KR20010052718A - 금속 ｃｍｐ에서 광택화를 위한 조성물 및 방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명에서는 금속층(예. 텅스텐, 알루미늄 또는 구리), 배리어층(예. 탄탈, 탄탈 니트리드, 티탄 또는 티탄 니트리드) 및 절연층(예. SiO2)을 함유하는 복합 반도체 구조체를 광택내기 위한 조성물이 제공된다. 상기 조성물은 수성 매질, 연마제, 산화제, 5 이상의 중합도를 가지며 실리콘 이산화물 표면 상에 함유된 표면 기에 친화성을 가지는 다수의 잔기를 가지는 산화물 필름의 제거를 약화시키는 유기 중합체를 포함한다. 상기 조성물은 착화제 및(또는) 분산제를 임의로 포함할 수 있다.

Description

금속 ＣＭＰ에서 광택화를 위한 조성물 및 방법 {Composition and Method for Polishing in Metal CMP}
본 발명은 1998년 6월 10일에 출원되어 동시 계류중인 가출원 제60/088,849호에 대한 우선권을 주장한다.
화학적/기계적 평탄화(또는 광택화) 또는 CMP는 집적 회로의 생산 과정에서 반도체 기판의 표면으로부터 다양한 박막을 제거(평탄화)하기 위해 반도체 공업에서 사용되는 가능 기술이다. 이 기술의 초기 응용은 유전체 필름(예. SiO2)의 광택화에 촛점을 맞추었던 반면, 회로 인터커넥트(interconnect)에 사용되는 금속 필름의 광택화는 급속한 성장을 하고 있다. 현재, 텅스텐 및 알루미늄이 인터커넥트 구조에 사용되는 가장 흔한 금속이다. 그러나, 저-k 유전체와 커플링된 구리 인터커넥트가 칩 속도의 증가, 필요한 금속층 수의 감소, 전력 손실의 최소화 및 제조 비용의 감소에 대한 잠재성을 지닌다 (Al/SiO2와 비교하여).
그러나, 구리 인터커넥트의 성공적인 통합과 관련된 도전은 사소한 것이 아니다. 전형적인 구리 인터커넥트 구조는 실리콘 기판 위에 형성된 실리콘 이산화물(전형적으로 깊이 10,000 옹스트롬 및 너비 1-100 미크론)로 된 트렌치(trench)를 함유한다. (구리의 유전체 구조 내로의 확산을 억제할 뿐 아니라 구리의 접착성을 개선시키기 위해 사용되는) 배리어층 물질은 트렌치가 형성된 후에 전형적으로 침착되며, 통상적으로 탄탈, 탄탈 니트리드, 티탄 또는 티탄 니트리드 중 어느 하나로 구성된다. 이 배리어 물질 또한 트렌치 위의 수평 유전체 표면 상에 침착된다. 배리어층은 전형적으로 1000 옹스트롬 미만의 두께를 가진다. 이어 트렌치 구조를 충진시키기 위해 이 구조의 꼭대기에 화학적 증기 침착 또는 전기도금에 의해 구리를 침착시킨다. 트렌치의 완전한 충진을 보장하기 위해, 10,000 내지 15,000 옹스트롬의 구리 덧층이 통상적으로 요구된다. 이어 CMP를 사용하여 트렌치 상부의 구리 복토(overburden) 및 트렌치 위의 수평 배리어 물질을 제거한다. 이를 성공적으로 및 경제적으로 수행하기 위해, 구리 제거는 가급적 빨라야 하며, 전형적으로 3000 옹스트롬/분보다 빨라야 한다. 또한, 트렌치 내부의 구리의 제거(전형적으로 "디싱(dishing)"이라 함)를 피하기 위해, 구리 필름의 제거 속도에 필적하는 속도로 배리어층을 제거하는 것이 필요하다. 또한, 배리어층 밑의 SiO2필름의 붕괴(전형적으로 "부식"이라 함)를 피하고 전체적인 평탄화를 개선시키기 위해, 밑에 있는 유전체 필름의 제거 속도는 가급적 낮아야 한다. 요약하면, 배리어 필름(탄탈, 탄탈 니트리드, 티탄 또는 티탄 니트리드)의 제거 속도에 대한 선택성은 구리 필름에 비해 높아야 하는 반면, 유전체 필름(SiO2)의 제거 속도에 대한 선택성은 낮아야 한다 (바람직하게는 ＜ 100:1).
