコンデンサ２０の第２電極２２へ接続されている。一方、ドータボード９５の電源用パッド９４Ｐ１は、バンプ７６Ｄ−バイアホール２５０−導体回路１４８−バイアホール１５０−スルーホール５２−導体回路４８−バイアホール５０を介してチップコンデンサ２０の第２電極２２へ接続されている。また、電源用パッド９４Ｐ２は、バンプ７６Ｄ−バイアホール２５０−導体回路１４８−バイアホール１５０−導体回路４８−バイアホール５０を介してチップコンデンサ２０の第１電極２２へ接続されている。この実施形態では、スルーホール５２を介してチップコンデンサ２０の第１、第２電極２１、２２へドータボード９５側から接続したが、スルーホールを介しての接続を省略することも可能である。
【００７１】
図７に示すように、本実施形態のコア基板３０は、チップコンデンサ２０が接着材料を介して接続された第１樹脂基板３０ａと、第１樹脂基板３０ａに接着用樹脂層（接着板）３６ａを介して接続された第２樹脂基板３０ｂと、第２樹脂基板３０ｂに接着用樹脂層（接着板）３６ｂを介して接続された第３樹脂基板３０ｃとからなる。第２樹脂基板３０ｂには、チップコンデンサ２０を収容可能な開口３０Ｂが形成されている。
【００７２】
これにより、コア基板３０内にチップコンデンサ２０を収容することができるため、ＩＣチップ９０とチップコンデンサ２０との距離が短くなり、プリント配線板１０のループインダクタンスを低減できる。また、第１樹脂基板３０ａ、第２樹脂基板３０ｂ、第３樹脂基板３０ｃを積層してなるので、コア基板３０に十分な強度を得ることができる。更に、コア基板３０の両面に第１樹脂基板３０ａ、第３樹脂基板３０ｃを配設することでコア基板３０を平滑に構成するため、コア基板３０の上に層間樹脂絶縁層６０、１６０および導体回路１４８、２４８、バイアホール１５０、２５０を適切に形成することができ、プリント配線板の不良品発生率を低下させることができる。
【００７３】
また、この実施形態では、コア基板３０の両面にバイアホール５０を設けてあるため、ＩＣチップ９０とチップコンデンサ２０とを、また、ドータボード９５とチップコンデンサ２０とを最短の距離で接続することができ、ドータボードからＩＣチップへの瞬時的な大電力供給が可能になる。
【００７４】
更に、本実施形態では、図１（Ｄ）に示すように第１樹脂基板３０ａとチップコンデンサ２０との間に絶縁性接着剤３４を介在させてある。ここで、接着剤３４の熱膨張率を、コア基板３０よりも小さく、即ち、セラミックからなるチップコンデンサ２０に近いように設定してある。このため、ヒートサイクル試験において、コア基板及び接着層４０とチップコンデンサ２０との間に熱膨張率差から内応力が発生しても、コア基板にクラック、剥離等が生じ難く、高い信頼性を達成できる。また、マイグレーションの発生を防止することも出来る。
【００７５】
引き続き、図７を参照して上述したプリント配線板の製造方法について、図１〜図７を参照して説明する。
【００７６】
（１）厚さ０．１ｍｍのガラスクロス等の心材にＢＴ（ビスマレイミドトリアジン）樹脂を含浸させて硬化させた樹脂基板の片面に銅箔３２がラミネートされている片面銅張積層板３０Ｍ（第１樹脂基板３０ａおよび第３樹脂基板３０ｃ）を出発材料とする（図１（Ａ）参照）。
次に、この銅貼積層板３０Ｍの銅箔３２をパターン状にエッチングすることにより、銅箔３２にバイアホール形成用開口３２ａを形成する（図１（Ｂ）参照）。
【００７７】
（２）その後、第１樹脂基板３０ａの銅箔３２がラミネートされていない面に、印刷機を用いて熱硬化系またはＵＶ硬化系の接着材料３４を塗布する（図１（Ｃ）参照）。このとき、塗布以外にも、ポッティングなどをしてもよい。
次に、接着材料３４上に複数個のセラミックから成るチップコンデンサ２０を載置し、接着材料３４を介して、第１樹脂基板３０ａにチップコンデンサ２０を接着する（図１（Ｄ）参照）。チップコンデンサ２０は、１個でも複数個でもよいが、複数個のチップコンデンサ２０を用いることにより、コンデンサの高集積化が可能となる。
【００７８】
（３）次に、ガラスクロス等の心材にエポキシ樹脂を含浸させたプリプレグ（接着用樹脂層）３６ａ、３６ｂ及びガラスクロス等の心材にＢＴ樹脂を含浸させて硬化させた第２樹脂基板３０ｂ（厚さ０．４ｍｍ）を用意する。プリプレグ３６ａ及び第２樹脂基板３０ｂには、チップコンデンサ２０を収容可能な開口３６Ａ、３０Ｂを形成しておく。まず、銅箔３２がラミネートされた面を下にした第３樹脂基板３０ｃの上に、プリプレグ３６ｂを介して第２樹脂基板３０ｂを載置する。次に、第２樹脂基板３０ｂの上にプリプレグ３６ａを介して、第１樹脂基板３０ａを反転して載置する。即ち、第１樹脂基板３０ａに接続されたチップコンデンサ２０がプリプレグ３６ａ側を向き、第２樹脂基板３０ｂに形成された開口３０Ｂにチップコンデンサ２０を収容できるように重ね合わせる（図２（Ａ）参照）。これにより、コア基板３０内にチップコンデンサ２０を収容することが可能となり、ループインダクタンスを低減させたプリント配線板を提供することができる。
【００７９】
なお、コア基板をセラミックなどの基板を用いることはできなかった。該基板は外形加工性が悪く、コンデンサを収容することができないことがあり、樹脂で充填させても空隙が生じてしまうためである。
【００８０】
（４）そして、重ね合わせた基板を熱プレスを用いて加圧プレスすることにより、第１、第２、第３樹脂基板３０ａ、３０ｂ、３０ｃを多層状に一体化し、複数個のチップコンデンサ２０を有するコア基板３０を形成する（図２（Ｂ）参照）。
ここでは、先ず、加圧されることでプリプレグ３６ａ、３６ｂからエポキシ樹脂（絶縁性樹脂）を周囲に押し出し、開口３０Ｂとチップコンデンサ２０との間の隙間を充填させる。更に、加圧と同時に加熱されることで、エポキシ樹脂が硬化し、プリプレグ３６ａ、３６ｂを接着用樹脂（接着板）として介在させることで、第１樹脂基板３０ａと第２樹脂基板３０ｂと第３樹脂基板３０ｃとを強固に接着させる。なお、本実施形態では、プリプレグから出るエポキシ樹脂により、開口３０Ｂ内の隙間を充填したが、この代わりに、開口３０Ｂ内に充填材を配置しておくことも可能である。
ここで、コア基板３０の両面に平滑な第１樹脂基板３０ａ、第３樹脂基板３０ｃが配置されるので、コア基板３０の平滑性が損なわれず、後述する工程で、コア基板３０の上に層間樹脂絶縁層６０、１６０および導体回路１４８、２４８、バイアホール１５０、２５０を適切に形成することができ、プリント配線板の不良品発生率を低下させることができる。また、コア基板３０に十分な強度を得ることができる。
【００８１】
（５）次いで、レーザを照射して銅箔３２のバイアホール形成用開口３２ａから露出する部位を除去し、チップコンデンサ２０の第１電極２１及び第２電極２２へ至るバイアホール用開口３８を形成する。即ち、銅箔３２をコンフォマルマスクとして用い、レーザによりコア基板３０にバイアホール用開口３８を形成する。その後、同様の工程を基板の他方の面にも行う（図２（Ｃ）参照）。
これにより、バイアホールの開口径は、銅箔３２のバイアホール形成用開口３２ａの開口径に依存することになるため、バイアホールを適切な開口径で形成することが可能となる。また同様に、バイアホールの開口位置精度も、銅箔３２のバイアホール形成用開口３２ａの開口位置に依存することになるため、レーザの照射位置精度は低くてもバイアホールを適切な位置に形成することが可能となる。また、この際に、導電性ペースト２６によりチップコンデンサ２０の電極２１，２２の表面が平滑であるため、樹脂が電極上に残ることがない。
【００８２】
（６）そして、コア基板３０にドリル又はレーザにより、スルーホール用貫通孔４０を形成する（図２（Ｄ）参照）。この後、酸素プラズマを用いてデスミア処理を行う。あるいは、過マンガン酸などの薬液によるデスミヤ処理を行ってもよい。
【００８３】
（７）次に、日本真空技術株式会社製のＳＶ−４５４０を用いてプラズマ処理を行い、コア基板３０の全表面に粗化面を形成する。この際、不活性ガスとしてはアルゴンガスを使用し、電力２００Ｗ、ガス圧０．６Ｐａ、温度７０℃の条件で、２分間プラズマ処理を実施する。その後、Ｎｉ及びＣｕをターゲットにしたスパッタリングを行い、Ｎｉ／Ｃｕ金属層４２をコア基板３０の表面に形成する（図３（Ａ）参照）。ここでは、スパッタを用いているが、無電解めっきにより、銅、ニッケル等の金属層を形成してもよい。また、場合によってはスパッタで形成した後に、無電解めっき膜を形成させてもよい。酸あるいは酸化剤によって粗化処理を施してもよい。また、粗化層は、０．１〜５μｍが望ましい。この際に、チップコンデンサ２０の電極２１，２２の表面に樹脂が残っていないため、電極２１，２２に適正にＮｉ／Ｃｕ金属層４２を形成することができる。
【００８４】
（８）次に、Ｎｉ／Ｃｕ金属層４２の表面に感光性ドライフィルムを貼り付け、マスクを載置して、露光・現像処理し、所定パターンのレジスト４４を形成する。そして、電解めっき液にコア基板３０を浸漬し、Ｎｉ／Ｃｕ金属層４２を介して電流を流し、レジスト４４非形成部に以下の条件で電解めっきを施し、電解めっき膜４６を形成する（図３（Ｂ）参照）。
【００８５】
〔電解めっき水溶液〕
硫酸 ２．２４ ｍｏｌ／ｌ
硫酸銅 ０．２６ ｍｏｌ／ｌ
添加剤（アトテックジャパン製、カパラシドＨＬ）１９．５ ｍｌ／ｌ
〔電解めっき条件〕
電流密度 １Ａ／ｄｍ2
時間 １２０分
温度 ２２±２℃
【００８６】
（９）レジスト４４を５％ＮａＯＨで剥離除去した後、そのレジスト４４下のＮｉ／Ｃｕ合金層４２及び銅箔３２を硝酸および硫酸と過酸化水素の混合液を用いるエッチングにて溶解除去し、銅箔３２及びＮｉ／Ｃｕ合金層４２、電解めっき膜４６からなる導体回路４８（バイアホール５０を含む）及びスルーホール５２を形成する。そして、基板を水洗いし、乾燥した後、エッチング液を基板の両面にスプレイで吹きつけて、導体回路４８（バイアホール５０を含む）及びスルーホール５２の表面をエッチングすることにより、導体回路４８（バイアホール５０を含む）及びスルーホール５２の全表面に粗化面５４を形成する（図３（Ｃ）参照）。エッチング液として、イミダゾール銅（ＩＩ）錯体１０重量部、グリコール酸７重量部、塩化カリウム５重量部およびイオン交換水７８重量部を混合したものを使用する。
【００８７】
（１０）エポキシ系樹脂を主成分とする樹脂充填剤５６を、基板３０の両面に印刷機を用いて塗布することにより、導体回路４８間またはスルーホール５２内に充填し、加熱乾燥を行う。即ち、この工程により、樹脂充填剤５６が導体回路４８の間、バイアホール５０、スルーホール５２内に充填される（図３（Ｄ）参照）。
【００８８】
（１１）上記（１０）の処理を終えた基板３０の片面を、ベルト研磨紙（三共理化学社製）を用いたベルトサンダー研磨により、導体回路４８の表面やスルーホール５２のランド表面５２ａに樹脂充填剤５６が残らないように研磨し、ついで、上記ベルトサンダー研磨による傷を取り除くためのバフ研磨を行う。このような一連の研磨を基板３０の他方の面についても同様に行う。そして、充填した樹脂充填剤５６を加熱硬化させる。このようにして、スルーホール５２等に充填された樹脂充填剤５６の表層部および導体回路４８上面の粗化面５４を除去して基板３０両面を平滑化し、樹脂充填剤５６と導体回路４８とが粗化面５４を介して強固に密着し、またスルーホール５２の内壁面と樹脂充填剤５６とが粗化面５４を介して強固に密着した配線基板を得る。
次に、基板３０の両面に、上記（９）で用いたエッチング液と同じエッチング液をスプレイで吹きつけ、一旦平坦化された導体回路４８の表面とスルーホール５２のランド表面５２ａとをエッチングすることにより、導体回路４８の全表面に粗化面５８を形成する（図４（Ａ）参照）。
【００８９】
（１２）上記工程を経た基板３０に、熱硬化型樹脂フィルムを温度５０〜１５０℃まで昇温しながら圧力５ｋｇ／ｃｍ2で真空圧着ラミネートし、層間樹脂絶縁層６０を設ける（図４（Ｂ）参照）。真空圧着時の真空度は、１０ｍｍＨｇである。
【００９０】
（１３）次いで、層間樹脂絶縁層６０にレーザによりバイアホール用開口１３８を形成する（図４（Ｃ）参照）。
【００９１】
（１４）次に、（７）の工程で用いた、日本真空技術株式会社製のＳＶ−４５４０を用いてプラズマ処理を行い、層間樹脂絶縁層６０の表面に粗化面６０αを形成する（図４（Ｄ）参照）。酸あるいは酸化剤によって粗化処理を施してもよい。また、粗化層は、０．１〜５μｍが望ましい。
【００９２】
（１５）その後、（７）の工程と同様に、Ｎｉ及びＣｕをターゲットにしたスパッタリングを行い、Ｎｉ／Ｃｕ金属層１４２を層間樹脂絶縁層６０の表面に形成する（図５（Ａ）参照）。ここでは、スパッタを用いているが、無電解めっきにより、銅、ニッケル等の金属層を形成してもよい。また、場合によってはスパッタで形成した後に、無電解めっき膜を形成させてもよい。
【００９３】
（１６）次に、（８）の工程と同様に、Ｎｉ／Ｃｕ金属層１４２の表面に感光性ドライフィルムを貼り付け、マスクを載置して、露光・現像処理し、所定パターンのレジスト１４４を形成する。そして、電解めっき液に基板を浸漬し、Ｎｉ／Ｃｕ金属層１４２を介して電流を流し、レジスト１４４非形成部に電解めっきを施し、電解めっき膜１４６を形成する（図５（Ｂ）参照）。
【００９４】
（１７）その後（９）の工程と同様の処理をして、Ｎｉ／Ｃｕ合金層１４２及び電解めっき膜１４６からなる導体回路１４８（バイアホール１５０を含む）を形成する。そして、基板を水洗いし、乾燥した後、エッチング液を基板の両面にスプレイで吹きつけてエッチングすることにより、導体回路１４８（バイアホール１５０を含む）の全表面に粗化面１５４を形成する（図５（Ｃ）参照）。
【００９５】
（１８）さらに（１２）〜（１７）の工程を繰り返すことにより、上層に層間樹脂絶縁層２６０及び導体回路２４８（バイアホール２５０を含む）、粗化面２５４を形成する（図５（Ｄ）参照）。
【００９６】
（１９）次に、ジエチレングリコールジメチルエーテル（ＤＭＤＧ）に６０重量％の濃度になるように溶解させた、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂（日本化薬社製）のエポキシ基５０％をアクリル化した感光性付与のオリゴマー（分子量４０００）４６．６７重量部、メチルエチルケトンに溶解させた８０重量％のビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（油化シェル社製、商品名：エピコート１００１）１５重量部、イミダゾール硬化剤（四国化成社製、商品名：２Ｅ４ＭＺ−ＣＮ）１．６重量部、感光性モノマーである多官能アクリルモノマー（共栄化学社製、商品名：Ｒ６０４）３重量部、同じく多価アクリルモノマー（共栄化学社製、商品名：ＤＰＥ６Ａ）１．５重量部、分散系消泡剤（サンノプコ社製、商品名：Ｓ−６５）０．７１重量部を容器にとり、攪拌、混合して混合組成物を調整し、この混合組成物に対して光重量開始剤としてベンゾフェノン（関東化学社製）２．０重量部、光増感剤としてのミヒラーケトン（関東化学社製）０．２重量部を加えて、粘度を２５℃で２．０Ｐａ・ｓに調整したソルダーレジスト組成物（有機樹脂絶縁材料）を得る。
