TWI501272B - 陶瓷電子零件 - Google Patents

陶瓷電子零件 Download PDF

Info

Publication number
TWI501272B
TWI501272B TW100122590A TW100122590A TWI501272B TW I501272 B TWI501272 B TW I501272B TW 100122590 A TW100122590 A TW 100122590A TW 100122590 A TW100122590 A TW 100122590A TW I501272 B TWI501272 B TW I501272B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
reinforcing layer
ceramic
layer
electronic component
electrode
Prior art date
Application number
TW100122590A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201222591A (en
Inventor
Akihiro Yoshida
Original Assignee
Murata Manufacturing Co
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Murata Manufacturing Co filed Critical Murata Manufacturing Co
Publication of TW201222591A publication Critical patent/TW201222591A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI501272B publication Critical patent/TWI501272B/zh

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01GCAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES OR LIGHT-SENSITIVE DEVICES, OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G4/00Fixed capacitors; Processes of their manufacture
    • H01G4/002Details
    • H01G4/018Dielectrics
    • H01G4/06Solid dielectrics
    • H01G4/08Inorganic dielectrics
    • H01G4/12Ceramic dielectrics
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01CRESISTORS
    • H01C1/00Details
    • H01C1/14Terminals or tapping points or electrodes specially adapted for resistors; Arrangements of terminals or tapping points or electrodes on resistors
    • H01C1/1406Terminals or electrodes formed on resistive elements having positive temperature coefficient
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01CRESISTORS
    • H01C1/00Details
    • H01C1/14Terminals or tapping points or electrodes specially adapted for resistors; Arrangements of terminals or tapping points or electrodes on resistors
    • H01C1/1413Terminals or electrodes formed on resistive elements having negative temperature coefficient
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01CRESISTORS
    • H01C7/00Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material
    • H01C7/18Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material comprising a plurality of layers stacked between terminals
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01FMAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
    • H01F17/00Fixed inductances of the signal type 
    • H01F17/0006Printed inductances
    • H01F17/0013Printed inductances with stacked layers
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01FMAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
    • H01F27/00Details of transformers or inductances, in general
    • H01F27/28Coils; Windings; Conductive connections
    • H01F27/29Terminals; Tapping arrangements for signal inductances
    • H01F27/292Surface mounted devices
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01GCAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES OR LIGHT-SENSITIVE DEVICES, OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G4/00Fixed capacitors; Processes of their manufacture
    • H01G4/002Details
    • H01G4/005Electrodes
    • H01G4/012Form of non-self-supporting electrodes
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01GCAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES OR LIGHT-SENSITIVE DEVICES, OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G4/00Fixed capacitors; Processes of their manufacture
    • H01G4/002Details
    • H01G4/228Terminals
    • H01G4/232Terminals electrically connecting two or more layers of a stacked or rolled capacitor
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01GCAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES OR LIGHT-SENSITIVE DEVICES, OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G4/00Fixed capacitors; Processes of their manufacture
    • H01G4/30Stacked capacitors
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10NELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N30/00Piezoelectric or electrostrictive devices
    • H10N30/80Constructional details
    • H10N30/87Electrodes or interconnections, e.g. leads or terminals
    • H10N30/872Connection electrodes of multilayer piezoelectric or electrostrictive devices, e.g. external electrodes

