WO2012132684A1 - 電子部品 - Google Patents

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WO2012132684A1
WO2012132684A1 PCT/JP2012/054546 JP2012054546W WO2012132684A1 WO 2012132684 A1 WO2012132684 A1 WO 2012132684A1 JP 2012054546 W JP2012054546 W JP 2012054546W WO 2012132684 A1 WO2012132684 A1 WO 2012132684A1
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electronic component
capacitor
axis direction
conductor
conductors
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PCT/JP2012/054546
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伴野　晃一
祥一郎 鈴木
泰介 神崎
彰宏 塩田
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株式会社村田製作所
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Publication date
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    • H01G4/06—Solid dielectrics
    • H01G4/08—Inorganic dielectrics
    • H01G4/12—Ceramic dielectrics

Definitions

  • the present invention relates to an electronic component, and more specifically to an electronic component having a built-in capacitor.
  • a multilayer ceramic capacitor described in Patent Document 1 is known as a conventional electronic component.
  • external electrodes are provided on a multilayer ceramic body formed by stacking a dielectric ceramic layer and an internal electrode layer made of a low resistance conductor a plurality of times.
  • the internal electrode layer is provided with an element portion having a fuse function.
  • the multilayer ceramic capacitor described in Patent Document 1 has a problem that the function as a capacitor cannot be sufficiently prevented when a short circuit occurs between the internal electrode layers as described below. Yes.
  • the internal electrode layer is made of a metal material such as Ni, Cu, Ag, Ag-coated Cu, or Ag—Pd. These metal materials have a relatively high melting point. For this reason, even if an overcurrent flows through the element portion, the element portion is not easily melted and thus is not easily disconnected. Furthermore, these metal materials have a property that is not easily oxidized. For this reason, even if the element portion is disconnected, the disconnected portion of the element portion is not easily oxidized, so that a discharge may occur in the disconnected portion of the element portion and a short circuit may occur.
  • an object of the present invention is to provide an electronic component that can more reliably prevent the function of the capacitor from being impaired when a short circuit occurs between the capacitor conductors.
  • An electronic component includes a multilayer body in which a plurality of ceramic layers are stacked, and a capacitor that is built in the multilayer body and faces each other with the ceramic layer interposed therebetween.
  • a first capacitor conductor and a second capacitor conductor wherein the first capacitor conductor is made of a material mainly composed of Al and has a first fuse function. It has a narrowed portion, and the average width of the first narrowed portion is smaller than the average width of portions of the first capacitor conductor other than the first narrowed portion.
  • 1 is an external perspective view of an electronic component according to a first embodiment. It is a disassembled perspective view of the laminated body of the electronic component of FIG. It is an internal top view of the electronic component of FIG. It is an internal top view of the electronic component which concerns on a 1st modification. It is an internal top view of the electronic component which concerns on a 2nd modification. It is a disassembled perspective view of the laminated body of the electronic component which concerns on 2nd Embodiment. It is an internal top view of the electronic component of FIG. It is an internal top view of the electronic component of FIG. It is sectional structure drawing of the electronic component which concerns on 2nd Embodiment. 1 is a cross-sectional structure diagram of an electronic component according to a first embodiment. It is the graph which showed the experimental result of the 4th sample. It is the graph which showed the experimental result peculiar to the 4th sample. It is the graph which showed the experimental result peculiar to the 3rd sample.
  • FIG. 1 is an external perspective view of an electronic component 10 according to the first embodiment.
  • FIG. 2 is an exploded perspective view of the multilayer body 11 of the electronic component 10 of FIG.
  • FIG. 3 is an internal plan view of the electronic component of FIG.
  • the stacking direction of the stacked body 11 is defined as the z-axis direction.
  • the direction in which the long side of the stacked body 11 extends is defined as the x-axis direction.
  • the direction in which the short side of the multilayer body 11 extends when the multilayer body 11 is viewed in plan from the z-axis direction is defined as the y-axis direction.
