JP2014187289A - 積層セラミックコンデンサ - Google Patents

Abstract

【課題】回路設計において高い自由度を持ちつつ、可聴音を効果的に低減することのできる積層セラミックコンデンサを提供する。
【解決手段】セラミックの誘電体層５と内部電極とが交互に積層されたセラミック積層体２と、セラミック積層体の表面に設けられ、内部電極と接続された外部電極３，４とを備える積層セラミックコンデンサであって、内部電極は誘電体層と交互に積層される容量取得部６Ａ，７Ａと、セラミック積層体の少なくとも１つの面に引き出される引き出し部６Ｂとを備え、外部電極は少なくとも底面の端部に設けられる第１端子部３Ａ、４Ａと、側面の少なくとも一方に設けられ、第１端子部および内部電極の引き出し部に接続される接続部３Ｃ、４Ｃとを含む。
【選択図】図２

Description

この発明は、複数のセラミックの誘電体層と内部電極とが交互に積層されたセラミック積層体と、セラミック積層体の表面に設けられ、内部電極と接続された外部電極とを備える積層セラミックコンデンサに関するものである。

積層セラミックコンデンサ１０１は、図１０に示すように、セラミック積層体１２と、セラミック積層体１２の表面に設けられる第１外部電極１３および第２外部電極１４とを備える。セラミック積層体１２は、セラミックの誘電体層１５が第１内部電極１６と第２内部電極１７との間に挿入されてなるコンデンサ素子が、並列接続されて積層された容量発現部１２Ａと、容量発現部を挟むように設けられる外層部１２Ｂとを含む。そのような積層セラミックコンデンサ１０１は、小型大容量でありながら、信頼性および耐久性に優れている。

従来、ＤＣ−ＤＣコンバータなどの電源回路では、電源平滑用のコンデンサとしてアルミニウム電解コンデンサやタンタル電解コンデンサが用いられていた。一方、近年の電子回路・電子機器の小型化・省エネルギー化に伴い、小型大容量の積層セラミックコンデンサに置き換えられるようになってきた。

小型大容量の積層セラミックコンデンサ１０１は、誘電体層のセラミックとして例えばチタン酸バリウムを基本材料とする高誘電率系セラミックを用いている。そのようなセラミック積層体１２を備える積層セラミックコンデンサ１０１に交流電圧を印加すると、電歪効果および逆圧電効果により、印加された電圧の大きさに応じた歪みがセラミック積層体１２に発生する。それに伴い、セラミック積層体１２が、積層方向への膨張、面方向への収縮を繰り返す。

近年、積層セラミックコンデンサ１０１の小型化・薄層化の進展に伴い、誘電体への印加電圧が高くなったため、上記のセラミック積層体１２の歪みの度合いも大きくなっている。図１１（Ａ）に示すように、積層セラミックコンデンサ１０１が、はんだＳにより基板Ｂに実装された場合を考える。積層セラミックコンデンサ１０１に高い交流電圧が印加されると、図１１（Ｂ）に示すように、セラミック積層体１２の特に端面の積層方向の中央領域の歪みが、はんだＳを介して積層セラミックコンデンサ１０１に固着されている基板Ｂを振動させる。その振動数が可聴域である２０Ｈｚ〜２０ｋＨｚである場合、可聴音として人間の耳に認識される。この現象は「鳴き（ａｃｏｕｓｔｉｃ ｎｏｉｓｅ）」とも言われ、電子機器の静寂化に伴い、ノートパソコン、携帯電話、デジタルカメラなどの様々なアプリケーションの電源回路などにおける設計の課題となっている。

このような可聴音を防止・低減するため、従来から種々の提案がなされている。例えば、特許文献１では、回路基板の表面と裏面にそれぞれ同等仕様の積層セラミックコンデンサを面対称となるように配置する回路基板実装方法が提案されている。この技術では、一方の積層セラミックコンデンサから回路基板に伝達した振動と他方の積層セラミックコンデンサから回路基板に伝達した振動とが打ち消し合い、可聴音の発生を低減することができるとされている。

特開２０００−２３２０３０号公報

しかしながら、特許文献１に記載の回路基板実装方法では、同等仕様の二つの積層セラミックコンデンサを回路基板の表裏面に実装する必要があるので、回路設計の自由度が損なわれるという問題点があった。

そこで、この発明の目的は、回路設計において高い自由度を持ちつつ、可聴音を効果的に低減することのできる積層セラミックコンデンサを提供することである。

この発明では、回路設計において高い自由度を持ちつつ、可聴音を効果的に低減することのできる積層セラミックコンデンサを提供するため、積層セラミックコンデンサの内部電極および外部電極の構造についての改良が図られる。

この発明に係る積層セラミックコンデンサは、セラミック積層体と第１外部電極および第２外部電極とを備える。セラミック積層体は、互いに対向する長方形状の第１面および第２面、前記第１面および第２面に直交して互いに対向し、前記第１面および第２面の長手方向に沿う第３面と第４面、前記第１面から第４面に直交して互いに対向する第５面と第６面を有する直方体形状をなす。セラミック積層体は、セラミックの誘電体層と第１内部電極および第２内部電極とが第１面と第２面が互いに対向する方向に積層されてなる容量発現部を含む。第１内部電極および第２内部電極は、互いに対向する容量取得部と、容量取得部からセラミック積層体の少なくとも１つの面に引き出される引き出し部とを備える。第１外部電極および第２外部電極は、セラミック積層体の少なくとも１つの面に設けられる。第１外部電極は、少なくとも第１面の第５面側の端部に設けられる第１端子部と、第３面および第４面の少なくとも一方に設けられ、第１端子部および第１内部電極の引き出し部に接続される接続部とを含む。第２外部電極は、少なくとも第１面の第６面側の端部に設けられる第１端子部と、第３面および第４面の少なくとも一方に設けられ、第１端子部および第２内部電極の引き出し部に接続される接続部とを含む。