Description

陶瓷電子零件
本發明係有關一種陶瓷電子零件。
近年來,隨著行動電話機和可攜式音樂播放器等的電子機器的小型化和薄型化,搭載於電子機器中的配線基板的小型化也在不斷進展。伴隨於此,構裝於配線基板的陶瓷電子零件的小型化和薄型化也在不斷進展。
習知之具有角柱形狀的陶瓷基體的陶瓷電子零件具有比較高的機械強度,但在薄型化後的具有扁平形狀的陶瓷基體的陶瓷電子零件中,機械強度較低。另外,陶瓷基體的厚度越薄,陶瓷電子零件的機械強度有越低的傾向。因此,在具有扁平形狀的陶瓷基體的陶瓷電子零件中,如何提高機械強度係重要的課題。
作為提高陶瓷電子零件的機械強度的方法,例如如下述的專利文獻所記載般,舉出在陶瓷基體的內部形成補強用的導體層(緩衝層)的方法。
[專利文獻1]日本特開平11-26295號公報
但是,即使係在陶瓷基體的內部設置補強用的導體層的情況下,有時會不能充分抑制在陶瓷電子零件中產生裂縫,不能充分改善陶瓷電子零件的機械耐久性。
本發明鑒於該點而提出,其目的在於提供一種機械耐久性優異的陶瓷電子零件。
本發明的陶瓷電子零件具備長方體狀的陶瓷基體、第1及第2內部電極、第1外部電極、和第2外部電極。陶瓷基體具有第1及第2主面、第1及第2側面、和第1及第2端面。第1及第2主面沿著長度方向及寬度方向延伸。第1及第2側面沿著長度方向及厚度方向延伸。第1及第2端面沿著寬度方向及厚度方向延伸。第1及第2內部電極形成於陶瓷基體的內部。第1及第2內部電極沿著長度方向及寬度方向延伸。第1及第2內部電極在厚度方向彼此對向。第1外部電極形成於陶瓷基體上。第1外部電極電連接於第1內部電極。第2外部電極形成於陶瓷基體上。第2外部電極電連接於第2內部電極。第1及第2外部電極分別具有位於第1主面的長度方向的端部上的第1部分、和位於第1或第2端面上的第2部分。陶瓷基體包括第1及第2內部電極在厚度方向對向的有效部;比有效部更靠近第1主面側的第1外層部;和比有效部更靠近所述第2主面側的第2外層部。本發明的陶瓷電子零件還具備第1補強層。第1補強層在第1外層部沿著長度方向及寬度方向而形成。第1補強層的一部分在厚度方向和第1及第2外部電極的第1部分對向。第1補強層不從第1及第2端面的任一者露出。在第1主面的設有第1或第2外部電極的第1部分的部分中,不和補強層對向的部分比和第1補強層對向的部分,更靠近厚度方向的中央位置。
在具有本發明的陶瓷電子零件的特定的態樣下,在第1及第2外部電極各自的第1部分中,不和第1補強層對向的部分的厚度比和第1補強層對向的部分的厚度厚。
在具有本發明的陶瓷電子零件的另一特定的態樣下,第1及第2外部電極分別具有:形成於第1或第2端面、以及第1主面的長度方向的端部上的第1導電層;及覆蓋第1導電層而形成的第2導電層,在第1及第2外部電極各自的第1導電層中的構成第1部分的部分中,不和第1補強層對向的部分的厚度比和第1補強層對向的部分的厚度要厚。
在具有本發明的陶瓷電子零件的另一特定的態樣下,第1補強層藉由金屬或合金而形成。即,在本發明中,補強層也可以藉由導電層來構成。
在具有本發明的陶瓷電子零件的另一特定的態樣下,第1及第2外部電極還分別具有位於第2主面的長度方向的端部上的第3部分。陶瓷電子零件在第2外層部還具有第2補強層,該第2補強層沿著長度方向及寬度方向形成,在厚度方向,該第2補強層的一部分和第1及第2外部電極的第3部分對向。第2補強層不從第1及第2端面的任一者露出。在第2主面的設有第1或第2外部電極的第3部分的部分中,不和第2補強層對向的部分比和第2補強層對向的部分,更靠近厚度方向的中央的位置。
[發明效果]
根據本發明,能改善陶瓷電子零件的機械耐久性。
(第1實施形態)
下面舉出圖1所示的陶瓷電子零件1為例來說明本發明的較佳的實施形態。其中,陶瓷電子零件1僅為例示。本發明並不限定於下面所示的陶瓷電子零件1及其製造方法。
圖1係表示第1實施形態的陶瓷電子零件的概略立體圖。圖2係第1實施形態的陶瓷電子零件的概略側視圖。圖3係圖1的線III-III的概略剖面圖。圖4係放大了第1實施形態的陶瓷電子零件的一部分的概略剖面圖。圖5係圖3的線V-V的概略剖面圖。圖6係圖3的線VI-VI的概略剖面圖。圖7係圖3的線VII-VII的概略剖面圖。
首先,參照圖1~圖7,說明陶瓷電子零件1的構成。
如圖1~圖7所示,陶瓷電子零件1具備陶瓷基體10。陶瓷基體10由與陶瓷電子零件1的功能相應的適當的陶瓷材料構成。具體而言,在陶瓷電子零件1為電容器的情況下,能夠用電介質陶瓷材料來形成陶瓷基體10。作為電介質陶瓷材料的具體例,例如能舉出BaTiO3 、CaTiO3 、SrTiO3 、CaZrO3 等。另外,也可以按照希望的陶瓷電子零件1的特性,在陶瓷基體10中將上述陶瓷材料作為主成份,適宜添加例如Mn化合物、Mg化合物、Si化合物、Fe化合物、Cr化合物、Co化合物、Ni化合物、稀土類化合物等的副成分。
在陶瓷電子零件1係陶瓷壓電元件的情況下,能用壓電陶瓷材料來形成陶瓷基體10。作為壓電陶瓷材料的具體例,例如能舉出PZT(鋯鈦酸鉛)系陶瓷材料等。
在陶瓷電子零件1係熱敏電阻元件的情況下,能用半導體陶瓷材料來形成陶瓷基體10。作為半導體陶瓷材料的具體例,例如能舉出尖晶石系陶瓷材料等。
在陶瓷電子零件1係電感器元件的情況下,能用磁性體陶瓷材料來形成陶瓷基體10。作為磁性體陶瓷材料的具體例,例如能舉出鐵氧體陶瓷等。
下面,在本實施形態中,對陶瓷電子零件1係陶瓷電容器的例子進行說明。更具體而言,在本實施形態中,陶瓷電子零件1對靜電電容為0.1nF~100nF程度的較低電容的陶瓷電容器的例子進行說明。
陶瓷基體10形成為長方體狀。如圖1~圖7所示,陶瓷基體10具有第1及第2主面10a、10b,第1及第2側面10c、10d,第1及第2端面10e、10f。如圖1~圖3所示,第1及第2主面10a、10b沿著長度方向L以及寬度方向W而延伸。如圖1、圖5~圖7所示,第1及的第2側面10c、10d沿著厚度方向T以及長度方向L而延伸。如圖2~圖7所示,第1及第2端面10e、10f沿著厚度方向T以及寬度方向W而延伸。
在本說明書中,設“長方體狀”中也包括將角部或稜線部為去角狀或R角去角狀的長方體。即,“長方體狀”的零件係指全部具有第1及第2主面、第1及第2側面及第1及第2端面的零件。另外,主面、側面、端面的一部分或全部也可以形成凹凸等。即,主面、側面及端面不需要一定為平坦。
陶瓷基體10的尺寸沒有特別的限定,但較佳在設陶瓷基體10的厚度尺寸為T、長度尺寸為L、寬度尺寸為W時,陶瓷基體10係滿足T≦W<L、1/5W≦T≦1/2W、T≦0.3mm的薄型的陶瓷基體。具體而言,較佳係0.1mm≦T≦0.3mm、0.4mm≦L≦1mm、0.2mm≦W≦0.5mm。
陶瓷層10g的厚度沒有特別的限定。陶瓷層10g的厚度例如能設為0.5μm~10μm程度。
如圖3所示,在陶瓷基體10的內部,大致矩形的複數個第1及第2內部電極11、12沿著厚度方向等間隔地交替配置。第1及第2內部電極11、12分別和第1及第2主面10a、10b平行。