이 요건을 만족시키기 위해, 두 가지의 상이한 슬러리를 사용하는 2단계 광택화 공정이 제안되어 왔다. 미국 특허 제5,676,587호에서는 먼저 (1) 대부분의 금속 필름(텅스텐 또는 구리와 같은)을 제거하기 위한 슬러리 및 두번째로 (2) 배리어 필름을 제거하기 위한 슬러리를 사용하는 2단계 공정인 "티탄, 티탄 니트리드, 탄탈 및 탄탈 니트리드에 대한 선택적 광택화 공정"이 제안되었다.
CMP 공정 동안의 실리콘 이산화물의 제거 속도를 억제하기 위해, 실리콘 이산화물 표면을 표면안정화(passivation)하는 다양한 첨가제가 이전에 제안되었다. 미국 특허 제5,614,444호에서는 하나 이상의 극성 성분 및 하나의 비극성 성분을 포함하는 첨가제인 "금속 CMP에서 선택도를 향상시키기 위한 실리카-기재 슬러리와 함께 첨가제를 사용하는 방법"이 산화물 제거를 억제하기 위해 제안되었다. 이 특허는 극성 및 비극성기 모두를 함유하고, 음이온성(포타슘 부틸술페이트), 양이온성(테트라부틸 수산화암모늄) 또는 비이온성(부탄올)인 수 가지의 화합물을 열거한다. 그러나, 이 특허는 필수 요건으로서 극성 및 비극성 성분(기)가 모두 존재할 것을 요구한다.
미국 특허 제5,876,490호에서는 고분자전해질을 사용하여 슬러리 중의 연마성 입자를 코팅한다. 고분자전해질은 슬러리에 정상 응력 효과를 부여한다. 용액 중에서, 고분자전해질은 정상 응력 효과를 나타내며, 연마성 입자 상의 그들의 흡착은 압자에 동일한 작용을 부여한다.
미국 특허 제5,876,490호에서는, 평탄화를 이루기 위해, 연마 현탁액 중의 고분자전해질의 양을, 입자의 일부가 고분자전해질로 코팅되고 연마 입자의 다른 일부는 코팅되지 않고 남아있도록 선택된다. 이를 달성하기 위해, 고분자전해질의 중량%는 슬러리 중의 연마 입자의 약 5 내지 약 50 중량%, 바람직하게는 약 15 내지 약 30 중량%, 가장 바람직하게는 약 20 중량%이어야 한다. 이들 비율은 연마 입자 및 고분자전해질의 상대적인 크기에 다소 의존한다.
고분자전해질을 함유하는 미국 특허 제5,876,490호의 슬러리 조성물은 바람직하게는, 연마 입자를 이미 함유하는 슬러리에 고분자전해질을 첨가함으로써 연마 입자의 일부를 "즉석에서(in situ)" 코팅함으로써 제조된다. 또다른 과정에서, 연마 입자의 일부를 예비코팅한 후, 코팅되지 않을 잔여 연마 입자를 함유하는 슬러리와 부가혼합할 수 있다. 또한, 연마 입자의 일부를 예비처리하여 슬러리로부터의 고분자전해질의 흡착이 더 용이하도록 하는 것이 바람직할 수 있다.
미국 특허 제5,391,258호, 5,476,606호, 5,738,800호, 5,770,103호는 CMP 슬러리 중에서 실리콘 이산화물의 제거를 약화시키는 화합물을 기술한다. 이들 특허는 본 명세서에 참고로서 인용되었으며 본 명세서의 일부로서 포함된다.
