TW202007754A - 化學機械研磨組成物、化學機械研磨漿料及基板研磨方法 - Google Patents

化學機械研磨組成物、化學機械研磨漿料及基板研磨方法 Download PDF

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Abstract

本發明提供一種化學機械研磨組成物、化學機械研磨漿料及基板研磨方法，即使減少金屬總含量，也可實現等同或更高於傳統研磨劑的研磨速度，或者當使用相同於傳統的金屬總含量時，可實現明顯高於傳統研磨劑的研磨速度。化學機械研磨組成物包含鐵系金屬觸媒和鎂系金屬觸媒，金屬觸媒的總含量中鐵系金屬觸媒的金屬含量等於或更多於鎂系金屬觸媒的金屬含量。

Description

化學機械研磨組成物、化學機械研磨漿料及基板研磨方法
本發明係關於一種化學機械研磨組成物、化學機械研磨漿料及基板研磨方法，特別係關於一種製作半導體時用於形成由鎢組成的導電體之化學機械研磨組成物、化學機械研磨漿料及基板研磨方法。
在半導體製程中，導電體用研磨漿料應用於填充到形成在層間絕緣膜(ILD)中的孔洞並除去形成在層間絕緣膜上的金屬膜如鎢膜而使鎢膜僅留在孔洞內的製程。
因此，導電體用研磨漿料所需的最重要因素係用少量觸媒金屬使殘留金屬雜質所造成的污染最小化並使金屬膜研磨速度最大化，而且對下方層間絕緣膜的選擇比高，不應該產生凹陷(dishing)等圖案缺陷。
然而，直至目前市售或開發的漿料都還不足以滿足這些要求。
本發明實施例旨在提供一種化學機械研磨組成物、化學機械研磨漿料及研磨方法，可減少金屬總含量並實現等同或更高於傳統研磨劑的研磨速度。
本發明實施例旨在提供一種化學機械研磨組成物、化學機械研磨漿料及研磨方法，當使用相同於傳統的金屬總含量時，可實現明顯高於傳統的研磨速度。
本發明實施例旨在提供一種化學機械研磨組成物、化學機械研磨漿料及研磨方法，其研磨選擇比高。
本發明實施例旨在提供一種化學機械研磨組成物、化學機械研磨漿料及研磨方法，不會產生圖案缺陷如凹陷。
根據本發明實施例的化學機械研磨組成物可包含鐵系金屬觸媒和鎂系金屬觸媒，該金屬觸媒混合物的總金屬含量中鐵系金屬觸媒的金屬含量等於或更多於鎂系金屬觸媒的金屬含量。
根據本發明實施例的化學機械研磨漿料可包含：第一液劑，其包含多金屬觸媒包含鐵系金屬觸媒和鎂系金屬觸媒、研磨劑及餘量水；以及第二液劑，其包含氧化劑，該多金屬觸媒混合物的總金屬含量中該鐵系金屬觸媒的金屬含量等於或更多於該鎂系金屬觸媒的金屬含量。
根據本發明實施例的基板研磨方法包含：分別提供該第一液劑和第二液劑的步驟；將該第一液劑和第二液劑塗佈於基板之前進行混合的步驟；將混合有該第一液劑和第二液劑的化學機械研磨漿料塗佈於基板的步驟；以及透過使襯墊接觸於該基板並相對於基板移動襯墊來移除形成在基板上的至少一部分鎢層的步驟。
對於根據本發明實施例的化學機械研磨組成物和化學機械研磨漿料，即使減少金屬總含量，也可實現等同或更高於傳統研磨劑的研磨速度。
對於根據本發明實施例的化學機械研磨組成物和化學機械研磨漿料，當使用相同於傳統的金屬總含量時，可實現明顯高於傳統化學機械研磨組成物和化學機械研磨漿料的研磨速度。
對於根據本發明實施例的化學機械研磨組成物和化學機械研磨漿料，可提高研磨選擇比。
對於根據本發明實施例的化學機械研磨組成物和化學機械研磨漿料，可在不產生圖案缺陷的情況下實施半導體製程。
