JP2015111652A - 電子部品 - Google Patents
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Abstract
【課題】配線基板に埋め混まれた際に配線基板との密着性が低下しにくい電子部品を提供する。
【解決手段】電子部品の長さ方向に沿った寸法は、0.6mm〜1.0mmである。電子部品の幅方向に沿った寸法は、0.3mm〜0.5mmである。電子部品の厚み方向に沿った寸法は、0.07mm〜0.15mmである。幅方向における中央において外部電極13、14の主面の上に位置する部分の頂部と接しており、長さ方向に沿って延びる一方の仮想直線L1、L4、L6、L9と、幅方向における中央において外部電極の端面の上に位置する部分の頂部と接しており、厚み方向に沿って延びるの他方の仮想直線L2、L7と、幅方向における中央部において外部電極に接しており、前記一方と他方の仮想直線のそれぞれに対して45°傾斜している第3の仮想直線L3、L5、L8、L10とにより形成された三角形S1、S2、S3、S4の面積が450μm2以上である。
【選択図】図2
【解決手段】電子部品の長さ方向に沿った寸法は、0.6mm〜1.0mmである。電子部品の幅方向に沿った寸法は、0.3mm〜0.5mmである。電子部品の厚み方向に沿った寸法は、0.07mm〜0.15mmである。幅方向における中央において外部電極13、14の主面の上に位置する部分の頂部と接しており、長さ方向に沿って延びる一方の仮想直線L1、L4、L6、L9と、幅方向における中央において外部電極の端面の上に位置する部分の頂部と接しており、厚み方向に沿って延びるの他方の仮想直線L2、L7と、幅方向における中央部において外部電極に接しており、前記一方と他方の仮想直線のそれぞれに対して45°傾斜している第3の仮想直線L3、L5、L8、L10とにより形成された三角形S1、S2、S3、S4の面積が450μm2以上である。
【選択図】図2
Description
本発明は、電子部品に関する。
近年、コンデンサなどの電子部品の実装スペースを小さくするために、配線基板に電子部品を埋め混むことが提案されている(例えば、特許文献1を参照)。
配線基板に埋め混まれた電子部品と配線基板の密着性が低下する場合がある。
本発明の主な目的は、配線基板に埋め混まれた際に配線基板との密着性が低下しにくい電子部品を提供することにある。
本発明に係る電子部品は、電子部品本体と、第1の外部電極と、第2の外部電極とを備える。電子部品本体は、第1及び第2の主面と、第1及び第2の側面と、第1及び第2の端面とを有する。第1及び第2の主面は、長さ方向及び幅方向に沿って延びる。第1及び第2の側面は、長さ方向及び厚み方向に沿って延びる。第1及び第2の端面は、幅方向及び厚み方向に沿って延びる。第1の外部電極は、第1の端面の上から、第1の主面及び第2の主面の上にまで至る。第2の外部電極は、第2の端面の上から、第1の主面及び第2の主面の上にまで至る。電子部品の長さ方向に沿った寸法が、0.6mm〜1.0mmである。電子部品の幅方向に沿った寸法が、0.3mm〜0.5mmである。電子部品の厚み方向に沿った寸法が、0.07mm〜0.15mmである。第1の三角形の面積と、第2の三角形の面積と、第3の三角形の面積と、第4の三角形の面積とがそれぞれ450μm2以上である。第1の三角形は、電子部品を第1の側面または第2の側面から投影したときの第1の外部電極の第1の主面の上に位置する部分の頂部と接しており、長さ方向に沿って延びる第1の仮想直線と、第1の外部電極の第1の端面の上に位置する部分の頂部と接しており、厚み方向に沿って延びる第1の仮想直線と直交する第2の仮想直線と、第1の外部電極に接しており、第1及び第2の仮想直線のそれぞれに対して45°傾斜している第3の仮想直線とにより形成されている。第2の三角形は、電子部品を第1の側面または第2の側面から投影したときの第1の外部電極の第2の主面の上に位置する部分の頂部と接しており、長さ方向に沿って延びる第2の仮想直線と直交する第4の仮想直線と、第1の外部電極に接しており、第2及び第4の仮想直線のそれぞれに対して45°傾斜している第5の仮想直線とにより形成されている。