JP2020136390A - インダクタ部品 - Google Patents

Abstract

【課題】外部端子とインダクタ配線の接続位置を把握することができるインダクタ部品を提供する。【解決手段】インダクタ部品は、磁性層を含む積層体と、前記積層体内に配置されたインダクタ配線と、前記積層体から露出する外部端子とを備え、前記積層体および前記外部端子の何れかは、前記インダクタ配線上の重複領域と、前記インダクタ配線に接触しない非重複領域とを有し、前記重複領域と前記非重複領域とは、外表面側から所定の波長の光を当てたときの反射スペクトルが異なる。【選択図】図１Ａ

Description

本発明は、インダクタ部品に関する。

従来、インダクタ部品としては、特開２０１４−１３８１５号公報（特許文献１）に記載されたものがある。このインダクタ部品は、磁性層を含む積層体と、積層体内に配置されたインダクタ配線と、積層体から露出する外部端子とを備える。

特開２０１４−１３８１５号公報

近年、インダクタ部品の小型化が進んでおり、外部端子の面積も小さくなってきている。さらなる小型化が進むと、前記従来のインダクタ部品では、インダクタ部品の製造ばらつきにより、外部端子が設計上の位置からずれた位置に設けられた場合に、外部端子がインダクタ配線に接続されない可能性や、外部端子とインダクタ配線の接触面積が小さくなり過ぎ、電気的な接続性、物理的な接続性が低下する可能性がある。

そこで、本開示の課題は、外部端子の形成後に、外部端子とインダクタ配線の接続位置を把握することができ、外部端子とインダクタ配線の接続性が低下したものを選別できるインダクタ部品を提供することにある。

本開示の一態様であるインダクタ部品は、
磁性層を含む積層体と、
前記積層体内に配置されたインダクタ配線と、
前記積層体から露出する外部端子と
を備え、
前記積層体および前記外部端子の何れかは、前記インダクタ配線上の重複領域と、前記インダクタ配線に接触しない非重複領域とを有し、前記重複領域と前記非重複領域とは、外表面側から所定の波長の光を当てたときの反射スペクトルが異なる。

ここで、所定の波長の光を当てたときの反射スペクトルが異なるとは、積層体や外部端子の外表面側から入射した当該所定の波長の光の反射スペクトルについて、明度、彩度、色相の少なくとも一つが、目視や装置により識別できる程度の差異を有することをいう。なお、赤外光、可視光、紫外光などの所定の波長の光をあてたときに識別できればよい。
また、インダクタ配線とは、電流が流れた場合に磁性層に磁束を発生させる配線のことをいう。

本開示のインダクタ部品によれば、積層体または外部端子において、重複領域と非重複領域とは、反射スペクトルが異なるので、重複領域と非重複領域を識別できる。これにより、外部端子を形成後でも外部端子とインダクタ配線の接続位置を把握できる。

また、インダクタ部品の一実施形態では、前記所定の波長の光が、可視光の波長域に存在している。

前記実施形態によれば、重複領域と非重複領域の識別を、より容易に行うことができる。

また、インダクタ部品の一実施形態では、前記外部端子は、前記重複領域に相当する前記インダクタ配線上の重複部分と、前記非重複領域に相当する前記磁性層上の非重複部分とを有する。

前記実施形態によれば、外部端子における重複部分と非重複部分を識別できる。

また、インダクタ部品の一実施形態では、前記重複部分の外表面と前記非重複部分の外表面とは、凹凸の大きさが異なる。

前記実施形態によれば、反射スペクトルの明度を用いて重複部分と非重複部分を識別できる。

また、インダクタ部品の一実施形態では、前記非重複部分の外表面の凹凸の大きさは、前記重複部分の外表面の凹凸の大きさよりも大きい。

前記実施形態によれば、反射スペクトルの明度が小さい方を重複部分、大きい方を非重複部分として識別できる。

また、インダクタ部品の一実施形態では、前記積層体は、前記磁性層の外表面に設けられた非磁性の絶縁被覆膜をさらに含み、前記重複領域に相当する前記インダクタ配線上の絶縁被覆膜である重複部分と、前記非重複領域に相当する前記磁性層上の絶縁被覆膜である非重複部分とを有する。

前記実施形態によれば、絶縁被覆膜を設けることで外部端子間の絶縁性を高め、信頼性を向上することができる。また、積層体（絶縁被覆膜）における重複部分と非重複部分を識別することができる。

また、インダクタ部品の一実施形態では、前記インダクタ配線が、前記絶縁被覆膜越しに確認できる。

前記実施形態によれば、外部端子とインダクタ配線との接続位置をより容易に把握できる。

また、インダクタ部品の一実施形態では、前記インダクタ配線は、前記磁性層の主面に平行な方向に延びるスパイラル配線と、前記磁性層の主面に直交する方向に延び、前記スパイラル配線と前記外部端子に接続された垂直配線と、を含む。

ここで、スパイラル配線とは、平面上で延伸する曲線（２次元曲線）を意味し、ターン数が１周を超える曲線であってもよく、ターン数が１周未満の曲線であってもよく、または、一部に直線を有していてもよい。

前記実施形態によれば、インダクタ配線のうち、インダクタンスを確保するスパイラル配線の延びる方向と、外部端子との接続を確保する垂直配線の延びる方向が、垂直となるため、お互いの形成領域を阻害せず、積層体内の領域を効率的に利用できる。

