JPH05327207A - ポリイミド基板の製造方法 - Google Patents
ポリイミド基板の製造方法Info
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- JPH05327207A JPH05327207A JP1255891A JP1255891A JPH05327207A JP H05327207 A JPH05327207 A JP H05327207A JP 1255891 A JP1255891 A JP 1255891A JP 1255891 A JP1255891 A JP 1255891A JP H05327207 A JPH05327207 A JP H05327207A
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Abstract
(57)【要約】
［目的］ 高信頼性を有するＰＷＢやＦＰＣやＴＡＢ
の作成を可能とする、無電解めっき被膜と電解めっき被
膜と密着強度の大きいポリイミド基板の作成方法の提
供。 ［構成］ ポリイミド樹脂の片面、あるいは両面に導
電性被膜を設けたポリイミド基板の製造方法において、
ポリイミド樹脂表面に１０μm以下好ましくは５μm以下
の導電性薄膜を設けた後、これを不活性雰囲気中で３０
０〜５００℃で熱処理し、次いで該導電性被膜の表面を
次亜塩素酸イオン、亜塩素酸イオン、過塩素酸イオンの
内の少なくとも１種のイオンを含む溶液で洗浄し、次い
で、該導電性薄膜の表面にさらに電気めっきを施すこと
により導電性被膜を形成する。
の作成を可能とする、無電解めっき被膜と電解めっき被
膜と密着強度の大きいポリイミド基板の作成方法の提
供。 ［構成］ ポリイミド樹脂の片面、あるいは両面に導
電性被膜を設けたポリイミド基板の製造方法において、
ポリイミド樹脂表面に１０μm以下好ましくは５μm以下
の導電性薄膜を設けた後、これを不活性雰囲気中で３０
０〜５００℃で熱処理し、次いで該導電性被膜の表面を
次亜塩素酸イオン、亜塩素酸イオン、過塩素酸イオンの
内の少なくとも１種のイオンを含む溶液で洗浄し、次い
で、該導電性薄膜の表面にさらに電気めっきを施すこと
により導電性被膜を形成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、高温時の密着性の良好
なポリイミド基板の製造方法に関する。
なポリイミド基板の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】ポリイミド樹脂は優れた耐熱性を有し、
又機械的、電気的、そして化学的特性も良好で、他のプ
ラスティックと比較して遜色がない。このため、該ポリ
イミド樹脂は、例えばプリント配線板（ＰＷＢ）、フレ
キシブルプリント回路（ＦＰＣ）、テープ自動ボンディ
ング（ＴＡＢ）実装用基板等の電気機器用部品の絶縁材
料として用いられている。
又機械的、電気的、そして化学的特性も良好で、他のプ
ラスティックと比較して遜色がない。このため、該ポリ
イミド樹脂は、例えばプリント配線板（ＰＷＢ）、フレ
キシブルプリント回路（ＦＰＣ）、テープ自動ボンディ
ング（ＴＡＢ）実装用基板等の電気機器用部品の絶縁材
料として用いられている。
【０００３】このようなＰＷＢ、ＦＰＣ、ＴＡＢ実装用
基板は、ポリイミド樹脂表面に導電性被膜を設けた基板
を加工することにより形成される。ポリイミド樹脂に導
電性被膜を直接形成する方法としてはスパッタリング
法、蒸着法、イオンプレーティング法、無電解めっき
法、キャステイング法、熱圧着法等がある。しかし、こ