第3の三角形は、電子部品を第1の側面または第2の側面から投影したときの第2の外部電極の第1の主面の上に位置する部分の頂部と接しており、長さ方向に沿って延びる第6の仮想直線と、第2の外部電極の第2の端面の上に位置する部分の頂部と接しており、厚み方向に沿って延びる第6の仮想直線と直交する第7の仮想直線と、第2の外部電極に接しており、第6及び第7の仮想直線のそれぞれに対して45°傾斜している第8の仮想直線とにより形成されている。第4の三角形は、電子部品を第1の側面または第2の側面から投影したときの第2の外部電極の第2の主面の上に位置する部分の頂部と接しており、長さ方向に沿って延びる第7の仮想直線と直交する第9の仮想直線と、第2の外部電極に接しており、第7及び第9の仮想直線のそれぞれに対して45°傾斜している第10の仮想直線とにより形成されている。
本発明に係る電子部品では、第1の三角形と第2の三角形と第3の三角形と第4の三角形の面積が、それぞれ、1200μm2以下であることが好ましい。
本発明に係る電子部品では、外部電極が、表層を構成しているCuめっき膜を有していてもよい。
本発明によれば、配線基板に埋め混まれた際に配線基板との密着性が低下しにくい電子部品を提供することができる。
以下、本発明を実施した好ましい形態の一例について説明する。但し、下記の実施形態は、単なる例示である。本発明は、下記の実施形態に何ら限定されない。
また、実施形態等において参照する各図面において、実質的に同一の機能を有する部材は同一の符号で参照することとする。また、実施形態等において参照する図面は、模式的に記載されたものである。図面に描画された物体の寸法の比率などは、現実の物体の寸法の比率などとは異なる場合がある。図面相互間においても、物体の寸法比率等が異なる場合がある。具体的な物体の寸法比率等は、以下の説明を参酌して判断されるべきである。
図1は、本実施形態に係る積層セラミック電子部品の模式的斜視図である。図2は、図1の線II−IIにおける模式的断面図である。
本実施形態では、電子部品の一例として、図1及び図2に示される積層セラミック電子部品1を例に挙げて説明する。積層セラミック電子部品1は、セラミックコンデンサであってもよいし、圧電部品、サーミスタまたはインダクタ等であってもよい。
積層セラミック電子部品1の長さ方向Lに沿った寸法は、0.6mm〜1.0mmである。積層セラミック電子部品1の幅方向Wに沿った寸法は、0.3mm〜0.5mmである。積層セラミック電子部品1の厚み方向Tに沿った寸法は、0.07mm〜0.15mmである。積層セラミック電子部品1の幅方向Wに沿った寸法に対する、積層セラミック電子部品1の長さ方向Lに沿った寸法の比((積層セラミック電子部品1の長さ方向Lに沿った寸法)/(積層セラミック電子部品1の幅方向Wに沿った寸法))は、1.20〜3.33であることが好ましい。積層セラミック電子部品1の長さ方向Lに沿った寸法に対する、積層セラミック電子部品1の厚み方向Tに沿った寸法の比((積層セラミック電子部品1の厚み方向Tに沿った寸法)/(積層セラミック電子部品1の長さ方向Lに沿った寸法))は、4.00〜14.29であることが好ましい。
(電子部品本体10)
積層セラミック電子部品1は、直方体状の電子部品本体10を備える。電子部品本体10は、第1及び第2の主面10a、10bと、第1及び第2の側面10c、10dと、第1及び第2の端面10e、10f(図2を参照。)とを有する。第1及び第2の主面10a、10bは、それぞれ、長さ方向L及び幅方向Wに沿って延びている。第1及び第2の側面10c、10dは、それぞれ、長さ方向L及び厚み方向Tに沿って延びている。第1及び第2の端面10e、10fは、それぞれ、幅方向W及び厚み方向Tに沿って延びている。長さ方向L、幅方向W及び厚み方向Tは、それぞれ直交している。
