KR100796070B1 - Ｃｍｐ연마제, 이것을 사용한 기판의 연마방법과반도체장치의 제조방법 및 ｃｍｐ연마제용 첨가제 - Google Patents

Ｃｍｐ연마제, 이것을 사용한 기판의 연마방법과반도체장치의 제조방법 및 ｃｍｐ연마제용 첨가제 Download PDF

Info

Publication number
KR100796070B1
KR100796070B1 KR1020017016019A KR20017016019A KR100796070B1 KR 100796070 B1 KR100796070 B1 KR 100796070B1 KR 1020017016019 A KR1020017016019 A KR 1020017016019A KR 20017016019 A KR20017016019 A KR 20017016019A KR 100796070 B1 KR100796070 B1 KR 100796070B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
polishing
insulating film
cmp
inorganic insulating
organic polymer
Prior art date
Application number
KR1020017016019A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20020015697A (ko
Inventor
코야마나오유키
하가코우지
요시다마사토
히라이케이조우
아시자와토라노스케
마치이요우이치
Original Assignee
히다치 가세고교 가부시끼가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 히다치 가세고교 가부시끼가이샤 filed Critical 히다치 가세고교 가부시끼가이샤
Publication of KR20020015697A publication Critical patent/KR20020015697A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100796070B1 publication Critical patent/KR100796070B1/ko

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K3/00—Materials not provided for elsewhere
    • C09K3/14—Anti-slip materials; Abrasives
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/3105—After-treatment
    • H01L21/31051—Planarisation of the insulating layers
    • H01L21/31053—Planarisation of the insulating layers involving a dielectric removal step
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09G—POLISHING COMPOSITIONS; SKI WAXES
    • C09G1/00—Polishing compositions
    • C09G1/02—Polishing compositions containing abrasives or grinding agents
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K3/00—Materials not provided for elsewhere
    • C09K3/14—Anti-slip materials; Abrasives
    • C09K3/1409—Abrasive particles per se
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K3/00—Materials not provided for elsewhere
    • C09K3/14—Anti-slip materials; Abrasives
    • C09K3/1454—Abrasive powders, suspensions and pastes for polishing
    • C09K3/1463—Aqueous liquid suspensions
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
    • H01L21/30625—With simultaneous mechanical treatment, e.g. mechanico-chemical polishing

Abstract

본 발명은 산화세륨입자, 분산제, 연마하는 막의 표면에 존재하는 수산기와 수소결합이 형성가능한 원자 또는 구조를 포함하는 유기고분자 및 물로 이루어지는 것을 특징으로 하는 CMP연마제, 연마하는 막을 형성한 기판을 연마정반과 연마포에 눌러 붙여서 가압하고, 상기 CMP연마제를 연마하는 막과 연마포와의 사이에 공급하면서, 기판과 연마정반을 움직이도록 하여 연마하는 것을 특징으로 하는 기판의 연마방법, 상기 연마방법의 공정을 갖춘 것을 특징으로 하는 반도체장치의 제조방법 및 연마하는 막의 표면에 존재하는 수산기와 수소결합이 형성가능한 원자 또는 구조를 갖는 유기고분자 및 물로 이루어지는 것을 특징으로 하는 CMP연마제용 첨가제를 개시한다.

