JP7077835B2 - インダクタ部品 - Google Patents
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Description
本発明は、インダクタ部品に関する。
従来、インダクタ部品としては、特開２０１３－２２５７１８号公報（特許文献１）に記載されたものがある。このインダクタ部品は、絶縁基板と、絶縁基板の主面に形成されたスパイラル導体と、スパイラル導体を覆う磁性粉を含有しない絶縁層と、絶縁基板の上面側および裏面側を覆うと共に磁性粉を含有する樹脂からなる上部磁性層および下部磁性層とを備える。
ところで、特許文献１では、絶縁層は、スパイラル導体の全てを覆うため、インダクタ部品に対する絶縁層の占める領域が多くなる。絶縁層は磁性粉を含有せず、磁性層に比べて透磁率が低いため、インダクタンスを向上することが難しい。また、複数のスパイラル導体が同一平面上に配置された場合、絶縁層の領域がより多くなって、インダクタンスを向上することがさらに難しくなる。一方、インダクタンスを向上するため、絶縁層の占める領域を減らすと、磁性層の占める領域が増えるが、磁性層は含有する磁性粉により絶縁層に比べて絶縁性が低く、耐電圧やリーク電流の悪化が懸念される。
そこで、本開示の課題は、絶縁性の確保と、インダクタンスの向上を効果的に実現できるインダクタ部品を提供することにある。
前記課題を解決するため、本開示の一態様であるインダクタ部品は、
磁性粉と前記磁性粉を含有する樹脂とを含む磁性層と、
前記磁性層内の同一平面上に配置され、互いに隣り合う第１スパイラル配線および第２スパイラル配線と、
前記第１スパイラル配線と前記第２スパイラル配線との間に配置され、磁性体を含有しない絶縁層と
を備え、
前記第１スパイラル配線は、前記第２スパイラル配線と対向する第１側面を有し、前記第１側面の少なくとも一部は、前記磁性層と接している。
磁性粉と前記磁性粉を含有する樹脂とを含む磁性層と、
前記磁性層内の同一平面上に配置され、互いに隣り合う第１スパイラル配線および第２スパイラル配線と、
前記第１スパイラル配線と前記第２スパイラル配線との間に配置され、磁性体を含有しない絶縁層と
を備え、
前記第１スパイラル配線は、前記第２スパイラル配線と対向する第１側面を有し、前記第１側面の少なくとも一部は、前記磁性層と接している。
本開示のインダクタ部品によれば、絶縁層が配置され、絶縁性が向上した第１スパイラル配線と第２スパイラル配線との間において、第１側面の少なくとも一部が、磁性層と接することで、磁性層の領域を増加させるため、絶縁性を確保しつつ、インダクタンスの向上を効果的に実現できる。
なお、スパイラル配線とは、平面上で延伸する曲線（２次元曲線）を意味し、ターン数が１周を超える曲線であってもよく、ターン数が１周未満の曲線であってもよく、または、一部に直線を有していてもよい。
なお、スパイラル配線とは、平面上で延伸する曲線（２次元曲線）を意味し、ターン数が１周を超える曲線であってもよく、ターン数が１周未満の曲線であってもよく、または、一部に直線を有していてもよい。
また、インダクタ部品の一実施形態では、前記絶縁層は、前記第１スパイラル配線と前記第２スパイラル配線との間の距離が最小となる領域を含む位置に配置される。
前記実施形態によれば、スパイラル配線間の絶縁性を一層向上できる。
また、インダクタ部品の一実施形態では、
前記絶縁層は、前記第１側面の一部に接しており、
前記第１スパイラル配線の前記第１側面と反対側の第２側面は、前記磁性層と接している。
前記絶縁層は、前記第１側面の一部に接しており、
前記第１スパイラル配線の前記第１側面と反対側の第２側面は、前記磁性層と接している。
前記実施形態によれば、インダクタンスの向上をより効果的に実現できる。
また、インダクタ部品の一実施形態では、前記絶縁層は、前記第１側面との間に前記磁性層を介している。
前記実施形態によれば、インダクタンスをさらに向上できる。
また、インダクタ部品の一実施形態では、前記絶縁層の厚みは、前記第１スパイラル配線の厚みよりも大きい。
前記実施形態によれば、絶縁性を一層向上できる。
また、インダクタ部品の一実施形態では、
前記磁性層の表面に配置された複数の外部端子と、
前記第１スパイラル配線と前記複数の外部端子の一つとを接続し前記磁性層を貫通する第１柱状配線と、前記第２スパイラル配線と前記複数の外部端子の一つとを接続し前記磁性層を貫通する第２柱状配線と、
をさらに備え、
前記第１柱状配線と前記第２柱状配線との間にも、絶縁層が配置されている。
前記磁性層の表面に配置された複数の外部端子と、
前記第１スパイラル配線と前記複数の外部端子の一つとを接続し前記磁性層を貫通する第１柱状配線と、前記第２スパイラル配線と前記複数の外部端子の一つとを接続し前記磁性層を貫通する第２柱状配線と、
をさらに備え、
前記第１柱状配線と前記第２柱状配線との間にも、絶縁層が配置されている。
前記実施形態によれば、絶縁性をさらに向上できる。
また、インダクタ部品の一実施形態では、
前記第１スパイラル配線の上方に配置された第３スパイラル配線をさらに備え、
前記第１スパイラル配線と前記第３スパイラル配線が電気的に接続されている。
前記第１スパイラル配線の上方に配置された第３スパイラル配線をさらに備え、
前記第１スパイラル配線と前記第３スパイラル配線が電気的に接続されている。
前記実施形態によれば、設計の自由度を向上できる。
また、インダクタ部品の一実施形態では、
前記第１スパイラル配線と前記第３スパイラル配線の間に配置された層間絶縁層をさらに備え、
前記層間絶縁層の厚みは、前記絶縁層の幅よりも小さい。
前記第１スパイラル配線と前記第３スパイラル配線の間に配置された層間絶縁層をさらに備え、
前記層間絶縁層の厚みは、前記絶縁層の幅よりも小さい。
前記実施形態によれば、絶縁信頼性と低背化を両立できる。
また、インダクタ部品の一実施形態では、前記磁性粉は、Ｆｅ系磁性粉を含む。
前記実施形態によれば、直流重畳特性を向上できる。
また、インダクタ部品の一実施形態では、Ｆｅ系磁性粉は、ＦｅＳｉＣｒでかつ平均粒子径が５μｍ以下である。
前記実施形態によれば、直流重畳特性が向上し、微粉によって高周波での鉄損を低減できる。
また、インダクタ部品の一実施形態では、前記樹脂は、エポキシ系樹脂及びアクリル系樹脂の内の少なくとも何れか一つを含む。
前記実施形態によれば、磁性粉間の絶縁性を担保でき、また、高周波での鉄損を小さくできる。
また、インダクタ部品の一実施形態では、前記磁性粉は、フェライト粉を含む。
前記実施形態によれば、比透磁率の高いフェライトを含むことにより、磁性層の体積当たりの透磁率である実効透磁率を向上できる。
また、インダクタ部品の一実施形態では、前記絶縁層は、エポキシ系樹脂、ポリイミド系樹脂、フェノール系樹脂及びビニルエーテル系樹脂の内の少なくともいずれか一つを含む。
前記実施形態によれば、絶縁信頼性を向上できる。
また、インダクタ部品の一実施形態では、前記第１スパイラル配線は、前記インダクタ部品の積層方向に平行な側面から外部に露出している露出部を有する。
前記実施形態によれば、スパイラル配線は露出部を有することで、製造時の静電破壊耐性を向上できる。
また、インダクタ部品の一実施形態では、前記露出部の露出面の厚みは、前記第１スパイラル配線の厚み以下で、かつ、４５μｍ以上である。
前記実施形態によれば、露出面の厚みがスパイラル配線の厚み以下であることにより、磁性層の割合を増やすことができ、インダクタンスを向上できる。また、露出面の厚みが４５μｍ以上であることにより、断線の発生を低減できる。
また、インダクタ部品の一実施形態では、前記露出面は、酸化膜である。
前記実施形態によれば、インダクタ部品とその隣り合う部品との間でショートを抑制できる。
本開示の一態様であるインダクタ部品によれば、絶縁性の確保と、インダクタンスの向上を効果的に実現できる。
