JP2023062559A - インダクタ部品 - Google Patents

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Abstract

【課題】他の電子部品とのショートを抑制しつつ、素体強度の低下およびインダクタンスの低下を抑制することができるインダクタ部品を提供する。【解決手段】インダクタ部品は、磁性粉を含み、第１主面および第２主面と、第１主面と第２主面とを接続する側面と、を有する素体と、素体内に設けられたインダクタ配線と、素体内に設けられ、インダクタ配線の第１端部に接続され第１主面まで延在する第１垂直配線と、素体内に設けられ、インダクタ配線の第２端部に接続され第１主面まで延在する第２垂直配線と、第１垂直配線に接続され、第１主面において露出する第１外部端子と、第２垂直配線に接続され、第１主面において露出する第２外部端子とを備え、磁性粉は、Ｆｅ元素を主成分とし、側面は、複数の磁性粉が酸化された酸化膜が露出している酸化領域と、複数の磁性粉が露出している非酸化領域とを有する。【選択図】図１

Description

本開示は、インダクタ部品に関する。
従来、インダクタ部品としては、特開２０２０－１４５３９９号公報（特許文献１）に記載されたものがある。インダクタ部品は、金属磁性粉を含む素体と、素体の内部に配置された第１及び第２コイル部と、前記第１コイル部の一端に電気的に接続された第１外部電極と、前記第２コイル部の一端に電気的に接続された第２外部電極とを備えている。さらに、インダクタ部品は、素体の表面の全体に金属磁性粉を酸化させた絶縁層を備え、絶縁層により、インダクタ部品と他の電子部品の間のショートを防止している。
特開２０２０－１４５３９９号公報
ところで、前記従来のようなインダクタ部品では、以下の課題があることが分かった。
酸化した金属磁性粉は膨張するため、素体と金属磁性粉の密着性が弱くなり、素体の強度が低下する課題がある。また、酸化した金属磁性粉が素体から脱落して、金属磁性粉の数量が減少することで、インダクタンスが低下する課題がある。
そこで、本開示は、他の電子部品とのショートを抑制しつつ、素体強度の低下およびインダクタンスの低下を抑制することができるインダクタ部品を提供することにある。
前記課題を解決するため、本開示の一態様であるインダクタ部品は、
磁性粉を含み、第１主面および第２主面と、前記第１主面と前記第２主面とを接続する側面と、を有する素体と、
前記素体内に設けられたインダクタ配線と、
前記素体内に設けられ、前記インダクタ配線の第１端部に接続され前記第１主面まで延在する第１垂直配線と、
前記素体内に設けられ、前記インダクタ配線の第２端部に接続され前記第１主面まで延在する第２垂直配線と、
前記第１垂直配線に接続され、前記第１主面において露出する第１外部端子と、
前記第２垂直配線に接続され、前記第１主面において露出する第２外部端子と
を備え、
前記磁性粉は、Ｆｅ元素を主成分とし、
前記側面は、複数の前記磁性粉が酸化された酸化膜が露出している酸化領域と、複数の前記磁性粉が露出している非酸化領域とを有する。
ここで、酸化領域とは、Ｆｅ元素が６５ｗｔ％以上でありかつＯ元素が２４ｗｔ％以上である領域をいい、非酸化領域とは、Ｆｅ元素が６５ｗｔ％以上でありかつＯ元素が２４ｗｔ％より小さい領域をいう。
部品の実装密度を大きくした場合、部品間の距離が短くなり、隣り合う部品において外部端子と素体の側面とが接触する場合がある。この場合、磁性粉を介してショートする虞がある。前記態様によれば、素体側面に設けられた酸化領域により、磁性粉の電気抵抗を高めて、ショートすることを抑制することができる。また、素体側面に設けられた非酸化領域により、素体強度の低下およびインダクタンスの低下を抑制することができる。
好ましくは、インダクタ部品の一実施形態では、
前記素体は、前記磁性粉を含有する樹脂を含み、
前記酸化領域における前記磁性粉は、前記酸化膜を介して前記樹脂と接触する磁性粉を含む。
前記実施形態によれば、酸化領域における磁性粉が、酸化膜を介して樹脂と接触するため、より効果的にショートすることを抑制することができる。
好ましくは、インダクタ部品の一実施形態では、
前記素体は、前記磁性粉を含有する樹脂を含み、
前記酸化領域における前記磁性粉は、前記樹脂と直接接触する磁性粉を含む。
前記実施形態によれば、酸化領域における磁性粉が、樹脂と直接接触するため、磁性粉と樹脂との密着性が向上し、より効果的に素体強度の低下およびインダクタンスの低下を抑制することができる。
好ましくは、インダクタ部品の一実施形態では、
前記酸化領域は、前記非酸化領域と比べて、６００ｎｍより小さい波長の反射率に対する６００ｎｍ以上８００ｎｍ以下の波長の反射率の割合が大きい。
前記実施形態によれば、酸化領域は、非酸化領域と比較して、赤色の反射が大きい。したがて、酸化領域が赤色（暖色）に見えるため、酸化領域が形成されていることを容易に把握でき、ショート耐性を有することを外観から確認できる。
好ましくは、インダクタ部品の一実施形態では、
前記酸化膜は、前記磁性粉の切断面に形成されている。
前記実施形態によれば、素体を研削して素体の厚みを薄くする場合、磁性粉が切断されて磁性粉の切断面が剥き出しとなるが、磁性粉の切断面に酸化膜が形成されるため、ショート耐性を向上することができる。
好ましくは、インダクタ部品の一実施形態では、
前記酸化膜の厚みは、前記磁性粉の粒径のＤ５０より小さい。
前記実施形態によれば、酸化が過度に進行すると、素体の強度の低下や磁性粉の脱粒による問題を引き起こすが、酸化膜が１粒の磁性粉より薄いので、前記問題を回避することができる。
好ましくは、インダクタ部品の一実施形態では、
前記インダクタ配線は、前記第１端部に接続され前記側面から露出する第１引出部を有する。
前記実施形態によれば、第１引出部を設けることで、インダクタ部品の個片化の際の素体の切断時に、強度を確保することができ、製造時の歩留まりを向上することができる。
第１引出部が露出する側面は、酸化領域を有するので、複数のインダクタ配線を設ける場合、側面における隣り合う第１引出部の間の絶縁抵抗を高くすることができる。また、複数のインダクタ部品を配置する場合、隣り合うインダクタ部品の第１引出部の間の絶縁抵抗を高くすることができる。
好ましくは、インダクタ部品の一実施形態では、
前記インダクタ配線は、複数あり、
複数のインダクタ配線は、前記第１主面に平行な同一平面に配置され、互いに電気的に分離している。
前記実施形態によれば、インダクタアレイを構成し、インダクタンスの密度を増加することができる。
好ましくは、インダクタ部品の一実施形態では、
前記インダクタ配線は、複数あり、
複数のインダクタ配線は、前記第１主面に直交する方向に沿って配置されている。
前記実施形態によれば、インダクタンスの密度を増加させることができる。
好ましくは、インダクタ部品の一実施形態では、
前記第１主面上に設けられた絶縁層をさらに備える。
前記実施形態によれば、第１外部端子と第２外部端子との間でショートすることを抑制することができる。
好ましくは、インダクタ部品の一実施形態では、
前記第１主面は、前記酸化領域と前記非酸化領域とを有する。
前記実施形態によれば、酸化領域により、第１外部端子と第２外部端子との間で第１主面の磁性粉を介してショートすることを抑制しつつ、非酸化領域により、素体強度の低下およびインダクタンスの低下を抑制することができる。
好ましくは、インダクタ部品の一実施形態では、
前記側面は、前記第１主面から、前記第１主面に直交する方向の所定範囲の第１領域と、前記第１領域以外の第２領域と、を有し、
前記第２領域における前記磁性粉の粒径のＤ５０は、前記第１領域における前記磁性粉の粒径のＤ５０よりも大きく、
前記側面において、前記第１領域は、前記第２領域と比べて、前記非酸化領域の面積が大きく、かつ、前記第２領域は、前記第１領域と比べて、前記酸化領域の面積が大きい。
ここで、「所定範囲」は、第１垂直配線の配線長よりも短い範囲で設定される。また、「第１領域における磁性粉の粒径のＤ５０」および「第２領域における磁性粉の粒径のＤ５０」は、側面を観察して測定できる。
