JP7230682B2 - インダクタ部品 - Google Patents

Description

本発明は、インダクタ部品に関する。

従来、インダクタ部品としては、特開２０１４－１３８１５号公報（特許文献１）に記載されたものがある。このインダクタ部品は、基板と、基板の両面に設けられたスパイラル配線と、スパイラル配線を覆う磁性層と、磁性層の表面に設けられた外部端子と、スパイラル配線と外部端子を電気的に接続する引出配線とを備える。

特開２０１４－１３８１５号公報

近年、インダクタ部品の小型化が進んでおり、外部端子の面積に小さくなってきている。前記従来のインダクタ部品を、はんだボールやはんだペーストなどの実装はんだを用いて基板に実装する際、さらなる小型化が進むなどにより外部端子の面積がより小さくなると、実装はんだを外部端子に対して精度の良い位置に設けること、すなわち実装はんだと外部端子が良好に接続された安定した実装が困難となるおそれがある。

そこで、本開示の課題は、安定した実装が容易となるインダクタ部品を提供することにある。

前記課題を解決するため、本開示の一態様であるインダクタ部品は、
樹脂と前記樹脂に含有された金属磁性粉とを含む磁性層を含む本体部と、
前記本体部内に配置されたインダクタ配線と、
前記本体部から露出する外部端子と、
前記インダクタ配線と前記外部端子を電気的に接続する引出配線とを備え、
前記外部端子の外面は、凹部を有する。

ここで、インダクタ配線とは、電流が流れた場合に磁性層に磁束を発生させることによって、インダクタ部品にインダクタンスを付与させるものであって、その構造、形状、材料などに特に限定はない。

本開示のインダクタ部品によれば、外部端子の外面は凹部を有するので、インダクタ部品を実装する際に、はんだボールやはんだペーストなどの実装はんだが、凹部に流れ込むことでセルフアラインメントされ、安定した実装が容易となる。

また、インダクタ部品の一実施形態では、前記外部端子は、前記引出配線上に位置する重複部分と、前記磁性層上に位置する非重複部分とを有し、前記凹部は、前記重複部分の外面に位置する。

前記実施形態によれば、実装はんだは前記引出配線上に位置する重複部分にセルフアラインされるので、電流経路が短縮され、電気抵抗が低減する。

また、インダクタ部品の一実施形態では、前記引出配線は、前記磁性層の主面に直交する方向に前記磁性層を貫通する垂直配線である。

前記実施形態によれば、前記磁性層の主面を実装面とすることにより、実装面からインダクタ配線まで直線状に電流経路を形成でき、電気抵抗が低減する。

また、インダクタ部品の一実施形態では、前記外部端子は、複数の導体層からなる。

前記実施形態によれば、各導体層に別の機能を持たせることができる。例えば、１層目の導体層をＣｕとして導電層および平坦化層とし、２層目の導体層をＮｉとして耐はんだ層とし、３層目の導体層をＡｕやＳｎとして防腐層および親はんだ層とできる。

また、インダクタ部品の一実施形態では、前記外部端子の最外層は、ＡｕまたはＳｎを含む。

前記実施形態によれば、外部端子の最外層を良好な防腐層および親はんだ層とできる。

また、インダクタ部品の一実施形態では、前記外部端子の最下層は、Ｃｕを含む。

前記実施形態によれば、最下層を良好な導電層および平坦化層とできる。

また、インダクタ部品の一実施形態では、前記最下層は、９５％ｗｔ以上のＣｕおよび１％ｗｔ以上５％ｗｔ以下のＮｉを含む。

前記実施形態によれば、Ｎｉによる最下層内の応力を開放でき、熱や外力などのストレスの蓄積による、インダクタ部品の破損を低減できる。また、Ｎｉは少量であるので、最下層における導電率の低下を抑えることができる。

また、インダクタ部品の一実施形態では、前記外部端子の最下層は、ＮｉまたはＮｉを含む。

前記実施形態によれば、最下層が良好な耐はんだ層となり、本体部の内部がはんだによって浸食されることを抑制できる。

また、インダクタ部品の一実施形態では、前記外部端子は、クラックを有する。

前記実施形態によれば、外部端子内の応力が開放され、熱や外力などのストレスの蓄積によるインダクタ部品の破損を低減できる。

また、インダクタ部品の一実施形態では、前記凹部以外の外部端子の厚みに対して、前記凹部の深さは５％以上１００％未満である。

前記実施形態によれば、前記凹部の深さが５％以上であることにより、実装はんだのセルフアラインメント性がさらに向上する。また前記凹部の深さが１００％未満であることにより凹部の段差におけるストレスの蓄積が低減される。

また、インダクタ部品の一実施形態では、前記凹部の深さは、０．５μｍ以上１０μｍ未満である。

前記実施形態によれば、凹部の深さが０．５μｍ以上であることにより、実装はんだのセルフアラインメント性がさらに向上する。また、凹部の深さが１０μｍ未満であることにより凹部の段差におけるストレスの蓄積が低減される。