  • the electronic component 10 is a chip capacitor. As shown in FIGS. 1 to 3, the multilayer body 11, the external electrodes 12 (12a and 12b), and the capacitor conductors 30 (30a to 30c) and 31 (31a to 31c) (FIG. 1 is not shown).
  • the laminate 11 has a rectangular parallelepiped shape. However, the laminated body 11 has a rounded shape at the corners and ridge lines by chamfering.
  • the surface on the positive direction side in the z-axis direction is referred to as an upper surface S1
  • the surface on the negative direction side in the z-axis direction is referred to as a lower surface S2.
  • the surface on the negative direction side in the x-axis direction is defined as an end surface S3
  • the surface on the positive direction side in the x-axis direction is defined as an end surface S4.
  • a surface on the positive direction side in the y-axis direction is a side surface S5
  • a surface on the negative direction side in the y-axis direction is a side surface S6.
  • the lower surface S2 is a mounting surface that faces the main surface of the circuit board when the electronic component 10 is mounted on the circuit board.
  • the multilayer body 11 is configured by laminating a plurality of ceramic layers 17 (17a to 17h) so that they are arranged in this order from the positive direction side to the negative direction side in the z-axis direction.
  • the ceramic layer 17 has a rectangular shape and is a dielectric ceramic mainly composed of a perovskite compound containing Ba and Ti, and is made of a dielectric ceramic containing a Bi component.
  • the ceramic layer 17 is a material in which 2 mol parts or more and 20 mol parts or less of Bi are added to 100 mol parts of Ti in the perovskite type compound containing Ba and Ti as main components.
  • the main surface on the positive direction side in the z-axis direction of the ceramic layer 17 is referred to as a front surface
  • the main surface on the negative direction side in the z-axis direction of the ceramic layer 17 is referred to as a back surface.
  • the upper surface S1 of the laminate 11 is constituted by the surface of the ceramic layer 17a provided on the most positive side in the z-axis direction.
  • the lower surface S2 of the multilayer body 11 is constituted by the back surface of the ceramic layer 17h provided on the most negative direction side in the z-axis direction.
  • the end surface S3 is formed by connecting the short sides of the ceramic layers 17a to 17h on the negative side in the x-axis direction.
  • the end surface S4 is formed by connecting the short sides of the ceramic layers 17a to 17h on the positive side in the x-axis direction.
  • the side surface S5 is configured by connecting the long sides on the positive side in the y-axis direction of the ceramic layers 17a to 17h.
  • the side surface S6 is configured by connecting long sides on the negative direction side in the y-axis direction of the ceramic layers 17a to 17h.
  • the capacitor conductors 30a to 30c and 31a to 31c are conductor layers made of a material mainly composed of Al, and constitute capacitors by facing each other with the ceramic layer 17 interposed therebetween. As shown in FIGS. 2 and 3, the capacitor conductors 30a to 30c are provided on the surfaces of the ceramic layers 17b, 17d, and 17f, respectively, and are built in the multilayer body 11. The capacitor conductors 31a to 31c are provided on the surfaces of the ceramic layers 17c, 17e, and 17g, respectively, and are built in the multilayer body 11.
  • the capacitor conductor 30 (30a to 30c) has a capacitive conductor 18 (18a to 18c) and a lead conductor 20 (20a to 20c).
  • the capacitive conductor 18 has a rectangular shape and is provided on the surface of the ceramic layer 17.
  • the lead conductor 20 is connected to the capacitor conductor 18 and is exposed from the end face S3 by being drawn out to the end face S3 of the multilayer body 11. More specifically, the lead conductor 20 is drawn from the short side on the negative direction side in the x-axis direction of the capacitive conductor 18 toward the negative direction side in the x-axis direction, whereby the negative conductor in the x-axis direction of the ceramic layer 17 is drawn. It is drawn to the short side on the direction side.
  • the capacitor conductor 31 (31a to 31c) has a capacitive conductor 19 (19a to 19c) and a lead conductor 21 (21a to 21c).
