JPWO2007105395A1 - 積層型電子部品の製造方法 - Google Patents

Abstract

実効体積率に優れかつ信頼性の高い積層型電子部品を製造するため、積層体の所定の面上であって、複数の内部電極の各端部が露出した箇所に、直接、無電解めっきを施すことによって、薄くて緻密性の高い外部電極を形成する方法が提供される。外部電極（８，９）を形成するための無電解めっき工程を実施するにあたって、還元剤および還元剤の酸化還元電位よりも電気化学的に貴な析出電位を有する金属イオンを含有するめっき液を用意し、積層型電子部品のための積層体（５）を、還元剤の酸化反応に対し触媒活性を示す導電性メディアとともに、容器内に収容して、めっき液中で、回転、揺動、傾斜または振動させて、積層体（５）と導電性メディアとを撹拌する。複数の内部電極（３ａ，３ｂ）の端部に析出しためっき析出物（１２ａ，１２ｂ）が相互に接続されるように無電解めっきが進行する。

Description

本発明は、積層型電子部品の製造方法に関するものであり、特に、外部電極が積層体の外表面上に、直接、無電解めっきを施すことにより形成される、積層型電子部品の製造方法に関するものである。

図１１に示すように、積層セラミックコンデンサに代表される積層型電子部品１０１は、一般に、積層された複数の絶縁体層１０２と、絶縁体層１０２間の界面に沿って形成された複数の層状の内部電極１０３および１０４とを含む、積層体１０５を備えている。積層体１０５の一方および他方端面１０６および１０７には、それぞれ、複数の内部電極１０３および複数の内部電極１０４の各端部が露出していて、これら内部電極１０３の各端部および内部電極１０４の各端部を、それぞれ、互いに電気的に接続するように、外部電極１０８および１０９が形成されている。

外部電極１０８および１０９の形成にあたっては、一般に、金属成分とガラス成分とを含む金属ペーストを積層体１０５の端面１０６および１０７上に塗布し、次いで焼き付けることにより、ペースト電極層１１０がまず形成される。次に、ペースト電極層１１０上に、たとえばＮｉを主成分とする第１のめっき層１１１が形成され、さらにその上に、たとえばＳｎを主成分とする第２のめっき層１１２が形成される。すなわち、外部電極１０８および１０９の各々は、ペースト電極層１１０、第１のめっき層１１１および第２のめっき層１１２の３層構造より構成される。

外部電極１０８および１０９に対しては、積層型電子部品１０１が半田を用いて基板に実装される際に、半田との濡れ性が良好であることが求められる。同時に、外部電極１０８に対しては、互いに電気的に絶縁された状態にある複数の内部電極１０３を互いに電気的に接続し、かつ、外部電極１０９に対しては、互いに電気的に絶縁された状態にある複数の内部電極１０４を互いに電気的に接続する役割が求められる。半田濡れ性の確保の役割は、上述した第２のめっき層１１２が果たしており、内部電極１０３および１０４相互の電気的接続の役割は、ペースト電極層１１０が果たしている。第１のめっき層１１１は、はんだ接合時のはんだ食われを防止する役割を果たしている。

しかし、ペースト電極層１１０は、その厚みが数十μｍ〜数百μｍと大きい。したがって、この積層型電子部品１０１の寸法を一定の規格値に収めるためには、このペースト電極層１１０の体積を確保する必要が生じる分、不所望にも、静電容量確保のための実効体積を減少させる必要が生じる。一方、めっき層１１１および１１２はその厚みが数μｍ程度であるため、仮に第１のめっき層１１１および第２のめっき層１１２のみで外部電極１０８および１０９を構成できれば、静電容量確保のための実効体積をより多く確保することができる。

たとえば、特開２００４−１４６４０１号公報（特許文献１）には、導電性ペーストを積層体の端面の少なくとも内部電極の積層方向に沿った稜部に、内部電極の引出し部と接触するよう塗布し、この導電性ペーストを焼き付けまたは熱硬化させて導電膜を形成し、さらに、積層体の端面に電解めっきを施し、上記稜部の導電膜と接続されるように電解めっき膜を形成する方法が開示されている。これによると、外部電極の端面における厚みを薄くすることができる。

また、特開昭６３−１６９０１４号公報（特許文献２）には、積層体の、内部電極が露出した側壁面の全面に対し、側壁面に露出した内部電極が短絡されるように、無電解めっきによって導電性金属膜を析出させる方法が開示されている。

しかしながら、前述の特許文献１に記載されている外部電極の形成方法では、露出した内部電極と電解めっき膜とを直接接続することはできるものの、電解めっきを行なう前に、露出した内部電極の引出し部を予め電気的に導通させておくために、導電性ペーストによる導電部を形成する必要がある。この導電性ペーストを特定の箇所に塗布する工程は煩雑である。

他方、特許文献２に記載のような無電解めっき法では、形成されためっき膜の緻密性および均質性が低く、積層体の内部にめっき液などが侵入しやすく、信頼性に乏しいという問題があった。これらの問題を改善するには、めっき膜を形成する前にＰｄなどの触媒活性の高い物質をめっきすべき面に付与しておく方法があり、特許文献２に記載の実施形態では、この方法を用いていた可能性もある。しかし、この触媒付与には、そのための工程が複雑であり、また、めっき膜が所望の場所以外の場所に析出しやすいという問題がある。

また、特許文献２に記載の方法では、積層体の内部にある内部電極の材料としてＰｄやＰｔを用いているが、これらＰｄやＰｔは無電解めっきにおいて還元剤の反応に対して高い触媒活性を示す金属として用いられている。そのため、内部電極に用いる金属材料に関して選択の自由度が低いという問題がある。また、ＰｄやＰｔは高価な貴金属であるため、積層型電子部品のコストの上昇を招くという問題もある。

さらに、特許文献２に記載の方法では、内部電極の厚さが１μｍ以上でなければならず、そのため、積層体の大型化を招くとともに、積層型電子部品のコスト高を招くという問題もある。
特開２００４−１４６４０１号公報 特開昭６３−１６９０１４号公報

本発明は、上記のような問題点に鑑みなされたものであって、その目的とするところは、積層型電子部品の外部電極を実質的にめっき析出物のみで形成することにより、実効体積率に優れた積層型電子部品を製造する方法を提供しようとすることである。

本発明の他の目的は、外部電極を形成するにあたって、事前の煩雑な工程、たとえば導電性ペーストの塗布工程や触媒の付与工程などを実施しなくても、緻密なめっき膜からなる外部電極を簡便に形成することができ、かつ高い信頼性をも確保し得る積層型電子部品を製造する方法を提供しようとすることである。

