JP5533387B2 - セラミック電子部品 - Google Patents

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Description

本発明は、セラミック電子部品に関する。
近年、携帯電話機や携帯音楽プレイヤーなどの電子機器の小型化や薄型化に伴い、電子機器に搭載される配線基板の小型化が進んでいる。これに伴って配線基板に実装されるセラミック電子部品に対する薄型化及び小型化の要請が高まってきている。
セラミック電子部品を薄型化する方法の一つとして、例えば、下記の特許文献１に記載されているように、主面上に形成されている外部電極をセラミック素体内部に埋め込む方法が挙げられる。このようにすることにより、外部電極をセラミック素体内部に埋め込まない場合よりもセラミック電子部品を薄型化することができる。
また、特許文献には、外部電極をセラミック素体内部に埋め込むことにより、外部電極の固着力が高められる旨が記載されている。
特開２００５−４４９２１号公報
しかしながら、特許文献１に記載のように、セラミック素体内部に外部電極を埋め込むことにより薄型化を図った場合、セラミック電子部品の信頼性が低下してしまう場合がある。
本発明は、係る点に鑑みてなされたものであり、その目的は、薄型であり、かつ、信頼性が高いセラミック電子部品を提供することにある。
本発明に係るセラミックコンデンサは、直方体状のセラミック素体と、第１及び第２の内部電極と、第１の外部電極と、第２の外部電極とを備えている。セラミック素体は、第１及び第２の主面と、第１及び第２の側面と、第１及び第２の端面とを有する。第１及び第２の主面は、長さ方向及び幅方向に沿って延びている。第１及び第２の主面は、互いに対向している。第１及び第２の側面は、長さ方向及び厚み方向に沿って延びている。第１及び第２の側面は、互いに対向している。第１及び第２の端面は、幅方向及び厚み方向に沿って延びている。第１及び第２の端面は、互いに対向している。第１及び第２の内部電極は、セラミック素体の内部において、少なくとも一部同士が厚み方向に対向するように形成されている。第１の外部電極は、第１の主面上の長さ方向の一方側端部に形成された第１の部分を有している。第１の外部電極は、第１の内部電極に電気的に接続されている。第２の外部電極は、第１の主面上の長さ方向の他方側端部に形成された第１の部分を有している。第２の外部電極は、第２の内部電極に電気的に接続されている。第１及び第２の外部電極上にはめっき層が形成されている。第１及び第２の内部電極が厚み方向に対向している部分により、所定の電気的特性を発現する有効部が構成されている。第１及び第２の外部電極のそれぞれの第１の部分は、有効部と厚み方向に対向している。第１及び第２の外部電極のそれぞれの第１の部分は、厚み方向に沿ってセラミック素体内部に埋め込まれている。第１及び第２の外部電極のそれぞれの第１の部分の厚みをｔ０とし、第１及び第２の外部電極のそれぞれの第１の部分がセラミック素体内部に埋め込まれている部分の厚みをｔ１としたときに、（1／１０）ｔ０≦ｔ１≦（２／５）ｔ０である。
本発明に係るセラミックコンデンサのある特定の局面において、セラミック素体の長さをＬとし、セラミック素体の厚みをＴとしたときに、Ｌ／Ｔ＜０．２２が満たされる。
また、第１及び第２の外部電極は無機結合材を含んでいる。
本発明では、（1／１０）ｔ０≦ｔ１≦（２／５）ｔ０であるため、セラミック電子部品の薄型化と高い信頼性とを同時に実現することができる。
