JP2002531939A - 過電流を遮断するためのフィルム電極を有する積層型電子装置 - Google Patents

過電流を遮断するためのフィルム電極を有する積層型電子装置

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JP2002531939A JP2000585895A JP2000585895A JP2002531939A JP 2002531939 A JP2002531939 A JP 2002531939A JP 2000585895 A JP2000585895 A JP 2000585895A JP 2000585895 A JP2000585895 A JP 2000585895A JP 2002531939 A JP2002531939 A JP 2002531939A
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幸雄 西宮
周二 相澤
伸二 伊藤
正行 鞍野
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エヌイーシートーキン株式会社
エヌイーシートーキンセラミクス株式会社
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Abstract

(57)【要約】 過電流を遮断するためのヒューズ機能を備えた積層型コンデンサにおいて、セラミック体の内部に積層された同一極性の内部電極がそれぞれ引き出し電極を介してセラミック体の外表面に引き出されている。引き出し電極は、セラミック体の外表面に露出した端面を有する。ヒューズ機能用のフィルム電極は、引き出し電極の端面を覆うように外表面上に形成され、セラミック体上に形成された外部電極に接続される。フィルム電極は、金属粉末及び／又は有機金属化合物ペーストから作られる。ペーストは、ガラス形成成分の粉末を含む。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】 技術分野 本発明は、積層型セラミックコンデンサ、積層型圧電セラミックアクチュエー
タなどの、セラミック体を有し、複数の内部電極及びセラミック体上に形成され
リード端子として内部電極に接続された外部電極を備えた積層型電子装置に関し
、特に、過電流を遮断するためのヒューズ素子を備えた積層型セラミック装置に
関する。
【０００２】 背景技術 積層型電子装置の典型的なものは、セラミック材料から成るセラミック体から
成り、第１及び第２の組の内部電極と、セラミック体上の異なる位置に形成され
た第１及び第２の外部電極とを備えたセラミックコンデンサである。第１の組の
内部電極及び第２の組の内部電極は、セラミック体の内部で交互に配置され、セ
ラミック材料により互いに離間されている。第１及び第２の組の内部電極は、第
１及び第２の外部電極に接続されている、第１及び第２の内部電極に接続されて
いる。第１及び第２の外部電極は、コンデンサを外部回路に接続するためのリー
ド端子として機能する。
【０００３】 以下、第１の組の内部電極及び第２の組の内部電極を、以下において、しばし
ば、第１の内部電極及び第２の内部電極とそれぞれ呼ぶものとする。
【０００４】 セラミックコンデンサの製造において、第１及び第２の内部電極は、スクリー
ン印刷法により、それぞれセラミックグリーンシート上に形成する。次に、第１
の内部電極を有するグリーンシートと第２の内部電極を有するグリーンシートを
交互に積み重ねセラミック体を形成する。このセラミック体を焼成又は焼結する
ことにより、第１及び第２の内部電極を有する硬質セラミック体を形成する。次
いで、外部電極をセラミック体上に形成する。
【０００５】 積層型コンデンサでは、第１及び第２の内部電極のうち隣接するものが、何ら
かの欠陥、例えばセラミック体に存在するピンホール、により短路すると、短路
した内部電極を介して過電流が第１及び第２の内部電極間に流れ、外部回路更に
はコンデンサ自体の破壊を引き起こす。これは、重大な問題である。
【０００６】 積層型圧電セラミックアクチュエータも、上述したコンデンサと同様の構造を
有している。セラミック材料は、圧電材料であり、隣接する第１及び第２の内部
電極間で分極されている。この積層型圧電セラミックアクチュエータも同様の問
題を有している。
【０００７】 概して、外部電極に接続された複数の内部電極を備えたセラミック体を有する
電子装置は、同様の問題を有している。
【０００８】 この問題を解決するため、特開昭６３−３０５５０６号公報（参考例Ｉ）には
、外部電極に隣接する内部電極の各々に狭幅部を形成することが開示されている
。この狭幅部はヒューズ電極と呼ばれる。ヒューズ電極は、それを流れる過電極
により生じるジュール熱により溶融し破断する。
【０００９】 しかしながら、ジュール熱によりセラミック体そのものにクラックが生じると
いう別の問題が起こる。
【００１０】 特開平３−１５１４号公報（参考例ＩＩ）には、内部電極を外部電極に接続す
るためのワイヤ状ヒューズ素子を用いることが開示されている。外側電極をセラ
ミック体の外表面上に形成し、内部電極に接続する。外側電極は、ワイヤ状ヒュ
ーズ素子により外部電極に接続される。
【００１１】 ワイヤ状ヒューズ素子をセラミック体の外表面に延在させるのはめんどうであ
る。その上、隣接する１対の内部電極が短路しただけでも、ヒューズ素子が破断
する。これは、コンデンサがもはや使えなくなることを意味する。
【００１２】 発明の目的 そこで、本発明の目的は、外部電極に接続された複数の内部電極と、過電流か
ら保護するためのヒューズ機能を有する積層型セラミック電子装置において、過
電流が流れた内部電極のみを、セラミック体にクラックを生じさせることなく、
ヒューズ機能により内部電極と外部電極との間の接続から除外又は分離すること
により、装置の電子的特性を維持しつつ作動可能となした積層型セラミック電子
装置を提供することである。
【００１３】 また、本発明の別の目的は、表面実装型のヒューズ機能を備えた積層型セラミ
ック電子装置を提供することである。
【００１４】 本発明の別の目的は、改良された等価直列抵抗を有するヒューズ機能を備えた
積層型電子装置を提供することである。
【００１５】 発明の開示 本発明によれば、側面を含む外表面を有するセラミック材料から成るセラミッ
ク体と、セラミック体の内部に設けられ、互いに並行に延在するとともにセラミ
ック材料により互いに離間された１組の内部電極であって、各々の有する引き出
し電極が内部電極から側面に露出したそれぞれの端部まで延在している内部電極
と、外部電気回路に接続するための、セラミック体に設けられた外部電極と、外
部電極に接続され、側面上に形成され且つ各々の引き出し電極の端面上を共通し
て覆い引き出し電極に直接接続されたフィルム電極から成る積層型電子装置が得
られる。
【００１６】 少なくとも、外部電極から特定の内部電極にフィルム素子を介して流れる過電
流により生じる熱によってフィルム素子が部分的に溶融して、その特定の内部電
極に流れる過電流が遮断される。
【００１７】 １態様において、フィルム電極は、内部電極の融点よりも低い融点を有する金
属材料から成る。
【００１８】 １実施例において、フィルム電極は、０．５〜５０ミクロン（μｍ）の厚さを
