KR102322420B1 - 저결점의 화학적 기계적 폴리싱 조성물 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 초기 성분으로서: 물, 콜로이드성 실리카 연마제; 및 화학식 I에 따른 첨가제를 포함하는, 실리콘 산화물을 함유하는 기판을 폴리싱하기 위한 저결점의 화학적 기계적 폴리싱 조성물을 제공한다.

Description

저결점의 화학적 기계적 폴리싱 조성물{LOW DEFECT CHEMICAL MECHANICAL POLISHING COMPOSITION}
본 발명은 화학적 기계적 폴리싱 분야에 관한 것이다. 구체적으로, 본 발명은 초기 성분으로서 물, 콜로이드성 실리카 연마제, 및 화학식 I에 따른 첨가제를 포함하는 저결점의 화학적 기계적 폴리싱 조성물에 관한 것이다.
집적회로와 기타 전자 디바이스의 제조에 있어서, 전도성, 반도성 및 유전체 물질의 다중층은 반도체 웨이퍼의 표면에 침착되거나 그 표면에서 제거된다. 전도성, 반도성 및 유전체 물질의 박층은 다양한 침착방법으로 침착될 수 있다. 최근의 가공에 있어서 일반적인 침착방법은 스퍼터링(sputtering)이라고도 알려진 물리적 증착(PVD), 화학적 증착(CVD), 플라즈마(plasma-enhanced) 화학증착(PECVD), 및 전기화학적 도금(ECP)을 포함한다.
물질층들은 순차적으로 침착 및 제거되므로 웨이퍼의 최표면은 비평탄성이 된다. 후속하는 반도체 가공(예를 들어, 금속화)은 평평한 표면을 갖는 웨이퍼를 필요로 하기 때문에 웨이퍼는 평탄화되어야 한다. 평탄화(planarization)는, 예컨대 거친 표면, 응집 물질, 결정 격자 손상, 스크래치 및 오염된 층 또는 물질 등의 바람직하지 않은 표면 지형 및 표면 결점을 제거하는 데 유용하다.
화학적 기계적 평탄화, 또는 화학적 기계적 폴리싱(CMP)은 반도체 웨이퍼 같은 기판을 평탄화하는데 사용되는 통상적 기술이다. 일반적 CMP에서, 웨이퍼는 캐리어 어셈블리에 장착되어 CMP 장치의 폴리싱 패드와 접촉하도록 위치한다. 캐리어 어셈블리는 제어할 수 있는 압력을 웨이퍼에 제공하고 이것을 폴리싱 패드에 대해 가압한다. 패드는 외부 구동력에 의해 웨이퍼에 대해 이동(예를 들어, 회전)된다. 그와 동시에, 폴리싱 조성물("슬러리") 또는 다른 폴리싱 용액이 웨이퍼와 폴리싱 패드 사이에 제공된다. 따라서, 웨이퍼 표면이 폴리싱되고 패드 표면과 슬러리의 화학적 및 기계적 작용에 의해 평탄하게 된다.
화학적 기계적 평탄화는 일반적으로 얕은 트렌치 격리(STI) 층 상, 및 반도체 디바이스의 제조에서 층간 유전체(ILD) 또는 금속 간 유전체 (IMD) 층 상에 사용된다. 이러한 유전체 층은 인접 반도체와 전도성 경로 사이에서 전기적 절연층으로서 작용한다. 침착된 유전체 물질은 대개 반도체 디바이스에서 얕은 트렌치 격리 구조 또는 층간 유전체 절연체로 지칭된다. 이러한 구조를 형성하는데 있어서, 결점(예를 들어, 스크래치)을 생성하지 않으면서 신속하게 적합한 평탄성(planarity)으로 유전체 물질(예를 들어, 실리콘 산화물)을 폴리싱하는 것과 관련하여 문제가 있다. 반도체 디바이스에서 구조의 크기는 계속 줄기 때문에 성능 기준이 일단 폴리싱 유전체 물질의 평탄화와 결점도에 허용가능한 것은 점점 허용가능할 수 없게 된다. 한번 허용가능한 것으로 간주된 스크래치는 수율을 제한한다.
유전체 층 폴리싱에 대해 확실하게 개선된 결점도를 갖는 평탄화 조성물을 제공하는 화학적 기계적 평탄화 방법에서 사용하기 위한 폴리싱 제제가 미국 특허 제6,322,600호(Brewer 등)에 기술되었다. Brewer 등은 구형의 단분산 (monodisperse) 알킬실리케이트 입자를 포함하는 알코졸(alkosol)(여기에서 적어도 90 wt%의 입자가 중량평균직경이 20% 이하로 상이한 직경을 갖는다), 및 0 내지 9 wt% 범위로 알코올을 포함하는 액체 담체, 염기 및 나머지 물을 포함하는, pH가 9 내지 11.5인 평탄화 조성물을 기술하였다.
그럼에도 불구하고, 반도체 시스템의 제조에서 사용하기 위한 디바이스 디자인의 동적 필드를 지지하기 위해 변화하는 디자인 요구를 만족하는 폴리싱 특성의 바람직한 균형을 제공하도록 제제화된 화학적 기계적 폴리싱 조성물이 지속적으로 요구되고 있다. 예를 들어, 저결점의 유전체 폴리싱 성능과 함께 조절된 실리콘 산화물 제거 속도를 나타내는 화학적 기계적 폴리싱 조성물에 대한 필요성이 여전히 존재한다.
