JP2000169831A - パタ―ン化された広い埋め込み金属表面でのディッシングを減らすための組成物及び方法 - Google Patents
パタ―ン化された広い埋め込み金属表面でのディッシングを減らすための組成物及び方法Info
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- H01L21/3212—Planarisation by chemical mechanical polishing [CMP]
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 パターン化された広い埋め込み金属表面のデ
ィッシングを減らすための組成物及び方法 【解決手段】 化学機械研磨の間の、加工物としての誘
電体中に埋め込まれたパターン化された広い金属表面で
のディッシングを減らすために、研磨材を有するスラリ
ー中の一部の脱イオン水の代わりに粘度を増加させる量
の粘度増加剤を含む組成物を使用する。
ィッシングを減らすための組成物及び方法 【解決手段】 化学機械研磨の間の、加工物としての誘
電体中に埋め込まれたパターン化された広い金属表面で
のディッシングを減らすために、研磨材を有するスラリ
ー中の一部の脱イオン水の代わりに粘度を増加させる量
の粘度増加剤を含む組成物を使用する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ＣＭＰ（化学機械
研磨）の間の、誘電体中にパターンで狭い金属表面と共
に埋め込まれた広い金属表面のディッシングを十分に減
らすために、一部の脱イオン水の代わりに粘度変性剤を
使用することに関する。
研磨）の間の、誘電体中にパターンで狭い金属表面と共
に埋め込まれた広い金属表面のディッシングを十分に減
らすために、一部の脱イオン水の代わりに粘度変性剤を
使用することに関する。
【０００２】通常、誘電体、例えば二酸化シリコンウェ
ハ中に埋め込まれた金属パターン上でのＣＭＰ法の間
の、狭い金属表面と共にパターンの一部分である広い金
属表面の平坦化は、単独の脱イオン水及び研磨粒子、酸
化剤及び分散剤及び界面活性剤を含む他の化学薬品を使
用する場合よりもかなり少ないディッシングとなるよう
に、約０．１〜５０容量％の量で粘度変性剤を添加する
ことによる研磨スラリーの粘度の増加により果たされ
る。
ハ中に埋め込まれた金属パターン上でのＣＭＰ法の間
の、狭い金属表面と共にパターンの一部分である広い金
属表面の平坦化は、単独の脱イオン水及び研磨粒子、酸
化剤及び分散剤及び界面活性剤を含む他の化学薬品を使
用する場合よりもかなり少ないディッシングとなるよう
に、約０．１〜５０容量％の量で粘度変性剤を添加する
ことによる研磨スラリーの粘度の増加により果たされ
る。
【０００３】
【従来の技術】集積回路及び他の電子装置の製造で使用
される中間層誘電体のような材料の化学機械研磨（ＣＭ
Ｐ）の間に、スラリーは通常、絶縁体、誘電体又は金属
パターン材料の除去を容易にするための研磨パッドと共
に使用される。これら多くのＣＭＰ適用では絶縁又は誘
電材料はＳｉＯ2であり、かつ水性環境中では表面は、
Ｈ2Ｏと水化反応して水素化Ｓｉ分子の表面ネットワー
クを生じる。
される中間層誘電体のような材料の化学機械研磨（ＣＭ
Ｐ）の間に、スラリーは通常、絶縁体、誘電体又は金属
パターン材料の除去を容易にするための研磨パッドと共
に使用される。これら多くのＣＭＰ適用では絶縁又は誘
電材料はＳｉＯ2であり、かつ水性環境中では表面は、
Ｈ2Ｏと水化反応して水素化Ｓｉ分子の表面ネットワー
クを生じる。
【０００４】しかしながら金属が、他の層又は基板がそ
の上に接している誘電体中に埋め込まれたパターン化金
属デザインの一部である広い表面である場合には、パタ
ーン化金属を研磨するためのＣＭＰ法の使用は、より広
い金属形状中にひどい規模のディッシングを生じさせ
る。
の上に接している誘電体中に埋め込まれたパターン化金
属デザインの一部である広い表面である場合には、パタ
ーン化金属を研磨するためのＣＭＰ法の使用は、より広
い金属形状中にひどい規模のディッシングを生じさせ
る。
【０００５】米国特許（ＵＳ）第５７６９６８９号明細
書は、二酸化シリコンからなる加工物の研磨法のための
組成物を開示しており、その際、加工物の表面は、水、
数ミクロンのＳｉＯ2粒子、組成物の臨界凝固濃度より
低い濃度の可溶性無機塩からなる研磨組成物に晒され、
かつ組成物のｐＨは可溶性アミンの添加により約９〜１
０の範囲に調節されている。
書は、二酸化シリコンからなる加工物の研磨法のための
