JP2017005050A - 研磨組成物及びその製造方法並びに研磨方法 - Google Patents

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Abstract

【課題】内周部だけでなく外周部の平坦性も高く、金属不純物による汚染が少ない半導体基板を、生産性良く得ることが可能な研磨組成物を提供する。【解決手段】砥粒として酸化ジルコニウムを含む研磨組成物であって、ｐＨが１１．０以上１２．５未満のものであり、前記酸化ジルコニウム中に含まれるナトリウム、マグネシウム、アルミニウム、カリウム、カルシウム、チタン、クロム、鉄、マンガン、ニッケル、銅、亜鉛、鉛、及びコバルトの元素の濃度がそれぞれ１ｐｐｍ未満のものであることを特徴とする研磨組成物。【選択図】 図１

Description

本発明は、研磨組成物及び研磨組成物の製造方法に関する。また、本発明は、研磨組成物を用いた研磨方法にも関する。
半導体集積回路の製造技術の向上に伴い半導体素子の高集積化、高速動作が求められるようになり、半導体素子における微細回路の製造工程において要求される半導体基板表面の平坦性はより厳しくなってきている。そのため、化学機械研磨（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ：ＣＭＰ）は半導体素子の製造工程に不可欠な技術となっている。
ＣＭＰの原理としては、例えば、単結晶シリコン基板等の半導体基板を保持しながら、定盤上に貼り付けた研磨パッド上に押し付けつつ、砥粒や試薬を含む研磨組成物を研磨パッド上に供給しながら半導体基板と研磨パッドを相対的に運動させる。このようにして、試薬による化学的な反応と、砥粒による機械的な研磨効果により基板表面の凹凸を削り、表面を平坦化することができる。
また、コスト低減のため半導体素子の生産性の向上が求められ、半導体基板の可能な限り広い領域で素子を作製できるよう、基板端面付近の平坦性が重要視されるようになっており、半導体基板の広い領域において高い平坦性を実現させることが課題となっている。
特許第３０６２７３９号明細書 特許第５０３８１９４号明細書 特開１９９４−１７１９４４号公報
渡辺秦ら、日本化学会誌， １９７９， （１２）， ｐ．１６７４〜１６８０
しかしながら、一般的に半導体基板の端面から数ミリメートル程度の領域では面ダレによる外周部が基板中心付近に比べ薄くなり平坦性が悪化する傾向がある。そのため半導体基板外周部における平坦性の悪化が歩留りの低下の原因となっている。
半導体素子の作製工程、特にリソグラフィー工程における半導体基板平坦性の尺度としてＳＦＱＲ（Ｓｉｔｅ ｆｒｏｎｔ ｓｕｒｆａｃｅ ｒｅｆｅｒｅｎｃｅｄ ｌｅａｓｔ ｓｑｕａｒｅｓ ｒａｎｇｅ）がよく用いられる。ＳＦＱＲは任意の寸法のサイトを指定し、このサイト領域において最小２乗法により定めた基準面からの偏差の範囲で定義される。上記面ダレの影響により半導体基板外周部のＳＦＱＲが悪化する傾向がある。
また、上記のような平坦化のためのＣＭＰにおいて、半導体基板に金属不純物が付着してしまうという問題が有る。これは、砥粒に含まれる金属不純物が研磨加工中に半導体基板に拡散してしまうことが原因と考えられる。
また、研磨工程に要する時間が長い、すなわち所定の研磨代まで研磨するまでにかかる時間が長くなるほど半導体基板の生産性が悪化する。従って、半導体基板を効率良く研磨するために、高い研磨速度を得ることが可能な研磨組成物が要求されている。
本発明は前述のような問題に鑑みてなされたもので、内周部だけでなく外周部の平坦性も高く、金属不純物による汚染が少ない半導体基板を、生産性良く得ることが可能な研磨組成物を提供することを目的とする。また、本発明は、このような研磨組成物を製造することが可能な研磨組成物の製造方法を提供することも目的とする。
上記目的を達成するために、本発明は、砥粒として酸化ジルコニウムを含む研磨組成物であって、ｐＨが１１．０以上１２．５未満のものであり、前記酸化ジルコニウム中に含まれるナトリウム、マグネシウム、アルミニウム、カリウム、カルシウム、チタン、クロム、鉄、マンガン、ニッケル、銅、亜鉛、鉛、及びコバルトの元素の濃度がそれぞれ１ｐｐｍ未満のものであることを特徴とする研磨組成物を提供する。
このような研磨組成物であれば、半導体基板の金属不純物汚染を抑制することができ、かつ、酸化ジルコニウムの機械的研磨作用と研磨組成物の化学的研磨作用の効果を調和させることで面ダレの影響を抑え、半導体基板の広い領域において高い平坦性を有する半導体ウェーハを生産性良く得ることができる。酸化ジルコニウムを砥粒として用いることで、ウェーハの平坦性を向上できる。酸化ジルコニウムにおいて、ジルコニウム元素以外の上記の金属元素の濃度が１ｐｐｍ未満であれば、研磨後の半導体基板から検出される金属不純物の濃度を、特に、それぞれ１．０×１０１０ａｔｏｍ／ｃｍ２未満に低減することができる。また、研磨組成物のｐＨが１１．０以上であることで、十分な化学的研磨作用が得られ、半導体基板の平坦性を向上できるとともに、高い研磨速度も得られる。研磨組成物のｐＨが１２．５未満であることで、化学的研磨作用が強くなり過ぎることが無く、面ダレの発生を抑制することができる。
このとき、前記酸化ジルコニウムの含有量が前記研磨組成物全体の０．１〜１０質量％であることが好ましい。