下文中詳細陳述具體實施方式，以使本技術領域中具有通常知識者容易實施本發明。然而，本發明可以各種不同方式實施，不限於下述的具體實施方式。
本發明之“化學機械研磨組成物”和“化學機械研磨漿料”有助於研磨非限制性地包含積體電路薄膜、半導體薄膜的多個金屬層和有利於CMP製程的任意其他膜、表面及基板。尤其，用於研磨與選自包含有關積體電路、薄膜、多層半導體及晶圓的矽基板、TFT-LCD玻璃基板、GaAs基板及其他基板的群組中的基板有關聯的至少一個金屬層如鎢層。特別地，本發明之化學機械研磨組成物可用於透過一個步驟填充到絕緣膜中的孔洞並研磨形成在絕緣膜上的至少一個鎢層、鈦層及氮化鈦層而形成導電體於絕緣膜中的孔洞。
此時，在本說明書中，化學機械研磨組成物可以指為了研磨半導體基板而使用的化學機械研磨漿料中所包含的第一液劑。此外，在本發明中，該化學機械研磨漿料可以指包含該第一液劑和第二液劑包含氧化劑而組成的組成物。關於該第一液劑和第二液劑如下所述。
下面具體陳述本發明。
根據本發明的一個實施方式可提供一種化學機械研磨組成物，其包含鐵系金屬觸媒和鎂系金屬觸媒，該金屬觸媒混合物的總金屬含量中該鐵系金屬觸媒的金屬含量等於或更多於該鎂系金屬觸媒的金屬含量。
本發明之化學機械研磨組成物並不是單一觸媒成分，而是包含多觸媒包含鐵系金屬觸媒和鎂系金屬觸媒。本發明之發明人為了從現有的諸多觸媒中找出可顯示觸媒協同效應的各種觸媒付出了創造性努力，其結果確認，當同時使用鐵系金屬觸媒和鎂系金屬觸媒時，可減少所使用的觸媒的使用量並顯示出等同於傳統或者顯著的研磨性能，當使用相同於傳統的含量時，可顯示出與傳統相比非常顯著的研磨性能。
作為鐵系金屬觸媒，可選自由硝酸鐵(Ⅱ)、硝酸鐵(Ⅲ)、氯化鐵、硫酸鐵(Ⅱ)、硫酸鐵(Ⅲ)、鹵化鐵(Ⅱ)、鹵化鐵(Ⅲ)(例如，氟化物、氯化物、溴化物及碘化物)、包含過氯酸鹽、過溴酸鹽及過碘酸鹽的鐵無機鹽、矽鐵及選自由醋酸鹽、乙醯丙酮、檸檬酸鹽、葡萄糖酸鹽、丙二酸鹽、草酸鹽、鄰苯二甲酸鹽、琥珀酸鹽及它們的混合物所組成的群組中的有機鐵(II)或有機鐵(III)所組成的群組。此時，該硝酸鐵(Ⅱ)、硝酸鐵(Ⅲ)可為已知的水合物形式。例如，硝酸鐵可使用硝酸鐵(Ⅲ)九水合物(Iron(III) nitrate nonahydrate)。
在本發明的一個實施方式中，鐵系金屬觸媒可為硝酸鐵(Ⅱ)、硝酸鐵(Ⅲ)、氯化鐵、硫酸鐵(Ⅱ)、硫酸鐵(Ⅲ)或矽鐵。
鎂系金屬觸媒可選自由硝酸鎂、氯化鎂、硫酸鎂、檸檬酸鎂、二麩胺酸鎂、甲酸鎂、葡萄糖酸鎂、甘氨酸鎂、乳酸鎂及草酸鎂所組成的群組。此時，該硝酸鎂、硫酸鎂可為已知的水合物形式。例如，該硝酸鎂可使用硝酸鎂六水合物，該硫酸鎂可為硫酸鎂六水合物。
在本發明的一個實施方式中，鎂系金屬觸媒可為硝酸鎂、氯化鎂或檸檬酸鎂。
另一方面，在該金屬觸媒混合物的總金屬含量中，化學機械研磨組成物中包含的鐵系金屬觸媒的總金屬含量可等於或更多於鎂系金屬觸媒的金屬含量。
例如，在一個實施方式中，可包含更多的該鐵系金屬觸媒，以該金屬觸媒混合物的總金屬含量為準，該鐵系金屬觸媒的金屬含量係該鎂系金屬觸媒的金屬含量的1倍至20倍。