以下、本開示の一態様である面実装インダクタを図示の実施の形態により詳細に説明する。なお、図面は一部模式的なものを含み、実際の寸法や比率を反映していない場合がある。
（第１実施形態）
（構成）
図１Ａは、インダクタ部品の第１実施形態を示す透視平面図である。図１Ｂは、図１ＡのＸ－Ｘ断面図である。図１Ｃは、図１ＡのＹ－Ｙ断面図である。
（構成）
図１Ａは、インダクタ部品の第１実施形態を示す透視平面図である。図１Ｂは、図１ＡのＸ－Ｘ断面図である。図１Ｃは、図１ＡのＹ－Ｙ断面図である。
インダクタ部品１は、例えば、パソコン、ＤＶＤプレーヤー、デジタルカメラ、ＴＶ、携帯電話、スマートフォン、カーエレクトロニクスなどの電子機器に搭載され、例えば全体として直方体形状の部品である。ただし、インダクタ部品１の形状は、特に限定されず、円柱状や多角形柱状、円錐台形状、多角形錐台形状であってもよい。
図１Ａと図１Ｂと図１Ｃに示すように、インダクタ部品１は、基板６１と、第１磁性層１１と、第２磁性層１２と、絶縁層１５と、第１スパイラル配線２１と、第２スパイラル配線２２と、第１柱状配線３１と，第２柱状配線３２と、外部端子４１～４４と、被覆膜５０とを有する。
基板６１は、平板状であり、インダクタ部品１の製造プロセス上の基台となる部分である。基板６１は、下面である第１主面６１ａと上面である第２主面６１ｂとを含む。主面６１ａ，６１ｂに対する法線方向を、図中、Ｚ方向（上下方向）とし、以下では、順Ｚ方向を上側、逆Ｚ方向を下側とする。なお、Ｚ方向は他の実施形態、実施例においても同様とする。
基板６１は、第１主面６１ａ側が研磨されており、基板６１の厚みは、例えば、５μｍ以上１００μｍ以下である。基板６１は、例えば、ＮｉＺｎ系やＭｎＺｎ系などのフェライトからなる磁性体基板や、アルミナ、ガラスからなる非磁性体基板などの焼結体であることが好ましい。これにより、基板６１の強度や平坦性を確保でき、基板６１上の積層物の加工性が向上する。ただし、基板６１は、焼結体に限られず、エポキシ系樹脂にガラスクロスを含浸させたものなど、一般的な基板材料であってもよい。
第１スパイラル配線２１と第２スパイラル配線２２は、磁性層１１，１２内の同一平面上に配置され、互いに隣り合う。具体的に述べると、第１スパイラル配線２１と第２スパイラル配線２２は、基板６１の上方側、つまり、基板６１の第２主面６１ｂ上にのみ形成され、第２磁性層１２に覆われている。
第１、第２スパイラル配線２１，２２は、平面状に巻回されている。具体的に述べると、第１、第２スパイラル配線２１，２２は、Ｚ方向から見たときに、半楕円形の弧状である。すなわち、第１、第２スパイラル配線２１，２２は、約半周分巻回された曲線状の配線である。また、第１、第２スパイラル配線２１，２２は、中間部分で直線部を含んでいる。
第１、第２スパイラル配線２１，２２の厚みは、例えば、４０μｍ以上１２０μｍ以下であることが好ましい。第１、第２スパイラル配線２１，２２の実施例として、厚みが４５μｍ、配線幅が５０μｍ、配線間スペースが１０μｍである。配線間スペースは３μｍ以上２０μｍ以下が好ましい。
第１、第２スパイラル配線２１，２２は、導電性材料からなり、例えばＣｕ、Ａｇ，Ａｕなどの低電気抵抗な金属材料からなる。本実施形態では、インダクタ部品１は、第１、第２スパイラル配線２１，２２を１層のみ備えており、インダクタ部品１の低背化を実現できる。
第１、第２スパイラル配線２１，２２は、その両端が外側に位置する第１柱状配線３１、第２柱状配線３２にそれぞれ接続され、第１柱状配線３１、第２柱状配線３２からインダクタ部品１の中心側に向かって孤を描く曲線状である。また、第１、第２スパイラル配線２１，２２は、その両端にスパイラル形状部分よりも線幅の大きいパッド部を有し、パッド部において、柱状配線３１，３２と直接接続されている。
ここで、第１、第２スパイラル配線２１，２２のそれぞれにおいて、第１、第２スパイラル配線２１，２２が描く曲線と、第１、第２スパイラル配線２１，２２の両端を結んだ直線とに囲まれる範囲を内径部分とする。このとき、Ｚ方向からみて、いずれの第１、第２スパイラル配線２１，２２についても、その内径部分同士は重ならない。
一方、第１、第２スパイラル配線２１，２２は、それぞれの弧部分において、互いに近接している。すなわち、第１スパイラル配線２１で発生した磁束は、近接する第２スパイラル配線２２の周囲を回り込み、第２スパイラル配線２２で発生した磁束は、近接する第１スパイラル配線２１の周囲を回り込む。したがって、第１スパイラル配線２１と第２スパイラル配線２２とは磁気結合している。
また、図１Ａに示すように、第１、第２スパイラル配線２１，２２は、第１、第２柱状配線３１，３２との接続位置からチップの外側に向かってさらに伸びる配線を有し、この配線はチップの外側に露出している。つまり、第１、第２スパイラル配線２１，２２は、インダクタ部品１の積層方向（Ｚ方向）に平行な側面から外部に露出している露出部２００を有する。
この露出部２００は、図２Ａから図２Ｐを用いて後述されるインダクタ部品１の製造方法において、電解めっきにて金属膜６５を形成後、個片化する前に、追加で電解めっきを行う際の給電配線と接続される。この給電配線によりシード層６３を除去した後であっても、追加で電解めっきを容易に行うことができ、シード層６３及び金属膜６５からなるスパイラル配線の配線間距離をより狭くすることができる。具体的には、インダクタ部品１においては、上記追加の電解めっきを行うことで、第１、第２スパイラル配線２１，２２の配線間距離を狭くでき、磁気結合を高めることができる。
また、第１、第２スパイラル配線２１，２２は、露出部２００を有するので、製造時の静電破壊耐性を向上できる。具体的には、前述のインダクタ部品１の製造方法において、個片化する前は、各露出部２００は給電配線を介して複数のインダクタ部品と接続されている。したがって、この状態で各配線に静電気が印加されても、給電配線を通じて、当該静電気を分散、グランドへ放出することが可能となり、静電破壊耐性を向上できる。
各スパイラル配線２１，２２において、露出部２００の露出面２００ａの厚みは、好ましくは、各スパイラル配線２１，２２の厚み以下で、かつ、４５μｍ以上である。これによれば、露出面２００ａの厚みがスパイラル配線２１，２２の厚み以下であることにより、磁性層１１，１２の割合を増やすことができ、インダクタンスを向上できる。なお、露出部２００の露出面２００ａの厚みは、少なくとも第１スパイラル配線２１および第２スパイラル配線２２のうちのいずれかの厚み以下であれば、磁性層１１の割合を増やすことができ、インダクタンスを向上できる。また、露出面２００ａの厚みが４５μｍ以上であることにより、断線の発生を低減できる。露出面２００ａは、好ましくは、酸化膜である。これによれば、インダクタ部品１とその隣り合う部品との間でショートを抑制できる。
各スパイラル配線２１，２２において、露出部２００の露出面２００ａの厚みは、好ましくは、各スパイラル配線２１，２２の厚み以下で、かつ、４５μｍ以上である。これによれば、露出面２００ａの厚みがスパイラル配線２１，２２の厚み以下であることにより、磁性層１１，１２の割合を増やすことができ、インダクタンスを向上できる。なお、露出部２００の露出面２００ａの厚みは、少なくとも第１スパイラル配線２１および第２スパイラル配線２２のうちのいずれかの厚み以下であれば、磁性層１１の割合を増やすことができ、インダクタンスを向上できる。また、露出面２００ａの厚みが４５μｍ以上であることにより、断線の発生を低減できる。露出面２００ａは、好ましくは、酸化膜である。これによれば、インダクタ部品１とその隣り合う部品との間でショートを抑制できる。
絶縁層１５は、隣り合う第１スパイラル配線２１と第２スパイラル配線２２との間に配置されている。絶縁層１５は、基板６１の第２主面６１ｂ上に形成された膜状の層である。絶縁層１５は、磁性体を含有しない絶縁性材料からなり、例えば、エポキシ系樹脂、ポリイミド系樹脂、フェノール系樹脂及びビニルエーテル系樹脂の内の少なくともいずれか一つを含む樹脂材料からなる。なお、絶縁層１５は、シリカなどの非磁性体のフィラーを含んでいてもよく、この場合は、絶縁層１５の強度や加工性、電気的特性の向上が可能である。
