JPS6396274A - 選択無電解メツキ方法 - Google Patents
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-
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-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/10—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern
- H05K3/18—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using precipitation techniques to apply the conductive material
- H05K3/181—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using precipitation techniques to apply the conductive material by electroless plating
- H05K3/187—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using precipitation techniques to apply the conductive material by electroless plating means therefor, e.g. baths, apparatus
-
- H—ELECTRICITY
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- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/22—Secondary treatment of printed circuits
- H05K3/24—Reinforcing the conductive pattern
- H05K3/244—Finish plating of conductors, especially of copper conductors, e.g. for pads or lands
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は１回路基板等、一部に導体を有する部品の上記
導体部分のみに、無電解メッキ法を用いて１選択的にメ
ッキを施す方法に関する。
導体部分のみに、無電解メッキ法を用いて１選択的にメ
ッキを施す方法に関する。
従来におけるこうした選択無電解メッキ方法の一つは１
部品を塩化パラジウム溶液中に浸漬し、予め活性化処理
を行った後、無電解メ・ツキ液中に浸漬する方法である
。この方法は２部品の金属部分の表面にメッキが析出し
易く、他の部分にはメッキが析出しにくいことを利用す
るもので、厚み１μ程度の比較的薄いメッキ膜を形成す
る場合に限り１選択メッキとして利用することが可能で
ある。
部品を塩化パラジウム溶液中に浸漬し、予め活性化処理
を行った後、無電解メ・ツキ液中に浸漬する方法である
。この方法は２部品の金属部分の表面にメッキが析出し
易く、他の部分にはメッキが析出しにくいことを利用す
るもので、厚み１μ程度の比較的薄いメッキ膜を形成す
る場合に限り１選択メッキとして利用することが可能で
ある。
他の方法は２部品を活性化処理せずに無電解メッキ液中
に浸漬せしめ、鉄片等を同メッキ液中で部品の導体部分
に接触させて、その表面の金属の析出を励起させ、それ
以降は析出した金属自身の触媒作用によって、さらにメ
ッキ膜を析出させる方法である。これによれば、他の導
体にも同じ手順を繰り返していくことにより。
に浸漬せしめ、鉄片等を同メッキ液中で部品の導体部分
に接触させて、その表面の金属の析出を励起させ、それ
以降は析出した金属自身の触媒作用によって、さらにメ
ッキ膜を析出させる方法である。これによれば、他の導
体にも同じ手順を繰り返していくことにより。
それぞれ独立している導体の表面にメッキを施すことが
できる。
できる。
このような無電解選択メッキ方法は、それぞれ次のよう
な問題がある。
な問題がある。
前者の方法によれば、導体部分に析出させるメ・ツキ膜
の厚みは１μｍが限度であり、これより厚いメ・ツキ膜
を形成するため、長時間メッキ液に浸しておくと、導体
部分以外にも金属の析出が起こり１選択性が無くなる。
の厚みは１μｍが限度であり、これより厚いメ・ツキ膜
を形成するため、長時間メッキ液に浸しておくと、導体
部分以外にも金属の析出が起こり１選択性が無くなる。
また、後者の方法によれば、メッキ液中で各々独立した
導体に鉄小片を接触させることを繰り返して行うか、或
いは独立した導体に対応して配置した鉄小片群を接触さ
せなければならない。何れにしても、多くの手数がかか
るという問題を抱えている。
導体に鉄小片を接触させることを繰り返して行うか、或
いは独立した導体に対応して配置した鉄小片群を接触さ
せなければならない。何れにしても、多くの手数がかか
るという問題を抱えている。
本発明の目的は、このような問題を解消することのでき
る選択無電解メッキ方法を提供することにある。
る選択無電解メッキ方法を提供することにある。
即ち１本発明による選択無電解メッキ方法は。
無電解メッキ液を撹拌しながら、メッキを施そうとする
金属イオンに活性な表面を有する粒子を、該浴中に分散
させた状態で、導体を一部に設けた部品を浸漬した後、