另外，在混合使用該兩種金屬觸媒的金屬觸媒混合物中，以總金屬含量為準，鎂系金屬觸媒的金屬含量的最小值相對於化學機械研磨組成物可為0.0001wt%(1ppm)。而且，以該金屬觸媒混合物的總金屬含量為準，該鐵系金屬觸媒的金屬含量的最大值可為0.0295wt%(295ppm)。此時，若鎂系金屬觸媒的金屬含量的最小值相對於化學機械研磨組成物小於0.0001wt%，則研磨速度明顯降低。此外，若鐵系金屬觸媒的金屬含量的最大值大於0.0295wt%，則研磨速度增加減緩沒有經濟效用。
在本發明的一個實施方式中，鐵系金屬觸媒和鎂系金屬觸媒的金屬總含量相對於化學機械研磨組成物可為0.002wt%至0.03wt%。例如，鐵系金屬觸媒和鎂系金屬觸媒的金屬總含量相對於化學機械研磨組成物可為0.003wt%至0.03wt%。
在本發明的一個實施方式中，鐵系金屬觸媒的金屬含量的最大值相對於化學機械研磨組成物可為0.0295wt%，鎂系金屬觸媒的金屬含量的最小值相對於化學機械研磨組成物可為0.0001wt%，鐵系金屬觸媒和鎂系金屬觸媒的金屬總含量相對於化學機械研磨組成物可為0.002wt%至0.03wt%。
此時，化學機械研磨組成物可更包含分散穩定劑，即三丁胺、甲基磺酸或它們的混合物。
相對於該化學機械研磨組成物，該分散穩定劑可包含0.0001至0.04wt%或0.003至0.01wt%。
再者，該化學機械研磨組成物可更包含研磨劑。該研磨劑的含量不受很大限制，相對於該化學機械研磨組成物，該研磨劑可包含0.01至8 wt%。
另外，該化學機械研磨組成物可更包含餘量的水。
該化學機械研磨組成物可更包含已知的添加劑如pH調節劑、殺菌劑等。
對該金屬觸媒的說明也適用於下述化學機械研磨漿料的第一液劑中包含的多金屬觸媒。
因此，根據本發明的另一個實施方式可提供一種化學機械研磨漿料包含：作為化學機械研磨組成物的第一液劑，其包含多金屬觸媒包含鐵系金屬觸媒和鎂系金屬觸媒、研磨劑及餘量水；以及第二液劑，其包含氧化劑，該多金屬觸媒混合物的總金屬含量中該鐵系金屬觸媒的金屬含量等於或更多於該鎂系金屬觸媒的金屬含量。
此外，根據本發明的又一個實施方式提供一種具有至少一個鎢層的基板的研磨方法包含：分別提供該第一液劑和第二液劑的步驟；將該第一液劑和第二液劑塗佈於基板之前進行混合的步驟；將混合有該第一液劑和第二液劑的化學機械研磨漿料塗佈於基板的步驟；以及透過使襯墊接觸於該基板並相對於基板移動襯墊來移除形成在基板上的至少一部分鎢層的步驟。
也就是說，化學機械研磨組成物可包含第一液劑，該第一液劑包含多金屬觸媒包含鐵系金屬觸媒和鎂系金屬觸媒、研磨劑及餘量水，鐵系金屬觸媒的金屬含量可等於或更多於鎂系金屬觸媒的金屬含量。第一液劑與包含氧化劑的第二液劑分開保存，可在塗佈於基板之前進行混合後塗佈在基板上。然後，可透過使研磨襯墊接觸於基板並相對於基板移動襯墊來移除基板上的金屬層(例如，鎢層)的至少一部分。另一方面，第一液劑可包含研磨劑。相對於第一液劑，研磨劑可包含0.01至8wt%，如0.02至5wt%，具體可包含0.1至3重量%。研磨劑係為典型的金屬氧化物研磨劑。金屬氧化物研磨劑可選自包含氧化鋁、氧化鈦、氧化鋯、氧化鍺、氧化矽、氧化鈰及其混合物的群組。研磨劑可具有10至150nm的平均黏聚物尺寸。金屬氧化物研磨劑係為金屬氧化物的水分散液，其作為第一液劑的水性媒介被混合。
第一液劑可更包含pH調節劑，以使漿料中的膠體穩定性極大化。作為pH調節劑，可使用硝酸、鹽酸、磷酸、醋酸、丙二酸、四級銨化合物、氫氧化鉀等。可加入pH調節劑使得第一液劑的pH成為1至6，例如2至4。
