JPS5913059A - 無電気めつきのための前処理方法 - Google Patents

無電気めつきのための前処理方法

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JPS5913059A
JPS5913059A JP58068499A JP6849983A JPS5913059A JP S5913059 A JPS5913059 A JP S5913059A JP 58068499 A JP58068499 A JP 58068499A JP 6849983 A JP6849983 A JP 6849983A JP S5913059 A JPS5913059 A JP S5913059A
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔技術分野〕 本発明は誘電体材料の前処理に関するものであり、更に
具体的には誘電体基体上に導電性金属を無電気付着する
だめの前準備として誘電体基体を処理することに関する
。この前処理は基体の外表面ばかりか孔の内面にも適用
可能である。本発明は取りわけ印刷回路カード及び印刷
回路板、の製造用に好適である。
〔背景技術〕
印刷回′路板等の製造に際して、基体として誘電性シー
ト材料が用いられる。その基体の主表面の片面又は両面
に導電性回路パターンが設けられる２、。
導電性回路パターンは種々の公知技術を用いて所望の回
路パターンを形成するため銅の層を食刻する除去技術、
銅を基体表面上に所望回路の形で直接的に無電気めっき
するＥＤＢ”（無電気直接付着）技術、剥取銅の薄層で
所望の回路パターンを残す剥取技術等を含む。これらの
技術では倒れも、層間の接続はめつきスルーホールによ
ってなされる。そのようなスルーホールをめっきするに
当つっては、銅が誘電体基体上に（孔の壁面上に）直接
的にめっきされなければならない。そればかシか、若し
もＥＤＢ技術を用いるならば基体め表面上に銅が直接め
っきされなければならない。
誘電体基体は非導電性なので、その上に（孔の壁面上又
は基体の表面上に）めっきするためには、金属の付着に
先立って下地処理（シード）又は触媒処理が、なされな
ければならない。
基体を触媒処理するために広く用いられている方法の中
には、金属性パラジウム分子の層を形成（３） するため塩化錫増感溶液及び塩化パラジウム活性剤を用
いるものがある。例えば、誘電体基体を触゛　媒“゛処
理する１つの方法が米国特許第３０１１９２０号に示さ
れている。その方法は基体を先づコロイド状金属の溶液
で処理することにより基体の反応性を高め、反応性の高
まった誘電体基体に対する保護コロイドを除去するため
選択的な溶媒で処理を速め、然る後反応性の高まった基
体上に金属（例えば銅塩の溶液及び還元剤からの銅）の
被覆を無電気的に付着することを含む。
又、米国特許第３０９９６０８号では、誘電体基体上に
半コロイド状溶液からパ→ジウ゛ム金属のような金属分
子の「導電性化剤」型の薄膜を付着することにより、導
電性化された基体上に導電性金属を電気めっき出来るよ
うにする導電性ペースを設ける前処理を含む。米国特許
第３６３２３８８号は、予備的なりロム酸食刻工程とそ
れに続く錫・パラジウムのヒドロシルで活性化する工程
と、を用いるめっき工程で重合プラスチック基体を処理
する方法を開示している。
（４） 上述の従来技術の方法は非導電性の誘電体基体上に導電
性材料の薄層を無電気やつき又Ｂｑ気めつきするために
使われてきた。
