CN110993337A - 多层陶瓷电子组件 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种多层陶瓷电子组件，所述多层陶瓷电子组件包括：陶瓷主体，包括介电层以及彼此面对的第一内电极和第二内电极，所述介电层介于所述第一内电极和所述第二内电极之间；以及第一外电极和第二外电极，所述第一外电极电连接到第一内电极，所述第二外电极电连接到第二内电极，所述第一外电极和所述第二外电极设置在陶瓷主体的外部，第一外电极和第二外电极各自包括：第一电极层，包括导电金属；第一镀层，设置在所述第一电极层上并包括镍；以及第二镀层，设置在所述第一镀层上并包括锡，并且t1/t2在1.0至9.0的范围内，其中，t1是包括镍的所述第一镀层的厚度，t2是包括锡的所述第二镀层的厚度。

Description

多层陶瓷电子组件

本申请要求于2018年10月2日在韩国知识产权局提交的第10-2018-0117771号韩国专利申请的优先权的权益，所述韩国专利申请的公开内容通过引用被全部包含于此。

技术领域

本公开涉及一种多层陶瓷电子组件，更具体地，涉及一种具有提高的可靠性的多层陶瓷电子组件。

背景技术

近来，已经开发出具有高的安装密度的基板，并且减小多层陶瓷电容器的安装面积已变得必要。对于其中具有小的厚度的多层陶瓷电容器嵌在基板中或安装在应用处理器的下端作为焊盘侧电容器的产品的需求已经增加。

在这种情况下，不仅可减小安装面积，而且还可减小在基板中发生的等效串联电感(ESL)。因此，已经越来越多地使用具有相对小的厚度的多层陶瓷电容器。

然而，具有小的厚度的多层陶瓷电容器会具有高的脆性和低的抗破裂强度。

低的抗破裂强度会增加多层陶瓷电容器在测量、选择和编带工艺期间破裂的可能性，并且会增加在安装工艺期间破裂的可能性。

因此，为了在商业上使用具有小的厚度的多层陶瓷电容器，可能需要提高具有小的厚度的多层陶瓷电容器的抗破裂强度。

为了提高具有小的厚度的多层陶瓷电容器的抗破裂强度，已经尝试在不影响电性能的实现的情况下将金属层插入主体中。然而，由于已经添加了在不影响电性能的实现的情况下将金属层插入主体中的工艺，因此会增加工艺的数量，并且电容会由于金属层而减小。

发明内容

本公开的一方面可提供一种多层陶瓷电子组件，更具体地，提供一种具有提高的可靠性的多层陶瓷电子组件。

根据本公开的一方面，一种多层陶瓷电子组件包括：陶瓷主体，包括介电层以及彼此面对的第一内电极和第二内电极，并且所述介电层介于所述第一内电极和所述第二内电极之间，并且所述陶瓷主体具有彼此相对的第一表面和第二表面、连接到所述第一表面和所述第二表面且彼此相对的第三表面和第四表面以及连接到所述第一表面至所述第四表面且彼此相对的第五表面和第六表面；以及第一外电极和第二外电极，所述第一外电极电连接到所述第一内电极，所述第二外电极电连接到所述第二内电极，所述第一外电极和所述第二外电极设置在所述陶瓷主体的外表面上。所述第一外电极和所述第二外电极各自包括：第一电极层，包括导电金属；第一镀层，设置在所述第一电极层上并包括镍(Ni)；以及第二镀层，设置在所述第一镀层上并包括锡(Sn)。t1/t2在1.0至9.0的范围内，其中，t1是包括镍(Ni)的所述第一镀层的厚度，t2是包括锡(Sn)的所述第二镀层的厚度。

根据本公开的另一方面，一种多层陶瓷电子组件包括：陶瓷主体，包括介电层以及彼此面对的第一内电极和第二内电极，所述介电层介于所述第一内电极和所述第二内电极之间，并且所述陶瓷主体具有彼此相对的第一表面和第二表面、连接到所述第一表面和所述第二表面且彼此相对的第三表面和第四表面以及连接到所述第一表面至所述第四表面且彼此相对的第五表面和第六表面；以及第一外电极和第二外电极，所述第一外电极电连接到所述第一内电极，所述第二外电极电连接到所述第二内电极，所述第一外电极和所述第二外电极设置在所述陶瓷主体的外表面上。所述第一外电极和所述第二外电极各自包括：第一电极层，包括导电金属；以及镀层，设置在所述第一电极层上并包括铜(Cu)。t3/t4在1.0至9.0的范围内，其中，t3是所述第一电极层的厚度，t4是包括铜(Cu)的所述镀层的厚度。