砥粒である酸化ジルコニウムの含有量が０．１質量％以上であれば、十分な研磨速度を得ることができる。酸化ジルコニウムの含有量が１０質量％以下であれば、半導体基板の表面にスクラッチなどの欠陥が発生し難い。
またこのとき、本発明の研磨組成物は、さらに、水溶性高分子としてノニオン性界面活性剤、又はアニオン性界面活性剤、あるいはこれらの両方を含むことが好ましい。
研磨組成物中に含まれている水溶性高分子は、半導体基板表面の被研磨表面との相互作用、及び砥粒であるジルコニウム酸化物の表面との相互作用により半導体基板の研磨面をスクラッチなどの欠陥から保護する効果及び酸化ジルコニウムの凝集を防止する効果がある。
このとき、本発明の研磨組成物は、前記ノニオン性界面活性剤として、ポリビニルピロリドン、ポリビニルアルコール、ポリアクリルアミド、ポリエチレングリコール、ポリオキシエチレンアルキルエーテル、及びポリエーテルのうち１種類以上を含有することが好ましい。
本発明では、上記のようなノニオン性界面活性剤を好適に用いることができる。
またこのとき、本発明の研磨組成物は、前記アニオン性界面活性剤として、ポリアクリル酸あるいはその塩、ポリスルホン酸あるいはその塩、及びポリカルボン酸あるいはその塩のうち１種類以上を含有することが好ましい。
本発明では、上記のようなアニオン性界面活性剤を好適に用いることができる。
このとき、前記水溶性高分子の含有量が研磨組成物全体の０．００１〜０．５質量％であることが好ましい。
研磨組成物全体に対する水溶性高分子の濃度が０．００１質量％以上であれば、上述した研磨砥粒の凝集抑制効果及び被研磨面の保護効果を十分に得ることができる。研磨組成物全体に対する水溶性高分子の濃度が０．５質量％以下であれば、研磨速度の低下及び研磨組成物の発泡を防止することができる。
またこのとき、本発明の研磨組成物が、さらに、酸化剤を含むことが好ましい。
研磨組成物が酸化剤を含むことにより、半導体基板の表面を酸化でき、研磨をより効果的に促進できる。
このとき、前記酸化剤の含有量が研磨組成物全体の０．０１〜１．０質量％であることが好ましい。
酸化剤の含有量が研磨組成物に対して０．０１質量％以上であれば、酸化剤による研磨の促進効果を十分に得られる。酸化剤の含有量が研磨組成物に対して１．０質量％以下であれば、化学的研磨作用が強くなり過ぎることが無く、面ダレの発生をより抑制することができる。
またこのとき、本発明の研磨組成物は、前記酸化剤として過酸化水素を含むことが好ましい。
本発明において、酸化剤として過酸化水素を使用することが好適である。
また、上記目的を達成するために、本発明は、上記のいずれかの研磨組成物を用いて半導体基板を研磨することを特徴とする研磨方法を提供する。
本発明の研磨組成を用いて半導体基板を研磨すれば、内周部だけでなく外周部の平坦性も高く、金属不純物による汚染が少ない半導体基板を研磨によって生産性良く得ることができる。
このとき、半導体基板を単結晶シリコン基板とすることができる。
本発明の研磨方法は、特に、単結晶シリコン基板の研磨に好適に使用される。
また、上記目的を達成するために、本発明は、砥粒として酸化ジルコニウムを含む研磨組成物の製造方法であって、前記酸化ジルコニウムとして、前記酸化ジルコニウム中に含まれるナトリウム、マグネシウム、アルミニウム、カリウム、カルシウム、チタン、クロム、鉄、マンガン、ニッケル、銅、亜鉛、鉛、及びコバルトの元素の濃度がそれぞれ１ｐｐｍ未満のものを準備する工程と、前記準備した酸化ジルコニウムを水に添加する工程と、前記酸化ジルコニウムを添加した溶液にｐＨ調整剤を添加することで、前記溶液のｐＨを１１．０以上１２．５未満に調整する工程とを含み、前記ｐＨを調製した後の溶液を用いて研磨組成物を製造することを特徴とする研磨組成物の製造方法を提供する。
このような製造方法によって、研磨速度を向上させ、半導体基板の内周部だけでなく外周部の平坦性も高くでき、金属不純物による汚染を少なくできる研磨組成物を製造することができる。
本発明によって、内周部だけでなく外周部の平坦性も高く、金属不純物による汚染が少ない半導体基板を生産性良く得ることができる。
本発明の研磨組成物の製造方法の一例を示したフロー図である。 本発明の研磨方法において使用できる片面研磨装置の一例を示した概略図である。
以下、本発明について実施の形態を説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。
本発明の研磨組成物は、砥粒として酸化ジルコニウムを含むスラリーであり、酸化ジルコニウム中に含まれるナトリウム、マグネシウム、アルミニウム、カリウム、カルシウム、チタン、クロム、鉄、マンガン、ニッケル、銅、亜鉛、鉛、及びコバルトの元素の濃度がそれぞれ１ｐｐｍ未満のものである。また、本発明の研磨組成物は、ｐＨが１１．０以上１２．５未満である。
砥粒として酸化ジルコニウムを使用することで、コロイダルシリカなどを砥粒として用いた場合よりも、高い研磨速度及び平坦性が得られる。また、酸化ジルコニウムにおいて、ジルコニウム元素以外の上記の金属元素の濃度が１ｐｐｍ未満であれば、研磨加工中に半導体基板へ金属不純物が拡散し難く、特に、研磨後の半導体基板から検出される金属不純物の濃度を、それぞれ１．０×１０１０ａｔｏｍ／ｃｍ２未満に低減することができる。また、研磨組成物のｐＨが１１．０以上であることで、十分な化学的研磨作用が得られ、半導体基板の平坦性を向上できるとともに、高い研磨速度も得られる。一方、ｐＨが１１．０未満であると研磨組成物の化学的研磨作用が不足し、半導体基板の平坦性を損なう。さらに、研磨速度が低下し生産性も悪化する。また、研磨組成物のｐＨが１２．５未満であることで、化学的研磨作用が強くなり過ぎることが無く、面ダレの発生を抑制することができる。一方、ｐＨが１２．５以上となると研磨組成物の化学的研磨作用が強くなりすぎて面ダレを促進することになり半導体基板の平坦性が低下する。
