JP2014027255A - セラミック電子部品及びセラミック電子装置 - Google Patents

セラミック電子部品及びセラミック電子装置 Download PDF

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Abstract

【課題】耐湿性に優れたセラミック電子部品を提供する。
【解決手段】セラミック電子部品１は、セラミック素体１０と、第１の内部電極１１と、第２の内部電極１２と、外部電極２０と、第１の補助電極１６とを備える。第１の補助電極１６は、セラミック素体１０の一の面１０ａに引き出されている。第１の内部電極１１は、一の面１０ａにおいて一の方向Ｗに延びるように設けられている。一の面１０ａの一の方向Ｗにおいて、第１の補助電極１６が、第１の内部電極１１が設けられた領域からさらに外側にまで至っている。外部電極２０が、第１の内部電極１１及び第１の補助電極１６を覆うように設けられている。
【選択図】図３

Description

本発明は、セラミック電子部品及びセラミック電子装置に関する。
従来、基板には、ＩＣチップ、セラミック電子部品などが実装されることがある。ＩＣチップは、半田に含まれるフラックスにより悪影響を受ける場合がある。このため、ＩＣチップとセラミック電子部品とは、ワイヤボンディングを用いて、電気的に接続されることがある。例えば、特許文献１には、ワイヤボンディングを用いてＩＣチップに電気的に接続される積層コンデンサが開示されている。
近年、セラミック電子部品の小型化により、ワイヤを接続するための外部電極をセラミック電子部品に精度良く形成することが困難になってきている。外部電極を精度良く形成する方法としては、例えば、特許文献２に開示されているような、直接めっきにより形成する方法が考えられる。
実開平５−４４５１号公報 特開２００４−３２７９８３号公報
しかしながら、外部電極を直接めっきにより形成した場合は、外部電極とセラミック素体との間などからセラミック電子部品の内部に水分が浸入しやすく、セラミック電子部品の耐湿性が低下するという問題がある。
本発明の主な目的は、耐湿性に優れたセラミック電子部品を提供することにある。
本発明に係るセラミック電子部品は、セラミック素体と、第１の内部電極と、第２の内部電極と、外部電極と、第１の補助電極とを備える。セラミック素体は、直方体状である。第１の内部電極は、セラミック素体の内部に設けられている。第１の内部電極は、セラミック素体の一の面に引き出されている。第２の内部電極は、セラミック素体の内部に設けられている。第２の内部電極は、第１の内部電極と対向している。第２の内部電極は、一の面の反対側に位置する反対面に引き出されている。外部電極は、セラミック素体の一の面の上に配されている。外部電極は、第１の内部電極に接続されている。外部電極は、めっき膜からなる。第１の補助電極は、セラミック素体の内部に設けられている。第１の補助電極は、セラミック素体の一の面に引き出されている。第１の内部電極は、一の面において一の方向に延びるように設けられている。一の面の一の方向において、第１の補助電極が、第１の内部電極が設けられた領域からさらに外側にまで至っている。外部電極が、第１の内部電極及び第１の補助電極を覆うように設けられている。
本発明に係るセラミック電子部品のある特定の局面では、第１の内部電極が一の方向に対して垂直な他の方向に沿って複数設けられている。第１の補助電極が、複数の第１の内部電極の間に位置している。
本発明に係るセラミック電子部品の別の特定の局面では、第１の補助電極が、セラミック素体の第１の内部電極と平行な他の面に最も近い第１の内部電極と他の面との間に位置している。
本発明に係るセラミック電子部品のさらに他の特定の局面では、一の面における第１の内部電極の一の方向の長さが、セラミック素体内部における第１の内部電極の一の面から最も離れた部分の一の方向の長さよりも短い。
本発明に係るセラミック電子部品のさらに別の特定の局面では、一の面が主面により構成されている。
本発明に係るセラミック電子部品のまた他の特定の局面では、セラミック素体の内部に設けられており、セラミック素体の反対面に引き出された第２の補助電極を備える。第２の補助電極よりも一の方向に対して垂直な他の方向の外側に位置する第１の補助電極を有する。