第一液劑可更包含殺菌劑。殺菌劑可抑制微生物的生長或者消除微生物。作為殺菌劑，可使用CMIT(甲基氯異噻唑啉酮)、BIT(苯並異噻唑啉酮)等。相對於第一液劑，殺菌劑可包含0.0001至0.1wt%，例如0.001至0.08wt%，具體可包含0.01至0.05wt%。
第一液劑可更包含分散穩定劑。作為分散穩定劑，可使用三丁胺、甲基磺酸或它們的混合物。相對於第一液劑，分散穩定劑可包含0.0001至0.04wt%，例如0.003至0.01wt%。
第二液劑可包含氧化劑。作為氧化劑，可使用無機或有機過-化合物。過-化合物為包含一個或更多個過氧基(-O-O-)的化合物或者包含最高氧化狀態之元素的化合物。該包含一個或更多個過氧基的化合物的實例有過氧化氫及其加成物，例如尿素過氧化氫、過碳酸鹽、有機過氧化物、苄基過氧化物、過醋酸、二叔丁基過氧化物、單過硫酸鹽(SO5 2- )系化合物、雙過硫酸鹽(S2 O8 2- )系化合物及過氧化鈉，但不受限於此。具體地，氧化劑可為過氧化氫。當第一液劑和第二液劑混合時，相對於混合後的漿料總體含量，第二液劑可混合成0.1至5wt%，例如0.5至3.5wt%，具體混合成1至2.5wt%。
下文中透過實施例更詳細地陳述本發明的較佳實施方式。惟，下述實施例僅旨在陳述本發明，不旨在限制本發明的範圍。
比較例1至13及實施例1至18
製備研磨漿料以及評價研磨
測試中使用了8英吋鎢空白晶圓、8英吋形成有PE-TEOS絕緣膜的空白晶圓及8英吋SKW5-3鑲嵌圖案晶圓(以下稱為半導體基板)。
研磨設備使用了應用材料公司的Mirra 3400，研磨襯墊使用了IC-1010(Rohm & Haas)，研磨條件設定為下表1的條件。
表1
Figure 108125680-A0304-0001
在研磨之後，使用CMT-2000(四點探針，(株)ChangminTech)測定鎢膜的厚度，並使用Thermawave OP-2600(KLA TENCOR)測定絕緣膜的厚度，然後從CMP前厚度減去CMP後厚度而計算出研磨速度，其結果如表2至4所示。
粒度(Particle size)分析使用了ELS-Z(Otsuka Electronics)。
1) 製備化學機械研磨漿料(製備第一液劑和第二液劑)
作為研磨劑使用膠質氧化矽，利用攪拌器與具有下表2至表6所示含量的觸媒進行攪拌後，使用pH調節劑調節成目標pH值，從而製備出第一液劑。然後，在研磨該半導體基板之前，將另準備的包含過氧化氫的第二液劑與第一液劑進行混合製備出化學機械研磨漿料後，對CMP(化學機械研磨)進行評價。
具體地，在表2和表5的比較例1至6、8及實施例1至9的情況下，與金屬觸媒一起使用了粒度大小為90nm的膠質氧化矽1.3wt%，並加入CMIT0.03wt%後，使用硝酸和氫氧化四甲銨將pH調節成3。作為第二液劑使用了31wt%過氧化氫溶液，與第一液劑混合時混合成最終含量達到1.5wt%。在製備該第一液劑時，作為餘量使用了水。此時，對於比較例7，除了沒有使用金屬觸媒之外，製備方法與上述相同，製備了只有過氧化氫的漿料。
在表3的比較例9至12及實施例10至12的情況下，與金屬觸媒一起使用了粒度大小為90nm的膠質氧化矽0.85wt%，並加入BIT0.03wt%後，使用硝酸和氫氧化四甲銨將pH調節成2.8。作為第二液劑使用了31wt%過氧化氫溶液，與第一液劑混合時混合成最終含量達到1.5wt%。在製備該第一液劑時，作為餘量使用了水。