본 발명은 초기 성분으로서: 물, 0.1 내지 40 wt%의 콜로이드성 실리카 연마제; 0.001 내지 5 wt%의 화학식 I에 따른 첨가제를 포함하며; <0.00000000001 wt%의 내포 화합물(inclusion compound)을 함유하고; <0.00000000001 wt%의 산화제를 함유하는, 화학적 기계적 폴리싱 조성물을 제공한다:
Figure 112014088038208-pat00001
I
상기 화학식 I에서, R1은 C1 -8 알킬 그룹이고; R2, R3, R4, R5, R6는 각각 독립적으로 수소, 할로겐, 하이드록실 그룹 및 C1 -8 알킬 그룹에서 선택된다.
본 발명은 초기 성분으로서: 물, 0.1 내지 40 wt%의 콜로이드성 실리카 연마제; 0.001 내지 5 wt%의 화학식 I에 따른 첨가제를 포함하며; <0.00000000001 wt%의 내포 화합물(inclusion compound)을 함유하고; <0.00000000001 wt%의 산화제를 함유하며; ≥10의 pH를 나타내는, 화학적 기계적 폴리싱 조성물을 제공한다:
Figure 112014088038208-pat00002
I
상기 화학식 I에서, R1은 C1 -8 알킬 그룹이고; R2, R3, R4, R5, R6는 각각 독립적으로 수소, 할로겐, 하이드록실 그룹 및 C1 -8 알킬 그룹에서 선택된다.
본 발명은 초기 성분으로서: 물, 0.1 내지 40 wt%의 콜로이드성 실리카 연마제; 0.001 내지 5 wt%의 화학식 Ia에 따른 첨가제를 포함하며; <0.00000000001 wt%의 내포 화합물을 함유하고; <0.00000000001 wt%의 산화제를 함유하는, 화학적 기계적 폴리싱 조성물을 제공한다:
Figure 112014088038208-pat00003
Ia
상기 화학식 Ia에서, R7은 C1-8 알킬 그룹이고, R8은 수소, 할로겐, 하이드록실 그룹 및 C1-8 알킬 그룹에서 선택된다.
본 발명은 초기 성분으로서: 물, 0.1 내지 40 wt%의 콜로이드성 실리카 연마제; 0.001 내지 5 wt%의 화학식 Ib에 따른 첨가제를 포함하며; <0.00000000001 wt%의 내포 화합물을 함유하고; <0.00000000001 wt%의 산화제를 함유하는, 화학적 기계적 폴리싱 조성물을 제공한다:
Figure 112014088038208-pat00004
Ib
상기 화학식 Ib에서, R9은 C1 -8 알킬 그룹이다.
본 발명은 초기 성분으로서: 물, 0.1 내지 40 wt%의 콜로이드성 실리카 연마제; 0.001 내지 5 wt%의 화학식 Ic에 따른 첨가제를 포함하며; <0.00000000001 wt%의 내포 화합물을 함유하고; <0.00000000001 wt%의 산화제를 함유하는, 화학적 기계적 폴리싱 조성물을 제공한다:
Figure 112014088038208-pat00005
Ic
본 발명은 기판(여기서 기판은 실리콘 산화물을 포함한다)을 제공하고; 본 발명에 따른 화학적 기계적 폴리싱 조성물을 제공하고; 화학적 기계적 폴리싱 패드에 폴리싱 표면을 제공하고; 화학적 기계적 폴리싱 조성물을 화학적 기계적 폴리싱 패드의 폴리싱 표면에 화학적 기계적 폴리싱 패드와 기판 사이 경계면에 또는 근접하여 분산하고; 화학적 기계적 폴리싱 패드와 기판 사이 경계면의 동적 접촉(dynamic contact)을 0.69 내지 34.5 kPa의 하향력으로 생성하는 것을 포함하는 기판의 화학적 기계적 폴리싱 방법을 제공하고; 여기에서 기판을 폴리싱하고; 실리콘 산화물 일부를 기판으로부터 제거한다.
본 발명은 기판(여기서 기판은 실리콘 산화물을 포함한다)을 제공하고; 본 발명에 따른 화학적 기계적 폴리싱 조성물을 제공하고; 화학적 기계적 폴리싱 패드에 폴리싱 표면을 제공하고; 화학적 기계적 폴리싱 조성물을 화학적 기계적 폴리싱 패드의 폴리싱 표면에 화학적 기계적 폴리싱 패드와 기판 사이 경계면에 또는 근접하여 분산하고; 화학적 기계적 폴리싱 패드와 기판 사이 경계면의 동적 접촉(dynamic contact)을 0.69 내지 34.5 kPa의 하향력으로 생성하는 것을 포함하는 기판의 화학적 기계적 폴리싱 방법을 제공하고; 여기에서 기판을 폴리싱하고; 실리콘 산화물 일부를 기판으로부터 제거하며; 화학적 기계적 폴리싱 조성물은 ≥ 1,000 Å/min의 실리콘 산화물 제거율을 나타내고; 화학적 기계적 폴리싱 조성물은 크기가 > 0.16 μm인 후(post)폴리싱 SP1 결점 총수를 70 이하로 구현할 수 있다.