Description

ＣＭＰ연마제, 이것을 사용한 기판의 연마방법과 반도체장치의 제조방법 및 ＣＭＰ연마제용 첨가제{CMP ABRASIVE, METHOD FOR POLISHING SUBSTRATE AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE USING THE SAME, AND ADDITIVE FOR CMP ABRASIVE}
본 발명은 반도체소자 제조기술인 기판표면의 평탄화공정, 특히 층간절연막 및 BPSG(붕소, 인을 도프한 이산화규소막)막의 평탄화공정, 샬로우ㆍ트렌치분리의 형성공정 등에 있어서 사용되는 CMP(케미칼ㆍ미케니컬ㆍ폴리싱)연마제 및 이 CMP연마제를 사용한 기판의 연마방법과 반도체장치의 제조방법 및 CMP연마제용 첨가제에 관한 것이다.
현재의 초대규모 집적회로에서는 실장밀도를 높이는 경향이 있고, 여러가지의 미세가공기술이 연구, 개발되고 있다. 이미, 디자인룰(design-rule)은 서브해프미크론(sub half micron)의 오더로 이루어져 있다. 이와 같은 엄격한 미세화의 요구를 만족하기 위해서 개발되고 있는 기술의 하나로 CMP기술이 있다. 이 기술은 반도체장치의 제조방법에 있어서, 노광을 실시하는 층을 완전하게 평탄화하고, 노광기술의 부담을 경감하여, 수율을 안정시킬 수 있기 때문에, 예컨대 층간절연막, BPSG막의 평탄화, 샬로우ㆍ트렌치분리 등을 행하는 경우에 필수로 되는 기술이다.
종래, 반도체장치의 제조공정에 있어서, 플라즈마-CVD(Chemical Vapor Desposition, 화학적 증착법), 저압-CVD 등의 방법으로 형성되는 산화규소 절연막 등 무기절연막층을 평탄화하기 위한 CMP연마제로서, 퓸드(fumed) 실리카계의 연마제가 일반적으로 검토되고 있다. 퓸드실리카계의 연마제는 실리카입자를 사염화규산에 열분해하는 등의 방법으로 입성장시키고, pH 조정을 행하여 제조하고 있다. 그러나, 이와 같은 연마제는 무기절연막의 연마속도가 충분한 속도를 갖지 못하여, 실용화에는 저연마속도라는 기술과제가 있다.
종래의 층간절연막을 평탄화하는 CMP기술에서는 연마속도의 기판상 피연마막의 패턴의존성이 크고, 패턴밀도차이 혹은 사이즈차이의 대소에 의해 볼록부의 연마속도가 크게 다르고, 또한 오목부의 연마도 진행하기 때문에, 웨이퍼면내 전체에서의 높은 레벨의 평탄화를 실현할 수 없다는 기술과제가 있다.
또한, 층간막을 평탄화하는 CMP기술에서는 층간막의 도중에서 연마를 종료할 필요가 있고, 연마량의 제어를 연마시간으로써 행하는 프로세스 관리방법이 일반적으로 행해지고 있다. 그러나, 패턴단차형상의 변화만이 아니라, 연마포의 상태 등에 따라서도 연마속도가 현저하게 변화하기 때문에 프로세스관리가 어렵다는 문제가 있다.
디자인룰 0.5㎛ 이상의 세대에서는 집적회로내의 소자분리에 LOCOS(실리콘 국소산화)가 사용되고 있었다. 그 후 가공수치가 더 미세화하면서 소자분리폭이 좁은 기술이 요구되어, 샬로우ㆍ트렌치분리가 사용되고 있다. 샬로우ㆍ트렌치분리에서는 기판상에 성막한 여분의 산화규소막을 제거하기 위해서 CMP가 사용되고, 연마 를 정지시키기 위해서 산화규소막의 아래에 연마속도가 느린 스토퍼막이 형성된다. 스토퍼막에는 질화규소 등이 사용되고, 산화규소막과 스토퍼막과의 연마속도비가 큰 것이 바람직하다. 종래의 퓸드실리카계의 연마제는 상기의 산화규소막과 스토퍼막의 연마속도비가 3정도로 작고, 샬로우ㆍ트렌치분리용으로서는 실제 사용에 견디는 특징을 갖고 있지 않다는 문제점이 있다.
한편, 포토마스크나 렌즈 등의 유리표면 연마제로서 산화세륨 연마제가 사용되고 있다. 산화세륨입자는 실리카입자나 알루미나입자에 비하여 경도가 낮고, 따라서 연마표면에 손상이 생기기 어렵다는 점에서, 마무리경면연마에 유용하다. 그러나, 유리표면연마용 산화세륨연마제에는 나트륨염을 포함하는 분산제를 사용하고 있으므로, 그대로 반도체용 연마제로서 적용하는 것은 불가능하다.
본 발명의 목적은 산화규소절연막 등의 피연마면을 손상하지 않고, 고속으로 고평탄화를 달성하면서 연마하는 것이 가능하고, 높은 보존안정성을 갖는 CMP연마제를 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 목적은 기판의 피연마면을 손상하지 않고, 고속으로 고평탄화를 달성하면서 프로세스관리도 용이하게 연마하는 것이 가능한 기판의 연마방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 또 다른 목적은 고신뢰성의 반도체장치를 생산성 및 수율 좋게 제조할 수 있는 반도체장치의 제조방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 별도의 목적은 손상 없이, 고속으로, 고평탄화를 달성하면서 연마하는 것이 가능하고, 특히 양호한 보존안정성을 CMP연마제에 부여가능한 CMP연마제 용 첨가제를 제공하는 것이다.
본 발명은 산화세륨입자, 분산제, 연마하는 막의 표면에 존재하는 수산기와 수소결합이 형성가능한 원자 또는 구조를 갖는 유기고분자 및 물로 이루어지는 것을 특징으로 하는 CMP연마제에 관한 것이다.
본 발명은 또한 유기고분자가 분자구조중에 비공유전자쌍을 갖는 원자를 적어도 1개 포함하는 화합물인 상기의 CMP연마제에 관한 것이다.
본 발명은 또한 유기고분자가 분자구조중에 질소원자 및 산소원자의 어느 하나 또는 양쪽을 포함하는 화합물인 상기의 CMP연마제에 관한 것이다.
본 발명은 또한 유기고분자가 pH6∼8의 물중에 분산되어 있는 비표면적 50㎡/g의 산화규소입자에 대해서 50% 이상의 흡착율을 갖는 화합물인 상기의 CMP연마제에 관한 것이다.
본 발명은 또한 유기고분자가 pH6∼8의 물중에 분산되어 있는 비표면적 3.3㎡/g의 질화규소입자에 대해서 40% 이상의 흡착율을 갖는 화합물인 상기의 CMP연마제에 관한 것이다.
본 발명은 또한 산화세륨입자의 침강속도가 20㎛/s 이하인 상기의 CMP연마제에 관한 것이다.
본 발명은 또한 유기고분자가 폴리비닐피롤리돈인 상기의 CMP연마제에 관한 것이다.
본 발명은 더욱이 연마하는 막을 형성한 기판을 연마정반과 연마포에 눌러 붙여서 가압하고, 상기의 CMP연마제를 연마하는 막과 연마포와의 사이에 공급하면서, 기판과 연마정반을 움직이게 하여 연마하는 것을 특징으로 하는 기판의 연마방법에 관한 것이다.
본 발명은 더욱이 연마하는 막을 형성한 기판을 연마정반과 연마포에 눌러 붙여서 가압하고, 상기의 CMP연마제를 연마하는 막과 연마포와의 사이에 공급하면서, 기판과 연마정반을 움직이게 하여 연마하는 공정을 갖춘 것을 특징으로 하는 반도체장치의 제조방법에 관한 것이다.
본 발명은 더욱이 연마하는 막의 표면에 존재하는 수산기와 수소결합이 형성가능한 원자 또는 구조를 갖는 유기고분자 및 물로 이루어진 것을 특징으로 하는 CMP연마제용 첨가제에 관한 것이다.
발명을 실시하기 위한 최선의 형태
본 발명에 있어서 산화세륨입자는 세륨의 탄산염, 세륨의 질산염, 세륨의 황산염, 세륨의 옥살산염 등의 세륨염을 산화하는 것에 의해 얻어진다. 산화세륨입자는 고속연마성, 저손상성의 관점에서 그 결정자직경은 5∼300nm인 것이 바람직하다.
본 발명에 있어서, 산화세륨을 제조하는 방법으로서는 소성 또는 과산화수소 등에 의한 산화법이 사용될 수 있다. 소성온도는 350℃ 이상, 900℃ 이하가 바람직하가.
상기의 방법에 의해 제조된 산화세륨의 입자는 응집하고 있기 때문에 기계적으로 분쇄하는 것이 바람직하다. 분쇄방법으로서 제트밀 등에 의한 건식분쇄나 유 성비즈밀 등에 의한 습식분쇄방법이 바람직하다. 제트밀은 예컨대 화학공업논문집 제 6권 제 5호(1980) 527∼532항에 설명되어 있다.
본 발명의 CMP연마제는 예컨대 산화세륨입자와 분산제와 물로 이루어진 산화세륨입자의 분산액(이하, 「슬러리」라고도 한다)을 우선 조제하고, 더욱이 연마하는 막의 표면에 존재하는 수산기와 수소결합이 형성가능한 원자 또는 구조를 포함하는 유기고분자(이하, 간단하게 「유기고분자」라고 하기도 한다)를 첨가하는 것에 의해 제조할 수 있다. 여기에서, 산화세륨입자의 농도에 제한은 없지만, 분산액의 취급성의 점에서 0.5∼20중량%의 범위가 바람직하다.
분산제로서는 수용성 음이온성 분산제, 수용성 비이온성 분산제, 수용성 양이온성 분산제, 수용성 양성분산제 등을 들 수 있다.
상기 수용성 음이온성 분산제로서는 예컨대, 라우릴황산트리에탄올아민, 라우릴황산암모늄, 폴리옥시에틸렌알킬에테르황산트리에탄올아민, 폴리카본산계 고분자(예컨대, (메타)아크릴산, 필요에 따라서 사용하는 (메타)아크릴산알킬 및 필요에 따라 사용하는 비닐단량체로 이루어지는 (공)중합체의 알칼리금속염 또는 암모늄염 등) 등을 들 수 있다. 또, 본 발명에 있어서 (메타)아크릴산은 아크릴산 및 그것에 대응하는 메타크릴산을 의미하고, (메타)아크릴산알킬은 아크릴산알킬 및 그것에 대응하는 메타크릴산알킬을 의미한다.
