JP2012253245A - 積層電子部品及び積層電子部品の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】コンデンサ素体に対する端子電極の固着強度を高めた積層電子部品を提供すること。
【解決手段】積層コンデンサ１は、複数の誘電体層４が積層されたコンデンサ素体３と、コンデンサ素体３内に配置された内部電極１０，２０と、コンデンサ素体３の外表面に配置され且つ内部電極１０，２０それぞれに接続された端子電極５，７と、誘電体層４の積層方向に対して交差する面方向に広がり、当該面方向に沿って端子電極５，７に接続されたアンカー電極４０，４２とを備えている。この積層コンデンサ１では、アンカー電極４０，４２が、誘電体層４を構成するセラミック粉を含んでおり、コンデンサ素体３内に埋め込まれるように配置されている。
【選択図】図２

Description

本発明は、積層電子部品及び積層電子部品の製造方法に関する。

従来から、誘電体層が積層された素体と、当該素体内に配置された内部電極と、素体表面に配置された端子電極とを備えた積層コンデンサ等の積層電子部品が知られている。このような積層電子部品において、内部電極及びそれと同層上に配置された内層ダミー電極の端部にめっきを連続して形成することで端子電極を形成する方法が、例えば特許文献１に開示されている。

特開２００４−３２７９８３号公報

ところで、上記特許文献１に記載の方法で形成された端子電極は、積層電子部品を実装する際に実装面となる上面又は下面においては、単にその面上に電極を形成しているに過ぎなかった。このため、素体に対する端子電極の固着強度が当該上面又は下面において必ずしも十分でない場合があった。

本発明は、上記課題を解決するためになされたものであり、素体に対する端子電極の固着強度を高めた積層電子部品及び積層電子部品の製造方法を提供することを目的とする。

本発明に係る積層電子部品は、複数の誘電体層が積層された素体と、素体内に配置された内部電極と、素体の外表面に配置され且つ内部電極に接続された端子電極と、誘電体層の積層方向に対して交差する面方向に広がり当該面方向に沿って端子電極に接続されたアンカー電極とを備えている。そして、この積層電子部品では、アンカー電極は、誘電体層を構成する誘電体成分を含んでおり、少なくとも一部が素体内に埋め込まれていることを特徴としている。

上述した積層電子部品では、アンカー電極は、誘電体層を構成する誘電体成分を含んでおり、少なくとも一部が素体内に埋め込まれている。この場合、アンカー電極の少なくとも一部が素体内に埋め込まれているので、互いに剥離等しやすい素体と電極（アンカー電極及びアンカー電極に接続される端子電極）との接合度合を高めることができる。しかも、アンカー電極が誘電体成分を含んでいるので、素体やアンカー電極を製造（焼成）する際の収率の違いによるクラックや層間剥離などの発生も抑止できる。その結果、上述した積層電子部品によれば、素体に対する端子電極の固着強度を高めることが可能となる。

上述した積層電子部品は、素体の外層側にダミー電極を更に備えており、アンカー電極の厚みがダミー電極の厚み以下となっていてもよい。この場合、アンカー電極、ダミー電極及び誘電体層の焼結性を均一にすることができ、耐熱衝撃性や強度アップを図ることができる。

上述した積層電子部品において、誘電体成分はセラミック粉であり、アンカー電極に含まれるセラミック粉量がダミー電極のセラミック粉量よりも多い構成であってもよい。また、上述した積層電子部品において、誘電体成分はセラミック粉であり、アンカー電極に含まれるセラミック粉量が内部電極のセラミック粉量よりも多い構成であってもよい。この場合、縮率の違いによるクラック等の発生を一層抑えることができ、素体に対する端子電極の固着強度を更に高めることが可能となる。

上述した積層電子部品において、内部電極は複数の電極から構成されており、内部電極それぞれの引き出し部同士をめっきによって接続させることによって端子電極が形成されており、内部電極は、端子電極を介して、アンカー電極に電気的に接続されていてもよい。この場合、端子電極を主にめっきによって形成することになるため、電極ペーストを焼き付けて形成する焼き付け層が不要若しくは少なくてもよくなり、焼き付け層による応力を低減することができる。また、端子電極が薄くなることによる積層電子部品の薄型化、あるいは、標準外形寸法に対して端子電極を薄くできることによる素体寸法の大型化を図ることもできる。例えば、積層電子部品が積層コンデンサである場合、素体寸法の大型化により、同じ標準外形寸法の積層コンデンサに比べて、静電容量を大きくすることができる。

上述した積層電子部品において、端子電極は焼き付け層を含んでおり、焼き付け層を介して、内部電極の引き出し部とアンカー電極とが接続されているようにしてもよい。この場合、一部を焼き付け層とすることにより、内部電極の引き出し部とアンカー電極との電気的接続性や固着強度を向上させることができる。

上述した積層電子部品は、素体の外表面に配置され且つ実装用の回路基板に接続されない外部接続導体を更に備え、外部接続導体は、素体の基板実装面側には形成されていないようにしてもよい。この場合、誤って外部接続導体を基板に実装してしまうことを防止することができる。

また、本発明に係る積層電子部品の製造方法は、内部電極を間に挟んで複数の誘電体層が積層された素体の外層側に更に複数の接続用電極が層状に形成された積層体を準備する工程と、積層体を研磨することで、複数の接続用電極の内、外側に配置されている外側接続用電極の表面を露出させる工程と、内部電極の引き出し部と外側接続用電極を除く複数の接続用電極と表面が露出した外側接続用電極とを電気的に接続させるように端子電極を形成する工程とを備えたことを特徴としている。

上述した積層電子部品の製造方法では、積層体の研磨工程において、外側接続用電極の表面を露出させ、端子電極を形成する工程において、この表面が露出した外側接続用電極を内部電極の引き出し部や他の接続用電極に接続させて端子電極を形成するようにしている。この場合、外側接続用電極の表面を露出させることで、アンカー電極を形成しており、製造される積層電子部品において、素体に対する端子電極の固着強度を高めた部品を得ることが可能となる。

上述した積層電子部品の製造方法において、積層体の研磨工程では、バレル研磨によって、外側接続用電極の表面を露出させるようにしてもよい。この場合、簡易な手段により、外側接続用電極の表面を露出させることができる。なお、外側接続用電極は、複数の接続用電極の内、素体の最外層に配置されていてもよい。

上述した積層電子部品の製造方法において、積層体の研磨工程では、外側接続用電極の厚みが他の接続用電極の厚み以下となるように研磨を行ってもよい。この場合、外側接続用電極に対応するアンカー電極、他の接続用電極に対応するダミー電極、及び誘電体層の焼結性を均一にすることができ、耐熱衝撃性や強度アップを図った積層電子部品を得ることができる。また、この場合、接続用電極を確実に露出させることができるので、接続用電極と端子電極との接続をより確実にすることができる。

上述した積層電子部品の製造方法において、端子電極を形成する工程では、内部電極の引き出し部の端部と、外側接続用電極を除く複数の接続用電極の端部と、表面が露出した外側接続用電極の当該表面とをめっき処理によって電気的に接続させて端子電極を形成するようにしてもよい。この場合、端子電極を主にめっきによって形成することになるため、電極ペーストを焼き付けて形成する焼き付け層が不要若しくは少なくてもよくなり、焼き付け層による応力を低減した積層電子部品を得ることができる。

本発明によれば、素体に対する端子電極の固着強度を高めた積層電子部品及び積層電子部品の製造方法を提供することが可能となる。

第１実施形態に係る積層コンデンサを示す斜視図である。 図１に示した積層コンデンサのＩＩ−ＩＩ線断面図である。 図１の積層コンデンサを構成する第１の内層シートを示す平面図である。 図１の積層コンデンサを構成する第２の内層シートを示す平面図である。 図１の積層コンデンサを構成する第１の外層シートを示す平面図である。 図１の積層コンデンサを構成する第２の外層シートを示す平面図である。 図２のＶＩＩ部分の拡大断面図である。 （ａ）はバレル研磨前の積層体の断面を示す図であり、（ｂ）はその一部拡大断面図である。 （ａ）はバレル研磨後の積層体の断面を示す図であり、（ｂ）はその一部拡大断面図である。 第２実施形態に係る積層コンデンサを示す斜視図である。 図１０の積層コンデンサを構成する各シートを示す平面図であり、（ａ）は第１の内層シートを示し、（ｂ）は第２の内層シートを示し、（ｃ）は外層シートを示す。 第３実施形態に係る積層コンデンサを示す斜視図である。 図１２の積層コンデンサを構成する各シートを示す平面図であり、（ａ）は第１の内層シートを示し、（ｂ）は第２の内層シートを示し、（ｃ）は外層シートを示す。 第４実施形態に係る積層コンデンサを示す斜視図である。 図１４の積層コンデンサを構成する各シートを示す平面図であり、（ａ）は第１の内層シートを示し、（ｂ）は第２の内層シートを示し、（ｃ）は外層シートを示す。 第５実施形態に係る積層コンデンサを示す斜視図である。 図１６に示した積層コンデンサを構成する各シートを示す平面図であり、（ａ）〜（ｄ）はそれぞれ第１〜第４の内層シートを示し、（ｅ）は外層シートを示す。 積層コンデンサの変形例を示す断面図である。

以下、添付図面を参照して、本発明の好適な実施形態について詳細に説明する。なお、説明において、同一要素又は同一機能を有する要素には、同一符号を用いることとし、重複する説明は省略する。また、説明の便宜上、各図面では各部の形状を誇張して示す場合があり、図面上の寸法比率は各図面間では必ずしも一致しない場合がある。

