JP2017183574A - 電子部品及び電子部品内蔵型基板 - Google Patents

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雅樹 廣田
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嘉一 笹岡
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Yasunori Taseda
安範 多瀬田
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Shinichiro Kuroiwa
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Abstract

【課題】多層プリント配線基板に内蔵された場合に、層間絶縁層と剥離しにくい電子部品を提供することにある。【解決手段】外部電極13,14の表面に、開口側に向かって開口の径が狭くなっている部分を有する凹部15aが複数設けられている。【選択図】図3

Description

本発明は、電子部品及び電子部品内蔵型基板に関する。
近年、携帯電話や携帯音楽プレーヤーなどの情報端末機器の小型化及び薄型化が進んでいる。それに伴い、コンデンサなどの電子機器に搭載される基板や基板に搭載される電子部品においても、小型化及び薄型化が進んでいる。基板の小型化及び薄型化を図るために、基板に電子部品を内蔵する試みがなされている(例えば、特許文献1を参照。)。特許文献1には、ガラスエポキシ樹脂等の樹脂を含む多層プリント配線基板に電子部品(チップコンデンサ)が内蔵されたチップコンデンサ内蔵基板が記載されている。
特開平06−326472号公報
特許文献1に記載の基板のように、電子部品が内蔵された電子部品内蔵型基板の上に、IC等の他の素子をリフロー実装する場合等においては、電子部品内蔵型基板が高温にさらされることがある。通常、電子部品と層間絶縁層とでは熱膨張率が異なるため、電子部品内蔵型基板が高温になると、電子部品と層間絶縁層とが剥離する場合がある。
本発明の主な目的は、多層プリント配線基板に内蔵された場合に、層間絶縁層と剥離しにくい電子部品を提供することにある。
本発明に係る電子部品は、電子部品本体と、内部電極と、外部電極とを備える。電子部品本体は、第1及び第2の主面と、第1及び第2の側面と、第1及び第2の端面とを有する。第1及び第2の主面は、長さ方向及び長さ方向に直交する幅方向に沿って延びている。第1及び第2の側面は、長さ方向と、長さ方向及び幅方向に直交する積層方向と、に沿って延びる。第1及び第2の端面は、幅方向及び積層方向に沿って延びている。内部電極は、電子部品本体内に配されている。内部電極は、電子部品本体の表面に露出している。外部電極は、電子部品本体の表面の上に設けられている。外部電極は、内部電極と電気的に接続されている。外部電極の表面に、凹部が複数設けられている。凹部は、開口側に向かって開口の径が狭くなっている部分を有する。
本発明に係る電子部品は、外部電極の表面に、開口側に向かって開口の径が狭くなっている部分を有する凹部が複数設けられている。このため、例えば、多層プリント配線基板に内蔵された場合に、多層プリント配線基板の樹脂層に含まれる樹脂が、凹部に入り込む。従って、アンカー効果により、電子部品内蔵型基板が高温にさらされても、電子部品と樹脂層とが剥離しにくい。
本発明に係る電子部品では、外部電極の最外層が、Cuを含み、当該最外層に凹部が設けられていることが好ましい。
本発明に係る電子部品では、最外層が、めっき膜により構成されていることが好ましい。
本発明に係る電子部品では、幅方向の中央において、長さ方向及び積層方向のそれぞれに沿った断面において、外部電極の長さ方向に沿った長さをL1とし、凹部のうち、開口側に向かって開口の径が狭くなっている部分の長さ方向に沿った最短距離をL2とし、複数の凹部のL2の合計をSUM(L2)としたときに、SUM(L2)/L1が5%以上22%以下であることが好ましい。
本発明に係る電子部品では、外部電極が、第1の主面の上に設けられており、外部電極の第1の主面の上に設けられた部分において、SUM(L2)/L1が5%以上22%以下であることが好ましい。
本発明に係る電子部品内蔵型基板は、本発明に係る電子部品と、多層プリント配線基板と、を備える。多層プリント配線基板には、電子部品が内蔵されている。多層プリント配線基板は、樹脂を含む。樹脂が、電子部品の凹部内に入り込んでいる。
