JP2014165489A - 積層セラミックキャパシタ及びその製造方法 - Google Patents

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Abstract

【課題】絶縁抵抗劣化及び信頼性低下を防止した積層セラミックキャパシタ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】複数の誘電体層が積層されたセラミック本体と、上記セラミック本体の両端面を介して交互に露出するように形成された複数の第1及び第2内部電極を含むアクティブ層と、上記アクティブ層の上部及び下部にそれぞれ形成された上部及び下部カバー層と、上記セラミック本体の両端面にそれぞれ形成された第1及び第2外部電極と、上記第1及び第2内部電極とそれぞれ対向するように上記第1及び第2外部電極から上記アクティブ層の長さ方向のマージン部にそれぞれ延長されて形成された複数の第1及び第2ダミーパターンと、上記上部及び下部カバー層に上記第1及び第2外部電極から上記上部及び下部カバー層の内側にそれぞれ延長され、長さ方向に対向するように形成された複数の第1及び第2ダミー電極と、を含む積層セラミックキャパシタ。
【選択図】図2

Description

本発明は積層セラミックキャパシタ及びその製造方法に関する。
積層チップ電子部品の1つである積層セラミックキャパシタ(MLCC:Multi−Layered Ceramic Capacitor)は小型、且つ高容量が保障されて実装が容易であるという長所により、液晶表示装置(LCD:Liquid Crystal Display)及びプラズマ表示装置パネル(PDP:Plasma Display Panel)などの映像機器、コンピューター、個人携帯用端末機(PDA:Personal Digital Assistants)及び携帯電話など多くの電子製品の印刷回路基板に装着されて、電気を充電または放電させる役割をするチップ形態のコンデンサーである。
上記積層セラミックキャパシタは、複数の誘電体層と、上記誘電体層の間に異なる極性の内部電極が交互に積層される構造を有することができる。
このとき、上記内部電極は、上記誘電体層の周りに沿って長さ方向に所定長さのマージン部が備えられる構造で印刷されるが、これにより、上記長さ方向のマージン部と内部電極が形成された領域間に段差が発生する。
製造過程において、内部電極が印刷された複数のセラミックグリーンシートを積層してから同一圧力で圧着する時、段差のあるマージン部を収縮するのに限界が発生することがあり、これにより、製造された製品の一部は積層された誘電体層から一部が剥離されるデラミネーション(delamination)が発生することがある。
従って、メッキ及び駆動環境で上記デラミネーションが発生した部分を通じて湿気、イオン及び導電性異物などが内部電極の露出する面に浸透する現象が酷くなり、信頼性が劣る恐れがある。
このような問題は、特に多い数のシートを積層して構成する超高容量の製品においてさらに酷くなる恐れがある。
下記特許文献1にはダミーパターンを有する積層セラミックキャパシタが開示されているが、特許文献1のダミーパターンは内部電極とずれて形成される構造で、特許文献1はセラミック本体の上下部にダミー電極が形成される構造は開示していない。
韓国特許公開公報第10−2011−0027321号
当技術分野では、積層セラミックキャパシタのデラミネーション発生を抑制するか、デラミネーションが発生してもチップの信頼性に影響を与えない部分に発生するようにするための方案が求められていた。
本発明の一側面は、複数の誘電体層が積層されたセラミック本体と、上記誘電体層を介在し、上記セラミック本体の両端面を介して交互に露出するように形成された複数の第1及び第2内部電極を含むアクティブ層と、上記アクティブ層の上部及び下部にそれぞれ形成された上部及び下部カバー層と、上記セラミック本体の両端面にそれぞれ形成され、上記第1及び第2内部電極の露出した部分とそれぞれ電気的に連結された第1及び第2外部電極と、上記第1及び第2内部電極とそれぞれ対向するように上記第1及び第2外部電極から上記アクティブ層の長さ方向のマージン部にそれぞれ延長されて形成された複数の第1及び第2ダミーパターンと、上記上部及び下部カバー層に上記第1及び第2外部電極から上記上部及び下部カバー層の内側にそれぞれ延長され、長さ方向に対向するように形成された複数の第1及び第2ダミー電極と、を含む積層セラミックキャパシタを提供する。