본 발명은 기판(여기서 기판은 실리콘 산화물을 포함한다)을 제공하고; 본 발명에 따른 화학적 기계적 폴리싱 조성물을 제공하고; 화학적 기계적 폴리싱 패드에 폴리싱 표면을 제공하고; 화학적 기계적 폴리싱 조성물을 화학적 기계적 폴리싱 패드의 폴리싱 표면에 화학적 기계적 폴리싱 패드와 기판 사이 경계면에 또는 근접하여 분산하고; 화학적 기계적 폴리싱 패드와 기판 사이 경계면의 동적 접촉을 0.69 내지 34.5 kPa의 하향력으로 생성하는 것을 포함하는 기판의 화학적 기계적 폴리싱 방법을 제공하고; 여기에서 기판을 폴리싱하고; 실리콘 산화물 일부를 기판으로부터 제거하며; 화학적 기계적 폴리싱 조성물은 ≥ 1,000 Å/min의 실리콘 산화물 제거율을 나타내고; 화학적 기계적 폴리싱 조성물은 크기가 > 0.16 μm인 후(post)폴리싱 SP1 스크래치 총수를 25 이하로 구현할 수 있다.
본 발명은 기판(여기서 기판은 실리콘 산화물을 포함한다)을 제공하고; 본 발명에 따른 화학적 기계적 폴리싱 조성물을 제공하고; 화학적 기계적 폴리싱 패드에 폴리싱 표면을 제공하고; 화학적 기계적 폴리싱 조성물을 화학적 기계적 폴리싱 패드의 폴리싱 표면에 화학적 기계적 폴리싱 패드와 기판 사이 경계면에 또는 근접하여 분산하고; 화학적 기계적 폴리싱 패드와 기판 사이 경계면의 동적 접촉을 0.69 내지 34.5 kPa의 하향력으로 생성하는 것을 포함하는 기판의 화학적 기계적 폴리싱 방법을 제공하고; 여기에서 기판을 폴리싱하고; 실리콘 산화물 일부를 기판으로부터 제거하며; 화학적 기계적 폴리싱 조성물은 ≥ 1,000 Å/min의 실리콘 산화물 제거율을 나타내고; 화학적 기계적 폴리싱 조성물은 크기가 > 0.16 μm인 후폴리싱 SP1 결점 총수를 70 이하로 구현할 수 있고; 화학적 기계적 폴리싱 조성물은 크기가 > 0.16 μm인 후폴리싱 SP1 스크래치 총수를 25 이하로 구현할 수 있다.
본 발명의 화학적 기계적 폴리싱 조성물은 실리콘 산화물을 포함하는 기판을 폴리싱하기 위해 디자인되었다. 본 발명의 화학적 기계적 폴리싱 조성물은 초기 성분으로서 다음 화학식 I에 따른 첨가제를 포함한다:
Figure 112014088038208-pat00006
I
상기 화학식 I에서, R1은 C1 -8 알킬 그룹이고; R2, R3, R4, R5, R6는 각각 독립적으로 수소, 할로겐, 하이드록실 그룹 및 C1 -8 알킬 그룹에서 선택된다.
화학식 I에 따른 첨가제는 화학적 기계적 폴리싱 조성물에서 콜로이드성 실리카 연마제를 시간에 따른 응집으로부터 안정화하는 한편, 콜로이드성 실리카 연마제의 전하 전도도 및 제타(zeta) 포텐셜에 대한 최소한의 효과를 갖는다.
화학적 기계적 폴리싱 조성물에서 화학식 I에 따른 첨가제를 포함하여 발생한 실리콘 산화물의 제거율(Å/min) 변화와 관련하여 명세서와 첨부된 특허청구범위에서 사용된 "실질적으로 변하지 않는"이란 용어는 실리콘 산화물의 제거율이 ≤ 10%까지 변하는 것을 의미한다. 즉, 다음 식은 실리콘 산화물 제거율이 실질적으로 변하지 않았을 때 만족된다:
((B0-B)의 절대값/B0)*100 ≤ 10
상기 식에서, B는 초기 성분으로서 화학식 I에 따른 첨가제를 함유하는 본 발명의 화학적 기계적 폴리싱 조성물의 실리콘 산화물 제거율(Å/min)이고; B0는 화학식 I에 따른 첨가제가 화학적 기계적 폴리싱 조성물에 없는 것을 제외한 동일 조건 하에서 얻어진 실리콘 산화물 제거율이다.
본 발명의 화학적 기계적 폴리싱 조성물에서 화학식 I에 따른 첨가제를 포함하여 얻어진 결점도 성능을 기술하기 위해 본 명세서와 첨부된 특허청구범위에서 사용된 "향상된 폴리싱 결점도 성능"이란 용어는 다음 식을 만족하는 것을 의미한다:
X < X0
상기 식에서 X는 실시예에 기재된 폴리싱 조건 하에 측정된, 초기 성분으로서 본 발명의 화학식 I에 따른 첨가제를 함유하는 화학적 기계적 폴리싱 조성물의 결점도(즉, 후기 CMP/불화수소 스크래치)이고; X0는 화학적 기계적 폴리싱 조성물이 화학식 I에 따른 첨가제를 함유하지 않는 것을 제외하고 동일한 조건 하에 얻어진 결점도(즉, 후기 CMP/불화수소 스크래치)이다.
본 발명의 화학적 기계적 폴리싱 조성물에 함유된 물은 바람직하게 적어도 탈이온화하거나 증류하여 부수적인 불순물을 제한한다.
