TWI832902B - 洗淨液組成物 - Google Patents

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Abstract

本發明所欲解決的問題在於，針對存在有Co接點插塞和Co配線之半導體基板，提供一種洗淨液，其在短時間內有效地去除源自於漿料之有機殘留物和磨粒。 本發明關於一種洗淨液組成物，其用於洗淨具有鈷接點插塞及/或鈷配線之基板，其中，該洗淨液組成物包含一種或二種以上的還原劑與水。另外，本發明關於一種洗淨液組成物，其用於洗淨具有鈷且不具有銅之基板，其中，該洗淨液組成物包含一種或二種以上的還原劑與水，並且，pH值為3以上且未滿12。

Description

洗淨液組成物
本發明關於一種洗淨液組成物，其用於洗淨具有鈷（Co）之基板。
近年來，伴隨著器件(device)微小化及多層配線構造化的進展，在各步驟中，要求基板表面更加細緻的平坦化，於是，作為新技術，在半導體基板製造步驟中導入了化學機械研磨（chemical mechanical polishing，CMP）技術，其一邊供給研磨粒子與化學藥品的混合物漿料，一邊將晶圓壓接於被稱作磨面（buff）之研磨布上並旋轉，藉此併用化學性作用與物理性作用來將絕緣膜和金屬材料等加以研磨而進行平坦化。
以往，就用於在絕緣膜上拉出電晶體的閘極、源極、汲極等電極之接點插塞（contact plug）而言，是使用鎢（W），但伴隨著微小化，在先進器件中，作為電阻比W更低的材料而使用鈷（Co）。 進一步，伴隨著將這些接點插塞與上層部的配線作電性連接之配線（Middle of Line，MOL，即，中段配線）也微小化，於是逐漸從銅（Cu）轉換至Co。
在形成此器件的過程中，與以往同樣地，使用一種將氧化鋁和氧化矽等矽化合物或氧化鈰等鈰化合物作為磨粒之漿料來進行CMP。
CMP後的基板表面會被以漿料所包含的氧化鋁、二氧化矽或氧化鈰粒子作為代表之粒子、或者被研磨之表面的構成物質或源自於漿料所包含之藥品的金屬雜質所污染。由於這些污染物會引起圖案缺陷和密接性不良、電特性不良等，故需要在進入下一步驟前完全去除。作為用於去除這些污染物之一般的CMP後洗淨，進行刷具洗淨，其併用了洗淨液的化學作用與聚乙烯醇製的海綿刷等所致之物理性作用。
迄今為止，在半導體製造過程中，Co被用作為防止Cu配線處的金屬擴散之障壁金屬，於是提出有針對Cu與Co之洗淨液（專利文獻1～4），但認為難以將這些洗淨液用於使用了Co之接點插塞或MOL。
其原因被認為在於，作為障壁金屬和襯墊層（liner）所使用的Co非常薄，在Co上不易殘存源自於漿料之被稱為有機殘留物的異物和磨粒等，相較於此，在接點插塞和MOL中，Co的面積比襯墊層大，於是有機殘留物和磨粒容易殘存，因此對於使用了Co而成之障壁金屬和襯墊層等，原本使用的洗淨液難謂合適，如今亦已揭曉實際上是如此。因此，認為需要對應於Co接點插塞和使用Co之配線（以下，稱作Co配線）之洗淨液，但尚未提出有這種洗淨液。 [先前技術文獻] （專利文獻）
專利文獻1：日本特表2008-528762號公報 專利文獻2：日本特表2008-543060號公報 專利文獻3：日本特表2015-519723號公報 專利文獻4：日本特表2015-524165號公報
[發明所欲解決的問題] 因此，本發明所欲解決的問題在於，針對存在有Co接點插塞和Co配線之半導體基板，提供一種洗淨液，該洗淨液在短時間內有效地去除源自於漿料之有機殘留物和磨粒。特別在於，提供一種有效地去除有機殘留物之洗淨液。