本発明に係る電子部品型内蔵型基板では、樹脂が、電子部品の凹部内に入り込んでいる。このため、電子部品内蔵型が高温にさらされても、アンカー効果により、樹脂が凹部から抜けにくい。よって、電子部品と樹脂層とが剥離しにくい。
本発明によれば、多層プリント配線基板に内蔵された場合に、層間絶縁層と剥離しにくい電子部品を提供することができる。
第1の実施形態に係る電子部品の模式的斜視図である。 第1の実施形態に係る電子部品の模式的断面図である。 外部電極の最外層の一部を拡大した模式的断面図である。 第1の実施形態における電子部品内蔵型基板の模式的断面図である。 第2の実施形態に係る電子部品の模式的斜視図である。
以下、本発明を実施した好ましい形態の一例について説明する。但し、下記の実施形態は、単なる例示である。本発明は、下記の実施形態に何ら限定されない。
また、実施形態等において参照する各図面において、実質的に同一の機能を有する部材は同一の符号で参照することとする。また、実施形態等において参照する図面は、模式的に記載されたものである。図面に描画された物体の寸法の比率などは、現実の物体の寸法の比率などとは異なる場合がある。図面相互間においても、物体の寸法比率等が異なる場合がある。具体的な物体の寸法比率等は、以下の説明を参酌して判断されるべきである。
(第1の実施形態)
本実施形態では、図1及び図2に示す電子部品1が、積層セラミックコンデンサである例について説明する。但し、本発明に係る電子部品は、コンデンサに限定されない。本発明に係る電子部品は、例えば、圧電部品、サーミスタ、インダクタ等であってもよい。
図1及び図2に示されるように、電子部品1は、電子部品本体10を備えている。本実施形態においては、電子部品1が積層セラミックコンデンサであるため、電子部品本体10は、例えば、誘電体セラミック材料により形成することができる。誘電体セラミック材料の具体例としては、例えば、BaTiO、CaTiO、SrTiO、CaZrOなどが挙げられる。電子部品本体10には、所望する電子部品1の特性に応じて、上記セラミック材料を主成分として、例えば、Mn化合物、Mg化合物、Si化合物、Fe化合物、Cr化合物、Co化合物、Ni化合物、希土類化合物などの副成分を適宜添加してもよい。
なお、本発明に係る電子部品が圧電部品である場合は、電子部品本体を圧電セラミックスにより形成することができる。圧電セラミックスの具体例としては、例えばPZT(チタン酸ジルコン酸鉛)系セラミックスなどが挙げられる。
本発明に係る電子部品がサーミスタである場合は、電子部品本体を半導体セラミックスにより形成することができる。半導体セラミックスの具体例としては、例えばスピネル系セラミックなどが挙げられる。
本発明に係る電子部品がインダクタである場合は、電子部品本体を磁性体セラミックスにより形成することができる。磁性体セラミックスの具体例としては、例えばフェライトセラミックなどが挙げられる。
図1に示すように、本実施形態において、電子部品本体10は、直方体状に設けられている。ここで、「直方体状」には、角部や稜線部が丸められた直方体が含まれるものとする。
電子部品本体10は、第1及び第2の主面10a、10bと、第1及び第2の側面10c、10dと、第1及び第2の端面10e、10f(図2を参照。)とを有する。第1及び第2の主面10a、10bは、それぞれ、長さ方向L及び幅方向Wに沿って延びている。幅方向Wは、長さ方向Lと直交している。第1及び第2の側面10c、10dは、それぞれ、長さ方向L及び厚み方向Tに沿って延びている。厚み方向Tは、幅方向W及び長さ方向Lのそれぞれと直交している。第1及び第2の端面10e、10fは、それぞれ、幅方向W及び厚み方向Tに沿って延びている。
電子部品本体10の厚み寸法をDT、長さ寸法をDL、幅寸法をDWとしたときに、DT<DW<DL、(1/7)DW≦DT≦(1/3)DW、または、DT<0.25mmが満たされることが好ましい。具体的には、0.05mm≦DT<0.3mm、0.4mm≦DL≦1mm、0.3mm≦DW≦0.5mmであることが好ましい。0.08mm≦DT<0.25mm、0.8mm≦DL≦1.1mm、0.4mm≦DW≦0.5mmであることがより好ましい。
図2に示すように、電子部品1は、電子部品本体10内に配されており、電子部品本体10の表面に露出した内部電極11,12を備えている。すなわち、内部電極11,12は、電子部品本体10の表面に引き出されている。