本発明に係るセラミック電子部品のまた別の特定の局面では、セラミック素体の内部に設けられており、セラミック素体の表面に引き出されていない第３の内部電極を備える。
本発明に係るセラミック電子装置は、上記のセラミック電子部品と、基板と、ワイヤとを備える。基板は、セラミック電子部品の反対面が主面において対向するように配されている。ワイヤは、外部電極に電気的に接続されている。
本発明の主な目的は、耐湿性に優れたセラミック電子部品を提供することにある。
本発明の第１の実施形態に係るセラミック電子部品の略図的斜視図である。 本発明の第１の実施形態に係るセラミック電子部品の略図的断面図である。 本発明の第１の実施形態に係るセラミック電子部品の略図的平面図である。 本発明の第１の実施形態に係るセラミック電子部品の略図的裏面図である。 図２の線Ｖ−Ｖにおける略図的断面図である。 図２の線ＶＩ−ＶＩにおける略図的断面図である。 本発明の一実施形態におけるセラミック電子装置の略図的断面図である。 本発明の第２の実施形態に係るセラミック電子部品の略図的断面図である。 本発明の第２の実施形態に係るセラミック電子部品の略図的平面図である。 本発明の第２の実施形態に係るセラミック電子部品の略図的裏面図である。 図８の線ＸＩ−ＸＩにおける略図的断面図である。 図８の線ＸＩＩ−ＸＩＩにおける略図的断面図である。 本発明の第３の実施形態に係るセラミック電子部品の略図的断面図である。 本発明の第４の実施形態に係るセラミック電子部品の略図的断面図である。 本発明の第５の実施形態に係るセラミック電子部品の略図的断面図である。 本発明の第６の実施形態に係るセラミック電子部品の略図的断面図である。 本発明の第６の実施形態に係るセラミック電子部品の略図的平面図である。 本発明の第７の実施形態に係るセラミック電子部品の略図的断面図である。 本発明の第７の実施形態に係るセラミック電子部品の略図的平面図である。 本発明の第８の実施形態に係るセラミック電子部品の略図的断面図である。 本発明の第８の実施形態に係るセラミック電子部品の略図的平面図である。
以下、本発明を実施した好ましい形態の一例について説明する。但し、下記の実施形態は、単なる例示である。本発明は、下記の実施形態に何ら限定されない。
また、実施形態などにおいて参照する各図面において、実質的に同一の機能を有する部材は同一の符号で参照することとする。また、実施形態等において参照する図面は、模式的に記載されたものであり、図面に描画された物体の寸法の比率などは、現実の物体の寸法の比率などとは異なる場合がある。図面相互間においても、物体の寸法比率などが異なる場合がある。具体的な物体の寸法比率などは、以下の説明を参酌して判断されるべきである。
（第１の実施形態）
図１は、第１の実施形態に係るセラミック電子部品の略図的斜視図である。図２は、第１の実施形態に係るセラミック電子部品の略図的断面図である。図３は、第１の実施形態に係るセラミック電子部品の略図的平面図である。図４は、第１の実施形態に係るセラミック電子部品の略図的裏面図である。図５は、図２の線Ｖ−Ｖにおける略図的断面図である。図６は、図２の線ＶＩ−ＶＩにおける略図的断面図である。
図１〜図６に示されるように、セラミック電子部品１は、セラミック素体１０を備えている。セラミック素体１０は、直方体状である。セラミック素体１０は、互いに対向している第１及び第２の主面１０ａ、１０ｂと、互いに対向している第１及び第２の側面１０ｃ、１０ｄと、互いに対向している第１及び第２の端面１０ｅ、１０ｆとを有する。第１及び第２の主面１０ａ、１０ｂのそれぞれは、長さ方向Ｌ及び幅方向Ｗに沿って延びている。第１及び第２の側面１０ｃ、１０ｄのそれぞれは、長さ方向Ｌ及び厚み方向Ｔに沿って延びている。第１及び第２の端面１０ｅ、１０ｆのそれぞれは、幅方向Ｗ及び厚み方向Ｔに沿って延びている。なお、長さ方向Ｌと幅方向Ｗとは互いに垂直である。厚み方向Ｔは、長さ方向Ｌ及び幅方向Ｗのそれぞれに対して垂直である。
セラミック素体１０においては、長さ方向Ｌの寸法と、幅方向Ｗの寸法とが、実質的に同じである。