また、インダクタ部品の一実施形態では、前記重複部分の外面の算術平均粗さは、前記非重複部分の外面の算術平均粗さよりも小さい。

前記実施形態によれば、外部端子の重複部分と非重複部分を判別することが可能となり、外部端子と引出配線との接続確認が容易となる。

また、インダクタ部品の一実施形態では、前記引出配線は、前記磁性層上に延びている。

前記実施形態によれば、引出配線と磁性層との接触面積が増加し、磁性層と引出配線の密着性を向上できる。

また、インダクタ部品の一実施形態では、前記引出配線の表面は、凹溝を有し、前記凹部は、前記凹溝に対応する位置にある。

前記実施形態によれば、実装はんだが前記引出配線上に位置する重複部分にセルフアラインされるので、電流経路が短縮され、電気抵抗が低減する。

また、インダクタ部品の一実施形態では、前記引出配線の表面は、前記磁性層の表面を基準として、前記表面に垂直な方向に対して、＋５μｍから－１０μｍの範囲にある。

前記実施形態によれば、引出配線の表面が、磁性層の表面を基準に一定の範囲にあることで、引出配線の表面と磁性層の表面との段差によるストレスの蓄積が低減される。

また、インダクタ部品の一実施形態では、
前記磁性層の表面に設けられた被覆膜をさらに備え、
前記被覆膜は、前記外部端子の外周縁に接触する。

前記実施形態によれば、被覆膜は外部端子の周囲に配置されることで、外部端子間の絶縁性を高めることができる。

また、インダクタ部品の一実施形態では、前記外部端子は、前記被覆膜上にも設けられている。

前記実施形態によれば、外部端子の面積を大きくできるので、安定した実装性を提供でき、機械的強度を向上できる。

また、インダクタ部品の一実施形態では、
前記被覆膜は、前記引出配線の表面にも設けられ、
前記引出配線上の被覆膜と、前記磁性層上の前記被覆膜とは、外表面側から所定の波長の光を当てたときの反射スペクトルが異なる。

前記実施形態によれば、引出配線の位置を外観で確認できる。したがって、外部端子と引出配線との接続性の確認が容易となる。ここで、所定の波長の光を当てたときの反射スペクトルが異なるとは、積層体や外部端子の外表面側から入射した当該所定の波長の光の反射スペクトルについて、明度、彩度、色相の少なくとも一つが、目視や装置により識別できる程度の差異を有することをいう。具体的には、例えば、赤外光、可視光、紫外光などのうち、いずれか所定の波長の光をあてたときに、上記により識別できれば、反射スペクトルが異なると言える。

また、インダクタ部品の一実施形態では、前記磁性層は、さらにフェライト粉を含む。

前記実施形態によれば、比透磁率の高いフェライト粉を含むことにより、磁性層の体積当たりの透磁率である実効透磁率を向上できる。

本開示の一態様であるインダクタ部品によれば、安定した実装が容易となる。

第１実施形態に係るインダクタ部品を示す透視平面図である。 第１実施形態に係るインダクタ部品を示す断面図である。 第１外部端子と第１垂直配線の位置関係を示す簡略平面図である。 図２のＡ－Ａ断面図である。 第２実施形態に係るインダクタ部品における第１外部端子と第１垂直配線の位置関係を示す簡略平面図である。 図４のＡ－Ａ断面図である。 図４のＢ－Ｂ断面図である。 第１垂直配線の他の形態を示す断面図である。 第２実施形態の実施例を示す画像図である。

以下、本開示の一態様であるインダクタ部品を図示の実施の形態により詳細に説明する。なお、図面は一部模式的なものを含み、実際の寸法や比率を反映していない場合がある。

（第１実施形態）
（構成）
図１Ａは、インダクタ部品の第１実施形態を示す透視平面図である。図１Ｂは、図１ＡのＸ－Ｘ断面図である。

インダクタ部品１は、例えば、パソコン、ＤＶＤプレーヤー、デジタルカメラ、ＴＶ、携帯電話、スマートフォン、カーエレクトロニクスなどの電子機器に搭載され、例えば全体として直方体形状の部品である。ただし、インダクタ部品１の形状は、特に限定されず、円柱状や多角形柱状、円錐台形状、多角形錐台形状であってもよい。

図１Ａと図１Ｂに示すように、インダクタ部品１は、本体部１０と、インダクタ配線２１と、引出配線の一例としての垂直配線５１、５２と、外部端子４１，４２とを備える。

本体部１０は、第１磁性層１１と、第１磁性層１１上に配置された第２磁性層１２と、絶縁層１５と、絶縁被覆膜５０とを含む。第１磁性層１１と第２磁性層１２は、第１方向Ｚに積層されており、第１方向Ｚに直交する主面を有する。本体部１０は、磁性層として、第１磁性層１１および第２磁性層１２の２層を含むが、磁性層は３層以上であってもよく、また、１層だけであってもよい。図中、第１方向Ｚの順方向を上側、逆方向を下側とする。