絶縁層１５は、隣り合う第１スパイラル配線２１と第２スパイラル配線２２との間の距離が最小となる領域を含む位置に配置される。具体的には、インダクタ部品１においては、絶縁層１５は、隣り合う第１、第２スパイラル配線２１，２２の弧部分の最も近づいた領域を含む位置に配置されている。つまり、第１スパイラル配線２１と第２スパイラル配線２２との間で最も絶縁性が問題となりやすい距離が最小となる領域に絶縁層１５が配置され、隣り合う第１、第２スパイラル配線２１，２２の間の絶縁性を一層向上できる。
隣り合う第１、第２スパイラル配線２１，２２は、互いに対向する第１側面２１１，２２１を有する。絶縁層１５は、第１スパイラル配線２１の第１側面２１１の一部と第２スパイラル配線２２の第１側面２２１の一部に接している。つまり、絶縁層１５は、第１、第２スパイラル配線２１，２２の弧部分の第１側面２１１，２２１に接している。これによれば、第１スパイラル配線２１と第２スパイラル配線との間に配置される絶縁層１５の幅がより大きく確保され、絶縁性をより保つことができる。
第１磁性層１１は、基板６１の第１主面６１ａと密着する。ここで、密着とは、間に他の構成要素を介さずに接する構成をいい、例えば上記においては、基板６１の第１主面６１ａが第１磁性層１１と直接接する構成をいう。第２磁性層１２は、基板６１の第２主面６１ｂの上方に配置されている。第１、第２スパイラル配線２１，２２は、第２磁性層１２と基板６１との間に配置されている。なお、本実施形態では、第２磁性層１２は、第１、第２スパイラル配線２１，２２の上方だけではなく、第１、第２スパイラル配線２１，２２の側方および絶縁層１５を覆うように形成されている。これによって、第１、第２スパイラル配線２１，２２は第２磁性層１２内に配置される。なお、上方とは、上記密着する場合と、間に他の構成要素を介する場合とのいずれも含めて上側に位置する構成をいい、例えば上記においては、第２主面６１ｂが第２磁性層１２と直接接してもよいし、第２主面６１ｂと第２磁性層１２との間に他の構成要素を介してもよい。
第１磁性層１１及び第２磁性層１２は、磁性材料の粉末を含有する樹脂を含む。樹脂としては、例えば、エポキシ系樹脂、フェノール系樹脂、ポリイミド系樹脂、アクリル系樹脂、フェノール系樹脂、ビニルエーテル系樹脂及びこれらの混合体などである。磁性材料の粉末としては、例えば、ＦｅＳｉＣｒなどのＦｅＳｉ系合金、ＦｅＣｏ系合金、ＮｉＦeなどのＦｅ系合金、または、それらのアモルファス合金などの金属磁性体材料の粉末、あるいは、ＮｉＺｎ系やＭｎＺｎ系などのフェライトの粉末などである。磁性材料の含有率は、好ましくは、磁性層全体に対して５０vol％以上８５vol％以下である。なお、磁性材料の粉末は、粒子が略球形状であることが好ましく、平均粒径が５μｍ以下であることが好ましい。なお、第１、第２磁性層１１，１２を構成する樹脂は、絶縁層１５と同種材料を用いることが好ましく、この場合、絶縁層１５と第１、第２磁性層１１，１２の密着性を向上できる。
磁性粉がＦｅ系磁性粉を含む場合、直流重畳特性を向上できる。Ｆｅ系磁性粉がＦｅＳｉＣｒでかつ平均粒子径が５μｍ以下である場合、直流重畳特性がより向上し、微粉によって高周波での鉄損を低減できる。樹脂がエポキシ系樹脂又はアクリル系樹脂を含む場合、磁性粉間の絶縁性を担保でき、また、高周波での鉄損を小さくできる。磁性粉がフェライト粉を含む場合、比透磁率の高いフェライトを含むことにより、磁性層の体積当たりの透磁率である実効透磁率を向上できる。
第１スパイラル配線２１の第１側面２１１の少なくとも一部と第２スパイラル配線２２の第１側面２２１の少なくとも一部は、第２磁性層１２と接している。これによれば、絶縁層１５が配置され、絶縁性が向上した第１スパイラル配線２１と第２スパイラル配線２２との間において、第１側面２１１，２２１の少なくとも一部が、第２磁性層１２と接することで、磁性層の領域を増加させるため、絶縁性を確保しつつ、インダクタンスの向上を効果的に実現できる。
なお、第１、第２スパイラル配線２１，２２は、それぞれ、第１側面２１１，２２１と反対側の第２側面２１２，２２２を有し、第２側面２１２，２２２は、第２磁性層１２と接している。これによれば、第１スパイラル配線２１と第２スパイラル配線２２との間の絶縁性に影響しない第２側面２１２，２２２側で、磁性層の領域を増加させるため、インダクタンスの向上をより効果的に実現できる。特にインダクタ部品１では、第２側面２１２，２２２の全面が第２磁性層１２と接しており、インダクタンスの向上効果を最大限発揮できる。
第１、第２柱状配線３１，３２は、導電性材料からなり、各スパイラル配線２１，２２からＺ方向に延在し、第２磁性層１２の内部を貫通している。第１柱状配線３１は、第１スパイラル配線２１の一端側および他端側の上面から上側に延在する。第２柱状配線３２は、第２スパイラル配線２２の一端側および他端側の上面から上側に延在する。柱状配線３１，３２は、スパイラル配線２１，２２と同様の材料からなる。
外部端子４１～４４は、導電性材料からなり、例えば、低電気抵抗かつ耐応力性に優れたＣｕ、耐食性に優れたＮｉ、はんだ濡れ性と信頼性に優れたＡｕが内側から外側に向かってこの順に並ぶ３層構成である。
第１外部端子４１は、第２磁性層１２の表面である上面に配置され、第１スパイラル配線２１の一端に接続され該上面から露出する第１柱状配線３１の端面を覆っている。これにより、第１外部端子４１は、第１スパイラル配線２１の一端に電気的に接続される。第２外部端子４２は、第２磁性層１２の表面である上面に設けられ、第１スパイラル配線２１の他端に接続され該上面から露出する第１柱状配線３１の端面を覆っている。これにより、第２外部端子４２は、第１スパイラル配線２１の他端に電気的に接続される。同様に、第３外部端子４３は、第２スパイラル配線２２の一端に電気的に接続される。第４外部端子４４は、第２スパイラル配線２２の他端に電気的に接続される。
すなわち、第１柱状配線３１は、第１スパイラル配線２１と複数の外部端子４１～４４の一つである第１外部端子４１（または第２外部端子４２）とを接続し、第２柱状配線３２は、第２スパイラル配線２２と複数の外部端子４１～４４の一つである第３外部端子４３（または第４外部端子４４）とを接続する。
すなわち、第１柱状配線３１は、第１スパイラル配線２１と複数の外部端子４１～４４の一つである第１外部端子４１（または第２外部端子４２）とを接続し、第２柱状配線３２は、第２スパイラル配線２２と複数の外部端子４１～４４の一つである第３外部端子４３（または第４外部端子４４）とを接続する。
外部端子４１～４４には、好ましくは、防錆処理が施されている。ここで、防錆処理とは、ＮｉおよびＡｕ、または、ＮｉおよびＳｎなどで被膜することである。これにより、はんだによる銅喰われや、錆びを抑制することができ、実装信頼性の高いインダクタ部品１を提供できる。
被覆膜５０は、絶縁性材料からなり、第２磁性層１２の上面を覆い、柱状配線３１，３２および外部端子４１～４４の端面を露出させている。被覆膜５０によって、インダクタ部品１の表面の絶縁性を確保することができる。なお、被覆膜５０が第１磁性層１１の下面側に形成されていてもよい。
なお、インダクタ部品１では、絶縁層１５の厚みは、第１、第２スパイラル配線２１，２２の厚みと同じであるが、第１スパイラル配線２１および第２スパイラル配線２２のうちの一方または両方の厚みよりも大きくてもよい。これによれば、絶縁性を一層向上できる。また、絶縁層１５は、第１、第２スパイラル配線２１，２２の第１側面２１１，２２１と密着しているが、第１側面２１１，２２１との間に磁性層１２を介し、直接接しない構成であってもよい。これによれば、磁性層の領域をより増加させることができて、インダクタンスをさらに向上できる。