積層セラミック電子部品1は、直方体状の電子部品本体10を備える。電子部品本体10は、第1及び第2の主面10a、10bと、第1及び第2の側面10c、10dと、第1及び第2の端面10e、10f(図2を参照。)とを有する。第1及び第2の主面10a、10bは、それぞれ、長さ方向L及び幅方向Wに沿って延びている。第1及び第2の側面10c、10dは、それぞれ、長さ方向L及び厚み方向Tに沿って延びている。第1及び第2の端面10e、10fは、それぞれ、幅方向W及び厚み方向Tに沿って延びている。長さ方向L、幅方向W及び厚み方向Tは、それぞれ直交している。
なお、本発明において、「直方体状」には、角部や稜線部が丸められた直方体が含まれるものとする。すなわち、「直方体状」の部材とは、第1及び第2の主面、第1及び第2の側面並びに第1及び第2の端面とを有する部材全般を意味する。また、主面、側面、端面の一部または全部に凹凸などが形成されていてもよい。
電子部品本体10は、積層セラミック電子部品1の機能に応じた適宜のセラミックスからなる。具体的には、積層セラミック電子部品1がコンデンサである場合は、電子部品本体10を誘電体セラミックスにより形成することができる。誘電体セラミックスの具体例としては、例えば、BaTiO3、CaTiO3、SrTiO3、CaZrO3などが挙げられる。電子部品本体10には、積層セラミック電子部品1に要求される特性に応じて、例えばMn化合物、Mg化合物、Si化合物、Fe化合物、Cr化合物、Co化合物、Ni化合物、希土類化合物などの副成分が適宜添加されていてもよい。
積層セラミック電子部品1が圧電部品である場合は、電子部品本体を圧電セラミックスにより形成することができる。圧電セラミックスの具体例としては、例えばPZT(チタン酸ジルコン酸鉛)系セラミックスなどが挙げられる。
積層セラミック電子部品1が例えばサーミスタである場合は、電子部品本体を半導体セラミックスにより形成することができる。半導体セラミックスの具体例としては、例えばスピネル系セラミックなどが挙げられる。
積層セラミック電子部品1が例えばインダクタである場合は、電子部品本体を磁性体セラミックスにより形成することができる。磁性体セラミックスの具体例としては、例えばフェライトセラミックなどが挙げられる。
(内部電極)
図2に示されるように、電子部品本体10の内部には、複数の第1の内部電極11と複数の第2の内部電極12とが設けられる。
図2に示されるように、電子部品本体10の内部には、複数の第1の内部電極11と複数の第2の内部電極12とが設けられる。
第1及び第2の内部電極11、12は、厚み方向Tに沿って交互に設けられている。厚み方向Tにおいて隣り合う第1の内部電極11と第2の内部電極12とは、セラミック部10gを介して対向している。セラミック部10gの厚みは、0.6μm〜1.8μm程度とすることができ、0.8μm〜1.2μmであることが好ましい。
第1の内部電極11は矩形状である。第1の内部電極11は、第1及び第2の主面10a、10bと平行に設けられている。すなわち、第1の内部電極11は、長さ方向L及び幅方向Wに沿って設けられている。第1の内部電極11は、第1の端面10eに露出しており、第1及び第2の主面10a、10b、第1及び第2の側面10c、10d並びに第2の端面10fには露出していない。
第2の内部電極12は矩形状である。第2の内部電極12は、第1及び第2の主面10a、10bと平行に設けられている。すなわち、第2の内部電極12は、長さ方向L及び幅方向Wに沿って設けられている。よって、第2の内部電極12と第1の内部電極11とは互いに平行である。第2の内部電極12は、第2の端面10fに露出しており、第1及び第2の主面10a、10b、第1及び第2の側面10c、10d並びに第1の端面10eには露出していない。
第1及び第2の内部電極11、12は、適宜の導電材料により構成することができる。第1及び第2の内部電極11、12は、例えばNi,Cu,Ag,Pd及びAuからなる群から選ばれた金属、またはNi,Cu,Ag,Pd及びAuからなる群から選ばれた一種以上の金属を含む合金(例えば、Ag−Pd合金など)により構成することができる。