根据本公开的另一方面，一种多层陶瓷电子组件包括：陶瓷主体，包括介电层以及彼此面对的第一内电极和第二内电极，所述介电层介于所述第一内电极和所述第二内电极之间，并且所述陶瓷主体具有彼此相对的第一表面和第二表面、连接到所述第一表面和所述第二表面且彼此相对的第三表面和第四表面以及连接到所述第一表面至所述第四表面且彼此相对的第五表面和第六表面；以及第一外电极和第二外电极，所述第一外电极电连接到所述第一内电极，所述第二外电极电连接到所述第二内电极，所述第一外电极和所述第二外电极设置在所述陶瓷主体的外表面上。所述第一外电极和所述第二外电极各自包括：第一电极层，包括导电金属；第一镀层，设置在所述第一电极层上并包括镍(Ni)；以及第二镀层，设置在所述第一镀层上并包括锡(Sn)，所述第一镀层覆盖所述第一电极层，并延伸超过位于所述陶瓷主体的所述第一表面和所述第二表面上的所述第一电极层以与所述陶瓷主体直接接触，所述第二镀层覆盖所述第一镀层，并延伸超过位于所述陶瓷主体的所述第一表面和所述第二表面上的所述第一镀层以与所述陶瓷主体直接接触，所述第一镀层的厚度大于或等于5μm，所述第二镀层的厚度大于或等于1μm，并且所述第一镀层和所述第二镀层的厚度之和为10μm或更小。

附图说明

通过以下结合附图进行的详细描述，本公开的以上和其他方面、特征和优点将被更清楚地理解，在附图中：

图1是示出根据本公开中的示例性实施例的多层陶瓷电容器的透视图；

图2是示出根据本公开中的示例性实施例的陶瓷主体的示图；

图3是图2的分解透视图；

图4是根据本公开中的示例性实施例的沿图1中的线I-I'截取的截面图；

图5是根据本公开中的另一示例性实施例的沿图1中的线I-I'截取的截面图；

图6是示出根据本公开中的另一示例性实施例的多层陶瓷电容器的透视图；

图7是根据本公开中的另一示例性实施例的沿图6中的线II-II'截取的截面图；

图8是根据本公开中的另一示例性实施例的沿图6中的线II-II'截取的截面图；以及

图9是根据本公开中的另一示例性实施例的沿图1中的线I-I'截取的截面图。

具体实施方式

在下文中，将参照附图对本公开的实施例作如下描述。

然而，本公开可以以许多不同的形式来进行例证，并且不应该被解释为限于这里阐述的具体实施例。更确切地说，提供这些实施例使得本公开将是彻底的和完整的，并且将本公开的范围充分传达给本领域技术人员。因此，为了清楚描述，可夸大附图中的元件的形状和尺寸，并且由相同的附图标记指示的元件在附图中是相同的元件。

此外，在整个说明书中，将理解的是，当部分“包括”元件时，除非另有说明，否则该部分还可以包括另外的元件，而不排除另外的元件。

在附图中，可省略特定的元件以清楚地描述本公开，并且为了清楚地表达多个层和区域，可夸大厚度。将使用相同的附图标记来描述在相同概念的范围内具有相同功能的相同元件。

图1是示出根据第一示例性实施例的多层陶瓷电容器的透视图。

图2是示出根据第一示例性实施例的陶瓷主体的示图。

图3是图2的分解透视图。

图4是根据本示例性实施例的沿图1中的线I-I'截取的截面图。

参照图1至图4，根据示例性实施例的多层陶瓷电子组件可包括：陶瓷主体110，包括介电层111以及彼此面对的第一内电极121和第二内电极122，介电层111介于第一内电极121和第二内电极122之间，并且陶瓷主体110具有彼此相对的第一表面S1和第二表面S2、连接到第一表面和第二表面并彼此相对的第三表面S3和第四表面S4以及连接到第一表面至第四表面并且彼此相对的第五表面S5和第六表面S6；以及电连接到第一内电极121的第一外电极131和电连接到第二内电极122的第二外电极132，第一外电极131和第二外电极132设置在陶瓷主体110的外部。第一外电极131可包括：第一电极层131a，包括导电金属；第一镀层131b，设置在第一电极层131a上并且包括镍(Ni)；以及第二镀层131c，设置在第一镀层131b上并包括锡(Sn)。第二外电极132可包括：第一电极层132a，包括导电金属；第一镀层132b，设置在第一电极层132a上并且包括镍(Ni)；以及第二镀层132c，设置在第一镀层132b上并包括锡(Sn)。

在示例性实施例中，第一镀层131b覆盖第一电极层131a，并延伸超过位于陶瓷主体110的第一表面S1和第二表面S2上的第一电极层131a以与陶瓷主体110直接接触，第二镀层131c覆盖第一镀层131b，并延伸超过位于陶瓷主体110的第一表面S1和第二表面S2上的第一镀层131b以与陶瓷主体110直接接触。第一镀层132b覆盖第一电极层132a，并延伸超过位于陶瓷主体110的第一表面S1和第二表面S2上的第一电极层132a以与陶瓷主体110直接接触，第二镀层132c覆盖第一镀层132b，并延伸超过位于陶瓷主体110的第一表面S1和第二表面S2上的第一镀层132b以与陶瓷主体110直接接触。

在下面的描述中，将描述根据示例性实施例的多层陶瓷电子组件，具体是多层陶瓷电容器，但多层陶瓷电子组件不限于此。

对于根据示例性实施例的多层陶瓷电容器，长度方向可被定义为“L”方向，宽度方向可被定义为“W”方向，并且厚度方向可被定义为“T”方向。厚度方向可与层叠方向(层叠介电层所沿的方向)相同。

在示例性实施例中，陶瓷主体110可不限于任何具体形状。如所示出的，陶瓷主体110可具有例如六面体形状。

陶瓷主体110可具有彼此相对的第一表面S1和第二表面S2、连接到第一表面和第二表面并彼此相对的第三表面S3和第四表面S4以及连接到第一表面至第四表面并且彼此相对的第五表面S5和第六表面S6。