[用以解決問題的技術手段] 在為了解決上述問題之深入研究中，本發明人發現，藉由包含一種或二種以上的還原劑與水之洗淨液組成物作用於有機殘留物，該有機殘留物是因CMP而產生的Co離子與漿料所包含的抗蝕劑複合性結合而成之聚合物，來改變Co離子的價數，因而能夠減弱形成聚合物之化學鍵結，於是能夠在短時間內有效地去除含有Co之源自於漿料的有機殘留物和磨粒等，進一步深入研究的結果而完成本發明。
亦即，本發明是關於下述。 [1]一種洗淨液組成物，其用於洗淨具有鈷(Co)接點插塞及/或Co配線之基板，其中，該洗淨液組成物包含一種或二種以上的還原劑與水。 [2]一種洗淨液組成物，其用於洗淨具有Co且不具有銅(Cu)之基板，其中，該洗淨液組成物包含一種或二種以上的還原劑與水，並且，pH值為3以上且未滿12。 [3]如前述[2]所述之洗淨液組成物，其中，基板具有Co接點插塞及/或Co配線。 [4]如前述[1]～[3]中任一項所述之洗淨液組成物，其中，還原劑包含選自由下述所組成之群組中的一種或二種以上之化合物：二個以上的羥基直接鍵結於環之五員環或六員環化合物。 [5]如前述[4]所述之洗淨液組成物，其中，還原劑是選自由下述所組成之群組中的一種或二種以上之化合物：抗壞血酸、五倍子酚（pyrogallol）及五倍子酸甲酯（methyl gallate）。
[6]如前述[1]〜[5]中任一項所述之洗淨液組成物，其中，進一步包含一種或二種以上的聚磺酸化合物來作為界面活性劑。 [7]一種原液組成物，其為前述[1]〜[6]中任一項所述之洗淨液組成物用的原液組成物，其中，藉由稀釋成10倍〜1000倍，以獲得前述洗淨液組成物。 [8]一種半導體基板的製造方法，其包含使前述[1]〜[6]中任一項所述之洗淨液組成物接觸至具有Co接點插塞及/或Co配線之基板的步驟。 [9]如前述[8]所述之半導體基板的製造方法，其中，在接觸至具有Co接點插塞及/或Co配線之基板的步驟前，包含將具有Co接點插塞及/或Co配線之基板作化學機械研磨（CMP）的步驟。 [10]如前述[8]或[9]所述之半導體基板的製造方法，其中，接觸至具有Co接點插塞及/或Co配線之基板的步驟，是洗淨具有Co接點插塞及/或Co配線之基板的步驟。
[發明的功效] 本發明的洗淨液組成物，其在半導體元件等電子器件的製造步驟中，針對已施行研磨處理、蝕刻處理、化學機械研磨（CMP）處理等之基板的金屬材料表面進行洗淨時，能夠在短時間內有效地去除金屬雜質、微粒，其中特別是能夠在短時間內有效地去除Co與有機抗蝕劑之反應生成物也就是包含Co之有機殘留物和磨粒。另外，本發明的洗淨液組成物，其不僅能夠用於洗淨基板，還能夠在各種用途中用於溶解包含Co之有機殘留物。 特別是，針對具有Co接點插塞及/或Co配線之基板，適合用於去除包含Co之有機殘留物和磨粒。
以下，針對本發明，基於本發明的適合的實施態樣作詳細說明。 首先，針對本發明的洗淨液組成物及原液組成物作說明。 本發明的洗淨液組成物，其為一種洗淨液組成物，用於洗淨具有Co接點插塞及/或Co配線之基板，其中，該洗淨液組成物包含一種或二種以上的還原劑與水。
本發明所使用的還原劑，其若能夠改變Co離子的價數，則無特別限定，例如能夠舉出二個以上的羥基直接鍵結於環之五員環或六員環化合物等。這些還原劑可使用一種，也可使用二種以上。
二個以上的羥基直接鍵結於環之五員環或六員環，其可以是飽和或不飽和之五員環或六員環，另外，也可以是芳香族五員環或六員環。在本發明中，較佳是使用二個以上的羥基直接鍵結於環之芳香族五員環或芳香族六員環，雖不限定，但能夠舉出例如γ內酯（γ-lactone）基及苯基等。另外，若二個以上的羥基直接鍵結於環，則羥基以外的取代基也可直接鍵結於環。
本發明所使用的還原劑，較佳是抗壞血酸、五倍子酚、五倍子酸甲酯，從洗淨液中的穩定性的觀點來看，特佳是五倍子酚或五倍子酸甲酯。
