JP2017005050A - 研磨組成物及びその製造方法並びに研磨方法 - Google Patents
研磨組成物及びその製造方法並びに研磨方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2017005050A JP2017005050A JP2015115739A JP2015115739A JP2017005050A JP 2017005050 A JP2017005050 A JP 2017005050A JP 2015115739 A JP2015115739 A JP 2015115739A JP 2015115739 A JP2015115739 A JP 2015115739A JP 2017005050 A JP2017005050 A JP 2017005050A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- polishing composition
- polishing
- zirconium oxide
- less
- mass
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000005498 polishing Methods 0.000 title claims abstract description 187
- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims abstract description 103
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 18
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 16
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 70
- 229910001928 zirconium oxide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 70
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 63
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 58
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 40
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 36
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 claims abstract description 20
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims abstract description 20
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 19
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 claims abstract description 19
- ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N Potassium Chemical compound [K] ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 19
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 19
- 239000011575 calcium Substances 0.000 claims abstract description 19
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 19
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 claims abstract description 19
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 19
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 19
- 239000011591 potassium Substances 0.000 claims abstract description 19
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 19
- 239000011734 sodium Substances 0.000 claims abstract description 19
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 19
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 18
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 18
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 18
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 18
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 18
- 239000006061 abrasive grain Substances 0.000 claims abstract description 18
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 18
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 18
- 239000011651 chromium Substances 0.000 claims abstract description 18
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 claims abstract description 18
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 claims abstract description 18
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 18
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims abstract description 18
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims abstract description 18
- WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L manganese(2+);methyl n-[[2-(methoxycarbonylcarbamothioylamino)phenyl]carbamothioyl]carbamate;n-[2-(sulfidocarbothioylamino)ethyl]carbamodithioate Chemical compound [Mn+2].[S-]C(=S)NCCNC([S-])=S.COC(=O)NC(=S)NC1=CC=CC=C1NC(=S)NC(=O)OC WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims abstract description 18
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims abstract description 18
- 239000011701 zinc Substances 0.000 claims abstract description 18
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims abstract description 18
- 239000011133 lead Substances 0.000 claims abstract description 17
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 27
- 239000007800 oxidant agent Substances 0.000 claims description 20
- 229920003169 water-soluble polymer Polymers 0.000 claims description 16
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 229920002125 Sokalan® Polymers 0.000 claims description 11
- 239000004584 polyacrylic acid Substances 0.000 claims description 11
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 claims description 9
- 239000003002 pH adjusting agent Substances 0.000 claims description 8
- 239000003945 anionic surfactant Substances 0.000 claims description 7
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000002736 nonionic surfactant Substances 0.000 claims description 7
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims description 6
- -1 polyoxyethylene Polymers 0.000 claims description 5
- 239000002202 Polyethylene glycol Substances 0.000 claims description 4
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 claims description 4
- 229920001223 polyethylene glycol Polymers 0.000 claims description 4
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 claims description 4