なお、粘度測定は、Ｂ型粘度計（東京計器社製、ＤＶＬ−Ｂ型）で６０ｒｐｍの場合はローターＮｏ.４、６ｒｐｍの場合はローターＮｏ.３によった。
【００９７】
（２０）次に、基板３０の両面に、上記ソルダーレジスト組成物を２０μｍの厚さで塗布し、７０℃で２０分間、７０℃で３０分間の条件で乾燥処理を行った後、ソルダーレジスト開口部のパターンが描画された厚さ５ｍｍのフォトマスクをソルダーレジスト層７０に密着させて１０００ｍＪ／ｃｍ2の紫外線で露光し、ＤＭＴＧ溶液で現像処理し、開口７１Ｕ、７１Ｄを形成する（図６（Ａ）参照）。
【００９８】
（２１）次に、ソルダーレジスト層（有機樹脂絶縁層）７０を形成した基板を、塩化ニッケル（２．３×１０-1ｍｏｌ／ｌ）、次亞リン酸ナトリウム（２．８×１０-1ｍｏｌ／ｌ）、クエン酸ナトリウム（１．６×１０-1ｍｏｌ／ｌ）を含むｐＨ＝４．５の無電解ニッケルめっき液に２０分間浸漬して、開口部７１Ｕ、７１Ｄに厚さ５μｍのニッケルめっき層７２を形成する。さらに、その基板を、シアン化金カリウム（７．６×１０-3ｍｏｌ／ｌ）、塩化アンモニウム（１．９×１０-1ｍｏｌ／ｌ）、クエン酸ナトリウム（１．２×１０-1ｍｏｌ／ｌ）、次亜リン酸ナトリウム（１．７×１０-1ｍｏｌ／ｌ）を含む無電解めっき液に８０℃の条件で７．５分間浸漬して、ニッケルめっき層７２上に厚さ０．０３μｍの金めっき層７４を形成する（図６（Ｂ）参照）。
【００９９】
（２２）この後、ソルダーレジスト層７０の開口部７１に、はんだペーストを印刷して、２００℃でリフローすることにより、はんだバンプ（半田体）７６Ｕ、７６Ｄを形成する。これにより、半田バンプ７６Ｕ、７６Ｄを有するプリント配線板１０を得ることができる（図７参照）。
【０１００】
次に、上述した工程で完成したプリント配線板１０へのＩＣチップ９０の載置および、ドータボード９５への取り付けについて、図８を参照して説明する。完成したプリント配線板１０の半田バンプ７６ＵにＩＣチップ９０の半田パッド９２Ｅ，９２Ｐ、９２Ｓが対応するように、ＩＣチップ９０を載置し、リフローを行うことでＩＣチップ９０の取り付けを行う。同様に、プリント配線板１０の半田バンプ７６Ｄにドータボード９５のパッド９４Ｅ１，９４Ｅ２，９４Ｐ１、９４Ｐ２、９４Ｓが対応するように、リフローすることで、ドータボード９５へプリント配線板１０を取り付ける。
【０１０１】
引き続き、本発明の第１実施形態の改変例に係るプリント配線板について、図９を参照して説明する。改変例のプリント配線板は、上述した第１実施形態とほぼ同様である。但し、この改変例のプリント配線板では、導電性ピン９６が配設され、該導電性ピン９６を介してドータボードとの接続を取るように形成されている。
【０１０２】
図１５（Ｂ）に第１実施形態の第１改変例に係るチップコンデンサ２０の断面を示す。第１実施形態では、コンデンサの表面に粗化処理を施し、樹脂との密着性を高めたが、第１改変例では、この代わりに、ポリイミド膜２３ｂを形成しておくことで、表面濡れ性を改善してある。ポリイミド膜の代わりに、コンデンサの表面にシランカップリング処理を施すことも可能である。
【０１０３】
また、第１改変例では、導電性ペースト２６の上に、無電解銅めっき膜２８ａ及び電解銅めっき膜２８ｂからなる複合金属膜２８を形成されている。複合金属膜２８の厚みは、０．１〜１０μｍが望ましく、１〜５μｍが最適である。複合金属膜の代わりに、１層の金属膜を形成することも可能である。
【０１０４】
第１改変例では、コンデンサ２０の電極２１，２２の導電性ペースト２６上に金属層２８を設けてあるため、電極２１、２２でのマイグレーションの発生を防止することができ、また、接続抵抗を更に低減することができる。メタライズからなる電極２１、２２は、表面に凹凸があるが、導電性ペースト２６を塗布し、更に、金属層２８を設けることで凹凸を完全に無くすことができ、バイアホール５０との密着性を高め、接続抵抗を下げることができる。
【０１０５】
また、上述した第１実施形態では、コア基板３０に収容されるチップコンデンサ２０のみを備えていたが、改変例では、表面及び裏面に大容量のチップコンデンサ８６が実装されている。
【０１０６】
ＩＣチップは、瞬時的に大電力を消費して複雑な演算処理を行う。ここで、ＩＣチップ側に大電力を供給するために、改変例では、プリント配線板に電源用のチップコンデンサ２０及びチップコンデンサ８６を備えてある。このチップコンデンサによる効果について、図１４を参照して説明する。
【０１０７】
図１４は、縦軸にＩＣチップへ供給される電圧を、横軸に時間を取ってある。ここで、二点鎖線Ｃは、電源用コンデンサを備えないプリント配線板の電圧変動を示している。電源用コンデンサを備えない場合には、大きく電圧が減衰する。破線Ａは、表面にチップコンデンサを実装したプリント配線板の電圧変動を示している。上記二点鎖線Ｃと比較して電圧は大きく落ち込まないが、ループ長さが長くなるので、律速の電源供給が十分に行えていない。即ち、電力の供給開始時に電圧が降下している。また、二点鎖線Ｂは、図８を参照して上述したチップコンデンサを内蔵するプリント配線板の電圧降下を示している。ループ長さは短縮できているが、コア基板３０に容量の大きなチップコンデンサを収容することができないため、電圧が変動している。ここで、実線Ｅは、図９を参照して上述したコア基板内のチップコンデンサ２０を、また表面に大容量のチップコンデンサ８６を実装する改変例のプリント配線板の電圧変動を示している。ＩＣチップの近傍にチップコンデンサ２０を、また、大容量（及び相対的に大きなインダクタンス）のチップコンデンサ８６を備えることで、電圧変動を最小に押さえている。
【０１０８】
引き続き、本発明の第２実施形態に係るプリント配線板２１０について、図１３を参照して説明する。この第２実施形態のプリント配線板の構成は、上述した第１実施形態とほぼ同様である。図７を参照して上述した第１実施形態では、導体回路４８が銅箔３２及びＮｉ／Ｃｕ合金層４２、電解めっき膜４６の３層で構成されていた。これに対して、第２実施形態のプリント配線板１１０では、導体回路４８が無電解めっき膜４３と電解めっき膜４６との２層で構成されている。即ち、銅箔３２を除去し、厚さを薄くすることで、導体回路４８をファインピッチに形成してある。なお、電極には、第１実施形態と同様に導電性ペースト、あるいは、第１実施形態の第１改変例と同様に導電性ペースト及び複合金属層が形成されている。
【０１０９】
また、第２実施形態のプリント配線板２１０では、チップコンデンサ２０を収容する開口３０Ｂを設けた第２樹脂基板３０ｂの両面に、導体回路３３が形成されている。この第２実施形態では、第２樹脂基板３０ｂの両面に導体回路３３が形成されているため、コア基板３０内の配線密度を高めることができ、ビルドアップする層間樹脂絶縁層の層数を減らすことが可能となる。
【０１１０】
本発明の第２実施形態に係るプリント配線板の製造工程について、図１０〜図１２を参照して説明する。
【０１１１】
（１）厚さ０．１ｍｍのガラスクロス等の心材にＢＴ（ビスマレイミドトリアジン）樹脂を含浸させて硬化させた樹脂基板の片面に銅箔３２がラミネートされている片面銅張積層板３０Ｍ（第１樹脂基板３０ａおよび第３樹脂基板３０ｃ）を用意する。また、厚さ０．４ｍｍのガラスクロス等の心材にＢＴ（ビスマレイミドトリアジン）樹脂を含浸させて硬化させた樹脂基板の両面に銅箔３２がラミネートされている両面銅張積層板３０Ｎ（第２樹脂基板３０ｂ）を用意する（図１０（Ａ）参照）。
【０１１２】
（２）次に、この銅貼積層板３０Ｍの銅箔３２をパターン状にエッチングすることにより、銅箔３２にバイアホール形成用開口３２ａを形成する。同様に、両面銅張積層板３０Ｎの銅箔３２をパターン状にエッチングし、導体回路３３を形成する（図１０（Ｂ）参照）。第２実施形態では、第２樹脂基板３０ｂの両面に導体回路３３が形成されているため、コア基板の配線密度を高めることができ、ビルドアップする層間樹脂絶縁層の層数を減らすことができる利点がある。
【０１１３】
（３）その後、第１樹脂基板３０ａの銅箔３２がラミネートされていない面に、印刷機を用いて熱硬化系またはＵＶ硬化系の接着材料３４を塗布する（図１０（Ｃ）参照）。このとき、塗布以外にも、ポッティングなどをしてもよい。
次に、接着材料３４上に複数個のセラミックから成るチップコンデンサ２０を載置し、接着材料３４を介して、第１樹脂基板３０ａにチップコンデンサ２０を接着する（図１０（Ｄ）参照）。チップコンデンサ２０は、１個でも複数個でもよいが、複数個のチップコンデンサ２０を用いることにより、コンデンサの高集積化が可能となる。
【０１１４】
（４）次に、ガラスクロス等の心材にエポキシ樹脂を含浸させたプリプレグ（接着用樹脂層）３６ａ、３６ｂおよび第２樹脂基板３０ｂを用意する。プリプレグ３６ａ及び第２樹脂基板３０ｂには、チップコンデンサ２０を収容可能な開口３６Ａ、３０Ｂを形成しておく。まず、銅箔３２がラミネートされた面を下にした第３樹脂基板３０ｃの上に、プリプレグ３６ｂを介して第２樹脂基板３０ｂを載置する。次に、第２樹脂基板３０ｂの上にプリプレグ３６ａを介して、第１樹脂基板３０ａを反転して載置する。即ち、第２樹脂基板３０ｂに形成された開口３０Ｂにチップコンデンサ２０が収容できるように重ね合わせる（図１１（Ａ）参照）。これにより、コア基板３０内にチップコンデンサ２０を収容することが可能となり、ループインダクタンスを低減させたプリント配線板を提供することができる。
【０１１５】
（５）そして、重ね合わせた基板を熱プレスを用いて加圧プレスすることにより、第１、第２、第３樹脂基板３０ａ、３０ｂ、３０ｃを多層状に一体化し、複数個のチップコンデンサ２０を有するコア基板３０を形成する（図１１（Ｂ）参照）。
なお、本実施形態では、プリプレグから出るエポキシ樹脂により、開口３０Ｂ内の隙間を充填したが、この代わりに、開口３０Ｂ内に充填材を配置しておくことも可能である。
ここで、コア基板３０の両面が平滑な第１樹脂基板３０ａ、第３樹脂基板３０ｃなので、コア基板３０の平滑性が損なわれず、後述する工程で、コア基板３０の上に層間樹脂絶縁層６０、１６０および導体回路１４８、２４８、バイアホール１５０、２５０を適切に形成することができ、プリント配線板の不良品発生率を低下させることができる。また、コア基板３０に十分な強度を得ることができる。
【０１１６】
（６）次いで、基板上からレーザを照射して銅箔３２のバイアホール形成用開口３２ａから露出する部位を除去し、チップコンデンサ２０の第１電極２１及び第２電極２２へ至るバイアホール用開口３８を形成する。即ち、銅箔３２をコンフォマルマスクとして用い、レーザによりコア基板３０にバイアホール用開口３８を形成する。その後、同様の工程を基板の他方の面にも行う（図１１（Ｃ）参照）。これにより、バイアホールの開口径は、銅箔３２のバイアホール形成用開口３２ａの開口径に依存することになるため、バイアホールを適切な開口径で形成することが可能となる。また同様に、バイアホールの開口位置精度も、銅箔３２のバイアホール形成用開口３２ａの開口位置に依存することになるため、レーザの照射位置精度は低くてもバイアホールを適切な位置に形成することが可能となる。
【０１１７】
（７）その後、コア基板３０の両面の銅箔３２を、エッチング液を用いてエッチングすることにより除去する。これにより、後述する工程で導体回路４８の厚さを薄く形成することができ、ファインピッチに形成することが可能となる。
次に、コア基板３０にドリル又はレーザにより、スルーホール用貫通孔４０を形成する（図１１（Ｄ）参照）。この後、酸素プラズマを用いてデスミア処理を行う。あるいは、過マンガン酸などの薬液によるデスミヤ処理を行ってもよい。
【０１１８】
（８）次に、日本真空技術株式会社製のＳＶ−４５４０を用いてプラズマ処理を行い、コア基板３０の全表面に粗化面４１を形成する（図１２（Ａ）参照）。この際、不活性ガスとしてはアルゴンガスを使用し、電力２００Ｗ、ガス圧０．６Ｐａ、温度７０℃の条件で、２分間プラズマ処理を実施する。酸あるいは酸化剤によって粗化処理を施してもよい。また、粗化層は、０．１〜５μｍが望ましい。
【０１１９】
（９）次に、以下の組成の無電解銅めっき水溶液中に基板３０を浸漬して、粗化面４１全体に厚さ０．６〜３．０μｍの無電解銅めっき膜４３を形成する（図１２（Ｂ）参照）。
〔無電解めっき水溶液〕
ＮｉＳＯ4 ０．００３ ｍｏｌ／ｌ
酒石酸 ０．２００ ｍｏｌ／ｌ
硫酸銅 ０．０３０ ｍｏｌ／ｌ
ＨＣＨＯ ０．０５０ ｍｏｌ／ｌ
ＮａＯＨ ０．１００ ｍｏｌ／ｌ
α、α′−ビピリジル ４０ ｍｇ／ｌ
ポリエチレングリコール（ＰＥＧ） ０．１０ ｇ／ｌ
〔無電解めっき条件〕
３５℃の液温度で４０分
ここでは、無電解めっきを用いているが、スパッタにより、銅、ニッケル等の金属層を形成してもよい。また、場合によってはスパッタで形成した後に、無電解めっき膜を形成させてもよい。
【０１２０】
（１０）市販の感光性ドライフィルムを無電解銅めっき膜４３に貼り付け、マスクを載置して、１００ｍＪ／ｃｍ2 で露光し、０．８％炭酸ナトリウム水溶液で現像処理することにより、厚さ３０μｍのめっきレジスト４４を設ける。次に、基板３０を５０℃の水で洗浄して脱脂し、２５℃の水で水洗後、さらに硫酸で洗浄してから、以下の条件で電解銅めっきを施し、厚さ２０μｍの電解銅めっき膜４６を形成する（図１２（Ｃ）参照）。
〔電解めっき水溶液〕
硫酸 ２．２４ ｍｏｌ／ｌ
硫酸銅 ０．２６ ｍｏｌ／ｌ
添加剤 １９．５ ｍｌ／ｌ
（アトテックジャパン社製、カパラシドＨＬ）
〔電解めっき条件〕
電流密度 １ Ａ／ｄｍ2
時間 ６５ 分
温度 ２２±２ ℃
【０１２１】
（１１）めっきレジスト４４を５％ＮａＯＨで剥離除去した後、そのめっきレジスト４４下の無電解めっき膜４３を硫酸と過酸化水素の混合液でエッチング処理して溶解除去し、無電解銅めっき膜４３と電解銅めっき膜４６からなる厚さ１８μｍの導体回路４８（バイアホール５０を含む）及びスルーホール５２を形成する（図１２（Ｄ）参照）。第２実施形態では、上述したように予め銅箔３２を除去することで、導体回路４８の厚さを薄くすることができ、ファインピッチに形成することが可能となる。なお、ここでは、銅箔３２を完全に除去を剥離したが、ライトエッチングにより銅箔３２を薄くすることでも、導体回路４８の厚さを薄くでき、ファインピッチに形成することが可能となる。