本発明は、積層された複数の絶縁体層と、絶縁体層間の界面に沿って形成された複数の内部電極とを含み、内部電極の各端部が所定の面に露出していて、隣り合う内部電極は上記所定の面において互いに電気的に絶縁されている、積層体を用意する工程と、積層体の所定の面に露出した複数の内部電極の各端部を互いに電気的に接続するように、積層体の所定の面上に外部電極を形成する工程とを含む、積層型電子部品の製造方法に向けられるものであって、上述した技術的課題を解決するため、次のような構成を備えることを特徴としている。

すなわち、外部電極を形成する工程は、積層体を用意する工程において用意された積層体の上記所定の面に露出した複数の内部電極の端部に対し、直接、還元剤およびこの還元剤の酸化還元電位よりも電気化学的に貴な析出電位を有する金属イオンを含有するめっき液を用いて無電解めっきを行なう、無電解めっき工程を備える。

上記無電解めっき工程は、上述の還元剤の酸化反応に対し触媒活性を示す導電性メディアを用意する工程と、上記めっき液中で導電性メディアと積層体とを撹拌する工程と、複数の内部電極の端部に析出しためっき析出物が相互に接続されるようにめっき析出物をめっき成長させる工程とを含む。

上述しためっき液中で導電性メディアと積層体とを撹拌する工程は、容器内に収容した導電性メディアと積層体とを、めっき液中で、回転、揺動、傾斜または振動させることによって実施されることが好ましい。

本発明において、導電性メディアの直径は、平均値で０．２ｍｍ以上であることが好ましい。

還元剤がリン酸系化合物であるとき、めっき液中の金属イオンがＮｉイオン、ＣｏイオンおよびＡｕイオンから選ばれる少なくとも１種であり、導電性メディアの少なくとも表面がＡｕ、Ｎｉ、ＣｏおよびＰｔから選ばれる少なくとも１種またはその合金からなることが好ましい。この場合、より好ましくは、リン酸系化合物が次亜リン酸または次亜リン酸塩であり、めっき液中の金属イオンがＮｉイオンである。

還元剤がホウ酸系化合物であるとき、めっき液中の金属イオンがＮｉイオン、Ｃｏイオン、ＰｔイオンおよびＡｕイオンから選ばれる少なくとも１種であり、導電性メディアの少なくとも表面がＡｕ、Ｎｉ、ＣｏおよびＰｔから選ばれる少なくとも１種またはその合金からなることが好ましい。

還元剤が窒素系化合物であるとき、めっき液中の金属イオンがＮｉイオン、Ｃｏイオン、ＰｔイオンおよびＡｕイオンから選ばれる少なくとも１種であり、導電性メディアの少なくとも表面がＣｏ、ＮｉおよびＰｔから選ばれる少なくとも１種またはその合金からなることが好ましい。

還元剤がアルデヒド系化合物であるとき、めっき液中の金属イオンがＡｇイオン、ＣｕイオンおよびＡｕイオンから選ばれる少なくとも１種であり、導電性メディアの少なくとも表面がＡｇ、ＣｕおよびＡｕから選ばれる少なくとも１種またはその合金からなることが好ましい。

積層体を用意する工程において用意される積層体は、内部電極が露出する所定の面において、絶縁体層の厚み方向に測定した、隣り合う内部電極間の間隔が２０μｍ以下であり、かつ所定の面に対する内部電極の引っ込み長さが１μｍ以下であることが好ましい。

あるいは、積層体を用意する工程において用意される積層体は、内部電極が露出する所定の面において、絶縁体層の厚み方向に測定した、隣り合う内部電極間の間隔が５０μｍ以下であり、かつ所定の面に対する内部電極の突出長さが０．１μｍ以上であることが好ましい。

前述したような内部電極の引っ込み長さまたは突出長さの制御は、外部電極を形成する工程の前に、積層体に対し、研磨剤を用いて研磨する工程を実施することによってなされることが好ましい。

本発明において、内部電極の主成分は、Ｎｉ、ＣｕおよびＡｇから選ばれる少なくとも１種であることが好ましい。

本発明によれば、積層型電子部品の外部電極を実質的にめっき析出物のみで形成することができるため、実効体積率に優れた積層型電子部品を得ることができる。

また、本発明によれば、事前の煩雑な工程、たとえば導電性ペーストの塗布工程や触媒の付与工程などを実施しなくても、外部電極の少なくとも内部電極と直接接続される部分を、緻密で均質性の高い無電解めっき析出物によって簡便に形成することができる。その結果、本発明によれば、高い信頼性を確保した積層型電子部品を得ることができる。

さらに、本発明によれば、内部電極の主成分にＰｄ、Ｐｔなどの触媒活性の高い金属を用いなくても、緻密性の高い無電解めっき膜が得られるため、内部電極に安価なＮｉ、Ｃｕ、Ａｇなどの金属材料を用いることができ、低コストな積層型電子部品を得ることができる。

さらに、本発明によれば、内部電極の厚さが１μｍ未満でも緻密な無電解めっき膜を形成することができるため、小型で低コストな積層型電子部品を得ることができる。

本発明において、導電性メディアの直径の平均値が０．２ｍｍ以上であると、めっき膜形成の効率がより良好となる。

本発明の第１の実施形態による製造方法を実施して得られた積層型電子部品１を示す断面図である。 図１に示した積層体５の、内部電極３ａおよび３ｂが露出する部分を拡大して示す断面図である。 図２に示した内部電極３ａおよび３ｂの露出部分にめっき析出物１２ａおよび１２ｂが析出した状態を示す断面図である。 図３において析出しためっき析出物１２ａおよび１２ｂが成長していく状態を示す断面図である。 図４において成長しためっき析出物１２ａおよび１２ｂが一体化して第１のめっき層１０を形成しつつある状態を示す断面図である。 本発明の第２の実施形態による製造方法を説明するためのもので、図２に相当する断面図である。 本発明の第３の実施形態による製造方法を説明するためのもので、図６に相当する断面図である。 本発明に係る製造方法を実施して得られる積層型電子部品の他の例を示す斜視図である。 図８に示した積層型電子部品２１が基板２６上に実装された状態を示す断面図である。 図１に示した積層型電子部品１が基板１４上に実装された状態を示す断面図である。 従来の積層型電子部品１０１を示す断面図である。

符号の説明

１，２１ 積層型電子部品
２ 絶縁体層
３，３ａ，３ｂ，４ 内部電極
５，２２ 積層体
６，７ 端面
８，９，２４，２５ 外部電極
１０ 第１のめっき層
１１ 第２のめっき層
１２ａ，１２ｂ めっき析出物
２３ 面