如圖3以及圖5所示,第1內部電極11形成為沿著長度方向L以及寬度方向W延伸。第1內部電極11露出於陶瓷基體10的第1端面10e,從第1端面10e朝第2端面10f延伸。第1內部電極11未達到第2端面10f、第1及第2側面10c、10d的每一個。另一方面,第2內部電極12也沿著長度方向L以及寬度方向W而延伸。第2內部電極12如圖3以及圖6所示,露出於陶瓷基體10的第2端面10f,從第2端面10f朝第1端面10e側延伸。第2內部電極12未達到第1端面10e、第1及第2側面10c、10d的每一個。第1及第2內部電極11、12在寬度方向W上形成於相同位置。因此,第1內部電極11和第2內部電極12在陶瓷基體10的長度方向L的中央部,隔著陶瓷層10g彼此對向。第1內部電極11和第2內部電極12在陶瓷基體10的長度方向L的兩端部,在厚度方向T不對向。
陶瓷基體10中的第1及第2內部電極11、12彼此對向的部分構成顯現作為電容器的功能的有效部10A。陶瓷基體10中的位於比有效部10A更靠近第1主面10a側的部分構成第1外層部10B,位於比有效部10A更靠近第2主面10b側的部分構成第2外層部10C。
另外,如上所述,由於陶瓷電子零件1係容量較低的陶瓷電容器,因此有效部10A相對於陶瓷基體10所占的比例較小。有效部10A的沿著厚度方向T的長度較佳為陶瓷基體10的沿著厚度方向T的長度的0.1倍~0.5倍程度。有效部10A的沿著長度方向L的長度較佳為陶瓷基體10的沿著長度方向L的最大長度的0.2倍~0.7倍程度。
另外,第1及第2內部電極11、12較佳設置例如1對(各1片,合計2片)~10對(各10片,合計20片)。
另外,如本實施形態所示,在電容較低的陶瓷電容器的情況下,第1及第2內部電極之間的距離能為2~8層的陶瓷層10g。
另外,在陶瓷基體10的內部,還設有第1及第2虛擬電極18、19。第1虛擬電極18在厚度方向T和第1內部電極11在相同位置,在長度方向L隔著間隔和第1內部電極11對向。因此,第1虛擬電極18設置和第1內部電極11相同的片數。另一方面,第2虛擬電極19在厚度方向T和第2內部電極12在相同位置,在長度方向L隔著間隔和第2內部電極12對向。因此,第2虛擬電極19設置和第2內部電極12相同的片數。另外,第1及第2虛擬電極18、19並不實質對陶瓷電子零件1的電氣特性有貢獻。
另外,第1及第2內部電極11、12和第1及第2虛擬電極18、19的各自的材質並不特別的限定。第1及第2內部電極11、12和第1及第2虛擬電極18、19分別能藉由諸如Ni、Cu、Ag、Pd、Au等的金屬、Ag-Pd合金、包括一種以上的這些金屬的合金而形成。第1及第2內部電極11、12和第1及第2虛擬電極18、19既可以由相同材料構成,也可以由不同材料構成。
第1及第2內部電極11、12和第1及第2虛擬電極18、19各自的厚度,沒有特別的限定。第1及第2內部電極11、12和第1及第2虛擬電極18、19各自的厚度例如能設為0.3μm~2μm程度。第1及第2內部電極11、12和第1及第2虛擬電極18、19較佳為相同的厚度。
如圖1~圖3所示,在陶瓷基體10的表面上形成有第1及第2外部電極13、14。第1外部電極13和第1內部電極11電連接。第1外部電極13具備形成於第1主面10a上的第1部分13a、形成於第2主面10b上的第3部分13c、和形成於第1端面10e上的第2部分13b。在本實施形態中,第1外部電極13較淺地捲繞在第1及第2側面10c、10d的長度方向L的端部而形成。具體而言,第1外部電極13的沿著第1及第2側面10c、10d中的長度方向L的長度比第1、第3部分13a、13c的沿著長度方向L的長度的一半短。另外,第1、第3部分13a、13c的沿長度方向L方向的長度例如較佳為200μm~350μm。並且,第1外部電極13幾乎不沿著寬度方向W從第1及第2側面10c、10d突出。由此,能減小陶瓷電子零件1的寬度方向W尺寸。另外,也可以不在第1及第2側面10c、10d實質地形成第1外部電極13。
另一方面,第2外部電極14和第2內部電極12電連接。第2外部電極14具備形成於第1主面10a上的第1部分14a、形成於第2主面10b上的第3部分14c、和形成於第2端面10f上的第2部分14b。在本實施形態中,第2外部電極14較淺地捲繞在第1及第2側面10c、10d的長度方向L的端部而形成。具體而言,第2外部電極14的沿著第1及第2側面10c、10d中的長度方向L的長度比第1、第3部分14a、14c的沿著長度方向L的長度的一半短。另外,第1、第3部分14a、14c的沿長度方向L方向的長度例如較佳為200μm~350μm。並且,第2外部電極14幾乎不沿著寬度方向W從第1及第2側面10c、10d突出。由此,能減小陶瓷電子零件1的寬度方向W尺寸。另外,也可以不在第1及第2側面10c、10d實質地形成第2外部電極14。
第1及第2外部電極13、14各自的最大厚度例如能設為10μm~50μm程度。
接著,參照圖3來說明第1及第2外部電極13、14的構成。在本實施形態中,第1及第2外部電極13、14分別藉由第1導電層15和第2導電層16的積層體而構成。
第1導電層15形成於第1或第2端面10e、10f、和第1或第2主面10a、10b的長度方向L的端部上。
第1及第2外部電極13、14各自的第1導電層15中的構成第1部分13a、14a的部分的長度方向L的外側端部相對變厚。同樣地,第1及第2外部電極13、14各自的第1導電層15中的構成第3部分13c、14c的部分的長度方向L的外側端部相對變厚。具體而言,在第1及第2部分13、14各自的第1導電層15中的構成第1部分13a、14a的部分中,不和第1補強層17a對向的部分的厚度比和第1補強層17a對向的部分的厚度要厚。同樣地,在第1及第2部分13、14各自的第1導電層15中的構成第3部分13c、14c的部分中,不和第2補強層17b對向的部分的厚度比和第2補強層17b對向的部分的厚度要厚。由此,在第1及第2外部電極13、14各自的第1及第3部分13a、14a、13c、14c的每一個中,不和第1或第2補強層17a、17b對向的部分的厚度比和第1或第2補強層17a、17b對向的部分的厚度要厚。例如,第1導電層15的外側端部的厚度為最大能設為5μm~10μm,與此相對,第1導電層15的內側端部的厚度為1μm~10μm程度。
第1導電層15的形成於第1或第2端面10e、10f上的部分的厚度比第1導電層15的形成於第1或第2主面10a、10b上的部分的厚度要變薄。另外,第2導電層16的形成於第1或第2端面10e、10f上的部分的厚度比第2導電層16的形成於第1或第2端面10e、10f上的部分的厚度要變薄。例如,導電層15、16的形成於第1或第2端面10e、10f上的部分的厚度最大能設為3~10μm。
第1導電層15的材質不特別的限定。第1導電層15例如能藉由Ni、Cu、Ag、Pd、Au等的金屬、Ag-Pd合金、包括一種以上的這些金屬的合金而形成。另外,第1導電層15也可以包含無機結合材料。作為無機結合材料,例如能舉出和包含於陶瓷基體10中的陶瓷材料同種的陶瓷材料、玻璃成分等。第1導電層15中的無機結合材料的含有量例如較佳為40%體積~60%體積的範圍內。
第2導電層16按照覆蓋第1及第2主面10a、10b的長度方向L的端部以及第1或第2端面10e、10f的方式而形成。藉由該第2導電層16來覆蓋第1導電層15。