在本發明中，洗淨液組成物的pH值較佳是未滿12，進一步較佳是3以上且未滿12。從對於包含Co之有機殘留物及磨粒的洗淨性能的觀點來看，若pH值為4～9，則能夠進一步獲得高洗淨性能，特佳是pH值為6～9。
另外，本發明的洗淨液組成物，其為了提升微粒的去除性能，可包含界面活性劑。界面活性劑的種類可依據要去除的微粒和基板而適當選擇，雖不限定，但較佳是聚磺酸化合物。作為聚磺酸化合物，例如，能夠舉出萘磺酸甲醛縮合物（naphthalenesulfonic acid formaldehyde condensate）、聚苯乙烯磺酸、木質素磺酸（lignosulfonate）及該等化合物的鹽等。
作為有機殘留物，雖不限定，但能夠舉出包含Co之有機殘留物，其為Co與苯并三唑（benzotriazole，BTA）等有機系抗蝕劑在CMP過程中反應而生成且藉由Co而交聯之有機金屬錯合物的二聚物或寡聚物，且為難溶性。成為本發明之洗淨液組成物的洗淨對象之基板的有機殘留物，其可高濃度地包含Co。為了使此包含Co之有機殘留物溶解在洗淨液中，有下述方法：藉由改變洗淨液的pH值，來切斷Co與有機系抗蝕劑之配位鍵，而使其低分子化。
作為在包含Co之有機殘留物中，Co與苯并三唑（BTA）等有機系抗蝕劑在CMP過程中反應而生成且藉由Co而交聯之有機金屬錯合物的二聚物或寡聚物，雖不限定，但能夠舉出例如Co－苯并三唑（BTA）複合物。
Co-BTA複合物是指Co及苯并三唑（BTA）藉由交聯等而複合化之複合物，雖不限定，但能夠舉出：Co-BTA錯合物、在Cu-BTA錯合物中混合SiO2 等源自於漿料之無機物而成之化合物等。
作為本發明中的具有Co接點插塞及/或Co配線之基板，若為化學機械研磨（CMP）後所獲得之基板，則不限定，但能夠舉出例如下述基板：CMP剛完成後的基板；及，Co接點插塞及/或Co配線形成後，藉由乾蝕刻加工上層絕緣膜剛完成後的基板等。其中，較佳是CMP剛完成後的基板。
本發明中的化學機械研磨（CMP），其能夠按照公知的化學機械研磨而進行，雖不限定，但能夠舉出例如使用SiO2 或Al2 O3 等磨粒之研磨方法及使用電解水之無磨粒之研磨方法等。其中，較佳是使用SiO2 或Al2 O3 等磨粒之研磨方法。
本發明的原液組成物，其為能夠藉由稀釋而獲得本發明的洗淨液組成物之原液組成物，該原液組成物並不限定，但例如能夠藉由稀釋成10倍以上，較佳是10〜1000倍，更佳是50～200倍，而獲得本發明的洗淨液組成物，能夠依據要被構成的組成而適當決定。
本發明的洗淨液組成物，其大部分由水構成，因此在電子器件的製造產線設置有稀釋混合裝置時，能夠先以原液組成物的形態供給後，在即將使用時藉由包含水之稀釋液（該稀釋液包含僅由超純水組成者）加以稀釋來使用，因此具有對於降低運送成本、降低運送時的二氧化碳氣體、及降低電子器件製造商的製造成本能夠有所貢獻的優點。
本發明的洗淨液組成物，其例如能夠用於具有Co接點插塞及/或Co配線之基板，特別適合用於具有Co接點插塞及/或Co配線且不具有Cu之基板。另外，適合用於化學機械研磨（CMP）後的基板，此處，於CMP後的基板表面上，除了基板表面的各種配線以及阻障金屬材料（Co、鈦（Ti）系化合物、鉭（Ta）系化合物、釕（Ru）等）以及絕緣膜材料（SiO2 、低介電常數材料）之外，還存在漿料所包含之微粒和金屬雜質。微粒例如主要是氧化鋁、二氧化矽及氧化鈰等，金屬雜質能夠舉出在研磨中會溶解於漿料中並重新附著之Cu、源自於漿料中的氧化劑之鐵（Fe）、還有漿料中所包含的Co抗蝕劑與Co反應而成之Co有機金屬錯合物等。
在本發明中，阻障金屬是指為了防止接點插塞或配線中的金屬擴散至絕緣膜而在半導體基板的接點插塞或配線與絕緣膜之間形成的層（阻障金屬層）所使用之Co、Ti系化合物、Ta系化合物、Ru等。
