JP2003183843A - 電子部品の製造方法、及び電子部品 - Google Patents
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 安価にして所望箇所にのみ所望のめっき皮膜
を形成することのできるようにした。 【解決手段】 ホスフィン酸ナトリウム（ＮａＨ２ＰＯ
２）を還元剤として添加されたＮｉ塩を含むめっき浴中
で、被めっき物と前記還元剤の酸化反応に対し触媒活性
を示す平均径１ｍｍのＮｉ片とを混合し、自己触媒型の
無電解めっきを施してＣｕ、Ａｇ、又はＡｇ−Ｐｄで形
成された電極２上にＮｉ−Ｐ皮膜３を形成し、次いで、
該被めっき物をＡｕ塩を含むめっき浴中に浸漬して置換
型の無電解めっきを施し、Ｎｉ−Ｐ皮膜３の表面にＡｕ
皮膜を形成する。
を形成することのできるようにした。 【解決手段】 ホスフィン酸ナトリウム（ＮａＨ２ＰＯ
２）を還元剤として添加されたＮｉ塩を含むめっき浴中
で、被めっき物と前記還元剤の酸化反応に対し触媒活性
を示す平均径１ｍｍのＮｉ片とを混合し、自己触媒型の
無電解めっきを施してＣｕ、Ａｇ、又はＡｇ−Ｐｄで形
成された電極２上にＮｉ−Ｐ皮膜３を形成し、次いで、
該被めっき物をＡｕ塩を含むめっき浴中に浸漬して置換
型の無電解めっきを施し、Ｎｉ−Ｐ皮膜３の表面にＡｕ
皮膜を形成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は電子部品の製造方
法、及び電子部品に関し、特に、積層コンデンサやノイ
ズフィルタ等のチップ型電子部品の製造方法、及び該製
造方法を使用して製造された電子部品に関する。
法、及び電子部品に関し、特に、積層コンデンサやノイ
ズフィルタ等のチップ型電子部品の製造方法、及び該製
造方法を使用して製造された電子部品に関する。
【０００２】
【従来の技術】電子部品の分野では、近年、ボンディン
グ性やはんだ付け性、導電性樹脂接合性、耐熱性、耐蝕
性等の諸機能を向上させて信頼性に優れた高機能の電子
部品を得るべく、電極表面にニッケルめっき及び金めっ
きを施すことが盛んに行なわれている。
グ性やはんだ付け性、導電性樹脂接合性、耐熱性、耐蝕
性等の諸機能を向上させて信頼性に優れた高機能の電子
部品を得るべく、電極表面にニッケルめっき及び金めっ
きを施すことが盛んに行なわれている。
【０００３】ところで、めっき方法を被覆方法から分類
した場合、周知のように、金属イオンを含有しためっき
液に電気を流して電気分解を行ない金属を被めっき物上
に析出させる電解めっきと、無電解めっきとに大別され
る。また、無電解めっきには、めっき液に還元剤を添加
し該還元剤の酸化反応によって生ずる電子を金属の析出
反応を利用する自己触媒型と、溶液中の金属イオンと素
地金属間で生じる置換反応を利用した置換型とがある。
した場合、周知のように、金属イオンを含有しためっき
液に電気を流して電気分解を行ない金属を被めっき物上
に析出させる電解めっきと、無電解めっきとに大別され
る。また、無電解めっきには、めっき液に還元剤を添加
し該還元剤の酸化反応によって生ずる電子を金属の析出
反応を利用する自己触媒型と、溶液中の金属イオンと素
地金属間で生じる置換反応を利用した置換型とがある。
【０００４】そして、自己触媒型の無電解めっきでは、
還元剤の酸化反応に対し電極表面を触媒活性な表面にす
る必要があり、このため従来より、Ｐｄ（パラジウム）
を含有した触媒液に被めっき物を浸漬して電極に表面処
理を施し、電極表面を触媒活性化することが行われてい
る。
還元剤の酸化反応に対し電極表面を触媒活性な表面にす
る必要があり、このため従来より、Ｐｄ（パラジウム）
を含有した触媒液に被めっき物を浸漬して電極に表面処
理を施し、電極表面を触媒活性化することが行われてい
る。
【０００５】しかしながら、上述したようにＰｄを含有
した触媒液に被めっき部材を浸漬した場合、電極以外の
部分にもＰｄが付着して触媒活性化され、このため該Ｐ
ｄを核としたＮｉめっき等が進行し、その結果、電極以
外の部分にもＮｉ等が析出する虞がある。しかも、Ｐｄ
触媒を付与するための前処理として脱脂工程やエッチン
グ工程が必要になる等製造工程が煩雑であり、このため
従来より、この種のめっき処理は主として電解めっきに
より行われていた。
した触媒液に被めっき部材を浸漬した場合、電極以外の
部分にもＰｄが付着して触媒活性化され、このため該Ｐ
ｄを核としたＮｉめっき等が進行し、その結果、電極以
外の部分にもＮｉ等が析出する虞がある。しかも、Ｐｄ
触媒を付与するための前処理として脱脂工程やエッチン
グ工程が必要になる等製造工程が煩雑であり、このため
従来より、この種のめっき処理は主として電解めっきに
より行われていた。
【０００６】その一方で、近年になって、還元剤として
ホウ素系化合物を使用した場合は、Ｐｄによる触媒処理
を行わなくとも電極上に直接無電解めっきを施すことの
できることが判明し、かかる知見に基づき無電解めっき
によりＣｕ電極の表面にＮｉ−Ｂ層、Ｎｉ−Ｐ層、及び
Ａｕ層を順次積層した技術が提案されている（特開平１
０−１３５６０７号公報）。
ホウ素系化合物を使用した場合は、Ｐｄによる触媒処理
を行わなくとも電極上に直接無電解めっきを施すことの
できることが判明し、かかる知見に基づき無電解めっき
によりＣｕ電極の表面にＮｉ−Ｂ層、Ｎｉ−Ｐ層、及び
Ａｕ層を順次積層した技術が提案されている（特開平１
０−１３５６０７号公報）。
【０００７】この従来技術では、被めっき物にＰｄ触媒
を付与することなく無電解めっきを施すことができ、こ
れによりＮｉ−Ｂ層、Ｎｉ−Ｐ層、及びＡｕ層を順次積
層しているので、電極以外の部分にめっき皮膜が形成さ
れることなく、電極表面上にのみＮｉ系皮膜及びＡｕ皮
膜を形成することができる。
を付与することなく無電解めっきを施すことができ、こ
れによりＮｉ−Ｂ層、Ｎｉ−Ｐ層、及びＡｕ層を順次積
層しているので、電極以外の部分にめっき皮膜が形成さ
れることなく、電極表面上にのみＮｉ系皮膜及びＡｕ皮
膜を形成することができる。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記め
っき方法の内、電解めっきには以下のような問題点があ
った。すなわち、 （１）多数の端子を具備した多端子電子部品では、各端
子への給電状態を均一にすることが困難であり、このた
め各端子間でめっき皮膜の膜厚が均一性を欠き、めっき
皮膜の膜厚にバラツキが生じる。この場合、必要最小限
の膜厚を確保しなければならないため、最小膜厚を基準
にめっき皮膜が形成可能となるようなめっき条件の設定
を行う必要があり、このため全体的には膜厚が厚くな
り、したがって、特にＡｕめっきの場合は素材自体が高
価であるためコストの高騰化を招き、またＮｉめっきの
場合は皮膜応力によってＮｉめっき皮膜が電極から剥離
する虞がある。
っき方法の内、電解めっきには以下のような問題点があ
った。すなわち、 （１）多数の端子を具備した多端子電子部品では、各端
子への給電状態を均一にすることが困難であり、このた
め各端子間でめっき皮膜の膜厚が均一性を欠き、めっき
皮膜の膜厚にバラツキが生じる。この場合、必要最小限
の膜厚を確保しなければならないため、最小膜厚を基準
にめっき皮膜が形成可能となるようなめっき条件の設定
を行う必要があり、このため全体的には膜厚が厚くな
り、したがって、特にＡｕめっきの場合は素材自体が高
価であるためコストの高騰化を招き、またＮｉめっきの
場合は皮膜応力によってＮｉめっき皮膜が電極から剥離
する虞がある。
【０００９】（２）また、チップ型電子部品のような小
形物品では、従来より所謂バレルめっきでめっき処理す
ることが広く実用化されているが、今日では電子部品の
更なる小形化が要請されている。
形物品では、従来より所謂バレルめっきでめっき処理す
ることが広く実用化されているが、今日では電子部品の
更なる小形化が要請されている。
【００１０】しかしながら、斯かる電子部品の小形化に
伴なってバレル内壁等に形成された多数の孔に該電子部
品の挟まる虞があり、このため前記孔の開孔径を小さく
する必要が生じる一方で、該開孔径を小さくするとめっ
き液の流れが悪くなる。
伴なってバレル内壁等に形成された多数の孔に該電子部
品の挟まる虞があり、このため前記孔の開孔径を小さく
する必要が生じる一方で、該開孔径を小さくするとめっ
き液の流れが悪くなる。
【００１１】また、バレルめっきの場合、電極への導電
性を確保する観点から、多数の導電性媒体（メディア）
をバレル装置内に投入してめっき処理が行なわれる。し
たがって、電子部品の小形化が進行するに伴ない、導電
性媒体も例えば直径０．８ｍｍ以下の小径のものを使用
せざるを得なくなり、このため１ｍｍ程度の比較的大き
な直径の導電性媒体が混入した安価な導電性媒体（所謂
「スチールショット」）を使用することができなくな
る。つまり、経済的観点からは、形状が不揃いだが安価
なスチールショットをバレル装置内に投入してめっき処
理を行うのが望ましいが、電子部品の小形化に伴ない、
バレルの開孔径も小さくせざるを得なくなり、その結果
導電性媒体は斯かる開孔径の小さな孔に挟まることがあ
るため、高価な小径の導電性媒体や形状の揃ったスチー
ルボールを使用せざるを得なくなり、生産コストの急騰
化を招来する。
性を確保する観点から、多数の導電性媒体（メディア）
をバレル装置内に投入してめっき処理が行なわれる。し
たがって、電子部品の小形化が進行するに伴ない、導電
性媒体も例えば直径０．８ｍｍ以下の小径のものを使用
せざるを得なくなり、このため１ｍｍ程度の比較的大き
な直径の導電性媒体が混入した安価な導電性媒体（所謂
「スチールショット」）を使用することができなくな
る。つまり、経済的観点からは、形状が不揃いだが安価
なスチールショットをバレル装置内に投入してめっき処
理を行うのが望ましいが、電子部品の小形化に伴ない、
バレルの開孔径も小さくせざるを得なくなり、その結果
導電性媒体は斯かる開孔径の小さな孔に挟まることがあ
るため、高価な小径の導電性媒体や形状の揃ったスチー
ルボールを使用せざるを得なくなり、生産コストの急騰
化を招来する。
【００１２】（３）また、電解バレルめっきでＡｕ皮膜
を形成する場合、電子部品の電極上のみならず、導電性
媒体にもＡｕが被着するため、高価なＡｕを必要以上に
消費し、特にボンディング用にＡｕめっきを施す場合は
厚い膜厚が必要となるため、生産コストが高騰化する。
を形成する場合、電子部品の電極上のみならず、導電性
媒体にもＡｕが被着するため、高価なＡｕを必要以上に
消費し、特にボンディング用にＡｕめっきを施す場合は
厚い膜厚が必要となるため、生産コストが高騰化する。
【００１３】（４）さらに、バリスタ等のセラミックス
材料を素体とする低抵抗の電子部品の場合は、電解めっ
きにより電子がセラミック素体表面にまで流れるため、
セラミック素体の表面にもめっき金属が異常析出する。
特に、バレルめっきでは電位分布が複雑であるため、斯
かるめっき金属のセラミック素体への異常析出を回避す
るのは困難である。
材料を素体とする低抵抗の電子部品の場合は、電解めっ
きにより電子がセラミック素体表面にまで流れるため、
セラミック素体の表面にもめっき金属が異常析出する。
特に、バレルめっきでは電位分布が複雑であるため、斯
かるめっき金属のセラミック素体への異常析出を回避す
るのは困難である。
