JP2002517593A - 金属ｃｍｐにおける研磨用組成物および研磨方法 - Google Patents

金属ｃｍｐにおける研磨用組成物および研磨方法

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クリスティン イー
ケイス ジー． ピアース
クレイグ ディー． ラック
テレンス エム， トーマス
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デイヴィット ゲットマン
サラー レーン
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    • H01L21/31051—Planarisation of the insulating layers
    • H01L21/31053—Planarisation of the insulating layers involving a dielectric removal step

Abstract

(57)【要約】 【構成】この発明においては、金属層（タングステン、アルミニウム、銅等）、バリア層（タンタル、窒化タンタル、チタンまたは窒化チタン）及び絶縁層（二酸化ケイ基等) からなる合成半導体構造体を研磨するための組成物を提供している。この組成物は、水性媒体、研磨剤、酸化剤、重合度が少なくとも５であり、二酸化ケイ素表面に含まれる表面基に対して親和性を有する複数の官能基を有する酸化物薄層の除去を抑制する有機ポリマーからなる。この組成物は、適宜、錯化剤および／または分散剤を含有するものであってもよい。

Description

【発明の詳細な説明】
本出願は、同時係属中の、１９９８年６月１０日に出願された米国仮特許出願
第６０／０８８，８４９号の優先権を主張する。
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本特許出願に記載されている発明は、集積回路表面、特に、金属、バリア層お
よび絶縁層をからなる集積回路表面の研磨および平坦化に関する。
【０００２】
【従来の技術】
化学的／機械的平坦化（又は研磨）、すなわちＣＭＰは、集積回路の製造途中
における半導体基板表面の様々な薄い膜の除去／平坦化を可能にする半導体産業
で使用される技術である。この技術は当初、絶縁性薄膜（ＳｉＯ2 など）の研磨
に適用することに集中していたが、回路接続のために使用される金属薄膜の研磨
への適用が急速に伸びている。現在、タングステンおよびアルミニウムが、イン
ターコネクト構造体に使用される最も一般的な金属である。しかし、低いｋの絶
縁体と組み合わせた銅インターコネクトは、（Ａｌ／ＳｉＯ2 と比較した場合）
チップ速度を早め、必要とされる金属層の数を減らし、電力放散を最小限にし、
そして製造コストを低下させる可能性を有している。
【０００３】 しかし、銅インターコネクトを問題なく組み込むことは簡単なことではない。
代表的な銅インターコネクト構造体は、シリコン基板の上の二酸化ケイ素に形成
される溝（典型的には、深さが１０，０００オングストロームで、幅が１〜１０
０ミクロン）を有する。（銅の接着を改善するために、そして絶縁構造体への銅
の拡散を抑えるために使用される）バリア層材が、典型的には、その溝が形成さ
れた後に被着される。このバリア層は、通常、タンタル、窒化タンタル、チタン
または窒化チタンのいずれかからなる。このようなバリア材はまた、溝の上の水
平な絶縁性表面にも被着される。バリア層は、典型的には厚さが＜１０００オン
グストロームである。次いで、溝部を埋めるために、銅が化学蒸着法または電気
メッキによってこの構造体の上部に被着される。溝を確実に完全に埋めるために
は、通常、１０，０００〜１５，０００オングストロームの銅を被着することが
必要である。次いで、ＣＭＰを使用して、溝の上の過剰な銅および溝の上の水平