［第１実施形態］
まず、図１及び図２を参照して、本実施形態に係る積層電子部品の構成について説明する。以下の実施形態では、積層電子部品として、積層コンデンサ１を例にとって説明するが、本発明はこれに限定されるわけではなく、他の積層電子部品であってももちろんよい。

積層コンデンサ１は、略直方体形状のコンデンサ素体３（素体）と、コンデンサ素体３の外表面に配置された第１及び第２の端子電極５，７と、コンデンサ素体３内に配置された第１及び第２の内部電極１０，２０と、コンデンサ素体３内に配置された第１及び第２の外層ダミー電極３０，３２と、第１及び第２のアンカー電極４０，４２とを備えている。

コンデンサ素体３は、図２に示されるように、複数の誘電体層４が積層されて形成され、略直方体形状をなしている。誘電体層４は、例えば誘電体セラミック（ＢａＴｉＯ_３系、（Ｔｉ，Ｚｒ）Ｏ_３系、（Ｂａ，Ｃａ）ＴｉＯ_３系等の誘電体セラミック）を含むセラミックグリーンシートの焼結体から構成される。実際のコンデンサ素体３では、各誘電体層４の間の境界が視認できない程度に一体化されている。

コンデンサ素体３は、その外表面として、対向する長方形状の第１及び第２の主面３ａ，３ｂと、対向する第１及び第２の端面３ｃ、３ｄと、対向する第１及び第２の側面３ｅ，３ｆとを有する。第１及び第２の端面３ｃ，３ｄは、第１及び第２の主面間を連結するように第１及び第２の主面３ａ，３ｂの短辺方向に伸びている。第１及び第２の側面３ｅ，３ｆは、第１及び第２の主面間を連結するように第１及び第２の主面３ａ，３ｂの長辺方向に伸びている。積層コンデンサ１を回路基板等に実装する場合、例えば第２の主面３ｂが実装面として機能する。

第１の端子電極５は、コンデンサ素体３の第１の端面３ｃと第１及び第２の主面３ａ，３ｂの第１の端面３ｃ側の一部とを覆うように配置されている。第２の端子電極７は、コンデンサ素体３の第２の端面３ｄと第１及び第２の主面３ａ，３ｂの第２の端面３ｄ側の一部とを覆うように配置されている。第１及び第２の端子電極５，７は、第１及び第２の端面３ｃ，３ｄの対向方向に対向している。第１及び第２の端子電極５，７は、第１及び第２の側面３ｅ，３ｆには配置されていない。

第１及び第２の端子電極５，７は、Ｎｉめっき層やＳｎめっき層といっためっき層のみから構成されており、ＣｕやＡｇ等の金属粉末を含む導電性ペーストを加熱して焼き付け処理を行うことによって得られる下地電極層を有していない。

コンデンサ素体３の内部には、図２に示されるように、誘電体層４上に形成される第１の内部電極１０（図３参照）と、別の誘電体層４上に形成される第２の内部電極２０（図４参照）と、更に別の誘電体層４上に形成される第１及び第２の外層ダミー電極３０，３２（図５参照）と、更に別の誘電体層４上に形成される第１及び第２のアンカー電極４０，４２（図６参照）とが積層されて配置されている。第１及び第２の内部電極１０，２０は、誘電体層４の積層方向に対向しており、当該対向する部分で静電容量部を形成する。第１及び第２の内部電極１０，２０の外層には、第１及び第２の主面３ａ，３ｂそれぞれに向かって、第１及び第２の外層ダミー電極３０，３２と、第１及び第２のアンカー電極４０，４２とが順に積層されている。

第１の内部電極１０は、図３に示されるように、主電極部１０ａと、引き出し電極部１０ｂとを有する。主電極部１０ａは、矩形形状を呈し、誘電体層４の略中央に配置される。引き出し電極部１０ｂは、主電極部１０ａの第１の端面３ｃ側の端部である短辺の略中央から第１の端面３ｃに引き出されるように伸びる。引き出し電極部１０ｂは、その端が第１の端面３ｃに露出し、当該露出した端部で第１の端子電極５に接続される。

第１の内部電極１０が配置される誘電体層４上には、更に内層ダミー電極１２，１４，１６が配置されている。内層ダミー電極１２は、矩形形状を呈し、第１の端面３ｃと第１の側面３ｅとの角部に接するように配置されている。内層ダミー電極１４は、矩形形状を呈し、第１の端面３ｃと第２の側面３ｆとの角部に接するように配置されている。内層ダミー電極１２，１４は、第１の内部電極１０の引き出し電極部１０ｂを第１及び第２の側面３ｅ，３ｆの対向方向に絶縁した状態で挟み込むように配置されている。内層ダミー電極１２，１４は、その端が第１の端面３ｃに露出し、当該露出した端部で第１の端子電極５に接続される。

内層ダミー電極１６は、第１の側面３ｅから第２の側面３ｆに亘って伸びる矩形形状を呈し、第１の内部電極１０の第２の端面３ｄ側の端部と第２の端面３ｄとの間に配置されている。内層ダミー電極１６は、その端が第２の端面３ｄに露出し、当該露出した端部で第２の端子電極７に接続される。図３に示されるように、誘電体層４とその上に配置される内部電極１０及び内層ダミー電極１２，１４，１６とから第１の内層シート１８が構成される。

第２の内部電極２０は、図４に示されるように、主電極部２０ａと、引き出し電極部２０ｂとを有する。主電極部２０ａは、矩形形状を呈し、第１の内部電極１０の主電極部１０ａと誘電体層４を介して積層方向に略全面が対向するように誘電体層４の略中央に配置される。引き出し電極部２０ｂは、主電極部２０ａの第２の端面３ｄ側の端部である短辺の略中央から第２の端面３ｄに引き出されるように伸びる。引き出し電極部２０ｂは、その端が第２の端面３ｄに露出し、当該露出した端部で第２の端子電極７に接続される。

第２の内部電極２０が配置される誘電体層４上には、更に内層ダミー電極２２，２４，２６が配置されている。内層ダミー電極２２は、矩形形状を呈し、第２の端面３ｄと第１の側面３ｅとの角部に接するように配置されている。内層ダミー電極２４は、矩形形状を呈し、第２の端面３ｄと第２の側面３ｆとの角部に接するように配置されている。内層ダミー電極２２，２４は、第２の内部電極２０の引き出し電極部２０ｂを第１及び第２の側面３ｅ，３ｆの対向方向に絶縁した状態で挟み込むように配置されている。内層ダミー電極２２，２４は、その端が第２の端面３ｄに露出し、当該露出した端部で第２の端子電極７に接続される。

内層ダミー電極２６は、第１の側面３ｅから第２の側面３ｆに亘って伸びる矩形形状を呈し、第２の内部電極２０の第１の端面３ｃ側の端部と第１の端面３ｃとの間に配置されている。内層ダミー電極２６は、その端が第１の端面３ｃに露出し、当該露出した端部で第１の端子電極５に接続される。図４に示されるように、誘電体層４とその上に配置された内部電極２０及び内層ダミー電極２２，２４，２６とから第２の内層シート２８が構成される。

第１の外層ダミー電極３０は、図５に示されるように、第１の側面３ｅから第２の側面３ｆに亘って伸びる矩形形状を呈し、誘電体層４の図示左側（第１の端面３ｃ側の部分）に配置されている。第１の外層ダミー電極３０は、その端が第１の端面３ｃに露出し、当該露出した端部で第１の端子電極５に接続される。

第２の外層ダミー電極３２は、第１の外層ダミー電極３０と同一形状を呈しており、第１の側面３ｅから第２の側面３ｆに亘って伸び、誘電体層４の図示右側（第２の端面３ｄ側の部分）に配置されている。第２の外層ダミー電極３２は、その端が第２の端面３ｄに露出し、当該露出した端部で第２の端子電極７に接続される。図５に示されるように、誘電体層４とその上に配置された外層ダミー電極３０，３２とから第１の外層シート３８が構成される。

第１のアンカー電極４０は、図６に示されるように、第１の側面３ｅから第２の側面３ｆに亘って伸びる矩形形状を呈し、誘電体層４の図示左側（第１の端面３ｃ側の部分）に配置されている。第２のアンカー電極４２は、第１のアンカー電極４０と同一形状を呈しており、第１の側面３ｅから第２の側面３ｆに亘って伸び、誘電体層４の図示右側（第２の端面３ｄ側の部分）に配置されている。第１及び第２のアンカー電極４０，４２は、第１及び第２の外層ダミー電極３０，３２と略同一形状を呈している。

上述した内部電極１０，２０、内層ダミー電極１２，１４，１６，２２，２４，２６、外層ダミー電極３０，３２、及びアンカー電極４０，４２のそれぞれは、誘電体層４の前駆体であるセラミックグリーンシート上に誘電体共材を含む電極ペーストを塗布後、焼成等されて形成されるため、所定量のセラミック粉をその内部に含んでいる。外層ダミー電極３０，３２やアンカー電極４０，４２に含まれるセラミック粉の量（体積当たり）は、端子電極５，７とコンデンサ素体３との固着強度を高めるため、内部電極１０，２０等に含まれるセラミック粉の量よりも多くなっている。また、本実施形態では、外層ダミー電極３０，３２とアンカー電極４０，４２とに含まれるセラミック粉の量を略同一としているが、アンカー電極４０，４２に含まれるセラミック粉の量を外層ダミー電極３０，３２に含まれるセラミック粉の量よりも更に多くなる構成としてもよい。