在本實施形態中,第2導電層16藉由1片鍍膜或多片鍍膜的積層體而構成。第2導電膜16的厚度不特別的限定。第2導電層16的最大厚度能設為例如5μm~15μm程度。
第2導電層16的材質也不特別的限定。第2導電層16例如能藉由從由Cu、Ni、Sn、Pb、Au、Ag、Pd、Al、Bi以及Zn構成的群中選出的1種金屬或包含該金屬的合金而形成。尤其,在將陶瓷電子零件1埋入配線基板中的情況下,作為構成第2導電層16的最外層的金屬,較佳使用從Cu、Au、Ag以及Al構成的群中選出的1種金屬或包含該金屬的合金。這係由於在埋入時,會瞄準第1及第2外部電極13、14,照射貫通配線基板的雷射光線,這些金屬能高效率地反射雷射光線。
另外,在第1導電層15和第2導電層16之間,例如也可以形成應力緩和用的導電性樹脂層等的額外層。
如圖3以及圖7所示,在第1外層部10B形成有複數個第1補強層17a。複數個第1補強層17a沿著長度方向L以及寬度方向W而形成。複數個第1補強層17a沿著厚度方向T而積層。複數個第1補強層17a不形成在陶瓷基體10的長度方向L的兩端部。複數個第1補強層17a遍及除了長度方向L的兩端部之外的中央部而連續地形成。複數個第1補強層17a形成於陶瓷基體10的內部,不從陶瓷基體10的表面露出。
如圖3所示,複數個第1補強層17a的一部分,具體而言,複數個第1補強層17a的長度方向L的外側端部在厚度方向T和第1及第2外部電極13、14的第1部分13a、14a對向。即,複數個第1補強層17a的長度方向L的外側端部在厚度方向T和第1及第2外部電極13、14的第1部分13a、14a對向。
第1補強層17a的片數不特別的限定,但例如,能設為第1及第2內部電極11、12的片數1.5倍~15倍程度。具體而言,第1補強層17a的片數例如能設為3片~30片程度。另外,在本實施形態中,對設置了複數個第1補強層17a的情況進行了說明,但在本實施形態中,也可以僅設置1層的第1補強層17a。
在厚度方向T相鄰的第1補強層17a之間的距離比在厚度方向T相鄰的第1及第2內部電極11、12間的距離要小。在厚度方向T相鄰的第1補強層17a之間的距離較佳為在厚度方向T相鄰的第1及第2內部電極11、12間的距離0.125倍~0.5倍。由此,設置複數個第1補強層17a的區域中的第1補強層17a所占的體積的比例能設為比設置第1及第2內部電極11、12的有效部10A中的第1及第2內部電極11、12所占的體積的比例要大。
如圖3所示,在第2外層部10C形成有複數個第2補強層17b。複數個第2補強層17b沿著長度方向L以及寬度方向W而形成。複數個第2補強層17b沿著厚度方向T而積層。複數個第2補強層17b不形成在陶瓷基體10的長度方向L的兩端部。複數個第2補強層17b遍及除了長度方向L的兩端部之外的中央部而形成。複數個第2補強層17b形成於陶瓷基體10的內部,不從陶瓷基體10的表面露出。在本實施形態中,第1補強層17a的平面形狀和第2補強層17b的平面形狀實質相等。
如圖3所示,複數個第2補強層17b的一部分,具體而言,複數個第2補強層17b的長度方向L的外側端部在厚度方向T和第1及第2外部電極13、14的第3部分13c、14d對向。即,複數個第2補強層17b的長度方向L的外側端部在厚度方向T和第1及第2外部電極13、14的第3部分13c、14d對向。
第2補強層17b的片數不特別的限定,但例如,能設為第1及第2內部電極11、12的片數1.5倍~15倍程度。具體而言,第2補強層17b的片數例如能設為3片~30片程度。另外,在本實施形態中,對設置了複數個第2補強層17b的情況進行了說明,但在本實施形態中,也可以僅設置1層的第2補強層17b。
在厚度方向T相鄰的第2補強層17b之間的距離比在厚度方向T相鄰的第1及第2內部電極11、12間的距離要小。在厚度方向T相鄰的第2補強層17b之間的距離較佳為在厚度方向T相鄰的第1及第2內部電極11、12間的距離0.125倍~0.5倍。由此,設置複數個第2補強層17b的區域中的第2補強層17b所占的體積的比例能設為比設置第1及第2內部電極11、12的有效部10A中的第1及第2內部電極11、12所占的體積的比例要大。
另外,第1及第2補強層17a、17b的材質只要係比陶瓷基體10延展性要優異的材料即可,不特別的限定。第1及第2補強層17a、17b例如能由Ni、Cu、Ag、Pd、Au等的金屬、Ag-Pd合金、包括一種以上的這些金屬的合金而形成。
第1及第2補強層17a、17b各自的厚度例如能設為0.3μm~2.0μm程度。第1及第2補強層17a、17b各自的厚度例如也可以和第1及第2內部電極11、12各自的厚度相等,也可以比第1及第2內部電極11、12各自的厚度要小,也可以比第1及第2內部電極11、12各自的厚度要大。第1及第2補強層17a、17b各自的厚度較佳為第1及第2內部電極11、12各自的厚度以上。由此,能使設有複數個第2補強層17b的區域中的第2補強層17b所占的體積的比例比設有第1及第2內部電極11、12的有效部10A中的第1及第2內部電極11、12所占的體積的比例要大。
較佳第1及第2補強層17a、17b的長度方向L的長度、第1內部電極11和第1虛擬電極18的長度方向L的長度的總和、第2內部電極12和第2虛擬電極19的長度方向L的長度的總和彼此相等。這種情況下,能使製造陶瓷電子零件1所需的、在表面印刷有導電性糊的陶瓷坯片的種類減少。因此,陶瓷電子零件1的製造變得容易。
在本實施形態中,如圖3所示,在長度方向未設有第1及第2補強層17a、17b的陶瓷基體10的兩端部的厚度T2,比在厚度方向T第1及第2外部電極13、14的第1及第3部分13a、13c、14a、14c和第1及第2補強層17a、17b對向的陶瓷基體10的部分的厚度T1要小。因此,如圖4詳細所示般,在陶瓷基體10的第1主面10a的設有第1或第2外部電極13、14的第1部分13a、14a的部分中,和第1補強層17a在長度方向L不重合的端部10a1、10a2,比和第1補強層17a重合的部分,在厚度方向T更靠近中央的位置。另外,陶瓷基體10的第2主面10b中的設有第1或第2外部電極13、14的第3部分13c、14c的部分中,和第2補強層17b在長度方向L不重合的端部10b1、10b2,在厚度方向T比和第2補強層17b重合的部分,更靠近中央的位置。
另一方面,在第1及第2外部電極13、14各自的第1部分13a、14a中,未設有第1補強層17a的長度方向L的外側端部(第1或第2端面10e、10f側端部)的厚度比其他的部分的厚度要厚。另外,在第1及第2外部電極13、14的各自的第3部分13c、14c中,未設有第2補強層17b的長度方向L的外側端部(第1或第2端面10e、10f側端部)的厚度比其他的部分的厚度要厚。
接著,對本實施形態的陶瓷電子零件1的製造方法的一例進行說明。
首先,準備陶瓷坯片20(參照圖8),其包含用以構成陶瓷基體10的陶瓷材料。接著,如圖8所示,在該陶瓷坯片20上塗敷導電性糊,形成導電圖案21。另外,導電圖案的形成例如能藉由網版印刷法等各種印刷法來進行。導電性糊除了導電性微粒子以外,也可以包含公知的黏合劑或溶劑。
