JP2017216328A - セラミックコンデンサ - Google Patents

Abstract

【課題】ＥＳＬが低く、基板への内蔵に好適なセラミックコンデンサを提供する。【解決手段】第１の外部電極１５は、第１の主面１０ａ上に位置する部分から第１の端面１０ｅの一部の上に至る第１の部分１５ａと、第２の主面１０ｂ上に位置する部分から第１の端面１０ｅの一部の上に至る第２の部分１５ｂと、第１の側面１０ｃ上に位置する部分から第１の端面１０ｅの一部の上に至る第３の部分１５ｃと、第２の側面１０ｄ上に位置する部分から第１の端面１０ｅの一部の上に至る第４の部分１５ｄとを有する。第１の外部電極の最外層が、Ｃｕめっき層により構成されている。【選択図】図２

Description

本発明は、セラミックコンデンサに関する。

近年、携帯電話機や携帯音楽プレイヤーなどの情報端末機器の小型化及び薄型化が進んでいる。それに伴い、電子機器に搭載される基板や基板に搭載される電子部品においても、小型化が進んでいる。基板に実装される電子部品の高密度実装化も進んでいる。電子部品の更なる小型化を図るために、基板内に電子部品が埋め込まれた電子部品内蔵基板も開発されてきている（例えば、特許文献１）。電子部品内蔵基板においては、基板に形成された配線と、埋め込まれている電子部品とが確実に電気的に接続される必要がある。

また、電子機器の情報量が増える中、更なる高周波域での電子機器の使用頻度が増えてきている。そのため、電子部品内蔵基板に内蔵された電子部品の等価直列インダクタンス（ＥＳＬ）を低くして、高周波域での使用を可能にしたいという要望がある。

特開２０１２−１１４４５７号公報 特開２００１−１５５９６２号公報 特開２００１−１０２２４３号公報

例えば特許文献２，３では、セラミックコンデンサの低ＥＳＬ化を実現する手段として、３端子コンデンサ等の多端子コンデンサが提案されている。しかしながら、特許文献２、特許文献３に記載の多端子コンデンサは、基板への埋め込み、及び、基板に形成された配線との電気的な接続について考慮されていない。このため、特許文献２、特許文献３に記載の多端子コンデンサを好適に基板に埋め込むことは困難である。換言すれば、特許文献２、特許文献３に記載の多端子コンデンサは、基板への埋め込みに好適ではない。

したがって、ＥＳＬが低く、かつ基板への埋め込みに好適なセラミックコンデンサが求められている。

また、基板内に埋めこまれるセラミックコンデンサにおいては、セラミックコンデンサの高さ寸法を小さくする必要がある。そのため、セラミックコンデンサの高さ寸法を低くすると、セラミックコンデンサの強度が低下する傾向にある。従って、セラミックコンデンサに割れや欠けが発生するといった問題が生じることがある。

また、基板に内蔵されるセラミックコンデンサにおいては、一般的に基板に対する密着性が低いという問題がある。セラミックコンデンサと基板との密着力が低いと、セラミックコンデンサと基板を構成している樹脂とが剥離し、剥離部から基板内に水分が浸入した水分に起因してセラミックコンデンサの信頼性が低下したり、ビアホール電極とセラミックコンデンサの外部電極との接続部分が断裂したりする虞がある。

本発明の主な目的は、ＥＳＬが低く、基板への内蔵に好適なセラミックコンデンサを提供することにある。

本発明に係るセラミックコンデンサは、コンデンサ本体と、複数の内部電極と、外部電極とを備えている。コンデンサ本体は、第１及び第２の主面と、第１及び第２の側面と、第１及び第２の端面とを有する。第１及び第２の主面は、長さ方向及び幅方向に沿って延びている。幅方向は、長さ方向に対して垂直である。第１及び第２の側面は、長さ方向と、積層方向とに沿って延びている。積層方向は、長さ方向及び幅方向のそれぞれに対して垂直である。第１及び第２の端面は、幅方向及び積層方向に沿って延びている。複数の内部電極は、コンデンサ本体内に配されている。複数の内部電極は、第１及び第２の側面のそれぞれに露出している。複数の外部電極は、第１の側面の内部電極の露出部と、第２の側面の内部電極の露出部とから第１及び第２の主面の上に跨がるように形成されている。複数の内部電極は、第１の内部電極と、第２の内部電極とを含む。第２の内部電極は、第１の内部電極と積層方向において対向している。第１の内部電極は、第１の対向部と、第１及び第２の引き出し部と、第３及び第４の引き出し部とを有する。第１の対向部は、第２の内部電極と対向している。第１及び第２の引き出し部は、第１の対向部に接続されている。第１及び第２の引き出し部は、それぞれ、第１の側面に引き出されている。第３及び第４の引き出し部は、第１の対向部に接続されている。第３及び第４の引き出し部は、それぞれ、第２の側面に引き出されている。第２の内部電極は、第５の引き出し部と、第６の引き出し部とを有する。第２の対向部は、第１の対向部と対向している。第５の引き出し部は、第２の対向部に接続されている。第５の引き出し部は、第１の側面に引き出されている。第６の引き出し部は、第２の対向部に接続されている。第６の引き出し部は、第２の側面に引き出されている。複数の外部電極は、第１の外部電極と、第２の外部電極と、第３の外部電極とを有する。第１の外部電極は、第１の側面の第１の引き出し部の露出部と、第２の側面の第３の引き出し部の露出部とを覆い、かつ、第１の側面、第１の主面、第２の側面及び第２の主面を周回するように設けられている。第２の外部電極は、第１の側面の第２の引き出し部の露出部と、第２の側面の第４の引き出し部の露出部とを覆い、かつ、第１の側面、第１の主面、第２の側面及び第２の主面を周回するように設けられている。第３の外部電極は、第１の側面の第５の引き出し部の露出部と、第２の側面の第６の引き出し部の露出部とを覆うように、第１の側面、第１の主面、第２の側面及び第２の主面を周回するように設けられている。第１の外部電極は、第１の部分と、第２の部分と、第３の部分と、第４の部分とを有する。第１の部分は、第１の主面上に位置する部分から第１の端面の一部の上に至っている。第２の部分は、第２の主面上に位置する部分から第１の端面の一部の上に至っている。第３の部分は、第１の側面上に位置する部分から第１の端面の一部の上に至っている。第４の部分は、第２の側面上に位置する部分から第１の端面の一部の上に至っている。第２の外部電極は、第５の部分と、第６の部分と、第７の部分と、第８の部分とを有する。第５の部分は、第１の主面上に位置する部分から第２の端面の一部の上に至っている。第６の部分は、第２の主面上に位置する部分から第２の端面の一部の上に至っている。第７の部分は、第１の側面上に位置する部分から第２の端面の一部の上に至っている。第８の部分は、第２の側面上に位置する部分から第２の端面の一部の上に至っている。第１及び第２の外部電極のそれぞれの最外層が、Ｃｕめっき層により構成されている。

本発明に係るセラミックコンデンサでは、外部電極の最外層がＣｕめっき層により構成されているため、基板への内蔵が容易である。具体的には、セラミックコンデンサを基板に内蔵する際には、電子部品と基板の配線とを接続するためのビアホール電極を設ける必要があるため、例えば、ＣＯ_２レーザー等を用いて基板に電子部品の外部電極に臨むビアホールを形成する必要がある。ここで、本発明に係るセラミックコンデンサでは、外部電極の最外層がＣｕめっき層により構成されている。このため、ビアホールを形成するために照射するレーザー光が外部電極により高い反射率で反射されるため、セラミックコンデンサの劣化を抑制することができる。従って、本発明に係るセラミックコンデンサは、基板への内蔵が容易である。

また、本発明に係るセラミックコンデンサでは、第１及び第２の内部電極の引き出し部のすべてをコンデンサ本体の第１及び第２の側面に引き出す構成とすることにより、第１の内部電極の引き出し部と第２の内部電極の引き出し部との間の間隔を短くすることができる。このため、セラミックコンデンサ内において電流の流れる経路長を短くできる。従って、本発明に係るセラミックコンデンサは、低い等価直列インダクタンス（ＥＳＬ）を有している。

本発明に係るセラミックコンデンサでは、第１及び第２の部分並びに第５及び第６の部分のそれぞれの積層方向における長さが、セラミックコンデンサの積層方向に沿った寸法の５％以上１５％以下であることが好ましい。第３及び第４の部分並びに第７及び第８の部分のそれぞれの積層方向における長さが、セラミックコンデンサの幅寸法の５％以上１５％以下であることが好ましい。

本発明に係るセラミックコンデンサでは、第１，第２，第５及び第６の部分のそれぞれの積層方向に沿った長さが、第３，第４，第７及び第８の部分の幅方向に沿った長さより短いことが好ましい。