- 229920003171 Poly (ethylene oxide) Polymers 0.000 claims description 3
- 239000004721 Polyphenylene oxide Substances 0.000 claims description 3
- 150000005215 alkyl ethers Chemical class 0.000 claims description 3
- 229920002401 polyacrylamide Polymers 0.000 claims description 3
- 229920000570 polyether Polymers 0.000 claims description 3
- 229920000036 polyvinylpyrrolidone Polymers 0.000 claims description 3
- 239000001267 polyvinylpyrrolidone Substances 0.000 claims description 3
- 235000013855 polyvinylpyrrolidone Nutrition 0.000 claims description 3
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 abstract description 47
- 239000002184 metal Substances 0.000 abstract description 42
- 239000012535 impurity Substances 0.000 abstract description 41
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 abstract description 16
- 238000011109 contamination Methods 0.000 abstract description 7
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 19
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 16
- 239000011164 primary particle Substances 0.000 description 15
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 14
- 230000009471 action Effects 0.000 description 12
- 238000001095 inductively coupled plasma mass spectrometry Methods 0.000 description 12
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 11
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 11
- 238000007665 sagging Methods 0.000 description 9
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 8
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 7
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000008119 colloidal silica Substances 0.000 description 5
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 5
- VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N Ammonium hydroxide Chemical compound [NH4+].[OH-] VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 235000011114 ammonium hydroxide Nutrition 0.000 description 4
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 4
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 4
- WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M tetramethylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].C[N+](C)(C)C WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 4
- 230000002776 aggregation Effects 0.000 description 3
- 238000004220 aggregation Methods 0.000 description 3
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 3
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 3
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 description 3
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 2
- 239000003153 chemical reaction reagent Substances 0.000 description 2
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 2
- QOSATHPSBFQAML-UHFFFAOYSA-N hydrogen peroxide;hydrate Chemical compound O.OO QOSATHPSBFQAML-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 2
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 2
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 2
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 description 2
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 2
- 238000000624 total reflection X-ray fluorescence spectroscopy Methods 0.000 description 2
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 description 1
- 229910052784 alkaline earth metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001342 alkaline earth metals Chemical class 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- RKTYLMNFRDHKIL-UHFFFAOYSA-N copper;5,10,15,20-tetraphenylporphyrin-22,24-diide Chemical compound [Cu+2].C1=CC(C(=C2C=CC([N-]2)=C(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC(N=2)=C(C=2C=CC=CC=2)C2=CC=C3[N-]2)C=2C=CC=CC=2)=NC1=C3C1=CC=CC=C1 RKTYLMNFRDHKIL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 230000007717 exclusion Effects 0.000 description 1
- 239000006260 foam Substances 0.000 description 1
- 238000005187 foaming Methods 0.000 description 1
- 230000007062 hydrolysis Effects 0.000 description 1
- 238000006460 hydrolysis reaction Methods 0.000 description 1
- 238000001027 hydrothermal synthesis Methods 0.000 description 1
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 description 1
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 1
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 238000007127 saponification reaction Methods 0.000 description 1
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 1
- 238000000638 solvent extraction Methods 0.000 description 1
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09G—POLISHING COMPOSITIONS; SKI WAXES
- C09G1/00—Polishing compositions
- C09G1/02—Polishing compositions containing abrasives or grinding agents
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B15/00—Peroxides; Peroxyhydrates; Peroxyacids or salts thereof; Superoxides; Ozonides
- C01B15/01—Hydrogen peroxide
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01G—COMPOUNDS CONTAINING METALS NOT COVERED BY SUBCLASSES C01D OR C01F
- C01G25/00—Compounds of zirconium
- C01G25/02—Oxides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
