JP2003533023A - 半導体ウェハの表面を改質する方法 - Google Patents

半導体ウェハの表面を改質する方法

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Abstract

(57)【要約】 半導体ウェハの表面を改質する方法が開示される。本方法は、（ａ）−ＯＨ、−ＯＯＨ、＝Ｏ、およびそれらの組合せからなる群から選択された１〜１０個の官能基と、−ＣH２−、−ＣH２Ｏ−、−C２Ｈ４Ｏ−、−C３H６Ｏ−およびそれらの組合せからなる群から選択された１〜１０個の連続基とを有する極性成分と水とを含む組成物の存在下でウェハを固定研磨物品と接触させる工程と、（ｂ）該ウェハと該固定研磨物品とを相対的に動かして該ウェハの表面を改質する工程とを含む。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】 発明の背景 本発明は半導体ウェハを改質することに関する。
【０００２】 半導体の製造において用いられるウェハは、製造プロセス中のある点で、表面
改質、例えば、研磨および平面化（ｐｌａｎａｒｉｚａｔｉｏｎ）を必要とする
ことが多い。従来の研磨方法は、典型的には水系溶液の存在下で、研磨材基材と
ウェハとを相対的に動かすことを含む。
【０００３】 研磨プロセスは、ウェハの表面から最高点を除去するために用いることができ
る。研磨作業は未処理ウェハおよび部分処理ウェハについて行われる。典型的な
未処理ウェハは、結晶質シリコンまたは別の半導体材料、例えば、砒化ガリウム
である。典型的なウェハは、研磨のために用意が整った時、一層以上のパターン
化層上に順応して存在するガラス、二酸化ケイ素または金属などの誘電性材料の
最上層を有する。下にあるパターン化層は局所的突起を生み出す。研磨は、ウェ
ハの表面が理想的に平らである、または平面化されるように局所的形体を滑らか
にする。
【０００４】 場合によって、研磨は、化学的機械的研磨プロセスにおいて固定研磨物品と組
み合って作用する溶液によって達成される。例として、溶液中の塩基性化合物が
二酸化ケイ素と反応して水酸化ケイ素の表面層を形成する時に、二酸化ケイ素基
材の化学的研磨が起こる。研磨物品が基材の表面から金属水酸化物を除去する時
に、機械的プロセスが起こる。
【０００５】 多くの化学的機械的研磨技術がある。幾つかの化学的機械的研磨技術は、研磨
しようとする物品または研磨用パッドのいずれか、または両方の旋回軌道運動ま
たは往復運動を含む。他の化学的機械的研磨技術は、研磨しようとする物品の下
で並進的に前進するベルト状研磨パッドを含み、研磨しようとする物品は、ベル
ト状研磨パッドの表面を横切って回転するか、往復するか、あるいはその両方が
行われる。
【０００６】 幾つかの化学的機械的研磨技術において、パッドと研磨しようとする表面との
間にスラリーが分配される。これらのスラリーは、多くの場合、水と研磨材粒子
とを含有する。
【０００７】 他の化学的機械的研磨技術において、研磨材は基材上に固定され、固定研磨材
と研磨しようとする表面との間に研磨溶液が分配される。
【０００８】 多くの場合、研磨パッドと研磨しようとする基材は疎水性であり、それは濡れ
を抑制する。濡れは、研磨材表面と平面化しようとするウェハの表面との間の領
域への新化学薬品の輸送を促進する。研磨液は、研磨される基材の表面から除去
される屑および可溶性材料の除去を助けることもできる。組成物中に存在する界
面活性剤は除去速度を抑制しうる。溶液が研磨材表面を濡らさない時、研磨プロ
セスも抑制されうる。
【０００９】 発明の概要 一つの態様において、本発明は、半導体ウェハの表面を改質する方法であって
、（ａ）−ＯＨ、−ＯＯＨ、＝Ｏ、およびそれらの組合せからなる群から選択さ
れた１〜１０個の官能基と、−ＣＨ２−、−ＣＨ２Ｏ−、−Ｃ２Ｈ４Ｏ−、−Ｃ３ Ｈ６Ｏ−およびそれらの組合せからなる群から選択された１〜１０個の連続基
とを有する極性成分と水とを含む組成物の存在下でウェハを固定研磨物品と接触
させる工程と、（ｂ）ウェハと固定研磨物品とを相対的に動かしてウェハの表面