最近では、米国特許第４０６６８０９号を「６重下地処
理」と呼ばれ多方法の利用を開示している。
この方法は誘電体材料の表面を水溶性塩化畔増感溶液に
触れさせ、それに続いて誘電性す囚の表面を水溶性塩化
パラジウム活性剤溶液に触れさせ、然る後誘電体材料の
表面を水溶性塩化パラレ′ウム／塩化錫／塩酸の下地処
理浴にｐ＄１れさせることを含む。　　２　　　　　　
　　、　　　　　　。
５基体を表面、活性剤で処理、する、方法も幾つか提案
。
されておシ、米国特許第４３０１１９０号は基体上への
非貴傘触媒１の付着憔を床くするため「吸収性変性剤」
で基体を予じめ湿潤処理することを開示している。［吸
収性変性剤ｑとして成る種の表□ 面活性剤、水和酸化物ゾル、及び成る種の錯化剤が推賞
されている。　　　　　　　　　　　　□米国特許第３
５６３７．８４号は非導、電体Ω、未面を多官能表面、
活性剤で処理する工程、ゆすぎ洗い。
工程、及び１２工程塩化錫−塩化パラジウム処理工程、
又は１工程酸、錫−パラジウム水ゾル処理」の何れかに
よって活性化する工程を含み、めっきのために非導電体
を前処理する方法を提案している。
米国特許第３６８４５７２号は表面の食刻後１つ触媒処
理前に、非導電体の表面を成る種の第４アミン塩単官能
表面活性剤又は単１荷電表面活性剤で処理する工程を含
む非導電体めつき方法を示す。
米国特許第３５７３９３７号は非導電性基体をめっきす
るためのプロセスに関するものであって、塩化錫で反応
性を高め、且つ塩化パラジウムで活性化する前に成る種
の洗浄剤で表面をゆすぎ洗いする工程に・ついて言及し
ている。
、米国特許第３５１５６４９号、３８７７９８１号、及
び３９３００７２号は触媒の付着前の工程以外の工程で
のめつき処理中に表面活性剤を使うことを開示している
。
米国特許第４００８３４５号は無電気付着のための方法
を示しており、その方法では触媒反応的に処理された表
面が１５よりも低いＰＩＩｌ″を有する酸水溶液で洗浄
される。使用する酸は塩酸、過塩素酸、又は硝酸である
。
〔本発明の開示〕
本発明は後続の無電気めっきのために、誘電体材料の下
地処理又は活性化処理の効率を高めることに関する。こ
れは引いては、導電性金属の無電気めっきを改善し信頼
性を高めることになる。めっきの改善は誘電体基体の主
表面上ばかシかスルーホールの内面に於ても達成される
。
例えば後続のめつき処理のための誘電体基体下地処理中
に、既に表面に銅などの導電性金属が存在することがあ
りうる。既に存在する金属はパラジウム触媒のような下
地処理剤を吸引する傾向を有し、触媒を最も必要とする
誘電体基体上に最も少量の触媒しか存在しない結果を生
じさせる。このことは、基体の内面に銅が存在すること
がありうるスルーホールをめっきするとき取りわけ著し
く７） い。本発明によれば、スルーホールのめつきは銅界面の
縁が存在するにも拘らず大体一様になる。
そればかりか本発明は、唯１度の下地処理工程を使うだ
けで孔と（若しもＥＤＢ方法が使われるなら）主表面上
の両方に優れだめつきの達成を可能ならしめる。
具体的に言えば、本発明は誘電体基体上に導電性金属を
無電気めっきするため、誘電体基体材料の少くとも１つ
の面を前処理する方法に向けられる。本発明の方法は誘
電体基体の少くとも１つの面を、少くとも２つの利用可
能なイオン部分（Ｉｏｎｉｃ　　Ｍｏ１ｅｔｉｅｓ　）
を含む多官能イオン共重合体材料を含んだ組成物で接触
させるととを含む。イオン重合体材料で被覆された表面
は、次にその上に導電性金属の無電気めっきを開始しし