本発明に係るセラミックコンデンサでは、セラミックコンデンサの積層方向に沿った寸法が、セラミックコンデンサの幅方向に沿った寸法よりも小さいことが好ましい。

本発明に係るセラミックコンデンサでは、第３の外部電極の第１又は第２の主面上に位置する部分の長さ方向に沿った長さが、第３の外部電極の第１又は第２の側面の上に位置する部分の長さ方向に沿った長さよりも大きいことが好ましい。

本発明に係るセラミックコンデンサでは、第１の外部電極の第１又は第２の主面上に位置する部分の長さ方向に沿った長さが、第１の外部電極の第１及び第２の側面上に位置する部分の長さ方向に沿った長さよりも長いことが好ましい。第２の外部電極の第１又は第２の主面上に位置する部分の長さ方向に沿った長さが、第２の外部電極の第１及び第２の側面上に位置する部分の長さ方向に沿った長さよりも長いことが好ましい。

本発明に係るセラミックコンデンサでは、第１及び第２の外部電極の第１又は第２の主面上に位置する部分の長さ方向に沿った最大長さをＬ１とし、第１及び第２の外部電極の第１又は第２の主面上に位置する部分の最もコンデンサ本体から積層方向において離れた部分から、積層方向において、第１又は第２の外部電極の厚みの４０％コンデンサ本体側の部分の長さ方向に沿った最大長さをＬ２としたときに、Ｌ２／Ｌ１が８０％以上であることが好ましい。第３の外部電極の第１又は第２の主面上に位置する部分の長さ方向に沿った最大長さをＬ３とし、第３の外部電極の第１又は第２の主面上に位置する部分の最もコンデンサ本体から積層方向において離れた部分から、積層方向において、第３の外部電極の厚みの４０％コンデンサ本体側の部分の長さ方向に沿った最大長さをＬ４としたときに、Ｌ４／Ｌ３が８０％以上であることが好ましい。

本発明に係るセラミックコンデンサでは、第１〜第３の外部電極の少なくともひとつの電極のコンデンサ本体と接触している部分の長さ方向に沿った長さが、当該電極の最上面の長さ方向に沿った長さよりも短いことが好ましい。

本発明によれば、ＥＳＬが低く、基板への内蔵に好適なセラミックコンデンサを提供することができる。

本発明の一実施形態に係るコンデンサの模式的斜視図である。 図１の線ＩＩ−ＩＩ部分の模式的断面図である。 第１の実施形態に係るコンデンサの模式的断面図である。 第１の実施形態に係るコンデンサの模式的断面図である。 図１の線Ｖ−Ｖ部分の模式的断面図である。 図１の線ＶＩ−ＶＩ部分の模式的断面図である。 図１の線ＶＩＩ−ＶＩＩ部分の模式的断面図である。 本発明の一実施形態に係るコンデンサの第１の端面の模式的平面図である。 本発明の一実施形態に係るコンデンサの第２の端面の模式的平面図である。

以下、本発明を実施した好ましい形態の一例について説明する。但し、下記の実施形態は、単なる例示である。本発明は、下記の実施形態に何ら限定されない。

また、実施形態等において参照する各図面において、実質的に同一の機能を有する部材は同一の符号で参照することとする。また、実施形態等において参照する図面は、模式的に記載されたものである。図面に描画された物体の寸法の比率などは、現実の物体の寸法の比率などとは異なる場合がある。図面相互間においても、物体の寸法比率等が異なる場合がある。具体的な物体の寸法比率等は、以下の説明を参酌して判断されるべきである。

図１は、本実施形態に係るコンデンサの模式的斜視図である。図２は、図１の線ＩＩ−ＩＩ部分の模式的断面図である。図３は、第１の実施形態に係るコンデンサの長さ方向Ｌ及び幅方向Ｗに沿った模式的断面図である。図４は、第１の実施形態に係るコンデンサの長さ方向Ｌ及び幅方向Ｗに沿った模式的断面図である。なお、図３と図４とは、積層方向Ｔにおいて異なる部位の模式的断面図である。図５は、図１の線Ｖ−Ｖ部分の模式的断面図である。図６は、図１の線ＶＩ−ＶＩ部分の模式的断面図である。図７は、図１の線ＶＩＩ−ＶＩＩ部分の模式的断面図である。図８は、本実施形態に係るコンデンサの第１の端面の模式的平面図である。図９は、本実施形態に係るコンデンサの第２の端面の模式的平面図である。

図１〜図７に示すように、セラミックコンデンサ１は、コンデンサ本体１０を備えている。コンデンサ本体１０は、略直方体状である。コンデンサ本体１０は、第１及び第２の主面１０ａ、１０ｂと、第１及び第２の側面１０ｃ、１０ｄと、第１及び第２の端面１０ｅ、１０ｆとを備えている。第１及び第２の主面１０ａ、１０ｂは、それぞれ、長さ方向Ｌ及び幅方向Ｗに沿って延びている。長さ方向Ｌは、第１の端面１０ｅと第２の端面１０ｆとを結ぶ方向である。幅方向Ｗは、長さ方向Ｌに対して垂直である。幅方向Ｗは、第１の側面１０ｃと、第２の側面１０ｄとを結ぶ方向である。第１及び第２の側面１０ｃ、１０ｄは、それぞれ、長さ方向Ｌ及び積層方向Ｔに沿って延びている。積層方向Ｔは、第１の主面１０ａと、第２の主面１０ｂとを結ぶ方向である。積層方向Ｔは、長さ方向Ｌ及び幅方向Ｗのそれぞれに対して垂直である。第１及び第２の端面１０ｅ、１０ｆは、それぞれ、幅方向Ｗ及び積層方向Ｔに沿って延びている。コンデンサ本体１０の稜線部及び角部は、面取り状とされていてもよいし、丸められた形状とされていてもよいが、クラックが発生することを抑制する観点からは、丸められた形状を有することが好ましい。

コンデンサ本体１０は、例えば、適宜の誘電体セラミックスにより構成することができる。コンデンサ本体１０は、具体的には、例えば、ＢａＴｉＯ_３、ＣａＴｉＯ_３、ＳｒＴｉＯ_３、ＣａＺｒＯ_３などを含む誘電体セラミックスにより構成されていてもよい。コンデンサ本体１０には、Ｍｎ化合物、Ｆｅ化合物、Ｃｒ化合物、Ｃｏ化合物、Ｎｉ化合物などが添加されていてもよい。

コンデンサ本体１０の寸法は、特に限定されないが、コンデンサ本体１０の高さ寸法をＤＴ、長さ寸法をＤＬ、幅寸法をＤＷとしたときに、ＤＴ＜ＤＷ＜ＤＬ、（１／７）ＤＷ≦ＤＴ≦（１／３）ＤＷ、又は、ＤＴ＜０．２５ｍｍが満たされることが好ましい。具体的には、０．０５ｍｍ≦ＤＴ＜０．２５ｍｍ、０．４ｍｍ≦ＤＬ≦１ｍｍ、０．３ｍｍ≦ＤＷ≦０．５ｍｍであることが好ましい。このように、本実施形態のセラミックコンデンサ１の積層方向に沿った寸法が小さいため、基板への内蔵に適している。但し、セラミックコンデンサ１の積層方向に沿った寸法が小さすぎると、セラミックコンデンサ１の容量が小さくなりすぎる場合や、セラミックコンデンサ１の強度が低くなりすぎる場合がある。従って、セラミックコンデンサ１の積層方向に沿った寸法は、幅寸法の１／５倍以上であることが好ましく、１／２倍以上であることがより好ましい。

なお、セラミックコンデンサ１の各寸法は、マイクロメータ又は顕微鏡を用いて測定することができる。

図２に示すように、コンデンサ本体１０の内部には、複数の内部電極１１、１２が設けられている。具体的には、コンデンサ本体１０の内部には、複数の第１の内部電極１１と、複数の第２の内部電極１２とが、積層方向Ｔに沿って交互に配されている。積層方向Ｔにおいて隣り合う第１の内部電極１１と第２の内部電極１２とは、セラミック部１０ｇを介して対向している。これにより、容量が形成されている。なお、セラミック部１０ｇの厚みは、例えば、０．５μｍ以上１０μｍ以下であることが好ましい。

図３に示すように、第１の内部電極１１は、第１の側面１０ｃ及び第２の側面１０ｄのそれぞれに露出している。具体的には、第１の内部電極１１は、対向部１１ａと、第１の引き出し部１１ｂと、第２の引き出し部１１ｃと、第３の引き出し部１１ｄと、第４の引き出し部１１ｅとを有する。

対向部１１ａは、第２の内部電極１２と積層方向Ｔにおいて対向している。対向部１１ａは、略矩形状である。

第１の引き出し部１１ｂは、対向部１１ａに接続されている。第１の引き出し部１１ｂは、第１の側面１０ｃに引き出されている。具体的には、第１の引き出し部１１ｂは、対向部１１ａの第１の側面１０ｃ側かつ第１の端面１０ｅ側の角部から第１の側面１０ｃに向かって延びている。