상기 수용성 비이온성 분산제로서는 예컨대 폴리옥시에틸렌라우릴에테르, 폴리옥시에틸렌세틸에테르, 폴리옥시에틸렌스테아릴에테르, 폴리옥시에틸렌올레일에테르, 폴리옥시에틸렌고급알코올에테르, 폴리옥시에틸렌옥틸페닐에테르, 폴리옥시 에틸렌노닐페닐에테르, 폴리옥시알킬렌알킬에테르, 폴리옥시에틸렌유도체, 폴리옥시에틸렌소르비탄모노라우레이트, 폴리옥시에틸렌소르비탄모노팔미테이트, 폴리옥시에틸렌소르비탄모노스테아레이트, 폴리옥시에틸렌소르비탄트리스테아레이트, 폴리옥시에틸렌소르비탄모노올리에이트, 폴리옥시에틸렌소르비탄트리올레이트, 테트라올레인산폴리옥시에틸렌소르비트, 폴리에틸렌글리콜모노라우레이트, 폴리에틸렌글리콜모노스테아레이트, 폴리에틸렌글리콜디스테아레이트, 폴리에틸렌글리콜모노올리에이트, 폴리옥시에틸렌알킬아민, 폴리옥시에틸렌경화히만유, 알킬알카놀아미드 등을 들 수 있다.
상기 수용성 양이온성 분산제로서는 예컨대 코코넛아민아세테이트, 스테아릴아민아세테이트 등을 들 수 있다.
수용성 양성분산제로서는 예컨대, 라우릴벤타인, 스테아릴벤타인, 라우릴디메틸아민옥사이드, 2-알킬-N-카르복시메틸-N-히드록시에틸이미다졸리늄베타인 등을 들 수 있다.
이들 분산제의 첨가량은 슬러리중의 산화세륨입자의 분산성 개량, 침강방지, 연마손상방지 등의 관점에서 산화세륨입자 100중량부에 대해서, 0.01중량부 이상, 2.0중량부 이하의 범위가 바람직하다. 분산제의 중량평균분자량(GPC에서 측정하고, 표준폴리스티렌 환산값)은 100∼50,000이 바람직하고, 1,000∼10,000이 보다 바람직하다. 분산제의 분자량이 100 미만인 경우에는 산화규소막 또는 질화규소막을 연마할 때에, 충분한 연마속도가 얻어지지 않고, 분산제의 분자량이 50,000을 넘는 경우는 점도가 높게 되어, CMP연마제의 보존안정성이 저하하게 된다.
이들 산화세륨입자를 물중에 분산시키는 방법으로서는 통상의 교반기에 의한 분산처리 이외에 호모지나이저, 초음파분산기, 습식볼밀 등을 사용할 수 있다.
이와 같이 하여 제조된 슬러리중의 산화세륨입자의 평균입경은 0.01㎛∼1.0㎛인 것이 바람직하다. 산화세륨입자의 평균입경이 0.01㎛ 미만이면 연마속도가 낮게 되는 경향이 있고, 1.0㎛을 넘으면 연마하는 막에 손상이 생기기 쉽게 되는 경향이 있다.
연마하는 막의 표면에 존재하는 수산기와 수소결합이 형성가능한 원자 또는 구조를 갖는 유기고분자는 규정된 특정의 원자 또는 구조를 갖고 있으면, 특별히 제한은 없지만, 예컨대 분자구조중에 비공유전자쌍을 갖는 원자를 적어도 1개 포함하는 화합물, 또는 분자구조중에 질소원자 및 산소원자의 어느 한쪽 또는 양쪽을 포함하는 화합물을 들 수 있다.
구체적으로는 폴리비닐아세탈, 폴리비닐포르말, 폴리비닐부티랄, 폴리비닐피롤리돈, 폴리비닐피롤리돈요오드착체, 폴리비닐(5-메틸-2-피롤리디논), 폴리비닐(2-피페리디논), 폴리비닐(3,3,5-트리메틸-2-피롤리디논), 폴리(N-비닐칼바졸), 폴리(N-알킬-2-비닐칼바졸), 폴리(N-알킬-3-비닐칼바졸), 폴리(N-알킬-4-비닐칼바졸), 폴리(N-비닐-3,6-디브로모칼바졸), 폴리비닐페닐케톤, 폴리비닐아세토페놀, 폴리(4-비닐피리딘), 폴리(4-β-히드록시에틸피리딘), 폴리(2-비닐피리딘), 폴리(2-β-히드록시에틸피리딘), 폴리(4-비닐피리듐염), 폴리(α-메틸스티렌-co-4-비닐피리디늄염산염), 폴리(1-(3-설포닐)-2-비닐피리디늄벤타인-co-p-스티렌설폰산칼륨), 폴리(N-비닐이미다졸), 폴리(4-비닐이미다졸), 폴리(5-비닐이미다졸), 폴리(1-비닐-4-메틸옥사졸리디논), 폴리비닐아세트아미드, 폴리비닐메틸아세트아미드, 폴리비닐에틸아세트아미드, 폴리비닐페닐아세트아미드, 폴리비닐메틸프로피온아미드, 폴리비닐에틸프로피온아미드, 폴리비닐메틸이소부틸아미드, 폴리비닐메틸벤질아미드, 폴리(메타)아크릴산, 폴리(메타)아크릴산유도체, 폴리(메타)아크릴산암모늄염, 폴리비닐알코올, 폴리비닐알코올유도체, 폴리아크롤레인, 폴리아크릴로니트릴, 폴리아세트산비닐, 폴리(아세트산비닐-co-메타크릴산메틸), 폴리(아세트산비닐-co-아크릴산비닐), 폴리(아세트산비닐-co-피롤리딘), 폴리(아세트산비닐-co-아세토니트릴), 폴리(아세트산비닐-co-N,N-디아릴시아니드), 폴리(아세트산비닐-co-N,N-디아릴아민), 폴리(아세트산비닐-co-에틸렌) 등을 들 수 있다. 이들 중에서도 폴리비닐피롤리돈, 폴리(메타)아크릴산유도체, 폴리(메타)아크릴산암모늄염이 바람직하고, 폴리비닐피롤리돈이 특히 바람직하다.
또한, 유기고분자는 샬로우ㆍ트렌치분리의 연마를 양호하게 행하는 관점에서 pH6∼8의 물중에 분산되어 있는 비표면적 50㎡/g의 산화규소입자에 대해서 50% 이상의 흡착율을 갖는 화합물인 것이 바람직하다. 동일한 관점에서 또한 pH6∼8의 물중에 분산되어 있는 비표면적 3.3㎡/g의 질화규소입자에 대해서 40% 이상의 흡착율을 갖는 화합물인 것이 바람직하다.
이들 유기고분자의 첨가량은 CMP연마제중의 산화세륨입자의 분산성 개량, 침강방지, 연마손상방지의 관점에서 산화세륨입자 100중량부에 대해서 0.01중량부∼100중량부의 범위가 바람직하고, 더욱 바람직하게는 0.1중량부∼50중량부이고, 가장 바람직하게는 1중량부∼50중량부이다. 또한 유기고분자의 중량평균 분자량(GPC로 측정하고, 표준폴리스티렌 환산치)은 5,000∼2,000,000이 바람직하고, 10,000∼1,200,000이 더욱 바람직하다.
본 발명에 있어서는 산화세륨입자, 분산제 및 물로 이루어진 산화세륨 슬러리와, 유기고분자 및 물로 이루어진 CMP연마제용 첨가제를 나누어, 2액형의 CMP연마제로서 보존, 이용하는 것도 가능하다.
상기의 CMP연마제로 기판을 연마하는 경우에, 슬러리와 첨가제를 별도로 연마정반상에 공급하고, 연마정반상에서 혼합하는 방법, 연마직전에 슬러리와 첨가제를 혼합하여 연마정반상에 공급하는 방법 등을 들 수 있다.
본 발명의 CMP연마제에는 N,N-디메틸에탄올아민, N,N-디에틸에탄올아민, 아미노에틸에탄올아민 등의 첨가제를 더 첨가할 수 있다.
본 발명의 CMP연마제는 작업성의 관점에서 산화세륨입자의 침강속도가 20㎛/s 이하인 것이 바람직하다.
본 발명의 CMP연마제를 사용하여 연마하는 막의 하나인 무기절연막은 저압CVD법, 플라즈마 CVD법 등에 의해 형성된다.
저압CVD법에 의한 산화규소막 형성은 Si원으로서 모노실란 : SiH4, 산소원으로서 산소 : O2를 사용한다. 이 SiH4-O2계 산화반응을 400℃ 이하의 저온에서 행하는 것에 의해 얻어진다. 경우에 따라서는 CVD후 1000℃ 또는 그 이하의 온도에서 열처리된다. 고온리플로우에 의한 표면평탄화를 도모하기 위해서 인 : P를 도프할 때에는 SiH4-O2-PH3계 반응가스를 사용하는 것이 바람직하다.
플라즈마CVD법은 통상의 열평형하에서는 고온을 필요로 하는 화학반응이 저온에서 가능한 이점을 갖는다. 플라즈마발생법에는 용량결합형과 유도결합형의 2개를 들 수 있다. 반응가스로서는 Si원으로서 SiH4, 산소원으로서 N2O를 사용한 SiH4 -N2O계 가스와 테트라에톡시실란(TEOS)을 Si원으로 사용한 TEOS-O2계 가스(TEOS-플라즈마CVD법)를 들 수 있다. 기판온도는 250℃∼400℃, 반응압력은 67∼400Pa의 범위가 바람직하다. 이와 같이, 본 발명의 산화규소막에는 인, 붕소 등의 원소가 도프되어 있어도 바람직하다.
동일하게 저압CVD법에 의한 질화규소막 형성은 Si원으로서 디클로로실란 : SiH2Cl2, 질소원으로서 암모니아 : NH3를 사용한다. 이 SiH2Cl 2-NH3계 산화반응을 900℃의 온도에서 행하는 것에 의해 얻어진다.
플라즈마CVD법은 반응가스로서는 Si원으로서 SiH4, 질소원으로서 NH3를 사용한 SiH4-NH3계 가스를 들 수 있다. 기판온도는 300℃∼400℃가 바람직하다.
기판으로서 반도체기판 즉, 회로소자와 배선패턴이 형성된 단계의 반도체기판, 회로소자가 형성된 단계의 반도체기판 등의 반도체기판상에 산화규소막층 또는 질화규소막층이 형성된 기판이 사용될 수 있다. 이와 같은 반도체기판상에 형성된 산화규소막층, 질화규소막층 등을 CMP연마제로 연마하는 것에 의해, 산화규소막층 표면의 요철을 해소하고, 반도체기판 전면에 걸쳐서 평활한 면으로 할 수 있다.
또한, 샬로우ㆍ트렌치분리에도 사용할 수 있다. 샬로우ㆍ트렌치분리에 사용 하기 위해서는 산화규소막 연마속도와 질화규소막 연마속도의 비, 산화규소막 연마속도/질화규소막 연마속도가 10 이상인 것이 바람직하다. 이 비가 10 미만에서는 산화규소막 연마속도와 질화규소막 연마속도의 차이가 작아, 샬로우ㆍ트렌치분리를 하는 경우, 소정의 위치에서 연마를 정지하는 것이 곤란하게 되는 경향이 있다. 이 비가 10 이상인 경우는 질화규소막의 연마속도가 더 작게 되어 연마의 정지가 용이하게 되어, 샬로우ㆍ트렌치분리에 보다 적당하다.
또한, 샬로우ㆍ트렌치분리에 사용하기 위해서는 연마시에 손상의 발생이 적은 것이 바람직하다.
여기에서 연마장치로서는 반도체기판을 유지하는 홀더와 연마포(패드)를 부착한(회전수가 변경가능한 모터 등을 부착한다) 정반을 갖는 일반적인 연마장치를 사용할 수 있다.
연마포로서는 일반적인 부직포, 발포폴리우레탄, 다공질불소수지 등이 사용가능하고, 특별히 제한은 없다. 또한, 연마포에는 CMP연마제가 고이게 하는 홈가공을 실시하는 것이 바람직하다.