を改質する工程とを含む方法を特徴とする。幾つかの実施態様において、極性成
分は８個以下の炭素原子を含む。他の実施態様において、極性成分は、アルコー
ル、グリコール、ケトン、エーテル、酢酸エステル、およびそれらの組合せから
なる群から選択される。
【００１０】 もう一つの実施態様において、極性成分は、メタノール、エタノール、プロパ
ノール、イソプロパノール、ブタノール、イソブタノールおよびそれらの混合物
からなる群から選択されたアルコールを含む。幾つかの実施態様において、極性
成分は、アセトン、酢酸エチル、酢酸セロソルブ、およびそれらの混合物からな
る群から選択される。
【００１１】 一実施態様において、固定研磨物品は、パターン中に配置された複数の研磨材
粒子と結合剤とを有する三次元表面模様付き研磨材表面を含む。幾つかの実施態
様において、固定研磨材は、セリア、シリカ、アルミナ、チタニア、ジルコニア
、酸化マンガン、およびそれらの混合物からなる群から選択された粒子を含む。
【００１２】 他の実施態様において、本方法はウェハの表面を化学的に且つ機械的に改質す
ることを含む。
【００１３】 もう一つの実施態様において、固定研磨物品は、裏地と裏地の表面上の研磨材
コーティングとを含み、研磨材コーティングは研磨材粒子と結合剤とを含む。
【００１４】 もう一つの態様において、本発明は、第１の物品の表面を改質する方法であっ
て、（ａ）−ＯＨ、−ＯＯＨ、＝Ｏ、およびそれらの組合せからなる群から選択
された１〜１０個の官能基と、−ＣＨ２−、−ＣＨ２Ｏ−、−Ｃ２Ｈ４Ｏ−、−
Ｃ３Ｈ６Ｏ−およびそれらの組合せからなる群から選択された１〜１０個の連続
基とを有する極性成分と水とを含む組成物の存在下で第１の物品を固定研磨物品
と接触させる工程と、（ｂ）第１の物品と固定研磨物品とを相対的に動かして第
１の物品の表面を改質する工程とを含む方法を特徴とする。一実施態様において
、極性成分は８個以下の炭素原子を含む。他の実施態様において、極性成分は、
アルコール、グリコール、ケトン、エーテル、酢酸エステル、およびそれらの組
合せからなる群から選択される。
【００１５】 幾つかの実施態様において、極性成分は、メタノール、エタノール、プロパノ
ール、イソプロパノール、ブタノール、イソブタノールおよびそれらの混合物か
らなる群から選択されたアルコールを含む。もう一つの実施態様において、極性
成分は、アセトン、酢酸エチル、酢酸セロソルブ、およびそれらの混合物からな
る群から選択される。
【００１６】 もう一つの実施態様において、固定研磨物品は、パターン中に配置された複数
の研磨材粒子と結合剤とを含む三次元表面模様付き研磨材表面を含む。
【００１７】 本方法において用いられる組成物は、好ましくは水に比べて減少した表面張力
を示し、疎水性基材を濡らすことができる。本方法は、疎水性酸化物研磨材、例
えば、酸化セリウム粒子を含む濡れ研磨材に特に良く適している。本方法はまた
、溶液が機械的困難を引き起こしかねないウェブの下に滲み出さないようにウェ
ブの境界内に溶液を保持することによってウェブ研磨も促進する。改善された濡
れはまた、表面材料の除去の良好な速度も提供する。本組成物はまた、化学的機
械的平面化作業中に良好な低い振動および摩擦も提供する。
【００１８】 本発明の他の特徴および利点は、本発明の好ましい実施態様についての以下の
説明および特許請求の範囲から明らかであろう。
【００１９】 発明の詳細な説明 本発明者らは、水性研磨溶液が疎水性ウェブと接触している時に大きな液体ビ
ーズを形成する傾向があることを発見した。大きなビーズは、研磨中に研磨材表
面上で移動しやすい傾向がある。結果として、研磨ヘッドの作用下で、溶液は研
磨材表面の縁を越えて移動し、研磨材表面研磨パッドと固定研磨材研磨パッドの
下にあるサブパッドとの間に滲み出す。これは、研磨パッドをサブパッドにくっ
つかせる可能性があり、それは次に機械的問題を引き起こす。
【００２０】 半導体ウェハの表面を改質する方法は、水と極性成分を含む組成物の存在下で
ウェハを固定研磨物品と接触させ、そしてウェハおよび固定研磨物品の少なくと
も一方を相体的に動かしてウェハの表面を改質することを含む。本方法は、好ま
