KR100479416B1 - 화학기계적 연마용 슬러리의 제조방법 - Google Patents
화학기계적 연마용 슬러리의 제조방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR100479416B1 KR100479416B1 KR10-2002-0029947A KR20020029947A KR100479416B1 KR 100479416 B1 KR100479416 B1 KR 100479416B1 KR 20020029947 A KR20020029947 A KR 20020029947A KR 100479416 B1 KR100479416 B1 KR 100479416B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- slurry
- chemical mechanical
- mechanical polishing
- abrasive
- polishing
- Prior art date
Links
- 239000002002 slurry Substances 0.000 title claims abstract description 100
- 238000005498 polishing Methods 0.000 title abstract description 55
- 239000000126 substance Substances 0.000 title abstract description 35
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title abstract description 10
- 239000000654 additive Substances 0.000 claims abstract description 30
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 28
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 claims abstract description 22
- 239000011148 porous material Substances 0.000 claims abstract description 5
- 229910021642 ultra pure water Inorganic materials 0.000 claims description 15
- 239000012498 ultrapure water Substances 0.000 claims description 15
- 239000003381 stabilizer Substances 0.000 claims description 12
- 238000001914 filtration Methods 0.000 claims description 10
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 claims description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 abstract description 63
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 abstract description 9
- 238000001471 micro-filtration Methods 0.000 abstract description 4
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 27
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 26
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N Ethylene glycol Chemical compound OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N Glycerine Chemical compound OCC(O)CO PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 10
- 239000002202 Polyethylene glycol Substances 0.000 description 8
- 229920001223 polyethylene glycol Polymers 0.000 description 8
- 229920001451 polypropylene glycol Polymers 0.000 description 8
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 7
- 239000003517 fume Substances 0.000 description 7
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 7
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 description 7
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 7
- 238000010494 dissociation reaction Methods 0.000 description 6
- 230000005593 dissociations Effects 0.000 description 6
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 6
- 229910021485 fumed silica Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 6
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 5
- 235000011187 glycerol Nutrition 0.000 description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 5
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 4
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 4
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 4
- 229920000036 polyvinylpyrrolidone Polymers 0.000 description 4
- 239000001267 polyvinylpyrrolidone Substances 0.000 description 4
- 235000013855 polyvinylpyrrolidone Nutrition 0.000 description 4
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Chemical compound [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- YPJMOVVQKBFRNH-UHFFFAOYSA-N 1-(9-ethylcarbazol-3-yl)-n-(pyridin-2-ylmethyl)methanamine Chemical compound C=1C=C2N(CC)C3=CC=CC=C3C2=CC=1CNCC1=CC=CC=N1 YPJMOVVQKBFRNH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 101100464779 Saccharomyces cerevisiae (strain ATCC 204508 / S288c) CNA1 gene Proteins 0.000 description 3
- 239000002585 base Substances 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 3
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 3
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 3
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000003082 abrasive agent Substances 0.000 description 2
- 238000004220 aggregation Methods 0.000 description 2
- 230000002776 aggregation Effects 0.000 description 2
- 125000000129 anionic group Chemical group 0.000 description 2
- 230000006399 behavior Effects 0.000 description 2
- 125000002091 cationic group Chemical group 0.000 description 2
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 230000014759 maintenance of location Effects 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 2
- -1 silicon ions Chemical class 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- 238000004438 BET method Methods 0.000 description 1
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 101000737979 Schizosaccharomyces pombe (strain 972 / ATCC 24843) Charged multivesicular body protein 7 Proteins 0.000 description 1
- 239000006061 abrasive grain Substances 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 239000007853 buffer solution Substances 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 239000002270 dispersing agent Substances 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 125000003709 fluoroalkyl group Chemical class 0.000 description 1
- 238000001879 gelation Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 1
- 239000011268 mixed slurry Substances 0.000 description 1
- 230000036961 partial effect Effects 0.000 description 1
- 230000036314 physical performance Effects 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 1
- 230000001698 pyrogenic effect Effects 0.000 description 1
- 239000005368 silicate glass Substances 0.000 description 1
- RMAQACBXLXPBSY-UHFFFAOYSA-N silicic acid Chemical compound O[Si](O)(O)O RMAQACBXLXPBSY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 230000006641 stabilisation Effects 0.000 description 1
- 238000011105 stabilization Methods 0.000 description 1
- 238000009736 wetting Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K3/00—Materials not provided for elsewhere
- C09K3/14—Anti-slip materials; Abrasives
- C09K3/1454—Abrasive powders, suspensions and pastes for polishing
- C09K3/1463—Aqueous liquid suspensions
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09G—POLISHING COMPOSITIONS; SKI WAXES
- C09G1/00—Polishing compositions
- C09G1/02—Polishing compositions containing abrasives or grinding agents
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
- H01L21/3205—Deposition of non-insulating-, e.g. conductive- or resistive-, layers on insulating layers; After-treatment of these layers
- H01L21/321—After treatment
- H01L21/32115—Planarisation
- H01L21/3212—Planarisation by chemical mechanical polishing [CMP]
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
Abstract
층간절연막용 슬러리로서 요구되는 제 특성과 우수한 연마 특성을 갖는 화학기계적 연마용 슬러리 및 그의 제조방법이 개시된다. 본 발명에 따른 화학기계적 연마용 슬러리는, 적어도 1종 이상의 연마제 및 분자량이 10,000 이하인 비이온성 첨가제를 포함되며, 3.0 ㎛ 이상의 대형 파티클이 100개 이하로 존재한다. 본 슬러리를 제조하기 위해 적어도 서로 다른 평균 포어 크기를 갖는 필터를 사용하여 정밀 여과공정을 수행한다.