また、本発明の研磨組成物中において、酸化ジルコニウムの平均１次粒子径が５ｎｍ以上１００ｎｍ未満であることが好ましい。酸化ジルコニウムの１次粒子径が５ｎｍ以上であれば、十分な研磨速度を得ることができる。酸化ジルコニウムの１次粒子径が１００ｎｍ未満であれば、粒子が大きすぎないためスクラッチが発生し難い。
酸化ジルコニウムの１次粒子径は、透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）あるいは走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）により得られる粒子画像を計測し、粒子１００個以上の定方向最大径、即ちフェレ（Ｆｅｒｅｔ）径の平均値から計算される。酸化ジルコニウム粒子の粒度分布はこの粒径範囲内であることが好ましいが、特に制限されることはなく、目的に合わせ適宜変化させてよい。
また、酸化ジルコニウムの１次粒子の形状は特に限定されないが研磨傷の発生を抑制するために球形であることが好ましい。
酸化ジルコニウムの結晶構造については特に制限されず、アモルファス、単斜晶系、正方晶、立方晶系であっても良い。また、単一の結晶相であっても良いし、複数の結晶相を有していても良く、結晶構造は目的に応じ適宜選択できる。
酸化物ジルコニウムの含有量は研磨組成物全体に対して、０．１質量％以上１０質量％以下が好ましく、０．４質量％以上５質量％以下であることが特に望ましい。酸化物ジルコニウムの含有量が０．１質量％以上であれば、充分な研磨速度を得ることができる。また、酸化物ジルコニウムの含有量が１０質量％以下であれば、半導体基板にスクラッチ等の欠陥が発生し難い。
また、上述のように、本発明において、酸化ジルコニウム中に含まれるジルコニウム以外の上記のそれぞれの金属不純物の濃度は１ｐｐｍ未満である。このような、金属不純物の少ないナノサイズの酸化ジルコニウムは、特に限定されることはないが、例えば、溶媒抽出法などによって精製した原料（例えば、特許文献１、及び非特許文献１を参照）を用いた水熱合成法（例えば、特許文献２を参照）、加水分解法や沈殿法（例えば、特許文献３を参照）等により製造することができる。
また、上述のように本発明の研磨組成物のｐＨは１１．０以上１２．５未満である。研磨組成物のｐＨを１１．０以上１２．５未満とするために、本発明の研磨組成物にｐＨ調整剤を加えることができる。ｐＨ調整剤の種類は特に限定されず、水酸化カリウム水溶液や水酸化テトラメチルアンモニウム溶液、アンモニア水などが例示される。なお、ｐＨ調整剤としては、カリウム等のアルカリ金属やカルシウム等のアルカリ土類金属を含んでよい。これは、これらの金属は研磨組成物中の液相に含まれているのであれば、研磨工程後に半導体基板の洗浄を行うことで比較的容易に除去することが可能であるため、半導体基板に与える影響が少ないからである。
また、本発明の研磨組成物は水溶性高分子を含んでも良く、水溶性高分子としてノニオン性界面活性剤、又はアニオン性界面活性剤、あるいはこれらの両方を含むことが好ましい。ノニオン性界面活性剤としては、ポリビニルピロリドン、ポリビニルアルコール、ポリアクリルアミド、ポリエチレングリコール、ポリオキシエチレンアルキルエーテル、及びポリエーテルのうち１種類以上を含有することが好ましい。アニオン性界面活性剤としては、ポリアクリル酸あるいはその塩、ポリスルホン酸あるいはその塩、ポリカルボン酸あるいはその塩のうち１種類以上を含有することが好ましい。
研磨組成物中に含まれている水溶性高分子は、被研磨表面及び砥粒であるジルコニウム酸化物表面との相互作用により、酸化ジルコニウムの凝集防止や半導体基板の研磨面の保護等の効果を有する。このような効果によって、半導体基板の表面に研磨によるスクラッチ等の欠陥が発生し難くなる。なお、水溶性高分子の重合度及び分子量は特に制限されず、目的に応じ適宜選択できる。
水溶性高分子の含有量は研磨組成物全体に対して０．００１〜０．５質量％が好ましく、０．００５〜０．２質量％であることが特に好ましい。水溶性高分子の含有量が０．００１質量％以上であれば、上記のスクラッチの発生の抑制効果が十分に得られる。水溶性高分子の含有量が０．５質量％以下では研磨速度が低下し難いうえに、研磨組成物が発泡し難くなる。
また、本発明の研磨組成物は、さらに、酸化剤を含むことが好ましい。酸化剤としては、過酸化水素が好適に用いられる。このような酸化剤を含むことにより、半導体基板の表面を酸化でき、研磨をより効果的に促進できる。
このとき、酸化剤の含有量が研磨組成物全体の０．０１〜１．０質量％であることが好ましい。酸化剤の含有量が研磨組成物に対して０．０１質量％以上であれば、酸化剤による研磨の促進効果を十分に得られる。酸化剤の含有量が研磨組成物に対して１．０質量％以下であれば、化学的研磨作用が強くなり過ぎることが無く、面ダレの発生をより抑制することができる。
続いて、上記のような本発明の研磨組成物の製造方法について図１を参照して説明する。