本発明において、「直方体」には、角部や稜線部が丸められた直方体も含まれるものとする。すなわち、セラミック素体１０は、角部や稜線部の少なくとも一部が丸められた直方体状に形成されていてもよい。
図２に示されるように、セラミック素体１０は、複数のセラミック部１５（セラミック層）が長さ方向Ｌに沿って積層された積層体により構成されている。セラミック部１５の厚みは、０．５μｍ〜１０μｍであることが好ましい。
セラミック素体１０は、適宜のセラミック材料により形成されている。セラミック素体１０を構成するセラミック材料は、セラミック電子部品１の特性などにより適宜選択される。
例えば、セラミック電子部品１がセラミックコンデンサ素子である場合は、セラミック素体１０は、誘電体セラミックを主成分とする材料により形成することができる。誘電体セラミックの具体例としては、例えば、ＢａＴｉＯ３、ＣａＴｉＯ３、ＳｒＴｉＯ３、ＣａＺｒＯ３などが挙げられる。セラミック素体１０には、例えば、Ｍｎ化合物、Ｍｇ化合物、Ｓｉ化合物、Ｃｏ化合物、Ｎｉ化合物、希土類化合物などの副成分を適宜添加してもよい。
また、例えば、セラミック電子部品１がセラミック圧電素子である場合には、セラミック素体１０は、例えば、圧電セラミックを主成分とする材料により形成することができる。圧電セラミックの具体例としては、例えば、ＰＺＴ（チタン酸ジルコン酸鉛）系セラミックなどが挙げられる。
例えば、セラミック電子部品１がサーミスタ素子である場合には、セラミック素体１０は、例えば、半導体セラミックにより形成することができる。半導体セラミックの具体例としては、例えば、スピネル系セラミックなどが挙げられる。
例えば、セラミック電子部品１がインダクタ素子である場合には、セラミック素体１０は、磁性体セラミックにより形成することができる。磁性体セラミックの具体例としては、例えば、フェライトセラミックなどが挙げられる。
以下、本実施形態では、セラミック電子部品１が、セラミックコンデンサであり、セラミック素体１０が、誘電体セラミックを主成分とする材料により形成されている例について説明する。
セラミック素体１０の内部には、複数の第１の内部電極１１と、複数の第２の内部電極１２とが設けられている。第１及び第２の内部電極１１，１２のそれぞれは、セラミック素体１０の内部において、厚み方向Ｔ及び幅方向Ｗに沿って配置されている。第１及び第２の内部電極１１，１２は、長さ方向Ｌに沿って複数設けられている。第１及び第２の内部電極１１，１２は、長さ方向Ｌに沿って交互に配列されている。第１及び第２の内部電極１１，１２は、セラミック部１５を介して長さ方向Ｌにおいて対向している。ただし、本発明において、第１及び第２の内部電極１１，１２は、セラミック部１５を介して対向している必要は必ずしもない。
第１の内部電極１１は、第１の主面１０ａに引き出されている。第１の内部電極１１は、第１の主面１０ａにおいて幅方向Ｗに延びるように設けられている。第１の内部電極１１は、第１の主面１０ａの反対側に位置する反対面である第２の主面１０ｂ、第１及び第２の側面１０ｃ、１０ｄ並びに第１及び第２の端面１０ｅ、１０ｆには露出していない。
本実施形態においては、図５に示されるように、第１の主面１０ａにおける第１の内部電極１１の幅方向Ｗの長さＸ１は、セラミック素体１０内部における第１の内部電極１１の第１の主面１０ａから最も離れた部分の幅方向Ｗの長さＸ２よりも短い。ただし、本発明は、この形態に限定されない。本発明においては、第１の主面１０ａにおける第１の内部電極１１の幅方向Ｗの長さは、セラミック素体１０内部における第１の内部電極１１の幅方向Ｗの長さと同じであってもよいし、セラミック素体１０内部における第１の内部電極１１の幅方向Ｗの長さよりも長くてもよい。第１及び第２の内部電極１１，１２の対向面積を大きくして容量を確保するには、セラミック素体１０内部における第１の内部電極１１の幅方向Ｗの長さは、第１の主面１０ａにおける第１の内部電極１１の幅方向Ｗの長さよりも長いことが好ましい。
第２の内部電極１２は、第２の主面１０ｂに引き出されている。第２の内部電極１２は、第２の主面１０ｂにおいて幅方向Ｗに延びるように設けられている。第２の内部電極１２は、第１の主面１０ａ、第１及び第２の側面１０ｃ、１０ｄ並びに第１及び第２の端面１０ｅ、１０ｆには露出していない。
