JP2000100647A

JP2000100647A - 積層セラミックコンデンサおよびその製造方法

Info

Publication number: JP2000100647A
Application number: JP10270008A
Authority: JP
Inventors: Yasushi Yamaguchi; 泰史山口; Katsuyoshi Yamaguchi; 勝義山口
Original assignee: Kyocera Corp
Current assignee: Kyocera Corp
Priority date: 1998-09-24
Filing date: 1998-09-24
Publication date: 2000-04-07

Abstract

(57)【要約】【課題】Ｃｕメッキ工程の際、内部電極層の腐食や、連
続通電状態での電気化学的変化を抑制し、絶縁抵抗、耐
熱衝撃性、長期信頼性を向上できる積層セラミックコン
デンサを提供する。【解決手段】誘電体層４と卑金属からなる内部電極層３
とを交互に積層してなるコンデンサ本体１の両端面に、
外部電極２を形成してなる積層セラミックコンデンサで
あって、外部電極２が、内部電極層３に接続される下地
卑金属層７と、該下地卑金属層７の表面に形成され、Ｐ
を含有するＣｕメッキ層８とを具備してなるものであ
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、積層セラミックコ
ンデンサおよびその製造方法に関するもので、特に、携
帯電話、ＶＴＲ、カメラ、パソコン等の電子機器に使用
される積層セラミックコンデンサおよびその製造方法に
関するものである。

【０００２】

【従来技術】従来、積層セラミックコンデンサは、図１
に示すように、コンデンサ本体１の両端面に外部電極２
を形成して構成されている。コンデンサ本体１は、内部
電極層３と誘電体層４を交互に積層してなる容量部５の
積層方向の両面に、誘電体層４と同一材料からなる絶縁
層６を形成して構成されている。外部電極２は、Ｎｉか
らなる下地卑金属層７の表面に順にＣｕメッキ層８、Ｎ
ｉメッキ層９、Ｓｎメッキ層１０もしくはＳｎ−Ｐｂ合
金メッキ層を形成して構成されている。

【０００３】上述の積層セラミックコンデンサは、内部
電極層３となる内部電極ペーストを所定のパターンで印
刷した未焼成誘電体グリーンシートを多数枚積層し、こ
の積層体の上下面に、内部電極ペーストが塗布されてい
ないグリーンシートを積層し、これを所定の大きさに切
断して形成された未焼成のコンデンサ本体の両端面に下
地卑金属層７用のＮｉペーストを塗布した後、脱バイン
ダーして炉中で焼成する。その後、下地卑金属層７の上
にＣｕメッキ層８を施し、その次にＮｉメッキ層９を施
し、その後Ｓｎメッキ層１０もしくはＳｎ−Ｐｂ合金メ
ッキを施すのが一般的である（特開平７−５７９５９号
公報参照）。

【０００４】そして、Ｃｕメッキ層８は、例えば、特開
平４−１７１９１２号公報に開示されるように、硫酸銅
を用いたｐＨが４．０のＣｕメッキ浴を用い、コンデン
サ本体１全体を前記Ｃｕメッキ浴中に浸漬し、下地卑金
属層７表面のみにＣｕメッキ層８を形成するというバレ
ルメッキ法で形成されていた。

【０００５】一般に電子部品のメッキにおいては、安価
およびメッキ浴の管理が容易であるという点から、特開
平４−１７１９１２号公報に開示されるように、硫酸銅
を用いたメッキ浴が用いられており、このようなメッキ
浴はｐＨが１〜４である。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、特開平
４−１７１９１２号公報に開示されたＣｕメッキ浴は、
ｐＨが４．０と強酸であるため、メッキ工程中、下地卑
金属層７が腐食したり、下地卑金属層７とコンデンサ本
体１との隙間、コンデンサ本体１や下地卑金属層７の空
孔などからメッキ液がコンデンサ本体１の内部電極層３
のＮｉと反応して腐食したり、あるいは、コンデンサ本
体１内部に残留したメッキ液が、連続通電状態で電気化
学的変化を発生させ、積層セラミックコンデンサとして
致命的な故障の原因を引き起こす虞があった。

【０００７】従って、本発明は上述の課題に鑑みて案出
されたものであり、その目的は、Ｃｕメッキ工程の際、
下地卑金属層、内部電極層の腐食や、連続通電状態での
電気化学的変化を抑制し、絶縁抵抗、耐熱衝撃性、長期
信頼性を向上できる積層セラミックコンデンサを提供す
ることにある。