본 발명의 화학적 기계적 폴리싱 조성물은 초기 성분으로서: 0.1 내지 40 wt% (바람직하게, 5 내지 25 wt%; 더욱 바람직하게, 10 내지 20 wt%; 가장 바람직하게, 14 내지 17 wt%)의 콜로이드성 실리카 연마제를 포함한단. 바람직하게, 콜로이드성 실리카 연마제는 ≤ 200 nm (더욱 바람직하게 10 내지 200 nm; 보다 더 바람직하게, 70 내지 170 nm; 가장 바람직하게 100 내지 150 nm)의 평균입자크기를 나타낸다. 바람직하게, 콜로이드성 실리카 연마제는 비구형의 연장된 형태를 나타낸다. 가장 바람직하게, 콜로이드성 실리카 연마제는 헤머타이트(hematite) 땅콩형 형태를 나타낸다.
본 발명의 화학적 기계적 폴리싱 조성물은 바람직하게 초기 성분으로서: 0.001 내지 5 wt%(바람직하게, 0.1 내지 1 wt%; 더욱 바람직하게, 0.25 내지 0.75 wt%; 가장 바람직하게, 0.5 내지 0.7 wt%)의 화학식 I에 따른 첨가제를 포함한다:
Figure 112014088038208-pat00007
I
상기 화학식 I에서, R1은 C1 -8 알킬 그룹(바람직하게, C1 -5 알킬 그룹; 더욱 바람직하게, C2 -4 알킬 그룹; 가장 바람직하게, C3 알킬 그룹)이고; R2, R3, R4, R5, R6는 각각 독립적으로 수소, 할로겐, 하이드록실 그룹 및 C1 -8 알킬 그룹(바람직하게, 수소, 하이드록실 그룹 및 C1 -5 알킬 그룹; 더욱 바람직하게, 수소 및 C1 -5 알킬 그룹; 가장 바람직하게 수소)에서 선택된다. 바람직하게, 본 발명의 화학적 기계적 폴리싱 조성물은 초기 성분으로서: 화학식 I에 따른 첨가제(여기서, 화학식 I에 따른 첨가제는 다음 화학식 Ia에 따른다)를 포함한다:
Figure 112014088038208-pat00008
Ia
상기 화학식 Ia에서, R7은 C1-8 알킬 그룹(바람직하게, C1-5 알킬 그룹; 더욱 바람직하게, C2-4 알킬 그룹; 가장 바람직하게, C3 알킬 그룹)이고; R8은 수소, 할로겐, 하이드록실 그룹 및 C1-8 알킬 그룹(바람직하게, 수소, 하이드록실 그룹 및 C1-5 알킬 그룹; 더욱 바람직하게, 수소 및 C1-5 알킬 그룹; 가장 바람직하게 수소)에서 선택된다. 더욱 바람직하게, 본 발명의 화학적 기계적 폴리싱 조성물은 초기 성분으로서: 화학식 I에 따른 첨가제(여기서, 화학식 I에 따른 첨가제는 다음 화학식 Ib에 따른 것이다)를 포함한다:
Figure 112014088038208-pat00009
Ib
상기 화학식 Ib에서, R9은 C1 -8 알킬 그룹(바람직하게, C1 -5 알킬 그룹; 더욱 바람직하게, C2 -4 알킬 그룹; 가장 바람직하게, C3 알킬 그룹)이다. 가장 바람직하게, 본 발명의 화학적 기계적 폴리싱 조성물은 바람직하게 초기 성분으로서: 화학식 I에 따른 첨가제(여기서, 화학식 I에 따른 첨가제는 다음 화학식 Ic에 따른 것이다)를 포함한다:
Figure 112014088038208-pat00010
Ic
본 발명의 화학적 기계적 폴리싱 조성물은 바람직하게 pH ≥ 10 (더욱 바람직하게, pH 10 내지 12; 가장 바람직하게, 10 내지 11)에서의 폴리싱을 위해 디자인되었다. 본 발명의 화학적 기계적 폴리싱 조성물은 임의로 무기 및 유기 pH 조절제를포함할 수 있다. 바람직하게, 임의의 pH 조절제는 무기산 또는 무기염기에서 선택된다. 가장 바람직하게, 임의의 pH 조절제는 질산, 황산, 염산, 인산, 황산칼륨 및 수산화칼륨에서 선택된다.
본 발명의 화학적 기계적 폴리싱 방법에서 사용된 화학적 기계적 폴리싱 조성물의 농축물은 임의로 바람직하게 내포 화합물을 포함하지 않는다. 본 명세서와 첨부된 특허청구범위에서 사용된 "내포 화합물"이란 용어는 다른 이온, 원자 또는 분자를 동정하고 분자 또는 분자 응집물 내에 형성된 공동에서 다양한 상호작용에 의해 이들을 포집하는 화합물을 의미한다(예를 들어, 사이클로덱스트린, 사이클로판(cyclo-phane), 중성 폴리리간드, 사이클릭 폴리음이온, 사이클릭 폴리양이온, 및 사이클릭 펩티드). 본 명세서와 첨부된 특허청구범위에서 사용된 "내포 화합물이 없는"이란 용어는 화학적 기계적 폴리싱 조성물이 < 0.00000000001 wt% (더욱 바람직하게, 검출가능한 한계치 미만)의 내포 화합물을 함유하는 것을 의미한다.