上記の積層セラミックコンデンサでは、外部電極は実装時の端子電極となる第１端子部と、内部電極の引き出し部との接続を行なう接続部とを含む。第１端子部はセラミック積層体の底面において歪みが小さい端面側の端部に設けられ、接続部は側面の少なくとも一方に設けられる。したがって、上記の積層セラミックコンデンサは、交流電圧の印加により発生するセラミック積層体の歪みが小さい領域を介して基板に実装されることになる。そのため、実装後の基板の振動が抑えられ、可聴音を低減させることができる。

また、第１外部電極の第１端子部は、第５面に接して設けられ、第１外部電極の接続部は、第５面から離間して設けられ、第２外部電極の第１端子部は、第６面に接して設けられ、第２外部電極の接続部は、第６面から離間して設けられるようにしてもよい。

上記の積層セラミックコンデンサでは、外部電極の第１端子部は、底面において最も歪みが小さい端面に接する位置に設けられ、外部電極の接続部は、側面において歪みが発生する端面側の端部から離間して設けられる。したがって、セラミック積層体の歪みがさらに小さい領域を介して基板に実装されることになる。そのため、実装後の基板の振動がさらに抑えられ、可聴音をさらに低減させることができる。

また、第１外部電極の接続部は、第１外部電極の第１端子部の第５面に直交する方向における幅よりも小さい幅で、積層方向に延びる帯状に形成され、第２外部電極の接続部は、第２外部電極の第１端子部の第６面に直交する方向における幅よりも小さい幅で、積層方向に延びる帯状に形成されるようにしてもよい。

上記の積層セラミックコンデンサでは、外部電極の接続部は、第１端子部の幅よりも小さい幅で、積層方向に延びる帯状に形成される。したがって、積層セラミックコンデンサの実装時に、外部電極の接続部にはんだが這い上ってきたとしても、細い帯状であるため、歪みの大きい積層方向の中央部分に付着するはんだ量が少なくなり、セラミック積層体の歪みは基板に伝わりにくい。そのため、実装後の基板の振動がさらに抑えられ、可聴音をさらに低減させることができる。

また、第１外部電極は、少なくとも第２面に第１端子部と離間して設けられ、接続部に接続されている第２端子部をさらに含み、第２外部電極は、少なくとも第２面に第１端子部と離間して設けられ、接続部に接続されている第２端子部をさらに含むようにしてもよい。

上記の積層セラミックコンデンサでは、天面に実装時の端子電極となる外部電極の第２端子部が設けられる。したがって、底面と天面の両方に端子電極が設けられることになる。そのため、底面および天面を区別することなく、積層セラミックコンデンサを基板に実装することができる。

また、第１外部電極の第１端子部は、第３面、第４面および第５面に延展し、第２外部電極の第１端子部は、第３面、第４面および第６面に延展するようにしてもよい。

上記の積層セラミックコンデンサでは、外部電極の第１端子部が、端面および側面に延展している。したがって、積層セラミックコンデンサを基板に固着させるはんだの量を、セラミック積層体の歪みが基板に伝わりにくい程度に多くすることができる。そのため、可聴音を低減させながら、基板との接合強度を向上させることができる。

また、この発明に係る積層セラミックコンデンサは、セラミック積層体と第１外部電極および第２外部電極とを備える。セラミック積層体は、互いに対向する長方形状の第１面および第２面、前記第１面および第２面に直交して互いに対向し、前記第１面および第２面の長手方向に沿う第３面と第４面、前記第１面から第４面に直交して互いに対向する第５面と第６面を有する直方体形状をなす。セラミック積層体は、セラミックの誘電体層と第１内部電極および第２内部電極とが第１面と第２面が互いに対向する方向に積層されてなる容量発現部を含む。第１内部電極および第２内部電極は、互いに対向する容量取得部と、容量取得部からセラミック積層体の少なくとも１つの面に引き出される引き出し部とを備える。第１外部電極および第２外部電極は、セラミック積層体の少なくとも１つの面に設けられる。第１内部電極の引き出し部は、セラミック積層体を積層方向に貫通するビアを含む。第２内部電極の引き出し部は、セラミック積層体を積層方向に貫通するビアを含む。第１外部電極は、少なくとも第１面の第５面側の端部に設けられる第１端子部を含む。第２外部電極は、少なくとも第１面の第６面側の端部に設けられる第１端子部を含む。第１内部電極の引き出し部のビアは、前記第１外部電極の第１端子部と接続される。第２内部電極の引き出し部のビアは、前記第２外部電極の第１端子部と接続される。

上記の積層セラミックコンデンサでは、内部電極の引き出し部は、セラミック積層体を積層方向に貫通するビアを含む。外部電極はセラミック積層体の底面において歪みが小さい端面側の端部に設けられる第１端子部を含み、ビアと外部電極の第１端子部とが接続されている。したがって、上記の積層セラミックコンデンサは、交流電圧の印加により発生するセラミック積層体の歪みが小さい領域を介して基板に実装されることになる。そのため、実装後の基板の振動が抑えられ、可聴音を低減させることができる。

また、第１外部電極の第１端子部は、第５面に接して設けられ、第２外部電極の第１端子部は、第６面に接して設けられるようにしてもよい。

上記の積層セラミックコンデンサでは、外部電極の第１端子部は、底面において最も歪みが小さい端面に接する位置に設けられる。したがって、セラミック積層体の歪みがさらに小さい領域を介して基板に実装されることになる。そのため、実装後の基板の振動がさらに抑えられ、可聴音をさらに低減させることができる。

また、第１外部電極は、少なくとも第２面に第１端子部と離間して設けられ、第１内部電極の引き出し部のビアに接続されている第２端子部をさらに含み、第２外部電極は、少なくとも第２面に第１端子部と離間して設けられ、第２内部電極の引き出し部のビアに接続されている第２端子部をさらに含むようにしてもよい。