図１ないし図５を参照して、本発明の第１の実施形態による積層型電子部品の製造方法について説明する。

まず、図１に示すように、積層型電子部品１は、積層された複数の絶縁体層２と、絶縁体層２間の界面に沿って形成された複数の層状の内部電極３および４とを含む積層体５を備えている。積層型電子部品１が積層セラミックコンデンサを構成するとき、絶縁体層２は、誘電体セラミックから構成される。積層体５の一方および他方端面６および７には、それぞれ、複数の内部電極３および複数の内部電極４の各端部が露出していて、これら内部電極３の各端部および内部電極４の各端部を、それぞれ、互いに電気的に接続するように、外部電極８および９が形成されている。

外部電極８および９の各々は、実質的にめっき析出物から構成され、まず、内部電極３および４の露出する端面６および７上に形成される第１のめっき層１０と、その上に形成される第２のめっき層１１とを備えている。

最外層を構成する第２のめっき層１１は、半田に対し濡れ性が良好なことが求められるため、ＳｎやＡｕなどを主成分とすることが望ましい。また、第１のめっき層１０は、互いに電気的に絶縁された状態にある各々複数の内部電極３および４を互いに電気的に接続するとともに、はんだ接合時のはんだ食われを防止する役割を果たすことが求められるため、Ｎｉ等を主成分とするものが好ましい。

内部電極３または４と直接接続される第１のめっき層１０は、還元剤を用いて金属イオンを析出させる無電解めっきにより形成されたものであり、通電処理による電解めっきで形成されたものではない。

また、第１のめっき層１０を無電解めっきにより形成しようとするとき、無電解めっき工程の前に、還元剤の還元作用を促進させる触媒物質、たとえばＰｄ等を、めっき膜を形成すべき面に事前に付与するのが一般的であるが、本発明では、このような触媒物質付与のための工程は設けない。したがって、本発明では、内部電極３および４の露出する端面６および７の各々と第１のめっき層１０との間に、触媒物質からなる均一な層は存在しない。当然ながら、内部電極３および４の露出する端面６および７上に直接形成される膜には、導電性ペースト膜、真空蒸着膜、スパッタ膜なども含まれない。

次に、図１に示した積層型電子部品１の製造方法について、外部電極８および９、特に第１のめっき層１０の形成方法を中心に、図２ないし図５を参照しながら説明する。

図２は、図１に示した積層体５の、内部電極３が露出する一方の端面６付近を拡大して示す図である。図２には、外部電極８を形成する前の状態が示されている。多数存在する内部電極３のうち、図示した領域に位置する２つの内部電極を抽出して、それぞれに参照符号「３ａ」および「３ｂ」を付している。図２は、内部電極３が露出する端面６の近傍を任意に抽出して示したものであり、内部電極３の特定のものを示すものではない。そして、内部電極３ａおよび３ｂに代表される複数の内部電極３は、この時点では互いに電気的に絶縁された状態にある。

なお、他方の端面７およびそこに露出する内部電極４については、上述した端面６および内部電極３の場合と実質的に同様であるので、図示および説明を省略する。

第１のめっき層１０を形成するにあたり、まず、図２の状態における積層体５を、還元剤、およびこの還元剤の酸化還元電位よりも電気化学的に貴な析出電位を有する金属イオンを含むめっき液で満たされた容器中に投入する。また、この容器中に、還元剤の酸化反応に対し触媒活性を示す導電性メディアを投入する。なお、この導電性メディアは、少なくとも表面が触媒活性を示す物質で構成されていればよく、メディアの内部の材質については特に限定されない。

次いで、上記容器を回転、揺動、傾斜または振動させて、積層体５と導電性メディアとをめっき液中で撹拌すると、導電性メディアが、積層体５における内部電極３ａおよび３ｂが露出した端面６に接触するが、その際に、導電性メディアの触媒作用により還元剤が酸化され、その酸化作用による電子が内部電極３ａおよび３ｂに供給されると推定される。

そして、液体中の金属イオンが、その供給された電子を受け取り、内部電極３ａおよび３ｂの露出面に金属として析出する。図３には、上記露出面に析出しためっき析出物１２ａおよび１２ｂの様子が示されている。この状態における内部電極３ａおよび３ｂは、まだ互いに電気的に絶縁された状態のままである。

さらに無電解めっき工程を続けると、それまでに析出しためっき析出物１２ａおよび１２ｂが核となり、金属イオンの析出がさらに進み、析出しためっき析出物１２ａおよび１２ｂがさらに成長する。このときの様子を図４に示す。このように析出しためっき析出物１２ａおよび１２ｂは還元剤に対する触媒作用を有するので、めっき析出物１２ａおよび１２ｂが大きくなるほど、金属イオンの析出がより促進される。

そして、さらに無電解めっき工程を続けると、金属イオンの析出が進み、各々成長しためっき析出物１２ａとめっき析出物１２ｂとが互いに接触し、一体化する。この状態が進むと、露出した複数の内部電極３を互いに電気的に接続する第１のめっき層１０となる。このときの様子を図５に示す。

以上のように、図２〜図５の経過図に示した現象は、めっき析出物１２ａおよび１２ｂの成長力の高さに起因するものである。めっき析出物１２ａおよび１２ｂは、その成長とともに、端面６と平行な方向へ広がりやすく、そして、めっき析出物１２ａおよび１２ｂが互いに接触したときに一体化しやすくなる。このめっき析出物１２ａおよび１２ｂの成長力は、めっき浴中の金属イオンの濃度、添加剤、温度などの諸条件を変更することにより調整することが可能である。

そして、注目すべきは、導電性メディアが還元剤に対して触媒活性を有しているので、事前に触媒付与の工程を経なくても、緻密なめっき層を形成することができるということである。さらに、この導電性メディアは、前述の内部電極３ａおよび３ｂの露出端へ析出しためっき析出物１２ａおよび１２ｂの密着状態を強固なものにするため、形成された第１のめっき層１０の緻密性を向上させるように作用する。

なお、導電性メディアの大きさについては、その直径の平均値にして０．２ｍｍ以上であることが望ましい。０．２ｍｍ以上であると、内部電極３ａおよび３ｂの露出端へのめっき析出物１２ａおよび１２ｂの析出効率が高くなる。

次に、具体的な還元剤の種類に対する、金属イオン種および導電性メディアの材質の関係について説明する。還元剤には、代表的には、リン酸系、ホウ素系、窒素系およびアルデヒド系がある。以下に、これら４種類の還元剤の各々について説明する。