れらの方法で形成した基板では、該基板を２００℃とい
った高温環境下に１０分間放置すると導電性被膜とポリ
イミド樹脂との密着強度が著しく低下し、使用できなく
なるといった欠点がある。この欠点を解消すべく、種々
の方法が検討されているが、それらの中で最も効果的と
されるものの一つに該基板を２００℃以上の温度で熱処
理する方法がある。この方法によれば、確かに高温環境
下での密着強度は大幅に改善されされる。しかし、この
改善度合いは導電性被膜の厚さと関連し、被膜の厚さが
厚くなればなるほど改善度合いは低下し、膜厚が１０μ
mを越えると低下度合いが顕著となるという現象があ
り、得られる製品間に密着強度のバラツキを生じるとい
う問題点がある。
基板は、ポリイミド樹脂表面に導電性被膜を設けた基板
を加工することにより形成される。ポリイミド樹脂に導
電性被膜を直接形成する方法としてはスパッタリング
法、蒸着法、イオンプレーティング法、無電解めっき
法、キャステイング法、熱圧着法等がある。しかし、こ
れらの方法で形成した基板では、該基板を２００℃とい
った高温環境下に１０分間放置すると導電性被膜とポリ
イミド樹脂との密着強度が著しく低下し、使用できなく
なるといった欠点がある。この欠点を解消すべく、種々
の方法が検討されているが、それらの中で最も効果的と
されるものの一つに該基板を２００℃以上の温度で熱処
理する方法がある。この方法によれば、確かに高温環境
下での密着強度は大幅に改善されされる。しかし、この
改善度合いは導電性被膜の厚さと関連し、被膜の厚さが
厚くなればなるほど改善度合いは低下し、膜厚が１０μ
mを越えると低下度合いが顕著となるという現象があ
り、得られる製品間に密着強度のバラツキを生じるとい
う問題点がある。
【０００４】この問題点を解消すべくさらなる検討が進
められ、ポリイミド樹脂に無電解めっきを行った後に熱
処理を行う方法が検討されている。この方法では無電解
めっき被膜とポリイミド樹脂との密着強度は大きくな
り、且つ安定した値が得られることがわかった。しか
し、無電解めっき被膜を施した後熱処理し、次いで無電
解めっき被膜の表面をアルカリ脱脂、電解脱脂、酸洗等
の活性化処理後に電解めっき被膜を施すと、無電解めっ
き被膜と電解めっき被膜との境界より容易に剥離するこ
とがわかった。このような基板を用いてＰＷＢやＦＰＣ
やＴＡＢを作成すると、リードの剥離やショートや断線
を生じ信頼性の無い物となる。
められ、ポリイミド樹脂に無電解めっきを行った後に熱
処理を行う方法が検討されている。この方法では無電解
めっき被膜とポリイミド樹脂との密着強度は大きくな
り、且つ安定した値が得られることがわかった。しか
し、無電解めっき被膜を施した後熱処理し、次いで無電
解めっき被膜の表面をアルカリ脱脂、電解脱脂、酸洗等
の活性化処理後に電解めっき被膜を施すと、無電解めっ
き被膜と電解めっき被膜との境界より容易に剥離するこ
とがわかった。このような基板を用いてＰＷＢやＦＰＣ
やＴＡＢを作成すると、リードの剥離やショートや断線
を生じ信頼性の無い物となる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、高信
頼性を有するＰＷＢやＦＰＣやＴＡＢの作成を可能とす
る、無電解めっき被膜と電解めっき被膜と密着強度の大
きいポリイミド基板の作成方法の提供にある。
頼性を有するＰＷＢやＦＰＣやＴＡＢの作成を可能とす
る、無電解めっき被膜と電解めっき被膜と密着強度の大
きいポリイミド基板の作成方法の提供にある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決する本発