前記実施形態によれば、粒径が比較的大きい磁性粉が、インダクタ配線の周りに配置されるため、インダクタンスを確保できる。また、粒径が比較的小さい磁性粉が、第１主面を含み且つ第１主面から所定範囲の第１領域に配置されている。粒径が比較的小さい磁性粉では、粒子間の接触面積が小さくなる。そのため、第１領域の磁性粉を介したショートを抑制することができる。また、側面において、第２領域は、第１領域と比べて、酸化領域の面積が大きいため、第２領域の磁性粉を介したショートを抑制することができる。
好ましくは、インダクタ部品の一実施形態では、
前記素体は、前記第１主面に直交する方向に積層された複数の磁性層を有し、
前記インダクタ配線に接する前記磁性層は、前記インダクタ配線の外形の一部に沿って配置されている。
前記実施形態によれば、インダクタ配線の周囲に沿って磁性層を配置でき、インダクタンスを確保することができる。
好ましくは、インダクタ部品の一実施形態では、
前記酸化領域の前記磁性粉の粒径のＤ５０は、前記非酸化領域の前記磁性粉のＤ５０よりも大きい。
前記実施形態によれば、粒径の大きい磁性粉は酸化し易く、酸化領域を容易に形成することができる。
好ましくは、インダクタ部品の一実施形態では、
前記酸化領域のＦｅ元素の量は、前記非酸化領域のＦｅ元素の量より多い。
前記実施形態によれば、酸化領域のＦｅ元素の量は多いため、インダクタ配線の周りにＦｅ元素を多く配置でき、インダクタンスを確保することができる。
好ましくは、インダクタ部品の一実施形態では、
前記側面は、さらに凹部を有する。
前記実施形態によれば、側面の表面積が増大するため、放熱性を向上させることができる。
また、前記課題を解決するため、本開示の別態様であるインダクタ部品は、
磁性粉を含み、第１主面および第２主面と、前記第１主面と前記第２主面とを接続する側面と、を有する素体と、
前記素体内に設けられたインダクタ配線と、
前記素体内に設けられ、前記インダクタ配線の第１端部に接続され前記第１主面まで延在する第１垂直配線と、
前記素体内に設けられ、前記インダクタ配線の第２端部に接続され前記第１主面まで延在する第２垂直配線と、
前記第１垂直配線に接続され、前記第１主面において露出する第１外部端子と、
前記第２垂直配線に接続され、前記第１主面において露出する第２外部端子と
を備え、
前記磁性粉は、Ｆｅ元素を主成分とし、
前記側面は、複数の前記磁性粉上においてＦｅ元素が６５ｗｔ％以上でありかつＯ元素が２４ｗｔ％以上である酸化領域と、複数の前記磁性粉が露出している非酸化領域とを有する。
部品の実装密度を大きくした場合、部品間の距離が短くなり、隣り合う部品において外部端子と素体の側面とが接触する場合がある。この場合、磁性粉を介してショートする虞がある。前記実施形態によれば、素体側面に設けられた酸化領域により、磁性粉の電気抵抗を高めて、ショートすることを抑制することができる。また、素体側面に設けられた非酸化領域により、素体強度の低下およびインダクタンスの低下を抑制することができる。
本開示の一態様であるインダクタ部品によれば、他の電子部品とのショートを抑制しつつ、素体強度の低下およびインダクタンスの低下を抑制することができる。
インダクタ部品の第１実施形態を示す平面図である。 図１のＡ－Ａ断面図である。 図１のＢ－Ｂ断面図である。 図２ＢのＡ部の拡大図である。 インダクタ部品の製法を説明する説明図である。 インダクタ部品の製法を説明する説明図である。 インダクタ部品の製法を説明する説明図である。 インダクタ部品の製法を説明する説明図である。 インダクタ部品の製法を説明する説明図である。 インダクタ部品の製法を説明する説明図である。 インダクタ部品の製法を説明する説明図である。 インダクタ部品の製法を説明する説明図である。 インダクタ部品の製法を説明する説明図である。 実施例１から実施例３において、酸化領域および非酸化領域のそれぞれのＦｅ元素量［ｗｔ％］を示すグラフである。 実施例１から実施例３において、酸化領域および非酸化領域のそれぞれのＯ元素量［ｗｔ％］を示すグラフである。 インダクタ部品の第２実施形態を示す平面図である。 図６のＡ－Ａ断面図である。 図７のＡ部の拡大図である。 インダクタ部品の製法を説明する説明図である。 インダクタ部品の製法を説明する説明図である。 インダクタ部品の製法を説明する説明図である。 インダクタ部品の製法を説明する説明図である。 インダクタ部品の製法を説明する説明図である。 インダクタ部品の製法を説明する説明図である。 インダクタ部品の製法を説明する説明図である。 インダクタ部品の製法を説明する説明図である。 インダクタ部品の製法を説明する説明図である。 インダクタ部品の製法を説明する説明図である。 インダクタ部品の製法を説明する説明図である。 インダクタ部品の製法を説明する説明図である。 インダクタ部品の製法を説明する説明図である。 第３実施形態に係る素体の断面を示す画像図である。 インダクタ部品の製法を説明する説明図である。
以下、本開示の一態様であるインダクタ部品を図示の実施の形態により詳細に説明する。なお、図面は一部模式的なものを含み、実際の寸法や比率を反映していない場合がある。
＜第１実施形態＞
（構成）
図１は、インダクタ部品の第１実施形態を示す平面図である。図２Ａは、図１のＡ－Ａ断面図である。図２Ｂは、図１のＢ－Ｂ断面図である。
インダクタ部品１は、例えば、パソコン、ＤＶＤプレーヤー、デジタルカメラ、ＴＶ、携帯電話、カーエレクトロニクスなどの電子機器に搭載され、例えば全体として直方体形状の部品である。ただし、インダクタ部品１の形状は、特に限定されず、円柱状や多角形柱状、円錐台形状、多角形錐台形状であってもよい。
図１、図２Ａおよび図２Ｂに示すように、インダクタ部品１は、素体１０と、素体１０内に設けられた第１インダクタ配線２１および第２インダクタ配線２２と、素体１０の第１主面１０ａから端面が露出するように素体１０内に設けられた第１柱状配線３１、第２柱状配線３２および第３柱状配線３３と、素体１０の第１主面１０ａにおいて露出する第１外部端子４１、第２外部端子４２および第３外部端子４３とを備える。図１では、便宜上、第１から第３外部端子４１～４３を二点鎖線で示す。
図中、インダクタ部品１の厚み方向をＺ方向とし、順Ｚ方向を上側、逆Ｚ方向を下側とする。インダクタ部品１のＺ方向に直交する平面において、インダクタ部品１の長さ方向をＸ方向とし、インダクタ部品１の幅方向をＹ方向とする。
素体１０は、第１主面１０ａおよび第２主面１０ｂと、第１主面１０ａと第２主面１０ｂの間に位置し第１主面１０ａと第２主面１０ｂを接続する第１側面１０ｃ、第２側面１０ｄ、第３側面１０ｅおよび第４側面１０ｆとを有する。
第１主面１０ａおよび第２主面１０ｂは、Ｚ方向に互いに反対側に配置され、第１主面１０ａは、順Ｚ方向に配置され、第２主面１０ｂは、逆Ｚ方向に配置される。第１側面１０ｃおよび第２側面１０ｄは、Ｘ方向に互いに反対側に配置され、第１側面１０ｃは、逆Ｘ方向に配置され、第２側面１０ｄは、順Ｘ方向に配置される。第３側面１０ｅおよび第４側面１０ｆは、Ｙ方向に互いに反対側に配置され、第３側面１０ｅは、逆Ｙ方向に配置され、第４側面１０ｆは、順Ｙ方向に配置される。
素体１０は、順Ｚ方向に沿って順に積層された第１磁性層１１および第２磁性層１２を有する。第１磁性層１１および第２磁性層１２は、それぞれ、磁性粉と当該磁性粉を含有する樹脂とを含む。樹脂は、例えば、エポキシ系、フェノール系、液晶ポリマー系、ポリイミド系、アクリル系もしくはそれらを含む混合物からなる有機絶縁材料である。磁性粉は、例えば、ＦｅＳｉＣｒなどのＦｅＳｉ系合金、ＦｅＣｏ系合金、ＮｉＦｅなどのＦｅ系合金、または、それらのアモルファス合金である。したがって、フェライトからなる磁性層と比較して、磁性粉により直流重畳特性を向上でき、樹脂により磁性粉間が絶縁されるので、高周波でのロス（鉄損）が低減される。
第１インダクタ配線２１および第２インダクタ配線２２は、第１磁性層１１と第２磁性層１２の間でＺ方向に直交する平面上に配置される。具体的に述べると、第１磁性層１１は、第１インダクタ配線２１および第２インダクタ配線２２の逆Ｚ方向に存在し、第２磁性層１２は、第１インダクタ配線２１および第２インダクタ配線２２の順Ｚ方向および順Ｚ方向に直交する方向に存在する。