- C08L29/00—Compositions of homopolymers or copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and at least one being terminated by an alcohol, ether, aldehydo, ketonic, acetal or ketal radical; Compositions of hydrolysed polymers of esters of unsaturated alcohols with saturated carboxylic acids; Compositions of derivatives of such polymers
- C08L29/02—Homopolymers or copolymers of unsaturated alcohols
- C08L29/04—Polyvinyl alcohol; Partially hydrolysed homopolymers or copolymers of esters of unsaturated alcohols with saturated carboxylic acids
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
- C08L33/00—Compositions of homopolymers or copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and only one being terminated by only one carboxyl radical, or of salts, anhydrides, esters, amides, imides or nitriles thereof; Compositions of derivatives of such polymers
- C08L33/02—Homopolymers or copolymers of acids; Metal or ammonium salts thereof
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
- C08L33/00—Compositions of homopolymers or copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and only one being terminated by only one carboxyl radical, or of salts, anhydrides, esters, amides, imides or nitriles thereof; Compositions of derivatives of such polymers
- C08L33/24—Homopolymers or copolymers of amides or imides
- C08L33/26—Homopolymers or copolymers of acrylamide or methacrylamide
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
- C08L71/00—Compositions of polyethers obtained by reactions forming an ether link in the main chain; Compositions of derivatives of such polymers
- C08L71/02—Polyalkylene oxides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
- C08L81/00—Compositions of macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing sulfur with or without nitrogen, oxygen or carbon only; Compositions of polysulfones; Compositions of derivatives of such polymers
- C08L81/08—Polysulfonates
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09G—POLISHING COMPOSITIONS; SKI WAXES
- C09G1/00—Polishing compositions
- C09G1/06—Other polishing compositions
- C09G1/14—Other polishing compositions based on non-waxy substances
- C09G1/16—Other polishing compositions based on non-waxy substances on natural or synthetic resins
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K3/00—Materials not provided for elsewhere
- C09K3/14—Anti-slip materials; Abrasives
- C09K3/1409—Abrasive particles per se
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K3/00—Materials not provided for elsewhere
- C09K3/14—Anti-slip materials; Abrasives
- C09K3/1454—Abrasive powders, suspensions and pastes for polishing
- C09K3/1463—Aqueous liquid suspensions
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02002—Preparing wafers
- H01L21/02005—Preparing bulk and homogeneous wafers
- H01L21/02008—Multistep processes
- H01L21/0201—Specific process step
- H01L21/02024—Mirror polishing
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
- H01L21/30625—With simultaneous mechanical treatment, e.g. mechanico-chemical polishing
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
- C01P2002/00—Crystal-structural characteristics
- C01P2002/02—Amorphous compounds
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
- C01P2002/00—Crystal-structural characteristics
- C01P2002/30—Three-dimensional structures
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
- C01P2004/00—Particle morphology
- C01P2004/30—Particle morphology extending in three dimensions
- C01P2004/32—Spheres
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
- C01P2004/00—Particle morphology
- C01P2004/60—Particles characterised by their size
- C01P2004/64—Nanometer sized, i.e. from 1-100 nanometer
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
- C01P2006/00—Physical properties of inorganic compounds
- C01P2006/80—Compositional purity
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Polymers & Plastics (AREA)
- Medicinal Chemistry (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
Abstract
【課題】内周部だけでなく外周部の平坦性も高く、金属不純物による汚染が少ない半導体基板を、生産性良く得ることが可能な研磨組成物を提供する。【解決手段】砥粒として酸化ジルコニウムを含む研磨組成物であって、pHが11.0以上12.5未満のものであり、前記酸化ジルコニウム中に含まれるナトリウム、マグネシウム、アルミニウム、カリウム、カルシウム、チタン、クロム、鉄、マンガン、ニッケル、銅、亜鉛、鉛、及びコバルトの元素の濃度がそれぞれ1ppm未満のものであることを特徴とする研磨組成物。【選択図】 図1
Description
本発明は、研磨組成物及び研磨組成物の製造方法に関する。また、本発明は、研磨組成物を用いた研磨方法にも関する。
半導体集積回路の製造技術の向上に伴い半導体素子の高集積化、高速動作が求められるようになり、半導体素子における微細回路の製造工程において要求される半導体基板表面の平坦性はより厳しくなってきている。そのため、化学機械研磨(Chemical Mechanical Polishing:CMP)は半導体素子の製造工程に不可欠な技術となっている。
CMPの原理としては、例えば、単結晶シリコン基板等の半導体基板を保持しながら、定盤上に貼り付けた研磨パッド上に押し付けつつ、砥粒や試薬を含む研磨組成物を研磨パッド上に供給しながら半導体基板と研磨パッドを相対的に運動させる。このようにして、試薬による化学的な反応と、砥粒による機械的な研磨効果により基板表面の凹凸を削り、表面を平坦化することができる。
また、コスト低減のため半導体素子の生産性の向上が求められ、半導体基板の可能な限り広い領域で素子を作製できるよう、基板端面付近の平坦性が重要視されるようになっており、半導体基板の広い領域において高い平坦性を実現させることが課題となっている。
渡辺秦ら、日本化学会誌, 1979, (12), p.1674〜1680
しかしながら、一般的に半導体基板の端面から数ミリメートル程度の領域では面ダレによる外周部が基板中心付近に比べ薄くなり平坦性が悪化する傾向がある。そのため半導体基板外周部における平坦性の悪化が歩留りの低下の原因となっている。