上記の積層セラミックコンデンサでは、天面に実装時の端子電極となる外部電極の第２端子部が設けられる。したがって、底面と天面の両方に端子電極が設けられることになる。そのため、底面および天面を区別することなく、積層セラミックコンデンサを基板に実装することができる。

また、第１外部電極の第１端子部は、第３面、第４面および第５面に延展し、第２外部電極の第１端子部は、第３面、第４面および第６面に延展するようにしてもよい。

上記の積層セラミックコンデンサでは、外部電極の第１端子部が、端面および側面に延展している。したがって、積層セラミックコンデンサを基板に固着させるはんだの量を、セラミック積層体の歪みが基板に伝わりにくい程度に多くすることができる。そのため、可聴音を低減させながら、基板との接合強度を向上させることができる。

また、第１内部電極の引き出し部のビアは、第１端子部の幅よりも小さい幅の帯状で、第３面および第４面の少なくとも一方に露出し、第２内部電極の引き出し部のビアは、第１端子部の幅よりも小さい幅の帯状で、第３面および第４面の少なくとも一方に露出するようにしてもよい。

上記の積層セラミックコンデンサでは、第１端子部の幅よりも小さい幅の帯状で、ビアが側面に露出している。したがって、積層セラミックコンデンサの実装時に、ビアにはんだを這い上らせて、積層セラミックコンデンサを基板に固着させるはんだの量を、セラミック積層体の歪みが基板に伝わりにくい程度に多くすることができる。一方で、ビアにはんだが這い上ってきたとしても、細い帯状となり、セラミック積層体の歪みは基板に伝わりにくい。そのため、可聴音を低減させながら、基板との接合強度を向上させることができる。

この発明に係る積層セラミックコンデンサでは、外部電極の第１端子部はセラミック積層体の底面において歪みが小さい端面側の端部に設けられ、接続部は側面の少なくとも一方に設けられ、端面において歪みが大きい積層方向の中央領域には設けられていない。したがって、交流電圧の印加により発生するセラミック積層体の歪みが小さい領域を介して基板に実装されることになるため、実装後の基板の振動が抑えられ、可聴音を低減させることができる。

本発明の第１実施形態に係る積層セラミックコンデンサの外観図である。 本発明の第１実施形態に係る積層セラミックコンデンサの断面図である。 本発明の第１実施形態に係る積層セラミックコンデンサにおける電歪効果および逆圧電効果によるセラミック積層体の表面の歪み量を大きさに応じた領域に区分けした図である。 本発明の第１実施形態の変形例に係る積層セラミックコンデンサの外観図である。 本発明の第２実施形態に係る積層セラミックコンデンサの外観図である。 本発明の第２実施形態に係る積層セラミックコンデンサの断面図である。 本発明の第２実施形態の変形例に係る積層セラミックコンデンサの断面図である。 本発明の第２実施形態の別の変形例に係る積層コンデンサセラミックの外観図である。 本発明の第２実施形態の別の変形例に係る積層セラミックコンデンサの断面図である。 従来の積層セラミックコンデンサの断面図である。 従来の積層セラミックコンデンサを基板に実装した状態の断面図である。

本発明に係る積層セラミックコンデンサは、セラミックの誘電体層が積層されてなるセラミック積層体と、セラミック積層体の少なくとも１つの面に設けられる外部電極とを備える。以後の説明では、直方体形状であるセラミック積層体の誘電体層の積層方向に直交して互いに対向する長方形状の面を底面および天面、底面および天面に直交して対向し、底面および天面の長辺に沿う面を側面、それらの各面に直交して互いに対向する面を端面とする。
−第１実施形態−
本発明の第１実施形態に係る積層セラミックコンデンサ１について、図１および図２を用いて説明する。

図１（Ａ）は、積層セラミックコンデンサ１における側面の外観図である。図１（Ｂ）は、積層セラミックコンデンサ１の底面の外観図である。図１（Ｃ）は、積層セラミックコンデンサ１の端面の外観図である。図２（Ａ）は、図１（Ａ）のＺ１−Ｚ１断面図である。図２（Ｂ）は、図１（Ｂ）のＸ１−Ｘ１断面図である。図２（Ｃ）は、図１（Ｂ）のＹ１−Ｙ１断面図である。

積層セラミックコンデンサ１では、セラミック積層体２の両方の端部に第１外部電極３および第２外部電極４が設けられている。セラミック積層体２は、誘電体層５が第１内部電極６と第２内部電極７との間に挿入されてなるコンデンサ素子が並列接続されて積層された容量発現部２Ａと、誘電体層５の積層方向と同一方向で容量発現部２Ａを挟むように設けられる外層部２Ｂとを備える。

第１内部電極６は、誘電体層５を介して第２内部電極７と対向する長方形状の容量取得部６Ａと、引き出し部６Ｂ、６Ｂとを備える。引き出し部６Ｂは、容量取得部６Ａの長辺の一部がセラミック積層体２の側面に引き出されてなる。

第２内部電極７は、誘電体層５を介して第１内部電極６と対向する長方形状の容量取得部７Ａと、引き出し部７Ｂ、７Ｂ（不図示）とを備える。引き出し部７Ｂは、容量取得部７Ａの長辺の一部がセラミック積層体２の側面に引き出されてなる。

第１外部電極３は、第１端子部３Ａと、第２端子部３Ｂと、接続部３Ｃ、３Ｃとを備える。第１端子部３Ａは、セラミック積層体２の底面の一方端部に、一方端面に接して設けられる。接続部３Ｃ、３Ｃは、セラミック積層体２の両方の側面に、一方端面から離間して設けられ、第１端子部３Ａおよび第１内部電極６の引き出し部６Ｂ、６Ｂに接続される。第２端子部３Ｂは、セラミック積層体２の天面の一方端部に、一方端面に接し、かつ第１端子部３Ａとは離間して設けられ、接続部３Ｃ、３Ｃと接続される。