【００１４】等の問題点があった。
【００１５】一方、特開平１０−１３５６０７号公報に
示された無電解めっき法では、電極表面上にＰｄ触媒を
付与することなく、めっき処理を施すことができるの
で、電極上にのみ所望のめっき皮膜を形成することが可
能であるが、Ｎｉ−Ｂ層の表面に直接置換型Ａｕめっき
を施した場合はＮｉ−Ｂ層とＡｕ層との間で十分な密着
性を保持することができない虞があり、このため、Ｎｉ
−Ｂ層の表面にＡｕとの密着性に良好なＮｉ−Ｐ層を形
成する必要がある。したがって電極とＡｕ層との間に二
層のめっき皮膜、すなわち、Ｎｉ−Ｂ層及びＮｉ−Ｐ層
を形成しなければならず、製造プロセスが複雑であると
いう問題点があった。しかも、無電解めっきでＮｉ−Ｂ
皮膜を形成する場合は、通常、還元剤として高価なジメ
チルアミンボラン（（ＣＨ３）２ＮＨＢＨ３；以下「Ｄ
ＭＡＢ」という）を使用しているため、生産コストの高
騰化を招来するという問題点があった。
示された無電解めっき法では、電極表面上にＰｄ触媒を
付与することなく、めっき処理を施すことができるの
で、電極上にのみ所望のめっき皮膜を形成することが可
能であるが、Ｎｉ−Ｂ層の表面に直接置換型Ａｕめっき
を施した場合はＮｉ−Ｂ層とＡｕ層との間で十分な密着
性を保持することができない虞があり、このため、Ｎｉ
−Ｂ層の表面にＡｕとの密着性に良好なＮｉ−Ｐ層を形
成する必要がある。したがって電極とＡｕ層との間に二
層のめっき皮膜、すなわち、Ｎｉ−Ｂ層及びＮｉ−Ｐ層
を形成しなければならず、製造プロセスが複雑であると
いう問題点があった。しかも、無電解めっきでＮｉ−Ｂ
皮膜を形成する場合は、通常、還元剤として高価なジメ
チルアミンボラン（（ＣＨ３）２ＮＨＢＨ３；以下「Ｄ
ＭＡＢ」という）を使用しているため、生産コストの高
騰化を招来するという問題点があった。
【００１６】本発明はこのような問題点に鑑みなされた
ものであって、安価にして所望箇所にのみ所望のめっき
皮膜を形成することのできる電子部品の製造方法、及び
該製造方法を使用して製造される低コストで信頼性に優
れた電子部品を提供することを目的とする。
ものであって、安価にして所望箇所にのみ所望のめっき
皮膜を形成することのできる電子部品の製造方法、及び
該製造方法を使用して製造される低コストで信頼性に優
れた電子部品を提供することを目的とする。
【００１７】
【課題を解決するための手段】従来のように、チップ型
電子部品のような小形部品を電解めっき法でバレルめっ
きする場合は、上述したようにバレル内に小径の導電性
媒体を投入してめっき処理を行なわなければならず、し
かも、導電性媒体の表面にもめっき金属が析出するた
め、その分だけ金属が余計に必要となって生産コストの
高騰化を招来し、さらに多端子電子部品の場合は膜厚分
布が大きくなる等の問題点がある。そして、斯かる問題
点を解消するのは電解めっきでは技術的に困難と考えら
れる。
電子部品のような小形部品を電解めっき法でバレルめっ
きする場合は、上述したようにバレル内に小径の導電性
媒体を投入してめっき処理を行なわなければならず、し
かも、導電性媒体の表面にもめっき金属が析出するた
め、その分だけ金属が余計に必要となって生産コストの
高騰化を招来し、さらに多端子電子部品の場合は膜厚分
布が大きくなる等の問題点がある。そして、斯かる問題
点を解消するのは電解めっきでは技術的に困難と考えら
れる。
【００１８】そこで、本発明者らは無電解めっきに着目
し、所望箇所にのみめっき皮膜を形成する方法を得るべ
く鋭意研究したところ、還元剤の酸化反応に対し触媒活
性でない電極材料であっても、前記酸化反応に対し触媒
活性な金属片を被めっき物と混合させ該金属片を被めっ
き物に接触させることにより、被めっき物の電極が触媒
活性化し、電極以外の部分に金属を異常析出させること
なく、電極表面にのみ所望の均一膜厚を有するめっき皮
膜を形成することができるという知見を得た。
し、所望箇所にのみめっき皮膜を形成する方法を得るべ
く鋭意研究したところ、還元剤の酸化反応に対し触媒活
性でない電極材料であっても、前記酸化反応に対し触媒
活性な金属片を被めっき物と混合させ該金属片を被めっ
き物に接触させることにより、被めっき物の電極が触媒
活性化し、電極以外の部分に金属を異常析出させること
なく、電極表面にのみ所望の均一膜厚を有するめっき皮
膜を形成することができるという知見を得た。
【００１９】本発明は斯かる知見に基づきなされたもの
であって、本発明に係る電子部品の製造方法は、表面に
電極が形成された被めっき物に対し、還元剤を添加した
めっき浴を使用して無電解めっきを施し、電子部品を製
造する電子部品の製造方法において、前記還元剤の酸化
還元電位よりも電気化学的に貴な析出電位を有する金属
イオンを含有するめっき浴中で、前記還元剤の酸化反応
に対し触媒活性を示す導電性媒体と前記被めっき物とを
混合し、前記無電解めっきを施して前記電極上にめっき
皮膜を形成することを特徴としている。
であって、本発明に係る電子部品の製造方法は、表面に
電極が形成された被めっき物に対し、還元剤を添加した
めっき浴を使用して無電解めっきを施し、電子部品を製
造する電子部品の製造方法において、前記還元剤の酸化
還元電位よりも電気化学的に貴な析出電位を有する金属
イオンを含有するめっき浴中で、前記還元剤の酸化反応
に対し触媒活性を示す導電性媒体と前記被めっき物とを
混合し、前記無電解めっきを施して前記電極上にめっき
皮膜を形成することを特徴としている。
【００２０】自己触媒型の無電解めっきは、金属のカソ
ード析出反応と還元剤のアノード酸化反応が並列的に進
行し、これにより還元剤の酸化還元電位よりも電気化学
的に貴な可逆電位を有する金属を素地金属である電極上
に析出させることができるが、斯かる自己触媒型の無電
解めっきが定常的に進行するためには、析出金属が還元
剤のアノード酸化反応に対して触媒活性を有しているこ
とが必要である。
ード析出反応と還元剤のアノード酸化反応が並列的に進
行し、これにより還元剤の酸化還元電位よりも電気化学
的に貴な可逆電位を有する金属を素地金属である電極上
に析出させることができるが、斯かる自己触媒型の無電
解めっきが定常的に進行するためには、析出金属が還元
剤のアノード酸化反応に対して触媒活性を有しているこ
とが必要である。
【００２１】しかるに、上記製造方法によれば、還元剤
の酸化反応に対し触媒活性を示す導電性媒体を被めっき
物と混合させて電極表面を触媒活性化させているので、
還元剤の酸化反応で生じた電子が該電極に供給されて電
極表面にのみ所望の金属が析出し、めっき皮膜が形成さ
れる。
の酸化反応に対し触媒活性を示す導電性媒体を被めっき
物と混合させて電極表面を触媒活性化させているので、
還元剤の酸化反応で生じた電子が該電極に供給されて電
極表面にのみ所望の金属が析出し、めっき皮膜が形成さ
れる。
【００２２】また、前記導電性媒体と前記被めっき物と
を混合せる方法として、回転バレル方式、揺動バレル方
式、傾斜バレル方式、或いは振動バレル方式等、任意の
電解バレル方式を使用することができる。
を混合せる方法として、回転バレル方式、揺動バレル方
式、傾斜バレル方式、或いは振動バレル方式等、任意の
電解バレル方式を使用することができる。
【００２３】すなわち、本発明は、前記被めっき物と前
記導電性媒体とを投入した容器を前記めっき浴の満たさ
れためっき浴槽内で回転、揺動、傾斜、又は振動させて
前記被めっき物と前記導電性媒体とを混合させることを
特徴としている。
記導電性媒体とを投入した容器を前記めっき浴の満たさ
れためっき浴槽内で回転、揺動、傾斜、又は振動させて
前記被めっき物と前記導電性媒体とを混合させることを
特徴としている。
【００２４】ところで、従来より行われている電解めっ
きでは、バレル装置の開孔径を或る程度大きくしないと
電流が流れにくくなって電流分布に乱れが生じ、このた
め径の小さな導電性媒体や、形状が不揃いなスチールシ
ョットを使用するのは好ましくないとされているが、無
電解めっきでは、バレル装置の開孔径を小さくしても反
応上問題は少なく、したがって開孔径を極力小さくする
ことが可能であり、したがって、導電性媒体の形状の自
由度は大きく、様々な形状の導電性媒体を使用すること
ができる。すなわち、平均径を１．０ｍｍ程度の径の大
きな導電性媒体を使用することにより、導電性媒体がバ
レルの孔に挟まるのを回避することが可能となり、また
小形の電子部品を製造する場合であっても、高価な小径
の導電性媒体や形状が揃ったスチールボールを使用する
必要がなくなる。
きでは、バレル装置の開孔径を或る程度大きくしないと
電流が流れにくくなって電流分布に乱れが生じ、このた
め径の小さな導電性媒体や、形状が不揃いなスチールシ
ョットを使用するのは好ましくないとされているが、無
電解めっきでは、バレル装置の開孔径を小さくしても反
応上問題は少なく、したがって開孔径を極力小さくする
ことが可能であり、したがって、導電性媒体の形状の自
由度は大きく、様々な形状の導電性媒体を使用すること
ができる。すなわち、平均径を１．０ｍｍ程度の径の大
きな導電性媒体を使用することにより、導電性媒体がバ
レルの孔に挟まるのを回避することが可能となり、また
小形の電子部品を製造する場合であっても、高価な小径
の導電性媒体や形状が揃ったスチールボールを使用する
必要がなくなる。
【００２５】したがって、本発明は、前記導電性媒体
は、平均径が１．０ｍｍ以上であることを特徴としてい
る。ここで、平均径について単に球形の平均径で述べた
が、球形以外のときの様々な立体形においては、平均径
とは、立体の最大径の平均として取り扱われる。
は、平均径が１．０ｍｍ以上であることを特徴としてい
る。ここで、平均径について単に球形の平均径で述べた
が、球形以外のときの様々な立体形においては、平均径
とは、立体の最大径の平均として取り扱われる。
【００２６】さらに、本発明の電子部品の製造方法は、
前記導電性媒体としてＮｉ又はＮｉ合金片を使用すると
共に、Ｎｉ化合物を主成分としリン酸系化合物を前記還
元剤として含有しためっき浴中で、前記被めっき物と前
記Ｎｉ片とを混合し、前記無電解めっきを施して前記電
極上にＮｉを主成分とする第１のめっき皮膜を形成し、
次いで該第１のめっき皮膜が形成された被めっき物をＡ
ｕ化合物を含有しためっき浴中に浸漬し、前記第１のめ
っき皮膜の表面にＡｕを析出させ第２のめっき皮膜を形
成することを特徴としている。
前記導電性媒体としてＮｉ又はＮｉ合金片を使用すると
共に、Ｎｉ化合物を主成分としリン酸系化合物を前記還
元剤として含有しためっき浴中で、前記被めっき物と前
記Ｎｉ片とを混合し、前記無電解めっきを施して前記電
極上にＮｉを主成分とする第１のめっき皮膜を形成し、
次いで該第１のめっき皮膜が形成された被めっき物をＡ
ｕ化合物を含有しためっき浴中に浸漬し、前記第１のめ
っき皮膜の表面にＡｕを析出させ第２のめっき皮膜を形
成することを特徴としている。
【００２７】上記製造方法によれば、リン酸系化合物の
酸化反応によって生じた電子が、Ｎｉ片を介して触媒活
性化された電極上に供給され、酸化還元反応により電極
上にはＮｉを主成分とする第１のめっき皮膜が形成され
る。そして、第１のめっき皮膜が形成された被めっき物
をＡｕ化合物を主成分とするめっき浴中に浸漬すること
により、電気化学的に卑なＮｉが溶解して電子を放出