なバリア材が取り除かれる。これを問題なく経済的に行うためには、銅の除去は
できる限り早くなければならず、典型的には３０００オングストローム／分以上
でなければならない。さらに、溝部内の銅の除去（典型的には、「ディッシング
」と呼ばれる）を避けるために、銅薄膜の除去と匹敵し得る速度でのバリア層の
除去が必要である。さらに、バリア層の下にあるＳｉＯ2 薄膜の分解（典型的に
は、「浸食」と呼ばれる）を避け、そして全体の平坦化を向上させるために、下
に位置する絶縁性薄膜の除去速度はできる限り緩やかでなければならない。まと
めると、バリア薄膜（タンタル、窒化タンタル、チタンまたは窒化チタン）の除
去速度に対する選択度は、銅薄膜に関しては大きくなければならないが、絶縁性
薄膜（ＳｉＯ2 ）の除去速度に対する選択度は小さくなければならない（好まし
くは、＜１００：１）。
【０００４】 このような要件を達成するために、２つの異なるスラリーを使用する２工程の
研磨プロセスが提案されている。米国特許第５，６７６，５８７号「チタン、窒
化チタン、タンタルおよび窒化タンタルに対する選択的研磨プロセス」には、最
初に（１）金属薄膜（タングステンまたは銅など）の大部分を除くためのスラリ
ーを使用し、次に（２）バリア薄膜を除くためのスラリーを使用する２工程プロ
セスが提案されている。
【０００５】 ＣＭＰプロセス中における二酸化ケイ素の除去速度を抑えるために、以前から
二酸化ケイ素表面を不動態化する様々な添加剤が提唱されている。米国特許第５
，６１４，４４４号「金属ＣＭＰでの選択度を高めるシリカ系スラリーに添加剤
を使用する方法」には、少なくとも１つの極性成分および１つの無極性成分から
なる添加剤が、酸化物の除去を抑制するとして提唱されている。この特許には、
極性基および非極性基の両方を含有する多数の化合物が列挙されている。このよ
うな化合物は、アニオン性（カリウムブチルスルファート）、カチオン性（テト
ラブチルアンモニウムヒドロキシド）、または非イオン性（ブタノール）のいず
れかである。しかし、この特許は、必須なものとして、極性成分（基）および無
極性成分（基）の両方が存在することを請求している。
【０００６】 米国特許第５，８７６，４９０号では、高分子電解質が、スラリー中の研磨剤
粒子をコーティングするために使用されている。この高分子電解質は、スラリー
に通常の応力作用をもたらす。溶液において、高分子電解質は通常の応力作用を
示し、高分子電解質が研磨剤粒子に吸着することによって同じ作用が粒子にもた
らされる。
【０００７】 米国特許第５，８７６，４９０号によると、平坦化を達成するためには、研磨
剤懸濁物における高分子電解質の量は、粒子の一部が高分子電解質でコーティン
グされ、その一方で、研磨剤粒子の他の一部はコーティングされないままである
程度である。これを達成するためには、高分子電解質の重量割合は、スラリー中
の研磨剤粒子の約５重量％〜約５０重量％であり、好ましくは約１５重量％〜約
３０重量％であり、最も好ましくは約２０重量％である。これらの割合は、研磨
剤粒子および高分子電解質の相対的なサイズにいくらか依存する。
【０００８】 高分子電解質を含有する米国特許第５，８７６，４９０号のスラリー組成物は
、好ましくは、研磨剤粒子を既に含有するスラリーに高分子電解質を加え、これ
によって研磨剤粒子の一部を「その場」でコーティングして調製される。別の手
順として、研磨剤粒子の一部を予備コーティングし、次いで、コーティングされ
ない残りの研磨剤粒子を含有するスラリーと混合してもよい。さらに、研磨剤粒
子の一部を前処理して、その研磨剤粒子がスラリーからの高分子電解質をより良
く吸着するものとすることが望ましい。
【０００９】 米国特許第５，３９１，２５８号、同第５，４７６，６０６号、同第５，７３
８，８００号および同第５，７７０，１０３号は、ＣＭＰスラリーにおいて、二