Description
본 발명은 화학기계적 연마용 슬러리 및 그의 제조방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 다층 금속배선 구조를 갖는 반도체 집적회로의 제작과정에서 층간절연막(Interlayer Dielectric Film)의 평탄화를 위해 수행되는 화학기계적 연마(Chemical Mechanical Polising;CMP) 공정에 사용되는 슬러리, 이들 슬러리의 제조방법에 관한 것이다.
반도체 소자의 고밀도화, 미세화 및 배선구조의 다층화 추세에 따라 웨이퍼 상에 다층으로 형성되는 도전층 또는 절연층에서 단차가 증가하게 되었고, 이러한 단차를 제거하기 위해 에치백(etch-back) 공정, SOG(Spin On Glass) 또는 BPSG(Boro-Phosphate-Silicate Glass) 등의 물질의 흐름성을 이용한 리플로우(reflow) 공정 등에 의한 평탄화 방법이 개발되어 반도체 소자의 제조공정에 이용되어 왔지만, 적용상의 문제점이나 한계등으로 인하여, 1980년대 말 미국 IBM이 기계적 제거공정과 화학적 제거공정을 결합시킨 화학기계적 연마(CMP)라는 새로운 연마공정을 개발하였으며, 국내에서도 1990년 이후 CMP 기술의 중요성을 인식하여 상당한 기술개발이 이루어지고 있으며, 64M 이상의 메모리 반도체, 비메모리 반도체에서는 거의 전 영역에 적용될 정도로 미세가공기술의 중심이 되고 있으며, 향후 차세대 기가급 디램 메모리 또는 동급의 비메모리 반도체의 제조에 있어서 가장 중요한 평탄화 기술로 채택이 고려되고 있다.
CMP 공정의 원리는 가공하고자 하는 웨이퍼의 표면과 연마패드를 접촉한 상태에서 슬러리를 이들 접촉부위에 공급하면서 웨이퍼와 연마패드를 상대적으로 이동시킴으로써, 웨이퍼 표면의 요철부분을 화학적으로 반응시키면서 동시에 물리적으로 제거하여 평탄화하는 광역 평탄화기술이다.
CMP 기술을 이용하는 경우 연마속도와 연마표면의 평탄화도가 매우 중요하며, 이러한 것들은 CMP 장비의 공정조건, 슬러리의 종류, 연마패드의 종류등에 의해 결정된다.
이중에서 슬러리는 직접적으로 화학기계적 연마공정의 핵심 문제인 파티클이나 마이크로 스크래치에 직접적인 영향을 끼치는 것으로서, 연마대상에 따라 옥사이드용 슬러리, 금속용 슬러리, 폴리실리콘용 슬러리 등이 있다.
특히, 옥사이드용 슬러리는 층간절연막 및 STI(Shallow Trench Isolation) 공정에 사용되는 실리콘산화층을 연마할 때 사용되는 슬러리로서, 일반적으로 연마제 입자, 초순수, pH 안정제 및 계면활성제 등의 성분으로 구성된다. 이중에서 연마입자는 연마기계로부터 압력을 받아 기계적으로 표면을 연마하는 작용을 하는 것이며, pH 안정제는 용액의 pH를 조절하여 연마제 입자들의 제타 전위의 절대값이 최대가 되게함으로써 전기적 반발력에 의해 입자들의 분산 상태가 최적이 되도록 하는 것이며, 계면활성제로서는 슬러리의 겔화 및 파티클 침전현상을 최대한 억제하고 분산 안정성을 유지하기 위한 분산제나 pH 변화에 따른 입자의 분산성에의 영향을 가능한 억제하기 위한 버퍼 용액등이 사용된다.
한편, 이러한 화학기계적 연마용 슬러리에서는 연마속도, 분산안정성, 마이크로 스크래치 안정성이 요구되며, 좁고 균일한 적정 입도 분포와 1 ㎛이상의 크기를 갖는 큰 입자의 갯수가 일정 한도 범위 이내로 제한되도록 요구되고 있다.
이러한 화학기계적 연마용 슬러리를 제조하기 위한 종래의 기술은 다음과 같은 것이 있다. 미국 캐봇(Cabot)사가 1960년대 초에 발명하여 특허된 미합중국 특허 제 2,984,629호에서는 미디어 밀(media mill)을 이용한 발열성(pyrogenic) 흄(fumed) 실리카의 분산을 핵심으로 하는 슬러리의 제조방법이 개시되어 있으며, 역시 미국 캐봇사에서 1993년에 발명한 흄 실리카의 혼합을 분산기술의 근본으로 하는 슬러리 제조기술이 개시되어 있으며, 여기에서는 대상이 되는 흄 실리카의 비표면적을 10 내지 75 m2/gram 으로 제한하고 있다.
그러나, 상기 종래의 기술들에서는 화학기계적 연마용 슬러리의 제조방법에 대해 기술하고 있으나, 층간절연막(interlayer dielectric;ILD)용 슬러리로서 요구되는 제 특성인 평균입도, 입도 분산성, 점도, 1.0 ㎛ 이상의 대형 파티클 등에 관한 구체적인 내용이 개시되어 있지 않다. 따라서, 층간절연막 슬러리로서 요구되는 제 특성들을 만족시킬 수 있는 새로운 화학기계적 연마용 슬러리에 대한 개발이 요구되고 있다.