有する。引き出し電極の各々は、５０〜８００ミクロン（μｍ）の幅を有する。
【００１９】 １例において、フィルム素子の金属材料として、Ａｇ，Ｐｄ，Ｃｕ，Ｎｉ，Ｓ
ｎ，Ｚｎ，Ｂｉ，Ｐｄ，Ｃｄの内から選択された金属又は合金を用いることが可
能である。
【００２０】 好ましい実施例において、フィルム電極は、電極金属ペーストを側面に塗布し
た後焼成することにより形成される焼成フィルムである。
【００２１】 好ましくは、電極金属ペーストは、電極金属粉末とこの粉末を懸濁させたキャ
リア溶剤から成る金属粉末ペーストである。
【００２２】 さらに好ましくは、金属粉末ペーストは、ガラス形成成分であるＳｉＯ２，Ａ
ｌ２Ｏ３，Ｂ２Ｏ３の中から選択された少なくとも１つをさらに含む。
【００２３】 更に、電極金属ペーストは、有機金属化合物の樹脂酸塩と樹脂酸塩を溶解させ
た有機溶剤から成る有機金属化合物ペーストである。有機金属化合物の樹脂酸塩
は、有機金属化合物と有機金属化合物に添加した樹脂から成る。
【００２４】 有機金属化合物は、ガラス形成成分であるＳｉ，Ａｌ，Ｂの内の少なくとも１
つを含むことが好ましい。
【００２５】 電極金属ペーストは、金属粉末ペースト及び金属粉末ペーストに混合した有機
金属化合物ペーストから成る混合ペーストであってもよい。金属粉末ペーストは
、ガラス形成成分であるＳｉＯ２，Ａｌ２Ｏ３，Ｂ２Ｏ３の中から選択された少
なくとも１つをさらに含むか、又は有機金属化合物が、ガラス形成成分であるＳ
ｉ，Ａｌ，Ｂの内の少なくとも１つを含むことが好ましい。
【００２６】 本発明の積層電子装置の実施例において、外部電極は、フィルム電極に重なっ
ている。外部電極とフィルム電極を同一材料から作ることもできる。
【００２７】 更に、外部電極とフィルム電極は、それらの間に形成された中空スペースによ
り互いに離間されていてもよいし、絶縁ガラス層を外部電極とフィルム電極の間
に部分的に介在させてもよい。
【００２８】 別の実施例において、外部電極は、外表面上の、フィルム電極とは概ね異なる
位置に形成される。
【００２９】 実施例において、外部電極とフィルム電極は外表面上の離間した位置に配置さ
れ、接続電極が外表面上のこれら離間した位置の間に形成され外部電極をフィル
ム電極に接続する。
【００３０】 更に、外部電極とフィルム電極は、部分的に僅かに重なりあっている。フィル
ム電極は保護ガラス層で被覆されている。保護ガラス層は、フィルム電極の融点
よりは低いが、外部電極を外部回路に半田づけするための半田づけ温度よりは高
い融点を有している。
【００３１】 上述した本発明の積層型電子装置において、側面と、１組の内部電極と、引き
出し電極と、外部電極と、フィルム電極はそれぞれ、第１の側面と、第１の組の
内部電極と、第１の引き出し電極と、第１の外部電極と、第１のフィルム電極で
ある。この装置は、セラミック体の内部に設けられた第２の組の内部電極であっ
て、各々が第２の引き出し電極を有し、その延在端が第１の引き出し電極と第１
の外部電極から離間した位置において外表面に露出している内部電極と、セラミ
ック体上に形成され、第１の引き出し電極と第１の外部電極からは離間している
第２の外部電極とをさらに備えている。しかしながら、第２の外部電極は、第２
の組の内部電極に共通に電気的に接続されている。
【００３２】 この積層型電子装置は、第２の外部電極に接続された第２のフィルム電極をさ
らに備えている。第２のフィルム電極は、外表面上に形成され且つ各々の第２の
引き出し電極の端面を共通して覆い第２の引き出し電極に直接接続されている。
少なくとも、第２の外部電極から特定の第２の組の内部電極に第２のフィルム電
極を介して流れる過電流により生じる熱によって第２のフィルム電極が部分的に
溶融して、その特定の第２の組の内部電極に流れる過電流が遮断される。
【００３３】 外表面は、第１の側面と第１の側面の両端の２つの対向する端面から成り、第
１及び第２の外部電極は第１及び第２の端面上に形成される。
【００３４】 第２の引き出し電極は、第１の側面に露出している。第２の引き出し電極と第
２の外部電極の間の距離は、第１の引き出し電極と第１の外部電極の間の距離と
同じである。
【００３５】 更に、外表面は、第１の側面に対向して第１及び第２の端面の間に設けられた
第２の側面をさらに備えている。第２の引き出し電極は、第２の側面に露出して
いる。
【００３６】 その上、第１及び第２のダミーフィルム電極が、第２及び第１の側面上に、互
いに対向して、且つ、第１及び第２のフィルム電極と対向する位置にそれぞれ設
けられている。
【００３７】 本発明の積層型電子装置の１例は、第１の組の内部電極の各々と、第２の組の
内部電極の各々が、セラミック体の内部で交互に配置された積層型コンデンサで
ある。
【００３８】 本発明の積層型電子装置の別の１例は、第１の組の内部電極の各々と、第２の
組の内部電極の各々が、セラミック体の内部で交互に配置された積層型圧電セラ
ミックアクチュエータであり、セラミック体は隣接する電極間の積層方向に分極
されている。
【００３９】 発明を実施するための最良の形態 図１を参照して、本発明の積層型セラミック電子装置のヒューズ機能について
最初に説明する。図示されるように、内部電極３０は、そこから、図示しないが
後述するセラミック体の側面に渡って延在する引き出し電極３０ａを有している
。点を施した領域により示す、引き出し電極３０ａの端面は、仮想線により示す
ように、フィルム電極４０の表面に接触され接続されている。フィルム電極４０
の、引き出し電極３０ａに接続された部分を、４０ａで示す。
【００４０】 引き出し電極３０ａと接続部４０ａとの接続を介して過電流が流れた場合、接
続部４０ａが溶融し、内部電極３０とフィルム電極４０との接続が溶断される。
このようにして、過電流が遮断される。
【００４１】 フィルム電極４０の接続部４０ａを溶融する又は溶断するための電流は、これ
を「溶断電流」と称するが、引き出し電極３０ａの幅及びフィルム電極４０の材
料厚により決定される。これらは、内部電極４０が通常１〜２ミクロンの厚さを
有するように設計されていることを考慮して、遮断すべき過電流値に応じて適宜
選択される。
【００４２】 引き出し電極３０ａの幅は、好ましくは５０〜８００ミクロンである。５０ミ
クロンより小さい場合、内部電極と外部電極との電気的な接続が十分でない。８
００ミクロンより大きいと、過電流を遮断することができないおそれがある。
【００４３】 フィルム電極４０の厚さは、０．５〜５０ミクロンであることが好ましい。５
０ミクロンより大きい場合、溶断電流が、例えば１０アンペア以上、と高くなる
。０．５ミクロンより小さいと、比較的高い値の溶断電流を選択することが難し
くなる。更に、コンデンサの等価直列抵抗ＥＲＲが結果的に大きくなる。
【００４４】 例えば、ヒューズ素子をもたない公知の積層型セラミックコンデンサの値とほ
ぼ等しい数ミリオーム（ｍΩ）から１００ミリオームのＥＳＲ値を得るためには
、引き出し電極３０ａの幅及びフィルム電極４０の厚さを、それぞれ３００〜８
００ミクロン及び２〜５０ミクロンの間で選択することが好ましい。一方、１０
０ミリオームから１オームといった、より高いＥＳＲ値を得るためには、引き出
し電極３０ａの幅及びフィルム電極４０の厚さを、それぞれ１００〜３００ミク
ロン及び０．５〜２ミクロンの間で選択することが好ましい。
【００４５】 金属粉末ペーストを塗布した後この塗布したペーストを焼成することによって