ここで、第２のアンカー電極４２を例にとって、コンデンサ素体３とアンカー電極４２と端子電極７との接続状態について、図７を参照して説明する。図７に示されるように、アンカー電極４２は、その上面４２ａがコンデンサ素体３の外表面に露出するようにコンデンサ素体３に埋め込まれた状態となっており、その上面４２ａがコンデンサ素体３の主面３ａの一部となっている。そして、アンカー電極４２は、当該露出した面４２ａ方向に沿って端子電極７に面接続されるようになっている。

このように、セラミック粉を多く含んでいてコンデンサ素体３との接合強度を高めてあるアンカー電極４２を、コンデンサ素体３に更に埋め込む構成としていることにより、積層コンデンサ１では、コンデンサ素体３と端子電極７との固着強度が高められている。なお、上述した端子電極との接続は、コンデンサ素体３の下面３ｂにおけるアンカー電極４２、コンデンサ素体３の上下面３ａ，３ｂにおけるアンカー電極４０でも同様である。

続いて、上述した構成を有する積層コンデンサ１の製造方法について説明する。

積層コンデンサ１の製造にあたり、まず、誘電体層４を形成するためのセラミックペーストＰ１と、内部電極１０，２０や内層ダミー電極２２等を形成するための内部電極ペーストＰ２と、外層ダミー電極３０，３２やアンカー電極４０，４２といった接続用電極を形成するための電極ペーストＰ３とを準備する。セラミックペーストＰ１は、誘電体層４を構成する誘電体材料の原料に、有機ビヒクルなどを混合・混錬することによって得られる。誘電体材料として、例えばＢａＴｉＯ_３系、Ｂ（Ｔｉ，Ｚｒ）Ｏ_３系、（Ｂａ，Ｃａ）ＴｉＯ_３系といった複合酸化物に含まれる各金属原子の酸化物、炭酸塩、硝酸塩、水酸化物、有機金属化合物などの組み合わせが挙げられる。

内部電極ペーストＰ２は、内部電極１０等を構成するための導電材料と有機ビヒクルとを混合・混練することによって得られる。導電材料としては、例えば、Ｎｉ、Ｃｕなどの卑金属材料やＰｔ，Ａｇなどの貴金属材料が用いられる。内部電極ペーストＰ２には、誘電体共材が所定量含まれている。電極ペーストＰ３は、内部電極ペーストＰ２と略同様の構成であり、ダミー電極３０，３２やアンカー電極４０，４２を構成するための導電材料と有機ビヒクルとを混合・混練することによって得られる。なお、電極ペーストＰ３は、内部電極ペーストＰ２よりも共材の含有量が多くなるように構成されている。

上述したセラミックペーストＰ１、内部電極ペーストＰ２及び電極ペーストＰ３を準備した後、例えばドクタブレード法を用いることにより、ＰＥＴなどからなるキャリアシート上にセラミックペーストＰ１を塗布し、誘電体層４の前駆体であるグリーンシートを生成する。

続いて、グリーンシート上に、例えばスクリーン印刷等を用いて内部電極ペーストＰ２を印刷し、第１の内部電極１０及び内層ダミー電極１２，１４，１６を含む第１の内層シート１８（図３参照）や、第２の内部電極２０及び内層ダミー電極２２，２４，２６を含む第２の内層シート２８（図４参照）を形成する。同様に、グリーンシート上に、例えばスクリーン印刷等を用いて電極ペーストＰ３を印刷し、外層ダミー電極３０，３２を含む第１の外層シート３８（図５参照）や、アンカー電極４０，４２を含む第２の外層シート（図６参照）を形成する。なお、この時点では、外層ダミー電極３０，３２とアンカー電極４０，４２とは平面視、同一形状を呈している。

続いて、図８（ａ）に示されるように、内部電極１０，２０と外層ダミー電極３０，３２とアンカー電極４０，４２といった電極等を積層し、その後、積層方向に加圧して積層体３ｇを得る。これにより、内部電極１０，２０を間に挟んで複数の誘電体層４が積層された素体の外層側に更に外層ダミー電極３０，３２やアンカー電極４０，４２を層状に形成した積層体３ｇの準備が終了する。積層体３ｇでは、図８（ｂ）に示されるように、最外層に配置されるアンカー電極４０，４２と積層体３ｇの上面３ａ_１との距離Ｄ１が、アンカー電極４０，４２や外層ダミー電極３０，３２の厚みＤ２よりも薄くなっており、例えば、厚みＤ２が２．０〜８．０μｍであるのに対し、距離Ｄ１が１．０〜５．０μｍとなっている。

続いて、積層体３ｇの角部等を面取りするためのバレル研磨を行う。このバレル研磨によって、図９に示されるように、積層体３ｇの角部等の面取りが行われると共に、最外層に位置するアンカー電極４０，４２（最外接続用電極）の表面４０ａ，４２ａが露出する。本実施形態では、アンカー電極４０，４２の表面４０ａ，４２ａが確実に積層体３ｇの表面に露出するように、研磨後のアンカー電極４０，４２の厚みＤ３が、接続用電極である外層ダミー電極３０，３２の厚みＤ２よりも薄くなる程度まで研磨を行う。

続いて、バレル研磨された積層体３ｇの脱バインダ処理や焼成を行う。この焼成等により、グリーンシートが誘電体層４となり、コンデンサ素体３が得られる。脱バインダ処理は、グリーンチップである積層体３ｇを空気中、又は、Ｎ_２及びＨ_２の混合ガスなどの還元雰囲気中で、２００〜６００℃程度に加熱することにより行われる。焼成は、脱バインダ処理後のグリーンチップを、例えば還元雰囲気下で１１００〜１３００℃程度に加熱することにより行われる。グリーンチップの焼成後、得られた焼成物に、必要に応じて８００〜１１００℃、２〜１０時間程度のアニール処理を施す。なお、必要に応じて、焼成後のコンデンサ素体３に更にバレル研磨を行ってもよく、２度のバレル研磨により、アンカー電極４０，４２の表面が図９に示されるように露出するようにしてもよい。

続いて、内部電極１０，２０の引き出し部１０ｂ，２０ｂの露出端部と、内層ダミー電極１２，１４，１６，２２，２４，２６の露出端部と、外層ダミー電極３０，３２の露出端部と、表面が露出したアンカー電極４０，４２の当該表面４０ａ，４２ａとに対し、めっき処理を行い、それぞれのめっき伸びを利用して、これら電極を互いに電気的に接続させるようにする。これにより、コンデンサ素体３の外表面に端子電極５，７が形成される。端子電極５，７を構成するめっき層は、例えばＮｉめっき層やＳｎめっき層であり、これらめっき層を形成する方法として通常行われている方法で電気めっき又は無電解めっきを行うことによって形成される。なお、他のめっきを用いてももちろんよい。以上により、図１及び図２に示した積層コンデンサ１が得られる。

以上のように、本実施形態に係る積層コンデンサ１では、アンカー電極４０，４２が、誘電体層４を構成するセラミック粉を含んでおり、コンデンサ素体３内に埋め込まれている。このため、互いに剥離等しやすいコンデンサ素体３と電極（アンカー電極４０，４２及びアンカー電極に接続される端子電極５，７）との接合度合を高めることができる。しかも、アンカー電極４０，４２がセラミック粉を含んでいるので、コンデンサ素体３やアンカー電極４０，４２を焼成等する際の収率の違いによるクラックや層間剥離などの発生も抑止することができる。その結果、積層コンデンサ１によれば、コンデンサ素体３に対する端子電極５，７の固着強度を高めることが可能となる。

積層コンデンサ１は、コンデンサ素体３の外層側にダミー電極３０，３２を更に備えており、アンカー電極４０，４２の厚みＤ３がダミー電極３０，３２の厚みＤ２よりも小さくなっている。このため、アンカー電極４０，４２、ダミー電極３０，３２及び誘電体層４の焼結性を均一にすることができ、耐熱衝撃性や強度アップを図ることができる。

積層コンデンサ１では、アンカー電極４０，４２に含まれるセラミック粉量が内部電極１０，２０のセラミック粉量よりも多い構成となっている。このため、縮率の違いによるクラック等の発生を一層抑えることができ、コンデンサ素体３に対する端子電極５，７の固着強度を更に高めることが可能となる。

積層コンデンサ１では、内部電極１０，２０それぞれの引き出し部１０ｂ，２０ｂ同士をめっきによって接続させることによって端子電極５，７が形成されており、内部電極１０，２０は、端子電極５，７を介して、アンカー電極４０，４２に電気的に接続されている。このため、端子電極５，７に、電極ペーストを焼き付けて形成する焼き付け層が不要となり、焼き付け層による応力を低減できる。また、積層コンデンサ１の薄型化を図ることもできる。

また、積層コンデンサ１の製造方法では、積層体３ｇの研磨工程において、アンカー電極４０，４２の表面４０ａ，４２ａを露出させ、端子電極を形成する工程において、この表面４０ａ，４２ａが露出したアンカー電極４０，４２を内部電極１０，２０の引き出し部１０ｂ，２０ｂやダミー電極３０，３２等に接続させて端子電極５，７を形成するようにしている。このため、コンデンサ素体３に対する端子電極５，７の固着強度を高めた積層コンデンサ１を容易に得ることが可能となる。

積層コンデンサ１の製造方法では、積層体の研磨工程において、バレル研磨によって、アンカー電極４０，４２の表面４０ａ，４２ａを露出させるようにしている。このため、簡易な手段により、アンカー電極４０，４２の表面４０ａ，４２ａを露出させることができる。

