JP2009164186A - 研磨用組成物 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】砥粒、加工促進と、R−POE(式中、Rは分岐構造を有する炭素数10〜16のアルキル基を表し、POEはポリオキシエチレン鎖を表す)で表され、かつHLBが7〜12であるノニオン界面活性剤、アニオン界面活性剤、保護膜形成剤、酸化剤、および水を含んでなる研磨用組成物。
【選択図】なし
Description
(a)砥粒と、
(b)加工促進剤と、
(c)R−POE (I)
(式中、Rは分岐構造を有する炭素数10〜16のアルキル基を表し、POEはポリオキシエチレン鎖を表す)で表され、かつHLBが7〜12である少なくとも一種類のノニオン界面活性剤と、
(d)少なくとも一種類のアニオン界面活性剤と、
(e)前記ノニオン界面活性剤および前記アニオン界面活性剤とは異なる保護膜形成剤と、
(f)酸化剤と
(g)水と
を含んでなることを特徴とするものである。
(a)砥粒
本発明による研磨用組成物に用いる砥粒は従来知られている任意のものから選択することができるが、具体的には、二酸化ケイ素、酸化アルミニウム、酸化セリウム、酸化ジルコニウム、および酸化チタンからなる群より選ばれる少なくとも1種類であることが好ましい。
本発明による研磨用組成物は、少なくとも一種類の加工促進剤をさらに含んでなる。この加工促進剤は、金属層、特に銅層の研磨速度を促進するものである。その作用は、研磨により生じた金属イオンを捕捉することで、金属層の研磨を促進する。
本発明による研磨用組成物は、少なくとも一種類のノニオン界面活性剤を含んでなる。このノニオン界面活性剤は、研磨速度調整剤、およびディッシング抑制剤として機能するものである。本発明において用いられるノニオン界面活性剤は、以下の式(I)により表されるものである。
R−POE (I)
(式中、Rは分岐構造を有する炭素数10〜16のアルキル基を表し、POEはポリオキシエチレン鎖を表す。)
HLB=(親水部の式量の総和)/分子量)×20を用いて算出されたものである。
本発明による研磨用組成物はさらに、少なくとも一種類のアニオン界面活性剤を含んでなる。このアニオン界面活性剤は、前記したノニオン界面活性剤との組み合わせによりディッシング抑制の効果をより強めるものである。アニオン界面活性剤は、従来知られている任意のものから選択することができる。しかし、ノニオン界面活性剤との併用により、より強いディッシング抑制機能を発揮するものとして、下記式(IIa)または(IIb)で表されるアニオン界面活性剤が挙げられる。
R’−A (IIa)
R’−POA−A (IIb)
(式中、R’はアルキル基、アルキルフェニル基、およびアルケニル基からなる群から選択される基を表し、POAはポリオキシエチレン鎖、ポリオキシプロピレン鎖およびポリ(オキシエチレン・オキシプロピレン)鎖からなる群から選択されるポリオキシアルキレン鎖を表し、Aはアニオン性官能基を表す。)
ここで、ポリオキシアルキレン鎖を含む(IIb)のアニオン界面活性剤がより好ましい。
本発明による研磨用組成物は、保護膜形成剤をさらに含んでなる。この保護膜形成剤は金属層の腐食抑制剤として、例えば後述する酸化剤による金属層表面の腐食を抑制する機能するほか、ディッシング抑制剤としても機能するものである。このような保護膜形成剤としては、ベンゾトリアゾールおよびその誘導体、トリアゾールおよびその誘導体、テトラゾールおよびその誘導体、インドールおよびその誘導体、ならびにイミダゾールおよびその誘導体が挙げられる。これらのうちベンゾトリアゾールおよびその誘導体が特に好ましい。
本発明による研磨用組成物は酸化剤を含んでなる。この酸化剤は金属層の研磨を促進する作用を有するものである。酸化剤としては、過酸化水素、過硫酸、過ヨウ素酸、過塩素酸、過酢酸、過蟻酸及び硝酸、並びにそれらの塩のうち少なくとも1種が挙げられるが、安価でかつ金属不純物の少ないものを容易に入手できることから、過酸化水素が好ましい。
本発明による研磨用組成物は、各成分を分散または溶解するための溶媒として、水を含んでなる。水は、他の成分の作用を阻害することを抑制するという観点から、不純物をできる限り含有しない水が好ましく、具体的には、イオン交換樹脂にて不純物イオンを除去した後、フィルタを通して異物を除去した純水や超純水、または蒸留水が好ましい。
本発明による研磨用組成物には、必要に応じてその他の成分としてキレート剤、増粘剤、乳化剤、防錆剤、防腐剤、防黴剤、消泡剤等を情報に従って含有させることも可能である。
研磨用組成物として、砥粒としてのコロイダルシリカ、加工促進剤としてのグリシン、酸化剤としての過酸化水素、アニオン界面活性剤、ノニオン界面活性剤、保護膜形成剤を、表1に示すとおりに配合して研磨用組成物を調製した。
得られた研磨用組成物を用いて、下記の研磨条件1に従い、研磨速度を評価した。
<研磨条件1>
研磨機:片面CMP用研磨機(Reflexion LK;アプライドマテリアルズ社製)、
被研磨物:Cuブランケットウエハ(直径300mm)
研磨パッド:ポリウレタン製の積層研磨パッド(商品名IC−1010、ローム・アンド・ハース社製)、
研磨圧力:0.9psi(=約6.2kPa)、
定盤回転数:100rpm、
研磨用組成物の供給速度:300ml/min、
キャリアー回転数:100rpm
<研磨速度の計算式>