電極を形成する方法を用いることにより、フィルム電極４０の厚さを容易に制御
することが可能である。
【００４６】 しかしながら、金属粉末ペーストの代わりに、又は金属粉末ペーストと共に、
有機金属化合物ペーストを用いて厚さ制御を行うことがより好ましい。
【００４７】 通常、内部電極３０は、Ｎｉ，Ｎｉ合金，Ｐｄ，又はＡｇ−Ｐｄ合金から作成
される。内部電極は、上述のようにスクリーン印刷により形成される。セラミッ
ク体を焼成した後の内部電極の厚さは、通常１〜２ミクロンである。フィルム電
極４０は、Ａｇ，Ｐｄ，Ｃｕ，Ｎｉ，Ｓｎ，Ｚｎ，Ｂ，Ｐｂ又はＣｄ、或いはそ
れらの中から選択した金属の合金から作ることができる。
【００４８】 Ａｇ−Ｐｄ合金を内部電極４０に用いた場合、Ａｇ粉末ペーストを塗布して焼
成することによりフィルム電極４０を形成することが好ましい。７０％Ａｇ−３
０％Ｐｄ（重量）を内部電極３０に用いた場合には、フィルム電極４０には８０
％Ａｇ−２０％Ｐｄを用いる。一方、Ｎｉ，Ｎｉ合金，又はＰｄを内部電極３０
に用いた場合、Ｃｕ粉末ペーストを塗布して焼成することによりフィルム電極４
０が形成される。即ち、フィルム電極４０は、内部電極３０の融点よりも低い融
点を有するので、過電流が流れると、フィルム電極は内部電極よりも先に溶融す
る。
【００４９】 図２〜図４を参照して、一実施例による積層型セラミックコンデンサを説明す
る。図２に示すように、このコンデンサは、互いに対向する第１及び第２の側面
５０Ａ及び５０Ｂ並びに対向する端部を有する矩形のセラミック体５０と、第１
及び第２の側面５０Ａ及び５０Ｂ上にそれぞれ設けられた第１及び第２のフィル
ム電極４０１及び４０２と、セラミック体５０の対向する端部に設けられた第１
及び第２の外部電極６０１及び６０２とを備えている。第１及び第２のフィルム
電極４０１及び４０２は、部分的に第１及び第２の外部電極６０１及び６０２と
重なり、これらに接続されている。コンデンサは、例えば、３．２ｍｍ×１．６
ｍｍ×１．６ｍｍから５．７ｍｍ×５．０ｍｍ×５．０ｍｍの大きさを有してい
る。
【００５０】 図３を参照して、第１の内部電極３０（３０１及び３０２のみ示す）及び第２
の内部電極３２（３２１及び３２２のみ示す）をそれぞれ有する複数のセラミッ
クグリーンシート５２１〜５２ｎ（５２１〜５２５のみ示す）を用意する。
【００５１】 ペロブスカイト錯体化合物の誘電体粉末を有機溶剤中でバインダー材料と混合
してセラミックスラリーを形成し、このスラリーからドクターブレード法を用い
てセラミックグリーンシートを作成した。セラミックグリーンシートの各々は、
３０ミクロンの厚さを有しており、矩形形状を有している。グリーンシートの各
々はによって形成され矩形形状を有し３０ミクロンの厚さを有している。７０％
Ａｇ−３０％Ｐｄペーストをセラミックグリーンシート上にスクリーン印刷する
ことにより、第１及び第２の内部電極３０及び３２をそれぞれセラミックグリー
ンシート上に形成する。
【００５２】 第１及び第２の内部電極３０及び３２は、グリーンシートの対向する側まで延
在している第１の引き出し電極３０ａ（３０１ａ及び３０２ａのみ示す）及び第
２の引き出し電極３２ａ（３２１ａのみ示す）を有する。第１及び第２の引き出
し電極３０ａ及び３２ａの各々は、５００ミクロンの幅を持つように調整される
。
【００５３】 第１の内部電極３０を有するグリーンシート５２（５２２及び５２４のみ示す
）と第２の内部電極３２を有するグリーンシート５２（５２１及び５２３のみ示
す）を、最上部のグリーンシート５４１と基底部のグリーンシート５４２の間に
交互に積み重ね、セラミックグリーン体を形成する。セラミックグリーン体を焼
き付け、焼成、又は焼結することにより、図４に示すようなセラミック体５０を
形成する。セラミック体５０は、第１の内部電極からセラミック体５０の第１の
側面５０Ａまで延在する第１の引き出し電極３０ａと、第２の内部電極からセラ
ミック体５０の第２の側面５０Ｂまで延在する第２の引き出し電極３２ａを有す
る。即ち、第１及び第２の引き出し電極３０ａ及び３２ａは、それぞれの端部が
第１及び第２の側面５０Ａ及び５０Ｂに露出している。
【００５４】 次に、Ａｇペーストを塗布し焼成することにより、第１及び第２の外部電極６
０１及び６０２を互いに対向する第１及び第２の端部５０Ｃ及び５０Ｄ上に形成
する。第１及び第２の外部電極６０１及び６０２の各々は、図２に示すように、
第１及び第２の端部５０Ｃ及び５０Ｄから上面、下面及び第１及び第２の側面５
０Ａ及び５０Ｂまで延在するように形成される。
【００５５】 第１の外部電極６０１から第１の引き出し電極３０ａまでの距離は、第２の外
部電極６０２から第２の引き出し電極３２ａまでの距離と等しくなるように決定
される。
【００５６】 次に、第１及び第２の側面５０Ａ及び５０Ｂ上にＡｇペーストを塗布し焼成す
ることにより、第１及び第２の引き出し電極３０ａ及び３２ａとそれぞれ重なり
且つ第１及び第２の外部電極６０１及び６０２とそれぞれ部分的に重なるように
、第１及び第２のフィルム電極４０１及び４０２を形成する。塗布は、スクリー
ン印刷によって行なう。
【００５７】 こうして、図２に示すコンデンサが完成する。
【００５８】 フィルム電極４０１及び４０２は、ＳｉＯ２，Ａｌ２Ｏ３又はＢ２Ｏ３などの
ガラス形成成分を、金属ペーストに混合することにより、含むことが好ましい。
得られたフィルム電極は、コンデンサの第１及び第２の外部電極をプリント回路
のような外部回路に半田付けする時に、高温の半田から保護することができる。
【００５９】 金属粉末ペーストの代わりに、有機金属化合物ペーストを用いて第１及び第２
のフィルム電極４０１及び４０２を形成することもできる。有機金属化合物ペー
ストは、有機金属化合物と、有機溶剤及び樹脂の両方に塩を溶解したものから成
る。有機金属化合物は、有機金属組成物とその組成物を溶解した有機溶剤から成
る。有機金属塩中の金属は、金属粉末ペーストに含まれるものと同一である。
【００６０】 フィルム電極を半田付けから保護するために、有機金属化合物が、ガラス形成
成分であるＳｉ，Ａｌ，Ｂの内の少なくとも１つを含むことが好ましい。
【００６１】 図５を参照して、図２のコンデンサは、セラミック体５０の第２及び第１の側
面５０Ｂ及び５０Ａ上に、第１及び第２のダミーフィルム電極４０３及び４０４
をそれぞれ設けることにより変形したものである。第１及び第２のダミーフィル
ム電極４０３及び４０４はそれぞれ、第１及び第２のフィルム電極４０１及び４
０２と対称的に配置されている。第１及び第２のダミーフィルム電極４０３及び
４０４は、第１及び第２の外部電極６０１及び６０２に接続されているが、内部
電極には全く接続されていない。第１及び第２のダミーフィルム電極４０３及び
４０４は、電気的には何の意味もないが、フィルム電極４０１及び４０２を形成
するためにセラミック体５０の向きを調整する必要がなくなるため、ダミー電極
を用いるとコンデンサの製造が容易になる。
【００６２】 Ａｇ粉末ペーストを用いて、厚さの異なるヒューズ電極４０を備えた図２のコ
ンデンサのサンプルを製造した。引き出し電極３０ａ及び３２ａの幅は、一定値
の５００ミクロンとした。
【００６３】 ５ミクロンの厚さの電極４０を形成するために、有機金属化合物ペーストを用
いて別のサンプルを製造したが、これらは引き出し電極３０ａ及び３２ａの幅が