第１磁性層１１および第２磁性層１２は、樹脂と樹脂に含有された金属磁性粉とを含む。したがって、金属磁性粉により高い磁気飽和特性を得ることができ、樹脂により金属磁性粉間が絶縁されるので、高周波での鉄損が低減される。

樹脂は、例えば、エポキシ系、ポリイミド系、フェノール系、ビニルエーテル系の何れかの樹脂を含む。これにより、絶縁信頼性が向上する。より具体的には、樹脂は、エポキシもしくはエポキシとアクリルの混合体もしくはエポキシ、アクリルとその他の混合体である。これにより、金属磁性粉間の絶縁性を担保することで、高周波での鉄損を小さくできる。

金属磁性粉の平均粒径は、例えば０．１μｍ以上５μｍ以下である。インダクタ部品１の製造段階においては、金属磁性粉の平均粒径を、レーザ回折・散乱法によって求めた粒度分布における積算値５０％に相当する粒径として算出することができる。金属磁性粉は、例えば、ＦｅＳｉＣｒなどのＦｅＳｉ系合金、ＦｅＣｏ系合金、ＮｉＦｅなどのＦｅ系合金、または、それらのアモルファス合金である。金属磁性粉の含有率は、好ましくは、磁性層全体に対して、２０Ｖｏｌ％以上７０Ｖｏｌ％以下である。金属磁性粉の平均粒径が５μｍ以下である場合、より高い磁気飽和特性を得ることができ、微粉によって高周波での鉄損を低減できる。なお、金属磁性粉でなく、ＮｉＺｎ系やＭｎＺｎ系などのフェライトの磁性粉を用いてもよい。このように比透磁率の高いフェライト粉を含むことにより、磁性層１１，１２の体積当たりの透磁率である実効透磁率を向上できる。

インダクタ配線２１は、本体部１０内に配置されている。インダクタ配線２１は、第１磁性層１１の上方側、具体的には第１磁性層１１の上面の絶縁層１５上にのみ形成され、本実施形態においては、第１磁性層１１の上面に沿ってスパイラル形状に延びる配線である。インダクタ配線２１は、ターン数が１周を超え、約２．５ターンである。インダクタ配線２１は、例えば、上側からみて、外周端から内周端に向かって時計回り方向に渦巻状に巻回されている。
なお、上記において、スパイラル形状とは、平面上を延びる曲線（２次元曲線）を意味し、当該曲線が描くターン数は１周を超えていても、１周未満であってもよい。また、スパイラル形状は異なる方向に巻回された曲線を有していてもよいし、一部に直線を有していてもよい。

インダクタ配線２１の厚みは、例えば、４０μｍ以上１２０μｍ以下であることが好ましい。インダクタ配線２１の実施例として、厚みが４５μｍ、配線幅が５０μｍ、配線間スペースが１０μｍである。配線間スペースは３μｍ以上２０μｍ以下が好ましい。なお、インダクタ配線２１の厚みとは、インダクタ配線２１の延びる方向に直交する横断面において、第１方向Ｚに沿った最大寸法をいう。

インダクタ配線２１は、導電性材料からなり、例えばＣｕ、Ａｇ，Ａｕ、Ｆｅもしくはこれらの化合物などの低電気抵抗な金属材料からなる。これにより、導電率を下げることができて、直流抵抗を下げることができる。本実施形態では、インダクタ部品１は、インダクタ配線２１を１層のみ備えており、インダクタ部品１の低背化を実現できる。なお、インダクタ配線２１を複数層備えていてもよいし、複数層のインダクタ配線２１はビア配線によって電気的に直列に接続されていてもよい。すなわち複数層のインダクタ配線２１とビア配線によって弦巻形状（ヘリカル形状）が構成されていてもよい。また当該弦巻形状は、第１方向Ｚと並行に進行する螺旋形状であってもよいし、第１方向Ｚと垂直な方向に進行する螺旋形状で合ってもよい。

インダクタ配線２１は、第１方向Ｚに直交する平面上に（第１磁性層１１の主面に平行な方向に）配置され互いに接続された、スパイラル部２００、パッド部２０１，２０２および引出部２０３を有する。つまり、インダクタ配線２１は、平面上に延伸する。スパイラル部２００の内周端には、第１パッド部２０１が設けられ、スパイラル部２００の外周端には、第２パッド部２０２が設けられている。スパイラル部２００は、第１パッド部２０１と第２パッド部２０２の間において、渦巻状に巻回されている。第１パッド部２０１は、第１垂直配線５１に接続され、第２パッド部２０２は、第２垂直配線５２に接続される。引出部２０３は、第２パッド部２０２から本体部１０の第１方向Ｚに平行な第１側面１０ａに引き出され、本体部１０の第１側面１０ａから外部に露出している。