組成物を開示しており、その際、加工物の表面は、水、
数ミクロンのＳｉＯ2粒子、組成物の臨界凝固濃度より
低い濃度の可溶性無機塩からなる研磨組成物に晒され、
かつ組成物のｐＨは可溶性アミンの添加により約９〜１
０の範囲に調節されている。
【０００６】Kumar et al.,"CHEMICAL-MECHANICAL POLI
SHING OF COPPER IN GLYCEROL BASED SLURRIES" (Mat.R
es.Soc.Symp.Proc.Vol.427,pps237-242(1996))は、銅を
相互接続製造に好適にするための銅金属表面のＣＭＰ処
理のための、グリセロール及びＡｌ2Ｏ3研磨剤を有する
スラリーの使用を開示している。
SHING OF COPPER IN GLYCEROL BASED SLURRIES" (Mat.R
es.Soc.Symp.Proc.Vol.427,pps237-242(1996))は、銅を
相互接続製造に好適にするための銅金属表面のＣＭＰ処
理のための、グリセロール及びＡｌ2Ｏ3研磨剤を有する
スラリーの使用を開示している。
【０００７】ディッシングの問題と取り組むためのＬＳ
Ｉ用の化学機械研磨技術が米国特許（ＵＳ）第５６０７
７１８号明細書中に記載されており、その場合、溶解速
度を低下させ、かつディッシングを抑制するために多く
の化合物が添加される。これらの化合物には多くの増粘
剤、例えばケイ酸塩、グルコース、トラガカントゴム及
び寒天が含まれる。
Ｉ用の化学機械研磨技術が米国特許（ＵＳ）第５６０７
７１８号明細書中に記載されており、その場合、溶解速
度を低下させ、かつディッシングを抑制するために多く
の化合物が添加される。これらの化合物には多くの増粘
剤、例えばケイ酸塩、グルコース、トラガカントゴム及
び寒天が含まれる。
【０００８】Nogo et al.,"SLURRY ENGINEERING FOR SE
LF-STOPPING, DISHING FREE SiO2-CMP"(IEDM,pages 349
-352,1996 IEEE)は、界面活性剤が慣用のＣｅＯ2スラリ
ーに添加された、化学機械研磨（ＣＭＰ）でのＳｉＯ2
のためのスラリーを、ストップゴーイング層又は設計限
定を伴わずにチップでの大域平坦化を得るために開示し
ている。
LF-STOPPING, DISHING FREE SiO2-CMP"(IEDM,pages 349
-352,1996 IEEE)は、界面活性剤が慣用のＣｅＯ2スラリ
ーに添加された、化学機械研磨（ＣＭＰ）でのＳｉＯ2
のためのスラリーを、ストップゴーイング層又は設計限
定を伴わずにチップでの大域平坦化を得るために開示し
ている。
【０００９】米国特許（ＵＳ）第４５８８４７４号明細
書は金属表面上の浄化処理を記載しており、その際、よ
り平坦で、かつより均一な表面を得るためにグリセリン
を他の添加剤と共に溶液に添加する。これらの溶液は苛
性アルカリ、硝酸塩又は亜硝酸塩及び場合によりジオー
ル又はポリオール、例えばエチレングリコール又はグリ
セリンを含み、かつ加工物はアルミニウム合金である。
書は金属表面上の浄化処理を記載しており、その際、よ
り平坦で、かつより均一な表面を得るためにグリセリン
を他の添加剤と共に溶液に添加する。これらの溶液は苛
性アルカリ、硝酸塩又は亜硝酸塩及び場合によりジオー
ル又はポリオール、例えばエチレングリコール又はグリ
セリンを含み、かつ加工物はアルミニウム合金である。
【００１０】超小型電子製造の様々な工程での金属除去
及び種々の部品の平坦化のための電気化学研磨技術を米
国特許（ＵＳ）第５５６７３００号明細書は開示してい
る。この特許は形状部除去に関し、かつ除去を増大させ
るために非粘性ポリオールを使用する。室温で水の１５
００倍の粘度を有するグリセリンは、電解液粘度を高
め、かつ研磨の促進のために電解エッチングで使用され
る。
及び種々の部品の平坦化のための電気化学研磨技術を米
国特許（ＵＳ）第５５６７３００号明細書は開示してい
る。この特許は形状部除去に関し、かつ除去を増大させ
るために非粘性ポリオールを使用する。室温で水の１５
００倍の粘度を有するグリセリンは、電解液粘度を高
め、かつ研磨の促進のために電解エッチングで使用され
る。
【００１１】先行特許及び参考文献に記載の方法の重大
な欠点は、粘度変性剤によりＣＭＰで使用されるスラリ
ーを変性し、加工物を化学機械研磨する場合に、他の層
及び基板がその上に接している誘電体中に埋め込まれた
パターン化された金属の広い金属形状部中のひどいディ
ッシングを防ぐ必要性の認識が存在しないということで