第１外部電極３の接続部３Ｃ、３Ｃは、第１端子部３Ａおよび第２端子部３Ｂのセラミック積層体２の一方端面に直交する方向における幅よりも小さい幅で、積層方向に延びる帯状に形成される。第１端子部３Ａおよび第２端子部３Ｂは、セラミック積層体２の一方端面の積層方向における中央領域が第１外部電極３によって被覆されない程度に両方側面と一方端部に延展している。

第２外部電極４は、第１端子部４Ａと、第２端子部４Ｂと、接続部４Ｃ、４Ｃとを備える。第１端子部４Ａは、セラミック積層体２の底面の他方端部に、他方端面に接して設けられる。接続部４Ｃ、４Ｃは、セラミック積層体２の両方側面に、他方端面から離間して設けられ、第１端子部４Ａおよび第２内部電極７の引き出し部７Ｂ、７Ｂに接続される。第２端子部４Ｂは、セラミック積層体２の天面の他方端部に、他方端面に接し、かつ第１端子部４Ａとは離間して設けられ、接続部４Ｃ、４Ｃと接続される。

第２外部電極４の接続部４Ｃ、４Ｃは、第１端子部４Ａおよび第２端子部４Ｂのセラミック積層体２の他方端面に直交する方向における幅よりも小さい幅で、積層方向に延びる帯状に形成される。第１端子部４Ａおよび第２端子部４Ｂは、セラミック積層体２の他方端面の積層方向における中央領域が第２外部電極４によって被覆されない程度に両方側面と他方端部に延展している。

ところで、上記の積層セラミックコンデンサ１に交流電圧を印加すると、電歪効果および逆圧電効果により、印加された電圧の大きさに応じた歪みがセラミック積層体２に発生する。それに伴い、セラミック積層体２が、積層方向への膨張、面方向への収縮を繰り返す。

上記の電歪効果および逆圧電効果によるセラミック積層体２の表面の歪みを、その大きさに応じた領域に区分けしたものを図３に示す。各領域間での歪みの大きさの関係は、Ａ１＜Ａ２＜Ａ３＜Ａ４であり、Ａ１が最も歪みにくい領域を示し、Ａ４が最も歪みやすい領域を示している。図３に示すように、セラミック積層体２の天面及び底面の全体が歪んでおり、中央領域ほど歪みが大きくなっている。また、セラミック積層体２の端面の積層方向の中央領域で、端面の幅の約１／３の幅を有する領域の歪みが大きくなっている。一方、天面及び底面の端面に接する辺の近傍と、端面の天面及び底面に接する辺の近傍が最も歪みが小さく、ほとんど歪んでいない。

従来の積層セラミックコンデンサでは、セラミック積層体に発生した歪みが、はんだを介して積層セラミックコンデンサに固着されている基板を振動させる。その結果、基板から可聴音が発生する。特に、外部電極がセラミック積層体の歪みの大きい領域に設けられる場合、伝達される歪みが大きくなり、基板から発生する可聴音が大きくなる（図１１（Ｂ）参照）。

一方、上記の第１実施形態に係る積層セラミックコンデンサ１では、第１外部電極３の第１端子部３Ａおよび第２外部電極４の第１端子部４Ａは、セラミック積層体２の底面において歪みが小さい端面側の両方端部に設けられる。また、第１外部電極の接続部３Ｃ、３Ｃおよび第２外部電極の接続部４Ｃ、４Ｃは、セラミック積層体２の両方側面に設けられる。したがって、上記の積層セラミックコンデンサ１は、図３に示した交流電圧の印加により発生するセラミック積層体２の歪みが小さい領域を介して基板に実装されることになる。そのため、図１１（Ｂ）に示した実装後の基板の振動が抑えられ、可聴音を低減させることができる。

なお、セラミック積層体２における端部とは、端面に接する位置のみならず、端面から所定の距離だけ離間した端面近傍の位置も含む概念である。

第１外部電極３の第１端子部３Ａおよび第２外部電極４の第１端子部４Ａは、セラミック積層体２の底面において最も歪みが小さい端面に接する位置に設けられることが好ましい。この場合には、セラミック積層体２の歪みが小さい領域を介して基板に実装されることになる。そのため、実装後の基板の振動がさらに抑えられ、可聴音をさらに低減させることができる。

第１外部電極３の接続部３Ｃおよび第２外部電極４の接続部４Ｃは、側面において端面側の端部から離間して設けられることが好ましい。セラミック積層体の端面は、セラミック積層体２の６つの面の中で最も面積が小さいので、歪みが大きい。したがって、第１外部電極３および第２外部電極４の各接続部を、端面側の端部から少しでも離間させることで、積層セラミックコンデンサ１は、セラミック積層体２の側面における最も歪みが大きい領域を介さずに基板に実装されることになる。そのため、実装後の基板の振動がさらに抑えられ、可聴音をさらに低減させることができる。

また、セラミック積層体２の側面における歪みは、側面の中央から両端面に近づくにつれて大きくなる。したがって、第１外部電極３および第２外部電極４の各接続部は、セラミック積層体２の側面における端面側の端部から離間する幅が大きいほど、歪みの小さい領域に設けられることになる。そのため、実装後の基板の振動がさらに抑えられ、可聴音をより効果的に低減させることができる。

第１外部電極３の接続部３Ｃおよび第２外部電極４の接続部４Ｃは、接続される各端子部の幅より小さい幅で、積層方向に延びる帯状に形成されることが好ましい。セラミック積層体２の側面における歪みは、特に側面の端面側の端部近傍において、底面側から積層方向の中央に近づくにつれて大きくなり、中央で最も大きくなる。したがって、この場合には、積層セラミックコンデンサ１の実装時に、各接続部にはんだが這い上ってきたとしても、各接続部が細い帯状であるため、歪みの大きい積層方向の中央部分に付着するはんだ量が少なくなる。歪みの大きい部分に付着するはんだ量が少ないと、セラミック積層体２の歪みは基板に伝わりにくい。そのため、実装後の基板の振動がさらに抑えられ、可聴音をさらに低減させることができる。