本実施形態においては、図６に示されるように、第２の主面１０ｂにおける第２の内部電極１２の幅方向Ｗの長さＸ３は、セラミック素体１０内部における第２の内部電極１２の幅方向Ｗの長さＸ４よりも短い。ただし、本発明は、この形態に限定されない。本発明においては、第２の主面１０ｂにおける第２の内部電極１２の幅方向Ｗの長さは、セラミック素体１０内部における第２の内部電極１２の幅方向Ｗの長さと同じであってもよいし、セラミック素体１０内部における第２の内部電極１２の幅方向Ｗの長さよりも長くてもよい。第１及び第２の内部電極１１，１２の対向面積を大きくして容量を確保するには、セラミック素体１０内部における第２の内部電極１２の幅方向Ｗの長さは、第２の主面１０ｂにおける第２の内部電極１２の幅方向Ｗの長さより長いことが好ましい。
第１及び第２の内部電極１１，１２の厚みは、それぞれ、０．３μｍ〜２．０μｍであることが好ましい。
第１及び第２の内部電極１１，１２は、導電性を有するものである限りにおいて特に限定されない。第１及び第２の内部電極１１，１２は、例えば、Ｎｉ、Ｃｕ、Ａｇ、Ｐｄ、Ａｕなどの金属や、Ａｇ−Ｐｄ合金などのこれらの金属のうちの少なくとも一種を含む合金により形成することができる。
セラミック素体１０の内部には、矩形状の第１及び第２の補助電極１６，１７が設けられている。本発明において、「補助電極」とは、セラミック電子部品の機能の実現に実質的に寄与していない電極をいう。第１及び第２の補助電極１６，１７は、それぞれ、例えば、第１及び第２の内部電極と同じ金属や合金により形成することができる。
図３に示されるように、複数の第１の補助電極１６の少なくともひとつは、複数の第１の内部電極１１の間に位置している。複数の第１の補助電極１６の少なくともひとつは、セラミック素体１０の第１の内部電極１１と平行な面である第１の端面１０ｅに最も近い第１の内部電極１１と第１の端面１０ｅとの間に位置している。また、複数の第１の補助電極１６の少なくともひとつは、セラミック素体１０の第１の内部電極１１と平行な面である第２の端面１０ｆに最も近い第１の内部電極１１と第２の端面１０ｆとの間に位置している。
第１の補助電極１６は、第１の主面１０ａに引き出されている。第１の補助電極１６は、第１の主面１０ａにおいて幅方向Ｗに延びるように設けられている。第１の補助電極１６は、第２の主面１０ｂ、第１及び第２の側面１０ｃ、１０ｄ並びに第１及び第２の端面１０ｅ、１０ｆには露出していない。第１の補助電極１６は、第１の主面１０ａの幅方向Ｗにおいて、第１の内部電極１１が設けられた領域からさらに外側にまで至っている。
図４に示されるように、複数の第２の補助電極１７の少なくともひとつは、複数の第２の内部電極１２の間に位置している。複数の第２の補助電極１７の少なくともひとつは、セラミック素体１０の第２の内部電極１２と平行な面である第１の端面１０ｅに最も近い第１の内部電極１２と第１の端面１０ｅとの間に位置している。また、複数の第２の補助電極１７の少なくともひとつは、セラミック素体１０の第２の内部電極１２と平行な面である第２の端面１０ｆに最も近い第２の内部電極１２と第２の端面１０ｆとの間に位置している。
第２の補助電極１７は、第１の主面１０ａ、第１及び第２の側面１０ｃ、１０ｄ並びに第１及び第２の端面１０ｅ、１０ｆには露出していない。第２の補助電極１７は、第２の主面１０ｂの幅方向Ｗにおいて、第２の内部電極１２が設けられた領域からさらに外側にまで至っている。図３に示されるように、セラミック電子部品１は、第２の補助電極１７よりも幅方向Ｗに対して垂直な長さ方向Ｌの外側に位置する第１の補助電極を有する。
セラミック素体１０の第１及び第２の主面１０ａ，１０ｂの上には、それぞれ、外部電極２０が配されている。外部電極２０は、セラミック素体１０の直上に設けられている。第１の主面１０ａの上に配された外部電極２０は、第１の内部電極１１に接続されている。第２の主面１０ｂの上に配された外部電極２０は、第２の内部電極１２に接続されている。第１の主面１０ａの上に配された外部電極２０は、第１の内部電極１１及び第１の補助電極１６を覆うように設けられている。第２の主面１０ｂの上に配された外部電極２０は、第２の内部電極１２及び第２の補助電極１７を覆うように設けられている。