本発明の一実施形態において、上記第1または第2ダミーパターンの長さをa、上記第1または第2ダミーパターンと上記第1または第2内部電極との間隔をbと規定するとき、0.2≦a/(a+b)≦0.8の範囲を満たすことができる。
本発明の一実施形態において、上記第1及び第2ダミーパターンは、その長さaが等しく形成されたり、その一部が異なる長さに形成されてもよい。
本発明の一実施形態において、上記第1及び第2ダミー電極は、その長さが全て等しく形成されたり、その一部が異なる長さに形成されてもよい。
本発明の一実施形態において、上記上部及び下部カバー層に形成された第1及び第2ダミー電極は、上記セラミック本体の厚さ方向に対して対称になるように形成されてもよい。
本発明の一実施形態において、上記下部カバー層の厚さは上記上部カバー層の厚さより厚く形成されてもよい。
本発明の一実施形態において、上記セラミック本体の両端面に上記第1及び第2外部電極を覆うように形成された第1及び第2メッキ層をさらに含んでもよい。
本発明の他の側面は、複数の第1及び第2ダミー電極が形成された第1セラミックグリーンシートを複数個積層し、その上に第1内部電極と第1ダミーパターンが形成された第2セラミックグリーンシートと、第2内部電極と第2ダミーパターンが形成された第3セラミックグリーンシートとを交互に複数個積層して形成されたアクティブ層を積層し、その上に複数の第1及び第2ダミー電極が形成された第4セラミックグリーンシートを複数個積層して積層体を形成する段階と、上記積層体を、上下部の第1及び第2ダミー電極、第1及び第2内部電極、及び第1及び第2ダミーパターンがそれぞれ積層体の両端面を介して露出するようにそれぞれ一つのセラミック本体に切断する段階と、上記セラミック本体を焼成する段階と、上記セラミック本体の両端面に上記第1及び第2ダミー電極、第1及び第2内部電極、及び第1及び第2ダミーパターンの露出した部分を覆うように第1及び第2外部電極を形成する段階と、を含む積層セラミックキャパシタの製造方法を提供する。
本発明の一実施形態において、上記積層体を形成する段階は、上記第1または第2ダミーパターンの長さをa、上記第1または第2ダミーパターンと上記第1または第2内部電極との間隔をbと規定するとき、0.2≦a/(a+b)≦0.8の範囲を満たすように第1及び第2ダミーパターンと第1及び第2内部電極を第2及び第3セラミックグリーンシート上にそれぞれ形成してもよい。
本発明の一実施形態において、上記積層体を形成する段階は、上記第1及び第2ダミーパターンを、その長さaが等しくなるように、上記第2及び第3セラミックグリーンシート上にそれぞれ形成してもよい。
本発明の一実施形態において、上記積層体を形成する段階は、上記第1及び第2ダミーパターンを、その一部の長さaが異なるように、上記第2及び第3セラミックグリーンシート上に形成してもよい。
本発明の一実施形態において、上記積層体を形成する段階は、上記第1及び第2ダミー電極を長さが全て等しくなるように上記第1及び第4セラミックグリーンシート上に形成してもよい。
本発明の一実施形態において、上記積層体を形成する段階は、上記第1及び第2ダミー電極をその一部の長さが異なるように上記第1及び第4セラミックグリーンシート上に形成してもよい。
本発明の一実施形態において、上記積層体を形成する段階は、上記第1及び第2ダミー電極を上記セラミック本体の厚さ方向に対して対称になるように上記第1及び第4セラミックグリーンシート上にそれぞれ形成してもよい。
本発明の一実施形態において、上記積層体を形成する段階は、上記第1セラミックグリーンシートを上記第4セラミックグリーンシートより多く積層して上記積層体の下部が上部より厚くなるように形成してもよい。
本発明の一実施形態において、上記第1及び第2外部電極を形成する段階後に、上記セラミック本体の両端面に上記第1及び第2外部電極を覆うように第1及び第2メッキ層を形成する段階をさらに行ってもよい。
本発明の一実施形態によると、アクティブ層の長さ方向のマージン部にダミーパターンを挿入し、セラミック本体の上下カバー層にダミー電極を形成し段差を解消することで、デラミネーションの発生を抑制するか、デラミネーションが発生しても上下カバー層のダミー電極に発生するようにして、メッキ及び駆動環境でセラミック本体のコーナー部分を通じて湿気、イオン及び導電性異物などが内部電極の露出する面に浸透することを最小化し、積層セラミックキャパシタの絶縁抵抗劣化及び信頼性低下を防止することができる効果がある。