第１の実施形態に係るセラミック電子部品の略図的斜視図である。 第１の実施形態に係るセラミック電子部品の略図的側面図である。 図１の線ＩＩＩ−ＩＩＩにおける略図的断面図である。 第１の実施形態に係るセラミック電子部品の一部分を拡大した略図的断面図である。 導電パターンが形成されたセラミックグリーンシートの略図的平面図である。 マザー積層体の略図的平面図である。 マザー積層体のプレス工程を説明するための略図的断面図である。 第２の実施形態に係るセラミック電子部品の略図的斜視図である。 第３の実施形態に係るセラミック電子部品の略図的斜視図である。 第１の比較例に係るセラミック電子部品の略図的断面図である。 第２の比較例に係るセラミック電子部品の略図的断面図である。
（第１の実施形態）
以下、本発明の好ましい実施形態について、図１に示すセラミック電子部品１を例に挙げて説明する。但し、セラミック電子部品１は、単なる例示である。本発明は、以下に示すセラミック電子部品１及びその製造方法に何ら限定されない。
図１は、第１の実施形態に係るセラミック電子部品の略図的斜視図である。図２は、第１の実施形態に係るセラミック電子部品の略図的側面図である。図３は、図１の線ＩＩＩ−ＩＩＩにおける略図的断面図である。図４は、第１の実施形態に係るセラミック電子部品の一部分を拡大した略図的断面図である。
まず、図１〜図４を参照しながら、セラミック電子部品１の構成について説明する。
図１〜図３に示すように、セラミック電子部品１は、セラミック素体１０を備えている。セラミック素体１０は、セラミック電子部品１の機能に応じた適宜のセラミック材料からなる。具体的には、セラミック電子部品１がコンデンサである場合は、セラミック素体１０を誘電体セラミック材料により形成することができる。誘電体セラミック材料の具体例としては、例えば、ＢａＴｉＯ３、ＣａＴｉＯ３、ＳｒＴｉＯ３、ＣａＺｒＯ３などが挙げられる。なお、セラミック素体１０には、所望するセラミック電子部品１の特性に応じて、上記セラミック材料を主成分として、例えば、Ｍｎ化合物、Ｍｇ化合物、Ｓｉ化合物、Ｆｅ化合物、Ｃｒ化合物、Ｃｏ化合物、Ｎｉ化合物、希土類化合物などの副成分を適宜添加してもよい。
セラミック電子部品１がセラミック圧電素子である場合は、セラミック素体１０を圧電セラミック材料により形成することができる。圧電セラミック材料の具体例としては、例えば、ＰＺＴ（チタン酸ジルコン酸鉛）系セラミック材料などが挙げられる。
セラミック電子部品１がサーミスタ素子である場合は、セラミック素体１０を半導体セラミック材料により形成することができる。半導体セラミック材料の具体例としては、例えば、スピネル系セラミック材料などが挙げられる。
セラミック電子部品１が、インダクタ素子である場合は、セラミック素体１０を磁性体セラミック材料により形成することができる。磁性体セラミック材料の具体例としては、例えば、フェライトセラミック材料などが挙げられる。
セラミック素体１０は、直方体状に形成されている。図１〜図３に示すように、セラミック素体１０は、第１及び第２の主面１０ａ、１０ｂと、第１及び第２の側面１０ｃ、１０ｄと、第１及び第２の端面１０ｅ、１０ｆとを有する。図１〜図３に示すように、第１及び第２の主面１０ａ、１０ｂは、長さ方向Ｌ及び幅方向Ｗに沿って延びている。図１に示すように、第１及び第２の側面１０ｃ、１０ｄは、厚み方向Ｔ及び長さ方向Ｌに沿って延びている。図３に示すように、第１及び第２の端面１０ｅ、１０ｆは、厚み方向Ｔ及び幅方向Ｗに沿って延びている。
なお、本明細書において、「直方体状」には、角部や稜線部が面取り状またはＲ面取り状である直方体が含まれるものとする。すなわち、「直方体状」の部材とは、第１及び第２の主面、第１及び第２の側面並びに第１及び第２の端面とを有する部材全般を意味する。また、主面、側面、端面の一部または全部に凹凸などが形成されていてもよい。すなわち、主面、側面及び端面のそれぞれが平坦である必要は必ずしもない。
セラミック素体１０の寸法は、特に限定されないが、セラミック素体１０の厚み寸法をＴ、長さ寸法をＬ、幅寸法をＷとしたときに、セラミック素体１０は、Ｔ≦Ｗ＜Ｌ、１／５Ｗ≦Ｔ≦１／２Ｗ、Ｔ≦０．３ｍｍを満たす薄型のものであることが好ましい。具体的には、０．１ｍｍ≦Ｔ≦０．３ｍｍ、０．４ｍｍ≦Ｌ≦１ｍｍ、０．２ｍｍ≦Ｗ≦０．５ｍｍであることが好ましい。