또한, 종래의 화학기계적 연마용 슬러리에서는 화학기계적 연마공정이 수행되는 웨이퍼 표면에 치명적인 결함인 마이크로 스크래치를 유발하는 원인인 슬러리 중의 대형 파티클을 최소화하려는 구체적인 방법들이 제시되어 있지 못하다. 일반적으로 여러가지 화학적 첨가제로서 대형 파티클을 최소화하는 방법이 많이 제안되었으나, 이러한 방법들은 부분적인 효과만 있을 뿐 화학적 첨가제로 인하여 슬러리 자체의 분산안정성에 영향을 주거나 가공 후 웨이퍼 표면에 불순물 혹은 잔류 파티클 오염의 원인을 제공하는 문제점이 있었다.
본 발명의 목적은 층간절연막(interlayer dielectric;ILD)용 슬러리로서 요구되는 제 특성인 평균입도, 입도 분산성, 점도, 1.0 ㎛ 이상 또는 3.0 ㎛ 이상의 대형 파티클 등에 관하여 우수한 물성을 가지며, 동시에 연마속도가 크고 면내불균일성(WIWNU)이 작으며 대형 파티클에 의한 마이크로 스크래치가 최소화되는 우수한 연마 특성을 갖는 화학기계적 연마용 슬러리를 제공하는 데 있다.
본 발명의 다른 목적은 상기와 같은 물성 및 연마특성을 가지며, 동시에 대형 파티클을 최소화시키는 화학기계적 연마용 슬러리의 제조방법을 제공하는 데 있다.
상기 본 발명의 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 화학기계적 연마용 슬러리는, 적어도 1종 이상의 연마제 및 분자량이 10,000 이하인 비이온성 첨가제가 포함되며, 3.0 ㎛ 이상의 대형 파티클이 100개 이하로 존재한다.
상기 슬러리는 실리카계열의 연마제가 10 내지 50 중량%가 되도록 초순수와 혼합되며, 상기 연마제의 평균입자크기가 5 내지 50 nm인 것이 바람직하다.
한편, 상기 슬러리에는 알카리계 안정제가 더 포함될 수 있으며, 계면활성제가 더 포함될 수 있다.
상기 첨가제는 상기 연마제를 기준으로 0.001 내지 3.0 중량%, 바람직하게는 0.01 내지 2.0 중량%가 되도록 첨가되며, 상기 첨가제로서는 에틸렌글리콜, 글리세린, 폴리에틸렌글리콜, 폴리프로필렌글리콜, 폴리에틸렌글리콜 및 폴리프로필렌글리콜의 공중합체, 폴리비닐피로리돈, 플루로알킬 계열인 미국 3M사의 FG계열, 독일 바이어(Bayer)사의 Bayowet FT계열 등이 사용될 수 있다.
상기 본 발명의 다른 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 화학기계적 연마용 슬러리의 제조방법은, 초순수에 연마제를 투입하는 단계; 상기 초순수와 연마제를 예비혼합하여 슬러리를 형성하는 단계; 상기 슬러리를 10,000 내지 20,000 Psi 범위에서 고압 분산시키는 단계; 상기 고압 분산된 슬러리에 안정제를 첨가하여 슬러리를 안정화하는 단계; 상기 슬러리에 분자량이 10,000이하인 비이온성 첨가제를 첨가하는 단계; 및 3.0 ㎛ 이상의 대형 파티클이 100개 이하로 제거되도록 상기 슬러리를 적어도 3회 이상 정밀 여과하는 단계를 포함한다.
상기 슬러리를 형성하는 단계에서 평균입자크기가 5 내지 50 nm인 실리카계열의 연마제가 10 내지 50 중량%가 되도록 초순수와 혼합하는 것이 바람직하며, 상기 첨가제는 에틸렌글리콜, 글리세린, 폴리에틸렌글리콜, 폴리프로필렌글리콜, 폴리에틸렌글리콜과 폴리프로필렌글리콜의 공중합체, 폴리비닐피로리돈, 플루로알킬 계열인 미국 3M사의 FG계열, 독일 바이어(Bayer)사의 Bayowet FT계열 등이 사용될 수 있으며, 상기 첨가제는 상기 연마제를 기준으로 0.001 내지 3.0 중량%가 되도록 첨가되는 것이 바람직하다.
상기 슬러리를 정밀 여과하는 단계에서는 일반 화학약품 여과용으로 사용되는 멤브레인 필터(membrane filter) 대신에 용융방사 부직섬유상 구조를 갖는 뎁스 필터(depth filter)를 사용하며, 평균 포아 크기가 서로 다른 필터들을 조합하여 사용하는 것이 바람직하다.
본 발명에 의하면, 분자량이 10,000 이하인 비이온성의 유기 혹은 고분자계 첨가제를 첨가하게 됨에 따라 연마제인 흄 실리카 입자 표면에 고분자 등이 흡착되어 보호층 역할을 함으로써 Si+ 이온의 해리량을 감소시켜 슬러리의 분산안정성을 유지할 수 있으며, 평균 포어(pore) 크기가 서로 다른 필터를 사용하여 슬러리내에 있는 대형 파티클을 적어도 3회 이상 정밀 여과시킴에따라서, 층간절연막이 요구하는 평균입도, 분산안정성, 점도, 대형 파티클 갯수등의 제 물성과 연마속도, 면내불균일성, 마이크로 스크래치 등에 관한 제 연마 특성을 갖는 슬러리를 제조할 수 있다.