第1及び第2の内部電極11、12の厚みは、例えば0.3μm〜1.0μm程度であることが好ましい。
(外部電極)
図1及び図2に示されるように、積層セラミック電子部品1は、第1及び第2の外部電極13、14を備えている。
図1及び図2に示されるように、積層セラミック電子部品1は、第1及び第2の外部電極13、14を備えている。
第1の外部電極13は、第1の端面10eにおいて第1の内部電極11に電気的に接続されている。第1の外部電極13は、第1の端面10eから、第1及び第2の主面10a、10b並びに第1及び第2の側面10c、10dに至るように設けられている。
一方、第2の外部電極14は、第2の端面10fにおいて第2の内部電極12に電気的に接続されている。第2の外部電極14は、第2の端面10fから、第1及び第2の主面10a、10b並びに第1及び第2の側面10c、10dに至るように形成されている。
第1及び第2の外部電極13,14は、それぞれ、Ni、Cu,Ag,Pd,Au,Ag−Pd合金などの適宜の金属により構成することができる。第1及び第2の外部電極13,14は、例えば、導電性ペーストを焼き付けた焼成電極であってもよいし、焼成電極と、焼成電極の上に形成しためっき膜との積層体により構成されていてもよい。その場合、第1及び第2の外部電極13,14の最外層は、Cuめっき膜により構成されていることが好ましい。
上述のように、配線基板に埋め混まれた電子部品と配線基板の密着性が低下する場合がある。例えば、電子部品が埋め混まれた配線基板の温度が変化すると、電子部品の熱膨張係数と配線基板の熱膨張係数とが異なるため、電子部品と配線基板との間に応力が加わる。この応力が配線基板と電子部品との間の密着性を低下させているものと考えられる。近年、配線基板の熱膨張係数をシリコンの熱膨張係数に近似させるため、樹脂配線基板における無機フィラーの含有率が高められている。このため、樹脂配線基板における樹脂の含有率が低く、樹脂配線基板と電子部品との密着性が十分に確保できず、剥離しやすいという問題が顕在化してきている。
積層セラミック電子部品1では、幅方向Wにおける中央において外部電極13の第1の主面10aの上に位置する部分の頂部と接しており、長さ方向Lに沿って延びる第1の仮想直線L1と、幅方向Wにおける中央において外部電極13の第1の端面10eの上に位置する部分の頂部と接しており、厚み方向に沿って延びる第2の仮想直線L2と、幅方向Wにおける中央部において外部電極13に接しており、第1及び第2の仮想直線L1,L2のそれぞれに対して45°傾斜している第3の仮想直線L3とにより形成された三角形の面積S1が450μm2以上である。このため、第1の外部電極13の第1の主面10aと第1の端面10eとにより構成される稜線部の上に位置する部分の表面の等価曲率半径が大きい。このため、積層セラミック電子部品1が埋め混まれた配線基板と積層セラミック電子部品1との間に応力が加わった場合に、その応力が特定の箇所に集中しにくい。従って、積層セラミック電子部品1と配線基板との密着性が低下しにくい。
但し、面積S1が大きすぎると、第1の外部電極13の第1の端面10eと第1の主面10aとにより形成された稜線部上に位置する部分の厚みが薄くなりすぎる場合がある。従って、面積S1は、1200μm2以下であることが好ましい。
なお、面積S1は、積層セラミック電子部品1を第1の側面10cまたは第2の側面10dから投影し、第1の仮想直線L1及び第2の仮想直線L2の交点から第1の仮想直線L1及び第3の仮想直線L3の交点までの距離と、第1の仮想直線L1及び第2の仮想直線L2の交点から第2の仮想直線L2及び第3の仮想直線L3の交点までの距離との積を2で割ることによって求めることができる。
同様の理由から、第2の仮想直線L2と、幅方向Wの中央において第1の外部電極13の第2の主面10bの上に位置する部分の頂部と接しており、長さ方向Lに沿って延びる第4の仮想直線L4と、幅方向Wの中央において第1の外部電極13と接しており、第2及び第4の仮想直線L2,L4のそれぞれに対して45°傾斜した第5の仮想直線L5とにより形成された三角形の面積S2は、450μm2以上であることが好ましく、1200μm2以下であることが好ましい。