セラミック層１０ｇ（図３を参照）の厚さは、特に限定されない。セラミック層１０ｇの厚さは、例えば、０．５μｍ〜１０μｍ程度とすることができる。
図３に示すように、セラミック素体１０の内部には、略矩形状の複数の第１及び第２の内部電極１１，１２が厚み方向Ｔに沿って等間隔に交互に配置されている。第１及び第２の内部電極１１，１２のそれぞれは、第１及び第２の主面１０ａ、１０ｂと平行である。
図３に示すように、第１の内部電極１１は、長さ方向Ｌ及び幅方向Ｗに沿って延びるように形成されている。第１の内部電極１１は、セラミック素体１０の第１の端面１０ｅに露出しており、第１の端面１０ｅから第２の端面１０ｆ側に向かって延びている。第１の内部電極１１は、第２の端面１０ｆ、第１及び第２の側面１０ｃ、１０ｄのそれぞれには至っていない。一方、第２の内部電極１２も、長さ方向Ｌ及び幅方向Ｗに沿って延びるように形成されている。第２の内部電極１２は、図３に示すように、セラミック素体１０の第２の端面１０ｆに露出しており、第２の端面１０ｆから第１の端面１０ｅ側に向かって延びている。第２の内部電極１２は、第１の端面１０ｅ、第１及び第２の側面１０ｃ、１０ｄのそれぞれには至っていない。第１及び第２の内部電極１１，１２は、幅方向Ｗにおいて同じ位置に形成されている。このため、第１の内部電極１１と第２の内部電極１２とは、セラミック素体１０の長さ方向Ｌにおける中央部において、セラミック層１０ｇを介して、互いに対向している。第１の内部電極１１と第２の内部電極１２とは、セラミック素体１０の長さ方向Ｌにおける両端部においては、厚み方向Ｔに対向していない。
セラミック素体１０のうち、第１及び第２の内部電極１１，１２が互いに対向している部分が、コンデンサとしての機能を発現している有効部１０Ａを構成している。
なお、第１及び第２の内部電極１１，１２の材質は、特に限定されない。第１及び第２の内部電極１１，１２は、例えば、Ｎｉ、Ｃｕ，Ａｇ，Ｐｄ，Ａｕなどの金属や、Ａｇ−Ｐｄ合金などの、これらの金属の一種以上を含む合金により形成することができる。
第１及び第２の内部電極１１，１２の厚さも、特に限定されない。第１及び第２の内部電極１１，１２の厚さは、例えば、０．３μｍ〜２μｍ程度とすることができる。
図１〜図３に示すように、セラミック素体１０の表面の上には、第１及び第２の外部電極１３，１４が形成されている。第１の外部電極１３は、第１の内部電極１１に電気的に接続されている。第１の外部電極１３は、第１の主面１０ａの上に形成されている第１の部分１３ａと、第２の主面１０ｂの上に形成されている第２の部分１３ｂと、第１の端面１０ｅの上に形成されている第３の部分１３ｃとを備えている。本実施形態では、第１の外部電極１３は、第１及び第２の側面１０ｃ、１０ｄの端部に浅く回り込むように形成されている。具体的には、第１の外部電極１３の第１及び第２の側面１０ｃ、１０ｄにおける長さ方向Ｌに沿った長さは、第１の部分１３ａの長さ方向Ｌに沿った長さの半分よりも短い。そして、第１の外部電極１３は、幅方向Ｗに沿って第１及び第２の側面１０ｃ、１０ｄからほとんど突出していない。このようにすることで、セラミック電子部品１の幅方向Ｗ寸法を小さくすることができる。なお、第１の外部電極１３は、第１及び第２の側面１０ｃ、１０ｄに実質的に形成されないようにしてもよい。