半導体素子の作製工程、特にリソグラフィー工程における半導体基板平坦性の尺度としてSFQR(Site front surface referenced least squares range)がよく用いられる。SFQRは任意の寸法のサイトを指定し、このサイト領域において最小2乗法により定めた基準面からの偏差の範囲で定義される。上記面ダレの影響により半導体基板外周部のSFQRが悪化する傾向がある。
また、上記のような平坦化のためのCMPにおいて、半導体基板に金属不純物が付着してしまうという問題が有る。これは、砥粒に含まれる金属不純物が研磨加工中に半導体基板に拡散してしまうことが原因と考えられる。
また、研磨工程に要する時間が長い、すなわち所定の研磨代まで研磨するまでにかかる時間が長くなるほど半導体基板の生産性が悪化する。従って、半導体基板を効率良く研磨するために、高い研磨速度を得ることが可能な研磨組成物が要求されている。
本発明は前述のような問題に鑑みてなされたもので、内周部だけでなく外周部の平坦性も高く、金属不純物による汚染が少ない半導体基板を、生産性良く得ることが可能な研磨組成物を提供することを目的とする。また、本発明は、このような研磨組成物を製造することが可能な研磨組成物の製造方法を提供することも目的とする。
上記目的を達成するために、本発明は、砥粒として酸化ジルコニウムを含む研磨組成物であって、pHが11.0以上12.5未満のものであり、前記酸化ジルコニウム中に含まれるナトリウム、マグネシウム、アルミニウム、カリウム、カルシウム、チタン、クロム、鉄、マンガン、ニッケル、銅、亜鉛、鉛、及びコバルトの元素の濃度がそれぞれ1ppm未満のものであることを特徴とする研磨組成物を提供する。
このような研磨組成物であれば、半導体基板の金属不純物汚染を抑制することができ、かつ、酸化ジルコニウムの機械的研磨作用と研磨組成物の化学的研磨作用の効果を調和させることで面ダレの影響を抑え、半導体基板の広い領域において高い平坦性を有する半導体ウェーハを生産性良く得ることができる。酸化ジルコニウムを砥粒として用いることで、ウェーハの平坦性を向上できる。酸化ジルコニウムにおいて、ジルコニウム元素以外の上記の金属元素の濃度が1ppm未満であれば、研磨後の半導体基板から検出される金属不純物の濃度を、特に、それぞれ1.0×1010atom/cm2未満に低減することができる。また、研磨組成物のpHが11.0以上であることで、十分な化学的研磨作用が得られ、半導体基板の平坦性を向上できるとともに、高い研磨速度も得られる。研磨組成物のpHが12.5未満であることで、化学的研磨作用が強くなり過ぎることが無く、面ダレの発生を抑制することができる。
このとき、前記酸化ジルコニウムの含有量が前記研磨組成物全体の0.1〜10質量%であることが好ましい。
砥粒である酸化ジルコニウムの含有量が0.1質量%以上であれば、十分な研磨速度を得ることができる。酸化ジルコニウムの含有量が10質量%以下であれば、半導体基板の表面にスクラッチなどの欠陥が発生し難い。
またこのとき、本発明の研磨組成物は、さらに、水溶性高分子としてノニオン性界面活性剤、又はアニオン性界面活性剤、あるいはこれらの両方を含むことが好ましい。
研磨組成物中に含まれている水溶性高分子は、半導体基板表面の被研磨表面との相互作用、及び砥粒であるジルコニウム酸化物の表面との相互作用により半導体基板の研磨面をスクラッチなどの欠陥から保護する効果及び酸化ジルコニウムの凝集を防止する効果がある。
このとき、本発明の研磨組成物は、前記ノニオン性界面活性剤として、ポリビニルピロリドン、ポリビニルアルコール、ポリアクリルアミド、ポリエチレングリコール、ポリオキシエチレンアルキルエーテル、及びポリエーテルのうち1種類以上を含有することが好ましい。
本発明では、上記のようなノニオン性界面活性剤を好適に用いることができる。
またこのとき、本発明の研磨組成物は、前記アニオン性界面活性剤として、ポリアクリル酸あるいはその塩、ポリスルホン酸あるいはその塩、及びポリカルボン酸あるいはその塩のうち1種類以上を含有することが好ましい。
本発明では、上記のようなアニオン性界面活性剤を好適に用いることができる。
このとき、前記水溶性高分子の含有量が研磨組成物全体の0.001〜0.5質量%であることが好ましい。
研磨組成物全体に対する水溶性高分子の濃度が0.001質量%以上であれば、上述した研磨砥粒の凝集抑制効果及び被研磨面の保護効果を十分に得ることができる。研磨組成物全体に対する水溶性高分子の濃度が0.5質量%以下であれば、研磨速度の低下及び研磨組成物の発泡を防止することができる。
またこのとき、本発明の研磨組成物が、さらに、酸化剤を含むことが好ましい。
研磨組成物が酸化剤を含むことにより、半導体基板の表面を酸化でき、研磨をより効果的に促進できる。
このとき、前記酸化剤の含有量が研磨組成物全体の0.01〜1.0質量%であることが好ましい。
酸化剤の含有量が研磨組成物に対して0.01質量%以上であれば、酸化剤による研磨の促進効果を十分に得られる。酸化剤の含有量が研磨組成物に対して1.0質量%以下であれば、化学的研磨作用が強くなり過ぎることが無く、面ダレの発生をより抑制することができる。
またこのとき、本発明の研磨組成物は、前記酸化剤として過酸化水素を含むことが好ましい。
本発明において、酸化剤として過酸化水素を使用することが好適である。
また、上記目的を達成するために、本発明は、上記のいずれかの研磨組成物を用いて半導体基板を研磨することを特徴とする研磨方法を提供する。
本発明の研磨組成を用いて半導体基板を研磨すれば、内周部だけでなく外周部の平坦性も高く、金属不純物による汚染が少ない半導体基板を研磨によって生産性良く得ることができる。
このとき、半導体基板を単結晶シリコン基板とすることができる。
本発明の研磨方法は、特に、単結晶シリコン基板の研磨に好適に使用される。
また、上記目的を達成するために、本発明は、砥粒として酸化ジルコニウムを含む研磨組成物の製造方法であって、前記酸化ジルコニウムとして、前記酸化ジルコニウム中に含まれるナトリウム、マグネシウム、アルミニウム、カリウム、カルシウム、チタン、クロム、鉄、マンガン、ニッケル、銅、亜鉛、鉛、及びコバルトの元素の濃度がそれぞれ1ppm未満のものを準備する工程と、前記準備した酸化ジルコニウムを水に添加する工程と、前記酸化ジルコニウムを添加した溶液にpH調整剤を添加することで、前記溶液のpHを11.0以上12.5未満に調整する工程とを含み、前記pHを調製した後の溶液を用いて研磨組成物を製造することを特徴とする研磨組成物の製造方法を提供する。
このような製造方法によって、研磨速度を向上させ、半導体基板の内周部だけでなく外周部の平坦性も高くでき、金属不純物による汚染を少なくできる研磨組成物を製造することができる。
本発明によって、内周部だけでなく外周部の平坦性も高く、金属不純物による汚染が少ない半導体基板を生産性良く得ることができる。
以下、本発明について実施の形態を説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。
本発明の研磨組成物は、砥粒として酸化ジルコニウムを含むスラリーであり、酸化ジルコニウム中に含まれるナトリウム、マグネシウム、アルミニウム、カリウム、カルシウム、チタン、クロム、鉄、マンガン、ニッケル、銅、亜鉛、鉛、及びコバルトの元素の濃度がそれぞれ1ppm未満のものである。また、本発明の研磨組成物は、pHが11.0以上12.5未満である。
砥粒として酸化ジルコニウムを使用することで、コロイダルシリカなどを砥粒として用いた場合よりも、高い研磨速度及び平坦性が得られる。また、酸化ジルコニウムにおいて、ジルコニウム元素以外の上記の金属元素の濃度が1ppm未満であれば、研磨加工中に半導体基板へ金属不純物が拡散し難く、特に、研磨後の半導体基板から検出される金属不純物の濃度を、それぞれ1.0×1010atom/cm2未満に低減することができる。また、研磨組成物のpHが11.0以上であることで、十分な化学的研磨作用が得られ、半導体基板の平坦性を向上できるとともに、高い研磨速度も得られる。一方、pHが11.0未満であると研磨組成物の化学的研磨作用が不足し、半導体基板の平坦性を損なう。さらに、研磨速度が低下し生産性も悪化する。また、研磨組成物のpHが12.5未満であることで、化学的研磨作用が強くなり過ぎることが無く、面ダレの発生を抑制することができる。一方、pHが12.5以上となると研磨組成物の化学的研磨作用が強くなりすぎて面ダレを促進することになり半導体基板の平坦性が低下する。
また、本発明の研磨組成物中において、酸化ジルコニウムの平均1次粒子径が5nm以上100nm未満であることが好ましい。酸化ジルコニウムの1次粒子径が5nm以上であれば、十分な研磨速度を得ることができる。酸化ジルコニウムの1次粒子径が100nm未満であれば、粒子が大きすぎないためスクラッチが発生し難い。
酸化ジルコニウムの1次粒子径は、透過型電子顕微鏡(TEM)あるいは走査型電子顕微鏡(SEM)により得られる粒子画像を計測し、粒子100個以上の定方向最大径、即ちフェレ(Feret)径の平均値から計算される。酸化ジルコニウム粒子の粒度分布はこの粒径範囲内であることが好ましいが、特に制限されることはなく、目的に合わせ適宜変化させてよい。
また、酸化ジルコニウムの1次粒子の形状は特に限定されないが研磨傷の発生を抑制するために球形であることが好ましい。
酸化ジルコニウムの結晶構造については特に制限されず、アモルファス、単斜晶系、正方晶、立方晶系であっても良い。また、単一の結晶相であっても良いし、複数の結晶相を有していても良く、結晶構造は目的に応じ適宜選択できる。
酸化物ジルコニウムの含有量は研磨組成物全体に対して、0.1質量%以上10質量%以下が好ましく、0.4質量%以上5質量%以下であることが特に望ましい。酸化物ジルコニウムの含有量が0.1質量%以上であれば、充分な研磨速度を得ることができる。また、酸化物ジルコニウムの含有量が10質量%以下であれば、半導体基板にスクラッチ等の欠陥が発生し難い。
また、上述のように、本発明において、酸化ジルコニウム中に含まれるジルコニウム以外の上記のそれぞれの金属不純物の濃度は1ppm未満である。このような、金属不純物の少ないナノサイズの酸化ジルコニウムは、特に限定されることはないが、例えば、溶媒抽出法などによって精製した原料(例えば、特許文献1、及び非特許文献1を参照)を用いた水熱合成法(例えば、特許文献2を参照)、加水分解法や沈殿法(例えば、特許文献3を参照)等により製造することができる。
また、上述のように本発明の研磨組成物のpHは11.0以上12.5未満である。研磨組成物のpHを11.0以上12.5未満とするために、本発明の研磨組成物にpH調整剤を加えることができる。pH調整剤の種類は特に限定されず、水酸化カリウム水溶液や水酸化テトラメチルアンモニウム溶液、アンモニア水などが例示される。なお、pH調整剤としては、カリウム等のアルカリ金属やカルシウム等のアルカリ土類金属を含んでよい。これは、これらの金属は研磨組成物中の液相に含まれているのであれば、研磨工程後に半導体基板の洗浄を行うことで比較的容易に除去することが可能であるため、半導体基板に与える影響が少ないからである。
また、本発明の研磨組成物は水溶性高分子を含んでも良く、水溶性高分子としてノニオン性界面活性剤、又はアニオン性界面活性剤、あるいはこれらの両方を含むことが好ましい。ノニオン性界面活性剤としては、ポリビニルピロリドン、ポリビニルアルコール、ポリアクリルアミド、ポリエチレングリコール、ポリオキシエチレンアルキルエーテル、及びポリエーテルのうち1種類以上を含有することが好ましい。アニオン性界面活性剤としては、ポリアクリル酸あるいはその塩、ポリスルホン酸あるいはその塩、ポリカルボン酸あるいはその塩のうち1種類以上を含有することが好ましい。