研磨速度[nm/min]=(研磨加工前のブランケットウエハの厚み[nm]−研磨加工後のブランケットウエハの厚み[nm])÷研磨時間[min]
Cuパターンウエハ表面に、各例の研磨用組成物を用いて下記研磨条件2によりCu残膜300nmまで研磨を施した。上記研磨後、銅パターンウエハ表面に、各例の研磨用組成物を用いるとともに下記研磨条件3によりバリア膜が露出するまで研磨を施した。次いで、第2研磨後の銅パターンウエハ表面の100μm幅の孤立配線部において、原子間力顕微鏡(商品名WA−1300、日立建機ファインテック株式会社製)を用いてディッシング量を測定した。ディッシング量は、(◎)15nm未満、(○)15nm以上30nm未満、(△)30nm以上50nm未満、(×)50nm以上の4段階で評価した。得られた結果は表2に示すとおりであった。
研磨機:片面CMP用研磨機(Reflexion LK;アプライドマテリアルズ社製)、
被研磨物:Cuパターン付ウエハ(ATDF社製、754マスクパターン、成膜厚さ10000Å、初期凹溝5000Å)、
研磨パッド:ポリウレタン製の積層研磨パッド(商品名IC−1010、ローム・アンド・ハース社製)、
研磨圧力:2psi(=約14kPa)、
定盤回転数:100rpm、
研磨用組成物の供給速度:200ml/min、
キャリアー回転数:100rpm
研磨機:片面CMP用研磨機(Reflexion LK;アプライドマテリアルズ社製)、
被研磨物:Cuパターン付ウエハ(ATDF社製、754マスクパターン、成膜厚さ10000Å、初期凹溝5000Å)、
研磨パッド:ポリウレタン製の積層研磨パッド(IC−1010;ローム・アンド・ハース社製)、
研磨圧力:0.7psi(=約4.8kPa)、
定盤回転数:100rpm、
研磨用組成物の供給速度:300ml/min、
キャリアー回転数:100rpm
研磨用組成物の調製直後に紫外可視分光光度計(商品名UV−2450、株式会社島津製作所製)を用いて波長250nm〜900nmまでの透過率を求めた。次いで、研磨用組成物を80℃において密閉容器にて4日間保存し前記と同様にして透過率を求めた。続いて、下記計算式で計算される透過率の低下率により分散安定性を評価した。分散安定性については、透過率の低下率に基づき3段階で評価し、良好なものから順に(○)2%未満、(△2%以上5%未満、(×)5%以上とした。得られた結果は表2に示すとおりであった。
透過率の低下率 [%] : [(調製直後の波長250〜900nmの透過率の積分値)−(80℃4日保管後の波長250〜900nmの透過率の積分値)]/(調製直後の波長250〜900nmの透過率の積分値)*100
Claims (5)
- (a)砥粒と、
(b)加工促進剤と、
(c)R−POE (I)
(式中、Rは分岐構造を有する炭素数10〜16のアルキル基を表し、POEはポリオキシエチレン鎖を表す)で表され、かつHLBが7〜12である少なくとも一種類のノニオン界面活性剤と、
(d)少なくとも一種類のアニオン界面活性剤と、
(e)前記ノニオン界面活性剤および前記アニオン界面活性剤とは異なる保護膜形成剤と、
(f)酸化剤と、
(g)水と
を含んでなることを特徴とする研磨用組成物。 - 前記保護膜形成剤(e)が、ベンゾトリアゾールおよびその誘導体からなる群から選択されるものである、請求項1に記載の研磨用組成物。
- 前記保護膜形成剤(e)が、1−[ビス(2−ヒドロキシエチル)アミノメチル]−4−メチルベンゾトリアゾール、または1−[ビス(2−ヒドロキシエチル)アミノメチル]−5−メチルベンゾトリアゾールである、請求項2に記載の研磨用組成物。
- 前記砥粒の平均1次粒子径が5〜40nmである、請求項1〜3のいずれか1項に記載の研磨用組成物。
- 前記加工促進剤(b)が、カルボン酸およびアミノ酸からなる群から選ばれる少なくとも一種である、請求項1〜4のいずれか1項に記載の研磨用組成物。
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012104749A (ja) * | 2010-11-12 | 2012-05-31 | Nitta Haas Inc | 研磨用スラリー |
JP2015067833A (ja) * | 2013-09-26 | 2015-04-13 | シーバイエス株式会社 | 自動食器洗浄機用洗浄剤組成物およびその使用方法 |
Families Citing this family (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5587620B2 (ja) * | 2010-01-25 | 2014-09-10 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | 研磨用組成物及びそれを用いた研磨方法 |
JP5630385B2 (ja) * | 2010-06-30 | 2014-11-26 | セントラル硝子株式会社 | 保護膜形成用薬液及びウェハ表面の洗浄方法 |
JP5544244B2 (ja) * | 2010-08-09 | 2014-07-09 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | 研磨用組成物および研磨方法 |