一方、第２の外部電極１４は、第２の内部電極１２に電気的に接続されている。第２の外部電極１４は、第１の主面１０ａの上に形成されている第１の部分１４ａと、第２の主面１０ｂの上に形成されている第２の部分１４ｂと、第２の端面１０ｆの上に形成されている第３の部分１４ｃとを備えている。本実施形態では、第２の外部電極１４は、第１及び第２の側面１０ｃ、１０ｄの長さ方向Ｌの端部に浅く回り込むように形成されている。具体的には、第２の外部電極１４の第１及び第２の側面１０ｃ、１０ｄにおける長さ方向Ｌに沿った長さは、第１の部分１４ａの長さ方向Ｌに沿った長さの半分よりも短い。そして、第２の外部電極１４は、幅方向Ｗに沿って第１及び第２の側面１０ｃ、１０ｄからほとんど突出していない。このようにすることで、セラミック電子部品１の幅方向Ｗ寸法を小さくすることができる。なお、第２の外部電極１４は、第１及び第２の側面１０ｃ、１０ｄに実質的に形成されないようにしてもよい。
なお、第１及び第２の外部電極１３，１４は、例えば、Ｎｉ、Ｃｕ，Ａｇ，Ｐｄ，Ａｕなどの金属や、Ａｇ−Ｐｄ合金などの、これらの金属の一種以上を含む合金により形成することができる。
第１及び第２の外部電極１３、１４のそれぞれは、無機結合材を含んでいる。無機結合材は、セラミック素体１０に対する密着強度を高めるための成分である。第１及び第２の外部電極１３、１４がコファイアにより形成される場合は、無機結合材は、共材とも呼ばれ、例えば、セラミック素体１０に含まれるセラミック材料と同種のセラミック材料であってもよい。無機結合材は、例えば、セラミック素体１０に含まれるセラミック材料と主成分が同じセラミック材料であってもよい。また、第１及び第２の外部電極１３、１４がポストファイアにより形成される場合は、無機結合材は、例えば、ガラス成分であってもよい。
第１及び第２の外部電極１３、１４における無機結合材の含有量は、例えば、４０体積％〜６０体積％の範囲内であることが好ましい。
また、第１及び第２の外部電極１３，１４の上にめっき層を形成してもよい。めっき層は複数層により形成されていてもよい。めっき層を構成する金属としては、例えば、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｄ、Ａｌ、ＢｉおよびＺｎからなる群から選ばれる１種の金属または当該金属を含む合金を用いることが好ましい。
中でも、セラミック電子部品１を配線基板に埋め込む場合、めっき層の最外層を構成する金属としては、Ｃｕ、Ａｕ、Ａｇ、及びＡｌからなる群から選ばれる1種の金属または当該金属を含む合金を用いることが好ましい。埋め込みの際には外部電極１３、１４を狙って配線基板を貫通するレーザー光を照射することがあり、これらの金属はレーザー光を効率よく反射するためである。
めっき層の１層あたりの厚みは１〜１０μｍであることが好ましい。
本実施形態では、第１及び第２の外部電極１３，１４の第１及び第２の部分１３ａ、１３ｂ、１４ａ、１４ｂの一部は、有効部１０Ａと厚み方向Ｔに対向している。
第１及び第２の外部電極１３，１４の第１及び第２の部分１３ａ、１３ｂ、１４ａ、１４ｂのそれぞれの一部は、第１及び第２の主面１０ａ、１０ｂのそれぞれに埋め込まれている。このため、第１及び第２の主面１０ａ、１０ｂのそれぞれのうち、第１及び第２の部分１３ａ、１３ｂ、１４ａ、１４ｂが上に位置している部分は、第１及び第２の部分１３ａ、１３ｂ、１４ａ、１４ｂが上に位置していない部分よりも厚み方向において中央寄りに位置している。
第１及び第２の外部電極１３，１４の第１及び第２の部分１３ａ、１３ｂ、１４ａ、１４ｂのそれぞれの厚みをｔ０（めっき層の厚みは含まない）とし、第１及び第２の外部電極１３，１４の第１及び第２の部分１３ａ、１３ｂ、１４ａ、１４ｂのそれぞれの第１及び第２の主面１０ａ、１０ｂのそれぞれに埋め込まれている部分の厚みをｔ１とすると、本実施形態では、ｔ１とｔ０とは、（1／１０）ｔ０≦ｔ１≦（２／５）ｔ０を満たしている。このため、セラミック電子部品の薄型化と高い信頼性との両立が図られている。