また、基板６１は、第１、第２スパイラル配線２１，２２の形状に沿った形状としてもよく、基板６１を設けなくてもよい。これにより、インダクタ部品１における基板６１の割合を低減し、比較的柔らかい樹脂を含む第１、第２磁性層１１，１２の割合が大きくなることで、インダクタ部品１の応力吸収性が向上し、熱衝撃や外圧などの影響を低減できるため、インダクタ部品１の信頼性を向上できる。また、第１磁性層１１、第２磁性層１２が金属磁性粉を含む場合、インダクタ部品１の直流重畳特性を向上できる。なお、基板６１上に樹脂からなる絶縁層を設けてもよく、これにより第１、第２スパイラル配線２１，２２と基板６１との密着性を向上でき、絶縁性も向上できる。また、基板６１に代えて樹脂からなる絶縁層を設けてもよく、これにより、インダクタ部品１において、第１、第２スパイラル配線２１，２２及び第１磁性層１１の密着性を向上できる。さらに、絶縁層は基板６１よりも薄くすることが容易であるため、インダクタ部品１の低背化や、同じ部品高さに対して特性の向上を実現できる。
一方で、インダクタ部品１は、第１主面６１ａが第１磁性層１１と密着し、第２主面６１ｂの上方に第２磁性層１２が配置された焼結体の基板６１と、第２磁性層１２と基板６１との間に配置されたスパイラル配線２１，２２とを備える。
これによれば第２磁性層１２やスパイラル配線２１，２２といった第２主面６１ｂの上方の積層物は焼結体であって安定した基板６１の第２主面６１ｂ上に形成できるため、積層物の形成精度を向上できる。また、第１主面６１ａが第１磁性層１１と密着しているので、第１主面６１ａにはスパイラル配線２１，２２が形成されていない。これによれば、積層物の形成精度を向上するため、基板６１の厚みをある程度確保した場合であっても、基板６１は、第１主面６１ａ側から研磨などの加工が可能であるため、第２主面６１ｂ上に積層物を形成した後に厚みを低減することができる。したがって、インダクタ部品１の形成精度と低背化とを両立できる。
また、基板６１は完全には除去されていないことから、上記加工からスパイラル配線２１，２２、第２磁性層１２、絶縁層１５などの積層物を保護でき、直流電気抵抗（Ｒｄｃ）などの量産ばらつきを抑制できる。さらに、基板６１の加工量という調整要素を製造プロセスに加えることによって、インダクタ部品１の強度、インダクタンス、高さ寸法などの設計自由度を向上できるとともに、これらの量産ばらつきを低減できる。
一方で、インダクタ部品１は、第１主面６１ａが第１磁性層１１と密着し、第２主面６１ｂの上方に第２磁性層１２が配置された焼結体の基板６１と、第２磁性層１２と基板６１との間に配置されたスパイラル配線２１，２２とを備える。
これによれば第２磁性層１２やスパイラル配線２１，２２といった第２主面６１ｂの上方の積層物は焼結体であって安定した基板６１の第２主面６１ｂ上に形成できるため、積層物の形成精度を向上できる。また、第１主面６１ａが第１磁性層１１と密着しているので、第１主面６１ａにはスパイラル配線２１，２２が形成されていない。これによれば、積層物の形成精度を向上するため、基板６１の厚みをある程度確保した場合であっても、基板６１は、第１主面６１ａ側から研磨などの加工が可能であるため、第２主面６１ｂ上に積層物を形成した後に厚みを低減することができる。したがって、インダクタ部品１の形成精度と低背化とを両立できる。
また、基板６１は完全には除去されていないことから、上記加工からスパイラル配線２１，２２、第２磁性層１２、絶縁層１５などの積層物を保護でき、直流電気抵抗（Ｒｄｃ）などの量産ばらつきを抑制できる。さらに、基板６１の加工量という調整要素を製造プロセスに加えることによって、インダクタ部品１の強度、インダクタンス、高さ寸法などの設計自由度を向上できるとともに、これらの量産ばらつきを低減できる。
また、第１、第２スパイラル配線２１，２２からインダクタ部品１の下面に引き出すように柱状配線を設けてもよい。このとき、インダクタ部品１の下面に柱状配線に接続される外部端子を設けてもよい。これにより、インダクタ部品１と他の回路部品との接続自由度を向上できる。
また、インダクタ部品１は、２つのスパイラル配線２１，２２を有するが、この構成に限られず、同一平面上に３つ以上のスパイラル配線を備えていてもよい。
また、スパイラル配線２１，２２は、ターン数が１周未満の曲線であり、一部に直線を有しているが、平面に形成された曲線（２次元曲線）であればよく、ターン数が１周を超える曲線であってもよい。
好ましくは、基板６１は、磁性体である。これによれば、インダクタ部品１における磁性体の領域が増えるため、Ｌを向上できる。
好ましくは、第１、第２磁性層１１，１２は、樹脂に含有された金属磁性粉を含み、基板６１は、フェライトの焼結体である。これによれば、金属磁性粉を含む第１磁性層１１及び第２磁性層１２により、直流重畳特性を向上できる。
好ましくは、第１、第２磁性層１１，１２は、さらにフェライト粉を含む。これによれば、金属磁性粉だけでなく、比透磁率の高いフェライトを含むことにより、第１、第２磁性層１１，１２の体積当たりの透磁率である実効透磁率を向上できる。
好ましくは、第１磁性層１１の厚みと第２磁性層１２の厚みの合計は、基板６１の厚みよりも厚い。言い換えると、第１磁性層１１の体積と第２磁性層１２の体積との合計は、基板６１の体積よりも大きい。これによれば、比較的柔らかい樹脂を含む磁性層１１，１２の割合が大きくなることで、インダクタ部品１の応力吸収性が向上し、熱衝撃や外圧などの影響を低減できるため、インダクタ部品１の信頼性が向上する。また、第１、第２磁性層１１，１２が金属磁性粉を含む場合、インダクタ部品１の直流重畳特性を向上できる。
好ましくは、第１磁性層１１の厚みと第２磁性層１２の厚みは、いずれも、基板６１の厚みよりも厚い。これによれば、比較的柔らかい樹脂を含む磁性層１１，１２の割合が一層大きくなることで、インダクタ部品１の応力吸収性が一層向上し、熱衝撃や外圧などの影響を低減できるため、インダクタ部品１の信頼性が一層向上する。また、第１、第２磁性層１１，１２が金属磁性粉を含む場合、インダクタ部品１の直流重畳特性を一層向上できる。
好ましくは、第１磁性層１１の電気抵抗率及び第２磁性層１２の電気抵抗率は、基板６１の電気抵抗率より高い。これによれば、電気抵抗率が高い部分を含むことで、材料に由来する損失である鉄損を小さくできる。
本願における電気抵抗率の測定方法としては、具体的には、研磨や切り出しによって取り出した測定対象物に、ガリウム・インジウム合金の電極を形成した上で、絶縁抵抗計を用いて、室温下、１．０Ｖの印加電圧で電気抵抗を測定し、形成した電極面積と電極間距離を基に、電気抵抗率（Ω・ｍ）＝電気抵抗（Ω）×（電極面積（ｍ２）/電極間距離（ｍ））の式より算出すればよい。なお、材料状態の測定対象物については、加圧・加熱などで硬化させた上で測定すればよい。例えば、第１磁性層１１及び第２磁性層１２の電気抵抗率は、１．０×１０１１～１２Ω・ｍのオーダーであり、基板６１の電気抵抗率は、１．０×１０９～１０Ω・ｍのオーダーである。
好ましくは、基板６１は、クラック部を有する。クラック部は、基板６１の内部の破断により形成される。これによれば、クラック部において応力開放がなされ、インダクタ部品１の衝撃耐性が向上する。
好ましくは、スパイラル配線２１，２２は、スパイラル形状の第１導体層と、第１導体層上に配置され、第１導体層に沿った形状の第２導体層とを有し、第１導体層の厚みは、０．５μｍ以上である。これによれば、第１導体層の厚みによって、基板６１の凹凸を吸収でき、第２導体層の形成・加工が容易になるので、インダクタ部品１の形成精度が向上する。