外部電極２０は、少なくとも１つのめっき膜により構成されている。外部電極２０は、複数のめっき膜の積層体により構成されていてもよい。めっき膜１層当たりの厚みは、１μｍ〜１５μｍであることが好ましい。
外部電極２０は、Ｃｕ，Ｎｉ，Ｓｎ，Ｐｂ，Ａｕ，Ａｇ，Ｐｄ，Ｂｉ，Ｚｎなどの金属や、これらの金属のうちの少なくとも一種を含む合金により形成することができる。外部電極２０は、特に、Ｃｕ／Ｎｉ／Ａｕの３層構造またはＮｉ／Ａｕの２層構造であることが好ましい。
次に、セラミック電子部品１の製造方法の一例について説明する。
まず、セラミック素体１０を構成するためのセラミック材料を含むセラミックグリーンシートを用意する。次に、そのセラミックグリーンシートの上に、導電性ペーストを塗布することにより、導電パターンを形成する。
次に、導電パターンが形成されていない複数枚のセラミックグリーンシート、第１または第２の内部電極１１，１２及び第１または第２の補助電極１６，１７に対応した形状の導電パターンが形成されているセラミックグリーンシート、及び導電パターンが形成されていない複数枚のセラミックグリーンシートをこの順番で積層し、積層方向にプレスすることにより、マザー積層体を作製する。
次に、マザー積層体の上に、仮想のカットラインに沿ってマザー積層体をカッティングすることにより、マザー積層体から複数の生のセラミック積層体を作製する。
次に、生のセラミック積層体の焼成を行う。この焼成工程において、第１及び第２の内部電極１１，１２並びに第１及び第２の補助電極１６，１７が焼成される。
次に、めっき法により、焼成後のセラミック積層体の上にめっき膜からなる外部電極２０を形成する。以上のようにして、セラミック電子部品１を製造することができる。
セラミック電子部品１においては、第１の主面１０ａの幅方向Ｗにおいて、第１の補助電極１６が、第１の内部電極１１が設けられた領域からさらに外側にまで至っている。よって、セラミック素体１０と外部電極２０との間から外部電極表面にめっき膜を形成する際に使用するめっき液や大気中の水分が浸入する場合に、水分が第１の内部電極１１に至るまでの経路を長くすることができる。換言すれば、外部電極２０の端とセラミック素体１０の間から浸入した水分が第１の内部電極１１に到達する前に、第１の補助電極１６に浸入しやすくなる。そのため、第１の内部電極１１において、絶縁抵抗の低下が生じにくい。よって、セラミック電子部品１は、耐湿性に優れている。
また、セラミック電子部品の外部電極にワイヤを接続する場合、ワイヤ接続時やワイヤ接続後に外部電極にかかる力によって、外部電極がセラミック素体から剥がれてしまう場合がある。これに対して、セラミック電子部品１では、外部電極２０を構成するめっき膜と第１の補助電極１６との接着面積が広いため、外部電極２０のセラミック素体への接着力が大きい。よって、第１の主面１０ａ上に配された外部電極２０にワイヤを接続しても、外部電極２０は、セラミック素体１０から剥がれにくい。
セラミック電子部品１では、第１の補助電極１６の一部が、セラミック素体１０の第１の端面１０ｅに最も近い第１の内部電極１１と第１の端面１０ｅとの間に位置している。このため、外部電極２０の端部において、外部電極２０とセラミック素体１０との接着力がより大きい。また、第１の補助電極１６の一部は、セラミック素体１０の第２の端面１０ｆに最も近い第１の内部電極１１と第２の端面１０ｆとの間に位置している。このため、外部電極２０の端部において、外部電極２０とセラミック素体１０との接着力がより大きい。
セラミック電子部品１では、第１の主面１０ａにおいて、第１の補助電極１６の面積が、第１の内部電極１１の面積よりも大きい。このため、外部電極２０とセラミック素体１０との接着力がより高められている。
セラミック電子部品１では、第１の補助電極１６が露出している第１の主面１０ａが、第１及び第２の側面１０ｃ，１０ｄ並びに第１及び第２の端面１０ｅ，１０ｆそれぞれよりも面積の大きい主面により構成されている。このため、外部電極２０の面積も広くなる。このような場合、セラミック素体１０と外部電極２０との接着力が大きくなることによる効果が大きい。