연마조건에 제한은 없지만, 정반의 회전속도는 반도체기판이 빠지지 않도록 200min-1 이하의 저회전이 바람직하고, 반도체기판에 걸리는 압력은 연마후에 손상이 발생하지 않도록 105Pa 이하가 바람직하다.
연마하고 있는 사이, 연마포에는 슬러리를 펌프 등으로 연속적으로 공급한다. 이 공급량에 제한은 없지만, 연마포의 표면이 항상 슬러리로 덮여져 있는 것이 바람직하다.
연마종료후의 반도체기판은 유수중에서 잘 세정후, 스핀드라이어 등을 사용하여 반도체기판상에 부착한 물방울을 흔들어 떨어 내므로써 건조시키는 것이 바람직하다.
이와 같이 하여 평탄화된 샬로우ㆍ트렌치를 형성한 후에 산화규소절연막층의 위에 알루미늄배선을 형성하고, 그 배선간 및 배선상에 다시 상기 방법에 의해 산화규소절연막을 형성후, 상기 CMP연마제를 사용하여 연마하는 것에 의해, 절연막 표면의 요철을 해소하고, 반도체기판 전면에 걸쳐서 평활한 면으로 한다. 이 공정을 소정수 반복하므로써 소망의 층수의 반도체를 제조한다.
본 발명의 CMP연마제는 반도체기판에 형성된 산화규소막 뿐만 아니라, 소정의 배선을 갖는 배선판에 형성된 산화규소막, 유리, 질화규소 등의 무기절연막, 폴리실리콘, Al, Cu, Ti, TiN, W, Ta, TaN 등을 주로 함유하는 막, 포토마스크ㆍ렌즈ㆍ프리즘 등의 광학유리, ITO 등의 무기도전막, 유리 및 결정질재료로 구성되는 광집적회로ㆍ광스위칭소자ㆍ광도파로, 광파이버의 단면, 신틸레이터(scintillator) 등의 광학용 단결정, 고체레이저 단결정, 청색레이저 LED용 사파이어기판, SiC, GaP, GaAs 등의 반도체단결정, 자기디스크용 유리기판, 자기헤드 등을 연마할 수 있다.
이하에 있어서, 실시예를 통하여 본 발명을 더욱 상세하게 설명하지만, 본 발명은 이들에 한정되는 것은 아니다.
실시예 1
(산화세륨입자의 제조)
산화세륨 수화물 2kg을 알루미나제 용기에 넣고, 800℃에서 2시간 공기중에서 소성하는 것에 의해 황백색의 분말을 약 1kg 얻었다. 이 분말을 X선 회절법으로 상동정을 행한 바 산화세륨인 것을 확인하였다. 소성분말 입자경은 30∼100㎛이었다. 소성분말입자 표면을 주사형 전자현미경으로 관찰한 바, 산화세륨의 입계가 관찰되었다. 입계에 둘러싸인 산화세륨 1차 입자경을 측정한 바, 체적분포의 중앙치가 190nm, 최대치가 500nm이었다.
산화세륨 분말 1kg을 제트밀을 사용하여 건식분쇄하였다. 분쇄입자에 관해서 주사형 전자현미경으로 관찰한 바, 1차 입자경과 동등사이즈의 작은 입자 이외에 1∼3㎛의 큰 분쇄잔여입자와 0.5∼1㎛의 분쇄잔여입자가 혼재하고 있었다.
(유기고분자의 산화규소입자로의 흡착량의 측정)
중량평균분자량 25,000의 폴리비닐피롤리돈의 농도가 500ppm인 시험수 100g을 pH7.0으로 조정하고, 그중 50g을 칭량하여 취하고, 비표면적 50㎡/g의 산화규소입자를 0.5g 가하고, 10분간 왕복진동하였다. 그후, 15,000min-1으로 5분간, 원심분리를 행하여 상등액을 얻었다. 이 상등액(액 A) 및 산화규소입자를 혼합하지 않고 남은 시험수(액 B)의 전체 유기체탄소량(TOC)을 시마츠사제 전유기탄소계 TOC-5000으로 측정하였다. TOC의 측정은 전체 탄소량(TC)으로부터 무기탄소량(IC)을 빼서 결정하였다.
또한, 증류수에 대해서 실리카 입자를 동일하게 혼합ㆍ진동시키고, 원심분리한 상등액의 TOC값을 블랭크값으로 하였다. 액 A, B의 TOC값을 각각 TOCA, TOCB로 하고, (TOCB-TOCA/TOCA)에 의해 흡착량을 산출하였다. 그 결과, 폴리비닐피롤리돈의 산화규소입자에 대한 흡착량은 78%이었다.
(유기고분자의 질화규소입자로의 흡착)
중량평균분자량 25,000의 폴리비닐피롤리돈의 농도가 50ppm인 시험수 100g을 pH7.0으로 조정하고, 그중 50g을 칭량하여 취하여, 비표면적 3.3㎡/g의 산화규소입자를 4g 가하고, 10분간 왕복진동하였다. 그후, 15,000min-1으로 5분간, 원심분리를 행하여 상등액을 얻었다. 이 상등액(액 C) 및 산화규소입자를 혼합하지 않은 남은 시험수(액 D)의 전체 유기체탄소량(TOC)을 시마츠제 전유기탄소계 TOC-5000으로 측정하였다. TOC의 측정은 전체 탄소량(TC)으로부터 무기탄소량(IC)을 빼서 결정하였다.
또한, 증류수에 대해서 실리카입자를 동일하게 혼합ㆍ진동시키고, 원심분리한 상등액의 TOC값을 블랭크값으로 하였다. 액 C, D의 TOC값을 각각 TOCC, TOCD로 하고, (TOCD-TOCC/TOCD)에 의해 흡착량을 산출하였다. 그 결과, 폴리비닐피롤리돈의 산화규소입자에 대한 흡착량은 53%이었다.
(산화세륨의 슬러리의 제조)
상기 제조한 산화세륨입자 1kg과 폴리아크릴산암모늄염 수용액(40중량%) 23g과 탈이온수 8,977g을 혼합하고, 교반하면서 초음파분산을 10분간 실시하였다. 얻 어진 슬러리를 1미크론필터로 여과를 하고, 탈이온수를 더 가하는 것에 의해 슬러리(고형분 : 5중량%)를 얻었다. 이 슬러리의 pH는 8.3이었다. 슬러리입자를 레이저회절식 입도분포계로 측정하기 위해서 적당한 농도로 희석하여 측정한 결과, 입자경의 중앙치가 190nm이었다.
상기의 산화세륨의 슬러리(고형분 : 5중량%) 600g과 첨가제로서 중량평균분자량 25,000의 폴리비닐피롤리돈 3g과 탈이온수 2,397g을 혼합하여, CMP연마제(고형분 : 1중량%)를 제조하였다. 이 CMP연마제의 pH는 8.0이었다. 또한, CMP연마제중의 입자를 레이저회절식 입도분포계로 측정하기 위해서, 적당한 농도로 희석하여 측정한 결과, 입자경의 중앙치가 190nm이었다.
(침강속도의 측정)
상기 「산화세륨의 슬러리의 제조」로 제조한 산화세륨의 슬러리 500g을 안드레아젠(Andreasen) 피펫에 넣어 정치하였다. 직후에 산화세륨 슬러리의 표면아래 20cm의 위치로부터 10ml의 슬러리를 채취하여 그 농도를 측정하였다.
동일한 조작을 3시간, 6시간, 24시간, 2일, 5일, 8일, 13일, 20일, 30일, 70일, 120일 후에 행하였다.
이 결과, 산화세륨슬러리의 평균침강속도는 0.11㎛/s였다.
평균침강속도는 상기한 바와 같이 하여 측정한 농도가 초기의 5중량%에서 절반인 2.5중량%로 감소할때까지 필요한 시간으로 20cm를 나눈 값이다.
이때에 필요한 시간은 21일이다. 또한 6일 후에 측정한 농도는 5중량%밖에 변화하지 않았기 때문에 이 산화세륨 슬러리의 최대침강속도는 9㎛/s 이하의 침강 속도를 유지하고, 또 이 산화세륨 슬러리에 포함되는 전체의 산화세륨의 입자의 침강속도는 9㎛/s 이하이다.
(절연막층의 연마)
직경 200mm Si기판상에 라인/스페이스(Line/Space)폭이 0.05∼5mm이고, 높이가 1,000nm인 Al배선라인부를 형성한 후, 그 위에 TEOS 플라즈마CVD법으로 산화규소막을 2,000nm 형성한 패턴웨이퍼를 제조한다.
유지하는 기판부착용의 흡착패드를 부착한 홀더에 상기 패턴웨이퍼를 세트하고, 다공질우레탄 수지제의 연마패드를 부착한 직경 600mm의 정반상에 절연막면을 아래로 하여 홀더를 놓고, 또한 가공하중을 30kPa로 설정하였다.
정반상에 상기의 산화세륨 연마제(고형분 : 1중량%)를 200ml/min의 속도로 적하하면서, 정반 및 웨이퍼를 50min-1로 2분간 회전시키고, 절연막을 연마하였다.
연마후의 웨이퍼를 증류수로 잘 세정후, 건조시켰다. 동일하게 연마시간을 3분, 4분, 5분, 6분으로 하여 상기 패턴웨이퍼의 연마를 행하였다
광간섭식 막두께 측정장치를 사용하여, 연마전후의 막두께 차이를 측정하고, 연마속도를 계산하였다.
라인/스페이스폭 1mm의 라인부분의 연마속도 R1과 라인/스페이스폭 3mm의 라인부분의 연마속도 R3 및 라인/스페이스폭 5mm의 라인부분의 연마속도 R5와의 연마속도비 R5/R1 및 R3/R1은 연마시간 2∼4분의 사이에서는 연마시간과 함께 값이 크게 되고, 연마시간 4∼6분에서는 거의 일정하였다.
연마속도의 패턴폭 의존성이 일정하게 된 연마시간 4분의 경우, 라인/스페이스폭 1mm의 라인부분의 연마속도 R1은 344nm/분(연마량 1,377nm), 라인/스페이스폭 3mm의 라인부분의 연마속도 R3는 335nm/분(연마량 1,338nm), 라인/스페이스폭 5mm의 라인부분의 연마속도 R5는 315nm/분(연마량 1,259nm)이고, 연마속도비 R5/R1 및 R3/R1은 각각 0.91 및 0.97이었다.
또한, 연마시간이 5분, 6분인 경우의 각 라인/스페이스폭의 라인부분의 연마량은 4분의 경우와 거의 동일하고, 4분 이하에서는 연마가 거의 진행되지 않는 것을 알 수 있었다.
실시예 2
(산화세륨입자의 제조)
산화세륨수화물 2kg을 백금제 용기에 넣고, 800℃에서 2시간 공기중에서 소성하는 것에 의해 황백색의 분말을 약 1kg 얻었다. 이 분말을 X선 회절법으로 상동정을 행한 바 산화세륨인 것을 확인하였다. 소성분말입자경은 30∼100㎛이었다. 소성분말입자 표면을 주사형 전자현미경으로 관찰한 바, 산화세륨의 입계가 관찰되었다. 입계에 둘러싸인 산화세륨 1차 입자경을 측정한 바, 체적분포의 중앙치가 190nm, 최대치가 500nm이었다.