また、インダクタ部品の一実施形態では、前記垂直配線は、前記磁性層を厚み方向に貫通する柱状配線を有する。

前記実施形態によれば、外部端子とスパイラル配線を接続させるために余計な引き回しを避けることができる。

また、インダクタ部品の一実施形態では、前記外部端子は、複数の導体層からなる。

前記実施形態によれば、各導体層に機能を持たせることで、安定した実装が可能となる。例えば、１層目の導体層をＣｕとして磁性層上の平坦化処理をし、２層目の導体層にＮｉを形成しバリア層として活用し、３層目の導体層にＡｕを形成し防腐処理とはんだ濡れ性を確保する。

また、インダクタ部品の一実施形態では、前記複数の導体層のうち、外表面を構成する導体層は、ＡｕもしくはＳｎもしくはそれらを含む合金である。

前記実施形態によれば、外部端子の防腐処理、良好なはんだ濡れ性を確保でき、安定した実装が可能となる。

また、インダクタ部品の一実施形態では、前記複数の導体層のうち、前記インダクタ配線と直接接続された第１の導体層は、ＣｕもしくはＣｕを主成分とする合金である。

前記実施形態によれば、第１の導体層に導電率の低い材料を使うことで、外部端子における直流抵抗を下げることができる。

また、インダクタ部品の一実施形態では、前記第１の導体層は、９５％ｗｔ以上のＣｕおよび１％ｗｔ以上５％ｗｔ以下のＮｉを含む。

前記実施形態によれば、Ｎｉを含むことで第１の導体層の応力が開放されて、無応力側に推移することで、インダクタ配線へのストレスを緩和でき、外部端子とインダクタ配線の接続性が向上する。また、Ｎｉは少量であるので、第１の導体層における直流抵抗の増加を抑えることができる。

また、インダクタ部品の一実施形態では、前記複数の導体層のうち、前記インダクタ配線と直接接続された第１の導体層は、ＮｉもしくはＮｉを主成分とする合金である。

前記実施形態によれば、インダクタ配線がはんだによって浸食されることを抑制できる。

また、インダクタ部品の一実施形態では、前記外部端子の前記重複部分の外表面は、前記外部端子の前記非重複部分の外表面よりも低い位置にある凹部を有する。

前記実施形態によれば、外部端子は凹部を有することで、実装時に用いられるはんだボールやはんだペーストが、凹部に流れ込むセルフアラインメント効果により、安定した実装が可能となる。

また、インダクタ部品の一実施形態では、前記外部端子は、クラックを有する。

前記実施形態によれば、外部端子内の応力が開放され、インダクタ配線へのストレスを緩和できる。

また、インダクタ部品の一実施形態では、前記外部端子の厚みを１としたとき、前記凹部の深さは０．０５以上１未満である。

前記実施形態によれば、凹部によるセルフアラインメント効果を確実に確保しつつ、凹部の段差に過度な応力がかかることを抑制できる。

また、インダクタ部品の一実施形態では、前記磁性層は、樹脂と前記樹脂に含有された金属磁性粉とを含む。

前記実施形態によれば、高い磁気飽和特性と高周波での鉄損の低減効果を得ることができる。

また、インダクタ部品の一実施形態では、前記磁性層は、さらにフェライト粉を含む。

前記実施形態によれば、比透磁率の高いフェライト粉を含むことにより、磁性層の体積当たりの透磁率である実効透磁率を向上できる。

また、インダクタ部品の一実施形態では、前記インダクタ配線は、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｆｅもしくはこれらの化合物からなる。

前記実施形態によれば、インダクタ配線の導電率が高く、インダクタ部品の直流抵抗を下げることができる。

本開示の一態様であるインダクタ部品によれば、外部端子の形成後に、外部端子とインダクタ配線の接続位置を把握することができ、外部端子とインダクタ配線の接続性が低下したものを選別できる。

第１実施形態に係るインダクタ部品を示す透視平面図である。 第１実施形態に係るインダクタ部品を示す断面図である。 第１外部端子と第１垂直配線の位置関係を示す簡略平面図である。 第１外部端子と第１垂直配線の位置関係を示す簡略平面図である。 第２実施形態に係るインダクタ部品における第１外部端子と第１垂直配線の位置関係を示す簡略平面図である。 第１外部端子と第１垂直配線の位置関係を示す簡略平面図である。 第３実施形態に係るインダクタ部品における第１外部端子と第１垂直配線の位置関係を示す簡略平面図である。 第４実施形態に係るインダクタ部品を示す簡略断面図である。 第１実施形態の実施例を示す画像図である。 第１実施形態の実施例を示す画像図である。 第３実施形態の実施例を示す画像図である。

以下、本開示の一態様であるインダクタ部品を図示の実施の形態により詳細に説明する。なお、図面は一部模式的なものを含み、実際の寸法や比率を反映していない場合がある。

（第１実施形態）
（構成）
図１Ａは、インダクタ部品の第１実施形態を示す透視平面図である。図１Ｂは、図１ＡのＸ−Ｘ断面図である。

インダクタ部品１は、例えば、パソコン、ＤＶＤプレーヤー、デジタルカメラ、ＴＶ、携帯電話、スマートフォン、カーエレクトロニクスなどの電子機器に搭載され、例えば全体として直方体形状の部品である。ただし、インダクタ部品１の形状は、特に限定されず、円柱状や多角形柱状、円錐台形状、多角形錐台形状であってもよい。