酸化ケイ素の除去を抑制する化合物について記載している。これらの特許は、こ
の出願において参照され、本明細書の一部をなす。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】
この発明の課題は、従来のスラリーに改善をもたらすことである。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
本発明は、驚くべきことに、金属ＣＭＰ中に酸化物薄膜の除去を弱めることが
見出された１つまたは複数の有機ポリマーに関するもので、従来のスラリーを上
回る改善をもたらす。本発明の有機ポリマーは、炭素骨格を有し、その骨格から
官能基が延びている、高分子量の有機ポリマーである。官能基は二酸化ケイ素表
面と強く相互作用し、その結果、かなりの程度で二酸化ケイ素薄膜の除去を抑え
る保護層となる。官能基とヒドロキシル表面との相互作用のメカニズムは、極性
種の水素結合（ヒドロキシル基の相互作用など）において認められるが、これに
限定されるものではない。有機ポリマーは、さらには、重合度が少なくとも３（
すなわち、分子内で３つのモノマーユニットが重合）であり、より好ましくは１
０よりも大きく、最も好ましくは５０よりも大きい高分子量の有機物質として定
義される。有機ポリマーは、二酸化ケイ素表面に含まれる表面基（すなわち、シ
ラノールおよびシロキサン）に対して親和性を有する複数の官能基からなる。こ
れらの官能基は、一般には、ヒドロキシ、カルボキシ、カルボニル、アルコキシ
、スルホニルおよびホスホニルなどの極性基であるが、これらに限定されるもの
ではない。このタイプの有機ポリマー分子の例としては、ポリビニルアルコール
、ポリビニルピロリドン、ポリメタクリル酸メチル、ポリホルムアルデヒド、ポ
リエチレンオキシド、ポリエチレングリコールおよびポリメタクリル酸などがあ
る。
【００１２】 これらと同じ化合物の多くが、上記の米国特許第５，８７６，４９０号におい
て、研磨剤粒子をコーティングするのに有用であるとして記載されている。それ
らを二酸化ケイ素の速度抑制剤として使用することは、米国特許第５，８７６，
４９０号には記載されていない。さらに、本発明の高分子電解質は、スラリー中
の研磨剤粒子の約５重量％未満の濃度で二酸化ケイ素の速度抑制剤として効果的
であることが見出された。それらはまた、約１０，０００よりも大きな分子量を
有するときに効果的であることも見出された。
【００１３】 本発明の別の局面は、金属および絶縁体をからなる基板の研磨方法である。こ
こで、基板は研磨パッドに押しつけられ、基板とパッドはその相互間で互いに動
き、研磨用組成物が研磨操作中にこのパッドに対して加えられる。本発明の研磨
用組成物は、このような方法に有用である。
【００１４】
【発明の実施の形態】
本発明において使用されるスラリーは、下記の一般的な手順で調製された。い
ずれの場合においても、最初に化学添加剤を脱イオン水に溶解させる。化学添加
剤のすべてが脱イオン水に溶解した後、ｐＨを所望する値に調節する。別の容器
で、脱イオン水に無機酸化物研磨剤粒子からなる研磨剤パッケージを混合する。
研磨剤パッケージのｐＨも同様に所望する値に調節する。スラリー配合調製の最
後の工程は、水性の化学パッケージを水性の研磨剤パッケージと混合することで
ある。先行技術とは逆に、高分子電解質の添加剤は、いかなる特別な研磨剤の吸
着を必要とすることなくこの水溶液に加えられる。
【００１５】 典型的には、化学的研磨剤には、酸化剤、本発明の有機ポリマー除去速度抑制
剤、および必要に応じて、錯化剤および／または分散剤が含まれる。この化学パ
ッケージの混合順序は、すべての添加剤が完全に溶解するように決めることのみ
が必要である。
【００１６】 「高等無機化学 (Advanced Inorganic Chemistry) 」（エフ．エー．コットン