본 발명의 요약
본 발명은 놀랍게도 금속 CMP 과정에서 산화물 필름의 제거를 약화시키는 것으로 밝혀진 하나 이상의 유기 중합체에 관한 것으로서, 이전 슬러리들에 대한 개선점을 제공한다. 이 유기 중합체는 탄소 주쇄(backbone) 및 이 주쇄로부터 연장되는 기능적 잔기를 함유하는 고분자량 유기 중합체이다. 상기 기능적 잔기는 상당한 정도로 실리콘 이산화물 필름의 제거를 억제하는 보호층을 제공하기 위해 실리콘 이산화물 표면과 강하게 상호작용한다. 기능적 잔기 및 히드록실 표면 사이의 상호작용의 기작은, 비록 제한적이지는 않지만, 극성 종(species)의 수소 결합에서 관찰되는 것(히드록실기의 상호작용과 같은)이다. 유기 중합체는 3(즉, 3 개의 단량체 단위가 분자 내로 중합됨) 이상, 더욱 바람직하게는 10 초과, 가장 바람직하게는 50 초과의 중합도를 가지는 고분자량 유기 물질로서 추가로 정의된다. 유기 중합체는 실리콘 이산화물 표면 상에 함유된 표면 기(즉, 실라놀 및 실록산)에 친화성을 가지는 다수의 잔기를 포함한다. 이들 잔기는 흔히 극성 잔기로서, 예를 들어 히드록시, 카르복시, 카르보닐, 알콕시, 술포닐 및 포스포닐과 같은 것이지만 이에 한정되지는 않는다. 이 유형의 유기 중합체 분자의 예로는 폴리-비닐 알코올, 폴리-비닐피롤리돈, 폴리-메틸 메타크릴레이트, 폴리-포름알데히드, 폴리-에틸렌 옥시드, 올리-에틸렌 글리콜 및 폴리-메타크릴산이 포함된다.
이들 동일한 화합물 중 다수가 코팅 연마 입자용으로 유용하다고 상기 미국 특허 제5,876,490호에 언급되었다. 실리콘 이산화물 속도 억제제로서의 그들의 용도는 '490에 언급되지 않았다. 더구나, 본 발명의 고분자전해질은 슬러리 중의 연마 입자의 약 5 중량% 미만의 농도에서 실리콘 이산화물 속도 억제제로서 유효하다고 밝혀졌다. 이들은 약 10,000 초과의 분자량을 가질 때 유효한 것으로 또한 밝혀졌다.
본 발명의 또다른 면은 금속 및 절연체를 포함하는 기판을 광택내는 방법으로서, 여기서 기판을 광택화 패드에 대해 프레스하고 기판 및 패드를 서로에 대해 이동시키며 광택화 조성물을 광택화 작업 동안 상기 패드에 적용한다. 본 발명의 광택 조성물은 그러한 방법을 위해 유용하다.
본 특허에 기술된 발명은 집적 회로 표면, 특히 금속, 배리어층 및 절연층을 포함하는 것의 광택화 및 평탄화에 관한 것이다.
본 발명에 사용되는 슬러리를 하기 일반적인 프로토콜을 사용하여 제조하였다. 각 경우에, 화학적 첨가제를 먼저 탈이온수에 녹인다. 모든 화학적 첨가제를 탈이온수에 녹인 후, pH를 요망 수준으로 조정한다. 별도의 용기에서, 탈이온수 중 무기 산화물 연마 입자가 포함된 연마 패키지를 혼합한다. 연마 패키지의 pH 또한 요망 수준으로 조정한다. 슬러리 제제 제조의 마지막 단계는 수성 화학 패키지와 수성 연마 패키지를 혼합하는 것이다. 선행기술과는 반대로, 특별한 연마 흡착제 요건 없이도 고분자전해질 첨가제를 이 수용액에 첨가할 수 있다.
전형적으로는, 화학적 첨가제의 목록은 산화제, 본 발명의 유기 중합체 제거 속도 억제제 및 임의로 착화제 및(또는) 분산제를 포함한다. 이 화학적 패키지의 혼합 순서는, 모든 첨가제가 완전히 용해되도록 선택될 필요가 있다.