リン酸系還元剤としては、たとえば次亜リン酸ナトリウム（ＮａＨ₂ＰＯ₂）があり、この酸化反応に触媒活性な物質としては、Ａｕ、Ｎｉ、ＣｏおよびＰｔが挙げられ、これらから選ばれる少なくとも１種を導電性メディアの少なくとも表面の材質とすればよい。このときの金属イオンはＮｉイオン、ＣｏイオンおよびＡｕイオンのいずれか少なくとも１種にするとよい。

ホウ素系還元剤としては、たとえばテトラホウ素ナトリウム（ＮａＢＨ₄）やジメチルアミンボラン（（ＣＨ₃）₂ＮＨＢＨ₃）等があり、この酸化反応に触媒活性な物質としては、Ａｕ、Ｎｉ、ＣｏおよびＰｔが挙げられ、これらから選ばれる少なくとも１種を導電性メディアの少なくとも表面の材質とすればよい。このときの金属イオンはＮｉイオン、Ｃｏイオン、ＡｕイオンおよびＰｔイオンのいずれか少なくとも１種にするとよい。

窒素系還元剤としては、たとえばヒドラジン（Ｎ₂Ｈ₄）があり、この酸化反応に触媒活性な物質としては、Ｎｉ、ＣｏおよびＰｔが挙げられ、これらから選ばれる少なくとも１種を導電性メディアの少なくとも表面の材質とすればよい。このときの金属イオンはＮｉイオン、ＣｏイオンおよびＰｔイオンのいずれか少なくとも１種にするとよい。

アルデヒド系還元剤としては、たとえばホルムアルデヒド（ＨＣＨＯ）があり、この酸化反応に触媒活性な物質としては、Ａｇ、ＣｕおよびＡｕが挙げられ、これらから選ばれる少なくとも１種を導電性メディアの少なくとも表面の材質とすればよい。このときの金属イオンはＡｇイオン、ＣｕイオンおよびＡｕイオンのいずれか少なくとも１種にするとよい。

以上、４つの具体的な組合せの例を示したが、本発明は上記の４つの組合せに限られるわけではなく、析出させたい金属種に適合する還元剤を選定し、その還元剤に適合する触媒物質を導電性メディアに採用すればよく、その種類は問われるものではない。また、錯化剤や添加剤の種類・濃度、ｐＨ、温度、混合条件などの各種めっき条件は、上記還元剤や金属イオンの種類によって、適宜調整される。

前述した図２〜図５に示すようなめっき析出物１２ａおよび１２ｂの成長について、より好ましい実施形態を説明するため、外部電極８を形成する前の積層体５を示す図２において、絶縁体層２の厚み方向に測定した、隣り合う内部電極３ａおよび３ｂ間の間隔を「ｓ」と規定する。さらに、積層体５の、内部電極３が露出する端面６に対する内部電極３ａおよび３ｂの各々の引っ込み長さを「ｄ」と規定する。なお、上記の引っ込み長さ「ｄ」は、露出した内部電極面の長手方向（図２の紙面に垂直な方向）についてある程度のばらつきを持っているため、ここで言う「ｄ」は長手方向のばらつきを加味した平均値である。

上述しためっき析出物１２ａおよび１２ｂの成長が生じやすいようにするため、外部電極８を形成する前の積層体５にあっては、隣り合う内部電極３ａおよび３ｂ間の間隔「ｓ」が２０μｍ以下であり、かつ、内部電極３ａおよび３ｂの各々の引っ込み長さ「ｄ」が１μｍ以下であることが好ましい。

間隔「ｓ」が２０μｍ以下であると、図３ないし図４における析出しためっき析出物１２ａおよび１２ｂが互いに接触するまでに必要とするめっき成長の長さが短くて済み、互いに接触する確率が高くなるため、第１のめっき層１０が形成されやすく、また、第１のめっき層１０の緻密性が向上する。

また、引っ込み長さ「ｄ」が１μｍ以下であると、導電性メディアが内部電極３ａおよび３ｂの露出部分に衝突しやすくなるため、めっき析出物１２ａおよび１２ｂが成長しやすくなる。その結果、第１のめっき層１０が形成されやすくなり、また、第１のめっき層１０の緻密性が向上する。

積層セラミックコンデンサを構成する積層型電子部品１において、代表的な例として、絶縁体層２がチタン酸バリウム系誘電体材料からなり、かつ内部電極３および４の主成分がＮｉやＣｕ、Ａｇ等の卑金属からなるものがある。このとき、焼成後の積層体５においては、内部電極３および４が、積層体５の端面６および７より内側に比較的大きく引っ込んでいることが多い。このような場合、引っ込み長さ「ｄ」を１μｍ以下にするには、サンドブラスト処理やバレル研磨等の研磨処理を適用して、絶縁体層２を削るようにすればよい。

仮に、焼成後の積層体５にて内部電極３および４の引っ込み長さ「ｄ」が既に１μｍ以下であっても、内部電極３および４の表面の酸化膜を除去し、また、内部電極３および４の表面を荒らすために、上記のような研磨処理を施す方が望ましい。なぜなら、無電解めっき工程において、めっき析出物１２ａおよび１２ｂの内部電極３および４に対する密着度を向上させることができるとともに、導電性メディアによる電子が供給されやすくなるからである。

また、上述した研磨処理は、より緻密性の高いめっき膜が形成されることを確実にするようにも作用する。

内部電極３および４の主成分はＰｄやＰｔのような無電解めっき時において触媒活性の高い金属である必要はない。Ｎｉ、Ｃｕ、Ａｇ等の金属であっても問題はなく、また、使用する還元剤に対する触媒活性がなくても構わない。

また、内部電極３および４の主成分がＮｉ、ＣｕまたはＡｇであるとき、Ｎｉ、ＣｕおよびＡｇは他の金属成分と合金を形成していても構わない。

また、内部電極３および４の厚みは特に厚い必要はなく、１μｍ未満でも十分である。０．２μｍ程度までなら薄くすることが可能であり、コストおよび小型化の点で有利となる。

次に、本実施形態のように、第２のめっき層１１がさらに形成される場合には、第１のめっき層１０の上に、通常知られている方法でめっきを行なえばよい。第２のめっき層１１を形成する段階では、めっきすべき場所が導電性を有する連続的な面と既になっているため、容易に第２のめっき層１１を形成することができる。第２のめっき層１１の形成には、無電解めっきだけでなく、電解めっきを適用することもできる。