なお、本実施形態では、電子部品1が2種の内部電極11,12を備える例について説明するが、本発明は、この構成に限定されない。本発明に係る電子部品は、例えば、1種の内部電極のみを有していてもよいし、一つの内部電極のみを有していてもよい。
具体的には、電子部品本体10の内部には、略矩形状の複数の第1及び第2の内部電極11,12が配されている。第1及び第2の内部電極11,12は、それぞれ、長さ方向L及び幅方向Wに沿って延びている。第1の内部電極11は、第1の端面10eに引き出されており、第2の端面10f並びに第1及び第2の側面10c、10dには露出していない。一方、第2の内部電極12は、第2の端面10fに引き出されており、第1の端面10e並びに第1及び第2の側面10c、10dには露出していない。第1の内部電極11と第2の内部電極12とは、厚み方向Tに沿って相互に間隔をおいて交互に設けられている。第1の内部電極11と第2の内部電極12との間に設けられたセラミック部10gの厚みは、例えば、0.5μm以上10μm以下程度とすることができる。第1及び第2の内部電極11,12の厚みは、例えば、0.2μm以上2μm以下程度とすることができる。
第1及び第2の内部電極11,12は、それぞれ、適宜の導電材料により構成することができる。第1及び第2の内部電極11,12は、それぞれ、例えば、Ni、Cu、Ag、Pd、Auなどの金属や、これらの金属の一種を含む例えばAg−Pd合金などの合金により構成することができる。
内部電極の端面10e、10fにおける露出部にガラス層を形成してもよい。内部電極11,12の露出部にガラス層を形成しておくことにより、外部電極13,14の緻密性が低くても耐湿性・耐めっき性を確保することができ、電子部品本体10への外部からの水分の浸入を抑制し、耐湿性・耐めっき性を向上させることができる。
図1及び図2に示すように、電子部品1は、電子部品本体10の表面の上に設けられており、内部電極と電気的に接続された外部電極を備えている。具体的には、電子部品1は、第1の内部電極11に電気的に接続された第1の外部電極13と、第2の内部電極12に電気的に接続された第2の外部電極14とを備えている。もっとも、本発明において、電子部品は、ひとつの外部電極のみを有していてもよい。
具体的には、第1の外部電極13は、第1の端面10eにおいて、第1の内部電極11と接続されている。第1の外部電極13は、少なくとも、第1の主面10aの上に設けられていることが好ましい。本実施形態では、第1の外部電極13は、第1の外部電極13は、第1の端面10eと、第1及び第2の主面10a、10bに跨がって設けられている。
第2の外部電極14は、第2の端面10fにおいて、第2の内部電極12と接続されている。第2の外部電極14は、第1の内部電極11と接続されている。第2の外部電極14は、少なくとも、第1の主面10aの上に設けられていることが好ましい。本実施形態では、第2の外部電極14は、第2の端面10fと、第1及び第2の主面10a、10bとに跨がって設けられている。
第1の内部電極11の金属が、第1の外部電極13に拡散していることが好ましい。第1の内部電極11の金属が第1の外部電極13に拡散している場合、第1の外部電極13の体積が膨張し、第1の外部電極13中に微小な空間が生じにくくなる。従って、第1の外部電極13のシール性を向上することができる。よって、電子部品本体10内に水分等が浸入することを抑制することができる。なお、第1の外部電極13のうち、第1の内部電極11の金属が拡散している部分の厚みは、4μm以上であることが好ましい。
第2の内部電極12の金属が、第2の外部電極14に拡散していることが好ましい。第2の内部電極12の金属が第2の外部電極14に拡散している場合、第2の外部電極14の体積が膨張し、第2の外部電極14中に微小な空間が生じにくくなる。従って、第2の外部電極14のシール性を向上することができる。よって、電子部品本体10内に水分等が浸入することを抑制することができる。なお、第2の外部電極14のうち、第2の内部電極12の金属が拡散している部分の厚みは、4μm以上であることが好ましい。
第1及び第2の外部電極13,14は、それぞれ、適宜の導電材料によって形成することができる。本実施形態では、第1及び第2の外部電極13,14は、それぞれ、電子部品本体10の上に設けられた下地電極層と、下地電極層の上に設けられた金属層との積層体により構成されている。なお、金属層は、めっき層により構成されていることが好ましい。本実施形態では、金属層がめっき層により構成されている例について説明する。