  • the capacitive conductor 19 has a rectangular shape and is provided on the surface of the ceramic layer 17.
  • the capacitive conductor 19 overlaps the capacitive conductor 18 via the ceramic layer 17 when viewed in plan from the z-axis direction. Thereby, an electrostatic capacity (that is, a capacitor) is formed between the capacitive conductors 18 and 19.
  • the lead conductor 21 is connected to the capacitive conductor 19 and is exposed from the end face S4 by being drawn out to the end face S4 of the multilayer body 11. More specifically, the lead conductor 21 is drawn from the short side on the positive direction side in the x-axis direction of the capacitive conductor 19 toward the positive direction side in the x-axis direction, whereby the positive conductor in the x-axis direction of the ceramic layer 17 is drawn. It is drawn to the short side on the direction side.
  • External electrodes 12a and 12b are electrodes formed by applying Ag paste.
  • the external electrodes 12a and 12b are respectively provided across the end surfaces S3 and S4 and the upper surface S1, the lower surface S2 and the side surfaces S5 and S6 of the multilayer body 11, and are provided on the lead conductors 20a to 20c and 21a to 21c, respectively. It is connected. More specifically, the external electrode 12a covers the entire end surface S3 of the multilayer body 11 so as to cover the portion where the lead conductors 20a to 20c are exposed from the end surface S3. Furthermore, the external electrode 12a is folded back from the end surface S3 to the upper surface S1, the lower surface S2, and the side surfaces S5 and S6.
  • the external electrode 12b covers the entire end surface S4 of the multilayer body 11 so as to cover the portion where the lead conductors 21a to 21c are exposed from the end surface S4. Further, the external electrode 12b is folded back from the end surface S4 to the upper surface S1, the lower surface S2, and the side surfaces S5 and S6.
  • the electronic component 10 has a configuration described below in order to prevent the function of the capacitor from being impaired when a short circuit occurs between the capacitor conductors 30 and 31.
  • the capacitor conductors 30 and 31 have narrow portions 50 and 51, respectively.
  • the width W1 of the narrowed portions 50 and 51 is smaller than the width W2 of the portion other than the narrowed portions 50 and 51 of the capacitor conductors 30 and 31.
  • the width direction of the narrowed portions 50 and 51 and the width direction of the portions other than the narrowed portions 50 and 51 of the capacitor conductors 30 and 31 are directions perpendicular to the normal direction (that is, the x-axis direction) of the end surface S3 (that is, the y-axis). Direction).
  • the narrowed portions 50 and 51 when a short circuit occurs between the capacitor conductors 30 and 31, an overcurrent flows between the narrowed portions 50 and 51, and the narrowed portions 50 and 51 generate heat and melt. To do. As a result, the narrowed portions 50 and 51 are disconnected. That is, the narrowed portions 50 and 51 have a fuse function.
  • the narrow portions 50 and 51 coincide with the lead conductors 20 and 21, respectively. Therefore, the narrowed portions 50 and 51 are provided in portions other than the capacitive conductors 18 and 19 in the capacitor electrodes 30 and 31, respectively.
  • the raw material powder of BaTiO 3, Bi 2 O 3, BaCO 3, by adding an organic solvent such as polyvinyl butyral binder and ethanol were charged into a ball mill, carried out wet blended to obtain a ceramic slurry.
  • the raw material powder is constituted by mixing BaTiO 3 at a ratio of 100 mol parts, Bi 2 O 3 at 3 mol parts, and BaCO 3 at 2 mol parts.
  • the obtained ceramic slurry is formed into a sheet shape on a carrier sheet by a doctor blade method and dried to produce a ceramic green sheet to be the ceramic layer 17.
  • the thickness of the ceramic green sheet to be the ceramic layer 17 is, for example, 6 ⁇ m.
  • capacitor conductors 30 and 31 are formed by applying a paste made of a conductive material on the ceramic green sheet to be the ceramic layer 17 by a screen printing method.