図１Ａと図１Ｂに示すように、インダクタ部品１は、積層体１０と、インダクタ配線２０と、外部端子４１，４２とを有する。積層体１０は、第１磁性層１１と、第２磁性層１２と、絶縁層１５と、絶縁被覆膜５０とを含む。インダクタ配線２０は、積層体１０内に配置され、スパイラル配線２１と、垂直配線５１，５２（引出配線の一例）とを含む。外部端子４１，４２は、積層体１０から露出している。

第１磁性層１１と第２磁性層１２は、第１方向Ｚに積層されており、第１方向Ｚに直交する主面を有する。積層体１０が含む磁性層は、第１磁性層１１および第２磁性層１２の２層だけではなく、３層以上の磁性層を含んでいてもよいし、１層のみの磁性層を含んでいてもよい。図中、第１方向Ｚの順方向を上側、逆方向を下側とする。

第１磁性層１１および第２磁性層１２は、樹脂と樹脂に含有された金属磁性粉とを含む。したがって、金属磁性粉により高い磁気飽和特性を得ることができ、樹脂により金属磁性粉間が絶縁されるので、高周波での鉄損が低減される。

樹脂は、例えば、エポキシ系、ポリイミド系、フェノール系、ビニルエーテル系の何れかの樹脂を含む。これにより、絶縁信頼性が向上する。より具体的には、樹脂は、エポキシもしくはエポキシとアクリルの混合体もしくはエポキシ、アクリルとその他の混合体である。これにより、金属磁性粉間の絶縁性を担保することで、高周波での鉄損を小さくできる。

金属磁性粉の平均粒径は、例えば０．１μｍ以上５μｍ以下である。インダクタ部品１の製造段階においては、金属磁性粉の平均粒径を、レーザ回折・散乱法によって求めた粒度分布における積算値５０％に相当する粒径として算出することができる。金属磁性粉は、例えば、ＦｅＳｉＣｒなどのＦｅＳｉ系合金、ＦｅＣｏ系合金、ＮｉＦｅなどのＦｅ系合金、または、それらのアモルファス合金である。金属磁性粉の含有率は、好ましくは、磁性層全体に対して、２０Ｖｏｌ％以上７０Ｖｏｌ％以下である。金属磁性粉の平均粒径が５μｍ以下である場合、より高い磁気飽和特性を得ることができ、微粉によって高周波での鉄損を低減できる。なお、金属磁性粉でなく、ＮｉＺｎ系やＭｎＺｎ系などのフェライトの磁性粉を用いてもよい。このように比透磁率の高いフェライトを含むことにより、磁性層１１，１２の体積当たりの透磁率である実効透磁率を向上できる。

スパイラル配線２１は、第１磁性層１１の上方側、具体的には第１磁性層１１の上面の絶縁層１５上にのみ形成され、第１磁性層１１の主面に平行な方向に延びる形状の配線である。本実施形態では、スパイラル配線２１は、ターン数が１周を超え、約２．５ターンである。スパイラル配線２１は、例えば、上側からみて、外周端から内周端に向かって時計回り方向に渦巻状に巻回されている。

スパイラル配線２１の厚みは、例えば、４０μｍ以上１２０μｍ以下であることが好ましい。スパイラル配線２１の実施例として、厚みが４５μｍ、配線幅が５０μｍ、配線間スペースが１０μｍである。配線間スペースは３μｍ以上２０μｍ以下が好ましい。なお、スパイラル配線２１の厚みとは、スパイラル配線２１の延びる方向に直交する横断面において、第１方向Ｚに沿った最大寸法をいう。

スパイラル配線２１は、導電性材料からなり、例えばＣｕ、Ａｇ，Ａｕ、Ｆｅもしくはこれらの化合物などの低電気抵抗な金属材料からなる。これにより、導電率を下げることができて、直流抵抗を下げることができる。本実施形態では、インダクタ部品１は、スパイラル配線２１を１層のみ備えており、インダクタ部品１の低背化を実現できる。なお、スパイラル配線２１を複数層備えていてもよいし、複数層のスパイラル配線２１はビア配線によって電気的に直列に接続されていてもよい。

スパイラル配線２１は、第１方向Ｚに直交する平面上に（第１磁性層１１の主面に平行な方向に）配置され互いに接続された、スパイラル部２００、パッド部２０１，２０２および引出部２０３を有する。スパイラル部２００の内周端には、第１パッド部２０１が設けられ、スパイラル部２００の外周端には、第２パッド部２０２が設けられている。スパイラル部２００は、第１パッド部２０１と第２パッド部２０２の間において、渦巻状に巻回されている。第１パッド部２０１は、第１垂直配線５１に接続され、第２パッド部２０２は、第２垂直配線５２に接続される。引出部２０３は、第２パッド部２０２から積層体１０の第１方向Ｚに平行な第１側面１０ａに引き出され、積層体１０の第１側面１０ａから外部に露出している。

絶縁層１５は、第１磁性層１１の上面に形成された膜状の層であり、スパイラル配線２１を被覆している。スパイラル配線２１は、絶縁層１５に覆われているため、絶縁信頼性を向上できる。具体的に述べると、絶縁層１５は、スパイラル配線２１の底面及び側面のすべてを覆い、スパイラル配線２１の上面については、パッド部２０１，２０２のうち、ビア導体２５との接続部分を除いた部分を覆っている。絶縁層１５は、スパイラル配線２１のパッド部２０１，２０２に対応した位置に孔部を有する。孔部は、例えば、フォトリソグラフィやレーザ開口により形成することができる。第１磁性層１１とスパイラル配線２１の底面との間の絶縁層１５の厚みは、例えば、１０μｍ以下である。