下地電極層は、金属粉とガラス粉とを含んでいることが好ましい。下地電極層の金属粉は、例えば、Ni、Cu,Ag,Pd,Au,Ag−Pd合金などの適宜の金属により構成することができる。下地電極層は、内部電極と同時焼成したものでもよく、内部電極を焼成した後に焼き付けたものであってもよい。また、下地電極層は、めっき層により構成されていてもよいし、熱硬化性樹脂を含む導電性樹脂を硬化させた導電性樹脂層により構成されていてもよい。下地電極層の厚みは、1μm以上20μm以下であることが好ましい。
めっき層は、外部電極13,14の最外層15(図3を参照。)を構成している。めっき層は、例えば、Cu、Ni、Ag、Pd、Ag−Pd合金、Auなどにより構成することができる。めっき層は、複数のめっき層の積層体により構成されていてもよい。めっき層の最外層15は、例えば、Cu、Au、Ag、及びAlからなる群から選ばれる1種の金属または当該金属を含む合金により構成することができる。なかでも、めっき層の最外層15、すなわち、外部電極13,14の最外層15は、Cu又はCu合金により構成されていることが好ましい。すなわち、外部電極13,14の最外層15は、Cuを含むことが好ましく、Cu又はCu合金からなるめっき膜により構成されていることが好ましい。
めっき層の厚みは、例えば、1μm以上10μm以下であることが好ましい。
例えば、電子部品内蔵型基板(電子部品樹脂内蔵基板)内に電子部品1を内蔵する場合、電子部品内蔵型基板に形成された配線と電子部品1とを電気的に接続するために、外部電極13,14に臨むビアホール電極を設けることがある。ビアホール電極を形成するためのビアホールは、例えば、外部電極13,14に対してCOレーザーなどのレーザーを照射することにより形成することができる。Cuを含むめっき膜は、レーザーの反射率が高いため、外部電極13,14の最外層15をCuを含むめっき膜により構成することにより、電子部品本体10がレーザー光により損傷することを効果的に抑制することができる。
なお、最外層15を構成しているめっき層の表面は、酸化されていてもよい。最外層15を構成しているめっき層のうち、外部電極13,14の稜線部を構成している部分の表面が酸化されていることが好ましい。この場合、めっき層の酸化している部分と電子部品内蔵型基板の樹脂に含まれる酸素とが結合し、電子部品1と電子部品内蔵型基板との密着性を向上させることができる。電子部品1と電子部品内蔵型基板との密着性をさらに向上させる観点からは、最外層15を構成しているめっき膜の表面の全体に酸化膜が形成されていることが好ましい。
なお、図示はしないが、第1及び第2の外部電極の少なくとも一部、例えば、下地電極層の一部が、電子部品本体10の内部に埋め込まれていてもよい。この場合、主面上に位置する外部電極13,14の中央部の厚みをt0とし、外部電極13,14の一部が電子部品本体10に埋め込まれている部分の最大の厚みをt1とすると、(1/10)t0≦t1≦(2/5)t0とされていることが好ましい。t1が(1/10)t0未満であると、外部電極13,14と電子部品本体10との密着性が低くなりすぎ、外部電極の剥離が生じやすくなり、信頼性が低くなる場合がある。また、t1が(1/10)t0未満であると、外部電極13,14の埋め込まれていない部分の厚みが大きくなりすぎ、電子部品1の薄型化を十分に図れない場合がある。
他方、t1が(2/5)t0よりも大きい場合は、電子部品1の信頼性が低下してしまう場合がある。より具体的には、外部電極13,14が電子部品本体10の主面10a、10bに埋め込まれる際に、内部電極11,12に大きな応力が付与され、内部電極11,12が損傷してしまい、所望の容量が得られなかったり、短絡が生じてしまったりする場合がある。
外部電極13,14の電子部品本体10に埋没している部分の厚みは、電子部品1の側面10cを電子部品1の幅寸法が1/2となるまで研磨し、露出した断面を光学顕微鏡等を用いて観察することにより、外部電極13,14の第1の主面10a上に位置する部分の長さ方向Lにおける中央部において、第1の主面10aと、外部電極13,14の下面との距離を測定することにより求めることができる。
第1及び第2の外部電極13,14の第1及び第2の主面10a、10b上に位置する部分の先端部の端辺の形状は、直線状であることが好ましい。この場合、外部電極13,14に対してレーザーを照射する際に、レーザーの照射位置がずれた場合であってもレーザーが外部電極13,14に照射されやすく、電子部品本体10に照射され難い。従って、ビアホール電極と外部電極13,14との電気的接続を確実に図ることができると共に、電子部品本体10の損傷を抑制することができる。
