JP5217692B2 - 積層セラミック電子部品 - Google Patents
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Description
(1)複数のセラミック層が積層されてなり、互いに対向する第1の主面および第2の主面と、第1の主面および第2の主面間を接続する複数の側面とを有する、セラミック素体と、
(2)セラミック素体の内部に形成され、第1の有効部と、第1の有効部から少なくとも1つの側面まで引き出された第1の引出し部と、第1の引出し部の終端に位置して側面上に露出する第1の電極露出端とを有し、第1の有効部の導体密度と第1の引出し部の導体密度とは互いに同じである、第1の内部電極と、
(3)セラミック素体の内部に形成され、特定のセラミック層を介して第1の有効部と対向する第2の有効部と、第2の有効部から少なくとも1つの側面まで引き出された第2の引出し部と、第2の引出し部の終端に位置して側面上に露出する第2の電極露出端とを有し、第2の有効部の導体密度と第2の引出し部の導体密度とは互いに同じである、第2の内部電極と、
(4)セラミック素体の内部に形成され、第1のダミー本体部と、第1のダミー本体部の終端に位置して少なくとも1つの側面上に露出する第1のダミー露出端とを有し、第2の内部電極とは電気的に絶縁された、第1のダミー導体と、
(5)セラミック素体の内部に形成され、第2のダミー本体部と、第2のダミー本体部の終端に位置して少なくとも1つの側面上に露出する第2のダミー露出端とを有し、第1の内部電極とは電気的に絶縁された、第2のダミー導体と、
(6)セラミック素体の少なくとも1つの側面上に形成された、第1の外部端子電極と、
(7)セラミック素体の少なくとも1つの側面上に形成された、第2の外部端子電極と
を備えている。
22 セラミック素体
23 セラミック層
24,25 主面
26〜29 側面
30,31,69,70,71,72,91,92 外部端子電極
32,33,55,56,73,74,93,94 内部電極
34,35,63,64,81,82,101,102 ダミー導体
36,38,57,60,75,78,95,98 有効部
37,39,58,61,76,79,96,99 引出し部
40,41,59,62,77,80,97,100 電極露出端
42,44,65,67,83,85,103,105 ダミー本体部
43,45,66,68,84,86,104,106 ダミー露出端
48 第1の露出端分布領域
Claims (10)
- 複数のセラミック層が積層されてなり、互いに対向する第1の主面および第2の主面と、前記第1の主面および前記第2の主面間を接続する複数の側面とを有する、セラミック素体と、
前記セラミック素体の内部に形成され、第1の有効部と、前記第1の有効部から少なくとも1つの前記側面まで引き出された第1の引出し部と、前記第1の引出し部の終端に位置して前記側面上に露出する第1の電極露出端とを有し、前記第1の有効部の導体密度と前記第1の引出し部の導体密度とは互いに同じである、第1の内部電極と、
前記セラミック素体の内部に形成され、特定の前記セラミック層を介して前記第1の有効部と対向する第2の有効部と、前記第2の有効部から少なくとも1つの前記側面まで引き出された第2の引出し部と、前記第2の引出し部の終端に位置して前記側面上に露出する第2の電極露出端とを有し、前記第2の有効部の導体密度と前記第2の引出し部の導体密度とは互いに同じである、第2の内部電極と、
前記セラミック素体の内部に形成され、第1のダミー本体部と、前記第1のダミー本体部の終端に位置して少なくとも1つの前記側面上に露出する第1のダミー露出端とを有し、前記第2の内部電極とは電気的に絶縁された、第1のダミー導体と、
前記セラミック素体の内部に形成され、第2のダミー本体部と、前記第2のダミー本体部の終端に位置して少なくとも1つの前記側面上に露出する第2のダミー露出端とを有し、前記第1の内部電極とは電気的に絶縁された、第2のダミー導体と、
前記セラミック素体の少なくとも1つの前記側面上に形成された、第1の外部端子電極と、
前記セラミック素体の少なくとも1つの前記側面上に形成された、第2の外部端子電極と
を備え、
前記第1の電極露出端および前記第1のダミー露出端は、少なくとも1つの前記側面上において、前記セラミック層の積層方向に沿って少なくとも1つの列状に延びる、第1の露出端分布領域を形成し、
前記第2の電極露出端および前記第2のダミー露出端は、少なくとも1つの前記側面上において、前記セラミック層の積層方向に沿って少なくとも1つの列状に延びる、第2の露出端分布領域を形成し、
前記第1の外部端子電極は、前記第1の露出端分布領域を被覆するようにして形成され、
前記第2の外部端子電極は、前記第2の露出端分布領域を被覆するようにして形成され、
前記第1のダミー本体部における導体密度は、前記第1の引出し部における導体密度よりも低く、
前記第2のダミー本体部における導体密度は、前記第2の引出し部における導体密度よりも低い、
積層セラミック電子部品。 - 前記第1の外部端子電極は、前記第1の露出端分布領域を被覆するようにして直接めっきにより形成された、第1の下地めっき膜を含み、前記第2の外部端子電極は、前記第2の露出端分布領域を被覆するようにして直接めっきにより形成された、第2の下地めっき膜を含む、請求項1に記載の積層セラミック電子部品。
- 前記第1のダミー導体は、前記第2の内部電極と同一平面上に形成され、前記第2のダミー導体は、前記第1の内部電極と同一平面上に形成されている、請求項1または2に記載の積層セラミック電子部品。
- 前記第1のダミー導体および前記第2のダミー導体は互いに同一平面上に形成されている、請求項1または2に記載の積層セラミック電子部品。
- 前記セラミック素体は、前記第1の主面側および前記第2の主面側のそれぞれにおいて、前記第1の内部電極および前記第2の内部電極のいずれもが形成されていない外層部を含み、前記第1のダミー導体および前記第2のダミー導体は、前記外層部に形成されている、請求項1または2に記載の積層セラミック電子部品。
- 前記複数の側面は、互いに対向する第1の側面および第2の側面を含み、前記第1の露出端分布領域は前記第1の側面上に配置され、前記第2の露出端分布領域は前記第2の側面上に配置される、請求項1ないし5のいずれかに記載の積層セラミック電子部品。
- 前記複数の側面は、互いに対向する第1の側面および第2の側面と互いに対向する第3の側面および第4の側面とを含み、前記第1の露出端分布領域は、前記第1の側面上、前記第3の側面上および前記第4の側面上に配置され、前記第2の露出端分布領域は、前記第2の側面上、前記第3の側面上および前記第4の側面上に配置される、請求項1ないし5のいずれかに記載の積層セラミック電子部品。
- 少なくとも1つの前記側面上において、当該側面の幅方向に沿って前記第1の露出端分布領域が複数列配置され、少なくとも1つの前記側面上において、当該側面の幅方向に沿って前記第2の露出端分布領域が複数列配置される、請求項1ないし5のいずれかに記載の積層セラミック電子部品。
- 前記第1のダミー本体部および前記第2のダミー本体部において、互いに間隔を隔てて延びる複数の線状に導体が形成されている、請求項1ないし8のいずれかに記載の積層セラミック電子部品。
- 前記第1のダミー本体部および前記第2のダミー本体部において、網状に導体が形成されている、請求項1ないし8のいずれかに記載の積層セラミック電子部品。
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