本発明の一実施形態による積層セラミックキャパシタを示した斜視図である。 図1のA−A’線の断面図である。 本発明の一実施形態による積層セラミックキャパシタにおけるセラミック本体を分解して示した分解斜視図である。 本発明の一実施形態による積層セラミックキャパシタにおけるセラミック本体の一断面を示した斜視図である。 図2の上部または下部カバー層に形成された第1及び第2ダミー電極を示した斜視図である。 本発明の一実施形態による積層セラミックキャパシタの製造工程のうちチップ切断工程を説明するための断面図である。
以下では、添付の図面を参照し、本発明の好ましい実施形態について説明する。しかし、本発明の実施形態は様々な他の形態に変形されることができ、本発明の範囲は以下で説明する実施形態に限定されない。また、本発明の実施形態は、当該技術分野で平均的な知識を有する者に本発明をより完全に説明するために提供されるものである。図面における要素の形状及び大きさなどはより明確な説明のために誇張されることがある。
本実施形態では、説明の便宜のために、セラミック本体の長さ方向に第1及び第2外部電極が形成される面を左右両端面、これと垂直に交差する面を左右側面に設定し、併せて説明する。
積層セラミックキャパシタ
図1〜図4を参照すると、本発明の一実施形態による積層セラミックキャパシタ100は、セラミック本体110と、複数の第1及び第2内部電極121、122を含むアクティブ層と、上記アクティブ層の上部及び下部にそれぞれ形成される上部及び下部カバー層114、115と、セラミック本体110の両端面を覆うように形成される第1及び第2外部電極131、132と、を含む。
上記アクティブ層には第1及び第2内部電極121、122とそれぞれ対向するように第1及び第2ダミーパターン161、162が形成され、上部及び下部カバー層114、115には対向するように複数のダミー電極140、150が形成されてもよい。
セラミック本体110は複数の誘電体層111を積層してから焼成して形成され、該セラミック本体110の形状、寸法及び誘電体層111の積層数は本実施形態として図示されたものに限定されない。
また、セラミック本体110を形成する複数の誘電体層111は焼結された状態であり、隣接する誘電体層111同士の境界は走査電子顕微鏡(SEM:Scanning Electron Microscope)を用いずには確認できないほど一体化されていてもよい。
このようなセラミック本体110は、キャパシタの容量形成に寄与する部分としてのアクティブ層と、上下マージン部として上記アクティブ層の上部及び下部にそれぞれ形成される上部及び下部カバー層114、115で構成されてもよい。
上記アクティブ層は、誘電体層111を介在して複数の第1及び第2内部電極121、122を交互に繰り返し積層して形成してもよい。
このとき、誘電体層111の厚さは、積層セラミックキャパシタ100の容量設計に合わせて任意に変更してもよく、1層の厚さは、焼成後0.01〜1.00μmになるように構成することが好ましいが、本発明はこれに限定されない。
また、誘電体層111は高誘電率を有するセラミック粉末、例えば、チタン酸バリウム(BaTiO)系またはチタン酸ストロンチウム(SrTiO)系粉末を含んでもよく、本発明はこれに限定されない。
上部及び下部カバー層114、115は内部電極膜を含まないことを除き、上記アクティブ層の誘電体層111と同じ材質及び構成を有することができる。
上部及び下部カバー層114、115は、単一誘電体層または2個以上の誘電体層をアクティブ層の上下面にそれぞれ上下方向に積層して形成してもよく、基本的に物理的または化学的ストレスによる第1及び第2内部電極121、122の損傷を防止する役割をする。
また、上部及び下部カバー層114、115はそれぞれの誘電体層の積層数を同一にしてもよいが、本発明はこれに限定されず、必要に応じて、下部カバー層115は、上部カバー層114より誘電体層の積層数を増加させることで、上部カバー層114より厚く構成することができる。