し、放出された電子によって電気化学的に貴なＡｕイオ
ンが還元され、これにより第１のめっき皮膜（Ｎｉ−Ｐ
皮膜）上に第２の皮膜（Ａｕ皮膜）が形成される。
酸化反応によって生じた電子が、Ｎｉ片を介して触媒活
性化された電極上に供給され、酸化還元反応により電極
上にはＮｉを主成分とする第１のめっき皮膜が形成され
る。そして、第１のめっき皮膜が形成された被めっき物
をＡｕ化合物を主成分とするめっき浴中に浸漬すること
により、電気化学的に卑なＮｉが溶解して電子を放出
し、放出された電子によって電気化学的に貴なＡｕイオ
ンが還元され、これにより第１のめっき皮膜（Ｎｉ−Ｐ
皮膜）上に第２の皮膜（Ａｕ皮膜）が形成される。
【００２８】また、本発明は、上述したように還元剤の
酸化反応に対し電極表面を触媒活性化させることによっ
て自己触媒的に持続的な金属の析出させ、これによりめ
っき皮膜を形成している。
酸化反応に対し電極表面を触媒活性化させることによっ
て自己触媒的に持続的な金属の析出させ、これによりめ
っき皮膜を形成している。
【００２９】したがって、各種還元剤の酸化反応に対し
触媒活性な金属を適宜選択することにより、触媒活性を
有さない素地金属上にもめっき皮膜を形成することが可
能になると考えられる。
触媒活性な金属を適宜選択することにより、触媒活性を
有さない素地金属上にもめっき皮膜を形成することが可
能になると考えられる。
【００３０】ところで、還元剤としては、一般に広く使
用されているリン酸系化合物、ホウ素系化合物、窒素化
合物、及びアルデヒド系化合物について、金属の触媒活
性に関する研究報告が既になされている。
用されているリン酸系化合物、ホウ素系化合物、窒素化
合物、及びアルデヒド系化合物について、金属の触媒活
性に関する研究報告が既になされている。
【００３１】例えば、Ａｕ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｃｏ、Ｐｔ
は、リン酸系還元剤である次亜リン酸ナトリウム（Ｎａ
Ｈ２ＰＯ２）の酸化反応に対しＣｕやＡｇよりも触媒活
性であることが報告されている（大野 湶、若林 理、
春山 志郎著「無電解めっきにおける次亜リン酸ナトリ
ウムのアノード酸化に対する金属の触媒活性」：金属表
面技術、vol.34、Ｎｏ．12、1983、pp594-599；以下、
「文献１」という）。
は、リン酸系還元剤である次亜リン酸ナトリウム（Ｎａ
Ｈ２ＰＯ２）の酸化反応に対しＣｕやＡｇよりも触媒活
性であることが報告されている（大野 湶、若林 理、
春山 志郎著「無電解めっきにおける次亜リン酸ナトリ
ウムのアノード酸化に対する金属の触媒活性」：金属表
面技術、vol.34、Ｎｏ．12、1983、pp594-599；以下、
「文献１」という）。
【００３２】すなわち、文献１によれば、ＮａＨ２ＰＯ
２の酸化反応に対しては、導電性媒体としてＡｕ、Ｎ
ｉ、Ｐｄ、Ｃｏ及びＰｔを使用することにより、ＮａＨ
２ＰＯ ２の酸化反応に対し触媒活性度の低いＣｕやＡｇ
等の電極表面上にもＮｉ、Ｃｏ、Ｐｄ、Ａｕ等のめっき
皮膜を容易に形成することが可能となる。
２の酸化反応に対しては、導電性媒体としてＡｕ、Ｎ
ｉ、Ｐｄ、Ｃｏ及びＰｔを使用することにより、ＮａＨ
２ＰＯ ２の酸化反応に対し触媒活性度の低いＣｕやＡｇ
等の電極表面上にもＮｉ、Ｃｏ、Ｐｄ、Ａｕ等のめっき
皮膜を容易に形成することが可能となる。
【００３３】すなわち、本発明の電子部品の製造方法
は、前記導電性媒体としてＡｕ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｃｏ、Ｐ
ｔ、又はこれらの合金の中から選択された少なくとも１
種以上の金属片を使用すると共に、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｐｄ、
又はＡｕの中から選択された１種の金属塩を主成分とし
リン酸系化合物を前記還元剤として含有しためっき浴中
で、前記被めっき物と前記金属片とを混合し、前記無電
解めっきを施して前記電極上にめっき皮膜を形成するこ
とを特徴としている。
は、前記導電性媒体としてＡｕ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｃｏ、Ｐ
ｔ、又はこれらの合金の中から選択された少なくとも１
種以上の金属片を使用すると共に、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｐｄ、
又はＡｕの中から選択された１種の金属塩を主成分とし
リン酸系化合物を前記還元剤として含有しためっき浴中
で、前記被めっき物と前記金属片とを混合し、前記無電
解めっきを施して前記電極上にめっき皮膜を形成するこ
とを特徴としている。
【００３４】また、還元剤としてテトラホウ素ナトリウ
ム（ＮａＢＨ４）やＤＭＡＢ（（ＣＨ３）２ＮＨＢ
Ｈ３）等のホウ素系化合物を使用した場合、Ｎｉ、Ｃ
ｏ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ａｕは、これらホウ素系化合物の酸化
反応に対しＣｕやＡｇよりも触媒活性であることが報告
されている（大野 湶、若林 理、春山 志郎著「無電
解めっきにおけるホウ水素化ナトリウムおよびジメチル
アミンボランのアノード酸化に対する金属の触媒活
性」：電気化学、vol.53、Ｎｏ．3、1985、pp196-201；
以下、「文献２」という）。
ム（ＮａＢＨ４）やＤＭＡＢ（（ＣＨ３）２ＮＨＢ
Ｈ３）等のホウ素系化合物を使用した場合、Ｎｉ、Ｃ
ｏ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ａｕは、これらホウ素系化合物の酸化
反応に対しＣｕやＡｇよりも触媒活性であることが報告
されている（大野 湶、若林 理、春山 志郎著「無電
解めっきにおけるホウ水素化ナトリウムおよびジメチル
アミンボランのアノード酸化に対する金属の触媒活
性」：電気化学、vol.53、Ｎｏ．3、1985、pp196-201；
以下、「文献２」という）。
【００３５】文献２によれば、上記ホウ素系化合物の酸
化反応に対しては、導電性媒体としてＮｉ、Ｃｏ、Ｐ
ｄ、Ｐｔ及びＡｕを使用することにより、ホウ素系化合
物の酸化反応に対し触媒活性度の低いＣｕやＡｇ等の電
極表面上にもＮｉ、Ｃｏ、又はＡｕ等のめっき皮膜を容
易に形成することが可能となる。
化反応に対しては、導電性媒体としてＮｉ、Ｃｏ、Ｐ
ｄ、Ｐｔ及びＡｕを使用することにより、ホウ素系化合
物の酸化反応に対し触媒活性度の低いＣｕやＡｇ等の電
極表面上にもＮｉ、Ｃｏ、又はＡｕ等のめっき皮膜を容
易に形成することが可能となる。
【００３６】すなわち、本発明の電子部品の製造方法
は、前記導電性媒体としてＮｉ、Ｃｏ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ａ
ｕ、又はこれらの合金の中から選択された少なくとも１
種以上の金属片を使用すると共に、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｐｄ又
はＡｕの中から選択された１種の金属塩を主成分としホ
ウ素系化合物を前記還元剤として含有しためっき浴中
で、前記被めっき物と前記金属片とを混合し、前記無電
解めっきを施して前記電極上にめっき皮膜を形成するこ
とを特徴としている。
は、前記導電性媒体としてＮｉ、Ｃｏ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ａ
ｕ、又はこれらの合金の中から選択された少なくとも１
種以上の金属片を使用すると共に、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｐｄ又
はＡｕの中から選択された１種の金属塩を主成分としホ
ウ素系化合物を前記還元剤として含有しためっき浴中
で、前記被めっき物と前記金属片とを混合し、前記無電
解めっきを施して前記電極上にめっき皮膜を形成するこ
とを特徴としている。
【００３７】また、ホウ素系化合物がテトラヒドロホウ
酸系化合物の場合、Ｐｔの可逆電位はテトラヒドロホウ
酸系化合物の酸化還元電位よりも貴であり、したがって
この場合、めっき液を上記Ｎｉ、Ｃｏ、又はＡｕに加え
Ｐｔの中から選択してもよい。
酸系化合物の場合、Ｐｔの可逆電位はテトラヒドロホウ
酸系化合物の酸化還元電位よりも貴であり、したがって
この場合、めっき液を上記Ｎｉ、Ｃｏ、又はＡｕに加え
Ｐｔの中から選択してもよい。
【００３８】すなわち、前記めっき浴は、前記３種の金
属塩に白金を加えた４種の中から選択された１種の金属
塩を主成分としていることを特徴としている。
属塩に白金を加えた４種の中から選択された１種の金属
塩を主成分としていることを特徴としている。
【００３９】さらに、還元剤として窒素化合物としての
ヒドラジン（Ｎ２Ｈ４）を使用した場合、Ｃｏ、Ｎｉ、
Ｐｔ、ＰｄはＮ２Ｈ４の酸化反応に対しＣｕやＡｇより
も触媒活性であることが報告されている（大野 湶、若
林 理、春山 志郎著「無電解めっきにおけるホルムア
ルデヒドおよびヒドラジンのアノード酸化に対する金属
の触媒活性」：電気化学、vol.53、Ｎｏ．3、1985、pp1
90-195；以下、「文献３」という）。
ヒドラジン（Ｎ２Ｈ４）を使用した場合、Ｃｏ、Ｎｉ、
Ｐｔ、ＰｄはＮ２Ｈ４の酸化反応に対しＣｕやＡｇより
も触媒活性であることが報告されている（大野 湶、若
林 理、春山 志郎著「無電解めっきにおけるホルムア
ルデヒドおよびヒドラジンのアノード酸化に対する金属
の触媒活性」：電気化学、vol.53、Ｎｏ．3、1985、pp1
90-195；以下、「文献３」という）。
【００４０】文献３によれば、Ｎ２Ｈ４の酸化反応に対
しては、導電性媒体としてＣｏ、Ｎｉ、Ｐｔ、及びＰｄ
を使用することにより、Ｎ２Ｈ４の酸化反応に対し触媒
活性度の低いＣｕやＡｇ等の電極表面上にもＮｉ、Ｃ
ｏ、Ｐｄ、Ａｕ、及びＰｔめっき皮膜を容易に形成する
ことができる。
しては、導電性媒体としてＣｏ、Ｎｉ、Ｐｔ、及びＰｄ
を使用することにより、Ｎ２Ｈ４の酸化反応に対し触媒
活性度の低いＣｕやＡｇ等の電極表面上にもＮｉ、Ｃ
ｏ、Ｐｄ、Ａｕ、及びＰｔめっき皮膜を容易に形成する
ことができる。
【００４１】すなわち、本発明の電子部品の製造方法
は、前記導電性媒体としてＣｏ、Ｎｉ、Ｐｔ、Ｐｄ、又
はこれらの合金の中から選択された少なくとも１種以上
の金属片を使用すると共に、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｐｄ、又はＰ
ｔの中から選択された１種の金属塩を主成分とし窒素化
合物を前記還元剤として含有しためっき浴中で、前記被
めっき物と前記金属片とを混入し、前記無電解めっきを
施して前記電極上にめっき皮膜を形成することを特徴と
している。
は、前記導電性媒体としてＣｏ、Ｎｉ、Ｐｔ、Ｐｄ、又
はこれらの合金の中から選択された少なくとも１種以上
の金属片を使用すると共に、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｐｄ、又はＰ
ｔの中から選択された１種の金属塩を主成分とし窒素化
合物を前記還元剤として含有しためっき浴中で、前記被
めっき物と前記金属片とを混入し、前記無電解めっきを
施して前記電極上にめっき皮膜を形成することを特徴と
している。