絶縁層１５は、第１磁性層１１の上面に形成された膜状の層であり、インダクタ配線２１を被覆している。インダクタ配線２１は、絶縁層１５に覆われているため、絶縁信頼性を向上できる。具体的に述べると、絶縁層１５は、インダクタ配線２１の底面及び側面のすべてを覆い、インダクタ配線２１の上面については、パッド部２０１，２０２のうち、ビア導体２５との接続部分を除いた部分を覆っている。絶縁層１５は、インダクタ配線２１のパッド部２０１，２０２に対応した位置に孔部を有する。孔部は、例えば、フォトリソグラフィやレーザ開口により形成することができる。第１磁性層１１とインダクタ配線２１の底面との間の絶縁層１５の厚みは、例えば、１０μｍ以下である。

絶縁層１５は、磁性体を含有しない非磁性の絶縁性材料からなり、例えばエポキシ系樹脂、フェノール系樹脂、ポリイミド系樹脂などの樹脂材料からなる。なお、絶縁層１５は、シリカなどの非磁性体のフィラーを含んでいてもよく、この場合は、絶縁層１５の強度や加工性、電気的特性の向上が可能である。なお、絶縁層１５は必須の構成ではなく、インダクタ配線２１は第１磁性層１１および第２磁性層１２と直接接触していてもよい。また、絶縁層１５が、インダクタ配線２１の底面や側面、上面など一部のみ覆っていてもよい。

垂直配線５１，５２は、導電性材料からなり、インダクタ配線２１のパッド部２０１，２０２から第１方向Ｚに延び、第２磁性層１２の内部を貫通してインダクタ配線２１と外部端子４１，４２に接続されている。垂直配線５１，５２は、第２磁性層１２を貫通するので、外部端子４１，４２とインダクタ配線２１を接続させるために余計な引き回しを避けることができる。つまり、第２磁性層１２の主面を実装面とすることにより、実装面からインダクタ配線２１まで直線状に電流経路を形成でき、電気抵抗が低減する。垂直配線５１，５２は、インダクタ配線２１のパッド部２０１，２０２から第１方向Ｚに延び、絶縁層１５の内部を貫通するビア導体２５と、ビア導体２５から第１方向Ｚに延び、第２磁性層１２の内部を貫通する柱状配線３１，３２とを含む。柱状配線３１，３２は、第２磁性層１２の上面から露出している。

第１垂直配線５１は、インダクタ配線２１の第１パッド部２０１の上面から上側に延在するビア導体２５と、該ビア導体２５から上側に延在し、第１磁性層１１の内部を貫通する第１柱状配線３１とを含む。第２垂直配線５２は、インダクタ配線２１の第２パッド部２０２の上面から上側に延在するビア導体２５と、該ビア導体２５から上側に延在し、第１磁性層１１の内部を貫通する第２柱状配線３２とを含む。垂直配線５１，５２は、インダクタ配線２１と同様の材料からなる。

外部端子４１，４２は、導電性材料からなる。第１外部端子４１は、第１柱状配線３１上から第２磁性層１２上にかけて設けられ、本体部１０の上面から露出する。これにより、第１外部端子４１は、インダクタ配線２１の第１パッド部２０１に電気的に接続される。第２外部端子４２は、第２柱状配線３２上から第２磁性層１２上にかけて設けられ、本体部１０の上面から露出する。これにより、第２外部端子４２は、インダクタ配線２１の第２パッド部２０２に電気的に接続される。

好ましくは、外部端子４１，４２は、複数の導体層からなる。これによれば、各導体層に別の機能を持たせることができる。例えば、１層目の導体層をＣｕとして導電層および平坦化層とし、２層目の導体層をＮｉとして耐はんだ層とし、３層目の導体層をＡｕやＳｎとして防腐層および親はんだ層とできる。

好ましくは、外部端子４１，４２の最外層は、ＡｕまたはＳｎを含む。これによれば、外部端子４１，４２の最外層を良好な防腐層および親はんだ層とできる。

好ましくは、外部端子４１，４２の１層目の第１の導体層（最下層）は、Ｃｕを含む。これによれば、第１の導体層を良好な導電層および平坦化層とできる。つまり、第１の導体層に導電率の低い材料を使うことで、直流抵抗を下げることができる。

好ましくは、第１の導体層は、９５％ｗｔ以上のＣｕおよび１％ｗｔ以上５％ｗｔ以下のＮｉを含む。これによれば、Ｎｉによる最下層内の応力を開放でき、熱や外力などのストレスの蓄積による、インダクタ部品１の破損を低減できる。また、Ｎｉは少量であるので、最下層における導電率の低下を抑えることができる。また、第１の導体層は、Ｎｉを含むので、無電解めっきＣｕにより形成できる。

