WO2007105395A1

WO2007105395A1 - 積層型電子部品の製造方法

Info

Publication number: WO2007105395A1
Application number: PCT/JP2007/052455
Authority: WO
Inventors: Tatsuo Kunishi; Makoto Ogawa; Akihiro Motoki
Original assignee: Murata Manufacturing Co., Ltd.
Priority date: 2006-03-14
Filing date: 2007-02-13
Publication date: 2007-09-20
Also published as: US20080145551A1; JPWO2007105395A1; JP5116661B2

Abstract

　実効体積率に優れかつ信頼性の高い積層型電子部品を製造するため、積層体の所定の面上であって、複数の内部電極の各端部が露出した箇所に、直接、無電解めっきを施すことによって、薄くて緻密性の高い外部電極を形成する方法が提供される。　外部電極（８，９）を形成するための無電解めっき工程を実施するにあたって、還元剤および還元剤の酸化還元電位よりも電気化学的に貴な析出電位を有する金属イオンを含有するめっき液を用意し、積層型電子部品のための積層体（５）を、還元剤の酸化反応に対し触媒活性を示す導電性メディアとともに、容器内に収容して、めっき液中で、回転、揺動、傾斜または振動させて、積層体（５）と導電性メディアとを撹拌する。複数の内部電極（３ａ，３ｂ）の端部に析出しためっき析出物（１２ａ，１２ｂ）が相互に接続されるように無電解めっきが進行する。

Description

明細書

積層型電子部品の製造方法

技術分野

[0001] 本発明は、積層型電子部品の製造方法に関するものであり、特に、外部電極が積層体の外表面上に、直接、無電解めつきを施すことにより形成される、積層型電子部品の製造方法に関するものである。

背景技術

[0002] 図 11に示すように、積層セラミックコンデンサに代表される積層型電子部品 101は、一般に、積層された複数の絶縁体層 102と、絶縁体層 102間の界面に沿って形成された複数の層状の内部電極 103および 104とを含む、積層体 105を備えている。積層体 105の一方および他方端面 106および 107には、それぞれ、複数の内部電極 103および複数の内部電極 104の各端部が露出していて、これら内部電極 103の各端部および内部電極 104の各端部を、それぞれ、互いに電気的に接続するように、外部電極 108および 109が形成されている。

[0003] 外部電極 108および 109の形成にあたっては、一般に、金属成分とガラス成分とを含む金属ペーストを積層体 105の端面 106および 107上に塗布し、次いで焼き付けることにより、ペースト電極層 110がまず形成される。次に、ペースト電極層 110上に、たとえば Niを主成分とする第 1のめつき層 111が形成され、さらにその上に、たとえば Snを主成分とする第 2のめつき層 112が形成される。すなわち、外部電極 108および 109の各々は、ペースト電極層 110、第 1のめつき層 111および第 2のめつき層 11 2の 3層構造より構成される。

[0004] 外部電極 108および 109に対しては、積層型電子部品 101が半田を用いて基板に実装される際に、半田との濡れ性が良好であることが求められる。同時に、外部電極 108に対しては、互いに電気的に絶縁された状態にある複数の内部電極 103を互いに電気的に接続し、かつ、外部電極 109に対しては、互いに電気的に絶縁された状態にある複数の内部電極 104を互いに電気的に接続する役割が求められる。半田濡れ性の確保の役割は、上述した第 2のめつき層 112が果たしており、内部電極 103 および 104相互の電気的接続の役割は、ペースト電極層 110が果たしている。第 1 のめつき層 111は、はんだ接合時のはんだ食われを防止する役割を果たして、る。

[0005] し力し、ペースト電極層 110は、その厚みが数十 μ m〜数百 μ mと大き!/、。したがつて、この積層型電子部品 101の寸法を一定の規格値に収めるためには、このペースト電極層 110の体積を確保する必要が生じる分、不所望にも、静電容量確保のための実効体積を減少させる必要が生じる。一方、めっき層 111および 112はその厚みが数/ z m程度であるため、仮に第 1のめつき層 111および第 2のめつき層 112のみで外部電極 108および 109を構成できれば、静電容量確保のための実効体積をより多く確保することがでさる。

[0006] たとえば、特開 2004— 146401号公報 (特許文献 1)には、導電性ペーストを積層体の端面の少なくとも内部電極の積層方向に沿った稜部に、内部電極の引出し部と接触するよう塗布し、この導電性ペーストを焼き付けまたは熱硬化させて導電膜を形成し、さら〖こ、積層体の端面に電解めつきを施し、上記稜部の導電膜と接続されるように電解めつき膜を形成する方法が開示されている。これ〖こよると、外部電極の端面における厚みを薄くすることができる。

[0007] また、特開昭 63— 169014号公報 (特許文献 2)には、積層体の、内部電極が露出した側壁面の全面に対し、側壁面に露出した内部電極が短絡されるように、無電解めっきによって導電性金属膜を析出させる方法が開示されている。

[0008] し力しながら、前述の特許文献 1に記載されて、る外部電極の形成方法では、露出した内部電極と電解めつき膜とを直接接続することはできるものの、電解めつきを行なう前に、露出した内部電極の引出し部を予め電気的に導通させておくために、導電性ペーストによる導電部を形成する必要がある。この導電性ペーストを特定の箇所に塗布する工程は煩雑である。

[0009] 他方、特許文献 2に記載のような無電解めつき法では、形成されためつき膜の緻密性および均質性が低ぐ積層体の内部にめっき液などが侵入しやすぐ信頼性に乏しいという問題があった。これらの問題を改善するには、めっき膜を形成する前に Pd などの触媒活性の高い物質をめつきすべき面に付与しておく方法があり、特許文献 2 に記載の実施形態では、この方法を用いていた可能性もある。しかし、この触媒付与には、そのための工程が複雑であり、また、めっき膜が所望の場所以外の場所に析出しやす、と、う問題がある。

[0010] また、特許文献 2に記載の方法では、積層体の内部にある内部電極の材料として P dや Ptを用いて!/、るが、これら Pdや Ptは無電解めつきにお!、て還元剤の反応に対して高い触媒活性を示す金属として用いられている。そのため、内部電極に用いる金属材料に関して選択の自由度が低いという問題がある。また、 Pdや Ptは高価な貴金属であるため、積層型電子部品のコストの上昇を招くという問題もある。

[0011] さらに、特許文献 2に記載の方法では、内部電極の厚さが 1 m以上でなければならず、そのため、積層体の大型化を招くとともに、積層型電子部品のコスト高を招くという問題もある。

特許文献 1 :特開 2004— 146401号公報

特許文献 2：特開昭 63 - 169014号公報

発明の開示

発明が解決しょうとする課題

[0012] 本発明は、上記のような問題点に鑑みなされたものであって、その目的とするところは、積層型電子部品の外部電極を実質的にめっき析出物のみで形成することにより、実効体積率に優れた積層型電子部品を製造する方法を提供しょうとすることである