【０００８】

【課題を解決するための手段】本発明の積層セラミック
コンデンサは、誘電体層と卑金属を主成分とする内部電
極層とを交互に積層してなるコンデンサ本体の両端面
に、外部電極を形成してなる積層セラミックコンデンサ
であって、前記外部電極が、前記内部電極層に接続され
る下地卑金属層と、該下地卑金属層の表面に形成され、
Ｐを含有するＣｕメッキ層とを具備してなるものであ
る。ここで、Ｃｕメッキ層の表面に、Ｎｉメッキ層、Ｓ
ｎメッキ層またはＳｎ−Ｐｂ合金メッキ層が順次形成さ
れていることが望ましい。

【０００９】また、本発明の積層セラミックコンデンサ
の製造方法は、誘電体層と卑金属を主成分とする内部電
極層とを交互に積層してなるコンデンサ本体の両端面
に、卑金属を主成分とする導電性ペーストを塗布した
後、焼成して下地卑金属層を形成し、この後、前記下地
卑金属層の表面に、ピロりん酸銅を用いたメッキ浴中
で、バレルメッキ法によりＣｕメッキ層を形成する方法
である。ここで、メッキ浴のｐＨ値が８．０〜９．０で
あることが望ましい。

【００１０】

【作用】本発明では、下地卑金属層の表面にＣｕメッキ
層を形成するのに、ピロりん酸銅メッキ浴を用いるが、
このピロりん酸銅のメッキ浴はｐＨ値が７〜９程度であ
るためメッキ浴が弱アルカリ性になり、Ｃｕメッキ工程
の際、下地卑金属層やコンデンサ本体の腐食を抑制して
メッキ液のコンデンサ本体内への浸入を抑制し、あるい
はコンデンサ本体内に浸入したとしても、内部電極層の
腐食、連続通電状態における電気化学的変化を抑制し、
積層セラミックコンデンサの絶縁抵抗、耐熱衝撃性、長
期信頼性を向上できる。特に、メッキ浴のｐＨ値を８．
０〜９．０とすることにより、Ｃｕメッキの析出効率を
向上し、Ｃｕメッキ層の連続性を向上、つまり、均一な
厚みで膜厚を大きくできる。

【００１１】このように、メッキ浴としてピロりん酸銅
のメッキ浴を用いることにより、下地卑金属層の表面に
形成されたＣｕメッキ層中にＰが存在することになる。

【００１２】

【発明の実施の形態】本発明の積層セラミックコンデン
サは、図１に示したように、コンデンサ本体１の両端面
に外部電極２を形成して構成されている。コンデンサ本
体１は、内部電極層３と誘電体層４を交互に積層してな
る容量部５の積層方向の上下両面に、誘電体層４と同一
材料からなる絶縁層６を積層して構成されている。外部
電極２は、下地卑金属層７の表面に順にＣｕメッキ層
８、Ｎｉメッキ層９、Ｓｎメッキ層１０またはＳｎ−Ｐ
ｂ合金メッキ層を形成して構成されている。

【００１３】誘電体層４は、チタン酸バリウムや、チタ
ン酸バリウムに酸化イットリウム、酸化マグネシウム、
炭酸マンガンなどを含有する誘電体磁器であり、焼成後
の１層当たりの層厚みは５〜３０μｍが望しい。

【００１４】内部電極層３は、例えば、Ｎｉ、Ｃｕ等の
卑金属を主成分とするものであり、特にＮｉからなるこ
とが望ましい。内部電極層３は、卑金属を主成分とし、
概略矩形状の導体膜であり、上から第１層目、第３層
目、第５層目等の奇数層の内部電極層３は、その一端が
コンデンサ本体１の一方端面に延出しており、上から第
２層目、第４層目、第６層目等の偶数層の内部電極層３
は、その一端がコンデンサ本体１の他方端面に延出して
いる。

【００１５】卑金属を主成分とする内部電極層３とは、
例えば、Ｎｉのみからなる場合も含まれる概念である
が、Ｎｉの酸化物を含有することがあり、さらに、例え
ば、Ｃｒ、Ｃｏ、Ｃｕ等の金属や化合物等が意図的に、
また不純物として含まれる場合を含め、これらを総称し
て本発明では、卑金属を主成分とする内部電極層３とい
う。