산화세륨 분말 1kg을 제트밀을 사용하여 건식분쇄하였다. 분쇄입자에 관해서 주사형 전자현미경으로 관찰한 바, 1차 입자경과 동등사이즈의 작은 입자 이외에 1∼3㎛의 큰 분쇄잔여입자와 0.5∼1㎛의 분쇄잔여입자가 혼재하고 있었다.
(산화세륨의 슬러리의 제조)
상기 제조된 산화세륨입자 1kg과 폴리아크릴산암모늄염수용액(40중량%) 23g과 탈이온수 8,977g을 혼합하고, 교반하면서 초음파분산을 10분간 실시하였다. 얻어진 슬러리를 1미크론필터로 여과를 하고, 탈이온수를 더 가하는 것에 의해 슬러리(고형분 : 5중량%)를 얻었다. 슬러리 pH는 8.3이었다. 슬러리입자를 레이저회절식 입도분포계로 측정하기 위해서 적당한 농도로 희석하여 측정한 결과, 입자경의 중앙치가 190nm이었다.
상기의 산화세륨슬러리(고형분 : 5중량%) 600g과 첨가제로서 폴리비닐피롤리돈 3g과 탈이온수 2,397g을 혼합하여, CMP연마제(고형분 : 1중량%)를 제조하였다. 이 CMP연마제 pH는 8.0이었다. 또한, CMP연마제중의 입자를 레이저회절식 입도분포계로 측정하기 위해서 적당한 농도로 희석하여 측정한 결과, 입자경의 중앙치가 190nm이었다.
(샬로우ㆍ트렌치분리층의 연마)
직경 200mm Si기판에 한변 350nm∼0.1mm 사방의 볼록부, 깊이가 400nm인 오목부를 형성하고, 볼록부 밀도가 각각 2∼40%로 되도록 한 패턴웨이퍼를 제조하였다.
볼록부상에 산화질소막을 100nm 형성하고, 그 위에 TEOS-플라즈마 CVD법으로 산화규소막을 500nm 성막하였다.
유지되는 기판부착용의 흡착패드를 부착한 홀더에 상기 패턴웨이퍼를 세트하고, 다공질 우레탄 수지제의 연마패드를 부착한 직경 600mm의 정반상에 절연막면을 아래로 하여 홀더를 놓고, 또한 가공하중을 30kPa로 설정하였다.
정반상에 상기의 CMP연마제(고형분 : 1중량%)를 200ml/min의 속도로 적하하면서, 정반 및 웨이퍼를 50min-1으로 4분간 회전시켜, 절연막을 연마하였다. 연마후의 웨이퍼를 증류수로 잘 세정후, 건조하였다. 동일하게 연마시간을 5분, 6분으로 하여 상기 패턴웨이퍼의 연마를 행하였다.
광간섭식 막두께측정장치를 사용하여, 연마전후의 막두께를 측정하였다. 연마시간이 4분일 때 볼록부상의 산화규소막은 전체가 연마되고, 산화질소막이 노출되므로써 정지하고 있었다. 연마전후의 막두께를 측정하여 연마속도를 계산하였다. 1변이 0.1mm, 밀도가 40% 및 2%인 볼록부의 연마속도를 각각 R0.1-40, R0.1-2, 1변이 350nm, 밀도가 40% 및 2%인 볼록부의 연마속도를 각각 R350-40, R350-2로 한다. 연마시간이 4분인 경우, R0.1-40, R0.1-2, R350-40, R350-2는 각각 126nm/분, 135nm/분, 133nm/분, 137nm/분 또는 R0.1-40/R350-40, R0.1-2/R350-2는 각각 0.95, 0.99이고, 패턴폭 의존성은 없었다. 또한, 연마시간이 5분, 6분인 경우의 각 패턴폭의 볼록부의 연마량은 4분인 경우와 거의 동일하고, 4분 이하에서는 연마가 거의 진행되지 않은 것을 알 수 있었다.
비교예 1
(산화세륨입자의 제조)
산화세륨 수화물 2kg을 백금제 용기에 넣고, 800℃에서 2시간 공기중에서 소 성하는 것에 의해 황백색의 분말을 약 1kg 얻었다. 이 분말을 X선 회절법으로 상동정을 행한 바 산화세륨인 것을 확인하였다. 소성분말 입자경은 30∼100㎛이었다. 소성분말 입자표면을 주사형 전자현미경으로 관찰한 바, 산화세륨의 입계가 관찰되었다. 입계에 둘러싸인 산화세륨 1차 입자경을 측정한 바, 체적분포의 중앙치가 190nm, 최대치가 500nm이었다.
산화세륨 분말 1kg을 제트밀을 사용하여 건식분쇄하였다. 분쇄입자에 관해서 주사형 전자현미경으로 관찰한 바, 1차 입자경과 동등사이즈의 작은 입자 이외에 1∼3㎛의 큰 분쇄잔여입자와 0.5∼1㎛의 분쇄잔여입자가 혼재하고 있었다.
(산화세륨의 슬러리의 제조)
상기 제조된 산화세륨입자 1kg과 폴리아크릴산암모늄염수용액(40중량%) 23g과 탈이온수 8,977g을 혼합하여, 교반하면서 초음파분산을 10분간 실시하였다. 얻어진 슬러리를 1미크론필터로 여과를 하고, 탈이온수를 더 가하는 것에 의해 산화세륨의 슬러리(고형분 : 5중량%)를 얻었다. 이 산화세륨의 슬러리의 pH는 8.3이었다.
상기의 산화세륨슬러리(고형분 : 5중량%) 600g과 탈이온수 2,400g을 혼합하여, 연마제(고형분 : 1중량%)를 제조하였다. 그 연마제 pH는 7.4이고, 또한 연마제중의 입자를 레이저회절식 입도분포계로 측정하기 위해서 적당한 농도로 희석하여 측정한 결과, 입자경의 중앙치가 190nm이었다.
(절연막층의 연마)
직경 200mm Si기판상에 라인/스페이스폭이 0.05∼5mm이고, 높이가 1,000nm인 Al배선의 라인부를 형성한 후, 그 위에 TEOS-플라즈마CVD법으로 산화규소막을 2,000nm 형성한 패턴웨이퍼를 제조하였다.
유지되는 기판부착용의 흡착패드를 부착한 홀더에 상기 패턴웨이퍼를 세트하고, 다공질 우레탄 수지제의 연마패드를 부착한 직경 600mm의 정반상에 절연막면을 아래로 하여 홀더를 놓고, 또한 가공하중을 30kPa로 설정하였다.
정반상에 상기의 산화세륨슬러리(고형분 : 1중량%)를 200ml/min의 속도로 적하하면서, 정반 및 웨이퍼를 50min-1으로 1분간 회전시키고, 절연막을 연마하였다. 연마후의 웨이퍼를 증류수로 잘 세정후, 건조하였다. 동일하게 연마시간을 1.5분, 2분으로 하여 상기 패턴웨이퍼의 연마를 행하였다.
라인/스페이스폭 1mm의 라인부분의 연마속도 R1과 라인/스페이스폭 3mm의 라인부분의 연마속도 R3 및 라인/스페이스폭 5mm의 라인부분의 연마속도 R5와의 연마속도비 R5/R1 및 R3/R1은 연마시간 1∼2분 사이에서는 거의 일정하였다.
연마속도의 패턴폭 의존성이 연마시간에 의해 일정한 연마시간이 1.5분인 경우, 라인/스페이스폭 1mm의 라인부분의 연마속도 R1은 811nm/분(연마량 1,216nm), 라인/스페이스폭 3mm의 라인부분의 연마속도 R3는 616nm/분(연마량 924nm), 라인/스페이스폭 5mm의 라인부분의 연마속도 R5는 497nm/분(연마량 746nm)이고, 연마속도비 R5/R1 및 R3/R1은 각각 0.61 및 0.76이었다. 연마시간 2분에서는 라인/스페이스폭 0.05∼1mm의 라인부분에서 연마가 산화규소막의 하지의 Al배선까지 이르도록 하였다.
비교예 2
(절연막층의 연마)
직경 200mm Si기판상에 라인/스페이스폭이 0.05∼5mm이고, 높이가 1,000nm인 Al배선의 라인부를 형성한 후, 그 위에 TEOS-플라즈마 CVD법으로 산화규소막을 2,000nm 형성한 패턴웨이퍼를 제조하였다.
실시예와 동일하게 시판 실리카슬러리를 사용하여 2분간 연마를 행하였다. 이 시판 슬러리의 pH는 10.3이고, SiO2 입자를 12.5중량% 포함하고 있는 것이다. 연마조건은 실시예 1과 동일하게 하여, 실시예 1과 동일하게 연마시간을 3분, 4분, 5분, 6분으로 하여 상기 패턴웨이퍼의 연마를 행하였다.
광간섭식 막두께측정장치를 사용하여, 연마전후의 막두께차이를 측정하고, 연마속도를 계산하였다. 라인/스페이스폭 1mm의 라인부분의 연마속도 R1과 라인/스페이스폭 3mm의 라인부분의 연마속도 R3 및 라인/스페이스폭 5mm의 라인부분의 연마속도 R5와의 연마속도비 R5/R1 및 R3/R1은 연마시간 2∼5분의 사이에서는 연마시간과 함께 값이 크게 되고, 연마시간 5∼6분 사이에서는 거의 일정하였다.
연마속도의 패턴폭 의존성이 일정하게 된 연마시간이 5분인 경우, 라인/스페이스폭 1mm의 라인부분의 연마속도 R1은 283nm/분(연마량 1,416nm), 라인/스페이스 폭 3mm의 라인부분의 연마속도 R3는 218nm/분(연마량 1,092nm), 라인/스페이스폭 5mm의 라인부분의 연마속도 R5는 169nm/분(연마량 846nm)이고, 연마속도비 R5/R1 및 R3/R1은 각각 0.60 및 0.77이었다. 또한, 연마시간이 6분인 경우 각 라인/스페이스폭의 라인부분의 연마속도는 5분인 경우와 거의 동일하고, 연마속도의 패턴폭 의존성이 일정하게 된 후도 동일한 속도로 연마가 진행된다는 것을 알 수 있었다.
본 발명의 CMP연마제는 산화규소 절연막 등의 피연마면을 손상하지 않고, 고속으로 고평탄화를 달성하면서 연마하는 것이 가능하고, 높은 보존안정성을 갖는 것이다.
본 발명의 기판의 연마방법은 기판의 피연마면을 손상하지 않고, 고속으로 고평탄화를 달성하면서 연마하는 것이 가능한 것이다.
본 발명의 반도체장치의 제조방법은 고신뢰성의 반도체장치를 생산성 및 수율 좋게 제조할 수 있는 것이다.
본 발명의 CMP연마제용 첨가제는 손상 없이 고속으로, 고평탄화를 달성하면서 연마하는 것이 가능하고, 특히 CMP연마제에 양호한 보존안정성을 부여하는 것이 가능하다.