[0013] 本発明の他の目的は、外部電極を形成するにあたって、事前の煩雑な工程、たとえば導電性ペーストの塗布工程や触媒の付与工程などを実施しなくても、緻密なめつき膜からなる外部電極を簡便に形成することができ、かつ高い信頼性をも確保し得る積層型電子部品を製造する方法を提供しょうとすることである。

課題を解決するための手段

[0014] 本発明は、積層された複数の絶縁体層と、絶縁体層間の界面に沿って形成された複数の内部電極とを含み、内部電極の各端部が所定の面に露出していて、隣り合う内部電極は上記所定の面にぉ、て互いに電気的に絶縁されて、る、積層体を用意する工程と、積層体の所定の面に露出した複数の内部電極の各端部を互いに電気的に接続するように、積層体の所定の面上に外部電極を形成する工程とを含む、積層型電子部品の製造方法に向けられるものであって、上述した技術的課題を解決するため、次のような構成を備えることを特徴としている。

[0015] すなわち、外部電極を形成する工程は、積層体を用意する工程において用意された積層体の上記所定の面に露出した複数の内部電極の端部に対し、直接、還元剤およびこの還元剤の酸化還元電位よりも電気化学的に貴な析出電位を有する金属ィオンを含有するめつき液を用いて無電解めつきを行なう、無電解めつき工程を備える

[0016] 上記無電解めつき工程は、上述の還元剤の酸化反応に対し触媒活性を示す導電性メディアを用意する工程と、上記めつき液中で導電性メディアと積層体とを撹拌する工程と、複数の内部電極の端部に析出しためっき析出物が相互に接続されるようにめつき析出物をめつき成長させる工程とを含む。

[0017] 上述しためっき液中で導電性メディアと積層体とを撹拌する工程は、容器内に収容した導電性メディアと積層体とを、めっき液中で、回転、揺動、傾斜または振動させることによって実施されることが好まし、。

[0018] 本発明において、導電性メディアの直径は、平均値で 0. 2mm以上であることが好ましい。

[0019] 還元剤がリン酸系化合物であるとき、めっき液中の金属イオンが Niイオン、 Coィォンおよび Auイオンカゝら選ばれる少なくとも 1種であり、導電性メディアの少なくとも表面が Au、 Ni、 Coおよび Ptから選ばれる少なくとも 1種またはその合金からなることが好ましい。この場合、より好ましくは、リン酸系化合物が次亜リン酸または次亜リン酸塩であり、めっき液中の金属イオンが Niイオンである。

[0020] 還元剤がホウ酸系化合物であるとき、めっき液中の金属イオンが Niイオン、 Coィォン、 Ptイオンおよび Auイオン力も選ばれる少なくとも 1種であり、導電性メディアの少なくとも表面が Au、 Ni、 Coおよび Ptから選ばれる少なくとも 1種またはその合金からなることが好ましい。

[0021] 還元剤が窒素系化合物であるとき、めっき液中の金属イオンが Niイオン、 Coイオン、 Ptイオンおよび Auイオン力選ばれる少なくとも 1種であり、導電性メディアの少なくとも表面が Co、 Niおよび Ptから選ばれる少なくとも 1種またはその合金力もなることが好ましい。

[0022] 還元剤がアルデヒド系化合物であるとき、めっき液中の金属イオンが Agイオン、 Cu イオンおよび Auイオンカゝら選ばれる少なくとも 1種であり、導電性メディアの少なくとも表面が Ag、 Cuおよび Auから選ばれる少なくとも 1種またはその合金力なることが好ましい。

[0023] 積層体を用意する工程において用意される積層体は、内部電極が露出する所定の面において、絶縁体層の厚み方向に測定した、隣り合う内部電極間の間隔が 20 μ m以下であり、かつ所定の面に対する内部電極の引っ込み長さが 1 μ m以下であることが好ましい。

[0024] あるいは、積層体を用意する工程において用意される積層体は、内部電極が露出する所定の面において、絶縁体層の厚み方向に測定した、隣り合う内部電極間の間隔が 50 m以下であり、かつ所定の面に対する内部電極の突出長さが 0. 以上であることが好ましい。

[0025] 前述したような内部電極の引っ込み長さまたは突出長さの制御は、外部電極を形成する工程の前に、積層体に対し、研磨剤を用いて研磨する工程を実施すること〖こよってなされることが好まし、。

[0026] 本発明にお!/、て、内部電極の主成分は、 Ni、 Cuおよび Ag力選ばれる少なくとも 1種であることが好ましい。

発明の効果

[0027] 本発明によれば、積層型電子部品の外部電極を実質的にめっき析出物のみで形成することができるため、実効体積率に優れた積層型電子部品を得ることができる。

[0028] また、本発明によれば、事前の煩雑な工程、たとえば導電性ペーストの塗布工程や触媒の付与工程などを実施しなくても、外部電極の少なくとも内部電極と直接接続される部分を、緻密で均質性の高い無電解めつき析出物によって簡便に形成することができる。その結果、本発明によれば、高い信頼性を確保した積層型電子部品を得ることがでさる。

[0029] さらに、本発明によれば、内部電極の主成分に Pd、 Ptなどの触媒活性の高い金属を用いなくても、緻密性の高い無電解めつき膜が得られるため、内部電極に安価な N i、 Cu、 Agなどの金属材料を用いることができ、低コストな積層型電子部品を得ることができる。

[0030] さらに、本発明によれば、内部電極の厚さが 1 μ m未満でも緻密な無電解めつき膜を形成することができるため、小型で低コストな積層型電子部品を得ることができる。

[0031] 本発明において、導電性メディアの直径の平均値が 0. 2mm以上であると、めっき膜形成の効率がより良好となる。

図面の簡単な説明

[0032] [図 1]本発明の第 1の実施形態による製造方法を実施して得られた積層型電子部品 1を示す断面図である。

[図 2]図 1に示した積層体 5の、内部電極 3aおよび 3bが露出する部分を拡大して示す断面図である。

[図 3]図 2に示した内部電極 3aおよび 3bの露出部分にめっき析出物 12aおよび 12b が析出した状態を示す断面図である。

[図 4]図 3において析出しためっき析出物 12aおよび 12bが成長していく状態を示す断面図である。

[図 5]図 4において成長しためっき析出物 12aおよび 12bが一体化して第 1のめつき層 10を形成しつつある状態を示す断面図である。

[図 6]本発明の第 2の実施形態による製造方法を説明するためのもので、図 2に相当する断面図である。

[図 7]本発明の第 3の実施形態による製造方法を説明するためのもので、図 6に相当する断面図である。

[図 8]本発明に係る製造方法を実施して得られる積層型電子部品の他の例を示す斜視図である。

[図 9]図 8に示した積層型電子部品 21が基板 26上に実装された状態を示す断面図である。

[図 10]図 1に示した積層型電子部品 1が基板 14上に実装された状態を示す断面図である。

[図 11]従来の積層型電子部品 101を示す断面図である。符号の説明

[0033] 1, 21 積層型電子部品

2 絶縁体層

3, 3a, 3b, 4 内部電極

5, 22 積層体

6, 7 端面

8, 9, 24, 25 外部電極

10 第 1のめつき層

11 第 2のめつき層

12a, 12b めっき析出物

23 面

発明を実施するための最良の形態

[0034] 図 1ないし図 5を参照して、本発明の第 1の実施形態による積層型電子部品の製造方法について説明する。

[0035] まず、図 1に示すように、積層型電子部品 1は、積層された複数の絶縁体層 2と、絶縁体層 2間の界面に沿って形成された複数の層状の内部電極 3および 4とを含む積層体 5を備えている。積層型電子部品 1が積層セラミックコンデンサを構成するとき、絶縁体層 2は、誘電体セラミックカゝら構成される。積層体 5の一方および他方端面 6および 7には、それぞれ、複数の内部電極 3および複数の内部電極 4の各端部が露出していて、これら内部電極 3の各端部および内部電極 4の各端部を、それぞれ、互いに電気的に接続するように、外部電極 8および 9が形成されてヽる。