セラミック積層体２の天面に、第１外部電極３の第２端子部３Ｂおよび第２外部電極４の第２端子部４Ｂが設けられることが好ましい。この場合には、底面と天面の両方に実装時の端子電極が設けられることになる。そのため、底面および天面を区別することなく、積層セラミックコンデンサ１を基板に実装することができる。なお、上記の理由により、第１外部電極３の第２端子部３Ｂおよび第２外部電極４の第２端子部４Ｂは、セラミック積層体２の天面において最も歪みが小さい端面に接する位置に設けられることが好ましい。

第１外部電極３および第２外部電極４の各端子部は、セラミック積層体２の端面および側面に延展していることが好ましい。この場合には、積層セラミックコンデンサ１を基板に固着させるはんだの量を、セラミック積層体２の歪みが基板に伝わりにくい程度に多くすることができる。そのため、可聴音を低減させながら、基板との接合強度を向上させることができる。

なお、この場合、セラミック積層体２の一方端面および他方端面の積層方向における中央領域が、確実に第１外部電極３および第２外部電極４によって被覆されないようにする必要がある。そのため、各端子部が端面および側面へ延展する長さは、セラミック積層体２の積層方向における端面の幅の１／３以下であることが好ましい。

上記の第１実施形態では、第１内部電極の引き出し部６Ｂは、容量取得部６Ａの両方長辺からセラミック積層体２の両方側面に引き出されているが、一方長辺からセラミック積層体２の一方の側面のみに引き出されるようにしてもよい。同様に、第２内部電極の引き出し部７Ｂも、一方の側面のみに引き出されるようにしてもよい。この場合、第１外部電極３および第２外部電極４の各接続部は、第１内部電極６および第２内部電極７の各引き出し部が引き出された一方の側面のみに設けられていてもよい。

また、第１外部電極の接続部３Ｃは、第１端子部３Ａおよび第２端子部３Ｂとは別の部材として説明したが、第１端子部３Ａおよび第２端子部３Ｂの少なくとも一方を延長して第１外部電極の接続部３Ｃを形成するようにしてもよい。同様に、第２外部電極の接続部４Ｃも、第１端子部４Ａおよび第２端子部４Ｂの少なくとも一方を延長して形成するようにしてもよい。

また、第１外部電極の接続部３Ｃは、第１端子部３Ａおよび第２端子部３Ｂと同一の材料または異なる材料のどちらを用いて形成されてもよい。同様に、第２外部電極の接続部４Ｃも、どのような材料を用いて形成されてもよい。
−第１実施形態の変形例−
本発明の第１実施形態の変形例に係る積層セラミックコンデンサ１１について、図４を用いて説明する。第１実施形態と同一の部材については、同一の符号で表わす。

図４（Ａ）は、積層セラミックコンデンサ１１における側面の外観図である。図４（Ｂ）は、積層セラミックコンデンサ１１の底面の外観図である。図４（Ｃ）は、積層セラミックコンデンサ１１の端面の外観図である。断面図は、図２（Ａ）〜（Ｂ）と同一となるため省略する。

積層セラミックコンデンサ１１では、第１外部電極３の第１端子部３Ａは、セラミック積層体２の底面の一方端部であって、一方端面に接し、かつ両方側面に接する位置に、凹字状に設けられる。また、第１外部電極３の第２端子部３Ｃは、セラミック積層体２の天面の一方端部であって、一方端面に接し、かつ両方側面に接する位置に、凹字状に設けられる。

第２外部電極４の第１端子部４Ａは、セラミック積層体２の底面の他方端部であって、他方端面に接し、かつ両方側面に接する位置に、凹字状に設けられる。また、第２外部電極４の第２端子部４Ｃは、セラミック積層体２の天面の他方端部であって、他方端面に接し、かつ両方側面に接する位置に、凹字状に設けられる。

上記の第１実施形態の変形例に係る積層セラミックコンデンサ１１では、第１外部電極３の第１端子部３Ａおよび第２外部電極４の第１端子部４Ａは、セラミック積層体２の底面において歪みが最も小さい、端面に接する位置と両方側面に接する位置に選択的に設けられる。また、第１外部電極の接続部３Ｃ、３Ｃおよび第２外部電極の接続部４Ｃ、４Ｃは、セラミック積層体２の両方側面において歪みが発生する端面側の端部から離間して設けられる。したがって、上記の積層セラミックコンデンサ１１は、図３に示した交流電圧の印加により発生するセラミック積層体２の歪みが最も小さい領域を介して基板に実装されることになる。そのため、図１１（Ｂ）に示した実装後の基板の振動がさらに抑えられ、可聴音を大きく低減させることができる。
−第２実施形態−
本発明の第２実施形態に係る積層セラミックコンデンサ２１について、図５および図６を用いて説明する。第１実施形態と同一の部材については、同一の符号で表わす。

図５（Ａ）は、積層セラミックコンデンサ２１における側面の外観図である。図５（Ｂ）は、積層セラミックコンデンサ２１の底面の外観図である。図５（Ｃ）は、積層セラミックコンデンサ２１の端面の外観図である。図６（Ａ）は、図５（Ａ）のＺ２−Ｚ２断面図である。図６（Ｂ）は、図５（Ｂ）のＸ２−Ｘ２断面図である。図６（Ｃ）は、図５（Ｂ）のＹ２−Ｙ２断面図である。