異なっていた。
【００６４】 ５ミクロンの厚さを有するフィルム電極４０を作成するために、Ａｇ粉末ペー
ストと有機金属化合物ペーストの比率が１：１の混合物を用いて、別のサンプル
を製造した。引き出し電極３０ａ及び３２ａの幅は５００ミクロンとした。
【００６５】 すべてのサンプルに対し、溶断電流、溶断時間、キャパシタンス、及びＥＳＲ
についての測定を行なった。測定データを、表１に示す。
【００６６】
【表１】 比較として、フィルム電極はもたないがサンプルと同一の構造及び種々の部分
がサンプルと同じサイズである公知の積層型セラミックコンデンサを製造し、測
定を行なった。表１に、これらのサンプルのキャパシタンス及びＥＳＲを、既知
のキャパシタンスからの変動レートにより示した。
【００６７】 図６は、引き出し電極３０ａの幅と溶断電流との関係を示す。
【００６８】 試験結果から、サンプル２〜６、９〜１１、１３及び１４は、良好な特性を有
することが分かる。それ故、フィルム電極４０の厚さは０．５〜５０ミクロンで
あり、引き出し電極３０ａ及び３２ａの幅は５０〜８００ミクロンであることが
好ましい。
【００６９】 図７は、８０Ａｇ−２０Ｐｄ粉末ペースト（曲線Ａ）及びＡｇ−Ｐｄ有機金属
（８０Ａｇ−２０Ｐｄ）塩ペースト（曲線Ｂ）をそれぞれ用いて形成したフィル
ム電極４０に関する溶断電流と溶断時間との関係を示す。この結果から、有機金
属化合物ペーストを用いた方が、金属粉末ペーストを用いた場合と比べて、溶断
時間の点で好ましいことが分かる。
【００７０】 図８及び図９によれば、図示の積層型セラミックコンデンサは、第１の引き出
し電極３０ａ及び第２の引き出し電極３２ａが同一の側面５０Ａ上に形成されて
いること以外は、図２〜図４に示すコンデンサと同様である。そこで、同様の部
分には、図２〜図４のものと同一の参照番号を付し、詳細には説明しない。
【００７１】 図２及び図８の実施例に関して外部電極６０がフィルム電極３０及び３２の形
成前に形成されると述べたが、外部電極６０はフィルム電極３０及び３２を形成
した後でも形成可能である。
【００７２】 図１０Ａ〜図１０Ｅによれば、複数のセラミック体５０は、図１０Ａに示すよ
うに、キャリア７０上に搭載される。一方、作業テーブル７２を用意し、ペース
ト７４、例えば、有機金属ペーストの層を、図１０Ｂに示すように、スクイ−ジ
ング（圧搾）ブレード７６を用いて作業テーブルの上表面に延ばす。キャリア７
０を動かして、図１０Ｃに示すように、各セラミック体５０の一端部をペースト
層７４上に押しつける。その結果、ペースト７４が付着して、セラミック体５０
の下端面及び両側面の下部を覆う。その後、図１０Ｄに示すように、キャリア７
０を、ペーストの無い平坦な表面を有する別の作業テーブル７６に移送する。図
１０Ｄに示すように、セラミック体５０を、作業テーブル７６の平坦面に押しつ
けて、次いで横に動かす。これにより、ペースト７４は下端面からは取り除かれ
るが、セラミック体５０の両側面の下部には接着している。ペースト７４を硬化
させた後、セラミック体５０の反対側に対しても同様の作業を行なう。このよう
にして、フィルム電極４０１及び４０２及びダミーフィルム電極４０３及び４０
４が、セラミック体５０上に形成される。その後、外部電極６０１及び６０２を
、セラミック体の両端上に形成し、次いで、焼成することにより、図１１に示す
ようなコンデンサが完成する。
【００７３】 図１２〜図１５を参照して、図示の別の実施例によるコンデンサは、第１の内
部電極３０及び第２の内部電極３２が２つの対向する引き出し電極３０ａ、３０
ｂ、３２ａ及び３２ｂを備えていること、そしてフィルム電極が外部電極と一体
に形成されていること以外は図２及び８ａの実施例と同様である。そこで、同様
の部分には、同一の参照番号を付し、詳細には説明しない。
【００７４】 図１４に良く示されているように、第１の内部電極３０は、グリーンシート５
２２上に形成され、グリーンシートの端部近傍において両側まで延在する２つの
引き出し電極３０ａ及び３０ｂを有している。更に、第２の内部電極３２が、別
のグリーンシート５２１上に形成され、グリーンシートの反対側の端部近傍にお
いて両側まで延在する２つの引き出し電極３２ａ及び３２ｂを有している。第１
の内部電極３０及び第２の内部電極３２を有する複数のグリーンシート（５２１
及び５２２の２つのみを示す）を交互に積み重ねて、図１５に示すようなセラミ
ック体５０を形成する。この実施例では、電極をもたないグリーンシート５４４
及び５４５を、内部電極を有する隣接するグリーンシートの間に介在させること
により、キャパシタンスを調節する。しかしながら、電極をもたないグリーンシ
ート５４４及び５４５は、もし必要がなければ、図３に示すように省略してもよ
い。更に、頂部及び底部のプレート（図３における５４１及び５４２）は図示し
ていないが用いられている。
【００７５】 図１５を参照して、引き出し電極３０ａ及び３０ｂは、第１の端部５０Ｃの近
傍において、それぞれ、セラミック体５０の第１及び第２の側面５０Ａ及び５０
Ｂに露出している。更に、引き出し電極３２ａ及び３２ｂも、第２の端部５０Ｄ
の近傍において、それぞれ、セラミック体５０の第２及び第１の側面５０Ｂ及び
５０Ａに露出している。
【００７６】 次に、上述したようなフィルム電極を形成するためのペーストを用いて、図１
２及び図１３に示すように、第１及び第２の端部５０Ｃ及び５０Ｄの近傍の部分
にそれぞれ、第１及び第２の外部電極８０１及び８２を形成する。コンデンサを
プリント回路基板の外部回路に実装する際の半田付けから外部電極８０１及び８
０２を保護するため、用いられる金属粉末ペーストには、ＳｉＯ２，Ａｌ２Ｏ３ ，Ｂ２Ｏ３などのガラス形成成分を含めるべきである。一方、用いられる有機金
属化合物ペーストにも、ガラス形成成分であるＳｉ，Ａｌ，Ｂなどを含めるべき
である。
【００７７】 セラミック体５０の第１及び第２の側面５０Ａ及び５０Ｂ上に形成された第１
の外部電極８０１の部分８０１ａ及び８０１ｂは、それぞれ、引き出し電極３０
ａ及び３０ｂの上に重なると共にこれらに接続しており、過電流を遮断するため
のフィルム電極４０として機能する。一方、セラミック体５０の第２及び第１の
側面５０Ｂ及び５０Ａ上に形成された第２の外部電極８０２の部分８０２ａ及び
８０２ｂは、それぞれ、引き出し電極３２ａ及び３２ｂの上に重なると共にこれ
らに接続しており、過電流を遮断するためのフィルム電極４０として機能する。
【００７８】 図１６を参照して、フィルム電極のヒューズ機能を確認するため、試験片１０
０を形成する。試験片１００は、セラミックグリーンシート５６とグリーンシー
ト５６上に形成された内部電極３３から構成される。内部電極３３は、グリーン
シート５６の一端部の近傍において、その両側まで延在する２つの対向する引き
出し電極３３ａ及び３３ｂと、グリーンシート５６の反対側の端部の近傍におい
て、その両側まで延在する別の２つの対向する引き出し電極３３ｃ及び３３ｄを
有する。
【００７９】 試験片１００を、第１及び第２の内部電極を備えた複数のグリーンシート５２
１及び５２２（図１４）と共に積層し、図１５に示すような、但し試験片を含む
セラミック体５０を形成する。次に、図１２及び１３に示すように、外部電極８
０１及び８０２を形成する。これにより、２つの引き出し電極３３ａ及び３３ｂ