まず、砥粒として酸化ジルコニウムの粒子を準備する（図１のＳ１）。この酸化ジルコニウムとしては、酸化ジルコニウム中に含まれるナトリウム、マグネシウム、アルミニウム、カリウム、カルシウム、チタン、クロム、鉄、マンガン、ニッケル、銅、亜鉛、鉛、及びコバルトの元素の濃度がそれぞれ１ｐｐｍ未満のものを準備する。酸化ジルコニウム中の、ジルコニウム以外の金属元素の濃度を測定するには、例えば、ＩＣＰ−ＭＳ分析（誘導結合プラズマ質量分析）を使用すればよい。
続いて、準備した酸化ジルコニウムを水に添加する（図１のＳ２）。
続いて、酸化ジルコニウムを水に添加して作製した溶液にｐＨ調整剤を添加することで、溶液のｐＨを１１．０以上１２．５未満に調整する（図１のＳ３）。ｐＨ調整剤の種類は特に限定されず、水酸化カリウム水溶液や水酸化テトラメチルアンモニウム溶液、アンモニア水などが例示される。
このようにしてｐＨを調製した後の溶液を用いて研磨組成物を製造する。なお、本発明の研磨組成物の製造方法では、上記の酸化ジルコニウム及びｐＨ調整剤を添加した溶液に、水溶性高分子や酸化剤を更に添加して研磨組成物を作製しても良い。水溶性高分子や酸化剤としては、上述した物質と同様の物質を使用すればよい。
次に、本発明の研磨組成物を用いた研磨方法を説明する。本発明の研磨組成物は粗研磨である１次研磨及び鏡面研磨である２次研磨のどちらの研磨工程にも好適に用いることができる。また、以下では、半導体基板を片面研磨する場合を例に説明するが、もちろんこれに限定されることはなく、本発明の研磨組成物は両面研磨や面取り部の研磨にも用いることができる。また、特に本発明の研磨方法は単結晶シリコンウェーハの研磨に好適に使用される。
片面研磨装置は、例えば、図２に示すように、研磨パッド４が貼り付けられた定盤３と、研磨組成物供給機構５と、研磨ヘッド２等から構成された片面研磨装置１０とすることができる。
このような研磨装置１０では、研磨ヘッド２で半導体基板Ｗを保持し、研磨組成物供給機構５から研磨パッド４上に本発明の研磨組成物１を供給するとともに、定盤３と研磨ヘッド２をそれぞれ回転させて半導体基板Ｗの表面を研磨パッド４に摺接させることにより研磨を行う。
このような本発明の研磨組成物を用いた研磨方法であれば、内周部だけでなく外周部の平坦性も高く、金属不純物による汚染が少ない半導体基板を生産性良く得ることができる。
以下、本発明の実施例及び比較例を示して本発明をより具体的に説明するが、本発明はこれら実施例に限定されるものではない。
（実施例１）
ＩＣＰ−ＭＳ分析により測定元素をナトリウム、マグネシウム、アルミニウム、カリウム、カルシウム、チタン、クロム、鉄、マンガン、ニッケル、銅、亜鉛、鉛、及びコバルトとして金属不純物濃度を測定し、各金属不純物濃度が１ｐｐｍ未満であった１次粒子径２６ｎｍの酸化ジルコニウムを、含有量が１．０質量％となるよう純水に分散させた。次に、酸化ジルコニウムを分散させた純水に、平均分子量１００００であるポリアクリル酸を含有量が０．０５質量％となるよう添加した。さらに、この溶液のｐＨが１１．５となるように水酸化カリウム溶液を加えた。以上のようにして、研磨組成物を作製した。
（実施例２）
ＩＣＰ−ＭＳ分析により測定元素をナトリウム、マグネシウム、アルミニウム、カリウム、カルシウム、チタン、クロム、鉄、マンガン、ニッケル、銅、亜鉛、鉛、及びコバルトとして金属不純物濃度を測定し、各金属不純物濃度が１ｐｐｍ未満であった１次粒子径２６ｎｍの酸化ジルコニウムを含有量が１．０質量％となるよう純水に分散させた。次に、酸化ジルコニウムを分散させた純水に、平均分子量６０００であるポリエチレングリコールを含有量が０．０７質量％となるよう添加した。さらに、溶液のｐＨが１１．５となるように水酸化カリウム溶液を加えた。以上のようにして、研磨組成物を作製した。
（実施例３）
ＩＣＰ−ＭＳ分析により測定元素をナトリウム、マグネシウム、アルミニウム、カリウム、カルシウム、チタン、クロム、鉄、マンガン、ニッケル、銅、亜鉛、鉛、及びコバルトとして金属不純物濃度を測定し、各金属不純物濃度が１ｐｐｍ未満であった１次粒子径２６ｎｍの酸化ジルコニウムを含有量が１．０質量％となるよう純水に分散させた。次に、酸化ジルコニウムを分散させた純水に、平均重合度１０００、けん化度８０〜９０ｍｏｌ％のポリビニルアルコールを、含有量が０．０７質量％となるよう添加した。さらに、過酸化水素を、含有量が１．０質量％となるよう添加した。その後、溶液のｐＨが１１．５となるように水酸化カリウム溶液を加えた。以上のようにして、研磨組成物を作製した。
（実施例４）
ＩＣＰ−ＭＳ分析により測定元素をナトリウム、マグネシウム、アルミニウム、カリウム、カルシウム、チタン、クロム、鉄、マンガン、ニッケル、銅、亜鉛、鉛、及びコバルトとして金属不純物濃度を測定し、各金属不純物濃度が１ｐｐｍ未満であった１次粒子径２６ｎｍの酸化ジルコニウムを含有量が１．０質量％となるよう純水に分散させた。次に、酸化ジルコニウムを分散させた純水に、平均分子量１００００であるポリアクリル酸を含有量が０．０５質量％となるよう添加した。さらに、溶液のｐＨが１１．０となるように水酸化カリウム溶液を加えた。以上のようにして、研磨組成物を作製した。
（実施例５）