문헌["Advanced Inorganic Chemistry", F.A.Cotton and G.Wilkinson, 3rd ed., Wiley Interscience]에 정의된 착물은 다음과 같다. " '배위 화합물' 및 '착물'이라는 용어는, 중앙의 원자가 한 세트의 외부 또는 리간드 원자에 둘러싸임으로써 시스템의 에너지를 낮추는(즉, E＞0 및(또는) G＜0), 전하 또는 비전하의 모든 종을 포괄하는 광범위한 의미로 정의될 수 있다. 중성 착물의 일 예는 SF6로서, 여기서 중앙의 S 원자가 6개의 F 원자에 의해 8면체 배위로 둘러싸인다. 양성 착이온의 예는 [Cu(NH3)4]2+로서, 여기서 중앙의 Cu 원자가 4개의 NH3분자에 의해 4면체 배위로 둘러싸인다. 음성 착이온의 예는 [Cu(Cl)5]3-로서, 여기서 중앙의 Cu 원자가 5개의 Cl 원자에 의해 5각 쌍피라미드 배위로 둘러싸인다." 본 발명의 슬러리에서 착화제로서 불리는 흔한 리간드의 예는 아세트산, 시트르산, 에틸 아세토아세테이트, 글리콜산, 글리옥실산, 락트산, 말산, 옥살산, 살리실산, 소듐 디에틸디티오카바메이트, 숙신산, 타르타르산, 티오글리콜산, 글리신, 알라닌, 아스파르트산, 에틸렌 디아민, 트리메틸렌 디아민, 1,2-에탄디티올, 1,4-디티오쓰레이톨, 비스(메틸티오)메탄, 디메틸디티오카바메이트, 5-메틸-3,4-티아디아졸-2-티올, 말론산, 글루테르산, 3-히드록시부티르산, 프로프리온산, 프탈산, 이소프탈산, 3-히드록시 살리실산, 3,5-디히드록시 살리실산 및 갈산이다.
본 발명의 슬러리는 분산제를 임의로 포함할 수 있다.
본 발명의 조성물 중의 산화제는 니트레이트, 요오데이트, 클로레이트, 퍼클로레이트, 클로라이트, 술페이트, 퍼술페이트, 퍼옥시드, 오존화 수(ozonated water) 및 산소화 수(oxygenated water)와 같은 흔한 산화제 중 임의의 것을 포함할 수 있다. 산화제는 CMP용 슬러리 중에서 약 0.01 내지 약 7 중량%의 농도로 사용될 수 있다. 일반적으로 이들은 약 1 내지 약 7 중량%의 농도로 사용된다. 요오데이트는 바람직한 산화제이다. 가장 바람직한 것은 약 2 내지 약 4 중량%의 포타슘 요오데이트이다.
하기 주어진 실시예에서, 실리카 및 티타니아를 시험된 슬러리 중 연마 성분으로서 주로 사용하였다. 그러나, 임의의 금속 산화물 또는 광택 연마제(알루미나, 세리아, 지르코니아, 바륨 카보네이트 또는 다이아몬드와 같은)도 사용 가능하다.
달리 지시되지 않는 한, 하기 실시예 중 언급된 모든 백분율은 기술된 슬러리 중의 중량%이다.
실시예 1: 표 1은 다양한 양의 착화제 및 산화제를 함유하는 구리, 탄탈 및 실리콘 이산화물(TEOS로부터 형성) 웨이퍼의 광택화 결과를 나타낸다. 이들 실험은 5 psi 하압(down pressure), 60 rpm 캐리어 속도, 50 rpm 압반 속도 및 110 ml/분의 슬러리 유속의 조건 하에 Rodel IC1400 패드를 사용하여 IPEC/Westech 372U 광택기 상에서 수행되었다. 6인치 시트 웨이퍼를 사용하였다. 이 실시예의 모든 슬러리는 10%의 콜로이드성 실리카 연마제(Klebosol 1498)를 함유하며 pH 10.5이었으며 다양한 양의 수산화칼륨으로 그 pH로 조정하였다.