第一表面S1和第二表面S2可在陶瓷主体110的厚度方向上彼此面对，第三表面S3和第四表面S4可在陶瓷主体110的长度方向上彼此面对，并且第五表面S5和第六表面S6可在陶瓷主体110的宽度方向上彼此面对。

设置在陶瓷主体110中的多个内电极121的一端和多个内电极122的一端可分别暴露于陶瓷主体110的第五表面S5和第六表面S6。

关于内电极121和122，具有不同极性的第一内电极121和第二内电极122可以是一对。

第一内电极121的一端可暴露于第五表面S5，并且第二内电极122的一端可暴露于第六表面S6。

第一内电极121的另一端和第二内电极122的另一端可形成为与第六表面S6或第五表面S5分开，并且第一内电极121的另一端与第六表面S6之间具有一定间距，第二内电极122的另一端与第五表面S5之间具有一定间距。稍后将更详细地描述该构造。

第一外电极131和第二外电极132可分别形成在陶瓷主体110的第五表面S5和第六表面S6上，并电连接到内电极。

根据示例性实施例，只要可获得足够的电容，介电层111的材料可不限于任何具体材料。例如，介电层111的材料可以是钛酸钡(BaTiO₃)粉末。

作为介电层111的材料，可根据预期目的将各种陶瓷添加剂、有机溶剂、粘合剂、分散剂等添加到钛酸钡(BaTiO₃)粉末等。

陶瓷主体110可具有：有效部A，对形成电容器的电容有贡献的部分；以及上覆盖部C和下覆盖部C，分别形成在有效部A的上部和下部上作为上边缘部和下边缘部。

有效部A可通过重复地层叠多个第一内电极121和多个第二内电极122形成，并且介电层111介于第一内电极121和第二内电极122之间。

上覆盖部C和下覆盖部C可具有与介电层111的材料和成分相同的材料和成分，但上覆盖部C和下覆盖部C可不包括内电极。

换句话说，上覆盖部C和下覆盖部C可包括诸如以钛酸钡(BaTiO₃)陶瓷材料为例的陶瓷材料。

上覆盖部C和下覆盖部C可通过分别在有效部A的上表面和下表面上设置单个介电层或层叠两个或更多个介电层来形成，并且可防止由物理应力或化学应力引起的对内电极的损坏。

第一内电极121和第二内电极122的材料可不限于任何具体的材料。第一内电极121和第二内电极122可利用包括银(Ag)、铅(Pb)、铂(Pt)、镍(Ni)和铜(Cu)中的一种或更多种的导电膏形成。

根据示例性实施例的多层陶瓷电容器可包括：第一外电极131，电连接到第一内电极121；以及第二外电极132，电连接到第二内电极122。

第一外电极131和第二外电极132可电连接到第一内电极121和第二内电极122以形成电容，并且第二外电极132可连接到与第一外电极131的电势不同的电势。

第一内电极121和第二内电极122可设置为彼此相对，同时介电层111介于第一内电极121和第二内电极122之间，并且第一内电极121和第二内电极122可分别暴露于陶瓷主体110的在宽度方向上的第五表面S5和第六表面S6。

由于第一内电极121和第二内电极122分别暴露于陶瓷主体110的在宽度方向上的第五表面S5和第六表面S6，因此可实现反向几何电容器(RGC)或低电感片式电容器(LICC)，这将在稍后描述。

在传统的多层陶瓷电子组件中，外电极可设置在陶瓷主体在长度方向上彼此相对的表面上。

在这种情况下，由于电流路径长，因此当交流电(AC)施加到外电极时，可能形成大的电流回路，并且感应磁场可能变大，这会导致电感增加。

为了解决上述问题，根据示例性实施例，第一外电极131和第二外电极132可设置在陶瓷主体110的在宽度方向上彼此相对的第五表面S5和第六表面S6上，以减小电流路径。

在这种情况下，由于第一外电极131和第二外电极132之间的间距小，因此可减小电流路径，并且还可减小电流回路，这可减小电感。

第一外电极131和第二外电极132可分别设置在陶瓷主体110在宽度方向上的第五表面S5和第六表面S6上，并且可均沿宽度方向延伸到陶瓷主体110的第一表面S1的部分和第二表面S2的部分。

根据示例性实施例，设置在陶瓷主体110的第一表面S1和第二表面S2上的第一外电极131和第二外电极132可分别占据陶瓷主体110的第一表面S1和第二表面S2的50％或更大的面积。

第一外电极131可包括：第一电极层131a，设置在陶瓷主体110的外部上并且包括导电金属；第一镀层131b，设置在第一电极层131a上并包括镍(Ni)；第二镀层131c，设置在第一镀层131b上并包括锡(Sn)。第二外电极132可包括：第一电极层132a，设置在陶瓷主体110的外部上并且包括导电金属；第一镀层132b，设置在第一电极层132a上并包括镍(Ni)；第二镀层132c，设置在第一镀层132b上并包括锡(Sn)。

参照图4，镀层可具有两层，并且镀层可包括：第一镀层131b和132b，包括镍(Ni)；以及第二镀层131c和132c，设置在第一镀层131b和132b上并且包括锡(Sn)。然而，其示例性实施例不限于此。