(F.A. Cotton) 及び ジー. ウィルキンソン (G. Wilkinson) 著、第３版、ウィ
リィ インターサイエンス (Wiley Interscience) ）において定義されているよ
うに、錯体は以下の通りである。即ち、『用語「配位化合物」および「錯体」は
、中心の原子が一組の外側または配位子の原子により取り囲まれ、それによって
系のエネルギーが低下（すなわち、Ｅ＞０および／またはＧ＜０）する荷電また
は非荷電のすべての化学種を包含するように広く定義することができる。中性錯
体の例としてはＳＦ6 があり、中心のＳ原子が６個のＦ原子により八面体配置で
取り囲まれている。陽性錯体の例としては［Ｃｕ（ＮＨ3 ）4 ］2+があり、中心
のＣｕ原子が４個のＮＨ3 分子により四面体配置で取り囲まれている。陰性錯体
の例として［Ｃｕ（Ｃｌ）5 ］3-があり、中心のＣｕ原子が５個のＣｌ原子によ
り五角両錐体配置で取り囲まれている。』 本発明のスラリーにおいて錯化剤と
呼ばれる一般的な配位子の例としては、酢酸、クエン酸、アセト酢酸エチル、グ
リコール酸、グリオキシル酸、乳酸、リンゴ酸、シュウ酸、サリチル酸、ジエチ
ルジチオカルバミン酸ナトリウム、コハク酸、酒石酸、チオグリコール酸、グリ
シン、アラニン、アスパラギン酸、エチレンジアミン、トリメチレンジアミン、
１，２−エタンジチオール、１，４−ジチオスレイトール、ビス（メチルチオ）
メタン、ジメチルジチオカルバマート、５−メチル−３，４−チアジアゾール−
２−チオール、マロン酸、グルタル酸、３−ヒドロキシ酪酸、プロピオン酸、フ
タル酸、イソフタル酸、３−ヒドロキシサリチル酸、３，５−ジヒドロキシサリ
チル酸、および没食子酸が揚げられる。
【００１７】 本発明のスラリーは、必要に応じて、分散剤を含むことができる。
【００１８】 本発明の組成物における酸化剤は、硝酸塩、ヨウ素酸塩、塩素酸塩、過塩素酸
塩、亜塩素酸塩、硫酸塩、過硫酸塩、過酸化物、オゾン処理水および酸素処理水
などの一般的な酸化剤のいずれかから構成され得る。酸化剤は、ＣＭＰ用スラリ
ーにおいて約０．０１重量％〜約７重量％の濃度で使用することができる。一般
には、酸化剤は、約１重量％〜約７重量％の濃度で使用される。ヨウ素酸塩が好
ましい酸化剤の一つてある。最も好ましいものは、約２重量％〜約４重量％のヨ
ウ素酸カリウムである。
【００１９】 下記に示される実施例では、試験スラリーにおける研磨剤成分として、シリカ
およびチタニアを主に使用した。しかし、任意の金属酸化物または研磨用研磨剤
（アルミナ、セリア、ジルコニア、炭酸バリウムまたはダイヤモンドなど）もま
た使用することができる。
【００２０】
【実施例】
特に別途示さない限り、下記の実施例で使われている割合はすべて、説明され
ているスラリーにおける重量比である。
【００２１】 実施例１ 表１は、錯化剤および酸化剤の含有量を変えて、銅、タンタルおよび（ＴＥＯ
Ｓから得られた）二酸化ケイ素のウエハーを研磨した結果を示す。これらの実験
は、アイペック（IPEC）社のウェステック（Westech)３７２Ｕ研磨機において、
ローデル(Rodel) 社のＩＣ１４００パッドを使用して、５ｐｓｉの押さえ圧、６
０ｒｐｍのキャリア速度、５０ｒｐｍのプラテン速度、および１１０ｍｌ／分の
スラリー流速という条件下で行った。６インチのシートウエハーを使用した。本
実施例におけるすべてのスラリーは１０％のコロイドシリカ研磨剤（クレボゾル
(Klebosol) １４９８）を含有し、ｐＨ１０．５とした。水酸化カリウムの量を
いろいろ変えて、スラリーをそのｐＨに調節した。
【００２２】
【表１】
【００２３】 これらの結果は、銅およびタンタルの両方について大きな除去速度を得るため
には、水溶液において両金属の溶解度を大きくする錯化剤を有し、かつ過酸化水
素などの酸化剤を含有することが必要であることを示している。このような成分