在表4的比較例13及實施例13至14的情況下，與金屬觸媒一起使用了粒度大小為90nm的膠質氧化矽2.0wt%，並加入BIT0.03wt%後，使用硝酸和氫氧化四甲銨將pH調節成2.5。作為第二液劑使用了31wt%過氧化氫溶液，與第一液劑混合時混合成最終含量達到1.5wt%。在製備該第一液劑時，作為餘量使用了水。
在表6的實施例15至17的情況下，與金屬觸媒一起使用了粒度大小為90nm的膠質氧化矽1.3wt%，並加入CMIT0.03wt%，再加入表5含量的分散穩定劑後，使用硝酸和氫氧化四甲銨將pH調節成3。作為第二液劑使用了31wt%過氧化氫溶液，與第一液劑混合時混合成最終含量達到1.5wt%。在製備該第一液劑時，作為餘量使用了水。
2) 測定鎢空白晶圓的研磨速度
表2
Figure 108125680-A0304-0002
上表2中所使用的硝酸鐵係為硝酸鐵(Ⅲ)九水合物，硝酸鎂係為硝酸鎂六水合物。
從上表2的結果可知，與單獨使用硝酸鎂、硝酸鐵、矽鐵的比較例1、5、6相比，如實施例1至6組合使用鐵觸媒和鎂觸媒時，在觸媒的金屬含量更少的情況下，大致上也可以顯示出更高的鎢研磨速度。具體地，在觸媒的金屬含量更少的實施例中，鎢研磨速度相對高於比較例。因此，本發明實施例可減少金屬總含量並實現等同或更高於傳統研磨劑的研磨速度。
此時，在鐵觸媒和鎂觸媒總含量小於等於0.0132wt%(鐵金屬和鎂金屬的總含量小於等於20ppm)的情況(實施例3)下，由於觸媒含量過少，研磨速度不充分，在大於等於0.023wt%(鐵金屬和鎂金屬的總含量為300ppm)的情況(實施例9)下，研磨速度反而稍微下降。另外，在實施例9的情況下，即使Fe金屬觸媒含量為最大值的295pmm(0.0295wt%)，由於Fe+Mg總含量大於等於300ppm，研磨速度也不會再增加，而是稍微下降，但是研磨速度優秀。然而，對於僅使用鐵系金屬觸媒的比較例8，即使鐵含量為295ppm(0.0295wt%)與實施例9相同，研磨速度低於實施例9。從這一結果可知，較佳在本申請的含量範圍內混合使用鐵系和鎂系金屬觸媒。
另一方面，當使用相同或類似於傳統的金屬總含量時，實施例7至8可實現明顯高於比較例2的研磨速度。也就是說，當使用相同於傳統的金屬總含量時，本發明實施例可實現明顯高於傳統的研磨速度。
此外，雖然比較例3和4的總金屬觸媒含量少於本申請，但是由於僅使用一種金屬觸媒，研磨速度非常不良。比較例3的鎂系金屬觸媒含量為1ppm(0.0001wt%)以下的0.5ppm，由於其含量過少，研磨速度非常低。另外，由於研磨速度幾乎類似於沒有金屬觸媒只有過氧化氫的漿料即比較例7的研磨速度，無法期待提高研磨速度。比較例4由於金屬觸媒含量為1ppm，研磨速度與比較例3相比有所提高，但是與本申請的實施例相比，研磨速度非常不良。
表3
Figure 108125680-A0304-0003
上表3的比較例10至12中使用的觸媒係為硝酸鎳六水合物、硝酸鋁九水合物及硝酸鉀四水合物。
從上表3的結果可知，即便使用多觸媒，當使用不同於本申請的鐵系觸媒和鎳系觸媒、鋁系觸媒或鈣系觸媒組合而成的多觸媒時，鎢研磨速度反而會降低(比較例10至12)。另外，比較例9只使用了單一觸媒，雖然研磨速度高於比較例10至12，但是研磨速度低於實施例10至12。