[0036] 外部電極 8および 9の各々は、実質的にめっき析出物力構成され、まず、内部電極 3および 4の露出する端面 6および 7上に形成される第 1のめつき層 10と、その上に形成される第 2のめつき層 11とを備えて!/、る。

[0037] 最外層を構成する第 2のめつき層 11は、半田に対し濡れ性が良好なことが求められるため、 Snや Auなどを主成分とすることが望ましい。また、第 1のめつき層 10は、互ヽに電気的に絶縁された状態にある各々複数の内部電極 3および 4を互、に電気的に接続するとともに、はんだ接合時のはんだ食われを防止する役割を果たすことが求められるため、 Ni等を主成分とするものが好ましい。

[0038] 内部電極 3または 4と直接接続される第 1のめつき層 10は、還元剤を用いて金属ィオンを析出させる無電解めつきにより形成されたものであり、通電処理による電解めつきで形成されたものではな、。

[0039] また、第 1のめつき層 10を無電解めつきにより形成しょうとするとき、無電解めつきェ程の前に、還元剤の還元作用を促進させる触媒物質、たとえば Pd等を、めっき膜を形成すべき面に事前に付与するのが一般的であるが、本発明では、このような触媒物質付与のための工程は設けない。したがって、本発明では、内部電極 3および 4の露出する端面 6および 7の各々と第 1のめつき層 10との間に、触媒物質力もなる均一な層は存在しない。当然ながら、内部電極 3および 4の露出する端面 6および 7上に直接形成される膜には、導電性ペースト膜、真空蒸着膜、スパッタ膜なども含まれない。

[0040] 次に、図 1に示した積層型電子部品 1の製造方法について、外部電極 8および 9、特に第 1のめつき層 10の形成方法を中心に、図 2ないし図 5を参照しながら説明する

[0041] 図 2は、図 1に示した積層体 5の、内部電極 3が露出する一方の端面 6付近を拡大して示す図である。図 2には、外部電極 8を形成する前の状態が示されている。多数存在する内部電極 3のうち、図示した領域に位置する 2つの内部電極を抽出して、それぞれに参照符号「3a」および「3b」を付している。図 2は、内部電極 3が露出する端面 6の近傍を任意に抽出して示したものであり、内部電極 3の特定のものを示すものではない。そして、内部電極 3aおよび 3bに代表される複数の内部電極 3は、この時点では互!ヽに電気的に絶縁された状態にある。

[0042] なお、他方の端面 7およびそこに露出する内部電極 4については、上述した端面 6 および内部電極 3の場合と実質的に同様であるので、図示および説明を省略する。

[0043] 第 1のめつき層 10を形成するにあたり、まず、図 2の状態における積層体 5を、還元剤、およびこの還元剤の酸化還元電位よりも電気化学的に貴な析出電位を有する金属イオンを含むめっき液で満たされた容器中に投入する。また、この容器中に、還元剤の酸化反応に対し触媒活性を示す導電性メディアを投入する。なお、この導電性メディアは、少なくとも表面が触媒活性を示す物質で構成されていればよぐメディアの内部の材質につ!、ては特に限定されな、。

[0044] 次、で、上記容器を回転、揺動、傾斜または振動させて、積層体 5と導電性メディァとをめつき液中で撹拌すると、導電性メディアが、積層体 5における内部電極 3aおよび 3bが露出した端面 6に接触するが、その際に、導電性メディアの触媒作用により還元剤が酸化され、その酸ィ匕作用による電子が内部電極 3aおよび 3bに供給されると推定される。

[0045] そして、液体中の金属イオン力その供給された電子を受け取り、内部電極 3aおよび 3bの露出面に金属として析出する。図 3には、上記露出面に析出しためっき析出物 12aおよび 12bの様子が示されている。この状態における内部電極 3aおよび 3bは、まだ互、に電気的に絶縁された状態のままである。

[0046] さらに無電解めつき工程を続けると、それまでに析出しためっき析出物 12aおよび 1 2bが核となり、金属イオンの析出がさらに進み、析出しためっき析出物 12aおよび 12 bがさらに成長する。このときの様子を図 4に示す。このように析出しためっき析出物 1 2aおよび 12bは還元剤に対する触媒作用を有するので、めっき析出物 12aおよび 1 2bが大きくなるほど、金属イオンの析出がより促進される。

[0047] そして、さらに無電解めつき工程を続けると、金属イオンの析出が進み、各々成長しためつき析出物 12aとめつき析出物 12bとが互いに接触し、一体化する。この状態が進むと、露出した複数の内部電極 3を互いに電気的に接続する第 1のめつき層 10となる。このときの様子を図 5に示す。

[0048] 以上のように、図 2〜図 5の経過図に示した現象は、めっき析出物 12aおよび 12b の成長力の高さに起因するものである。めっき析出物 12aおよび 12bは、その成長とともに、端面 6と平行な方向へ広がりやすぐそして、めっき析出物 12aおよび 12bが互いに接触したときに一体ィ匕しゃすくなる。このめつき析出物 12aおよび 12bの成長力は、めっき浴中の金属イオンの濃度、添加剤、温度などの諸条件を変更することにより調整することが可能である。

[0049] そして、注目すべきは、導電性メディアが還元剤に対して触媒活性を有してヽるので、事前に触媒付与の工程を経なくても、緻密なめっき層を形成することができるということである。さらに、この導電性メディアは、前述の内部電極 3aおよび 3bの露出端へ析出しためっき析出物 12aおよび 12bの密着状態を強固なものにするため、形成された第 1のめつき層 10の緻密性を向上させるように作用する。

[0050] なお、導電性メディアの大きさについては、その直径の平均値にして 0. 2mm以上であることが望ましい。 0. 2mm以上であると、内部電極 3aおよび 3bの露出端へのめつき析出物 12aおよび 12bの析出効率が高くなる。

[0051] 次に、具体的な還元剤の種類に対する、金属イオン種および導電性メディアの材質の関係について説明する。還元剤には、代表的には、リン酸系、ホウ素系、窒素系およびアルデヒド系がある。以下に、これら 4種類の還元剤の各々について説明する