絶縁層１５は、磁性体を含有しない絶縁性材料からなり、例えばエポキシ系樹脂、フェノール系樹脂、ポリイミド系樹脂などの樹脂材料からなる。なお、絶縁層１５は、シリカなどの非磁性体のフィラーを含んでいてもよく、この場合は、絶縁層１５の強度や加工性、電気的特性の向上が可能である。なお、絶縁層１５は必須の構成ではなく、スパイラル配線２１は第１磁性層１１および第２磁性層１２と直接接触していてもよい。また、絶縁層１５が、スパイラル配線２１の底面や側面、上面など一部のみ覆っていてもよい。

垂直配線５１，５２は、導電性材料からなり、スパイラル配線２１のパッド部２０１，２０２から第１方向Ｚに延び、スパイラル配線２１と外部端子４１，４２に接続される。垂直配線５１，５２は、第２磁性層１２を貫通するので、外部端子４１，４２とスパイラル配線２１を接続させるために余計な引き回しを避けることができる。垂直配線５１，５２は、スパイラル配線２１のパッド部２０１，２０２から第１方向Ｚに延び、絶縁層１５の内部を貫通するビア導体２５と、ビア導体２５から第１方向Ｚに延び、第２磁性層１２の内部を貫通する柱状配線３１，３２とを含む。柱状配線３１，３２は、第２磁性層１２の上面から露出している。

第１垂直配線５１は、スパイラル配線２１の第１パッド部２０１の上面から上側に延在するビア導体２５と、該ビア導体２５から上側に延在し、第１磁性層１１の内部を貫通する第１柱状配線３１とを含む。第２垂直配線５２は、スパイラル配線２１の第２パッド部２０２の上面から上側に延在するビア導体２５と、該ビア導体２５から上側に延在し、第１磁性層１１の内部を貫通する第２柱状配線３２とを含む。垂直配線５１，５２は、スパイラル配線２１と同様の材料からなる。

外部端子４１，４２は、導電性材料からなる。第１外部端子４１は、第１柱状配線３１上から第２磁性層１２上にかけて設けられ、積層体１０の上面から露出する。これにより、第１外部端子４１は、スパイラル配線２１の第１パッド部２０１に電気的に接続される。第２外部端子４２は、第２柱状配線３２上から第２磁性層１２上にかけて設けられ、積層体１０の上面から露出する。これにより、第２外部端子４２は、スパイラル配線２１の第２パッド部２０２に電気的に接続される。

好ましくは、外部端子４１，４２は、複数の導体層からなる。これによれば、各導体層に機能を持たせることで、安定した実装が可能となる。例えば、１層目の導体層をＣｕとして磁性層上の平坦化処理をし、２層目の導体層にＮｉを形成しバリア層として活用し、３層目の導体層にＡｕを形成し防腐処理とはんだ濡れ性を確保する。

好ましくは、外部端子４１，４２の外表面を構成する導体層は、ＡｕもしくはＳｎもしくはそれらを含む合金である。これによれば、外部端子４１，４２の防腐処理、良好なはんだ濡れ性を確保でき、安定した実装が可能となる。

好ましくは、外部端子４１，４２のインダクタ配線２０と直接接続された１層目の第１の導体層は、ＣｕもしくはＣｕを主成分とする合金である。これによれば、第１の導体層に導電率の低い材料を使うことで、外部端子４１，４２における直流抵抗を下げることができる。

好ましくは、第１の導体層は、９５％ｗｔ以上のＣｕおよび１％ｗｔ以上５％ｗｔ以下のＮｉを含む。これによれば、Ｎｉを含むことで第１の導体層の応力が開放されて、無応力側に推移することで、インダクタ配線２０へのストレスを緩和でき、外部端子４１，４２とインダクタ配線２０の接続性が向上する。また、Ｎｉは少量であるので、第１の導体層における直流抵抗の増加を抑えることができる。

好ましくは、外部端子４１，４２の第１の導体層は、ＮｉもしくはＮｉを主成分とする合金である。これによれば、垂直配線５１，５２上にＮｉが形成されることでバリアとなり垂直配線５１，５２がはんだによって浸食されることを抑制できる。具体的に述べると、Ｎｉの合金層は、例えば、Ｐが２％ｗｔ〜１０％ｗｔ含まれるＮｉＰの合金である。このとき、下地（磁性層と柱状配線）とＮｉ層の間には、Ｐｄなどの触媒層が存在する。なお、触媒層は、外部端子４１，４２を構成する層でないものとする。

絶縁被覆膜５０は、非磁性の絶縁性材料からなり、第２磁性層１２の外表面である上面に設けられ、第２磁性層１２の一部、柱状配線３１，３２および外部端子４１，４２の端面を露出させている。絶縁被覆膜５０によって、インダクタ部品１の表面の絶縁性を確保することができる。また、絶縁被覆膜５０を設けることで、第１外部端子４１と第２外部端子４２の間の絶縁性を高め、信頼性を向上することができる。なお、絶縁被覆膜５０が第１磁性層１１の下面側に形成されていてもよい。

図２は、第１方向Ｚからみた第１外部端子４１と第１垂直配線５１の位置関係を示す簡略平面図である。図２に示すように、第１外部端子４１は、第１垂直配線５１（インダクタ配線２０）上の重複領域と、第１垂直配線５１（インダクタ配線２０）に接触しない非重複領域とを有し、重複領域と非重複領域とは、外表面側から所定の波長の光を当てたときの反射スペクトルが異なる。