の組合せによって、銅の除去速度とタンタルの除去速度の間での良好な選択度（
ほぼ２：１）を保ちながら、銅の十分な除去速度を確保することが可能である。
本実施例からは、さらに、二酸化ケイ素の除去速度を抑えるための追加成分が必
要であることが明らかである。
【００２４】 実施例２ 表２は、酸化物の除去を抑制すると考えられる作用剤の含有量を変えて、銅お
よび（ＴＥＯＳから得られた）二酸化ケイ素のウエハーを研磨した結果を示す。
これらの実験は、アイペック (IPEC) 社のウェステック(Westech) ３７２Ｕ研磨
機において、ローデル(Rodel) 社のＩＣ１４００パッドを使用して、５ｐｓｉの
押さえ圧、３ｐｓｉの背圧、６０ｒｐｍのキャリア速度、５０ｒｐｍのプラテン
速度、および１１０ｍｌ／分のスラリー流速という条件下で行った。６インチの
シートウエハーを使用した。本実施例におけるすべてのスラリーは、１０％のコ
ロイドシリカ研磨剤（クレボゾル (Klebosol) １４９８）、３％のシュウ酸、０
．２％の水酸化アンモニウム、０．２％の過酸化水素を含有し、水酸化カリウム
の量をいろいろ変えて、列記されたｐＨに調節した。下記の実験で使用されたポ
リビニルピロリドン（ＰＶＰ）は１０，０００〜３０，０００ダルトンの分子量
を有する（すなわち、９０から２７０の間の重合度を有する）。極性基および長
鎖の炭化水素テイルを有する従来の界面活性剤であるドデシル硫酸ナトリウム（
ＳＤＳ）も、比較のために試験している。
【００２５】
【表２】
【００２６】 これらの結果は、銅の除去速度を高くし二酸化ケイ素の除去速度を低くする（
すなわち、選択度を大きくする）ためには、銅の除去速度を抑制しない一方で、
二酸化ケイ素の除去速度を抑制するＰＶＰなどの成分を追加することが必要であ
ることを示している。さらに、ＳＤＳのような従来の界面活性剤は、酸化物薄膜
または銅薄膜の除去速度には大した影響を及ぼさないことが認められる。
【００２７】 実施例３ 表３は、錯化剤および酸化剤の含有量を変えて、銅およびタンタルのウエハー
を研磨した結果を示す。これらの実験は、アイペック (IPEC) 社のウェステック
(Westech) ３７２Ｕ研磨機において、ローデル(Rodel) 社のＩＣ１４００パッド
を使用して、５ｐｓｉの押さえ圧、３ｐｓｉの背圧、６０ｒｐｍのキャリア速度
、５０ｒｐｍのプラテン速度、および１１０ｍｌ／分のスラリー流速という条件
下で行った。６インチのシートウエハーを使用した。本実施例におけるすべての
スラリーは、１０％のコロイドシリカ研磨剤（クレボゾル (Klebosol) １４９８
）、０．７５％のＰＶＰを含有し、硝酸または水酸化カリウムの量を変えてｐＨ
を調節した。
【００２８】
【表３】
【００２９】 これらの結果は、良好なタンタルの除去速度を保ちながら銅の除去速度を高く
するためには、スラリーが酸化剤および錯化剤の両方を含有することが必要であ
ることを示している。
【００３０】 実施例４ 表４は、２つの異なるｐＨレベルで、銅、タンタル、窒化タンタルおよびチタ
ンのウエハーを研磨した結果を示す。これらの実験は、アイペック (IPEC) 社の
ウェステック(Westech) ３７２Ｕ研磨機において、ローデル(Rodel) 社のＩＣ１
４００パッドを使用して、５ｐｓｉの押さえ圧、３ｐｓｉの背圧、５０ｒｐｍの
キャリア速度、６０ｒｐｍのプラテン速度、および１２０ｍｌ／分のスラリー流
速という条件下で行った。６インチのシートウエハーを使用した。本実施例にお
けるすべてのスラリーは、７％のチタニア研磨剤（デガッサ(Degussa) Ｐ−２５
）、０．７％のＰＶＰ、４％のシュウ酸、１％の過酸化水素を含有し、水酸化カ
リウムの量を変えて特定のｐＨに調節した。
【００３１】
【表４】
【００３２】 これらの結果は、ＰＶＰなどの酸化物抑制剤を使用することによって、非常に