第１インダクタ配線２１は、Ｚ方向から見たときに、Ｘ方向に沿って直線状に延在している。第２インダクタ配線２２は、Ｚ方向から見たときに、一部分がＸ方向に沿って直線状に延在し、その他の部分がＹ方向に沿って直線状に延在し、つまり、Ｌ字状に延在している。
第１、第２インダクタ配線２１，２２の厚みは、例えば、４０μｍ以上１２０μｍ以下であることが好ましい。第１、第２インダクタ配線２１，２２の実施例として、厚みが３５μｍ、配線幅が５０μｍ、配線間の最大スペースが２００μｍである。
第１インダクタ配線２１および第２インダクタ配線２２は、導電性材料からなり、例えばＣｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ａｌなどの低電気抵抗な金属材料からなる。本実施形態では、インダクタ部品１は、第１、第２インダクタ配線２１，２２を１層のみ備えており、インダクタ部品１の低背化を実現できる。なお、インダクタ配線は、シード層と電解めっき層との２層構成であってもよく、シード層として、ＴｉやＮｉを含んでいてもよい。
第１インダクタ配線２１の第１端部２１ａは、第１柱状配線３１に電気的に接続され、第１インダクタ配線２１の第２端部２１ｂは、第２柱状配線３２に電気的に接続される。つまり、第１インダクタ配線２１は、第１、第２端部２１ａ，２１ｂに線幅の大きいパッド部を有し、パッド部において、第１、第２柱状配線３１，３２と直接接続されている。
第２インダクタ配線２２の第１端部２２ａは、第３柱状配線３３に電気的に接続され、第２インダクタ配線２２の第２端部２２ｂは、第２柱状配線３２に電気的に接続される。つまり、第２インダクタ配線２２は、第１端部２２ａにパッド部を有し、パッド部において、第３柱状配線３３と直接接続されている。第２インダクタ配線２２の第２端部２２ｂは、第１インダクタ配線２１の第２端部２１ｂと共通である。
第１インダクタ配線２１の第１端部２１ａと第２インダクタ配線２２の第１端部２２ａとは、Ｚ方向から見たときに、素体１０の第１側面１０ｃ側に位置する。第１インダクタ配線２１の第２端部２１ｂと第２インダクタ配線２２の第２端部２２ｂとは、Ｚ方向から見たときに、素体１０の第２側面１０ｄ側に位置する。
第１インダクタ配線２１の第１端部２１ａおよび第２インダクタ配線２２の第１端部２２ａのそれぞれに、第１引出配線２０１が接続され、第１引出配線２０１は、第１側面１０ｃから露出する。第１インダクタ配線２１の第２端部２１ｂおよび第２インダクタ配線２２の第２端部２２ｂに、第２引出配線２０２が接続され、第２引出配線２０２は、第２側面１０ｄから露出する。
第１引出配線２０１および第２引出配線２０２は、インダクタ部品１の製造過程において、第１、第２インダクタ配線２１，２２の形状を形成後、追加で電解めっきを行う際の給電配線と接続される配線である。この給電配線によりインダクタ部品１を個片化する前のインダクタ基板状態において、追加で電解めっきを容易に行うことができ、配線間距離を狭くすることができる。また、追加で電解めっきを行うことで、第１、第２インダクタ配線２１，２２の配線間距離を狭くすることにより、第１、第２インダクタ配線２１，２２の磁気結合を高めることができる。また、第１引出配線２０１および第２引出配線２０２を設けることで、インダクタ部品１の個片化の際の素体１０の切断時に、強度を確保することができ、製造時の歩留まりを向上することができる。
第１から第３柱状配線３１～３３は、各インダクタ配線２１，２２からＺ方向に延在し、第２磁性層１２の内部を貫通している。柱状配線は、特許請求の範囲に記載の「垂直配線」に相当する。
第１柱状配線３１は、第１インダクタ配線２１の第１端部２１ａの上面から素体１０の第１主面１０ａまで延在し、第１柱状配線３１の端面は、素体１０の第１主面１０ａから露出する。第２柱状配線３２は、第１インダクタ配線２１の第２端部２１ｂの上面から素体１０の第１主面１０ａまで延在し、第２柱状配線３２の端面は、素体１０の第１主面１０ａから露出する。第３柱状配線３３は、第２インダクタ配線２２の第１端部２２ａの上面から素体１０の第１主面１０ａまで延在し、第３柱状配線３３の端面は、素体１０の第１主面１０ａから露出する。
したがって、第１柱状配線３１、第２柱状配線３２および第３柱状配線３３は、第１インダクタ配線２１、第２インダクタ配線２２から上記第１主面１０ａから露出する端面まで、第１主面１０ａに直交する方向に直線状に伸びる。これにより、第１外部端子４１、第２外部端子４２、第３外部端子４３と、第１インダクタ配線２１、第２インダクタ配線２２とをより短い距離で接続することができ、インダクタ部品１の低抵抗化や高インダクタンス化を実現できる。第１から第３柱状配線３１～３３は、導電性材料からなり、例えば、インダクタ配線２１，２２と同様の材料からなる。
なお、第１、第２インダクタ配線２１，２２を非磁性体からなる絶縁層で覆う場合、第１から第３柱状配線３１～３３は、絶縁層を貫通するビア配線を介して、第１、第２インダクタ配線２１，２２に電気的に接続されていてもよい。ビア配線は、柱状配線よりも線幅（径、断面積）が小さい導体である。この場合、特許請求の範囲に記載の「垂直配線」は、ビア配線と柱状配線とから構成される。
第１から第３外部端子４１～４３は、素体１０の第１主面１０ａに設けられている。第１から第３外部端子４１～４３は、導電性材料からなり、例えば、低電気抵抗かつ耐応力性に優れたＣｕ、耐食性に優れたＮｉ、はんだ濡れ性と信頼性に優れたＡｕが内側から外側に向かってこの順に並ぶ３層構成である。
第１外部端子４１は、第１柱状配線３１の素体１０の第１主面１０ａから露出する端面に接触し、第１柱状配線３１と電気的に接続されている。これにより、第１外部端子４１は、第１インダクタ配線２１の第１端部２１ａに電気的に接続される。第２外部端子４２は、第２柱状配線３２の素体１０の第１主面１０ａから露出する端面に接触し、第２柱状配線３２と電気的に接続されている。これにより、第２外部端子４２は、第１インダクタ配線２１の第２端部２１ｂおよび第２インダクタ配線２２の第２端部２２ｂに電気的に接続される。第３外部端子４３は、第３柱状配線３３の端面に接触し、第３柱状配線３３と電気的に接続されて、第２インダクタ配線２２の第１端部２２ａに電気的に接続される。
第１インダクタ配線２１の下面および第２インダクタ配線２２の下面のそれぞれは、絶縁層６１に覆われている。絶縁層６１は、磁性体を含まない絶縁性材料からなり、例えばエポキシ系樹脂、フェノール系樹脂、ポリイミド系樹脂などの樹脂材料からなる。なお、絶縁層６１は、シリカなどの非磁性体のフィラーを含んでいてもよく、この場合は、絶縁層６１の強度や加工性、電気的特性の向上が可能である。
図３は、図２ＢのＡ部の拡大図である。図３に示すように、第１磁性層１１および第２磁性層１２は、磁性粉１００と磁性粉１００を含有する樹脂１０１とを含む。磁性粉１００は、Ｆｅ元素を主成分とする。磁性粉１００がＦｅ元素を主成分とするとは、磁性粉１００が、Ｆｅ単体、または、元素量の中でＦｅがもっとも大きい元素量であるＦｅ系合金からなり、例えば、ＦｅＳｉやＦｅＳｉＣｒ、ＦｅＳｉＡｌ、ＦｅＮｉなどの金属磁性粉である。なお、磁性粉１００は、アモルファス構造であっても結晶構造であってもよい。
素体１０の第３側面１０ｅは、複数の磁性粉１００が酸化して形成される酸化膜１０２が露出している酸化領域Ｒ１と、複数の磁性粉１００が露出している非酸化領域Ｒ２と、凹部Ｃと、を有する。酸化領域Ｒ１とは、Ｆｅ元素が６５ｗｔ％以上でありかつＯ元素が２４ｗｔ％以上である領域をいう。非酸化領域Ｒ２とは、Ｆｅ元素が６５ｗｔ％以上でありかつＯ元素が２４ｗｔ％より小さい領域をいう。すなわち、言いかえると、素体１０の第３側面１０ｅは、複数の磁性粉１００上においてＦｅ元素が６５ｗｔ％以上でありかつＯ元素が２４ｗｔ％以上である酸化領域Ｒ１と、複数の磁性粉１００が露出している非酸化領域Ｒ２とを有する。
酸化領域Ｒ１および非酸化領域Ｒ２の組成分析には、第３側面１０ｅのＳＥＭ（走査型電子顕微鏡）画像からＥＤＸ（エネルギー分散型Ｘ線分析法）により分析する。具体的に述べると、ＳＥＭ画像では、磁性粉１００が複数入る倍率、例えば３００倍で撮影し、ＥＤＸにて酸化領域Ｒ１および非酸化領域Ｒ２を点分析もしくは該当エリアのみを選択して組成分析を行う。ここで、ノイズとして磁性層の樹脂成分であるＣや絶縁フィラー由来の成分、蒸着などで使用した金属成分などを検出する場合があるが、これらを除いた磁性粉の組成及び酸化成分としてのＯ元素を分母とし、該当の組成（Ｆｅ元素、Ｏ元素）の割合を算出する。磁性粉の組成として分母に含める元素とノイズとの切り分けとしては、予め素体の中央部を断面研磨により露出させ、当該断面に露出する磁性粉の切断面で検出される組成を基準とし、そこで検出されない組成のうち、Ｏ元素を除いてノイズとする。