第２の引き出し部１１ｃは、対向部１１ａに接続されている。第２の引き出し部１１ｃは、第１の側面１０ｃに引き出されている。具体的には、第２の引き出し部１１ｃは、対向部１１ａの第１の側面１０ｃ側かつ第２の端面１０ｆ側の角部から第１の側面１０ｃに向かって延びている。第１の引き出し部１１ｃが、対向部１１ａの長さ方向Ｌの一方側端部に接続されている一方、第２の引き出し部１１ｃは、対向部１１ａの長さ方向Ｌの他方側端部に接続されている。

第３の引き出し部１１ｄは、対向部１１ａに接続されている。第３の引き出し部１１ｄは、第２の側面１０ｄに引き出されている。具体的には、対向部１１ａの第２の側面１０ｄ側かつ第１の端面１０ｅ側の角部から第２の側面１０ｄに向かって延びている。

第４の引き出し部１１ｅは、対向部１１ａに接続されている。第４の引き出し部１１ｅは、第２の側面１０ｄに引き出されている。具体的には、対向部１１ａの第２の側面１０ｄ側かつ第２の端面１０ｆ側の角部から第２の側面１０ｄに向かって延びている。第３の引き出し部１１ｄが対向部１１ａの長さ方向Ｌの一方側端部に接続されている一方、第４の引き出し部１１ｅは、対向部１１ａの長さ方向Ｌの他方側端部に接続されている。

図４に示すように、第２の内部電極１２は、第１及び第２の側面１０ｃ、１０ｄのそれぞれに露出している。具体的には、第２の内部電極１２は、対向部１２ａと、第５の引き出し部１２ｂと、第６の引き出し部１２ｃとを有する。

対向部１２ａは、積層方向Ｔにおいて、第１の内部電極１１の対向部１１ａと対向している。対向部１２ａは、略矩形状である。

第５の引き出し部１２ｂは、対向部１２ａに接続されている。第５の引き出し部１２ｂは、第１の側面１０ｃに引き出されている。第５の引き出し部１２ｂは、長さ方向Ｌにおいて、第１の引き出し部１１ｂと、第２の引き出し部１１ｃとの間に位置している。第５の引き出し部１２ｂは、長さ方向Ｌにおいて、対向部１２ａの略中央から第１の側面１０ｃに向かって延びている。

第６の引き出し部１２ｃは、対向部１２ａに接続されている。第６の引き出し部１２ｃは、第２の側面１０ｄに引き出されている。第６の引き出し部１２ｃは、長さ方向Ｌにおいて第３の引き出し部１１ｄと第４の引き出し部１１ｅとの間に位置している。第６の引き出し部１２ｃは、長さ方向Ｌにおいて、対向部１２ａの略中央から第２の側面１０ｄに向かって延びている。

なお、引き出し部１１ｂ、１１ｃ、１１ｄ、１１ｅ、１２ｂ、１２ｃの幅は、それぞれ、例えば、５０μｍ以上１００μｍ以下とすることができる。

上述のように内部電極１１、１２の引き出し部１１ｂ、１１ｃ、１１ｄ、１１ｅ、１２ｂ、１２ｃのすべてをコンデンサ本体１０の第１及び第２の側面に引き出す構成とすることにより、第１の内部電極１１の引き出し部１１ｂ、１１ｃ、１１ｄ、１１ｅと、第２の内部電極１２の引き出し部１２ｂ、１２ｃとの間のそれぞれの間隔を短くすることができる。このため、セラミックコンデンサ１内において電流の流れる経路長を短くできる。従って、セラミックコンデンサ１の等価直列インダクタンス（ＥＳＬ）を低くすることができる。

第１及び第２の内部電極１１、１２の厚みは、例えば、０．２μｍ以上２μｍ以下程度とすることができる。

第１及び第２の内部電極１１、１２は、適宜の導電材料により構成することができる。第１及び第２の内部電極は、例えば、Ｎｉ、Ｃｕ、Ａｇ、Ｐｄ、Ａｕなどの金属や、これらの金属の一種を含む例えばＡｇ−Ｐｄ合金などの合金により構成することができる。

図１に示すように、セラミックコンデンサ１は、複数の外部電極１５、１６、１７を有する。具体的には、セラミックコンデンサ１は、第１の外部電極１５と、第２の外部電極１６と、第３の外部電極１７とを有する。

第１の外部電極１５は、第１の内部電極１１の第１の引き出し部１１ｂの第１の側面１０ｃにおける露出部と、第１の内部電極１１の第３の引き出し部１１ｄの第２の側面１０ｄにおける露出部とから第１及び第２の主面１０ａ、１０ｂの上に跨がるように設けられている。具体的には、第１の外部電極１５は、第１の引き出し部１１ｂと第３の引き出し部１１ｄの露出部を覆うように、第１の側面１０ｃ、第１の主面１０ａ、第２の側面１０ｄ、第２の主面１０ｂを周回するように設けられている。第１の外部電極１５の幅は、１９０μｍ以上２７０μｍ以下であることが好ましい。

第２の外部電極１６は、第１の内部電極１１の第２の引き出し部１１ｃの第１の側面１０ｃにおける露出部と、第１の内部電極１１の第４の引き出し部１１ｅの第２の側面１０ｄにおける露出部とから第１及び第２の主面１０ａ、１０ｂの上に跨がるように設けられている。具体的には、第２の外部電極１６は、第２の引き出し部１１ｃと第４の引き出し部１１ｅの露出部を覆うように、第１の側面１０ｃ、第１の主面１０ａ、第２の側面１０ｄ、第２の主面１０ｂを周回するように設けられている。第２の外部電極１６の幅は、１９０μｍ以上２７０μｍ以下であることが好ましい。

第１の外部電極１５は、コンデンサ本体１０の長さ方向Ｌの一方側端部に設けられている一方、第２の外部電極１６は、コンデンサ本体１０の長さ方向Ｌの他方側端部に設けられている。

長さ方向Ｌにおいて、第１の外部電極１５と第２の外部電極１６との間には、第３の外部電極１７が設けられている。第３の外部電極１７は、第２の内部電極１２の第５の引き出し部１２ｂの第１の側面１０ｃにおける露出部と、第２の内部電極１２の第６の引き出し部１２ｃの第２の側面１０ｄにおける露出部とから第１及び第２の主面１０ａ、１０ｂの上に跨がるように設けられている。具体的には、第３の外部電極１７は、第５の引き出し部１２ｂと第６の引き出し部１２ｃの露出部を覆うように、第１の側面１０ｃ、第１の主面１０ａ、第２の側面１０ｄ、第２の主面１０ｂを周回するように設けられている。第３の外部電極１７の幅は、２４０μｍ以上３２０μｍ以下であることが好ましい。第３の外部電極１７と、第１又は第２の外部電極１５、１６との間の長さ方向Ｌに沿った距離は、７０μｍ以上であることが好ましい。

以上のように、第１〜第３の外部電極１５〜１７は、それぞれコンデンサ本体１０を周回するように設けられているため、外部電極１５〜１７の面積を十分に確保することができ、基板に埋め込まれたセラミックコンデンサ１の外部電極１５〜１７に臨むビアホールを容易に形成することができる。また、外部電極１５〜１７のそれぞれに対して複数のビアホール電極を導通させることが可能となるため、基板側からセラミックコンデンサ１までの配線抵抗を小さくすることができる。従って、さらなる低ＥＳＬ化を図ることが可能となる。

第１〜第３の外部電極１５〜１７のそれぞれの最外層は、Ｃｕめっき層により構成されている。

第１〜第３の外部電極１５〜１７は、それぞれ、例えば、下地電極層と、薄膜電極層と、Ｃｕめっき層との積層体により構成することができる。

下地電極層としては、例えば、Ｃｕ、Ｎｉ、Ａｇ、Ｐｄ、Ａｇ−Ｐｄ合金、Ａｕなどからなる群より選ばれる少なくとも１種の金属を含むことが好ましい。下地電極層は、内部電極１１、１２を含むコンデンサ本体１０と同時焼成したものでもよく、内部電極１１、１２を含むコンデンサ本体１０を焼きつけた後に導電性ペーストを塗布して焼き付けたものでもよい。また、下地電極層は、めっきにより形成されていてもよく、熱硬化性樹脂を含む導電性樹脂を硬化させることにより形成されていてもよい。下地電極層は、無機結合材をさらに含むことが好ましい。無機結合材は、コンデンサ本体１０に対する密着強度を高めるための成分である。下地電極層が内部電極１１、１２を含むコンデンサ本体１０と同時焼成して形成される場合は、無機結合材は、共材とも呼ばれる。その場合、無機結合剤は、例えば、コンデンサ本体１０に含まれるセラミック材料と同種のセラミック材料であることが好ましい。無機結合材は、例えば、コンデンサ本体１０に含まれるセラミック材料と主成分が同じセラミック材料であってもよい。また、下地電極層の無機結合材は、例えば、ガラス成分であってもよい。