【００４２】また、本発明は、還元剤の酸化反応に対し
て電極が触媒活性でないか低い場合を前提としており、
斯かる電極材料として通常はＣｕ、Ａｇ、又はＡｇ−Ｐ
ｄが存在する。
て電極が触媒活性でないか低い場合を前提としており、
斯かる電極材料として通常はＣｕ、Ａｇ、又はＡｇ−Ｐ
ｄが存在する。
【００４３】すなわち、本発明は、前記電極は、Ｃｕ電
極、Ｃｕ合金電極、Ａｇ電極、Ｎｉ電極又はＡｇ合金電
極であることを特徴としている。
極、Ｃｕ合金電極、Ａｇ電極、Ｎｉ電極又はＡｇ合金電
極であることを特徴としている。
【００４４】また、上記文献３には、還元剤としてホル
ムアルデヒド（ＨＣＨＯ）を使用した場合、Ｃｕ、Ａ
ｕ、Ａｇは、ＨＣＨＯの酸化反応に対しＮｉよりも触媒
活性であることも報告されており、したがって、導電性
媒体としてＣｕ、Ａｕ、Ａｇを使用することにより、Ｈ
ＣＨＯに対し触媒活性度の低いＮｉ電極上にも、Ｃｕ、
Ａｕ、Ａｇのめっき皮膜を容易に形成することが可能と
なる。
ムアルデヒド（ＨＣＨＯ）を使用した場合、Ｃｕ、Ａ
ｕ、Ａｇは、ＨＣＨＯの酸化反応に対しＮｉよりも触媒
活性であることも報告されており、したがって、導電性
媒体としてＣｕ、Ａｕ、Ａｇを使用することにより、Ｈ
ＣＨＯに対し触媒活性度の低いＮｉ電極上にも、Ｃｕ、
Ａｕ、Ａｇのめっき皮膜を容易に形成することが可能と
なる。
【００４５】すなわち、本発明の電子部品の製造方法
は、前記導電性媒体としてＣｕ、ＡｕＡｇ、又はこれら
の合金の中から選択された少なくとも１種以上の金属片
を使用すると共に、Ｃｕ、Ａｇ、又はＡｕの中から選択
された１種の金属塩を主成分としアルデヒド系化合物を
前記還元剤として含有しためっき浴中で、前記被めっき
物と前記金属片とを混入し、前記無電解めっきを施して
前記電極（Ｎｉ電極）上にめっき皮膜を形成することを
特徴としている。
は、前記導電性媒体としてＣｕ、ＡｕＡｇ、又はこれら
の合金の中から選択された少なくとも１種以上の金属片
を使用すると共に、Ｃｕ、Ａｇ、又はＡｕの中から選択
された１種の金属塩を主成分としアルデヒド系化合物を
前記還元剤として含有しためっき浴中で、前記被めっき
物と前記金属片とを混入し、前記無電解めっきを施して
前記電極（Ｎｉ電極）上にめっき皮膜を形成することを
特徴としている。
【００４６】また、本発明に係る電子部品は、上記製造
方法で製造されていることを特徴としている。
方法で製造されていることを特徴としている。
【００４７】本発明の電子部品は、Ｐｄを含んだ触媒液
で表面処理することなく、電極部分にのみ、めっきされ
た膜厚の均一性が良好な電子部品を低コストで容易に得
ることができる。
で表面処理することなく、電極部分にのみ、めっきされ
た膜厚の均一性が良好な電子部品を低コストで容易に得
ることができる。
【００４８】特に、Ａｕとの密着性の良好なＮｉ−Ｐ層
を銅電極上に直接形成することが可能であるので、信頼
性に優れた高品質な電子部品を安価で得ることができ
る。
を銅電極上に直接形成することが可能であるので、信頼
性に優れた高品質な電子部品を安価で得ることができ
る。
【００４９】
【発明の実施の形態】次に、本発明の実施の形態を図面
を参照しながら詳説する。
を参照しながら詳説する。
【００５０】図１は本発明に係る電子部品の製造方法に
より製造されるチップ型電子部品の一実施の形態を模式
的に示した断面図である。
より製造されるチップ型電子部品の一実施の形態を模式
的に示した断面図である。
【００５１】同図において、セラミック素体１は、チタ
ン酸バリウムやチタン酸ジルコン酸鉛（ＰＺＴ）等のセ
ラミック材料により角板形状に形成されており、該セラ
ミック素体１の両端部にはＣｕ、Ａｇ、Ａｇ−Ｐｄ等か
らなる電極部２が形成されている。そして、前記電極部
２の表面にはＮｉ−Ｐ皮膜３が被着され、該Ｎｉ−Ｐ皮
膜３の表面にはＡｕ皮膜４が被着されている。
ン酸バリウムやチタン酸ジルコン酸鉛（ＰＺＴ）等のセ
ラミック材料により角板形状に形成されており、該セラ
ミック素体１の両端部にはＣｕ、Ａｇ、Ａｇ−Ｐｄ等か
らなる電極部２が形成されている。そして、前記電極部
２の表面にはＮｉ−Ｐ皮膜３が被着され、該Ｎｉ−Ｐ皮
膜３の表面にはＡｕ皮膜４が被着されている。
【００５２】次に、該電子部品の製造方法について説明
する。
する。
【００５３】まず、所定の成形・焼成処理を経て形成さ
れたセラミック焼結体を角板形状に切り出してセラミッ
ク素体１を作製し、次いで、周知の方法により、Ｃｕ、
Ａｇ、Ａｇ−Ｐｄ等の電極材料をセラミック素体１の両
端部に印刷して焼き付け、該セラミック素体１の両端部
に電極部２を形成する。
れたセラミック焼結体を角板形状に切り出してセラミッ
ク素体１を作製し、次いで、周知の方法により、Ｃｕ、
Ａｇ、Ａｇ−Ｐｄ等の電極材料をセラミック素体１の両
端部に印刷して焼き付け、該セラミック素体１の両端部
に電極部２を形成する。
【００５４】そして、本実施の形態では、無電解めっき
により電極部２の表面にＮｉ−Ｐ皮膜３及びＡｕ皮膜４
を形成している。すなわち、還元剤を使用した自己触媒
型の無電解めっき（以下、「自己触媒型めっき」とい
う）により膜厚３〜６μｍのＮｉ−Ｐ皮膜３を形成し、
Ｎｉとの間での置換反応を利用した置換型の無電解めっ
き（以下、「置換型めっき」という）により膜厚０．２
μｍ以下のＡｕ皮膜４を形成している。
により電極部２の表面にＮｉ−Ｐ皮膜３及びＡｕ皮膜４
を形成している。すなわち、還元剤を使用した自己触媒
型の無電解めっき（以下、「自己触媒型めっき」とい
う）により膜厚３〜６μｍのＮｉ−Ｐ皮膜３を形成し、
Ｎｉとの間での置換反応を利用した置換型の無電解めっ
き（以下、「置換型めっき」という）により膜厚０．２
μｍ以下のＡｕ皮膜４を形成している。
【００５５】以下、Ｎｉ−Ｐ皮膜３及びＡｕ皮膜４の形
成方法について詳述する。
成方法について詳述する。
【００５６】（１）Ｎｉ−Ｐ皮膜３
本実施の形態では、還元剤を使用した自己触媒型めっき
によりＮｉ−Ｐ皮膜３を形成しているが、斯かる自己触
媒型めっきは、金属のカソード析出反応と還元剤のアノ
ード酸化反応が並列して進行する。
によりＮｉ−Ｐ皮膜３を形成しているが、斯かる自己触
媒型めっきは、金属のカソード析出反応と還元剤のアノ
ード酸化反応が並列して進行する。
【００５７】そして、自己触媒型めっきが定常的に進行
するためには還元剤の酸化還元電位が電極部２を構成す
る金属材料の析出電位よりも電気化学的に卑であること
が必要であり、斯かる観点から、本実施の形態では酸化
還元電位Ｅが約−１．１１９Ｖ（ｖｓ．ＮＨＥ；以下同
じ）と低く、強い還元性を示すＮａＨ２ＰＯ２を使用し
ている。
するためには還元剤の酸化還元電位が電極部２を構成す
る金属材料の析出電位よりも電気化学的に卑であること
が必要であり、斯かる観点から、本実施の形態では酸化
還元電位Ｅが約−１．１１９Ｖ（ｖｓ．ＮＨＥ；以下同
じ）と低く、強い還元性を示すＮａＨ２ＰＯ２を使用し
ている。
【００５８】ところで、ＮａＨ２ＰＯ２は、酸性めっき
浴中では化学式（１）に示すような酸化反応が起こる。
浴中では化学式（１）に示すような酸化反応が起こる。
【００５９】
Ｈ２ＰＯ２ −＋Ｈ２Ｏ→Ｈ２ＰＯ３ −＋２Ｈ＋＋２ｅ−…（１）
すなわち、ＮａＨ２ＰＯ２は化学式（１）に示すような
酸化反応を起こして電子を放出し、該電子が放出される
とその一部が電極部２に供給され、電極部２の表面にＮ
ｉ−Ｐが析出する。
酸化反応を起こして電子を放出し、該電子が放出される
とその一部が電極部２に供給され、電極部２の表面にＮ
ｉ−Ｐが析出する。
【００６０】しかしながら、斯かるＮｉ−Ｐが析出する
ためには、電極部２を構成する電極材料が、ＮａＨ２Ｐ
Ｏ２の酸化反応に対し触媒活性である必要があるのに対
し、前記電極材料はＮａＨ２ＰＯ２の酸化反応に対し触
媒活性を有さないか、或いは触媒活性度が極めて低いと
されている。
ためには、電極部２を構成する電極材料が、ＮａＨ２Ｐ
Ｏ２の酸化反応に対し触媒活性である必要があるのに対
し、前記電極材料はＮａＨ２ＰＯ２の酸化反応に対し触
媒活性を有さないか、或いは触媒活性度が極めて低いと
されている。
【００６１】そこで、本実施の形態では、ＮａＨ２ＰＯ
２に対して触媒活性な導電性媒体として平均径が１ｍｍ
のＮｉ片を析出金属であるＮｉ成分の含有しためっき浴
中に必要量混入させ、該めっき浴中で所定回転数で回転
させ、めっき浴中の被めっき物とＮｉ片とを接触させる
ことにより電極表面を触媒活性化している。
２に対して触媒活性な導電性媒体として平均径が１ｍｍ
のＮｉ片を析出金属であるＮｉ成分の含有しためっき浴
中に必要量混入させ、該めっき浴中で所定回転数で回転
させ、めっき浴中の被めっき物とＮｉ片とを接触させる
ことにより電極表面を触媒活性化している。
【００６２】すなわち、めっき浴中で被めっき物がＮａ
Ｈ２ＰＯ２に対し触媒活性な多数のＮｉ片と接触状態と
なって電極表面が触媒活性化され、その一方でめっき浴
中では化学式（２）、（３）に示す反応が進行し、Ｎｉ
−Ｐ皮膜３が電極部２の表面に形成される。
Ｈ２ＰＯ２に対し触媒活性な多数のＮｉ片と接触状態と
なって電極表面が触媒活性化され、その一方でめっき浴
中では化学式（２）、（３）に示す反応が進行し、Ｎｉ
−Ｐ皮膜３が電極部２の表面に形成される。
【００６３】Ｎｉ２＋＋２ｅ−→Ｎｉ…（２）
Ｈ２ＰＯ２ −＋２Ｈ＋＋ｅ−→２Ｈ２Ｏ＋Ｐ…（３）
尚、めっき浴組成としては、めっき浴中での酸化還元反
応によりＮｉ−Ｐ皮膜３が電極部２の表面に形成されれ
ば特に限定されるものではなく、例えば塩化ニッケル等
の酸性ニッケルを主成分としＮａＨ２ＰＯ２を還元剤と
して含有すると共に、錯化剤や水素イオン指数ｐＨの変
動を防止するための緩衝剤を含んだめっき浴や、必要に
応じて安定剤や界面活性剤等を添加させためっき浴を使
用することができる。
応によりＮｉ−Ｐ皮膜３が電極部２の表面に形成されれ
ば特に限定されるものではなく、例えば塩化ニッケル等
の酸性ニッケルを主成分としＮａＨ２ＰＯ２を還元剤と
して含有すると共に、錯化剤や水素イオン指数ｐＨの変
動を防止するための緩衝剤を含んだめっき浴や、必要に
応じて安定剤や界面活性剤等を添加させためっき浴を使
用することができる。
【００６４】また、めっき浴中でＮｉ片と被めっき物と
を混合させるための回転容器としては、電解バレルめっ
きで使用されるバレル容器を使用するのが経済的観点か
ら安価で済み、好ましい。
を混合させるための回転容器としては、電解バレルめっ
きで使用されるバレル容器を使用するのが経済的観点か
ら安価で済み、好ましい。
【００６５】尚、本実施の形態では、めっき浴を回転さ
せてＮｉ片と被めっき物とを混合させているが、無電解
めっきでは、電解めっきのように電流分布の乱れを考慮
する必要がないため、バレル孔径や開孔率は電解めっき
ほど気にする必要はなく、したがって回転バレル方式の
他、揺動バレル方式、傾斜バレル方式、振動バレル方式
等、種々の方式を使用して所望の無電解めっきを行うこ
とができる。
せてＮｉ片と被めっき物とを混合させているが、無電解
めっきでは、電解めっきのように電流分布の乱れを考慮
する必要がないため、バレル孔径や開孔率は電解めっき
ほど気にする必要はなく、したがって回転バレル方式の
他、揺動バレル方式、傾斜バレル方式、振動バレル方式
等、種々の方式を使用して所望の無電解めっきを行うこ
とができる。
【００６６】（２）Ａｕ皮膜４