好ましくは、スパイラル配線２１，２２は、スパイラル形状の第１導体層と、第１導体層上に配置され、第１導体層に沿った形状の第２導体層とを有し、第１導体層のＮｉ含有率は、５．０ｗｔ％以下である。これによれば、第１導体層の導電率と第２導体層の導電率の差を小さくでき、スパイラル配線を流れる電流は第１導体層および第２導体層の断面内をほぼ均一に流れ、スパイラル配線内の発熱を均一化できる。また、スパイラル配線のＲｄｃが低減される。また、このとき、第１導体層は、無電解めっきで形成されていないといえる。
上記で記載したように、第１導体層が無電解めっきで形成されていない場合、第１磁性層１１への触媒付与プロセス、無電解めっきプロセス（シード層形成工程）や、無電解めっきで形成された導体層をエッチングするプロセス（シード層除去工程）による第１磁性層１１への影響を無くすことができる。具体的には、第１磁性層１１の磁性樹脂部６２ａは、磁性粉を含有するが、この磁性粉が第１導体層形成時の前処理やプロセスで使用されるめっき液、エッチング液などによって除去されてしまうことを抑制することができる。したがって、上記のとおり、第１導体層が無電解めっきで形成されていない特徴を有する場合、第１磁性層１１の透磁率低下や強度低下を抑制することができる
なお、Ｎｉ含有率の測定方法としては、必要に応じて第１導体層と第２導体層の境界を明確化する前処理を行った上で、第１導体層側について、走査透過型電子顕微鏡（ＳＴＥＭ）によるＥＤＸ分析を行ってＮｉの含有率（ｗｔ％）を算出する。前処理については、例えば、第１導体層及び第２導体層を有する配線について、研磨やミリングなどで断面上に露出させ、当該断面をＡｒによるドライエッチングまたは硝酸によるウェットエッチングで薄くエッチングすれば、エッチングレートの差より第１導体層と第２導体層の境界がより明らかになる。ただし、前処理の有無に関わらず、ＳＴＥＭで粒子の連続性、粒径から、第１導体層を判別してもよい。ＥＤＸ分析では、例えばＪＥＯＬ社製のＪＥＭ－２２００ＦＳをＳＴＥＭとして、Ｔｈｅｒｍｏ Ｆｉｓｈｅｒ Ｓｃｉｅｎｔｉｆｉｃ社製のＮｏｒａｎ Ｓｙｓｔｅｍ ７をＥＤＸシステムとして用いて、４００ｋの倍率（必要により４００ｋ以上の倍率）で実施すればよい。
また、好ましくは、第１導体層の線幅は、第２導体層の線幅と異なる。第１導体層の線幅は、第１導体層の幅の最大値をいい、第２導体層の線幅は、第２導体層の幅の最大値をいう。これによれば、様々な形状を形成する導体層の形成方法の組合せを採用でき、スパイラル配線２１の設計自由度が増す。
また、第１導体層の線幅は、第２導体層の線幅よりも大きいことが好ましく、これによれば、スパイラル配線２１が、底面側は太く、天面側は細い順テーパー形状となり、スパイラル配線２１の側面付近に第２磁性層１２を充填しやすくなる。
また、好ましくは、スパイラル配線２１は、図１Ｄに示すように、スパイラル形状の第１導体層１２１と、第１導体層１２１上に配置され、第１導体層１２１に沿った形状の第２導体層１２２とを有する。第１導体層１２１の側面１２１ａのテーパー角度は、第２導体層１２２の側面１２２ａのテーパー角度よりも大きい。第１導体層１２１の側面１２１ａは、第１導体層１２１の幅方向の面をいい、第２導体層１２２の側面１２２ａは、第２導体層１２２の幅方向の面をいう。これによれば、スパイラル配線２１が順テーパーとなりスパイラル配線２１の配線間に第２磁性層１２を充填しやすくなる。
例えば、第１導体層１２１の側面１２１ａのテーパー角度は３０．０°、第２導体層１２２の側面１２２ａのテーパー角度は１．２°である。この際、Ｚ方向を基準（０°）として、テーパー形状になる場合の角度を正、逆テーパー形状になる場合の角度を負とする。また、テーパー角度は、正確には、第１導体層１２１、第２導体層１２２のそれぞれの厚みの上下２０％を除いた８０％分の領域で測定すればよい。
なお、図１Ｄの線幅、テーパー角度の関係に限られず、例えば、第１導体層１２１の線幅またはテーパー角度が、第２導体層１２２の線幅またはテーパー角度よりも小さくてもよい。
なお、基板６１は、スパイラル配線２１，２２の内径部分に対応した位置に孔部を設けてもよく、基板６１の孔部に第１磁性層１１または第２磁性層１２もしくはその両方を配置することができ、比較的柔らかい樹脂を含む第１、第２磁性層１１，１２の割合が大きくなることで、インダクタ部品１の応力吸収性が向上し、熱衝撃や外圧などの影響を低減できるため、インダクタ部品１の信頼性を向上できる。また、第１磁性層１１、第２磁性層１２が金属磁性粉を含む場合、インダクタ部品１の直流重畳特性を向上できる。
好ましくは、基板６１は、磁性体である。これによれば、インダクタ部品１における磁性体の領域が増えるため、Ｌを向上できる。
好ましくは、第１、第２磁性層１１，１２は、樹脂に含有された金属磁性粉を含み、基板６１は、フェライトの焼結体である。これによれば、金属磁性粉を含む第１磁性層１１及び第２磁性層１２により、直流重畳特性を向上できる。
好ましくは、第１、第２磁性層１１，１２は、さらにフェライト粉を含む。これによれば、金属磁性粉だけでなく、比透磁率の高いフェライトを含むことにより、第１、第２磁性層１１，１２の体積当たりの透磁率である実効透磁率を向上できる。
好ましくは、第１磁性層１１の厚みと第２磁性層１２の厚みの合計は、基板６１の厚みよりも厚い。言い換えると、第１磁性層１１の体積と第２磁性層１２の体積との合計は、基板６１の体積よりも大きい。これによれば、比較的柔らかい樹脂を含む磁性層１１，１２の割合が大きくなることで、インダクタ部品１の応力吸収性が向上し、熱衝撃や外圧などの影響を低減できるため、インダクタ部品１の信頼性が向上する。また、第１、第２磁性層１１，１２が金属磁性粉を含む場合、インダクタ部品１の直流重畳特性を向上できる。
好ましくは、第１磁性層１１の厚みと第２磁性層１２の厚みは、いずれも、基板６１の厚みよりも厚い。これによれば、比較的柔らかい樹脂を含む磁性層１１，１２の割合が一層大きくなることで、インダクタ部品１の応力吸収性が一層向上し、熱衝撃や外圧などの影響を低減できるため、インダクタ部品１の信頼性が一層向上する。また、第１、第２磁性層１１，１２が金属磁性粉を含む場合、インダクタ部品１の直流重畳特性を一層向上できる。
好ましくは、第１磁性層１１の電気抵抗率及び第２磁性層１２の電気抵抗率は、基板６１の電気抵抗率より高い。これによれば、電気抵抗率が高い部分を含むことで、材料に由来する損失である鉄損を小さくできる。
本願における電気抵抗率の測定方法としては、具体的には、研磨や切り出しによって取り出した測定対象物に、ガリウム・インジウム合金の電極を形成した上で、絶縁抵抗計を用いて、室温下、１．０Ｖの印加電圧で電気抵抗を測定し、形成した電極面積と電極間距離を基に、電気抵抗率（Ω・ｍ）＝電気抵抗（Ω）×（電極面積（ｍ２）/電極間距離（ｍ））の式より算出すればよい。なお、材料状態の測定対象物については、加圧・加熱などで硬化させた上で測定すればよい。例えば、第１磁性層１１及び第２磁性層１２の電気抵抗率は、１．０×１０１１～１２Ω・ｍのオーダーであり、基板６１の電気抵抗率は、１．０×１０９～１０Ω・ｍのオーダーである。
好ましくは、基板６１は、クラック部を有する。クラック部は、基板６１の内部の破断により形成される。これによれば、クラック部において応力開放がなされ、インダクタ部品１の衝撃耐性が向上する。
好ましくは、スパイラル配線２１，２２は、スパイラル形状の第１導体層と、第１導体層上に配置され、第１導体層に沿った形状の第２導体層とを有し、第１導体層の厚みは、０．５μｍ以上である。これによれば、第１導体層の厚みによって、基板６１の凹凸を吸収でき、第２導体層の形成・加工が容易になるので、インダクタ部品１の形成精度が向上する。
好ましくは、スパイラル配線２１，２２は、スパイラル形状の第１導体層と、第１導体層上に配置され、第１導体層に沿った形状の第２導体層とを有し、第１導体層のＮｉ含有率は、５．０ｗｔ％以下である。これによれば、第１導体層の導電率と第２導体層の導電率の差を小さくでき、スパイラル配線を流れる電流は第１導体層および第２導体層の断面内をほぼ均一に流れ、スパイラル配線内の発熱を均一化できる。また、スパイラル配線のＲｄｃが低減される。また、このとき、第１導体層は、無電解めっきで形成されていないといえる。