【０１２２】
以降の工程は、上述した第１実施形態の（１０）〜（１９）と同様であるため説明を省略する。
【０１２３】
上述した実施形態では、コア基板の両面にバイアホールを設けたが、片面のみにバイアホールを形成することも可能である。また、コア基板３０の表面の銅箔３２の開口３２ａをコンフォマルマスクとして用いたが、コア基板３０のコンフォマルマスクを用いることなくレーザを照射してコンデンサへ至る開口を設けることもできる。
【０１２４】
引き続き、本発明の第３実施形態に係るプリント配線板の構成について図１６を参照して説明する。
この第３実施形態のプリント配線板の構成は、上述した第１実施形態とほぼ同様である。但し、コア基板３０への収容されるチップコンデンサ２０が異なる。図１６は、チップコンデンサの平面図を示している。図１６（Ａ）は、多数個取り用の裁断前のチップコンデンサを示し、図中で一点鎖線は、裁断線を示している。上述した第１実施形態のプリント配線板では、図１６（Ｂ）に平面図を示すようにチップコンデンサの側縁に第１電極２１及び第２電極２２を配設してある。図１６（Ｃ）は、第３実施形態の多数個取り用の裁断前のチップコンデンサを示し、図中で一点鎖線は、裁断線を示している。第３実施形態のプリント配線板では、図１６（Ｄ）に平面図を示すようにチップコンデンサの側縁の内側に第１電極２１及び第２電極２２を配設してある。なお、電極には、第１実施形態と同様に導電性ペースト、あるいは、第１実施形態の第１改変例と同様に導電性ペースト及び複合金属層が形成されている。
【０１２５】
この第３実施形態のプリント配線板では、外縁の内側に電極の形成されたチップコンデンサ２０を用いるため、容量の大きなチップコンデンサを用いることができる。
【０１２６】
引き続き、第３実施形態の第１改変例に係るプリント配線板図１７を参照して説明する。
図１７は、第１改変例に係るプリント配線板のコア基板に収容されるチップコンデンサ２０の平面図を示している。上述した第１実施形態では、複数個の小容量のチップコンデンサをコア基板に収容したが、第１改変例では、大容量の大判のチップコンデンサ２０をコア基板に収容してある。ここで、チップコンデンサ２０は、第１電極２１と第２電極２２と、誘電体２３と、第１電極２１へ接続された第１導電膜２４と、第２電極２２側に接続された第２導電膜２５と、第１導電膜２４及び第２導電膜２５へ接続されていないチップコンデンサの上下面の接続用の電極２７とから成る。この電極２７を介してＩＣチップ側とドータボード側とが接続されている。なお、電極には、第１実施形態と同様に導電性ペースト、あるいは、第１実施形態の第１改変例と同様に導電性ペースト及び複合金属層が形成されている。
【０１２７】
この第１改変例のプリント配線板では、大判のチップコンデンサ２０を用いるため、容量の大きなチップコンデンサを用いることができる。また、大判のチップコンデンサ２０を用いるため、ヒートサイクルを繰り返してもプリント配線板に反りが発生することがない。
【０１２８】
図１８を参照して第２改変例に係るプリント配線板について説明する。図１８（Ａ）は、多数個取り用の裁断前のチップコンデンサを示し、図中で一点鎖線は、通常の裁断線を示し、図１８（Ｂ）は、チップコンデンサの平面図を示している。図１８（Ｂ）に示すように、この第２改変例では、多数個取り用のチップコンデンサを複数個（図中の例では３枚）連結させて大判で用いている。なお、電極には、第１実施形態と同様に導電性ペースト、あるいは、第１実施形態の第１改変例と同様に導電性ペースト及び複合金属層が形成されている。
【０１２９】
この第２改変例では、大判のチップコンデンサ２０を用いるため、容量の大きなチップコンデンサを用いることができる。また、大判のチップコンデンサ２０を用いるため、ヒートサイクルを繰り返してもプリント配線板に反りが発生することがない。
【０１３０】
上述した第３実施形態では、チップコンデンサをプリント配線板に内蔵させたが、チップコンデンサの代わりに、セラミック板に導電体膜を設けてなる板状のコンデンサを用いることも可能である。
【０１３１】
【発明の効果】
本発明の構造により、コア基板内にコンデンサを収容することが可能となり、ＩＣチップとコンデンサとの距離が短くなるため、プリント配線板のループインダクタンスを低減できる。また、樹脂基板を積層してなるためコア基板に十分な強度を得ることができる。更に、コア基板の両面に第１樹脂基板、第３樹脂基板を配設することでコア基板を平滑に構成するため、コア基板の上に層間樹脂絶縁層および導体回路を適切に形成することができ、プリント配線板の不良品発生率を低下させることができる。
【０１３２】
また本発明の製造方法により、バイアホールの開口径は、金属膜の開口径に依存することになるため、バイアホールを適切な開口径で形成することが可能となる。また同様に、バイアホールの開口位置精度も、金属膜の開口位置に依存することになるため、レーザの照射位置精度は低くてもバイアホールを適切な位置に形成することが可能となる。
【０１３３】
コンデンサの下部からも接続することが可能となるので、ループインダクタンスの距離を短くし、配設する自由度を増す構造であるといえる。
また、コンデンサの電極の表面に導電性ペーストを塗布してあるため、表面が完全にフラットになる。このため、樹脂基板にレーザで開口を穿設した際に、電極の表面に樹脂が残ることが無くなり、該電極とめっきによるバイアホールとの接続性を高めることができる。
更に、コア基板とコンデンサの間に樹脂が充填されているので、コンデンサなどが起因する応力が発生しても緩和されるし、マイグレーションの発生がない。そのために、コンデンサの電極とバイアホールの接続部への剥離や溶解などの影響がない。そのために、信頼性試験を実施しても所望の性能を保つことができるのである。
また、コンデンサを銅によって被覆されている場合にも、マイグレーションの発生を防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）は、本発明の第１実施形態に係るプリント配線板の製造工程図である。
【図２】（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）は、本発明の第１実施形態に係るプリント配線板の製造工程図である。
【図３】（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）は、本発明の第１実施形態に係るプリント配線板の製造工程図である。
【図４】（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）は、本発明の第１実施形態に係るプリント配線板の製造工程図である。
【図５】（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）は、本発明の第１実施形態に係るプリント配線板の製造工程図である。
【図６】（Ａ）、（Ｂ）は、本発明の第１実施形態に係るプリント配線板の製造工程図である。
【図７】本発明の第１実施形態に係るプリント配線板の断面図である。
【図８】図７中のプリント配線板にＩＣチップを搭載し、ドータボードへ取り付けた状態を示す断面図である。
【図９】本発明の第１実施形態の改変例に係るプリント配線板にＩＣチップを搭載した状態を示す断面図である。
【図１０】（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）は、本発明の第２実施形態に係るプリント配線板の製造工程図である。
【図１１】（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）は、本発明の第２実施形態に係るプリント配線板の製造工程図である。
【図１２】（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）は、本発明の第２実施形態に係るプリント配線板の製造工程図である。
【図１３】本発明の第２実施形態に係るプリント配線板の断面図である。
【図１４】ＩＣチップへの供給電力と時間との変化を示すグラフである。
【図１５】（Ａ）は、第１実施形態のチップコンデンサの断面図であり、（Ｂ）は、第１実施形態の第１改変例のチップコンデンサの断面図である。
【図１６】（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）は、第３実施形態のプリント配線板のチップコンデンサの平面図である。
【図１７】第３実施形態に係るプリント配線板のチップコンデンサの平面図である。
【図１８】（Ａ）、（Ｂ）は、第３実施形態の改変例に係るプリント配線板のチップコンデンサの平面図である。
【符号の説明】
２０ チップコンデンサ
２１ 第１電極
２２ 第２電極
２３ 誘電体
２３ａ 粗化面
２３ｂ ポイリミド膜
２６ 導電性ペースト
２８ａ 無電解銅めっき膜
２８ｂ 電解銅めっき膜
２８ 複合金属膜
３０ コア基板
３０ａ 第１樹脂基板
３０ｂ 第２樹脂基板
３０ｃ 第３樹脂基板
３０Ｂ 開口
３２ 銅箔
３２ａ バイアホール形成用開口
３３ 導体回路
３４ 接着材料
３６ａ、３６ｂ 接着用樹脂層（接着板）
４２ Ｎｉ／Ｃｕ合金層
４３ 無電解めっき膜
４６ 電解めっき膜
４８ 導体回路
５０ バイアホール
５２ スルーホール
６０ 層間樹脂絶縁層
７０ ソルダーレジスト層
７１ 開口部
７２ ニッケルめっき層
７４ 金めっき層
７６Ｕ、７６Ｄ 半田バンプ
８０Ａ、８０Ｂ ビルドアップ配線層
９０ ＩＣチップ
９５ ドータボード
９６ 導電性接続ピン
１４８ 導体回路
１５０ バイアホール
１６０ 層間樹脂絶縁層
２４８ 導体回路
２５０ バイアホール
【発明の属する技術分野】
この発明は、ＩＣチップなどの電子部品を載置するプリント基板及びその製造方法に関し、特にコンデンサを内蔵するプリント配線板及びその製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
現在、パッケージ基板用のプリント配線板では、ＩＣチップへの電力の供給を円滑にする等の目的のため、チップコンデンサを表面実装することがある。
【０００３】
チップコンデンサからＩＣチップまでの配線のリアクタンス分は周波数に依存するため、ＩＣチップの駆動周波数の増加に伴い、チップコンデンサを表面実装させても十分な効果を得ることができなかった。このため、本出願人は、特願平１１−２４８３１１号にて、コア基板に凹部を形成し、凹部にチップコンデンサを収容させる技術を提案した。また、コンデンサを基板に埋め込む技術としては、特開平６−３２６４７２号、特開平７−２６３６１９号、特開平１０−２５６４２９号、特開平１１−４５９５５号、特開平１１−１２６９７８号、特開平１１−３１２８６８号等がある。
【０００４】
特開平６−３２６４７２号には、ガラスエポキシからなる樹脂基板に、コンデンサを埋め込む技術が開示されている。この構成により、電源ノイズを低減し、かつ、チップコンデンサを実装するスペースが不要になり、絶縁性基板を小型化できる。また、特開平７−２６３６１９号には、セラミック、アルミナなどの基板にコンデンサを埋め込む技術が開示されている。この構成により、電源層及び接地層の間に接続することで、配線長を短くし、配線のインダクタンスを低減している。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上述した特開平６−３２６４７２号、特開平７−２６３６１９号は、ＩＣチップからコンデンサの距離をあまり短くできず、ＩＣチップの更なる高周波数領域においては、現在必要とされるようにインダクタンスを低減することができなかった。特に、樹脂製の多層ビルドアップ配線板においては、セラミックから成るコンデンサと、樹脂からなるコア基板及び層間樹脂絶縁層の熱膨張率の違いから、チップコンデンサの端子とビアとの間に断線、チップコンデンサと層間樹脂絶縁層との間で剥離、層間樹脂絶縁層にクラックが発生し、長期に渡り高い信頼性を達成することができなかった。
【０００６】
一方、特願平１１−２４８３１１号の発明では、コンデンサの配設位置ずれがあったとき、コンデンサの端子とビアとの接続が正確にできず、コンデンサからＩＣチップへの電力供給ができなくなる恐れがあった。
【０００７】
本発明は、上述した課題を解決するためになされたものであり、その目的は、コンデンサを内蔵し、接続信頼性を高めたプリント配線板及びプリント配線板の製造方法を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
上述した問題を達成するため、請求項１のプリント配線板では、コンデンサを収容するコア基板に、層間樹脂絶縁層と導体回路とを交互に積層してなるプリント配線板であって、
前記コンデンサを収容するコア基板が、第１の樹脂基板と、コンデンサを収容する開口を有する第２の樹脂基板と、第３の樹脂基板とを、接着板を介在させて積層してなり、
前記第１の樹脂基板、前記第３の樹脂基板を貫通し、前記コンデンサの一対の電極へ前記コア基板の両面から接続する電解銅めっきから成るバイアホールを配設しており、
前記コンデンサのメタライズからなる電極の表面には、メタライズからなる電極の凹凸を無くすように導電性ペーストが塗布され、更に、該導電性ペースト上に銅めっき膜が設けられていることを技術的特徴とする。
【０００９】
請求項１のプリント配線板では、コア基板内にコンデンサを収容することが可能となり、ＩＣチップとコンデンサとの距離が短くなるため、プリント配線板のループインダクタンスを低減できる。また、樹脂基板を積層してなるためコア基板に十分な強度を得ることができる。更に、コア基板の両面に第１樹脂基板、第３樹脂基板を配設することでコア基板を平滑に構成するため、コア基板の上に層間樹脂絶縁層および導体回路を適切に形成することができ、プリント配線板の不良品発生率を低下させることができる。更に、コア基板の両面にバイアホールを設けてあるため、ＩＣチップとコンデンサとを、また、外部接続基板とコンデンサとを最短の距離で接続することができ、外部接続基板からＩＣチップへの瞬時的な大電力供給が可能になる。
【００１０】
コア基板上に層間樹脂絶縁層を設けて、該層間樹脂絶縁層にバイアホールもしくはスルーホールを施して、導電層である導体回路を形成するビルドアップ法によって形成する回路を意味している。それらには、セミアディティブ法、フルアディティブ法のいずれかを用いることができる。
【００１１】