具体的に述べると、第１外部端子４１は、第１垂直配線５１（第１柱状配線３１）に接触する重複部分４１ａと、第２磁性層１２に接触する非重複部分４１ｂとを有する。重複部分４１ａは、重複領域に相当し、非重複部分４１ｂは、非重複領域に相当する。重複部分４１ａおよび非重複部分４１ｂは、それぞれハッチングで示す。第１垂直配線５１の大きさは、第１外部端子４１の大きさよりも小さく、第１垂直配線５１の全ては、第１外部端子４１の一部に重なる。

重複部分４１ａと非重複部分４１ｂは、反射スペクトルが異なるので、第１外部端子４１の外表面からみて（例えば、第１方向Ｚからみて）、重複部分４１ａと非重複部分４１ｂは、明度、彩度、色相の少なくとも一つが異なる。これにより、目視や装置により重複部分４１ａと非重複部分４１ｂを識別できる。なお、赤外光、可視光、紫外光などの所定の波長の光をあてたときに識別できればよい。所定の波長の光が、可視光の波長域に存在していれば、重複部分４１ａと非重複部分４１ｂの識別を、より容易に行うことができる。

重複部分４１ａの外表面と非重複部分４１ｂの外表面とは、凹凸の大きさが異なる。非重複部分４１ｂの外表面の凹凸の大きさは、重複部分４１ａの外表面の凹凸の大きさよりも大きい。例えば、非重複部分４１ｂの表面粗さＲａは、重複部分４１ａの表面粗さＲａよりも大きい。非重複部分４１ｂの表面粗さＲａは、例えば、重複部分４１ａの表面粗さＲａの１．５倍以上２．５倍以下である。

このように、重複部分４１ａの表面粗さＲａと非重複部分４１ｂの表面粗さＲａが異なるのは、重複部分４１ａは第１垂直配線５１（第１柱状配線３１）の上面に形成され、非重複部分４１ｂは積層体１０（磁性層１２）の上面に形成されているためである。つまり、第１垂直配線５１は金属から構成されているため、第１垂直配線５１の上面は滑らかとなる。一方、磁性層１２は樹脂と金属磁性粉を含むコンポジット体から構成されているため、磁性層１２の上面は粗くなる。そして、重複部分４１ａは第１垂直配線５１の上面に形成されることで、重複部分４１ａには第１垂直配線５１の上面の形状が転写される。一方、非重複部分４１ｂは磁性層１２の上面に形成されることで、非重複部分４１ｂには磁性層１２の上面の形状が転写される。このため、非重複部分４１ｂの表面は重複部分４１ａの表面よりも粗くなる。

また、重複部分４１ａの外表面と非重複部分４１ｂの外表面とは、凹凸の大きさが異なるので、反射スペクトルの明度を用いて重複部分４１ａと非重複部分４１ｂを識別できる。つまり、非重複部分４１ｂの外表面の凹凸の大きさは、重複部分４１ａの外表面の凹凸の大きさよりも大きいので、反射スペクトルの明度が小さい方を重複部分４１ａ、大きい方を非重複部分４１ｂとして識別できる。

前記インダクタ部品１によれば、第１外部端子４１の重複領域（重複部分４１ａ）と第１外部端子４１の非重複領域（非重複部分４１ｂ）とは、外表面側から所定の波長の光を当てたときの反射スペクトルが異なるので、重複領域（重複部分４１ａ）と非重複領域（非重複部分４１ｂ）を識別できる。これにより、第１外部端子４１を形成後でも第１外部端子４１とインダクタ配線２０（第１垂直配線５１）の接続位置を把握できる。

具体的に述べると、重複部分４１ａと非重複部分４１ｂは、例えば、明度によって区別できるとしたとき、図２に示す第１外部端子４１と第１柱状配線３１の位置関係において、第１外部端子４１が第１柱状配線３１よりも大きく、第１柱状配線３１の全てが第１外部端子４１に重なっていると判断できる。このとき、第１外部端子４１と第１垂直配線５１の接続性は良好となる。一方、図３に示す第１外部端子４１と第１柱状配線３１の位置関係において、第１外部端子４１が第１柱状配線３１よりも大きく、第１柱状配線３１の一部しか第１外部端子４１に重なっていないと判断できる。このとき、第１外部端子４１と第１垂直配線５１の接続性は、踏み外し量に応じて接続性が低下する。

したがって、第１外部端子４１の形成後に、第１外部端子４１と第１垂直配線５１（インダクタ配線２０）の接続位置を把握することができ、第１外部端子４１とインダクタ配線２０の接続性が低下したものを選別できる。

なお、第２外部端子４２と第２垂直配線５２の位置関係についても同様である。つまり、第２外部端子４２は、インダクタ配線２０（第２垂直配線５２）上の重複領域と、インダクタ配線２０（第２垂直配線５２）に接触しない非重複領域とを有し、重複領域と非重複領域とは、外表面側から所定の波長の光を当てたときの反射スペクトルが異なる。第２外部端子４２は、重複領域に相当するインダクタ配線２０上の重複部分と、非重複領域に相当する第２磁性層１２上の非重複部分とを有する。

（第２実施形態）
図４は、インダクタ部品の第２実施形態を示す簡略平面図である。第２実施形態は、第１実施形態とは、外部端子と垂直配線の大きさが相違する。この相違する構成を以下に説明する。その他の構成は、第１実施形態と同じ構成であり、その説明を省略する。