しくは、処理前のウェハ表面に比べて、より平坦であるもしくは均一である、ま
たはより粗くない、またはそれらの組合せである表面を達成するためにウェハの
表面を改質する。
【００２１】 極性成分は、好ましくは、改質しようとする疎水性基材、および固定研磨材パ
ッドを十分に濡らすことができる組成物を提供する。極性成分は、−ＯＨ、−Ｏ
ＯＨ、＝Ｏ、およびそれらの組合せからなる群から選択された１〜１０個の官能
基と、−ＣＨ２−、−ＣＨ２Ｏ−、−Ｃ２Ｈ４Ｏ−、−Ｃ３Ｈ６Ｏ−およびそれ
らの組合せからなる群から選択された１〜１０個の連続基とを含む。好ましくは
、極性成分は８個以下の炭素原子を含む。
【００２２】 有用な極性成分の例には、アルコール、例えば、メタノール、エタノール、プ
ロパノール、イソプロパノール、ｎ−ブタノール、ｓｅｃ−ブタノール、ｔｅｒ
ｔ−ブタノール、イソブタノールおよびオクタノール；酢酸メチル、酢酸エチル
および酢酸セロソルブを含む酢酸エステル；ケトン、例えばアセトン；ケトンア
ルコール、例えばジアセトンアルコール；例えばメチルエーテルを含むエーテル
；Ｃ２〜Ｃ６アルキレン基を含むアルキレングリコールまたはチオグリコール、
例えば、エチレングリコール、プロピレングリコール、トリプロピレングリコー
ル、ブチレングリコール、ペンチレングリコールおよびヘキシレングリコール；
ポリ（アルキレングリコール）およびチオグリコール、例えば、ジエチレングリ
コール、チオジグリコール、ポリエチレングリコールおよびポリプロピレングリ
コール；ポリオール、例えば、グリセロールおよび１，２，６−ヘキサントリオ
ール；より低級のアルキルグリコールおよびポリグリコールエーテル、例えば、
２−メトキシエタノール、２−（２−メトキシエトキシ）エタノール、２−（２
−エトキシエトキシ）エタノール、２−（２−ブトキシエトキシ）エタノール、
３−ブトキシプロパン−１−オール、２−［２−（２−メトキシエトキシ）−エ
トキシ］エタノール、２−［２−（２−エトキシエトキシ）−エトキシ］−エタ
ノール；環式エステルおよび環式アミド、例えば置換ピロリドン、スルホラン、
多官能性極性成分；ならびにそれらの混合物が含まれる。
【００２３】 組成物のｐＨは、改質される基材にとって適するように選択される。有用な組
成物は、１．５より高い、より好ましくは約３〜約１２．５、最も好ましくは約
５〜約１２のｐＨを有する。所望のｐＨを達成するために添加剤を組成物に含め
ることができる。かかる添加剤の例には、塩基、例えば、水酸化カリウムおよび
水酸化アンモニウム、ならびに酸、例えば、ＫＩＯ３、フタル酸カリウム、フタ
ル酸、燐酸、硝酸および硫酸が含まれる。所望のｐＨを維持するために緩衝液も
組成物に含めることができる。
【００２４】 本組成物は、例えば液体エッチング剤、例えば強酸（例えば、硫酸および弗化
水素酸）および酸化剤（例えば過酸化物）、潤滑剤およびそれらの混合物を含む
他の成分を含んでもよい。適する潤滑剤の例には、例えば、ステアリン酸亜鉛、
ステアリン酸カルシウムおよびステアリン酸リチウムを含む脂肪酸の金属塩、グ
ラファイト、マイカ、二硫化モリブデン、タルク、ポリアミド、窒化硼素、硫化
物、ワックス、シリコーン化合物、ポリ酢酸ビニル、ポリビニルアルコール、ポ
リマーおよびそれらの組合せが含まれる。
【００２５】 本方法は様々な固定研磨物品を使って用いるのに適する。有用な固定研磨物品
の例には、パッドまたはウェブの形をとっている固定研磨物品、例えば連続ベル
トが含まれる。固定研磨物品は、好ましくは、基材、例えば裏地に結合された結
合剤中に多くの研磨材粒子を含む。結合剤中の研磨材粒子は、研磨材コーティン
グ（例えば、連続コーティングまたは不連続コーティング）、研磨材複合材（例
えば、造形体）またはそれらの組合せの形をとってもよい。研磨材成分（例えば
、粒子および複合材）は、パターン構成またはランダム構成で配置してもよい。
固定研磨物品は、隆起部分と窪み部分とを含むように表面模様付けできる。固定
研磨物品は、表面改質プロセス中に研磨材粒子の一部を除去することが表面改質
機能を遂行できる追加の研磨材粒子を露出するように、物品の厚さの少なくとも