上記で記載したように、第１導体層が無電解めっきで形成されていない場合、第１磁性層１１への触媒付与プロセス、無電解めっきプロセス（シード層形成工程）や、無電解めっきで形成された導体層をエッチングするプロセス（シード層除去工程）による第１磁性層１１への影響を無くすことができる。具体的には、第１磁性層１１の磁性樹脂部６２ａは、磁性粉を含有するが、この磁性粉が第１導体層形成時の前処理やプロセスで使用されるめっき液、エッチング液などによって除去されてしまうことを抑制することができる。したがって、上記のとおり、第１導体層が無電解めっきで形成されていない特徴を有する場合、第１磁性層１１の透磁率低下や強度低下を抑制することができる
なお、Ｎｉ含有率の測定方法としては、必要に応じて第１導体層と第２導体層の境界を明確化する前処理を行った上で、第１導体層側について、走査透過型電子顕微鏡（ＳＴＥＭ）によるＥＤＸ分析を行ってＮｉの含有率（ｗｔ％）を算出する。前処理については、例えば、第１導体層及び第２導体層を有する配線について、研磨やミリングなどで断面上に露出させ、当該断面をＡｒによるドライエッチングまたは硝酸によるウェットエッチングで薄くエッチングすれば、エッチングレートの差より第１導体層と第２導体層の境界がより明らかになる。ただし、前処理の有無に関わらず、ＳＴＥＭで粒子の連続性、粒径から、第１導体層を判別してもよい。ＥＤＸ分析では、例えばＪＥＯＬ社製のＪＥＭ－２２００ＦＳをＳＴＥＭとして、Ｔｈｅｒｍｏ Ｆｉｓｈｅｒ Ｓｃｉｅｎｔｉｆｉｃ社製のＮｏｒａｎ Ｓｙｓｔｅｍ ７をＥＤＸシステムとして用いて、４００ｋの倍率（必要により４００ｋ以上の倍率）で実施すればよい。
また、好ましくは、第１導体層の線幅は、第２導体層の線幅と異なる。第１導体層の線幅は、第１導体層の幅の最大値をいい、第２導体層の線幅は、第２導体層の幅の最大値をいう。これによれば、様々な形状を形成する導体層の形成方法の組合せを採用でき、スパイラル配線２１の設計自由度が増す。
また、第１導体層の線幅は、第２導体層の線幅よりも大きいことが好ましく、これによれば、スパイラル配線２１が、底面側は太く、天面側は細い順テーパー形状となり、スパイラル配線２１の側面付近に第２磁性層１２を充填しやすくなる。
また、好ましくは、スパイラル配線２１は、図１Ｄに示すように、スパイラル形状の第１導体層１２１と、第１導体層１２１上に配置され、第１導体層１２１に沿った形状の第２導体層１２２とを有する。第１導体層１２１の側面１２１ａのテーパー角度は、第２導体層１２２の側面１２２ａのテーパー角度よりも大きい。第１導体層１２１の側面１２１ａは、第１導体層１２１の幅方向の面をいい、第２導体層１２２の側面１２２ａは、第２導体層１２２の幅方向の面をいう。これによれば、スパイラル配線２１が順テーパーとなりスパイラル配線２１の配線間に第２磁性層１２を充填しやすくなる。
例えば、第１導体層１２１の側面１２１ａのテーパー角度は３０．０°、第２導体層１２２の側面１２２ａのテーパー角度は１．２°である。この際、Ｚ方向を基準（０°）として、テーパー形状になる場合の角度を正、逆テーパー形状になる場合の角度を負とする。また、テーパー角度は、正確には、第１導体層１２１、第２導体層１２２のそれぞれの厚みの上下２０％を除いた８０％分の領域で測定すればよい。
なお、図１Ｄの線幅、テーパー角度の関係に限られず、例えば、第１導体層１２１の線幅またはテーパー角度が、第２導体層１２２の線幅またはテーパー角度よりも小さくてもよい。
なお、基板６１は、スパイラル配線２１，２２の内径部分に対応した位置に孔部を設けてもよく、基板６１の孔部に第１磁性層１１または第２磁性層１２もしくはその両方を配置することができ、比較的柔らかい樹脂を含む第１、第２磁性層１１，１２の割合が大きくなることで、インダクタ部品１の応力吸収性が向上し、熱衝撃や外圧などの影響を低減できるため、インダクタ部品１の信頼性を向上できる。また、第１磁性層１１、第２磁性層１２が金属磁性粉を含む場合、インダクタ部品１の直流重畳特性を向上できる。
（製造方法）
次に、インダクタ部品１の製造方法について説明する。以下、特に説明しない限り、図１ＡのＹ－Ｙ断面での図面を示す。
次に、インダクタ部品１の製造方法について説明する。以下、特に説明しない限り、図１ＡのＹ－Ｙ断面での図面を示す。
図２Ａに示すように、基板６１を準備する。基板６１は、例えば、焼結フェライトからなる平板状の基板である。基板６１の厚みは、インダクタ部品の厚みに影響を与えないため、加工上のそりなどの理由から適宜取り扱いやすい厚さのものを用いればよい。
図２Ｂに示すように、基板６１の第２主面６１ｂ上にＣｕのシード層６３をスパッタリングや無電解めっきなどで形成する。なお、シード層６３は、別の基板上において電解めっきにより形成し、基板６１へ転写してもよい。図２Ｃに示すように、シード層６３上にドライフィルムレジスト（ＤＦＲ）６４を貼り付ける。図２Ｄに示すように、ＤＦＲ６４をフォトリソグラフィによりパターニングして、スパイラル配線を形成する領域に貫通孔６４ａを形成し、貫通孔６４ａからシード層６３を露出させる。
図２Ｅに示すように、電解めっきにより、貫通孔６４ａ内のシード層６３上に金属膜６５を形成する。図２Ｆに示すように、金属膜６５の形成後、さらにＤＦＲ６４を貼り付ける。
図２Ｇに示すように、ＤＦＲ６４をフォトリソグラフィによりパターニングし、柱状配線を形成する領域に貫通孔６４ａを形成し、貫通孔６４ａから金属膜６５を露出させる。図２Ｈに示すように、電解めっきにより、貫通孔６４ａ内の金属膜６５上にさらに金属膜６６を形成する。
図２Ｉに示すように、ＤＦＲ６４を除去し、図２Ｊに示すように、シード層６３のうち、金属膜６５が形成されていない露出部分をエッチングにより除去する。これにより、絶縁層６２の上面（第１主面）上に巻回されるように第１主面上にスパイラル配線２１を形成し、また、スパイラル配線２１から第１主面の法線方向に延びる柱状配線３１，３２を形成する。つまり、柱状配線３１，３２は、スパイラル配線２１の形成後、磁性層の形成前に、形成される。
図２Ｋに示すように、磁性体を含有しない絶縁性材料からなる絶縁シート７１を、基板６１の上面側（スパイラル配線側）に圧着した後に、図２Ｌに示すように、レーザー、フォトリソグラフィなどでパターニングし、絶縁層１５を形成する。なお、絶縁シート７１に代えて、絶縁ペーストを塗布してもよい。図２Ｋと図２Ｌでは、図１ＡのＸ－Ｘ断面での図面を示す。
図２Ｍに示すように、磁性体材料からなる磁性シート６７を基板６１の上面側（スパイラル配線形成側）に圧着する。これにより、スパイラル配線２１の少なくとも一部（スパイラル配線２１の側面、および、スパイラル配線２１の上面の柱状配線３１，３２と接触する部分以外）に接触するように基板６１上に第２磁性層１２を形成する。
図２Ｎに示すように、磁性シート６７を研磨し、柱状配線３１，３２（金属膜６６）の上端を露出させる。図２Ｏに示すように、磁性シート６７の上面（第１主面）上に、被覆膜５０としてのソルダーレジスト（ＳＲ）６８を形成する。
図２Ｐに示すように、ＳＲ６８をフォトリソグラフィによりパターニングし、外部端子を形成する領域に、柱状配線３１，３２（金属膜６６）および第２磁性層１２（磁性シート６７）が露出する貫通孔６８ａを形成する。
図２Ｑに示すように、基板６１を第１主面６１ａ側から研磨する。このとき、基板６１を完全に除去せず、一部を残す。図２Ｒに示すように、磁性体材料からなる磁性シート６７を基板６１の研磨側の第１主面６１ａに圧着し適切な厚みに研磨する。
図２Ｓに示すように、無電解めっきにより、柱状配線３１，３２からＳＲ６８の貫通孔６８ａ内に成長するＣｕ／Ｎｉ／Ａｕの金属膜６９を形成する。金属膜６９により、第１柱状配線３１に接続される第１外部端子４１と、第２柱状配線３２に接続される第２外部端子４２を形成する。図２Ｔに示すように、個片化し、必要に応じてバレル研磨を行い、バリを除去して、インダクタ部品１を製造する。