Ａｕは高価な金属であり、必要最小限の膜厚を確保する
ことができれば十分であることから、Ａｕ皮膜４は、Ｎ
ｉ−Ｐ皮膜３が大概被覆された時点で反応性が低下する
置換めっきで形成される。
ことができれば十分であることから、Ａｕ皮膜４は、Ｎ
ｉ−Ｐ皮膜３が大概被覆された時点で反応性が低下する
置換めっきで形成される。
【００６７】すなわち、Ａｕよりも電気化学的に卑なＮ
ｉ−Ｐ皮膜が形成された被めっき物をＡｕの含有しため
っき浴中に浸漬すると、化学式（４）、（５）に示すよ
うに、卑な金属であるＮｉの溶解で電子が放出され、該
電子によって貴なＡｕイオンが還元され、その結果、Ｎ
ｉ−Ｐ皮膜３上にはＡｕ皮膜４が形成される。
ｉ−Ｐ皮膜が形成された被めっき物をＡｕの含有しため
っき浴中に浸漬すると、化学式（４）、（５）に示すよ
うに、卑な金属であるＮｉの溶解で電子が放出され、該
電子によって貴なＡｕイオンが還元され、その結果、Ｎ
ｉ−Ｐ皮膜３上にはＡｕ皮膜４が形成される。
【００６８】Ｎｉ→Ｎｉ２＋＋２ｅ−…（４）
Ａｕ＋＋ｅ−→Ａｕ…（５）
このように本実施の形態では、まず、必要量のＮｉ片と
被めっき物とをめっき浴中で混合させて電極部２をＮｉ
片と接触させ、これにより電極表面を触媒活性化させて
いる。そして、還元剤であるＮａＨ２ＰＯ２の酸化還元
電位よりも可逆電位が電気化学的に貴なＮｉ−Ｐを電極
部２の表面に析出させ、これによりＮｉ−Ｐ皮膜３を電
極表面に形成しているので、従来のようにＰｄ触媒を電
極表面に付与する必要もなく、電極表面にのみめっき皮
膜を形成させることができる。
被めっき物とをめっき浴中で混合させて電極部２をＮｉ
片と接触させ、これにより電極表面を触媒活性化させて
いる。そして、還元剤であるＮａＨ２ＰＯ２の酸化還元
電位よりも可逆電位が電気化学的に貴なＮｉ−Ｐを電極
部２の表面に析出させ、これによりＮｉ−Ｐ皮膜３を電
極表面に形成しているので、従来のようにＰｄ触媒を電
極表面に付与する必要もなく、電極表面にのみめっき皮
膜を形成させることができる。
【００６９】すなわち、本実施の形態では、析出金属と
還元剤の間で起こる酸化還元反応によってのみめっき反
応が進行して触媒活性化された電極表面にめっき皮膜を
形成しているので、電極以外の部分にめっき金属が異常
析出することもなく、電極表面にのみめっき皮膜を形成
させることができる。
還元剤の間で起こる酸化還元反応によってのみめっき反
応が進行して触媒活性化された電極表面にめっき皮膜を
形成しているので、電極以外の部分にめっき金属が異常
析出することもなく、電極表面にのみめっき皮膜を形成
させることができる。
【００７０】また、上述したチップ型電子部品のように
小形部品の場合であっても、電解めっきのような小径の
導電性媒体を使用する必要がなく、生産コストの高騰化
を回避することができ、また簡易な方法で所望のめっき
処理を行うことができる。
小形部品の場合であっても、電解めっきのような小径の
導電性媒体を使用する必要がなく、生産コストの高騰化
を回避することができ、また簡易な方法で所望のめっき
処理を行うことができる。
【００７１】さらに、電解めっきの場合と異なり、めっ
き浴中には電流が流れず、したがって電流分布の影響も
なく、めっき浴と接触する電極全体で均一に析出反応が
進行するため、複雑な電極パターンを有する多端子型電
子部品に適用した場合であっても各端子間の膜厚分布を
略均一に制御することができ、めっき材料を必要以上に
消費するのを回避することができ、斯かる点からも生産
コストが高騰するのを回避することができる。
き浴中には電流が流れず、したがって電流分布の影響も
なく、めっき浴と接触する電極全体で均一に析出反応が
進行するため、複雑な電極パターンを有する多端子型電
子部品に適用した場合であっても各端子間の膜厚分布を
略均一に制御することができ、めっき材料を必要以上に
消費するのを回避することができ、斯かる点からも生産
コストが高騰するのを回避することができる。
【００７２】ところで、本発明は、上述したように還元
剤の酸化反応に対して本来触媒活性でない電極表面を導
電性媒体と接触させて触媒活性な表面とし、還元剤と析
出金属間で生じる酸化還元反応により電極表面上に金属
を析出させている。
剤の酸化反応に対して本来触媒活性でない電極表面を導
電性媒体と接触させて触媒活性な表面とし、還元剤と析
出金属間で生じる酸化還元反応により電極表面上に金属
を析出させている。
【００７３】したがって、種々の還元剤の酸化反応に対
し触媒活性な金属を適宜選択することにより、還元剤、
導電性媒体、及び電極材料とを種々組み合わせることに
より、本発明の所期の目的を達成することができる。
し触媒活性な金属を適宜選択することにより、還元剤、
導電性媒体、及び電極材料とを種々組み合わせることに
より、本発明の所期の目的を達成することができる。
【００７４】以下、還元剤としてＮａＨ２ＰＯ２、Ｎａ
ＢＨ４、（ＣＨ３）２ＮＨＢＨ３、Ｎ２Ｈ４、ＨＣＨＯ
を使用した場合について説明する。
ＢＨ４、（ＣＨ３）２ＮＨＢＨ３、Ｎ２Ｈ４、ＨＣＨＯ
を使用した場合について説明する。
【００７５】（１）ＮａＨ２ＰＯ２
〔課題を解決するための手段〕の項で紹介した文献１に
は、ＮａＨ２ＰＯ２の酸化反応に対し、アノード酸化開
始電位から各種金属の触媒活性を評価すると、Ａｕ＞Ｎ
ｉ＞Ｐｄ＞Ｃｏ＞Ｐｔ＞Ｃｕ＞Ａｇの順序で触媒活性の
低下することが報告されている。
は、ＮａＨ２ＰＯ２の酸化反応に対し、アノード酸化開
始電位から各種金属の触媒活性を評価すると、Ａｕ＞Ｎ
ｉ＞Ｐｄ＞Ｃｏ＞Ｐｔ＞Ｃｕ＞Ａｇの順序で触媒活性の
低下することが報告されている。
【００７６】したがって、ＣｕやＡｇに比べて触媒活性
度の高いＡｕ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｃｏ、Ｐｔを導電性媒体と
して被めっき物と混合させ、該導電性媒体をＣｕ電極や
Ａｇ電極或いはＡｇ−Ｐｄ電極に接触させることによ
り、該電極表面をＮａＨ２ＰＯ ２の酸化反応に対し触媒
活性なものとすることができる。
度の高いＡｕ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｃｏ、Ｐｔを導電性媒体と
して被めっき物と混合させ、該導電性媒体をＣｕ電極や
Ａｇ電極或いはＡｇ−Ｐｄ電極に接触させることによ
り、該電極表面をＮａＨ２ＰＯ ２の酸化反応に対し触媒
活性なものとすることができる。
【００７７】すなわち、ＮａＨ２ＰＯ２のアノード酸化
反応は酸性水溶液中では化学式（６）、アルカリ水溶液
中では化学式（８）で夫々表わされ、酸化還元電位Ｅは
酸性水溶液中では数式（７）、アルカリ水溶液中では化
学式（９）で夫々表わされる。
反応は酸性水溶液中では化学式（６）、アルカリ水溶液
中では化学式（８）で夫々表わされ、酸化還元電位Ｅは
酸性水溶液中では数式（７）、アルカリ水溶液中では化
学式（９）で夫々表わされる。
【００７８】
Ｈ２ＰＯ２ −＋Ｈ２Ｏ→Ｈ２ＰＯ３ −＋２Ｈ＋＋２ｅ−…（６）
Ｅ＝−０．５０−０．０６ｐＨ …（７）
Ｈ２ＰＯ２ −＋３ＯＨ−→ＨＰＯ３ ２−＋２Ｈ２Ｏ＋２ｅ−…（８）
Ｅ＝−０．３０−０．０９ｐＨ …（９）
ここで、ｐＨは酸性水溶液又はアルカリ性水溶液の水素
イオン指数である。
イオン指数である。
【００７９】そして、ＮａＨ２ＰＯ２の酸化還元電位Ｅ
よりも可逆電位が電気化学的に貴な金属イオンを含有し
ためっき浴中で自己触媒めっきが進行し、これにより所
望のめっき皮膜を形成することができる。
よりも可逆電位が電気化学的に貴な金属イオンを含有し
ためっき浴中で自己触媒めっきが進行し、これにより所
望のめっき皮膜を形成することができる。
【００８０】尚、この場合、めっき浴としては、Ｎｉ、
Ｃｏ、Ｐｄ、或いはＡｕを含有した金属塩を使用するこ
とができる。
Ｃｏ、Ｐｄ、或いはＡｕを含有した金属塩を使用するこ
とができる。
【００８１】（２）ＮａＢＨ４
〔課題を解決するための手段〕の項で紹介した文献２に
は、ＮａＢＨ４の酸化反応に対し、アノード酸化開始電
位から各種金属の触媒活性を評価すると、Ｎｉ＞Ｃｏ＞
Ｐｄ＞Ｐｔ＞Ａｕ＞Ａｇ＞Ｃｕの順序で触媒活性の低下
することが報告されている。
は、ＮａＢＨ４の酸化反応に対し、アノード酸化開始電
位から各種金属の触媒活性を評価すると、Ｎｉ＞Ｃｏ＞
Ｐｄ＞Ｐｔ＞Ａｕ＞Ａｇ＞Ｃｕの順序で触媒活性の低下
することが報告されている。
【００８２】したがって、ＣｕやＡｇに比べて触媒活性
度の高いＮｉ、Ｃｏ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ａｕを導電性媒体と
して被めっき物と混合させ、該導電性媒体をＣｕ電極や
Ａｇ電極或いはＡｇ−Ｐｄ電極に接触させることによ
り、該電極表面をＮａＢＨ４の酸化反応に対し、触媒活
性なものとすることができる。
度の高いＮｉ、Ｃｏ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ａｕを導電性媒体と
して被めっき物と混合させ、該導電性媒体をＣｕ電極や
Ａｇ電極或いはＡｇ−Ｐｄ電極に接触させることによ
り、該電極表面をＮａＢＨ４の酸化反応に対し、触媒活
性なものとすることができる。
【００８３】すなわち、ＮａＢＨ４のアノード酸化反応
は化学式（１０）で表わされ、酸化還元電位Ｅは数式
（１１）で表わされる。
は化学式（１０）で表わされ、酸化還元電位Ｅは数式
（１１）で表わされる。
【００８４】
ＢＨ４ −＋８ＯＨ−→ＢＯ２ −＋６Ｈ２Ｏ＋８ｅ−…（１０）
Ｅ＝−０．４５−０．０６ｐＨ …（１１）
そして、ＮａＢＨ４の酸化還元電位Ｅよりも可逆電位が
電気化学的に貴な金属イオンを含有しためっき浴中で自
己触媒めっきが進行し、これにより所望のめっき皮膜を
形成することができる。
電気化学的に貴な金属イオンを含有しためっき浴中で自
己触媒めっきが進行し、これにより所望のめっき皮膜を
形成することができる。
【００８５】尚、この場合、めっき浴としては、Ｎｉ、
Ｃｏ、Ａｕ或いはＰｔを含有した金属塩を使用すること
ができる。
Ｃｏ、Ａｕ或いはＰｔを含有した金属塩を使用すること
ができる。
【００８６】また、本実施の形態では、還元剤としてＮ
ａＢＨ４について説明したが、ＮａＢＨ４と同様の性状
を示すＫＢＨ４についても同様である。
ａＢＨ４について説明したが、ＮａＢＨ４と同様の性状
を示すＫＢＨ４についても同様である。
【００８７】（３）（ＣＨ３）２ＮＨＢＨ３
上記文献２には、（ＣＨ３）２ＮＨＢＨ３の酸化反応に
対し、アノード酸化開始電位から各種金属の触媒活性を
評価すると、Ｎｉ＞Ｃｏ＞Ｐｄ＞Ａｕ＞Ｐｔ＞Ａｇの順
序で触媒活性の低下することが報告されている。
対し、アノード酸化開始電位から各種金属の触媒活性を
評価すると、Ｎｉ＞Ｃｏ＞Ｐｄ＞Ａｕ＞Ｐｔ＞Ａｇの順
序で触媒活性の低下することが報告されている。
【００８８】したがって、ＣｕやＡｇに比べて触媒活性
度の高いＮｉ、Ｃｏ、Ｐｄ、Ａｕ、Ｐｔを導電性媒体と
して被めっき物と混合させ、該導電性媒体をＣｕ電極や
Ａｇ電極或いはＡｇ−Ｐｄ電極に接触させることによ
り、該電極表面を（ＣＨ３）２ＮＨＢＨ３の酸化反応に
対し、触媒活性なものとすることができる。
度の高いＮｉ、Ｃｏ、Ｐｄ、Ａｕ、Ｐｔを導電性媒体と
して被めっき物と混合させ、該導電性媒体をＣｕ電極や
Ａｇ電極或いはＡｇ−Ｐｄ電極に接触させることによ