第一电极层131a和132a可包括导电金属和玻璃。

为了形成电容，第一外电极131和第二外电极132可分别形成在陶瓷主体110在宽度方向上的第五表面S5和第六表面S6上，并且包括在第一外电极131中的第一电极层131a和包括在第二外电极132中的第一电极层132a可分别电连接到第一内电极121和第二内电极122。

第一电极层131a和132a可利用与第一内电极121和第二内电极122的材料相同的材料形成，但第一电极层131a和132a的材料不限于此。第一电极层131a和132a的材料可包括例如从包括铜(Cu)、银(Ag)、镍(Ni)和它们的合金的组中选择的一种或更多种导电金属。

第一电极层131a和132a可通过涂覆导电膏并执行烧结工艺来形成，导电膏通过向导电金属的粉末添加玻璃料(glass frit)制成。

换句话说，第一电极层131a和132a可以是包括导电金属和玻璃的烧结电极层。

根据示例性实施例，第一外电极131可包括：第一镀层131b，设置在第一电极层131a上并且包括镍(Ni)，以及第二镀层131c，设置在第一镀层131b上并包括锡(Sn)。第二外电极132可包括：第一镀层132b，设置在第一电极层132a上并且包括镍(Ni)，以及第二镀层132c，设置在第一镀层132b上并包括锡(Sn)。

根据示例性实施例，多层陶瓷电容器可具有110μm或更小的厚度(T)。

具有小的厚度(110μm或更小的厚度)的多层陶瓷电容器已越来越多地被使用。然而，具有小的厚度(110μm或更小的厚度)的多层陶瓷电容器会具有高的脆性和低的抗破裂强度。

低的抗破裂强度会增加多层陶瓷电容器在测量、选择和编带工艺期间破裂的可能性，并且会增加在安装工艺期间破裂的可能性。

根据示例性实施例，为了提高具有小的厚度(110μm或更小的厚度)的多层陶瓷电容器的低的抗破裂强度，可调节包括镍(Ni)的第一镀层的厚度(t1)与包括锡(Sn)的第二镀层的厚度(t2)之间的比(t1/t2)，从而提高具有小的厚度的多层陶瓷电容器的抗破裂强度。

根据示例性实施例，可调节包括镍(Ni)的第一镀层131b和132b的厚度(t1)与包括锡(Sn)的第二镀层131c和132c的厚度(t2)之间的比(t1/t2)以在1.0至9.0的范围内，可增加具有小的厚度(110μm或更小的厚度)的多层陶瓷电容器的抗破裂强度，从而防止由于工艺期间出现的破裂和裂纹引起的可靠性的劣化。

换句话说，根据示例性实施例，通过将包括镍(Ni)的第一镀层的厚度形成为大于包括锡(Sn)的第二镀层的厚度，可增加具有小的厚度(110μm或更小的厚度)的多层陶瓷电容器的抗破裂强度。

在现有技术中，包括镍(Ni)的第一镀层的厚度与包括锡(Sn)的第二镀层的厚度没有显著差异。然而，随着多层陶瓷电容器的厚度减小，可能有必要确保特定水平的镀层厚度，并且多层陶瓷电容器的抗破裂强度与镀层的厚度的平方成比例地减小。

然而，如果镀层的厚度过度增加以增强多层陶瓷电容器的抗破裂强度，则会增加外电极占据的区域，并且可能难以实现具有高电容的多层陶瓷电容器。

根据示例性实施例，为了增强具有小的厚度(110μm或更小的厚度)的多层陶瓷电容器的抗破裂强度，并且同时实现高电容的多层陶瓷电容器，第一镀层的厚度和第二镀层的厚度之间的期望的比可以在镀层的限制的厚度内得到。

根据示例性实施例，可确定包括镍(Ni)的第一镀层的厚度(t1)与包括锡(Sn)的第二镀层的厚度(t2)之间的比(t1/t2)。在具有110μm或更大的厚度的多层陶瓷电容器(在现有技术中被公开)的情况下，在工艺期间不会发生破裂和裂纹，并且在示例性实施例中得出的比可能不适用于现有技术中的多层陶瓷电容器。

当包括镍(Ni)的第一镀层的厚度(t1)与包括锡(Sn)的第二镀层的厚度(t2)之间的比(t1/t2)小于1.0时，抗破裂强度可能不会显著增加。

当包括镍(Ni)的第一镀层的厚度(t1)与包括锡(Sn)的第二镀层的厚度(t2)之间的比(t1/t2)大于9.0时，由外电极占据的区域的厚度和陶瓷主体110的厚度之间的比可能非常高，并且可能无法实现具有高电容的多层陶瓷电容器。

根据示例性实施例，第一镀层131b的厚度与第二镀层131c的厚度之和可以是10μm或更小，并且第一镀层132b的厚度与第二镀层132c的厚度之和可以是10μm或更小。

根据示例性实施例，第一镀层131b的厚度大于或等于5μm，第二镀层131c的厚度大于或等于1μm；第一镀层132b的厚度大于或等于5μm，第二镀层132c的厚度大于或等于1μm。

根据示例性实施例，为了提高具有小的厚度(110μm或更小的厚度)的多层陶瓷电容器的抗破裂强度，并且同时实现高电容的多层陶瓷电容器，包括镍(Ni)的第一镀层131b和132b的厚度(t1)与包括锡(Sn)的第二镀层131c和132c的厚度(t2)之间的比(t1/t2)可以在1.0至9.0的范围内，并且第一镀层131b的厚度与第二镀层131c的厚度之和可以是10μm或更小，第一镀层132b的厚度与第二镀层132c的厚度之和可以是10μm或更小。