また、接続用配線を配設することにより、コンデンサの下部にも、配線を施すことが可能となる。そのために配線の自由度が増して、高密度化、小型化をすることができる。
【００１２】
コンデンサと基板との間には樹脂が充填されることが望ましい。コンデンサと基板間の空隙をなくすことによって、内蔵されたコンデンサが挙動することが小さくなるし、コンデンサを起点とする応力が発生しても、該充填された樹脂により緩和することができる。また、該樹脂にはコンデンサとコア基板とを接着させ、マイグレーションを低下させるという効果も有する。
【００１３】
また、コンデンサのメタライズからなる電極の表面に導電性ペーストが塗布されているため、表面が完全にフラットになる。このため、樹脂基板にレーザで開口を穿設した際に、電極の表面に樹脂が残ることが無くなり、該電極とめっきによるバイアホールとの接続信頼性を高めることができる。
【００１４】
請求項１では、コンデンサの電極の導電性ペースト上に金属層を設けてあるため、電極でのマイグレーションの発生を防止することができ、また、接続抵抗を更に低減することができる。
【００１５】
請求項２では、コンデンサの表面に、粗化処理を施す。これにより、セラミックからなるチップコンデンサと接着用樹脂層、樹脂基板との密着性が高くなり、ヒートサイクル試験を実施しても界面での接着用樹脂層、樹脂基板の剥離が発生することがない。
【００１６】
請求項３では、コンデンサの表面に、シランカップリング、樹脂被膜の塗布等の濡れ性改善処理を施す。これにより、セラミックからなるチップコンデンサと接着用樹脂層、樹脂基板との密着性が高くなり、ヒートサイクル試験を実施しても界面での接着用樹脂層、樹脂基板の剥離が発生することがない。
【００１７】
請求項４では、接着板が心材に熱硬化性樹脂を含浸させてなるため、コア基板に高い強度を持たせることができる。
【００１８】
請求項５では、第１、第２、第３樹脂基板は、心材に樹脂を含浸させてなるため、コア基板に高い強度を持たせることができる。具体例としてガラスエポキシ、ガラスフェノルなどの補強材が含浸されているものを用いることができる。
【００１９】
請求項６では、コア基板内に複数個のコンデンサを収容するため、コンデンサの高集積化が可能となる。そのために、より多くの静電容量を確保することができる。
【００２０】
請求項７では、第２の樹脂基板に導体回路が形成されているため、基板の配線密度を高め、層間樹脂絶縁層の層数を減らすことができる。
【００２１】
請求項８では、基板内に収容したコンデンサに加えて表面にコンデンサを配設してある。プリント配線板内にコンデンサが収容してあるために、ＩＣチップとコンデンサとの距離が短くなり、ループインダクタンスを低減し、瞬時に電源を供給することができ、一方、プリント配線板の表面にもコンデンサが配設してあるので、大容量のコンデンサを取り付けることができ、ＩＣチップに大電力を容易に供給することが可能となる。
【００２２】
請求項９では、表面のコンデンサの静電容量は、内層のコンデンサの静電容量以上であるため、高周波領域における電源供給の不足がなく、所望のＩＣチップの動作が確保される。
【００２３】
請求項１０では、表面のコンデンサのインダクタンスは、内層のコンデンサのインダクタンス以上であるため、高周波領域における電源供給の不足がなく、所望のＩＣチップの動作が確保される。
【００２４】
請求項１１では、絶縁性接着剤の熱膨張率を、収容層よりも小さく、即ち、セラミックからなるコンデンサに近いように設定してある。このため、ヒートサイクル試験において、コア基板とコンデンサとの間に熱膨張率差から内応力が発生しても、コア基板にクラック、剥離等が生じ難く、高い信頼性を達成できる。
【００２５】
請求項１２では、外縁の内側に電極の形成されたチップコンデンサを用いるため、バイアホールを経て導通を取っても外部電極が大きく取れ、アライメントの許容範囲が広がるために、接続不良がなくなる。
【００２６】
請求項１３では、マトリクス状に電極が形成されたコンデンサを用いるので、大判のチップコンデンサをコア基板に収容することが容易になる。そのため、静電容量を大きくできるので、電気的な問題を解決することができる。さらに、種々の熱履歴などを経てもプリント配線板に反りが発生し難くなる。
【００２７】
請求項１４では、コンデンサに多数個取り用のチップコンデンサを複数連結させてもよい。それによって、静電容量を適宜調整することができ、適切にＩＣチップを動作させることができる。
【００２８】
請求項１６のプリント配線板の製造方法は、少なくとも以下（ａ）〜（ｄ）の工程を備えることを技術的特徴とする：
（ａ）第１の樹脂基板に接着材料を介してメタライズ電極の上に該メタライズ電極の凹凸を無くすように導電性ペーストを塗布し、更に、導電性ペースト上に銅めっき膜が設けられたコンデンサを取り付ける工程；
（ｂ）第３の樹脂基板と、前記コンデンサを収容する開口を有する第２の樹脂基板と、前記第１の樹脂基板とを、前記第１の樹脂基板の前記コンデンサを前記第２の樹脂基板の前記開口に収容させ、且つ、前記第３の樹脂基板を前記第２の樹脂基板の前記開口を塞ぐように積層してコア基板とする工程；
（ｃ）前記（ｂ）工程の後、前記第１の樹脂基板側及び前記第３の樹脂基板側へレーザを照射して、前記コア基板の両面に前記コンデンサの一対の電極へ至るバイアホール用開口を形成する工程；
（ｄ）前記コア基板の両面に形成された前記バイアホール用開口に同時に電解銅めっきで前記コンデンサの電極に接続するバイアホールを形成する工程。
【００２９】
請求項１６のプリント配線板の製造方法では、コア基板内にコンデンサを収容することが可能となり、ＩＣチップとコンデンサとの距離が短くなるため、プリント配線板のループインダクタンスを低減できる。
【００３０】
また、コンデンサの電極の表面に導電性ペーストを塗布してあるため、表面が完全にフラットになる。このため、樹脂基板にレーザで開口を穿設した際に、電極の表面に樹脂が残ることが無くなり、該電極とめっきによるバイアホールとの接続信頼性を高めることができる。
【００３４】
請求項１７のプリント配線板の製造方法では、少なくとも以下（ａ）〜（ｆ）の工程を備えることを技術的特徴とする：
（ａ）片面に金属膜を貼り付けた第１の樹脂基板および第３の樹脂基板の、金属膜にバイアホール形成用開口を形成する工程；
（ｂ）前記第１の樹脂基板の金属膜非形成面に、接着材料を介してメタライズ電極の上に該メタライズ電極の凹凸を無くすように導電性ペーストを塗布し、更に、導電性ペースト上に銅めっき膜が設けられたコンデンサを取り付ける工程；
（ｃ）前記第３の樹脂基板と、前記コンデンサを収容する開口を有する第２の樹脂基板と、前記第１の樹脂基板とを、前記第１の樹脂基板の前記コンデンサを前記第２の樹脂基板の前記開口に収容させ、且つ、前記第３の樹脂基板を前記第２の樹脂基板の前記開口を塞ぐように、前記金属膜非形成面に接着板を介在させて積層する工程；
（ｄ）前記（ｃ）工程の後、前記第１の樹脂基板、前記第２の樹脂基板、及び、前記第３の樹脂基板を加熱加圧してコア基板とする工程；
（ｅ）前記第１の樹脂基板および前記第３の樹脂基板に形成された前記バイアホール形成用開口にレーザを照射して、前記コア基板の両面に前記コンデンサの一対の電極へ至るバイアホール用開口を形成する工程；
（ｆ）前記コア基板の両面に形成された前記バイアホール用開口に同時に電解銅めっきで前記コンデンサの電極に接続するバイアホールを形成する工程。
【００３５】
請求項１７では、コア基板内にコンデンサを収容することが可能となり、ＩＣチップとコンデンサとの距離が短くなるため、プリント配線板のループインダクタンスを低減できる。また、片面に金属膜が形成された第１、第３の樹脂基板の金属膜に、エッチングなどにより開口を設け、開口の位置にレーザを照射することにより、開口から露出した樹脂絶縁層を除去して、バイアホール用の開口を設けている。これにより、バイアホールの開口径は、金属膜の開口径に依存することになるため、バイアホールを適切な開口径で形成することが可能となる。また同様に、バイアホールの開口位置精度も、金属膜の開口位置に依存することになるため、レーザの照射位置精度は低くてもバイアホールを適切な位置に形成することが可能となる。
【００３６】
その上、樹脂基板を積層してなるためコア基板に十分な強度を得ることができる。更に、コア基板の両面に第１樹脂基板、第３樹脂基板を配設することでコア基板を平滑に構成するため、コア基板の上に層間樹脂絶縁層および導体回路を適切に形成することができ、プリント配線板の不良品発生率を低下させることができる。更に、コア基板の両面にバイアホールを設けてあるため、ＩＣチップとコンデンサとを、また、外部接続基板とコンデンサとを最短の距離で接続することができ、外部接続基板からＩＣチップへの瞬時的な大電力供給が可能になる。
【００３７】
また、コンデンサの電極の表面に導電性ペーストを塗布してあるため、表面が完全にフラットになる。このため、樹脂基板にレーザで開口を穿設した際に、電極の表面に樹脂が残ることが無くなり、該電極とめっきによるバイアホールとの接続信頼性を高めることができる。
【００３８】
請求項１８のプリント配線板の製造方法では、少なくとも以下（ａ）〜（ｇ）の工程を備えることを技術的特徴とする：
（ａ）片面に金属膜を貼り付けた第１の樹脂基板および第３の樹脂基板の、金属膜に通孔を形成する工程；
（ｂ）前記第１の樹脂基板の金属膜非形成面に、接着材料を介してメタライズ電極の上に該メタライズ電極の凹凸を無くすように導電性ペーストを塗布し、更に、導電性ペースト上に銅めっき膜が設けられたコンデンサを取り付ける工程；
（ｃ）前記第３の樹脂基板と、前記コンデンサを収容する開口を有する第２の樹脂基板と、前記第１の樹脂基板とを、前記第１の樹脂基板の前記コンデンサを前記第２の樹脂基板の前記開口に収容させ、且つ、前記第３の樹脂基板を前記第２の樹脂基板の前記開口を塞ぐように、前記金属膜非形成面に接着板を介在させて積層する工程；
（ｄ）前記（ｃ）工程の後、前記第１の樹脂基板、前記第２の樹脂基板、及び、前記第３の樹脂基板を加熱加圧してコア基板とする工程；
（ｅ）前記第１の樹脂基板および前記第３の樹脂基板に形成された前記通孔にレーザを照射して、前記コア基板の両面にコンデンサの一対の電極へ至るバイアホール用開口を形成する工程；
（ｆ）前記金属膜を除去、又は、薄くする工程；
（ｇ）電解銅めっきで前記コア基板の表面に導体回路を形成すると共に、前記コア基板の両面に形成された前記バイアホール用開口に前記コンデンサの電極に接続するバイアホールを両面同時に形成する工程。
【００３９】
請求項１８では、コア基板内にコンデンサを収容することが可能となり、ＩＣチップとコンデンサとの距離が短くなるため、プリント配線板のループインダクタンスを低減できる。また、片面に金属膜が形成された第１、第３の樹脂基板の金属膜に、エッチングなどにより開口を設け、開口の位置にレーザを照射することにより、開口から露出した樹脂絶縁層を除去して、バイアホール用の開口を設けている。その後、金属膜をエッチングなどにより除去する。これにより、バイアホールの開口径は、金属膜の開口径に依存することになるため、バイアホールを適切な開口径で形成することが可能となる。また同様に、バイアホールの開口位置精度も、金属膜の開口位置に依存することになるため、レーザの照射位置精度は低くてもバイアホールを適切な位置に形成することが可能となる。また、金属膜をエッチングなどにより除去することにより、配線の厚さを薄く形成することができるので、ファインピッチな配線を形成することが可能となる。
【００４０】
その上、樹脂基板を積層してなるためコア基板に十分な強度を得ることができる。更に、コア基板の両面に第１樹脂基板、第３樹脂基板を配設することでコア基板を平滑に構成するため、コア基板の上に層間樹脂絶縁層および導体回路を適切に形成することができ、プリント配線板の不良品発生率を低下させることができる。
【００４１】
また、コンデンサの電極の表面に導電性ペーストを塗布してあるため、表面が完全にフラットになる。このため、樹脂基板にレーザで開口を穿設した際に、電極の表面に樹脂が残ることが無くなり、該電極とめっきによるバイアホールとの接続信頼性を高めることができる。
【００４２】
本発明のにおいて層間樹脂絶縁層、接続層として使用する樹脂フィルムは、酸または酸化剤に可溶性の粒子（以下、可溶性粒子という）が酸または酸化剤に難溶性の樹脂（以下、難溶性樹脂という）中に分散したものである。
なお、本発明で使用する「難溶性」「可溶性」という語は、同一の酸または酸化剤からなる溶液に同一時間浸漬した場合に、相対的に溶解速度の早いものを便宜上「可溶性」と呼び、相対的に溶解速度の遅いものを便宜上「難溶性」と呼ぶ。
【００４３】
上記可溶性粒子としては、例えば、酸または酸化剤に可溶性の樹脂粒子（以下、可溶性樹脂粒子）、酸または酸化剤に可溶性の無機粒子（以下、可溶性無機粒子）、酸または酸化剤に可溶性の金属粒子（以下、可溶性金属粒子）等が挙げられる。これらの可溶性粒子は、単独で用いても良いし、２種以上併用してもよい。
【００４４】
上記可溶性粒子の形状は特に限定されず、球状、破砕状等が挙げられる。また、上記可溶性粒子の形状は、一様な形状であることが望ましい。均一な粗さの凹凸を有する粗化面を形成することができるからである。
【００４５】
上記可溶性粒子の平均粒径としては、０．１〜１０μｍが望ましい。この粒径の範囲であれば、２種類以上の異なる粒径のものを含有してもよい。すなわち、平均粒径が０．１〜０．５μｍの可溶性粒子と平均粒径が１〜３μｍの可溶性粒子とを含有する等である。これにより、より複雑な粗化面を形成することができ、導体回路との密着性にも優れる。なお、本発明において、可溶性粒子の粒径とは、可溶性粒子の一番長い部分の長さである。
【００４６】
上記可溶性樹脂粒子としては、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂等からなるものが挙げられ、酸あるいは酸化剤からなる溶液に浸漬した場合に、上記難溶性樹脂よりも溶解速度が速いものであれば特に限定されない。
上記可溶性樹脂粒子の具体例としては、例えば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、ポリフェニレン樹脂、ポリオレフィン樹脂、フッ素樹脂等からなるものが挙げられ、これらの樹脂の一種からなるものであってもよいし、２種以上の樹脂の混合物からなるものであってもよい。
【００４７】