[0052] リン酸系還元剤としては、たとえば次亜リン酸ナトリウム (NaH PO )があり、この酸

2 2

化反応に触媒活性な物質としては、 Au、 Ni、 Coおよび Ptが挙げられ、これら力選ばれる少なくとも 1種を導電性メディアの少なくとも表面の材質とすればよい。このときの金属イオンは Niイオン、 Coイオンおよび Auイオンのいずれか少なくとも 1種にするとよい。

[0053] ホウ素系還元剤としては、たとえばテトラホウ素ナトリウム (NaBH )ゃジメチルァミン

4

ボラン（（CH ) NHBH )等があり、この酸化反応に触媒活性な物質としては、 Au、 N

3 2 3

i、 Coおよび Ptが挙げられ、これら力選ばれる少なくとも 1種を導電性メディアの少なくとも表面の材質とすればよい。このときの金属イオンは Niイオン、 Coイオン、 Auィオンおよび Ptイオンの!/、ずれか少なくとも 1種にするとよ!/、。

[0054] 窒素系還元剤としては、たとえばヒドラジン (N H )があり、この酸化反応に触媒活

2 4

性な物質としては、 Ni、 Coおよび Ptが挙げられ、これら力選ばれる少なくとも 1種を導電性メディアの少なくとも表面の材質とすればょ、。このときの金属イオンは Niィォン、 Coイオンおよび Ptイオンの!/、ずれか少なくとも 1種にするとよ!/、。

[0055] アルデヒド系還元剤としては、たとえばホルムアルデヒド（HCHO)があり、この酸ィ匕反応に触媒活性な物質としては、 Ag、 Cuおよび Auが挙げられ、これらカゝら選ばれる少なくとも 1種を導電性メディアの少なくとも表面の材質とすればよい。このときの金属イオンは Agイオン、 Cuイオンおよび Auイオンの!/、ずれか少なくとも 1種にするとよ!/ヽ [0056] 以上、 4つの具体的な組合せの例を示した力本発明は上記の 4つの組合せに限られるわけではなぐ析出させたい金属種に適合する還元剤を選定し、その還元剤に適合する触媒物質を導電性メディアに採用すればよぐその種類は問われるものではない。また、錯化剤や添加剤の種類'濃度、 pH、温度、混合条件などの各種めつき条件は、上記還元剤や金属イオンの種類によって、適宜調整される。

[0057] 前述した図 2〜図 5に示すようなめっき析出物 12aおよび 12bの成長について、より好ましい実施形態を説明するため、外部電極 8を形成する前の積層体 5を示す図 2 において、絶縁体層 2の厚み方向に測定した、隣り合う内部電極 3aおよび 3b間の間隔を「s」と規定する。さらに、積層体 5の、内部電極 3が露出する端面 6に対する内部電極 3aおよび 3bの各々の引っ込み長さを「d」と規定する。なお、上記の引っ込み長さ「d」は、露出した内部電極面の長手方向（図 2の紙面に垂直な方向）についてある程度のばらつきを持っているため、ここで言う「d」は長手方向のばらつきをカ卩味した平均値である。

[0058] 上述しためっき析出物 12aおよび 12bの成長が生じやすいようにするため、外部電極 8を形成する前の積層体 5にあっては、隣り合う内部電極 3aおよび 3b間の間隔「s」が 20 m以下であり、かつ、内部電極 3aおよび 3bの各々の引っ込み長さ「d」が 1 m以下であることが好ま U、。

[0059] 間隔「s」が 20 m以下であると、図 3ないし図 4における析出しためっき析出物 12a および 12bが互いに接触するまでに必要とするめつき成長の長さが短くて済み、互いに接触する確率が高くなるため、第 1のめつき層 10が形成されやすぐまた、第 1のめつき層 10の緻密性が向上する。

[0060] また、引っ込み長さ「d」が: L m以下であると、導電性メディアが内部電極 3aおよび 3bの露出部分に衝突しやすくなるため、めっき析出物 12aおよび 12bが成長しやすくなる。その結果、第 1のめつき層 10が形成されやすくなり、また、第 1のめつき層 10 の緻密性が向上する。

[0061] 積層セラミックコンデンサを構成する積層型電子部品 1において、代表的な例として、絶縁体層 2がチタン酸バリウム系誘電体材料カゝらなり、かつ内部電極 3および 4の主成分が Niや Cu、 Ag等の卑金属力もなるものがある。このとき、焼成後の積層体 5においては、内部電極 3および 4力積層体 5の端面 6および 7より内側に比較的大きく引っ込んでいることが多い。このような場合、引っ込み長さ「d」を以下にするには、サンドブラスト処理やバレル研磨等の研磨処理を適用して、絶縁体層 2を削るようにすればよい。

[0062] 仮に、焼成後の積層体 5にて内部電極 3および 4の引っ込み長さ「d」が既に 1 μ m 以下であっても、内部電極 3および 4の表面の酸ィ匕膜を除去し、また、内部電極 3および 4の表面を荒らすために、上記のような研磨処理を施す方が望ましい。なぜなら、無電解めつき工程において、めっき析出物 12aおよび 12bの内部電極 3および 4に対する密着度を向上させることができるとともに、導電性メディアによる電子が供給されやすくなるからである。

[0063] また、上述した研磨処理は、より緻密性の高、めっき膜が形成されることを確実にするようにも作用する。

[0064] 内部電極 3および 4の主成分は Pdや Ptのような無電解めつき時にお!、て触媒活性の高い金属である必要はない。 Ni、 Cu、 Ag等の金属であっても問題はなぐまた、使用する還元剤に対する触媒活性がなくても構わない。

[0065] また、内部電極 3および 4の主成分が Ni、 Cuまたは Agであるとき、 Ni、 Cuおよび A gは他の金属成分と合金を形成して!/ヽても構わな!/ヽ。

[0066] また、内部電極 3および 4の厚みは特に厚い必要はなぐ 1 μ m未満でも十分である

。 0. 2 m程度までなら薄くすることが可能であり、コストおよび小型化の点で有利となる。

[0067] 次に、本実施形態のように、第 2のめつき層 11がさらに形成される場合には、第 1のめっき層 10の上に、通常知られている方法でめっきを行なえばよい。第 2のめつき層 11を形成する段階では、めっきすべき場所が導電性を有する連続的な面と既になつているため、容易に第 2のめつき層 11を形成することができる。第 2のめつき層 11の形成には、無電解めつきだけでなぐ電解めつきを適用することもできる。

[0068] 外部電極 8および 9は、図示した実施形態のように、必ずしも 2層構造である必要はなぐ 1層構造でもよぐあるいは 3層以上の構造でもよい。たとえば、第 1、第 2、第 3 のめつき層を、 Cuめっき層、 Niめっき層、 Snめっき層の順に形成する 3層構造や、第 1、第 2、第 3、第 4のめつき層を、 Niめっき層、 Cuめっき層、 Niめっき層、 Snめっき層の順に形成する 4層構造などが挙げられる。