が外部電極８０１に接続され、他の２つの引き出し電極３３ｃ及び３３ｄは第２
の外部電極８０２に接続される。それ故、第１及び第２の外部電極８０１及び８
０２は、試験片１００を介して短絡する。これは、隣接する第１及び第２の内部
電極が短絡したかのようなシミュレーションである。
【００８０】 直流電源を外部電極８０１及び８０２を介して接続し、外部電極８０１及び８
０２に直流電流を流す。直流電流を３アンペアまで増加させたところ、急速に０
となった。その後は、コンデンサを介して電流を流すことが不可能であった。Ｌ
ＣＲメーターを用いて、キャパシタンス、誘電損失及びキャパシタンスの絶縁抵
抗を測定した。その結果、これらが正常値であることが確認された。これは、電
流の流れが遮断され、試験片１００の内部電極３３が外部電極との接続から切り
離されたことを意味する。
【００８１】 図１７〜図１９を参照して、図示された別の実施例によるコンデンサは、引き
出し電極３０ａ及び３２ａが、側面５０Ａ及び５０Ｂではなく端面５０Ｃ及び５
０Ｄのそれぞれに露出していること以外は、図２のものと同様である。よって、
フィルム電極４０１及び４０２はやはり、端面５０Ｃ及び５０Ｄ上にそれぞれ形
成されている。外部電極６０１及び６０２は、フィルム電極４０１及び４０２上
にそれぞれ形成されるが、フィルム電極と外部電極４０１−６０１及び４０２と
６０２の間にそれぞれ部分的中空スペース６２１及び６２２が設けられている。
中空スペース６２１及び６２２は、フィルム電極が過電流により溶融することを
可能にするとともに、溶融した金属を収容するためのものである。
【００８２】 図２０を参照すると、内部電極３０及び３２が、セラミック体５０の両端部５
０Ｃ及び５０Ｄに引き出された対向する引き出し電極を備えた、図１７〜１９の
コンデンサの変形が示されている。内部電極３０の対向する引き出し電極のうち
の１つ及び内部電極３２の対向する引き出し電極のうちの１つは、それぞれ端面
５０Ｄ及び５０Ｃ上で、絶縁体５８に覆われている。
【００８３】 図２１〜図２３を参照して、図示された別の実施例によるコンデンサは、第２
の内部電極３２の引き出し電極３２ａ及び３２ｂがセラミック体５０の両端部５
０Ｃ及び５０Ｄの間の中間位置において、それぞれセラミック体５０の側面５０
Ａ及び５０Ｂまで引き出されていること以外は、図１２〜図１５のコンデンサと
同様である。一方、第１の内部電極３０は、引き出し電極をもっていないが、図
２２及び図２３に示すように、その一端がセラミック体５０の一端部５０Ｃにお
いて３０ｅで示すように露出している。
【００８４】 外部電極６０１及び６０２は両端部５０Ｃ及び５０Ｄの部分にそれぞれ形成さ
れる。よって、外部電極６０１は、図２１に示すように、第１の内部電極３０に
直接接続される。フィルム電極４０１及び４０２は、セラミック体の側面５０Ａ
及び５０Ｂの、引き出し電極３２ａ及び３２ｂが露出している位置に形成される
。更に、接続電極４２１及び４２２を、側面５０Ａ及び５０Ｂにそれぞれ形成し
、フィルム電極４０１及び４０２を外部電極６０２に接続する。即ち、第２の内
部電極は、図２１に示すように、フィルム電極４０１及び４０２と接続電極４２
１及び４２２を介して外部電極６０２に接続される。
【００８５】 接続電極４２１及び４２２を、フィルム電極４０１及び４０２と同一のペース
トで作ってもよいし、異なるペーストで作ってもよい。
【００８６】 図２４を参照すると、引き出し電極３２ａのみで他方の引き出し電極（図２２
における３２ｂ）を形成しない、第２の内部電極の変形例が示されている。従っ
て、図２１のフィルム電極４０２と接続電極４２２を省略することができるが、
ダミー電極として設けてもよい。
【００８７】 図２５〜図２７を参照して、図２のコンデンサの変形例が示されている。同様
の部分には、同一の参照番号を付す。第１及び第２の内部電極３０及び３２の引
き出し電極３０ａ及び３２ａは、セラミック体５０の両端部５０Ｃ及び５０Ｄの
中間の位置で、セラミック体５０の側面５０Ａ及び５０Ｂに露出している。それ
故、フィルム電極４０１及び４０２は、側面５０Ａ及び５０Ｂ上の中間位置に形
成され、接続電極４２３及び４２４は、それぞれ側面５０Ａ及び５０Ｂ上に形成
される。接続電極４２３及び４２４は、それぞれ、フィルム電極４０１及び４０
２を、セラミック体５０の両端部上に形成された外部電極６０１及び６０２に接
続する。
【００８８】 図２１〜図２３及び図２５〜図２７のコンデンサの２つのサンプル（実施例１
及び実施例２）を作成した。引き出し電極３０ａ，３０ｂ，３２ａ及び３２ｂを
、４００ミクロンの幅をもたせて形成し、ＳｉＯ２−Ｂ２Ｏ３ガラス粉末を含有
するＡｇ粉末ペーストを塗布焼成することにより、焼成後５ミクロンの厚さを有
するように、フィルム電極４０１及び４０２を形成した。接続電極４２３及び４
２４は、Ａｇ粉末ペーストを塗布焼成することにより形成した。
【００８９】 これらのサンプルについてインピーダンス−周波数特性を測定した。測定結果
を図２８に示す。比較として、図には、同一のサイズと同一の容量をもち、但し
、ヒューズ機能用のフィルム電極をもたない公知のコンデンサのインピーダンス
の周波数特性を示す。
【００９０】 図２８において、ＥＳＲは、特性曲線の下部におけるインピーダンスに対応し
ている。本発明の実施例１及び２は、公知のものより僅かに高いが、公知のコン
デンサの値と実質的に同等のＥＳＲを有していることが分かる。
【００９１】 上述した実施例において、１つのセラミック材料のみを用いたが、従来技術に
おいて知られている種々のセラミック材料を本発明において用いることができる
。
【００９２】 本発明を、積層型セラミックコンデンサの実施例に関して説明したが、当業者
であれば、本発明を積層型セラミックアクチュエーター、バリスタ、その他の積
層型電子装置に用いることができることが理解できよう。
【００９３】 産業上の利用可能性 本発明によれば、小型で、構造が単純であり、製造が容易で、低コストである
、ヒューズ機能を備えた積層型電子装置を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明の積層型セラミックコンデンサにおけるフィルム電極のヒューズ機能を
説明するための、内部電極とフィルム電極の接続を示す斜視図である。
【図２】 本発明の実施例による積層型コンデンサを示す斜視図である。
【図３】 図２のコンデンサにおける内部電極を備えたセラミック体を、内部構造を示す
ために組立て前の状態で示した斜視図である。
【図４】 組立てた状態の図３のセラミック体を示す斜視図である。
【図５】 図２の積層型コンデンサの１つの変形例を示す斜視図である。
【図６】 図２の積層型コンデンサにおけるヒューズ用フィルム電極に接続された内部電
極の引き出し電極の幅に対する溶断電流の試験データを示すグラフである。
【図７】 溶断時間と溶断電流の試験データを示すグラフである。
【図８】 図８は別の実施例による積層型コンデンサを示す斜視図である。
【図９】 図８の積層型コンデンサのセラミック体を示す、図３と同様な斜視図である。
【図１０】 Ａ〜Ｅは、フィルム電極を有するセラミック体上に外部電極を形成するための
各工程を示す図である。
【図１１】 図１０Ａ〜図１０Ｅの工程により形成された外部電極を備えた積層型セラミッ
クコンデンサの部分断面図である。
【図１２】 別の実施例による積層型コンデンサを示す斜視図である。