在本實施形態中,第1及第2補強層17a、17b的長度方向L的長度、第1內部電極11和第1虛擬電極18的長度方向L的長度的總和、第2內部電極12和第2虛擬電極19的長度方向L的長度的總和彼此相等。因此,能使第1內部電極11及第1虛擬電極18形成用的陶瓷坯片20、第2內部電極12以及第2虛擬電極19形成用的陶瓷坯片20、第1補強層17a形成用的陶瓷坯片20、和第2補強層17b形成用的陶瓷坯片20為共通的規格。即,只要準備一種印刷有導電性糊的陶瓷坯片20即可。
接下來,如圖10~圖12所示般,沿著長度方向L來適當地錯開未形成導電圖案21的陶瓷坯片20、和形成導電圖案21的陶瓷坯片20的同時將它們積層,藉由均壓機等的裝置在積層方向進行加壓,製作圖9所示的母積層體22。
另外,在本實施形態中,一片陶瓷坯片20位於在厚度方向T相鄰的補強層17a、17b之間。另一方面,多片陶瓷坯片20位於厚度方向T相鄰的第1及第2內部電極11、12之間。
接下來,如圖9所示,藉由網版印刷法等的適當的印刷法在母積層體22上,形成與構成第1及第2外部電極13、14的第1導電層15的第1及第3部分13a、14a、13c、14c的部分對應的形狀的導電圖案23。
接下來,再次在積層方向對母積層體22加壓。此時,按照補強層17a、17b以及第1、第2內部電極11、12不重疊的部分的厚度變薄的方式,即如圖3所示,按照厚度T2比厚度T1薄的方式,來進行加壓。例如,藉由在加壓用金屬模和母積層體22的主面之間配置彈性體來進行加壓,能有效地對補強層17a、17b以及第1、第2內部電極11、12不重疊的部分施加壓力,能容易地實現上述的厚度的關係。
接下來,藉由沿著假想的切割線CL來切割母積層體22,從母積層體22中製作複數個未加工的陶瓷積層體。另外,母積層體22的切割能藉由切片切割或按壓切割來進行。
也可以在未加工的陶瓷積層體的作成後,藉由圓筒式研磨等,來進行未加工的積層體的角部和稜線部的去角或R角去角以及表層的研磨。
之後,在未加工的陶瓷積層體的兩端面,例如,藉由浸漬法(dip)等塗敷導電性糊。在此,藉由塗敷的導電性糊和導電性圖案23,形成圖3所示的導電層15。
另外,在藉由例如浸漬法等,對未加工的陶瓷積層體的兩端面塗敷導電性糊的情況下,導電性糊也稍微捲繞第1及第2主面和第1及第2側面。因此,藉由後面的燒成步驟而成為第1導電性15的導電性糊層在第1、第2主面的第1或第2端面10e、10f側的端部,相對變厚。因此,第1導電層15的長度方向L的外側端部相對變厚,其結果,第1及第2外部電極13、14的第1、第3部分13a、13c、14a、14c的長度方向L的外側端部的厚度相對變厚。 另外,在對第1或第2端面10e、10f塗敷了導電性糊之後,藉由將第1或第2端面10e、10f壓到平臺上,除掉多餘的導電性糊,從而能使形成於第1或第2端面10e、10f上的第1導電層15的厚度變薄。
接下來,進行未加工的陶瓷積層體的燒成,在該燒成步驟中,同時燒成(cofire:共燒)上述形成的導電性糊層,形成導電層15。另外,燒成溫度能根據使用的陶瓷材料和導電性糊的種類來適當地進行設定。燒成溫度能設為例如900℃~1300℃程度。
之後,根據需要進行圓筒式研磨等的研磨。
最後,藉由電鍍而形成導電層16,從而完成形成第1及第2外部電極13、14。另外,在本發明中,藉由鍍膜而構成的導電層16並非必須。例如,也可以僅藉由導電層15來構成第1、第2外部電極13、14。
如以上說明般,在本實施形態中,在陶瓷基體10的第1主面10a中的設有第1或第2外部電極13、14的第1部分13a、14a的部分中,不和第1補強層17a在長度方向L重疊的端部10a1、10a2比和第1補強層17a重疊的部分,在厚度方向T更靠近中央的位置。因此,例如,在將第1主面10a朝向配線基板側來構裝陶瓷電子零件1時等,即使在從外部施加應力時,也能有效地抑制陶瓷電子零件1損傷,能改善陶瓷電子零件1的機械耐久性。下面,詳細說明其效果。
在陶瓷電子零件1中,在第1及第2主面10a、10b上形成第1及第2外部電極13、14。因此,陶瓷電子零件1的長度方向L的兩端部向厚度方向T突出。因此,能容易地對陶瓷電子零件1的長度方向L的兩端部施加應力。若對陶瓷電子零件1的長度方向L的兩端部施加應力,則在第1及第3部分13a、13c、14a、14c的前端所位於之處、即陶瓷電子零件1的厚度較大地變化的部分10D、10E(參照圖3)之處,應力集中,在該部分10D、10E易產生裂縫。
在此,例如,在陶瓷電子零件1的兩端部為最厚的情況下,由於成為支點的陶瓷電子零件1的端部和成為作用點的部分10D、10E之間的距離變長,因此,易於在部分10D、10E施加較大的應力。
與此相對,在本實施形態中,在陶瓷基體10的第1主面10a中的設有第1或第2外部電極13、14的第1部分13a、14a的部分中,在不和第1補強層17a在長度方向L重疊的端部10a1、10a2比和第1補強層17a重疊的部分,在厚度方向T更靠近中央的位置。因此,在陶瓷電子零件1中,在厚度方向T最突出的部分比端部更靠近中央。因此,能使成為作用點的部分10D、10E和支點間的距離變短。因此,不易在部分10D、10E施加較大的應力,因此能抑制部分10D、10E中的陶瓷基體10的損傷。其結果,能實現更高的機械耐久性。
另外,在本實施形態中,在易損傷的部分10D、10E上設置第1及第2補強層17a、17b。因此,能有效地改善部分10D、10E的機械強度。
在本實施形態中,第1及第2補強層17a、17b除了陶瓷基體10的長度方向L的兩端部以外,遍及中央部而連續地形成。因此,能有效地提高容易和部分10D、10E一起損傷的、陶瓷基體10的長度方向L的中央部的機械強度。
另外,在本實施形態中,在長度方向未設有第1及第2補強層17a、17b的陶瓷基體10的兩端部的厚度T2,比在厚度方向T第1及第2外部電極13、14的第1及第3部分13a、13c、14a、14c和第1及第2補強層17a、17b對向的陶瓷基體10的部分的厚度T1要小。並且,形成於厚度較小的部分上的、第1及第2外部電極13、14的第1及第3部分13a、13c、14a、14c相對較厚地形成。因此,第1及第2外部電極13、14的第1及第3部分13a、13c、14a、14c各自的表面實質平坦地形成。因此,應力不會集中到第1及第3部分13a、13c、14a、14c中的一部分,而係整體地施加應力,因此能有效地抑制對一部分施加較大的應力。因此,能實現更良好的機械耐久性。
另外,在本實施形態中,在厚度方向相鄰的補強層17a、17b間的距離比在厚度方向相鄰的第1及第2內部電極11、12間的距離要短。因此,設有補強層17a、17b的區域中的補強層17a、17b所占的體積比例較大。因此,能使陶瓷基體10中設有補強層17a、17b的區域的機械強度更高。因此,能進一步提高陶瓷電子零件1的機械強度。
另外,由於在厚度方向相鄰的補強層17a、17b間的距離較短,因此能更多地設置補強層17a、17b。因此,能進一步提高陶瓷電子零件1的機械強度。