研磨組成物中に含まれている水溶性高分子は、被研磨表面及び砥粒であるジルコニウム酸化物表面との相互作用により、酸化ジルコニウムの凝集防止や半導体基板の研磨面の保護等の効果を有する。このような効果によって、半導体基板の表面に研磨によるスクラッチ等の欠陥が発生し難くなる。なお、水溶性高分子の重合度及び分子量は特に制限されず、目的に応じ適宜選択できる。
水溶性高分子の含有量は研磨組成物全体に対して0.001〜0.5質量%が好ましく、0.005〜0.2質量%であることが特に好ましい。水溶性高分子の含有量が0.001質量%以上であれば、上記のスクラッチの発生の抑制効果が十分に得られる。水溶性高分子の含有量が0.5質量%以下では研磨速度が低下し難いうえに、研磨組成物が発泡し難くなる。
また、本発明の研磨組成物は、さらに、酸化剤を含むことが好ましい。酸化剤としては、過酸化水素が好適に用いられる。このような酸化剤を含むことにより、半導体基板の表面を酸化でき、研磨をより効果的に促進できる。
このとき、酸化剤の含有量が研磨組成物全体の0.01〜1.0質量%であることが好ましい。酸化剤の含有量が研磨組成物に対して0.01質量%以上であれば、酸化剤による研磨の促進効果を十分に得られる。酸化剤の含有量が研磨組成物に対して1.0質量%以下であれば、化学的研磨作用が強くなり過ぎることが無く、面ダレの発生をより抑制することができる。
続いて、上記のような本発明の研磨組成物の製造方法について図1を参照して説明する。
まず、砥粒として酸化ジルコニウムの粒子を準備する(図1のS1)。この酸化ジルコニウムとしては、酸化ジルコニウム中に含まれるナトリウム、マグネシウム、アルミニウム、カリウム、カルシウム、チタン、クロム、鉄、マンガン、ニッケル、銅、亜鉛、鉛、及びコバルトの元素の濃度がそれぞれ1ppm未満のものを準備する。酸化ジルコニウム中の、ジルコニウム以外の金属元素の濃度を測定するには、例えば、ICP−MS分析(誘導結合プラズマ質量分析)を使用すればよい。
続いて、準備した酸化ジルコニウムを水に添加する(図1のS2)。
続いて、酸化ジルコニウムを水に添加して作製した溶液にpH調整剤を添加することで、溶液のpHを11.0以上12.5未満に調整する(図1のS3)。pH調整剤の種類は特に限定されず、水酸化カリウム水溶液や水酸化テトラメチルアンモニウム溶液、アンモニア水などが例示される。
このようにしてpHを調製した後の溶液を用いて研磨組成物を製造する。なお、本発明の研磨組成物の製造方法では、上記の酸化ジルコニウム及びpH調整剤を添加した溶液に、水溶性高分子や酸化剤を更に添加して研磨組成物を作製しても良い。水溶性高分子や酸化剤としては、上述した物質と同様の物質を使用すればよい。
次に、本発明の研磨組成物を用いた研磨方法を説明する。本発明の研磨組成物は粗研磨である1次研磨及び鏡面研磨である2次研磨のどちらの研磨工程にも好適に用いることができる。また、以下では、半導体基板を片面研磨する場合を例に説明するが、もちろんこれに限定されることはなく、本発明の研磨組成物は両面研磨や面取り部の研磨にも用いることができる。また、特に本発明の研磨方法は単結晶シリコンウェーハの研磨に好適に使用される。
片面研磨装置は、例えば、図2に示すように、研磨パッド4が貼り付けられた定盤3と、研磨組成物供給機構5と、研磨ヘッド2等から構成された片面研磨装置10とすることができる。
このような研磨装置10では、研磨ヘッド2で半導体基板Wを保持し、研磨組成物供給機構5から研磨パッド4上に本発明の研磨組成物1を供給するとともに、定盤3と研磨ヘッド2をそれぞれ回転させて半導体基板Wの表面を研磨パッド4に摺接させることにより研磨を行う。
このような本発明の研磨組成物を用いた研磨方法であれば、内周部だけでなく外周部の平坦性も高く、金属不純物による汚染が少ない半導体基板を生産性良く得ることができる。
以下、本発明の実施例及び比較例を示して本発明をより具体的に説明するが、本発明はこれら実施例に限定されるものではない。
(実施例1)
ICP−MS分析により測定元素をナトリウム、マグネシウム、アルミニウム、カリウム、カルシウム、チタン、クロム、鉄、マンガン、ニッケル、銅、亜鉛、鉛、及びコバルトとして金属不純物濃度を測定し、各金属不純物濃度が1ppm未満であった1次粒子径26nmの酸化ジルコニウムを、含有量が1.0質量%となるよう純水に分散させた。次に、酸化ジルコニウムを分散させた純水に、平均分子量10000であるポリアクリル酸を含有量が0.05質量%となるよう添加した。さらに、この溶液のpHが11.5となるように水酸化カリウム溶液を加えた。以上のようにして、研磨組成物を作製した。
ICP−MS分析により測定元素をナトリウム、マグネシウム、アルミニウム、カリウム、カルシウム、チタン、クロム、鉄、マンガン、ニッケル、銅、亜鉛、鉛、及びコバルトとして金属不純物濃度を測定し、各金属不純物濃度が1ppm未満であった1次粒子径26nmの酸化ジルコニウムを、含有量が1.0質量%となるよう純水に分散させた。次に、酸化ジルコニウムを分散させた純水に、平均分子量10000であるポリアクリル酸を含有量が0.05質量%となるよう添加した。さらに、この溶液のpHが11.5となるように水酸化カリウム溶液を加えた。以上のようにして、研磨組成物を作製した。
(実施例2)
ICP−MS分析により測定元素をナトリウム、マグネシウム、アルミニウム、カリウム、カルシウム、チタン、クロム、鉄、マンガン、ニッケル、銅、亜鉛、鉛、及びコバルトとして金属不純物濃度を測定し、各金属不純物濃度が1ppm未満であった1次粒子径26nmの酸化ジルコニウムを含有量が1.0質量%となるよう純水に分散させた。次に、酸化ジルコニウムを分散させた純水に、平均分子量6000であるポリエチレングリコールを含有量が0.07質量%となるよう添加した。さらに、溶液のpHが11.5となるように水酸化カリウム溶液を加えた。以上のようにして、研磨組成物を作製した。
ICP−MS分析により測定元素をナトリウム、マグネシウム、アルミニウム、カリウム、カルシウム、チタン、クロム、鉄、マンガン、ニッケル、銅、亜鉛、鉛、及びコバルトとして金属不純物濃度を測定し、各金属不純物濃度が1ppm未満であった1次粒子径26nmの酸化ジルコニウムを含有量が1.0質量%となるよう純水に分散させた。次に、酸化ジルコニウムを分散させた純水に、平均分子量6000であるポリエチレングリコールを含有量が0.07質量%となるよう添加した。さらに、溶液のpHが11.5となるように水酸化カリウム溶液を加えた。以上のようにして、研磨組成物を作製した。
(実施例3)
ICP−MS分析により測定元素をナトリウム、マグネシウム、アルミニウム、カリウム、カルシウム、チタン、クロム、鉄、マンガン、ニッケル、銅、亜鉛、鉛、及びコバルトとして金属不純物濃度を測定し、各金属不純物濃度が1ppm未満であった1次粒子径26nmの酸化ジルコニウムを含有量が1.0質量%となるよう純水に分散させた。次に、酸化ジルコニウムを分散させた純水に、平均重合度1000、けん化度80〜90mol%のポリビニルアルコールを、含有量が0.07質量%となるよう添加した。さらに、過酸化水素を、含有量が1.0質量%となるよう添加した。その後、溶液のpHが11.5となるように水酸化カリウム溶液を加えた。以上のようにして、研磨組成物を作製した。
ICP−MS分析により測定元素をナトリウム、マグネシウム、アルミニウム、カリウム、カルシウム、チタン、クロム、鉄、マンガン、ニッケル、銅、亜鉛、鉛、及びコバルトとして金属不純物濃度を測定し、各金属不純物濃度が1ppm未満であった1次粒子径26nmの酸化ジルコニウムを含有量が1.0質量%となるよう純水に分散させた。次に、酸化ジルコニウムを分散させた純水に、平均重合度1000、けん化度80〜90mol%のポリビニルアルコールを、含有量が0.07質量%となるよう添加した。さらに、過酸化水素を、含有量が1.0質量%となるよう添加した。その後、溶液のpHが11.5となるように水酸化カリウム溶液を加えた。以上のようにして、研磨組成物を作製した。
(実施例4)
ICP−MS分析により測定元素をナトリウム、マグネシウム、アルミニウム、カリウム、カルシウム、チタン、クロム、鉄、マンガン、ニッケル、銅、亜鉛、鉛、及びコバルトとして金属不純物濃度を測定し、各金属不純物濃度が1ppm未満であった1次粒子径26nmの酸化ジルコニウムを含有量が1.0質量%となるよう純水に分散させた。次に、酸化ジルコニウムを分散させた純水に、平均分子量10000であるポリアクリル酸を含有量が0.05質量%となるよう添加した。さらに、溶液のpHが11.0となるように水酸化カリウム溶液を加えた。以上のようにして、研磨組成物を作製した。
ICP−MS分析により測定元素をナトリウム、マグネシウム、アルミニウム、カリウム、カルシウム、チタン、クロム、鉄、マンガン、ニッケル、銅、亜鉛、鉛、及びコバルトとして金属不純物濃度を測定し、各金属不純物濃度が1ppm未満であった1次粒子径26nmの酸化ジルコニウムを含有量が1.0質量%となるよう純水に分散させた。次に、酸化ジルコニウムを分散させた純水に、平均分子量10000であるポリアクリル酸を含有量が0.05質量%となるよう添加した。さらに、溶液のpHが11.0となるように水酸化カリウム溶液を加えた。以上のようにして、研磨組成物を作製した。
(実施例5)
ICP−MS分析により測定元素をナトリウム、マグネシウム、アルミニウム、カリウム、カルシウム、チタン、クロム、鉄、マンガン、ニッケル、銅、亜鉛、鉛、及びコバルトとして金属不純物濃度を測定し、各金属不純物濃度が1ppm未満であった1次粒子径26nmの酸化ジルコニウムを含有量が1.0質量%となるよう純水に分散させた。次に、酸化ジルコニウムを分散させた純水に、平均分子量10000であるポリアクリル酸を含有量が0.05質量%となるよう添加した。さらに、溶液のpHが12.4となるように水酸化カリウム溶液を加えた。以上のようにして、研磨組成物を作製した。
ICP−MS分析により測定元素をナトリウム、マグネシウム、アルミニウム、カリウム、カルシウム、チタン、クロム、鉄、マンガン、ニッケル、銅、亜鉛、鉛、及びコバルトとして金属不純物濃度を測定し、各金属不純物濃度が1ppm未満であった1次粒子径26nmの酸化ジルコニウムを含有量が1.0質量%となるよう純水に分散させた。次に、酸化ジルコニウムを分散させた純水に、平均分子量10000であるポリアクリル酸を含有量が0.05質量%となるよう添加した。さらに、溶液のpHが12.4となるように水酸化カリウム溶液を加えた。以上のようにして、研磨組成物を作製した。
(比較例1)
ICP−MS分析により測定元素をナトリウム、マグネシウム、アルミニウム、カリウム、カルシウム、チタン、クロム、鉄、マンガン、ニッケル、銅、亜鉛、鉛、及びコバルトとして金属不純物濃度を測定し、各金属不純物濃度が1ppm未満であった1次粒子径34nmのコロイダルシリカを含有量が1.0質量%となるよう純水に分散させた。次に、コロイダルシリカを分散させた純水に、平均分子量10000であるポリアクリル酸を含有量が0.05質量%となるよう添加した。さらに、溶液のpHが11.5となるように水酸化カリウム溶液を加えた。以上のように、砥粒として、コロイダルシリカを使用した研磨組成物を作製した。