相比之下，將鐵系觸媒與鎂化合物硝酸鎂、氯化鎂或檸檬酸鎂組合時，在各種組合條件下，鎢研磨速度都明顯增加(實施例10至12)。
3) 測定鎢空白晶圓和絕緣膜空白晶圓的研磨速度及圖案晶圓的凹陷
表4
Figure 108125680-A0304-0004
在上表4中，硝酸鐵係為硝酸鐵(Ⅲ)九水合物，硝酸鎂係為硝酸鎂六水合物。
從上表4的結果可知，當組合使用鐵系觸媒和鎂系觸媒時，即使觸媒的金屬含量更少，鎢研磨速度也會增加，而且保持絕緣膜研磨速度，選擇比會上升。此外，從研磨圖案晶圓的結果可知，在1㎛(50% density)、10㎛(50% density)圖案中凹陷(Dishing)減少。因此，當使用根據本發明實施例的研磨漿料時，不僅研磨速度高於比較例，還能減少圖案凹陷。
4) 分析殘留的金屬雜質
在研磨之後，用DIW(去離子水)和氨溶液進行清洗，將晶圓進行乾燥之後，利用Rigaku公司的TXRF 3750設備對比較例2和實施例5進行分析，分析出研磨後的晶圓表面的金屬雜質含量。所使用設備的檢測極限為108atoms/cm2。將分析結果示於表5中。
表5
單位：X1010 atoms/cm2
Figure 108125680-A0304-0005
在上表5中，硝酸鐵係為硝酸鐵(Ⅲ)九水合物，硝酸鎂係為硝酸鎂六水合物。
從上表5的結果可知，與分析研磨後的晶圓表面金屬雜質的結果僅包含鐵觸媒的比較例2相比，顯示出類似的鎢研磨速度性能的實施例5，其研磨後殘留於晶圓表面的金屬雜質量明顯少(減少91%)。
5) 粒度穩定性實驗
使用上述的ELS-Z(Otsuka Electronics)評價了部分比較例和實施例的化學機械研磨漿料製備後、經過60天後以及經過180天後的粒度穩定性，其結果如表6所示。
表6
Figure 108125680-A0304-0006
在上表6中，硝酸鐵係為硝酸鐵(Ⅲ)九水合物(Iron(III) nitrate nonahydrate)，硝酸鎂係為硝酸鎂六水合物。
如上表6所示，在大量包含硝酸鐵觸媒的比較例2的情況下，隨著時間的推移，膠質氧化矽的分散穩定性下降而粒子尺寸(粒度)增加的現象變得明顯。
相比之下，實施例5和8的粒子尺寸增加的幅度小。另外，當進一步使用三丁胺、甲基磺酸作為分散穩定劑時，可進一步加強使粒度穩定的效果(實施例15至17)。
上文中詳細陳述了本發明的較佳實施例，但是本發明的權利範圍不限於上述實施例，利用申請專利範圍中定義的本發明的基本概念所進行的各種修飾及改進形式也落入本發明的權利範圍。
無
無

Claims (20)

  1. 一種化學機械研磨組成物，包含： 一鐵系金屬觸媒；及 一鎂系金屬觸媒， 金屬觸媒混合物的總金屬含量中該鐵系金屬觸媒的金屬含量等於或更多於該鎂系金屬觸媒的金屬含量。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之化學機械研磨組成物，其中該鎂系金屬觸媒選自由硝酸鎂、氯化鎂、硫酸鎂、檸檬酸鎂、二麩胺酸鎂、甲酸鎂、葡萄糖酸鎂、甘氨酸鎂、乳酸鎂及草酸鎂所組成的群組。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之化學機械研磨組成物，其中該鐵系金屬觸媒選自由硝酸鐵(Ⅱ)、硝酸鐵(Ⅲ)、氯化鐵、硫酸鐵(Ⅱ)、硫酸鐵(Ⅲ)、包含鹵化鐵(Ⅱ)、鹵化鐵(Ⅲ)、過氯酸鹽、過溴酸鹽及過碘酸鹽的鐵無機鹽、矽鐵及選自由醋酸鹽、乙醯丙酮、檸檬酸鹽、葡萄糖酸鹽、丙二酸鹽、草酸鹽、鄰苯二甲酸鹽、琥珀酸鹽及它們的混合物所組成的群組中的有機鐵(II)或有機鐵(III)所組成的群組。