凹部Ｃは、インダクタ部品１を個片化する際に、磁性粉１００を素体側面から脱粒させることにより設けることができる。凹部Ｃの内面の形状は、半球形であることが好ましい。これにより、機械的応力が凹部の内面で分散し、素体１０の強度を確保できる。凹部Ｃが第３側面１０ｅに設けられていることにより、第３側面１０ｅの表面積が増大し、インダクタ部品１の放熱性を向上させることができる。このため、凹部Ｃが第３側面１０ｅに設けられていることが好ましいが、設けられていなくてもよい。この場合、凹部Ｃに代えて切断された磁性粉１００が存在するため、インダクタンスが向上する。
なお、上記説明では、第３側面１０ｅを例としたが、上記酸化領域Ｒ１、非酸化領域Ｒ２および凹部Ｃは、第１側面１０ｃ、第２側面１０ｄ、第３側面１０ｅおよび第４側面１０ｆのうち、１つ以上の側面に設けられていればよい。
部品の実装密度を大きくした場合、部品間の距離が短くなり、隣り合う部品において外部端子と素体１０の第１から第４側面１０ｃ～１０ｆとが接触する場合がある。この場合、磁性粉１００を介してショートする虞がある。インダクタ部品１によれば、素体１０の第１から第４側面１０ｃ～１０ｆに設けられた酸化領域Ｒ１により、磁性粉１００の電気抵抗を高めて、ショートすることを抑制することができる。また、第１から第４側面１０ｃ～１０ｆに設けられた非酸化領域Ｒ２により、素体強度の低下およびインダクタンスの低下を抑制することができる。また、第１インダクタ配線２１および第２インダクタ配線２２は、１層であるので、インダクタ部品１を薄くできる。
図３に示すように、酸化領域Ｒ１における磁性粉１００は、樹脂１０１と直接接触する磁性粉を含む。具体的に述べると、磁性粉１００は、予め酸化膜で被覆されていない磁性粉を含む。上記構成によれば、酸化領域Ｒ１における磁性粉１００が、樹脂１０１と直接接触するため、磁性粉１００と樹脂１０１との密着性が向上し、より効果的に素体強度の低下およびインダクタンスの低下を抑制することができる。
もしくは、図示しないが、酸化領域Ｒ１における磁性粉１００は、酸化膜を介して樹脂１０１と接触する磁性粉を含む。具体的に述べると、磁性粉１００は、予め酸化膜で被覆された磁性粉を含む。上記構成によれば、酸化領域Ｒ１における磁性粉１００が、酸化膜を介して樹脂１０１と接触するため、より効果的にショートすることを抑制することができる。また、酸化領域Ｒ１における磁性粉１００は、樹脂１０１に埋設された表面の一部が酸化膜で被覆され、残りの部分が酸化膜で被覆されていない磁性粉を含んでいてもよい。すなわち、酸化領域Ｒ１における磁性粉１００は、部分的に樹脂１０１と直接接触し、部分的に酸化膜を介して樹脂１０１と接触する磁性粉を含んでいてもよい。
好ましくは、酸化領域Ｒ１は、非酸化領域Ｒ２と比べて、６００ｎｍより小さい波長の反射率に対する６００ｎｍ以上８００ｎｍ以下の波長の反射率の割合が大きい。上記構成によれば、酸化領域Ｒ１は、非酸化領域Ｒ２と比較して、赤色の反射が大きい。したがって、酸化領域Ｒ１が赤色（暖色）に見えるため、酸化領域Ｒ１が形成されていることを目視もしくは外観検査装置などにより容易に把握でき、ショート耐性を有することを外観から確認できる。
好ましくは、酸化膜１０２は、磁性粉１００の切断面に形成されている。上記構成によれば、素体１０を研削して素体の厚みを薄くする場合、磁性粉１００が切断されて磁性粉１００の切断面が剥き出しとなるが、磁性粉１００の切断面に酸化膜１０２が形成されるため、ショート耐性を向上することができる。
これに対して、公知の磁性粉において、表面をリン酸やＳｉＯ2など有機や無機物質でコートすることで絶縁性を高めているものがある。このような磁性粉を最表面に配置することでチップ表面の絶縁性を上げることができる。しかしながら、薄型のインダクタ部品を製造しようとすると、素体（磁性層）を研削して厚みを調整する必要がある。この場合、磁性粉の表面の表面保護膜は剥離され、磁性粉の内部が剥き出しになることで、ショート耐性が低下する。そこで、本実施形態では、絶縁耐性が低下した露出した磁性粉１００の内部上に酸化膜１０２を形成することで、ショート耐性を向上させ、かつ、不要に厚みを増やさない。ただし、酸化膜１０２は、磁性粉１００の切断面ではない表面に形成されていてもよい。また、上記から想定できるように、酸化領域Ｒ１において、磁性粉１００の樹脂１０１に埋設された部分は磁性粉１００が酸化された酸化膜１０２に被覆されている場合に限られず、リン酸やＳｉＯ2などの有機や無機物質で被覆されていてもよい。
好ましくは、酸化膜１０２の厚みは、磁性粉１００の粒径のＤ５０より小さい。上記構成によれば、酸化が過度に進行すると、素体１０の強度の低下や磁性粉１００の脱粒による問題を引き起こすが、酸化膜１０２が１粒の磁性粉１００より薄いので、問題を回避することができる。
ここで、磁性粉１００の粒径のＤ５０は、特に断りのない限り、インダクタ部品の素体１０の長手方向の中央部の横断面のＳＥＭ画像から測定する。この際ＳＥＭ画像には、磁性粉１００が１０個以上含まれていることが好ましく、例えば２０００倍の倍率で取得する。以上のようなＳＥＭ画像を上記横断面から３カ所以上取得し、磁性粉１００とそれ以外を２値化などにより分類し、ＳＥＭ画像内の各磁性粉１００の円相当径を算出し、円相当径の大きさ順に並べたときの中間値（メディアン径）を磁性粉１００の粒径のＤ５０とする。また、円相当径の小さいものから個数を積み上げていき、個数が全体の９０％を初めて超えるときの円相当径を、磁性粉１００の粒径のＤ９０とする。
好ましくは、酸化領域の磁性粉１００の粒径のＤ５０は、非酸化領域の磁性粉１００の粒径のＤ５０よりも大きい。上記構成によれば、粒径の大きい磁性粉１００は酸化し易く、酸化領域を容易に形成することができる。
好ましくは、第１引出配線２０１が露出する第１側面１０ｃは、酸化領域Ｒ１を有する。上記構成によれば、複数のインダクタ配線２１，２２を設ける場合、第１側面１０ｃにおける隣り合う第１引出配線２０１，２０１の間の絶縁抵抗を高くすることができる。また、複数のインダクタ部品１を配置する場合、隣り合うインダクタ部品１の第１引出配線２０１，２０１の間の絶縁抵抗を高くすることができる。同様に、第２引出配線２０２が露出する第２側面１０ｄは、酸化領域Ｒ１を有してもよい。
好ましくは、インダクタ配線は、複数あり、複数のインダクタ配線は、第１主面１０ａに平行な同一平面に配置され、互いに電気的に分離している。上記構成によれば、インダクタアレイを構成し、インダクタンスの密度を増加することができる。
好ましくは、素体１０の第１主面１０ａは、酸化領域Ｒ１と非酸化領域Ｒ２とを有する。上記構成によれば、酸化領域Ｒ１により、第１外部端子４１と第２外部端子４２との間および第３外部端子４３と第２外部端子４２との間で第１主面１０ａの磁性粉１００を介してショートすることを抑制しつつ、非酸化領域Ｒ２により、素体１０の強度の低下およびインダクタンスの低下を抑制することができる。
（製造方法）
次に、インダクタ部品１の製造方法について説明する。図４Ａから図４Ｉは、図１のＢ－Ｂ断面（図２Ｂ）に対応する。
図４Ａに示すように、ベース基板７０を準備する。ベース基板７０は、例えば、セラミックやガラス、シリコンなどの無機材料からなる。ベース基板７０の主面上に第１絶縁層７１を塗布して、第１絶縁層７１を硬化する。
図４Ｂに示すように、第１絶縁層７１上に第２絶縁層６１を塗布し、フォトリソグラフィ工法を用いて所定パターンを形成して硬化する。
図４Ｃに示すように、第１絶縁層７１および第２絶縁層６１上に、スパッタ法もしくは蒸着法などの公知の方法により、図示しないシード層を形成する。その後、ＤＦＲ（ドライフィルムレジスト）７５を貼付け、フォトリソグラフィ工法を用いてＤＦＲ７５に所定パターンを形成する。所定パターンは、第２絶縁層６１上の第１インダクタ配線２１および第２インダクタ配線２２を設ける位置に対応した貫通孔である。