如果第一镀层的厚度与第二镀层的厚度之和大于10μm，则外电极所占的区域的厚度与陶瓷主体110的厚度之间的比可能非常高，并且可能无法实现具有高电容的多层陶瓷电容器。

图5是根据另一示例性实施例的沿图1中的线I-I'截取的截面图。

如上所述，镀层可具有两层，并且镀层可分别包括第一镀层131b和132b以及第二镀层131c和132c。

参照图5，在根据示例性实施例的多层陶瓷电容器中，第一外电极131和第二外电极132还可分别包括包括铜(Cu)的第三镀层131d和132d，第三镀层131d位于第一电极层131a与第一镀层131b之间并设置在第一电极层131a上，第三镀层132d位于第一电极层132a与第一镀层132b之间并设置在第一电极层132a上。第三镀层131d和132d可用于防止镀液的渗透。

根据示例性实施例，设置在陶瓷主体110的第一表面S1和第二表面S2上的第一外电极131和第二外电极132可分别占据陶瓷主体110的第一表面S1和第二表面S2的50％或更大的面积。

图6是示出根据另一示例性实施例的多层陶瓷电容器的透视图。

图7是根据另一示例性实施例的沿图6的线II-II'截取的截面图。

参照图6和图7，与上述示例性实施例中的多层陶瓷电容器100相比，在多层陶瓷电容器200中，第一外电极231和第二外电极232可设置在陶瓷主体210的第一表面S1和第二表面S2上并彼此分开。设置在第一表面S1和第二表面S2上的第一外电极231可通过贯穿陶瓷主体210并设置在陶瓷主体210中的第一过孔241彼此连接，并且设置在第一表面和第二表面上的第二外电极232可通过贯穿陶瓷主体210并设置在陶瓷主体210中的第二过孔242彼此连接。

第一外电极231可设置在陶瓷主体210的第一表面S1和第二表面S2上。

设置在陶瓷主体210的第一表面S1和第二表面S2上的第一外电极231可通过贯穿陶瓷主体210并设置在陶瓷主体210中的第一过孔241彼此连接。

第二外电极232可设置在陶瓷主体210的第一表面S1和第二表面S2上，并且可与第一外电极231分开。

根据示例性实施例，第一外电极231和第二外电极232可沿长度方向设置在陶瓷主体210的第一表面S1和第二表面S2上并且在宽度方向上彼此分开。然而，其示例性实施例不限于此。例如，第一外电极231和第二外电极232可形成直到陶瓷主体210的第一表面S1和第二表面S2与第三表面S3和第四表面S4之间的边界。

此外，第一外电极231和第二外电极232可设置在陶瓷主体210的第一表面S1和第二表面S2上，可在宽度方向上彼此分开并且可彼此面对。

第一过孔241可连接到第一内电极221，并且可与第二内电极222绝缘，并且第二过孔242可连接到第二内电极222，并且可与第一内电极221绝缘。

设置在陶瓷主体210的第一表面S1和第二表面S2上的第一外电极231可通过贯穿陶瓷主体210并设置在陶瓷主体210中的第一过孔241彼此连接。由于第一过孔241连接到第一内电极221并且与第二内电极222绝缘，因此第一外电极231可电连接到第一内电极221。

设置在陶瓷主体210的第一表面S1和第二表面S2上的第二外电极232可通过贯穿陶瓷主体210并设置在陶瓷主体210中的第二过孔242彼此连接。由于第二过孔242连接到第二内电极222并且与第一内电极221绝缘，因此第二外电极232可电连接到第二内电极222。

根据示例性实施例，第一内电极221和第二内电极222可不暴露于陶瓷主体210的侧表面，并且可通过沿厚度方向贯穿陶瓷主体210的第一过孔241和第二过孔242分别连接到第一外电极231和第二外电极232。

在根据示例性实施例的多层陶瓷电容器的情况下，由于第一外电极231和第二外电极232设置在陶瓷主体210的第一表面S1和第二表面S2上，并且在宽度方向上彼此分开且彼此面对，因此可实现反向几何电容器(RGC)或低电感片式电容器(LICC)。

可通过在陶瓷主体210以及第一内电极221和第二内电极222中形成孔并且利用导电材料填充孔来形成第一过孔241和第二过孔242。可通过涂覆导电膏或通过镀覆工艺等来涂覆导电材料。陶瓷主体210中的孔可通过在陶瓷生片上执行激光工艺或冲压工艺来形成，或者可通过在烧结工艺之后在层叠体上形成孔来获得。

在根据示例性实施例的多层陶瓷电容器200中，第一内电极221和第二内电极222可通过第一过孔241和第二过孔242分别连接到第一外电极231和第二外电极232，并且可显著增加第一内电极221和第二内电极222之间的重叠面积。

因此，在不应用通过减小介电层和内电极的厚度等来增加内电极层的数量的方法的情况下，增加电容器的电容可以是可行的。此外，由于相同类型的内电极通过第一过孔241和第二过孔242彼此电连接，因此即使当多层陶瓷电容器的厚度非常小(例如，厚度为110μm或更小)时，仍可提高内电极的连接性。