積層コンデンサ１の製造方法では、積層体の研磨工程において、アンカー電極４０，４２の厚みＤ３がダミー電極３０，３２の厚みＤ２よりも小さくなるように研磨を行っている。このため、アンカー電極４０，４２、ダミー電極３０，３２、及び誘電体層４の焼結性を均一にすることができ、耐熱衝撃性や強度アップを図った積層コンデンサ１を得ることができる。また、充分に研磨することで確実にアンカー電極４０，４２をコンデンサ素体の上下面３ａ，３ｂに露出させることができるため、アンカー電極４０，４２と端子電極５，７とのコンタクト性や固着性を確実なものとすることができる。

積層コンデンサ１の製造方法では、端子電極を形成する工程において、内部電極１０，２０の引き出し部１０ｂ，２０ｂの端部と、ダミー電極３０，３２の端部と、表面が露出したアンカー電極４０，４２の表面４０ａ，４０ｂとをめっき処理によって電気的に接続させて端子電極５，７を形成している。このため、端子電極５，７を主にめっきによって形成することになり、電極ペーストを焼き付けて形成する焼き付け層が不要となる。その結果、焼き付け層による応力を低減した積層コンデンサ１を得ることができる。

［第２実施形態］
次に、第２実施形態に係る積層コンデンサ５１について説明する。積層コンデンサ５１は、等価直列インダクタンス（ＥＳＬ）を低減させるための構成を有するコンデンサであり、図１０に示されるように、略直方体形状のコンデンサ素体５３と、コンデンサ素体５３の外表面に配置された第１及び第２の端子電極５５，５７とを備えている。積層コンデンサ５１は、更に、図１１に示されるように、コンデンサ素体５３内に配置された第１及び第２の内部電極６０，７０と、コンデンサ素体５３内に配置された第１及び第２の外層ダミー電極８０，８２と、第１及び第２のアンカー電極９０，９２とを備えている。

コンデンサ素体５３は、複数の誘電体層４が積層されて形成され、略直方体形状をなしている。コンデンサ素体５３は、その外表面として、対向する長方形状の第１及び第２の主面５３ａ，５３ｂと、対向する第１及び第２の端面５３ｃ、５３ｄと、対向する第１及び第２の側面５３ｅ，５３ｆとを有する。

第１の端子電極５５は、コンデンサ素体５３の第１及び第２の主面５３ａ，５３ｂの第１の端面５３ｃ側の部分と、第１及び第２の側面５３ｅ，５３ｆの中央部から第１の端面５３ｃ寄りの一部とを覆うように配置されている。第２の端子電極５７は、コンデンサ素体５３の第１及び第２の主面５３ａ，５３ｂの第２の端面５３ｄ側の部分と、第１及び第２の側面５３ｅ，５３ｆの中央部から第２の端面５３ｄ寄りの一部とを覆うように配置されている。第１及び第２の端子電極５５，５７は、第１実施形態と同様、Ｎｉめっき層やＳｎめっき層といっためっき層のみから構成されている。

コンデンサ素体５３の内部には、誘電体層４上に形成される第１の内部電極６０（図１１（ａ）参照）と、別の誘電体層４上に形成される第２の内部電極７０（図１１（ｂ）参照）と、更に別の誘電体層４上に形成される第１及び第２の外層ダミー電極８０，８２（図１１（ｃ）参照）と、更に別の誘電体層４上に形成される第１及び第２のアンカー電極９０，９２（図１１（ｃ）参照）とが積層されて配置されている。第１及び第２の内部電極６０，７０は、誘電体層４の積層方向に対向しており、当該対向する部分で静電容量部を形成する。第１及び第２の内部電極６０，７０の外層には、第１実施形態と同様、第１及び第２の主面５３ａ，５３ｂそれぞれに向かって、第１及び第２の外層ダミー電極８０，８２と、第１及び第２のアンカー電極９０，９２とが順に積層されている。

第１の内部電極６０は、図１１（ａ）に示されるように、主電極部６０ａと、引き出し電極部６０ｂ，６０ｃとを有する。主電極部６０ａは、矩形形状を呈し、誘電体層４の略中央に配置される。引き出し電極部６０ｂは、主電極部６０ａの第１の側面５３ｅ側の端部である長辺の第１の端面５３ｃ寄りの部分から第１の側面５３ｅに引き出されるように伸びる。引き出し電極部６０ｂは、その端が第１の側面５３ｅに露出し、当該露出した端部で第１の端子電極５５に接続される。引き出し電極部６０ｃは、主電極部６０ａの第２の側面５３ｆ側の端部である長辺の第１の端面５３ｃ寄りの部分から第２の側面５３ｆに引き出されるように伸びる。引き出し電極部６０ｃは、その端が第２の側面５３ｆに露出し、当該露出した端部で第１の端子電極５５に接続される。

第１の内部電極６０が配置される誘電体層４上には、更に内層ダミー電極６２，６４が配置されている。内層ダミー電極６２は、矩形形状を呈し、第２の端面５３ｄ寄りの第１の側面５３ｅに接するように配置されている。内層ダミー電極６４は、矩形形状を呈し、第２の端面５３ｄ寄りの第２の側面５３ｆに接するように配置されている。内層ダミー電極６２，６４は、その端がそれぞれ第１又は第２の側面５３ｅ，５３ｆに露出し、当該露出した端部で第２の端子電極５７に接続される。

第２の内部電極７０は、図１１（ｂ）に示されるように、主電極部７０ａと、引き出し電極部７０ｂ，７０ｃとを有する。主電極部７０ａは、矩形形状を呈し、第１の内部電極６０の主電極部６０ａと誘電体層４を介して積層方向に略全面が対向するように誘電体層４の略中央に配置される。引き出し電極部７０ｂは、主電極部７０ａの第１の側面５３ｅ側の端部である長辺の第２の端面５３ｄ寄りの部分から第１の側面５３ｅに引き出されるように伸びる。引き出し電極部７０ｂは、その端が第１の側面５３ｅに露出し、当該露出した端部で第２の端子電極５７に接続される。

引き出し電極部７０ｃは、主電極部７０ａの第２の側面５３ｆ側の端部である長辺の第２の端面５３ｄ寄りの部分から第２の側面５３ｆに引き出されるように伸びる。引き出し電極部７０ｃは、その端が第２の側面５３ｆに露出し、当該露出した端部で第２の端子電極５７に接続される。引き出し電極部７０ｂ，７０ｃは、積層方向において、内層ダミー電極６２，６４と略全面が対向する。

第２の内部電極７０が配置される誘電体層４上には、更に内層ダミー電極７２，７４が配置されている。内層ダミー電極７２は、矩形形状を呈し、第１の端面５３ｃ寄りの第１の側面５３ｅに接するように配置されている。内層ダミー電極７４は、矩形形状を呈し、第１の端面５３ｃ寄りの第２の側面５３ｆに接するように配置されている。内層ダミー電極７２，７４は、その端がそれぞれ第１又は第２の側面５３ｅ，５３ｆに露出し、当該露出した端部で第１の端子電極５５に接続される。内層ダミー電極７２，７４は、積層方向において、引き出し電極部６０ｂ，６０ｃと略全面が対向する。

第１の外層ダミー電極８０は、図１１（ｃ）に示されるように、第１の側面５３ｅから第２の側面５３ｆに亘って伸びる矩形形状を呈し、誘電体層４の図示左側（第１の端面５３ｃ側の部分）に、その左端が第１の端面５３ｃより所定距離離間して配置されている。第１の外層ダミー電極８０は、その端が第１及び第２の側面５３ｅ，５３ｆに露出し、当該露出した端部で第１の端子電極５５に接続される。

第２の外層ダミー電極８２は、第１の側面５３ｅから第２の側面５３ｆに亘って伸びる矩形形状を呈し、誘電体層４の図示右側（第２の端面５３ｄ側の部分）に、その右端が第２の端面５３ｄより所定距離離間して配置されている。第２の外層ダミー電極８２は、その端が第１及び第２の側面５３ｅ，５３ｆに露出し、当該露出した端部で第２の端子電極５７に接続される。

第１のアンカー電極９０は、図１１（ｃ）に示されるように、第１の外層ダミー電極８０と略同一形状を呈し、誘電体層４の図示左側（第１の端面５３ｃ側の部分）に、その左端が第１の端面５３ｃより所定距離離間して配置されている。第２のアンカー電極９２は、第２の外層ダミー電極８２と略同一形状を呈し、誘電体層４の図示右側（第２の端面５３ｄ側の部分）に、その右端が第２の端面５３ｄより所定距離離間して配置されている。

上述した外層ダミー電極８０，８２やアンカー電極９０，９２等は、第１実施形態と同様、所定量のセラミック粉をその内部に含んでいる。また、コンデンサ素体５３とアンカー電極９０，９２と端子電極５５，５７との接続状態についても、第１実施形態と同様であり（図７参照）、例えば、アンカー電極９２が、その上面がコンデンサ素体５３の外表面に露出するようにコンデンサ素体５３に埋め込まれた状態となっており、その上面がコンデンサ素体５３の主面５３ａの一部となっている。そして、アンカー電極９２等は、当該露出した面方向に沿って端子電極５７等に面接続されるようになっている。コンデンサ素体５３の下面５３ｂにおけるアンカー電極９２、コンデンサ素体５３の上下面５３ａ，５３ｂにおけるアンカー電極９０でも同様である。