Claims (26)

  1. 산화세륨입자, 분산제, 연마하는 막의 표면에 존재하는 수산기와 수소결합을 형성할 수 있는 원자 또는 구조를 가지고 분자구조 중에 비공유전자쌍을 갖는 원자를 적어도 1개 가지는 유기고분자 및 물을 포함하는 표면에 요철을 갖는 무기절연막연마용 CMP연마제.
  2. 삭제
  3. 제 1항에 있어서, 유기고분자가 분자구조중에 질소원자 및 산소원자중 어느 하나 또는 양쪽을 포함하는 화합물인 것을 특징으로 하는 표면에 요철을 갖는 무기절연막연마용 CMP연마제.
  4. 제 1항에 있어서, 유기고분자가 pH6∼8인 물중에 분산되어 있는 비표면적 50㎡/g의 산화규소입자에 대해서 50% 이상의 흡착율을 갖는 화합물인 것을 특징으로 하는 표면에 요철을 갖는 무기절연막연마용 CMP연마제.
  5. 제 1항에 있어서, 유기고분자가 pH6∼8인 물중에 분산되어 있는 비표면적 3.3㎡/g의 질화규소입자에 대해서 40% 이상의 흡착율을 갖는 화합물인 것을 특징으로 하는 표면에 요철을 갖는 무기절연막연마용 CMP연마제.
  6. 제 1항에 있어서, 산화세륨입자의 침강속도가 20㎛/s 이하인 것을 특징으로 하는 표면에 요철을 갖는 무기절연막연마용 CMP연마제.
  7. 제 1항에 있어서, 유기고분자가 폴리비닐피롤리돈인 것을 특징으로 하는 표면에 요철을 갖는 무기절연막연마용 CMP연마제.
  8. 제 7항에 있어서, 폴리비닐피롤리돈이 5,000∼1,200,000의 중량평균분자량을 갖는 것임을 특징으로 하는 표면에 요철을 갖는 무기절연막연마용 CMP연마제.
  9. 제 1항에 있어서, 산화세륨입자 100중량부에 대해서, 분산제 0.01∼2.0중량부, 유기고분자 0.01∼100중량부 및 잔부가 물로 이루어지고, 연마제중의 산화세륨입자의 농도가 0.5∼20중량%인 것을 특징으로 하는 표면에 요철을 갖는 무기절연막연마용 CMP연마제.
  10. 연마하는 무기절연막을 형성한 기판을 연마정반과 연마포에 눌러 붙여서 가압하고, 제 1항, 제 3항 내지 제 9항중 어느 한 항에 기재된 표면에 요철을 갖는 무기절연막연마용 CMP연마제를 연마하는 무기절연막과 연마포와의 사이에 공급하면서, 기판과 연마정반을 움직여서 연마하는 것을 특징으로 하는 기판의 연마방법.
  11. 연마하는 무기절연막을 형성한 기판을 연마정반과 연마포에 눌러 붙여서 가압하고, 제 1항, 제 3항 내지 제 9항중 어느 한 항에 기재된 표면에 요철을 갖는 무기절연막연마용 CMP연마제를 연마하는 무기절연막과 연마포와의 사이에 공급하면서, 기판과 연마정반을 움직여서 연마하는 공정을 갖춘 것을 특징으로 하는 반도체장치의 제조방법.
  12. 연마하는 막의 표면에 존재하는 수산기와 수소결합을 형성할 수 있는 원자 또는 구조를 가지고 분자구조 중에 비공유전자쌍을 갖는 원자를 적어도 1개 가지는 유기고분자 및 물로 이루어진 것을 특징으로 하는 표면에 요철을 갖는 무기절연막연마용 CMP연마제용 첨가제.
  13. 삭제
  14. 삭제
  15. 삭제
  16. 삭제
  17. 삭제
  18. 삭제
  19. 삭제
  20. 삭제
  21. 제 12항에 있어서, 유기고분자가 분자구조중에 질소원자 및 산소원자중 어느 하나 또는 양쪽을 포함하는 화합물인 것을 특징으로 하는 표면에 요철을 갖는 무기절연막연마용 CMP연마제용 첨가제.
  22. 제 12항에 있어서, 유기고분자가 pH6∼8인 물중에 분산되어 있는 비표면적 50㎡/g의 산화규소입자에 대해서 50% 이상의 흡착율을 갖는 화합물인 것을 특징으로 하는 표면에 요철을 갖는 무기절연막연마용 CMP연마제용 첨가제.
  23. 제 12항에 있어서, 유기고분자가 pH6∼8인 물중에 분산되어 있는 비표면적 3.3㎡/g의 질화규소입자에 대해서 40% 이상의 흡착율을 갖는 화합물인 것을 특징으로 하는 표면에 요철을 갖는 무기절연막연마용 CMP연마제용 첨가제.
  24. 제 12항에 있어서, 산화세륨입자를 추가로 포함하고, 산화세륨입자의 침강속도가 20㎛/s 이하인 것을 특징으로 하는 표면에 요철을 갖는 무기절연막연마용 CMP연마제용 첨가제.
  25. 제 12항에 있어서, 유기고분자가 폴리비닐피롤리돈인 것을 특징으로 하는 표면에 요철을 갖는 무기절연막연마용 CMP연마제용 첨가제.
  26. 제 25항에 있어서, 폴리비닐피롤리돈이 5,000∼1,200,000의 중량평균분자량을 갖는 것임을 특징으로 하는 표면에 요철을 갖는 무기절연막연마용 CMP연마제용 첨가제.
KR1020017016019A 1999-06-18 2000-06-15 Ｃｍｐ연마제, 이것을 사용한 기판의 연마방법과반도체장치의 제조방법 및 ｃｍｐ연마제용 첨가제 KR100796070B1 (ko)