  • the paste made of a conductive material is obtained by adding an organic binder and an organic solvent to metal powder.
  • the metal powder is Al.
  • the thickness of the capacitor conductors 30 and 31 after firing is 0.4 ⁇ m.
  • ceramic green sheets to be the ceramic layer 17 are laminated to obtain an unfired mother laminate. Thereafter, the unfired mother laminate is subjected to pressure bonding with an isostatic press.
  • the unfired mother laminate is cut into a predetermined size to obtain a plurality of unfired laminates 11. Thereafter, the surface of the laminate 11 is subjected to polishing such as barrel polishing.
  • the unfired laminate 11 is heated to 270 ° C. in the air, and the binder in the unfired laminate 11 is burned. Further, the unfired laminate 11 is fired at 650 ° C. for 1 hour. When the fired laminate 11 was dissolved and ICP emission spectroscopic analysis was performed, it was confirmed that the composition ratio of Ti and Bi was almost the same as that at the time of preparation.
  • the external electrode 12 is formed on the multilayer body 11. Specifically, an Ag paste containing Bi 2 O 3 —SiO 2 —BaO glass frit is applied to the surface of the laminate 11 by a known dipping method, slitting method, or the like. Then, the external electrode 12 is formed by baking the Ag paste at 600 ° C. in the atmosphere. Through the above steps, the electronic component 10 is completed.
  • the internal electrode layer is made of a metal material such as Ni, Cu, Ag, Ag-coated Cu, or Ag—Pd. These metal materials have a relatively high melting point. For this reason, even if an overcurrent flows through the element portion, the element portion is not easily melted and disconnected.
  • the capacitor conductors 30 and 31 are made of a material mainly composed of Al.
  • Al has a lower melting point than metal materials such as Ni, Cu, Ag, Ag-coated Cu, or Ag—Pd. Therefore, when a short circuit occurs between the capacitor conductors 30 and 31 and an overcurrent flows through the constricted portions 50 and 51, the constricted portions 50 and 51 are relatively easily melted and disconnected. As a result, in the electronic component 10, when a short circuit occurs between the capacitor conductors 30 and 31, it is more reliably suppressed that the function of the capacitor is impaired.
  • Al is more easily oxidized than metal materials such as Ni, Cu, Ag, Ag-coated Cu, or Ag—Pd. Therefore, when the narrowed portions 50 and 51 are disconnected, the disconnected portions of the narrowed portions 50 and 51 are quickly oxidized to form an insulating film. Therefore, it is possible to suppress the occurrence of a short circuit in the disconnected portions of the narrowed portions 50 and 51. Therefore, in the electronic component 10, when a short circuit occurs between the capacitor conductors 30 and 31, it is more reliably suppressed that the function of the capacitor is impaired.
  • the ceramic layer 17 is made of a material containing a Bi component.
  • the Bi component particularly Bi 2 O 3 has a property of promoting the oxidation of Al. Therefore, in the electronic component 10, the disconnected portions of the constricted portions 50 and 51 are oxidized more quickly, so that when the short-circuit occurs between the capacitor conductors 30 and 31, the function of the capacitor is more reliably impaired. It is suppressed.
  • the capacitor electrodes 30 and 31 are made of Al which is relatively easily oxidized, the surfaces of the capacitor electrodes 30 and 31 are covered with an oxide film. Therefore, when an overcurrent flows through the constricted portions 50 and 51 and disconnects, the molten Al is suppressed from diffusing around. As a result, the occurrence of breakage of the electronic component 10 due to Al diffusion is suppressed.
  • the narrowed portions 50 and 51 are provided in portions other than the capacitive conductors 18 and 19 in the capacitor electrodes 30 and 31, respectively. Therefore, in the electronic component 10, by providing the narrowed portions 50 and 51, it is possible to prevent the area of the capacitive conductors 18 and 19 from being reduced. As a result, in the electronic component 10, a decrease in the capacitance value of the capacitor is suppressed.