外部電極８および９は、図示した実施形態のように、必ずしも２層構造である必要はなく、１層構造でもよく、あるいは３層以上の構造でもよい。たとえば、第１、第２、第３のめっき層を、Ｃｕめっき層、Ｎｉめっき層、Ｓｎめっき層の順に形成する３層構造や、第１、第２、第３、第４のめっき層を、Ｎｉめっき層、Ｃｕめっき層、Ｎｉめっき層、Ｓｎめっき層の順に形成する４層構造などが挙げられる。

図６は、本発明の第２の実施形態による製造方法を説明するための図２に相当する図である。図６において、図２に示した要素に相当する要素には同様の参照符号を付し、重複する説明は省略する。

第２の実施形態では、簡単に言えば、内部電極３ａおよび３ｂを端面６から突出させていることを特徴としている。より具体的には、端面６に対する内部電極３ａおよび３ｂの各々の突出長さ「ｐ」が０．１μｍ以上であることを特徴としている。そして、本実施形態の場合には、積層体５の端面６において、絶縁体層２の厚み方向に測定した、隣り合う内部電極３ａおよび３ｂ間の間隔「ｓ」は、２０μｍ以下と短くする必要はなく、５０μｍ以下であれば十分である。

なお、上記の突出長さ「ｐ」は、露出した内部電極面の長手方向（図６の紙面に垂直な方向）についてある程度のばらつきを持っているため、ここで言う「ｐ」は長手方向のばらつきを加味した平均値である。

上述のように、突出長さ「ｐ」を０．１μｍ以上とすることにより、導電性メディアが内部電極３ａおよび３ｂの露出部分に衝突しやすくなるため、めっき析出物１２ａおよび１２ｂが成長しやすくなる。その結果、第１のめっき層１０が形成されやすくなり、また、第１のめっき層１０の緻密性が向上する。また、内部電極間間隔「ｓ」を広げることができ、積層型電子部品の設計の自由度を高めることができる。

なお、他方の端面７およびそこに露出する内部電極４（図１参照）についても、上述した端面６および内部電極３の場合と実質的に同様であるので、図示および説明を省略する。

内部電極３ａおよび３ｂを端面６から突出させるためには、研磨の強さを強くしたり、また、研磨剤に金属を混ぜて研磨剤の硬度を上げたりするなどの方法を採用すればよい。特に、絶縁体層２がセラミックからなる場合は、セラミックの方が内部電極３ａおよび３ｂより削れやすいため、サンドブラストやバレル研磨の工夫によって、内部電極３ａおよび３ｂを突出させた状態を容易に得ることができる。また、レーザー研磨を用いると、セラミックを選択的かつ効果的に削ることができるので、内部電極３ａおよび３ｂを突出させた状態をより容易に得ることができる。

図７は、本発明の第３の実施形態による製造方法を説明するための図６に相当する図である。図７において、図６に示した要素に相当する要素には同様の参照符号を付し、重複する説明は省略する。

図７に示した実施形態においても、積層体５の端面６において、絶縁体層２の厚み方向に測定した、隣り合う内部電極３ａおよび３ｂ間の間隔「ｓ」が５０μｍ以下であり、かつ端面６に対する内部電極３ａおよび３ｂの各々の突出長さ「ｐ」が０．１μｍ以上であるという条件を満たしている。

図７を参照して説明する実施形態は、図６に示した工程の後に、必要に応じて実施されるものである。すなわち、内部電極３ａおよび３ｂの端部が、端面６から十分に突出している場合、さらに研磨を続けると、図７に示すように、内部電極３ａおよび３ｂの突出した端部が押圧されて、端面６と平行な方向へ広がっていく。その結果、端面６に対する内部電極３ａおよび３ｂの各々の突出長さ「ｐ」が、不所望にも、図６に示した状態の場合に比べて短くなるものの、隣り合う内部電極３ａおよび３ｂ間の間隔「ｓ」は、有利にも、図６に示した状態の場合に比べて短くなる。

上述のような場合、無電解めっき時において、析出しためっき析出物を成長させるべき距離を実質的に短くすることができる。したがって、めっき析出物の均質性が上がり、また、めっき効率も大きく向上する。また、本実施形態によれば、隣り合う内部電極３ａおよび３ｂ間に位置する絶縁体層２の厚みが比較的厚くても、隣り合う内部電極３ａおよび３ｂ間の間隔「ｓ」を短くすることができる。

図８は、本発明に係る製造方法を実施して得られる積層型電子部品の他の例を示す斜視図である。

図８に示される積層型電子部品２１は、積層体２２を備える。積層型電子部品２１は、積層体２２の特定の面２３に、複数の、たとえば２つの外部電極２４および２５が形成されていることを特徴としている。

図示を省略するが、積層体２２は、積層された複数の絶縁体層と、絶縁体層間の界面に沿って形成された複数の内部電極とを含んでいる。内部電極の各端部は、外部電極２４および２５の形成前の積層体２２の上述の面２３に露出していて、外部電極２４および２５は、複数の内部電極の各端部を互いに電気的に接続するように形成されている。この積層型電子部品２１が積層セラミックコンデンサである場合、外部電極２４および２５の間で静電容量を取得できるように構成される。

外部電極２４および２５は、図１の積層型電子部品１の場合と同様、実質上、めっき析出物のみで構成され、特に、外部端子電極２４および２５の少なくとも内部電極と直接接続される部分は、無電解めっき析出物から構成される。

図８に示される積層型電子部品２１を製造するため、仮に外部電極２４および２５をペースト電極層で形成すると、その工程が非常に煩雑となる。なぜなら、積層体２２の外表面の、外部電極２４および２５を形成すべき箇所以外の領域をマスキングする必要があり、たとえばスクリーン印刷など煩雑な工程が必要となるためである。これに対して、本実施形態のように、積層体２２の所定の面２３に露出した複数の内部電極の端部に、直接、めっき析出物を析出させる場合には、特にマスキングをする必要がないため、工程が非常に簡便である。すなわち、積層型電子部品２１は、上述したようなめっき法を用いるからこそ、効率的に製造することができる。

図９には、図８に示した積層型電子部品２１が基板２６上に実装された状態が示されている。

基板２６の表面には、端子２７および２８が形成されている。これら端子２７および２８に、それぞれ、積層型電子部品２１に備える外部電極２４および２５が半田２９および３０を介して接合されている。この実装状態において、半田２９および３０は、外部電極２４および２５と端子２７および２８との間にのみ存在している。