Applications Claiming Priority (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JPJP-P-1999-00172821 1999-06-18
JP17282199 1999-06-18
JP20484299 1999-07-19
JPJP-P-1999-00204842 1999-07-19
JPJP-P-1999-00332221 1999-11-24
JP33222199 1999-11-24

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020057022591A Division KR20050118314A (ko) 1999-06-18 2000-06-15 Ｃｍｐ연마제, 이것을 사용한 기판의 연마방법과반도체장치의 제조방법 및 ｃｍｐ연마제용 첨가제

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20020015697A KR20020015697A (ko) 2002-02-28
KR100796070B1 true KR100796070B1 (ko) 2008-01-21

Family

ID=27323685

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020057022591A KR20050118314A (ko) 1999-06-18 2000-06-15 Ｃｍｐ연마제, 이것을 사용한 기판의 연마방법과반도체장치의 제조방법 및 ｃｍｐ연마제용 첨가제
KR1020017016019A KR100796070B1 (ko) 1999-06-18 2000-06-15 Ｃｍｐ연마제, 이것을 사용한 기판의 연마방법과반도체장치의 제조방법 및 ｃｍｐ연마제용 첨가제

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020057022591A KR20050118314A (ko) 1999-06-18 2000-06-15 Ｃｍｐ연마제, 이것을 사용한 기판의 연마방법과반도체장치의 제조방법 및 ｃｍｐ연마제용 첨가제

Country Status (7)

Country Link
US (3) US7410409B1 (ko)
EP (2) EP1205965B1 (ko)
JP (1) JP4729834B2 (ko)
KR (2) KR20050118314A (ko)
DE (1) DE60031857T2 (ko)
TW (2) TWI292781B (ko)
WO (1) WO2000079577A1 (ko)

Families Citing this family (50)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20050118314A (ko) * 1999-06-18 2005-12-16 히다치 가세고교 가부시끼가이샤 Ｃｍｐ연마제, 이것을 사용한 기판의 연마방법과반도체장치의 제조방법 및 ｃｍｐ연마제용 첨가제
KR100480760B1 (ko) * 2000-10-02 2005-04-07 미쓰이 긴조꾸 고교 가부시키가이샤 세륨계 연마재 및 세륨계 연마재의 제조방법
KR100447254B1 (ko) * 2001-12-31 2004-09-07 주식회사 하이닉스반도체 반도체소자의 금속배선 콘택 플러그 형성방법
US6811474B2 (en) * 2002-07-19 2004-11-02 Cabot Microelectronics Corporation Polishing composition containing conducting polymer
EP1566420A1 (en) 2004-01-23 2005-08-24 JSR Corporation Chemical mechanical polishing aqueous dispersion and chemical mechanical polishing method
KR100588404B1 (ko) * 2004-03-16 2006-06-12 삼성코닝 주식회사 반도체 박막 연마용 산화세륨 슬러리
US7582127B2 (en) 2004-06-16 2009-09-01 Cabot Microelectronics Corporation Polishing composition for a tungsten-containing substrate
US7247567B2 (en) 2004-06-16 2007-07-24 Cabot Microelectronics Corporation Method of polishing a tungsten-containing substrate
US20070218811A1 (en) * 2004-09-27 2007-09-20 Hitachi Chemical Co., Ltd. Cmp polishing slurry and method of polishing substrate
US20080254717A1 (en) * 2004-09-28 2008-10-16 Hitachi Chemical Co., Ltd. Cmp Polishing Slurry and Method of Polishing Substrate
US7988878B2 (en) 2004-09-29 2011-08-02 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Selective barrier slurry for chemical mechanical polishing
TWI323741B (en) * 2004-12-16 2010-04-21 K C Tech Co Ltd Abrasive particles, polishing slurry, and producing method thereof
US7790618B2 (en) 2004-12-22 2010-09-07 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Selective slurry for chemical mechanical polishing
US7674716B2 (en) 2004-12-29 2010-03-09 Lg Chem. Ltd. Adjuvant for chemical mechanical polishing slurry
US7294044B2 (en) * 2005-04-08 2007-11-13 Ferro Corporation Slurry composition and method for polishing organic polymer-based ophthalmic substrates
KR100641348B1 (ko) * 2005-06-03 2006-11-03 주식회사 케이씨텍 Ｃｍｐ용 슬러리와 이의 제조 방법 및 기판의 연마 방법
KR100725699B1 (ko) * 2005-09-02 2007-06-07 주식회사 엘지화학 일액형 ｃｍｐ 슬러리용 산화 세륨 분말, 그 제조방법,이를 포함하는 일액형 ｃｍｐ 슬러리 조성물, 및 상기슬러리를 사용하는 얕은 트랜치 소자 분리방법
EP1838620B1 (en) * 2005-10-14 2016-12-14 Lg Chem, Ltd. Method for preparing a cerium oxide powder for a chemical mechanical polishing slurry
EP1943320B1 (en) * 2005-10-25 2009-04-15 Freescale Semiconductor, Inc. Method for testing a slurry used to form a semiconductor device
KR100812052B1 (ko) 2005-11-14 2008-03-10 주식회사 엘지화학 탄산세륨 분말, 산화세륨 분말, 그 제조방법, 및 이를포함하는 ｃｍｐ 슬러리
KR100786948B1 (ko) 2005-12-08 2007-12-17 주식회사 엘지화학 연마 선택비 조절제 및 이를 함유한 ｃｍｐ 슬러리
KR100786949B1 (ko) 2005-12-08 2007-12-17 주식회사 엘지화학 연마 선택도 조절 보조제 및 이를 함유한 ｃｍｐ 슬러리
EP1994112B1 (en) 2006-01-25 2018-09-19 LG Chem, Ltd. Cmp slurry and method for polishing semiconductor wafer using the same
US20070176141A1 (en) * 2006-01-30 2007-08-02 Lane Sarah J Compositions and methods for chemical mechanical polishing interlevel dielectric layers
JP5204960B2 (ja) 2006-08-24 2013-06-05 株式会社フジミインコーポレーテッド 研磨用組成物及び研磨方法
JP2009123880A (ja) * 2007-11-14 2009-06-04 Showa Denko Kk 研磨組成物
CN102084465A (zh) * 2008-02-01 2011-06-01 福吉米株式会社 研磨用组合物以及使用其的研磨方法
JP4784614B2 (ja) * 2008-02-25 2011-10-05 Ｊｓｒ株式会社 化学機械研磨用水系分散体
SG189534A1 (en) * 2010-11-08 2013-06-28 Fujimi Inc Composition for polishing and method of polishing semiconductor substrate using same
US8808573B2 (en) * 2011-04-15 2014-08-19 Cabot Microelectronics Corporation Compositions and methods for selective polishing of silicon nitride materials
US20140154884A1 (en) * 2011-05-24 2014-06-05 Kuraray Co., Ltd. Erosion inhibitor for chemical mechanical polishing, slurry for chemical mechanical polishing, and chemical mechanical polishing method
EP2662885A1 (en) * 2012-05-07 2013-11-13 Basf Se A process for the manufacture of semiconductor devices comprising the chemical mechanical polishing (cmp) of iii-v material in the presence of a cmp composition comprising a compound containing an n-heterocycle
JP5927059B2 (ja) * 2012-06-19 2016-05-25 株式会社フジミインコーポレーテッド 研磨用組成物及びそれを用いた基板の製造方法
US9633863B2 (en) * 2012-07-11 2017-04-25 Cabot Microelectronics Corporation Compositions and methods for selective polishing of silicon nitride materials
JP2014041978A (ja) * 2012-08-23 2014-03-06 Fujimi Inc 研磨用組成物、研磨用組成物の製造方法、及び研磨用組成物原液の製造方法
US8998677B2 (en) 2012-10-29 2015-04-07 Wayne O. Duescher Bellows driven floatation-type abrading workholder
US9199354B2 (en) 2012-10-29 2015-12-01 Wayne O. Duescher Flexible diaphragm post-type floating and rigid abrading workholder
US8845394B2 (en) 2012-10-29 2014-09-30 Wayne O. Duescher Bellows driven air floatation abrading workholder
US9039488B2 (en) 2012-10-29 2015-05-26 Wayne O. Duescher Pin driven flexible chamber abrading workholder
US9604339B2 (en) 2012-10-29 2017-03-28 Wayne O. Duescher Vacuum-grooved membrane wafer polishing workholder
US8998678B2 (en) 2012-10-29 2015-04-07 Wayne O. Duescher Spider arm driven flexible chamber abrading workholder
US9233452B2 (en) 2012-10-29 2016-01-12 Wayne O. Duescher Vacuum-grooved membrane abrasive polishing wafer workholder
US9011207B2 (en) 2012-10-29 2015-04-21 Wayne O. Duescher Flexible diaphragm combination floating and rigid abrading workholder
JP2014216464A (ja) 2013-04-25 2014-11-17 日本キャボット・マイクロエレクトロニクス株式会社 スラリー組成物および基板研磨方法
JP2016522855A (ja) * 2013-05-15 2016-08-04 ビーエーエスエフ ソシエタス・ヨーロピアＢａｓｆ Ｓｅ Ｎ−ビニル−ホモポリマーおよびｎ−ビニルコポリマーからなる群から選択される１種または複数のポリマーを含む化学機械研磨組成物
CN105209563A (zh) * 2013-05-15 2015-12-30 巴斯夫欧洲公司 化学机械抛光(cmp)组合物在抛光含有至少一种iii-v 族材料的基材或层中的用途
JP5736430B2 (ja) * 2013-10-02 2015-06-17 山口精研工業株式会社 サファイア基板用研磨液組成物、及びサファイア基板の研磨方法
JP6581198B2 (ja) * 2015-01-12 2019-09-25 バーサム マテリアルズ ユーエス，リミティド ライアビリティ カンパニー 化学機械平坦化組成物用の複合研磨粒子及びその使用方法
US10926378B2 (en) 2017-07-08 2021-02-23 Wayne O. Duescher Abrasive coated disk islands using magnetic font sheet
US11691241B1 (en) * 2019-08-05 2023-07-04 Keltech Engineering, Inc. Abrasive lapping head with floating and rigid workpiece carrier