うる触媒的領域を直接的に寿える触媒又は触媒的領域を
導出する前駆物質を含んだ組成物と接触させることによ
り活性化される。被覆された表面が基体の孔及び／又は
主要表面にできる。
重合体材料のイオン的特性は触媒分子と関連しく８） たイオン電荷と反対である。例えば触媒と関連したイオ
ン電荷が蔭イオンであるときは、重合体材料は陽イオン
である。
〔本発明の実施態様〕
本発明のプロセスは広範な誘電体（非導体）基体を処理
又は前処理するのに適用可能である。従来技術で示され
た熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂、ガラス等の誘電体基体
が本発明に従って処理されてもよい。
代表的な熱硬化性重合体材料はエポキシ、フェノール系
材料、及びポリアミドを含む。誘電体材料はガラス充填
エポキシ又はフェノール系材料のような充填剤及び／又
は強化材を含んだ重合体の塑造品であってもよい。フェ
ノール系材料の例と一シてはフェノール、レゾルシノー
ル、クレゾールを含む。適した熱可塑性重合体材料の例
はポリプロピレンなどのポリ１オーレフンイン類、ポリ
カーボネート類、二）　ＩＪル・ゴム類及びＡＢＳ重合
体を含む。
１表面」又は「面」なる用語は基体の主表面ばか勺でな
くスルーホールの内側表面（内面）をも意味する。例え
ば剥取り銅の薄層上に加法的傾めっきされることにより
、又は減法的プロセスにより回路が設けられつつある場
合には、本発明はめつきされたスルーホールを下地処理
するのに有用である。本発明は無電気直接ボンド（ＥＤ
Ｂ）が採用されている場合に溶液で下地処理するために
も有用である。この場合には回路は回路板の孔中及び全
表面上の両方に所望の通り加法的にめっきされる。
誘電体基体を処理する本発明のプロセスを開始するに先
立って、回路板の所望のスルーホールが形成され、誘電
体とスルーホールが適切に清浄化され且つ前処理される
。
前処理には、例えば砂及び／又は蒸気吹付などの物理的
方法、及び／又は溶剤膨潤などの化学的方法によって活
性領域を作ることを含んでよい。
代表的な溶剤はＮメチル・ヒロリジンである。基体は硫
化クロム酸組成物で前処理されてもよい。
本発明に従って基体は多官能イオン重合体を含む水溶液
で処理される。重合体は、同一極性の少くとも２つの活
性の即ち利用可能なイオン官能部分を持たなければなら
ない点で多官能イオン物質である。重合体は少くとも水
に混和可能であり、水溶性又は少くとも本発明で使用さ
れる水成分に溶解可能であることが望ましい。望ましい
イオン部分は第４フォスフオニウム群及び第４アンモニ
ウム群のような陽イオン部分である。少くとも２つのイ
オン部分を含む重合体は市販されている。
市販の多官能触媒重合体の例はＨｅｒｃｕｌｅｓ社製の
Ｒｅｔｅｎ　２１０、Ｒｅｔｅｎ　２２０、及びＲｅｔ
ｅｎ′５００であって「水溶性重合体」と呼ばれている
。
Ｒｅｔｅｎ　２１０は粉状であシ、アクリルアミド及び
ｐ・メタクリルオキシエチル・トリメチルアンモニウム
硫酸メチルの共重合体であって、１％溶液めブルックフ
ィールド粘度は６ｏｏ−ｉｏ。
Ｏｃｐｓである。
Ｒｅ’ｔｅａ　２２０は粉状であり、アクリルアミド及
びｐ・メタクリｔｖｖｗ−ｔ−シエチルートリメチルア
ンモニ←ム硫酸メチルの共重合体であって、１ｔｓ溶液
のブルックフィールド粘度は８００−１２００ｅｐ８で
ある。
Ｒｅｔｅｎ　３００は液体であシ、β・メタクリルオキ
シエチル・トリメチルアンモニウム硫酸メチルのホモ重
合体であって、１チ溶液のブルックフィールド粘度は３