  • the ceramic layer 17 is made of a material containing a perovskite type compound containing Ba and Ti, and thus has a large dielectric constant. Therefore, the electronic component 10 can obtain a large capacitance value.
  • the inventor of the present application produced 30 first samples and 30 second samples.
  • the capacitor conductors 30 and 31 are made of a material mainly composed of Al
  • the capacitor conductors 30 and 31 are made of Ag.
  • the common conditions for the first sample and the second sample are as follows. Further, the manufacturing method of the first sample and the second sample is the same as the manufacturing method of the electronic component 10.
  • Electronic component size 1.0 mm x 2.0 mm x 1.0 mm Ceramic layer thickness: 5 ⁇ m Number of ceramic layers sandwiched between capacitor conductors: 10 layers
  • the inventor of the present application performed a BDV test on the first sample and the second sample.
  • the applied voltage was boosted from 0 V to 1000 V at a boosting rate of 100 V / s in the first sample and the second sample.
  • this inventor investigated the dielectric breakdown voltage (namely, voltage which a short circuit generate
  • Table 1 is a table showing experimental results.
  • the part where the short circuit occurred and the part where the fusing occurred were specified by the method described below. More specifically, the inventor of the present application prepared 30 samples each of the first sample and the second sample. The applied voltage was boosted from 0 V to 450 V for the first sample and the second sample. Then, when the applied voltage reached 450 V, the portion where the first sample and the second sample were short-circuited and the portion where fusing occurred were examined. As a result, a short circuit occurred between the capacitive conductors 18 and 19, and fusing occurred in the narrowed portions 50 and 51.
  • FIG. 4 is an internal plan view of the electronic component 10a according to the first modification.
  • the narrowed portions 50 and 51 may be provided in the capacitive conductors 18 and 19. In this case, it is preferable that the narrowed portions 50 and 51 overlap when viewed in plan from the z-axis direction. Thereby, in the electronic component 10a, by providing the narrowed portions 50 and 51, it is possible to prevent the area of the portion where the capacitive conductors 18 and 19 are opposed from becoming small. As a result, in the electronic component 10a, a decrease in the capacitance value of the capacitor is suppressed.
  • FIG. 5 is an internal plan view of the electronic component 10b according to the second modification.
  • the narrowed portions 50 and 51 do not have to have a uniform width.
  • the narrowed portions 50 and 51 may be provided by providing triangular cutouts in the rectangular capacitive conductors 18 and 19.
  • the average width W1 of the narrowed portions 50 and 51 is smaller than the width W2 of portions other than the narrowed portions 50 and 51 of the capacitor conductors 30 and 31.
  • the reason why the average is used in this way is that the widths of the narrowed portions 50 and 51 are not uniform in the electronic component 10b.
  • the average width W1 of the narrowed portions 50 and 51 in the electronic components 10 and 10b is What is necessary is just to be smaller than the average width W2 of parts other than the constriction parts 50 and 51.
  • FIG. 6 is an exploded perspective view of the multilayer body 11 of the electronic component 10c according to the second embodiment.
  • 7 and 8 are internal plan views of the electronic component 10c shown in FIG.
  • the stacking direction of the stacked body 11 is defined as the z-axis direction.
  • the direction in which the long side of the stacked body 11 extends is defined as the x-axis direction.
  • FIG. 1 is used as an external perspective view of the electronic component 10c.
  • the electronic component 10c is a chip capacitor, and as shown in FIGS. 1 and 6 to 8, the multilayer body 11, external electrodes 12 (12a, 12b), and capacitor conductors 30 (30a, 30b), 31 (31a, 31b). (Not shown in FIG. 1).
  • the laminate 11 has a rectangular parallelepiped shape. However, the laminated body 11 has a rounded shape at the corners and ridge lines by chamfering.
  • the surface on the positive direction side in the z-axis direction is referred to as an upper surface S1
  • the surface on the negative direction side in the z-axis direction is referred to as a lower surface S2.