이하 첨부된 도면들을 참조하면서 본 발명에 따른 바람직한 실시예들을 상세히 설명한다. 본 실시예들은 본 발명을 한정하는 것이 아니라, 본 발명의 구체적인 실시예로서 본 발명의 사상을 당업자가 쉽게 이해할 수 있도록 단순히 예시한 것에 불과하다.
{ 화학기계적 연마용 슬러리 }
본 발명에 따른 화학기계적 연마용 슬러리는 연마제로서 실리카계열의 연마입자를 사용하며, 바람직하게는 흄(fumed) 실리카를 사용할 수 있다. 상기 실리카계열의 연마제가 10 내지 50 중량%, 바람직하게는 20 내지 40 중량%가 되도록 초순수와 혼합되며, 상기 연마제의 평균입자크기는 5 내지 50 nm인 것을 사용한다. 상기 슬러리에는 알카리계 안정제 및/또는 계면활성제가 더 포함될 수 있다.
알카리계 안정제를 첨가하는 것은 슬러리를 안정화시키기 위한 것이다. 즉, 흄 실리카계 연마제의 특징이 pH 9 이하에서는 실리식 산(Silicic acid) Si(OH)4를 형성하고, pH 9 이상의 염기영역에서는 모노실리케이트(SiO(OH)3-, SiO2(OH)4
)와 폴리실리케이트를 형성한다. 상기 알카리계 안정제를 첨가한 후 pH 11의 강염기의 슬러리 상태에서는 흄 실리카 입자 표면에서 Si4+ 이온의 해리가 발생한다. 이러한 해리된 Si4+ 이온은 슬러리의 계면전위거동을 감소시켜 분산안정성을 저하시키는 결과를 초래하며, 이를 방지하기 위하여 상기 비이온성의 첨가제를 첨가하여 슬러리의 분산안정성을 유지시킨다.
한편, 상기 첨가제는 연마제를 기준으로 0.001 내지 3.0 중량%, 바람직하게는 0.01% 내지 2.0 중량%가 되도록 첨가되며, 상기 첨가제는 분자량이 10,000이하인 유기 혹은 고분자계 첨가제로서, 에틸렌글리콜, 글리세린, 폴리에틸렌글리콜, 폴리프로필렌글리콜, 폴리에틸렌글리콜 및 폴리프로필렌글리콜의 공중합체, 폴리비닐피로리돈, 미국 3M사의 FG계열, 독일 바이어(Bayer)사의 Bayowet FT계열 등이 사용될 수 있다.
상기 첨가제는 1㎛ 이상의 대형 파티클의 생성을 방지하기 위하여 투입되며, 기본적으로 분자량이 10,000 이하로서 수용성이며 비이온성이어야 한다. 첨가제가 초순수에 용해되어야 할 뿐만 아니라, 양이온 또는 음이온 물질은 오히려 슬러리의 재응집을 유발시킬 수 있으며, 분자량이 10,000 이상인 경우에도 입자간 재응집을 유발시켜 대형 파티클(Large Particle)의 생성을 촉진하는 결과를 초래할 수 있다. 따라서, 이러한 유기 혹은 고분자 첨가제를 첨가하면 흄 실리카 입자 표면에 이들 첨가제가 흡착되어 보호층을 역할을 하여 Si4+ 이온의 해리량을 감소시켜 카운터 이온효과(counter ion effect)가 제거되어 슬러리의 분산안정성 유지하게 할 수 있다.
본 실시예에서는 연마제로서 시판되는 모델명 Aerosil 90G(Degussa-Huls)인 흄 실리카 330 Kg에 초순수 670 Kg을 혼합한 후, 후술하는 초고압 분산을 통하여 슬러리의 입도제어 공정을 수행하고, 추가적으로 초순수를 가하여 원하는 농도가 되도록 조정하였으며, 본 실시예에서는 연마제 농도가 12 중량%가 되도록 하였다.
이렇게 제조된 슬러리에 45%의 수산화칼륨용액 8 Kg을 가하여 알카리 분산안정화를 시켰으며, 첨가제로서 글리세린을 연마입자 중량기준 1 중량%를 첨가하였다.
이렇게 형성된 화학기계적 연마용 슬러리에는 후술하는 본 발명에 따른 정밀 여과공정을 거쳐 표1에 나타난 바와 같이, 3.0 ㎛ 이상의 대형 파티클이 100개 이하로 존재한다. 1.0 ㎛ 이상의 대형 파티클은 3000개 이하로 측정되었으며, 측정기기는 미국 PSS사의 Accusizer 780APS를 사용하였다.
{화학기계적 연마용 슬러리의 제조방법}
이하에서는 상기 본 발명에 따른 화학기계적 연마용 슬러리의 제조방법에 대하여 첨부한 도1을 참조하여 설명한다.
먼저, 슬러리의 원료로서, 초순수가 담겨있는 예비 혼합기(High Shear Mixer)내에 연마제를 투입한다(S10). 연마제는 시판되는 흄 실리카계를 사용하며, BET법에 의해 측정된 평균입자크기가 5 내지 50 nm인 것을 사용한다.