００　’　７００　ａｐｅである。
Ｒｅｔｅｎ重合体の分子重量は通常比較的高く、約５０
０００乃至１００００００又はそれ以上に及ぶ。これら
の高分子重量の重合体は固体であシ、その主要な化学的
骨組構造物はポリアクリルアミドである。陽イオンＲｅ
ｔｅｎ（正荷電）はポリアクリルアミドへ種々のテトラ
アルキル・アンモニウム化合物を付着することによって
得られる。これらの第４アンモニウム群は合重体に多数
の正電荷を与える。
これに加えて上述のように、本発明は分子重量及び荷電
官能性を変えうる種々の異った形の水溶性の高分子電解
質又は重合体の使用に関する。例えば蔭イオン（負荷電
）重合体は正荷電コロイドを誘電体表面に付着する力を
強めるために使用できる。この場合は重合体はポリアク
リルアミドの骨組構造をも有し、且つ付着された活性荷
電群としてカルボン酸群を有する。
本発明の望ましい実施態様では、イオン重合体は重量比
で約０．０１乃至１チ、望ましくは約０．０５乃至０．
５　％の共重合体の希釈水溶液として使用される。水溶
液は、約１乃至７のβＨ１望ま・しくは約２乃至３の−
ｔｔを与えるため、Ｈｅ□Ｉｌのような無機酸を通常含
む。約２乃至３の、ＩＩ／の採用は、重合体の付着作業
を容易化する目的で重合体溶液を比較的低粘度にするた
めに望ましい。−Ｈが約４乃至５より大になると粘度は
著しく増加する。
酸は重量比で約２乃至１０チの量が通常存在する。
イオン重合体での処理は凡そ約１乃至１０分であり、望
ましくは約１乃至２分である。　　　・多官能重合体は
、あとで基体に付着されるべき触媒分子に関連した極性
とは反対の極性の表面を与える。この極性の相異は触媒
分子の静電気的吸着を生じさせる。
基体がイオン重合体組成と接触された後に、基体はゆす
ぎ洗いされて基本に吸収されなかった過剰な重合体が除
去される。
次に基体は無電気めっきプロセスを開始しうる触媒組成
を含んだ組成物と接触せしめるこ乍によシ活性化される
。化合物は、触媒領域を直接的に与える金属又は触媒領
域をもたらす前駆物質として働らく金属を゛含む。金属
は基本形、合金、化合物、又はそれらの混合物として存
在してもよい。
−窒マしい金属触媒は金、パラジウム、及びプラチナの
ような貴金属である。それだけでなく、本発明に従って
基体の前処理が改善された見地から、触媒は銅、ニッケ
ル、コバルト、鉄、亜鉛、マンガン、及びアルミニウム
のような非貴金属であってもよい。
最も望ましい触媒はパラジウムである。代表的なパラジ
ウム組成物は、望ましくはＰｄｄＣＮｌす５亭るパラジ
ウム塩を約１．２−２．５ｔ／ｌと、望ましくは５ｎＣ
ｊ！　−２ＨＯである錫塩を約８０−１２ ５０９／ｌと：望ましくはＨＣＪである酸を約１０１０
０−ｌ５０／を含む。ＨＣｌが３７％ＨＣｊ溶液の形で
与えられたとき、約２９０−３６０ｍ１のＨＣＥ溶液を
使うのが望ましい。最も望ましい組成は約１．５　？／
１（ＤＰｄＣＩＩ２と、約１０Ｏｒ／ｌのＳ　ｎ　Ｃｌ
　２と、約２８０　ｍｌ　／　ｔの３１ＨＣｊを含む。
その組成は通常約１８°±６°Ｃの温度に保たれる。溶
液中のパラジウム分子はそれから外方に延びる。首飾り
（ペンダント）状の負電荷を関連して持つものと信じら
れる。具体的に言えば、塩化パラジウム溶液中で次のこ
とが生じるものと信じられる。
Ｓｎ　　　＋Ｐｄ　　　−＋　　Ｐｄ’十　Ｓｎ”ゝＣ
１− 従ってパラジウム・錫触媒システムではイオン重合体は
陽イオン重合体（正に荷電）である。
代表的な３重下地処理プロセスは誘電体基体及び／又は