ある。
な欠点は、粘度変性剤によりＣＭＰで使用されるスラリ
ーを変性し、加工物を化学機械研磨する場合に、他の層
及び基板がその上に接している誘電体中に埋め込まれた
パターン化された金属の広い金属形状部中のひどいディ
ッシングを防ぐ必要性の認識が存在しないということで
ある。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的の１つ
は、誘電体中に金属形状部を有する加工物を化学機械研
磨（ＣＭＰ）する場合に、誘電体中に狭い金属表面と共
に埋め込まれた広い金属表面のひどいディッシングを防
ぐことができる組成物又はスラリーを提供することであ
る。
は、誘電体中に金属形状部を有する加工物を化学機械研
磨（ＣＭＰ）する場合に、誘電体中に狭い金属表面と共
に埋め込まれた広い金属表面のひどいディッシングを防
ぐことができる組成物又はスラリーを提供することであ
る。
【００１３】本発明のもう１つの目的は、誘電体中に金
属形状部を有する加工物をＣＭＰする際に、誘電体中に
パターンで狭い金属表面と共に埋め込まれた広い金属表
面のひどいディッシングがかなり減るように、スラリー
中の一部の脱イオン水を粘度変性剤に代えることによ
る、化学機械研磨で使用される組成物又はスラリーの粘
度の変性を提供することである。
属形状部を有する加工物をＣＭＰする際に、誘電体中に
パターンで狭い金属表面と共に埋め込まれた広い金属表
面のひどいディッシングがかなり減るように、スラリー
中の一部の脱イオン水を粘度変性剤に代えることによ
る、化学機械研磨で使用される組成物又はスラリーの粘
度の変性を提供することである。
【００１４】さらに本発明のもう１つの目的は、誘電体
中に金属形状部を有する化合物をＣＭＰする際に、誘電
体中にパターンで狭い金属表面と共に埋め込まれた広い
金属表面のひどいディッシングを防ぐように、０．１〜
５０容量％の量で添加された粘度変性剤の添加により改
善されたスラリーを提供することである。
中に金属形状部を有する化合物をＣＭＰする際に、誘電
体中にパターンで狭い金属表面と共に埋め込まれた広い
金属表面のひどいディッシングを防ぐように、０．１〜
５０容量％の量で添加された粘度変性剤の添加により改
善されたスラリーを提供することである。
【００１５】
【課題を解決するための手段】通常、本発明は、一部の
脱イオン水が０．１〜５０容量％の粘度変性剤と代えら
れている脱イオン組成物を用意し、かつこの粘度変性さ
れたスラリーを好適な研磨材と共に、誘電体中のパター
ンに狭い金属表面と一緒に埋め込まれた広い金属表面を
有する加工物を研磨するために使用して、かつそれによ
りＣＭＰの間の広い金属表面のひどいディッシングを防
ぐことにより実施される。
脱イオン水が０．１〜５０容量％の粘度変性剤と代えら
れている脱イオン組成物を用意し、かつこの粘度変性さ
れたスラリーを好適な研磨材と共に、誘電体中のパター
ンに狭い金属表面と一緒に埋め込まれた広い金属表面を
有する加工物を研磨するために使用して、かつそれによ
りＣＭＰの間の広い金属表面のひどいディッシングを防
ぐことにより実施される。
【００１６】本発明の前記及び他の目的並びに利点は、
本発明の有利な実施態の以下の詳述により、より理解さ
れやすい。
本発明の有利な実施態の以下の詳述により、より理解さ
れやすい。
【００１７】ダミー構造部又はハードマスクを加えるこ
となく、化学機械研磨での過剰なディッシングから金属
形状部又は線を保護するために、本発明方法は、スラリ
ー中に粘度増加剤又は変性剤を導入する。スラリー粘度
は、何らかの粘度増加剤又は変性剤を添加することによ
り上昇させることができるが、しかし、本発明では、有
利な増加剤又は変性剤は非反応性多価アルコールを含有
する材料である。最も有利なのは、グリセロール及びポ
リエチレングリコールである。グリセロール又はポリエ
チレングリコールを水性ベースのスラリー中の脱イオン
水の一部と、約５０容量％の量まで交換する。増加剤に
よりもたらされた前記の高い粘度はスラリー研磨材及び
化学反応の反応成分／生成物の運動量及び／又は物質移
動を限り、かつ続いて超小型電子装置の、凹所が生じる
金属形状部の除去速度を低下させる。
となく、化学機械研磨での過剰なディッシングから金属
形状部又は線を保護するために、本発明方法は、スラリ
ー中に粘度増加剤又は変性剤を導入する。スラリー粘度
は、何らかの粘度増加剤又は変性剤を添加することによ
り上昇させることができるが、しかし、本発明では、有
利な増加剤又は変性剤は非反応性多価アルコールを含有
する材料である。最も有利なのは、グリセロール及びポ