以上のように、本実施形態に係る積層コンデンサ５１では、アンカー電極９０，９２が、誘電体層４を構成するセラミック粉を含んでおり、コンデンサ素体５３内に埋め込まれている。このため、第１実施形態と同様、互いに剥離等しやすいコンデンサ素体５３と電極（アンカー電極９０，９２及びアンカー電極に接続される端子電極５５，５７）との接合度合を高めることができる。しかも、アンカー電極９０，９２がセラミック粉を含んでいるので、コンデンサ素体５３やアンカー電極９０，９２を焼成等する際の収率の違いによるクラックや層間剥離などの発生も抑止することができる。その結果、積層コンデンサ５１によれば、コンデンサ素体５３に対する端子電極５５，５７の固着強度を高めることが可能となる。

［第３実施形態］
次に、第３実施形態に係る積層コンデンサ１０１について説明する。積層コンデンサ１０１は、貫通コンデンサであり、図１２に示されるように、略直方体形状のコンデンサ素体１０３と、コンデンサ素体１０３の外表面に配置された信号用端子電極１０５，１０７と、コンデンサ素体１０３の外表面に配置された接地用端子電極１０８，１０９とを備えている。積層コンデンサ１０１は、更に、図１３に示されるように、コンデンサ素体１０３内に配置される内部電極１１０，１２０と、コンデンサ素体１０３内に配置される外層ダミー電極１３０，１３２，１３４，１３６と、アンカー電極１４０，１４２，１４４，１４６とを備えている。

コンデンサ素体１０３は、複数の誘電体層４が積層されて形成され、略直方体形状をなしている。コンデンサ素体１０３は、その外表面として、対向する長方形状の第１及び第２の主面１０３ａ，１０３ｂと、対向する第１及び第２の端面１０３ｃ、１０３ｄと、対向する第１及び第２の側面１０３ｅ，１０３ｆとを有する。

信号用端子電極１０５は、コンデンサ素体１０３の第１の端面１０３ｃと、第１及び第２の主面１０３ａ，１０３ｂの第１の端面１０３ｃ側の一部とを覆うように配置されている。信号用端子電極１０７は、コンデンサ素体１０３の第２の端面１０３ｄと、第１及び第２の主面１０３ａ，１０３ｂの第２の端面１０３ｄ側の一部とを覆うように配置されている。接地用端子電極１０８は、コンデンサ素体１０３の第１の側面１０３ｅの中央部と、第１及び第２の主面１０３ａ，１０３ｂの第１の側面１０３ｅ側の中央部とを覆うように配置されている。接地用端子電極１０９は、コンデンサ素体１０３の第２の側面１０３ｆの中央部と、第１及び第２の主面１０３ａ，１０３ｂの第２の側面１０３ｆ側の中央部とを覆うように配置されている。各端子電極１０５，１０７〜１０９は、他の実施形態と同様、Ｎｉめっき層やＳｎめっき層といっためっき層のみから構成されている。

コンデンサ素体１０３の内部には、誘電体層４上に形成される信号用内部電極１１０（図１３（ａ）参照）と、別の誘電体層４上に形成される接地用内部電極１２０（図１３（ｂ）参照）と、更に別の誘電体層４上に形成される外層ダミー電極１３０，１３２，１３４，１３６（図１３（ｃ）参照）と、更に別の誘電体層４上に形成されるアンカー電極１４０，１４２，１４４，１４６（図１３（ｃ）参照）とが積層されて配置されている。内部電極１１０，１２０は、誘電体層４の積層方向に対向しており、当該対向する部分で静電容量部を形成する。また、内部電極１１０，１２０の外層には、第１実施形態等と同様、第１及び第２の主面１０３ａ，１０３ｂそれぞれに向かって、外層ダミー電極１３０等と、アンカー電極１４０等とが順に積層されている。

信号用内部電極１１０は、図１３（ａ）に示されるように、主電極部１１０ａと、引き出し電極部１１０ｂ，１１０ｃとを有する。主電極部１１０ａは、矩形形状を呈し、誘電体層４の略中央に配置される。引き出し電極部１１０ｂは、主電極部１１０ａの第１の端面１０３ｃ側の端部から同じ幅で第１の端面１０３ｃに引き出されるように伸びる。引き出し電極部１１０ｂは、その端が第１の端面１０３ｃに露出し、当該露出した端部で信号用端子電極１０５に接続される。引き出し電極部１１０ｃは、主電極部１１０ａの第２の端面１０３ｄ側の端部から同じ幅で第２の端面１０３ｄに引き出されるように伸びる。引き出し電極部１１０ｃは、その端が第２の端面１０３ｄに露出し、当該露出した端部で信号用端子電極１０７に接続される。

信号用内部電極１１０が配置される誘電体層４上には、更に内層ダミー電極１１２，１１４が配置されている。内層ダミー電極１１２は、矩形形状を呈し、第１の側面１０３ｅの中央部に接するように配置されている。内層ダミー電極１１４は、矩形形状を呈し、第２の側面１０３ｆの中央部に接するように配置されている。内層ダミー電極１１２，１１４は、その端がそれぞれ第１又は第２の側面１０３ｅ，１０３ｆに露出し、当該露出した端部で接地用端子電極１０８又は１０９に接続される。

接地用内部電極１２０は、図１３（ｂ）に示されるように、主電極部１２０ａと、引き出し電極部１２０ｂ，１２０ｃとを有する。主電極部１２０ａは、矩形形状を呈し、内部電極１１０の主電極部１１０ａと誘電体層４を介して積層方向に略全面が対向するように誘電体層４の略中央に配置される。引き出し電極部１２０ｂは、主電極部１２０ａの第１の側面１０３ｅ側の端部である長辺の中央部から第１の側面１０３ｅに引き出されるように伸びる。引き出し電極部１２０ｂは、その端が第１の側面１０３ｅに露出し、当該露出した端部で接地用端子電極１０８に接続される。

引き出し電極部１２０ｃは、主電極部１２０ａの第２の側面１０３ｆ側の端部である長辺の中央部から第２の側面１０３ｆに引き出されるように伸びる。引き出し電極部１２０ｃは、その端が第２の側面１０３ｆに露出し、当該露出した端部で接地用端子電極１０９に接続される。引き出し電極部１２０ｂ，１２０ｃは、積層方向において、内層ダミー電極１１２，１１４と略全面が対向する。

内部電極１２０が配置される誘電体層４上には、更に内層ダミー電極１２２，１２４が配置されている。内層ダミー電極１２２は、矩形形状を呈し、第１の端面１０３ｃに接するように配置されている。内層ダミー電極１２４は、矩形形状を呈し、第２の端面１０３ｄに接するように配置されている。内層ダミー電極１２２，１２４は、その端がそれぞれ第１又は第２の端面１０３ｃ，１０３ｄに露出し、当該露出した端部で信号用端子電極１０５又は１０７に接続される。内層ダミー電極１２２，１２４は、積層方向において、引き出し電極部１１０ｂ，１１０ｃと略全面が対向する。

外層ダミー電極１３０は、図１３（ｃ）に示されるように、矩形形状を呈し、第１の端面１０３ｃに接するように配置されている。外層ダミー電極１３２は、矩形形状を呈し、第２の端面１０３ｄに接するように配置されている。外層ダミー電極１３０，１３２は、その端がそれぞれ第１又は第２の端面１０３ｃ，１０３ｄに露出し、当該露出した端部で信号用端子電極１０５又は１０７に接続される。また、外層ダミー電極１３４は、矩形形状を呈し、第１の側面１０３ｅの中央部に接するように配置されている。外層ダミー電極１３６は、矩形形状を呈し、第２の側面１０３ｆの中央部に接するように配置されている。外層ダミー電極１３４，１３６は、その端がそれぞれ第１又は第２の側面１０３ｅ，１０３ｆに露出し、当該露出した端部で接地用端子電極１０８又は１０９に接続される。

アンカー電極１４０は、図１３（ｃ）に示されるように、外層ダミー電極１３０と略同一形状を呈している。アンカー電極１４２は、外層ダミー電極１３２と略同一形状を呈している。アンカー電極１４４は、外層ダミー電極１３４と略同一形状を呈している。アンカー電極１４６は、外層ダミー電極１３６と略同一形状を呈している。

上述した外層ダミー電極１３０，１３２やアンカー電極１４０，１４２等は、第１実施形態等と同様、所定量のセラミック粉をその内部に含んでいる。また、コンデンサ素体１０３とアンカー電極１４０，１４２，１４４，１４６と端子電極１０５，１０７〜１０９との接続状態についても、第１実施形態と同様であり（図７参照）、例えば、アンカー電極１４２が、その上面がコンデンサ素体１０３の外表面に露出するようにコンデンサ素体１０３に埋め込まれた状態となっており、その上面がコンデンサ素体１０３の主面１０３ａの一部となっている。そして、アンカー電極１４２等は、当該露出した面方向に沿って端子電極１０７等に面接続されるようになっている。コンデンサ素体１０３の下面１０３ｂにおけるアンカー電極１４２、コンデンサ素体５３の上下面１０３ａ，１０３ｂにおけるアンカー電極１４０，１４４，１４６でも同様である。