ICP−MS分析により測定元素をナトリウム、マグネシウム、アルミニウム、カリウム、カルシウム、チタン、クロム、鉄、マンガン、ニッケル、銅、亜鉛、鉛、及びコバルトとして金属不純物濃度を測定し、各金属不純物濃度が1ppm未満であった1次粒子径34nmのコロイダルシリカを含有量が1.0質量%となるよう純水に分散させた。次に、コロイダルシリカを分散させた純水に、平均分子量10000であるポリアクリル酸を含有量が0.05質量%となるよう添加した。さらに、溶液のpHが11.5となるように水酸化カリウム溶液を加えた。以上のように、砥粒として、コロイダルシリカを使用した研磨組成物を作製した。
(比較例2)
ICP−MS分析により測定元素をナトリウム、マグネシウム、アルミニウム、カリウム、カルシウム、チタン、クロム、鉄、マンガン、ニッケル、銅、亜鉛、鉛、及びコバルトとして金属不純物濃度を測定し、各金属不純物濃度がMg:20ppm、Fe:18ppm、Al:11ppm、Ti:5ppm、その他の金属元素がそれぞれ1ppm未満である1次粒子径30nmの酸化ジルコニウムを含有量が1.0質量%となるよう純水に分散させた。次に、酸化ジルコニウムを分散させた純水に、平均分子量10000であるポリアクリル酸を含有量が0.05質量%となるよう添加した。さらに溶液のpHが11.5となるように水酸化カリウム溶液を加えた。以上のようにして、酸化ジルコニウム中のMg、Fe、Al、及びTiの元素の濃度が1ppm以上である研磨組成物を作製した。
ICP−MS分析により測定元素をナトリウム、マグネシウム、アルミニウム、カリウム、カルシウム、チタン、クロム、鉄、マンガン、ニッケル、銅、亜鉛、鉛、及びコバルトとして金属不純物濃度を測定し、各金属不純物濃度がMg:20ppm、Fe:18ppm、Al:11ppm、Ti:5ppm、その他の金属元素がそれぞれ1ppm未満である1次粒子径30nmの酸化ジルコニウムを含有量が1.0質量%となるよう純水に分散させた。次に、酸化ジルコニウムを分散させた純水に、平均分子量10000であるポリアクリル酸を含有量が0.05質量%となるよう添加した。さらに溶液のpHが11.5となるように水酸化カリウム溶液を加えた。以上のようにして、酸化ジルコニウム中のMg、Fe、Al、及びTiの元素の濃度が1ppm以上である研磨組成物を作製した。
(比較例3)
ICP−MS分析により測定元素をナトリウム、マグネシウム、アルミニウム、カリウム、カルシウム、チタン、クロム、鉄、マンガン、ニッケル、銅、亜鉛、鉛、及びコバルトとして金属不純物濃度を測定し、各金属不純物濃度がFe:1ppm、その他の金属元素がそれぞれ1ppm未満である1次粒子径30nmの酸化ジルコニウムを含有量が1.0質量%となるよう純水に分散させた。次に、酸化ジルコニウムを分散させた純水に、平均分子量10000であるポリアクリル酸を含有量が0.05質量%となるよう添加した。さらに、溶液のpHが11.5となるように水酸化カリウム溶液を加えた。以上のようにして、酸化ジルコニウム中のFeの元素の濃度が1ppm以上である研磨組成物を作製した。
ICP−MS分析により測定元素をナトリウム、マグネシウム、アルミニウム、カリウム、カルシウム、チタン、クロム、鉄、マンガン、ニッケル、銅、亜鉛、鉛、及びコバルトとして金属不純物濃度を測定し、各金属不純物濃度がFe:1ppm、その他の金属元素がそれぞれ1ppm未満である1次粒子径30nmの酸化ジルコニウムを含有量が1.0質量%となるよう純水に分散させた。次に、酸化ジルコニウムを分散させた純水に、平均分子量10000であるポリアクリル酸を含有量が0.05質量%となるよう添加した。さらに、溶液のpHが11.5となるように水酸化カリウム溶液を加えた。以上のようにして、酸化ジルコニウム中のFeの元素の濃度が1ppm以上である研磨組成物を作製した。
(比較例4)
ICP−MS分析により測定元素をナトリウム、マグネシウム、アルミニウム、カリウム、カルシウム、チタン、クロム、鉄、マンガン、ニッケル、銅、亜鉛、鉛、及びコバルトとして金属不純物濃度を測定し、各金属不純物濃度が1ppm未満であった1次粒子径26nmの酸化ジルコニウムを含有量が1.0質量%となるよう純水に分散させた。次に、平均分子量10000であるポリアクリル酸を含有量が0.05質量%となるよう添加した。さらに、溶液のpHが10.5となるように水酸化カリウム溶液を加えた。以上のようにして、pHが11.0未満である研磨組成物を作製した。
ICP−MS分析により測定元素をナトリウム、マグネシウム、アルミニウム、カリウム、カルシウム、チタン、クロム、鉄、マンガン、ニッケル、銅、亜鉛、鉛、及びコバルトとして金属不純物濃度を測定し、各金属不純物濃度が1ppm未満であった1次粒子径26nmの酸化ジルコニウムを含有量が1.0質量%となるよう純水に分散させた。次に、平均分子量10000であるポリアクリル酸を含有量が0.05質量%となるよう添加した。さらに、溶液のpHが10.5となるように水酸化カリウム溶液を加えた。以上のようにして、pHが11.0未満である研磨組成物を作製した。
(比較例5)
ICP−MS分析により測定元素をナトリウム、マグネシウム、アルミニウム、カリウム、カルシウム、チタン、クロム、鉄、マンガン、ニッケル、銅、亜鉛、鉛、及びコバルトとして金属不純物濃度を測定し、各金属不純物濃度が1ppm未満であった1次粒子径26nmの酸化ジルコニウムを含有量が1.0質量%となるよう純水に分散させた。次に、酸化ジルコニウムを分散させた純水に、平均分子量10000であるポリアクリル酸を含有量が0.05質量%となるよう添加した。さらに、溶液のpHが12.8となるように水酸化カリウム溶液を加えた。以上のようにして、pHが12.5以上である研磨組成物を作製した。
ICP−MS分析により測定元素をナトリウム、マグネシウム、アルミニウム、カリウム、カルシウム、チタン、クロム、鉄、マンガン、ニッケル、銅、亜鉛、鉛、及びコバルトとして金属不純物濃度を測定し、各金属不純物濃度が1ppm未満であった1次粒子径26nmの酸化ジルコニウムを含有量が1.0質量%となるよう純水に分散させた。次に、酸化ジルコニウムを分散させた純水に、平均分子量10000であるポリアクリル酸を含有量が0.05質量%となるよう添加した。さらに、溶液のpHが12.8となるように水酸化カリウム溶液を加えた。以上のようにして、pHが12.5以上である研磨組成物を作製した。
実施例1〜5及び比較例1〜5の研磨組成物を用いて下記の研磨条件により直径12インチ(300mm)の単結晶シリコン基板の片面研磨を行った。研磨装置はPoli−762(G&P Technology, Inc.製)、研磨パッドとしてIC1000(ニッタ・ハース(株)製)を使用した。被研磨基板に加える加重を193g/cm2とし、定盤回転数を70rpm、ヘッド回転数を70rpmとし、研磨組成物の供給量を100mL/minとした。
研磨終了後、研磨速度を算出した。また、外周除外領域を2mm、サイトサイズを25mm×25mmとして研磨後の半導体基板のSFQRを測定した。また研磨後の半導体基板を公知であるSC−1(29%アンモニア水、30%過酸化水素水、純水の混合溶液、体積比率 アンモニア水:過酸化水素水:純水=1:1:10、75℃、5分浸漬)及びSC−2(30%塩酸、30%過酸化水素水、純水の混合溶液、体積比率 塩酸:過酸化水素水:純水=1:1:10、75℃、5分浸漬)によるRCA洗浄を行なった後、TREX(全反射蛍光X線分析)により、測定元素をナトリウム、マグネシウム、アルミニウム、カリウム、カルシウム、チタン、クロム、鉄、マンガン、ニッケル、銅、亜鉛、鉛、及びコバルトとして基板表面の任意の5点を分析し金属不純物による汚染の確認を行った。
研磨速度、SFQRの最大値、単結晶シリコン基板上の金属不純物の濃度について表1にまとめた。不純物は各測定元素の検出値について下記の基準に基づいた評価結果を示した。
○: 1.0×1010atom/cm2未満
△: 1.0×1010以上1.0×1011atom/cm2未満
×: 1.0×1011atom/cm2以上
○: 1.0×1010atom/cm2未満
△: 1.0×1010以上1.0×1011atom/cm2未満
×: 1.0×1011atom/cm2以上
表1に示すように、実施例1〜5では、研磨後の半導体基板の表面から検出された各金属不純物の濃度は、1.0×1010atom/cm2未満となり、研磨による半導体基板の不純物汚染を抑制することができた。また、実施例1〜5では、十分な研磨速度が得られ、且つ、特に半導体基板の外周部の面ダレが少ないためSFQRの最大値も低く抑えられ、良好な平坦性が得られた。
一方、表1に示すように、比較例1のように、砥粒としてコロイダルシリカを使用した場合、実施例に比べ研磨速度が遅いうえに、SFQRの最大値が大きく、平坦性が悪化した。また、比較例2、3のように、ジルコニウム以外の金属元素の濃度が1ppm以上である酸化ジルコニウムを砥粒として使用すると、研磨後の半導体基板の表面から金属不純物が1.0×1010atom/cm2以上の濃度で検出され、実施例と比較して金属不純物による汚染が悪化した。また、比較例4のように、研磨組成物のpHが11.0未満であると、化学的研磨作用が十分に得られず、研磨速度が低下した。また、比較例5のように、研磨組成物のpHが12.5以上であると、化学的研磨作用が強くなりすぎて、面ダレを促進し、SFQRの最大値が著しく大きくなった。
なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同一な構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなるものであっても本発明の技術的範囲に包含される。
1…研磨組成物、 2…研磨ヘッド、 3…定盤、
4…研磨パッド、 5…研磨組成物供給機構、
10…片面研磨装置、
W…半導体基板。
4…研磨パッド、 5…研磨組成物供給機構、
10…片面研磨装置、
W…半導体基板。
Claims (12)
- 砥粒として酸化ジルコニウムを含む研磨組成物であって、
pHが11.0以上12.5未満のものであり、前記酸化ジルコニウム中に含まれるナトリウム、マグネシウム、アルミニウム、カリウム、カルシウム、チタン、クロム、鉄、マンガン、ニッケル、銅、亜鉛、鉛、及びコバルトの元素の濃度がそれぞれ1ppm未満のものであることを特徴とする研磨組成物。 - 前記酸化ジルコニウムの含有量が前記研磨組成物全体の0.1〜10質量%であることを特徴とする請求項1に記載の研磨組成物。
- さらに、水溶性高分子としてノニオン性界面活性剤、又はアニオン性界面活性剤、あるいはこれらの両方を含むことを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の研磨組成物。
- 前記ノニオン性界面活性剤として、ポリビニルピロリドン、ポリビニルアルコール、ポリアクリルアミド、ポリエチレングリコール、ポリオキシエチレンアルキルエーテル、及びポリエーテルのうち1種類以上を含有することを特徴とする請求項3に記載の研磨組成物。
- 前記アニオン性界面活性剤として、ポリアクリル酸あるいはその塩、ポリスルホン酸あるいはその塩、及びポリカルボン酸あるいはその塩のうち1種類以上を含有することを特徴とする請求項3に記載の研磨組成物。
- 前記水溶性高分子の含有量が研磨組成物全体の0.001〜0.5質量%であることを特徴とする請求項3から請求項5のいずれか1項に記載の研磨組成物。
- さらに、酸化剤を含むことを特徴とする請求項1から請求項6のいずれか1項に記載の研磨組成物。