好ましくは、外部端子４１，４２の第１の導体層は、ＮｉまたはＮｉを含む。これによれば、第１の導体層が良好な耐はんだ層となり、本体部１０の内部がはんだによって浸食されることを抑制できる。具体的に述べると、Ｎｉの合金層は、例えば、Ｐが２％ｗｔ～１０％ｗｔ含まれるＮｉＰの合金である。このとき、下地（磁性層と柱状配線）とＮｉ層の間には、Ｐｄなどの触媒層が存在する。なお、触媒層は、外部端子４１，４２を構成する層でないものとする。

絶縁被覆膜５０は、磁性体を含有しない非磁性の絶縁性材料からなり、第２磁性層１２の外表面である上面に設けられ、外部端子４１，４２の上面を露出させている。被覆膜５０によって、インダクタ部品１の表面の絶縁性を確保することができる。また、被覆膜５０を設けることで、第１外部端子４１と第２外部端子４２の間の絶縁性を高め、信頼性を向上することができる。なお、被覆膜５０が第１磁性層１１の下面側に形成されていてもよい。

絶縁被覆膜５０は、外部端子４１，４２の外周縁に接触する。このように、被覆膜５０は、外部端子４１，４２の周囲に配置されることで、外部端子４１，４２間の絶縁性を高めることができる。外部端子４１，４２は、好ましくは、被覆膜５０の表面上にも設けられている。これによれば、外部端子４１，４２の面積を大きくできるので、安定した実装性を提供でき、機械的強度を向上できる。

図２は、第１方向Ｚからみた第１外部端子４１と第１垂直配線５１（引出配線）の位置関係を示す簡略平面図である。図３は、図２のＡ－Ａ断面図である。以下、第１外部端子４１と第１垂直配線５１について説明するが、第２外部端子４２と第２垂直配線５２についても同様の構成であり、その説明を省略する。

図２と図３に示すように、第１外部端子４１は、第１垂直配線５１（第１柱状配線３１）上に位置する重複部分４１ａと、第１垂直配線５１（第１柱状配線３１）と重ならず第２磁性層１２上に位置する非重複部分４１ｂとを有する。図２において、重複部分４１ａは、網掛けのハッチングで示し、非重複部分４１ｂは、通常のハッチングで示す。第１垂直配線５１の大きさは、第１外部端子４１の大きさよりも小さく、第１垂直配線５１の全ては、第１外部端子４１の一部に重なる。

第１外部端子４１の外面（上面）は、凹部４１０を有する。凹部４１０は、重複部分４１ａの外面（上面）に位置する。凹部４１０の底面は、第１外部端子４１の非重複部分４１ｂの上面よりも低い位置にある。なお、凹部４１０は、非重複部分４１ｂの上面に位置してもよく、このとき、凹部４１０の底面は、第１外部端子４１の重複部分４１ａの上面よりも低い位置にある。

凹部４１０の形成方法の一例を説明する。本体部１０内に第１柱状配線３１を形成した後、ソフトエッチングを行うと、第１柱状配線３１がエッチングされて、第１柱状配線３１の上面が、第２磁性層１２の上面よりも低くなる。その後、第１柱状配線３１および第２磁性層１２の上に第１外部端子４１を無電解めっきにより形成することで、第１外部端子４１の第１柱状配線３１上の部分は、第１外部端子４１の第２磁性層１２上の部分に比べて低い位置に形成される。このようにして、第１外部端子４１の第１柱状配線３１上の重複部分４１ａには、凹部４１０が形成される。エッチングの時間を制御することで、凹部４１０の深さｄを制御することができる。なお、第１柱状配線３１をエッチングする代わりに、アルカリ性のエッチング液などで第２磁性層１２の樹脂をエッチングすれば、第１柱状配線３１の上面が、第２磁性層１２の上面よりも高くなり、非重複部分４１ｂの上面に凹部４１０を形成できる。

したがって、第１外部端子４１の外面は凹部４１０を有するので、インダクタ部品１を実装する際に、はんだボールやはんだペーストなどの実装はんだが、凹部４１０に流れ込むことでセルフアラインメントされ、安定した実装が容易となる。また、実装はんだは重複部分４１ａにセルフアラインされるので、電流経路が短縮され、電気抵抗が低減する。

好ましくは、第１外部端子４１は、図３の仮想線に示すクラック４１５を有する。クラック４１５は、凹部４１０の底面から第１柱状配線３１側に向けて形成される。これによれば、第１外部端子４１内の応力が開放され、熱や外力などのストレスの蓄積によるインダクタ部品１の破損を低減できる。

好ましくは、凹部４１０以外の第１外部端子４１の厚みＴに対して、凹部４１０の深さｄは５％以上１００％未満である。これによれば、凹部４１０の深さｄが５％以上であることにより、実装はんだのセルフアラインメント性がさらに向上する。また、凹部４１０の深さｄが１００％未満であることにより凹部４１０の段差におけるストレスの蓄積が低減される。