セラミック電子部品１は、例えば、図７に示されるようなセラミック電子装置１ａの部品として使用することができる。セラミック電子装置１ａは、セラミック電子部品１と、基板５０と、ワイヤ８０とを備えている。基板５０は、セラミック電子部品１の第２の主面１０ｂが、基板５０の主面５０ａと対向するように配されている。基板５０の上に配されたランド６０の上に、導電性接着剤の硬化物７０を介して、セラミック電子部品１の第２の主面１０ｂが基板５０の主面５０ａに対向するように配置されている。
ワイヤ８０は、第１の主面１０ａの上に形成された外部電極２０に導電性接着剤の硬化物７０を介して電気的に接続されている。
セラミック電子部品１では、第１の主面１０ａにおける第１の内部電極１１の面積に対する第１の補助電極１６の面積の割合が、第２の主面１０ｂおける第２の内部電極１２の面積に対する第２の補助電極１７の面積の割合よりも大きい。このため、例えば、第１の主面１０ａの上に位置する外部電極２０の面積を大きくし、第２の主面１０ｂの上に配された外部電極２０の面積を小さくすることができる。第１の主面１０ａの上に位置する外部電極２０の面積が大きい場合、第１の主面１０ａの上に配された外部電極２０の上にワイヤを接続することが容易になる。一方、第２の主面１０ｂの上に配された外部電極２０の面積が小さい場合、図７に示すように、基板５０の上に形成されたランド６０の上に外部電極２０を配置する際に、外部電極２０が他の電子部品に接触してショートするなどの問題が生じにくい。
以下、本発明の好ましい実施形態の他の例について説明する。以下の説明において、上記第１の実施形態と実質的に共通の機能を有する部材を共通の符号で参照し、説明を省略する。
（第２の実施形態）
図８は、第２の実施形態に係るセラミック電子部品の略図的断面図である。図９は、第２の実施形態に係るセラミック電子部品の略図的平面図である。図１０は、第２の実施形態に係るセラミック電子部品の略図的裏面図である。図１１は、図８の線ＸＩ−ＸＩにおける略図的断面図である。図１２は、図８の線ＸＩＩ−ＸＩＩにおける略図的断面図である。
図８〜１２に示されるように、セラミック電子部品２では、第１の内部電極１１と第２の内部電極１２とは、厚み方向Ｔにおいて一直線上に並んでいる。第１の補助電極１６と第２の補助電極１７とは、厚み方向Ｔにおいて、一直線上に並んでいる。
セラミック電子部品２は、第３の内部電極１３を備えている。第３の内部電極１３は、セラミック素体１０の表面に引き出されていない。第３の内部電極１３は、複数の第１の内部電極１１の間と複数の第２の内部電極１２の間とに位置し、第１の内部電極１１と第２の内部電極１２とそれぞれ厚み方向Ｔにおいて対向している。第３の内部電極１３と第１及び第２の補助電極１６，１７とは、厚み方向Ｔにおいて、一直線上に並んでいる。セラミック電子部品２においても、セラミック電子部品１と同様の効果を奏する。
（第３の実施形態）
図１３は、第３の実施形態に係るセラミック電子部品の略図的断面図である。図１３に示されるように、第３の実施形態に係るセラミック電子部品３は、第２の実施形態に係るセラミック電子部品１と同様に、第３の内部電極１３を有する。セラミック電子部品３においては、第１の補助電極１６の一部が、セラミック素体１０の第１の端面１０ｅに最も近い第１の内部電極１１と第１の端面１０ｅとの間に位置している。また、第１の補助電極１６の一部は、セラミック素体１０の第２の端面１０ｆに最も近い第１の内部電極１１と第２の端面１０ｆとの間に位置している。このため、外部電極２０の端部において、外部電極２０とセラミック素体１０との接着力がより大きい。
（第４の実施形態）
図１４は、第４の実施形態におけるセラミック電子部品の略図的断面図である。図１４に示されるように、第４の実施形態に係るセラミック電子部品４は、第２の実施形態に係るセラミック電子部品２と同様に、第３の内部電極１３を有する。また、セラミック電子部品４は、第３の実施形態に係るセラミック電子部品３と同様に、第１の補助電極１６の一部が、セラミック素体１０の第１の端面１０ｅに最も近い第１の内部電極１１と第１の端面１０ｅとの間に位置している。また、第１の補助電極１６の一部は、セラミック素体１０の第２の端面１０ｆに最も近い第１の内部電極１１と第２の端面１０ｆとの間に位置している。セラミック電子部品４では、さらに、第３の内部電極１３の一部が、セラミック素体１０の第１の端面１０ｅに最も近い第１の内部電極１１と第１の端面１０ｅとの間に位置している。また、第３の内部電極１３の一部が、セラミック素体１０の第２の端面１０ｆに最も近い第１の内部電極１１と第２の端面１０ｆとの間に位置している。セラミック電子部品４では、内部電極の配置を２種類のパターンで構成できるため、製造コストの点で好ましい。