ここで、「直線状」とは、主面10a、10b上に形成されている外部電極13,14の幅方向Wにおける両端を結んだ線を基準線として、外部電極13,14の縁端の幅方向Wにおける中央部が、長さ方向Lにおいて基準線±30μmの領域内に位置していることをいう。
電子部品1の製造方法は、特に限定されない。電子部品1は、例えば、以下の要領で製造することができる。
まず、電子部品本体10を構成するためのセラミックグリーンシートを用意する。次に、そのセラミックグリーンシートの上に、導電性ペーストを塗布することにより、導電性ペースト層を形成する。導電性ペーストの塗布は、例えば、スクリーン印刷法などの各種印刷法によって行うことができる。導電性ペーストは、導電性微粒子の他に、バインダーや溶剤を含んでいてもよい。
次に、導電性ペースト層が形成されていない複数枚のセラミックグリーンシートと、第1または第2の内部電極に対応した形状の導電性ペースト層が形成されているセラミックグリーンシートと、導電性ペースト層が形成されていない複数枚のセラミックグリーンシートとをこの順番で積層し、積層方向にプレスすることによって、マザー積層体を作製する。
次に、マザー積層体の上の仮想のカットラインに沿ってマザー積層体をカッティングすることによって、マザー積層体から複数の生のセラミック積層体を作製する。なお、マザー積層体のカッティングは、ダイシングや押切によって行うことができる。生のセラミック積層体に対しては、バレル研磨などを施し、稜線部や角部を丸めてもよい。
次に、生のセラミック積層体の焼成を行う。この焼成工程において、第1および第2の内部電極が焼成される。焼成温度は、使用するセラミック材料や導電性ペーストの種類により適宜設定することができる。焼成温度は、例えば、900℃以上1300℃以下程度とすることができる。
次に、ディッピングなどの方法によって、焼成後のセラミック積層体(電子部品本体)の両端部に導電性ペーストを塗布する。導電性ペーストは、導電性微粒子等に加え、樹脂等の消失剤を含む。次に、セラミック積層体に塗布した導電性ペーストを乾燥する。その後、乾燥した導電性ペーストを焼き付けて焼成電極層を形成する。なお、焼付け温度は、例えば、700℃以上900℃以下とすることが好ましい。
なお、生の電子部品本体の上に導電性ペースト層を形成しておき、電子部品本体及び内部電極と同時に焼成電極層を焼成してもよい。
その後、焼成電極層の上に、1又は複数のめっき層を形成することにより電子部品1を完成させることができる。めっき層は、電解めっき法により形成してもよいし、無電解めっき法により形成してもよいが、電解めっき法を用いてめっき層を形成することがより好ましい。めっき法として、バレルめっき法を採用してもよい。
なお、下地電極層を形成せずに、1又は複数のめっき層のみにより外部電極13,14を構成してもよい。
図4は、本実施形態における電子部品内蔵型基板2の模式的断面図である。
図4に示すように、電子部品内蔵型基板2は、樹脂を含む多層プリント配線基板31と、電子部品1とを備えている。具体的には、電子部品内蔵型基板2は、樹脂又は樹脂組成物(例えば、ガラスエポキシ)により構成された樹脂層32と、積層方向において隣り合う樹脂層32間に形成された配線33と、配線33同士や、配線33と外部電極13,14とを接続しているビアホール電極34とを有する。電子部品1は、多層プリント配線基板31内に内蔵されており、ビアホール電極34を介して配線33と接続されている。
電子部品内蔵型基板2では、電子部品1の外部電極13,14の最外層15に形成された、後に詳述する凹部15a(図3を参照。)内に、樹脂層32の樹脂が入り込んでいる。
ところで、例えば、電子部品が多層プリント配線基板に内蔵された電子部品内蔵型基板の上に、IC(Integrated Circuit)等の他の素子をリフロー実装する場合等に、電子部品内蔵型基板が高温にさらされることがある。その他、電子部品内蔵型基板に対して各種処理を行う場合においても、電子部品内蔵型基板が高温にさらされることがある。電子部品と樹脂層とでは熱膨張率が異なるため、電子部品が内蔵された電子部品内蔵型基板では、電子部品内蔵型基板の温度が変化した際に、電子部品と樹脂層との間に応力が負荷し、電子部品と樹脂層とが剥離する場合がある。