リエチレングリコールである。グリセロール又はポリエ
チレングリコールを水性ベースのスラリー中の脱イオン
水の一部と、約５０容量％の量まで交換する。増加剤に
よりもたらされた前記の高い粘度はスラリー研磨材及び
化学反応の反応成分／生成物の運動量及び／又は物質移
動を限り、かつ続いて超小型電子装置の、凹所が生じる
金属形状部の除去速度を低下させる。
【００１８】ディッシングが通常簡単に観察される、誘
電体中に金属形状物を含む加工物中の金属パターンの広
い金属形状物中で、低減されたディッシングの改善が直
ちに観察される。
電体中に金属形状物を含む加工物中の金属パターンの広
い金属形状物中で、低減されたディッシングの改善が直
ちに観察される。
【００１９】ひどいディッシングがどのように妨げられ
るかを１つの理論に結びつけることは望ましくないが、
水性ベースのスラリー中の脱イオン水の一部に代えて非
反応性多価アルコールを使用することが、広い金属表面
域から除去される材料の作用を限定し、かつ場合によ
り、ＣＭＰ工程の後に、スラリー中への粘度増加剤の導
入の結果として、所望かつ最小の、広い金属パッドディ
ッシングが得られるということが確かに考えられる。
るかを１つの理論に結びつけることは望ましくないが、
水性ベースのスラリー中の脱イオン水の一部に代えて非
反応性多価アルコールを使用することが、広い金属表面
域から除去される材料の作用を限定し、かつ場合によ
り、ＣＭＰ工程の後に、スラリー中への粘度増加剤の導
入の結果として、所望かつ最小の、広い金属パッドディ
ッシングが得られるということが確かに考えられる。
【００２０】
【実施例】ＣＶＤタングステン膜を、ウェハの形のＳｉ
Ｏ2誘電体中のパターン化金属表面として使用した。
Ｏ2誘電体中のパターン化金属表面として使用した。
【００２１】研磨スラリーは、アルミナ研磨材５重量
％、酸化剤、脱イオン水の０．１〜約５０容量％の範囲
で変動する濃度のグリセロールからなった。この溶液を
研磨の前に均一に混合し、これらのスラリー粒子が沈降
していないことを確実にした。
％、酸化剤、脱イオン水の０．１〜約５０容量％の範囲
で変動する濃度のグリセロールからなった。この溶液を
研磨の前に均一に混合し、これらのスラリー粒子が沈降
していないことを確実にした。
【００２２】第１表は、脱イオン水と交換されるグリセ
ロールの容量％によるスラリー粘度の比較を示してい
る。
ロールの容量％によるスラリー粘度の比較を示してい
る。
【００２３】 第１表 グリセロール容量％ スラリー粘度（ｃｐｓ） ０ ３．４ ２５ ５．７ ５０ １２ アルミナの一次研磨サイズは約０．０１〜約０．３μｍ
の範囲に亙り、かつスラリー約１００ｍｌを研磨パッド
に移し、その後、研磨を開始し、次いで研磨工程の間、
約３５０ｍｌ／分までの速度で移す。
の範囲に亙り、かつスラリー約１００ｍｌを研磨パッド
に移し、その後、研磨を開始し、次いで研磨工程の間、
約３５０ｍｌ／分までの速度で移す。
【００２４】図１は、誘電体１１中に埋め込まれた広い
（Ｌ）及び狭い（Ｓ）金属表面のパターンを有する金属
部１０が描かれている加工物の断面図を示しており、そ
の際、化学機械研磨（ＣＭＰ）の前に矢１２で示される
他の層及び基板が付されている。
（Ｌ）及び狭い（Ｓ）金属表面のパターンを有する金属
部１０が描かれている加工物の断面図を示しており、そ
の際、化学機械研磨（ＣＭＰ）の前に矢１２で示される
他の層及び基板が付されている。
【００２５】図２の断面図から分かるように、金属表面
１０の部分が化学機械研磨工程により表面２０まで半分
除去され、かつ誘電体２１は実質的に変わらないままで
ある。
１０の部分が化学機械研磨工程により表面２０まで半分
除去され、かつ誘電体２１は実質的に変わらないままで
ある。
【００２６】ＣＭＰ工程の完成を示す図３の拡大断面図
から、ブランケット金属は除去され、かつ広い、及び狭
いパターン化金属ＭＰのみが誘電体中に残っている。
から、ブランケット金属は除去され、かつ広い、及び狭
いパターン化金属ＭＰのみが誘電体中に残っている。
【００２７】しかしながら、図４の更に拡大された断面
図から、ＣＭＰ工程の従来技術の結果として、より広い
金属形状物又はパターンがよりひどいディッシングＤを
被っている。
図から、ＣＭＰ工程の従来技術の結果として、より広い
金属形状物又はパターンがよりひどいディッシングＤを
被っている。
【００２８】グリセロール約０．１〜約５０容量％が粘
度増加剤として一部の脱イオン水の代わりに使用されて
いる本発明の粘度増加スラリーの使用の結果として、図