一部全体を通して広がる多くの研磨材粒子を物品が含むように三次元であること
もできる。有用な固定研磨物品の例は、米国特許第５，９５８，７９４号、第５
，６９２，９５０号および第５，９９０，０１２号に記載されている。
【００２６】 研磨物品は、いかなる数の異なる研磨材粒子を含んでもよい。適する研磨材粒
子には、例えば、セリア、シリカ、アルミナ、酸化鉄、クロミア、チタニア、酸
化スズ、ジルコニア、酸化マンガンおよびそれらの組合せが含まれる。他の有用
な研磨材粒子には、融解酸化アルミニウム、熱処理酸化アルミニウム、白色融解
酸化アルミニウム、黒色炭化ケイ素、緑色炭化ケイ素、二ホウ化チタン、炭化ホ
ウ素、窒化ケイ素、炭化タングステン、炭化チタン、ダイアモンド、立方晶窒化
ホウ素、六方晶窒化ホウ素、ガーネット、融解アルミナ、ジルコニア、アルミナ
系ゾルゲル誘導研磨材粒子およびそれらの組合せが含まれる。
【００２７】 ウェハの表面を改質するために研磨物品およびウェハの少なくとも一方を相互
に関係しながら動かすことは、８の字またはコルク栓抜き、並進、振動、往復ま
たはそれらの組合せにおいて、例えば、円形方式、螺旋方式、楕円方式または非
均一方式の回転であることが可能である。好ましくは、動かすことは、固定研磨
物品およびウェハの一方または両方の回転を含む。例えば、ウェハと研磨物品を
円形方式で同じ方向に回転させることができる。あるいは、ウェハと固定研磨物
品を逆方向に回転させることができる。基材の表面を改質するために固定研磨物
品とウェハの少なくとも一方を相互に関係しながら相対的に動かすために適する
方法の例は、米国特許第５，８７１，３９０号、第５，９６１，３７２号、第６
，０００，９９７号、第５，８５１，１３６号、第５，３３５，４５３号、ＷＯ
９９／０６１８２、第５，７５９，９１８号および第５，９３８，８８４号に記
載されている。
【００２８】 本方法は、例えば、半導体ウェハおよび半導体ウェハのコンポーネントを含む
様々な物品の表面を改質するために用いてもよい。半導体ウェハは、例えば、ブ
ランクウェハ（すなわち、加工前、例えば、金属化領域および絶縁領域などの地
形的特徴を付加する前のウェハ）または加工済みウェハ（すなわち、ウェハ表面
に地形的特徴を付加する一個以上の加工工程に供されたウェハ）を含む様々な形
をとってもよい。ウェハは、例えば、シリコン、二酸化ケイ素、窒化ケイ素、砒
化ガリウム、銅、アルミニウム、タングステン、チタン、窒化チタン、ポリマー
およびそれらの組合せを含む多くの材料を含むことが可能である。
【００２９】 以下の実施例を用いて本発明を今や説明するであろう。すべての比および百分
率は、特に指示しない限り、重量による。
【００３０】 実施例 実施例１ 表１に記載された化学薬品を蒸留水に１０体積％で添加し、次に、ＳＷＲ１５
９酸化セリウム固定研磨材（ミネソタ州セントポールの３Ｍ）上に置いた。濡れ
特性が観察された。それを表１に報告する。
【００３１】
【表１】 表１
【００３２】 他の実施態様は以下の特許請求の範囲内にある。例えば、本方法を半導体ウェ
ハに関して記載してきたが、改質されるべき物品は多様な物品であることができ
、そしてケイ素、二酸化ケイ素、窒化ケイ素、砒化ガリウム、銅、アルミニウム
、タングステン、チタン、窒化チタン、ポリマー、およびそれらの組合せなどの
材料を含むことができる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (81)指定国 ＥＰ(ＡＴ，ＢＥ，ＣＨ，ＣＹ， ＤＥ，ＤＫ，ＥＳ，ＦＩ，ＦＲ，ＧＢ，ＧＲ，ＩＥ，Ｉ Ｔ，ＬＵ，ＭＣ，ＮＬ，ＰＴ，ＳＥ)，ＯＡ(ＢＦ，ＢＪ ，ＣＦ，ＣＧ，ＣＩ，ＣＭ，ＧＡ，ＧＮ，ＧＷ，ＭＬ， ＭＲ，ＮＥ，ＳＮ，ＴＤ，ＴＧ)，ＡＰ(ＧＨ，ＧＭ，Ｋ Ｅ，ＬＳ，ＭＷ，ＭＺ，ＳＤ，ＳＬ，ＳＺ，ＴＺ，ＵＧ ，ＺＷ)，ＥＡ(ＡＭ，ＡＺ，ＢＹ，ＫＧ，ＫＺ，ＭＤ， ＲＵ，ＴＪ，ＴＭ)，ＡＥ，ＡＧ，ＡＬ，ＡＭ，ＡＴ， ＡＵ，ＡＺ，ＢＡ，ＢＢ，ＢＧ，ＢＲ，ＢＹ，ＢＺ，Ｃ Ａ，ＣＨ，ＣＮ，ＣＲ，ＣＵ，ＣＺ，ＤＥ，ＤＫ，ＤＭ ，ＤＺ，ＥＥ，ＥＳ，ＦＩ，ＧＢ，ＧＤ，ＧＥ，ＧＨ， ＧＭ，ＨＲ，ＨＵ，ＩＤ，ＩＬ，ＩＮ，ＩＳ，ＪＰ，Ｋ Ｅ，ＫＧ，ＫＰ，ＫＲ，ＫＺ，ＬＣ，ＬＫ，ＬＲ，ＬＳ ，ＬＴ，ＬＵ，ＬＶ，ＭＡ，ＭＤ，ＭＧ，ＭＫ，ＭＮ， ＭＷ，ＭＸ，ＭＺ，ＮＯ，ＮＺ，ＰＬ，ＰＴ，ＲＯ，Ｒ Ｕ，ＳＤ，ＳＥ，ＳＧ，ＳＩ，ＳＫ，ＳＬ，ＴＪ，ＴＭ ，ＴＲ，ＴＴ，ＴＺ，ＵＡ，ＵＧ，ＵＺ，ＶＮ，ＹＵ， ＺＡ，ＺＷ