図４Ｄに示すように、シード層に給電しつつ、電解めっき法を用いて第２絶縁層６１上に第１インダクタ配線２１および第２インダクタ配線２２を形成する。その後、ＤＦＲ７５を剥離し、シード層をエッチングする。このようにして、ベース基板７０の主面上に第１インダクタ配線２１および第２インダクタ配線２２を形成する。
図４Ｅに示すように、再度、ＤＦＲ７５を貼付け、フォトリソグラフィ工法を用いてＤＦＲ７５に所定パターンを形成する。所定パターンは、第１インダクタ配線２１および第２インダクタ配線２２上の第１柱状配線３１、第２柱状配線３２および第３柱状配線３３を設ける位置に対応した貫通孔である。
図４Ｆに示すように、電解めっきを用いて第１インダクタ配線２１および第２インダクタ配線２２上に第１柱状配線３１、第２柱状配線３２および第３柱状配線３３を形成する。その後、ＤＦＲ７５を剥離する。なお、電解めっきにシード層を用いてもよく、この場合、シード層をエッチングする必要がある。また、第１インダクタ配線２１及び第２インダクタ配線２２の形成時のシード層をエッチングせずに残しておき、このシード層を介して給電することで第１柱状配線３１、第２柱状配線３２および第３柱状配線３３を形成してもよく、この場合も、シード層をエッチングする必要がある。
図４Ｇに示すように、第２磁性層１２となる磁性シートを、ベース基板７０の主面の上方から第１インダクタ配線２１および第２インダクタ配線２２に向けて圧着して、第１インダクタ配線２１および第２インダクタ配線２２と第１柱状配線３１、第２柱状配線３２および第３柱状配線３３を第２磁性層１２により覆う。その後、第２磁性層１２の上面を研削し、第１柱状配線３１、第２柱状配線３２および第３柱状配線３３の端面を第２磁性層１２の上面から露出させる。なお、磁性粉の環境負荷による劣化を低減するためにガラスやシリコンなどの無機材料や、樹脂などによる表面保護膜を用いられることがある。このように、磁性粉が表面保護膜で覆われている場合、研削により表面保護膜を剥離することで、磁性粉の表面を酸化可能とする。
図４Ｈに示すように、ベース基板７０および第１絶縁層７１を研磨により除去する。このとき、第１絶縁層７１を剥離層として、ベース基板７０および第１絶縁層７１を剥離により除去してもよい。その後、第１インダクタ配線２１および第２インダクタ配線２２の下方から第１インダクタ配線２１および第２インダクタ配線２２に向けて第１磁性層１１となる他の磁性シートを圧着して、第１インダクタ配線２１および第２インダクタ配線２２を第１磁性層１１により覆う。その後、第１磁性層１１を所定の厚みに研削する。
図４Ｉに示すように、切断線Ｄにてインダクタ部品１を個片化する。個片化時または個片化後に、素体側面に酸化領域と非酸化領域を、個片化時に好ましくは凹部を形成する。例えば、個片化時の水洗および乾燥を利用して、素体側面に酸化領域と非酸化領域を形成してもよい。具体的に述べると、個片化時の水洗において、素体側面にも水を当てる。そして、例えば水洗時間または乾燥時間を調整することにより、大きい粒径の磁性粉に酸化膜を形成し、酸化領域と非酸化領域を容易に形成することができる。または、インダクタ部品１の個片化後に、素体側面の不純物除去と同時に、素体側面を水洗して、酸化領域と非酸化領域を形成してもよい。この場合も、例えば水洗時間または乾燥時間を調整することにより、大きい粒径の磁性粉に酸化膜を形成し、酸化領域と非酸化領域を容易に形成することができる。凹部は、例えば、個片化時のカット速度やダイシングブレードの回転速度などを制御して、磁性粉の脱粒を促進させることで形成することができる。
その後、無電解めっきにより、柱状配線３１～３３に金属膜を形成して、第１外部端子４１、第２外部端子４２および第３外部端子４３を形成する。これにより、図２Ｂに示すように、インダクタ部品１を製造する。
（実施例）
次に、実施例１、実施例２、実施例３において、酸化領域および非酸化領域のそれぞれのＦｅ元素量とＯ元素量とを求めた。図５Ａは、実施例１から実施例３において、酸化領域および非酸化領域のそれぞれのＦｅ元素量［ｗｔ％］を示すグラフである。図５Ｂは、実施例１から実施例３において、酸化領域および非酸化領域のそれぞれのＯ元素量［ｗｔ％］を示すグラフである。
実施例１では、磁性粉の組成は、ＦｅＳｉであり、磁性粉の粒径のＤ５０は、１５μｍである。実施例２では、磁性粉の組成は、ＦｅＳｉであり、実施例１のＦｅ量を１とすると実施例２のＦｅ量は、１．２であり、磁性粉の粒径のＤ５０は、１６μｍである。実施例３では、磁性粉の組成は、ＦｅＳｉＣｒであり、実施例１のＦｅ量を１とすると実施例３のＦｅ量は、０．９であり、磁性粉の粒径のＤ５０は、３μｍである。
図５Ａに示すように、実施例１では、酸化領域のＦｅ元素は７２ｗｔ％であり、非酸化領域のＦｅ元素は７５ｗｔ％であった。実施例２では、酸化領域のＦｅ元素は７１ｗｔ％であり、非酸化領域のＦｅ元素は９０ｗｔ％であった。実施例３では、酸化領域のＦｅ元素は７３ｗｔ％であり、非酸化領域のＦｅ元素は７０ｗｔ％であった。
図５Ｂに示すように、実施例１では、酸化領域のＯ元素は２４ｗｔ％であり、非酸化領域のＯ元素は１８ｗｔ％であった。実施例２では、酸化領域のＯ元素は２６ｗｔ％であり、非酸化領域のＯ元素は８ｗｔ％であった。実施例３では、酸化領域のＯ元素は２７ｗｔ％であり、非酸化領域のＯ元素は２３ｗｔ％であった。図５Ｂでは、２４ｗｔ％の位置を点線で示す。
したがって、酸化領域では、Ｆｅ元素が６５ｗｔ％以上でありかつＯ元素が２４ｗｔ％以上である。非酸化領域では、Ｆｅ元素が６５ｗｔ％以上でありかつＯ元素が２４ｗｔ％より小さい。
＜第２実施形態＞
図６は、インダクタ部品の第２実施形態を示す平面図である。図７は、図６のＡ－Ａ断面図である。第３実施形態は、第１実施形態とは、インダクタ配線、垂直配線および外部端子の構成が相違する。この相違する構成を以下に説明する。なお、第３実施形態において、第１実施形態と同一の符号は、第１実施形態と同じ構成であるため、その説明を省略する。
図６および図７に示すように、インダクタ部品１Ａは、素体１０と、第１インダクタ配線２１Ａおよび第２インダクタ配線２２Ａと、絶縁層１５と、第１垂直配線５１（第１柱状配線３１、ビア配線２５）および第２垂直配線５２（第２柱状配線３２、第２接続配線８２、ビア配線２５）と、第１外部端子４１Ａおよび第２外部端子４２Ａと、被覆膜５０とを有する。第１インダクタ配線２１Ａおよび第２インダクタ配線２２Ａと、絶縁層１５と、第１垂直配線５１および第２垂直配線５２とは、素体１０内に設けられている。第１，第２外部端子４１Ａ，４２Ａと被覆膜５０とは、素体１０の第１主面１０ａ上に設けられている。素体１０は、順Ｚ方向に沿って順に積層された第１磁性層１１および第２磁性層１２を有する。
第１インダクタ配線２１Ａは、第２インダクタ配線２２Ａの上方に設けられ、素体１０の第１主面１０ａに沿ってスパイラル形状に延びる配線である。第１インダクタ配線２１Ａのターン数は、１周を超えることが好ましい。これにより、インダクタンスを向上させることができる。第１インダクタ配線２１Ａは、例えば、Ｚ方向からみて、外周端２１ｂから内周端２１ａに向かって時計回り方向に渦巻状に巻回されている。第１インダクタ配線２１Ａの導電材料は、第１実施形態に係る第１インダクタ配線２１の導電材料と同様である。外周端２１ｂは、特許請求の範囲に記載の「第１端部」に相当する。
第２インダクタ配線２２Ａは、素体１０の第１主面１０ａに沿ってスパイラル形状に延びる配線である。第２インダクタ配線２２Ａのターン数は、１周を超えることが好ましい。これにより、インダクタンスを向上させることができる。第２インダクタ配線２２Ａは、Ｚ方向からみて、内周端２２ａから外周端２２ｂに向かって時計回り方向に渦巻状に巻回されている。第２インダクタ配線２２Ａは、第１インダクタ配線２１Ａと第１磁性層１１との間に配置されている。これにより、第１インダクタ配線２１Ａおよび第２インダクタ配線２２Ａの各々は、第１主面１０ａに直交する方向（Ｚ方向）に沿って配置されている。第２インダクタ配線２２Ａの導電材料は、第１実施形態に係る第１インダクタ配線２１の導電材料と同様である。外周端２２ｂが、特許請求の範囲に記載の「第２端部」に相当する。