[0069] 図 6は、本発明の第 2の実施形態による製造方法を説明するための図 2に相当する図である。図 6において、図 2に示した要素に相当する要素には同様の参照符号を付し、重複する説明は省略する。

[0070] 第 2の実施形態では、簡単に言えば、内部電極 3aおよび 3bを端面 6から突出させていることを特徴としている。より具体的には、端面 6に対する内部電極 3aおよび 3b の各々の突出長さ「P」が 0. 1 μ m以上であることを特徴として、る。そして、本実施形態の場合には、積層体 5の端面 6において、絶縁体層 2の厚み方向に測定した、隣り合う内部電極 3aおよび 3b間の間隔「s」は、 20 m以下と短くする必要はなぐ 50 m以下であれば十分である。

[0071] なお、上記の突出長さ「p」は、露出した内部電極面の長手方向（図 6の紙面に垂直な方向）についてある程度のばらつきを持っているため、ここで言う「p」は長手方向のばらつきをカ卩味した平均値である。

[0072] 上述のように、突出長さ「p」を 0.： L m以上とすることにより、導電性メディアが内部電極 3aおよび 3bの露出部分に衝突しやすくなるため、めっき析出物 12aおよび 12b が成長しやすくなる。その結果、第 1のめつき層 10が形成されやすくなり、また、第 1 のめつき層 10の緻密性が向上する。また、内部電極間間隔「s」を広げることができ、積層型電子部品の設計の自由度を高めることができる。

[0073] なお、他方の端面 7およびそこに露出する内部電極 4 (図 1参照）についても、上述した端面 6および内部電極 3の場合と実質的に同様であるので、図示および説明を省略する。

[0074] 内部電極 3aおよび 3bを端面 6から突出させるためには、研磨の強さを強くしたり、また、研磨剤に金属を混ぜて研磨剤の硬度を上げたりするなどの方法を採用すればよい。特に、絶縁体層 2がセラミック力もなる場合は、セラミックの方が内部電極 3aおよび 3bより削れやすいため、サンドブラストやバレル研磨の工夫によって、内部電極 3aおよび 3bを突出させた状態を容易に得ることができる。また、レーザー研磨を用いると、セラミックを選択的かつ効果的に削ることができるので、内部電極 3aおよび 3bを突出させた状態をより容易に得ることができる。

[0075] 図 7は、本発明の第 3の実施形態による製造方法を説明するための図 6に相当する図である。図 7において、図 6に示した要素に相当する要素には同様の参照符号を付し、重複する説明は省略する。

[0076] 図 7に示した実施形態においても、積層体 5の端面 6において、絶縁体層 2の厚み方向に測定した、隣り合う内部電極 3aおよび 3b間の間隔「s」が 50 m以下であり、かつ端面 6に対する内部電極 3aおよび 3bの各々の突出長さ「p」が 0.： m以上であると、う条件を満たして、る。

[0077] 図 7を参照して説明する実施形態は、図 6に示した工程の後に、必要に応じて実施されるものである。すなわち、内部電極 3aおよび 3bの端部力端面 6から十分に突出している場合、さらに研磨を続けると、図 7に示すように、内部電極 3aおよび 3bの突出した端部が押圧されて、端面 6と平行な方向へ広がっていく。その結果、端面 6に対する内部電極 3aおよび 3bの各々の突出長さ」が、不所望にも、図 6に示した状態の場合に比べて短くなるものの、隣り合う内部電極 3aおよび 3b間の間隔「s」は、有利にも、図 6に示した状態の場合に比べて短くなる。

[0078] 上述のような場合、無電解めつき時にぉ、て、析出しためっき析出物を成長させるべき距離を実質的に短くすることができる。したがって、めっき析出物の均質性が上がり、また、めっき効率も大きく向上する。また、本実施形態によれば、隣り合う内部電極 3aおよび 3b間に位置する絶縁体層 2の厚みが比較的厚くても、隣り合う内部電極 3aおよび 3b間の間隔「s」を短くすることができる。

[0079] 図 8は、本発明に係る製造方法を実施して得られる積層型電子部品の他の例を示す斜視図である。

[0080] 図 8に示される積層型電子部品 21は、積層体 22を備える。積層型電子部品 21は、積層体 22の特定の面 23に、複数の、たとえば 2つの外部電極 24および 25が形成されて、ることを特徴として！/、る。

[0081] 図示を省略する力積層体 22は、積層された複数の絶縁体層と、絶縁体層間の界面に沿って形成された複数の内部電極とを含んでいる。内部電極の各端部は、外部電極 24および 25の形成前の積層体 22の上述の面 23に露出していて、外部電極 24 および 25は、複数の内部電極の各端部を互いに電気的に接続するように形成されている。この積層型電子部品 21が積層セラミックコンデンサである場合、外部電極 2 4および 25の間で静電容量を取得できるように構成される。

[0082] 外部電極 24および 25は、図 1の積層型電子部品 1の場合と同様、実質上、めっき析出物のみで構成され、特に、外部端子電極 24および 25の少なくとも内部電極と直接接続される部分は、無電解めつき析出物から構成される。

[0083] 図 8に示される積層型電子部品 21を製造するため、仮に外部電極 24および 25をペースト電極層で形成すると、その工程が非常に煩雑となる。なぜなら、積層体 22の外表面の、外部電極 24および 25を形成すべき箇所以外の領域をマスキングする必要があり、たとえばスクリーン印刷など煩雑な工程が必要となるためである。これに対して、本実施形態のように、積層体 22の所定の面 23に露出した複数の内部電極の端部に、直接、めっき析出物を析出させる場合には、特にマスキングをする必要がないため、工程が非常に簡便である。すなわち、積層型電子部品 21は、上述したようなめっき法を用いるからこそ、効率的に製造することができる。

[0084] 図 9には、図 8に示した積層型電子部品 21が基板 26上に実装された状態が示されている。

[0085] 基板 26の表面には、端子 27および 28が形成されている。これら端子 27および 28 に、それぞれ、積層型電子部品 21に備える外部電極 24および 25が半田 29および 3 0を介して接合されている。この実装状態において、半田 29および 30は、外部電極 2 4および 25と端子 27および 28との間にのみ存在している。

[0086] 一方、図 10には、図 1に示した積層型電子部品 1が基板 14上に実装された状態が示されている。

[0087] 図 1に示される積層型電子部品 1の場合には、その外部電極 8および 9が、互いに対向する平行な面上にあり、同一平面上には存在しない。そのため、積層型電子部品 1が基板 14上に実装された状態において、外部電極 8および 9が位置する面と、基板 14上の端子 15および 16が位置する面とが、略垂直に交わるような位置関係にある。このような場合、外部電極 8および 9と端子 15および 16とを接合するための半田 17および 18には、図 10に示すように、ある程度以上の厚みをもったフィレット形状が付与される。