【図１３】 図１２のＸＩＩＩ−ＸＩＩＩ線断面図である。
【図１４】 図１２及び図１３のコンデンサのセラミック体を示す、図３と同様な斜視図で
ある。
【図１５】 図１４の状態から組立てたセラミック体の斜視図である。
【図１６】 ２つの外部電極の間に短路を起こすための内部電極の試験片の斜視図である。
【図１７】 別の実施例による積層型コンデンサの断面図である。
【図１８】 図１７のコンデンサのセラミック体を示す、図３と同様な斜視図である。
【図１９】 図１８の状態から組立てたセラミック体の斜視図である。
【図２０】 図１７のコンデンサを変形したコンデンサの断面図である。
【図２１】 別の実施例による積層型コンデンサの斜視図である。
【図２２】 図２１のコンデンサのセラミック体を示す、図３と同様な斜視図である。
【図２３】 図２２の状態から組立てたセラミック体の斜視図である。
【図２４】 図２２の第１の内部電極の変形形状を示す斜視図である。
【図２５】 別の実施例による積層型コンデンサの斜視図である。
【図２６】 図２５のコンデンサのセラミック体を示す、図３と同様な斜視図である。
【図２７】 図２６の状態から組立てたセラミック体の斜視図である。
【図２８】 ヒューズ機能をもたない公知の積層型コンデンサとの比較において、図２１及
び図２５の積層型コンデンサのインピーダンス対周波数特性を示す図である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (31)優先権主張番号 特願平11−171086 (32)優先日 平成11年６月17日(1999．6．17) (33)優先権主張国 日本（ＪＰ） (81)指定国 ＣＮ，ＤＥ，ＪＰ，ＳＧ，ＵＳ (72)発明者 伊藤 伸二 兵庫県宍粟郡山崎町須賀沢231番地 トー キンセラミクス株式会社内 (72)発明者 鞍野 正行 兵庫県宍粟郡山崎町須賀沢231番地 トー キンセラミクス株式会社内 Ｆターム(参考） 5E001 AB03 AH01 AH09 AJ01 AJ02 5E082 AA01 AB03 BC05 EE04 EE23 FF05 FG26

Claims (29)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 側面を含む外表面を有するセラミック材料から成るセラミッ
    ク体と、 前記セラミック体の内部に設けられ、互いに並行に延在するとともに前記セラ
    ミック材料により互いに離間された１組の内部電極であって、各々から前記側面
    に露出したそれぞれの端部まで延在している引き出し電極を有する前記内部電極
    と、 外部電気回路に接続するための、前記セラミック体に設けられた外部電極と、 前記外部電極に接続され、前記側面上に形成され且つ前記各々の引き出し電極
    の端面上を共通して覆い前記引き出し電極に直接接続されたフィルム電極と を備えたことを特徴とする積層型電子装置。
  2. 【請求項２】 前記フィルム電極が、前記内部電極の融点よりも低い融点を
    有する金属材料から成ることを特徴とする請求項１に記載の積層型電子装置。
  3. 【請求項３】 前記フィルム電極が、０．５〜５０ミクロン（μｍ）の厚さ
    を有することを特徴とする請求項１又は２に記載の積層型電子装置。
  4. 【請求項４】 前記引き出し電極の各々が、５０〜８００ミクロン（μｍ）
    の幅を有することを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の積層型電子装
    置。
  5. 【請求項５】 前記金属材料が、Ａｇ，Ｐｄ，Ｃｕ，Ｎｉ，Ｓｎ，Ｚｎ，Ｂ
    ｉ，Ｃｄの内から選択された少なくとも１つであることを特徴とする請求項１乃
    至４の内のいずれか一つに記載の積層型電子装置。
  6. 【請求項６】 前記フィルム電極が、電極金属ペーストを前記側面に塗布し
    た後焼成することにより形成される焼成フィルムであることを特徴とする請求項
    １乃至５のいずれか一つに記載の積層型電子装置。
  7. 【請求項７】 前記電極金属ペーストが、電極金属粉末と前記粉末を懸濁さ
    せたキャリア溶剤から成る金属粉末ペーストであることを特徴とする請求項６に
    記載の積層型電子装置。
  8. 【請求項８】 前記金属粉末ペーストが、ガラス形成成分であるＳｉＯ２，
    Ａｌ２Ｏ３，Ｂ２Ｏ３の中から選択された少なくとも１つをさらに含むことを特
    徴とする請求項７に記載の積層型電子装置。
  9. 【請求項９】 前記電極金属ペーストが、有機金属化合物の樹脂酸塩と前記
    樹脂酸塩を溶解させた有機溶剤から成る有機金属化合物ペーストであり、前記有
    機金属化合物の樹脂酸塩が有機金属化合物と前記有機金属化合物に添加した樹脂
    とから成ることを特徴とする請求項６に記載の積層型電子装置。
  10. 【請求項１０】 前記有機金属化合物が、ガラス形成成分であるＳｉ，Ａｌ
    ，Ｂの内の少なくとも１つを含むことを特徴とする請求項９に記載の積層型電子
    装置。
  11. 【請求項１１】 前記電極金属ペーストが、金属粉末ペースト及び前記金属
    粉末ペーストに混合した有機金属化合物ペーストから成る混合ペーストであり、
    前記金属粉末ペーストは電極金属粉末と前記粉末を懸濁させたキャリア溶剤から
    成り、前記有機金属化合物ペーストは有機金属化合物の樹脂酸塩と前記樹脂酸塩
    を溶解させた有機溶剤から成り、前記有機金属化合物の樹脂酸塩が有機金属化合
    物と有機金属化合物に添加した樹脂から成ることを特徴とする請求項６に記載の
    積層型電子装置。
  12. 【請求項１２】 前記金属粉末ペーストが、ガラス形成成分であるＳｉＯ２ ，Ａｌ２Ｏ３，Ｂ２Ｏ３の中から選択された少なくとも１つをさらに含むことを
    特徴とする請求項１１に記載の積層型電子装置。
  13. 【請求項１３】 前記有機金属化合物が、ガラス形成成分であるＳｉ，Ａｌ
    ，Ｂの内の少なくとも１つを含むことを特徴とする請求項１１に記載の積層型電
    子装置。
  14. 【請求項１４】 前記外部電極が、前記フィルム電極に重なっていることを
    特徴とする請求項１乃至１３の内のいずれかに記載の積層型電子装置。
  15. 【請求項１５】 前記外部電極と前記フィルム電極が同一材料から作られて
    いることを特徴とする請求項１４に記載の積層型電子装置。
  16. 【請求項１６】 前記外部電極と前記フィルム電極が、それらの間に形成さ
    れた中空スペースにより互いに離間されていることを特徴とする請求項１４に記
    載の積層型電子装置。
  17. 【請求項１７】 前記外部電極と前記フィルム電極の間に部分的に介在させ
    た絶縁ガラス層をさらに有することを特徴とする請求項１４に記載の積層型電子
    装置。
  18. 【請求項１８】 前記外部電極が、前記外表面上の、前記フィルム電極とは
    概ね異なる位置に形成されることを特徴とする請求項１乃至１３の内のいずれか
    に記載の積層型電子装置。
  19. 【請求項１９】 前記外部電極と前記フィルム電極が前記外表面上の離間し
    た位置に配置され、接続電極が前記外表面上の前記離間した位置の間に形成され
    前記外部電極を前記フィルム電極に接続することを特徴とする請求項１８に記載