スルーホールを塩化錫増感溶液（Ｓ　ｎ　Ｃｌ　２／Ｈ
ＣＪ）と先ず接触させることを含む。接触時間は４−１
０分、望ましくは７分が代表的である。
誘電体の表面をこの溶液と接触させると、スルーホール
を含むすべての表面に錫（Ｓｎ＋２）の層が付着するこ
とにより前処理される。塩化錫はその後基体及び／又は
スルーホールから水でゆすぎ洗いされる。約５５°−８
０°Ｃの温度範囲の熱湯ゆすぎ洗いが望ましい。熱湯は
過剰な塩化錫を除去し、且つ表面上のＳ　ｎ　Ｃｌ　２
を加水分解してゼラチン状の銀金水酸化物を生じさせ、
それが基体表面上に錫錯体として吸収される。
次の下地処理ステップは誘電体基体表面及び／又はスル
ーホール表面を塩化パラジウム活性剤と接触させること
を含む。ここで２価のパラジウムが基体表面上の錫錯体
と相互作用してその上に金属パラジウム分子の粘着層を
形成する。これは誘電体基体をパラジウム活性剤浴中に
２＋１分間浸漬することによって達成される。このステ
ップは最後の下地処理ステップの粘着性を高め且つ最後
の下地処理ステップで付着される最終的触媒層の濃度を
増加する。
下地処理の第３ステツプは、基体表面及び／又はスルー
ホール表面を塩化パラジウム／塩化錫／塩酸下地処理浴
と接触させることを含む。５分間の接触時間が望ましい
が、実際の接触時間は１乃至１０分の範囲で変えても満
足な結果が得られることがわかった。このステップは最
終的な触媒層を付着させる。この層は銅のような加法的
金属が誘電体基体の表面上及びスルーホール内に無電気
的にめっきされるのを許容する。
この３重プロセスの第１ステツプ用の溶液を準備するに
当り、５６乃至５７９／ｌのＳ　ｎ　Ｃ１２’２ＨＯの
成分を有する塩化錫と３７チ塩酸との５０　ｍＡ　／　
ｌの比率の配合（溶液のｐＨは０．２乃至０．５の範囲
に調整）が望ましい前処理溶液を与えることがわかった
。Ｓ　ｎ　ＣＪ　２・２Ｈ２０はＨＣｊ中に溶解され、
出来上った混合物はイオンを除いた水のタンクへ注入さ
れる。ｐＨが凡そ０４で且つ溶液が１８°±６°Ｃの温
度に保たれたとき最適の結果が得られることが大体わか
った。
５重下地処理プロセスの第２ステツプ用の塩化パラジウ
ム浴は５０グラムのパラジウム（濃度ハロ１６乃至ｏ、
　１７　ｔ７ｔ　）と凡そ３７８０　ｍｌの３７チ塩酸
（濃度は１０　ｍｌ　／　Ｌ　）　　とを混合すること
によって作られる。ｐ　ａ　ｃ　ｔ　２は塩酸中に溶解
されて出来上った混合物は脱イオン化された水に添加さ
れる。浴は１８°±・６°Ｃの温度に保たれ、ｐＨは０
．７５乃至１．００の間に保たれ、溶液中の銅の含有量
は５０／１００００００以下に保たれる。
最後の触媒塩化パラジウム／塩化錫／塩酸下地処理浴は
、１．２乃至２．５ｔ／ｌのＰｄＣｌ２と、８０乃至１
５０ｆ／ｌの５ｎＣ１２・２Ｈ２０と、２９０乃至３６
０　ｍｌの３７％Ｈ（Ｊ　／１を溶液とより成る浴を含
む。この第３の下地処理浴は１８゜±６°Ｃの温度に保
たれる。浴の最適溶液は約１５ｆ／ｌのＰｄＣｌ２と、
１００　ｆ／ｌのＳ　ｎ　ＣＪ　２と、２８０　ｍｌ　
／　Ｌの３７％塩酸とを含む。
次にニッケル又は銅のような金属が処理済みの表面上に
無電気めっき法によりめっきされる。金属仲所望の厚さ
に被覆される。使用された望ましい金属は銅である。望
ましい銅無電気めっき浴とその被覆方法は米国特許第６
８４４７９９号及び第４１５２４＜Ｓ７号に示されてい
る。
銅無電気めっき浴は一般に水様組成物であって第２銅イ
オン源、還元剤、銅イオンのための錯化剤及びｐＨ調整