なお、上記のインダクタ部品１の製造方法はあくまで一例であって、各工程において用いる工法や材料は、適宜他の公知のものと置き換えても良い。例えば、上記では、ＤＦＲ６４、ＳＲ６８はコーティング後にパターニングしたが、塗布、印刷、マスク蒸着、リフトオフなどによって、直接必要な部分に形成してもよい。また、基板６１の除去や磁性シート６７の薄層化には研磨を用いたが、ブラスト、レーザーなどの他の物理プロセスや、フッ酸処理などの化学プロセスを用いてもよい。また、基板６１の全てを除去してもよい。
（第２実施形態）
図３Ａは、インダクタ部品の第２実施形態を示す透視平面図である。図３Ｂは、図３ＡのＸ－Ｘ断面図である。第２実施形態は、第１実施形態とは、絶縁層およびスパイラル配線の構成が相違する。この相違する構成を以下に説明する。その他の構成は、第１実施形態と同じ構成であり、第１実施形態と同一の符号を付してその説明を省略する。
図３Ａは、インダクタ部品の第２実施形態を示す透視平面図である。図３Ｂは、図３ＡのＸ－Ｘ断面図である。第２実施形態は、第１実施形態とは、絶縁層およびスパイラル配線の構成が相違する。この相違する構成を以下に説明する。その他の構成は、第１実施形態と同じ構成であり、第１実施形態と同一の符号を付してその説明を省略する。
図３Ａと図３Ｂに示すように、第２実施形態のインダクタ部品１Ａでは、第１実施形態のインダクタ部品１と比較すると、第１実施形態のスパイラル配線２１，２２の弧部分は互いに接近しているのに対して、第２実施形態のスパイラル配線２１Ａ，２２Ａの弧部分は互いに離隔している。つまり、第２実施形態の第１、第２スパイラル配線２１Ａ，２２Ａの間の距離が最小となる部分は、第１スパイラル配線２１Ａの端部と第２スパイラル配線２２Ａの端部の間の部分である。
絶縁層１５は、第１、第２スパイラル配線２１Ａ，２２Ａの端部の間に配置されている。このとき、絶縁層１５は、第１スパイラル配線２１Ａの端部の第１側面２１１と第２スパイラル配線２２Ａの端部の第１側面２２１に接している。なお、絶縁層１５は、第１、第２スパイラル配線２１Ａ，２２Ａの第１側面２１１，２２１の間に第２磁性層１２を介していてもよい。
さらに、絶縁層１５は、第１、第２スパイラル配線２１Ａ，２２Ａのそれぞれに接続される第１、第２柱状配線３１，３２の一端側同士の間、他端側同士の間にも、配置されている。このとき、絶縁層１５は、第１、第２柱状配線３１，３２の一端側同士の間、他端側同士の間に第２磁性層１２を介している。なお、絶縁層１５は、柱状配線３１，３２に接触していてもよい。
したがって、絶縁層１５は、第１、第２スパイラル配線２１Ａ，２２Ａの間に加えて、第１柱状配線３１，３１の間と第２柱状配線３２，３２の間にも、配置されているので、絶縁性をさらに向上できる。
なお、第１、第２柱状配線３１，３２の間にも絶縁層１５を設ける方法としては、例えば、図２Ｋに示す絶縁シート７１の厚みや圧着条件、パターニング条件を適切に選択すればよい。
なお、第１、第２柱状配線３１，３２の間にも絶縁層１５を設ける方法としては、例えば、図２Ｋに示す絶縁シート７１の厚みや圧着条件、パターニング条件を適切に選択すればよい。
（第３実施形態）
図４は、インダクタ部品の第３実施形態を示す断面図である。第３実施形態は、第１実施形態とは、スパイラル配線の構成が相違する。この相違する構成を以下に説明する。その他の構成は、第１実施形態と同じ構成であり、第１実施形態と同一の符号を付してその説明を省略する。
図４は、インダクタ部品の第３実施形態を示す断面図である。第３実施形態は、第１実施形態とは、スパイラル配線の構成が相違する。この相違する構成を以下に説明する。その他の構成は、第１実施形態と同じ構成であり、第１実施形態と同一の符号を付してその説明を省略する。
図４に示すように、第３実施形態のインダクタ部品１Ｂでは、第１実施形態のインダクタ部品１と比較すると、スパイラル配線２１，２２の上方に、上方のスパイラル配線２３，２４が位置し、下方のスパイラル配線２１，２２と上方のスパイラル配線２３，２４が図示しないビア導体によって電気的に並列接続されている。
具体的に述べると、インダクタ部品１Ｂは、第１スパイラル配線２１の上方に配置された第３スパイラル配線２３をさらに備え、第１スパイラル配線２１と第３スパイラル配線２３の内周端同士及び外周端同士がビア導体で接続されることによって電気的に並列に接続されている。同様に、インダクタ部品１Ｂは、第２スパイラル配線２２の上方に配置された第４スパイラル配線２４をさらに備え、第２スパイラル配線２２と第４スパイラル配線２４の内周端同士及び外周端同士がビア導体で接続されることによって電気的に並列に接続されている。これにより、同じ電流経路における配線断面積を実質的に増加させることができ、Ｒｄｃを低減できる。
また、インダクタ部品１Ｂは、下方の第１、第２スパイラル配線２１，２２と上方の第３、第４スパイラル配線２３，２４の間に配置された層間絶縁層１６をさらに備える。このとき、層間絶縁層１６の厚みは、絶縁層１５の幅よりも小さいことが好ましい。絶縁層１５の幅は、隣り合うスパイラル配線２１，２２間の方向の幅である。電気的に直列に接続される第１スパイラル配線２１と第３スパイラル配線２３はほぼ同電位であり、同様に電気的に直列に接続される第２スパイラル配線２２と第４スパイラル配線２４はほぼ同電位である。したがって、層間絶縁層１６は、大きな電位差が発生する第１、第２スパイラル配線２１，２２の間および第３、第４スパイラル配線２３，２４の間に配置される絶縁層１５の幅よりも厚みを薄くしても絶縁性への影響は小さく、その分を磁性層１２の領域としてインダクタンスの向上をより効果的に実現できる。また、層間絶縁層１６の厚みを薄くして、その分をインダクタ部品１Ｂの高さの低減に利用することで低背化を実現することもできる。なお、図示しないがビア導体は層間絶縁層１６の内部を貫通する。
また、インダクタ部品１Ｂでは、下方の第１、第２スパイラル配線２１，２２と上方の第３、第４スパイラル配線が電気的に直列接続されていてもよく、これによりインダクタンスを向上できる。具体的には、この場合、第１、第２スパイラル配線２１，２２と第３、第４スパイラル配線の内周端同士が層間絶縁層１６の内部を貫通するビア導体によって接続されることによって電気的に直列に接続される。このように、インダクタ部品１Ｂでは、第１スパイラル配線（第２スパイラル配線）と、第３スパイラル配線（第４スパイラル配線）が電気的に接続されていればよく、これにより、設計の自由度を向上できる。
また、インダクタ部品１Ｂでは、下方の第１、第２スパイラル配線２１，２２と上方の第３、第４スパイラル配線が電気的に直列接続されていてもよく、これによりインダクタンスを向上できる。具体的には、この場合、第１、第２スパイラル配線２１，２２と第３、第４スパイラル配線の内周端同士が層間絶縁層１６の内部を貫通するビア導体によって接続されることによって電気的に直列に接続される。このように、インダクタ部品１Ｂでは、第１スパイラル配線（第２スパイラル配線）と、第３スパイラル配線（第４スパイラル配線）が電気的に接続されていればよく、これにより、設計の自由度を向上できる。
なお、本開示は上述の実施形態に限定されず、本開示の要旨を逸脱しない範囲で設計変更可能である。例えば、第１から第３実施形態のそれぞれの特徴点を様々に組み合わせてもよい。
また、上記実施形態では、第１スパイラル配線２１の第１側面２１１と、第２スパイラル配線２２の第１側面２２１の両方について、少なくとも一部が、第２磁性層１２と接していたが、第１側面２１１，２２１のいずれか一方のみについて、少なくとも一部が第２磁性層１２と接していてもよい。