[0088] このようなことから、前述の図 9に示した実装状態によれば、図 10に示した実装状態と比較して、外部電極 24および 25が同一平面上にあるため、半田 29および 30がフィレット形状を形成せず、その分、基板 26への実装密度を高くすることができる。

[0089] また、積層型電子部品 21が積層セラミックコンデンサである場合、図 9のように実装された状態にて半田 29および 30の量が少ないと、等価直列インダクタンス (ESL)を低くすることができる。これによつて、コンデンサの充放電時における位相のシフト量力、さくなり、特に高周波用途において実用的である。このことから、積層型電子部品 21にお、て採用された構造は、低 ESL対応積層コンデンサにお、て好適に用いることがでさる。

[0090] 以上、本発明を、図示した実施形態に関連して説明したが、本発明の範囲内において、その他種々の変形例が可能である。

[0091] たとえば、本発明が適用される積層型電子部品としては、積層チップコンデンサが代表的であるが、その他、積層チップインダクタ、積層チップサーミスタなどにも適用可能である。

[0092] したがって、積層型電子部品に備える絶縁体層は、電気的に絶縁する機能を有していればよぐその材質は特に問われるものではない。すなわち、絶縁体層は、誘電体セラミック力なるものに限らず、その他、圧電体セラミック、半導体セラミック、磁性体セラミック、榭脂など力もなるものであってもよ、。

[0093] 以下、本発明の範囲を決定するため、または本発明による効果を確認するために実施した実験例について説明する。

[0094] まず、以下の表 1には、この実験例において採用された 4種類の無電解めつき条件「A]〜「D」が示されている。

[0095] [表 1] A 硫酸ニッケル（Π )6水和物 0. 1モル ZL

次亜リン酸ナトリウム 1水和物 0. 2モル/ L

グルコノラク卜ン 0. 3モルノ L

硫酸ビスマス 1 X 10— ⁵モル/ L

pH 7. 0

回転条件 1 0r.p.m.lこて 1 00分

B 硫酸ニッケル（Π ) 6水和物 0. 1モル ZL

ジメチルァミンボラン 0. 05モル ZL

クェン酸 3ナトリウム 2水和物 0. 1 5モルノ1_

乳酸 0. 28モル ZL

pH 7. 0

/皿 & 55°C

回転条件 1 0r.p.m.にて 1 50分

C 塩化ニッケル 6水和物 0. 1モル ZL

ヒドラジン 1水和物 0. 6モル/ L

クェン酸 3ナトリウム 2水和物 0. 2モル/ L

PH 9. 5

'皿' 80 C

回転条件 l Or.p.m.にて 1 50分

D 硫酸銅 5水和物 0. 04モル ZL

ホルムアルデヒド 0. 1 6モル ZL

酒石酸ナトリウムカリウム 4水和物 0. 1モリレし

ポリエチレングリコール 1 . Og/L

水酸化ナトリウム 0. 1 25モル/ 1_

皿 40°C

エアレ一シヨン 0. 5Lノ分

回転条件 1 Or.p.m.にて 1 50分

[0096] [実験例 1]

実験例 1では、無電解めつきにおいて用いる導電性メディアとして、その材質が異なるものを用意し、図 1に示すような積層型電子部品のための積層体における内部電極が露出する端面に、直接、第 1のめつき層を無電解めつきにより形成する場合にぉ、て、用いられた導電性メディアの材質による影響を調査した。

[0097] より詳細には、被めつき物として、長さ 1. 6mm、幅 0. 8mmおよび厚み 0. 8mmの積層セラミックコンデンサ用積層体であって、絶縁体層がチタン酸バリウム系誘電体材料からなり、内部電極の厚みおよび内部電極の主成分力それぞれ、表 2の「内部電極の厚み」および「内部電極の主成分」に示すとおりのものを用意した。また、この積層体において、絶縁体層の厚み、すなわち隣り合う内部電極間の間隔「s」は 10 mであり、内部電極が露出する積層体の端面に対する内部電極の弓 Iつ込み長さ「d」は最も大きい箇所で 2. O /z mであった。

[0098] 次に、上記積層体 5000個、および直径 0. 4mmの導電性メディア 80ccを、容積 3 OOccの回転バレル中に投入し、表 2の「めっき条件」に示すように、表 1に示した条件「A」にて、内部電極の露出する積層体の端面に、第 1のめつき層としての厚み 8 /z m の無電解 Niめっき膜を形成した。このとき、導電性メディアとして、表 2の「導電性メディァ種」の欄に示すように、その材質が Feのものおよび Niのもののいずれかを用いた

[0099] 次いで、上記第 1のめつき層としての無電解 Niめっき膜を形成した積層体の入った回転バレルを、 pHを 5. 0に調整した浴温 33°Cの Snめっき浴（ディップソール社製 S n— 235)に浸漬させ、回転数 12r.p.m.にて回転させながら、給電端子を通じて電流密度 0.07AZdm²にて 50分間通電した。このようにして、第 1のめつき層の上に第 2 のめつき層としての厚み 3 μ mの Snめっき膜を形成した。

[0100] 以上のようにして、積層体に対して、ペースト電極層などを形成せずに、直接、めつき層を形成することができ、このようなめっき層力もなる外部電極を備える、試料 1〜3 に係る積層セラミックコンデンサを得た。

[0101] 次に、試料 1〜3の各々について、 100個の積層セラミックコンデンサに対して、高温負荷試験（105°C、 12.6V)を行ない、 1000時間後および 2000時間後に絶縁抵抗値をそれぞれ測定し、これが 1Μ Ω以下となったものを不良として計数した。表 2に不良個数が示されている。

[0102] [表 2] o

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[0103] 表 2に示すように、試料 1については、不良個数が多ぐ信頼性が不十分であった。これは、第 1のめつき層の緻密性が低かったためか、 Snめっき液が浸入し、積層体の内部における絶縁体層や内部電極が若干浸食されたためと考えられる。

[0104] 試料 2については、試料 1よりさらに不良個数が多ぐ信頼性が不十分であった。これは、内部電極を構成する主成分が触媒能の低い Niであったため、第 1のめつき層の緻密性がさらに低かつたものと思われる。

[0105] これらに対して、試料 3については、 1000時間においては不良がみられず、信頼性の高ヽ結果となった。導電性メディアの表面が還元剤に対して触媒活性を有する Niであったため、第 1のめつき層の緻密性が高まったものと考えられる。また、この結果は、積層体の内部電極の主成分が触媒能の低い Niなどの卑金属であっても、緻密性の高、第 1のめつき層が得られることを示して、る。

[0106] [実験例 2]

実験例 2では、積層体における内部電極の厚みが無電解めつきの品質に与える影響を調査した。

[0107] 被めつき物として、内部電極の厚みおよび内部電極の主成分力それぞれ、表 3の「内部電極厚み」および「内部電極の主成分」に示すとおりであること以外は、実験例 1の場合と同じ積層体を用意した。