【００１６】外部電極２の一部を構成する下地卑金属層
７は、例えば、Ｎｉ、Ｃｕ等を主成分とするもので、未
焼成のコンデンサ本体１の両端面に、卑金属を主成分と
する導電性ペーストの塗布および脱バインダー、焼成に
よって形成されるものである。下地卑金属層７の厚み
は、均一な厚みでコンデンサ本体１の角部分の露出をな
くすため、３０〜５０μｍが望ましい。

【００１７】例えば、Ｎｉを主成分とする下地卑金属層
７とは、Ｎｉのみからなるものも含まれる概念である
が、Ｎｉの酸化物を含有することがあり、さらに、例え
ば、Ｃｒ、Ｃｏ、Ｃｕ、Ｚｎ等の金属や化合物等が意図
的に、また不純物として含まれる場合を含め、これらを
総称してＮｉを主成分とする下地卑金属層７という。

【００１８】さらに下地卑金属層７の表面にＣｕメッキ
層８が形成されている。Ｃｕメッキ層８は下地卑金属層
７とＮｉ、Ｓｎメッキ層の密着性を向上させるものであ
る。

【００１９】このＣｕメッキ層８にはＰを含有してい
る。

【００２０】Ｃｕメッキ層８の表面には順にＮｉメッキ
層９、Ｓｎメッキ層１０またはＳｎ−Ｐｂ合金メッキ層
が形成されている。これらは下地卑金属層７の半田食わ
れ防止や、半田濡れ性を補うものである。

【００２１】Ｃｕメッキ層８の厚みは、下地卑金属層７
全面を均一な厚みで覆うという点から１〜６μｍ、特に
は、４〜５μｍが望ましい。また、Ｎｉメッキ層９の厚
みは半田食われ防止という点から２〜４μｍが望まし
く、Ｓｎメッキ層１０の厚みは、半田濡れ性を向上させ
るという点から３〜６μｍが望ましい。

【００２２】尚、上記例では、Ｃｕメッキ層８の表面に
Ｎｉメッキ層９、Ｓｎメッキ層１０を形成したが、Ｃｕ
メッキ層８の表面にＮｉメッキ層、Ｓｎ−Ｐｂ合金メッ
キ層を順次形成したり、Ｃｕメッキ層８の表面に直接Ｓ
ｎメッキ層またはＳｎ−Ｐｂ合金メッキ層を形成しても
良い。

【００２３】次に、本発明の積層セラミックコンデンサ
の製造方法の一例を簡単に説明すると、先ず、誘電体粉
末に、有機系粘結剤と媒体から成るバインダーを添加・
攪拌してセラミック泥漿を調製した後、得られたセラミ
ック泥漿を用いて、ドクターブレード法によりグリーン
シートを形成する。

【００２４】得られた誘電体グリーンシート上に、Ｎｉ
を主成分とする内部電極用ペーストを用いて、内部電極
層３となる導体膜を所定形状にスクリーン印刷する。該
内部電極ペーストを印刷したグリーンシートを積層し、
容量部５を形成する。この後、容量部５の上下面に、内
部電極ペーストを印刷していないグリーンシートを積層
し、ホットプレスして一体化し、所定寸法に切断して未
焼成のコンデンサ本体を作製する。

【００２５】そして、未焼成のコンデンサ本体の両端面
のそれぞれに、下地卑金属層用ペーストを塗布する。そ
の後、脱バインダー、焼成して、下地卑金属層７を形成
した後、メッキ浴のｐＨ値を８．０〜９．０に調整した
ピロりん酸銅メッキ浴中に、コンデンサ本体１を浸漬
し、バレルメッキ法にて下地卑金属層７の表面にＣｕメ
ッキ層８を形成する。ピロりん酸銅メッキ浴中にてメッ
キするためＣｕメッキ層８にはＰが存在する。その後、
電子部品に用いられる一般的なメッキ液を用いて、Ｎｉ
メッキ層９、Ｓｎメッキ層１０またはＳｎ−Ｐｂ合金メ
ッキ層を形成することにより、本発明の積層セラミック
コンデンサが得られる。

【００２６】ピロりん酸カリウム水溶液にピロりん酸銅
を混合した液はｐＨ値が７〜９程度であるが、これにア
ンモニア水を混合することによりアルカリ性が強くな
り、また、ポリりん酸を混合することにより酸性が強く
なり、ｐＨ値を８．０〜９．０に調整できる。

【００２７】ｐＨ値を８．０〜９．０に調整したピロり
ん酸銅メッキ浴を用いたのは、従来の強酸性のメッキ浴
では腐食等の問題があるためであり、ｐＨ値を８．０〜
９．０としたのは、積層セラミックコンデンサの絶縁抵
抗、耐熱衝撃性、長期信頼性、銅メッキ層の連続層、つ
まり十分な厚みでしかも均一な厚みで形成する点が良好
であるためである。