Claims (16)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 半導体ウェハの表面を改質する方法であって、 （ａ）−ＯＨ、−ＯＯＨ、＝Ｏ、およびそれらの組合せからなる群から選択さ
    れた１〜１０個の官能基と、−ＣＨ２−、−ＣＨ２Ｏ−、−Ｃ２Ｈ４Ｏ−、−Ｃ３ Ｈ６Ｏ−およびそれらの組合せからなる群から選択された１〜１０個の連続基
    とを含む極性成分と水とを含む組成物の存在下で前記ウェハを固定研磨物品と接
    触させる工程と、 （ｂ）前記ウェハと前記固定研磨物品とを相対的に動かして前記ウェハの表面
    を改質する工程と、 を含む方法。
  2. 【請求項２】 前記極性成分が８個以下の炭素原子を含む、請求項１に記載
    の方法。
  3. 【請求項３】 前記極性成分が、アルコール、グリコール、ケトン、エーテ
    ル、酢酸エステルおよびそれらの組合せからなる群から選択される、請求項１に
    記載の方法。
  4. 【請求項４】 前記極性成分が、メタノール、エタノール、プロパノール、
    イソプロパノール、ブタノール、イソブタノールおよびそれらの混合物からなる
    群から選択されたアルコールを含む、請求項１に記載の方法。
  5. 【請求項５】 前記極性成分が、アセトン、酢酸エチル、酢酸セロソルブお
    よびそれらの混合物からなる群から選択される、請求項１に記載の方法。
  6. 【請求項６】 前記固定研磨物品が、パターン中に配置された複数の研磨材
    粒子と結合剤とを含む三次元表面模様付き研磨材表面を含む、請求項１に記載の
    方法。
  7. 【請求項７】 前記固定研磨材が、セリア、シリカ、アルミナ、チタニア、
    ジルコニア、酸化マンガンおよびそれらの混合物からなる群から選択された粒子
    を含む、請求項１に記載の方法。
  8. 【請求項８】 前記研磨材粒子が、セリア、シリカ、アルミナ、チタニア、
    ジルコニア、酸化マンガンおよびそれらの混合物からなる群から選択される、請
    求項６に記載の方法。
  9. 【請求項９】 前記方法が前記ウェハの表面を化学的に、かつ機械的に改質
    することを含む、請求項１に記載の方法。
  10. 【請求項１０】 前記固定研磨物品が、裏地と該裏地の表面上の研磨材コー
    ティングとを含み、該研磨材コーティングが研磨材粒子と結合剤とを含む、請求
    項１に記載の方法。
  11. 【請求項１１】 第１の物品の表面を改質する方法であって、 （ａ）−ＯＨ、−ＯＯＨ、＝Ｏ、およびそれらの組合せからなる群から選択さ
    れた１〜１０個の官能基と、−ＣＨ２−、−ＣＨ２Ｏ−、−Ｃ２Ｈ４Ｏ−、−Ｃ３ Ｈ６Ｏ−およびそれらの組合せからなる群から選択された１〜１０個の連続基
    とを含む極性成分と水とを含む組成物の存在下で該第１の物品を固定研磨物品と
    接触させる工程と、 （ｂ）前記第１の物品と前記固定研磨物品とを相対的に動かして前記第１の物
    品の表面を改質する工程と、 を含む方法。
  12. 【請求項１２】 前記極性成分が８個以下の炭素原子を含む、請求項１１に
    記載の方法。
  13. 【請求項１３】 前記極性成分が、アルコール、グリコール、ケトン、エー
    テル、酢酸エステルおよびそれらの組合せからなる群から選択される、請求項１
    １に記載の方法。
  14. 【請求項１４】 前記極性成分が、メタノール、エタノール、プロパノール
    、イソプロパノール、ブタノール、イソブタノールおよびそれらの混合物からな
    る群から選択されたアルコールを含む、請求項１１に記載の方法。
  15. 【請求項１５】 前記極性成分が、アセトン、酢酸エチル、酢酸セロソルブ