본 발명의 화학적 기계적 폴리싱 조성물은 바람직하게 산화제를 포함하지 않는다. 본 명세서와 첨부된 특허청구범위에서 사용된 "산화제가 없는"이란 용어는 화학적 기계적 폴리싱 조성물이 < 0.00000000001 wt% (더욱 바람직하게, 검출가능한 한계치 미만)의 산화제, 예컨대 과산화수소, 질산염, 요오드산염, 과요오드산염, 차아염소산염, 아염소산염, 염소산염, 과염소산염, 과황산염, 중크롬산염, 과망간산 염, 오존수, 은(II)염, 철(III)염, 과황산염(예를 들어, 암모늄 모노퍼설페이트 및 칼륨 디퍼설페이트) 및 과요오드산염(예를 들어, 과요오드산 칼륨)을 함유하는 것을 의미한다.
본 발명의 화학적 기계적 폴리싱 조성물은 바람직하게 퍼옥시 산화제가 없다. 본 명세서와 첨부된 특허청구범위에서 사용된 "퍼옥시 산화제"란 용어는 과산화수소, 우레아 과산화수소, 퍼카보네이트염, 벤조일 퍼옥사이드, 퍼아세트산, 소듐 퍼옥사이드, 디-tert-부틸 퍼옥사이드, 모노퍼설페이트염, 디퍼설페이트염, 및 철(III) 화합물 같은 퍼옥시 산화제를 의미한다. 본 명세서와 첨부된 특허청구범위에서 사용된 "퍼옥시 산화제가 없는"이란 용어는 화학적 기계적 폴리싱 조성물이 <0.00000000001 wt%의 퍼옥시 산화제(더욱 바람직하게, 퍼옥시 산화제의 검출가능한 한계치 미만)를 함유하는 것을 의미한다.
본 발명의 화학적 기계적 폴리싱 방법은 바람직하게 기판(여기서 기판은 실리콘 산화물을 포함한다)을 제공하고; pH가 ≥ 10 (더욱 바람직하게, pH 10 내지 12; 가장 바람직하게, pH 10 내지 11)인 본 발명의 화학적 기계적 폴리싱 조성물을 제공하고; 화학적 기계적 폴리싱 패드에 폴리싱 표면을 제공하고(바람직하게, 여기서 화학적 기계적 폴리싱 패드는 폴리머성 중공 코어 마이크로입자를 함유하는 폴리우레탄 폴리싱 층과 폴리우레탄 내재 부직(non-woven) 서브패드를 포함한다); 화학적 기계적 폴리싱 조성물을 폴리싱 표면에 분산하고; 기판에 대하여 폴리싱 표면을 움직이고; 여기서 적어도 일부의 실리콘 산화물을 기판으로부터 제거하여 기판을 폴리싱하는 것을 포함한다.
본 발명의 화학적 기계적 폴리싱 방법에서 폴리싱된 기판은 실리콘 산화물을 포함한다. 기판의 실리콘 산화물은 당분야에서 알려진 적합한 실리콘 산화물; 예를 들어 보로포스포실리케이트 글라스(BPSG), 플라즈마 에칭 테트라에틸 오르토 실리케이트(PETEOS), 열 산화물, 비도핑 실리케이트 글라스, 고밀도 플라즈마(HDP) 산화물일 수 있다.
본 발명의 화학적 기계적 폴리싱 방법에서 사용된 화학적 기계적 폴리싱 패드는 당분야에서 공지된 적합한 폴리싱 패드일 수 있다. 화학적 기계적 폴리싱 패드는 바람직하게 직조 및 부직성 폴리싱 패드로부터 선택될 수 있다. 화학적 기계적 폴리싱 패드는 다양한 밀도, 경도, 두께, 압축률 및 모듈러스의 적합한 폴리머로 제조할 수 있다. 화학적 기계적 폴리싱 패드는 필요하다면 그루브되거나 천공할 수 있다.
바람직하게, 본 발명의 화학적 기계적 폴리싱 방법에 있어서, 화학적 기계적 폴리싱 조성물은 화학적 기계적 폴리싱 패드의 폴리싱 표면에 화학적 기계적 폴리싱 패드와 기판 사이의 경계면에 또는 그에 근접하여 분산된다.
바람직하게, 본 발명의 화학적 기계적 폴리싱 방법에서는: 화학적 기계적 폴리싱 패드와 기판 사이 경계면의 동적 접촉(dynamic contact)을 0.69 내지 34.5 kPa의 하향력으로 생성하는 것을 포함하고; 여기에서 화학적 기계적 폴리싱 조성물은 ≥ 1,000 Å/min(바람직하게, ≥ 1,500 Å/min; 더욱 바람직하게, ≥ 2,000 Å/min; 가장 바람직하게, ≥ 2,500 Å/min)의 실리콘 산화물 제거율을 나타내고; 화학적 기계적 폴리싱 조성물이 크기가 > 0.16 μm인 후(post)폴리싱 SP1 결점 총수(본 원의 실시예에 기술된 방법에 따라 측정)를 70 이하(바람직하게, 60 이하; 더욱 바람직하게 50 이하)로 구현할 수 있다.
바람직하게, 본 발명의 화학적 기계적 폴리싱 방법에서는: 화학적 기계적 폴리싱 패드와 기판 사이 경계면의 동적 접촉을 0.69 내지 34.5 kPa의 하향력으로 생성하는 것을 포함하고; 여기에서 화학적 기계적 폴리싱 조성물은 ≥ 1,000 Å/min(바람직하게, ≥ 1,500 Å/min; 더욱 바람직하게, ≥ 2,000 Å/min; 가장 바람직하게, ≥ 2,500 Å/min)의 실리콘 산화물 제거율을 나타내고; 화학적 기계적 폴리싱 조성물은 크기가 > 0.16 μm인 후폴리싱 SP1 스크래치 총수(본 원의 실시예에 기술된 방법에 따라 측정)를 25 이하(바람직하게, 20 이하; 더욱 바람직하게 15 이하)로 구현할 수 있다.