明の方法は、ポリイミド樹脂の片面、あるいは両面に導
電性被膜を設けたポリイミド基板の製造方法において、
ポリイミド樹脂表面に１０μm以下好ましくは５μm以下
の導電性薄膜を設けた後、これを不活性雰囲気中で３０
０〜５００℃で熱処理し、次いで該導電性被膜の表面を
次亜塩素酸イオン、亜塩素酸イオン、過塩素酸イオンの
内の少なくとも１種のイオンを含む溶液で洗浄し、次い
で、該導電性薄膜の表面にさらに電気めっきを施すこと
により導電性被膜を形成することを特徴とするものであ
る。
明の方法は、ポリイミド樹脂の片面、あるいは両面に導
電性被膜を設けたポリイミド基板の製造方法において、
ポリイミド樹脂表面に１０μm以下好ましくは５μm以下
の導電性薄膜を設けた後、これを不活性雰囲気中で３０
０〜５００℃で熱処理し、次いで該導電性被膜の表面を
次亜塩素酸イオン、亜塩素酸イオン、過塩素酸イオンの
内の少なくとも１種のイオンを含む溶液で洗浄し、次い
で、該導電性薄膜の表面にさらに電気めっきを施すこと
により導電性被膜を形成することを特徴とするものであ
る。
【０００７】
【作用】一般に、導電性薄膜の上に電解めっき被膜を設
ける場合、導電性薄膜の表面の汚れや酸化膜を除去する
ためにアルカリ脱脂や電解脱脂や酸洗等といった活性化
処理をおこなっている。この目的は導電性薄膜と電解め
っき被膜との剥離を防止するためである。ポリイミド樹
脂表面に導電性薄膜を設けた後、その上に電解めっき被
膜を設ける場合、熱処理をおこなわず前記活性化処理を
おこない電解めっきを行った物では導電性薄膜と電解め
っき被膜との密着強度は大きく、剥離は導電性薄膜とポ
リイミド樹脂との境界面より起きる。熱処理をおこなっ
た後同様に前記前処理をおこない、次いで電解めっきを
おこなうとなぜ導電性薄膜と電解めっき被膜との境界面
より剥離が起き、活性化処理に次亜塩素酸イオン、亜塩
素酸イオン、過塩素酸イオンの内の少なくとも１種を含
む溶液を用いると導電性薄膜と電解めっき被膜との密着
強度が大きくなるのかは明確ではない。本発明者らは熱
処理中にポリイミド樹脂より未重合物質や可塑剤等の物
質が揮発し、熱分解して生成した無機炭素のような物が
導電性薄膜表面に付着して該薄膜表面の活性化を妨害し
ており、次亜塩素酸イオン、亜塩素酸イオン、過塩素酸
イオンのような強い酸化性をもつ物によって初めて活性
化が可能となるものと推定している。
ける場合、導電性薄膜の表面の汚れや酸化膜を除去する
ためにアルカリ脱脂や電解脱脂や酸洗等といった活性化
処理をおこなっている。この目的は導電性薄膜と電解め
っき被膜との剥離を防止するためである。ポリイミド樹
脂表面に導電性薄膜を設けた後、その上に電解めっき被
膜を設ける場合、熱処理をおこなわず前記活性化処理を
おこない電解めっきを行った物では導電性薄膜と電解め
っき被膜との密着強度は大きく、剥離は導電性薄膜とポ
リイミド樹脂との境界面より起きる。熱処理をおこなっ
た後同様に前記前処理をおこない、次いで電解めっきを
おこなうとなぜ導電性薄膜と電解めっき被膜との境界面
より剥離が起き、活性化処理に次亜塩素酸イオン、亜塩
素酸イオン、過塩素酸イオンの内の少なくとも１種を含
む溶液を用いると導電性薄膜と電解めっき被膜との密着
強度が大きくなるのかは明確ではない。本発明者らは熱
処理中にポリイミド樹脂より未重合物質や可塑剤等の物
質が揮発し、熱分解して生成した無機炭素のような物が
導電性薄膜表面に付着して該薄膜表面の活性化を妨害し
ており、次亜塩素酸イオン、亜塩素酸イオン、過塩素酸
イオンのような強い酸化性をもつ物によって初めて活性
化が可能となるものと推定している。
【０００８】本発明において、次亜塩素酸イオン、亜塩