下地電極層は、コンデンサ本体１０の第１及び第２の側面１０ｃ、１０ｄにおける、内部電極１１、１２の露出部上に形成されている。なお、下地電極層は、第１及び第２の側面１０ｃ、１０ｄ上の内部電極１１、１２の露出部上だけでなく、コンデンサ本体１０の第１及び第２の主面１０ａ、１０ｂと第１及び第２の側面１０ｃ、１０ｄとが交わる稜線部とにまで延びていてもよく、コンデンサ本体１０の主面１０ａ、１０ｂの一部の上に形成されていてもよい。本実施形態では、第１の外部電極１５及び第２の外部電極１６は、第１及び第２の主面１０ａ、１０ｂと第１及び第２の端面１０ｅ、１０ｆとが交わる稜線部、かつ、第１及び第２の端面１０ｅ、１０ｆの上に配置されていない。このため、基板を構成している樹脂との密着力の高いコンデンサ本体１０の表面積を大きくすることができる。従って、基板とセラミックコンデンサ１との密着性を向上することができる。

下地電極層の最大厚みは、１μｍ以上であることが好ましい。

本実施形態では、薄膜電極層は、下地電極層上と、第１及び第２の主面１０ａ、１０ｂの上に設けられている。薄膜電極層は、例えば、Ｍｇ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｗ、Ｃｒ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ａｇ、Ｃｏ、Ｍｏ及びＶからなる群より選ばれる少なくとも１種の金属を含むことが好ましい。この場合、外部電極１５〜１７のコンデンサ本体１０に対する固着力を高めることができる。薄膜電極層の厚みは、０．０５μｍ以上１μｍ以下であることが好ましい。薄膜電極層は、単層であってもよいし、複数の層の積層体であってもよい。薄膜電極層は、例えば、スパッタリング法等により形成することができる。換言すれば、薄膜電極層は、スパッタリング膜により構成されていてもよい。

Ｃｕめっき層は、下地電極層及び薄膜電極層を被うように設けられている。めっき層は、単層、もしくは、複数層で形成されていてもよいが、最外層はＣｕめっき層により構成されている。めっき層の最外層が、Ｃｕめっき層により構成されていることにより、セラミックコンデンサ１を基板内に埋めこむ際に容易にセラミックコンデンサ１を内蔵することが可能となる。これは、基板にセラミックコンデンサ１を埋め込む際に外部電極１５〜１７との導通を図るための電子部品接続用のビアホールを設けることが必要となるが、この電子部品接続用のビアホールは、例えば、ＣＯ_２レーザーなどのレーザーを用いて形成される。レーザーを用いてビアホールを形成する場合、レーザーがセラミックコンデンサ１の外部電極１５〜１７に直接照射されることとなる。この時、外部電極１５〜１７の最外層をＣｕめっき膜により構成することにより、レーザーを高い反射率で反射させることができる。従って、めっき層の最外層が、Ｃｕめっき層により構成されたセラミックコンデンサ１は、基板埋め込み型のコンデンサとして好適に使用することができる。仮に、外部電極１５〜１７のレーザーに対する反射率が低いと、レーザーがコンデンサの内部にまで至り、コンデンサが損傷してしまう場合がある。

めっき膜一層あたりの厚みは、１μｍ以上１５μｍ以下であることが好ましい。下地電極層とめっき層との間に、応力緩和用の導電性樹脂層が形成されていてもよい。

図２に示すように、本実施形態では、第３の外部電極１７の第１又は第２の主面１０ａ、１０ｂの上に設けられた部分の厚みｔ１が、第１及び第２の外部電極１５、１６の第１又は第２の主面１０ａ、１０ｂの上に設けられた部分の厚みｔ２よりも小さい。このため、セラミックコンデンサ１を基板に実装する際に、実装機の実装ノズルが第３の外部電極１７のみに当接することを抑制でき、第１及び第２の外部電極１５、１６にも当接する。このため、実装ノズルで吸着する際に生じる応力を分散させることができる。従って、外部電極１５〜１７の端部を起点としてコンデンサ本体１０にクラック等が発生することを抑制することができる。すなわち、セラミックコンデンサ１の信頼性を向上することができる。

外部電極１５〜１７の端部を起点としてコンデンサ本体１０にクラック等が発生することをより効果的に抑制する観点からは、第３の外部電極１７の第１又は第２の主面１０ａ、１０ｂの上に設けられた部分の厚みｔ１と、第１及び第２の外部電極１５、１６の第１又は第２の主面１０ａ、１０ｂの上に設けられた部分の厚みｔ２との差が、０．５μｍ以上であることが好ましい。

図２、図３及び図８に示すように、第１の外部電極１５は、第１及び第２の主面１０ａ、１０ｂ並びに第１及び第２の側面１０ｃ、１０ｄの上から第１の端面１０ｅの一部の上に跨がって設けられている。第１の外部電極１５は、第１の部分１５ａと、第２の部分１５ｂと、第３の部分１５ｃと、第４の部分１５ｄとを有する。

第１の部分１５ａは、第１の主面１０ａ上に位置する部分から、第１の端面１０ｅの一部の上に至っている。このため、第１の部分１５ａは、第１の主面１０ａと第１の端面１０ｅとにより構成されたコンデンサ本体１０の稜線部を覆っている。

第２の部分１５ｂは、第２の主面１０ｂ上に位置する部分から第１の端面１０ｅの上に至っている。このため、第２の部分１５ｂは、第２の主面１０ｂと第１の端面１０ｅとにより構成されたコンデンサ本体１０の稜線部を覆っている。第２の部分１５ｂは、第１の部分１５ａと直接接続されていない。このため、第１の端面１０ｅは、第１の部分１５ａと第２の部分１５ｂとの間において露出している。

第３の部分１５ｃは、第１の側面１０ｃ上に位置する部分から第１の端面１０ｅの上に至っている。このため、第３の部分１５ｃは、第１の側面１０ｃと第１の端面１０ｅとにより構成されたコンデンサ本体１０の稜線部を覆っている。

第４の部分１５ｄは、第２の側面１０ｄ上に位置する部分から、第１の端面１０ｅの上に至っている。このため、第４の部分１５ｄは、第２の側面１０ｄと第１の端面１０ｅとにより構成されたコンデンサ本体１０の稜線部を覆っている。第４の部分１５ｄは、第３の部分１５ｃと直接接続されていない。このため、第１の端面１０ｅは、第３の部分１５ｃと第４の端面１５ｄとの間において露出している。

図２、図３及び図９に示すように、第２の外部電極１６は、第１及び第２の主面１０ａ、１０ｂ並びに第１及び第２の側面１０ｃ、１０ｄの上から第２の端面１０ｆの一部の上に跨がって設けられている。第２の外部電極１６は、第５の部分１６ａと、第６の部分１６ｂと、第７の部分１６ｃと、第８の部分１６ｄとを有する。

第５の部分１６ａは、第１の主面１０ａ上に位置する部分から、第２の端面１０ｆの一部の上に至っている。このため、第５の部分１６ａは、第１の主面１０ａと第２の端面１０ｆとにより構成されたコンデンサ本体１０の稜線部を覆っている。

第６の部分１６ｂは、第２の主面１０ｂ上に位置する部分から第２の端面１０ｆの上に至っている。このため、第６の部分１６ｂは、第２の主面１０ｂと第２の端面１０ｆとにより構成されたコンデンサ本体１０の稜線部を覆っている。第６の部分１６ｂは、第５の部分１６ａと直接接続されていない。このため、第２の端面１０ｆは、第５の部分１６ａと第６の部分１６ｂとの間において露出している。

第７の部分１６ｃは、第１の側面１０ｃ上に位置する部分から第２の端面１０ｆの上に至っている。このため、第７の部分１６ｃは、第１の側面１０ｃと第２の端面１０ｆとにより構成されたコンデンサ本体１０の稜線部を覆っている。

第８の部分１６ｄは、第２の側面１０ｄ上に位置する部分から、第２の端面１０ｆの上に至っている。このため、第８の部分１６ｄは、第２の側面１０ｄと第２の端面１０ｆとにより構成されたコンデンサ本体１０の稜線部を覆っている。第８の部分１６ｄは、第７の部分１６ｃと直接接続されていない。このため、第２の端面１０ｆは、第７の部分１６ｃと第８の部分１６ｄとの間において露出している。