- 前記酸化剤の含有量が研磨組成物全体の0.01〜1.0質量%であることを特徴とする請求項7に記載の研磨組成物。
- 前記酸化剤として過酸化水素を含むことを特徴とする請求項7又は請求項8に記載の研磨組成物。
- 請求項1から請求項9のいずれか1項に記載の研磨組成物を用いて半導体基板を研磨することを特徴とする研磨方法。
- 前記半導体基板を単結晶シリコン基板とすることを特徴とする請求項10に記載の研磨方法。
- 砥粒として酸化ジルコニウムを含む研磨組成物の製造方法であって、
前記酸化ジルコニウムとして、前記酸化ジルコニウム中に含まれるナトリウム、マグネシウム、アルミニウム、カリウム、カルシウム、チタン、クロム、鉄、マンガン、ニッケル、銅、亜鉛、鉛、及びコバルトの元素の濃度がそれぞれ1ppm未満のものを準備する工程と、
前記準備した酸化ジルコニウムを水に添加する工程と、
前記酸化ジルコニウムを添加した溶液にpH調整剤を添加することで、前記溶液のpHを11.0以上12.5未満に調整する工程とを含み、
前記pHを調製した後の溶液を用いて研磨組成物を製造することを特徴とする研磨組成物の製造方法。
Priority Applications (7)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015115739A JP2017005050A (ja) | 2015-06-08 | 2015-06-08 | 研磨組成物及びその製造方法並びに研磨方法 |
KR1020177035350A KR102655118B1 (ko) | 2015-06-08 | 2016-05-06 | 연마조성물 및 그 제조방법 그리고 연마방법 |
CN202311219029.4A CN117264600A (zh) | 2015-06-08 | 2016-05-06 | 研磨组合物及其制造方法、以及研磨方法 |
CN201680033515.9A CN107743515A (zh) | 2015-06-08 | 2016-05-06 | 研磨组合物及其制造方法、以及研磨方法 |
US15/579,844 US11214711B2 (en) | 2015-06-08 | 2016-05-06 | Polishing composition, method for producing same, and polishing method |
PCT/JP2016/002249 WO2016199340A1 (ja) | 2015-06-08 | 2016-05-06 | 研磨組成物及びその製造方法並びに研磨方法 |
TW105117840A TWI747827B (zh) | 2015-06-08 | 2016-06-06 | 研磨組成物及其製造方法以及研磨方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015115739A JP2017005050A (ja) | 2015-06-08 | 2015-06-08 | 研磨組成物及びその製造方法並びに研磨方法 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2018247098A Division JP6724127B2 (ja) | 2018-12-28 | 2018-12-28 | 研磨組成物及びその製造方法並びに研磨方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2017005050A true JP2017005050A (ja) | 2017-01-05 |
Family
ID=57503817
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015115739A Pending JP2017005050A (ja) | 2015-06-08 | 2015-06-08 | 研磨組成物及びその製造方法並びに研磨方法 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US11214711B2 (ja) |
JP (1) | JP2017005050A (ja) |
KR (1) | KR102655118B1 (ja) |
CN (2) | CN117264600A (ja) |
TW (1) | TWI747827B (ja) |
WO (1) | WO2016199340A1 (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2018145261A (ja) * | 2017-03-02 | 2018-09-20 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | 研磨用組成物及び研磨用組成物の製造方法 |
WO2020059782A1 (ja) * | 2018-09-20 | 2020-03-26 | 関東化學株式会社 | 洗浄液組成物 |
CN115064670A (zh) * | 2022-06-20 | 2022-09-16 | 中南大学 | 一种掺杂包覆改性的镍锰酸钠正极材料的制备方法 |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US11286403B2 (en) | 2018-07-20 | 2022-03-29 | Dongjin Semichem Co., Ltd | Chemical mechanical polishing composition, chemical mechanical polishing slurry and method for polishing substrate |
KR20200010071A (ko) * | 2018-07-20 | 2020-01-30 | 주식회사 동진쎄미켐 | 화학적 기계적 연마 조성물, 화학적 기계적 연마 슬러리 및 기판의 연마 방법 |
JP2021127285A (ja) * | 2020-11-02 | 2021-09-02 | 第一稀元素化学工業株式会社 | ジルコニア焼結体、及び、ジルコニア粉末 |
Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001115144A (ja) * | 1999-10-15 | 2001-04-24 | Hitachi Chem Co Ltd | 研磨材、基板の研磨方法及び半導体装置 |
JP2003100670A (ja) * | 2001-09-27 | 2003-04-04 | Catalysts & Chem Ind Co Ltd | 研磨材 |
JP2006253420A (ja) * | 2005-03-10 | 2006-09-21 | Nomura Micro Sci Co Ltd | 半導体研磨スラリー中の金属の定量方法 |
JP2007201187A (ja) * | 2006-01-26 | 2007-08-09 | Nitta Haas Inc | 金属膜研磨用組成物および金属膜研磨用組成物の製造方法 |
WO2008047627A1 (fr) * | 2006-10-19 | 2008-04-24 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Substrat à base de nitrure d'élément du groupe iii, substrat présentant une couche épitaxiale, procédé de fabrication de ces substrats et procédé de fabrication d'un élément semiconducteur |
WO2013141225A1 (ja) * | 2012-03-19 | 2013-09-26 | 株式会社 フジミインコーポレーテッド | ラッピング加工用研磨材およびそれを用いた基板の製造方法 |
US20130313225A1 (en) * | 2012-05-22 | 2013-11-28 | Cabot Microelectronics Corporation | Cmp composition containing zirconia particles and method of use |
JP2015067774A (ja) * | 2013-09-30 | 2015-04-13 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | 研磨用組成物およびその製造方法 |
Family Cites Families (21)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5038194B1 (ja) | 1970-12-28 | 1975-12-08 | ||
JPH06171944A (ja) | 1992-12-10 | 1994-06-21 | Tosoh Corp | 酸化ジルコニウム粉末を製造する方法 |
JP3062739B2 (ja) | 1998-01-23 | 2000-07-12 | 工業技術院長 | ジルコニウムの精製、回収方法 |
JP3062739U (ja) | 1999-04-05 | 1999-10-15 | 游炎徴 | 早送り/速締めバイス |
JP2001269859A (ja) | 2000-03-27 | 2001-10-02 | Jsr Corp | 化学機械研磨用水系分散体 |
CN1451710A (zh) | 2002-04-12 | 2003-10-29 | 台湾永光化学工业股份有限公司 | 高速研磨金属层用化学机械研磨液组成物 |
JP2004266155A (ja) | 2003-03-03 | 2004-09-24 | Jsr Corp | 化学機械研磨用水系分散体およびこれを用いた化学機械研磨方法ならびに半導体装置の製造方法 |
US7005382B2 (en) | 2002-10-31 | 2006-02-28 | Jsr Corporation | Aqueous dispersion for chemical mechanical polishing, chemical mechanical polishing process, production process of semiconductor device and material for preparing an aqueous dispersion for chemical mechanical polishing |
US7052373B1 (en) | 2005-01-19 | 2006-05-30 | Anji Microelectronics Co., Ltd. | Systems and slurries for chemical mechanical polishing |
US20090302266A1 (en) * | 2006-04-03 | 2009-12-10 | Jsr Corporation | Aqueous dispersion for chemical mechanical polishing, chemical mechanical polishing method, and kit for preparing aqueous dispersion for chemical mechanical polishing |