５に示されている広い金属形状物中のディッシングＤＯ
ＴＤの深さはＣＭＰ工程の終了時に２／３程にかなり減
っている。点を打たれている領域が改善された範囲を表
している。
度増加剤として一部の脱イオン水の代わりに使用されて
いる本発明の粘度増加スラリーの使用の結果として、図
５に示されている広い金属形状物中のディッシングＤＯ
ＴＤの深さはＣＭＰ工程の終了時に２／３程にかなり減
っている。点を打たれている領域が改善された範囲を表
している。
【００２９】グリセロール割合の関数としての金属ロス
トプロフィール、試料パターン及び試料サイトの位置を
図６中に描いたが、これは、ＣＭＰ工程でウェハ上で本
発明のグリセロール容量割合を使用した結果としての金
属パッド及び線凹所（ディッシング）を示している。
トプロフィール、試料パターン及び試料サイトの位置を
図６中に描いたが、これは、ＣＭＰ工程でウェハ上で本
発明のグリセロール容量割合を使用した結果としての金
属パッド及び線凹所（ディッシング）を示している。
【００３０】付加的な利点及び変更が当業者には難なく
思い浮かぶと思われる。従って、その広い観点において
本発明は、前記の詳述及び実施例によって制限されるこ
とはない。従って、特許請求の範囲の記載及びそれと等
価な記載によって定義される通常の発明概念の精神及び
範囲を逸脱することなく様々な変更態様をなしうる。
思い浮かぶと思われる。従って、その広い観点において
本発明は、前記の詳述及び実施例によって制限されるこ
とはない。従って、特許請求の範囲の記載及びそれと等
価な記載によって定義される通常の発明概念の精神及び
範囲を逸脱することなく様々な変更態様をなしうる。
【図１】誘電体中に埋め込まれた広い、及び狭い金属表
面のパターンを示す加工物の断面を示す図であり、この
際他の層及び基板は、ＣＭＰの前に誘電体に付される。
面のパターンを示す加工物の断面を示す図であり、この
際他の層及び基板は、ＣＭＰの前に誘電体に付される。
【図２】化学機械研磨により半分処理された加工物の断
面を示す図であり、除去された金属表面の部分を含む。
面を示す図であり、除去された金属表面の部分を含む。
【図３】ＣＭＰの終了を示す加工物の断面を示す図であ
り、その際ブランケット金属が除去され、かつ金属がパ
ターン中に残っている。
り、その際ブランケット金属が除去され、かつ金属がパ
ターン中に残っている。
【図４】従来技術のＣＭＰの結果としてのひどいディッ
シングを特徴とする大きい金属形状物を示す、図３の加
工物の拡大断面を示す図。
シングを特徴とする大きい金属形状物を示す、図３の加
工物の拡大断面を示す図。
【図５】一部の脱イオン水の代わりに粘度増加剤として
０．１〜５０容量％のグリセロールを含有するスラリー
で加工物を処理した結果としての、ひどいディッシング
を特徴としない広い金属形状物を示す加工物の拡大断面
を示す図。
０．１〜５０容量％のグリセロールを含有するスラリー
で加工物を処理した結果としての、ひどいディッシング
を特徴としない広い金属形状物を示す加工物の拡大断面
を示す図。
【図６】脱イオン水の代わりに０．１〜５０％容量のグ
リセロールを含有する本発明のスラリーを使用してＣＭ
Ｐ処理されたＳｉＯ2誘電体中に埋め込まれた広い及び
狭い金属表面のパターンを有するウェハ又は加工物の様
々な位置での金属パッド及び線の凹化を示すグラフ。
リセロールを含有する本発明のスラリーを使用してＣＭ
Ｐ処理されたＳｉＯ2誘電体中に埋め込まれた広い及び
狭い金属表面のパターンを有するウェハ又は加工物の様
々な位置での金属パッド及び線の凹化を示すグラフ。
１０ 金属、 １１ 誘電体
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (71)出願人 594145404 インターナショナル ビジネス マシーン ズ コーポレーション アメリカ合衆国ニューヨーク州 10504 ニューヨーク アーモンク オールド オ ーチャード ロード （番地なし) (72)発明者 チェンティン リン アメリカ合衆国 ニューヨーク ポウキー プシー コーチライト ドライヴ 15 (72)発明者 ジュン−ファン ワン アメリカ合衆国 デラウェア ホッケシン ホワイト ブライア サークル ５ (72)発明者 フェン フェン ジャミン アメリカ合衆国 ニューヨーク ワッピン ガーズ フォールズ スカーボロウ レー ン 17シー (72)発明者 ラヴィクマール ラマチャンドラン アメリカ合衆国 ニューヨーク ビーコン ハドソン ヴュー ドライヴ ９
Claims (12)
- 【請求項１】 化学機械研磨の間の、加工物としての誘