ＩＣＰ−ＭＳ分析により測定元素をナトリウム、マグネシウム、アルミニウム、カリウム、カルシウム、チタン、クロム、鉄、マンガン、ニッケル、銅、亜鉛、鉛、及びコバルトとして金属不純物濃度を測定し、各金属不純物濃度が１ｐｐｍ未満であった１次粒子径２６ｎｍの酸化ジルコニウムを含有量が１．０質量％となるよう純水に分散させた。次に、酸化ジルコニウムを分散させた純水に、平均分子量１００００であるポリアクリル酸を含有量が０．０５質量％となるよう添加した。さらに、溶液のｐＨが１２．４となるように水酸化カリウム溶液を加えた。以上のようにして、研磨組成物を作製した。
（比較例１）
ＩＣＰ−ＭＳ分析により測定元素をナトリウム、マグネシウム、アルミニウム、カリウム、カルシウム、チタン、クロム、鉄、マンガン、ニッケル、銅、亜鉛、鉛、及びコバルトとして金属不純物濃度を測定し、各金属不純物濃度が１ｐｐｍ未満であった１次粒子径３４ｎｍのコロイダルシリカを含有量が１．０質量％となるよう純水に分散させた。次に、コロイダルシリカを分散させた純水に、平均分子量１００００であるポリアクリル酸を含有量が０．０５質量％となるよう添加した。さらに、溶液のｐＨが１１．５となるように水酸化カリウム溶液を加えた。以上のように、砥粒として、コロイダルシリカを使用した研磨組成物を作製した。
（比較例２）
ＩＣＰ−ＭＳ分析により測定元素をナトリウム、マグネシウム、アルミニウム、カリウム、カルシウム、チタン、クロム、鉄、マンガン、ニッケル、銅、亜鉛、鉛、及びコバルトとして金属不純物濃度を測定し、各金属不純物濃度がＭｇ：２０ｐｐｍ、Ｆｅ：１８ｐｐｍ、Ａｌ：１１ｐｐｍ、Ｔｉ：５ｐｐｍ、その他の金属元素がそれぞれ１ｐｐｍ未満である１次粒子径３０ｎｍの酸化ジルコニウムを含有量が１．０質量％となるよう純水に分散させた。次に、酸化ジルコニウムを分散させた純水に、平均分子量１００００であるポリアクリル酸を含有量が０．０５質量％となるよう添加した。さらに溶液のｐＨが１１．５となるように水酸化カリウム溶液を加えた。以上のようにして、酸化ジルコニウム中のＭｇ、Ｆｅ、Ａｌ、及びＴｉの元素の濃度が１ｐｐｍ以上である研磨組成物を作製した。
（比較例３）
ＩＣＰ−ＭＳ分析により測定元素をナトリウム、マグネシウム、アルミニウム、カリウム、カルシウム、チタン、クロム、鉄、マンガン、ニッケル、銅、亜鉛、鉛、及びコバルトとして金属不純物濃度を測定し、各金属不純物濃度がＦｅ：１ｐｐｍ、その他の金属元素がそれぞれ１ｐｐｍ未満である１次粒子径３０ｎｍの酸化ジルコニウムを含有量が１．０質量％となるよう純水に分散させた。次に、酸化ジルコニウムを分散させた純水に、平均分子量１００００であるポリアクリル酸を含有量が０．０５質量％となるよう添加した。さらに、溶液のｐＨが１１．５となるように水酸化カリウム溶液を加えた。以上のようにして、酸化ジルコニウム中のＦｅの元素の濃度が１ｐｐｍ以上である研磨組成物を作製した。
（比較例４）
ＩＣＰ−ＭＳ分析により測定元素をナトリウム、マグネシウム、アルミニウム、カリウム、カルシウム、チタン、クロム、鉄、マンガン、ニッケル、銅、亜鉛、鉛、及びコバルトとして金属不純物濃度を測定し、各金属不純物濃度が１ｐｐｍ未満であった１次粒子径２６ｎｍの酸化ジルコニウムを含有量が１．０質量％となるよう純水に分散させた。次に、平均分子量１００００であるポリアクリル酸を含有量が０．０５質量％となるよう添加した。さらに、溶液のｐＨが１０．５となるように水酸化カリウム溶液を加えた。以上のようにして、ｐＨが１１．０未満である研磨組成物を作製した。
（比較例５）
ＩＣＰ−ＭＳ分析により測定元素をナトリウム、マグネシウム、アルミニウム、カリウム、カルシウム、チタン、クロム、鉄、マンガン、ニッケル、銅、亜鉛、鉛、及びコバルトとして金属不純物濃度を測定し、各金属不純物濃度が１ｐｐｍ未満であった１次粒子径２６ｎｍの酸化ジルコニウムを含有量が１．０質量％となるよう純水に分散させた。次に、酸化ジルコニウムを分散させた純水に、平均分子量１００００であるポリアクリル酸を含有量が０．０５質量％となるよう添加した。さらに、溶液のｐＨが１２．８となるように水酸化カリウム溶液を加えた。以上のようにして、ｐＨが１２．５以上である研磨組成物を作製した。
実施例１〜５及び比較例１〜５の研磨組成物を用いて下記の研磨条件により直径１２インチ（３００ｍｍ）の単結晶シリコン基板の片面研磨を行った。研磨装置はＰｏｌｉ−７６２（Ｇ＆Ｐ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ， Ｉｎｃ．製）、研磨パッドとしてＩＣ１０００（ニッタ・ハース（株）製）を使用した。被研磨基板に加える加重を１９３ｇ／ｃｍ２とし、定盤回転数を７０ｒｐｍ、ヘッド回転数を７０ｒｐｍとし、研磨組成物の供給量を１００ｍＬ／ｍｉｎとした。
研磨終了後、研磨速度を算出した。また、外周除外領域を２ｍｍ、サイトサイズを２５ｍｍ×２５ｍｍとして研磨後の半導体基板のＳＦＱＲを測定した。また研磨後の半導体基板を公知であるＳＣ−１（２９％アンモニア水、３０％過酸化水素水、純水の混合溶液、体積比率 アンモニア水：過酸化水素水：純水＝１：１：１０、７５℃、５分浸漬）及びＳＣ−２（３０％塩酸、３０％過酸化水素水、純水の混合溶液、体積比率 塩酸：過酸化水素水：純水＝１：１：１０、７５℃、５分浸漬）によるＲＣＡ洗浄を行なった後、ＴＲＥＸ（全反射蛍光Ｘ線分析）により、測定元素をナトリウム、マグネシウム、アルミニウム、カリウム、カルシウム、チタン、クロム、鉄、マンガン、ニッケル、銅、亜鉛、鉛、及びコバルトとして基板表面の任意の５点を分析し金属不純物による汚染の確認を行った。