    、およびそれらの混合物からなる群から選択される、請求項１１に記載の方法。
  16. 【請求項１６】 前記固定研磨物品が、パターン中に配置された複数の研磨
    材粒子と結合剤とを含む三次元表面模様付き研磨材表面を含む、請求項１１に記
    載の方法。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2015199839A (ja) * 2014-04-08 2015-11-12 山口精研工業株式会社 研磨用組成物
JP2015199840A (ja) * 2014-04-08 2015-11-12 山口精研工業株式会社 研磨用組成物

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6682575B2 (en) 2002-03-05 2004-01-27 Cabot Microelectronics Corporation Methanol-containing silica-based CMP compositions
KR100623963B1 (ko) * 2005-01-12 2006-09-19 제일모직주식회사 금속배선 연마용 슬러리 조성물 및 이를 이용한 금속배선연마 방법
CN102891077B (zh) * 2012-09-26 2015-12-09 复旦大学 采用水基原子层沉积技术在石墨烯表面制备高k栅介质的方法
CN104842265A (zh) * 2015-06-18 2015-08-19 上海申航热能科技有限公司 管内壁抛光用磨头及配方
CN106002498B (zh) * 2016-08-01 2018-04-06 中国电子科技集团公司第四十六研究所 一种有机dast晶体的表面研磨工艺方法
CN113881349B (zh) * 2021-09-01 2022-10-21 上海工程技术大学 用于碳化硅晶片硅表面化学机械抛光的抛光液及抛光方法

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3735158A1 (de) * 1987-10-16 1989-05-03 Wacker Chemitronic Verfahren zum schleierfreien polieren von halbleiterscheiben
US5614444A (en) * 1995-06-06 1997-03-25 Sematech, Inc. Method of using additives with silica-based slurries to enhance selectivity in metal CMP
US5704987A (en) * 1996-01-19 1998-01-06 International Business Machines Corporation Process for removing residue from a semiconductor wafer after chemical-mechanical polishing
US5972792A (en) * 1996-10-18 1999-10-26 Micron Technology, Inc. Method for chemical-mechanical planarization of a substrate on a fixed-abrasive polishing pad
EP1102821A4 (en) * 1998-06-10 2004-05-19 Rodel Inc COMPOSITION AND METHOD FOR CMP POLISHING METAL

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2015199839A (ja) * 2014-04-08 2015-11-12 山口精研工業株式会社 研磨用組成物
JP2015199840A (ja) * 2014-04-08 2015-11-12 山口精研工業株式会社 研磨用組成物

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