【００２８】即ち、ｐＨ値が８．０より低いもしくは
９．０より高くなると、Ｃｕメッキの析出効率が悪くな
るため、水素ガスが発生しやすくなって、卑金属の内部
電極、下地卑金属層に吸蔵され、その際、絶縁抵抗不良
や、耐熱衝撃試験後にクラックが発生し易くなるからで
ある。また、ｐＨ値が８．０より低いもしくは９．０よ
り高くなると、Ｃｕメッキの析出効率が低下するため、
下地卑金属層を十分な厚みに被覆できなくなるからであ
る。

【００２９】

【実施例】先ず、グリーンシートを作製した。即ち、チ
タン酸バリウム（ＢａＴｉＯ₃）と、このチタン酸バリ
ウム１００重量部に対して酸化イットリウム（Ｙ
₂Ｏ₃）を１重量部、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）を
０．２重量部、炭酸マンガン（ＭｎＣＯ₃）０．１重量
部、Ｌｉ₂ＯとＳｉＯ₂とからなるガラス成分（Ｌｉと
Ｓｉのモル比が１：１）を０．５重量部含有する耐還元
性誘電体磁器組成物の粉末を直径が１０ｍｍのＺｒＯ₂
ボールを用いたボールミルにて平均粒径が約０．９μｍ
になるまで湿式粉砕した。

【００３０】なお、平均粒径はレーザー回折方式の粒度
分布計で測定した値である。このセラミック粉末と有機
バインダを混合し、スラリーを得た後、ドクターブレー
ド法により、厚さ１０μｍのグリーンシートに成形し
た。次にこのグリーンシート上に、Ｎｉ粉末と、エチル
セルロース、テルピネオールとからなる内部電極ペース
トを用いてスクリーン印刷した。その際、内部電極の有
効面積は４．５ｍｍ²とした。

【００３１】内部電極ペーストを印刷したグリーンシー
トを１００枚積層し、容量部を形成した。この後、容量
部の上下面に、内部電極ペーストを印刷していないグリ
ーンシートを２０枚積層して絶縁層を形成し、ホットプ
レスして一体化し、所定寸法に切断して未焼成のコンデ
ンサ本体を作製した。

【００３２】次に下地卑金属層を形成するために、未焼
成のコンデンサ本体の両端面にそれぞれ下地卑金属ペー
ストを６０μｍの厚みで塗布する。下地卑金属ペースト
の金属成分となる粉末は、化学純度９９．５％、平均粒
径２．０μｍのＮｉ粉末である。

【００３３】下地卑金属ペーストは、Ｎｉ粉末４５重量
％とバインダー５５重量％とからなる金属粉ペースト
に、誘電体層と同じ耐還元性誘電体磁器組成物の粉末
（平均粒径２．０μｍ）を、金属粉ペースト１００重量
部に対して２０重量部の割合で混合して形成されてい
る。ここで使用されるバインダーは内部電極ペーストの
ものと同様である。

【００３４】この下地卑金属ペーストを塗布した未焼成
のコンデンサ本体を大気中で４００℃にて脱バインダー
処理を行い、その後１２５０℃（酸素分圧は、１０^-11
ａｔｍ）で２時間焼成し、続いて大気雰囲気中８００℃
で再酸化処理をした。この焼成によってコンデンサ本体
の焼成と同時に４０μｍの下地卑金属層の形成が行われ
る。

【００３５】この後、下地卑金属層の表面に、表１に示
す厚みのＣｕメッキ層、３μｍのＮｉメッキ層、５μｍ
のＳｎメッキ層を順次形成した。これらの３層のメッキ
層は、次のメッキ条件で形成した（表１の試料Ｎo.
１）。

【００３６】Ｃｕメッキ層浴組成硫酸銅１８０ｇ／リットル硫酸６５ｇ／リットルｐＨ０．１温度４０℃ 上記組成の浴を用い、バレルメッキ法で下地卑金属層上
に５μｍの厚みのＣｕメッキ層を形成した。