본 발명의 화학적 기계적 폴리싱 방법에서 사용된 화학적 기계적 폴리싱 조성물에 함유된 화학식 I(더욱 바람직하게, 화학식 Ia; 더욱 바람직하게, 화학식 Ib; 가장 바람직하게 화학식 Ic)에 따른 첨가제는 바람직하게 실리콘 산화물의 제거율(분당 옹스트롬, Å/min으로 측정)에 대해 실질적으로 영향을 미치지 않는다. 즉, 실리콘 산화물 제거율은 본 발명의 화학적 기계적 폴리싱 조성물에서 화학식 I에 따른 첨가제의 포함에 의해 "실질적으로 변화되지 않는다".
본 발명의 화학적 기계적 폴리싱 방법에서 사용된 화학적 기계적 폴리싱 조성물에 함유된 화학식 I(더욱 바람직하게, 화학식 Ia; 더욱 바람직하게, 화학식 Ib; 가장 바람직하게 화학식 Ic)에 따른 첨가제는 폴리싱 결점도 성능을 향상시킨다. 바람직하게, 화학적 기계적 폴리싱 조성물에서 초기 성분으로서 화학식 I(더욱 바람직하게, 화학식 Ia; 더욱 바람직하게, 화학식 Ib; 가장 바람직하게 화학식 Ic)에 따른 첨가제의 포함은 실시예에 기재된 폴리싱 조건 하에서 측정했을 때, 폴리싱 결점도(즉, 후기 CMP/불화수소 스크래치)를 ≥ 25%; 더욱 바람직하게 ≥ 30%; 가장 바람직하게 ≥ 40% 감소한다. 즉, 바람직하게 다음 식들 중 적어도 하나를 만족한다:
(i) (X0-X)/X * 100 ≥ 25;
(ii) (X0-X)/X * 100 ≥ 30; 및,
(iii) (X0-X)/X * 100 ≥ 40;
상기 식에서, X는 실시예에 기재된 폴리싱 조건 하에 측정된, 화학식 I에 따른 첨가제를 함유하는 화학적 기계적 폴리싱 조성물의 폴리싱 결점도(즉, 후기 CMP/불화수소 스크래치)이고; X0는 화학적 기계적 폴리싱 조성물이 화학식 I에 따른 첨가제를 함유하지 않는 것을 제외하고 동일한 조건 하에 얻어진 폴리싱 결점도(즉, 후기 CMP/불화수소 스크래치)이다.
이하, 본 발명의 일부 구체예를 다음 실시예에서 상세하게 기술하였다.
비교예 C1 - C2 및 실시예 1
비교예 C1-C2 및 실시예 1의 화학적 기계적 폴리싱 조성물을 표 1에 기재된 양으로 성분들을 조합하여 탈이온수로 밸런싱하고 조성물의 pH를 표 1에 기재된 최종 pH로 수산화칼륨을 사용하여 조절하여 제조하였다.
Figure 112014088038208-pat00011

비교예 PC1 - PC2 및 실시예 P1
화학적 기계적 폴리싱 제거율 실험
비교예 PC1-PC2 및 실시예 P1 각각에서 비교예 C1-C2 및 실시예 1에 따라 제조된 화학적 기계적 폴리싱 조성물을 사용하여 이산화규소 제거율 폴리싱 시험을 수행하였다. 구체적으로, 표 1에 나타낸 각각의 화학적 기계적 폴리싱 조성물에 대한 이산화규소 제거율. 폴리싱 제거율 실험은 SEMATECH SVTC의 200 mm 블랭킷 1k TEOS 시트 웨이퍼에서 수행하였다. Applied Materials 200 mm Mirra® 폴리싱제가 사용되었다. 폴리싱 실험은 모두 IC1010™ 폴리우레탄 폴리싱 패드(Rohm and Haas Electronic Materials CMP Inc.로부터 상업적으로 입수가능)를 20.7 kPa (3 psi)의 하향력, 200 ml/min의 화학적 기계적 폴리싱 슬러리 조성물 유속, 93 rpm의 테이블 회전속도 및 87 rpm의 캐리어 회전속도로 사용하여 수행하였다. Diagrid® AD3BG-150855 다이아몬드 패드 컨디셔너(Kinik Company로부터 상업적으로 입수가능)를 사용하여 폴리싱 패드를 컨디셔닝하였다. 폴리싱 패드를 컨디셔너로 14.0 lbs (6.35 kg)의 하향력을 20분 동안 사용하여 파괴하였다. 폴리싱 패드를 폴리싱 전에 9 lbs (4.1 kg)의 하향력을 10분 동안 사용하여 현지 외(ex situ)에서 추가로 컨디셔닝하였다. 폴리싱 패드는 또한 제자리에서 폴리싱하는 동안 10 sweeps/min으로 폴리싱 패드의 중심으로부터 1.7에서 9.2까지 9 lbs (4.1 kg)의 하향력으로 컨디셔닝되었다. 제거율은 폴리싱 전후의 필름 두께를 49 포인트 스파이럴 스캔과 3 mm 엣지 배제율을 사용하는 KLA-Tencor FX200 계측 장치에 의해 측정하여 결정되었다. 제거율 실험 결과를 표 2에 나타내었다.