이어서, 슬러리의 원료인 초순수와 연마제를 예비 혼합한다(S20). 이때 연마제의 농도는 10 내지 50 중량% 범위를 유지하도록 혼합한다. 또한, 예비 혼합단계에서는 실리콘 이온의 해리로 인한 응집 및 고형분량 대비 입자전기이중층의 과팽창으로 인한 응집을 방지하기 위해 슬러리의 pH는 2 이상 6 이하가 되도록 한다.
이어서 혼합된 슬러리는 펌프를 사용하여 적절한 분산장비(미디어밀(Media Mill) 혹은 초고압 분산장비)로 이송시킨 후 고압 분산한다(S30). 이때 분산장비는 어느 장비를 사용하여도 가능하지만, 분산능력의 재현성과 분산공정중 발생가능한 오염의 최소화, 그리고 분산후 평균입도 및 평균입도 분산성 등의 여러가지 요소를 고려하여 초고압 분산장비를 사용하는 것이 바람직하다. 본 실시예에서는 시판되는 초고압 분산장비를 사용하였으며, 미국 Microfluiducs사의 제품인 Microfluidizer 혹은 일본 Nanomizer사의 제품인 Namomier 등을 사용하였으며, 어느 장비를 사용하여도 무방하다. 단, 초고압 분산장비의 핵심인 고경도 분산 챔버의 재질은 내구성을 고려하여 다이아몬드 재질의 챔버를 사용하는 것이 바람직하다. 고압분산시 적절한 압력은 10,000 내지 20,000 psi가 바람직하다. 이 범위보다 낮은 압력에서 분산을 하면 분산효율이 충분하지 않으며, 이 범위보다 높은 압력에서는 장비효율 및 챔버의 내구성에 좋지 않은 영향을 미치므로 상기 압력 범위에서 분산을 하는 것이 바람직하다.
이와 같이 초고압 분산을 거쳐 슬러리의 입도제어 공정을 한 후, 추가적으로 초순수를 가하여 원하는 연마입자 농도로 조정할 수도 있다.
분산이 끝난 슬러리는 평균입도 제어 공정이 마무리 되었으므로, 이 후 단계에서 안정제를 첨가하여 슬러리의 안정화를 수행한다(S40). 본 실시예에서는 알카리계 안정제를 첨가하여 슬러리를 안정화시킨다. 일반적으로 흄 실리카계 연마제는 pH 9 이하에서는 실리식 산(Silicic acid) Si(OH)4를 형성하고, pH 9 이상의 염기영역에서는 모노실리케이트(SiO(OH)3-, SiO2(OH)4)와 폴리실리케이트를 형성한다. 상기 알카리계 안정제를 첨가한 후 pH 11의 강염기의 슬러리 상태에서는 흄 실리카 입자 표면에서 Si4+ 이온의 해리가 발생한다. 이러한 해리된 Si4+ 이온은 슬러리의 계면전위거동을 감소시켜 분산안정성을 저하시키는 결과를 초래하며, 이를 방지하기 위하여 비이온성 첨가제를 첨가하여 슬러리의 분산안정성을 유지시킨다.
한편, 제조된 슬러리의 연마성능에서 웨이퍼와 슬러리간의 상호작용을 개선하기 위해 웨이퍼 웨팅(wetting)과 표면장력을 감소시키는 계면활성제를 더 첨가할 수 있다.
알카리계 안정제를 첨가하여 슬러리를 안정화시킨 후에 분산안정성을 유지하고 1㎛ 이상의 대형 파티클의 생성을 방지하기 위해 적절한 유기 혹은 고분자계 첨가제를 투입한다.
본 실시예에서 상기 첨가제는 연마제를 기준으로 0.001 내지 3.0 중량%가 되도록 첨가되며, 상기 첨가제는 분자량이 10,000이하인 유기 혹은 고분자계 첨가제로서, 에틸렌글리콜, 글리세린, 폴리에틸렌글리콜, 폴리프로필렌글리콜, 폴리에틸렌글리콜 및 폴리프로필렌글리콜의 공중합체, 폴리비닐피로리돈, 미국 3M사의 FG계열, 독일 바이어(Bayer)사의 Bayowet FT계열 등이 사용될 수 있다.
상기 첨가제는 1㎛ 이상의 대형 파티클의 생성을 방지하기 위하여 투입되며, 그 성질상 수용성이며 비이온성이어야 한다. 첨가제가 초순수에 용해되어야 할 뿐만 아니라, 양이온 또는 음이온 물질은 오히려 슬러리의 재응집을 유발시킬 수 있으며, 분자량이 10,000 이상인 경우에도 입자간 재응집을 유발시켜 대형 파티클(Large Particle)의 생성을 촉진하는 결과를 초래할 수 있다. 따라서, 이러한 유기 혹은 고분자 첨가제를 첨가하면 흄 실리카 입자 표면에 이들 첨가제가 흡착되어 보호층을 역할을 하여 Si4+ 이온의 해리량을 감소시켜 카운터 이온효과(counter ion effect)가 제거되어 슬러리의 분산안정성 유지하게 할 수 있다.
이어서, 슬러리에 대한 첨가 공정 및 농도조정 공정이 끝난 후에는 필터를 사용하여 대형 파티클을 신속히 제거하는 슬러리 여과를 수행한다(S50). 상기 슬러리 여과 공정은 대형 파티클을 슬러리로부터 제거하여 연마면에서의 스크래치 발생을 줄이기 위해 실시한다.