ｔ１が（1／１０）ｔ０未満であると、第１及び第２の外部電極１３，１４の第１及び第２の部分１３ａ、１３ｂ、１４ａ、１４ｂとセラミック素体１０との密着性が低くなりすぎ、第１及び第２の部分１３ａ、１３ｂ、１４ａ、１４ｂの剥離が生じやすくなり、信頼性が低くなる場合がある。また、ｔ１が（1／１０）ｔ０未満であると、第１及び第２の外部電極１３，１４の第１及び第２の部分１３ａ、１３ｂ、１４ａ、１４ｂの埋め込まれていない部分の厚みｔ２が大きくなりすぎ、セラミック電子部品の薄型化を十分に図れない場合がある。
一方、ｔ１が（２／５）・ｔ０よりも大きい場合は、セラミック電子部品の信頼性が低下してしまう場合がある。これは、第１及び第２の部分１３ａ、１３ｂ、１４ａ、１４ｂが第１及び第２の主面１０ａ、１０ｂに埋め込まれる際に第１及び第２の内部電極１１，１２に大きな応力が付与され、第１及び第２の内部電極１１，１２が損傷してしまい、所望の容量が得られなかったり、短絡が生じてしまったりする場合があるためであると考えられる。
なお、本実施形態において、ｔ０は、例えば、３μｍ〜２０μｍ程度とすることができる。
次に、本実施形態のセラミック電子部品１の製造方法の一例について説明する。
まず、セラミック素体１０を構成するためのセラミック材料を含むセラミックグリーンシート２０（図５を参照）を用意する。次に、図５に示すように、そのセラミックグリーンシート２０の上に、導電性ペーストを塗布することにより、導電パターン２１を形成する。なお、導電パターンの塗布は、例えば、スクリーン印刷法などの各種印刷法により行うことができる。導電性ペーストは、導電性微粒子の他に、公知のバインダーや溶剤を含んでいてもよい。
次に、導電パターン２１が形成されていないセラミックグリーンシート２０と、導電パターン２１が形成されているセラミックグリーンシート２０とを長さ方向Ｌに沿って適宜ずらしながら積層し、静水圧プレスなどの手段で積層方向にプレスすることにより、図６に示すマザー積層体２２を作製する。
次に、図６に示すように、マザー積層体２２の上に、第１及び第２の外部電極１３，１４の第１の導電層１５の第１及び第２の部分１３ａ、１３ｂを構成している部分に対応した形状の導電パターン２３を、スクリーン印刷法などの適宜の印刷法により形成する。
次に、マザー積層体２２を再び静水圧プレスなどの手段で積層方向にプレスする。このプレス工程によって、導電パターン２３の一部が埋め込まれる。導電パターン２３の埋め込み量は、例えば、プレス量、プレス圧や、プレス時にマザー積層体２２に接触する部材の硬度や弾性率を調整することによって行うことができる。
具体的には、例えば、対向する金型とマザー積層体２２の両主面との間に、ゴムなどの弾性体を介在させないでマザー積層体２２をプレスした場合には、導電パターン２３の埋め込み量が大きくなる。それに対して、図７に示すように、対向する金型とマザー積層体２２の両主面との間にゴムなどの弾性体２４ａ、２４ｂを接触させた状態でプレスを行った場合は、埋め込み量が相対的に小さくなる。そして、弾性体２４ａ、２４ｂの弾性率などを調整することによって埋め込み量を調整することができる。
次に、仮想のカットラインＣＬに沿ってマザー積層体２２をカッティングすることにより、マザー積層体２２から複数の生のセラミック積層体を作製する。なお、マザー積層体２２のカッティングは、ダイシングや押切により行うことができる。
生のセラミック積層体作成後、バレル研磨などにより、生のセラミック積層体の稜線部及び稜線部の面取りまたはＲ面取り及び表層の研磨を行うようにしてもよい。
その後、生のセラミック積層体の両端面に、例えば、ディップ法などにより、導電性ペーストを塗布する。これにより、セラミック積層体の両端面にも導電性ペースト層を形成する。
次に、生のセラミック積層体の焼成を行う。この焼成工程において、上記形成の導電性ペースト層が同時焼成される（コファイア）。なお、焼成温度は、使用するセラミック材料や導電性ペーストの種類により適宜設定することができる。焼成温度は、例えば、９００℃〜１３００℃程度とすることができる。