また、上記可溶性樹脂粒子としては、ゴムからなる樹脂粒子を用いることもできる。上記ゴムとしては、例えば、ポリブタジエンゴム、エポキシ変性、ウレタン変性、（メタ）アクリロニトリル変性等の各種変性ポリブタジエンゴム、カルボキシル基を含有した（メタ）アクリロニトリル・ブタジエンゴム等が挙げられる。これらのゴムを使用することにより、可溶性樹脂粒子が酸あるいは酸化剤に溶解しやすくなる。つまり、酸を用いて可溶性樹脂粒子を溶解する際には、強酸以外の酸でも溶解することができ、酸化剤を用いて可溶性樹脂粒子を溶解する際には、比較的酸化力の弱い過マンガン酸塩でも溶解することができる。また、クロム酸を用いた場合でも、低濃度で溶解することができる。そのため、酸や酸化剤が樹脂表面に残留することがなく、後述するように、粗化面形成後、塩化パラジウム等の触媒を付与する際に、触媒が付与されなたかったり、触媒が酸化されたりすることがない。
【００４８】
上記可溶性無機粒子としては、例えば、アルミニウム化合物、カルシウム化合物、カリウム化合物、マグネシウム化合物およびケイ素化合物からなる群より選択される少なくとも一種からなる粒子等が挙げられる。
【００４９】
上記アルミニウム化合物としては、例えば、アルミナ、水酸化アルミニウム等が挙げられ、上記カルシウム化合物としては、例えば、炭酸カルシウム、水酸化カルシウム等が挙げられ、上記カリウム化合物としては、炭酸カリウム等が挙げられ、上記マグネシウム化合物としては、マグネシア、ドロマイト、塩基性炭酸マグネシウム等が挙げられ、上記ケイ素化合物としては、シリカ、ゼオライト等が挙げられる。これらは単独で用いても良いし、２種以上併用してもよい。
【００５０】
上記可溶性金属粒子としては、例えば、銅、ニッケル、鉄、亜鉛、鉛、金、銀、アルミニウム、マグネシウム、カルシウムおよびケイ素からなる群より選択される少なくとも一種からなる粒子等が挙げられる。また、これらの可溶性金属粒子は、絶縁性を確保するために、表層が樹脂等により被覆されていてもよい。
【００５１】
上記可溶性粒子を、２種以上混合して用いる場合、混合する２種の可溶性粒子の組み合わせとしては、樹脂粒子と無機粒子との組み合わせが望ましい。両者とも導電性が低くいため樹脂フィルムの絶縁性を確保することができるとともに、難溶性樹脂との間で熱膨張の調整が図りやすく、樹脂フィルムからなる層間樹脂絶縁層にクラックが発生せず、層間樹脂絶縁層と導体回路との間で剥離が発生しないからである。
【００５２】
上記難溶性樹脂としては、層間樹脂絶縁層に酸または酸化剤を用いて粗化面を形成する際に、粗化面の形状を保持できるものであれば特に限定されず、例えば、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂、これらの複合体等が挙げられる。また、これらの樹脂に感光性を付与した感光性樹脂であってもよい。感光性樹脂を用いることにより、層間樹脂絶縁層に露光、現像処理を用いてバイアホール用開口を形成することできる。
これらのなかでは、熱硬化性樹脂を含有しているものが望ましい。それにより、めっき液あるいは種々の加熱処理によっても粗化面の形状を保持することができるからである。
【００５３】
上記難溶性樹脂の具体例としては、例えば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、ポリフェニレン樹脂、ポリオレフィン樹脂、フッ素樹脂等が挙げられる。これらの樹脂は単独で用いてもよいし、２種以上を併用してもよい。さらには、１分子中に、２個以上のエポキシ基を有するエポキシ樹脂がより望ましい。前述の粗化面を形成することができるばかりでなく、耐熱性等にも優れてるため、ヒートサイクル条件下においても、金属層に応力の集中が発生せず、金属層の剥離などが起きにくいからである。
【００５４】
上記エポキシ樹脂としては、例えば、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、アルキルフェノールノボラック型エポキシ樹脂、ビフェノールＦ型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、フェノール類とフェノール性水酸基を有する芳香族アルデヒドとの縮合物のエポキシ化物、トリグリシジルイソシアヌレート、脂環式エポキシ樹脂等が挙げられる。これらは、単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。それにより、耐熱性等に優れるものとなる。
【００５５】
本発明で用いる樹脂フィルムにおいて、上記可溶性粒子は、上記難溶性樹脂中にほぼ均一に分散されていることが望ましい。均一な粗さの凹凸を有する粗化面を形成することができ、樹脂フィルムにバイアホールやスルーホールを形成しても、その上に形成する導体回路の金属層の密着性を確保することができるからである。また、粗化面を形成する表層部だけに可溶性粒子を含有する樹脂フィルムを用いてもよい。それによって、樹脂フィルムの表層部以外は酸または酸化剤にさらされることがないため、層間樹脂絶縁層を介した導体回路間の絶縁性が確実に保たれる。
【００５６】
上記樹脂フィルムにおいて、難溶性樹脂中に分散している可溶性粒子の配合量は、樹脂フィルムに対して、３〜４０重量％が望ましい。可溶性粒子の配合量が３重量％未満では、所望の凹凸を有する粗化面を形成することができない場合があり、４０重量％を超えると、酸または酸化剤を用いて可溶性粒子を溶解した際に、樹脂フィルムの深部まで溶解してしまい、樹脂フィルムからなる層間樹脂絶縁層を介した導体回路間の絶縁性を維持できず、短絡の原因となる場合がある。
【００５７】
上記樹脂フィルムは、上記可溶性粒子、上記難溶性樹脂以外に、硬化剤、その他の成分等を含有していることが望ましい。
上記硬化剤としては、例えば、イミダゾール系硬化剤、アミン系硬化剤、グアニジン系硬化剤、これらの硬化剤のエポキシアダクトやこれらの硬化剤をマイクロカプセル化したもの、トリフェニルホスフィン、テトラフェニルホスフォニウム・テトラフェニルボレート等の有機ホスフィン系化合物等が挙げられる。
【００５８】
上記硬化剤の含有量は、樹脂フィルムに対して０．０５〜１０重量％であることが望ましい。０．０５重量％未満では、樹脂フィルムの硬化が不十分であるため、酸や酸化剤が樹脂フィルムに侵入する度合いが大きくなり、樹脂フィルムの絶縁性が損なわれることがある。一方、１０重量％を超えると、過剰な硬化剤成分が樹脂の組成を変性させることがあり、信頼性の低下を招いたりしてしまうことがある。
【００５９】
上記その他の成分としては、例えば、粗化面の形成に影響しない無機化合物あるいは樹脂等のフィラーが挙げられる。上記無機化合物としては、例えば、シリカ、アルミナ、ドロマイト等が挙げられ、上記樹脂としては、例えば、ポリイミド樹脂、ポリアクリル樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリフェニレン樹脂、メラミン樹脂、オレフィン系樹脂等が挙げられる。これらのフィラーを含有させることによって、熱膨脹係数の整合や耐熱性、耐薬品性の向上などを図りプリント配線板の性能を向上させることができる。
【００６０】
また、上記樹脂フィルムは、溶剤を含有していてもよい。上記溶剤としては、例えば、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン類、酢酸エチル、酢酸ブチル、セロソルブアセテートやトルエン、キシレン等の芳香族炭化水素等が挙げられる。これらは単独で用いてもよいし、２種類以上併用してもよい。
【００６１】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施形態について図を参照して説明する。
先ず、本発明の第１実施形態に係るプリント配線板の構成について、図７、図８を参照して説明する。図７は、プリント配線板１０の断面を示し、図８は、図７に示すプリント配線板１０にＩＣチップ９０を搭載し、ドータボード９５側へ取り付けた状態を示している。
【００６２】
図７に示すように、プリント配線板１０は、複数個のチップコンデンサ２０を収容するコア基板３０と、ビルドアップ配線層８０Ａ、８０Ｂとからなる。ビルドアップ配線層８０Ａ、８０Ｂは、層間樹脂絶縁層６０、１６０とからなる。ビルドアップ配線層８０Ａ、８０Ｂの層間樹脂絶縁層６０には、導体回路１４８及びバイアホール１５０が形成され、層間樹脂絶縁層１６０には、導体回路２４８及びバイアホール２５０が形成されている。層間樹脂絶縁層１６０の上には、ソルダーレジスト層７０が形成されている。コア基板３０には、チップコンデンサ２０と接続するバイアホール５０及び導体回路４８が配設されている。ビルドアップ配線層８０Ａとビルドアップ配線層８０Ｂとは、コア基板３０に形成されたスルーホール５２を介して接続されている。
【００６３】
チップコンデンサ２０は、図１５（Ａ）に示すように第１電極２１と第２電極２２と、第１、第２電極に挟まれた誘電体２３とから成り、誘電体２３には、第１電極２１側に接続された第１導電膜２４と、第２電極２２側に接続された第２導電膜２５とが複数枚対向配置されている。第１電極２１と第２電極２２の表面には、導電性ペースト２６を被覆させてある。
【００６４】
ここで、第１電極２１及び第２電極２２は、Ｎｉ、Ｐｂ、又はＡｇ金属のメタライズからなる。導電性ペースト２６は、Ｃｕ、Ｎｉ又はＡｇ等の金属粒子を含むペーストからなる。ここで、金属粒子の粒径は、０．１〜１０μｍが望ましく、特に、１〜５μｍが最適である。導電性ペーストとしては、金属粒子に、エポキシ樹脂などの熱硬化性樹脂、ポリフェニレンスルフィド（ＰＰＳ）樹脂を加えた有機系導電性ペーストが望ましい。この導電性ペースト２６の厚みは、１〜３０μｍが望ましい。１μｍ未満では、電極表面の凹凸を無くすことができず、一方、３０μｍを越えても、特に効果が向上しないからである。ここで、５〜２０μｍの厚みが最も望ましい。なお、２種類以上の径の異なる粒子を配合したペーストを用いることもでき、更に、２種類以上の径の異なる金属ペーストを被覆することも可能である。
【００６５】
チップコンデンサの電極２１，２２は、メタライズからなり表面に凹凸がある。このため、金属層を剥き出した状態で用いると、第１樹脂基板３０ａ及び第３樹脂基板３０ｃにレーザでバイアホール用開口３８を穿設する工程において、該凹凸に樹脂が残ることがある。この際には、当該樹脂残さにより第１、第２電極２１，２２とバイアホール５０との接続不良が発生する。本実施形態においては、導電性ペースト２６によって第１、第２電極２１，２２の表面が平滑になり、電極上に被覆されたバイアホール用開口３８を穿設した際に、樹脂残さが残らず、バイアホール５０を形成した際の電極２１，２２との接続信頼性を高めることができる。
【００６６】
更に、チップコンデンサ２０のセラミックから成る誘電体２３の表面には粗化層２３ａが設けられている。このため、セラミックから成るチップコンデンサ２０と第１、第２、第３樹脂基板３０ａ、３０ｂ、３０ｃ及びプリプレグ３６ａ、３６ｂとの密着性が高く、ヒートサイクル試験を実施しても界面での第１、第２、第３樹脂基板３０ａ、３０ｂ、３０ｃ及びプリプレグ３６ａ、３６ｂの剥離が発生することがない。この粗化層２３ａは、焼成後に、チップコンデンサ２０の表面を研磨することにより、また、焼成前に、粗化処理を施すことにより形成できる。
【００６７】
図８に示すように、上側のビルドアップ配線層８０Ａには、ＩＣチップ９０のパッド９２Ｅ，９２Ｐ、９２Ｓへ接続するための半田バンプ７６Ｕが配設されている。一方、下側のビルドアップ配線層８０Ｂには、ドータボード９５のパッド９４Ｅ１，９４Ｅ２，９４Ｐ１、９４Ｐ２、９４Ｓへ接続するための半田バンプ７６Ｄが配設されている。
【００６８】
ＩＣチップ９０の信号用パッド９２Ｓは、バンプ７６Ｕ−導体回路２４８−バイアホール２５０−導体回路１４８−バイアホール１５０−スルーホール５２−バイアホール１５０−導体回路１４８−バイアホール２５０−導体回路２４８−バンプ７６Ｄを介して、ドータボード９５の信号用パッド９４Ｓへ接続されている。
【００６９】
ＩＣチップ９０の接地用パッド９２Ｅは、バンプ７６Ｕ−バイアホール２５０−導体回路１４８−バイアホール１５０−導体回路４８−バイアホール５０を介してチップコンデンサ２０の第１電極２１へ接続されている。一方、ドータボード９５の接地用パッド９４Ｅ１は、バンプ７６Ｄ−バイアホール２５０−導体回路１４８−バイアホール１５０−スルーホール５２−導体回路４８−バイアホール５０を介してチップコンデンサ２０の第１電極２１へ接続されている。また、接地用パッド９４Ｅ２は、バンプ７６Ｄ−バイアホール２５０−導体回路１４８−バイアホール１５０−導体回路４８−バイアホール５０を介してチップコンデンサ２０の第１電極２１へ接続されている。
【００７０】
ＩＣチップ９０の電源用パッド９２Ｐは、バンプ７６Ｕ−バイアホール２５０−導体回路１４８−バイアホール１５０−導体回路４８−バイアホール５０を介してチップコンデンサ２０の第２電極２２へ接続されている。一方、ドータボード９５の電源用パッド９４Ｐ１は、バンプ７６Ｄ−バイアホール２５０−導体回路１４８−バイアホール１５０−スルーホール５２−導体回路４８−バイアホール５０を介してチップコンデンサ２０の第２電極２２へ接続されている。また、電源用パッド９４Ｐ２は、バンプ７６Ｄ−バイアホール２５０−導体回路１４８−バイアホール１５０−導体回路４８−バイアホール５０を介してチップコンデンサ２０の第１電極２２へ接続されている。この実施形態では、スルーホール５２を介してチップコンデンサ２０の第１、第２電極２１、２２へドータボード９５側から接続したが、スルーホールを介しての接続を省略することも可能である。
【００７１】
図７に示すように、本実施形態のコア基板３０は、チップコンデンサ２０が接着材料を介して接続された第１樹脂基板３０ａと、第１樹脂基板３０ａに接着用樹脂層（接着板）３６ａを介して接続された第２樹脂基板３０ｂと、第２樹脂基板３０ｂに接着用樹脂層（接着板）３６ｂを介して接続された第３樹脂基板３０ｃとからなる。第２樹脂基板３０ｂには、チップコンデンサ２０を収容可能な開口３０Ｂが形成されている。
【００７２】
これにより、コア基板３０内にチップコンデンサ２０を収容することができるため、ＩＣチップ９０とチップコンデンサ２０との距離が短くなり、プリント配線板１０のループインダクタンスを低減できる。また、第１樹脂基板３０ａ、第２樹脂基板３０ｂ、第３樹脂基板３０ｃを積層してなるので、コア基板３０に十分な強度を得ることができる。更に、コア基板３０の両面に第１樹脂基板３０ａ、第３樹脂基板３０ｃを配設することでコア基板３０を平滑に構成するため、コア基板３０の上に層間樹脂絶縁層６０、１６０および導体回路１４８、２４８、バイアホール１５０、２５０を適切に形成することができ、プリント配線板の不良品発生率を低下させることができる。