このとき、セラミック本体110の最外郭面、即ち、図面上の上部及び下部カバー層114、115の上部及び下部には、必要に応じて、電極膜が一つも形成されないセラミックカバー層112、113をさらに形成してもよい。
第1及び第2内部電極121、122は異なる極性を有する一対の電極であり、誘電体層111上に導電性金属を含む導電性ペーストを所定の厚さで印刷し、誘電体層111の積層方向に沿って両端面を介して交互に露出するように形成されてもよく、中間に配置された誘電体層111により互いに電気的に絶縁されることができる。
このように形成される第1及び第2内部電極121、122は、セラミック本体110の両端面を介して交互に露出する部分により第1及び第2外部電極131、132とそれぞれ電気的に連結されてもよい。
従って、第1及び第2外部電極131、132に電圧を印加すると、対向する第1及び第2内部電極121、122の間に電荷が蓄積され、このとき、積層セラミックキャパシタ100の静電容量は第1及び第2内部電極121、122が重畳される領域の面積と比例する。
このような第1及び第2内部電極121、122の厚さは、用途によって決めてもよく、例えば、セラミック本体110の大きさを考慮して、0.2〜1.0μmの範囲内にすることができるが、本発明はこれに限定されない。
また、第1及び第2内部電極121、122を形成する導電性ペーストに含まれる導電性金属は、ニッケル(Ni)、銅(Cu)、パラジウム(Pd)、またはこれらの合金であってもよいが、本発明はこれに限定されない。
また、上記導電性ペーストの印刷方法は、スクリーン印刷法またはグラビア印刷法などを用いてもよいが、本発明はこれに限定されない。
第1及び第2ダミーパターン161、162は、上記アクティブ層の内部で第1及び第2内部電極121、122と同一水平面上に位置することが好ましく、第1及び第2内部電極121、122と同様の方法で誘電体層111上に導電性金属を含む導電性ペーストを所定の厚さで印刷して、誘電体層111の第1及び第2内部電極121、122が露出する一面と反対の端面を介して交互に露出し第1及び第2外部電極131、132と連結されるように形成されてもよい。
このとき、第1内部電極121と第1ダミーパターン161との間隔及び第2内部電極122と第2ダミーパターン162との間隔は、積層方向に沿ってオフセットされるように形成されてもよい。
また、第1及び第2ダミーパターン161、162の長さaは、全て等しく形成されるか、その一部が異なる長さに形成されてもよい。
このような第1及び第2ダミーパターン161、162は、誘電体層111に第1及び第2内部電極121、122と同じ物質、即ち、導電性金属を含む導電性ペーストを印刷して形成することができる。
このとき、上記導電性金属はニッケル(Ni)、銅(Cu)、パラジウム(Pd)またはこれらの合金であってもよく、本発明はこれに限定されない。
上記のように構成された第1及び第2ダミーパターン161、162は、積層セラミックキャパシタ100の長さ方向の段差を解消し、デラミネーションの発生を抑制するもので、第1または第2ダミーパターン161、162の長さをa、第1または第2ダミーパターン161、162と第1または第2内部電極121、122との間隔をbと規定するとき、a/(a+b)は0.2≦a/(a+b)≦0.8の範囲を満たすようにすることが好ましい。
下表1はデラミネーション及びショートの発生有無、約85℃の温度、相対湿度85%及び6.3Vで約1時間負荷を加えて、IRが1個以上でも1e4Ω未満に劣化する場合をNG判定する8585テストをし、その結果を示したものである。
Figure 2014165489
上記表1を参照すると、a/(a+b)の値が0.2未満である比較例1及び比較例2は、段差を解消する役割を十分に果たせないため、デラミネーション発生の抑制効果が低下してデラミネーションが発生し、a/(a+b)の値が0.8を超える比較例3及び比較例4は、却ってb部分の段差が急激に発生して信頼性が劣化するという問題点が発生することが分かる。
図5を参照し、本実施形態のダミー電極140、150について説明する。
本実施形態において、第1及び第2ダミー電極151、152を有する、下部カバー層115に形成されたダミー電極150は、セラミック本体110の厚さ方向に対して、上部カバー層114に形成されたダミー電極140と対称になるように形成されてもよく、その構成も類似するため、以下では重複を避けるために上部カバー層114に形成されたダミー電極140についてのみ説明する。