샘플 % 옥살산 % 과산화수소 RR Cu RR Ta RR SiO2
1 0 0 202 340 1149
2 0 2 314 495 1261
3 3 0 214 416 1264
4 3 2 2038 1035 1202
이들 결과에 의해, 구리 및 탄탈 모두의 높은 제거 속도를 얻기 위해 수용액 중의 양 금속 모두의 용해도를 증가시키는 착화제 및 과산화수소와 같은 산화제 모두를 함유하는 것이 필요함을 알 수 있다. 이와 같은 성분의 조합으로, 구리 및 탄탈의 제거 속도 사이에 양호한 선택성(약 2:1)을 보유하면서 구리의 만족스러운 제거 속도를 가지는 것이 가능하다. 이 실시예로부터, 실리콘 이산화물의 제거 속도를 억제하기 위해 추가적인 성분이 필요함이 또한 명백하다.
실시예 2: 표 2는 산화물 제거를 억압하는 것으로 생각되는 시약의 다양한 양을 함유하는 구리 및 실리콘 이산화물(TEOS로부터 형성) 웨이퍼의 광택화 결과를 나타낸다. 이들 실험은 5 psi 하압, 60 rpm 캐리어 속도, 50 rpm 압반 속도 및 110 ml/분의 슬러리 유속의 조건 하에 Rodel IC1400 패드를 사용하여 IPEC/Westech 372U 광택기 상에서 수행되었다. 6인치 시트 웨이퍼를 사용하였다. 이 실시예의 모든 슬러리는 10%의 콜로이드성 실리카 연마제(Klebosol 1498), 3% 옥살산, 0.2% 수산화암모늄, 0.2% 과산화수소를 함유하며 다양한 양의 수산화칼륨으로 열거된 pH로 조정하였다. 하기 실험에 사용된 폴리비닐피롤리돈(PVP)는 10,000 및 30,000 돌턴 사이의 분자량을 가진다 (즉, 90 및 270 사이의 중합도를 가짐). 극성 관능기 및 장쇄 탄화수소 꼬리를 가지는 전통적인 계면활성제인 소듐 도데실 술페이트(SDS) 또한 비교를 위해 시험하였다.
샘플 % PVP % SDS pH RR Cu RR SiO2 Cu:SiO2선택성
1 0 0 6 8566 1070 8
2 0 0 8 8166 1066 7.7
3 1 0 6 6727 133 50
4 1 0 8 7207 129 56
5 0 0.5 6 8591 1093 7.9
6 0 0.5 8 8187 1076 7.6
이들 결과는, 높은 구리 제거 속도 및 낮은 실리콘 이산화물 제거 속도를 얻기 위해(즉, 높은 선택성), 구리 제거 속도를 억제하지 않으면서 실리콘 이산화물 제거 속도를 억제하는 PVP와 같은 추가적인 성분을 갖는 것이 필요하다는 것을 나타낸다. 또한, SDS와 같은 전통적인 계면활성제는 산화물 또는 구리 필름의 제거 속도에 상당한 영향을 주지 않는 것으로 관찰된다.
실시예 3: 표 3은 다양한 양의 착화제 및 산화제를 함유하는 구리 및 탄탈 웨이퍼의 광택화 결과를 나타낸다. 이들 실험은 5 psi 하압, 3 psi 배압, 60 rpm 캐리어 속도, 50 rpm 압반 속도 및 110 ml/분의 슬러리 유속의 조건 하에 Rodel IC1400 패드를 사용하여 IPEC/Westech 372U 광택기 상에서 수행되었다. 6인치 시트 웨이퍼를 사용하였다. 이 실시예의 모든 슬러리는 10%의 콜로이드성 실리카 연마제(Klebosol 1498), 0.75% PVP를 함유하며 다양한 양의 질산 또는 수산화칼륨으로 그 pH로 조정하였다.