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS54101590A (en) * 1978-01-05 1979-08-10 Eshirooru Intern Co Gen Topute Polishing material* particularly eye lens polishing organic polishing material
JPH09270402A (ja) * 1996-03-29 1997-10-14 Hitachi Chem Co Ltd 酸化セリウム研磨剤及び基板の製造法
EP0820092A1 (en) * 1996-02-07 1998-01-21 Hitachi Chemical Co., Ltd. Cerium oxide abrasive, semiconductor chip, semiconductor device, process for the production of them, and method for the polishing of substrates
WO1999064527A1 (en) * 1998-06-10 1999-12-16 Rodel Holdings, Inc. Composition and method for polishing in metal cmp
JP2001052718A (ja) * 1999-08-12 2001-02-23 Fuji Electric Co Ltd 触媒の製造方法と該触媒を用いた燃料電池
KR20050118314A (ko) * 1999-06-18 2005-12-16 히다치 가세고교 가부시끼가이샤 Ｃｍｐ연마제, 이것을 사용한 기판의 연마방법과반도체장치의 제조방법 및 ｃｍｐ연마제용 첨가제

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3574823A (en) * 1968-08-05 1971-04-13 Colgate Palmolive Co Dentifrice containing visible agglomerated particles of polishing agents
JPS6243482A (ja) * 1985-08-21 1987-02-25 Sanyo Chem Ind Ltd 研磨加工液
JP2714411B2 (ja) * 1988-12-12 1998-02-16 イー・アイ・デュポン・ドゥ・ヌムール・アンド・カンパニー ウェハーのファイン研摩用組成物
US5352277A (en) * 1988-12-12 1994-10-04 E. I. Du Pont De Nemours & Company Final polishing composition
JPH063342A (ja) * 1992-06-17 1994-01-11 Toyo Electric Mfg Co Ltd 有機材料の発生ガス分析装置
JP2738291B2 (ja) * 1994-02-14 1998-04-08 日本電気株式会社 機械・化学研磨方法および研磨装置
JP3278532B2 (ja) * 1994-07-08 2002-04-30 株式会社東芝 半導体装置の製造方法
KR970042941A (ko) 1995-12-29 1997-07-26 베일리 웨인 피 기계적 화학적 폴리싱 공정을 위한 폴리싱 합성물
EP0786504A3 (en) * 1996-01-29 1998-05-20 Fujimi Incorporated Polishing composition
US5738800A (en) 1996-09-27 1998-04-14 Rodel, Inc. Composition and method for polishing a composite of silica and silicon nitride
JPH10102040A (ja) * 1996-09-30 1998-04-21 Hitachi Chem Co Ltd 酸化セリウム研磨剤及び基板の研磨法
US5876490A (en) * 1996-12-09 1999-03-02 International Business Machines Corporatin Polish process and slurry for planarization
US5759917A (en) * 1996-12-30 1998-06-02 Cabot Corporation Composition for oxide CMP
JPH10204416A (ja) * 1997-01-21 1998-08-04 Fujimi Inkooporeetetsudo:Kk 研磨用組成物
US6248143B1 (en) * 1998-01-27 2001-06-19 Showa Denko Kabushiki Kaisha Composition for polishing glass and polishing method
JP2000109802A (ja) * 1998-10-08 2000-04-18 Hitachi Chem Co Ltd Ｃｍｐ研磨剤及び基板の研磨方法
US6299795B1 (en) * 2000-01-18 2001-10-09 Praxair S.T. Technology, Inc. Polishing slurry
US6416685B1 (en) * 2000-04-11 2002-07-09 Honeywell International Inc. Chemical mechanical planarization of low dielectric constant materials

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS54101590A (en) * 1978-01-05 1979-08-10 Eshirooru Intern Co Gen Topute Polishing material* particularly eye lens polishing organic polishing material
EP0820092A1 (en) * 1996-02-07 1998-01-21 Hitachi Chemical Co., Ltd. Cerium oxide abrasive, semiconductor chip, semiconductor device, process for the production of them, and method for the polishing of substrates
JPH09270402A (ja) * 1996-03-29 1997-10-14 Hitachi Chem Co Ltd 酸化セリウム研磨剤及び基板の製造法
WO1999064527A1 (en) * 1998-06-10 1999-12-16 Rodel Holdings, Inc. Composition and method for polishing in metal cmp
KR20010052718A (ko) * 1998-06-10 2001-06-25 콘래드 캐딩 금속 ｃｍｐ에서 광택화를 위한 조성물 및 방법
KR20050118314A (ko) * 1999-06-18 2005-12-16 히다치 가세고교 가부시끼가이샤 Ｃｍｐ연마제, 이것을 사용한 기판의 연마방법과반도체장치의 제조방법 및 ｃｍｐ연마제용 첨가제
JP2001052718A (ja) * 1999-08-12 2001-02-23 Fuji Electric Co Ltd 触媒の製造方法と該触媒を用いた燃料電池

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
공개특허 제2001-52718호

Also Published As

Publication number Publication date
EP1205965A1 (en) 2002-05-15
TWI292781B (en) 2008-01-21
DE60031857D1 (de) 2006-12-28
EP1205965B1 (en) 2006-11-15
EP1691401A3 (en) 2006-10-25
TW200643158A (en) 2006-12-16
US20090253355A1 (en) 2009-10-08
KR20050118314A (ko) 2005-12-16
WO2000079577A1 (fr) 2000-12-28
EP1691401B1 (en) 2012-06-13
JP4729834B2 (ja) 2011-07-20
US7410409B1 (en) 2008-08-12
DE60031857T2 (de) 2007-09-13
EP1205965A4 (en) 2002-10-24
US8002860B2 (en) 2011-08-23
KR20020015697A (ko) 2002-02-28
US20070169421A1 (en) 2007-07-26
TWI265958B (en) 2006-11-11
EP1691401A2 (en) 2006-08-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100796070B1 (ko) Ｃｍｐ연마제, 이것을 사용한 기판의 연마방법과반도체장치의 제조방법 및 ｃｍｐ연마제용 첨가제
KR100851451B1 (ko) Ｃｍｐ 연마제, ｃｍｐ 연마제용 첨가액 및 기판의 연마방법
KR100663781B1 (ko) Ｃμρ연마제 및 연마방법
JP4952745B2 (ja) Ｃｍｐ研磨剤および基板の研磨方法
KR100856171B1 (ko) Ｃｍｐ연마제 및 기판의 연마방법
KR100698396B1 (ko) 연마제 및 연마 방법
JP2006318952A (ja) Ｃｍｐ研磨剤及び基板の研磨方法
JP2003017446A (ja) Ｃｍｐ研磨剤及び基板の研磨方法
JP2003007660A (ja) Ｃｍｐ研磨材および基板の研磨方法
JP2003158101A (ja) Ｃｍｐ研磨剤及び製造方法
JP2001332516A (ja) Ｃｍｐ研磨剤及び基板の研磨方法
JP4491857B2 (ja) Ｃｍｐ研磨剤及び基板の研磨方法
JP2002151448A (ja) 酸化セリウム研磨剤用ｃｍｐパッド及び基板の研磨方法
JP2002134444A (ja) Ｃｍｐ研磨剤及び基板の研磨方法
JP2002203819A (ja) Ｃｍｐ研磨剤及び基板の研磨方法

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E902 Notification of reason for refusal
E601 Decision to refuse application
J201 Request for trial against refusal decision
A107 Divisional application of patent
J301 Trial decision

Free format text: TRIAL DECISION FOR APPEAL AGAINST DECISION TO DECLINE REFUSAL REQUESTED 20051028

Effective date: 20060828

S901 Examination by remand of revocation
E902 Notification of reason for refusal
E902 Notification of reason for refusal
GRNO Decision to grant (after opposition)
GRNT Written decision to grant
G170 Publication of correction
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20130110

Year of fee payment: 6

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20140103

Year of fee payment: 7

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20150105

Year of fee payment: 8

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20160104

Year of fee payment: 9

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20161230

Year of fee payment: 10

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20190107

Year of fee payment: 12

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20200103

Year of fee payment: 13