図3に示すように、電子部品1では、外部電極13,14の表面に複数の凹部15aが設けられている。具体的には、外部電極13,14の表面に、開口側に向かって開口の径が狭くなっている部分を有する凹部15aが複数設けられている。このため、電子部品1が多層プリント内蔵型基板に内蔵された場合(図4を参照。)に、樹脂層32に含まれる樹脂が、凹部15aに入り込む。従って、電子部品内蔵型基板2が高温にさらされることにより電子部品と樹脂層との間に応力が加わった場合でも、アンカー効果により、樹脂が凹部15aから抜けにくい。従って、電子部品1と樹脂層32とが剥離しにくい。
外部電極13,14の表面に、開口側に向かって開口の径が狭くなっている部分を有する凹部15aを形成する方法は、特に限定されない。例えば、外部電極13,14を有機酸系処理液と接触させることにより凹部15aを形成することができる。
なお、本実施形態では、外部電極13,14の最表層がCuを含む。このため、例えば、外部電極13,14に接続するビアホール電極を形成するためのビアホールを形成するためにレーザーを外部電極13,14に対して照射した場合に、レーザーが外部電極13,14により高い反射率で反射される。従って、レーザーにより電子部品本体10が損傷することが効果的に抑制されている。
電子部品1と樹脂層32との剥離をより効果的に抑制する観点からは、電子部品1の幅方向Wの中央において、長さ方向L及び積層方向Tのそれぞれに沿った断面において、外部電極13,14の長さ方向Lに沿った長さをL1とし、凹部15aのうち、開口側に向かって開口の径が狭くなっている部分の長さ方向Lに沿った最短距離をL2とし、複数の凹部15aのL2の合計をSUM(L2)としたときに、SUM(L2)/L1が5%以上22%以下であることが好ましい。具体的には、外部電極13,14が、第1の主面10aの上に設けられており、外部電極13,14の第1の主面10aの上に設けられた部分において、SUM(L2)/L1が5%以上22%以下であることが好ましい。この場合、アンカー効果を発動させる凹部15aが多く存在するため、電子部品1と樹脂層32との剥離をより効果的に抑制することができる。但し、凹部15aが多すぎると、外部電極電極13,14の最外層の強度が低下し、最外層が破壊されることにより、電子部品1と樹脂層32とが剥離しやすくなる場合がある。従って、凹部15aの量は、上記範囲内であることが好ましい。
以下、本発明の好ましい実施形態の他の例について説明する。以下の説明において、上記第1の実施形態と実質的に共通の機能を有する部材を共通の符号で参照し、説明を省略する。
(第2の実施形態)
図5は、第2の実施形態に係る電子部品の模式的斜視図である。第1の実施形態では、第1の外部電極13が、第1の端面10eと、第1及び第2の主面10a、10bに跨がって設けられており、第2の外部電極14が、第2の端面10fと、第1及び第2の主面10a、10bとに跨がって設けられている例について説明した。しかし、本発明はこれに限定されない。図5に示すように、第1の外部電極13が第1及び第2の側面10c、10dの上にさらに設けられており、第2の外部電極14が、第1及び第2の側面10c、10dの上にさらに設けられていてもよい。この場合であっても、電子部品1の外部電極13,14と、樹脂層32との剥離をさらに抑制することができる。
以下、本発明について、具体的な実施例に基づいて、さらに詳細に説明するが、本発明は以下の実施例に何ら限定されるものではなく、その要旨を変更しない範囲において適宜変更して実施することが可能である。
(実施例1)
(積層セラミックコンデンサの作製)
上記第1の実施形態において説明した製造方法を用いて、積層セラミックコンデンサを作製した。実施例1では、SUM(L2)/L1の狙い値は2%として積層セラミックコンデンサを作製した。
作製した積層セラミックコンデンサの仕様は、以下の通りである。
設計寸法:L×W×T=1.0mm×0.5mm×0.15mm
セラミック材料:BaTiO
コンデンサ容量:0.22μF
定格電圧:6.3V
外部電極
下地電極:
下地電極層:Niを含む焼成電極層
下地電極層の厚み:2.5μm
金属層:
第1の金属層:Cuめっき
第1の金属層の厚み:8μm
次に、作製した積層セラミックコンデンサについて、粗化処理を行った。
まず、前処理を行った。具体的には、網カゴに入れたコンデンサ(サンプル)1000個を3.5質量%の硫酸中へ浸漬し、60秒間網カゴを揺動することにより塩酸中においてコンデンサを攪拌した。次に、この1000個のサンプルに対して、洗瓶を用いて純水を吹きかけることにより30秒間洗浄し、さらに、純水の流水に60秒間曝すことによりコンデンサを洗浄した。