另外,由於在內部電極11、12的片數較多的情況下,由內部電極11、12帶來的提高機械強度的效果也變大,且陶瓷基體10的厚度也變大,因此,易於提高陶瓷電子零件1的機械強度。與此相對,在內部電極11、12的片數例如少到2~20片程度的情況下,由於不太能獲得內部電極11、12帶來的提高機械強度的效果,且陶瓷基體10的厚度變薄,因此陶瓷電子零件1的機械強度的問題變得顯著。因此,如本實施形態所示般,藉由設置補強層17a、17b,並使第1主面10a的長度方向L的端部較低來提高陶瓷電子零件1的機械耐久性的技術在內部電極11、12的層數少到2~20片程度時將特別有效。
下面,說明實施本發明的較佳方式的其他例子。在下面的說明中,以共通的符號來表示具有和上述第1實施形態實質共通的功能的零件,省略說明。
(第2實施形態)
圖13係表示第2實施形態的陶瓷電子零件的概略剖面圖。
在本實施形態中,如圖13所示,第1及第2外部電極13、14的第1及第3部分13a、13c、14a、14c的至少一部分被埋入第1或第2主面10a、10b中。即使在這種情況下,也和上述的第1實施形態相同,能獲得陶瓷電子零件1的機械耐久性提高的效果。
本實施形態的陶瓷電子零件例如在母積層體22的主面上印刷了與構成第1及第3部分13a、13c、14a、14c的部分對應的形狀的導電圖案23之後,在積層方向來對母積層體22加壓時,藉由用更強的力來進行加壓,能實現如上述般的埋入狀態。
(第3實施形態)
圖14係第3實施形態的陶瓷電子零件的概略剖面圖。
在上述第1實施形態中,對在第1及第2主面10a、10b上分別形成第1及第2外部電極13、14的例子進行了說明。但本發明並不限於這樣的構成。在本發明中,只要在第1主面10a上形成至少一個外部電極即可。
例如,如圖14所示,第1及第2外部電極13、14也可以按照覆蓋第1或第2端面10e、10f和第1主面10a的方式來形成。即,第1及第2外部電極13、14只要具有第1部分13a、14a,且電連接於第1或第2內部電極11、12,則並不限定於該形狀。
另外,即使在本實施形態中,雖然可以除了第1補強層17a之外還設置第2補強層17b,也可以藉由僅在設有第1部分13a、14a的一側設置第1補強層17a,來有效地改善陶瓷電子零件1的機械耐久性。另外,藉由不形成第3部分13c、14c和第2補強層17b,能進一步謀求陶瓷電子零件1的薄型化。
(實施例)
用上述第1實施形態所記載的製造方法來製作上述第1實施形態的陶瓷電子零件1。另外,詳細條件如下。用電子顯微鏡觀察在本實施例中獲得的陶瓷電子零件1的剖面的結果,確認了能使第1及第2主面10a、10b各自的兩端部變低。
(實施例的條件)
尺寸:長度1.0mm、寬度0.5mm、厚度0.15mm
設計電容:1nF
陶瓷基體的製作中所用的陶瓷材料:以BaTiO3 為主成份的電介質陶瓷
陶瓷層的厚度(燒成後):1.35μm
內部電極11、12,虛擬電極18、19的材質:Ni
內部電極11、12,虛擬電極18、19的厚度(燒成後):0.75μm
內部電極11、12間的距離:9.45μm
內部電極11、12的片數:4片
第1及第2補強層17a、17b各自的片數:20片
第1及第2補強層17a、17b的材質:Ni
第1及第2補強層17a、17b各自中的補強層間距離:1.35μm
燒成最高溫度:1200℃
燒成時間:2個小時
燒成環境氣氛:還原性環境氣氛
第1導電層15的材質:Ni
第2導電層16的材質:Cu
(比較例1)
除了沒有設置第1及第2補強層17a、17b之外,其他都和上述實施例相同來製作陶瓷電子零件。
(比較例2)
圖15係比較例2的陶瓷電子零件的概略剖面圖。如圖15所示,除了從第1或第2端面10e、10f向中央延伸來形成補強層17a1、17a2、18a1、18a2以外,和上述實施例同樣地來製作陶瓷電子零件。補強層17a1、17a2的總長度、補強層18a1、18a2的總長度和實施例中的補強層17a、17b的長度相等。
用電子顯微鏡觀察在本比較例獲得的陶瓷電子零件的剖面的結果,確認了第1及第2主面10a、10b各自的兩端部沒有變低而為平坦。
另外,在圖15中,為了說明的方便,以共通的符號來表示具有和上述第1實施形態實質共通的功能的零件,並省略說明。
(評價)
使用YAMAHA發動機公司製造構裝裝置YG100B,將上述實施例以及比較例1、2中所製造的陶瓷電子零件的各樣品按壓在鐵板上,之後,用光學顯微鏡來確認在樣品上係否產生了破碎。另外,在各個擠壓量條件下分別進行10個樣品的試驗。其結果,如圖16所示。
如圖16所示,設置了補強層17a、17b的實施例比沒有設補強層的比較例1、設置了補強層17a1、17a2、18a1、18a2的比較例2,破碎的發生率較小。
1...陶瓷電子零件
10...陶瓷基體
10A...有效部
10B...第1外層部
10C...第2外層部
10a...第1主面
10b...第2主面
10c...第1側面
10d...第2側面
10e...第1端面
10f...第2端面
10g...陶瓷層
11...第1內部電極
12‧‧‧第2內部電極
13‧‧‧第1外部電極
13a‧‧‧第1部分
13b‧‧‧第2部分
13c‧‧‧第3部分
14‧‧‧第2外部電極
14a‧‧‧第1部分
14b‧‧‧第2部分
14c‧‧‧第3部分
15‧‧‧第1導電層
16‧‧‧第2導電層
17a‧‧‧第1補強層
17b‧‧‧第2補強層
18‧‧‧第1虛擬電極
19‧‧‧第2虛擬電極
20‧‧‧陶瓷坯片
21‧‧‧導電圖案
22‧‧‧母積層體
23‧‧‧導電圖案
圖1係第1實施形態的陶瓷電子零件的概略立體圖。
圖2係第1實施形態的陶瓷電子零件的概略側視圖。
圖3係圖1的線III-III的概略剖面圖。
圖4係放大了第1實施形態的陶瓷電子零件的一部分的概略剖面圖。
圖5係圖3的線V-V的概略剖面圖。
圖6係圖3的線VI-VI的概略剖面圖。
圖7係圖3的線VII-VII的概略剖面圖。
圖8係形成有導電圖案的陶瓷坯片的概略俯視圖。
圖9係母積層體的概略俯視圖。
圖10係用以說明母積層體的、第1內部電極及第1虛擬電極形成用的陶瓷坯片中的切割線的位置的概略俯視圖。
圖11係用以說明母積層體的、第2內部電極及第2虛擬電極形成用的陶瓷坯片中的切割線的位置的概略俯視圖。
圖12係用以說明母積層體的、補強層形成用的陶瓷坯片中的切割線的位置的概略俯視圖。
圖13係第2實施形態的陶瓷電子零件的概略剖面圖。
圖14係第3實施形態的陶瓷電子零件的概略剖面圖。
圖15係比較例2的陶瓷電子零件的概略剖面圖。
圖16係表示在實施例以及比較例1、2中的陶瓷電子零件中產生破碎的個數的圖表。
10...陶瓷基體
10A...有效部
10B...第1外層部
10C...第2外層部
10a...第1主面
10b...第2主面
10e...第1端面
10f...第2端面
10g...陶瓷層
10a1、10a2、10b1、10b2...端部
11...第1內部電極
12...第2內部電極
13...第1外部電極
13a...第1部分
13b...第2部分
13c...第3部分
14...第2外部電極
14a...第1部分
14b...第2部分
14c...第3部分
15...第1導電層
16...第2導電層
17a...第1補強層
17b...第2補強層
18...第1虛擬電極
19...第2虛擬電極