一方、図１０には、図１に示した積層型電子部品１が基板１４上に実装された状態が示されている。

図１に示される積層型電子部品１の場合には、その外部電極８および９が、互いに対向する平行な面上にあり、同一平面上には存在しない。そのため、積層型電子部品１が基板１４上に実装された状態において、外部電極８および９が位置する面と、基板１４上の端子１５および１６が位置する面とが、略垂直に交わるような位置関係にある。このような場合、外部電極８および９と端子１５および１６とを接合するための半田１７および１８には、図１０に示すように、ある程度以上の厚みをもったフィレット形状が付与される。

このようなことから、前述の図９に示した実装状態によれば、図１０に示した実装状態と比較して、外部電極２４および２５が同一平面上にあるため、半田２９および３０がフィレット形状を形成せず、その分、基板２６への実装密度を高くすることができる。

また、積層型電子部品２１が積層セラミックコンデンサである場合、図９のように実装された状態にて半田２９および３０の量が少ないと、等価直列インダクタンス（ＥＳＬ）を低くすることができる。これによって、コンデンサの充放電時における位相のシフト量が小さくなり、特に高周波用途において実用的である。このことから、積層型電子部品２１において採用された構造は、低ＥＳＬ対応積層コンデンサにおいて好適に用いることができる。

以上、本発明を、図示した実施形態に関連して説明したが、本発明の範囲内において、その他種々の変形例が可能である。

たとえば、本発明が適用される積層型電子部品としては、積層チップコンデンサが代表的であるが、その他、積層チップインダクタ、積層チップサーミスタなどにも適用可能である。

したがって、積層型電子部品に備える絶縁体層は、電気的に絶縁する機能を有していればよく、その材質は特に問われるものではない。すなわち、絶縁体層は、誘電体セラミックからなるものに限らず、その他、圧電体セラミック、半導体セラミック、磁性体セラミック、樹脂などからなるものであってもよい。

以下、本発明の範囲を決定するため、または本発明による効果を確認するために実施した実験例について説明する。

まず、以下の表１には、この実験例において採用された４種類の無電解めっき条件「Ａ］〜「Ｄ」が示されている。

［実験例１］
実験例１では、無電解めっきにおいて用いる導電性メディアとして、その材質が異なるものを用意し、図１に示すような積層型電子部品のための積層体における内部電極が露出する端面に、直接、第１のめっき層を無電解めっきにより形成する場合において、用いられた導電性メディアの材質による影響を調査した。

より詳細には、被めっき物として、長さ１．６ｍｍ、幅０．８ｍｍおよび厚み０．８ｍｍの積層セラミックコンデンサ用積層体であって、絶縁体層がチタン酸バリウム系誘電体材料からなり、内部電極の厚みおよび内部電極の主成分が、それぞれ、表２の「内部電極の厚み」および「内部電極の主成分」に示すとおりのものを用意した。また、この積層体において、絶縁体層の厚み、すなわち隣り合う内部電極間の間隔「ｓ」は１０μｍであり、内部電極が露出する積層体の端面に対する内部電極の引っ込み長さ「ｄ」は最も大きい箇所で２．０μｍであった。

次に、上記積層体５０００個、および直径０．４ｍｍの導電性メディア８０ｃｃを、容積３００ｃｃの回転バレル中に投入し、表２の「めっき条件」に示すように、表１に示した条件「Ａ」にて、内部電極の露出する積層体の端面に、第１のめっき層としての厚み８μｍの無電解Ｎｉめっき膜を形成した。このとき、導電性メディアとして、表２の「導電性メディア種」の欄に示すように、その材質がＦｅのものおよびＮｉのもののいずれかを用いた。

次いで、上記第１のめっき層としての無電解Ｎｉめっき膜を形成した積層体の入った回転バレルを、ｐＨを５．０に調整した浴温３３℃のＳｎめっき浴（ディップソール社製Ｓｎ−２３５）に浸漬させ、回転数１２r.p.m.にて回転させながら、給電端子を通じて電流密度０.０７Ａ／ｄｍ^２にて５０分間通電した。このようにして、第１のめっき層の上に第２のめっき層としての厚み３μｍのＳｎめっき膜を形成した。

以上のようにして、積層体に対して、ペースト電極層などを形成せずに、直接、めっき層を形成することができ、このようなめっき層からなる外部電極を備える、試料１〜３に係る積層セラミックコンデンサを得た。

次に、試料１〜３の各々について、１００個の積層セラミックコンデンサに対して、高温負荷試験（１０５℃、１２.６Ｖ）を行ない、１０００時間後および２０００時間後に絶縁抵抗値をそれぞれ測定し、これが１ＭΩ以下となったものを不良として計数した。表２に不良個数が示されている。

表２に示すように、試料１については、不良個数が多く、信頼性が不十分であった。これは、第１のめっき層の緻密性が低かったためか、Ｓｎめっき液が浸入し、積層体の内部における絶縁体層や内部電極が若干浸食されたためと考えられる。

試料２については、試料１よりさらに不良個数が多く、信頼性が不十分であった。これは、内部電極を構成する主成分が触媒能の低いＮｉであったため、第１のめっき層の緻密性がさらに低かったものと思われる。

これらに対して、試料３については、１０００時間においては不良がみられず、信頼性の高い結果となった。導電性メディアの表面が還元剤に対して触媒活性を有するＮｉであったため、第１のめっき層の緻密性が高まったものと考えられる。また、この結果は、積層体の内部電極の主成分が触媒能の低いＮｉなどの卑金属であっても、緻密性の高い第１のめっき層が得られることを示している。

［実験例２］
実験例２では、積層体における内部電極の厚みが無電解めっきの品質に与える影響を調査した。

被めっき物として、内部電極の厚みおよび内部電極の主成分が、それぞれ、表３の「内部電極厚み」および「内部電極の主成分」に示すとおりであること以外は、実験例１の場合と同じ積層体を用意した。

次に、上記積層体５０００個、および直径０．２ｍｍの導電性メディア５０ｃｃを、容積３００ｃｃの回転バレル中に投入し、表３の「めっき条件」に示すように、表１に示した条件「Ａ」にて、内部電極の露出する積層体の端面に、第１のめっき層としての厚み８μｍの無電解Ｎｉめっき膜を形成した。このとき、導電性メディアとして、表３の「導電性メディア種」の欄に示すように、その材質がＮｉのものおよびＦｅのもののいずれかを用いた。

次いで、実験例１の場合と同じ方法にて、第１のめっき層の上に、第２のめっき層としての厚み３μｍのＳｎめっき膜を形成した。

以上のようにして、積層体に対して、ペースト電極層などを形成せずに、直接、めっき層を形成することができ、このようなめっき層からなる外部電極を備える、試料１１〜１５に係る積層セラミックコンデンサを得た。