另外，低介電常數材料是指用於層間絕緣膜等之具有低介電常數的材料，雖不限定，但能夠舉出例如多孔質矽、含矽有機聚合物、四乙氧基矽烷（tetraethoxysilane，TEOS）等。具體而言，能夠舉出Black Diamond（應用材料公司製）、Aurora（ASM International製）等。
隨後，針對依據本發明之半導體基板的製造方法作說明。 依據本發明之半導體基板的製造方法，其為一種半導體基板的製造方法，包含：使本發明的洗淨液組成物接觸至具有Co接點插塞及/或Co配線之基板的步驟。 另外，依據本發明之半導體基板的製造方法，其為一種半導體基板的製造方法，在使本發明的洗淨液組成物接觸至具有Co接點插塞及/或Co配線之基板的步驟前，包含將具有Co接點插塞及/或Co配線之基板作化學機械研磨（CMP）的步驟。
作為接觸步驟，雖不限定，但能夠舉出例如CMP後的洗淨步驟以及藉由乾蝕刻加工Co接點插塞上層的絕緣膜後的洗淨步驟等。作為用於接觸的方法，雖不限定，但能夠舉出例如併用刷具刷洗（brush scrub）之單片式洗淨法、藉由噴霧器或噴嘴將洗淨液作噴霧之單片式洗淨法、批次噴霧洗淨法、批次浸漬洗淨法等。其中，較佳是併用刷具刷洗之單片式洗淨法及藉由噴霧器或噴嘴將洗淨液作噴霧之單片式洗淨法，特佳是併用刷具刷洗之單片式洗淨法。
作為接觸之氣氛，雖不限定，但能夠舉出例如空氣中、氮氣氣氛中及真空中等。其中，較佳是空氣中及氮氣氣氛中。 接觸時間可依據目的而適當選擇，雖不限定，但在併用刷具刷洗之單片式洗淨法及藉由噴霧器或噴嘴將洗淨液作噴霧之單片式洗淨法的情況下，為0.5〜5分鐘，在批次噴霧洗淨法及批次浸漬洗淨法的情況下，為0.5〜30分鐘。 溫度可依據目的而適當選擇，雖不特別限定，但在併用刷具刷洗之單片式洗淨法及藉由噴霧器或噴嘴將洗淨液作噴霧之單片式洗淨法的情況下，為20℃〜50℃，在批次噴霧洗淨法及批次浸漬洗淨法的情況下，為20℃～100℃。 上述接觸條件能夠依據目的而適當組合。
作為半導體基板，雖不限定，但能夠舉出例如矽、碳化矽、氮化矽、砷化鎵、氮化鎵、磷化鎵、磷化銦等的基板。其中，較佳是矽、碳化矽、砷化鎵、氮化鎵等的基板，特佳是矽基板、碳化矽基板。
隨後，針對依據本發明之用於溶解包含Co之有機殘留物的方法作說明。 本發明之用於溶解包含Co之有機殘留物的方法，其包含使洗淨液組成物接觸至包含Co之有機殘留物的步驟，該洗淨液組成物包含一種或二種以上的還原劑與水，並且，pH值為4～9。 作為洗淨液組成物，若為上述洗淨液組成物，則無特別限定，但能夠使用已詳細說明之本發明的洗淨液組成物。 作為接觸方法，若為上述接觸方法，則無特別限定。 [實施例]
隨後，針對本發明的洗淨液組成物，藉由以下記載之示例，進一步詳細說明本發明，但本發明並不限於這些示例。
>評估A：洗淨液組成物的洗淨性能（Co晶圓洗淨後的缺陷數量）> （CMP研磨液的調製） 將使用了平均粒徑為70nm之氧化矽製成之漿料（型號：HS-CB915-B，日立化成股份有限公司製），以超純水（DIW）稀釋3倍後，與雙氧水混合，而獲得CMP研磨液。 （研磨對象晶圓的準備） 製備以下構成之Co基板（PVD-Co 2kÅ/Ti/Th-SiO2 /Si，先進材料科技股份有限公司製）。
（晶圓的研磨） 使用上述CMP研磨液，藉由研磨裝置（MAT股份有限公司製之CMP研磨裝置，型號：ARW-681MSII），將上述研磨對象晶圓研磨30秒。研磨結束後，一邊旋轉晶圓，一邊使用100 mL的超純水（DIW）沖洗10秒。使用表1及表2的洗淨液組成物（除了例11及12之外，使用鹽酸及四甲基氫氧化銨（TMAH），並調整成預定的pH值。另外，例11及12是不包含由關東化學製的還原劑之CMP後洗淨液，分別為Co阻障金屬用的鹼性CuCMP後洗淨液、Ta阻障金屬用的酸性CuCMP後洗淨液），一邊旋轉沖洗後的晶圓，一邊轉動聚乙烯醇製的刷具（AION Co., Ltd製），藉此進行60秒的晶圓洗淨。一邊旋轉洗淨後的晶圓，一邊使用300mL的超純水（DIW）沖洗30秒，進一步，一邊進行旋轉一邊在25℃乾燥30秒，藉此獲得測定用的晶圓。