研磨速度、ＳＦＱＲの最大値、単結晶シリコン基板上の金属不純物の濃度について表１にまとめた。不純物は各測定元素の検出値について下記の基準に基づいた評価結果を示した。
○： １．０×１０１０ａｔｏｍ／ｃｍ２未満
△： １．０×１０１０以上１．０×１０１１ａｔｏｍ／ｃｍ２未満
×： １．０×１０１１ａｔｏｍ／ｃｍ２以上
Figure 2017005050
表１に示すように、実施例１〜５では、研磨後の半導体基板の表面から検出された各金属不純物の濃度は、１．０×１０１０ａｔｏｍ／ｃｍ２未満となり、研磨による半導体基板の不純物汚染を抑制することができた。また、実施例１〜５では、十分な研磨速度が得られ、且つ、特に半導体基板の外周部の面ダレが少ないためＳＦＱＲの最大値も低く抑えられ、良好な平坦性が得られた。
一方、表１に示すように、比較例１のように、砥粒としてコロイダルシリカを使用した場合、実施例に比べ研磨速度が遅いうえに、ＳＦＱＲの最大値が大きく、平坦性が悪化した。また、比較例２、３のように、ジルコニウム以外の金属元素の濃度が１ｐｐｍ以上である酸化ジルコニウムを砥粒として使用すると、研磨後の半導体基板の表面から金属不純物が１．０×１０１０ａｔｏｍ／ｃｍ２以上の濃度で検出され、実施例と比較して金属不純物による汚染が悪化した。また、比較例４のように、研磨組成物のｐＨが１１．０未満であると、化学的研磨作用が十分に得られず、研磨速度が低下した。また、比較例５のように、研磨組成物のｐＨが１２．５以上であると、化学的研磨作用が強くなりすぎて、面ダレを促進し、ＳＦＱＲの最大値が著しく大きくなった。
なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同一な構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなるものであっても本発明の技術的範囲に包含される。
１…研磨組成物、 ２…研磨ヘッド、 ３…定盤、
４…研磨パッド、 ５…研磨組成物供給機構、
１０…片面研磨装置、
Ｗ…半導体基板。

Claims (12)

  1. 砥粒として酸化ジルコニウムを含む研磨組成物であって、
    ｐＨが１１．０以上１２．５未満のものであり、前記酸化ジルコニウム中に含まれるナトリウム、マグネシウム、アルミニウム、カリウム、カルシウム、チタン、クロム、鉄、マンガン、ニッケル、銅、亜鉛、鉛、及びコバルトの元素の濃度がそれぞれ１ｐｐｍ未満のものであることを特徴とする研磨組成物。
  2. 前記酸化ジルコニウムの含有量が前記研磨組成物全体の０．１〜１０質量％であることを特徴とする請求項１に記載の研磨組成物。
  3. さらに、水溶性高分子としてノニオン性界面活性剤、又はアニオン性界面活性剤、あるいはこれらの両方を含むことを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の研磨組成物。
  4. 前記ノニオン性界面活性剤として、ポリビニルピロリドン、ポリビニルアルコール、ポリアクリルアミド、ポリエチレングリコール、ポリオキシエチレンアルキルエーテル、及びポリエーテルのうち１種類以上を含有することを特徴とする請求項３に記載の研磨組成物。
  5. 前記アニオン性界面活性剤として、ポリアクリル酸あるいはその塩、ポリスルホン酸あるいはその塩、及びポリカルボン酸あるいはその塩のうち１種類以上を含有することを特徴とする請求項３に記載の研磨組成物。
  6. 前記水溶性高分子の含有量が研磨組成物全体の０．００１〜０．５質量％であることを特徴とする請求項３から請求項５のいずれか１項に記載の研磨組成物。
  7. さらに、酸化剤を含むことを特徴とする請求項１から請求項６のいずれか１項に記載の研磨組成物。
  8. 前記酸化剤の含有量が研磨組成物全体の０．０１〜１．０質量％であることを特徴とする請求項７に記載の研磨組成物。
  9. 前記酸化剤として過酸化水素を含むことを特徴とする請求項７又は請求項８に記載の研磨組成物。
  10. 請求項１から請求項９のいずれか１項に記載の研磨組成物を用いて半導体基板を研磨することを特徴とする研磨方法。
  11. 前記半導体基板を単結晶シリコン基板とすることを特徴とする請求項１０に記載の研磨方法。
  12. 砥粒として酸化ジルコニウムを含む研磨組成物の製造方法であって、
    前記酸化ジルコニウムとして、前記酸化ジルコニウム中に含まれるナトリウム、マグネシウム、アルミニウム、カリウム、カルシウム、チタン、クロム、鉄、マンガン、ニッケル、銅、亜鉛、鉛、及びコバルトの元素の濃度がそれぞれ１ｐｐｍ未満のものを準備する工程と、
    前記準備した酸化ジルコニウムを水に添加する工程と、
    前記酸化ジルコニウムを添加した溶液にｐＨ調整剤を添加することで、前記溶液のｐＨを１１．０以上１２．５未満に調整する工程とを含み、
    前記ｐＨを調製した後の溶液を用いて研磨組成物を製造することを特徴とする研磨組成物の製造方法。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2018145261A (ja) * 2017-03-02 2018-09-20 株式会社フジミインコーポレーテッド 研磨用組成物及び研磨用組成物の製造方法
WO2020059782A1 (ja) * 2018-09-20 2020-03-26 関東化學株式会社 洗浄液組成物