次に、エッチング処理工程を行った.具体的には、上記方法で前処理した1000個のサンプルを有機酸系粗化処理液へ浸漬し、45秒間(エッチング時間)網カゴを揺動してコンデンサを攪拌した。次に、この1000個のサンプルに対して、洗瓶を用いて純水を吹きかけることにより30秒間洗浄し、さらに、純水の流水に60秒間曝すことによりコンデンサを洗浄した。
次に、塩酸による洗浄を行った。具体的には、エッチング処理を行った1000個のサンプルを、3.5質量%の塩酸中へ浸漬し、60秒間網カゴを揺動してコンデンサを攪拌した。次に、この1000個のサンプルに対して、洗瓶を用いて純水を吹きかけることにより30秒間洗浄し、さらに、純水の流水に60秒間曝すことによりコンデンサを洗浄した。
次に、1000個のサンプルを60℃で15分加熱することにより乾燥させた。
(実施例2)
エッチング処理工程において、積層セラミックコンデンサのエッチング時間を60秒としたこと以外は、実施例1と同様にしてサンプルを作製した。実施例2では、SUM(L2)/L1の狙い値は5%として積層セラミックコンデンサを作製した。
(実施例3)
エッチング処理工程において、積層セラミックコンデンサのエッチング時間を90秒としたこと以外は、実施例1と同様にしてサンプルを作製した。実施例3では、SUM(L2)/L1の狙い値は10%として積層セラミックコンデンサを作製した。
(実施例4)
エッチング処理工程において、積層セラミックコンデンサのエッチング時間を120秒としたこと以外は、実施例1と同様にしてサンプルを作製した。実施例4では、SUM(L2)/L1の狙い値は22%として積層セラミックコンデンサを作製した。
(実施例5)
エッチング処理工程において、積層セラミックコンデンサのエッチング時間を180秒としたこと以外は、実施例1と同様にしてサンプルを作製した。実施例5では、SUM(L2)/L1の狙い値は30%として積層セラミックコンデンサを作製した。
(比較例1)
積層セラミックコンデンサの粗化処理を行わなかったこと以外は、実施例1と同様の方法でサンプルを作製した。
(比較例2)
エッチング処理工程において、積層セラミックコンデンサのエッチング時間を30秒としたこと以外は、実施例1と同様にしてサンプルを作製した。
(外部電極表層の凹部形状の評価)
各実施例及び比較例において積層セラミックコンデンサについて、外部電極の凹部の形状を評価した。
まず、積層セラミックコンデンサの幅寸法が1/2となるまで、積層セラミックコンデンサの側面を研磨し、断面を露出させた。この断面を光学顕微鏡を用いて観察した結果、実施例1〜4においては、外部電極の表面に、開口側に向かって開口の径が狭くなっている部分を有する凹部が形成されていることが確認できた。一方、比較例1,2においては、外部電極の表面に、開口側に向かって開口の径が狭くなっている部分を有する凹部が形成されていることが確認できなかった。
(密着性の評価)
上記方法で作成した積層セラミックコンデンサと、樹脂との密着性の評価を行った。
まず、ガラスエポキシ基板の表面上に、積層セラミックコンデンサを配置した。次に、積層セラミックコンデンサが配置されたガラスエポキシ基板を、エポキシ樹脂からなるシートによりラミネートし、160℃以上200℃以下で加熱することにより、積層セラミックコンデンサを樹脂に内蔵させた基板を作製した。
次に、積層セラミックコンデンサが内蔵された基板を、120℃以上130℃以下の温度で24時間予熱を行い、リフロー処理を5回行った。そのリフロー処理においては、最高温度を260℃とした。次に、基板を120秒間、冷却した。
上記の処理を行った基板を、基板に内蔵された積層セラミックコンデンサの幅が寸法が1/2となるまで、積層セラミックコンデンサの幅方向と平行に基板を研磨し、断面を露出させた。この断面を走査型電子顕微鏡(SEM)を用いて、2000倍の倍率で観察し、積層セラミックコンデンサと樹脂との剥離の有無を確認した。表1に、その結果を示す。
(SUM(L2)/L1の測定)
各実施例及び比較例のそれぞれにおいて作製した5つの積層セラミックコンデンサの積層セラミックコンデンサの幅寸法が(1/2)・W+100μmとなるまで、積層セラミックコンデンサの側面を研磨し、断面を露出させた。その断面において、第1及び第2の外部電極のそれぞれにおいて、電子顯微鏡を用いてL1,L2を測定し、SUM(L2)/L1を算出した。