電体中に埋め込まれたパターン化された広い金属表面で
のディッシングを減らすための組成物において、研磨材
を有するスラリー中の一部の脱イオン水の代わりに粘度
を増加させる量の粘度増加剤を含むことを特徴とする、
パターン化された広い金属表面でのディッシングを減ら
すための組成物。 - 【請求項２】 粘度増加剤がグリセロール又はポリエチ
レングリコールから選択される非反応性多価アルコール
である、請求項１に記載の組成物。 - 【請求項３】 粘度増加剤がグリセロールである、請求
項２に記載の組成物。 - 【請求項４】 グリセロールが脱イオン水の０．１〜５
０容量％の量で存在する、請求項３に記載の組成物。 - 【請求項５】 研磨材がアルミナである、請求項４に記
載の組成物。 - 【請求項６】 粘度が３．４〜１２ｃｐｓである、請求
項４に記載の組成物。 - 【請求項７】 化学機械研磨の間の、加工物としての誘
電体中に埋め込まれたパターン化された広い金属表面で
のディッシングを減らすための方法において、研磨材を
有するスラリー中の一部の脱イオン水の代わりに粘度を
増加させる量の粘度増加剤を含む研磨組成物に加工物の
表面をさらすことを特徴とする、パターン化された広い
金属表面でのディッシングを減らすための方法。 - 【請求項８】 粘度増加剤がグリセロール又はポリエチ
レングリコールから選択される非反応性多価アルコール
である、請求項７に記載の方法。 - 【請求項９】 粘度増加剤がグリセロールである、請求
項８に記載の方法。 - 【請求項１０】 グリセロールが脱イオン水の０．１〜
５０容量％の量で存在する、請求項９に記載の方法。 - 【請求項１１】 研磨材がアルミナである、請求項１０
に記載の方法。 - 【請求項１２】 スラリーが粘度３．４〜１２ｃｐｓを
有する、請求項１０に記載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US09/156071 | 1998-09-17 | ||
| US09/156,071 US6149830A (en) | 1998-09-17 | 1998-09-17 | Composition and method for reducing dishing in patterned metal during CMP process |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000169831A true JP2000169831A (ja) | 2000-06-20 |
Family
ID=22557986
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26049599A Withdrawn JP2000169831A (ja) | 1998-09-17 | 1999-09-14 | パタ―ン化された広い埋め込み金属表面でのディッシングを減らすための組成物及び方法 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6149830A (ja) |
| EP (1) | EP0987307A3 (ja) |
| JP (1) | JP2000169831A (ja) |
| KR (1) | KR20000023012A (ja) |
| CN (1) | CN1256992A (ja) |
| TW (1) | TW512168B (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| US6530968B2 (en) | 2000-11-24 | 2003-03-11 | Nec Electronics Corporation | Chemical mechanical polishing slurry |
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|---|---|---|---|---|
| KR100378180B1 (ko) * | 2000-05-22 | 2003-03-29 | 삼성전자주식회사 | 화학기계적 연마 공정용 슬러리 및 이를 이용한 반도체소자의 제조방법 |
| US6811470B2 (en) | 2001-07-16 | 2004-11-02 | Applied Materials Inc. | Methods and compositions for chemical mechanical polishing shallow trench isolation substrates |