본 실시예에서는 시판되는 미국 Millipore사의 뎁스 필터(depth filter)를 사용하였다. 뎁스 필터는 화학약품 여과용으로 일반적으로 사용되는 멤브레인 필터와 같이 일정한 입자경을 갖는 비교적 고정된 구조를 갖지 않고, 용융방사 부직섬유상 구조를 갖는다. 이러한 뎁스 필터는 중심을 둘러싸는 복수개의 필터층이 형성되어 있으며, 대형 파티클을 외측에 존재하는 필터층에서 트랩되고, 그 보다 작은 파티클은 내측에 존재하는 필터층에서 트랩되며, 일정한 임계 크기 이하의 파티클은 여과없이 통과하게 된다.
상기 Millipore사의 뎁스 필터는 여과하려는 입자의 크기에 대응하여 필터의 평균 포어(pore) 크기를 달리하도록 제작되었으며, 파티클 크기별 억류효과(Retention Efficiency, %)에 따라 도 3에서 보여지듯이, CMP1, CMP3, CMP5, CMP7, CMP9, CM11, CM13, CM16등으로 구분하고 있다. 도 3에서 알 수 있듯이, CMP1의 경우 1.0 ㎛ 이상의 파티클 억류율이 90%, CMP3의 경우 85%, CMP5의 경우 70 내지 75%가 됨을 알 수 있다.
본 발명에서는 상기 Millipore사의 필터를 사용하여 3.0 ㎛ 이상의 크기를 갖는 대형 파티클의 제거와 함께 1.0 ㎛ 이상의 크기를 갖는 파티클도 최소화하기 위해 특히 CMP1, CMP3, CMP5 필터를 조합하여 사용하였다.
본 발명에서는 적어도 서로 다른 필터를 사용하여 적어도 3회 이상 연속 정밀 여과공정을 실시하였으며, 그 실시 결과 슬러리내에 존재하는 파티클의 수를 표1에 나타내었다.
| 구 분 | 1.0 ㎛ 이상 | 2.0 ㎛ 이상 | 3.0 ㎛ 이상 |
| 여 과 전 | 51573 | 9332 | 5118 |
| 실시예1 CMP 5-3-1 | 856 | 211 | 89 |
| 실시예2 CMP 5-1-3 | 1205 | 89 | 50 |
| 실시예3 CMP 3-1-5 | 1626 | 233 | 98 |
| 비교예1 CMP 3-1 | 2785 | 475 | 266 |
| 비교예2 CMP 1-1 | 1281 | 417 | 220 |
| 실시예4 CMP 5-1-3-3 | 1073 | 121 | 92 |
표1에서 실시예1은 필터의 조합을 CMP5-CMP3-CMP1의 순서로 연속하여 정밀 여과한 경우이며, 실시예2는 필터의 조합을 CMP5-CMP1-CMP3의 순서로 연속하여 정밀 여과한 경우이며, 실시예3은 필터의 조합을 CMP3-CMP1-CMP5의 순서로 연속하여 정밀 여과한 경우이며, 비교예1은 필터의 조합을 CMP3-CMP1의 순서로 두번 정밀 여과한 경우이며, 비교예2는 필터의 조합을 CMP1-CMP1의 순서로 연속하여 같은 모델의 필터를 사용하여 정밀 여과한 경우이며, 실시예4는 필터의 조합을 CMP5-CMP1-CMP3-CMP3의 순서로 연속하여 정밀 여과한 경우를 각기 나타내고 있으며, 파티클의 측정은 미국 PSS사의 Accusizer 780APS를 사용하였다.
표1에서 보여지는 바와 같이, 본 발명의 실시예들의 경우 3.0 ㎛ 이상의 대형 파티클의 수가 모두 100개 이하로 존재하여 매우 양호한 결과를 나타내고 있는 반면에 비교예와 같이 2번 또는 같은 필터를 연속사용하는 경우 3.0 ㎛ 이상의 대형 파티클수가 매우 많이 존재함을 알 수 있다.
이어서, 본 발명의 실시예에 따라 슬러리 여과 공정이 끝난 본 발명의 슬러리와 시판되고 있는 타사 제품의 슬러리들에 대해서 화학기계적 연마공정에 따른 제반 물성 및 성능 특성을 시험하였다.
도 2를 참조하여 화학기계적 연마장비 및 방법에 대하여 간단히 살펴보면, 연마패드(14)가 표면에 형성된 연마테이블(10)이 모터(도시안됨)에 의해 회전운동을 하는 제1 회전축(12)에 연결되어 회전운동을 하게 된다. 연마패드(14) 위로는 화학기계적 연마공정을 수행할 기판(26)을 장착할 수 있는 스핀들(20)이 역시 모터(도시안됨)에 의해 회전운동을 하는 제2 회전축(22)에 의해 상기 연마테이블(10)과 반대 방향으로 회전할 수 있도록 구성된다. 기판(26)은 스핀들(20)의 표면에 클램프(24)에 의해 탈착가능하게 고정된다. 한편, 연마 테이블(10)의 일측에는 슬러리공급부(30)로부터 슬러리(32)가 공급되어진다.
화학기계적 연마공정의 원리는 전술한 바와 같이, 가공하고자 하는 웨이퍼의 표면과 연마패드를 접촉한 상태에서 슬러리를 이들 접촉부위에 공급하면서 웨이퍼와 연마패드를 상대적으로 이동시킴으로써, 웨이퍼 표면의 요철부분을 화학적으로 반응시키면서 동시에 물리적으로 제거하여 평탄화하는 광역 평탄화기술이다.