り、該電極表面を（ＣＨ３）２ＮＨＢＨ３の酸化反応に
対し、触媒活性なものとすることができる。
【００８９】すなわち、（ＣＨ３）２ＮＨＢＨ３のアノ
ード酸化反応は水素発生を含む場合は化学式（１２）で
表わされ、イオン化する場合は化学式（１３）で表わさ
れる。
ード酸化反応は水素発生を含む場合は化学式（１２）で
表わされ、イオン化する場合は化学式（１３）で表わさ
れる。
【００９０】
（ＣＨ３）２ＮＨＢＨ３＋４ＯＨ−→（ＣＨ３）２ＮＨ＋ＢＯ２ −＋２Ｈ２Ｏ
＋（３／２）Ｈ２＋３ｅ− …（１２）
（ＣＨ３）２ＮＨＢＨ３＋７ＯＨ−→（ＣＨ３）２ＮＨ＋ＢＯ２ −＋５Ｈ２Ｏ
＋６ｅ− …（１３）
そして、（ＣＨ３）２ＮＨＢＨ３の酸化還元電位Ｅより
も可逆電位が電気化学的に貴な金属イオンを含有しため
っき浴中で自己触媒めっきが進行し、これにより所望の
めっき皮膜を形成することができる。
も可逆電位が電気化学的に貴な金属イオンを含有しため
っき浴中で自己触媒めっきが進行し、これにより所望の
めっき皮膜を形成することができる。
【００９１】尚、この場合、めっき浴としては、Ｎｉ、
Ｃｏ、或いはＡｕを含有した金属塩を使用することがで
きる。
Ｃｏ、或いはＡｕを含有した金属塩を使用することがで
きる。
【００９２】（４）Ｎ２Ｈ４
〔課題を解決するための手段〕の項で紹介した文献３に
は、Ｎ２Ｈ４の酸化反応に対し、アノード酸化開始電位
から各種金属の触媒活性を評価すると、Ｃｏ＞Ｎｉ＞Ｐ
ｔ＞Ｐｄ＞Ｃｕ＞Ａｇ＞Ａｕの順序で触媒活性の低下す
ることが報告されている。
は、Ｎ２Ｈ４の酸化反応に対し、アノード酸化開始電位
から各種金属の触媒活性を評価すると、Ｃｏ＞Ｎｉ＞Ｐ
ｔ＞Ｐｄ＞Ｃｕ＞Ａｇ＞Ａｕの順序で触媒活性の低下す
ることが報告されている。
【００９３】したがって、ＣｕやＡｇに比べて触媒活性
度の高いＣｏ、Ｎｉ、Ｐｔ、Ｐｄ、を導電性媒体として
被めっき物と混合させ、該導電性媒体をＣｕ電極やＡｇ
電極或いはＡｇ−Ｐｄ電極に接触させることにより、該
電極表面をＮ２Ｈ４の酸化反応に対し、触媒活性なもの
とすることができる。
度の高いＣｏ、Ｎｉ、Ｐｔ、Ｐｄ、を導電性媒体として
被めっき物と混合させ、該導電性媒体をＣｕ電極やＡｇ
電極或いはＡｇ−Ｐｄ電極に接触させることにより、該
電極表面をＮ２Ｈ４の酸化反応に対し、触媒活性なもの
とすることができる。
【００９４】すなわち、Ｎ２Ｈ４のアノード酸化反応は
水素を発生する場合は化学式（１４）、水素を発生しな
い場合は化学式（１６）で夫々表わされ、酸化還元電位
Ｅは水素を発生する場合は数式（１５）、水素を発生し
ない場合は数式（１７）で夫々表わされる。
水素を発生する場合は化学式（１４）、水素を発生しな
い場合は化学式（１６）で夫々表わされ、酸化還元電位
Ｅは水素を発生する場合は数式（１５）、水素を発生し
ない場合は数式（１７）で夫々表わされる。
【００９５】
Ｎ２Ｈ４＋２ＯＨ−→Ｎ２＋Ｈ２＋２Ｈ２Ｏ＋２ｅ− …（１４）
Ｅ＝１．５７−０．０６ｐＨ …（１５）
Ｎ２Ｈ４＋４ＯＨ−→Ｎ２＋４Ｈ２Ｏ＋４ｅ− …（１６）
Ｅ＝−０．３１−０．０６ｐＨ …（１７）
そして、Ｎ２Ｈ４の酸化還元電位Ｅよりも可逆電位が電
気化学的に貴な金属イオンを含有しためっき浴中で自己
触媒めっきが進行し、これにより所望のめっき皮膜を形
成することができる。
気化学的に貴な金属イオンを含有しためっき浴中で自己
触媒めっきが進行し、これにより所望のめっき皮膜を形
成することができる。
【００９６】尚、この場合、めっき浴としては、Ｎｉ、
Ｃｏ、Ｐｄ或いはＰｔを含有した金属塩を使用すること
ができる。
Ｃｏ、Ｐｄ或いはＰｔを含有した金属塩を使用すること
ができる。
【００９７】（５）ＨＣＨＯ
上記文献３には、ＨＣＨＯの酸化反応に対し、アノード
酸化開始電位から各種金属の触媒活性を評価すると、Ｃ
ｕ＞Ａｕ＞Ａｇ＞Ｐｔ＞Ｐｄ＞Ｎｉ＞Ｃｏの順序で触媒
活性の低下することが報告されている。
酸化開始電位から各種金属の触媒活性を評価すると、Ｃ
ｕ＞Ａｕ＞Ａｇ＞Ｐｔ＞Ｐｄ＞Ｎｉ＞Ｃｏの順序で触媒
活性の低下することが報告されている。
【００９８】したがって、Ｎｉに比べて触媒活性度の高
いＣｕ、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｔ、Ｐｄを導電性媒体として被
めっき物と混合させ、該導電性媒体をＮｉ電極に接触さ
せることにより、該電極表面をＨＣＨＯの酸化反応に対
し、触媒活性なものとすることができる。
いＣｕ、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｔ、Ｐｄを導電性媒体として被
めっき物と混合させ、該導電性媒体をＮｉ電極に接触さ
せることにより、該電極表面をＨＣＨＯの酸化反応に対
し、触媒活性なものとすることができる。
【００９９】すなわち、ＨＣＨＯのアノード酸化反応は
水素を発生する場合は化学式（１８）、水素を発生しな
い場合は化学式（２０）で夫々表わされ、酸化還元電位
Ｅは水素を発生する場合は数式（１９）、水素を発生し
ない場合は数式（２１）で夫々表わされる。
水素を発生する場合は化学式（１８）、水素を発生しな
い場合は化学式（２０）で夫々表わされ、酸化還元電位
Ｅは水素を発生する場合は数式（１９）、水素を発生し
ない場合は数式（２１）で夫々表わされる。
【０１００】
２ＨＣＨＯ＋４ＯＨ−→２ＨＣＯＯ−＋Ｈ２＋２Ｈ２Ｏ＋２ｅ− …（１８）
Ｅ＝０．３２−０．１２ｐＨ …（１９）
ＨＣＨＯ＋３ＯＨ−→ＨＣＯＯ−＋２Ｈ２Ｏ＋２ｅ− …（２０）
Ｅ＝０．１９−０．０９ｐＨ …（２１）
そして、ＨＣＨＯの酸化還元電位Ｅよりも可逆電位が電
気化学的に貴な金属イオンを含有しためっき浴中で自己
触媒めっきが進行し、これにより所望のめっき皮膜を形
成することができる。
気化学的に貴な金属イオンを含有しためっき浴中で自己
触媒めっきが進行し、これにより所望のめっき皮膜を形
成することができる。
【０１０１】尚、この場合、めっき浴としては、Ｃｕ、
Ａｇ或いはＡｕを含有した金属塩を使用することができ
る。
Ａｇ或いはＡｕを含有した金属塩を使用することができ
る。
【０１０２】また、本実施の形態では、還元剤としてＨ
ＣＨＯについて説明したが、ＮａＢＨ４と同様のアルデ
ヒド系化合物であるグリオキシル酸（ＣＨＯＣＯＯＨ）
についても同様である。
ＣＨＯについて説明したが、ＮａＢＨ４と同様のアルデ
ヒド系化合物であるグリオキシル酸（ＣＨＯＣＯＯＨ）
についても同様である。
【０１０３】そして、上記（１）〜（５）の結果を纏め
ると表１のようになる。
ると表１のようになる。
【０１０４】
【表１】
この表１からも明らかなように、還元剤、析出金属、導
電性媒体、及び電極材料を種々組み合わせて所望のめっ
き処理を実行することができ、これによりチップ型のみ
ならずプリント基板等、様々な用途に使用される種々の
電子部品のめっき処理に対し広汎な適用が可能となる。
電性媒体、及び電極材料を種々組み合わせて所望のめっ
き処理を実行することができ、これによりチップ型のみ
ならずプリント基板等、様々な用途に使用される種々の
電子部品のめっき処理に対し広汎な適用が可能となる。
【０１０５】以上詳述したように本発明によれば、各種
還元剤の酸化反応に対し触媒活性度の低い電極材料に対
しても導電性媒体を介して電極材料を触媒活性化するこ
とができ、これにより、種々の還元剤に対し自己触媒め
っきによるめっき皮膜の形成が可能となる。
還元剤の酸化反応に対し触媒活性度の低い電極材料に対
しても導電性媒体を介して電極材料を触媒活性化するこ
とができ、これにより、種々の還元剤に対し自己触媒め
っきによるめっき皮膜の形成が可能となる。
【０１０６】
【実施例】次に、本発明の実施例を具体的に説明する。
【０１０７】〔第１の実施例〕
（実施例１）本発明者らは、縦３．２ｍｍ、横１．６ｍ
ｍ、厚さ１．０ｍｍのセラミック素体の両端部にＣｕ電
極を形成して被めっき物を１０個作製した。
ｍ、厚さ１．０ｍｍのセラミック素体の両端部にＣｕ電
極を形成して被めっき物を１０個作製した。
【０１０８】次いで、下記のめっき組成を有するめっき
浴（第１のめっき浴）を満たした内容積が１．９０×１
０−４ｍ３のバレルに上記１０個の被めっき物を浸漬す
ると共に、直径約１ｍｍのＮｉ片を７．９ｇ（約１５０
０個）バレルに入れ、０．０５ｓ−１（＝３ｒｐｍ）の
回転速度で該バレルを３０分間回転させ、自己触媒めっ
きを施してＣｕ電極の表面にＮｉ−Ｐ皮膜を形成した。
浴（第１のめっき浴）を満たした内容積が１．９０×１
０−４ｍ３のバレルに上記１０個の被めっき物を浸漬す
ると共に、直径約１ｍｍのＮｉ片を７．９ｇ（約１５０
０個）バレルに入れ、０．０５ｓ−１（＝３ｒｐｍ）の
回転速度で該バレルを３０分間回転させ、自己触媒めっ
きを施してＣｕ電極の表面にＮｉ−Ｐ皮膜を形成した。
【０１０９】
〔第１のめっき浴組成〕
金属塩 ： 塩化ニッケル３０．０ｋｇ／ｍ３
還元剤 ： ホスフィン酸ナトリウム１０．０ｋｇ／ｍ３
錯化剤 ： クエン酸ナトリウム１０．０ｋｇ／ｍ３
グリコール酸ナトリウム１０．０ｋｇ／ｍ３
ｐＨ ： ４．２
浴 温 ： ８５℃
次に、Ｎｉ―Ｐ皮膜の形成された被めっき物を下記のめ
っき組成を有するめっき浴（第２のめっき浴）中に浸漬
し、置換めっきを施してＮｉ−Ｐ皮膜の表面にＡｕ皮膜
を形成し、実施例１の試験片を作製した。
っき組成を有するめっき浴（第２のめっき浴）中に浸漬
し、置換めっきを施してＮｉ−Ｐ皮膜の表面にＡｕ皮膜
を形成し、実施例１の試験片を作製した。
【０１１０】
〔第２のめっき浴組成〕
金属塩 ： 亜硫酸金５．５ｋｇ／ｍ３
錯化剤 ： 亜硫酸ナトリウム１５．０ｋｇ／ｍ３
エチレンジアミン四酢酸・２ナトリウム４５．０ｋｇ／ｍ３
ｐＨ ： ６．８
浴 温 ： ８５℃
（実施例２）実施例１と同様のセラミック素体の両端部
にＡｇ−Ｐｄ電極を形成し、実施例１と同様の手順でＡ
ｇ−Ｐｄ電極の表面にＮｉ−Ｐ皮膜及びＡｕ皮膜を形成
し、実施例２の試験片を作製した。
にＡｇ−Ｐｄ電極を形成し、実施例１と同様の手順でＡ
ｇ−Ｐｄ電極の表面にＮｉ−Ｐ皮膜及びＡｕ皮膜を形成
し、実施例２の試験片を作製した。
【０１１１】（実施例３）実施例１と同様のセラミック
素体の両端部にＡｇ電極を形成し、実施例１と同様の手
順でＡｇ電極の表面にＮｉ−Ｐ皮膜及びＡｕ皮膜を形成
し、実施例３の試験片を作製した。
素体の両端部にＡｇ電極を形成し、実施例１と同様の手
順でＡｇ電極の表面にＮｉ−Ｐ皮膜及びＡｕ皮膜を形成
し、実施例３の試験片を作製した。
【０１１２】表２は、各実施例の膜厚を示している。
【０１１３】尚、膜厚測定は、蛍光Ｘ線膜厚計（セイコ
ーインスツルメンツ社製ＳＥＡ５１２０）で測定した。
ーインスツルメンツ社製ＳＥＡ５１２０）で測定した。
【０１１４】
【表２】
この表２から明らかなように、ホスフィン酸ナトリウム
（ＮａＨ２ＰＯ２）に触媒活性を示さない電極材料であ
ってもＰｄ触媒を付与することなく自己触媒めっきによ
り電極表面にＮｉ−Ｐ皮膜を形成することができ、その
後置換めっきによりＮｉ−Ｐ皮膜上にＡｕ皮膜を形成す
ることのできることが確認された。
（ＮａＨ２ＰＯ２）に触媒活性を示さない電極材料であ
ってもＰｄ触媒を付与することなく自己触媒めっきによ
り電極表面にＮｉ−Ｐ皮膜を形成することができ、その
後置換めっきによりＮｉ−Ｐ皮膜上にＡｕ皮膜を形成す
ることのできることが確認された。