[0108] 次に、上記積層体 5000個、および直径 0. 2mmの導電性メディア 50ccを、容積 3 OOccの回転バレル中に投入し、表 3の「めっき条件」に示すように、表 1に示した条件「A」にて、内部電極の露出する積層体の端面に、第 1のめつき層としての厚み 8 /z m の無電解 Niめっき膜を形成した。このとき、導電性メディアとして、表 3の「導電性メディァ種」の欄に示すように、その材質が Niのものおよび Feのもののいずれかを用いた

[0109] 次いで、実験例 1の場合と同じ方法にて、第 1のめつき層の上に、第 2のめつき層としての厚み 3 μ mの Snめっき膜を形成した。

[0110] 以上のようにして、積層体に対して、ペースト電極層などを形成せずに、直接、めつき層を形成することができ、このようなめっき層力もなる外部電極を備える、試料 11〜

15に係る積層セラミックコンデンサを得た。

[0111] 次に、試料 11〜15の各々について、 100個の積層セラミックコンデンサに対して、実験例 1の場合と同様の条件で高温負荷試験を行な!、、 1000時間後および 2000 時間後に絶縁抵抗値をそれぞれ測定し、これが 1M Ω以下となったものを不良として計数した。表 3に不良個数が示されている。

[表 3]

示すように、試料 11〜13によると、導電性メディアの表面が還元剤に対して触媒活性を有する Niであったため、内部電極の厚みを、たとえば 0. というように、 1. O /z m未満にしても、高温負荷試験における不良は検出されず、実験例 1の試料 3と同程度の信頼性が得られた。

[0114] 一方、試料 14および 15では、実験例 1の試料 1より内部電極の厚みを薄くしているため、第 1のめつき層の緻密性がさらに低下し、信頼性が低下した。

[0115] これらのことから、本発明に係る無電解めつき法を実施すれば、厚み 1. 0 /z m未満の薄い内部電極にても、緻密性の高い第 1のめつき層を形成できることがわ力つた。

[0116] [実験例 3]

実験例 3では、無電解めつき前のバレル研磨工程の有無の影響を見るとともに、無電解めつき時に様々な金属イオンまたは還元剤を用いて第 1のめつき層を形成した。

[0117] 被めつき物として、内部電極の厚みおよび内部電極の主成分力それぞれ、表 4の「内部電極厚み」および「内部電極の主成分」に示すとおりであること以外は、実験例 1の場合と同じ積層体を用意した。したがって、この段階にある積層体において、内部電極が露出する積層体の端面に対する内部電極の弓 Iつ込み長さ「d」は、実験例 1 の場合と同様、 2. O /z mであった。

[0118] 次【こ、表 4【こ示す Jう【こ、試料 22、 23、 24、 25、 26、 28お Jび 30【こ係る積層体【こついて、研磨剤を用いてバレル研磨を行ない、内部電極の露出する積層体の端面に対する内部電極の引っ込み長さ「d」を、最も大き、箇所で 0.1 μ mとなるようにした。他方、試料 21、 27および 29に係る積層体については、上記バレル研磨を行なわなかった。したがって、試料 21、 27および 29では、表 4に示すように、内部電極の引つ込み長さ「d」は 2. 0 mのままであった。

[0119] 次に、上記積層体 5000個を、直径 0. 4mmの導電性メディア lOOccとともに、容積 300ccの回転バレル中に投入し、表 4の「めっき条件」に示すように、表 1に示した条件「A」、「B」、「C」または「D」にて、内部電極が露出する積層体の端面に、第 1のめつき層としての厚み 10 /z mの無電解めつき膜を形成した。ここで、表 4の「めっき金属」の欄に示すように、試料 21〜26では無電解 Niめっき膜を形成し、試料 27〜30では無電解 Cuめっき膜を形成した。また、導電性メディアとして、表 4の「導電性メディァ種」の欄に示すように、その材質が Niのもの、 Cuのものおよび Agのもののいずれかを用いた。

[0120] 次いで、試料 21〜26においては、第 1のめつき層の上に、第 2のめつき層としての厚み 5 mの Snめっき膜を、実験例 1の場合と同じ方法にて形成した。

[0121] 他方、試料 27〜30については、上記第 1のめつき層を形成した積層体の入った回転バレルを、 pHを 4.2に調整した浴温 60°Cの Niめっき用ワット浴に浸漬させ、回転数 lOr.p.m.にて回転させながら、電流密度 0.2AZdm²にて通電を開始した。通電開始後 60分後には、第 2のめつき層としての厚み 5 /z mの Niめっき膜が形成された。さらに、第 2のめつき層を形成した積層体の入った回転バレルを、 pHを 5.0に調整した浴温 33°Cの Snめっき浴（ディップソール社製 Sn— 235)に浸漬させ、回転数 12r.p. m.にて回転させながら、給電端子を通じて電流密度 0.07AZdm²にて 50分間通電した。このようにして、第 3のめつき層としての厚み 5 mの Snめっき膜を形成した。

[0122] 以上のようにして、積層体に対して、ペースト電極層などを形成せずに、直接、めつき層を形成することができ、このようなめっき層力もなる外部電極を備える、試料 21〜 30に係る積層セラミックコンデンサを得た。

[0123] 次に、試料 21〜30の各々について、 100個の積層セラミックコンデンサに対して、実験例 1の場合と同様の条件で高温負荷試験を行な!、、 1000時間後および 2000 時間後に絶縁抵抗値をそれぞれ測定し、これが 1M Ω以下となったものを不良として計数した。表 4に不良個数が示されている。

[0124] [表 4]

うに、全試料とも、 1000時間後における不良個数は 0であり、信頼性に優れる結果となった。特に、ノレノレ研磨を行なった試料 22、 23、 24、 25、 26、 28 および 30においては、 2000時間後における不良個数も 0であり、さらに信頼性に優れる結果となった。これは、バレル研磨により、積層体の端面に対する内部電極の引つ込み長さ「d」が 1 μ m以下と小さくなつたため、触媒活性をもつ導電性メディアが内部電極の露出端に接触しやすくなり、めっき膜の緻密化がより促進されたためと考えられる。

[0126] また、試料 23および 24の結果より、内部電極の主成分が Cuまたは Agであっても、緻密で信頼性に優れる第 1のめつき層を形成できることがわ力た。

[0127] さらに、試料 25および 26の結果より、導電性メディアが還元剤に対して触媒活性を有する場合であれば、様々な還元剤が使用可能であることがわ力つた。

[0128] また、試料 27〜30の結果より、無電解 Cuめっきによっても、緻密で信頼性に優れる第 1のめつき層を形成できることがわ力つた。

[0129] [実験例 4]

実験例 4では、図 6に示すように、内部電極を積層体の端面から突出させた場合、内部電極間間隔「s」（絶縁体層の厚み）のより大きいものにも対応できることを確認するために実施した。

[0130] 被めつき物として、内部電極の主成分を Niに固定し、積層体における絶縁体層の厚みを、表 5の「絶縁体層の厚み」の欄に示すように、 20 mおよび 50 mとしたこと以外は、実験例 3の場合と同じ積層体を用意した。