  • the surface on the negative direction side in the x-axis direction is defined as an end surface S3
  • the surface on the positive direction side in the x-axis direction is defined as an end surface S4.
  • a surface on the positive direction side in the y-axis direction is a side surface S5
  • a surface on the negative direction side in the y-axis direction is a side surface S6.
  • the lower surface S2 is a mounting surface that faces the main surface of the circuit board when the electronic component 10c is mounted on the circuit board.
  • the multilayer body 11 is configured by laminating a plurality of ceramic layers 17 (17a to 17f) so that they are arranged in this order from the positive side in the z-axis direction to the negative direction.
  • the ceramic layers 17b and 17c are provided one by one in FIG. 6, a plurality of layers are alternately arranged in the z-axis direction.
  • the ceramic layers 17d and 17e are provided one by one in FIG. 6, but a plurality of layers are alternately arranged in the z-axis direction.
  • the ceramic layer 17 has a rectangular shape, is a dielectric ceramic mainly composed of a perovskite compound containing Ba and Ti, and is made of a dielectric ceramic containing a Bi component. Specifically, the ceramic layer 17 is a material in which 2 mol parts or more and 20 mol parts or less of Bi are added to 100 mol parts of Ti in the perovskite type compound containing Ba and Ti as main components.
  • the main surface on the positive direction side in the z-axis direction of the ceramic layer 17 is referred to as a front surface
  • the main surface on the negative direction side in the z-axis direction of the ceramic layer 17 is referred to as a back surface.
  • the upper surface S1 of the laminate 11 is constituted by the surface of the ceramic layer 17a provided on the most positive side in the z-axis direction.
  • the lower surface S2 of the multilayer body 11 is configured by the back surface of the ceramic layer 17f provided on the most negative direction side in the z-axis direction.
  • the end face S3 is formed by connecting the short sides of the ceramic layers 17a to 17f on the negative side in the x-axis direction.
  • the end surface S4 is formed by connecting the short sides of the ceramic layers 17a to 17f on the positive side in the x-axis direction.
  • the side surface S5 is formed by connecting the long sides of the ceramic layers 17a to 17f on the positive side in the y-axis direction.
  • the side surface S6 is configured by connecting long sides on the negative direction side in the y-axis direction of the ceramic layers 17a to 17f.
  • the capacitor conductors 30a, 30b, 31a, 31b are conductor layers made of a material mainly composed of Al, and constitute a capacitor by facing each other through the ceramic layer 17.
  • Capacitor conductors 30a and 30b are provided on the surfaces of ceramic layers 17b and 17d, respectively, as shown in FIGS.
  • the capacitor conductors 31a and 31b are provided on the surfaces of the ceramic layers 17c and 17e, respectively, and are built in the multilayer body 11.
  • the plurality of ceramic layers 17b and 17c are alternately arranged in the z-axis direction. Therefore, the capacitor conductors 30a and 31a provided on the surfaces of the ceramic layers 17b and 17c are alternately arranged in a plurality of layers in the z-axis direction. Similarly, the plurality of ceramic layers 17d and 17e are alternately arranged in the z-axis direction. Therefore, the capacitor conductors 30b and 31b provided on the surfaces of the ceramic layers 17d and 17e are alternately arranged in a plurality of layers in the z-axis direction.
  • the capacitor conductor 30 (30a, 30b) has a capacitive conductor 18 (18a, 18b) and a lead conductor 20 (20a, 20b).
  • the capacitive conductor 18 has a rectangular shape and is provided on the surface of the ceramic layer 17.
  • the lead conductors 20a and 20b are connected to the capacitor conductor 18 and are exposed from the end face S3 by being drawn out to the end face S3 of the multilayer body 11. Furthermore, the lead conductors 20a and 20b are arranged in two locations when viewed in plan from the z-axis direction. More specifically, as shown in FIG. 6 and FIG. 7A, the lead conductor 20a is closer to the negative side in the y-axis direction than the center of the short side of the negative side in the x-axis direction of the capacitive conductor 18a. By being drawn toward the negative direction side in the x-axis direction, the ceramic layer 17 is drawn to the short side on the negative direction side in the x-axis direction. As shown in FIGS.