根据示例性实施例，第一外电极231可包括：第一电极层231a，包括导电金属；第一镀层231b，设置在第一电极层231a上并包括镍(Ni)；以及第二镀层231c，设置在第一镀层231b上并包括锡(Sn)。第二外电极232可包括：第一电极层232a，包括导电金属；第一镀层232b，设置在第一电极层232a上并包括镍(Ni)；以及第二镀层232c，设置在第一镀层232b上并包括锡(Sn)。

此外，通过调节包括镍(Ni)的第一镀层231b和232b的厚度(t1)与包括锡(Sn)的第二镀层231c和232c的厚度(t2)之间的比(t1/t2)以在1.0至9.0的范围内，可增加具有小的厚度(110μm或更小的厚度)的多层陶瓷电容器的抗破裂强度，从而防止由工艺期间发生的破裂和裂纹引起的可靠性的劣化。

将不重复前述示例性实施例中描述的多层陶瓷电容器的描述。

图8是根据另一示例性实施例的沿图6中的线II-II'截取的截面图。

根据上述示例性实施例，镀层可具有两层，并且镀层可包括第一镀层231b和232b以及第二镀层231c和232c。

参照图8，在根据另一示例性实施例的多层陶瓷电容器中，第一外电极231和第二外电极232还可分别包括包括铜(Cu)的第三镀层231d和232d，第三镀层231d位于第一电极层231a与第一镀层231b之间并设置在第一电极层231a上，第三镀层232d位于第一电极层232a与第一镀层232b之间并设置在第一电极层232a上。

根据示例性实施例，设置在陶瓷主体210的第一表面S1和第二表面S2上的第一外电极231和第二外电极232可分别占据陶瓷主体210的第一表面S1和第二表面S2的50％或更大的面积。

图9是根据另一示例性实施例的沿图1中的线I-I'截取的截面图。

参照图9，根据示例性实施例的多层陶瓷电子组件可包括：陶瓷主体110，陶瓷主体110包括介电层111以及彼此面对的第一内电极121和第二内电极122，并且介电层111介于第一内电极121和第二内电极122之间，并且陶瓷主体110具有彼此相对的第一表面S1和第二表面S2、连接到第一表面和第二表面并彼此相对的第三表面S3和第四表面S4以及连接到第一表面至第四表面并且彼此相对的第五表面S5和第六表面S6；以及第一外电极131'和第二外电极132'，第一外电极131'电连接到第一内电极121，第二外电极132'电连接到第二内电极122，第一外电极131'和第二外电极132'设置在陶瓷主体110的外部。第一外电极131'可包括：第一电极层131a'，包括导电金属；镀层131b'，设置在第一电极层131a'上并包括铜(Cu)。第二外电极132'可包括：第一电极层132a'，包括导电金属；镀层132b'，设置在第一电极层132a'上并包括铜(Cu)。第一电极层131a'和132a'的厚度(t3)与包括铜(Cu)的镀层131b'和132b'的厚度(t4)之间的比(t3/t4)在1.0至9.0的范围内。

由于在示例性实施例中，第一外电极131'和第二外电极132'包括位于第一电极层131a'和132a'(包括导电金属)上的镀层131b'和132b'(包括铜(Cu))，因此根据示例性实施例的多层陶瓷电容器可用作安装在基板中的多层陶瓷电容器。

根据示例性实施例，由于第一外电极131'和第二外电极132'包括位于其外部上的包括铜(Cu)的镀层131b'和132b'，因此可改善与铜(Cu)(基板中的过孔的材料)的电连接性。

换句话说，由于多层陶瓷电容器100是用于安装在印刷电路板上的，因此根据示例性实施例的多层陶瓷电容器100可不安装在基板上，并且多层陶瓷电容器的包括铜(Cu)的镀层131b'和132b'通过在印刷电路板中利用铜(Cu)形成的过孔电连接。因此，可提高与铜(Cu)(印刷电路板中的过孔的材料)的电连接性。

根据示例性实施例，设置在陶瓷主体110的第一表面S1和第二表面S2上的第一外电极131'和第二外电极132'可分别占据陶瓷主体110的第一表面S1和第二表面S2的50％或更大的面积。

第一电极层131a'和132a'可利用与第一内电极121和第二内电极122的材料相同的材料形成，但是第一电极层131a'和132a'的材料不限于此。第一电极层131a'和132a'的材料可包括例如从包括铜(Cu)、银(Ag)、镍(Ni)及它们的合金的组中选择的一种或更多种导电金属。

在下面的描述中，将根据示例性实施例描述制造多层陶瓷电容器的方法。然而，该方法不限于此。

关于根据示例性实施例的制造多层陶瓷电容器的方法，可将形成为包括诸如钛酸钡(BaTiO₃)等的粉末的浆料涂覆在载体膜上并干燥以形成多个陶瓷生片，并且可利用陶瓷生片形成介电层。

陶瓷生片可以是具有特定厚度(μm)的片，其可利用由陶瓷粉末、粘合剂和溶剂的混合物形成的浆料并且通过对浆料执行刮刀工艺来制造。

然后，可制备用于内电极的导电膏，导电膏具有平均尺寸在0.1μm至0.2μm之间的镍颗粒并且包括40重量份至50重量份(相对于100重量份的导电膏)的范围内的镍粉末。