次に、試料１１〜１５の各々について、１００個の積層セラミックコンデンサに対して、実験例１の場合と同様の条件で高温負荷試験を行ない、１０００時間後および２０００時間後に絶縁抵抗値をそれぞれ測定し、これが１ＭΩ以下となったものを不良として計数した。表３に不良個数が示されている。

表３に示すように、試料１１〜１３によると、導電性メディアの表面が還元剤に対して触媒活性を有するＮｉであったため、内部電極の厚みを、たとえば０．２μｍというように、１．０μｍ未満にしても、高温負荷試験における不良は検出されず、実験例１の試料３と同程度の信頼性が得られた。

一方、試料１４および１５では、実験例１の試料１より内部電極の厚みを薄くしているため、第１のめっき層の緻密性がさらに低下し、信頼性が低下した。

これらのことから、本発明に係る無電解めっき法を実施すれば、厚み１．０μｍ未満の薄い内部電極にても、緻密性の高い第１のめっき層を形成できることがわかった。

［実験例３］
実験例３では、無電解めっき前のバレル研磨工程の有無の影響を見るとともに、無電解めっき時に様々な金属イオンまたは還元剤を用いて第１のめっき層を形成した。

被めっき物として、内部電極の厚みおよび内部電極の主成分が、それぞれ、表４の「内部電極厚み」および「内部電極の主成分」に示すとおりであること以外は、実験例１の場合と同じ積層体を用意した。したがって、この段階にある積層体において、内部電極が露出する積層体の端面に対する内部電極の引っ込み長さ「ｄ」は、実験例１の場合と同様、２．０μｍであった。

次に、表４に示すように、試料２２、２３、２４、２５、２６、２８および３０に係る積層体について、研磨剤を用いてバレル研磨を行ない、内部電極の露出する積層体の端面に対する内部電極の引っ込み長さ「ｄ」を、最も大きい箇所で０.１μｍとなるようにした。他方、試料２１、２７および２９に係る積層体については、上記バレル研磨を行なわなかった。したがって、試料２１、２７および２９では、表４に示すように、内部電極の引っ込み長さ「ｄ」は２．０μｍのままであった。

次に、上記積層体５０００個を、直径０．４ｍｍの導電性メディア１００ｃｃとともに、容積３００ｃｃの回転バレル中に投入し、表４の「めっき条件」に示すように、表１に示した条件「Ａ」、「Ｂ」、「Ｃ」または「Ｄ」にて、内部電極が露出する積層体の端面に、第１のめっき層としての厚み１０μｍの無電解めっき膜を形成した。ここで、表４の「めっき金属」の欄に示すように、試料２１〜２６では無電解Ｎｉめっき膜を形成し、試料２７〜３０では無電解Ｃｕめっき膜を形成した。また、導電性メディアとして、表４の「導電性メディア種」の欄に示すように、その材質がＮｉのもの、ＣｕのものおよびＡｇのもののいずれかを用いた。

次いで、試料２１〜２６においては、第１のめっき層の上に、第２のめっき層としての厚み５μｍのＳｎめっき膜を、実験例１の場合と同じ方法にて形成した。

他方、試料２７〜３０については、上記第１のめっき層を形成した積層体の入った回転バレルを、ｐＨを４.２に調整した浴温６０℃のＮｉめっき用ワット浴に浸漬させ、回転数１０r.p.m.にて回転させながら、電流密度０.２Ａ／ｄｍ^２にて通電を開始した。通電開始後６０分後には、第２のめっき層としての厚み５μｍのＮｉめっき膜が形成された。さらに、第２のめっき層を形成した積層体の入った回転バレルを、ｐＨを５.０に調整した浴温３３℃のＳｎめっき浴（ディップソール社製Ｓｎ−２３５）に浸漬させ、回転数１２r.p.m.にて回転させながら、給電端子を通じて電流密度０.０７Ａ／ｄｍ^２にて５０分間通電した。このようにして、第３のめっき層としての厚み５μｍのＳｎめっき膜を形成した。

以上のようにして、積層体に対して、ペースト電極層などを形成せずに、直接、めっき層を形成することができ、このようなめっき層からなる外部電極を備える、試料２１〜３０に係る積層セラミックコンデンサを得た。

次に、試料２１〜３０の各々について、１００個の積層セラミックコンデンサに対して、実験例１の場合と同様の条件で高温負荷試験を行ない、１０００時間後および２０００時間後に絶縁抵抗値をそれぞれ測定し、これが１ＭΩ以下となったものを不良として計数した。表４に不良個数が示されている。

表４に示すように、全試料とも、１０００時間後における不良個数は０であり、信頼性に優れる結果となった。特に、バレル研磨を行なった試料２２、２３、２４、２５、２６、２８および３０においては、２０００時間後における不良個数も０であり、さらに信頼性に優れる結果となった。これは、バレル研磨により、積層体の端面に対する内部電極の引っ込み長さ「ｄ」が１μｍ以下と小さくなったため、触媒活性をもつ導電性メディアが内部電極の露出端に接触しやすくなり、めっき膜の緻密化がより促進されたためと考えられる。

また、試料２３および２４の結果より、内部電極の主成分がＣｕまたはＡｇであっても、緻密で信頼性に優れる第１のめっき層を形成できることがわかった。

さらに、試料２５および２６の結果より、導電性メディアが還元剤に対して触媒活性を有する場合であれば、様々な還元剤が使用可能であることがわかった。

また、試料２７〜３０の結果より、無電解Ｃｕめっきによっても、緻密で信頼性に優れる第１のめっき層を形成できることがわかった。

［実験例４］
実験例４では、図６に示すように、内部電極を積層体の端面から突出させた場合、内部電極間間隔「ｓ」（絶縁体層の厚み）のより大きいものにも対応できることを確認するために実施した。

被めっき物として、内部電極の主成分をＮｉに固定し、積層体における絶縁体層の厚みを、表５の「絶縁体層の厚み」の欄に示すように、２０μｍおよび５０μｍとしたこと以外は、実験例３の場合と同じ積層体を用意した。

次に、各試料に係る積層体に対して、アルミナ系研磨粉を用いてサンドブラストを実施した。ここで、表５に示すように、試料３１および３２に係る積層体については、強度０．２５ＭＰａのサンドブラストを実施し、内部電極の露出する積層体の端面に対する内部電極の引っ込み長さ「ｄ」を、最も大きい箇所で０.１μｍとなるようにした。他方、試料３３および３４に係る積層体については、強度０．５０ＭＰａのサンドブラストを実施し、内部電極の露出する積層体の端面に対する内部電極の突出長さ「ｐ」を、平均値で１μｍとなるようにした。