【００３７】Ｎｉメッキ層浴組成硫酸ニッケル１８０ｇ／リットル塩化アンモニウム１５ｇ／リットルホウ酸１５ｇ／リットルｐＨ５．８温度３０℃ 上記組成の浴を用い、バレルメッキ法でＣｕメッキ層表
面に３μｍ厚みのＮｉメッキ層を形成した。Ｓｎメッキ層浴組成硫酸第１錫５５ｇ／リットル硫酸１００ｇ／リットルｐＨ４．５温度２０℃ 上記組成の浴を用い、バレルメッキ法でＮｉメッキ層表
面に５μｍ厚みのＳｎメッキ層を形成した。

【００３８】また、上記Ｃｕメッキ層の形成方法を下記
の方法とする以外は上記と同様にして、積層セラミック
コンデンサを作製した（表１の試料Ｎo.２）。

【００３９】Ｃｕメッキ層浴組成ほうふっ化銅２２５ｇ／リットルほうふっ酸１５ｇ／リットルｐＨ１．０温度３５℃ 上記組成の浴を用い、バレルメッキ法で下地卑金属表面
に５μｍの厚みのＣｕメッキ層を形成した。

【００４０】さらに、上記Ｃｕメッキ層の形成方法を下
記の方法とする以外は上記と同様にして、積層セラミッ
クコンデンサを作製した（表１の試料Ｎo.３〜７）。

【００４１】Ｃｕメッキ層浴組成ピロりん酸銅９０ｇ／リットルピロりん酸カリウム３８０ｇ／リットルアンモニア水（比重０．９）３ｍｌ／リットルポリりん酸５〜１０ｃｃｐＨ７．９〜９．１温度５０℃ 上記組成の浴を用い、バレルメッキ法で下地卑金属層上
に、陰極電流密度を３Ａ／ｄｍ²とし、６０分間メッキ
し、表１に示す厚みのＣｕメッキ層を形成した。

【００４２】さらにまた、上記Ｃｕメッキ層の形成方法
を下記の方法とする以外は上記と同様にして、積層セラ
ミックコンデンサを作製した（表１の試料Ｎo.８）。

【００４３】Ｃｕメッキ層浴組成シアン化銅６０ｇ／リットルシアン化ナトリウム８０ｇ／リットル遊離シアン化ナトリウム７ｇ／リットル水酸化カリウム２５ｇ／リットルｐＨ１２．３温度５０℃ 上記組成の浴を用い、バレルメッキ法で下地卑金属層表
面に５μｍ厚みのＣｕメッキ層を形成した。

【００４４】以上のようにして得られた積層セラミック
コンデンサに対して以下の評価を行った。

【００４５】積層セラミックコンデンサをそれぞれ１０
０個ずつ２５℃において周波数１ＫＨｚおよび入力電圧
１Ｖｒｍｓにて静電容量を測定し、その平均値を算出し
た。

【００４６】また、直流電圧２５Ｖを１分間印加したと
きの絶縁抵抗を測定し、１．０×１０⁹Ω以下を不良と
し、その不良率を算出した。また２５０℃の半田槽に該
積層セラミックコンデンサを３秒浸漬する耐熱衝撃試験
を行った。その試験後、コンデンサ本体にクラックが発
生しているかどうかを観察した。観察は、該積層セラミ
ックコンデンサを１００個ずつ光学顕微鏡（倍率４０
倍）にて行った。

【００４７】絶縁抵抗、耐熱衝撃試験結果が良好な試料
をアルミナ基板上に半田付けして実装し、以下の条件の
湿中負荷試験を行った。その試験方法は、８５℃−８５
％ＲＨの環境下にて定格電圧の２倍の電圧を印加して、
４８時間稼働後の、静電容量、絶縁抵抗をそれぞれ該積
層セラミックコンデンサ１０００個について測定した。

【００４８】作製した積層セラミックコンデンサをその
側面から研磨して、Ｃｕメッキ層が下地卑金属層上に厚
み５μｍで均一に形成されているかどうかを確認した。
さらに、Ｃｕメッキ層を２次イオン分析法（ＳＩＭＳ）
によって分析し、Ｐが存在するかどうかを確認した。

【００４９】これらの試験の際、静電容量値は試験前の
静電容量値に対して試験後の容量低下率が±３０％以上
を不良とした。絶縁抵抗値は、試験後において１．０×
１０⁹Ω以下を不良とし、その不良率を算出した。これ
らの結果を表１に示す。