샘플 % 옥살산 % 과산화수소 pH RR Cu RR Ta
1 0 0 2.5 206 920
2 0 0 6 226 132
3 0 2 2.5 866 372
4 0 2 6 256 312
5 2 0 2.5 115 442
6 2 0 6 75 249
7 2 2 2.5 6237 430
8 2 2 6 1490 489
이들 결과는, 양호한 탄탈 제거 속도를 유지하면서 높은 구리 제거 속도를 얻기 위해, 슬러리 중에 함유된 산화제 및 착화제 모두를 가질 필요가 있다는 것을 나타낸다.
실시예 4: 표 4는 두 개의 상이한 pH 수준에서 구리, 탄탈, 탄탈 니트리드 및 티탄 웨이퍼의 광택화 결과를 나타낸다. 이들 실험은 5 psi 하압, 3 psi 배압, 50 rpm 캐리어 속도, 60 rpm 압반 속도 및 120 ml/분의 슬러리 유속의 조건 하에 Rodel IC1400 패드를 사용하여 IPEC/Westech 372U 광택기 상에서 수행되었다. 6인치 시트 웨이퍼를 사용하였다. 이 실시예의 모든 슬러리는 7% 티타니아 연마제(Degussa P-25), 0.7%의 PVP, 4% 옥살산, 1% 과산화수소를 함유하며 다양한 양의 수산화칼륨으로 특정 pH로 조정하였다.
샘플 pH RR Cu Cu:Ta선택성 Cu:TaN선택성 Cu:Ti선택성 Cu:SiO2선택성
1 5.0 2950 7 3 - ＞ 100
2 6.2 1600 3.9 1.3 2.6 ＞ 100
이들 결과는, PVP와 같은 산화물 억제제를 사용함으로써 매우 높은 Cu:SiO2선택성(100:1 초과)을 얻을 수 있음을 나타낸다.
실시예 5: 표 5는 패턴화 웨이퍼의 광택화 결과를 나타낸다. 이들 실험은 IPEC/Westech 372U 광택기 상에서 수행되었다. 샘플 1을 위해, Rodel IC1400/K-XY 패드를 3 psi 하압, 2 psi 배압, 40 rpm 캐리어 속도, 65 rpm 압반 속도 및 150 ml/분의 슬러리 유속으로 사용하였다. 샘플 2를 위해, 4 psi 하압, 3 psi 배압, 75 rpm 캐리어 속도, 60 rpm 압반 속도 및 150 ml/분의 슬러리 유속의 조건 하에 Rodel IC1000 패드를 사용하였다. 이 실시예의 모든 슬러리는 7% 티타니아 연마제(Degussa P-25), 0.7%의 PVP, 4% 옥살산, 1% 과산화수소를 함유하며 다양한 양의 수산화칼륨으로 특정 pH로 조정되었다.
샘플 pH 디싱1 미크론 선 디싱100 미크론 패드 산화물 부식50% 패턴 밀도
1 5.0 1836 1390 49
2 6.2 1120 - 560
이들 결과는 PVP와 같은 화합물을 함유하는 슬러리의 산화물 부식이 전형적으로 관찰되는 것보다 훨씬 낮음을 보여준다.
실시예 6: 중합성 첨가제의 사용이 광범위한 용량 수준에서 효과적임이 나타났다. 이 실시예에서, 상기한 슬러리 제조 방법을 사용하여 PVP를 총 연마제를 기준으로 하여 약 4%의 수준으로 구리 광택화 슬러리에 첨가하였다. Strasbaugh 6EC를 사용하여 5 psi의 하향력(down force) 및 80 rpm의 압반 속도로 광택화 성능을 측정하였다. 슬러리 유속은 150 ml/분이었다.
이 실시예에서, 시험 슬러리는 산화제로서의 KIO3 및 구리 착화제로서의 락트산, 및 존재하는 연마제를 기준으로 하여 4%의 PVP를 포함하였다. 광택화 제거 속도 결과를 하기 표 6에 나타내었다.
PVP 함유 구리 슬러리의 제거 속도 성능
구리 RR(A. 분) TaN RR(A/분) 산화물 RR(A/분)
4465 137 165
표 7의 데이터를 근거로 하여, 양호한 선택성 및 낮은 산화물 제거 속도를 얻기 위해 PVP를 금속 광택화 슬러리 중에 낮은 농도로 사용할 수 있음이 명백하다.