以上のように、本実施形態に係る積層コンデンサ１０１では、アンカー電極１４０，１４２，１４４，１４６が、誘電体層４を構成するセラミック粉を含んでおり、コンデンサ素体１０３内に埋め込まれている。このため、第１実施形態等と同様、互いに剥離等しやすいコンデンサ素体１０３と電極（アンカー電極１４０，１４２及びアンカー電極に接続される端子電極１０５，１０７〜１０９）との接合度合を高めることができる。しかも、アンカー電極１４０等がセラミック粉を含んでいるので、コンデンサ素体１０３やアンカー電極１４０等を焼成等する際の収率の違いによるクラックや層間剥離などの発生も抑止することができる。その結果、積層コンデンサ１０１によれば、コンデンサ素体１０３に対する端子電極１０５，１０７〜１０９の固着強度を高めることが可能となる。

［第４実施形態］
次に、第４実施形態に係る積層コンデンサ１５１について説明する。積層コンデンサ１５１は、多端子コンデンサであり、図１４に示されるように、略直方体形状のコンデンサ素体１５３と、コンデンサ素体１５３の外表面に配置された端子電極１５５ａ〜１５５ｄ，１５７ａ〜１５７ｄとを備えている。積層コンデンサ１５１は、更に、図１５に示されるように、コンデンサ素体１５３内に配置される内部電極１６０，１７０と、コンデンサ素体１５３内に配置される外層ダミー電極１８０〜１８７と、アンカー電極１９０〜１９７とを備えている。

コンデンサ素体１５３は、複数の誘電体層４が積層されて形成され、略直方体形状をなしている。コンデンサ素体１５３は、その外表面として、対向する長方形状の第１及び第２の主面１５３ａ，１５３ｂと、対向する第１及び第２の端面１５３ｃ、１５３ｄと、対向する第１及び第２の側面１５３ｅ，１５３ｆとを有する。

端子電極１５５ａ〜１５５ｄは、コンデンサ素体１５３の第１の主面１５３ａから第２の主面１５３ｂに亘って第１の側面１５３ｅを、第１の端面１５３ｃから第２の端面１５３ｄに向かって順に覆うように、それぞれが離間して配置されている。端子電極１５７ａ〜１５７ｄは、コンデンサ素体１５３の第１の主面１５３ａから第２の主面１５３ｂに亘って第２の側面１５３ｆを、第１の端面１５３ｃから第２の端面１５３ｄに向かって順に覆うように、それぞれが離間して配置されている。各端子電極１５５ａ〜１５５ｄ，１５７ａ〜１５７ｄは、他の実施形態と同様、Ｎｉめっき層やＳｎめっき層といっためっき層のみから構成されている。

コンデンサ素体１５３の内部には、誘電体層４上に形成される内部電極１６０（図１５（ａ）参照）と、別の誘電体層４上に形成される内部電極１７０（図１５（ｂ）参照）と、更に別の誘電体層４上に形成される外層ダミー電極１８０〜１８７（図１５（ｃ）参照）と、更に別の誘電体層４上に形成されるアンカー電極１９０〜１９７（図１５（ｃ）参照）とが積層されて配置されている。内部電極１６０，１７０は、誘電体層４の積層方向に対向しており、当該対向する部分で静電容量部を形成する。内部電極１６０，１７０の外層には、第１実施形態等と同様、第１及び第２の主面１５３ａ，１５３ｂそれぞれに向かって、外層ダミー電極１８０〜１８７と、アンカー電極１９０〜１９７とが順に積層されている。

内部電極１６０は、図１５（ａ）に示されるように、主電極部１６０ａと、引き出し電極部１６０ｂ〜１６０ｅとを有する。主電極部１６０ａは、矩形形状を呈し、誘電体層４の略中央に配置される。引き出し電極部１６０ｂ，１６０ｃは、主電極部１６０ａの第１の側面１５３ｅ側の端部から第１の側面１５３ｅに引き出されるように伸びる。引き出し電極部１６０ｂ，１６０ｃは、その端が第１の側面１５３ｅに露出し、当該露出した端部で端子電極１５５ｂ又は１５５ｄに接続される。引き出し電極部１６０ｄ，１６０ｅは、主電極部１６０ａの第２の側面１５３ｆ側の端部から第２の側面１５３ｆに引き出されるように伸びる。引き出し電極部１６０ｄ，１６０ｅは、その端が第２の側面１５３ｆに露出し、当該露出した端部で端子電極１５７ａ又は１５７ｃに接続される。

内部電極１６０が配置される誘電体層４上には、更に内層ダミー電極１６２，１６４，１６６，１６８が配置されている。内層ダミー電極１６２は、矩形形状を呈し、第１の側面１５３ｅの第１の端面１５３ｃ側の部分に接するように配置されている。内層ダミー電極１６４は、矩形形状を呈し、第１の側面１５３ｅの中央部から第２の端面１５３ｄ寄りの部分に接するように配置されている。内層ダミー電極１６２，１６４は、その端が第１の側面１５３ｅに露出し、当該露出した端部で端子電極１５５ａ又は１５５ｃに接続される。内層ダミー電極１６６は、矩形形状を呈し、第２の側面１５３ｆの中央部から第１の端面１５３ｃ寄りの部分に接するように配置されている。内層ダミー電極１６８は、矩形形状を呈し、第２の側面１５３ｆの第２の端面１５３ｄ側の部分に接するように配置されている。内層ダミー電極１６６，１６８は、その端が第２の側面１５３ｆに露出し、当該露出した端部で端子電極１５７ｂ又は１５７ｄに接続される。

内部電極１７０は、図１５（ｂ）に示されるように、主電極部１７０ａと、引き出し電極部１７０ｂ〜１７０ｅとを有する。主電極部１７０ａは、矩形形状を呈し、内部電極１６０の主電極部１６０ａと誘電体層４を介して積層方向に略全面が対向するように誘電体層４の略中央に配置される。引き出し電極部１７０ｂ，１７０ｃは、主電極部１７０ａの第１の側面１５３ｅ側の端部から第１の側面１５３ｅに引き出されるように伸びる。引き出し電極部１７０ｂ，１７０ｃは、その端が第１の側面１５３ｅに露出し、当該露出した端部で端子電極１５５ａ又は１５５ｃに接続される。引き出し電極部１７０ｄ，１７０ｅは、主電極部１７０ａの第２の側面１５３ｆ側の端部から第２の側面１５３ｆに引き出されるように伸びる。引き出し電極部１７０ｄ，１７０ｅは、その端が第２の側面１５３ｆに露出し、当該露出した端部で端子電極１５７ｂ又は１５７ｄに接続される。

内部電極１７０が配置される誘電体層４上には、更に内層ダミー電極１７２，１７４，１７６，１７８が配置されている。内層ダミー電極１７２は、矩形形状を呈し、第１の側面１５３ｅの中央部から第１の端面１５３ｃ寄りの部分に接するように配置されている。内層ダミー電極１７４は、矩形形状を呈し、第１の側面１５３ｅの第２の端面１５３ｄ側の部分に接するように配置されている。内層ダミー電極１７２，１７４は、その端が第１の側面１５３ｅに露出し、当該露出した端部で端子電極１５５ｂ又は１５５ｄに接続される。内層ダミー電極１７２，１７４それぞれは、積層方向において、引き出し電極部１６０ｂ又は１６０ｃと略全面が対向する。

内層ダミー電極１７６は、矩形形状を呈し、第２の側面１５３ｆの第１の端面１５３ｃ側の部分に接するように配置されている。内層ダミー電極１７８は、矩形形状を呈し、第２の側面１５３ｆの中央部から第２の端面１５３ｄ寄りの部分に接するように配置されている。内層ダミー電極１７６，１７８は、その端が第２の側面１５３ｆに露出し、当該露出した端部で端子電極１５７ａ又は１５７ｃに接続される。内層ダミー電極１７６，１７８それぞれは、積層方向において、引き出し電極部１６０ｄ又は１６０ｅと略全面が対向する。

外層ダミー電極１８０〜１８３は、図１５（ｃ）に示されるように、矩形形状を呈し、第１の側面１５３ｅに順に接するように配置されている。外層ダミー電極１８４〜１８７は、矩形形状を呈し、第２の側面１５３ｆに順に接するように配置されている。外層ダミー電極１８０〜１８３は、その端がそれぞれ第１の側面１５３ｅに露出し、当該露出した端部で端子電極１５５ａ〜１５５ｄにそれぞれ接続される。外層ダミー電極１８４〜１８７は、その端がそれぞれ第２の側面１５３ｆに露出し、当該露出した端部で端子電極１５７ａ〜１５７ｄにそれぞれ接続される。

アンカー電極１９０〜１９３は、図１５（ｃ）に示されるように、外層ダミー電極１８０〜１８３と略同一形状を呈している。アンカー電極１９４〜１９７は、外層ダミー電極１８４〜１８７と略同一形状を呈している。

上述した外層ダミー電極１８０〜１８７やアンカー電極１９０〜１９７は、第１実施形態等と同様、所定量のセラミック粉をその内部に含んでいる。また、コンデンサ素体１５３とアンカー電極１９０〜１９７と端子電極１５５ａ〜１５５ｄ，１５７ａ〜１５７ｄとの接続状態についても、第１実施形態と同様であり（図７参照）、例えば、アンカー電極１９０が、その上面がコンデンサ素体１５３の外表面に露出するようにコンデンサ素体１５３に埋め込まれた状態となっており、その上面がコンデンサ素体１５３の主面１５３ａの一部となっている。そして、アンカー電極１９０等は、当該露出した面方向に沿って端子電極１５５ａ等に面接続されるようになっている。コンデンサ素体１５３の下面１５３ｂにおけるアンカー電極１９０、コンデンサ素体１５３の上下面１５３ａ，１５３ｂにおけるアンカー電極１９１〜１９７でも同様である。