US9070632B2 (en) * | 2010-10-07 | 2015-06-30 | Basf Se | Aqueous polishing composition and process for chemically mechanically polishing substrates having patterned or unpatterned low-k dielectric layers |
EP2666833A1 (en) * | 2012-05-23 | 2013-11-27 | Basf Se | A process for the manufacture of semiconductor devices comprising the chemical mechanical polishing (cmp) of iii-v material in the presence of a cmp composition comprising a specific non-ionic surfactant |
CN104109480A (zh) * | 2013-04-18 | 2014-10-22 | 天津西美半导体材料有限公司 | 双面抛光机用蓝宝石衬底抛光液 |
KR101470979B1 (ko) * | 2013-07-05 | 2014-12-10 | 주식회사 케이씨텍 | 첨가제 조성물 및 이를 포함하는 슬러리 조성물 |
KR101483452B1 (ko) * | 2013-11-06 | 2015-01-16 | 주식회사 케이씨텍 | 슬러리 조성물 |
CN103937414B (zh) * | 2014-04-29 | 2018-03-02 | 杰明纳微电子股份有限公司 | 一种计算机硬盘盘基片的精抛光液 |
TW202003783A (zh) * | 2014-07-15 | 2020-01-16 | 德商巴斯夫歐洲公司 | 化學機械研磨組成物 |
JP2017005050A (ja) * | 2015-06-08 | 2017-01-05 | 信越化学工業株式会社 | 研磨組成物及びその製造方法並びに研磨方法 |
EP3455394B1 (en) | 2016-05-10 | 2023-04-05 | BL Technologies, Inc. | Nitrogen substituted aromatic triazoles as corrosion control agents |
WO2018168206A1 (ja) * | 2017-03-14 | 2018-09-20 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | 研磨用組成物、その製造方法ならびにこれを用いた研磨方法および基板の製造方法 |
CN112714787B (zh) * | 2019-03-22 | 2022-08-19 | 株式会社大赛璐 | 半导体布线研磨用组合物 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004247605A (ja) * | 2003-02-14 | 2004-09-02 | Toshiba Corp | Cmp用スラリーおよび半導体装置の製造方法 |
JP2005109256A (ja) * | 2003-09-30 | 2005-04-21 | Fujimi Inc | 研磨用組成物 |
JP2006502579A (ja) * | 2002-10-11 | 2006-01-19 | キャボット マイクロエレクトロニクス コーポレイション | 両親媒性非イオン性界面活性剤を利用したcmp法 |
JP2006106616A (ja) * | 2004-10-08 | 2006-04-20 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | ホトレジスト除去用処理液および基板の処理方法 |
Family Cites Families (36)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5428721A (en) * | 1990-02-07 | 1995-06-27 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Data processing apparatus for editing image by using image conversion |
US5391258A (en) * | 1993-05-26 | 1995-02-21 | Rodel, Inc. | Compositions and methods for polishing |
US5575885A (en) * | 1993-12-14 | 1996-11-19 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Copper-based metal polishing solution and method for manufacturing semiconductor device |
JP3397501B2 (ja) * | 1994-07-12 | 2003-04-14 | 株式会社東芝 | 研磨剤および研磨方法 |
US5858813A (en) * | 1996-05-10 | 1999-01-12 | Cabot Corporation | Chemical mechanical polishing slurry for metal layers and films |