【００７３】
また、この実施形態では、コア基板３０の両面にバイアホール５０を設けてあるため、ＩＣチップ９０とチップコンデンサ２０とを、また、ドータボード９５とチップコンデンサ２０とを最短の距離で接続することができ、ドータボードからＩＣチップへの瞬時的な大電力供給が可能になる。
【００７４】
更に、本実施形態では、図１（Ｄ）に示すように第１樹脂基板３０ａとチップコンデンサ２０との間に絶縁性接着剤３４を介在させてある。ここで、接着剤３４の熱膨張率を、コア基板３０よりも小さく、即ち、セラミックからなるチップコンデンサ２０に近いように設定してある。このため、ヒートサイクル試験において、コア基板及び接着層４０とチップコンデンサ２０との間に熱膨張率差から内応力が発生しても、コア基板にクラック、剥離等が生じ難く、高い信頼性を達成できる。また、マイグレーションの発生を防止することも出来る。
【００７５】
引き続き、図７を参照して上述したプリント配線板の製造方法について、図１〜図７を参照して説明する。
【００７６】
（１）厚さ０．１ｍｍのガラスクロス等の心材にＢＴ（ビスマレイミドトリアジン）樹脂を含浸させて硬化させた樹脂基板の片面に銅箔３２がラミネートされている片面銅張積層板３０Ｍ（第１樹脂基板３０ａおよび第３樹脂基板３０ｃ）を出発材料とする（図１（Ａ）参照）。
次に、この銅貼積層板３０Ｍの銅箔３２をパターン状にエッチングすることにより、銅箔３２にバイアホール形成用開口３２ａを形成する（図１（Ｂ）参照）。
【００７７】
（２）その後、第１樹脂基板３０ａの銅箔３２がラミネートされていない面に、印刷機を用いて熱硬化系またはＵＶ硬化系の接着材料３４を塗布する（図１（Ｃ）参照）。このとき、塗布以外にも、ポッティングなどをしてもよい。
次に、接着材料３４上に複数個のセラミックから成るチップコンデンサ２０を載置し、接着材料３４を介して、第１樹脂基板３０ａにチップコンデンサ２０を接着する（図１（Ｄ）参照）。チップコンデンサ２０は、１個でも複数個でもよいが、複数個のチップコンデンサ２０を用いることにより、コンデンサの高集積化が可能となる。
【００７８】
（３）次に、ガラスクロス等の心材にエポキシ樹脂を含浸させたプリプレグ（接着用樹脂層）３６ａ、３６ｂ及びガラスクロス等の心材にＢＴ樹脂を含浸させて硬化させた第２樹脂基板３０ｂ（厚さ０．４ｍｍ）を用意する。プリプレグ３６ａ及び第２樹脂基板３０ｂには、チップコンデンサ２０を収容可能な開口３６Ａ、３０Ｂを形成しておく。まず、銅箔３２がラミネートされた面を下にした第３樹脂基板３０ｃの上に、プリプレグ３６ｂを介して第２樹脂基板３０ｂを載置する。次に、第２樹脂基板３０ｂの上にプリプレグ３６ａを介して、第１樹脂基板３０ａを反転して載置する。即ち、第１樹脂基板３０ａに接続されたチップコンデンサ２０がプリプレグ３６ａ側を向き、第２樹脂基板３０ｂに形成された開口３０Ｂにチップコンデンサ２０を収容できるように重ね合わせる（図２（Ａ）参照）。これにより、コア基板３０内にチップコンデンサ２０を収容することが可能となり、ループインダクタンスを低減させたプリント配線板を提供することができる。
【００７９】
なお、コア基板をセラミックなどの基板を用いることはできなかった。該基板は外形加工性が悪く、コンデンサを収容することができないことがあり、樹脂で充填させても空隙が生じてしまうためである。
【００８０】
（４）そして、重ね合わせた基板を熱プレスを用いて加圧プレスすることにより、第１、第２、第３樹脂基板３０ａ、３０ｂ、３０ｃを多層状に一体化し、複数個のチップコンデンサ２０を有するコア基板３０を形成する（図２（Ｂ）参照）。
ここでは、先ず、加圧されることでプリプレグ３６ａ、３６ｂからエポキシ樹脂（絶縁性樹脂）を周囲に押し出し、開口３０Ｂとチップコンデンサ２０との間の隙間を充填させる。更に、加圧と同時に加熱されることで、エポキシ樹脂が硬化し、プリプレグ３６ａ、３６ｂを接着用樹脂（接着板）として介在させることで、第１樹脂基板３０ａと第２樹脂基板３０ｂと第３樹脂基板３０ｃとを強固に接着させる。なお、本実施形態では、プリプレグから出るエポキシ樹脂により、開口３０Ｂ内の隙間を充填したが、この代わりに、開口３０Ｂ内に充填材を配置しておくことも可能である。
ここで、コア基板３０の両面に平滑な第１樹脂基板３０ａ、第３樹脂基板３０ｃが配置されるので、コア基板３０の平滑性が損なわれず、後述する工程で、コア基板３０の上に層間樹脂絶縁層６０、１６０および導体回路１４８、２４８、バイアホール１５０、２５０を適切に形成することができ、プリント配線板の不良品発生率を低下させることができる。また、コア基板３０に十分な強度を得ることができる。
【００８１】
（５）次いで、レーザを照射して銅箔３２のバイアホール形成用開口３２ａから露出する部位を除去し、チップコンデンサ２０の第１電極２１及び第２電極２２へ至るバイアホール用開口３８を形成する。即ち、銅箔３２をコンフォマルマスクとして用い、レーザによりコア基板３０にバイアホール用開口３８を形成する。その後、同様の工程を基板の他方の面にも行う（図２（Ｃ）参照）。
これにより、バイアホールの開口径は、銅箔３２のバイアホール形成用開口３２ａの開口径に依存することになるため、バイアホールを適切な開口径で形成することが可能となる。また同様に、バイアホールの開口位置精度も、銅箔３２のバイアホール形成用開口３２ａの開口位置に依存することになるため、レーザの照射位置精度は低くてもバイアホールを適切な位置に形成することが可能となる。また、この際に、導電性ペースト２６によりチップコンデンサ２０の電極２１，２２の表面が平滑であるため、樹脂が電極上に残ることがない。
【００８２】
（６）そして、コア基板３０にドリル又はレーザにより、スルーホール用貫通孔４０を形成する（図２（Ｄ）参照）。この後、酸素プラズマを用いてデスミア処理を行う。あるいは、過マンガン酸などの薬液によるデスミヤ処理を行ってもよい。
【００８３】
（７）次に、日本真空技術株式会社製のＳＶ−４５４０を用いてプラズマ処理を行い、コア基板３０の全表面に粗化面を形成する。この際、不活性ガスとしてはアルゴンガスを使用し、電力２００Ｗ、ガス圧０．６Ｐａ、温度７０℃の条件で、２分間プラズマ処理を実施する。その後、Ｎｉ及びＣｕをターゲットにしたスパッタリングを行い、Ｎｉ／Ｃｕ金属層４２をコア基板３０の表面に形成する（図３（Ａ）参照）。ここでは、スパッタを用いているが、無電解めっきにより、銅、ニッケル等の金属層を形成してもよい。また、場合によってはスパッタで形成した後に、無電解めっき膜を形成させてもよい。酸あるいは酸化剤によって粗化処理を施してもよい。また、粗化層は、０．１〜５μｍが望ましい。この際に、チップコンデンサ２０の電極２１，２２の表面に樹脂が残っていないため、電極２１，２２に適正にＮｉ／Ｃｕ金属層４２を形成することができる。
【００８４】
（８）次に、Ｎｉ／Ｃｕ金属層４２の表面に感光性ドライフィルムを貼り付け、マスクを載置して、露光・現像処理し、所定パターンのレジスト４４を形成する。そして、電解めっき液にコア基板３０を浸漬し、Ｎｉ／Ｃｕ金属層４２を介して電流を流し、レジスト４４非形成部に以下の条件で電解めっきを施し、電解めっき膜４６を形成する（図３（Ｂ）参照）。
【００８５】
〔電解めっき水溶液〕
硫酸 ２．２４ ｍｏｌ／ｌ
硫酸銅 ０．２６ ｍｏｌ／ｌ
添加剤（アトテックジャパン製、カパラシドＨＬ）１９．５ ｍｌ／ｌ
〔電解めっき条件〕
電流密度 １Ａ／ｄｍ2
時間 １２０分
温度 ２２±２℃
【００８６】
（９）レジスト４４を５％ＮａＯＨで剥離除去した後、そのレジスト４４下のＮｉ／Ｃｕ合金層４２及び銅箔３２を硝酸および硫酸と過酸化水素の混合液を用いるエッチングにて溶解除去し、銅箔３２及びＮｉ／Ｃｕ合金層４２、電解めっき膜４６からなる導体回路４８（バイアホール５０を含む）及びスルーホール５２を形成する。そして、基板を水洗いし、乾燥した後、エッチング液を基板の両面にスプレイで吹きつけて、導体回路４８（バイアホール５０を含む）及びスルーホール５２の表面をエッチングすることにより、導体回路４８（バイアホール５０を含む）及びスルーホール５２の全表面に粗化面５４を形成する（図３（Ｃ）参照）。エッチング液として、イミダゾール銅（ＩＩ）錯体１０重量部、グリコール酸７重量部、塩化カリウム５重量部およびイオン交換水７８重量部を混合したものを使用する。
【００８７】
（１０）エポキシ系樹脂を主成分とする樹脂充填剤５６を、基板３０の両面に印刷機を用いて塗布することにより、導体回路４８間またはスルーホール５２内に充填し、加熱乾燥を行う。即ち、この工程により、樹脂充填剤５６が導体回路４８の間、バイアホール５０、スルーホール５２内に充填される（図３（Ｄ）参照）。
【００８８】
（１１）上記（１０）の処理を終えた基板３０の片面を、ベルト研磨紙（三共理化学社製）を用いたベルトサンダー研磨により、導体回路４８の表面やスルーホール５２のランド表面５２ａに樹脂充填剤５６が残らないように研磨し、ついで、上記ベルトサンダー研磨による傷を取り除くためのバフ研磨を行う。このような一連の研磨を基板３０の他方の面についても同様に行う。そして、充填した樹脂充填剤５６を加熱硬化させる。このようにして、スルーホール５２等に充填された樹脂充填剤５６の表層部および導体回路４８上面の粗化面５４を除去して基板３０両面を平滑化し、樹脂充填剤５６と導体回路４８とが粗化面５４を介して強固に密着し、またスルーホール５２の内壁面と樹脂充填剤５６とが粗化面５４を介して強固に密着した配線基板を得る。
次に、基板３０の両面に、上記（９）で用いたエッチング液と同じエッチング液をスプレイで吹きつけ、一旦平坦化された導体回路４８の表面とスルーホール５２のランド表面５２ａとをエッチングすることにより、導体回路４８の全表面に粗化面５８を形成する（図４（Ａ）参照）。
【００８９】
（１２）上記工程を経た基板３０に、熱硬化型樹脂フィルムを温度５０〜１５０℃まで昇温しながら圧力５ｋｇ／ｃｍ2で真空圧着ラミネートし、層間樹脂絶縁層６０を設ける（図４（Ｂ）参照）。真空圧着時の真空度は、１０ｍｍＨｇである。
【００９０】
（１３）次いで、層間樹脂絶縁層６０にレーザによりバイアホール用開口１３８を形成する（図４（Ｃ）参照）。
【００９１】
（１４）次に、（７）の工程で用いた、日本真空技術株式会社製のＳＶ−４５４０を用いてプラズマ処理を行い、層間樹脂絶縁層６０の表面に粗化面６０αを形成する（図４（Ｄ）参照）。酸あるいは酸化剤によって粗化処理を施してもよい。また、粗化層は、０．１〜５μｍが望ましい。
【００９２】
（１５）その後、（７）の工程と同様に、Ｎｉ及びＣｕをターゲットにしたスパッタリングを行い、Ｎｉ／Ｃｕ金属層１４２を層間樹脂絶縁層６０の表面に形成する（図５（Ａ）参照）。ここでは、スパッタを用いているが、無電解めっきにより、銅、ニッケル等の金属層を形成してもよい。また、場合によってはスパッタで形成した後に、無電解めっき膜を形成させてもよい。
【００９３】
（１６）次に、（８）の工程と同様に、Ｎｉ／Ｃｕ金属層１４２の表面に感光性ドライフィルムを貼り付け、マスクを載置して、露光・現像処理し、所定パターンのレジスト１４４を形成する。そして、電解めっき液に基板を浸漬し、Ｎｉ／Ｃｕ金属層１４２を介して電流を流し、レジスト１４４非形成部に電解めっきを施し、電解めっき膜１４６を形成する（図５（Ｂ）参照）。
【００９４】
（１７）その後（９）の工程と同様の処理をして、Ｎｉ／Ｃｕ合金層１４２及び電解めっき膜１４６からなる導体回路１４８（バイアホール１５０を含む）を形成する。そして、基板を水洗いし、乾燥した後、エッチング液を基板の両面にスプレイで吹きつけてエッチングすることにより、導体回路１４８（バイアホール１５０を含む）の全表面に粗化面１５４を形成する（図５（Ｃ）参照）。
【００９５】
（１８）さらに（１２）〜（１７）の工程を繰り返すことにより、上層に層間樹脂絶縁層２６０及び導体回路２４８（バイアホール２５０を含む）、粗化面２５４を形成する（図５（Ｄ）参照）。
【００９６】
（１９）次に、ジエチレングリコールジメチルエーテル（ＤＭＤＧ）に６０重量％の濃度になるように溶解させた、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂（日本化薬社製）のエポキシ基５０％をアクリル化した感光性付与のオリゴマー（分子量４０００）４６．６７重量部、メチルエチルケトンに溶解させた８０重量％のビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（油化シェル社製、商品名：エピコート１００１）１５重量部、イミダゾール硬化剤（四国化成社製、商品名：２Ｅ４ＭＺ−ＣＮ）１．６重量部、感光性モノマーである多官能アクリルモノマー（共栄化学社製、商品名：Ｒ６０４）３重量部、同じく多価アクリルモノマー（共栄化学社製、商品名：ＤＰＥ６Ａ）１．５重量部、分散系消泡剤（サンノプコ社製、商品名：Ｓ−６５）０．７１重量部を容器にとり、攪拌、混合して混合組成物を調整し、この混合組成物に対して光重量開始剤としてベンゾフェノン（関東化学社製）２．０重量部、光増感剤としてのミヒラーケトン（関東化学社製）０．２重量部を加えて、粘度を２５℃で２．０Ｐａ・ｓに調整したソルダーレジスト組成物（有機樹脂絶縁材料）を得る。
なお、粘度測定は、Ｂ型粘度計（東京計器社製、ＤＶＬ−Ｂ型）で６０ｒｐｍの場合はローターＮｏ.４、６ｒｐｍの場合はローターＮｏ.３によった。
【００９７】
（２０）次に、基板３０の両面に、上記ソルダーレジスト組成物を２０μｍの厚さで塗布し、７０℃で２０分間、７０℃で３０分間の条件で乾燥処理を行った後、ソルダーレジスト開口部のパターンが描画された厚さ５ｍｍのフォトマスクをソルダーレジスト層７０に密着させて１０００ｍＪ／ｃｍ2の紫外線で露光し、ＤＭＴＧ溶液で現像処理し、開口７１Ｕ、７１Ｄを形成する（図６（Ａ）参照）。
【００９８】
（２１）次に、ソルダーレジスト層（有機樹脂絶縁層）７０を形成した基板を、塩化ニッケル（２．３×１０-1ｍｏｌ／ｌ）、次亞リン酸ナトリウム（２．８×１０-1ｍｏｌ／ｌ）、クエン酸ナトリウム（１．６×１０-1ｍｏｌ／ｌ）を含むｐＨ＝４．５の無電解ニッケルめっき液に２０分間浸漬して、開口部７１Ｕ、７１Ｄに厚さ５μｍのニッケルめっき層７２を形成する。さらに、その基板を、シアン化金カリウム（７．６×１０-3ｍｏｌ／ｌ）、塩化アンモニウム（１．９×１０-1ｍｏｌ／ｌ）、クエン酸ナトリウム（１．２×１０-1ｍｏｌ／ｌ）、次亜リン酸ナトリウム（１．７×１０-1ｍｏｌ／ｌ）を含む無電解めっき液に８０℃の条件で７．５分間浸漬して、ニッケルめっき層７２上に厚さ０．０３μｍの金めっき層７４を形成する（図６（Ｂ）参照）。