상기 실시예 및 논의 중 어느 것도 하기 특허청구범위에 주어진 본 발명의 범위를 어떠한 방식으로도 제한해서는 안 된다.

Claims (16)

  1. 물, 서브미크론 연마 입자, 산화제, 및 산화물 필름의 제거를 약화시키고 3 이상의 중합도를 가지며 실리콘 이산화물 표면 상에 함유된 표면기에 대한 친화성을 가지는 다수의 잔기를 가지는 유기 중합체를 포함하는, 금속 및 절연체를 함유하는 기판의 화학적-기계적 광택화에 유용한 수성 슬러리 조성물.
  2. 제1항에 있어서, 상기 잔기가 히드록시, 카르복시, 카르보닐, 알콕시, 술포닐 및 포스포닐로 구성된 군으로부터 선택되는 것인 조성물.
  3. 제2항에 있어서, 상기 유기 화합물이 폴리-비닐 알코올, 폴리-비닐피롤리돈, 폴리-메틸 메타크릴레이트, 폴리-포름알데히드, 폴리-에틸렌 옥시드, 폴리-에틸렌 글리콜 및 폴리-메타크릴산으로 구성된 군으로부터 선택되는 것인 조성물.
  4. 제3항에 있어서, 상기 유기 화합물이 폴리-비닐피롤리돈인 조성물.
  5. 제1항에 있어서, 상기 유기 화합물이 상기 조성물 중에 존재하는 상기 서브미크론 연마 입자의 중량을 기준으로 하여 5 중량% 미만의 농도로 상기 조성물 중에 존재하는 것인 조성물.
  6. 제1항에 있어서, 상기 유기 화합물의 분자량이 10,000보다 큰 조성물.
  7. 제1항에 있어서, 상기 조성물이 착화제를 또한 포함하는 것인 조성물.
  8. 제1항에 있어서, 상기 조성물이 분산제를 또한 포함하는 것인 조성물.
  9. 금속 및 절연체를 포함하는 기판을 광택화 패드에 대해 프레스하고 상기 기판 및 상기 패드는 서로에 대해 이동시키고 광택화 조성물을 광택화 작업 동안 상기 패드에 적용하며, 상기 광택화 조성물이 물, 서브미크론 연마 입자, 산화제, 및 산화물 필름의 제거를 약화시키고 3 이상의 중합도를 가지며 실리콘 이산화물 표면 상에 함유된 표면기에 대한 친화성을 가지는 다수의 잔기를 가지는 유기 중합체를 포함하는 것인 상기 기판의 광택화 방법.
  10. 제9항에 있어서, 상기 잔기가 히드록시, 카르복시, 카르보닐, 알콕시, 술포닐 및 포스포닐로 구성된 군으로부터 선택되는 것인 방법.
  11. 제10 있어서, 상기 유기 화합물이 폴리-비닐 알코올, 폴리-비닐피롤리돈, 폴리-메틸 메타크릴레이트, 폴리-포름알데히드, 폴리-에틸렌 옥시드, 폴리-에틸렌 글리콜 및 폴리-메타크릴산으로 구성된 군으로부터 선택되는 것인 방법.
  12. 제11항에 있어서, 상기 유기 화합물이 폴리-비닐피롤리돈인 방법.
  13. 제9항에 있어서, 상기 유기 화합물이 상기 조성물 중에 존재하는 상기 서브미크론 연마 입자의 중량을 기준으로 하여 5 중량% 미만의 농도로 상기 조성물 중에 존재하는 것인 방법.
  14. 제9항에 있어서, 상기 유기 화합물의 분자량이 10,000보다 큰 방법.
  15. 제9항에 있어서, 상기 조성물이 착화제를 또한 포함하는 것인 방법.
  16. 제9항에 있어서, 상기 조성물이 분산제를 또한 포함하는 것인 방법.
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