以上のように、第１の外部電極１５の第１〜第４の部分１５ａ〜１５ｄにより、コンデンサ本体１０の第１の端面１０ｅと、第１及び第２の主面１０ａ、１０ｂ並びに第１及び第２の側面１０ｃ、１０ｄのそれぞれとにより構成された稜線部が覆われている。第２の外部電極１６の第５〜第８の部分１６ａ〜１６ｄにより、コンデンサ本体１０の第２の端面１０ｆと、第１及び第２の主面１０ａ、１０ｂ並びに第１及び第２の側面１０ｃ、１０ｄのそれぞれとにより構成された稜線部が覆われている。従って、コンデンサ本体１０の稜線部が、第１及び第２の外部電極１５，１６により保護されている。よって、セラミックコンデンサ１に対して、外部から衝撃や応力が加わったとしても、コンデンサ本体１０が破損しにくい。従って、セラミックコンデンサ１は、優れた信頼性を有する。

セラミックコンデンサ１では、第１の外部電極１５が第１の端面１０ｅの全面を覆っておらず、第２の外部電極１６が第２の端面１０ｆの全面を覆っていない。言い換えると、上述したように、第１の端面１０ｅは、第１の部分１５ａと第２の部分１５ｂとの間において露出しており、第３の部分１５ｃと第４の端面１５ｄとの間において一部が露出している。また、第２の端面１０ｆは、第５の部分１６ａと第６の部分１６ｂとの間において露出しており、第７の部分１６ｃと第８の部分１６ｄとの間において一部が露出している。よって、外部電極１５，１６の表面よりも基板との密着力の高いコンデンサ本体１０の表面を露出させることができる。このため、セラミックコンデンサ１を基板に内蔵した際にセラミックコンデンサ１と基板との密着強度を高めることができる。従って、コンデンサ内蔵基板内への水分などの浸入を抑制することができる。よって、基板に内蔵された場合であっても、セラミックコンデンサ１は、優れた信頼性を有する。

セラミックコンデンサ１では、第１の外部電極１５の第１及び第２の部分１５ａ、１５ｂと、第２の外部電極１６の第５及び第６の部分１６ａ、１６ｂとのそれぞれの積層方向Ｔにおける長さが、セラミックコンデンサ１の積層方向Ｔに沿った寸法の５％以上１５％以下である。第１の外部電極１５の第３及び第４の部分１５ｃ、１５ｄと、第２の外部電極１６の第７及び第８の部分１６ｃ、１６ｄとのそれぞれの積層方向Ｔにおける長さが、セラミックコンデンサ１の幅寸法の５％以上１５％以下である。このため、外部電極１５，１６の表面よりも基板との密着力の高いコンデンサ本体１０の表面を最適な範囲で露出させることができる。このため、セラミックコンデンサ１を基板に内蔵した際に、基板との密着性を向上できる。また、外部電極１５，１６によりコンデンサ本体１０の稜線部を保護できるためセラミックコンデンサ１に割れや欠けが発生し難くい。かつ、第１の外部電極１５の第３及び第４の部分１５ｃ、１５ｄと、第２の外部電極１６の第７及び第８の部分１６ｃ、１６ｄの長さを最適な範囲にすることにより、セラミックコンデンサ１の長さ方向Ｌにおける外部電極１５，１６の寸法もコントロールすることができる。このため、積層セラミックコンデンサ１を実装する基板のキャビティへの挿入不良などが起こりにくく、セラミックコンデンサ１の実装エラーが生じにくい。

また、セラミックコンデンサ１では、第１の外部電極１５の第１及び第２の部分１５ａ、１５ｂと、第２の外部電極１６の第５及び第６の部分１６ａ、１６ｂとのそれぞれの積層方向Ｔにおける長さが、セラミックコンデンサ１の積層方向Ｔに沿った寸法の８％以上１２％以下であることがより好ましい。このようにすることにより上述の効果がより顕著になる。

第１及び第２の外部電極１５，１６の第１又は第２の主面１０ａ、１０ｂ上に位置する部分の長さ方向Ｌに沿った最大長さをＬ１とし、第１及び第２の外部電極１５，１６の第１又は第２の主面１０ａ、１０ｂ上に位置する部分の最もコンデンサ本体１０から積層方向Ｔにおいて離れた部分から、積層方向Ｔにおいて、第１又は第２の外部電極１５，１６の厚みの４０％コンデンサ本体１０側に後退した部分の第１及び第２の外部電極１５，１６の長さ方向Ｌに沿った最大長さをＬ２としたときに、Ｌ２／Ｌ１が８０％以上９０％以下であることが好ましい。

この構成によれば、セラミックコンデンサ１を基板にマウントするときのセラミックコンデンサ１の稜線部に加わる衝撃を効果的に拡散できるため、セラミックコンデンサ１の実装時における割れや欠けを抑制することができる。また、第１及び第２の外部電極１５，１６の平坦な部分の表面積を大きくできるため、ビアホール電極と第１及び第２の外部電極１５，１６との優れた電気的接続性を実現することができる。

なお、第１の外部電極及び第２・BR>フ外部電極のいずれかにおいて、Ｌ２／Ｌ１が８０％以上９０％以下とすることでも効果を得られるが、第１の外部電極及び第２の外部電極の両方において、Ｌ２／Ｌ１が８０％以上９０％以下とすることでより効果を得られる。

第３の外部電極１７の第１又は第２の主面１０ａ、１０ｂ上に位置する部分の長さ方向Ｌに沿った最大長さをＬ３とし、第３の外部電極１７の第１又は第２の主面１０ａ、１０ｂ上に位置する部分のコンデンサ本体１０から積層方向Ｔにおいて最も離れた部分から、積層方向Ｔにおいて、第３の外部電極１７の厚みの４０％だけコンデンサ本体１０側の部分の長さ方向Ｌに沿った最大長さをＬ４としたときに、Ｌ４／Ｌ３が８０％以上であることが好ましい。

この構成によれば、第１及び第２の外部電極１５，１６の平坦な部分の表面積を大きくできるため、ビアホール電極と第１及び第２の外部電極１５，１６との優れた電気的接続性を実現することができる。

第３の外部電極１７の第１及び第２の主面１０ａ、１０ｂ上に位置する部分の長さ方向Ｌにおける長さをＬ５、第３の外部電極１７の第１及び第２の側面１０ｃ、１０ｄ上に位置する部分の長さ方向Ｌにおける長さをＬ６としたとき、Ｌ５＞Ｌ６であることが好ましい。この構成によれば、第３の外部電極１７の第１及び第２の主面１０ａ、１０ｂ上に位置する部分の面積を大きくできる。このため、セラミックコンデンサ１が内蔵された基板に、セラミックコンデンサ１の第３の外部電極１７に臨むビアホールを形成するためにレーザー光を照射できる面積を大きくすることができる。従って、ビアホール電極とセラミックコンデンサ１との接続不良を抑制することができる。また、ビアホール電極の位置の自由度が向上する。

セラミックコンデンサ１では、外部電極１５，１６の主面１０ａ、１０ｂ上に位置する部分の幅寸法よりも、外部電極１５，１６の側面１０ｃ、１０ｄ上に位置する部分の幅寸法が小さいことが好ましい。この構成によれば、基板との密着性が高いコンデンサ本体１０の露出部の面積を大きくすることができる。よって、セラミックコンデンサ１と基板との密着性を向上することができる。よって、セラミックコンデンサ１と基板とが剥離し、剥離部から水分等が浸入することを抑制することができる。その結果、マイグレーションに起因する第１の外部電極１５と第２の外部電極１６との間で短絡が生じることを抑制することができる。

第１及び第２の外部電極１５，１６の第１及び第２の主面１０ａ、１０ｂの上に位置する部分の長さ方向Ｌにおける長さをＬ７とし、第１及び第２の外部電極１５，１６の第１及び第２の側面１０ｃ、１０ｄの上に位置する部分の長さ方向Ｌにおける長さをＬ８としたときに、Ｌ７＞Ｌ８であることが好ましい。この構成によれば、第１及び第２の外部電極１５，１６の第１及び第２の主面１０ａ、１０ｂ上に位置する部分の面積を大きくできる。このため、セラミックコンデンサ１が内蔵された基板に、セラミックコンデンサ１の第１及び第２の外部電極１５，１６に臨むビアホールを形成するためにレーザー光を照射できる面積を大きくすることができる。従って、ビアホール電極とセラミックコンデンサ１との接続不良を抑制することができる。また、ビアホール電極の位置の自由度を向上することができる。また、第１及び第２の外部電極１５，１６の第１及び第２の主面１０ａ、１０ｂ上に位置する部分の幅よりも、第１及び第２の外部電極１５，１６の第１及び第２の側面１０ｃ、１０ｄ上に位置する部分の幅が小さいため、基板との密着性が高いコンデンサ本体１０の露出部の面積を大きくすることができる。このため、セラミックコンデンサ１と基板との密着性を向上することができる。よって、セラミックコンデンサ１と基板とが剥離し、剥離部から水分等が浸入することを抑制することができる。その結果、マイグレーションに起因する第１の外部電極１５と第２の外部電極１６との間で短絡が生じることを抑制することができる。