上部カバー層114のダミー電極140は、左右一対の第1及び第2ダミー電極141、142からなってもよく、このとき、第1及び第2ダミー電極141、142は全て同一長さに形成されるか、必要に応じて、その一部が異なる長さに形成されてもよい。
即ち、本実施形態では、第1及び第2ダミー電極141、142を同一長さにし、セラミック本体110の中央を基準として左右対称構造に構成したが、本発明はこれに限定されず、第1ダミー電極141と第2ダミー電極142は、その長さを異ならせたり、同じ方向のダミー電極でもその一部の長さを異ならせて構成してもよい。
第1及び第2ダミー電極141、142は、セラミック本体110の両端面を介して露出し、その露出した部分は第1及び第2外部電極131、132とそれぞれ接続して電気的に連結されてもよい。
このような第1及び第2ダミー電極141、142は、セラミック本体110の段差を減らしてデラミネーションの発生を抑制するか、デラミネーションが発生しても第1及び第2内部電極121、122ではない第1及び第2ダミー電極141、142に発生するようにする保護層の役割をすることができる。
このとき、多すぎる数のダミー電極140、150をセラミック本体110の上下に積層すると、チップのサイズが大きくなりすぎるという問題点がある。
従って、ダミー電極140、150を有する上部及び下部カバー層114、115は、段差発生を抑制することができる範囲内で、例えば、第1及び第2内部電極121、122が形成された誘電体層111の厚さに対して10〜20%程度の厚さに形成してもよいが、本発明はこれに限定されない。
このようなダミー電極140、150は、上部及び下部カバー層114、115に第1及び第2内部電極121、122と同じ物質、即ち、導電性金属を含む導電性ペーストを印刷して形成することができる。
このとき、上記導電性金属はニッケル(Ni)、銅(Cu)、パラジウム(Pd)またはこれらの合金であってもよく、本発明はこれに限定されない。
第1及び第2外部電極131、132は導電性金属を含む導電性ペーストにより形成されてもよい。
このとき、上記導電性金属は、ニッケル(Ni)、銅(Cu)、パラジウム(Pd)、金(Au)またはこれらの合金であってもよく、本発明はこれに限定されない。
また、セラミック本体110の両端面には、必要に応じて、第1及び第2外部電極131、132を覆うようにニッケルまたはすずからなる第1及び第2メッキ層(不図示)がさらに形成されてもよい。
上記のように構成された本実施形態の積層セラミックキャパシタ100の作用について説明する。
誘電体層111は、第1及び第2内部電極121、122が形成されない部分に所定のマージン部を有する。
このようなマージン部は、それぞれの誘電体層111を積層してセラミック本体110を形成した後、第1及び第2内部電極121、122に異物が浸透することを防止する役割をし、第1及び第2内部電極121、122を外部衝撃から保護して電気的な短絡を防止する役割などをすることができる。
このとき、セラミックグリーンシートを積層した後圧着すると、第1及び第2内部電極121、122とマージン部間の段差により、セラミック本体110のコーナー部分でデラミネーションが発生し、該部分を通じて湿気、イオン及び導電性異物が第1及び第2内部電極121、122の露出した部分に浸透し、絶縁抵抗劣化及び信頼性低下などの問題点が発生する恐れがある。
このとき、全ての誘電体層111に第1及び第2内部電極121、122を形成すると、マージン部の幅が大きいため、このような問題は改善することができる。
しかし、セラミック本体110のコーナー部分に対する段差の影響力が大きくなり、圧着段階で段差部への物質移動が十分でなくなるため、マージン部の密度が低下しクラックが発生することがある。
また、空いている段差部を埋めるために、内部電極が延びることで、内部電極の切れが酷くなり信頼性が低下することがある。
しかし、本実施形態の積層セラミックキャパシタ100は、セラミック本体110の上下カバー層114、115上にダミー電極140、150を形成することで、実際に電気的接続の役割をする第1及び第2内部電極121、122が異物の主な浸透経路となるコーナー部分から一定間隔離隔された位置に形成されるようにし、デラミネーションが発生してもダミー電極140、150に発生するようにして異物が第1及び第2内部電極121、122に浸透することを防止することで、製品の信頼性を向上させることができる。