CMP 연마장비는 미국 어플라이드 머티리얼사의 Mirra장비를 사용하였으며, 대상 웨이퍼는 산화막계열의 층간절연막으로 사용되는 PETEOS를 도포한 8인치 옥사이드 블랑켓 웨이퍼를 사용하였다. 막의 두께 측정기는 미국 KLA-Tencor사 제품을 사용하였으며, 마이크로 스크래치 측정은 미국 KLA-Tencor사에서 시판하고 있는 Surfscan 6200을 사용하였다.
상기 조건에서 각각의 슬러리에 대하여 일정 시간 연마를 실시하였으며, 연마에 의해 제거된 두께변화로부터 연마속도를 측정하였으며, 각 슬러리에 대한 연마성능의 결과를 표2에 나타내었다.
| 구 분 | R/R | WIWNU | HTH | 마이크로스크래치 |
| 실 시 예 | 4283 | 3.33 | 103 | 2.0 |
| A 사 | 4230 | 3.66 | 110 | 2.9 |
| B 사 | 4340 | 4.13 | 105 | 20.0 |
표2에서 연마속도 R/R(Removal Rate)의 단위는 Å/min이며, 면내불균일성 WIWNU(Within Wafer Non Uniformity)의 단위는 %이며, HTH(Head To Head Removal Rate Difference)의 단위는 Å이며, 마이크로 스크래치의 단위는 갯수이다.
표2는 본 발명의 실시예 및 시판되고 있는 A사 및 B사 제품들에 대해서는 동일한 조건하에 연마공정을 수행한 결과이며, 표2에서 알 수 있듯이, 본 발명에 의한 실시예들에 의한 슬러리의 경우 타사 제품에 비하여 비하여 마이크로 스크래치 개수가 현저히 감소함을 알 수 있으며, 연마속도도 양호하며, 면내불균일성도 양호함을 알 수 있었다.
이상의 실시예들에 대해 상술하였지만, 본 발명은 첨부되는 특허청구범위의 기술적 사상 범위내에서 다양한 변형실시가 가능함은 물론이다. 예를 들어 본 실시예에서는 미국 Millipore사 제품의 필터를 사용하였으나, 미국 Pall사의 동급 필터를 사용하여 수행할 수도 있음은 물론이다.
본 발명에 의하면, 슬러리를 초고압으로 분산시키고, 분산된 슬러리내에서 입자간의 재응집을 방지할 수 있는 첨가제를 첨가함으로써 층간절연막용 슬러리로서 요구되는 제 특성들이 우수하며, 특히 마이크로 스크래치를 유발하는 대형 파티클 개수가 현저히 감소하여 우수한 연마 특성을 갖는 화학기계적 연마용 슬러리를 얻을 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 화학기계적 연마용 슬러리의 제조과정을 나타내는 공정순서도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 화학기계적 연마장비의 개략도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 사용한 필터들의 파티클 억류효과를 나타낸 그래프이다.
Claims (12)
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 초순수에 연마제를 투입하는 단계;상기 초순수와 연마제를 예비혼합하여 슬러리를 형성하는 단계;상기 슬러리를 10,000 내지 20,000 Psi 범위에서 고압 분산시키는 단계;상기 고압 분산된 슬러리에 안정제를 첨가하여 슬러리를 안정화하는 단계;상기 슬러리에 분자량이 10,000이하인 비이온성 첨가제를 첨가하는 단계; 및상기 슬러리를 평균 포아 크기가 각기 1.0 ㎛, 3.0 ㎛ 및 5.0 ㎛인 서로 다른 필터들을 조합하여 연속하여 정밀 여과하는 단계를 포함하는 화학기계적 연마용 슬러리의 제조방법.
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 제 7 항에 있어서, 상기 슬러리를 정밀 여과하는 단계에서는 용융방사 부직섬유상 구조를 갖는 필터를 사용하는 것을 특징으로 하는 화학기계적 연마용 슬러리의 제조방법.