ここで、第１外部端子４１の厚みＴは、第１外部端子４１の本体部１０と接触する部分（非重複部分４１ｂ）の厚みとし、例えば、第１外部端子４１の非重複部分４１ｂの断面幅方向の中央部の厚みとする。ここで、第１外部端子４１が、無電解めっきＣｕからなる第１の導体層４１１と、電解めっきＣｕからなる第２の導体層４１２と、無電解めっきＡｕからなる第３の導体層４１３とから構成され、第１柱状配線３１が、電解めっきＣｕから構成される場合、第１の導体層４１１と第１柱状配線３１の界面は、判別し難くい。このため、第１外部端子４１の第１柱状配線３１と接触する部分（重複部分４１ａ）で厚みを測定することは困難となる。そこで、第１外部端子４１の本体部１０と接触する部分（非重複部分４１ｂ）で厚みを測定することで、第１外部端子４１の厚みを容易に測定することができる。

好ましくは、凹部４１０の深さｄは、０．５μｍ以上１０μｍ未満である。これによれば、凹部４１０の深さｄが０．５μｍ以上であることにより、実装はんだのセルフアラインメント性がさらに向上する。また、凹部４１０の深さｄが１０μｍ未満であることにより凹部４１０の段差におけるストレスの蓄積が低減される。

好ましくは、重複部分４１ａの外面の算術平均粗さは、非重複部分４１ｂの外面の算術平均粗さよりも小さい。これによれば、重複部分４１ａと非重複部分４１ｂを判別することが可能となり、第１外部端子４１と第１垂直配線５１との接続確認が容易となる。非重複部分４１ｂの表面粗さＲａは、例えば、重複部分４１ａの表面粗さＲａの１．５倍以上２．５倍以下である。

このように、重複部分４１ａの表面粗さＲａと非重複部分４１ｂの表面粗さＲａが異なるのは、重複部分４１ａは第１垂直配線５１の上面に形成され、非重複部分４１ｂは第２磁性層１２の上面に形成されているためである。つまり、第１垂直配線５１は金属から構成されているため、第１垂直配線５１の上面は滑らかとなる。一方、第２磁性層１２は樹脂と金属磁性粉を含むコンポジット体から構成されているため、第２磁性層１２の上面は粗くなる。そして、重複部分４１ａは第１垂直配線５１の上面に形成されることで、重複部分４１ａには第１垂直配線５１の上面の形状が転写される。一方、非重複部分４１ｂは第２磁性層１２の上面に形成されることで、非重複部分４１ｂには第２磁性層１２の上面の形状が転写される。このため、非重複部分４１ｂの表面は重複部分４１ａの表面よりも粗くなる。そして、非重複部分４１ｂの表面は重複部分４１ａの表面よりも粗いため、重複部分４１ａと非重複部分４１ｂは、外表面側から所定の波長の光（例えば白色光）を当てたときの反射スペクトルが異なる。

好ましくは、第１柱状配線３１（引出配線）の表面は、第２磁性層１２の表面を基準として、表面に垂直な方向に対して、＋５μｍから－１０μｍの範囲にある。正の方向は、第１方向Ｚの順方向とする。負の範囲では、第１柱状配線３１の上面が、第２磁性層１２の上面よりも低く、凹部４１０は、重複部分４１ａの上面に形成される。正の範囲では、第１柱状配線３１の上面が、第２磁性層１２の上面よりも高くなり、凹部４１０は、非重複部分４１ｂの上面に形成される。これによれば、第１柱状配線３１の表面が、第２磁性層１２の表面を基準に一定の範囲にあることで、第１柱状配線３１の表面と第２磁性層１２の表面との段差によるストレスの蓄積が低減される。

（第２実施形態）
図４は、インダクタ部品の第２実施形態を示す簡略平面図である。図５Ａは、図４のＡ－Ａ断面図である。図５Ｂは、図４のＢ－Ｂ断面図である。第２実施形態は、第１実施形態とは、外部端子と垂直配線（引出配線）の位置および大きさが相違する。以下、第１外部端子４１と第１垂直配線５１について説明するが、第２外部端子４２と第２垂直配線５２についても同様の構成であり、その説明を省略する。

図４と図５Ａと図５Ｂに示すように、第２実施形態のインダクタ部品１Ａでは、第１方向Ｚからみて、第１外部端子４１の一部は、第１垂直配線５１（第１柱状配線３１）の一部に重なっている。第１外部端子４１は、第１垂直配線５１上に位置する重複部分４１ａと、第１垂直配線５１と重ならず第２磁性層１２上に位置する非重複部分４１ｂとを有する。第１垂直配線５１は、第１外部端子４１と重なる重複部分５１ａと、第１外部端子４１と重ならず被覆膜５０に重なる非重複部分５１ｂとを有する。重複部分４１ａ，５１ａは、網掛けのハッチングで示し、非重複部分５１ｂ，５１ｂは、通常のハッチングで示す。