次に、積層セラミックコンデンサの幅寸法Wが(1/2)・W+50μmとなるまで、積層セラミックコンデンサの側面をさらに研磨し、断面を露出させた。その断面において、第1及び第2の外部電極のそれぞれにおいて、電子顯微鏡を用いてL1,L2を測定し、SUM(L2)/L1を測定し平均値を算出した。
次に、各実施例及び比較例のそれぞれにおいて作製した積層セラミックコンデンサの積層セラミックコンデンサの幅寸法Wが(1/2)・Wとなるまで、積層セラミックコンデンサの側面をさらに研磨し、断面を露出させた。その断面において、第1及び第2の外部電極のそれぞれにおいて、電子顯微鏡を用いてL1,L2を測定し、SUM(L2)/L1を算出した。
次に、各実施例及び比較例のそれぞれにおいて作製した積層セラミックコンデンサの積層セラミックコンデンサの幅寸法Wが(1/2)・W−50μmとなるまで、積層セラミックコンデンサの側面を研磨し、断面を露出させた。その断面において、第1及び第2の外部電極のそれぞれにおいて、電子顯微鏡を用いてL1,L2を測定し、SUM(L2)/L1を算出した。
次に、各実施例及び比較例のそれぞれにおいて作製した積層セラミックコンデンサの積層セラミックコンデンサの幅寸法Wが(1/2)・W−100μmとなるまで、積層セラミックコンデンサの側面を研磨し、断面を露出させた。その断面において、第1及び第2の外部電極のそれぞれにおいて、電子顯微鏡を用いてL1,L2を測定し、SUM(L2)/L1を算出した。
上記算出したSUM(L2)/L1から、狙いのSUM(L2)/L1の値となっている積層セラミックコンデンサを5つ抽出した。その結果を表1に示す。
表1の結果から、SUM(L2)/L1が0%でない場合、すなわち、外部電極の表面に、開口側に向かって開口の径が狭くなっている部分を有する凹部が複数設けられている場合に積層セラミックコンデンサと樹脂とが剥離し難いことが分かった。また、SUM(L2)/L1が5%以上22%以下である場合に、積層セラミックコンデンサと樹脂とがより剥離し難いことが分かった。
1 電子部品
2 電子部品内蔵型基板
10 電子部品本体
10a 第1の主面
10b 第2の主面
10c 第1の側面
10d 第2の側面
10e 第1の端面
10f 第2の端面
10g セラミック部
11 第1の内部電極
12 第2の内部電極
13 第1の外部電極
14 第2の外部電極
15 最外層
15a 凹部
31 多層プリント配線基板
32 樹脂層
33 配線
34 ビアホール電極

Claims (6)

  1. 長さ方向及び長さ方向に直交する幅方向に沿って延びる第1及び第2の主面と、長さ方向と、長さ方向及び幅方向に直交する積層方向と、に沿って延びる第1及び第2の側面と、幅方向及び積層方向に沿って延びる第1及び第2の端面とを有する電子部品本体と、
    前記電子部品本体内に配されており、前記電子部品本体の表面に露出した内部電極と、
    前記電子部品本体の表面の上に設けられており、前記内部電極と電気的に接続された外部電極と、
    を備え、
    前記外部電極の表面に、開口側に向かって開口の径が狭くなっている部分を有する凹部が複数設けられている、電子部品。
  2. 前記外部電極の最外層が、Cuを含み、当該最外層に前記凹部が設けられている、請求項1に記載の電子部品。
  3. 前記最外層が、めっき膜により構成されている、請求項2に記載の電子部品。
  4. 幅方向の中央において、長さ方向及び積層方向のそれぞれに沿った断面において、外部電極の長さ方向に沿った長さをL1とし、前記凹部のうち、開口側に向かって開口の径が狭くなっている部分の長さ方向に沿った最短距離をL2とし、前記複数の凹部のL2の合計をSUM(L2)としたときに、SUM(L2)/L1が5%以上22%以下である、請求項1〜3のいずれか一項に記載の電子部品。
  5. 前記外部電極が、前記第1の主面の上に設けられており、前記外部電極の前記第1の主面の上に設けられた部分において、SUM(L2)/L1が5%以上22%以下である、請求項4に記載の電子部品。
  6. 請求項1〜5のいずれか一項に記載の電子部品と、
    前記電子部品が内蔵されており、樹脂を含む多層プリント配線基板と、
    を備える電子部品内蔵型基板であって、
    前記樹脂が、前記電子部品の前記凹部内に入り込んでいる、電子部品内蔵型基板。
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