なお、面積S2は、積層セラミック電子部品1を第1の側面10cまたは第2の側面10dから投影し、第4の仮想直線L4及び第2の仮想直線L2の交点から第4の仮想直線L4及び第5の仮想直線L5の交点までの距離と、第4の仮想直線L4及び第2の仮想直線L2の交点から第2の仮想直線L2及び第5の仮想直線L5の交点までの距離との積を2で割ることによって求めることができる。
幅方向Wの中央において第2の外部電極14の第1の主面10aの上に位置する部分の頂部と接しており、長さ方向Lに沿って延びる第6の仮想直線L6と、幅方向Wの中央において第2の外部電極14の第2の端面10fの上に位置する部分の頂部と接しており、厚み方向Tに沿って延びる第7の仮想直線L7と、幅方向Wの中央において第2の外部電極14と接しており、第6及び第7の仮想直線L6,L7のそれぞれに対して45°傾斜した第8の仮想直線L8とにより形成された三角形の面積S3は、450μm2以上であることが好ましく、1200μm2以下であることが好ましい。
なお、面積S3は、積層セラミック電子部品1を第1の側面10cまたは第2の側面10dから投影し、第4の仮想直線L4及び第7の仮想直線L7の交点から第4の仮想直線L4及び第8の仮想直線L8の交点までの距離と、第4の仮想直線L4及び第7の仮想直線L7の交点から第7の仮想直線L7及び第8の仮想直線L8の交点までの距離との積を2で割ることによって求めることができる。
第7の仮想直線L7と、幅方向Wの中央において第2の外部電極14の第2の主面10bの上に位置する部分の頂部と接しており、長さ方向Lに沿って延びる第9の仮想直線L10と、幅方向Wの中央において第2の外部電極14と接しており、第7及び第10の仮想直線L7,L10のそれぞれに対して45°傾斜した第8の仮想直線L8とにより形成された三角形の面積S4は、450μm2以上であることが好ましく、1200μm2以下であることが好ましい。
なお、面積S4は、積層セラミック電子部品1を第1の側面10cまたは第2の側面10dから投影し、第9の仮想直線L9及び第7の仮想直線L7の交点から第9の仮想直線L9及び第10の仮想直線L10の交点までの距離と、第9の仮想直線L9及び第7の仮想直線L7の交点から第7の仮想直線L7及び第10の仮想直線L10の交点までの距離との積を2で割ることによって求めることができる。
図3は、以下の設計パラメータを有するセラミック電子部品を、以下のパラメータを有する配線基板に埋め混んだサンプルを−55℃から125℃にまで加熱したときにセラミック電子部品と配線基板との間に付与された応力の最大値を表すグラフである。
図3に示される結果から、面積S1〜S4を450μm2以上とすることによりセラミック電子部品と配線基板との間に付与された応力の最大値を小さくできることが分かる。なお、面積S1〜S4が400μm2以下である場合は、積層セラミック電子部品にクラックが発生した。
(セラミック電子部品の設計パラメータ)
長さ方向に沿った寸法:1.00mm
幅方向に沿った寸法:0.50mm
厚み方向に沿った寸法:0.15mm
セラミック素体の端面と、外部電極の第1の主面上に位置する部分の先端との間の距離:0.30mm
ヤング率:180GPa
熱膨張率(CTE):8.00ppm/℃
長さ方向に沿った寸法:1.00mm
幅方向に沿った寸法:0.50mm
厚み方向に沿った寸法:0.15mm
セラミック素体の端面と、外部電極の第1の主面上に位置する部分の先端との間の距離:0.30mm
ヤング率:180GPa
熱膨張率(CTE):8.00ppm/℃
(配線基板の設計パラメータ)
構造:Cu配線/プリプレグ/コア基板/プリプレグ/Cu配線
配線の材質:Cu
配線の厚み:30μm
配線の熱膨張率(CTE):16ppm/℃
配線の弾性率:110GPa
コア基板の厚み:150μm
コア基板の熱膨張率(CTE):3ppm/℃
コア基板の弾性率:30GPa
コア基板のガラス転移点(Tg):200℃