【００５０】

【表１】

【００５１】この表１より、試料Ｎo.１、２、８は、Ｃ
ｕメッキ浴のｐＨ値がそれぞれ０．１、１．０、１２．
３と、強酸性または強アルカリ性であるため、Ｃｕメッ
キ工程中、コンデンサ本体の下地卑金属層が腐食した
り、その腐食部や、コンデンサ本体の隙間、空孔などか
らメッキ液がコンデンサ本体の内部電極層のＮｉを腐食
したり、あるいはコンデンサ本体内部に残留したメッキ
液が連続通電状態で電気化学的変化を発生させ、絶縁抵
抗に不良が発生したり、耐熱衝撃試験でクラックが発生
したり、湿中負荷試験で静電容量や絶縁抵抗に不良が発
生する。

【００５２】これに対して、本願発明の試料番号４〜６
では、絶縁抵抗では不良が発生せず、耐熱試験でクラッ
クは発生せず、また湿中負荷試験でも静電容量や絶縁抵
抗に不良は発生しない。さらに、本願発明の試料Ｎo.４
〜６の銅メッキ層は厚み５μｍの連続層に形成できてい
る。

【００５３】また試料Ｎo.３、７は、試料Ｎo.４〜６と
同様の条件でメッキを行ったが、ピロりん酸銅メッキ浴
のｐＨ値がそれぞれ７．９、９．１であるため、Ｃｕメ
ッキの析出効率が低下し、試料Ｎo.３が厚み１．５μ
ｍ、試料Ｎo.７が１．７μｍの厚みしか形成されず、Ｃ
ｕメッキ層の連続性が低下した。

【００５４】さらに、Ｃｕメッキの析出効率が低下し、
水素ガスが発生し易くなり、卑金属からなる内部電極
層、下地卑金属層に吸蔵され、絶縁抵抗不良や、耐熱衝
撃試験においてクラックが発生することが判る。

【００５５】

【発明の効果】本発明によれば、下地卑金属層の表面に
ピロりん酸銅メッキ浴を用いてＣｕメッキ層を形成する
と、Ｃｕメッキ層中にＰが存在し、また、ピロりん酸銅
メッキ浴はｐＨ値が７〜９程度であるため弱アルカリ性
になり、Ｃｕメッキ工程の際、下地卑金属層の腐食を抑
制してＣｕメッキ液のコンデンサ本体内への浸入を抑制
し、あるいはコンデンサ本体内に浸入したとしても、内
部電極層の腐食や、連続通電状態における電気化学的変
化を抑制し、積層セラミックコンデンサの絶縁抵抗、耐
熱衝撃性、長期信頼性を向上できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】積層セラミックコンデンサの内部構造を示す縦
断面図である。

【符号の説明】

１・・・・コンデンサ本体２・・・・外部電極３・・・・内部電極層４・・・・誘電体層７・・・・下地卑金属層８・・・・Ｃｕメッキ層９・・・・Ｎｉメッキ層１０・・・・Ｓｎメッキ層

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続きＦターム(参考） 5E001 AB03 AC09 AE00 AE02 AE03 AE04 AF00 AF06 AH01 AH07 AH08 AJ03 5E082 AA01 AB03 BB10 BC33 BC40 EE04 EE23 EE26 EE35 FG06 FG26 FG27 FG32 FG54 GG10 GG11 GG26 GG28 HH43 JJ03 JJ05 JJ12 JJ21 JJ23 LL01 LL03 MM22 MM24 PP10

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】誘電体層と卑金属を主成分とする内部電極
層とを交互に積層してなるコンデンサ本体の両端面に、
外部電極を形成してなる積層セラミックコンデンサであ
って、前記外部電極が、前記内部電極層に接続される下
地卑金属層と、該下地卑金属層の表面に形成され、Ｐを
含有するＣｕメッキ層とを具備してなることを特徴とす
る積層セラミックコンデンサ。
【請求項２】Ｃｕメッキ層の表面に、Ｎｉメッキ層、Ｓ
ｎメッキ層またはＳｎ−Ｐｂ合金メッキ層が順次形成さ
れていることを特徴とする請求項１記載の積層セラミッ
クコンデンサ。
【請求項３】誘電体層と卑金属を主成分とする内部電極
層とを交互に積層してなるコンデンサ本体の両端面に、
卑金属を主成分とする導電性ペーストを塗布した後、焼
成して下地卑金属層を形成し、この後、前記下地卑金属
層の表面に、ピロりん酸銅を用いたメッキ浴中で、バレ
ルメッキ法によりＣｕメッキ層を形成することを特徴と
する積層セラミックコンデンサの製造方法。
【請求項４】メッキ浴のｐＨ値が８．０〜９．０である
ことを特徴とする請求項３記載の積層セラミックコンデ
ンサの製造方法。