Figure 112014088038208-pat00012

표 3에 기재한 화학적 기계적 폴리싱 조성물의 결점도 성능은 전자주사현미경을 사용하여 폴리싱과 불화수소 후폴리싱 세척("Pst HF") 후에 측정되었다. Pst-HF 세척 후의 모든 TEOS 웨이퍼는 KLA-Tencor로부터 입수할 수 있는 Surfscan® SP1 결점 검사 시스템을 사용하여 점검하였다. 결점 정보는, 웨이퍼 상의 그의 배위물을 포함하여 KLARF (KLA 결과 파일)에 기록된 다음, KLA-Tencor의 eDR-5200 결점 리뷰 시스템으로 옮겨졌다. 100 결점 이미지의 랜덤 샘플을 선택하고 eDR-5200 시스템으로 리뷰하였다. 100 이미지를 다양한 결점 종류, 예를 들어 채터 마크(chatter mark)(스크래치), 입자 및 패드 잔해로 분류하였다. 100 이미지의 분류 결과에 따라, 웨이퍼 상 스크래치의 총 수를 측정하였다.
Figure 112014088038208-pat00013

Claims (10)

  1. 기판의 화학적 기계적 폴리싱 방법으로서,
    기판(여기서 기판은 실리콘 산화물을 포함한다)을 제공하는 단계;
    화학적 기계적 폴리싱 조성물을 제공하는 단계;
    폴리싱 표면을 가진 화학적 기계적 폴리싱 패드를 제공하는 단계;
    화학적 기계적 폴리싱 패드와 기판 사이 경계면에 또는 근접하여, 화학적 기계적 폴리싱 조성물을 화학적 기계적 폴리싱 패드의 폴리싱 표면상에 분산하는 단계; 및
    화학적 기계적 폴리싱 패드와 기판 사이 경계면에서 0.69 내지 34.5 kPa의 하향력으로 동적 접촉(dynamic contact)을 생성시키는 단계;를 포함하며,
    기판은 폴리싱되고, 실리콘 산화물의 일부가 기판으로부터 제거되며,
    상기 화학적 기계적 폴리싱 조성물이, 초기 성분으로서:
    물;
    0.1 내지 40 wt%의 콜로이드성 실리카 연마제; 및
    0.001 내지 5 wt%의 하기 화학식 (I)에 따른 첨가제;를 포함하며;
    여기서, 상기 화학적 기계적 폴리싱 조성물이 내포 화합물(inclusion compound)을 0.00000000001 wt% 미만으로 함유하고, 상기 화학적 기계적 폴리싱 조성물이 산화제를 0.00000000001 wt% 미만으로 함유하는,
    기판의 화학적 기계적 폴리싱 방법:
    Figure 112021067962760-pat00014
    (I)
    상기 화학식 I에서, R1은 C1-8 알킬 그룹이고; R2, R3, R4, R5, R6는 각각 독립적으로 수소, 할로겐, 하이드록실 그룹 및 C1-8 알킬 그룹에서 선택된다.
  2. 제1항에 있어서, 화학적 기계적 폴리싱 조성물이 10 이상의 pH를 나타내는, 화학적 기계적 폴리싱 방법.
  3. 제1항에 있어서, 화학적 기계적 폴리싱 조성물이 분당 93 회전의 테이블(platen) 속도, 분당 87 회전의 캐리어 속도, 200 ml/min의 화학적 기계적 폴리싱 조성물 유속, 300 mm 폴리싱 기계에 대한 20.68 kPa의 명목상 하향력을 사용(여기에서 화학적 기계적 폴리싱 패드는 폴리우레탄 내재 부직 패드이다)하여 1,000 Å/min 이상의 TEOS 제거율을 나타내는, 화학적 기계적 폴리싱 방법.
  4. 제1항에 있어서, 화학식 (I)에 따른 첨가제가 다음 화학식 (Ia)에 따르는 것인, 화학적 기계적 폴리싱 방법:
    Figure 112021067962760-pat00015
    (Ia)
    상기 화학식 (Ia)에서, R7은 C1-8 알킬 그룹이고, R8은 수소, 할로겐, 하이드록실 그룹 및 C1-8 알킬 그룹에서 선택된다.
  5. 제1항에 있어서, 화학식 (I)에 따른 첨가제가 다음 화학식 (Ib)에 따르는 것인, 화학적 기계적 폴리싱 방법:
    Figure 112021067962760-pat00016
    (Ib)
    상기 화학식 (Ib)에서, R9은 C1-8 알킬 그룹이다.
  6. 제1항에 있어서, 화학식 (I)에 따른 첨가제가 다음 화학식 (Ic)에 따르는것인, 화학적 기계적 폴리싱 방법:
    Figure 112021067962760-pat00017
    (Ic).
  7. 제1항에 있어서, 화학적 기계적 폴리싱 조성물이, 1,000 Å/min 이상의 실리콘 산화물 제거율을 나타내고; 화학적 기계적 폴리싱 조성물이, 0.16 μm 보다 큰 크기를 갖는 후(post)폴리싱 SP1 결점 총수를 70 이하로 구현하는, 화학적 기계적 폴리싱 방법.
  8. 제1항에 있어서, 화학적 기계적 폴리싱 조성물이 1,000 Å/min 이상의 실리콘 산화물 제거율을 나타내고; 화학적 기계적 폴리싱 조성물이, 0.16 μm 보다 큰 크기를 갖는 후(post)폴리싱 SP1 스크래치 총수를 25 이하로 구현하는, 화학적 기계적 폴리싱 방법.