素酸イオン、過塩素酸イオンを含む溶液は、それぞれを
次亜塩素酸塩、亜塩素酸塩、過塩素酸塩を水に溶解した
ものであり、各塩の種類については特にこだわるもので
はない。例えば、次亜塩素酸塩の場合には、価格、取扱
い易さよりナトリウム塩やカリウム塩が適当である。
素酸イオン、過塩素酸イオンを含む溶液は、それぞれを
次亜塩素酸塩、亜塩素酸塩、過塩素酸塩を水に溶解した
ものであり、各塩の種類については特にこだわるもので
はない。例えば、次亜塩素酸塩の場合には、価格、取扱
い易さよりナトリウム塩やカリウム塩が適当である。
【０００９】各イオンの濃度等の前処理条件は無電解め
っき被膜の熱処理条件に影響されるため限定出来ない
が、通常０．０１〜５モル／ｌで有り、各イオンの分解
を防止するためにｐＨを７以上とすることが好ましい。
又、処理時間は５秒〜３０分間が好ましく、処理時の液
温は作業環境を悪化防止の観点より１０〜６０℃が好ま
しい。
っき被膜の熱処理条件に影響されるため限定出来ない
が、通常０．０１〜５モル／ｌで有り、各イオンの分解
を防止するためにｐＨを７以上とすることが好ましい。
又、処理時間は５秒〜３０分間が好ましく、処理時の液
温は作業環境を悪化防止の観点より１０〜６０℃が好ま
しい。
【００１０】本発明でいう導電性薄膜や電解めっき被膜
は銅、金、銀、ニッケル、コバルト、パラジウムなどの
金属およびこれらの合金、そして導電性酸化物や半導体
等を用いて得た物をいう。以下実施例を用いて本発明を
さらに説明する。
は銅、金、銀、ニッケル、コバルト、パラジウムなどの
金属およびこれらの合金、そして導電性酸化物や半導体
等を用いて得た物をいう。以下実施例を用いて本発明を
さらに説明する。
【００１１】
（実施例１）３０×３０ｃｍの大きさの鐘淵化学（株）
社製アピカルＮＰＩ−５０のポリイミド樹脂フィルムの
試験試料を２５℃の２５％抱水ヒドラジン溶液中に３０
秒間浸漬し、表面を親水性にした後、片面をマスクし、
通常の活性化処理を施し、以下に示す条件で無電解めっ
き処理をおこなった。
社製アピカルＮＰＩ−５０のポリイミド樹脂フィルムの
試験試料を２５℃の２５％抱水ヒドラジン溶液中に３０
秒間浸漬し、表面を親水性にした後、片面をマスクし、
通常の活性化処理を施し、以下に示す条件で無電解めっ
き処理をおこなった。
【００１２】（浴組成） ＣｕＳＯ4・５Ｈ2Ｏ １０ ｇ／ｌ ＥＤＴＡ・２Ｎａ ３０ ｇ／ｌ ３７％ＨＣＨＯ ５ ｇ／ｌ ジピリジル ２０ ｍｇ／ｌ ＰＥＧ＃１０００ ０．５ ｇ／ｌ
【００１３】（めっき条件） 温 度 ６５ ℃ 攪 拌 空気攪拌 時 間 ２０ 分
【００１４】得られた無電解めっき被膜の厚さは０．４
μmであった。これを雰囲気調整炉中に入れ、アルゴン
雰囲気中で１０℃／分の昇温速度で３５０℃まで昇温
し、３５０℃で１０時間加熱した後、炉内に入れたまま
室温まで自然冷却した。その後、銅表面を２５℃の３．
５モル／ｌ次亜塩素酸ナトリウム溶液中に３分間浸漬
し、次いで以下に示す条件で電解銅めっきをおこなっ
た。
μmであった。これを雰囲気調整炉中に入れ、アルゴン
雰囲気中で１０℃／分の昇温速度で３５０℃まで昇温
し、３５０℃で１０時間加熱した後、炉内に入れたまま
室温まで自然冷却した。その後、銅表面を２５℃の３．
５モル／ｌ次亜塩素酸ナトリウム溶液中に３分間浸漬
し、次いで以下に示す条件で電解銅めっきをおこなっ
た。
【００１５】（浴組成） ＣｕＳＯ4・５Ｈ2Ｏ １２０ ｇ／ｌ Ｈ2ＳＯ4 １５０ ｇ／ｌ
【００１６】（電解条件） 温 度 ２５ ℃ 攪 拌 空気吹込みによる攪拌 時 間 ９０ 分間 電流密度 ２ Ａ／ｄｍ2 得られた銅の被膜の厚さは３５μmであった。