プリプレグの厚み:45μm
プリプレグのの熱膨張率(CTE):3ppm/℃
プリプレグの弾性率:30GPa
構造:Cu配線/プリプレグ/コア基板/プリプレグ/Cu配線
配線の材質:Cu
配線の厚み:30μm
配線の熱膨張率(CTE):16ppm/℃
配線の弾性率:110GPa
コア基板の厚み:150μm
コア基板の熱膨張率(CTE):3ppm/℃
コア基板の弾性率:30GPa
コア基板のガラス転移点(Tg):200℃
プリプレグの厚み:45μm
プリプレグのの熱膨張率(CTE):3ppm/℃
プリプレグの弾性率:30GPa
(積層セラミック電子部品1の製造方法)
積層セラミック電子部品1の製造方法は特に限定されない。積層セラミック電子部品1は、例えば以下の要領で製造することができる。
積層セラミック電子部品1の製造方法は特に限定されない。積層セラミック電子部品1は、例えば以下の要領で製造することができる。
まず、第1及び第2の内部電極11、12を有する電子部品本体10を準備する。具体的には、セラミック粉末を含むセラミックペーストを、例えばスクリーン印刷法などによりシート状に塗布し乾燥させることにより、セラミックグリーンシートを作製する。
次に、上記セラミックグリーンシートの上に、内部電極形成用の導電ペーストを、例えばスクリーン印刷法などにより所定のパターンに塗布し、内部電極形成用導電パターンが形成されたセラミックグリーンシートと、内部電極形成用導電パターンが形成されていないセラミックグリーンシートとを用意する。なお、セラミックペーストや内部電極形成用の導電ペーストには、例えば公知のバインダーや溶媒が含まれていてもよい。
続いて、内部電極形成用導電パターンが形成されていないセラミックグリーンシートを所定枚数積層し、その上に、内部電極形成用導電パターンが形成されたセラミックグリーンシートを順次積層し、さらに、内部電極形成用導電パターンが形成されていないセラミックグリーンシートを所定枚数積層することにより、マザー積層体を作製する。なお必要に応じて、静水圧プレスなどの手段により、マザー積層体を積層方向にプレスしてもよい。
マザー積層体を所定の形状寸法にカットし、生の電子部品本体を複数作製する。このとき、生の電子部品本体に対してバレル研磨等を施し、稜線部や角部を丸めてもよい。
次いで、生の電子部品本体を焼成する。これにより、電子部品本体10が完成する。なお、生の電子部品本体の焼成温度は、用いたセラミックスや導電材料に応じて適宜設定することができる。生の電子部品本体の焼成温度は、例えば900℃〜1300℃程度とすることができる。
次に、焼成後の電子部品本体10の両端面に導電性ペーストを塗布して焼き付けを行うことにより、第1及び第2の焼成電極層を形成する。なお、焼き付け温度は、例えば700℃〜1000℃であることが好ましい。
次に、めっき法により、焼成電極層の上に、Cuめっき膜を形成することにより、第1及び第2の外部電極13,14を完成させることができる。以上の要領で積層セラミック電子部品1を製造することができる。
導電性ペーストの塗布は、例えば、電子部品本体10を導電性ペースト槽に浸漬させることにより行うことができる。浸漬させた電子部品本体10を導電性ペースト槽から引き上げる速度を調節することにより、面積S1〜S4を調節することができる。
具体的には、浸漬させた電子部品本体10を導電性ペースト槽から引き上げる速度を速くすると、電子部品本体10に保持されるペースト量が多くなる。従って、外部電極13,14の稜線部の曲率半径が大きくなり、面積S1〜S4が大きくなる。浸漬させた電子部品本体10を導電性ペースト槽から引き上げる速度を遅くすると、電子部品本体10に保持されるペースト量が少なくなる。従って、外部電極13,14の稜線部の曲率半径が小さくなり、面積S1〜S4が小さくなる。
また、導電性ペーストの粘度を高めることにより面積S1〜S4を大きくすることができる。逆に、導電性ペーストの粘度を低めることにより面積S1〜S4を小さくすることができる。