（第５の実施形態）
図１５は、第５の実施形態におけるセラミック電子部品の略図的断面図である。図１５に示されるように、第５の実施形態に係るセラミック電子部品５は、第２の実施形態に係るセラミック電子部品２と同様に、第３の内部電極１３を有する。セラミック電子部品５では、第１の内部電極１１同士の間に複数の第１の補助電極１６が配されている。このため、外部電極２０とセラミック素体１０との間から浸入する水分が内部電極に至る確率より補助電極に至る確率の方が高い。よって、セラミック電子部品５の耐湿性は高い。
（第６の実施形態）
図１６及び図１７は、第６の実施形態に係るセラミック電子部品の略図的断面図及び平面図である。
第６の実施形態に係るセラミック電子部品６では、セラミック素体１０内において、第１の内部電極１１と第２の内部電極１２とが第１の実施形態と同様に配置されている。もっとも、第６の実施形態では、第１の内部電極１１及び第２の内部電極１２は、スプリット型の内部電極からなる。すなわち、第１の内部電極１１は、同電位に接続される。セラミック層を介して重なり合っている二層の電極層１１ａ，１１ｂを有する。電極層１１ａ，１１ｂと同様に、第２の内部電極１２もまた、二層の電極層１２ａ，１２ｂを有する。このように、本発明においては、第１及び第２の内部電極はスプリット型の内部電極であってもよい。
さらに、第６の実施形態においても、第１の実施形態と同様に、複数の第１及び第２の補助電極１６，１７が設けられている。第１及び第２の補助電極１６，１７も二層の電極層１６ａ，１６ｂ，１７ａ，１７ｂを有するスプリット型の電極とされている。
図１７に示すように、第１の補助電極１６を代用して説明すると、第１の補助電極１６は、幅方向Ｗにおいて、第１の内部電極１１が設けられている領域からさらに外側の領域にまで至っている。従って、第１の実施形態と同様に、耐湿性を高めることができる。
なお、本実施形態では、図１７に示すように、Ｗ方向において、第１の内部電極１１が設けられている領域に露出しており、該領域からＷ方向外側には至っていない第３の補助電極２１が設けられている。このように、本発明においては、内部電極が設けられている領域の外側に至っていない他の補助電極として、上記第３の補助電極２１等がさらに設けられていてもよい。第６の実施形態は、その他の点については第１の実施形態と同様である。
（第７の実施形態）
図１８及び図１９は、第７の実施形態に係るセラミック電子部品７の略図的断面図及び平面図である。本実施形態のセラミック電子部品７は、第１及び第２の補助電極１６，１７の形成位置が異なることを除いては第６の実施形態と同様である。異なるところは、図１９に示すように、第１の主面１０ａ上のＷ方向において、第１の補助電極１６は、第１の内部電極１１が設けられている領域の端部の内側から外側にまたがるように設けられていることにある。言い換えれば、第１の補助電極１６は、第１及び第２の内部電極１１，１２のＷ方向中央領域には至らないように設けられている。
図１９では定かではないが、図１８に示した第２の補助電極１７も、同様に、第２の内部電極１２が露出している第２の主面１０ｂにおいて、Ｗ方向中央には至らないように設けられている。このように、本発明における第１及び第２の補助電極１６，１７は第１及び第２の内部電極１１，１２が設けられている領域の端部に跨るように該端部近傍のみに配置されていてもよい。
（第８の実施形態）
図２０及び図２１は、第８の実施形態に係るセラミック電子部品の略図的断面図及び平面図である。
第８の実施形態のセラミック電子部品８は、第１及び第２の補助電極１６，１７を除いては、第６の実施形態と同様である。本実施形態では、図２１に示すように、第１の補助電極１６は、第１の主面１０ａ上において、Ｗ方向両端に至るように形成されている。すなわち、第１の補助電極１６は、セラミック素体１０内において、Ｗ方向両端、言い換えれば、第１の側面１０ｃと第２の側面１０ｄとに至るように設けられている。第２の補助電極１７も同様である。