図４に示すように、第２実施形態のインダクタ部品１Ａでは、第１方向Ｚからみて、第１外部端子４１は、第１垂直配線５１（第１柱状配線３１）よりも小さく、第１外部端子４１の全ては、第１垂直配線５１の一部に重なっている。

積層体１０は、重複領域に相当するインダクタ配線２０（第１垂直配線５１）上の絶縁被覆膜５０である重複部分５０ａと、非重複領域に相当する（図１Ｂ参照の）第２磁性層１２上の絶縁被覆膜５０である非重複部分５０ｂとを有する。重複部分５０ａおよび非重複部分５０ｂは、それぞれハッチングで示す。重複部分５０ａと非重複部分５０ｂとは、外表面側から所定の波長の光を当てたときの反射スペクトルが異なる。したがって、積層体１０（絶縁被覆膜５０）における重複部分５０ａと非重複部分５０ｂを識別することができる。これにより、第１外部端子４１を形成後でも第１外部端子４１とインダクタ配線２０（第１垂直配線５１）の接続位置を把握できる。

具体的に述べると、重複部分５０ａと非重複部分５０ｂは、例えば、彩度や色相（色度）によって区別できるとしたとき、図４に示す第１外部端子４１と第１柱状配線３１の位置関係において、第１柱状配線３１が第１外部端子４１よりも大きく、第１外部端子４１の全てが第１柱状配線３１に重なっていると判断できる。このとき、第１外部端子４１と第１垂直配線５１の接続性は良好となる。一方、図５に示す第１外部端子４１と第１柱状配線３１の位置関係において、第１柱状配線３１が第１外部端子４１よりも大きく、第１外部端子４１の一部しか第１柱状配線３１に重なっていないと判断できる。このとき、第１外部端子４１と第１垂直配線５１の接続性は、踏み外し量に応じて接続性が低下する。

好ましくは、インダクタ配線２０（第１垂直配線５１）が、絶縁被覆膜５０越しに確認できる。これによれば、第１外部端子４１とインダクタ配線２０との接続位置をより容易に把握できる。

なお、第２外部端子４２と第２垂直配線５２の位置関係についても同様である。つまり、積層体１０は、重複領域に相当するインダクタ配線２０（第２垂直配線５２）上の絶縁被覆膜５０である重複部分５０ａと、非重複領域に相当する第２磁性層１２上の絶縁被覆膜５０である非重複部分５０ｂとを有する。重複部分５０ａと非重複部分５０ｂとは、外表面側から所定の波長の光を当てたときの反射スペクトルが異なる。

（第３実施形態）
図６は、インダクタ部品の第３実施形態を示す簡略平面図である。第３実施形態は、第１実施形態とは、外部端子と垂直配線の大きさが相違する。この相違する構成を以下に説明する。その他の構成は、第１実施形態と同じ構成であり、その説明を省略する。

図６に示すように、第３実施形態のインダクタ部品１Ｂでは、第１方向Ｚからみて、第１外部端子４１の一部は、第１垂直配線５１（第１柱状配線３１）の一部に重なっている。第１外部端子４１は、インダクタ配線２０（第１垂直配線５１）上の重複部分４１ａと、第２磁性層１２上の非重複部分４１ｂとを有する。積層体１０は、インダクタ配線２０（第１垂直配線５１）上の絶縁被覆膜５０である重複部分５０ａと、第２磁性層１２上の絶縁被覆膜５０である非重複部分５０ｂとを有する。重複部分４１ａ，５０ａおよび非重複部分５０ｂは、それぞれハッチングで示す。重複部分４１ａ，５０ａは、重複領域に相当する。非重複部分４１ｂ，５０ｂは、非重複領域に相当する。

第１外部端子４１における重複部分４１ａおよび非重複部分４１ｂは、前記第１実施形態と同様の構成であり、それぞれの反射スペクトルが異なる。積層体１０（絶縁被覆膜５０）における重複部分５０ａおよび非重複部分５０ｂは、前記第２実施形態と同様の構成であり、それぞれの反射スペクトルが異なる。

これにより、第１外部端子４１における重複部分４１ａおよび非重複部分４１ｂを識別でき、積層体１０における重複部分５０ａおよび非重複部分５０ｂを識別でき、これにより、第１外部端子４１を形成後でも第１外部端子４１とインダクタ配線２０（第１垂直配線５１）の接続位置を把握できる。

なお、第２外部端子４２と第２垂直配線５２の位置関係についても同様である。つまり、第２外部端子４２は、インダクタ配線２０（第２垂直配線５２）上の重複部分と、第２磁性層１２上の非重複部分とを有する。積層体１０は、インダクタ配線２０（第２垂直配線５２）上の絶縁被覆膜５０である重複部分と、第２磁性層１２上の絶縁被覆膜５０である非重複部分５０ｂとを有する。第２外部端子４２における重複部分および非重複部分は、それぞれの反射スペクトルが異なる。積層体１０における重複部分および非重複部分５０ｂは、それぞれの反射スペクトルが異なる。第２外部端子４２の重複部分と積層体の重複部分は、重複領域に相当し、第２外部端子４２の非重複部分と積層体の非重複部分５０ｂは、非重複領域に相当する。

（第４実施形態）
図７は、インダクタ部品の第４実施形態を示す簡略断面図である。第４実施形態は、第１実施形態とは、外部端子の形状が相違する。この相違する構成を以下に説明する。その他の構成は、第１実施形態と同じ構成であり、その説明を省略する。