【００９９】
（２２）この後、ソルダーレジスト層７０の開口部７１に、はんだペーストを印刷して、２００℃でリフローすることにより、はんだバンプ（半田体）７６Ｕ、７６Ｄを形成する。これにより、半田バンプ７６Ｕ、７６Ｄを有するプリント配線板１０を得ることができる（図７参照）。
【０１００】
次に、上述した工程で完成したプリント配線板１０へのＩＣチップ９０の載置および、ドータボード９５への取り付けについて、図８を参照して説明する。完成したプリント配線板１０の半田バンプ７６ＵにＩＣチップ９０の半田パッド９２Ｅ，９２Ｐ、９２Ｓが対応するように、ＩＣチップ９０を載置し、リフローを行うことでＩＣチップ９０の取り付けを行う。同様に、プリント配線板１０の半田バンプ７６Ｄにドータボード９５のパッド９４Ｅ１，９４Ｅ２，９４Ｐ１、９４Ｐ２、９４Ｓが対応するように、リフローすることで、ドータボード９５へプリント配線板１０を取り付ける。
【０１０１】
引き続き、本発明の第１実施形態の改変例に係るプリント配線板について、図９を参照して説明する。改変例のプリント配線板は、上述した第１実施形態とほぼ同様である。但し、この改変例のプリント配線板では、導電性ピン９６が配設され、該導電性ピン９６を介してドータボードとの接続を取るように形成されている。
【０１０２】
図１５（Ｂ）に第１実施形態の第１改変例に係るチップコンデンサ２０の断面を示す。第１実施形態では、コンデンサの表面に粗化処理を施し、樹脂との密着性を高めたが、第１改変例では、この代わりに、ポリイミド膜２３ｂを形成しておくことで、表面濡れ性を改善してある。ポリイミド膜の代わりに、コンデンサの表面にシランカップリング処理を施すことも可能である。
【０１０３】
また、第１改変例では、導電性ペースト２６の上に、無電解銅めっき膜２８ａ及び電解銅めっき膜２８ｂからなる複合金属膜２８を形成されている。複合金属膜２８の厚みは、０．１〜１０μｍが望ましく、１〜５μｍが最適である。複合金属膜の代わりに、１層の金属膜を形成することも可能である。
【０１０４】
第１改変例では、コンデンサ２０の電極２１，２２の導電性ペースト２６上に金属層２８を設けてあるため、電極２１、２２でのマイグレーションの発生を防止することができ、また、接続抵抗を更に低減することができる。メタライズからなる電極２１、２２は、表面に凹凸があるが、導電性ペースト２６を塗布し、更に、金属層２８を設けることで凹凸を完全に無くすことができ、バイアホール５０との密着性を高め、接続抵抗を下げることができる。
【０１０５】
また、上述した第１実施形態では、コア基板３０に収容されるチップコンデンサ２０のみを備えていたが、改変例では、表面及び裏面に大容量のチップコンデンサ８６が実装されている。
【０１０６】
ＩＣチップは、瞬時的に大電力を消費して複雑な演算処理を行う。ここで、ＩＣチップ側に大電力を供給するために、改変例では、プリント配線板に電源用のチップコンデンサ２０及びチップコンデンサ８６を備えてある。このチップコンデンサによる効果について、図１４を参照して説明する。
【０１０７】
図１４は、縦軸にＩＣチップへ供給される電圧を、横軸に時間を取ってある。ここで、二点鎖線Ｃは、電源用コンデンサを備えないプリント配線板の電圧変動を示している。電源用コンデンサを備えない場合には、大きく電圧が減衰する。破線Ａは、表面にチップコンデンサを実装したプリント配線板の電圧変動を示している。上記二点鎖線Ｃと比較して電圧は大きく落ち込まないが、ループ長さが長くなるので、律速の電源供給が十分に行えていない。即ち、電力の供給開始時に電圧が降下している。また、二点鎖線Ｂは、図８を参照して上述したチップコンデンサを内蔵するプリント配線板の電圧降下を示している。ループ長さは短縮できているが、コア基板３０に容量の大きなチップコンデンサを収容することができないため、電圧が変動している。ここで、実線Ｅは、図９を参照して上述したコア基板内のチップコンデンサ２０を、また表面に大容量のチップコンデンサ８６を実装する改変例のプリント配線板の電圧変動を示している。ＩＣチップの近傍にチップコンデンサ２０を、また、大容量（及び相対的に大きなインダクタンス）のチップコンデンサ８６を備えることで、電圧変動を最小に押さえている。
【０１０８】
引き続き、本発明の第２実施形態に係るプリント配線板２１０について、図１３を参照して説明する。この第２実施形態のプリント配線板の構成は、上述した第１実施形態とほぼ同様である。図７を参照して上述した第１実施形態では、導体回路４８が銅箔３２及びＮｉ／Ｃｕ合金層４２、電解めっき膜４６の３層で構成されていた。これに対して、第２実施形態のプリント配線板１１０では、導体回路４８が無電解めっき膜４３と電解めっき膜４６との２層で構成されている。即ち、銅箔３２を除去し、厚さを薄くすることで、導体回路４８をファインピッチに形成してある。なお、電極には、第１実施形態と同様に導電性ペースト、あるいは、第１実施形態の第１改変例と同様に導電性ペースト及び複合金属層が形成されている。
【０１０９】
また、第２実施形態のプリント配線板２１０では、チップコンデンサ２０を収容する開口３０Ｂを設けた第２樹脂基板３０ｂの両面に、導体回路３３が形成されている。この第２実施形態では、第２樹脂基板３０ｂの両面に導体回路３３が形成されているため、コア基板３０内の配線密度を高めることができ、ビルドアップする層間樹脂絶縁層の層数を減らすことが可能となる。
【０１１０】
本発明の第２実施形態に係るプリント配線板の製造工程について、図１０〜図１２を参照して説明する。
【０１１１】
（１）厚さ０．１ｍｍのガラスクロス等の心材にＢＴ（ビスマレイミドトリアジン）樹脂を含浸させて硬化させた樹脂基板の片面に銅箔３２がラミネートされている片面銅張積層板３０Ｍ（第１樹脂基板３０ａおよび第３樹脂基板３０ｃ）を用意する。また、厚さ０．４ｍｍのガラスクロス等の心材にＢＴ（ビスマレイミドトリアジン）樹脂を含浸させて硬化させた樹脂基板の両面に銅箔３２がラミネートされている両面銅張積層板３０Ｎ（第２樹脂基板３０ｂ）を用意する（図１０（Ａ）参照）。
【０１１２】
（２）次に、この銅貼積層板３０Ｍの銅箔３２をパターン状にエッチングすることにより、銅箔３２にバイアホール形成用開口３２ａを形成する。同様に、両面銅張積層板３０Ｎの銅箔３２をパターン状にエッチングし、導体回路３３を形成する（図１０（Ｂ）参照）。第２実施形態では、第２樹脂基板３０ｂの両面に導体回路３３が形成されているため、コア基板の配線密度を高めることができ、ビルドアップする層間樹脂絶縁層の層数を減らすことができる利点がある。
【０１１３】
（３）その後、第１樹脂基板３０ａの銅箔３２がラミネートされていない面に、印刷機を用いて熱硬化系またはＵＶ硬化系の接着材料３４を塗布する（図１０（Ｃ）参照）。このとき、塗布以外にも、ポッティングなどをしてもよい。
次に、接着材料３４上に複数個のセラミックから成るチップコンデンサ２０を載置し、接着材料３４を介して、第１樹脂基板３０ａにチップコンデンサ２０を接着する（図１０（Ｄ）参照）。チップコンデンサ２０は、１個でも複数個でもよいが、複数個のチップコンデンサ２０を用いることにより、コンデンサの高集積化が可能となる。
【０１１４】
（４）次に、ガラスクロス等の心材にエポキシ樹脂を含浸させたプリプレグ（接着用樹脂層）３６ａ、３６ｂおよび第２樹脂基板３０ｂを用意する。プリプレグ３６ａ及び第２樹脂基板３０ｂには、チップコンデンサ２０を収容可能な開口３６Ａ、３０Ｂを形成しておく。まず、銅箔３２がラミネートされた面を下にした第３樹脂基板３０ｃの上に、プリプレグ３６ｂを介して第２樹脂基板３０ｂを載置する。次に、第２樹脂基板３０ｂの上にプリプレグ３６ａを介して、第１樹脂基板３０ａを反転して載置する。即ち、第２樹脂基板３０ｂに形成された開口３０Ｂにチップコンデンサ２０が収容できるように重ね合わせる（図１１（Ａ）参照）。これにより、コア基板３０内にチップコンデンサ２０を収容することが可能となり、ループインダクタンスを低減させたプリント配線板を提供することができる。
【０１１５】
（５）そして、重ね合わせた基板を熱プレスを用いて加圧プレスすることにより、第１、第２、第３樹脂基板３０ａ、３０ｂ、３０ｃを多層状に一体化し、複数個のチップコンデンサ２０を有するコア基板３０を形成する（図１１（Ｂ）参照）。
なお、本実施形態では、プリプレグから出るエポキシ樹脂により、開口３０Ｂ内の隙間を充填したが、この代わりに、開口３０Ｂ内に充填材を配置しておくことも可能である。
ここで、コア基板３０の両面が平滑な第１樹脂基板３０ａ、第３樹脂基板３０ｃなので、コア基板３０の平滑性が損なわれず、後述する工程で、コア基板３０の上に層間樹脂絶縁層６０、１６０および導体回路１４８、２４８、バイアホール１５０、２５０を適切に形成することができ、プリント配線板の不良品発生率を低下させることができる。また、コア基板３０に十分な強度を得ることができる。
【０１１６】
（６）次いで、基板上からレーザを照射して銅箔３２のバイアホール形成用開口３２ａから露出する部位を除去し、チップコンデンサ２０の第１電極２１及び第２電極２２へ至るバイアホール用開口３８を形成する。即ち、銅箔３２をコンフォマルマスクとして用い、レーザによりコア基板３０にバイアホール用開口３８を形成する。その後、同様の工程を基板の他方の面にも行う（図１１（Ｃ）参照）。これにより、バイアホールの開口径は、銅箔３２のバイアホール形成用開口３２ａの開口径に依存することになるため、バイアホールを適切な開口径で形成することが可能となる。また同様に、バイアホールの開口位置精度も、銅箔３２のバイアホール形成用開口３２ａの開口位置に依存することになるため、レーザの照射位置精度は低くてもバイアホールを適切な位置に形成することが可能となる。
【０１１７】
（７）その後、コア基板３０の両面の銅箔３２を、エッチング液を用いてエッチングすることにより除去する。これにより、後述する工程で導体回路４８の厚さを薄く形成することができ、ファインピッチに形成することが可能となる。
次に、コア基板３０にドリル又はレーザにより、スルーホール用貫通孔４０を形成する（図１１（Ｄ）参照）。この後、酸素プラズマを用いてデスミア処理を行う。あるいは、過マンガン酸などの薬液によるデスミヤ処理を行ってもよい。
【０１１８】
（８）次に、日本真空技術株式会社製のＳＶ−４５４０を用いてプラズマ処理を行い、コア基板３０の全表面に粗化面４１を形成する（図１２（Ａ）参照）。この際、不活性ガスとしてはアルゴンガスを使用し、電力２００Ｗ、ガス圧０．６Ｐａ、温度７０℃の条件で、２分間プラズマ処理を実施する。酸あるいは酸化剤によって粗化処理を施してもよい。また、粗化層は、０．１〜５μｍが望ましい。
【０１１９】
（９）次に、以下の組成の無電解銅めっき水溶液中に基板３０を浸漬して、粗化面４１全体に厚さ０．６〜３．０μｍの無電解銅めっき膜４３を形成する（図１２（Ｂ）参照）。
〔無電解めっき水溶液〕
ＮｉＳＯ4 ０．００３ ｍｏｌ／ｌ
酒石酸 ０．２００ ｍｏｌ／ｌ
硫酸銅 ０．０３０ ｍｏｌ／ｌ
ＨＣＨＯ ０．０５０ ｍｏｌ／ｌ
ＮａＯＨ ０．１００ ｍｏｌ／ｌ
α、α′−ビピリジル ４０ ｍｇ／ｌ
ポリエチレングリコール（ＰＥＧ） ０．１０ ｇ／ｌ
〔無電解めっき条件〕
３５℃の液温度で４０分
ここでは、無電解めっきを用いているが、スパッタにより、銅、ニッケル等の金属層を形成してもよい。また、場合によってはスパッタで形成した後に、無電解めっき膜を形成させてもよい。
【０１２０】
（１０）市販の感光性ドライフィルムを無電解銅めっき膜４３に貼り付け、マスクを載置して、１００ｍＪ／ｃｍ2 で露光し、０．８％炭酸ナトリウム水溶液で現像処理することにより、厚さ３０μｍのめっきレジスト４４を設ける。次に、基板３０を５０℃の水で洗浄して脱脂し、２５℃の水で水洗後、さらに硫酸で洗浄してから、以下の条件で電解銅めっきを施し、厚さ２０μｍの電解銅めっき膜４６を形成する（図１２（Ｃ）参照）。
〔電解めっき水溶液〕
硫酸 ２．２４ ｍｏｌ／ｌ
硫酸銅 ０．２６ ｍｏｌ／ｌ
添加剤 １９．５ ｍｌ／ｌ
（アトテックジャパン社製、カパラシドＨＬ）
〔電解めっき条件〕
電流密度 １ Ａ／ｄｍ2
時間 ６５ 分
温度 ２２±２ ℃
【０１２１】
（１１）めっきレジスト４４を５％ＮａＯＨで剥離除去した後、そのめっきレジスト４４下の無電解めっき膜４３を硫酸と過酸化水素の混合液でエッチング処理して溶解除去し、無電解銅めっき膜４３と電解銅めっき膜４６からなる厚さ１８μｍの導体回路４８（バイアホール５０を含む）及びスルーホール５２を形成する（図１２（Ｄ）参照）。第２実施形態では、上述したように予め銅箔３２を除去することで、導体回路４８の厚さを薄くすることができ、ファインピッチに形成することが可能となる。なお、ここでは、銅箔３２を完全に除去を剥離したが、ライトエッチングにより銅箔３２を薄くすることでも、導体回路４８の厚さを薄くでき、ファインピッチに形成することが可能となる。
【０１２２】
以降の工程は、上述した第１実施形態の（１０）〜（１９）と同様であるため説明を省略する。
【０１２３】
上述した実施形態では、コア基板の両面にバイアホールを設けたが、片面のみにバイアホールを形成することも可能である。また、コア基板３０の表面の銅箔３２の開口３２ａをコンフォマルマスクとして用いたが、コア基板３０のコンフォマルマスクを用いることなくレーザを照射してコンデンサへ至る開口を設けることもできる。
【０１２４】
引き続き、本発明の第３実施形態に係るプリント配線板の構成について図１６を参照して説明する。
この第３実施形態のプリント配線板の構成は、上述した第１実施形態とほぼ同様である。但し、コア基板３０への収容されるチップコンデンサ２０が異なる。図１６は、チップコンデンサの平面図を示している。図１６（Ａ）は、多数個取り用の裁断前のチップコンデンサを示し、図中で一点鎖線は、裁断線を示している。上述した第１実施形態のプリント配線板では、図１６（Ｂ）に平面図を示すようにチップコンデンサの側縁に第１電極２１及び第２電極２２を配設してある。図１６（Ｃ）は、第３実施形態の多数個取り用の裁断前のチップコンデンサを示し、図中で一点鎖線は、裁断線を示している。第３実施形態のプリント配線板では、図１６（Ｄ）に平面図を示すようにチップコンデンサの側縁の内側に第１電極２１及び第２電極２２を配設してある。なお、電極には、第１実施形態と同様に導電性ペースト、あるいは、第１実施形態の第１改変例と同様に導電性ペースト及び複合金属層が形成されている。
【０１２５】
この第３実施形態のプリント配線板では、外縁の内側に電極の形成されたチップコンデンサ２０を用いるため、容量の大きなチップコンデンサを用いることができる。
【０１２６】