  4. 如申請專利範圍第2項所述之化學機械研磨組成物，其中該鎂系金屬觸媒為硝酸鎂、氯化鎂或檸檬酸鎂。
  5. 如申請專利範圍第3項所述之化學機械研磨組成物，其中該鐵系金屬觸媒為硝酸鐵(Ⅱ)、硝酸鐵(Ⅲ)、氯化鐵、硫酸鐵(Ⅱ)、硫酸鐵(Ⅲ)或矽鐵。
  6. 如申請專利範圍第1項所述之化學機械研磨組成物，其中該鐵系金屬觸媒的金屬含量更多於該鎂系金屬觸媒的金屬含量1倍至20倍。
  7. 如申請專利範圍第1項所述之化學機械研磨組成物，其中該鎂系金屬觸媒的金屬含量的最小值為0.0001wt%。
  8. 如申請專利範圍第7項所述之化學機械研磨組成物，其中該鐵系金屬觸媒的金屬含量的最大值為0.0295wt%。
  9. 如申請專利範圍第1項所述之化學機械研磨組成物，其中該鐵系金屬觸媒和該鎂系金屬觸媒的金屬總含量為0.002wt%至0.03wt%。
  10. 如申請專利範圍第1項所述之化學機械研磨組成物，其更包含一分散穩定劑，即三丁胺、甲基磺酸或其混合物。
  11. 如申請專利範圍第10項所述之化學機械研磨組成物，其中相對於該化學機械研磨組成物，該分散穩定劑包含0.0001至0.04wt%。
  12. 如申請專利範圍第11項所述之化學機械研磨組成物，其中相對於該化學機械研磨組成物，該分散穩定劑包含0.003至0.01wt%。
  13. 一種化學機械研磨漿料，包含： 一第一液劑，其包含一多金屬觸媒，該多金屬觸媒包含一鐵系金屬觸媒和一鎂系金屬觸媒、一研磨劑及餘量水；及 一第二液劑，其包含一氧化劑， 該多金屬觸媒混合物的總金屬含量中該鐵系金屬觸媒的金屬含量等於或更多於該鎂系金屬觸媒的金屬含量。
  14. 如申請專利範圍第13項所述之化學機械研磨漿料，其中該鐵系金屬觸媒的金屬含量更多於該鎂系金屬觸媒的金屬含量1倍至20倍。
  15. 如申請專利範圍第13項所述之化學機械研磨漿料，其中該鎂系金屬觸媒的金屬含量的最小值為該第一液劑的0.0001wt%。
  16. 如申請專利範圍第13項所述之化學機械研磨漿料，其中該鐵系金屬觸媒的金屬含量的最大值為該第一液劑的0.0295wt%。
  17. 如申請專利範圍第13項所述之化學機械研磨漿料，其中該鐵系金屬觸媒和該鎂系金屬觸媒的金屬總含量為該第一液劑的0.002wt%至0.03wt%。
  18. 如申請專利範圍第13項所述之化學機械研磨漿料，其中該第一液劑更包含一分散穩定劑，即三丁胺、甲基磺酸或其混合物。
  19. 如申請專利範圍第18項所述之化學機械研磨漿料，其中相對於該第一液劑，該分散穩定劑包含0.0001至0.04wt%。
  20. 一種具有至少一個鎢層的基板的研磨方法，包含： 分別提供如申請專利範圍第13項至第19項中任一項所述之該第一液劑和該第二液劑的步驟； 將該第一液劑和該第二液劑塗佈於一基板之前進行混合的步驟； 將混合有該第一液劑和該第二液劑的化學機械研磨漿料塗佈於該基板的步驟；以及 透過使一襯墊接觸於該基板並相對於該基板移動該襯墊來移除形成在該基板上的至少一部分鎢層的步驟。
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