CN115064670A (zh) * 2022-06-20 2022-09-16 中南大学 一种掺杂包覆改性的镍锰酸钠正极材料的制备方法

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20200010071A (ko) * 2018-07-20 2020-01-30 주식회사 동진쎄미켐 화학적 기계적 연마 조성물, 화학적 기계적 연마 슬러리 및 기판의 연마 방법
US11286403B2 (en) 2018-07-20 2022-03-29 Dongjin Semichem Co., Ltd Chemical mechanical polishing composition, chemical mechanical polishing slurry and method for polishing substrate
JP2021127285A (ja) * 2020-11-02 2021-09-02 第一稀元素化学工業株式会社 ジルコニア焼結体、及び、ジルコニア粉末

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001115144A (ja) * 1999-10-15 2001-04-24 Hitachi Chem Co Ltd 研磨材、基板の研磨方法及び半導体装置
JP2003100670A (ja) * 2001-09-27 2003-04-04 Catalysts & Chem Ind Co Ltd 研磨材
JP2006253420A (ja) * 2005-03-10 2006-09-21 Nomura Micro Sci Co Ltd 半導体研磨スラリー中の金属の定量方法
JP2007201187A (ja) * 2006-01-26 2007-08-09 Nitta Haas Inc 金属膜研磨用組成物および金属膜研磨用組成物の製造方法
WO2008047627A1 (fr) * 2006-10-19 2008-04-24 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Substrat à base de nitrure d'élément du groupe iii, substrat présentant une couche épitaxiale, procédé de fabrication de ces substrats et procédé de fabrication d'un élément semiconducteur
WO2013141225A1 (ja) * 2012-03-19 2013-09-26 株式会社 フジミインコーポレーテッド ラッピング加工用研磨材およびそれを用いた基板の製造方法
US20130313225A1 (en) * 2012-05-22 2013-11-28 Cabot Microelectronics Corporation Cmp composition containing zirconia particles and method of use
JP2015067774A (ja) * 2013-09-30 2015-04-13 株式会社フジミインコーポレーテッド 研磨用組成物およびその製造方法

Family Cites Families (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5038194B1 (ja) 1970-12-28 1975-12-08
JPH06171944A (ja) 1992-12-10 1994-06-21 Tosoh Corp 酸化ジルコニウム粉末を製造する方法
JP3062739B2 (ja) 1998-01-23 2000-07-12 工業技術院長 ジルコニウムの精製、回収方法
JP3062739U (ja) 1999-04-05 1999-10-15 游炎徴 早送り／速締めバイス
JP2001269859A (ja) 2000-03-27 2001-10-02 Jsr Corp 化学機械研磨用水系分散体
CN1451710A (zh) * 2002-04-12 2003-10-29 台湾永光化学工业股份有限公司 高速研磨金属层用化学机械研磨液组成物
US7005382B2 (en) 2002-10-31 2006-02-28 Jsr Corporation Aqueous dispersion for chemical mechanical polishing, chemical mechanical polishing process, production process of semiconductor device and material for preparing an aqueous dispersion for chemical mechanical polishing
JP2004266155A (ja) 2003-03-03 2004-09-24 Jsr Corp 化学機械研磨用水系分散体およびこれを用いた化学機械研磨方法ならびに半導体装置の製造方法
US7052373B1 (en) * 2005-01-19 2006-05-30 Anji Microelectronics Co., Ltd. Systems and slurries for chemical mechanical polishing