- 삭제
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR10-2002-0029947A KR100479416B1 (ko) | 2002-05-29 | 2002-05-29 | 화학기계적 연마용 슬러리의 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR10-2002-0029947A KR100479416B1 (ko) | 2002-05-29 | 2002-05-29 | 화학기계적 연마용 슬러리의 제조방법 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20030092315A KR20030092315A (ko) | 2003-12-06 |
| KR100479416B1 true KR100479416B1 (ko) | 2005-03-30 |
Family
ID=32384911
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR10-2002-0029947A KR100479416B1 (ko) | 2002-05-29 | 2002-05-29 | 화학기계적 연마용 슬러리의 제조방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR100479416B1 (ko) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR102303440B1 (ko) | 2020-10-13 | 2021-09-17 | 이호수 | 고순도 수계 화학첨가제의 제조방법 |
Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000015560A (ja) * | 1998-06-30 | 2000-01-18 | Okamoto Machine Tool Works Ltd | 研磨剤スラリーおよびその製造方法 |
| JP2000160138A (ja) * | 1998-12-01 | 2000-06-13 | Fujimi Inc | 研磨用組成物 |
| KR20000074300A (ko) * | 1999-05-19 | 2000-12-15 | 유현식 | 연마용 조성물 |
| KR20010052718A (ko) * | 1998-06-10 | 2001-06-25 | 콘래드 캐딩 | 금속 ｃｍｐ에서 광택화를 위한 조성물 및 방법 |
| US6319096B1 (en) * | 1999-11-15 | 2001-11-20 | Cabot Corporation | Composition and method for planarizing surfaces |
| KR20020040636A (ko) * | 2000-11-24 | 2002-05-30 | 가네꼬 히사시 | 화학적 기계적 연마용 슬러리 |
| KR20030050026A (ko) * | 2001-12-18 | 2003-06-25 | 백운규 | 화학기계적 연마용 슬러리, 이들 슬러리의 제조방법 및이들 슬러리를 이용한 화학기계적 연마방법 |
-
2002
- 2002-05-29 KR KR10-2002-0029947A patent/KR100479416B1/ko active IP Right Grant
Patent Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20010052718A (ko) * | 1998-06-10 | 2001-06-25 | 콘래드 캐딩 | 금속 ｃｍｐ에서 광택화를 위한 조성물 및 방법 |
| JP2000015560A (ja) * | 1998-06-30 | 2000-01-18 | Okamoto Machine Tool Works Ltd | 研磨剤スラリーおよびその製造方法 |
| JP2000160138A (ja) * | 1998-12-01 | 2000-06-13 | Fujimi Inc | 研磨用組成物 |
| KR20000074300A (ko) * | 1999-05-19 | 2000-12-15 | 유현식 | 연마용 조성물 |
| US6319096B1 (en) * | 1999-11-15 | 2001-11-20 | Cabot Corporation | Composition and method for planarizing surfaces |
| KR20020040636A (ko) * | 2000-11-24 | 2002-05-30 | 가네꼬 히사시 | 화학적 기계적 연마용 슬러리 |
| KR20030050026A (ko) * | 2001-12-18 | 2003-06-25 | 백운규 | 화학기계적 연마용 슬러리, 이들 슬러리의 제조방법 및이들 슬러리를 이용한 화학기계적 연마방법 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR102303440B1 (ko) | 2020-10-13 | 2021-09-17 | 이호수 | 고순도 수계 화학첨가제의 제조방법 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20030092315A (ko) | 2003-12-06 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US7429367B2 (en) | Method for producing improved cerium oxide abrasive particles and compositions including such particles | |
| EP1056816B1 (en) | Cerium oxide slurry for polishing, process for preparing the slurry, and process for polishing with the slurry | |
| US8030213B2 (en) | Polishing compound for semiconductor integrated circuit device, polishing method and method for producing semiconductor integrated circuit device | |
| KR100988749B1 (ko) | 반도체용 연마제, 그 제조 방법 및 연마 방법 | |
| US7695345B2 (en) | Polishing compound for semiconductor integrated circuit device, polishing method and method for producing semiconductor integrated circuit device | |
| EP1890321A1 (en) | Semiconductor abrasive | |
| US20060032150A1 (en) | Method for producing improved cerium oxide abrasive particles and compositions including such particles | |
| KR101184731B1 (ko) | 산화세륨 제조 방법, 이로부터 얻어진 산화세륨 및 이를 포함하는 ｃｍｐ슬러리 | |
| KR102322420B1 (ko) | 저결점의 화학적 기계적 폴리싱 조성물 | |
| TW200815288A (en) | Cerium oxide powder, method for preparing the same, and CMP slurry comprising the same | |
| JP4972829B2 (ja) | Ｃｍｐ研磨剤及び基板の研磨方法 | |
| KR20210076571A (ko) | Sti 공정용 연마 슬러리 조성물 | |
| JP2006516067A (ja) | 研磨剤組成物とそれによる研磨方法 | |
| KR101126124B1 (ko) | 연마 평탄도를 향상시킨 산화 세륨 슬러리 조성물 | |
| KR101197163B1 (ko) | Ｃｍｐ슬러리 | |
| KR100555432B1 (ko) | 반도체 박막 연마용 산화세륨 수성 슬러리 및 이의 제조방법 | |
| KR100479416B1 (ko) | 화학기계적 연마용 슬러리의 제조방법 | |
| KR101732421B1 (ko) | 연마입자 및 그를 포함하는 연마 슬러리 조성물 | |
| JP2006303348A (ja) | 化学的機械的研磨用研磨剤、研磨方法および半導体集積回路装置の製造方法 | |
| KR20030050026A (ko) | 화학기계적 연마용 슬러리, 이들 슬러리의 제조방법 및이들 슬러리를 이용한 화학기계적 연마방법 | |
| KR101406764B1 (ko) | 화학적 기계적 연마용 슬러리 및 그 제조 방법 | |
| KR100918767B1 (ko) | 산화세륨 분말, 그 제조방법, 및 이를 포함하는ｃｍｐ슬러리 | |
| KR101406765B1 (ko) | 화학적 기계적 연마용 슬러리 및 그 제조 방법 | |
| KR100497410B1 (ko) | 연마성능이 개선된 산화막 연마용 슬러리 조성물 | |
| JP4878728B2 (ja) | Ｃｍｐ研磨剤および基板の研磨方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant | ||
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20130318 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20140107 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20141230 Year of fee payment: 11 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20151209 Year of fee payment: 12 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20161214 Year of fee payment: 13 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20171204 Year of fee payment: 14 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20181211 Year of fee payment: 15 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20191210 Year of fee payment: 16 |