なお、第３の外部電極１７の第１及び第２の主面１０ａ、１０ｂ上に位置する部分の長さ方向Ｌにおける長さをＬ５、第３の外部電極１７の第１及び第２の側面１０ｃ、１０ｄ上に位置する部分の長さ方向Ｌにおける長さをＬ６としたとき、Ｌ６／Ｌ５が０．７７以上０．９６以下であることが好ましい。第１及び第２の外部電極１５，１６の第１及び第２の主面１０ａ、１０ｂの上に位置する部分の長さ方向Ｌにおける長さをＬ７とし、第１及び第２の外部電極１５，１６の第１及び第２の側面１０ｃ、１０ｄの上に位置する部分の長さ方向Ｌにおける長さをＬ８としたときに、Ｌ８／Ｌ７が０．７８以上０．９６以下であることが好ましい。この構成によれば、より効果的に上述の効果を得ることができる。

第３の外部電極１７の第１又は第２の主面１０ａ、１０ｂ上に位置する部分の厚みは、第１及び第２の外部電極１５，１６の第１又は第２の主面１０ａ、１０ｂ上に位置する部分の厚みよりも薄いことが好ましい。この構成によれば、セラミックコンデンサ１を、基板に実装する際、実装機の実装ノズルが、長さ方向Ｌにおける中央に位置する第３の外部電極１７のみに当接することを防ぐことができ、その両側の第１及び第２の外部電極１５，１６にも当接させ得るため、応力を分散させることができる。このため、外部電極１５〜１７を起点としてコンデンサ本体１０にクラックが発生することを抑制することができる。

コンデンサ本体１０にクラックが発生することをより効果的に抑制する観点からは、第３の外部電極１７の第１又は第２の主面１０ａ、１０ｂ上に位置する部分の厚みと、第１及び第２の外部電極１５，１６の第１又は第２の主面１０ａ、１０ｂ上に位置する部分の厚みとの差が、０．５μｍ以上１５μｍ以下であることが好ましい。

第３の外部電極１７のコンデンサ本体１０に接触している部分の長さ方向Ｌに沿った寸法をＬ９とし、第３の外部電極１７の最上面の長さ方向Ｌに沿った寸法をＬ１０としたときに、Ｌ９＜Ｌ１０であることが好ましい。この構成によれば、第３の外部電極１７と基板との間でアンカー効果が生じ、基板とセラミックコンデンサ１との密着強度を向上することができる。また、Ｌ９＜Ｌ１０とすることで、第１の外部電極１５と第３の外部電極１７との間の距離、及び第２の外部電極１６と第３の外部電極１７との間の距離を小さくすることができる。そのため、イオンマイグレーションの発生を抑制することが可能となる。同様の観点から、第１の外部電極１５のコンデンサ本体１０に接触している部分の長さ方向Ｌに沿った寸法を、第１の外部電極１５の最上面の長さ方向Ｌに沿った寸法よりも小さくすることが好ましい。第２の外部電極１６のコンデンサ本体１０に接触している部分の長さ方向Ｌに沿った寸法を、第２の外部電極１６の最上面の長さ方向Ｌに沿った寸法よりも小さくすることが好ましい。

なお、外部電極１５〜１７のそれぞれの横断面形状は、コンデンサ本体１０側から離れるにしたがって幅広となるテーパ形状であることが好ましい。これにより、上記の効果をより顕著なものにすることができる。

（セラミックコンデンサ１の製造方法）
次に、セラミックコンデンサ１の製造方法の一例について説明する。

まず、セラミックグリーンシート、内部電極用導電性ペースト及び外部端子電極用導電性ペーストをそれぞれ準備する。セラミックグリーンシート及び導電性ペーストは、バインダ及び溶剤を含有していてもよい。セラミックグリーンシート及び導電性ペーストに用いられるバインダ及び溶媒は、例えば、公知のものを用いることができる。

次に、セラミックグリーンシート上に、例えば、スクリーン印刷法やグラビア印刷法などにより所定のパターンに導電性ペーストを印刷し、内部電極パターンを形成する。

次に、内部電極パターンが印刷されていない外層用セラミックグリーンシートを所定枚数積層し、その上に内部電極パターンが印刷されたセラミックグリーンシートを順次積層し、その上に外層用セラミックグリーンシートを所定枚数積層し、マザー積層体を作製する。その後、マザー積層体を静水圧プレスなどの手段により積層方向にプレスする。

次に、マザー積層体を所定のサイズにカットし、生のセラミック積層体を切り出す。このとき、バレル研磨などにより生のセラミック積層体の稜線部や角部に丸みをつけてもよい。

所定のサイズにカットされた生のセラミック積層体の側面に露出する内部電極露出部上に、下地電極ペーストを塗布する。下地電極ペーストの塗布方法は、限定されない。下地電極ペーストの塗布方法としては、例えば、ローラ転写法等が挙げられる。ローラ転写法で下地電極層を形成することにより、例えば、ローラの押しつけ圧力を制御することにより、積層体の側面上のみや、積層体のコーナー部又は稜部、積層体の主面の一部上にも形成することができる。

なお、ローラ転写法とは、具体的には、以下のような方法である。ローラ転写法の塗布ローラは、弾性体からなるものであってもよいし、金属からなるものであってもよい。塗布ローラの周面には、溝が形成されている。塗布ローラの溝には下地電極ペーストが充填されており、チップ側面上を塗布ローラが当接して移動することで、下地電極ペーストがチップ側面に転写される。なお、生のセラミック積層体をローラの回転と同期するようにローラ回転方向へ移動させて転写してもよい。また、転写後に、下地電極ペーストが充填されていないローラを、チップ端面に押し付けることで、余剰に転写された導電ペーストを除去してもよい。

次に、生のセラミック積層体を焼成することによりコンデンサ本体１０を得る。焼成温度は、用いられるセラミック材料や導電材料にもよるが、例えば、９００℃以上１３００℃以下であることが好ましい。この後に、コンデンサ本体１０をバレル研磨するなどしてコンデンサ本体１０の稜線部や角部に丸みをつけてもよい。

次に、その後、薄膜電極層を形成する。まず、薄膜電極層は下地電極層が形成された焼成済みのコンデンサ本体１０を専用マスク冶具に振込む。このマスク冶具は、薄膜電極層を形成したい領域のみを露出させることができるように構成されている。そして、コンデンサ本体１０の主面うち、外部電極を形成したい領域のみを露出させた状態で、スパッタ設備にコンデンサ本体１０を供給して、コンデンサ本体１０の主面の所定の領域に、スパッタリング法等により薄膜電極層を形成する。例えば、ＮｉＣｒ膜と、ＮｉＣｕ膜の２層の薄膜電極層（コンデンサ本体１０に接する薄膜電極層）を形成する。

次に、薄膜電極層上にめっき層を形成することにより外部電極１５〜１７を完成させる。めっき層は単層でも複数層でもよいが、最外層はＣｕめっき層とする。めっき層は、例えば、電解めっき法や無電解めっき法等で形成することができる。

めっき層を電解めっき法により形成する場合、具体的には、めっき液で満たされためっき浴、カソード電極及びアノード電極とを準備する。めっき液内でカソード電極とアノード電極間にめっき電圧を印加し、コンデンサ本体１０に形成された焼結電極層にカソード電極が接触するように通電させる。このようにすることにより、めっき層が焼結電極層上に析出する。なお、めっき浴内にコンデンサ本体１０と共に導電メディアを入れて、導電メディアを介してコンデンサ本体１０の焼結電極層に通電させてもよい。なお、焼成電極層に通電させる方法としては、例えば、振動によりコンデンサ本体１０と導電メディアを攪拌することでめっきする振動めっき法、バレル内に入れられた導電メディアとコンデンサ本体１０とを回転攪拌させながらめっきする回転バレルめっき法、バレルの遠心力によりコンデンサ本体１０を攪拌しめっきする遠心めっき法等が好ましく用いられる。

さらに、必要に応じて、熱処理及び外部電極の表面処理を行う。熱処理をすることにより、外部電極１５〜１７を緻密化することができ、信頼性が向上する。また、外部電極１５〜１７の表面を表面処理することにより、外部電極１５〜１７の表面を租化することができ、部品内蔵用基板に埋めこんだ際に、基板の樹脂と外部電極１５〜１７との密着性が向上する。

以上の工程により、セラミックコンデンサ１を製造することができる。

以下、本発明について、具体的な実施例に基づいて、さらに詳細に説明するが、本発明は以下の実施例に何ら限定されるものではなく、その要旨を変更しない範囲において適宜変更して実施することが可能である。

（実施例１）
第１の実施形態に係るセラミックコンデンサ１と実質的に同様の構成を有するコンデンサを第１の実施形態において説明した製造方法を用いて、以下の条件で１０００個作製した。