第１インダクタ配線２１Ａの外周端２１ｂは、その外周端２１ｂの上側の第１垂直配線５１（ビア配線２５および第１柱状配線３１）を介して、第１外部端子４１Ａに接続される。第１インダクタ配線２１Ａの内周端２１ａは、その内周端２１ａの下側の図示しないビア配線を介して、第２インダクタ配線２２Ａの内周端２２ａに接続される。
第２インダクタ配線２２Ａの外周端２２ｂは、その外周端２２ｂの上側の第２垂直配線５２（第２柱状配線３２、第２接続配線８２およびビア配線２５）を介して、第２外部端子４２に接続される。以上の構成により、第１インダクタ配線２１Ａおよび第２インダクタ配線２２Ａは、直列に接続されて、第１外部端子４１および第２外部端子４２と電気的に接続される。
なお、本実施形態では、第１接続配線８１が、第２インダクタ配線２２Ａと同一層に設けられている。第１接続配線８１は、第１インダクタ配線２１Ａの外周端２１ｂの下側（逆Ｚ方向）に配置され、ビア配線２５を介して、第１インダクタ配線２１Ａの下面のみに接続している。第１接続配線８１は、第２インダクタ配線２２Ａには接続しておらず、電気的に独立している。第１接続配線８１を設けることにより、第１インダクタ配線２１Ａの外周端２１ｂを、第１インダクタ配線２１Ａの巻回部分と同一層に設けることができ、断線などを抑制することができる。
絶縁層１５は、第１磁性層１１上に形成された膜状の層であり、第１，第２インダクタ配線２１Ａ，２２Ａを少なくとも被覆している。具体的に述べると、絶縁層１５は、第１，第２インダクタ配線２１Ａ，２２Ａの底面及び側面のすべてを覆い、第１，第２インダクタ配線２１Ａ，２２Ａの上面については、ビア配線２５との接続部分を除いた部分を覆っている。絶縁層１５は、第１，第２インダクタ配線２１Ａ，２２Ａの内周部分に対応した位置に孔部を有する。第１磁性層１１の上面と第２インダクタ配線２２Ａの底面との間の絶縁層１５の厚みは、例えば、１０μｍ以下である。
絶縁層１５は、磁性体を含有しない絶縁性材料からなり、例えばエポキシ系樹脂、フェノール系樹脂、ポリイミド系樹脂などの樹脂材料からなる。なお、絶縁層１５は、シリカなどの非磁性体のフィラーを含んでいてもよく、この場合は、絶縁層１５の強度や加工性、電気的特性の向上が可能である。
第１磁性層１１は、第２磁性層１２および絶縁層１５のそれぞれの底面と密着する。第２磁性層１２は、第１磁性層１１の上方に配置されている。第１，第２インダクタ配線２１Ａ，２２Ａは、第１磁性層１１と第２磁性層１２との間に配置されている。第２磁性層１２は、第１，第２インダクタ配線２１Ａ，２２Ａの上方だけではなく、第１，第２インダクタ配線２１Ａ，２２Ａの内周部分も覆うように、絶縁層１５に沿って形成されている。
第１垂直配線５１は、導電性材料からなり、第１インダクタ配線２１ＡからＺ方向に延在し、第２磁性層１２の内部を貫通している。第１垂直配線５１は、第１インダクタ配線２１Ａの外周端２１ｂの上面から上側に延在するビア配線２５と、該ビア配線２５から上側に延在し、第１磁性層１１の内部を貫通する第１柱状配線３１とを含む。
第２垂直配線５２は、導電性材料からなり、第２インダクタ配線２２ＡからＺ方向に延在し、絶縁層１５および第２磁性層１２の内部を貫通している。第２垂直配線５２は、第２インダクタ配線２２Ａの外周端２２ｂの上面から上側に延在するビア配線２５と、該ビア配線２５から上側に延在し、絶縁層１５の内部を貫通する第２接続配線８２と、該第２接続配線８２から上側に延在するビア配線２５と、該ビア配線２５から上側に延在し、第２磁性層１２の内部を貫通する第２柱状配線３２とを含む。第１，第２垂直配線５１，５２は、第１インダクタ配線２１Ａと同様の材料からなる。
第１，第２外部端子４１Ａ，４２Ａは、導電性材料からなり、例えば、低電気抵抗かつ耐応力性に優れたＣｕ、耐食性に優れたＮｉ、はんだ濡れ性と信頼性に優れたＡｕが内側から外側に向かってこの順に並ぶ３層構成である。Ｃｕ／Ｎｉ／Ａｕの各層の厚みは、例えば、５／５／０．０１μｍである。
第１外部端子４１Ａは、第２磁性層１２の上面（第１主面１０ａ）に設けられ、該上面から露出する第１柱状配線３１の端面を覆っている。これにより、第１外部端子４１Ａは、第１インダクタ配線２１Ａの外周端２１ｂに電気的に接続される。第２外部端子４２Ａは、第２磁性層１２の上面に設けられ、該上面から露出する第２柱状配線３２の端面を覆っている。これにより、第２外部端子４２Ａは、第２インダクタ配線２２Ａの外周端２２ｂに電気的に接続される。
第１，第２外部端子４１Ａ，４２Ａには、好ましくは、防錆処理が施されている。ここで、防錆処理とは、ＮｉおよびＡｕ、または、ＮｉおよびＳｎなどで被膜することである。これにより、はんだによる銅喰われや、錆びを抑制することができ、実装信頼性の高いインダクタ部品１Ａを提供できる。
被覆膜５０は、絶縁性材料からなり、第２磁性層１２の上面に設けられ、第１，第２柱状配線３１，３２および第１，第２外部端子４１，４２の端面を露出させている。被覆膜５０によって、第１外部端子４１と第２外部端子４２との間でショートすることを抑制することができる。被覆膜は、特許請求の範囲に記載の「絶縁層」に相当する。なお、被覆膜５０が第１磁性層１１の下面側に形成されていてもよい。
図８は、図７のＡ部の拡大図である。図８に示すように、素体１０の第２側面１０ｄは、酸化領域Ｒ１と、非酸化領域Ｒ２と、凹部Ｃと、を有する。酸化領域Ｒ１、非酸化領域Ｒ２および凹部Ｃの構成は、第１実施形態と同様である。なお、ここでは、第２側面１０ｄを例としたが、酸化領域Ｒ１、非酸化領域Ｒ２および凹部Ｃは、第１側面１０ｃ、第２側面１０ｄ、第３側面１０ｅおよび第４側面１０ｆのうち、１つ以上の側面に設けられていればよい。また、凹部Ｃは、素体側面に設けられていることが好ましいが、設けられていなくてもよい。
本実施形態によれば、素体１０の第１から第４側面１０ｃ～１０ｆに設けられた酸化領域Ｒ１により、磁性粉１００の電気抵抗を高めて、ショートすることを抑制することができる。また、第１から第４側面１０ｃ～１０ｆに設けられた非酸化領域Ｒ２により、素体強度の低下およびインダクタンスの低下を抑制することができる。また、第１インダクタ配線２１Ａおよび第２インダクタ配線２２Ａが、第１主面に直交する方向に沿って配置されているため、インダクタンスの密度を増加させることができる。
（製造方法）
次に、インダクタ部品１Ａの製造方法について説明する。図９Ａから図９Ｍは、図６のＡ－Ａ断面（図７）に対応する。
図９Ａに示すように、ベース基板７０を準備する。ベース基板７０の主面上に第１絶縁層７１を塗布して、第１絶縁層７１を硬化する。第１絶縁層７１上に第２絶縁層１５を塗布し、フォトリソグラフィ工法を用いて所定パターンを形成して硬化する。
図９Ｂに示すように、第１絶縁層７１および第２絶縁層１５上に、スパッタ法もしくは蒸着法などの公知の方法により、図示しないシード層を形成する。その後、ＤＦＲ（ドライフィルムレジスト）７５を貼付け、フォトリソグラフィ工法を用いてＤＦＲ７５に所定パターンを形成する。所定パターンは、第２絶縁層１５上の第２インダクタ配線２２Ａ、第１接続配線８１および第１，第２引出配線２０１，２０２を設ける位置に対応した貫通孔である。
図９Ｃに示すように、シード層に給電しつつ、電解めっき法を用いて第２絶縁層１５上に第２インダクタ配線２２Ａ、第１接続配線８１および第１，第２引出配線２０１，２０２を形成する。その後、ＤＦＲ７５を剥離し、シード層をエッチングする。
図９Ｄに示すように、第２インダクタ配線２２Ａ、第１接続配線８１、第１，第２引出配線２０１，２０２および第１絶縁層７１の露出面を覆うように、さらに第２絶縁層１５を塗布する。そして、フォトリソグラフィ工法を用いて、ビア配線２５を設ける位置に対応したビア１５ａと、磁路となる部分に対応した貫通孔と、を形成して第２絶縁層１５を硬化する。
図９Ｅに示すように、第１絶縁層７１および第２絶縁層１５上に、スパッタ法もしくは蒸着法などの公知の方法により、図示しないシード層を形成する。その後、ＤＦＲを貼付け、フォトリソグラフィ工法を用いてＤＦＲに所定パターンを形成する。この際、磁路となる部分にはＤＦＲを残し、磁路となる部分を保護する。所定パターンは、第２絶縁層１５上の第１インダクタ配線２１Ａおよび第２接続配線８２と、第２インダクタ配線２２Ａ上および第１接続配線８１上のビア配線２５と、を設ける位置に対応した貫通孔である。その後、シード層に給電しつつ、電解めっき法を用いて、ビア１５ａ内にビア配線２５を、第２絶縁層１５上に第１インダクタ配線２１Ａおよび第２接続配線８２を形成する。その後、ＤＦＲ７５を剥離し、シード層をエッチングする。