| AU2002336360A1 (en) * | 2001-08-17 | 2003-03-03 | Acm Research, Inc. | Forming a semiconductor structure using a combination of planarizing methods and electropolishing |
| US20040253809A1 (en) * | 2001-08-18 | 2004-12-16 | Yao Xiang Yu | Forming a semiconductor structure using a combination of planarizing methods and electropolishing |
| US6677239B2 (en) | 2001-08-24 | 2004-01-13 | Applied Materials Inc. | Methods and compositions for chemical mechanical polishing |
| SG115405A1 (en) | 2001-09-17 | 2005-10-28 | Inst Of Microelectronics | Method for reducing dishing in chemical mechanical polishing |
| US6935933B1 (en) * | 2001-12-21 | 2005-08-30 | Lsi Logic Corporation | Viscous electropolishing system |
| US7199056B2 (en) * | 2002-02-08 | 2007-04-03 | Applied Materials, Inc. | Low cost and low dishing slurry for polysilicon CMP |
| US7063597B2 (en) | 2002-10-25 | 2006-06-20 | Applied Materials | Polishing processes for shallow trench isolation substrates |
| KR100560307B1 (ko) * | 2002-12-30 | 2006-03-14 | 동부아남반도체 주식회사 | 반도체 소자 제조방법 |
| IL161771A0 (en) * | 2004-05-04 | 2005-11-20 | J G Systems Inc | Method and composition to minimize dishing in semiconductor wafer processing |
| US20060088976A1 (en) * | 2004-10-22 | 2006-04-27 | Applied Materials, Inc. | Methods and compositions for chemical mechanical polishing substrates |
| US20070264829A1 (en) * | 2006-05-12 | 2007-11-15 | Hynix Semiconductor Inc. | Slurry and method for chemical mechanical polishing |
| WO2008027374A1 (en) * | 2006-08-30 | 2008-03-06 | Saint-Gobain Ceramics & Plastics, Inc. | Aqueous fluid compositions for abrasive slurries, methods of production, and methods of use thereof |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4116755A (en) * | 1977-09-06 | 1978-09-26 | Mcdonnell Douglas Corporation | Chem-milling of titanium and refractory metals |
| US4242842A (en) * | 1979-08-08 | 1981-01-06 | La Pierre Synthetique Baikowski, S.A. | Precision polishing suspension and method for making same |