    の積層型電子装置。
  20. 【請求項２０】 前記外部電極と前記フィルム電極が、部分的に僅かに重な
    りあっていることを特徴とする請求項１８に記載の積層型電子装置。
  21. 【請求項２１】 前記フィルム電極が保護ガラス層で被覆され、前記保護ガ
    ラス層は、前記フィルム電極の融点よりは低いが、前記外部電極を前記外部回路
    に半田づけするための半田づけ温度よりは高い融点を有していることを特徴とす
    る請求項２０に記載の積層型電子装置。
  22. 【請求項２２】 請求項１乃至２１の内のいずれか一つに記載の積層型電子
    装置において、前記側面と、前記１組の内部電極と、前記引き出し電極と、前記
    外部電極と、前記フィルム電極がそれぞれ、第１の側面と、第１の組の内部電極
    と、第１の引き出し電極と、第１の外部電極と、第１のフィルム電極であり、更
    に、前記セラミック体の内部に設けられた第２の組の内部電極を有し、前記第２
    の組の内部電極は前記第１の引き出し電極と前記第１の外部電極から離間した位
    置において前記外表面に露出している延在端を夫々有する第２の引き出し電極と
    を備えており、、前記第１の引き出し電極と前記第１の外部電極からは離間して
    前記セラミック体上に形成され前記第２の組の内部電極に共通に電気的に接続さ
    れた第２の外部電極とを備えたことを特徴とする積層型電子装置。
  23. 【請求項２３】 前記第２の外部電極に接続された第２のフィルム電極をさ
    らに備え、前記第２のフィルム電極が、前記外表面上に形成され且つ前記各々の
    第２の引き出し電極の端面を共通して覆い前記第２の引き出し電極に直接接続さ
    れていることを特徴とする請求項２２に記載の積層型電子装置。
  24. 【請求項２４】 前記外表面が、前記第１の側面と、前記第１の側面の両端
    の２つの対向する端面から成り、前記第１及び第２の外部電極が前記第１及び第
    ２の端面上に形成されていることを特徴とする請求項２３に記載の積層型電子装
    置。
  25. 【請求項２５】 前記第２の引き出し電極は前記第１の側面に露出し、前記
    第２の引き出し電極と前記第２の外部電極の間の距離が、前記第１の引き出し電
    極と前記第１の外部電極の間の距離と同じであることを特徴とする請求項２４に
    記載の積層型電子装置。
  26. 【請求項２６】 前記外表面が、前記第１の側面に対向して前記第１及び第
    ２の端面の間に設けられた第２の側面をさらに備え、前記第２の引き出し電極は
    前記第２の側面に露出していることを特徴とする請求項２４に記載の積層型電子
    装置。
  27. 【請求項２７】 前記第２及び第１の側面上に、互いに対向して、且つ、前
    記第１及び第２のフィルム電極と対向する位置にそれぞれ設けられた第１及び第
    ２のダミーフィルム電極をさらに有することを特徴とする請求項２６に記載の積
    層型電子装置。
  28. 【請求項２８】 前記第１の組の内部電極の各々と、前記第２の組の内部電
    極の各々が、前記セラミック体の内部で交互に配置された積層型コンデンサであ
    ることを特徴とする請求項２２乃至２７の内のいずれかに記載の積層型電子装置
    。
  29. 【請求項２９】 前記第１の組の内部電極の各々と、前記第２の組の内部電
    極の各々が、前記セラミック体の内部で交互に配置された積層型圧電セラミック
    アクチュエータであり、前記セラミック体は隣接する電極間の積層方向に分極さ
    れていることを特徴とする請求項２２乃至２７の内のいずれかに記載の積層型電
    子装置。
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Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007503732A (ja) * 2003-01-31 2007-02-22 エックストゥーワイ アテニュエイターズ，エル．エル．シー． 遮蔽エネルギー調整器
JP2012059911A (ja) * 2010-09-09 2012-03-22 Murata Mfg Co Ltd 積層セラミックコンデンサ
JP2012080079A (ja) * 2010-09-06 2012-04-19 Murata Mfg Co Ltd 電子部品
WO2012132684A1 (ja) * 2011-03-28 2012-10-04 株式会社村田製作所 電子部品
JP2013165218A (ja) * 2012-02-13 2013-08-22 Murata Mfg Co Ltd 積層セラミックコンデンサの製造方法及び積層セラミックコンデンサ
JP2014187289A (ja) * 2013-03-25 2014-10-02 Murata Mfg Co Ltd 積層セラミックコンデンサ
JP2015005774A (ja) * 2010-09-06 2015-01-08 株式会社村田製作所 電子部品
JP2016025301A (ja) * 2014-07-24 2016-02-08 株式会社村田製作所 コンデンサ素子およびその製造方法
JP2017118003A (ja) * 2015-12-25 2017-06-29 株式会社村田製作所 積層セラミック電子部品
JP2018186283A (ja) * 2013-12-24 2018-11-22 京セラ株式会社 積層型電子部品およびその実装構造体
KR20210144498A (ko) * 2020-05-22 2021-11-30 최항 금속필러가 포함된 유리페이스트를 이용한 단락저항기제조와 단락신뢰성

Families Citing this family (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6411012B2 (en) * 1999-12-08 2002-06-25 Tdk Corporation Multilayer piezoelectric element and method of producing the same
JP3794292B2 (ja) * 2001-07-03 2006-07-05 株式会社村田製作所 圧電型電気音響変換器およびその製造方法
US7152291B2 (en) 2002-04-15 2006-12-26 Avx Corporation Method for forming plated terminations
JP3861809B2 (ja) * 2002-12-27 2006-12-27 株式会社村田製作所 圧電振動板およびこの圧電振動板を用いた圧電型電気音響変換器
JP4097268B2 (ja) * 2004-02-26 2008-06-11 Ｔｄｋ株式会社 積層コンデンサ
WO2006131096A1 (de) * 2005-06-09 2006-12-14 Epcos Ag Piezoelektrisches bauelement mit isolationsabsicherung