引き続き、第３実施形態の第１改変例に係るプリント配線板図１７を参照して説明する。
図１７は、第１改変例に係るプリント配線板のコア基板に収容されるチップコンデンサ２０の平面図を示している。上述した第１実施形態では、複数個の小容量のチップコンデンサをコア基板に収容したが、第１改変例では、大容量の大判のチップコンデンサ２０をコア基板に収容してある。ここで、チップコンデンサ２０は、第１電極２１と第２電極２２と、誘電体２３と、第１電極２１へ接続された第１導電膜２４と、第２電極２２側に接続された第２導電膜２５と、第１導電膜２４及び第２導電膜２５へ接続されていないチップコンデンサの上下面の接続用の電極２７とから成る。この電極２７を介してＩＣチップ側とドータボード側とが接続されている。なお、電極には、第１実施形態と同様に導電性ペースト、あるいは、第１実施形態の第１改変例と同様に導電性ペースト及び複合金属層が形成されている。
【０１２７】
この第１改変例のプリント配線板では、大判のチップコンデンサ２０を用いるため、容量の大きなチップコンデンサを用いることができる。また、大判のチップコンデンサ２０を用いるため、ヒートサイクルを繰り返してもプリント配線板に反りが発生することがない。
【０１２８】
図１８を参照して第２改変例に係るプリント配線板について説明する。図１８（Ａ）は、多数個取り用の裁断前のチップコンデンサを示し、図中で一点鎖線は、通常の裁断線を示し、図１８（Ｂ）は、チップコンデンサの平面図を示している。図１８（Ｂ）に示すように、この第２改変例では、多数個取り用のチップコンデンサを複数個（図中の例では３枚）連結させて大判で用いている。なお、電極には、第１実施形態と同様に導電性ペースト、あるいは、第１実施形態の第１改変例と同様に導電性ペースト及び複合金属層が形成されている。
【０１２９】
この第２改変例では、大判のチップコンデンサ２０を用いるため、容量の大きなチップコンデンサを用いることができる。また、大判のチップコンデンサ２０を用いるため、ヒートサイクルを繰り返してもプリント配線板に反りが発生することがない。
【０１３０】
上述した第３実施形態では、チップコンデンサをプリント配線板に内蔵させたが、チップコンデンサの代わりに、セラミック板に導電体膜を設けてなる板状のコンデンサを用いることも可能である。
【０１３１】
【発明の効果】
本発明の構造により、コア基板内にコンデンサを収容することが可能となり、ＩＣチップとコンデンサとの距離が短くなるため、プリント配線板のループインダクタンスを低減できる。また、樹脂基板を積層してなるためコア基板に十分な強度を得ることができる。更に、コア基板の両面に第１樹脂基板、第３樹脂基板を配設することでコア基板を平滑に構成するため、コア基板の上に層間樹脂絶縁層および導体回路を適切に形成することができ、プリント配線板の不良品発生率を低下させることができる。
【０１３２】
また本発明の製造方法により、バイアホールの開口径は、金属膜の開口径に依存することになるため、バイアホールを適切な開口径で形成することが可能となる。また同様に、バイアホールの開口位置精度も、金属膜の開口位置に依存することになるため、レーザの照射位置精度は低くてもバイアホールを適切な位置に形成することが可能となる。
【０１３３】
コンデンサの下部からも接続することが可能となるので、ループインダクタンスの距離を短くし、配設する自由度を増す構造であるといえる。
また、コンデンサの電極の表面に導電性ペーストを塗布してあるため、表面が完全にフラットになる。このため、樹脂基板にレーザで開口を穿設した際に、電極の表面に樹脂が残ることが無くなり、該電極とめっきによるバイアホールとの接続性を高めることができる。
更に、コア基板とコンデンサの間に樹脂が充填されているので、コンデンサなどが起因する応力が発生しても緩和されるし、マイグレーションの発生がない。そのために、コンデンサの電極とバイアホールの接続部への剥離や溶解などの影響がない。そのために、信頼性試験を実施しても所望の性能を保つことができるのである。
また、コンデンサを銅によって被覆されている場合にも、マイグレーションの発生を防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）は、本発明の第１実施形態に係るプリント配線板の製造工程図である。
【図２】（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）は、本発明の第１実施形態に係るプリント配線板の製造工程図である。
【図３】（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）は、本発明の第１実施形態に係るプリント配線板の製造工程図である。
【図４】（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）は、本発明の第１実施形態に係るプリント配線板の製造工程図である。
【図５】（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）は、本発明の第１実施形態に係るプリント配線板の製造工程図である。
【図６】（Ａ）、（Ｂ）は、本発明の第１実施形態に係るプリント配線板の製造工程図である。
【図７】本発明の第１実施形態に係るプリント配線板の断面図である。
【図８】図７中のプリント配線板にＩＣチップを搭載し、ドータボードへ取り付けた状態を示す断面図である。
【図９】本発明の第１実施形態の改変例に係るプリント配線板にＩＣチップを搭載した状態を示す断面図である。
【図１０】（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）は、本発明の第２実施形態に係るプリント配線板の製造工程図である。
【図１１】（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）は、本発明の第２実施形態に係るプリント配線板の製造工程図である。
【図１２】（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）は、本発明の第２実施形態に係るプリント配線板の製造工程図である。
【図１３】本発明の第２実施形態に係るプリント配線板の断面図である。
【図１４】ＩＣチップへの供給電力と時間との変化を示すグラフである。
【図１５】（Ａ）は、第１実施形態のチップコンデンサの断面図であり、（Ｂ）は、第１実施形態の第１改変例のチップコンデンサの断面図である。
【図１６】（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）は、第３実施形態のプリント配線板のチップコンデンサの平面図である。
【図１７】第３実施形態に係るプリント配線板のチップコンデンサの平面図である。
【図１８】（Ａ）、（Ｂ）は、第３実施形態の改変例に係るプリント配線板のチップコンデンサの平面図である。
【符号の説明】
２０ チップコンデンサ
２１ 第１電極
２２ 第２電極
２３ 誘電体
２３ａ 粗化面
２３ｂ ポイリミド膜
２６ 導電性ペースト
２８ａ 無電解銅めっき膜
２８ｂ 電解銅めっき膜
２８ 複合金属膜
３０ コア基板
３０ａ 第１樹脂基板
３０ｂ 第２樹脂基板
３０ｃ 第３樹脂基板
３０Ｂ 開口
３２ 銅箔
３２ａ バイアホール形成用開口
３３ 導体回路
３４ 接着材料
３６ａ、３６ｂ 接着用樹脂層（接着板）
４２ Ｎｉ／Ｃｕ合金層
４３ 無電解めっき膜
４６ 電解めっき膜
４８ 導体回路
５０ バイアホール
５２ スルーホール
６０ 層間樹脂絶縁層
７０ ソルダーレジスト層
７１ 開口部
７２ ニッケルめっき層
７４ 金めっき層
７６Ｕ、７６Ｄ 半田バンプ
８０Ａ、８０Ｂ ビルドアップ配線層
９０ ＩＣチップ
９５ ドータボード
９６ 導電性接続ピン
１４８ 導体回路
１５０ バイアホール
１６０ 層間樹脂絶縁層
２４８ 導体回路
２５０ バイアホール
Claims (18)
- コンデンサを収容するコア基板に、層間樹脂絶縁層と導体回路とを交互に積層してなるプリント配線板であって、
前記コンデンサを収容するコア基板が、第１の樹脂基板と、コンデンサを収容する開口を有する第２の樹脂基板と、第３の樹脂基板とを、接着板を介在させて積層してなり、
前記第１の樹脂基板、前記第３の樹脂基板を貫通し、前記コンデンサの一対の電極へ前記コア基板の両面から接続する電解銅めっきから成るバイアホールを配設しており、
前記コンデンサのメタライズからなる電極の表面には、メタライズからなる電極の凹凸を無くすように導電性ペーストが塗布され、更に、該導電性ペースト上に銅めっき膜が設けられていることを特徴とするプリント配線板。 - 前記コンデンサの表面に、粗化処理を施したことを特徴とする請求項１に記載のプリント配線板。
- 前記コンデンサの表面に、表面の濡れ性改善処理を施したことを特徴とする請求項１に記載のプリント配線板。
- 前記接着板は、心材に熱硬化性樹脂を含浸させてなることを特徴とする請求項１〜請求項３のいずれか１に記載のプリント配線板。
- 前記第１、第２、第３樹脂基板は、心材に樹脂を含浸させてなることを特徴とする請求項１〜請求項４のいずれか１に記載のプリント配線板。
- 前記コンデンサは、複数個であることを特徴とする請求項１〜請求項５のいずれか１に記載のプリント配線板。
- 前記第２の樹脂基板に導体回路が形成されていることを特徴とする請求項１〜請求項６のいずれか１に記載のプリント配線板。
- 前記プリント配線板の表面にコンデンサを実装したことを特徴とする請求項１〜請求項７の内１に記載のプリント配線板。
- 前記表面のチップコンデンサの静電容量は、内層のコンデンサの静電容量以上であることを特徴とする請求項８に記載のプリント配線板。
- 前記表面のチップコンデンサのインダクタンスは、内層のコンデンサのインダクタンス以上であることを特徴とする請求項８に記載のプリント配線板。
- 前記第１の樹脂基板と、前記コンデンサとは、絶縁性接着剤で接合され、前記絶縁性接着剤は、前記第１の樹脂基板よりも熱膨張率が小さいことを特徴とする請求項１に記載のプリント配線板。
- 前記コンデンサとして、外縁の内側に電極が形成されたチップコンデンサを用いたことを特徴とする請求項１〜請求項１１の内１に記載のプリント配線板。
- 前記コンデンサとして、マトリクス状に電極を形成されたチップコンデンサを用いたことを特徴とする請求項１〜請求項１２の内１に記載のプリント配線板。
- 前記コンデンサとして、多数個取り用のチップコンデンサを複数個連結させて用いたことを特徴とする請求項１〜請求項１３の内１に記載のプリント配線板。
- 前記第２の樹脂基板の開口と前記コンデンサとの間に樹脂が充填され、該樹脂にスルーホールが形成される請求項１〜請求項１１の内１に記載のプリント配線板。
- 少なくとも以下（ａ）〜（ｄ）の工程を備えることを特徴とするプリント配線板の製造方法：
（ａ）第１の樹脂基板に接着材料を介してメタライズ電極の上に該メタライズ電極の凹凸を無くすように導電性ペーストを塗布し、更に、導電性ペースト上に銅めっき膜が設けられたコンデンサを取り付ける工程；
（ｂ）第３の樹脂基板と、前記コンデンサを収容する開口を有する第２の樹脂基板と、前記第１の樹脂基板とを、前記第１の樹脂基板の前記コンデンサを前記第２の樹脂基板の前記開口に収容させ、且つ、前記第３の樹脂基板を前記第２の樹脂基板の前記開口を塞ぐように積層してコア基板とする工程；
（ｃ）前記（ｂ）工程の後、前記第１の樹脂基板側及び前記第３の樹脂基板側へレーザを照射して、前記コア基板の両面に前記コンデンサの一対の電極へ至るバイアホール用開口を形成する工程；
（ｄ）前記コア基板の両面に形成された前記バイアホール用開口に同時に電解銅めっきで前記コンデンサの電極に接続するバイアホールを形成する工程。 - 少なくとも以下（ａ）〜（ｆ）の工程を備えることを特徴とするプリント配線板の製造方法：
（ａ）片面に金属膜を貼り付けた第１の樹脂基板および第３の樹脂基板の、金属膜にバイアホール形成用開口を形成する工程；
（ｂ）前記第１の樹脂基板の金属膜非形成面に、接着材料を介してメタライズ電極の上に該メタライズ電極の凹凸を無くすように導電性ペーストを塗布し、更に、導電性ペースト上に銅めっき膜が設けられたコンデンサを取り付ける工程；
（ｃ）前記第３の樹脂基板と、前記コンデンサを収容する開口を有する第２の樹脂基板と、前記第１の樹脂基板とを、前記第１の樹脂基板の前記コンデンサを前記第２の樹脂基板の前記開口に収容させ、且つ、前記第３の樹脂基板を前記第２の樹脂基板の前記開口を塞ぐように、前記金属膜非形成面に接着板を介在させて積層する工程；
（ｄ）前記（ｃ）工程の後、前記第１の樹脂基板、前記第２の樹脂基板、及び、前記第３の樹脂基板を加熱加圧してコア基板とする工程；
（ｅ）前記第１の樹脂基板および前記第３の樹脂基板に形成された前記バイアホール形成用開口にレーザを照射して、前記コア基板の両面に前記コンデンサの一対の電極へ至るバイアホール用開口を形成する工程；
（ｆ）前記コア基板の両面に形成された前記バイアホール用開口に同時に電解銅めっきで前記コンデンサの電極に接続するバイアホールを形成する工程。 - 少なくとも以下（ａ）〜（ｇ）の工程を備えることを特徴とするプリント配線板の製造方法：
（ａ）片面に金属膜を貼り付けた第１の樹脂基板および第３の樹脂基板の、金属膜に通孔を形成する工程；
（ｂ）前記第１の樹脂基板の金属膜非形成面に、接着材料を介してメタライズ電極の上に該メタライズ電極の凹凸を無くすように導電性ペーストを塗布し、更に、導電性ペースト上に銅めっき膜が設けられたコンデンサを取り付ける工程；
（ｃ）前記第３の樹脂基板と、前記コンデンサを収容する開口を有する第２の樹脂基板と、前記第１の樹脂基板とを、前記第１の樹脂基板の前記コンデンサを前記第２の樹脂基板の前記開口に収容させ、且つ、前記第３の樹脂基板を前記第２の樹脂基板の前記開口を塞ぐように、前記金属膜非形成面に接着板を介在させて積層する工程；
（ｄ）前記（ｃ）工程の後、前記第１の樹脂基板、前記第２の樹脂基板、及び、前記第３の樹脂基板を加熱加圧してコア基板とする工程；
（ｅ）前記第１の樹脂基板および前記第３の樹脂基板に形成された前記通孔にレーザを照射して、前記コア基板の両面にコンデンサの一対の電極へ至るバイアホール用開口を形成する工程；
（ｆ）前記金属膜を除去、又は、薄くする工程；
（ｇ）電解銅めっきで前記コア基板の表面に導体回路を形成すると共に、前記コア基板の両面に形成された前記バイアホール用開口に前記コンデンサの電極に接続するバイアホールを両面同時に形成する工程。
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