高いＣｕ：ＳｉＯ2 選択度（１００：１よりも大きい) が得られることを示して
いる。
【００３３】 実施例５ 表５は、パターン化したウエハーを研磨した結果を示す。これらの実験はアイ
ペック (IPEC) 社のウェステック(Westech) ３７２Ｕ研磨機において行った。サ
ンプル１については、ローデル(Rodel) 社のＩＣ１４００／Ｋ−ＸＹパッドを、
３ｐｓｉの押さえ圧、２ｐｓｉの背圧、４０ｒｐｍのキャリア速度、６５ｒｐｍ
のプラテン速度、および１５０ｍｌ／分のスラリー流速という研磨条件で使用し
た。サンプル２については、ロデール(Rodel) 社のＩＣ１０００パッドを、４ｐ
ｓｉの押さえ圧、３ｐｓｉの背圧、７５ｒｐｍのキャリア速度、６０ｒｐｍのプ
ラテン速度、および１５０ｍｌ／分のスラリー流速という条件下で使用した。本
実施例におけるすべてのスラリーは、７％のチタニア研磨剤（デガッサ(Degussa
) Ｐ−２５）、０．７％のＰＶＰ、４％のシュウ酸、１％の過酸化水素を含有し
、水酸化カリウムの量を変えて特定のｐＨに調節した。
【００３４】
【表５】
【００３５】 これらの結果は、ＰＶＰなどの化合物を含むスラリーに晒された酸化物浸食は
、典型的に認められる酸化物浸食よりもはるかに小さいことを示している。
【００３６】 実施例６ ポリマー添加剤の使用が、広範囲の使用レベルで効果的であることが示されて
いる。本実施例では、上記のスラリー調製法を使用して、ＰＶＰを、総研磨剤に
対して約４％のレベルで銅研磨用スラリーに加えた。研磨性能を、ストラスボー
（Strasbauch) ６ＥＣを使用して、５ｐｓｉの押さえ力および８０ｒｐｍのプラ
テン速度で測定した。スラリー流速は１５０ｍｌ／分であった。
【００３７】 本実施例では、試験スラリーは、酸化剤としてのＫＩＯ３、および銅錯化剤と
しての乳酸、ならびにスラリー中に存在する研磨剤に対して４％のＰＶＰを含有
していた。研磨除去速度の結果は下記の表６の通りである。
【００３８】
【表６】
【００３９】 表７のデータに基づくと、良好な選択度および低い酸化物除去速度を得るため
には、金属研磨用スラリーにおいてＰＶＰが低い濃度で利用できることが明らか
である。
【００４０】 上述の実施例および考察は、特許請求項に記載している本発明の範囲を限定す
るものではない。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ケジェライス エリザベス アメリカ合衆国 デラウェア州 19711 ニューアーク クリスティナ ミル ロー ド 413 (72)発明者 イー クリスティン アメリカ合衆国 デラウェア州 19713 ニューアーク クリスティアナ ロード 758 アパートメント 806 (72)発明者 ピアース ケイス ジー． アメリカ合衆国 デラウェア州 19713 ニューアーク ベニー ストリート 54− ビー (72)発明者 ラック クレイグ ディー． アメリカ合衆国 デラウェア州 19808 ウィルミングトン グリーンウッド ドラ イブ 438 (72)発明者 トーマス テレンス エム， アメリカ合衆国 オハイオ州 44060 メ ントール グローブウッド ドライブ 8029 (72)発明者 ブルケ ピーター エー． アメリカ合衆国 ペンシルヴァニア州 19311 エイヴォンデール インターラッ チェン コート 104 (72)発明者 ゲットマン デイヴィット アメリカ合衆国 デラウェア州 19701 ベア クリスティアナ メドーズ 3909 (72)発明者 レーン サラー アメリカ合衆国 メリーランド州 21921 エルクトン ラッセル ロード 162 Ｆターム(参考） 3C049 AA07 CA04 CB01 CB03 5E343 AA22 EE33 FF23

Claims (16)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 金属および絶縁体からなる基板の化学的−機械的研磨に有用