可通过使用印刷工艺在生片上涂覆用于内电极的导电膏来形成内电极，可层叠其上设置有内电极图案的生片，并且可形成陶瓷主体110。

此后，可在陶瓷主体的外部形成包括导电材料和玻璃的第一电极层。

导电材料可没有具体限制。导电材料可包括例如从由铜(Cu)、银(Ag)、镍(Ni)及它们的合金组成的组中选择的一种或更多种导电金属。

在示例性实施例中，可使用镍(Ni)作为导电金属来形成第一电极层。

玻璃可没有具体限制。玻璃可具有与用于制造普通的多层陶瓷电容器的外电极的玻璃的成分相同的成分。

第一电极层可形成在陶瓷主体的上表面和下表面以及端部上，并且可电连接到第一内电极和第二内电极。

与导电金属相比，第一电极层可包括5％或更高(按体积)(相对于第一电极层的总体积)的玻璃。

然后，可在第一电极层上形成包括镍(Ni)的第一镀层。

此后，可在第一镀层上形成包括锡(Sn)的第二电极层。

下面的表1示出了根据包括在外电极中的第一镀层的厚度和第二镀层的厚度之间的比的片强度(N)。

根据包括在外电极中的第一镀层的厚度和第二镀层的厚度之间的比测量的片强度(N)的值小于1.70N(片强度被认为低)的样本被选择为比较示例。

表1

*比较示例

在表1中，在作为比较示例的样本1-4中，包括镍(Ni)的第一镀层131b和132b的厚度t1与包括锡(Sn)的第二镀层131c和132c的厚度t2之间的比(t1/t2)小于1.0，抗破裂强度低。结果，抗破裂强度没有显著增加。

在样本5至9中，包括镍(Ni)的第一镀层131b和132b的厚度t1与包括锡(Sn)的第二镀层131c和132c的厚度t2之间的比(t1/t2)在如示例性实施例中的1.0至9.0的范围内，增加了具有小的厚度(110μm或更小的厚度)的多层陶瓷电容器的抗破裂强度。结果，可防止由在工艺期间发生的破裂和裂纹而引起的可靠性的劣化。

在样本10中，包括镍(Ni)的第一镀层131b和132b的厚度t1与包括锡(Sn)的第二镀层131c和132c的厚度t2之间的比(t1/t2)大于9.0，并且由外电极所占据的区域的厚度与陶瓷主体110的厚度之间的比非常高。结果，不可能实现具有高电容的多层陶瓷电容器。

根据前述示例性实施例，通过调节包括镍的第一镀层的厚度与包括锡的第二镀层的厚度之间的比，可增加具有小的厚度的多层陶瓷电容器的抗破裂强度并且可防止由在工艺期间发生的破裂和裂纹引起的可靠性的劣化。

虽然以上已经示出并描述了示例性实施例，但是对于本领域技术人员而言将显而易见的是，在不脱离由所附权利要求限定的本发明的范围的情况下，可进行修改和变型。

Claims (21)

1.一种多层陶瓷电子组件，包括：

陶瓷主体，包括介电层以及彼此面对的第一内电极和第二内电极，并且所述介电层介于所述第一内电极和所述第二内电极之间，并且所述陶瓷主体具有彼此相对的第一表面和第二表面、连接到所述第一表面和所述第二表面且彼此相对的第三表面和第四表面以及连接到所述第一表面至所述第四表面且彼此相对的第五表面和第六表面；以及

第一外电极和第二外电极，所述第一外电极电连接到所述第一内电极，所述第二外电极电连接到所述第二内电极，所述第一外电极和所述第二外电极设置在所述陶瓷主体的外表面上，

其中，所述第一外电极和所述第二外电极各自包括：第一电极层，包括导电金属；第一镀层，设置在所述第一电极层上并包括镍；以及第二镀层，设置在所述第一镀层上并包括锡，并且

其中，t1/t2在1.0至9.0的范围内，其中，t1是包括镍的所述第一镀层的厚度，t2是包括锡的所述第二镀层的厚度。

2.根据权利要求1所述的多层陶瓷电子组件，其中，所述第一镀层的厚度和所述第二镀层的厚度之和为10μm或更小。

3.根据权利要求1所述的多层陶瓷电子组件，其中，所述第一电极层是烧结电极层，所述烧结电极层包括玻璃和从包括铜、银、镍和它们的合金的组中选择的至少一种导电金属。

4.根据权利要求3所述的多层陶瓷电子组件，其中，所述第一电极层包括镍。

5.根据权利要求1所述的多层陶瓷电子组件，所述多层陶瓷电子组件还包括：

包括铜的第三镀层，设置在所述第一电极层和所述第一镀层之间。

6.根据权利要求1所述的多层陶瓷电子组件，其中，所述多层陶瓷电子组件的厚度为110μm或更小。

7.根据权利要求1所述的多层陶瓷电子组件，其中，所述陶瓷主体的长度是所述第三表面和所述第四表面之间的距离，所述陶瓷主体的宽度是所述第五表面和所述第六表面之间的距离，并且所述第一内电极和所述第二内电极分别暴露于所述第五表面和所述第六表面。

8.根据权利要求1所述的多层陶瓷电子组件，其中，所述第一外电极和所述第二外电极分别设置在所述陶瓷主体的所述第五表面和所述第六表面上，并且第一外电极和所述第二外电极均延伸到所述第一表面的部分和所述第二表面的部分。