積層セラミックコンデンサ２１では、セラミック積層体２の両方端部に第１外部電極３および第２外部電極４が設けられている。セラミック積層体２は、誘電体層５が第１内部電極６と第２内部電極７との間に挿入されてなるコンデンサ素子が並列接続されて積層された容量発現部２Ａと、誘電体層５の積層方向と同一方向で容量発現部２Ａを挟むように設けられる外層部２Ｂとを備える。

第１内部電極６は、誘電体層５を介して第２内部電極７と対向する長方形状の容量取得部６Ａと、引き出し部６Ｂと、ビア６Ｃ、６Ｃとを備える。引き出し部６Ｂは、容量取得部６Ａの一端がセラミック積層体２の一方端面に向かって延長されてなるが、セラミック積層体２の一方端面に露出していない。ビア６Ｃ、６Ｃは、引き出し部６Ｂに接続されており、セラミック積層体２を積層方向に貫通し、両方端部がセラミック積層体２の底面および天面に引き出される。すなわち、第１内部電極６は、引き出し部６Ｂとビア６Ｃ、６Ｃとにより、セラミック積層体２の底面および天面に引き出される。

第２内部電極７は、誘電体層５を介して第１内部電極６と対向する長方形状の容量取得部７Ａと、引き出し部７Ｂと、ビア７Ｃ、７Ｃとを備える。引き出し部７Ｂは、容量取得部７Ａの一端がセラミック積層体２の他方端面に向かって延長されてなるが、セラミック積層体２の他方端面に露出していない。ビア７Ｃ、７Ｃは、引き出し部７Ｂに接続されており、セラミック積層体２を積層方向に貫通し、両方端部がセラミック積層体２の底面および天面に引き出される。すなわち、第１内部電極７は、引き出し部７Ｂとビア７Ｃ、７Ｃとにより、セラミック積層体２の底面および天面に引き出される。

第１外部電極３は、第１端子部３Ａと、第２端子部３Ｂとを備える。第１端子部３Ａは、セラミック積層体２の底面の一方端部に、一方端面に接して設けられる。第２端子部３Ｂは、セラミック積層体２の天面の一方端部に、一方端面に接し、かつ第１端子部３Ａとは離間して設けられ、上記のビア６Ｃ、６Ｃでセラミック積層体２の内部において第１端子部３Ａと接続される。

第２外部電極４は、第１端子部４Ａと、第２端子部４Ｂとを備える。第１端子部４Ａは、セラミック積層体２の底面の他方端部に、他方端面に接して設けられる。第２端子部４Ｂは、セラミック積層体２の天面の他方端部に、他方端面に接し、かつ第１端子部４Ａとは離間して設けられ、上記のビア７Ｃ、７Ｃでセラミック積層体２の内部において第１端子部４Ａと接続される。

上記の第２実施形態に係る積層セラミックコンデンサ２１では、第１外部電極３の第１端子部３Ａおよび第２外部電極４の第１端子部４Ａは、セラミック積層体２の底面において歪みが小さい端面側の両方端部に設けられる。したがって、上記の積層セラミックコンデンサ２１は、図３に示した交流電圧の印加により発生するセラミック積層体２の歪みが小さい領域を介して基板に実装されることになる。そのため、図１１（Ｂ）に示した実装後の基板の振動が抑えられ、可聴音を低減させることができる。

第１外部電極３の第１端子部３Ａおよび第２外部電極４の第２端子部４Ａは、セラミック積層体２の底面において最も歪みが小さい端面に接する位置に設けられることが好ましい。この場合には、セラミック積層体２の歪みがさらに小さい領域を介して基板に実装されることになる。そのため、実装後の基板の振動がさらに抑えられ、可聴音をさらに低減させることができる。

セラミック積層体２の天面に、第１外部電極３の第２端子部３Ｂおよび第２外部電極４の第２端子部４Ｂが設けられることが好ましい。この場合には、底面と天面の両方に実装時の端子電極が設けられることになる。そのため、底面および天面を区別することなく、積層セラミックコンデンサ２１を基板に実装することができる。なお、上記の理由により、第１外部電極３の第２端子部３Ｂおよび第２外部電極４の第２端子部４Ｂは、セラミック積層体２の天面において最も歪みが小さい端面に接する位置に設けられることが好ましい。

第１外部電極３および第２外部電極４の各端子部は、セラミック積層体２の端面および側面に延展していることが好ましい。この場合には、積層セラミックコンデンサ２１を基板に固着させるはんだの量を、セラミック積層体２の歪みが基板に伝わりにくい程度に多くすることができる。そのため、可聴音を低減させながら、基板との接合強度を向上させることができる。

なお、この場合、セラミック積層体２の一方端面および他方端面の積層方向における中央領域が、確実に第１外部電極３および第２外部電極４によって被覆されないようにする必要がある。そのため、各端子部が端面および側面へ延展する長さは、セラミック積層体２の積層方向における端面の幅の１／３以下であることが好ましい。

上記の第２実施形態では、ビア６Ｃは、２本設けられているが、特に本数の制限はなく、１本のみでもよく、さらに多数設けられてもよい。同様に、ビア７Ｃにも、特に本数の制限はない。

また、ビア６Ｃは、第１内部電極６と同一の材料または異なる材料のどちらを用いて形成されてもよい。同様に、ビア７Ｃも、どのような材料を用いて形成されてもよい。
−第２実施形態の変形例−
本発明の第２実施形態の変形例に係る積層セラミックコンデンサ３１について、図７を用いて説明する。第２実施形態と同一の部材については、同一の符号で表わす。

外観図は、図５（Ａ）〜（Ｂ）と同一となるため省略する。図７（Ａ）は、積層セラミックコンデンサ３１における、図５（Ａ）のＺ２−Ｚ２断面に相当する断面図である。図７（Ｂ）は、図５（Ｂ）のＸ２−Ｘ２断面に相当する断面図である。図７（Ｃ）は、図５（Ｂ）のＹ２−Ｙ２断面に相当する断面図である。