  9. 제1항에 있어서, 화학적 기계적 폴리싱 조성물이 1,000 Å/min 이상의 실리콘 산화물 제거율을 나타내고; 화학적 기계적 폴리싱 조성물이, 0.16 μm 보다 큰 크기를 갖는 후(post)폴리싱 SP1 결점 총수를 70 이하로 구현하며; 화학적 기계적 폴리싱 조성물이, 0.16 μm 보다 큰 크기를 갖는 후(post)폴리싱 SP1 스크래치 총수를 25 이하로 구현하는, 화학적 기계적 폴리싱 방법.
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Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9293339B1 (en) * 2015-09-24 2016-03-22 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Method of polishing semiconductor substrate
WO2017057478A1 (ja) 2015-09-30 2017-04-06 株式会社フジミインコーポレーテッド 研磨用組成物
US11111412B2 (en) 2016-07-15 2021-09-07 Fujimi Incorporated Polishing composition, method for producing polishing composition, and polishing method
US10894901B2 (en) 2016-07-15 2021-01-19 Fujimi Incorporated Method for producing polishing composition and polishing method
JP2019050307A (ja) * 2017-09-11 2019-03-28 株式会社フジミインコーポレーテッド 研磨方法、ならびに研磨用組成物およびその製造方法
CN112920716A (zh) * 2021-01-26 2021-06-08 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 一种用于氮化钛化学机械抛光的组合物及其使用方法
CN116000782B (zh) * 2022-12-27 2023-09-19 昂士特科技(深圳)有限公司 用于金属合金cmp的化学机械抛光组合物

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006519490A (ja) * 2003-02-27 2006-08-24 キャボット マイクロエレクトロニクス コーポレイション 貴金属のｃｍｐ方法
US20090202816A1 (en) * 2006-06-06 2009-08-13 Florida State University Research Foundation, Inc. Stabilized silica colloid

Family Cites Families (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5738800A (en) 1996-09-27 1998-04-14 Rodel, Inc. Composition and method for polishing a composite of silica and silicon nitride
FR2754937B1 (fr) * 1996-10-23 1999-01-15 Hoechst France Nouveau procede de polissage mecano-chimique de couches de materiaux isolants a base de derives du silicium ou de silicium
AU7147798A (en) 1997-04-23 1998-11-13 Advanced Chemical Systems International, Inc. Planarization compositions for cmp of interlayer dielectrics
DE10063491A1 (de) * 2000-12-20 2002-06-27 Bayer Ag Saure Polierslurry für das chemisch-mechanische Polieren von SiO¶2¶-Isolationsschichten
US7316603B2 (en) * 2002-01-22 2008-01-08 Cabot Microelectronics Corporation Compositions and methods for tantalum CMP
US6685757B2 (en) 2002-02-21 2004-02-03 Rodel Holdings, Inc. Polishing composition
US6803353B2 (en) 2002-11-12 2004-10-12 Atofina Chemicals, Inc. Copper chemical mechanical polishing solutions using sulfonated amphiprotic agents
US7485162B2 (en) 2003-09-30 2009-02-03 Fujimi Incorporated Polishing composition
US20050189322A1 (en) * 2004-02-27 2005-09-01 Lane Sarah J. Compositions and methods for chemical mechanical polishing silica and silicon nitride
JP2006100538A (ja) * 2004-09-29 2006-04-13 Fuji Photo Film Co Ltd 研磨用組成物及びそれを用いた研磨方法
EP1841831B1 (en) * 2005-01-24 2014-04-02 Showa Denko K.K. Polishing composition and polishing method
US20060205218A1 (en) 2005-03-09 2006-09-14 Mueller Brian L Compositions and methods for chemical mechanical polishing thin films and dielectric materials
JP2007088258A (ja) * 2005-09-22 2007-04-05 Fujifilm Corp 金属研磨液及びそれを用いる研磨方法
EP1936673A4 (en) * 2005-10-12 2011-01-05 Hitachi Chemical Co Ltd POLISHING SOLUTION FOR PMC AND METHOD OF POLISHING
JP2009081200A (ja) * 2007-09-25 2009-04-16 Fujifilm Corp 研磨液
JP5441362B2 (ja) * 2008-05-30 2014-03-12 富士フイルム株式会社 研磨液及び研磨方法
JP5314329B2 (ja) 2008-06-12 2013-10-16 富士フイルム株式会社 研磨液
US8025813B2 (en) * 2009-11-12 2011-09-27 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Chemical mechanical polishing composition and methods relating thereto
US8431490B2 (en) * 2010-03-31 2013-04-30 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Method of chemical mechanical polishing a substrate with polishing composition adapted to enhance silicon oxide removal
JP5673506B2 (ja) * 2011-11-18 2015-02-18 信越化学工業株式会社 合成石英ガラス基板用研磨剤及び合成石英ガラス基板の製造方法

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006519490A (ja) * 2003-02-27 2006-08-24 キャボット マイクロエレクトロニクス コーポレイション 貴金属のｃｍｐ方法
US20090202816A1 (en) * 2006-06-06 2009-08-13 Florida State University Research Foundation, Inc. Stabilized silica colloid

Also Published As

Publication number Publication date
FR3010650A1 (fr) 2015-03-20
FR3010650B1 (fr) 2017-09-22
DE102014013924A1 (de) 2015-03-19
CN104449396A (zh) 2015-03-25
JP6423214B2 (ja) 2018-11-14
US20150079788A1 (en) 2015-03-19
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