図７に示すように、第４実施形態のインダクタ部品１Ｃでは、第１外部端子４１の重複部分４１ａの外表面は、第１外部端子４１の非重複部分４１ｂの外表面よりも低い位置にある凹部４１０を有する。凹部４１０の底面は、非重複部分４１ｂの外表面（上面）よりも低い位置にある。

凹部４１０の形成方法の一例を説明する。積層体１０（磁性層１２）内に第１柱状配線３１を形成した後、ソフトエッチングを行うと、第１柱状配線３１がエッチングされて、第１柱状配線３１の上面が、積層体１０の上面よりも低くなる。その後、第１柱状配線３１および積層体１０の上に第１外部端子４１を無電解めっきにより形成することで、第１外部端子４１の第１柱状配線３１上の部分は、第１外部端子４１の積層体１０上の部分に比べて低い位置に形成される。このようにして、第１外部端子４１の第１柱状配線３１上の重複部分４１ａには、凹部４１０が形成される。

したがって、第１外部端子４１は凹部４１０を有することで、実装時に用いられるはんだボールやはんだペーストが、凹部４１０に流れ込むセルフアラインメント効果により、安定した実装が可能となる。

好ましくは、第１外部端子４１は、クラックを有する。これによれば、第１外部端子４１内の応力が開放され、インダクタ配線２０へのストレスを緩和できる。

好ましくは、第１外部端子４１の厚みＴを１としたとき、凹部４１０の深さｄは０．０５以上１未満である。これによれば、凹部４１０によるセルフアラインメント効果を確実に確保しつつ、凹部４１０の段差に過度な応力がかかることを抑制できる。

ここで、第１外部端子４１の厚みＴは、第１外部端子４１の積層体１０（磁性層１２）と接触する部分（非重複部分４１ｂ）の厚みとし、例えば、第１外部端子４１の非重複部分４１ｂの断面幅方向の中央部の厚みとする。ここで、第１外部端子４１が、無電解めっきＣｕからなる第１の導体層４１１と、電解めっきＣｕからなる第２の導体層４１２と、無電解めっきＡｕからなる第３の導体層４１３とから構成され、第１柱状配線３１が、電解めっきＣｕから構成される場合、第１の導体層４１１と第１柱状配線３１の界面は、判別し難くい。このため、第１外部端子４１の第１柱状配線３１と接触する部分（重複部分４１ａ）で厚みを測定することは困難となる。そこで、第１外部端子４１の積層体１０と接触する部分（非重複部分４１ｂ）で厚みを測定することで、第１外部端子４１の厚みを容易に測定することができる。

なお、第２外部端子４２の形状についても同様である。つまり、第２外部端子４２の重複部分４２ａの外表面は凹部４１０を有し、安定した実装が可能となる。

なお、本開示は上述の実施形態に限定されず、本開示の要旨を逸脱しない範囲で設計変更可能である。例えば、第１から第４実施形態のそれぞれの特徴点を様々に組み合わせてもよい。

前記実施形態では、第１外部端子および第２外部端子がそれぞれの実施形態の特徴を有しているが、第１外部端子および第２外部端子のうちの少なくとも第１外部端子がその特徴を有していればよい。

前記実施形態では、垂直配線はビア導体および柱状配線から構成しているが、絶縁層が無いことにより、垂直配線が柱状配線のみとなってもよい。前記実施形態では、引出配線として第１方向に延在しているが、第１方向と直交する方向に延在し、磁性層の側面に引き出されてもよい。

（第１実施例）
図８Ａは、第１実施形態（図２）の実施例を示す。図８Ａに示すように、第１柱状配線３１は、円柱形状であり、第１外部端子４１において、重複部分４１ａと非重複部分４１ｂは、反射スペクトルが異なる。具体的に述べると、非重複部分４１ｂの凹凸の大きさは、重複部分４１ａの凹凸の大きさよりも大きい。このため、重複部分４１ａと非重複部分４１ｂは、明度および色相が異なり、重複部分４１ａは、非重複部分４１ｂよりも暗くなり、目視により重複部分４１ａと非重複部分４１ｂを識別できる。このように、目視で識別できると選別が容易となる。同様に、第２外部端子４２において、重複部分４２ａと非重複部分４２ｂは、反射スペクトルが異なる。

図８Ｂは、第１実施形態（図３）の実施例を示す。図８Ｂに示すように、第２柱状配線３２の一部分は、第２外部端子４２の直下にあり、第２柱状配線３２のその他の部分は、絶縁被覆膜５０の直下にある。このとき、第２外部端子４２において、重複部分４２ａと非重複部分４２ｂは、反射スペクトルが異なり、重複部分４１ａと非重複部分４１ｂを識別できる。絶縁被覆膜５０の直下の第２柱状配線３２は、目視で確認できない。このように、第２柱状配線３２を第２外部端子４２の直下だけで認識できる。
なお、第１外部端子４１と第１柱状配線３１の位置関係においては、図８Ａと同様であるため、その説明を省略する。

（第２実施例）
図９は、第３実施形態（図６）の実施例を示す。図９に示すように、第１外部端子４１において、重複部分４１ａと非重複部分４１ｂは、反射スペクトルが異なる。具体的に述べると、非重複部分４１ｂの凹凸の大きさは、重複部分４１ａの凹凸の大きさよりも大きい。このため、重複部分４１ａと非重複部分４１ｂは、明度および色相が異なり、重複部分４１ａは、非重複部分４１ｂよりも暗くなり、目視により重複部分４１ａと非重複部分４１ｂを識別できる。このように、目視で識別できると選別が容易となる。