（晶圓表面的缺陷數量測定） 藉由表面檢查裝置（拓普康公司製，型號：WM-10），測定上述測定用晶圓表面的缺陷數量，以評估洗淨液組成物的洗淨性能。將評估結果表示於第1圖及第2圖中。
（結果） 如表1、表2、第1圖及第2圖所示，確認了：在同樣是pH值為12的情況下，利用包含還原劑之洗淨液組成物所洗淨之晶圓表面的缺陷數量，比利用不包含還原劑之洗淨液組成物所洗淨之晶圓表面的缺陷數量更少（例10、11及13）。亦即，確認了：包含還原劑之洗淨液組成物的洗淨性能，比不包含還原劑之洗淨液組成物的洗淨性能更高。另外，確認了：在包含還原劑之洗淨液組成物彼此當中，pH值為4、6、9之洗淨液組成物的洗淨性能，比pH值為12之洗淨液組成物的洗淨性能更高。一般而言，用於針對Cu洗淨之洗淨液（例11及例12）不適合作為針對Co之洗淨液，本發明的洗淨液組成物，相對於用於針對Cu洗淨之洗淨液，具有更加良好的洗淨性能。
[表1] *IONET D2是界面活性劑的型號。
[表2] *IONET D2是界面活性劑的型號。
>評估B：洗淨液組成物的有機殘留物去除性能（Co-BTA去除性能）> （Co-BTA基板的準備） 將以下構成之Co基板（PVD-Co 2kÅ/Ti/Th-SiO2 /Si，先進材料科技股份有限公司製）切割成1.0×1.0cm2 ，並將這些基板浸漬於1%的草酸水溶液10秒鐘後，利用超純水（DIW）進行1分鐘的沖洗，其後，浸漬於BTA水溶液（濃度為10 mM且pH值為8）2分鐘，其後，再次利用DIW進行1分鐘的沖洗，並藉由吹拂氮氣使其乾燥，而獲得Co-BTA基板。
（評估用基板的準備） 將以下構成之Co基板（PVD-Co 2kÅ/Ti/Th-SiO2 /Si，先進材料科技股份有限公司製）切割成1.0×1.0cm2 ，並將這些基板浸漬於1%的草酸水溶液10秒鐘後，利用超純水（DIW）進行1分鐘的沖洗，其後，浸漬於BTA水溶液（濃度為10 mM且pH值為8）2分鐘，進一步，其後，再次利用DIW進行1分鐘的沖洗，並浸漬於表3及表4的各洗淨液組成物（已使用鹽酸及TMAH調整成預定的pH值）1分鐘，其後，再次利用DIW進行1分鐘的沖洗，並藉由吹拂氮氣使其乾燥，而獲得評估用基板。
（Co-BTA去除性能評估） 將上述各基板使用X射線光電子能譜儀（日本電子製，型號：JPS-9200）測定N1s能譜。將所獲得之Co-BTA基板的能譜作為基準時的評估用基板的能譜強度加以比較，從該強度減少的程度實施Co-BTA去除性能的評估。
（結果） 確認了相較於Co-BTA的能譜，第3圖所示之從pH 4至pH 9的例18～20的XPS能譜的能譜強度減少。確認了雖然相較於Co-BTA的能譜，不包含還原劑之例14〜16的XPS能譜的能譜強度減少，但減少的程度比例18〜20來得少。由此結果，能夠確認還原劑對於Co-BTA（源自漿料之有機殘留物）的去除為有效。
[表3]
[表4]
>評估C：洗淨液組成物中的Co、SiO2 及SiN各粒子的Z電位的測定> 將0.05 g的平均粒徑為50 nm之鈷（SIGMA-ALDRICH公司製）與20 ml的超純水（DIW）混合，並使用超音波裝置攪拌10分鐘而使其均勻分散後，採集20μL的該溶液，加入至50mL的具有表5的組成之洗淨液組成物（已使用鹽酸及TMAH調整成預定的pH值）中。將這些溶液進一步攪拌並均勻化後，使用Z電位測定裝置（大塚電子公司製，型號：ELS-Z）而測定鈷的Z電位。 針對氧化矽及氮化矽的各粒子，利用與鈷同樣的方法來測定Z電位（單位：mV）。 將結果表示於表5及第4圖中。