Claims (6)

  1. 一種陶瓷電子零件,具備:長方體狀的陶瓷基體,其具有沿著長度方向及寬度方向延伸的第1主面及第2主面、沿著長度方向及厚度方向延伸的第1側面及第2側面、和沿著寬度方向及厚度方向延伸的第1端面及第2端面;第1內部電極及第2內部電極,其形成於該陶瓷基體的內部,沿著長度方向及寬度方向延伸,在厚度方向彼此對向;第1外部電極,其形成於該陶瓷基體上,和該第1內部電極電連接;及第2外部電極,其形成於該陶瓷基體上,和該第2內部電極電連接;該第1外部電極及該第2外部電極分別具有:形成於該第1端面或該第2端面、及該第1主面的長度方向的端部上的第1導電層;及以覆蓋該第1導電層的方式形成之第2導電層;該第1導電層及該第2導電層分別具有位於該第1主面的長度方向的端部上的第1部分、和位於該第1端面或該第2端面上的第2部分;該陶瓷基體包括:該第1內部電極及該第2內部電極在厚度方向對向的有效部;比該有效部更靠近該第1主面側的第1外層部;和比該有效部更靠近該第2主面側的第2外層部; 該陶瓷電子零件還具備第1補強層,該第1補強層在該第1外層部沿著長度方向及寬度方向而形成,在厚度方向,該第1補強層的一部分和該第1外部電極及該第2外部電極的該第1部分對向;該第1補強層不從該第1端面及該第2端面的任一者露出;在該第1主面的設有該第1導電層的該第1部分的部分中,不和該第1補強層對向的部分比和該第1補強層對向的部分,更靠近厚度方向的中央的位置。
  2. 如申請專利範圍第1項之陶瓷電子零件,其中,在該第1外部電極及該第2外部電極各自的該第1部分中,不和該第1補強層對向的部分的厚度比和該第1補強層對向的部分的厚度厚。
  3. 如申請專利範圍第2項之陶瓷電子零件,其中,該第1外部電極及該第2外部電極分別具有:形成於該第1端面或該第2端面、以及該第1主面的長度方向的端部上的第1導電層;及覆蓋該第1導電層而形成的第2導電層;在該第1外部電極及該第2外部電極各自的該第1導電層中的構成該第1部分的部分中,不和該第1補強層對向的部分的厚度比和該第1補強層對向的部分的厚度厚。
  4. 如申請專利範圍第1至3項中任一項之陶瓷電子零件,其中,該第1補強層藉由金屬或合金而形成。
  5. 如申請專利範圍第1至3項中任一項之陶瓷電子零 件,其中,該第1外部電極及該第2外部電極還分別具有位於該第2主面的長度方向的端部上的第3部分;該陶瓷電子零件還具有第2補強層,該第2補強層在該第2外層部沿著長度方向及寬度方向形成,在厚度方向,該第2補強層的一部分和該第1外部電極及該第2外部電極的該第3部分對向;該第2補強層不從該第1端面及該第2端面的任一者露出;在該第2主面的設有該第1外部電極或該第2外部電極的該第3部分的部分中,不和該第2補強層對向的部分比和該第2補強層對向的部分,更靠近厚度方向的中央的位置。
  6. 如申請專利範圍第4項之陶瓷電子零件,其中,該第1外部電極及該第2外部電極還分別具有位於該第2主面的長度方向的端部上的第3部分;該陶瓷電子零件還具有第2補強層,該第2補強層在該第2外層部沿著長度方向及寬度方向形成,在厚度方向,該第2補強層的一部分和該第1外部電極及該第2外部電極的該第3部分對向;該第2補強層不從該第1端面及該第2端面的任一者露出;在該第2主面的設有該第1外部電極或該第2外部電極的該第3部分的部分中,不和該第2補強層對向的部分比和該第2補強層對向的部分,更靠近厚度方向的中央的 位置。
TW100122590A 2010-07-21 2011-06-28 陶瓷電子零件 TWI501272B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2010164110 2010-07-21
JP2011130034A JP5699819B2 (ja) 2010-07-21 2011-06-10 セラミック電子部品