RU2422573C2 (ru) | 2006-12-01 | 2011-06-27 | Акцо Нобель Н.В. | Целлюлозный продукт |
JP2008186898A (ja) | 2007-01-29 | 2008-08-14 | Nissan Chem Ind Ltd | 研磨用組成物 |
JP2009164186A (ja) * | 2007-12-28 | 2009-07-23 | Fujimi Inc | 研磨用組成物 |
JP5038194B2 (ja) | 2008-03-07 | 2012-10-03 | 株式会社日本触媒 | 正方晶酸化ジルコニウムナノ粒子の製造方法 |
JP2010192556A (ja) | 2009-02-17 | 2010-09-02 | Fujifilm Corp | 金属用研磨液、および化学的機械的研磨方法 |
EP2658943B1 (en) | 2010-12-28 | 2021-03-03 | Saint-Gobain Ceramics & Plastics, Inc. | Polishing slurry including zirconia particles and a method of using the polishing slurry |
JP6017315B2 (ja) | 2011-01-27 | 2016-10-26 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | 研磨材及び研磨用組成物 |
JP2013158884A (ja) | 2012-02-06 | 2013-08-19 | Raytex Corp | 基板研磨装置 |
CN103849318A (zh) | 2012-11-29 | 2014-06-11 | 安集微电子(上海)有限公司 | 一种化学机械抛光液 |
KR101406763B1 (ko) | 2012-12-04 | 2014-06-19 | 주식회사 케이씨텍 | 슬러리 조성물 및 첨가제 조성물 |
JP2015029001A (ja) | 2013-07-30 | 2015-02-12 | 日立化成株式会社 | Cmp用研磨液及び研磨方法 |
-
2015
- 2015-06-08 JP JP2015115739A patent/JP2017005050A/ja active Pending
-
2016
- 2016-05-06 US US15/579,844 patent/US11214711B2/en active Active
- 2016-05-06 CN CN202311219029.4A patent/CN117264600A/zh active Pending
- 2016-05-06 WO PCT/JP2016/002249 patent/WO2016199340A1/ja active Application Filing
- 2016-05-06 KR KR1020177035350A patent/KR102655118B1/ko active IP Right Grant
- 2016-05-06 CN CN201680033515.9A patent/CN107743515A/zh active Pending
- 2016-06-06 TW TW105117840A patent/TWI747827B/zh active
Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001115144A (ja) * | 1999-10-15 | 2001-04-24 | Hitachi Chem Co Ltd | 研磨材、基板の研磨方法及び半導体装置 |
JP2003100670A (ja) * | 2001-09-27 | 2003-04-04 | Catalysts & Chem Ind Co Ltd | 研磨材 |
JP2006253420A (ja) * | 2005-03-10 | 2006-09-21 | Nomura Micro Sci Co Ltd | 半導体研磨スラリー中の金属の定量方法 |
JP2007201187A (ja) * | 2006-01-26 | 2007-08-09 | Nitta Haas Inc | 金属膜研磨用組成物および金属膜研磨用組成物の製造方法 |
WO2008047627A1 (fr) * | 2006-10-19 | 2008-04-24 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Substrat à base de nitrure d'élément du groupe iii, substrat présentant une couche épitaxiale, procédé de fabrication de ces substrats et procédé de fabrication d'un élément semiconducteur |
WO2013141225A1 (ja) * | 2012-03-19 | 2013-09-26 | 株式会社 フジミインコーポレーテッド | ラッピング加工用研磨材およびそれを用いた基板の製造方法 |
US20130313225A1 (en) * | 2012-05-22 | 2013-11-28 | Cabot Microelectronics Corporation | Cmp composition containing zirconia particles and method of use |
JP2015067774A (ja) * | 2013-09-30 | 2015-04-13 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | 研磨用組成物およびその製造方法 |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2018145261A (ja) * | 2017-03-02 | 2018-09-20 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | 研磨用組成物及び研磨用組成物の製造方法 |
WO2020059782A1 (ja) * | 2018-09-20 | 2020-03-26 | 関東化學株式会社 | 洗浄液組成物 |
JP2020045453A (ja) * | 2018-09-20 | 2020-03-26 | 関東化学株式会社 | 洗浄液組成物 |
JP7220040B2 (ja) | 2018-09-20 | 2023-02-09 | 関東化学株式会社 | 洗浄液組成物 |
CN115064670A (zh) * | 2022-06-20 | 2022-09-16 | 中南大学 | 一种掺杂包覆改性的镍锰酸钠正极材料的制备方法 |
CN115064670B (zh) * | 2022-06-20 | 2024-02-09 | 中南大学 | 一种掺杂包覆改性的镍锰酸钠正极材料的制备方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN117264600A (zh) | 2023-12-22 |
TW201712097A (zh) | 2017-04-01 |
KR102655118B1 (ko) | 2024-04-08 |
KR20180016393A (ko) | 2018-02-14 |
TWI747827B (zh) | 2021-12-01 |
US20180355212A1 (en) | 2018-12-13 |
CN107743515A (zh) | 2018-02-27 |
US11214711B2 (en) | 2022-01-04 |
WO2016199340A1 (ja) | 2016-12-15 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
WO2016199340A1 (ja) | 研磨組成物及びその製造方法並びに研磨方法 | |
EP2365042B1 (en) | Polishing composition and polishing method using the same | |
JP5002175B2 (ja) | 研磨スラリーおよびウエハ再生方法 | |
JP4759298B2 (ja) | 単結晶表面用の研磨剤及び研磨方法 | |
JP5275595B2 (ja) | 半導体ウエハ研磨用組成物および研磨方法 | |
TW201629183A (zh) | 研磨用組成物 | |
JP2008527728A (ja) | 化学的機械的研磨用研磨スラリー及び方法 | |
TWI788517B (zh) | 化學機械研磨用組成物及研磨方法 | |
WO2012036087A1 (ja) | 研磨剤および研磨方法 | |
JP4167928B2 (ja) | Iii−v族化合物半導体ウェハ用の研磨液及びそれを用いたiii−v族化合物半導体ウェハの研磨方法 | |
JP5497400B2 (ja) | 半導体ウエハ研磨用組成物および研磨方法 | |
JP6408453B2 (ja) | 研磨組成物及び研磨方法 | |
WO2019043890A1 (ja) | 半導体ウェーハの製造方法 | |
JP6724127B2 (ja) | 研磨組成物及びその製造方法並びに研磨方法 | |
JP2009113993A (ja) | 金属酸化物粒子、これを含む研磨材、この研磨材を用いた基板の研磨方法及び研磨して得られる半導体装置の製造方法 | |
JP2020023408A (ja) | セリア系微粒子分散液、その製造方法およびセリア系微粒子分散液を含む研磨用砥粒分散液 | |
JP4955253B2 (ja) | デバイスウエハエッジ研磨用研磨組成物、その製造方法、及び研磨加工方法 | |
JP2019189729A (ja) | 合成石英ガラス基板用の研磨剤及びその製造方法、並びに合成石英ガラス基板の研磨方法 | |
JP2017132944A (ja) | 濃縮研磨用組成物の製造方法および安定化方法 | |
JPH10172934A (ja) | 研磨用組成物 | |
KR101279970B1 (ko) | 금속 배선 연마용 cmp 슬러리 조성물 | |
JPH1088111A (ja) | 研磨用組成物 | |
JP7315394B2 (ja) | セリア系微粒子分散液、その製造方法およびセリア系微粒子分散液を含む研磨用砥粒分散液 | |
TW201627465A (zh) | 化學機械研磨用水系分散體及化學機械研磨方法 | |
TW202204564A (zh) | 合成石英玻璃基板用之研磨劑及其研磨劑之製造方法及合成石英玻璃基板之研磨方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20170726 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20180424 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20180807 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20181002 |