積層セラミックコンデンサ３１では、第１内部電極６は、誘電体層５を介して第２内部電極７と対向する長方形状の容量取得部６Ａと、容量取得部６Ａの領域内の一部である引き出し部６Ｂ、６Ｂと、ビア６Ｃ、６Ｃとを備える。また、第１内部電極６には、容量取得部６Ａの領域内の一部に電極非形成部６Ｄが形成されている。電極非形成部６Ｄの形状は任意である。ビア６Ｃ、６Ｃは、引き出し部６Ｂ、６Ｂにそれぞれ接続されており、下記の電極非形成部７Ｄの領域内でセラミック積層体２を積層方向に貫通し、両方端部がセラミック積層体２の底面および天面に引き出される。

第２内部電極７は、誘電体層５を介して第２内部電極６と対向する長方形状の容量取得部７Ａと、容量取得部７Ａの領域内の一部である引き出し部７Ｂ、７Ｂと、ビア７Ｃ、７Ｃとを備える。また、第２内部電極７には、容量取得部７Ａの領域内の一部に電極非形成部７Ｄが形成されている。電極非形成部７Ｄの形状は任意である。ビア７Ｃ、７Ｃは、引き出し部７Ｂ、７Ｂにそれぞれ接続されており、上記の電極非形成部６Ｄの領域内でセラミック積層体２を積層方向に貫通し、両方端部がセラミック積層体２の底面および天面に引き出される。

上記の第２実施形態の変形例に係る積層セラミックコンデンサ３１では、ビア６Ｃは容量取得部７Ａ内の電極非形成部７Ｄの領域内を、またビア７Ｃは容量取得部６Ａ内の電極非形成部６Ｄの領域内を貫通するように配置されている。したがって、上記の積層セラミックコンデンサ３１は、セラミック積層体２の内部において、誘電体層５を介して第１内部電極６と第２内部電極７とを端面近傍まで対向させることができる。そのため、可聴音を低減させながら、静電容量を大きくすることができる。
−第２実施形態の別の変形例−
本発明の第２実施形態の別の変形例に係る積層セラミックコンデンサ４１について、図８および図９を用いて説明する。第２実施形態と同一の部材については、同一の符号で表わす。

図８（Ａ）は、積層セラミックコンデンサ４１における側面の外観図である。図８（Ｂ）は、積層セラミックコンデンサ４１の底面の外観図である。図８（Ｃ）は、積層セラミックコンデンサ４１の端面の外観図である。図９（Ａ）は、図８（Ａ）のＺ３−Ｚ３断面図である。図９（Ｂ）は、図８（Ｂ）のＸ３−Ｘ３断面図である。図９（Ｃ）は、図８（Ｂ）のＹ３−Ｙ３断面図である。

積層セラミックコンデンサ４１では、第１内部電極６は、誘電体層５を介して第２内部電極７と対向する長方形状の容量取得部６Ａと、引き出し部６Ｂ、６Ｂと、ビア６Ｃ、６Ｃとを備える。引き出し部６Ｂは、容量取得部６Ａの長辺の一部がセラミック積層体２の側面に向かって引き出されてなるが、セラミック積層体２の側面に露出していない。ビア６Ｃ、６Ｃは、引き出し部６Ｂ、６Ｂにそれぞれ接続されており、セラミック積層体２を積層方向に貫通し、両方端部がセラミック積層体２の底面および天面に引き出される。また、ビア６Ｃ、６Ｃは、第１外部電極３の第１端子部３Ａの幅よりも小さな幅の帯状で、セラミック積層体２の両方側面に露出する。

第２内部電極７は、誘電体層５を介して第１内部電極６と対向する長方形状の容量取得部７Ａと、引き出し部７Ｂ、７Ｂと、ビア７Ｃ、７Ｃとを備える。引き出し部７Ｂは、容量取得部７Ａの長辺の一部がセラミック積層体２の側面に向かって引き出されてなるが、セラミック積層体２の側面に露出していない。ビア７Ｃ、７Ｃは、引き出し部７Ｂ、７Ｂにそれぞれ接続されており、セラミック積層体２を積層方向に貫通し、両方端部がセラミック積層体２の底面および天面に引き出される。また、ビア７Ｃ、７Ｃは、第２外部電極４の第１端子部４Ａの幅よりも小さな幅の帯状で、セラミック積層体２の両方側面に露出する。

上記の第２実施形態の別の変形例に係る積層セラミックコンデンサ４１では、ビア６Ｃおよび７Ｃが側面に露出している。したがって、積層セラミックコンデンサ３１の実装時に、ビア６Ｃおよび７Ｃにはんだを這い上らせて、積層セラミックコンデンサ３１を基板に固着させるはんだの量を、セラミック積層体の歪みが基板に伝わりにくい程度に多くすることができる。一方で、ビア６Ｃおよび７Ｃにはんだが這い上ってきたとしても、細い帯状となり、セラミック積層体２の歪みは基板に伝わりにくい。そのため、可聴音を低減させながら、基板との接合強度を向上させることができる。

１、１１、２１、３１、４１、１０１ 積層セラミックコンデンサ
２ セラミック積層体
２Ａ、１２Ａ 容量発現部
２Ｂ、１２Ｂ 外層部
３、１３ 第１外部電極
４、１４ 第２外部電極
３Ａ、４Ａ 第１端子部
３Ｂ、４Ｂ 第２端子部
３Ｃ、４Ｃ 接続部
５、１５ 誘電体層
６、１６ 第１内部電極
７、１７ 第２内部電極
６Ａ、７Ａ 容量取得部
６Ｂ、７Ｂ 引き出し部
６Ｃ、７Ｃ ビア
６Ｄ、７Ｄ 電極非形成部
Ａ１〜Ａ４ 歪み量の大きさ
Ｓ はんだ
Ｂ 基板

Claims (10)