US5954997A (en) * | 1996-12-09 | 1999-09-21 | Cabot Corporation | Chemical mechanical polishing slurry useful for copper substrates |
US6126853A (en) * | 1996-12-09 | 2000-10-03 | Cabot Microelectronics Corporation | Chemical mechanical polishing slurry useful for copper substrates |
US6309560B1 (en) | 1996-12-09 | 2001-10-30 | Cabot Microelectronics Corporation | Chemical mechanical polishing slurry useful for copper substrates |
US5759917A (en) * | 1996-12-30 | 1998-06-02 | Cabot Corporation | Composition for oxide CMP |
US6432828B2 (en) * | 1998-03-18 | 2002-08-13 | Cabot Microelectronics Corporation | Chemical mechanical polishing slurry useful for copper substrates |
CA2342332A1 (en) | 1998-08-31 | 2000-03-09 | Hiroki Terazaki | Abrasive liquid for metal and method for polishing |
JP4053165B2 (ja) * | 1998-12-01 | 2008-02-27 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | 研磨用組成物およびそれを用いた研磨方法 |
AU1804300A (en) | 1998-12-28 | 2000-07-31 | Hitachi Chemical Company, Ltd. | Materials for polishing liquid for metal, polishing liquid for metal, method forpreparation thereof and polishing method using the same |
CA2378771A1 (en) * | 1999-08-13 | 2001-02-22 | Cabot Microelectronics Corporation | Chemical mechanical polishing systems and methods for their use |
TW501197B (en) | 1999-08-17 | 2002-09-01 | Hitachi Chemical Co Ltd | Polishing compound for chemical mechanical polishing and method for polishing substrate |
US7232529B1 (en) | 1999-08-26 | 2007-06-19 | Hitachi Chemical Company, Ltd. | Polishing compound for chemimechanical polishing and polishing method |
US6872329B2 (en) * | 2000-07-28 | 2005-03-29 | Applied Materials, Inc. | Chemical mechanical polishing composition and process |
KR100481651B1 (ko) * | 2000-08-21 | 2005-04-08 | 가부시끼가이샤 도시바 | 화학 기계 연마용 슬러리 및 반도체 장치의 제조 방법 |
JP2002075927A (ja) * | 2000-08-24 | 2002-03-15 | Fujimi Inc | 研磨用組成物およびそれを用いた研磨方法 |
JP2002110596A (ja) * | 2000-10-02 | 2002-04-12 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体加工用研磨剤およびこれに用いる分散剤、並びに上記半導体加工用研磨剤を用いた半導体装置の製造方法 |
KR100398141B1 (ko) * | 2000-10-12 | 2003-09-13 | 아남반도체 주식회사 | 화학적 기계적 연마 슬러리 조성물 및 이를 이용한반도체소자의 제조방법 |
JP2002155268A (ja) | 2000-11-20 | 2002-05-28 | Toshiba Corp | 化学的機械的研磨用スラリ及び半導体装置の製造方法 |
JP2002164307A (ja) * | 2000-11-24 | 2002-06-07 | Fujimi Inc | 研磨用組成物およびそれを用いた研磨方法 |