【０１１５】〔第２の実施例〕本発明者らは、縦０．６
ｍｍ、横０．３ｍｍ、厚さ０．３ｍｍのセラミック素体
を使用し、第１の実施例の実施例１と同様の手順で１０
個の試験片を作製し、これら試験片の中から４個の試験
片をサンプリングして第１の実施例と同様、膜厚測定を
行った。
ｍｍ、横０．３ｍｍ、厚さ０．３ｍｍのセラミック素体
を使用し、第１の実施例の実施例１と同様の手順で１０
個の試験片を作製し、これら試験片の中から４個の試験
片をサンプリングして第１の実施例と同様、膜厚測定を
行った。
【０１１６】表３はその測定結果を示している。
【０１１７】
【表３】
この表３から明らかなように、小形のチップ型電子部品
においても平均径１ｍｍのＮｉ片をバレル内に投入して
被めっき物と混合・接触させて電極表面を触媒活性な表
面なものとすることにより、Ｃｕ電極の表面にＮｉ−Ｐ
皮膜を形成することができる。また、置換めっきでＡｕ
皮膜を形成することにより、膜厚が０．１０μｍ以下の
薄膜を容易に得ることができることが確認された。
においても平均径１ｍｍのＮｉ片をバレル内に投入して
被めっき物と混合・接触させて電極表面を触媒活性な表
面なものとすることにより、Ｃｕ電極の表面にＮｉ−Ｐ
皮膜を形成することができる。また、置換めっきでＡｕ
皮膜を形成することにより、膜厚が０．１０μｍ以下の
薄膜を容易に得ることができることが確認された。
【０１１８】〔第３の実施例〕本発明者らは、縦４．５
ｍｍ、横２．０ｍｍ、厚み０．５ｍｍのセラミック素体
の表面に複雑な所定形状のＣｕ製の電極パターンを形成
し、第１の実施例の実施例１と同様にしてＮｉ−Ｐ皮膜
及びＡｕ皮膜を形成し、実施例２１の試験片を作製し
た。
ｍｍ、横２．０ｍｍ、厚み０．５ｍｍのセラミック素体
の表面に複雑な所定形状のＣｕ製の電極パターンを形成
し、第１の実施例の実施例１と同様にしてＮｉ−Ｐ皮膜
及びＡｕ皮膜を形成し、実施例２１の試験片を作製し
た。
【０１１９】また、本発明者らは、上述と同様の電極パ
ターンが形成されたセラミック素体に電解めっきを施
し、電極パターン上にＮｉ皮膜及びＡｕ皮膜を形成し、
比較例２１の試験片を作製した。
ターンが形成されたセラミック素体に電解めっきを施
し、電極パターン上にＮｉ皮膜及びＡｕ皮膜を形成し、
比較例２１の試験片を作製した。
【０１２０】尚、電解めっきにおける電流密度はＮｉめ
っきの場合は、０．３Ａ／ｄｍ２、Ａｕめっきの場合
は、０．１Ａ／ｄｍ２に設定して行った。
っきの場合は、０．３Ａ／ｄｍ２、Ａｕめっきの場合
は、０．１Ａ／ｄｍ２に設定して行った。
【０１２１】次いで、本発明者らは、図２に示すよう
に、中央部から少し右寄りの点ａ、中央部から少し左寄
りの点ｂ、点ｃ、両左隅の点ｄ、点ｅ、右両隅の点ｆ、
点ｇについて、各皮膜の第１の実施例と同様の方法で膜
厚を測定した。
に、中央部から少し右寄りの点ａ、中央部から少し左寄
りの点ｂ、点ｃ、両左隅の点ｄ、点ｅ、右両隅の点ｆ、
点ｇについて、各皮膜の第１の実施例と同様の方法で膜
厚を測定した。
【０１２２】表４はその測定結果を示す。
【０１２３】
【表４】
この表４から明らかなように比較例２１は、電流分布に
差があるため、Ｎｉ皮膜は各測定点間で０．６９μｍ〜
１３．４２μｍのばらつきが生じ、またＡｕ皮膜は各測
定点間で０．０２μｍ〜０．１９μｍのばらつきが生じ
た。特に、Ａｕ皮膜の場合は各測定点で必要最低限の膜
厚が得られるように電流密度を設定してめっき処理を行
うため、電流分布の差により異常に厚い膜厚を有する箇
所が生じた（本実施例ではセラミック素体の両端部ｄ〜
ｇの膜厚が中央部ａ〜ｃの膜厚よりも厚い）。
差があるため、Ｎｉ皮膜は各測定点間で０．６９μｍ〜
１３．４２μｍのばらつきが生じ、またＡｕ皮膜は各測
定点間で０．０２μｍ〜０．１９μｍのばらつきが生じ
た。特に、Ａｕ皮膜の場合は各測定点で必要最低限の膜
厚が得られるように電流密度を設定してめっき処理を行
うため、電流分布の差により異常に厚い膜厚を有する箇
所が生じた（本実施例ではセラミック素体の両端部ｄ〜
ｇの膜厚が中央部ａ〜ｃの膜厚よりも厚い）。
【０１２４】これに対し実施例２１は、電極表面全域で
めっきが均一に進行するため、膜厚も均一性が良好なも
のとなり、低コストで効率良く所望のめっき皮膜が形成
されることが確認された。
めっきが均一に進行するため、膜厚も均一性が良好なも
のとなり、低コストで効率良く所望のめっき皮膜が形成
されることが確認された。
【０１２５】
【発明の効果】以上詳述したように本発明に係る電子部
品の製造方法は、表面に電極が形成された被めっき物に
対し、還元剤を添加しためっき浴を使用して無電解めっ
きを施し、電子部品を製造する電子部品の製造方法にお
いて、前記還元剤の酸化還元電位よりも電気化学的に貴
な析出電位を有する金属イオンを含有するめっき浴中
で、前記還元剤の酸化反応に対し触媒活性を示す導電性
媒体と前記被めっき物とを混合し、前記無電解めっきを
施して前記電極上にめっき皮膜を形成するので、被めっ
き物の電極が導電性媒体と接触することにより電極表面
が触媒活性化され、これにより還元剤と析出金属間での
酸化還元反応により電極表面にめっき皮膜が形成され、
均一な膜厚のめっき皮膜を有する電子部品を製造するこ
とができる。
品の製造方法は、表面に電極が形成された被めっき物に
対し、還元剤を添加しためっき浴を使用して無電解めっ
きを施し、電子部品を製造する電子部品の製造方法にお
いて、前記還元剤の酸化還元電位よりも電気化学的に貴
な析出電位を有する金属イオンを含有するめっき浴中
で、前記還元剤の酸化反応に対し触媒活性を示す導電性
媒体と前記被めっき物とを混合し、前記無電解めっきを
施して前記電極上にめっき皮膜を形成するので、被めっ
き物の電極が導電性媒体と接触することにより電極表面
が触媒活性化され、これにより還元剤と析出金属間での
酸化還元反応により電極表面にめっき皮膜が形成され、
均一な膜厚のめっき皮膜を有する電子部品を製造するこ
とができる。
【０１２６】すなわち、電解めっきのように電極部分以
外の非金属部分に金属が異常析出することなく、また、
多端子用電子部品の場合であっても電極部にのみ所望の
均一な膜厚を有するめっき皮膜を形成することができ
る。しかも、めっき皮膜の均一性が良好であり、また導
電性媒体に金属が析出することもなく、したがって析出
金属が必要以上に消費されることもなく、コストが高騰
するのを抑制することができる。
外の非金属部分に金属が異常析出することなく、また、
多端子用電子部品の場合であっても電極部にのみ所望の
均一な膜厚を有するめっき皮膜を形成することができ
る。しかも、めっき皮膜の均一性が良好であり、また導
電性媒体に金属が析出することもなく、したがって析出
金属が必要以上に消費されることもなく、コストが高騰
するのを抑制することができる。
【０１２７】また、前記被めっき物と前記導電性媒体と
を投入した容器を前記めっき浴の満たされためっき浴槽
内で回転させて前記被めっき物と前記導電性媒体とを混
合させることにより、導電性媒体と被めっき物とを容易
に接触させることができ、電極表面を触媒活性な状態と
することができる。
を投入した容器を前記めっき浴の満たされためっき浴槽
内で回転させて前記被めっき物と前記導電性媒体とを混
合させることにより、導電性媒体と被めっき物とを容易
に接触させることができ、電極表面を触媒活性な状態と
することができる。
【０１２８】また、前記導電性媒体の平均径を１．０ｍ
ｍ以上とすることにより、電解バレルめっきで使用され
るバレル容器で上記無電解めっきを行った場合でも、バ
レルの開孔部に導電体媒体が挟まるのを回避することが
でき、また、高価な小径の導電性媒体を使用する必要も
なく、小形の電子部品を製造する場合であってもコスト
の急騰化を生じることなく、製造することができる。
ｍ以上とすることにより、電解バレルめっきで使用され
るバレル容器で上記無電解めっきを行った場合でも、バ
レルの開孔部に導電体媒体が挟まるのを回避することが
でき、また、高価な小径の導電性媒体を使用する必要も
なく、小形の電子部品を製造する場合であってもコスト
の急騰化を生じることなく、製造することができる。
【０１２９】特に、前記導電性媒体としてＮｉ片又はＮ
ｉ合金片を使用すると共に、Ｎｉ化合物を主成分としリ
ン酸系化合物を前記還元剤として含有しためっき浴中
で、前記被めっき物と前記Ｎｉ片とを混合し、無電解め
っきを施して前記電極上にＮｉを主成分とする第１のめ
っき皮膜を形成し、次いで該第１のめっき皮膜が形成さ
れた被めっき物をＡｕ化合物を主成分とするめっき浴中
に浸漬して第１のめっき皮膜の表面にＡｕを析出させて
第２のめっき皮膜を形成することにより、自己触媒めっ
きによって均一性の良好な任意の膜厚を有する第１のめ
っき皮膜（Ｎｉ−Ｐ皮膜）が形成され、さらに置換めっ
きによって第２のめっき皮膜（Ａｕ皮膜）が形成される
こととなり、特にＡｕ皮膜は均一性が良好で必要以上の
膜厚とはならず、必要最小限のコストでもって電子部品
を製造することができる。
ｉ合金片を使用すると共に、Ｎｉ化合物を主成分としリ
ン酸系化合物を前記還元剤として含有しためっき浴中
で、前記被めっき物と前記Ｎｉ片とを混合し、無電解め
っきを施して前記電極上にＮｉを主成分とする第１のめ
っき皮膜を形成し、次いで該第１のめっき皮膜が形成さ
れた被めっき物をＡｕ化合物を主成分とするめっき浴中
に浸漬して第１のめっき皮膜の表面にＡｕを析出させて
第２のめっき皮膜を形成することにより、自己触媒めっ
きによって均一性の良好な任意の膜厚を有する第１のめ
っき皮膜（Ｎｉ−Ｐ皮膜）が形成され、さらに置換めっ
きによって第２のめっき皮膜（Ａｕ皮膜）が形成される
こととなり、特にＡｕ皮膜は均一性が良好で必要以上の
膜厚とはならず、必要最小限のコストでもって電子部品
を製造することができる。
【０１３０】また、本発明によれば、還元剤としてリン
酸系化合物、ホウ素系化合物、窒素化合物、アルデヒド
系化合物を使用した場合も、還元剤の酸化反応に対して
触媒活性な金属を適宜選択し、還元剤、析出金属、導電
性媒体、及び電極材料を種々組み合わせることにより、
所望のめっき処理を施すことができ、これによりチップ
型のみならずプリント基板等、広汎な様々な用途に適用
される種々の電子部品のめっき処理に適用することがで
きる。
酸系化合物、ホウ素系化合物、窒素化合物、アルデヒド
系化合物を使用した場合も、還元剤の酸化反応に対して
触媒活性な金属を適宜選択し、還元剤、析出金属、導電
性媒体、及び電極材料を種々組み合わせることにより、
所望のめっき処理を施すことができ、これによりチップ
型のみならずプリント基板等、広汎な様々な用途に適用
される種々の電子部品のめっき処理に適用することがで
きる。
【０１３１】また、本発明に係る電子部品は、上記製造
方法で製造されているので、従来のこの種無電解めっき
のようにＰｄを含んだ触媒液で表面処理することなく、
電極部分にのみ均一にめっき皮膜が形成された電子部品
を容易に得ることができる。
方法で製造されているので、従来のこの種無電解めっき
のようにＰｄを含んだ触媒液で表面処理することなく、
電極部分にのみ均一にめっき皮膜が形成された電子部品
を容易に得ることができる。
【０１３２】特に、Ａｕとの密着性の良好なＮｉ−Ｐ層
を銅電極上に直接形成することが可能であるので、高品
質な信頼性に優れた電子部品を安価で得ることができ
る。