また、積層体１０（絶縁被覆膜５０）において、重複部分５０ａと非重複部分５０ｂは、反射スペクトルが異なる。具体的に述べると、重複部分５０ａと非重複部分５０ｂは、明度および色相が異なる。このため、目視により重複部分５０ａと非重複部分５０ｂを識別できる。このように、目視で識別できると選別が容易となる。第１柱状配線３１は、絶縁被覆膜５０越しに確認できる。このように、第１柱状配線３１を第１外部端子４１の直下および絶縁被覆膜５０の直下で認識できる。

１，１Ａ，１Ｂ，１Ｃ インダクタ部品
１０ 積層体
１０ａ 第１側面
１１ 第１磁性層
１２ 第２磁性層
１５ 絶縁層
２０ インダクタ配線
２１ スパイラル配線
２５ ビア導体
３１ 第１柱状配線
３２ 第２柱状配線
４１ 第１外部端子
４１ａ 重複部分
４１ｂ 非重複部分
４１０ 凹部
４２ 第２外部端子
５０ 絶縁被覆膜
５０ａ 重複部分
５０ｂ 非重複部分
５１ 第１垂直配線
５２ 第２垂直配線
２００ スパイラル部
２０１ 第１パッド部
２０２ 第２パッド部
２０３ 引出部
Ｚ 第１方向
Ｔ 外部端子の厚み
ｄ 凹部の深さ

Claims (20)

1. 磁性層を含む積層体と、
   前記積層体内に配置されたインダクタ配線と、
   前記積層体から露出する外部端子と
   を備え、
   前記積層体および前記外部端子の何れかは、前記インダクタ配線上の重複領域と、前記インダクタ配線に接触しない非重複領域とを有し、前記重複領域と前記非重複領域とは、外表面側から所定の波長の光を当てたときの反射スペクトルが異なる、インダクタ部品。
2. 前記所定の波長の光が、可視光の波長域に存在する、請求項１に記載のインダクタ部品。
3. 前記外部端子は、前記重複領域に相当する前記インダクタ配線上の重複部分と、前記非重複領域に相当する前記磁性層上の非重複部分とを有する、請求項１または２に記載のインダクタ部品。
4. 前記重複部分の外表面と前記非重複部分の外表面とは、凹凸の大きさが異なる、請求項３に記載のインダクタ部品。
5. 前記非重複部分の外表面の凹凸の大きさは、前記重複部分の外表面の凹凸の大きさよりも大きい、請求項４に記載のインダクタ部品。
6. 前記積層体は、前記磁性層の外表面に設けられた非磁性の絶縁被覆膜をさらに含み、前記重複領域に相当する前記インダクタ配線上の絶縁被覆膜である重複部分と、前記非重複領域に相当する前記磁性層上の絶縁被覆膜である非重複部分とを有する、請求項１から５の何れか一つに記載のインダクタ部品。
7. 前記インダクタ配線が、前記絶縁被覆膜越しに確認できる、請求項６に記載のインダクタ部品。
8. 前記インダクタ配線は、前記磁性層の主面に平行な方向に延びるスパイラル配線と、前記磁性層の主面に直交する方向に延び、前記スパイラル配線と前記外部端子に接続された垂直配線と、を含む、請求項１から７の何れか一つに記載のインダクタ部品。
9. 前記垂直配線は、前記磁性層を厚み方向に貫通する柱状配線を有する、請求項１から８の何れか一つに記載のインダクタ部品。
10. 前記外部端子は、複数の導体層からなる、請求項１から９の何れか一つに記載のインダクタ部品。
11. 前記複数の導体層のうち、外表面を構成する導体層は、ＡｕもしくはＳｎもしくはそれらを含む合金である、請求項１０に記載のインダクタ部品。
12. 前記複数の導体層のうち、前記インダクタ配線と直接接続された第１の導体層は、ＣｕもしくはＣｕを主成分とする合金である、請求項１０または１１に記載のインダクタ部品。
13. 前記第１の導体層は、９５％ｗｔ以上のＣｕおよび１％ｗｔ以上５％ｗｔ以下のＮｉを含む、請求項１２に記載のインダクタ部品。
14. 前記複数の導体層のうち、前記インダクタ配線と直接接続された第１の導体層は、ＮｉもしくはＮｉを主成分とする合金である、請求項１０または１１に記載のインダクタ部品。
15. 前記外部端子の前記重複部分の外表面は、前記外部端子の前記非重複部分の外表面よりも低い位置にある凹部を有する、請求項３から５の何れか一つに記載のインダクタ部品。
16. 前記外部端子は、クラックを有する、請求項１５に記載のインダクタ部品。
17. 前記外部端子の前記非重複部分の厚みを１としたとき、前記凹部の深さは０．０５以上１未満である、請求項１５または１６に記載のインダクタ部品。
18. 前記磁性層は、樹脂と前記樹脂に含有された金属磁性粉とを含む、請求項１から１７の何れか一つに記載のインダクタ部品。
19. 前記磁性層は、さらにフェライト粉を含む、請求項１８に記載のインダクタ部品。
20. 前記インダクタ配線は、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｆｅもしくはこれらの化合物からなる、請求項１から１９の何れか一つに記載のインダクタ部品。