第１垂直配線５１の表面は、凹溝３１０を有し、第１外部端子４１の凹部４１０は、凹溝３１０に対応する位置にある。これによれば、実装はんだが第１外部端子４１の重複部分４１ａにセルフアラインされるので、電流経路が短縮され、電気抵抗が低減する。

凹溝３１０は、第１垂直配線５１の重複部分５１ａに位置する。これは、本体部１０上に被覆膜５０を設けてエッチングするとき、第１垂直配線５１のうちの被覆膜５０により覆われていない部分は、エッチングされず、第１垂直配線５１のうちの被覆膜５０により覆われている部分は、エッチングされて、第１垂直配線５１の重複部分５１ａに凹溝３１０が形成されるためである。

被覆膜５０は、第１垂直配線５１の表面にも設けられ、第１垂直配線５１上の被覆膜５０（第１部分５０ａ）と、第２磁性層１２上の被覆膜５０（第２部分５０ｂ）とは、外表面側から所定の波長の光（例えば白色光）を当てたときの反射スペクトルが異なる。

これは、第１実施形態で説明したように、第１垂直配線５１の上面は滑らかとなり、第２磁性層１２の上面は粗くなる。第１部分５０ａは第１垂直配線５１の上面に形成されることで、第１部分５０ａには第１垂直配線５１の上面の形状が転写される。一方、第２部分５０ｂは第２磁性層１２の上面に形成されることで、第２部分５０ｂには第２磁性層１２の上面の形状が転写される。このため、第２部分５０ｂの表面は第１部分５０ａの表面よりも粗くなる。そして、第２部分５０ｂの表面は第１部分５０ａの表面よりも粗いため、第１部分５０ａと第２部分５０ｂの明度、彩度、色相の少なくとも一つを容易に異ならせることができる。

したがって、第１垂直配線５１の位置を外観で確認できて、第１外部端子４１と第１垂直配線５１との接続性の確認が容易となる。

図６に示すように、第１垂直配線５１は、第２磁性層１２上に延びていてもよい。第１垂直配線５１は、第２磁性層１２上に位置する延在部５１０を有する。延在部５１０は、例えば、第１垂直配線５１の上面を研削することで形成することができる。これによれば、第１垂直配線５１と第２磁性層１２の接触面積が増加し、第１垂直配線５１と第２磁性層１２の密着性を向上できる。

なお、本開示は上述の実施形態に限定されず、本開示の要旨を逸脱しない範囲で設計変更可能である。例えば、第１と第２実施形態のそれぞれの特徴点を様々に組み合わせてもよい。
前記実施形態では、インダクタ配線２１は、スパイラル形状であったが、前述のとおり、インダクタ配線２１の形状に限定はなく、公知の様々な形状を用いることができる。

前記実施形態では、第１外部端子および第２外部端子がそれぞれの実施形態の特徴を有しているが、第１外部端子および第２外部端子のうちの少なくとも第１外部端子がその特徴を有していればよい。

前記実施形態では、引出配線としてビア導体および柱状配線を有する垂直配線を用いているが、絶縁層を除去した構成により、柱状配線のみの垂直配線を引出配線としてもよい。また、前記実施形態では、引出配線は第１方向に延在する垂直配線を用いているが、引出配線は、第１方向と直交する方向に延在し、磁性層の側面に引き出された水平配線であってもよい。

（実施例）
図７は、第２実施形態（図４）の実施例を示す。図７に示すように、第１外部端子４１において、重複部分４１ａと非重複部分４１ｂは、反射スペクトルが異なる。具体的に述べると、非重複部分４１ｂの算術平均粗さは、重複部分４１ａの算術平均粗さよりも大きい。このため、重複部分４１ａと非重複部分４１ｂは、明度および色相が異なり、重複部分４１ａは、非重複部分４１ｂよりも暗くなり、目視により重複部分４１ａと非重複部分４１ｂを識別できる。このように、目視で識別できると選別が容易となる。

また、被覆膜５０において、第１部分５０ａと第２部分５０ｂは、反射スペクトルが異なる。具体的に述べると、第１部分５０ａと第２部分５０ｂは、明度が異なり、第２部分５０ｂは、第１部分５０ａよりも暗くなり、目視により第１部分５０ａと第２部分５０ｂを識別できる。

１，１Ａ インダクタ部品
１０ 本体部
１０ａ 第１側面
１１ 第１磁性層
１２ 第２磁性層
１５ 絶縁層
２１ インダクタ配線
２５ ビア導体
３１ 第１柱状配線
３１０ 凹溝
３２ 第２柱状配線
４１ 第１外部端子
４１ａ 重複部分
４１ｂ 非重複部分
４１０ 凹部
４１５ クラック
４２ 第２外部端子
５０ 被覆膜
５０ａ 第１部分
５０ｂ 第２部分
５１ 第１垂直配線（引出配線）
５１ａ 重複部分
５１ｂ 非重複部分
５１０ 延在部
５２ 第２垂直配線（引出配線）
２００ スパイラル部
２０１ 第１パッド部
２０２ 第２パッド部
２０３ 引出部
Ｚ 第１方向
Ｔ 外部端子の厚み
ｄ 凹部の深さ