例えば、長さ寸法が1.0mmであり、幅寸法が0.5mmであり、厚み寸法が0.11mmである電子部品本体に対して以下の要領で導電性ペーストを塗布することによりS1〜S4が450μm2である積層セラミック電子部品を作製することができた。
まず、厚みが300μmの導電性ペースト槽(粘度:5Pa・s〜10Pa・s)に、電子部品本体を、120mm/分で導電性ペースト槽の底面まで突入させ、0.1秒保持した。その後、30mm/分で、導電性ペースト槽から、導電性ペースト槽の350μm上方まで電子部品本体を引き上げ、5秒保持した。その後、6mm/分で、導電性ペースト槽の1500μm上方まで電子部品本体を引き上げた。その後、厚みが15μmの別の導電性ペースト槽(粘度:5Pa・s〜10Pa・s)に、30mm/分で導電性ペースト槽の底面まで突入させ、0.1秒保持した。その後、6mm/分で、導電性ペースト槽から、導電性ペースト槽の50μm上方まで電子部品本体を引き上げ、5秒保持した。その後、6mm/分で、導電性ペースト槽の1000μm上方まで電子部品本体を引き上げることにより導電性ペースト層を形成した。その導電性ペースト層を、60℃〜180℃のなかで10分間温風乾燥させた後に、600℃〜950℃で焼き付け処理し、その後厚み5〜10μmのCuめっき膜を形成することにより、外部電極を作製した。得られた外部電極におけるS1〜S4を測定したところ、450μm2であった。
例えば、長さ寸法が1.0mmであり、幅寸法が0.5mmであり、厚み寸法が0.15mmである電子部品本体に対して以下の要領で導電性ペーストを塗布することによりS1〜S4が1200μm2である積層セラミック電子部品を作製することができた。
まず、厚みが300μmの導電性ペースト槽(粘度:5Pa・s〜10Pa・s)に、電子部品本体を、90mm/分で導電性ペースト槽の底面まで突入させ、0.1秒保持した。その後、30mm/分で、導電性ペースト槽から、導電性ペースト槽の350μm上方まで電子部品本体を引き上げ、8秒保持した。その後、6mm/分で、導電性ペースト槽の1500μm上方まで電子部品本体を引き上げた。その後、厚みが50μmの別の導電性ペースト槽(粘度:5Pa・s〜10Pa・s)に、30mm/分で導電性ペースト槽の底面まで突入させ、0.1秒保持した。その後、6mm/分で、導電性ペースト槽から、導電性ペースト槽の150μm上方まで電子部品本体を引き上げ、0.1秒保持した。その後、420mm/分で、導電性ペースト槽の4000μm上方まで電子部品本体を引き上げることにより導電性ペースト層を形成した。その導電性ペースト槽を、60℃〜180℃のなかで10分間温風乾燥させた後に、600〜950℃で焼き付け処理し、その後厚み5μm〜10μmのCuめっき膜を形成することにより、外部電極を作製した。得られた外部電極におけるS1〜S4を測定したところ、1200μm2であった。
1:積層セラミック電子部品
L1:第1の仮想直線
L2:第2の仮想直線
L3:第3の仮想直線
L4:第4の仮想直線
L5:第5の仮想直線
L6:第6の仮想直線
L7:第7の仮想直線
L8:第8の仮想直線
L10:第9の仮想直線
10:電子部品本体
10a:第1の主面
10b:第2の主面
10c:第1の側面
10d:第2の側面
10e:第1の端面
10f:第2の端面
10g:セラミック部
11:第1の内部電極
12:第2の内部電極
13:第1の外部電極
14:第2の外部電極
L1:第1の仮想直線
L2:第2の仮想直線
L3:第3の仮想直線
L4:第4の仮想直線
L5:第5の仮想直線
L6:第6の仮想直線
L7:第7の仮想直線
L8:第8の仮想直線
L10:第9の仮想直線
10:電子部品本体
10a:第1の主面
10b:第2の主面
10c:第1の側面
10d:第2の側面
10e:第1の端面
10f:第2の端面
10g:セラミック部
11:第1の内部電極
12:第2の内部電極
13:第1の外部電極
14:第2の外部電極
Claims (3)
- 長さ方向及び幅方向に沿って延びる第1及び第2の主面と、長さ方向及び厚み方向に沿って延びる第1及び第2の側面と、幅方向及び厚み方向に沿って延びる第1及び第2の端面とを有する電子部品本体と、