| US4358295A (en) * | 1980-03-27 | 1982-11-09 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Polishing method |
| US4588474A (en) * | 1981-02-03 | 1986-05-13 | Chem-Tronics, Incorporated | Chemical milling processes and etchants therefor |
| US4867757A (en) * | 1988-09-09 | 1989-09-19 | Nalco Chemical Company | Lapping slurry compositions with improved lap rate |
| US5607718A (en) * | 1993-03-26 | 1997-03-04 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Polishing method and polishing apparatus |
| US5395801A (en) * | 1993-09-29 | 1995-03-07 | Micron Semiconductor, Inc. | Chemical-mechanical polishing processes of planarizing insulating layers |
| US5567300A (en) * | 1994-09-02 | 1996-10-22 | Ibm Corporation | Electrochemical metal removal technique for planarization of surfaces |
| KR0147630B1 (ko) * | 1995-04-21 | 1998-11-02 | 김광호 | 반도체 장치의 소자분리방법 |
| US5769689A (en) * | 1996-02-28 | 1998-06-23 | Rodel, Inc. | Compositions and methods for polishing silica, silicates, and silicon nitride |
| US5916855A (en) * | 1997-03-26 | 1999-06-29 | Advanced Micro Devices, Inc. | Chemical-mechanical polishing slurry formulation and method for tungsten and titanium thin films |
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-
1998
- 1998-09-17 US US09/156,071 patent/US6149830A/en not_active Expired - Lifetime
-
1999
- 1999-09-09 KR KR1019990038282A patent/KR20000023012A/ko not_active Application Discontinuation
- 1999-09-14 JP JP26049599A patent/JP2000169831A/ja not_active Withdrawn
- 1999-09-17 CN CN99120301A patent/CN1256992A/zh active Pending
- 1999-09-17 EP EP99307401A patent/EP0987307A3/en not_active Withdrawn
-
2000
- 2000-02-09 TW TW088116012A patent/TW512168B/zh not_active IP Right Cessation
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Also Published As
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|---|---|
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|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
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