従って、このような構造により電極の連結性を保持しながら、マージン部が狭くてカバー層の薄い超高容量機種において、外部電極の塗布厚さの薄いコーナー部分への導電性異物の浸透率を低めて信頼性を向上させることができる。
積層セラミックキャパシタの製造方法
以下、本発明の一実施形態による積層セラミックキャパシタ100の製造方法を説明する。
まず、複数のセラミックグリーンシートを用意する。
上記セラミックグリーンシートは、セラミック本体110の誘電体層111、112、113、及び上部及び下部カバー層114、115を形成するためのもので、チタン酸バリウム(BaTiO)などのセラミック粉末、ポリマー及び溶剤などを混合してスラリーを製造した後、上記スラリーをドクターブレードなどの工法によりキャリアフィルム(carrier film)上に塗布及び乾燥し、数μm厚さのシート(sheet)状に製作して用意することができる。
以下、説明の便宜のために、上記セラミックグリーンシートをセラミック本体110を構成する位置によって、下部カバー層115を構成するものを第1セラミックグリーンシート、アクティブ層を構成するものを第2及び第3セラミックグリーンシート、上部カバー層114を構成するものを第4セラミックグリーンシートに区分して説明する。
次に、上記それぞれの第1〜第4セラミックグリーンシート上に所定の厚さで導電性ペーストを印刷する。
上記導電性ペーストの印刷方法は、スクリーン印刷法またはグラビア印刷法などを用いてもよく、本発明はこれに限定されない。
このとき、上記第1及び第4セラミックグリーンシート上に印刷された導電性ペーストは、それぞれ上記第1及び第4セラミックグリーンシートの両端面を介して露出する複数のダミー電極140、150を形成し、上記第2及び第3セラミックグリーンシート上に印刷された導電性ペーストは、それぞれ上記第2及び第3セラミックグリーンシートの両端面を介して露出する複数の第1及び第2内部電極121、122と複数の第1及び第2ダミーパターン161、162を形成する。
このようなダミー電極140、150、第1及び第2内部電極121、122、及び第1及び第2ダミーパターン161、162は、それぞれのセラミックグリーンシート上に導電性ペーストを厚さ方向に対してオフセット(off−set)を有するように印刷し、互いが区別されるように形成してもよい。
また、ダミー電極140、150は、下記セラミック積層体の切断工程後、左右一対の第1及び第2ダミー電極141、142、151、152が、上記第1及び第4セラミックグリーンシートの中央を基準として、長さ方向に対称になるように上記第1及び第4セラミックグリーンシート上に形成してもよいが、本発明はこれに限定されない。
例えば、第1及び第2ダミー電極141、142、151、152は、必要に応じて、下記セラミック積層体の切断工程後、上記第1及び第4セラミックグリーンシートの中央を基準として、長さ方向に対称にならないように上記第1及び第4セラミックグリーンシート上に形成されてもよい。
第1または第2ダミーパターン161、162はその長さをaと規定し、第1または第2内部電極121、122との間隔をbと規定するとき、0.2≦a/(a+b)≦0.8の範囲を満たすように形成することが好ましい。
a/(a+b)が0.2未満では、段差の解消効果が僅かで、デラミネーションが発生することがあり、a/(a+b)が0.8を超えると、却ってb部分の段差が急激に発生して信頼性が劣化する問題点が発生することがある。
また、第1及び第2ダミーパターン161、162は、その長さが等しくなるように上記第2及び第3セラミックグリーンシート上に形成してもよいが、本発明はこれに限定されない。
例えば、第1及び第2ダミーパターン161、162は、必要に応じて、その一部の長さが異なるように上記第2及び第3セラミックグリーンシート上に形成することができる。
次に、複数の第1セラミックグリーンシートを積層して下部カバー層115を形成し、下部カバー層115上に複数の第2及び第3セラミックグリーンシートを交互に複数個積層してアクティブ層を形成し、上記アクティブ層上に複数の第4セラミックグリーンシートを積層して上部カバー層114を形成する。
その後、約85℃、約1,000kgf/cmの圧力条件で等圧圧縮成形(isostatic pressing)してセラミック積層体を形成する。