以上のように、本実施形態に係る積層コンデンサ１５１では、アンカー電極１９０〜１９７が、誘電体層４を構成するセラミック粉を含んでおり、コンデンサ素体１５３内に埋め込まれている。このため、第１実施形態等と同様、互いに剥離等しやすいコンデンサ素体１５３と電極（アンカー電極１９０〜１９７及びアンカー電極に接続される端子電極１５５ａ〜１５５ｄ，１５７ａ〜１５７ｄ）との接合度合を高めることができる。しかも、アンカー電極１９０等がセラミック粉を含んでいるので、コンデンサ素体１５３やアンカー電極１９０等を焼成等する際の収率の違いによるクラックや層間剥離などの発生も抑止することができる。その結果、積層コンデンサ１５１によれば、コンデンサ素体１５３に対する端子電極１５５ａ〜１５５ｄ，１５７ａ〜１５７ｄの固着強度を高めることが可能となる。

［第５実施形態］
次に、第５実施形態に係る積層コンデンサ２０１について説明する。積層コンデンサ２０１は、ＥＳＲ制御部を備えたコンデンサであり、図１６に示されるように、略直方体形状のコンデンサ素体２０３と、コンデンサ素体２０３の外表面に配置された端子電極２０５，２０７と、コンデンサ素体２０３の外表面に配置された外部接続導体２０８，２０９とを備えている。積層コンデンサ２０１は、更に、図１７に示されるように、コンデンサ素体２０３内に配置される内部電極２１０，２２０と、コンデンサ素体２０３内に配置される制御用内部電極２３０，２４０と、コンデンサ素体２０３内に配置される外層ダミー電極２５０，２５２と、アンカー電極２６０，２６２とを備えている。

コンデンサ素体２０３は、複数の誘電体層４が積層されて形成され、略直方体形状をなしている。コンデンサ素体２０３は、その外表面として、対向する長方形状の第１及び第２の主面２０３ａ，２０３ｂと、対向する第１及び第２の端面２０３ｃ、２０３ｄと、対向する第１及び第２の側面２０３ｅ，２０３ｆとを有する。

端子電極２０５は、コンデンサ素体２０３の第１の端面２０３ｃと、第１及び第２の主面２０３ａ，２０３ｂの第１の端面２０３ｃ側の一部と、第１及び第２の側面２０３ｅ，２０３ｆの第１の端面２０３ｃ側の一部とを覆うように配置されている。端子電極２０７は、コンデンサ素体２０３の第２の端面２０３ｄと、第１及び第２の主面２０３ａ，２０３ｂの第２の端面２０３ｄ側の一部と、第１及び第２の側面２０３ｅ，２０３ｆの第２の端面２０３ｄ側の一部とを覆うように配置されている。外部接続導体２０８は、コンデンサ素体２０３の第１の側面２０３ｅの中央部を覆うように配置されている。外部接続導体２０９は、コンデンサ素体２０３の第２の側面２０３ｆの中央部を覆うように配置されている。なお、外部接続導体２０８，２０９は、第１及び第２の主面２０３ａ，２０３ｂには形成されていない。端子電極２０５，２０７や外部接続導体２０８，２０９は、他の実施形態と同様、Ｎｉめっき層やＳｎめっき層といっためっき層のみから構成されている。

コンデンサ素体２０３の内部には、誘電体層４上に形成される内部電極２１０（図１７（ａ）参照）と、別の誘電体層４上に形成される内部電極２２０（図１７（ｂ）参照）と、更に別の誘電体層４上に形成される制御用内部電極２３０（図１７（ｃ）参照）と、更に別の誘電体層４上に形成される制御用内部電極２４０（図１７（ｄ）参照）と、更に別の誘電体層４上に形成される外層ダミー電極２５０，２５２（図１７（ｅ）参照）と、更に別の誘電体層４上に形成されるアンカー電極２６０，２６２（図１７（ｅ）参照）とが積層されて配置されている。内部電極２１０，２２０は、誘電体層４の積層方向に対向しており、当該対向する部分で静電容量部を形成する。内部電極１６０，１７０の外層には、制御用内部電極２３０，２４０が積層されており、更にその外層には、第１実施形態等と同様、第１及び第２の主面２０３ａ，２０３ｂそれぞれに向かって、外層ダミー電極２５０，２５２と、アンカー電極２６０，２６２とが順に積層されている。

内部電極２１０は、図１７（ａ）に示されるように、主電極部２１０ａと、引き出し電極部２１０ｂとを有する。主電極部２１０ａは、矩形形状を呈し、誘電体層４の略中央に配置される。引き出し電極部２１０ｂは、主電極部２１０ａの第１の側面２０３ｅ側の端部中央から第１の側面２０３ｅに引き出されるように伸びる。引き出し電極部２１０ｂは、その端が第１の側面２０３ｅに露出し、当該露出した端部で外部接続導体２０８に接続される。

内部電極２１０が配置される誘電体層４上には、更に内層ダミー電極２１２，２１４，２１６が配置されている。内層ダミー電極２１２は、矩形形状を呈し、第１の端面２０３ｃに接するように配置されている。内層ダミー電極２１４は、矩形形状を呈し、第２の端面２０３ｄに接するように配置されている。内層ダミー電極２１２，２１４は、その端が第１の端面２０３ｃ又は２０３ｄに露出し、当該露出した端部で端子電極２０５又は２０７に接続される。内層ダミー電極２１６は、矩形形状を呈し、第２の側面２０３ｆの中央部に接するように配置されている。内層ダミー電極２１６は、その端が第２の側面２０３ｆに露出し、当該露出した端部で外部接続導体２０９に接続される。

内部電極２２０は、図１７（ｂ）に示されるように、主電極部２２０ａと、引き出し電極部２２０ｂとを有する。主電極部２２０ａは、矩形形状を呈し、内部電極２１０の主電極部２１０ａと誘電体層４を介して積層方向に略全面が対向するように誘電体層４の略中央に配置される。引き出し電極部２２０ｂは、主電極部２２０ａの第２の側面２０３ｆ側の端部中央から第２の側面２０３ｆに引き出されるように伸びる。引き出し電極部２２０ｂは、その端が第２の側面２０３ｆに露出し、当該露出した端部で外部接続導体２０９に接続される。

内部電極２２０が配置される誘電体層４上には、更に内層ダミー電極２２２，２２４，２２６が配置されている。内層ダミー電極２２２は、矩形形状を呈し、第１の端面２０３ｃに接するように配置されている。内層ダミー電極２２４は、矩形形状を呈し、第２の端面２０３ｄに接するように配置されている。内層ダミー電極２２２，２２４は、その端が第１の端面２０３ｃ又は２０３ｄに露出し、当該露出した端部で端子電極２０５又は２０７に接続される。内層ダミー電極２２２，２２４それぞれは、積層方向において、内層ダミー電極２１２又は２１４と略全面が対向する。内層ダミー電極２２６は、矩形形状を呈し、第１の側面２０３ｅの中央部に接するように配置されている。内層ダミー電極２２６は、その端が第１の側面２０３ｅに露出し、当該露出した端部で外部接続導体２０８に接続される。内層ダミー電極２２６は、積層方向において、引き出し電極部２１０ｂと略全面が対向する。

制御用内部電極２３０は、図１７（ｃ）に示されるように、引き回し電極部２３０ａと、引き出し電極部２３０ｂとを有する。引き回し電極部２３０ａは、Ｌ字形状を呈し、誘電体層４の略中央から第２の端面２０３ｄ寄りに配置される。引き出し電極部２３０ｂは、引き回し電極部２３０ａの第２の端面２０３ｄ側の端部から第２の端面２０３ｄに引き出されるように伸びる。引き出し電極部２３０ｂは、その端が第２の端面２０３ｄに露出し、当該露出した端部で端子電極２０７に接続される。

制御用内部電極２３０が配置される誘電体層４上には、更に内層ダミー電極２３２，２３４が配置されている。内層ダミー電極２３２は、矩形形状を呈し、第１の端面２０３ｃに接するように配置されている。内層ダミー電極２３２は、その端が第１の端面２０３ｃに露出し、当該露出した端部で端子電極２０５に接続される。内層ダミー電極２３４は、矩形形状を呈し、第１の側面２０３ｅの中央部に接するように配置されている。内層ダミー電極２３４は、その端が第１の側面２０３ｅに露出し、当該露出した端部で外部接続導体２０８に接続される。内層ダミー電極２３４は、積層方向において、引き出し電極部２１０ｂ等と略全面が対向する。

制御用内部電極２４０は、図１７（ｄ）に示されるように、引き回し電極部２４０ａと、引き出し電極部２４０ｂとを有する。引き回し電極部２４０ａは、Ｌ字形状を呈し、誘電体層４の略中央から第１の端面２０３ｃ寄りに配置される。引き出し電極部２４０ｂは、引き回し電極部２４０ａの第１の端面２０３ｃ側の端部から第１の端面２０３ｃに引き出されるように伸びる。引き出し電極部２４０ｂは、その端が第１の端面２０３ｃに露出し、当該露出した端部で端子電極２０５に接続される。

制御用内部電極２４０が配置される誘電体層４上には、更に内層ダミー電極２４２，２４４が配置されている。内層ダミー電極２４２は、矩形形状を呈し、第２の端面２０３ｄに接するように配置されている。内層ダミー電極２４２は、その端が第２の端面２０３ｄに露出し、当該露出した端部で端子電極２０７に接続される。内層ダミー電極２４４は、矩形形状を呈し、第２の側面２０３ｆの中央部に接するように配置されている。内層ダミー電極２４４は、その端が第２の側面２０３ｆに露出し、当該露出した端部で外部接続導体２０９に接続される。内層ダミー電極２４４は、積層方向において、引き出し電極部２２０ｂ等と略全面が対向する。