    な水性スラリーである組成物であって、水、サブミクロン研磨粒子、酸化剤、及
    び、酸化物薄膜の除去を抑制する有機ポリマーからなり、前記有機ポリマーは、
    重合度が少なくとも３であって、二酸化ケイ基表面に含まれる表面基に対して親
    和性を有する複数の官能基を有することを特徴とする組成物。
  2. 【請求項２】 前記官能基が、ヒドロキシ、カルボキシ、カルボニル、アル
    コキシ、スルホニル、及び、ホスホニルからなるグループから得られるものであ
    ることを特徴とする請求項１記載の組成物。
  3. 【請求項３】 前記有機化合物が、ポリビニルアルコール、ポリビニルピロ
    リドン、ポリメタクリル酸メチル、ポリホルムアルデヒド、ポリエチレンオキシ
    ド、ポリエチレングリコール、および、ポリメタクリル酸からなるグループから
    得られるものであることを特徴とする請求項２記載の組成物。
  4. 【請求項４】 前記有機化合物が、ポリビニルピロリドンであることを特徴
    とする請求項３記載の組成物。
  5. 【請求項５】 前記有機化合物が、この組成物に存在する前記サブミクロン
    研磨粒子量に対して５重量％以下の濃度でこの組成物に存在していることを特徴
    とする請求項１記載の組成物。
  6. 【請求項６】 前記有機化合物が１０，０００よりも大きい分子量を有する
    ことを特徴とする請求項１記載の組成物。
  7. 【請求項７】 この組成物が、さらに、錯化剤を含むことを特徴とする請求
    項１記載の組成物。
  8. 【請求項８】 この組成物が、さらに、分散剤を含むことを特徴とする請求
    項１記載の組成物。
  9. 【請求項９】 金属及び絶縁体からなる基板の研磨方法であって、この基板
    が研磨パットに対して押し付けられ、この基板とパッドが相互間で相対して移動
    し、研磨工程において研磨組成物がパッドに加えられるものであり、この研磨組
    成物が、水、サブミクロン研磨粒子、酸化剤、及び、酸化物薄膜の除去を抑制す
    る有機ポリマーからなり、前記有機ポリマーは、重合度が少なくとも３であって
    、二酸化ケイ基表面に含まれる表面基に対して親和性を有する複数の官能基を有
    することを特徴とする方法。
  10. 【請求項１０】前記官能基が、ヒドロキシ、カルボキシ、カルボニル、アル
    コキシ、スルホニル、及び、ホスホニルからなるグループから得られるものであ
    ることを特徴とする請求項９記載の方法。
  11. 【請求項１１】前記有機化合物が、ポリビニルアルコール、ポリビニルピロ
    リドン、ポリメタクリル酸メチル、ポリホルムアルデヒド、ポリエチレンオキシ
    ド、ポリエチレングリコール、および、ポリメタクリル酸からなるグループから
    得られるものであることを特徴とする請求項１０記載の方法。
  12. 【請求項１２】前記有機化合物が、ポリビニルピロリドンであることを特徴
    とする請求項１１記載の方法。
  13. 【請求項１３】前記有機化合物が、この組成物に存在する前記サブミクロン
    研磨粒子量に対して５重量％以下の濃度でこの組成物に存在していることを特徴
    とする請求項９記載の方法。
  14. 【請求項１４】前記有機化合物が１０，０００よりも大きい分子量を有する
    ことを特徴とする請求項９記載の方法。
  15. 【請求項１５】前記組成物が、さらに、錯化剤を含むことを特徴とする請求
    項９記載の方法。
  16. 【請求項１６】前記組成物が、さらに、分散剤を含むことを特徴とする請求
    項９記載の方法。
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