図９Ｆに示すように、第１インダクタ配線２１Ａおよび第１絶縁層７１の露出面を覆うように、さらに第２絶縁層１５を塗布する。そして、フォトリソグラフィ工法を用いて、ビア配線２５を設ける位置に対応したビア１５ａと、磁路となる部分に対応した貫通孔と、を形成して第２絶縁層１５を硬化する。硬化後の第２絶縁層１５が、図７で示した絶縁層１５となる。
図９Ｇに示すように、第１絶縁層７１および第２絶縁層１５上に、スパッタ法もしくは蒸着法などの公知の方法により、図示しないシード層を形成する。その後、ＤＦＲを貼付け、フォトリソグラフィ工法を用いてＤＦＲに所定パターンを形成する。この際、磁路となる部分にはＤＦＲを残し、磁路となる部分を保護する。所定パターンは、第１インダクタ配線２１Ａ上および第２接続配線８２上のビア配線２５と、第１，第２柱状配線３１，３２を設ける位置に対応した貫通孔である。その後、シード層に給電しつつ、電解めっき法を用いて、ビア１５ａ内にビア配線２５を、ビア配線２５上に第１，第２柱状配線３１，３２を形成する。その後、ＤＦＲ７５を剥離し、シード層をエッチングする。
図９Ｈに示すように、第２磁性層１２となる磁性シートを、第１インダクタ配線２１Ａの上方から第１インダクタ配線２１Ａに向けて圧着して、第２絶縁層１５と、第１，第２柱状配線３１，３２とを第２磁性層１２により覆う。その後、第２磁性層１２の上面を研削し、第１柱状配線３１および第２柱状配線３２の端面を第２磁性層１２の上面から露出させる。
図９Ｉに示すように、第２磁性層１２の上面に第３絶縁層５０を塗布する。そして、フォトリソグラフィ工法を用いて第３絶縁層５０を所定パターンに形成して硬化する。所定パターンは、第３絶縁層が、第２磁性層１２の上面のうち、第１，第２外部端子４１Ａ，４２Ａが形成される領域を除いた領域を覆うことができるパターンである。硬化後の第３絶縁層５０が、図７で示した被覆膜５０となる。
図９Ｊに示すように、ベース基板７０および第１絶縁層７１を研磨により除去する。このとき、第１絶縁層７１を剥離層として、ベース基板７０および第１絶縁層７１を剥離により除去してもよい。
図９Ｋに示すように、第２インダクタ配線２２Ａの下方から第２インダクタ配線２２Ａに向けて第１磁性層１１となる他の磁性シートを圧着して、第２絶縁層１５および第２磁性層１２の下面を第１磁性層１１により覆う。その後、第１磁性層１１を所定の厚みに研削する。
図９Ｌに示すように、第１主面１０ａから露出する第１，第２柱状配線３１，３２の端面を覆うように、第１，第２外部端子４１Ａ，４２Ａを無電解めっきにより形成する。第１，第２外部端子４１Ａ，４２Ａは、例えば、第１主面１０ａ側から順に積層されたＣｕ／Ｎｉ／Ａｕである。なお、第１，第２外部端子４１Ａ，４２Ａを形成する前に、第１，第２外部端子４１Ａ，４２Ａと、素体１０の上面および第１，第２柱状配線３１，３２の端面と、が接触する部分に、図示しないＰｄなどの触媒を適用してもよい。
図９Ｍに示すように、切断線Ｄにてインダクタ部品１Ａを個片化する。個片化時または個片化後に、第１実施形態と同様にして、素体側面に酸化領域と非酸化領域を、個片化時に好ましくは凹部を形成する。以上のようにして、図７に示すように、インダクタ部品１Ａを製造する。なお、このとき素体１０の上面は第３絶縁層５０が覆っているので酸化領域は形成されない。
＜第３実施形態＞
図１０は、インダクタ部品の第３実施形態を示す画像図である。第３実施形態は、第１実施形態とは、素体の構成が相違する。この相違する構成を以下に説明する。その他の構造は、第１実施形態と同じであるため、第１実施形態と同一の符号を付して、その説明を省略する。なお、図１０は、図１のＣ－Ｃ断面に対応する。
図１０に示すように、素体１０Ａの第３側面１０ｅは、第１主面１０ａから、第１主面１０ａに直交する方向（Ｚ方向）の所定範囲の第１領域Ａ１と、第１領域Ａ１ｅ以外の第２領域Ａ２と、を有し、第２領域Ａ２における磁性粉１００の粒径のＤ５０は、第１領域Ａ１における磁性粉１００の粒径のＤ５０よりも大きい。また、第１領域Ａ１は、第２領域Ａ２と比べて、非酸化領域Ｒ２の面積が大きく、かつ、第２領域Ａ２は、第１領域Ａ１と比べて、酸化領域Ｒ１の面積が大きい。これは、粒径の大きい磁性粉１００は酸化し易く、酸化領域Ｒ１を容易に形成することができる結果、粒径が大きい磁性粉１００を含む第１領域Ａ１の酸化領域Ｒ１の面積を大きくすることができるためである。
上記「所定範囲」は、第１主面１０ａに直交する方向（Ｚ方向）の第１領域Ａ１の長さＬが、第１柱状配線３１の配線長よりも短い範囲で設定される。長さＬは、好ましくは第１柱状配線３１の配線長の半分以下であり、より好ましくは第１柱状配線３１の配線長の１／３以下である。また、長さＬは、素体１０の角部の強度を確保する観点から、好ましくは素体１０の厚みの１／１０以上である。長さＬは、例えば３０μｍである。また、上記「第１領域Ａ１における磁性粉１００の粒径のＤ５０」および「第２領域Ａ２における磁性粉１００の粒径のＤ５０」は、第３側面１０ｅを例えばＳＥＭ観察して測定できる。ＳＥＭ観察して粒径を算出する具体的な方法は、第１実施形態にて説明した磁性粉１００の粒径の算出方法と同様である。なお、他の第１側面１０ｃ、第２側面１０ｄおよび第４側面１０ｆについても第３側面１０ｅと同様の構成である。
本実施形態によれば、第２領域Ａ２における磁性粉１００の粒径のＤ５０は、第１領域Ａ１における磁性粉１００の粒径のＤ５０よりも大きい。図１０からも分かるように、第３側面１０ｅの第２領域Ａ２の状態は、第２領域Ａ２に対してＸＹ面方向の素体１０の内部において維持される。このため、粒径が比較的大きい磁性粉１００が、第１，第２インダクタ配線２１，２２の周りに配置される。その結果、インダクタンスを確保できる。また、粒径が比較的小さい磁性粉１００が第１領域Ａ１に配置されている。粒径が比較的小さい磁性粉１００では、粒子間の接触面積が小さくなる。そのため、第１領域Ａ１の磁性粉１００を介したショートを抑制することができる。また、第３側面１０ｅにおいて、第２領域Ａ２は、第１領域Ａ１と比べて、酸化領域Ｒ１の面積が大きいため、第２領域Ａ２の磁性粉１００を介したショートを抑制することができる。なお、素体１０Ａにおいて、第２領域Ａ２の範囲を大きくすることにより、インダクタンスをより高くすることができ、第１領域Ａ１の範囲を大きくすることにより、磁性粉１００を介した第１主面周囲におけるショートをより抑制できる。
例えば、非酸化領域Ｒ２に使用される磁性粉として、粒径のＤ５０が２μｍ以下であり、ＦｅＳｉＣｒ合金などから構成され、磁性粉の表面にＦｅ系以外の不動態被膜を形成しやすい磁性粉が挙げられる。図１０の画像図では、粒径のＤ５０が１．４μｍであり、粒径のＤ９０が３．１μｍである磁性粉を使用している。一方、酸化領域Ｒ１に使用される磁性粉として、粒径のＤ５０が５μｍ以上であり、ＦｅＳｉ合金などＦｅの組成割合が高い磁性粉が挙げられる。図１０の画像図では、粒径のＤ５０が６．８μｍであり、粒径のＤ９０が１４．０μｍである磁性粉を使用している。
好ましくは、酸化領域Ｒ１のＦｅ元素の量は、非酸化領域Ｒ２のＦｅ元素の量より多い。具体的に述べると、酸化領域Ｒ１の酸化膜は、酸化鉄である。上記構成によれば、酸化領域Ｒ１のＦｅ元素の量は多いため、第１と第２インダクタ配線２１，２２の周りにＦｅ元素を多く配置でき、インダクタンスを確保することができる。
好ましくは、素体１０Ａは、第１主面１０ａに直交する方向に積層された第１磁性層１１、第２磁性層１２および第３磁性層１３を有する。図１０では、便宜上、第１磁性層１１、第２磁性層１２および第３磁性層１３の境界を点線で描いている。第２磁性層１２は、主として、大きい粒径の磁性粉１００を含み、第３磁性層１３は、主として、小さい粒径の磁性粉１００を含む。第１と第２インダクタ配線２１，２２に接する第２磁性層１２は、第１と第２インダクタ配線２１，２２の外形の一部に沿って配置されている。上記構成によれば、第１と第２インダクタ配線２１，２２の周囲に沿って第２磁性層１２を配置でき、インダクタンスを確保することができる。