サンドブラスト終了後は、積層体より研磨粉を洗浄除去し、乾燥を行なった。

次に、用いる導電性メディアとして、表５の「導電性メディア種」の欄に示すように、その材質がＮｉのものに固定したことを除いて、実験例１の場合と同様の条件にて、第１のめっき層としての厚み１０μｍの無電解めっき膜を形成し、次いで、実験例１の場合と同様の条件にて、第１のめっき層の上に、第２のめっき層としての厚み５μｍのＳｎめっき膜を形成した。

以上のようにして、積層体に対して、ペースト電極層などを形成せずに、直接、めっき層を形成することができ、このようなめっき層からなる外部電極を備える、試料３１〜３４に係る積層セラミックコンデンサを得た。

次に、試料３１〜３４の各々について、１００個の積層セラミックコンデンサに対して、実験例１の場合と同様の条件で高温負荷試験を行ない、１０００時間後および２０００時間後に絶縁抵抗値をそれぞれ測定し、これが１ＭΩ以下となったものを不良として計数した。表５に不良個数が示されている。

表５に示すように、「ｄ＝０．１」の試料３１および３２について見ると、「絶縁体層の厚み」が２０μｍの試料３１では、１０００時間後および２０００時間後における不良個数は０であり、信頼性に優れる結果となったが、「絶縁体層の厚み」が５０μｍの試料３２では、１０００時間後においてさえ、不良が発生した。

これに対して、試料３３および３４のように、「ｐ＝１」とすれば、１０００時間後および２０００時間後における不良個数は０であり、信頼性に優れる結果となった。このことから、積層体の端面に対して内部電極を突出させると、「絶縁体層の厚み」すなわち内部電極間間隔「ｓ」を２０μｍより大きくしても、積層型電子部品の信頼性を優れたものとすることができることがわかった。

Claims (12)

1. 積層された複数の絶縁体層と、前記絶縁体層間の界面に沿って形成された複数の内部電極とを含み、前記内部電極の各端部が所定の面に露出していて、隣り合う前記内部電極は前記所定の面において互いに電気的に絶縁されている、積層体を用意する工程と、
   前記積層体の前記所定の面に露出した複数の前記内部電極の各端部を互いに電気的に接続するように、前記積層体の前記所定の面上に外部電極を形成する工程と
   を含み、
   前記外部電極を形成する工程は、前記積層体を用意する工程において用意された前記積層体の前記所定の面に露出した複数の前記内部電極の端部に対し、直接、還元剤および前記還元剤の酸化還元電位よりも電気化学的に貴な析出電位を有する金属イオンを含有するめっき液を用いて無電解めっきを行なう、無電解めっき工程を備え、
   前記無電解めっき工程は、前記還元剤の酸化反応に対し触媒活性を示す導電性メディアを用意する工程と、前記めっき液中で前記導電性メディアと前記積層体とを撹拌する工程と、複数の前記内部電極の端部に析出しためっき析出物が相互に接続されるように前記めっき析出物をめっき成長させる工程とを含む、
   積層型電子部品の製造方法。
2. 前記めっき液中で前記導電性メディアと前記積層体とを撹拌する工程は、容器内に収容した前記導電性メディアと前記積層体とを、前記めっき液中で、回転、揺動、傾斜または振動させる工程を備える、請求項１に記載の積層型電子部品の製造方法。
3. 前記導電性メディアの直径は、平均値で０．２ｍｍ以上である、請求項１または２に記載の積層セラミック電子部品の製造方法。
4. 前記めっき液中の前記金属イオンがＮｉイオン、ＣｏイオンおよびＡｕイオンから選ばれる少なくとも１種であり、前記導電性メディアの少なくとも表面がＡｕ、Ｎｉ、ＣｏおよびＰｔから選ばれる少なくとも１種またはその合金からなり、前記還元剤がリン酸系化合物である、請求項１に記載の積層型電子部品の製造方法。
5. 前記リン酸系化合物が次亜リン酸または次亜リン酸塩であり、前記めっき液中の前記金属イオンがＮｉイオンである、請求項４に記載の積層型電子部品の製造方法。
6. 前記めっき液中の前記金属イオンがＮｉイオン、Ｃｏイオン、ＰｔイオンおよびＡｕイオンから選ばれる少なくとも１種であり、前記導電性メディアの少なくとも表面がＡｕ、Ｎｉ、ＣｏおよびＰｔから選ばれる少なくとも１種またはその合金からなり、前記還元剤がホウ酸系化合物である、請求項１に記載の積層型電子部品の製造方法。
7. 前記めっき液中の前記金属イオンがＮｉイオン、Ｃｏイオン、ＰｔイオンおよびＡｕイオンから選ばれる少なくとも１種であり、前記導電性メディアの少なくとも表面がＣｏ、ＮｉおよびＰｔから選ばれる少なくとも１種またはその合金からなり、前記還元剤が窒素系化合物である、請求項１に記載の積層型電子部品の製造方法。
8. 前記めっき液中の前記金属イオンがＡｇイオン、ＣｕイオンおよびＡｕイオンから選ばれる少なくとも１種であり、前記導電性メディアの少なくとも表面がＡｇ、ＣｕおよびＡｕから選ばれる少なくとも１種またはその合金からなり、前記還元剤がアルデヒド系化合物である、請求項１に記載の積層型電子部品の製造方法。
9. 前記積層体を用意する工程において用意される前記積層体は、前記内部電極が露出する前記所定の面において、前記絶縁体層の厚み方向に測定した、隣り合う前記内部電極間の間隔が２０μｍ以下であり、かつ前記所定の面に対する前記内部電極の引っ込み長さが１μｍ以下である、請求項１に記載の積層型電子部品の製造方法。
10. 前記積層体を用意する工程において用意される前記積層体は、前記内部電極が露出する前記所定の面において、前記絶縁体層の厚み方向に測定した、隣り合う前記内部電極間の間隔が５０μｍ以下であり、かつ前記所定の面に対する前記内部電極の突出長さが０．１μｍ以上である、請求項１に記載の積層型電子部品の製造方法。
11. 前記外部電極を形成する工程の前に、前記積層体に対し、研磨剤を用いて研磨する工程をさらに含む、請求項９または１０に記載の積層型電子部品の製造方法。
12. 前記内部電極の主成分が、Ｎｉ、ＣｕおよびＡｇから選ばれる少なくとも１種である、請求項１に記載の積層型電子部品の製造方法。

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