1. セラミック積層体と第１外部電極および第２外部電極とを備える積層セラミックコンデンサであって、
   前記セラミック積層体は、互いに対向する長方形状の第１面および第２面、前記第１面および第２面に直交して互いに対向し、前記第１面および第２面の長手方向に沿う第３面と第４面、前記第１面から第４面に直交して互いに対向する第５面と第６面を有する直方体形状をなし、
   前記セラミック積層体は、セラミックの誘電体層と第１内部電極および第２内部電極とが前記第１面と前記第２面が互いに対向する方向に積層されてなる容量発現部を含み、
   前記第１内部電極および前記第２内部電極は、互いに対向する容量取得部と、前記容量取得部から前記セラミック積層体の少なくとも１つの面に引き出される引き出し部とを備え、
   前記第１外部電極および前記第２外部電極は、前記セラミック積層体の少なくとも１つの面に設けられ、
   前記第１外部電極は、少なくとも前記第１面の前記第５面側の端部に設けられる第１端子部と、前記第３面および第４面の少なくとも一方に設けられ、前記第１端子部および前記第１内部電極の引き出し部に接続される接続部とを含み、
   前記第２外部電極は、少なくとも前記第１面の前記第６面側の端部に設けられる第１端子部と、前記第３面および第４面の少なくとも一方に設けられ、前記第１端子部および前記第２内部電極の引き出し部に接続される接続部とを含むことを特徴とする、積層セラミックコンデンサ。
2. 前記第１外部電極の第１端子部は、前記第５面に接して設けられ、前記第１外部電極の接続部は、前記第５面から離間して設けられ、前記第２外部電極の第１端子部は、前記第６面に接して設けられ、前記第２外部電極の接続部は、前記第６面から離間して設けられることを特徴とする、請求項１に記載の積層セラミックコンデンサ。
3. 前記第１外部電極の接続部は、前記第１外部電極の第１端子部の前記第５面に直交する方向における幅よりも小さい幅で、前記積層方向に延びる帯状に形成され、前記第２外部電極の接続部は、前記第２外部電極の前記第１端子部の前記第６面に直交する方向における幅よりも小さい幅で、前記積層方向に延びる帯状に形成されることを特徴とする、請求項１または２に記載の積層セラミックコンデンサ。
4. 前記第１外部電極は、少なくとも前記第２面に前記第１端子部と離間して設けられ、前記接続部に接続されている第２端子部をさらに含み、前記第２外部電極は、少なくとも前記第２面に前記第１端子部と離間して設けられ、前記接続部に接続されている第２端子部をさらに含むことを特徴とする、請求項１ないし３のいずれか１項に記載の積層セラミックコンデンサ。
5. 前記第１外部電極の第１端子部は、前記第３面、第４面および第５面に延展し、前記第２外部電極の第１端子部は、前記第３面、第４面および第６面に延展することを特徴とする、請求項１ないし４のいずれか１項に記載の積層セラミックコンデンサ。
6. セラミック積層体と第１外部電極および第２外部電極とを備える積層セラミックコンデンサであって、
   前記セラミック積層体は、
   互いに対向する長方形状の第１面および第２面、前記第１面および第２面に直交して互いに対向し、前記第１面および第２面の長手方向に沿う第３面と第４面、前記第１面から第４面に直交して互いに対向する第５面と第６面を有する直方体形状をなし、
   前記セラミック積層体は、セラミックの誘電体層と第１内部電極および第２内部電極とが前記第１面と前記第２面が互いに対向する方向に積層されてなる容量発現部を含み、
   前記第１内部電極および前記第２内部電極は、互いに対向する容量取得部と、前記容量取得部から前記セラミック積層体の少なくとも１つの面に引き出される引き出し部とを備え、
   前記第１外部電極および前記第２外部電極は、前記セラミック積層体の少なくとも１つの面に設けられ、
   前記第１内部電極の引き出し部は、前記セラミック積層体を前記積層方向に貫通するビアを含み、
   前記第２内部電極の引き出し部は、前記セラミック積層体を前記積層方向に貫通するビアを含み、
   前記第１外部電極は、少なくとも前記第１面の前記第５面側の端部に設けられる第１端子部を含み、
   前記第２外部電極は、少なくとも前記第１面の前記第６面側の端部に設けられる第１端子部を含み、
   前記第１内部電極の引き出し部のビアは、前記第１外部電極の第１端子部と接続され、
   前記第２内部電極の引き出し部のビアは、前記第２外部電極の第１端子部と接続されることを特徴とする、積層セラミックコンデンサ。
7. 前記第１外部電極の第１端子部は、前記第５面に接して設けられ、前記第２外部電極の第１端子部は、前記第６面に接して設けられることを特徴とする、請求項６に記載の積層セラミックコンデンサ。
8. 前記第１外部電極は、少なくとも前記第２面に前記第１端子部と離間して設けられ、前記第１内部電極の引き出し部のビアに接続されている第２端子部をさらに含み、前記第２外部電極は、少なくとも前記第２面に前記第１端子部と離間して設けられ、前記第２内部電極の引き出し部のビアに接続されている第２端子部をさらに含むことを特徴とする、請求項６または７に記載の積層セラミックコンデンサ。
9. 前記第１外部電極の第１端子部は、前記第３面、第４面および第５面に延展し、前記第２外部電極の第１端子部は、前記第３面、第４面および第６面に延展することを特徴とする、請求項６ないし８のいずれか１項に記載の積層セラミックコンデンサ。
10. 前記第１内部電極の引き出し部のビアは、前記第１端子部の幅よりも小さい幅の帯状で、前記第３面および第４面の少なくとも一方に露出し、前記第２内部電極の引き出し部のビアは、前記第１端子部の幅よりも小さい幅の帯状で、前記第３面および第４面の少なくとも一方に露出することを特徴とする、請求項６ないし９のいずれか１項に記載の積層セラミックコンデンサ。

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