を銅電極上に直接形成することが可能であるので、高品
質な信頼性に優れた電子部品を安価で得ることができ
る。
【図１】本発明の製造方法で製造された電子部品の一実
施の形態を示す断面図である。
施の形態を示す断面図である。
【図２】第３の実施例における膜厚測定点を示す図であ
る。
る。
１ セラミック素体
２ 電極部（電極）
３ Ｎｉ−Ｐ皮膜（第１のめっき皮膜）
４ Ａｕ皮膜（第２のめっき皮膜）
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考）
Ｈ０１Ｇ 4/30 ３０１ Ｈ０１Ｇ 4/30 ３１１Ｅ
３１１ 1/147 Ｚ
(72)発明者 斎藤 順一
京都府長岡京市天神二丁目26番10号 株式
会社村田製作所内
(72)発明者 坂部 行雄
京都府長岡京市天神二丁目26番10号 株式
会社村田製作所内
Ｆターム(参考） 4K022 AA04 AA05 BA03 BA06 BA14
BA16 BA18 BA31 BA32 CA07
DA03 DA04 DB02 DB03
5E082 AA01 AB03 BB01 BB07 BC38
EE04 GG10 GG28 LL02 MM22
MM23
Claims (13)
- 【請求項１】 表面に電極が形成された被めっき物に対
し、還元剤の添加されためっき浴を使用して無電解めっ
きを施し、電子部品を製造する電子部品の製造方法にお
いて、 前記還元剤の酸化還元電位よりも電気化学的に貴な析出
電位を有する金属イオンを含有するめっき浴中で、前記
還元剤の酸化反応に対し触媒活性を示す導電性媒体と前
記被めっき物とを混合し、前記無電解めっきを施して前
記電極上にめっき皮膜を形成することを特徴とする電子
部品の製造方法。 - 【請求項２】 前記被めっき物と前記導電性媒体とを投
入した容器を前記めっき浴の満たされためっき浴槽内で
回転、揺動、傾斜、又は振動させて前記被めっき物と前
記導電性媒体とを混合させることを特徴とする請求項１
記載の電子部品の製造方法。 - 【請求項３】 前記導電性媒体は、平均径が１．０ｍｍ
以上であることを特徴とする請求項１記載の電子部品の
製造方法。 - 【請求項４】 前記導電性媒体としてニッケル片又はニ
ッケル合金片を使用すると共に、ニッケル化合物を主成
分としリン酸系化合物を前記還元剤として含有しためっ
き浴中で、前記被めっき物と前記ニッケル片とを混合
し、前記無電解めっきを施して前記電極上にニッケルを
主成分とする第１のめっき皮膜を形成し、次いで該第１
のめっき皮膜の形成された被めっき物を金化合物を含有
しためっき浴中に浸漬し、前記第１のめっき皮膜の表面
に金を析出させて第２のめっき皮膜を形成することを特
徴とする請求項１乃至請求項３のいずれかに記載の電子
部品の製造方法。 - 【請求項５】 前記導電性媒体として金、ニッケル、パ
ラジウム、コバルト、白金、又はこれらの合金の中から
選択された少なくとも１種以上の金属片を使用すると共
に、ニッケル、コバルト、パラジウム、又は金の中から
選択された１種の金属塩を主成分としリン酸系化合物を
前記還元剤として含有しためっき浴中で、前記被めっき
物と前記金属片とを混合し、前記無電解めっきを施して
前記電極上にめっき皮膜を形成することを特徴とする請
求項１乃至請求項３のいずれかに記載の電子部品の製造
方法。 - 【請求項６】 前記導電性媒体としてニッケル、コバル
ト、パラジウム、白金金、又はこれらの合金の中から選
択された少なくとも１種以上の金属片を使用すると共
に、ニッケル、コバルト、パラジウム又は金の中から選
択された１種の金属塩を主成分としホウ素系化合物を前
記還元剤として含有しためっき浴中で、前記被めっき物
と前記金属片とを混合し、前記無電解めっきを施して前
記電極上にめっき皮膜を形成することを特徴とする請求
項１乃至請求項３のいずれかに記載の電子部品の製造方
法。 - 【請求項７】 前記めっき浴は、前記３種の金属塩に白
金を加えた４種の中から選択された１種の金属を含有し
た金属塩を主成分としていることを特徴とする請求項６
記載の電子部品の製造方法。 - 【請求項８】 前記導電性媒体としてコバルト、ニッケ
ル、白金、パラジウム、又はこれらの合金の中から選択
された少なくとも１種以上の金属片を使用すると共に、
ニッケル、コバルト、パラジウム、金又は白金の中から
選択された１種の金属塩を主成分とし窒素化合物を前記
還元剤として含有しためっき浴中で、前記被めっき物と
前記金属片とを混入し、前記無電解めっきを施して前記
電極上にめっき皮膜を形成することを特徴とする請求項
１乃至請求項３のいずれかに記載の電子部品の製造方
法。 - 【請求項９】 前記電極は、銅電極、銅合金電極、銀電
極、ニッケル電極又は銀合金電極であることを特徴とす
る請求項１乃至請求項８のいずれかに記載の電子部品の
製造方法。 - 【請求項１０】 前記銀合金電極は、銀を主成分としパ
ラジウムを副成分としていることを特徴とする請求項９
記載の電子部品の製造方法。 - 【請求項１１】 前記導電性媒体として銅、金、銀、又
はこれらの合金の中から選択された少なくとも１種以上
の金属片を使用すると共に、銅、銀、又は金の中から選
択された１種の金属塩を主成分としアルデヒド系化合物
を前記還元剤として含有しためっき浴中で、前記被めっ
き物と前記金属片とを混入し、前記無電解めっきを施し
て前記電極上にめっき皮膜を形成することを特徴とする
請求項１乃至請求項３のいずれかに記載の電子部品の製
造方法。 - 【請求項１２】 前記電極は、ニッケル電極であること
を特徴とする請求項１１記載の電子部品の製造方法。 - 【請求項１３】 請求項１乃至請求項１２のいずれかに
記載の電子部品の製造方法で製造されていることを特徴
とする電子部品。
Priority Applications (6)
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|---|---|---|---|
| JP2001385164A JP3678195B2 (ja) | 2001-12-18 | 2001-12-18 | 電子部品の製造方法、及び電子部品 |
| TW091135039A TW593745B (en) | 2001-12-18 | 2002-12-03 | Method of manufacturing electronic part, electronic part and electroless plating method |
| US10/315,949 US6780456B2 (en) | 2001-12-18 | 2002-12-11 | Method of manufacturing electronic part, electronic part and electroless plating method |
| KR10-2002-0080379A KR100497077B1 (ko) | 2001-12-18 | 2002-12-16 | 전자부품의 제조방법 및 전자부품, 무전해 도금 방법 |
| CNB021574901A CN1197993C (zh) | 2001-12-18 | 2002-12-18 | 电子部件的制造方法及该电子部件，无电敷镀方法 |
| DE10259310A DE10259310B4 (de) | 2001-12-18 | 2002-12-18 | Verfahren zur Herstellung eines elektronischen Teils und stromloses Plattierverfahren |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001385164A JP3678195B2 (ja) | 2001-12-18 | 2001-12-18 | 電子部品の製造方法、及び電子部品 |
Publications (2)
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|---|---|
| JP2003183843A true JP2003183843A (ja) | 2003-07-03 |
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| JP2001385164A Expired - Lifetime JP3678195B2 (ja) | 2001-12-18 | 2001-12-18 | 電子部品の製造方法、及び電子部品 |
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| KR (1) | KR100497077B1 (ja) |
| CN (1) | CN1197993C (ja) |
| DE (1) | DE10259310B4 (ja) |
| TW (1) | TW593745B (ja) |
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| KR100671820B1 (ko) | 2004-10-06 | 2007-01-19 | 에스케이케미칼주식회사 | 전도성 고분자를 이용한 전극 및 커패시터의 제조방법 |
| KR100736873B1 (ko) | 2005-12-20 | 2007-07-06 | 주식회사 디엠에스 | 외부 전극 형광 램프의 전극 제조 방법 및 그 방법에의하여 제조된 외부전극 형광 램프 |
| KR100736874B1 (ko) | 2005-12-20 | 2007-07-06 | 주식회사 디엠에스 | 외부 전극 형광 램프의 전극 제조 방법 및 그 방법에의하여 제조된 외부전극 형광 램프 |
| WO2007105395A1 (ja) * | 2006-03-14 | 2007-09-20 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 積層型電子部品の製造方法 |
| WO2007148785A1 (ja) * | 2006-06-23 | 2007-12-27 | Neomax Materials Co., Ltd. | 無電解Ｎｉ－Ｐめっき法および電子部品用基板 |
| WO2008023496A1 (fr) * | 2006-08-22 | 2008-02-28 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Composant électronique feuilleté et procédé pour le fabriquer |
| JPWO2007097180A1 (ja) * | 2006-02-27 | 2009-07-09 | 株式会社村田製作所 | 積層型電子部品およびその製造方法 |
| WO2017199833A1 (ja) * | 2016-05-17 | 2017-11-23 | Dic株式会社 | 無電解ニッケルめっき方法 |
| JP2019016781A (ja) * | 2017-07-04 | 2019-01-31 | サムソン エレクトロ−メカニックス カンパニーリミテッド． | 積層セラミックキャパシタ及びその製造方法 |
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