同部品を前記活性な粒子を含まない無電解メッキ液に浸
漬し、該電子部品の導体表面のみに選択的にメッキ膜を
析出させる方法である。
金属イオンに活性な表面を有する粒子を、該浴中に分散
させた状態で、導体を一部に設けた部品を浸漬した後、
同部品を前記活性な粒子を含まない無電解メッキ液に浸
漬し、該電子部品の導体表面のみに選択的にメッキ膜を
析出させる方法である。
なお、金属イオンに活性な表面を有する粒子としては、
その金属よりイオン化傾向の高い金属の粒子を用いるこ
とができる。例えば導体の表面にＮｉメッキを施すとき
は、Ｎｉよりイオン化傾向の高い金属粒子、即ち、Ｍｇ
、ＡＩ。
その金属よりイオン化傾向の高い金属の粒子を用いるこ
とができる。例えば導体の表面にＮｉメッキを施すとき
は、Ｎｉよりイオン化傾向の高い金属粒子、即ち、Ｍｇ
、ＡＩ。
Ｚｒ、Ｍｎ、Ｚｎ、Ｆｅ、Ｃｏ等の粒子を使用する。ま
た、金属酸化物、有機化合物等の粒子の表面をＳｎ、Ｐ
ｄによって活性したものも。
た、金属酸化物、有機化合物等の粒子の表面をＳｎ、Ｐ
ｄによって活性したものも。
Ｐｄ自身が還元剤を酸化させる触媒作用があるので、同
様にして金属イオンに活性な表面を有する粒子として使
用できる。
様にして金属イオンに活性な表面を有する粒子として使
用できる。
無電解メッキ液中に、メッキを施そうとする金属に活性
な表面を有する粒子を浸漬すると。
な表面を有する粒子を浸漬すると。
置換によってその粒子表面に金属が析出する。
一度上記粒子の表面に金属が析出すると、以後はその金
属自身の自己触媒作用によって、順次連続的に金属が粒
子の表面に析出する。この金属の析出した粒子がメッキ
液の撹拌によって導体と接触すると２粒子の表面でメッ
キ液中の還元剤が酸化されることにより放出される電子
が該導体に授受され、該電子がメッキ液に溶存する金属
イオンをメッキとして導体上に析出させる。
属自身の自己触媒作用によって、順次連続的に金属が粒
子の表面に析出する。この金属の析出した粒子がメッキ
液の撹拌によって導体と接触すると２粒子の表面でメッ
キ液中の還元剤が酸化されることにより放出される電子
が該導体に授受され、該電子がメッキ液に溶存する金属
イオンをメッキとして導体上に析出させる。
他方、導体以外の部分では、上記粒子が接触しても電子
の授受がなされないので、メッキが析出しない。
の授受がなされないので、メッキが析出しない。
その後、上記メッキ液から部品を取り出し。
活性な粒子を含まない無電解メッキ液に浸漬すると、導
体の表面に既に金属が析出しているため、その自己触媒
作用により、導体表面にさらにメッキが析出し、成る程
度の厚みのメッキ膜が形成される。
体の表面に既に金属が析出しているため、その自己触媒
作用により、導体表面にさらにメッキが析出し、成る程
度の厚みのメッキ膜が形成される。
次に、この考案の具体的な実施例について説明する。
（実施例１）
アルミナ基板の表面に銅ペーストを印刷し。
焼成して複数の導体を構成した回路基板と、従来の活性
化方法によってＳｎとＰｄとで活性化した平均粒径１μ
ｍの酸化チタン粒子５ｇと。
化方法によってＳｎとＰｄとで活性化した平均粒径１μ
ｍの酸化チタン粒子５ｇと。
２つのＮ１−Ｂ系Ｎｉ無電解メッキ液を用意した。。
まず、１つののＮｉ無電解メッキ液を４５℃に保温し、
かつマグネチックスターラによって撹拌しながら、その
中に上記酸化チタン粒子５ｇを投入し、その直後に上記
回路基板を同メッキ液中に５秒間浸漬した。その後９回
路基板を引き上げ、続いて６０℃に保温したもう１つの
Ｎｉ無電解メッキ液に５分間浸漬した。
かつマグネチックスターラによって撹拌しながら、その
中に上記酸化チタン粒子５ｇを投入し、その直後に上記
回路基板を同メッキ液中に５秒間浸漬した。その後９回
路基板を引き上げ、続いて６０℃に保温したもう１つの
Ｎｉ無電解メッキ液に５分間浸漬した。
こうして回路基板の導体上に析出したＮｉの厚みを市販
の螢光Ｘ線膜厚測定機（セイコー電子（横裂５ＦＴ−１
５７）によって測定した。その結果を表１に示す。
の螢光Ｘ線膜厚測定機（セイコー電子（横裂５ＦＴ−１
５７）によって測定した。その結果を表１に示す。
なお、導体部分以外のアルミナ基板の素地表面には、Ｎ
ｉメッキが析出しておらず、完全な選択メッキが行こな
われた。
ｉメッキが析出しておらず、完全な選択メッキが行こな
われた。
（実施例２）
実施例１においτ、酸化チタン粒子５ｇに代えて、平均
粒径１０μｍの酸化アルミ粒子２ｇを使用したこと以外
は、実施例１と同じ方法と同じ条件で選択無電解メッキ
を実施した。このメッキ膜の膜厚を測定した結果を表１
に示す。
粒径１０μｍの酸化アルミ粒子２ｇを使用したこと以外
は、実施例１と同じ方法と同じ条件で選択無電解メッキ
を実施した。このメッキ膜の膜厚を測定した結果を表１
に示す。
（実施例３）
実施例１において、酸化チタン粒子５ｇに代えて、平均
粒径０．１ｍｍの硼珪酸鉛ガラス粒子２ｇを使用したこ
と以外は、実施例１と同じ方法と同じ条件で選択無電解
メッキを実施した。このメッキ膜の膜厚を測定した結果
を表１に示す。
粒径０．１ｍｍの硼珪酸鉛ガラス粒子２ｇを使用したこ
と以外は、実施例１と同じ方法と同じ条件で選択無電解
メッキを実施した。このメッキ膜の膜厚を測定した結果
を表１に示す。
（実施例４）
実施例１において、酸化チタン粒子５ｇに代えて、平均
粒径ＩＮのＡＢＳ樹脂粒（アクリルニトリル・ブタジェ
ン・スチレン強重合体）０．５ｇを使用したこと以外は
、実施例１と同じ方法と同じ条件で選択無電解メッキを
実施した。このメッキ膜の膜厚を測定した結果を表１に
示す。
粒径ＩＮのＡＢＳ樹脂粒（アクリルニトリル・ブタジェ