前記第1の端面の上から、前記第1の主面及び第2の主面の上にまで至る第1の外部電極と、
前記第2の端面の上から、前記第1の主面及び第2の主面の上にまで至る第2の外部電極と、
を備える電子部品であって、
前記電子部品の長さ方向に沿った寸法が、0.6mm〜1.0mmであり、
前記電子部品の幅方向に沿った寸法が、0.3mm〜0.5mmであり、
前記電子部品の厚み方向に沿った寸法が、0.07mm〜0.15mmであり、
前記電子部品を前記第1の側面または前記第2の側面から投影したときの前記第1の外部電極の前記第1の主面の上に位置する部分の頂部と接しており、長さ方向に沿って延びる第1の仮想直線と、前記第1の外部電極の前記第1の端面の上に位置する部分の頂部と接しており、厚み方向に沿って延びる第1の仮想直線と直交する第2の仮想直線と、前記第1の外部電極に接しており、前記第1及び第2の仮想直線のそれぞれに対して45°傾斜している第3の仮想直線とにより形成された第1の三角形の面積と、
前記電子部品を前記第1の側面または第2の側面から投影したときの前記第1の外部電極の前記第2の主面の上に位置する部分の頂部と接しており、長さ方向に沿って延びる前記第2の仮想直線と直交する第4の仮想直線と、前記第1の外部電極に接しており、前記第2及び第4の仮想直線のそれぞれに対して45°傾斜している第5の仮想直線とにより形成された第2の三角形の面積と、
前記電子部品を前記第1の側面または第2の側面から投影したときの前記第2の外部電極の前記第1の主面の上に位置する部分の頂部と接しており、長さ方向に沿って延びる第6の仮想直線と、前記第2の外部電極の前記第2の端面の上に位置する部分の頂部と接しており、厚み方向に沿って延びる第6の仮想直線と直交する第7の仮想直線と、前記第2の外部電極に接しており、前記第6及び第7の仮想直線のそれぞれに対して45°傾斜している第8の仮想直線とにより形成された第3の三角形の面積と、
前記電子部品を前記第1の側面または第2の側面から投影したときの前記第2の外部電極の前記第2の主面の上に位置する部分の頂部と接しており、長さ方向に沿って延びる前記第7の仮想直線と直交する第9の仮想直線と、前記第2の外部電極に接しており、前記第7及び第9の仮想直線のそれぞれに対して45°傾斜している第10の仮想直線とにより形成された第4の三角形の面積と、
がそれぞれ450μm2以上である、電子部品。 - 前記第1の三角形と前記第2の三角形と前記第3の三角形と前記第4の三角形の面積が、それぞれ、1200μm2以下である、請求項1に記載の電子部品。
- 前記外部電極は、表層を構成しているCuめっき膜を有する、請求項1又は2に記載の電子部品。
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-
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- 2014-08-05 JP JP2014159121A patent/JP2015111652A/ja active Pending
- 2014-10-20 US US14/517,957 patent/US9530565B2/en active Active
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JP2017022232A (ja) * | 2015-07-09 | 2017-01-26 | 株式会社村田製作所 | 電子部品およびその製造方法 |
US10068709B2 (en) | 2015-07-09 | 2018-09-04 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Electronic component and method for manufacturing the same |
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