【００１７】次いで、銅表面にレジストを塗布し、所定
のマスクを密着し、露光し、現像し、エッチングして幅
１０ｍｍ、長さ１００ｍｍの帯状の銅層を形成し、該銅
層の一端を基板に対して直角方向に引上げ、引き剥がす
ことにより密着性を調べた。その結果、密着強度は１ｋ
ｇ／ｃｍ 以上あり、且つ剥離は銅層とポリイミド層と
の間で起こり、無電解めっき被膜と電解銅めっき被膜と
の密着性は良好であることがわかった。よって、本実施
例のポリイミド基板を用いることにより信頼性の高いＰ
ＷＢやＦＰＣやＴＡＢを作成することは可能であること
がわかる。
のマスクを密着し、露光し、現像し、エッチングして幅
１０ｍｍ、長さ１００ｍｍの帯状の銅層を形成し、該銅
層の一端を基板に対して直角方向に引上げ、引き剥がす
ことにより密着性を調べた。その結果、密着強度は１ｋ
ｇ／ｃｍ 以上あり、且つ剥離は銅層とポリイミド層と
の間で起こり、無電解めっき被膜と電解銅めっき被膜と
の密着性は良好であることがわかった。よって、本実施
例のポリイミド基板を用いることにより信頼性の高いＰ
ＷＢやＦＰＣやＴＡＢを作成することは可能であること
がわかる。
【００１８】（比較例１）熱処理後の活性化処理を次亜
塩素酸ナトリウム溶液を用いず、電解脱脂でおこなった
以外は実施例１と同様にして基板を得、同様にして銅層
の密着性を調べた。その結果、密着強度は１Ｋｇ／ｃｍ
前後でばらつき、かつ全調査数の２３％が無電解めっ
き被膜と電解銅めっき被膜との間で剥離を起こしてい
た。このことは、本方法で得た基板では信頼性の高いＰ
ＷＢやＦＰＣやＴＡＢを作成することはできないことを
示している。
塩素酸ナトリウム溶液を用いず、電解脱脂でおこなった
以外は実施例１と同様にして基板を得、同様にして銅層
の密着性を調べた。その結果、密着強度は１Ｋｇ／ｃｍ
前後でばらつき、かつ全調査数の２３％が無電解めっ
き被膜と電解銅めっき被膜との間で剥離を起こしてい
た。このことは、本方法で得た基板では信頼性の高いＰ
ＷＢやＦＰＣやＴＡＢを作成することはできないことを
示している。
【００１９】（実施例２）３０×３０ｃｍの大きさの東
レ・デュポン社製カプトン２００Ｈ型のポリイミド樹脂
フィルム上にスパッタ法により０．６μmの厚さの銅被
膜を設けた試験資料を雰囲気調整炉中に入れ、アルゴン
雰囲気中で１０℃／分の昇温速度で４２０℃まで昇温
し、１時間保持した後、炉内に入れたまま室温まで自然
冷却した。その後、銅表面を２５℃の３．１モル／ｌ過
塩素酸アンモニウム溶液中に１０秒間浸漬し、次いで実
施例１と同じようにして電解銅めっきをおこない厚さは
３５μmの銅被膜をえた。
レ・デュポン社製カプトン２００Ｈ型のポリイミド樹脂
フィルム上にスパッタ法により０．６μmの厚さの銅被
膜を設けた試験資料を雰囲気調整炉中に入れ、アルゴン
雰囲気中で１０℃／分の昇温速度で４２０℃まで昇温
し、１時間保持した後、炉内に入れたまま室温まで自然
冷却した。その後、銅表面を２５℃の３．１モル／ｌ過
塩素酸アンモニウム溶液中に１０秒間浸漬し、次いで実
施例１と同じようにして電解銅めっきをおこない厚さは
３５μmの銅被膜をえた。
【００２０】次いで、実施例１と同様にして銅層とポリ
イミド層との密着強度を調べた。その結果、密着強度は
１ｋｇ／ｃｍ 以上あり、且つ剥離は銅層とポリイミド
層との間で起こり、電解銅めっき被膜とスパッタ法によ
り析出した銅被膜との密着性は良好であることがわかっ
た。よって、本実施例のポリイミド基板を用いることに
より信頼性の高いＰＷＢやＦＰＣやＴＡＢを作成するこ
とは可能である。
イミド層との密着強度を調べた。その結果、密着強度は