ン・スチレン強重合体）０．５ｇを使用したこと以外は
、実施例１と同じ方法と同じ条件で選択無電解メッキを
実施した。このメッキ膜の膜厚を測定した結果を表１に
示す。
（実施例５）
実施例１において、Ｓｎ、Ｐｄによって活性化された酸
化チタン粉末に代えて、鉄の平均粒径５μｍの粒子２ｇ
を使用したこと以外は、実施例１と同じ方法と同じ条件
で選択無電解メッキを実施した。このメッキ膜の膜厚を
測定した結果を表１に示す。
化チタン粉末に代えて、鉄の平均粒径５μｍの粒子２ｇ
を使用したこと以外は、実施例１と同じ方法と同じ条件
で選択無電解メッキを実施した。このメッキ膜の膜厚を
測定した結果を表１に示す。
（実施例６）
実施例１において、鉄粒子に代えて亜鉛の粒子２ｇを使
用したこと以外は、実施例Ｉと同じ方法と同じ条件で選
択無電解メッキを実施した。
用したこと以外は、実施例Ｉと同じ方法と同じ条件で選
択無電解メッキを実施した。
このメッキ膜の膜厚を測定した結果を表１に示す。
表 １
なお、上記実施例５．６で使用した金属粒子に代えて、
Ｍｇ、ＡＩ、Ｚｒ、Ｍｎ、Ｚｎ。
Ｍｇ、ＡＩ、Ｚｒ、Ｍｎ、Ｚｎ。
Ｆｅ、Ｃｏ等の金属粒子を使用した場合も、これら実施
例とはソ゛同等の結果が得られる。
例とはソ゛同等の結果が得られる。
また、Ｎｉメッキ以外にＣｕメフキ等も同様にして実施
することができる。
することができる。
以上説明した通り１本発明によれば、一部に導体を有す
る部品を、活性な粒子が分散撹拌されたメッキ液中に浸
漬することで２部品の表面に独立した導体のみに無電解
メッキ法によって。
る部品を、活性な粒子が分散撹拌されたメッキ液中に浸
漬することで２部品の表面に独立した導体のみに無電解
メッキ法によって。
１μｍを超える厚みを持ったメッキを選択的に施すこと
が可能になり、その産業上その効果が大きい。
が可能になり、その産業上その効果が大きい。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、一部表面に導体が設けられた部品の上記導体部分の
みに、無電解メッキ法により、選択的にメッキを施す方
法において、無電解メッキ液を撹拌しながら、メッキを
施そうとする金属イオンに活性な表面を有する粒子を、
該浴中に分散させた状態で、導体を一部に設けた部品を
浸漬した後、同部品を前記活性な粒子を含まない無電解
メッキ液に浸漬することを特徴とする選択無電解メッキ
方法。 ２、上記活性な表面を有する粒子が、メッキを施そうと
する金属よりイオン化傾向の高い金属粒子である特許請
求の範囲第一項記載の選択無電解メッキ方法。 ３、上記活性な表面を有する粒子が、金属酸化物粒子の
表面をＳｎとＰｄとで活性化したものである特許請求の
範囲第一項記載の選択無電解メッキ方法。 ４、上記活性な表面を有する粒子が、有機化合物粒子の
表面をＳｎとＰｄとで活性化したものである特許請求の
範囲第一項記載の選択無電解メッキ方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24187986A JPS6396274A (ja) | 1986-10-11 | 1986-10-11 | 選択無電解メツキ方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24187986A JPS6396274A (ja) | 1986-10-11 | 1986-10-11 | 選択無電解メツキ方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6396274A true JPS6396274A (ja) | 1988-04-27 |
| JPH0515789B2 JPH0515789B2 (ja) | 1993-03-02 |
Family
ID=17080897
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24187986A Granted JPS6396274A (ja) | 1986-10-11 | 1986-10-11 | 選択無電解メツキ方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6396274A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6780456B2 (en) | 2001-12-18 | 2004-08-24 | Murata Manufactruing Co., Ltd. | Method of manufacturing electronic part, electronic part and electroless plating method |
-
1986
- 1986-10-11 JP JP24187986A patent/JPS6396274A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6780456B2 (en) | 2001-12-18 | 2004-08-24 | Murata Manufactruing Co., Ltd. | Method of manufacturing electronic part, electronic part and electroless plating method |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0515789B2 (ja) | 1993-03-02 |
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