また、第３実施形態では、直列接続されたスパイラル配線を２層備える構成であったが、これに限られず、直列接続されたスパイラル配線は３層以上であってもよい。
また、上記実施形態では、スパイラル配線２１，２２は基板６１の第２主面６１ｂ、第２磁性層１２の両方に密着していたが、これに限られず、第２主面６１ｂとのみ、又は第２磁性層１２とのみ密着し、その他の部分については絶縁層１５を介していてもよい。さらに、上記実施形態では、スパイラル配線２１は第２磁性層１２と第２側面２１２，２２２及び上面で密着していたが、第２側面２１２，２２２または上面のいずれか一方のみと密着し、他方とは絶縁層１５を介していてもよいし、第２側面２１２，２２２または上面の全面ではなく、一部のみ第２磁性層１２と密着し、その他の部分については絶縁層１５を介していてもよい。
また、上記実施形態では、第１スパイラル配線２１の第１側面２１１と、第２スパイラル配線２２の第１側面２２１の両方について、少なくとも一部が、第２磁性層１２と接していたが、第１側面２１１，２２１のいずれか一方のみについて、少なくとも一部が第２磁性層１２と接していてもよい。
また、第３実施形態では、直列接続されたスパイラル配線を２層備える構成であったが、これに限られず、直列接続されたスパイラル配線は３層以上であってもよい。
また、上記実施形態では、スパイラル配線２１，２２は基板６１の第２主面６１ｂ、第２磁性層１２の両方に密着していたが、これに限られず、第２主面６１ｂとのみ、又は第２磁性層１２とのみ密着し、その他の部分については絶縁層１５を介していてもよい。さらに、上記実施形態では、スパイラル配線２１は第２磁性層１２と第２側面２１２，２２２及び上面で密着していたが、第２側面２１２，２２２または上面のいずれか一方のみと密着し、他方とは絶縁層１５を介していてもよいし、第２側面２１２，２２２または上面の全面ではなく、一部のみ第２磁性層１２と密着し、その他の部分については絶縁層１５を介していてもよい。
１，１Ａ，１Ｂ インダクタ部品
１１ 第１磁性層
１２ 第２磁性層
１５ 絶縁層
１６ 層間絶縁層
２１，２１Ａ 第１スパイラル配線
２２，２２Ａ 第２スパイラル配線
２３ 第３スパイラル配線
２４ 第４スパイラル配線
３１ 第１柱状配線
３２ 第２柱状配線
４１ 第１外部端子
４２ 第２外部端子
４３ 第３外部端子
４４ 第４外部端子
５０ 被覆膜
６１ 基板
６１ａ 第１主面（下面）
６１ｂ 第２主面（上面）
２００ 露出部
２００ａ 露出面
２１１，２２１ 第１側面
２１２，２２２ 第２側面
１１ 第１磁性層
１２ 第２磁性層
１５ 絶縁層
１６ 層間絶縁層
２１，２１Ａ 第１スパイラル配線
２２，２２Ａ 第２スパイラル配線
２３ 第３スパイラル配線
２４ 第４スパイラル配線
３１ 第１柱状配線
３２ 第２柱状配線
４１ 第１外部端子
４２ 第２外部端子
４３ 第３外部端子
４４ 第４外部端子
５０ 被覆膜
６１ 基板
６１ａ 第１主面（下面）
６１ｂ 第２主面（上面）
２００ 露出部
２００ａ 露出面
２１１，２２１ 第１側面
２１２，２２２ 第２側面
Claims (17)
- 磁性粉と前記磁性粉を含有する樹脂とを含む磁性層と、
前記磁性層内の同一平面上に配置され、互いに隣り合う第１スパイラル配線および第２スパイラル配線と、
前記第１スパイラル配線と前記第２スパイラル配線との間において前記第１スパイラル配線と前記第２スパイラル配線との間の距離が最小となる領域を含む位置に部分的に配置され、磁性体を含有しない絶縁層と
を備え、
前記第１スパイラル配線は、前記第２スパイラル配線と対向する第１側面を有し、前記第１側面の少なくとも一部は、前記磁性層と接し、
前記絶縁層は、前記第１側面との間に前記磁性層を介している、インダクタ部品。 - 磁性粉と前記磁性粉を含有する樹脂とを含む磁性層と、
前記磁性層内の同一平面上に配置され、互いに隣り合う第１スパイラル配線および第２スパイラル配線と、
前記第１スパイラル配線と前記第２スパイラル配線との間において前記第１スパイラル配線と前記第２スパイラル配線との間の距離が最小となる領域を含む位置に部分的に配置され、磁性体を含有しない絶縁層と
を備え、
前記第１スパイラル配線は、前記第２スパイラル配線と対向する第１側面を有し、前記第１側面の少なくとも一部は、前記磁性層と接し、
前記磁性層の表面に配置された複数の外部端子と、
前記第１スパイラル配線と前記複数の外部端子の一つとを接続し前記磁性層を貫通する第１柱状配線と、前記第２スパイラル配線と前記複数の外部端子の一つとを接続し前記磁性層を貫通する第２柱状配線と、
をさらに備え、
前記第１柱状配線と前記第２柱状配線との間にも、絶縁層が配置されている、インダクタ部品。 - 磁性粉と前記磁性粉を含有する樹脂とを含む磁性層と、
前記磁性層内の同一平面上に配置され、互いに隣り合う第１スパイラル配線および第２スパイラル配線と、
前記第１スパイラル配線と前記第２スパイラル配線との間に配置され、磁性体を含有しない絶縁層と
を備え、
前記第１スパイラル配線は、前記第２スパイラル配線と対向する第１側面を有し、前記第１側面の少なくとも一部は、前記磁性層と接し、
前記第１スパイラル配線と前記第２スパイラル配線の間の距離が最小となる部分は、前記第１スパイラル配線の端部と前記第２スパイラル配線の端部の間の部分であり、前記絶縁層は、前記第１スパイラル配線の端部と前記第２スパイラル配線の端部の間に配置されている、インダクタ部品。 - 前記絶縁層は、前記第１側面の一部に接しており、
前記第１スパイラル配線の前記第１側面と反対側の第２側面は、前記磁性層と接している、請求項２または３に記載のインダクタ部品。 - 前記絶縁層は、前記第１側面との間に前記磁性層を介している、請求項２または３に記載のインダクタ部品。
- 前記絶縁層の厚みは、前記第１スパイラル配線の厚みよりも大きい、請求項１から５の何れか一つに記載のインダクタ部品。
- 前記磁性層の表面に配置された複数の外部端子と、
前記第１スパイラル配線と前記複数の外部端子の一つとを接続し前記磁性層を貫通する第１柱状配線と、前記第２スパイラル配線と前記複数の外部端子の一つとを接続し前記磁性層を貫通する第２柱状配線と、
をさらに備え、
前記第１柱状配線と前記第２柱状配線との間にも、絶縁層が配置されている、請求項１または３に記載のインダクタ部品。 - 前記第１スパイラル配線の上方に配置された第３スパイラル配線をさらに備え、
前記第１スパイラル配線と前記第３スパイラル配線が電気的に接続されている、請求項１から７の何れか一つに記載のインダクタ部品。 - 前記第１スパイラル配線と前記第３スパイラル配線の間に配置された層間絶縁層をさらに備え、
前記層間絶縁層の厚みは、前記絶縁層の幅よりも小さい、請求項８に記載のインダクタ部品。 - 前記磁性粉は、Ｆｅ系磁性粉を含む、請求項１から９の何れか一つに記載のインダクタ部品。
- Ｆｅ系磁性粉は、ＦｅＳｉＣｒでかつ平均粒子径が５μｍ以下である、請求項１０に記載のインダクタ部品。
- 前記樹脂は、エポキシ系樹脂及びアクリル系樹脂の内の少なくとも何れか一つを含む、請求項１から１１の何れか一つに記載のインダクタ部品。
- 前記磁性粉は、フェライト粉を含む、請求項１から１２の何れか一つに記載のインダクタ部品。
- 前記絶縁層は、エポキシ系樹脂、ポリイミド系樹脂、フェノール系樹脂及びビニルエーテル系樹脂の内の少なくともいずれか一つを含む、請求項１から１３の何れか一つに記載のインダクタ部品。
- 前記第１スパイラル配線は、前記インダクタ部品の積層方向に平行な側面から外部に露出している露出部を有する、請求項１から１４の何れか一つに記載のインダクタ部品。
- 前記露出部の露出面の厚みは、前記第１スパイラル配線の厚み以下で、かつ、４５μｍ以上である、請求項１５に記載のインダクタ部品。
- 前記露出面は、酸化膜である、請求項１６に記載のインダクタ部品。
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