１ｋｇ／ｃｍ 以上あり、且つ剥離は銅層とポリイミド
層との間で起こり、電解銅めっき被膜とスパッタ法によ
り析出した銅被膜との密着性は良好であることがわかっ
た。よって、本実施例のポリイミド基板を用いることに
より信頼性の高いＰＷＢやＦＰＣやＴＡＢを作成するこ
とは可能である。
【００２１】（比較例２）熱処理後の活性化処理を過塩
素酸アンモニウム溶液を用いず、アルカリ脱脂でおこな
った以外は実施例２と同様にして基板を得、同様にして
銅層の密着性を調べた。その結果、密着強度は１ｋｇ／
ｃｍ 前後でばらつき、かつ全調査数の１８％がスパッ
タ法で形成した銅被膜と電解銅めっき被膜との間で剥離
を起こしていた。このことは、本方法で得た基板では信
頼性の高いＰＷＢやＦＰＣやＴＡＢを作成することはで
きないことを示している。
素酸アンモニウム溶液を用いず、アルカリ脱脂でおこな
った以外は実施例２と同様にして基板を得、同様にして
銅層の密着性を調べた。その結果、密着強度は１ｋｇ／
ｃｍ 前後でばらつき、かつ全調査数の１８％がスパッ
タ法で形成した銅被膜と電解銅めっき被膜との間で剥離
を起こしていた。このことは、本方法で得た基板では信
頼性の高いＰＷＢやＦＰＣやＴＡＢを作成することはで
きないことを示している。
【００２２】（実施例３）３０×３０ｃｍの大きさの宇
部興産（株）社製ユーピレックス−５０ＳＳ型のポリイ
ミド樹脂フィルムの試験試料を２５℃の２５％抱水ヒド
ラジン溶液中に３０秒間浸漬し、表面を親水性にした
後、片面をマスクし、通常の活性化処理を施し、以下に
示す条件で無電解ニッケル・ほう素めっき処理をおこな
った。
部興産（株）社製ユーピレックス−５０ＳＳ型のポリイ
ミド樹脂フィルムの試験試料を２５℃の２５％抱水ヒド
ラジン溶液中に３０秒間浸漬し、表面を親水性にした
後、片面をマスクし、通常の活性化処理を施し、以下に
示す条件で無電解ニッケル・ほう素めっき処理をおこな
った。
【００２３】（浴組成） ＮｉＳＯ4・６Ｈ2Ｏ ３０ ｇ／ｌ ＤＭＡＢ ５ ｇ／ｌ グリシン １８ ｇ／ｌ りんご酸 ２７ ｇ／ｌ アンモニア水（２８％） ３０ ｇ／ｌ
【００２４】（めっき条件） 温 度 ７０ ℃ 攪 拌 空気攪拌 時 間 ２ 分
【００２５】得られた無電解めっき被膜の厚さは０．２
μmであった。これを雰囲気調整炉中に入れ、アルゴン
雰囲気中で１００℃／分の昇温速度で４８０℃まで昇温
し、５分間保持した後、２０℃／分の割合で室温まで冷
却した。その後、銅表面を２５℃の０．１モル／ｌ次亜
塩素酸カルシウム溶液中に１０分間浸漬し、次いで実施
例１と同じようにして電解銅めっきをおこない厚さは３
５μmの導電性被膜をえた。
μmであった。これを雰囲気調整炉中に入れ、アルゴン
雰囲気中で１００℃／分の昇温速度で４８０℃まで昇温
し、５分間保持した後、２０℃／分の割合で室温まで冷
却した。その後、銅表面を２５℃の０．１モル／ｌ次亜
塩素酸カルシウム溶液中に１０分間浸漬し、次いで実施
例１と同じようにして電解銅めっきをおこない厚さは３
５μmの導電性被膜をえた。
【００２６】次いで、実施例１と同様にして導電性被膜
とポリイミド層との密着強度を調べた。その結果、密着
強度は１ｋｇ／ｃｍ2 以上あり、且つ剥離は導電性被膜
とポリイミド層との間で起こり、電解銅めっき被膜と無
電解ニッケル・ほう素被膜との密着性は良好であること
がわかった。よって、本実施例のポリイミド基板を用い
ることにより信頼性の高いＰＷＢやＦＰＣやＴＡＢを作
成することは可能である。
とポリイミド層との密着強度を調べた。その結果、密着
強度は１ｋｇ／ｃｍ2 以上あり、且つ剥離は導電性被膜
とポリイミド層との間で起こり、電解銅めっき被膜と無