その後、必要に応じて、バレル研磨などの研磨を行う。
同時焼成された導電性ペースト層の上にめっきを施すことにより第１及び第２の外部電極１３，１４を完成させる。
以下、本発明を実施した好ましい形態の他の例について説明する。以下の説明において、上記第１の実施形態と実質的に同様の機能を有する部材を同じ符号で参照し、説明を省略する。
（第２の実施形態）
図８は、第２の実施形態に係るセラミック電子部品の略図的斜視図である。
上記第１の実施形態では、第１及び第２の主面１０ａ、１０ｂのそれぞれの上に第１及び第２の外部電極１３，１４が形成されている例について説明した。但し、本発明は、この構成に限定されない。本発明においては、少なくとも一つの外部電極が第１の主面１０ａの上に形成されていればよい。
例えば、図８に示すように、第１及び第２の外部電極１３，１４は、第１または第２の端面１０ｅ、１０ｆと、第１の主面１０ａとを覆うように形成されていてもよい。すなわち、第１及び第２の外部電極１３，１４は、第１の部分１３ａ、１４ａを有しており、かつ第１または第２の内部電極１１，１２に電気的に接続されている限りにおいて、その形状は特に限定されない。
（第３の実施形態）
図９は、第３の実施形態に係るセラミック電子部品の略図的斜視図である。
上記第１の実施形態では、第１及び第２の内部電極１１，１２を第１または第２の端面１０ｅ、１０ｆに引き出すと共に、第１及び第２の端面１０ｅ、１０ｆの上に、第１または第２の外部電極１３，１４を形成することにより、第１及び第２の内部電極１１，１２を第１または第２の外部電極１３，１４と電気的に接続する例について説明した。但し、本発明は、この構成に限定されない。
例えば、図９に示すように、ビアホール電極２５ａ、２５ｂを形成し、第１及び第２の内部電極１１，１２を第１及び第２の主面１０ａ、１０ｂに引き出し、第１及び第２の主面１０ａ、１０ｂにおいて、第１及び第２の外部電極１３，１４と電気的に接続させてもよい。この場合は、第１及び第２の外部電極１３，１４は、第１及び第２の主面１０ａ、１０ｂの少なくとも一方に形成されていればよく、第１及び第２の側面１０ｃ、１０ｄや第１及び第２の端面１０ｅ、１０ｆの上には、第１及び第２の外部電極１３，１４は、必ずしも形成されていなくてもよい。
（実施例１）
下記の条件で、上記第１の実施形態のセラミック電子部品１と同様の構成を有する、セラミックコンデンサとしてのセラミック電子部品を、上記第１の実施形態に記載の製造方法で、１００個作製した。本実施例では、ｔ１＝１．４μｍ、ｔ１＝１／１０ｔ０とした。
（実施例１の条件）
セラミック電子部品の寸法：長さ１ｍｍ、幅０．５ｍｍ、厚み０．１５ｍｍ
セラミック電子部品の容量：１００ｐＦ
セラミック素体の組成：ＢａＴｉＯ３
外部電極：厚み１４μｍのＮｉからなる膜（ｔ０＝１４μｍ）
第１のめっき膜：厚み４μｍのＣｕからなるめっき膜（外部電極上に形成）
第２のめっき膜：厚み３．５μｍのＣｕからなるめっき膜（第１のめっき膜上に形成） 焼成最高温度：１２００℃
弾性体２４ａ、２４ｂの厚み：０．１ｍｍ
プレス圧：７０ＭＰａ
（実施例２）
弾性体２４ａ、２４ｂの厚みを０．１ｍｍとし、プレス圧を７７．２ＭＰａとし、ｔ１＝３．５μｍ、ｔ１＝（１／４）ｔ０としたこと以外は、上記実施例１と同様にしてセラミック電子部品を１００個作製した。
（実施例３）
弾性体２４ａ、２４ｂの厚みを０．１ｍｍとし、プレス圧を１００ＭＰａとし、ｔ１＝５．６μｍ、ｔ１＝（２／５）・ｔ０としたこと以外は、上記実施例１と同様にしてセラミック電子部品を１００個作製した。
（比較例１）
弾性体２４ａ、２４ｂの厚みを０．２ｍｍとし、プレス圧を５０ＭＰａとし、図１０に示すように、外部電極を埋め込まず、ｔ１＝０としたこと以外は、上記実施例１と同様にしてセラミック電子部品を１００個作製した。