剤を含む。そのめっき浴も又、シアンイオン源及び表面
活性を含むのが望ましい。
一般に使用される第２銅イオン源は硫酸第２銅、又は使
用されるべき錯化剤の第２銅塩である。硫酸第２銅を使
用するときは、約３乃至１５　ｔ／ｌ。
最も望ましく９約９乃、至１２　ｆ／ｌの！だけ使うの
力５望ましい。使用される最もありふれた還元剤はホル
ムアルデヒドであって、本発明の望ましい実施例では約
０７乃至７１／ｌ、最も望ましくは約０．７乃至２．２
ｔ／ｌの量だけ使用される。他の還元剤の例としてはパ
ラホルムアルデヒド、トｊリオキサン、ジメチル・ヒダ
、ントイン、グリオキサルのようなホルムアルデヒド前
駆物質又は誘導体：アルカリ金属水素化硼素（水素化硼
素ナトリウム及び水素化硼素カリウム）及びトリメタオ
キシ水素化硼素ナトリウムのような置換水素化硼素類：
アミンボラン（イソプロピル・アミンボラン及びモルフ
ォリンボラン）のようなボラン類が含まれる。次亜燐酸
還元剤も本発明の範囲内で無電気Ｎｉ　及びＣｕめつき
のために使用できる。
適当な錯化剤の例としてはロッシェル塩、エチレン・ジ
アミン・テトラ酢酸、エチレン・ジアミン命テトラ酢酸
のナトリウム（モノ・ナトリウム、ジ・ナトリウム、ト
リ・ナトリウム及びテトラ・ナトリウム）塩、ニトリロ
テトラ酢酸及びそのアルカリ塩、グルコン酸、グルコネ
ート類、トリエタノール番アミン、グルコン（ガンマ）
ラクトン、変性エチレン・ジアミン・アセテート類（Ｎ
ハイドロオキシエチル会エチレン・ジアミン・トリアセ
テートのようなもの）を含む。そのほかに多数の適当な
、第２銅錯化剤が米国特許第２９９６４０８号、３０７
５８５６号、３Ｑ７５８５５．２９６８．８０５号に示
されている。、錯化剤の量は溶液中に存在する第２銅イ
オンの量によって決まるが、一般に約２０乃至５０ｆ７
’ｔ、、又は３乃至４倍の分子濃剰状態である。
めっき浴は被覆されるべき表面を湿潤状態にするのを助
ける１表面活性剤を含んアもよい。満足な表面活性剤は
例えば商品名Ｇａｆａｃ　ＲＥ　−６１０で市販されて
いる有機燐酸エステルである。一般に表面活性剤は約０
０２乃至０３９／ｌだけ存在する。。それに加えて浴の
ｐＨは、一般に所望の値になるように所望の量だけ水酸
化ナトリウム又は水酸化カリウムのような塩基化合物を
添加することによシ制御される。無電気めっき浴の望ま
しいｐＨは１６乃至１１．８である。
更に望ましくは、めっき浴がシアン化物イ、オンをも含
むことである。最も望ましくは浴のシアン化物濃度を０
．００．０２乃至、、Ｏ，ＯＯＯ４モルの範囲で与える
だめ、約１０乃至２５　ｍＷ　／　ｌ　（ｉりシアン化
物イオンを含むことである。本発明に従って使用しうる
シアン化物の例はアルカリ金属シアン化物、・アタカ、
り土金属シアン化物及びアンモニウム・ビ７ン化物であ
る。更にめっき浴は従来技術で周知の他の微量添加物を
含んでもよい。。
使用された望ましいめっき浴は１．０６０乃至１゜０β
、′０の範囲内の比重を有する。更に浴の温度は７０乃
至８０°Ｃ１最も望ましくは７０乃至７５°Ｃに保たれ
るのが良い。
浴中９０２含有量を約２乃至４　Ｐｐ、”　ｓ望ましく
は、約２．５乃至３．５ｐｐｍ　に保つのが良い。０２
含有量は酸素及び本活性気体を浴中に注入することによ
って制御できる。
浴中への気体の総括的流量は一般に浴３７８５を当シ約
１乃至２０ＳＣＦＭ、望ましくは同３乃至８邸ＣＦＭで
ある。
以下に本発明の実施例とそうでない実例を対比的に示す
。
〔実例１（本発明）〕 アルコールで予じめ清浄化されたガラス基体が１００　