このときのインダクタ部品の製造方法について説明する。第１実施形態の図４Ａから図４Ｆまでと同様である。その後、図１１に示すように、第２磁性層１２としての主に大きい粒径の磁性粉１００を含む磁性シートを、第１インダクタ配線２１および第２インダクタ配線２２の上方から圧着して、第１インダクタ配線２１および第２インダクタ配線２２を第２磁性層１２により覆う。そして、第３磁性層１３としての主に小さい粒径の磁性粉１００を含む磁性シートを、第２磁性層１２の磁性シートの上方から圧着して、第２磁性層１２を第３磁性層１３により覆う。この際、第１インダクタ配線２１や第２インダクタ配線２２が存在する部分では、第２磁性層１２及び第３磁性層１３は上に凸となる。その後、第２磁性層１２および第３磁性層１３の一部を研削する。その後、第１実施形態の図４Ｈから図４Ｉまでと同様である。
なお、本開示は上述の実施形態に限定されず、本開示の要旨を逸脱しない範囲で設計変更可能である。例えば、第１と第３実施形態のそれぞれの特徴点を様々に組み合わせてもよい。
前記実施形態では、素体内には第１インダクタ配線および第２インダクタ配線の２つが配置されたが、１つまたは３つ以上のインダクタ配線が配置されてもよく、このとき、外部端子および柱状配線も、それぞれ、４つ以上となる。
前記実施形態では、「インダクタ配線」とは、電流が流れた場合に磁性層に磁束を発生させることによって、インダクタ部品にインダクタンスを付与させるものであって、その構造、形状、材料などに特に限定はない。特に、実施形態のような平面上を延びる直線や曲線（スパイラル＝二次元曲線）に限られず、ミアンダ配線などの公知の様々な配線形状を用いることができる。また、インダクタ配線の総数は、１層や２層に限られず、３層以上の多層構成であってもよい。また、柱状配線の形状は、Ｚ方向からみて、矩形であるが、円形や楕円形や長円形であってもよい。
また、酸化領域および非酸化領域の制御は前記実施形態に記載した方法に限られず、その他の形成方法を用いてもよい。例えば、磁性層の樹脂の流動性を低くしてもよい。これにより、磁性粉が樹脂と同時に流動するため、磁性粉のロッキングが発生し難くなる。このため、インダクタ配線の上部の圧力が高くなることで、磁性粉はインダクタ配線の上部以外の領域に流動し、結果として、素体側面側の磁性粉の充填率が上がり、素体側面に酸化領域を形成することができる。
１，１Ａ インダクタ部品
１０，１０Ａ 素体
１０ａ 第１主面
１０ｂ 第２主面
１０ｃ～１０ｆ 第１～第４側面
１１ 第１磁性層
１２ 第２磁性層
１３ 第３磁性層
１５ 第２絶縁層
２１，２１Ａ 第１インダクタ配線
２１ａ 第１端部（内周端）
２１ｂ 第２端部（外周端）
２２，２２Ａ 第２インダクタ配線
２２ａ 第１端部（内周端）
２２ｂ 第２端部（外周端）
２５ ビア配線
３１ 第１柱状配線（垂直配線）
３２ 第２柱状配線（垂直配線）
３３ 第３柱状配線（垂直配線）
４１，４１Ａ 第１外部端子
４２，４２Ａ 第２外部端子
４３ 第３外部端子
５０ 第３絶縁層（被覆膜）
５１ 第１垂直配線
５２ 第２垂直配線
６１ 第２絶縁層
７１ 第１絶縁層
８１ 第１接続配線
８２ 第２接続配線
１００ 磁性粉
１０１ 樹脂
１０２ 酸化膜
２０１ 第１引出配線
２０２ 第２引出配線
Ａ１ 第１領域
Ａ２ 第２領域
Ｃ 凹部
Ｌ 第１領域のＺ方向の長さ
Ｒ１ 酸化領域
Ｒ２ 非酸化領域

Claims (17)

  1. 磁性粉を含み、第１主面および第２主面と、前記第１主面と前記第２主面とを接続する側面と、を有する素体と、
    前記素体内に設けられたインダクタ配線と、
    前記素体内に設けられ、前記インダクタ配線の第１端部に接続され前記第１主面まで延在する第１垂直配線と、
    前記素体内に設けられ、前記インダクタ配線の第２端部に接続され前記第１主面まで延在する第２垂直配線と、
    前記第１垂直配線に接続され、前記第１主面において露出する第１外部端子と、
    前記第２垂直配線に接続され、前記第１主面において露出する第２外部端子と
    を備え、
    前記磁性粉は、Ｆｅ元素を主成分とし、
    前記側面は、複数の前記磁性粉が酸化された酸化膜が露出している酸化領域と、複数の前記磁性粉が露出している非酸化領域とを有する、インダクタ部品。
  2. 前記素体は、前記磁性粉を含有する樹脂を含み、
    前記酸化領域における前記磁性粉は、前記酸化膜を介して前記樹脂と接触する磁性粉を含む、請求項１に記載のインダクタ部品。
  3. 前記素体は、前記磁性粉を含有する樹脂を含み、
    前記酸化領域における前記磁性粉は、前記樹脂と直接接触する磁性粉を含む、請求項１に記載のインダクタ部品。
  4. 前記酸化領域は、前記非酸化領域と比べて、６００ｎｍより小さい波長の反射率に対する６００ｎｍ以上８００ｎｍ以下の波長の反射率の割合が大きい、請求項１から３の何れか一つに記載のインダクタ部品。
  5. 前記酸化膜は、前記磁性粉の切断面に形成されている、請求項１から４の何れか一つに記載のインダクタ部品。
  6. 前記酸化膜の厚みは、前記磁性粉の粒径のＤ５０より小さい、請求項１から５の何れか一つに記載のインダクタ部品。
  7. 前記インダクタ配線は、前記第１端部に接続され前記側面から露出する第１引出部を有する、請求項１から６の何れか一つに記載のインダクタ部品。
  8. 前記インダクタ配線は、複数あり、
    複数のインダクタ配線は、前記第１主面に平行な同一平面に配置され、互いに電気的に分離している、請求項１から７の何れか一つに記載のインダクタ部品。
  9. 前記インダクタ配線は、複数あり、
    複数のインダクタ配線は、前記第１主面に直交する方向に沿って配置されている、請求項７に記載のインダクタ部品。
  10. 前記第１主面上に設けられた絶縁層をさらに備える、請求項１から９の何れか一つに記載のインダクタ部品。
  11. 前記第１主面は、前記酸化領域と前記非酸化領域とを有する、請求項１から１０の何れか一つに記載のインダクタ部品。
  12. 前記側面は、前記第１主面から、前記第１主面に直交する方向の所定範囲の第１領域と、前記第１領域以外の第２領域と、を有し、
    前記第２領域における前記磁性粉の粒径のＤ５０は、前記第１領域における前記磁性粉の粒径のＤ５０よりも大きく、
    前記側面において、前記第１領域は、前記第２領域と比べて、前記非酸化領域の面積が大きく、かつ、前記第２領域は、前記第１領域と比べて、前記酸化領域の面積が大きい、請求項１から１１の何れか一つに記載のインダクタ部品。
  13. 前記素体は、前記第１主面に直交する方向に積層された複数の磁性層を有し、
    前記インダクタ配線に接する前記磁性層は、前記インダクタ配線の外形の一部に沿って配置されている、請求項１から１２の何れか一つに記載のインダクタ部品。
  14. 前記酸化領域の前記磁性粉の粒径のＤ５０は、前記非酸化領域の前記磁性粉のＤ５０よりも大きい、請求項１から１３の何れか一つに記載のインダクタ部品。
  15. 前記酸化領域のＦｅ元素の量は、前記非酸化領域のＦｅ元素の量より多い、請求項１４に記載のインダクタ部品。
  16. 前記側面は、さらに凹部を有する、請求項１から１５の何れか一つに記載のインダクタ部品。
  17. 磁性粉を含み、第１主面および第２主面と、前記第１主面と前記第２主面とを接続する側面と、を有する素体と、
    前記素体内に設けられたインダクタ配線と、
    前記素体内に設けられ、前記インダクタ配線の第１端部に接続され前記第１主面まで延在する第１垂直配線と、
    前記素体内に設けられ、前記インダクタ配線の第２端部に接続され前記第１主面まで延在する第２垂直配線と、
    前記第１垂直配線に接続され、前記第１主面において露出する第１外部端子と、
    前記第２垂直配線に接続され、前記第１主面において露出する第２外部端子と
    を備え、
    前記磁性粉は、Ｆｅ元素を主成分とし、
    前記側面は、複数の前記磁性粉上においてＦｅ元素が６５ｗｔ％以上でありかつＯ元素が２４ｗｔ％以上である酸化領域と、複数の前記磁性粉が露出している非酸化領域とを有する、インダクタ部品。
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