[0131] 次に、各試料に係る積層体に対して、アルミナ系研磨粉を用いてサンドブラストを実施した。ここで、表 5に示すように、試料 31および 32に係る積層体については、強度 0. 25MPaのサンドブラストを実施し、内部電極の露出する積層体の端面に対する内部電極の引っ込み長さ「d」を、最も大きい箇所で 0.1 mとなるようにした。他方、試料 33および 34に係る積層体については、強度 0. 50MPaのサンドブラストを実施し、内部電極の露出する積層体の端面に対する内部電極の突出長さ」を、平均値で 1 μ mとなるようにした。

[0132] サンドブラスト終了後は、積層体より研磨粉を洗浄除去し、乾燥を行なった。

[0133] 次に、用いる導電性メディアとして、表 5の「導電性メディア種」の欄に示すように、その材質が Niのものに固定したことを除いて、実験例 1の場合と同様の条件にて、第 1 のめつき層としての厚み 10 /z mの無電解めつき膜を形成し、次いで、実験例 1の場合と同様の条件にて、第 1のめつき層の上に、第 2のめつき層としての厚み 5 mの S nめっき膜を形成した。

[0134] 以上のようにして、積層体に対して、ペースト電極層などを形成せずに、直接、めつき層を形成することができ、このようなめっき層力もなる外部電極を備える、試料 31〜 34に係る積層セラミックコンデンサを得た。

[0135] 次に、試料 31〜34の各々について、 100個の積層セラミックコンデンサに対して、実験例 1の場合と同様の条件で高温負荷試験を行な!、、 1000時間後および 2000 時間後に絶縁抵抗値をそれぞれ測定し、これが 1M Ω以下となったものを不良として計数した。表 5に不良個数が示されている。

[0136] [表 5]

表 5に示すように、「d=0. 1」の試料 31および 32について見ると、「絶縁体層の厚み」が 20 /X mの試料 31では、 1000時間後および 2000時間後における不良個数は 0であり、信頼性に優れる結果となった力「絶縁体層の厚み」が 50 mの試料 32では、 1000時間後においてさえ、不良が発生した。これに対して、試料 33および 34のように、「p = l」とすれば、 1000時間後および 2 000時間後における不良個数は 0であり、信頼性に優れる結果となった。このことから、積層体の端面に対して内部電極を突出させると、「絶縁体層の厚み」すなわち内部電極間間隔「s」を 20 mより大きくしても、積層型電子部品の信頼性を優れたものとすることができることがわ力つた。

Claims

請求の範囲

[1] 積層された複数の絶縁体層と、前記絶縁体層間の界面に沿って形成された複数の内部電極とを含み、前記内部電極の各端部が所定の面に露出していて、隣り合う前記内部電極は前記所定の面にぉ、て互いに電気的に絶縁されて、る、積層体を用意する工程と、

前記積層体の前記所定の面に露出した複数の前記内部電極の各端部を互いに電気的に接続するように、前記積層体の前記所定の面上に外部電極を形成する工程とを含み、

前記外部電極を形成する工程は、前記積層体を用意する工程において用意された前記積層体の前記所定の面に露出した複数の前記内部電極の端部に対し、直接、還元剤および前記還元剤の酸化還元電位よりも電気化学的に貴な析出電位を有する金属イオンを含有するめつき液を用いて無電解めつきを行なう、無電解めつきェ程を備え、

前記無電解めつき工程は、前記還元剤の酸化反応に対し触媒活性を示す導電性メディアを用意する工程と、前記めつき液中で前記導電性メディアと前記積層体とを撹拌する工程と、複数の前記内部電極の端部に析出しためっき析出物が相互に接続されるように前記めつき析出物をめつき成長させる工程とを含む、

積層型電子部品の製造方法。

[2] 前記めつき液中で前記導電性メディアと前記積層体とを撹拌する工程は、容器内に収容した前記導電性メディアと前記積層体とを、前記めつき液中で、回転、揺動、傾斜または振動させる工程を備える、請求項 1に記載の積層型電子部品の製造方法

[3] 前記導電性メディアの直径は、平均値で 0. 2mm以上である、請求項 1または 2に記載の積層セラミック電子部品の製造方法。

[4] 前記めつき液中の前記金属イオンが Niイオン、 Coイオンおよび Auイオン力選ばれる少なくとも 1種であり、前記導電性メディアの少なくとも表面が Au、 Ni、 Coおよび

Ptから選ばれる少なくとも 1種またはその合金力なり、前記還元剤カ^ン酸系化合物である、請求項 1に記載の積層型電子部品の製造方法。

[5] 前記リン酸系化合物が次亜リン酸または次亜リン酸塩であり、前記めつき液中の前記金属イオンが Niイオンである、請求項 4に記載の積層型電子部品の製造方法。

[6] 前記めつき液中の前記金属イオンが Niイオン、 Coイオン、 Ptイオンおよび Auィォン力選ばれる少なくとも 1種であり、前記導電性メディアの少なくとも表面が Au、 Ni 、 Coおよび Ptから選ばれる少なくとも 1種またはその合金力なり、前記還元剤がホゥ酸系化合物である、請求項 1に記載の積層型電子部品の製造方法。

[7] 前記めつき液中の前記金属イオンが Niイオン、 Coイオン、 Ptイオンおよび Auィォンカも選ばれる少なくとも 1種であり、前記導電性メディアの少なくとも表面が Co、 Ni および Ptから選ばれる少なくとも 1種またはその合金力なり、前記還元剤が窒素系化合物である、請求項 1に記載の積層型電子部品の製造方法。

[8] 前記めつき液中の前記金属イオンが Agイオン、 Cuイオンおよび Auイオン力選ばれる少なくとも 1種であり、前記導電性メディアの少なくとも表面が Ag、 Cuおよび Au 力選ばれる少なくとも 1種またはその合金力なり、前記還元剤がアルデヒド系化合物である、請求項 1に記載の積層型電子部品の製造方法。

[9] 前記積層体を用意する工程において用意される前記積層体は、前記内部電極が露出する前記所定の面において、前記絶縁体層の厚み方向に測定した、隣り合う前記内部電極間の間隔が 20 m以下であり、かつ前記所定の面に対する前記内部電極の引っ込み長さが 1 m以下である、請求項 1に記載の積層型電子部品の製造方法。

[10] 前記積層体を用意する工程において用意される前記積層体は、前記内部電極が露出する前記所定の面において、前記絶縁体層の厚み方向に測定した、隣り合う前記内部電極間の間隔が 50 m以下であり、かつ前記所定の面に対する前記内部電極の突出長さが 0.： L m以上である、請求項 1に記載の積層型電子部品の製造方法。

[11] 前記外部電極を形成する工程の前に、前記積層体に対し、研磨剤を用いて研磨する工程をさらに含む、請求項 9または 10に記載の積層型電子部品の製造方法。

[12] 前記内部電極の主成分力 Ni、 Cuおよび Ag力も選ばれる少なくとも 1種である、請求項 1に記載の積層型電子部品の製造方法。