Claims (20)

1. 樹脂と前記樹脂に含有された金属磁性粉とを含む磁性層を含む本体部と、
   前記本体部内に配置されたインダクタ配線と、
   前記本体部から露出する外部端子と、
   前記インダクタ配線と前記外部端子を電気的に接続する引出配線と、
   前記磁性層の表面に設けられた被覆膜と
   を備え、
   前記外部端子の外面は、凹部を有し、
   前記引出配線は、前記磁性層上に延びた延在部を有し、
   前記延在部は、前記被覆膜に覆われ、
   前記磁性層の表面に直交する第１方向において、前記延在部は、前記外部端子に重ならず、前記外部端子は、前記被覆膜に重ならない、インダクタ部品。
2. 樹脂と前記樹脂に含有された金属磁性粉とを含む磁性層を含む本体部と、
   前記本体部内に配置されたインダクタ配線と、
   前記本体部から露出する外部端子と、
   前記インダクタ配線と前記外部端子を電気的に接続する引出配線と、
   前記磁性層の表面に設けられた被覆膜と
   を備え、
   前記外部端子の外面は、凹部を有し、
   前記引出配線の表面は、凹溝を有し、前記凹部は、前記凹溝に対応する位置にあり、
   前記引出配線は、前記外部端子と重なる重複部分と、前記外部端子と重ならず前記被覆膜に重なる第１および第２非重複部分とを有し、
   前記磁性層の表面に直交する第１方向からみて、一方向に沿って、前記引出配線の前記第１非重複部分と、前記引出配線の前記重複部分と、前記引出配線の前記第２非重複部分とが、配置され、
   前記凹溝は、前記引出配線の前記重複部分に位置し、
   前記外部端子の前記一方向の全ては、前記凹溝に嵌まり込み、前記第１非重複部分と前記第２非重複部分とに挟まれている、インダクタ部品。
3. 前記外部端子は、前記引出配線上に位置する重複部分と、前記磁性層上に位置する非重複部分とを有し、前記凹部は、前記重複部分の外面に位置する、請求項１または２に記載のインダクタ部品。
4. 前記引出配線は、前記磁性層の主面に直交する方向に前記磁性層を貫通する垂直配線である、請求項１から３の何れか一つに記載のインダクタ部品。
5. 前記外部端子は、複数の導体層からなる、請求項１から４の何れか一つに記載のインダクタ部品。
6. 前記外部端子の最外層は、ＡｕまたはＳｎを含む、請求項５に記載のインダクタ部品。
7. 前記外部端子の最下層は、Ｃｕを含む、請求項５または６に記載のインダクタ部品。
8. 前記最下層は、９５％ｗｔ以上のＣｕおよび１％ｗｔ以上５％ｗｔ以下のＮｉを含む、請求項７に記載のインダクタ部品。
9. 前記外部端子の最下層は、Ｎｉであり、または、Ｎｉを含む、請求項５または６に記載のインダクタ部品。
10. 前記外部端子は、クラックを有する、請求項１から９の何れか一つに記載のインダクタ部品。
11. 前記凹部以外の外部端子の厚みに対して、前記凹部の深さは５％以上１００％未満である、請求項１または２に記載のインダクタ部品。
12. 前記凹部の深さは、０．５μｍ以上１０μｍ未満である、請求項１または２に記載のインダクタ部品。
13. 前記外部端子の前記重複部分の外面の算術平均粗さは、前記外部端子の前記非重複部分の外面の算術平均粗さよりも小さい、請求項３に記載のインダクタ部品。
14. 前記引出配線は、前記磁性層上に延びている、請求項１に記載のインダクタ部品。
15. 前記引出配線の表面は、凹溝を有し、前記凹部は、前記凹溝に対応する位置にある、請求項１に記載のインダクタ部品。
16. 前記引出配線の表面は、前記磁性層の表面を基準として、前記表面に垂直な方向に対して、＋５μｍから－１０μｍの範囲にある、請求項１から１５の何れか一つに記載のインダクタ部品。
17. 前記磁性層の表面に設けられた被覆膜をさらに備え、
    前記被覆膜は、前記外部端子の外周縁に接触する、請求項１から１６の何れか一つに記載のインダクタ部品。
18. 前記外部端子は、前記被覆膜上にも設けられている、請求項１７に記載のインダクタ部品。
19. 前記被覆膜は、前記引出配線の表面にも設けられ、
    前記引出配線上の被覆膜と、前記磁性層上の前記被覆膜とは、外表面側から所定の波長の光を当てたときの反射スペクトルが異なる、請求項１７または１８に記載のインダクタ部品。
20. 前記磁性層は、さらにフェライト粉を含む、請求項１から１９の何れか一つに記載のインダクタ部品。

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