US7932471B2 (en) * 2005-08-05 2011-04-26 Ngk Spark Plug Co., Ltd. Capacitor for incorporation in wiring board, wiring board, method of manufacturing wiring board, and ceramic chip for embedment
US7164573B1 (en) * 2005-08-31 2007-01-16 Kemet Electronic Corporation High ESR or fused ceramic chip capacitor
US8717777B2 (en) * 2005-11-17 2014-05-06 Avx Corporation Electrolytic capacitor with a thin film fuse
DE102007004874A1 (de) * 2006-10-02 2008-04-03 Robert Bosch Gmbh Piezoaktor, bestehend aus übereinander gestapelten, elektrisch kontaktierten Piezoelementen
US7532457B2 (en) * 2007-01-15 2009-05-12 Avx Corporation Fused electrolytic capacitor assembly
US8154376B2 (en) * 2007-09-17 2012-04-10 Littelfuse, Inc. Fuses with slotted fuse bodies
JP4687757B2 (ja) * 2008-07-22 2011-05-25 株式会社村田製作所 積層セラミック電子部品の製造方法
KR102057909B1 (ko) * 2013-06-14 2019-12-20 삼성전기주식회사 적층 세라믹 커패시터 및 적층 세라믹 커패시터의 실장 기판
KR101489816B1 (ko) * 2013-07-22 2015-02-04 삼성전기주식회사 기판 내장용 적층 세라믹 전자부품 및 적층 세라믹 전자부품 내장형 인쇄회로기판
KR102076151B1 (ko) * 2013-08-26 2020-02-11 삼성전기주식회사 기판 내장용 적층 세라믹 전자부품 및 적층 세라믹 전자부품 내장형 인쇄회로기판

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB2136206B (en) 1983-03-02 1986-10-08 Standard Telephones Cables Ltd Fused ceramic capacitor
US4680670A (en) 1986-09-29 1987-07-14 Avx Corporation Fail safe ceramic capacitor
JPS63305506A (ja) 1987-06-06 1988-12-13 Murata Mfg Co Ltd 積層形コンデンサ
JPH0267707A (ja) * 1988-09-01 1990-03-07 Nec Corp 積層セラミックコンデンサおよびその製造方法
JPH0831393B2 (ja) 1989-05-29 1996-03-27 株式会社村田製作所 ヒューズ付積層セラミックコンデンサ
JPH08148029A (ja) * 1994-11-24 1996-06-07 Murata Mfg Co Ltd 導電性ペースト及び該導電性ペーストを用いて形成された電子部品の外部電極
JPH08180731A (ja) * 1994-12-26 1996-07-12 Murata Mfg Co Ltd 導電性厚膜組成物、厚膜電極、セラミック電子部品、および積層セラミックコンデンサ
JPH11329073A (ja) * 1998-05-19 1999-11-30 Murata Mfg Co Ltd 導電ペースト及びそれを用いたセラミック電子部品

Cited By (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007503732A (ja) * 2003-01-31 2007-02-22 エックストゥーワイ アテニュエイターズ，エル．エル．シー． 遮蔽エネルギー調整器
JP2012080079A (ja) * 2010-09-06 2012-04-19 Murata Mfg Co Ltd 電子部品
JP2015005774A (ja) * 2010-09-06 2015-01-08 株式会社村田製作所 電子部品
JP2015165595A (ja) * 2010-09-06 2015-09-17 株式会社村田製作所 電子部品
JP2012059911A (ja) * 2010-09-09 2012-03-22 Murata Mfg Co Ltd 積層セラミックコンデンサ
JP5811174B2 (ja) * 2011-03-28 2015-11-11 株式会社村田製作所 電子部品及びその製造方法
WO2012132684A1 (ja) * 2011-03-28 2012-10-04 株式会社村田製作所 電子部品
US9558886B2 (en) 2011-03-28 2017-01-31 Murata Manufacturing Co., Ltd. Electronic component
JP2013165218A (ja) * 2012-02-13 2013-08-22 Murata Mfg Co Ltd 積層セラミックコンデンサの製造方法及び積層セラミックコンデンサ
JP2014187289A (ja) * 2013-03-25 2014-10-02 Murata Mfg Co Ltd 積層セラミックコンデンサ
JP2018186283A (ja) * 2013-12-24 2018-11-22 京セラ株式会社 積層型電子部品およびその実装構造体
JP2016025301A (ja) * 2014-07-24 2016-02-08 株式会社村田製作所 コンデンサ素子およびその製造方法
US9666374B2 (en) 2014-07-24 2017-05-30 Murata Manufacturing Co., Ltd. Capacitor component
JP2017118003A (ja) * 2015-12-25 2017-06-29 株式会社村田製作所 積層セラミック電子部品
KR20210144498A (ko) * 2020-05-22 2021-11-30 최항 금속필러가 포함된 유리페이스트를 이용한 단락저항기제조와 단락신뢰성
KR102467337B1 (ko) 2020-05-22 2022-11-14 최항 금속필러가 포함된 유리페이스트를 이용한 단락저항기제조와 단락신뢰성

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Publication number Publication date
US6577486B1 (en) 2003-06-10
TW457501B (en) 2001-10-01
WO2000033334A1 (en) 2000-06-08
DE19982793T1 (de) 2001-03-22
CN1289443A (zh) 2001-03-28

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