外層ダミー電極２５０は、図１７（ｅ）に示されるように、第１の側面２０３ｅから第２の側面２０３ｆに亘って伸びる矩形形状を呈し、誘電体層４の図示左側に配置されている。外層ダミー電極２５０は、その端が第１の端面２０３ｃと、第１及び第２の側面２０３ｅ，２０３ｆの第１の端面２０３ｃ側の部分とに露出し、当該露出した端部で端子電極２０５に接続される。外層ダミー電極２５２は、第１の側面２０３ｅから第２の側面２０３ｆに亘って伸びる矩形形状を呈し、誘電体層４の図示右側に配置されている。外層ダミー電極２５２は、その端が第２の端面２０３ｄと、第１及び第２の側面２０３ｅ，２０３ｆの第２の端面２０３ｄ側の部分とに露出し、当該露出した端部で端子電極２０７に接続される。

アンカー電極２６０は、図１７（ｅ）に示されるように、外層ダミー電極２５０と略同一形状を呈している。アンカー電極２６２は、外層ダミー電極２５２と略同一形状を呈している。

上述した外層ダミー電極２５０，２５２やアンカー電極２６０，２６２は、第１実施形態等と同様、所定量のセラミック粉をその内部に含んでいる。また、コンデンサ素体２０３とアンカー電極２６０，２６２と端子電極２０５，２０７との接続状態についても、第１実施形態と同様であり（図７参照）、例えば、アンカー電極２６０が、その上面がコンデンサ素体２０３の外表面に露出するようにコンデンサ素体２０３に埋め込まれた状態となっており、その上面がコンデンサ素体２０３の主面２０３ａの一部となっている。そして、アンカー電極２６０等は、当該露出した面方向に沿って端子電極２０５等に面接続されるようになっている。コンデンサ素体２０３の下面２０３ｂにおけるアンカー電極２６０、コンデンサ素体２０３の上下面２０３ａ，２０３ｂにおけるアンカー電極２６２でも同様である。

以上のように、本実施形態に係る積層コンデンサ２０１では、アンカー電極２６０，２６２が、誘電体層４を構成するセラミック粉を含んでおり、コンデンサ素体２０３内に埋め込まれている。このため、第１実施形態等と同様、互いに剥離等しやすいコンデンサ素体２０３と電極（アンカー電極２６０，２６２及びアンカー電極に接続される端子電極２０５，２０７）との接合度合を高めることができる。しかも、アンカー電極２６０等がセラミック粉を含んでいるので、コンデンサ素体２０３やアンカー電極２６０等を焼成等する際の収率の違いによるクラックや層間剥離などの発生も抑止することができる。その結果、積層コンデンサ２０１によれば、コンデンサ素体２０３に対する端子電極２０５，２０７の固着強度を高めることが可能となる。

また、積層コンデンサ２０１で、コンデンサ素体２０３の外表面に配置され且つ実装用の回路基板に接続されない外部接続導体２０８，２０９を更に備えている。そして、これら外部接続導体２０８，２０９が、コンデンサ素体２０３の基板実装面（下面２０３ｂ）側に形成されない構成となっている。このため、積層コンデンサ２０１では、誤って外部接続導体２０８，２０９を基板に実装してしまうことを防止することができる。

以上、本発明の好適な実施形態について詳細に説明したが、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、種々の変形が可能である。例えば、第１実施形態等では、図２に示されるように、端子電極５，７をめっき層のみから構成するようにしたが、図１８に示されるように、コンデンサ素体３の端面３ｃ，３ｄにまずＣｕ等の金属粉末を含む導電性ペーストを塗布して焼き付け処理を行って焼き付け層５ａ，７ａを形成し、その上に、めっき層５ｂ，７ｂを形成して、Ｌ字端子となる端子電極５ｃ，７ｃを形成するようにしてもよい。

この場合、外層ダミー電極３０，３２やアンカー電極４０，４２を実装面（下面３ｂ）側にのみ設けており、また、端子電極５ｃ，７ｃが下面にのみ形成されているため、焼き付け層５ａ，７ａを介して、内部電極１０，２０の引き出し部とアンカー電極４０，４２とが接続されて、断面Ｌ字型の端子電極を容易に形成することができる。しかも、一部を焼き付け層５ａ，７ａとしていることにより、内部電極１０，２０の引き出し部とアンカー電極４０，４２との電気的接続性や固着強度をより向上させることもできる。

また、第１実施形態等では、外層ダミー電極３０，３２やアンカー電極４０，４２の厚みを、内部電極１０，２０の厚みと略同等として説明してきたが、外層ダミー電極３０，３２やアンカー電極４０，４２等の厚みを、内部電極１０等に比べて厚くするようにしてもよい。外層ダミー電極３０等を厚くすることにより、端子電極５，７をより確実に形成することができ、またアンカー電極４０等を厚くすることにより、コンデンサ素体３と端子電極５，７との固着強度をより一層、強固なものにすることができる。また、アンカー電極４０等に含まれる粒子の粒径が、内部電極１０等に含まれる粒子の粒径よりも大きくなるようにしてもよい。この場合、バレル研磨によって表層の誘電体層４を削りやすくなり、アンカー電極４０等を表面に露出させやすくなる。

１，５１，１０１，１５１，２０１，３０１…積層コンデンサ、３，５３，１０３，１５３，２０３…コンデンサ素体、４…誘電体層、５，７，５ｃ，７ｃ，５５，５７，１０５，１０７〜１０９，１５５ａ〜ｄ，１５７ａ〜ｄ，２０５，２０７…端子電極、１０，２０，６０，７０，１１０，１２０，１６０，１７０，２１０，２２０…内部電極、３０，３２，８０，８２，１３０，１３２，１３４，１３６，１８０〜１８７，２５０，２５２…外層ダミー電極、４０，４２，９０，９２，１４０，１４２，１４４，１４６，１９０〜１９７，２６０，２６２…アンカー電極。

Claims (12)

1. 複数の誘電体層が積層された素体と、
   前記素体内に配置された内部電極と、
   前記素体の外表面に配置され且つ前記内部電極に接続された端子電極と、
   前記誘電体層の積層方向に対して交差する面方向に広がり、当該面方向に沿って前記端子電極に接続されたアンカー電極と、を備え、
   前記アンカー電極は、前記誘電体層を構成する誘電体成分を含んでおり、少なくとも一部が前記素体内に埋め込まれていることを特徴とする積層電子部品。
2. 前記素体の外層側にダミー電極を更に備えており、前記アンカー電極の厚みが前記ダミー電極の厚み以下であることを特徴とする請求項１に記載の積層電子部品。
3. 前記誘電体成分はセラミック粉であり、
   前記アンカー電極に含まれるセラミック粉量が前記ダミー電極のセラミック粉量よりも多いことを特徴とする請求項２に記載の積層電子部品。
4. 前記誘電体成分はセラミック粉であり、
   前記アンカー電極に含まれるセラミック粉量が前記内部電極のセラミック粉量よりも多いことを特徴とする請求項１〜３の何れか一項に記載の積層電子部品。
5. 前記内部電極は複数の電極から構成されており、前記内部電極それぞれの引き出し部同士をめっきによって接続させることによって前記端子電極が形成されており、
   前記内部電極は、前記端子電極を介して、前記アンカー電極に電気的に接続されていることを特徴とする請求項１〜４の何れか一項に記載の積層電子部品。
6. 前記端子電極は焼き付け層を含んでおり、前記焼き付け層を介して、前記内部電極の引き出し部と前記アンカー電極とが接続されていることを特徴とする請求項１〜５の何れか一項に記載の積層電子部品。
7. 前記素体の外表面に配置され且つ実装用の回路基板に接続されない外部接続導体を更に備え、
   前記外部接続導体は、前記素体の基板実装面側には形成されていないことを特徴とする請求項１〜６の何れか一項に記載の積層電子部品。
8. 内部電極を間に挟んで複数の誘電体層が積層された素体の外層側に更に複数の接続用電極が層状に形成された積層体を準備する工程と、
   前記積層体を研磨することで、前記複数の接続用電極の内、外側に配置されている外側接続用電極の表面を露出させる工程と、
   前記内部電極の引き出し部と、前記外側接続用電極を除く前記複数の接続用電極と、前記表面が露出した外側接続用電極とを電気的に接続させるように端子電極を形成する工程と、を備えたことを特徴とする積層電子部品の製造方法。
9. 前記積層体の研磨工程では、バレル研磨によって、前記外側用接続電極の表面を露出させることを特徴とする請求項８に記載の積層電子部品の製造方法。
10. 前記積層体の研磨工程では、前記外側接続用電極の厚みが他の接続用電極の厚み以下となるように研磨を行うことを特徴とする請求項８又は９に記載の積層電子部品の製造方法。
11. 前記端子電極を形成する工程では、前記内部電極の引き出し部の端部と、前記外側接続用電極を除く前記複数の接続用電極の端部と、前記表面が露出した外側接続用電極の当該表面とをめっき処理によって電気的に接続させて前記端子電極を形成することを特徴とする請求項８〜１０の何れか一項に記載の積層電子部品の製造方法。
12. 前記外側接続用電極は、前記複数の接続用電極の内、前記素体の最外層に配置されていることを特徴とする請求項８〜１１の何れか一項に記載の積層電子部品の製造方法。
    

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