CN101410956B (zh) 2006-04-03 2010-09-08 Jsr株式会社 化学机械研磨用水系分散体和化学机械研磨方法
CN101547789A (zh) 2006-12-01 2009-09-30 阿克佐诺贝尔股份有限公司 包装层合材料
JP2008186898A (ja) 2007-01-29 2008-08-14 Nissan Chem Ind Ltd 研磨用組成物
JP2009164186A (ja) * 2007-12-28 2009-07-23 Fujimi Inc 研磨用組成物
JP5038194B2 (ja) 2008-03-07 2012-10-03 株式会社日本触媒 正方晶酸化ジルコニウムナノ粒子の製造方法
JP2010192556A (ja) 2009-02-17 2010-09-02 Fujifilm Corp 金属用研磨液、および化学的機械的研磨方法
KR101546695B1 (ko) * 2010-12-28 2015-08-25 생-고뱅 세라믹스 앤드 플라스틱스, 인코포레이티드 지르코니아 입자를 포함하는 폴리싱 슬러리 및 폴리싱 슬러리를 사용하는 방법
CN103402705B (zh) 2011-01-27 2017-08-08 福吉米株式会社 研磨材料和研磨用组合物
JP2013158884A (ja) 2012-02-06 2013-08-19 Raytex Corp 基板研磨装置
CN103849318A (zh) * 2012-11-29 2014-06-11 安集微电子（上海）有限公司 一种化学机械抛光液
KR101406763B1 (ko) 2012-12-04 2014-06-19 주식회사 케이씨텍 슬러리 조성물 및 첨가제 조성물
JP2015029001A (ja) 2013-07-30 2015-02-12 日立化成株式会社 Ｃｍｐ用研磨液及び研磨方法

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001115144A (ja) * 1999-10-15 2001-04-24 Hitachi Chem Co Ltd 研磨材、基板の研磨方法及び半導体装置
JP2003100670A (ja) * 2001-09-27 2003-04-04 Catalysts & Chem Ind Co Ltd 研磨材
JP2006253420A (ja) * 2005-03-10 2006-09-21 Nomura Micro Sci Co Ltd 半導体研磨スラリー中の金属の定量方法
JP2007201187A (ja) * 2006-01-26 2007-08-09 Nitta Haas Inc 金属膜研磨用組成物および金属膜研磨用組成物の製造方法
WO2008047627A1 (fr) * 2006-10-19 2008-04-24 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Substrat à base de nitrure d'élément du groupe iii, substrat présentant une couche épitaxiale, procédé de fabrication de ces substrats et procédé de fabrication d'un élément semiconducteur
WO2013141225A1 (ja) * 2012-03-19 2013-09-26 株式会社 フジミインコーポレーテッド ラッピング加工用研磨材およびそれを用いた基板の製造方法
US20130313225A1 (en) * 2012-05-22 2013-11-28 Cabot Microelectronics Corporation Cmp composition containing zirconia particles and method of use
JP2015067774A (ja) * 2013-09-30 2015-04-13 株式会社フジミインコーポレーテッド 研磨用組成物およびその製造方法

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2018145261A (ja) * 2017-03-02 2018-09-20 株式会社フジミインコーポレーテッド 研磨用組成物及び研磨用組成物の製造方法
WO2020059782A1 (ja) * 2018-09-20 2020-03-26 関東化學株式会社 洗浄液組成物
JP2020045453A (ja) * 2018-09-20 2020-03-26 関東化学株式会社 洗浄液組成物
JP7220040B2 (ja) 2018-09-20 2023-02-09 関東化学株式会社 洗浄液組成物
CN115064670A (zh) * 2022-06-20 2022-09-16 中南大学 一种掺杂包覆改性的镍锰酸钠正极材料的制备方法
CN115064670B (zh) * 2022-06-20 2024-02-09 中南大学 一种掺杂包覆改性的镍锰酸钠正极材料的制备方法

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