電解ニッケル・ほう素被膜との密着性は良好であること
がわかった。よって、本実施例のポリイミド基板を用い
ることにより信頼性の高いＰＷＢやＦＰＣやＴＡＢを作
成することは可能である。
【００２７】
【発明の効果】本発明の方法によれば導電層とポリイミ
ド層との密着性の良い基板を製造できる。そして、この
ようにして得たポリイミド基板を用いることにより信頼
性の高いＰＷＢやＦＰＣやＴＡＢを作成することができ
る。
ド層との密着性の良い基板を製造できる。そして、この
ようにして得たポリイミド基板を用いることにより信頼
性の高いＰＷＢやＦＰＣやＴＡＢを作成することができ
る。
Claims (5)
- 【請求項１】 ポリイミド樹脂の片面、あるいは両面
に導電性被膜を設けたポリイミド基板の製造方法におい
て、ポリイミド樹脂表面に１０μm以下の導電性薄膜を
設けた後、これを不活性雰囲気中で３００〜５００℃で
熱処理し、次いで該導電性被膜の表面を次亜塩素酸イオ
ン、亜塩素酸イオン、過塩素酸イオンの内の少なくとも
１種のイオンを含む溶液で洗浄し、次いで、該導電性薄
膜の表面にさらに電気めっきを施すことにより導電性被
膜を形成することを特徴とするポリイミド基板の製造方
法。 - 【請求項２】 ポリイミド樹脂の片面、あるいは両面
にスパッタリング法、蒸着法、イオンプレーティング
法、無電解めっき法、キャステイング法、熱圧着法、電
解めっき法の内の少なくとも一つの方法により導電性薄
膜を設けた後熱処理をおこなうことを特徴とする請求項
１記載のポリイミド基板の製造方法。 - 【請求項３】 次亜塩素酸イオン、亜塩素酸イオン、
過塩素酸イオンの内の少なくとも１種を含む溶液が、温
度 １０〜６０℃、濃度 ０．０１〜５モル／ｌ、ｐＨ
７以上の溶液であり、洗浄時間が５秒〜３０分間である
ことを特徴とする請求項１ないし２項記載のポリイミド
基板の製造方法。 - 【請求項４】 導電性薄膜および導電性被膜が銅、
金、銀、ニッケル、コバルト、パラジウム、導電性酸化
物、半導体の内の少なくとも１種からなることを特徴と
する請求項１ないし３項記載のポリイミド基板の製造方
法。 - 【請求項５】 前記導電性被膜が５μm以下であるこ
とを特徴とする請求項１ないし４項記載のポリイミド基
板の製造方法。
Priority Applications (1)
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| JP1255891A JP2982323B2 (ja) | 1991-01-11 | 1991-01-11 | ポリイミド基板の製造方法 |
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Family Applications (1)
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-
1991
- 1991-01-11 JP JP1255891A patent/JP2982323B2/ja not_active Expired - Lifetime
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| Publication number | Publication date |
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| JP2982323B2 (ja) | 1999-11-22 |
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