条件：
セラミックコンデンサの寸法（規格寸法）：Ｌ×Ｗ×Ｔ＝１．０００ｍｍ×０．６００ｍｍ×０．２２０ｍｍ
セラミック材料：ＢａＴｉ_２Ｏ_３
容量：１μＦ
定格電圧：６．３Ｖ
外部電極の構造：下地電極層／薄膜電極層／めっき層
下地電極層：Ｎｉ焼成電極層
薄膜電極層：ＮｉＣｒスパッタ膜／ＮｉＣｕスパッタ膜
めっき層：１層のＣｕめっき層
下地電極層の厚み（中央部）：６μｍ
薄膜電極層の厚み（中央部）：合計０．３μｍ（各層０．１５μｍずつ）
めっき層の厚み（中央部）：１０μｍ
第１，第２，第５及び第６の部分の厚み方向に沿った長さ：１１μｍ
第３，第４，第７及び第８の部分の幅方向に沿った長さ：３０μｍ

（比較例１）
比較例１として、第１の内部電極の引き出し部がそれぞれの端面にのみ引き出されており、第１及び第２の外部電極がコンデンサ本体の端面全体を覆うように外部電極が形成されたセラミックコンデンサを準備した。なお、外部電極を、Ｎｉ焼成電極層からなる下地電極と、その上に形成された１層のＣｕめっき層の積層体により構成した。それ以外は、実施例１と同様にして１０００個のサンプルを作製した。

（密着性の評価）
実施例１及び比較例１で作製したセラミックコンデンサを基板に内蔵し、セラミックコンデンサ内蔵基板を作製した。次に、セラミックコンデンサ内蔵基板を、セラミックコンデンサの側面と平行にセラミックコンデンサの幅方向寸法が１／２となるまでセラミックコンデンサ内蔵基板を研磨し断面を露出させた。

次に、上記断面を金属顕微鏡を用いて、基板とセラミックコンデンサとが密着しているか否かを観察し、基板とセラミックコンデンサとが密着していないサンプルを不良品として、不良品の個数をカウントした。結果を表１に示す。

（実験例）
第１の実施形態に係るセラミックコンデンサ１と実質的に同様の構成を有するコンデンサを第１の実施形態において説明した製造方法を用いて、表２に示す条件で各１０００個作製し、密着性の評価、割れ、欠けの発生率の算出、及び実装性の評価を行った。

（密着性の評価）
上記評価方法と同様の方法で、各実験例において作製したセラミックコンデンサの密着性を評価した。結果を表２〜表１１に示す。

（割れ、欠けの発生率）
各実験例で作製したセラミックコンデンサの第１及び第２の端面を金属顕微鏡を用いて観察し、割れ、欠けが発生したサンプルを不良品として不良品の数をカウントした。結果を表２〜表１１に示す。

（実装性評価）
基板のセラミックコンデンサを内蔵するキャビティに実装機を用いてセラミックコンデンサを実装し、実装できなかったものを不良品として不良品の数をカウントした。実装機としては、ＳＩＧＭＡ−Ｇ：日立ハイテクノロジーズを用いた。キャビティのサイズは、Ｌ×Ｗ＝１．０８０ｍｍ×０．６７０ｍｍとした。結果を表２〜表１１に示す。

（第１〜第８の部分の長さの測定方法）
第１〜第４の部分の長さは、セラミックコンデンサを第１の端面側から金属顕微鏡を用いて観察し、最長部の長さを測定することにより求めた。

第５〜第８の部分の長さは、セラミックコンデンサを第２の端面側から金属顕微鏡を用いて観察し、最長部の長さを測定することにより求めた。

下記の表２〜表１１における記号の意味は、以下の通りである。

Ｔ１：第１及び第５の部分の積層方向Ｔに沿った長さである。具体的には、第１及び第２の外部電極のうち、第１及び第２の主面上に位置する部分の表面から、第１及び第２の外部電極のうち、第１及び第２の端面上に位置する部分の先端までの積層方向Ｔにおける最大長さ（μｍ）である。

Ｔ２：第２及び第６の部分の積層方向Ｔに沿った長さである。具体的には、第１及び第２の外部電極のうち、第１及び第２の主面に位置する部分の表面から、第１及び第２の外部電極のうち、第１及び第２の端面上に位置する部分の先端までの、積層方向Ｔにおける最大長さ（μｍ）である。

Ｔ：セラミックコンデンサの積層方向Ｔに沿った長さ（μｍ）

Ｗ１：第３及び第７の部分の幅方向Ｗに沿った長さである。具体的には、第１及び第２の外部電極のうち、第１及び第２の側面上に位置する部分の表面から、第１及び第２の外部電極のうち、第１及び第２の端面上に位置する部分の先端までの、長さ方向Ｌにおける最大長さ（μｍ）である。

Ｗ２：第４及び第８の部分の幅方向Ｗに沿った長さである。具体的には、第１及び第２の外部電極のうち、第１及び第２の側面上に位置する部分の表面から、第１及び第２の外部電極のうち、第１及び第２の端面上に位置する部分の先端までの、長さ方向Ｌにおける最大長さ（μｍ）である。

Ｗ：セラミックコンデンサの幅方向Ｗに沿った長さ（μｍ）

Ｓ１：第１及び第２の端面のそれぞれの第１又は第２の外部電極から露出している部分の面積（ｍｍ^２）
Ｓ２：第１及び第２の端面のそれぞれの第１又は第２の外部電極に覆われている部分の面積（ｍｍ^２）

Ｌ１：第１〜第８の部分の長さ方向Ｌに沿った厚み（μｍ）

なお、Ｔ１、Ｔ２、Ｔ、Ｗ１、Ｗ２、Ｗ、Ｓ１、Ｓ２、Ｌは、以下の要領で測定した。

（Ｔ１の測定方法）
Ｔ１は、セラミックコンデンサを第１及び第２の端面側から金属顕微鏡を用いて観察し、第１及び第２の外部電極の第１の主面上に形成されている部分の表面から、第１及び第２の外部電極の第１及び第２の端面上に位置する部分の先端までの厚み方向Ｔに沿った最大長さをそれぞれ測定した。実施例では、第１の部分の長さと第５の部分の長さとが同じになるように形成している。

（Ｔ２の測定方法）
Ｔ２は、セラミックコンデンサを第１及び第２の端面側から金属顕微鏡を用いて観察し、第１及び第２の外部電極の第２の主面上に形成された部分の表面から、第１及び第２の外部電極の第１及び第２の端面上に位置する部分の先端までの最大長さを測定した。実施例では、第２の部分の長さと第６の部分の長さとが同じになるように形成している。

（Ｔの測定方法）
Ｔは、セラミックコンデンサの厚み方向Ｔに沿った長さをマイクロスコープを用いて測定した。

（Ｗ１の測定方法）
Ｗ１は、セラミックコンデンサを第１及び第２の端面側から金属顕微鏡を用いて観察し、第１及び第２の外部電極の第１の側面上に位置する部分の表面から、第１及び第２の外部電極の第１及び第２の端面上に位置する部分の先端までの最大長さを測定した。実施例では、第３の部分の長さと第７の部分の長さとが同じになるように形成している。

（Ｗ２の測定方法）
Ｗ２は、セラミックコンデンサを第１及び第２の端面側から金属顕微鏡を用いて観察し、第１及び第２の外部電極の第２の側面の上に位置している部分の表面から、第１及び第２の外部電極の第１及び第２の端面の上に位置している部分の先端までの最大長さを測定した。実施例では、第４の部分の長さと第８の部分の長さとが同じになるように形成している。

（Ｗの測定方法）
Ｗは、セラミックコンデンサの幅方向に沿った長さをマイクロスコープを用いて測定した。

（Ｓ１の測定方法）
Ｓ１は、第１又は第２の端面において、コンデンサ本体の長さ方向Ｌに沿った長さと、コンデンサ本体の厚み方向Ｔに沿った長さとをマイクロメータを用いて測定し、それらの値の積により算出した。なお、コンデンサ本体の長さ方向Ｌに沿った長さは、セラミックコンデンサの厚み方向Ｔにおける中央で測定した。コンデンサ本体の表面における厚み方向Ｔに沿った長さは、セラミックコンデンサの幅方向Ｗの中央で測定した。

（Ｓ２の測定方法）
Ｓ２は、まず、第１又は第２の主面を平面視した際の第１又は第２の外部電極と第３の外部電極間の長さＧ１と、第１又は第２の側面を平面視した際の第１又は第２の外部電極と第３の外部電極間の長さＧ２をマイクロスコープを用いて測定した。その後、Ｇ１×Ｇ２によりコンデンサ本体の表面積を求め、コンデンサ本体の表面積からＳ１を除算することによりＳ２の値を算出した。