（結果） 從表5及第4圖確認了：針對鈷，包含還原劑及/或界面活性劑之洗淨液組成物中的Z電位，比不包含還原劑及/或界面活性劑之洗淨液組成物中的Z電位更低。針對氧化矽，並未觀察到Z電位會依據洗淨液組成物的組成而有大幅差異。確認了：針對氮化矽，包含還原劑及/或界面活性劑之洗淨液組成物中的Z電位，會比還原劑及界面活性劑中的任一者皆不包含之洗淨液組成物中的Z電位更低。 另外，特別是在鈷及氮化矽的情況下，在酸性區域中，包含還原劑之洗淨液組成物的Z電位會超過0，相對於此，包含還原劑及/或界面活性劑之洗淨液組成物的Z電位，其在pH 6～12的寬廣pH區域中，會顯示出大且負的Z電位。因此，在包含鈷配線和氮化矽之洗淨對象物中，也同樣顯示了負的Z電位。鈷研磨漿料所包含的二氧化矽磨粒一般具有負的Z電位，因此，期待藉由使用包含還原劑及/或界面活性劑之本洗淨液組成物，會提高在二氧化矽磨粒與洗淨對象物之間的負的Z電位造成的排斥作用所致之二氧化矽磨粒的剝離（lift off）的效果，並同時防止再次附著至洗淨對象物的效果，而對洗淨性能的提升有所貢獻。
[表5] *IONET D2是界面活性劑的型號。
無
第1圖是表示洗淨液組成物所含有的還原劑的種類及pH值與洗淨性能之間的關係的圖。 第2圖是表示洗淨液組成物所含有的還原劑的有無、界面活性劑的有無及其他成分的種類與洗淨性能之間的關係的圖。 第3圖是表示洗淨液組成物所含有的還原劑的有無及其他成分的種類與X射線光電子能譜（X-ray photoelectron spectroscopy，XPS）之間的關係的圖。 第4圖是表示洗淨液組成物所含有的還原劑的有無、界面活性劑的有無及pH值與針對Co、SiO2 及氮化矽（SiN）各粒子之Z電位（zeta potential）之間的關係的圖。
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Claims (10)

  1. 一種洗淨液組成物，其用於洗淨具有鈷接點插塞及/或鈷配線之基板，其中，該洗淨液組成物包含一種或二種以上的還原劑與水，並且，pH值為3以上且9以下。
  2. 一種洗淨液組成物，其用於洗淨具有鈷且不具有銅之基板，其中，該洗淨液組成物包含一種或二種以上的還原劑與水，並且，pH值為3以上且9以下。
  3. 如請求項2所述之洗淨液組成物，其中，基板具有鈷接點插塞及/或鈷配線。
  4. 如請求項1或2所述之洗淨液組成物，其中，還原劑包含選自由下述所組成之群組中的一種或二種以上之化合物：二個以上的羥基直接鍵結於環之五員環或六員環化合物。
  5. 如請求項4所述之洗淨液組成物，其中，還原劑是選自由下述所組成之群組中的一種或二種以上之化合物：抗壞血酸、五倍子酚及五倍子酸甲酯。
  6. 如請求項1或2所述之洗淨液組成物，其中，進一步包含一種或二種以上的聚磺酸化合物來作為界面活性劑。
  7. 一種原液組成物，其為請求項1~6中任一項 所述之洗淨液組成物用的原液組成物，其中，藉由稀釋成10倍~1000倍，以獲得前述洗淨液組成物。
  8. 一種半導體基板的製造方法，其包含使請求項1~6中任一項所述之洗淨液組成物接觸至具有鈷接點插塞及/或鈷配線之基板的步驟。
  9. 如請求項8所述之半導體基板的製造方法，其中，在接觸至具有鈷接點插塞及/或鈷配線之基板的步驟前，包含將具有鈷接點插塞及/或鈷配線之基板作化學機械研磨的步驟。
  10. 如請求項8所述之半導體基板的製造方法其中，接觸至具有鈷接點插塞及/或鈷配線之基板的步驟，是洗淨具有鈷接點插塞及/或鈷配線之基板的步驟。
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