JP2002231666A (ja) * | 2001-01-31 | 2002-08-16 | Fujimi Inc | 研磨用組成物およびそれを用いた研磨方法 |
SG144688A1 (en) * | 2001-07-23 | 2008-08-28 | Fujimi Inc | Polishing composition and polishing method employing it |
US20050028449A1 (en) | 2001-09-03 | 2005-02-10 | Norihiko Miyata | Polishing composition |
US20030219982A1 (en) * | 2002-05-23 | 2003-11-27 | Hitachi Chemical Co., Ltd | CMP (chemical mechanical polishing) polishing liquid for metal and polishing method |
US6974777B2 (en) * | 2002-06-07 | 2005-12-13 | Cabot Microelectronics Corporation | CMP compositions for low-k dielectric materials |
AU2003274895A1 (en) | 2002-06-07 | 2003-12-22 | Showa Denko K.K. | Metal polish composition, polishing method using the composition and method for producing wafer using the polishing method |
JP4083502B2 (ja) * | 2002-08-19 | 2008-04-30 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | 研磨方法及びそれに用いられる研磨用組成物 |
JP3981616B2 (ja) * | 2002-10-02 | 2007-09-26 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | 研磨用組成物 |
US6896591B2 (en) * | 2003-02-11 | 2005-05-24 | Cabot Microelectronics Corporation | Mixed-abrasive polishing composition and method for using the same |
US7485162B2 (en) * | 2003-09-30 | 2009-02-03 | Fujimi Incorporated | Polishing composition |
JP2005209953A (ja) * | 2004-01-23 | 2005-08-04 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | 剥離洗浄液、該剥離洗浄液を用いた半導体基板洗浄方法および金属配線形成方法 |
JP2006086462A (ja) * | 2004-09-17 | 2006-03-30 | Fujimi Inc | 研磨用組成物およびそれを用いた配線構造体の製造法 |
SG139699A1 (en) * | 2006-08-02 | 2008-02-29 | Fujimi Inc | Polishing composition and polishing process |
-
2007
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Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006502579A (ja) * | 2002-10-11 | 2006-01-19 | キャボット マイクロエレクトロニクス コーポレイション | 両親媒性非イオン性界面活性剤を利用したcmp法 |
JP2004247605A (ja) * | 2003-02-14 | 2004-09-02 | Toshiba Corp | Cmp用スラリーおよび半導体装置の製造方法 |
JP2005109256A (ja) * | 2003-09-30 | 2005-04-21 | Fujimi Inc | 研磨用組成物 |
JP2006106616A (ja) * | 2004-10-08 | 2006-04-20 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | ホトレジスト除去用処理液および基板の処理方法 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012104749A (ja) * | 2010-11-12 | 2012-05-31 | Nitta Haas Inc | 研磨用スラリー |
JP2015067833A (ja) * | 2013-09-26 | 2015-04-13 | シーバイエス株式会社 | 自動食器洗浄機用洗浄剤組成物およびその使用方法 |
Also Published As
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