（比較例２）
弾性体２４ａ、２４ｂに替えて剛体を用い、プレス圧を７７．２ＭＰａとし、ｔ１＝７．０μｍ、ｔ１＝（１／２）ｔ０としたこと以外は、上記実施例１と同様にしてセラミック電子部品を１００個作製した。
なお、比較例の説明において、説明の便宜上、上記第１の実施形態と実質的に共通の機能を有する部材を共通の符号で参照している。
（接合強度試験）
上記実施例１〜４及び比較例１〜３のそれぞれにおいて作製した１００個のセラミック電子部品について、第１及び第２の外部電極の第１及び第２の部分のそれぞれを、光学顕微鏡を用いて観察し、剥離の有無を検査した。下記の表１に、剥離が観察されたサンプルの個数を示す。
（静電容量試験）
上記実施例１〜４及び非隔離１〜３のそれぞれにおいて作製した１００個のセラミック電子部品から任意に抽出した各３０個について、アジレント社製Ｃメーター４２７８Ａを用いて静電容量を測定し、静電容量が狙いの静電容量（１００ｐＦ）に達しているか否かを検査した。下記の表１に、静電容量が狙いの静電容量（１００ｐＦ）に達していなかったサンプルの個数を示す。
Figure 0005533387
上記表１に示す結果から、（1／１０）ｔ０≦ｔ１≦（２／５）ｔ０とすることにより、高い信頼性が得られることがわかる。
１…セラミック電子部品
１０…セラミック素体
１０Ａ…有効部
１０ａ…第１の主面
１０ｂ…第２の主面
１０ｃ…第１の側面
１０ｄ…第２の側面
１０ｅ…第１の端面
１０ｆ…第２の端面
１０ｇ…セラミック層
１１…第１の内部電極
１２…第２の内部電極
１３…第１の外部電極
１３ａ…第１の部分
１３ｂ…第２の部分
１３ｃ…第３の部分
１４…第２の外部電極
１４ａ…第１の部分
１４ｂ…第２の部分
１４ｃ…第３の部分
１５…第１の導電層
２０…セラミックグリーンシート
２１…導電パターン
２２…マザー積層体
２３…導電パターン
２４ａ、２４ｂ…弾性体
２５ａ、２５ｂ…ビアホール電極

Claims (2)

  1. 長さ方向及び幅方向に沿って延びており、互いに対向する第１及び第２の主面と、長さ方向及び厚み方向に沿って延びており、互いに対向する第１及び第２の側面と、幅方向及び厚み方向に沿って延びており、互いに対向する第１及び第２の端面とを有する直方体状のセラミック素体と、
    前記セラミック素体の内部において、少なくとも一部同士が厚み方向に対向するように形成されている第１及び第２の内部電極と、
    前記第１の主面上の長さ方向の一方側端部に形成された第１の部分を有し、前記第１の内部電極に電気的に接続されている第１の外部電極と、
    前記第１の主面上の長さ方向の他方側端部に形成された第１の部分を有し、前記第２の内部電極に電気的に接続されている第２の外部電極と、
    を備え、
    前記第１及び第２の外部電極上にはめっき層が形成されており、
    前記第１及び第２の内部電極が厚み方向に対向している部分により、所定の電気的特性を発現する有効部が構成され、
    前記第１及び第２の外部電極のそれぞれの前記第１の部分は、前記有効部と厚み方向に対向しており、
    前記第１及び第２の外部電極のそれぞれの前記第１の部分は、厚み方向に沿って前記セラミック素体内部に埋め込まれており、
    前記第１及び第２の外部電極のそれぞれの前記第１の部分の厚みをｔ０とし、前記第１及び第２の外部電極のそれぞれの前記第１の部分が前記セラミック素体内部に埋め込まれている部分の厚みをｔ１としたときに、（１／１０）ｔ０≦ｔ１≦（２／５）ｔ０である、セラミックコンデンサ。
  2. 前期第１及び第２の外部電極が無機結合材を含んでいることを特徴とする、請求項１に記載のセラミックコンデンサ。
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