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201222591A TW201222591A (en) 2012-06-01
TWI501272B true TWI501272B (zh) 2015-09-21

Family

ID=44720427

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW100122590A TWI501272B (zh) 2010-07-21 2011-06-28 陶瓷電子零件

Country Status (6)

Country Link
US (1) US8531817B2 (zh)
EP (1) EP2410540B1 (zh)
JP (1) JP5699819B2 (zh)
KR (1) KR101184150B1 (zh)
CN (1) CN102403124B (zh)
TW (1) TWI501272B (zh)

Families Citing this family (33)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5736982B2 (ja) * 2010-07-21 2015-06-17 株式会社村田製作所 セラミック電子部品
JP2012164966A (ja) * 2011-01-21 2012-08-30 Murata Mfg Co Ltd セラミック電子部品
JP2014027255A (ja) * 2012-06-22 2014-02-06 Murata Mfg Co Ltd セラミック電子部品及びセラミック電子装置
DE102012105517B4 (de) * 2012-06-25 2020-06-18 Tdk Electronics Ag Vielschichtbauelement mit einer Außenkontaktierung und Verfahren zur Herstellung eines Vielschichtbauelements mit einer Außenkontaktierung
JP5998724B2 (ja) * 2012-08-03 2016-09-28 Tdk株式会社 積層セラミックコンデンサ
JP6079040B2 (ja) * 2012-08-10 2017-02-15 Tdk株式会社 積層コンデンサ
JP6107080B2 (ja) * 2012-11-21 2017-04-05 Tdk株式会社 積層コンデンサ
KR101514509B1 (ko) * 2013-02-26 2015-04-22 삼성전기주식회사 다층 세라믹 소자
WO2014148133A1 (ja) * 2013-03-19 2014-09-25 株式会社村田製作所 積層セラミックコンデンサ
JP6185991B2 (ja) * 2013-06-24 2017-08-23 日本碍子株式会社 セラミックスデバイス、及び圧電デバイス
KR101444615B1 (ko) 2013-08-09 2014-09-26 삼성전기주식회사 적층 세라믹 커패시터 및 그 제조 방법
KR101452128B1 (ko) * 2013-08-26 2014-10-16 삼성전기주식회사 기판 내장용 적층 세라믹 전자부품 및 적층 세라믹 전자부품 내장형 인쇄회로기판
KR101565651B1 (ko) * 2013-10-08 2015-11-03 삼성전기주식회사 적층 세라믹 커패시터 및 그 실장 기판
TWI597863B (zh) * 2013-10-22 2017-09-01 晶元光電股份有限公司 發光元件及其製造方法
KR101477426B1 (ko) * 2013-11-04 2014-12-29 삼성전기주식회사 기판 내장용 적층 세라믹 전자부품 및 적층 세라믹 전자부품 내장형 인쇄회로기판
KR101630068B1 (ko) * 2014-10-06 2016-06-13 삼성전기주식회사 적층 세라믹 전자 부품 및 그 실장 기판
KR102163046B1 (ko) * 2014-10-15 2020-10-08 삼성전기주식회사 칩 부품
JP6378122B2 (ja) * 2014-12-05 2018-08-22 太陽誘電株式会社 積層セラミック電子部品
JP2017216360A (ja) * 2016-05-31 2017-12-07 太陽誘電株式会社 積層セラミックコンデンサ
KR101823246B1 (ko) * 2016-06-21 2018-01-29 삼성전기주식회사 적층 세라믹 전자 부품 및 그 실장 기판
JP7231340B2 (ja) * 2018-06-05 2023-03-01 太陽誘電株式会社 セラミック電子部品およびその製造方法
JP7182926B2 (ja) * 2018-07-17 2022-12-05 太陽誘電株式会社 積層セラミック電子部品
US11107632B2 (en) * 2018-07-24 2021-08-31 Tdk Corporation Multilayer ceramic electronic component
JP2020021930A (ja) * 2018-07-24 2020-02-06 Tdk株式会社 積層セラミック電子部品
JP7371386B2 (ja) * 2018-08-23 2023-10-31 三菱マテリアル株式会社 サーミスタ、及び、サーミスタの製造方法
JP7371385B2 (ja) * 2019-08-05 2023-10-31 三菱マテリアル株式会社 保護膜付きサーミスタおよびその製造方法
KR102653215B1 (ko) * 2018-10-10 2024-04-01 삼성전기주식회사 적층 세라믹 전자부품
CN111128549B (zh) * 2018-10-30 2022-09-13 Tdk株式会社 层叠陶瓷电子元件
KR20200049661A (ko) * 2018-10-30 2020-05-08 티디케이가부시기가이샤 적층 세라믹 전자 부품
JP7178886B2 (ja) * 2018-11-27 2022-11-28 太陽誘電株式会社 積層セラミック電子部品及び実装基板
CN113508444B (zh) * 2019-02-28 2023-03-28 株式会社村田制作所 电子部件的制造方法
JP7401320B2 (ja) 2020-01-24 2023-12-19 株式会社村田製作所 積層セラミック電子部品
KR20220081632A (ko) * 2020-12-09 2022-06-16 삼성전기주식회사 적층형 전자 부품

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002015940A (ja) * 2000-06-28 2002-01-18 Matsushita Electric Ind Co Ltd チップ型電子部品
WO2009139112A1 (ja) * 2008-05-16 2009-11-19 株式会社村田製作所 積層セラミック電子部品
US20100067170A1 (en) * 2008-09-17 2010-03-18 Murata Manufacturing Co., Ltd. Ceramic electronic component and method for manufacturing the same

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09153429A (ja) * 1995-11-30 1997-06-10 Murata Mfg Co Ltd 積層セラミック電子部品の製造方法
JPH1126295A (ja) 1997-06-30 1999-01-29 Taiyo Yuden Co Ltd 積層チップ部品
JP2000164455A (ja) * 1998-11-27 2000-06-16 Taiyo Yuden Co Ltd チップ状電子部品とその製造方法
JP2000353636A (ja) * 1999-04-06 2000-12-19 Matsushita Electric Ind Co Ltd 積層セラミック部品
JP2000340448A (ja) * 1999-05-31 2000-12-08 Kyocera Corp 積層セラミックコンデンサ
JP4581194B2 (ja) * 2000-07-13 2010-11-17 パナソニック株式会社 チップ型電子部品
JP2002075780A (ja) * 2000-08-23 2002-03-15 Matsushita Electric Ind Co Ltd チップ型電子部品
JP2005032807A (ja) * 2003-07-08 2005-02-03 Murata Mfg Co Ltd 積層セラミック電子部品およびその製造方法
US7075775B2 (en) * 2004-05-27 2006-07-11 Kyocera Corporation Chip-type electronic component
JP2005340664A (ja) * 2004-05-28 2005-12-08 Kyocera Corp コンデンサ
WO2006022258A1 (ja) * 2004-08-27 2006-03-02 Murata Manufacturing Co., Ltd. 積層セラミックコンデンサおよびその等価直列抵抗調整方法
EP2546840B1 (en) * 2005-02-08 2017-04-19 Murata Manufacturing Co., Ltd. Surface-mountable negative-characteristic ceramic thermistor based on Mn, Co, Ni and Ti compounds
JP4270395B2 (ja) * 2005-03-28 2009-05-27 Tdk株式会社 積層セラミック電子部品
JP2008205073A (ja) * 2007-02-19 2008-09-04 Matsushita Electric Ind Co Ltd セラミックコンデンサ
JP5217584B2 (ja) * 2008-04-07 2013-06-19 株式会社村田製作所 積層セラミック電子部品

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002015940A (ja) * 2000-06-28 2002-01-18 Matsushita Electric Ind Co Ltd チップ型電子部品
WO2009139112A1 (ja) * 2008-05-16 2009-11-19 株式会社村田製作所 積層セラミック電子部品
US20100067170A1 (en) * 2008-09-17 2010-03-18 Murata Manufacturing Co., Ltd. Ceramic electronic component and method for manufacturing the same

Also Published As

Publication number Publication date
EP2410540A1 (en) 2012-01-25
JP5699819B2 (ja) 2015-04-15
KR101184150B1 (ko) 2012-09-18
US8531817B2 (en) 2013-09-10
CN102403124A (zh) 2012-04-04
CN102403124B (zh) 2015-02-25
EP2410540B1 (en) 2018-11-28
TW201222591A (en) 2012-06-01
JP2012044149A (ja) 2012-03-01
KR20120018714A (ko) 2012-03-05
US20120019981A1 (en) 2012-01-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI501272B (zh) 陶瓷電子零件
TWI436388B (zh) 陶瓷電子零件
JP5533387B2 (ja) セラミック電子部品
TWI559346B (zh) 陶瓷電子零件及其製造方法
JP5423586B2 (ja) セラミック電子部品
KR101119582B1 (ko) 전자부품
JP5362033B2 (ja) 積層型セラミックコンデンサ
KR101397835B1 (ko) 적층 세라믹 전자부품 및 이의 제조방법
JP2015109410A (ja) セラミック電子部品及びセラミック電子部品の製造方法
KR101565645B1 (ko) 적층 커패시터 소자
JP2015109411A (ja) セラミック電子部品
JP2015111652A (ja) 電子部品
JP6301629B2 (ja) 積層型電子部品
JP6029491B2 (ja) 積層セラミック電子部品の製造方法
JPH11111553A (ja) 積層セラミックコンデンサ