よって、第１，第２の補助電極１６，１７は、第１及び第２の側面１０ｃ及び１０ｄに露出することとなる。従って、第１及び第２の側面１０ｃ，１０ｄに至る折り返し部を有するように外部電極２０を形成することが望ましい。第１，第２の補助電極１６，１７が第１，第２の側面１０ｃ，１０ｄに露出しているので、折り返し部を確実に形成することができる。それによって、外部からのめっき液や水分が第１，第２の内部電極１１，１２に至る経路を第１の実施形態や第６の実施形態よりも長くすることができる。従って、上記のように耐湿性をより一層高めることが可能となる。
１，２，３，４，５，６，７，８…セラミック電子部品
１ａ…セラミック電子装置
１０…セラミック素体
１０ａ…第１の主面
１０ｂ…第２の主面
１０ｃ…第１の側面
１０ｄ…第２の側面
１０ｅ…第１の端面
１０ｆ…第２の端面
１１…第１の内部電極
１１ａ，１１ｂ，１２ａ，１２ｂ，１６ａ，１６ｂ，１７ａ，１７ｂ…電極層
１２…第２の内部電極
１３…第３の内部電極
１５…セラミック部
１６…第１の補助電極
１７…第２の補助電極
２０…外部電極
２１…第３の補助電極
５０…基板
５０ａ…基板の主面
６０…ランド
７０…導電性接着剤の硬化物
８０…ワイヤ

Claims (8)

  1. 直方体状のセラミック素体と、
    前記セラミック素体の内部に設けられており、前記セラミック素体の一の面に引き出された第１の内部電極と、
    前記セラミック素体の内部に設けられており、前記第１の内部電極と対向しており、前記一の面の反対側に位置する反対面に引き出された前記第２の内部電極と、
    前記セラミック素体の前記一の面の上に配されており、前記第１の内部電極に接続されためっき膜からなる外部電極と、
    前記セラミック素体の内部に設けられており、前記セラミック素体の前記一の面に引き出された第１の補助電極と、
    を備え、
    前記第１の内部電極は、前記一の面において一の方向に延びるように設けられており、
    前記一の面の一の方向において、前記第１の補助電極が、前記第１の内部電極が設けられた領域からさらに外側にまで至っており、
    前記外部電極が前記第１の内部電極及び前記第１の補助電極を覆うように設けられている、セラミック電子部品。
  2. 前記第１の内部電極が前記一の方向に対して垂直な他の方向に沿って複数設けられており、
    前記第１の補助電極が、前記複数の第１の内部電極の間に位置している、請求項１に記載のセラミック電子部品。
  3. 前記第１の補助電極が、前記セラミック素体の前記第１の内部電極と平行な他の面に最も近い前記第１の内部電極と前記他の面との間に位置している、請求項１または２に記載のセラミック電子部品。
  4. 前記一の面における前記第１の内部電極の前記一の方向の長さが、セラミック素体内部における前記第１の内部電極の前記一の面から最も離れた部分の前記一の方向の長さよりも短い、請求項１〜３のいずれか１項に記載のセラミック電子部品。
  5. 前記一の面が主面により構成されている、請求項１〜４のいずれか一項に記載のセラミック電子部品。
  6. 前記セラミック素体の内部に設けられており、前記セラミック素体の前記反対面に引き出された第２の補助電極を備え、
    前記第２の補助電極よりも前記一の方向に対して垂直な他の方向の外側に位置する前記第１の補助電極を有する、請求項１〜５のいずれか一項に記載のセラミック電子部品。
  7. 前記セラミック素体の内部に設けられており、前記セラミック素体の表面に引き出されていない第３の内部電極を備える、請求項１〜６のいずれか一項に記載のセラミック電子部品。
  8. 請求項１〜７のいずれか一項に記載のセラミック電子部品と、
    前記セラミック電子部品の前記反対面が、主面において対向するように配された基板と、
    前記外部電極に電気的に接続されたワイヤと、
    を備える、セラミック電子装置。
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