（Ｌ１の測定方法）
実施例２〜１６１のそれぞれにおいて作製したセラミックコンデンサの幅方向の中央部の長さ方向Ｌにおける長さから、実施例１において作製したセラミックコンデンサの幅方向の中央部の長さ方向Ｌにおける長さを除算して得られた値の１／２をＬ１とした。なお、長さは、マイクロメータを用いて測定した。

表２〜表１１に示す結果から、Ｔ１／Ｔ、Ｔ２／Ｔ、Ｗ１／Ｗ、Ｗ２／Ｗを５％以上１５％以下とすることにより、外部電極の表面よりも基板との密着性の高いコンデンサ本体１０の露出部を最適な範囲で露出させることができる。このため、基板に内蔵した際の基板との密着不良が発生することを効果的に抑制でき、コンデンサ本体１０の稜線部を保護することができる。よって、セラミックコンデンサに割れ、欠けが発生することを効果的に抑制できる。また、第１の外部電極１５の第３及び第４の部分１５ｃ、１５ｄと、第２の外部電極１６の第７及び第８の部分１６ｃ、１６ｄの長さを最適な範囲にすることにより、セラミックコンデンサ１の長さ方向における外部電極の寸法もコントロールすることができる。従って、積層セラミックコンデンサを実装する基板のキャビティへの挿入不良などを起こしにくく、実装不良が発生することを効果的に抑制できることが分かる。

１ ：セラミックコンデンサ
１０ ：コンデンサ本体
１０ａ ：第１の主面
１０ｂ ：第２の主面
１０ｃ ：第１の側面
１０ｄ ：第２の側面
１０ｅ ：第１の端面
１０ｆ ：第２の端面
１０ｇ ：セラミック部
１１ ：第１の内部電極
１１ａ ：対向部
１１ｂ ：第１の引き出し部
１１ｃ ：第２の引き出し部
１１ｄ ：第３の引き出し部
１１ｅ ：第４の引き出し部
１２ ：第２の内部電極
１２ａ ：対向部
１２ｂ ：第５の引き出し部
１２ｃ ：第６の引き出し部
１５ ：第１の外部電極
1５ａ ：第１の部分
1５ｂ ：第２の部分
１５ｃ ：第３の部分
１５ｄ ：第４の部分
１６ ：第２の外部電極
１６ａ ：第５の部分
１６ｂ ：第６の部分
１６ｃ ：第７の部分
１６ｄ ：第８の部分
１７ ：第３の外部電極

Claims (8)

1. 長さ方向及び長さ方向に対して垂直な幅方向に沿って延びる第１及び第２の主面と、長さ方向と、長さ方向及び幅方向のそれぞれに対して垂直な積層方向とに沿って延びる第１及び第２の側面と、幅方向及び積層方向に沿って延びる第１及び第２の端面とを有するコンデンサ本体と、
   前記コンデンサ本体内に配されており、前記第１及び第２の側面のそれぞれに露出する複数の内部電極と、
   前記第１の側面の前記内部電極の露出部と、前記第２の側面の前記内部電極の露出部とから前記第１及び第２の主面の上に跨がるように形成された複数の外部電極と、
   を備え、
   前記複数の内部電極は、
   第１の内部電極と、
   前記第１の内部電極と積層方向において対向する第２の内部電極と、
   を含み、
   前記第１の内部電極は、
   前記第２の内部電極と対向する第１の対向部と、
   前記第１の対向部に接続されており、それぞれ、前記第１の側面に引き出された第１及び第２の引き出し部と、
   前記第１の対向部に接続されており、それぞれ、前記第２の側面に引き出された第３及び第４の引き出し部と、
   を有し、
   前記第２の内部電極は、
   前記第１の対向部と対向する第２の対向部と、
   前記第２の対向部に接続されており、前記第１の側面に引き出された第５の引き出し部と、
   前記第２の対向部に接続されており、前記第２の側面に引き出された第６の引き出し部と、
   を有し、
   前記複数の外部電極は、
   前記第１の側面の前記第１の引き出し部の露出部と、前記第２の側面の前記第３の引き出し部の露出部とを覆い、かつ、前記第１の側面、前記第１の主面、前記第２の側面及び前記第２の主面を周回するように設けられた第１の外部電極と、
   前記第１の側面の前記第２の引き出し部の露出部と、前記第２の側面の前記第４の引き出し部の露出部とを覆い、かつ、前記第１の側面、前記第１の主面、前記第２の側面及び前記第２の主面を周回するように設けられた第２の外部電極と、
   前記第１の側面の前記第５の引き出し部の露出部と、前記第２の側面の前記第６の引き出し部の露出部とを覆うように、前記第１の側面、前記第１の主面、前記第２の側面及び前記第２の主面を周回するように設けられた第３の外部電極と、
   を有し、
   前記第１の外部電極は、
   前記第１の主面上に位置する部分から前記第１の端面の一部の上に至る第１の部分と、
   前記第２の主面上に位置する部分から前記第１の端面の一部の上に至る第２の部分と、
   前記第１の側面上に位置する部分から前記第１の端面の一部の上に至る第３の部分と、
   前記第２の側面上に位置する部分から前記第１の端面の一部の上に至る第４の部分と、
   を有し、
   前記第２の外部電極は、
   前記第１の主面上に位置する部分から前記第２の端面の一部の上に至る第５の部分と、
   前記第２の主面上に位置する部分から前記第２の端面の一部の上に至る第６の部分と、
   前記第１の側面上に位置する部分から前記第２の端面の一部の上に至る第７の部分と、
   前記第２の側面上に位置する部分から前記第２の端面の一部の上に至る第８の部分と、
   を有し、
   前記第１及び第２の外部電極のそれぞれの最外層が、Ｃｕめっき層により構成されている、セラミックコンデンサ。
2. 前記第１及び第２の部分並びに前記第５及び第６の部分のそれぞれの積層方向における長さが、前記セラミックコンデンサの積層方向に沿った寸法の５％以上１５％以下であり、
   前記第３及び第４の部分並びに前記第７及び第８の部分のそれぞれの積層方向における長さが、前記セラミックコンデンサの幅寸法の５％以上１５％以下である、請求項１に記載のセラミックコンデンサ。
3. 前記第１，第２，第５及び第６の部分のそれぞれの積層方向に沿った長さは、前記第３，第４，第７及び第８の部分の幅方向に沿った長さより短い、請求項１又は２に記載のセラミックコンデンサ。
4. 前記セラミックコンデンサの積層方向に沿った寸法が、前記セラミックコンデンサの幅方向に沿った寸法よりも小さい、請求項１〜３のいずれか一項に記載のセラミックコンデンサ。
5. 前記第３の外部電極の前記第１又は第２の主面上に位置する部分の長さ方向に沿った長さが、前記第３の外部電極の前記第１又は第２の側面の上に位置する部分の長さ方向に沿った長さよりも大きい、請求項１〜４のいずれか一項に記載のセラミックコンデンサ。
6. 前記第１の外部電極の前記第１又は第２の主面上に位置する部分の長さ方向に沿った長さが、前記第１の外部電極の前記第１及び第２の側面上に位置する部分の長さ方向に沿った長さよりも長く、
   前記第２の外部電極の前記第１又は第２の主面上に位置する部分の長さ方向に沿った長さが、前記第２の外部電極の前記第１及び第２の側面上に位置する部分の長さ方向に沿った長さよりも長い、請求項１〜５のいずれか一項に記載のセラミックコンデンサ。
7. 前記第１及び第２の外部電極の前記第１又は第２の主面上に位置する部分の長さ方向に沿った最大長さをＬ１とし、前記第１及び第２の外部電極の前記第１又は第２の主面上に位置する部分の最もコンデンサ本体から積層方向において離れた部分から、積層方向において、前記第１又は前記第２の外部電極の厚みの４０％前記コンデンサ本体側に後退した部分の前記第１及び第２の外部電極の長さ方向に沿った最大長さをＬ２としたときに、Ｌ２／Ｌ１が８０％以上９０％以下であり、
   前記第３の外部電極の前記第１又は第２の主面上に位置する部分の長さ方向に沿った最大長さをＬ３とし、前記第３の外部電極の前記第１又は第２の主面上に位置する部分の最もコンデンサ本体から積層方向において離れた部分から、積層方向において、前記第３の外部電極の厚みの４０％前記コンデンサ本体側に後退した部分の前記第３の外部電極の長さ方向に沿った最大長さをＬ４としたときに、Ｌ４／Ｌ３が８０％以上である、請求項１〜６に記載のセラミックコンデンサ。
8. 前記第１〜第３の外部電極の少なくともひとつの電極の前記コンデンサ本体と接触している部分の長さ方向に沿った長さが、当該電極の最上面の長さ方向に沿った長さよりも短い、請求項１〜７のいずれか一項に記載のセラミックコンデンサ。