このとき、上記第1セラミックグリーンシートと上記第4セラミックグリーンシートを同数積層して上部及び下部カバー層114、115に形成されたダミー電極140、150がセラミック積層体の厚さ方向に対して対称になるようにしてもよいが、本発明はこれに限定されない。
例えば、上記第1セラミックグリーンシートを上記第4セラミックグリーンシートより多く積層し、上記セラミック積層体の下部が上部より厚く、且つ下部のダミー電極150の個数が上部のダミー電極140の個数より多くなるようにしてもよい。
また、上記セラミック積層体の上下面には、電極膜が含まれない少なくとも一つの誘電体層をそれぞれ積層してセラミックカバー層112、113をさらに形成してもよい。
次いで、上記セラミック積層体をそれぞれの積層セラミックキャパシタに対応する領域ごとに切断してチップ化する。
このとき、上記セラミック積層体が、下部カバー層115、アクティブ層及び上部カバー層114のシングルパターンの積層により形成されるため、図6に示されたように、上記セラミック積層体は両端面の切断線Cに沿って一度ずつ切断すれば、それぞれの積層セラミックキャパシタのサイズにチップ化することができる。
次に、チップ化されたセラミック積層体を、約1,200℃で内部電極が酸化されないようにNi/NiO平衡酸素分圧より低い10−11〜10−10atmの酸素分圧下還元雰囲気で焼成してセラミック本体110を完成する。
その後、セラミック本体110の両端面に第1及び第2内部電極121、122、第1及び第2ダミーパターン161、162、及び第1及び第2ダミー電極141、142、151、152が露出した部分を覆って第1及び第2外部電極131、132を形成して積層セラミックキャパシタ100を完成する。
このとき、セラミック本体110の両端面には、必要に応じて、第1及び第2外部電極131、132を覆うようにニッケル(Ni)またはすず(Sn)などをメッキ処理して所定厚さの第1及び第2メッキ層(不図示)をさらに形成してもよい。
以上、本発明の実施形態について詳細に説明したが、本発明の権利範囲はこれに限定されず、請求の範囲に記載された本発明の技術的思想から外れない範囲内で多様な修正及び変形が可能であるということは、当技術分野の通常の知識を有する者には明らかである。
100 積層セラミックキャパシタ
110 セラミック本体
111 誘電体層
112、113 セラミックカバー層
114 上部カバー層
115 下部カバー層
121、122 第1及び第2内部電極
131、132 第1及び第2外部電極
140、150 ダミー電極
141、151 第1ダミー電極
142、152 第2ダミー電極
161、162 第1及び第2ダミーパターン

Claims (18)

  1. 複数の誘電体層が積層されたセラミック本体と、
    前記誘電体層を介在し、前記セラミック本体の両端面を介して交互に露出するように形成された複数の第1及び第2内部電極を含むアクティブ層と、
    前記アクティブ層の上部及び下部にそれぞれ形成された上部及び下部カバー層と、
    前記セラミック本体の両端面にそれぞれ形成され、前記第1及び第2内部電極の露出した部分とそれぞれ電気的に連結された第1及び第2外部電極と、
    前記第1及び第2内部電極とそれぞれ対向するように前記第1及び第2外部電極から前記アクティブ層の長さ方向のマージン部にそれぞれ延長されて形成された複数の第1及び第2ダミーパターンと、
    前記上部及び下部カバー層に前記第1及び第2外部電極から前記上部及び下部カバー層の内側にそれぞれ延長され、長さ方向に対向するように形成された複数の第1及び第2ダミー電極と、
    を含む積層セラミックキャパシタ。
  2. 前記第1または第2ダミーパターンの長さをa、前記第1または第2ダミーパターンと前記第1または第2内部電極との間隔をbと規定するとき、0.2≦a/(a+b)≦0.8の範囲を満たすことを特徴とする請求項1に記載の積層セラミックキャパシタ。
  3. 前記第1及び第2ダミーパターンの長さaが等しく形成されたことを特徴とする請求項1に記載の積層セラミックキャパシタ。
  4. 前記第1及び第2ダミーパターンの一部はその長さaが異なるように形成されたことを特徴とする請求項1に記載の積層セラミックキャパシタ。