9.根据权利要求1所述的多层陶瓷电子组件，其中，所述第一外电极和所述第二外电极均设置在所述陶瓷主体的所述第一表面和所述第二表面上并在所述陶瓷主体的宽度方向上彼此分开，设置在所述第一表面和所述第二表面上的所述第一外电极通过贯穿所述陶瓷主体并设置在所述陶瓷主体中的第一过孔彼此连接，并且设置在所述第一表面和所述第二表面上的所述第二外电极通过贯穿所述陶瓷主体并设置在所述陶瓷主体中的第二过孔彼此连接。

10.根据权利要求9所述的多层陶瓷电子组件，其中，所述第一过孔连接到所述第一内电极并且与所述第二内电极绝缘，并且所述第二过孔连接到所述第二内电极并且与所述第一内电极绝缘。

11.根据权利要求1所述的多层陶瓷电子组件，其中，设置在所述陶瓷主体的所述第一表面和所述第二表面上的所述第一外电极和所述第二外电极分别占据所述陶瓷主体的所述第一表面和所述第二表面的面积的50％或更大。

12.根据权利要求8所述的多层陶瓷电子组件，其中，设置在所述陶瓷主体的所述第一表面和所述第二表面上的所述第一外电极和所述第二外电极分别占据所述陶瓷主体的所述第一表面和所述第二表面的面积的50％或更大。

13.根据权利要求9所述的多层陶瓷电子组件，其中，设置在所述陶瓷主体的所述第一表面和所述第二表面上的所述第一外电极和所述第二外电极分别占据所述陶瓷主体的所述第一表面和所述第二表面的面积的50％或更大。

14.一种多层陶瓷电子组件，包括：

陶瓷主体，包括介电层以及彼此面对的第一内电极和第二内电极，并且所述介电层介于所述第一内电极和所述第二内电极之间，并且所述陶瓷主体具有彼此相对的第一表面和第二表面、连接到所述第一表面和所述第二表面且彼此相对的第三表面和第四表面以及连接到所述第一表面至所述第四表面并彼此相对的第五表面和第六表面；以及

第一外电极和第二外电极，所述第一外电极电连接到所述第一内电极，所述第二外电极电连接到所述第二内电极，所述第一外电极和所述第二外电极设置在所述陶瓷主体的外表面上，

其中，所述第一外电极和所述第二外电极各自包括：第一电极层，包括导电金属；镀层，设置在所述第一电极层上并包括铜，并且

其中，t3/t4在1.0至9.0的范围内，其中，t3是所述第一电极层的厚度，t4是包括铜的所述镀层的厚度。

15.根据权利要求14所述的多层陶瓷电子组件，其中，所述第一电极层是烧结电极层，所述烧结电极层包括玻璃和从包括铜、银、镍和它们的合金的组中选择的至少一种导电金属。

16.根据权利要求15所述的多层陶瓷电子组件，其中，所述第一电极层包括镍。

17.根据权利要求14所述的多层陶瓷电子组件，其中，设置在所述陶瓷主体的所述第一表面和所述第二表面上的所述第一外电极和所述第二外电极分别占据所述陶瓷主体的所述第一表面和所述第二表面的面积的50％或更大。

18.一种多层陶瓷电子组件，包括：

陶瓷主体，包括介电层以及彼此面对的第一内电极和第二内电极，并且所述介电层介于所述第一内电极和所述第二内电极之间，并且所述陶瓷主体具有彼此相对的第一表面和第二表面、连接到所述第一表面和所述第二表面且彼此相对的第三表面和第四表面以及连接到所述第一表面至所述第四表面并彼此相对的第五表面和第六表面；以及

第一外电极和第二外电极，所述第一外电极电连接到所述第一内电极，所述第二外电极电连接到所述第二内电极，所述第一外电极和所述第二外电极设置在所述陶瓷主体的外表面上，

其中，所述第一外电极和所述第二外电极各自包括：第一电极层，包括导电金属；第一镀层，设置在所述第一电极层上并包括镍；以及第二镀层，设置在所述第一镀层上并包括锡，并且

其中，所述第一镀层覆盖所述第一电极层，并延伸超过位于所述陶瓷主体的所述第一表面和所述第二表面上的所述第一电极层以与所述陶瓷主体直接接触，

所述第二镀层覆盖所述第一镀层，并延伸超过位于所述陶瓷主体的所述第一表面和所述第二表面上的所述第一镀层以与所述陶瓷主体直接接触，

其中，所述第一镀层的厚度大于或等于5μm，所述第二镀层的厚度大于或等于1μm，

其中，所述第一镀层和所述第二镀层的厚度之和为10μm或更小。

19.根据权利要求18所述的多层陶瓷电子组件，其中，所述第一电极层是烧结电极层，所述烧结电极层包括玻璃和从包括铜、银、镍和它们的合金的组中选择的至少一种导电金属。

20.根据权利要求18所述的多层陶瓷电子组件，其中，设置在所述陶瓷主体的所述第一表面和所述第二表面上的所述第一外电极和所述第二外电极分别占据所述陶瓷主体的所述第一表面和所述第二表面的面积的50％或更大。

21.根据权利要求18所述的多层陶瓷电子组件，其中，所述多层陶瓷电子组件的厚度为110μm或更小。

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