ｍｌの８％ＨＣＪ水溶液当り約００５２のＲｅｔｅｎ浴
中に約３分間浸漬される（Ｒｅｔｅｎで被覆される）。
その後基体は脱イオン化された水でゆすぎ洗いされ、空
気で乾燥される。被覆された基体は次に、約１．５　ｆ
　／１（７）　ＰｄＣｌ２、約１００２／ｌのＳ　ｎ　
ＣＪ　２１及び約２８０　ｍＡ　／　ｔの６７％ＨＣｊ
ｌを含み約１８°Ｃの温度の浴中に約６分間浸漬される
。その後基体は空気で乾燥される。
基体の上には目に見えるＰｄ触媒膜が出来ている。
次に基体は調熱電気加法めっき浴中に約１０分間浸漬さ
れる。無電気めっき浴は約１０ｒ／ｌのＣｕ　Ｓ　Ｏ５
Ｈ２０，３５ｆ／ｌのエチレン・ジアミン・テトラ酢酸
２水化物、０．２５ｙ／ｚのＧＡＦＡＣＲＥ−６１０，
１４ｍグ／ｌのシアン化ナトリウム、及び２　ｍｌ　／
　Ｌの３７％ＨＣＨＯ水溶液を含む。そのめっき浴の比
重は約１０７゜ｐＨはＮａ　ＯＨの添加により１１７、
浴の温度は７３°＋５°Ｃである。浴中の０２含有量は
約２５乃至３．５ｐｐｍに保たれる。気体の流量は約１
２８ＣＦＭである。更にめっき網棚はめっき中絶えず攪
拌される。
めっき後の基体はその上に連続的な銅膜を持つ。
〔実施例２（対比用）〕 アルコールテ予じめ清浄化されたガラス基体カシリカ・
コロイドで被覆されて、その表面上に負電荷が与えられ
た。基体は脱イオン化された水でゆすぎ洗いされ、空気
で乾燥された。シリカ・コロイドで被覆されたガラス基
体は次に実例１で使用されたのと同じ塩化パラジウム溶
液中に同じ条件下で浸漬された。しかしガラス基体上に
は膜が形成されなかった。
〔実例３（対比用）〕 アルコールで予じめ清浄化されたガラス基体が実例１で
使用されたのと同じ塩化パラジウム溶液中に同じ得件下
で浸漬された。しかしガラス基体上には膜が形成されな
かった。
実例１を実例２及び３と対比すると、本発明によって優
れた膜形成効果が得られることがわかる。
ＩＪ１人　　インターナショ六いビジネス・マシーンズ
・コーポレーション復代理人　弁理士　　篠　　　１）
　　文　　　雄ティ アメリカ合衆国ニューヨーク州 クロトン・オン・ハドソン・サ ツシ・ドライブ４番地

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. （１）誘電体基体材料の少くとも１つの面を、該面に対
    する導電性金属の無電気めっきのため前処理する方法で
    あって、 上記面に少くとも２つの利用可能なイオン部分を含んだ
    多官能イオン共重合体材料を有する第１の組成物を接触
    させ、但し上記イオン部分はその後上記面に与えられる
    触媒領域の触媒分子の関連電荷とは反対極性の電荷を有
    するものとし、然る後上記面上に導電性金属の無電気め
    っき開始を可能ならしめる触媒的領域を直接的に与える
    触媒又は該触媒的領域をもたらす前駆物質を含んだ第２
    の組成物を上記面に接触させることを特徴とする無電気
    めっきのための前処理方法。
  2. （２）上記多官能イオン共重合体材料は多官能陽イオン
    共重合体材料であることを特徴とする特許請求の範囲第
    （１）項記載の前処理方法。
  3. （３）上記多官能イオン共重合体材料はアクリルアミド
    及び第４アンモニウム化合物の共重合体であることを特
    徴とする特許請求の範囲（１）項記載の前処理方法。
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