  5. 前記第1及び第2ダミー電極の長さが全て等しく形成されたことを特徴とする請求項1に記載の積層セラミックキャパシタ。
  6. 前記第1及び第2ダミー電極の一部はその長さが異なるように形成されたことを特徴とする請求項1に記載の積層セラミックキャパシタ。
  7. 前記上部及び下部カバー層に形成された第1及び第2ダミー電極は、前記セラミック本体の厚さ方向に対して対称になるように形成されたことを特徴とする請求項1に記載の積層セラミックキャパシタ。
  8. 前記下部カバー層の厚さが前記上部カバー層の厚さより厚く形成されたことを特徴とする請求項1に記載の積層セラミックキャパシタ。
  9. 前記セラミック本体の両端面に前記第1及び第2外部電極を覆うように形成された第1及び第2メッキ層をさらに含むことを特徴とする請求項1に記載の積層セラミックキャパシタ。
  10. 複数の第1及び第2ダミー電極が形成された第1セラミックグリーンシートを複数個積層し、その上に第1内部電極と第1ダミーパターンが形成された第2セラミックグリーンシートと、第2内部電極と第2ダミーパターンが形成された第3セラミックグリーンシートとを交互に複数個積層して形成されたアクティブ層を積層し、その上に複数の第1及び第2ダミー電極が形成された第4セラミックグリーンシートを複数個積層して積層体を形成する段階と、
    前記積層体を、上下部の第1及び第2ダミー電極、第1及び第2内部電極、及び第1及び第2ダミーパターンがそれぞれ積層体の両端面を介して露出するようにそれぞれ一つのセラミック本体に切断する段階と、
    前記セラミック本体を焼成する段階と、
    前記セラミック本体の両端面に前記第1及び第2ダミー電極、第1及び第2内部電極、及び第1及び第2ダミーパターンの露出した部分を覆うように第1及び第2外部電極を形成する段階と、を含む積層セラミックキャパシタの製造方法。
  11. 前記積層体を形成する段階は、
    前記第1または第2ダミーパターンの長さをa、前記第1または第2ダミーパターンと前記第1または第2内部電極との間隔をbと規定するとき、0.2≦a/(a+b)≦0.8の範囲を満たすように第1及び第2ダミーパターンと第1及び第2内部電極を第2及び第3セラミックグリーンシート上にそれぞれ形成することを特徴とする請求項10に記載の積層セラミックキャパシタの製造方法。
  12. 前記積層体を形成する段階は、
    前記第1及び第2ダミーパターンを、その長さaが等しくなるように、前記第2及び第3セラミックグリーンシート上にそれぞれ形成することを特徴とする請求項10に記載の積層セラミックキャパシタの製造方法。
  13. 前記積層体を形成する段階は、
    前記第1及び第2ダミーパターンを、その一部の長さaが異なるように、前記第2及び第3セラミックグリーンシート上に形成することを特徴とする請求項10に記載の積層セラミックキャパシタの製造方法。
  14. 前記積層体を形成する段階は、
    前記第1及び第2ダミー電極を長さが全て等しくなるように前記第1及び第4セラミックグリーンシート上に形成することを特徴とする請求項10に記載の積層セラミックキャパシタの製造方法。
  15. 前記積層体を形成する段階は、
    前記第1及び第2ダミー電極をその一部の長さが異なるように前記第1及び第4セラミックグリーンシート上に形成することを特徴とする請求項10に記載の積層セラミックキャパシタの製造方法。
  16. 前記積層体を形成する段階は、
    前記第1及び第2ダミー電極を前記セラミック本体の厚さ方向に対して対称になるように前記第1及び第4セラミックグリーンシート上にそれぞれ形成することを特徴とする請求項10に記載の積層セラミックキャパシタの製造方法。
  17. 前記積層体を形成する段階は、
    前記第1セラミックグリーンシートを前記第4セラミックグリーンシートより多く積層して前記積層体の下部が上部より厚くなるように形成することを特徴とする請求項10に記載の積層セラミックキャパシタの製造方法。
  18. 前記第1及び第2外部電極を形成する段階後に、前記セラミック本体の両端面に前記第1及び第2外部電極を覆うように第1及び第2メッキ層を形成する段階をさらに行うことを特徴とする請求項10に記載の積層セラミックキャパシタの製造方法。
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