  • the lead conductor 20b is negative in the x-axis direction from the positive side in the y-axis direction from the center of the short side of the negative side in the x-axis direction of the capacitive conductor 18b.
  • the ceramic layer 17 is drawn out to the short side on the negative direction side in the x-axis direction.
  • the lead conductors 20a and 20b do not overlap when viewed in plan from the z-axis direction.
  • the capacitor conductor 31 (31a, 31b) has a capacitive conductor 19 (19a, 19b) and a lead conductor 21 (21a, 21b).
  • the capacitive conductor 19 has a rectangular shape and is provided on the surface of the ceramic layer 17.
  • the capacitive conductor 19 overlaps the capacitive conductor 18 via the ceramic layer 17 when viewed in plan from the z-axis direction. Thereby, an electrostatic capacity (that is, a capacitor) is formed between the capacitive conductors 18 and 19.
  • the lead conductors 21 a and 21 b are connected to the capacitive conductor 19 and are exposed from the end face S 4 by being drawn out to the end face S 4 of the multilayer body 11. Further, the lead conductors 21a and 21b are arranged in two locations when viewed in plan from the z-axis direction. More specifically, as shown in FIG. 6 and FIG. 7B, the lead conductor 21a is closer to the positive side in the y-axis direction than the center of the short side on the positive side in the x-axis direction of the capacitive conductor 19a. By being pulled out toward the positive direction side in the x-axis direction, the ceramic layer 17 is pulled out to the short side on the positive direction side in the x-axis direction. As shown in FIGS.
  • the lead conductor 21b is connected to the positive side in the x-axis direction from the negative side in the y-axis direction from the center of the short side on the positive side in the x-axis direction of the capacitive conductor 19b.
  • the ceramic layer 17 is drawn out to the short side on the positive direction side in the x-axis direction.
  • the lead conductors 21a and 21b do not overlap when viewed in plan from the z-axis direction.
  • External electrodes 12a and 12b are electrodes formed by applying Ag paste.
  • the external electrodes 12a and 12b are respectively provided across the end surfaces S3 and S4 and the upper surface S1, the lower surface S2 and the side surfaces S5 and S6 of the multilayer body 11, and are provided on the lead conductors 20a, 20b, 21a, and 21b, respectively. It is connected. More specifically, the external electrode 12a covers the entire end surface S3 of the multilayer body 11 so as to cover the portion where the lead conductors 20a, 20b are exposed from the end surface S3. Furthermore, the external electrode 12a is folded back from the end surface S3 to the upper surface S1, the lower surface S2, and the side surfaces S5 and S6.
  • the external electrode 12b covers the entire end surface S4 of the multilayer body 11 so as to cover the portion where the lead conductors 21a, 21b are exposed from the end surface S4. Further, the external electrode 12b is folded back from the end surface S4 to the upper surface S1, the lower surface S2, and the side surfaces S5 and S6.
  • the electronic component 10c has a configuration described below in order to prevent the function of the capacitor from being impaired when a short circuit occurs between the capacitor conductors 30 and 31.
  • the capacitor conductors 30 and 31 have constricted portions 50 and 51, respectively.
  • the width W1 of the narrowed portions 50 and 51 is smaller than the width W2 of the portion other than the narrowed portions 50 and 51 of the capacitor conductors 30 and 31.
  • the width direction of the narrowed portions 50 and 51 and the width direction of the portions other than the narrowed portions 50 and 51 of the capacitor conductors 30 and 31 are directions perpendicular to the normal direction (that is, the x-axis direction) of the end surface S3 (that is, the y-axis). Direction).
  • the narrowed portions 50 and 51 when a short circuit occurs between the capacitor conductors 30 and 31, an overcurrent flows between the narrowed portions 50 and 51, and the narrowed portions 50 and 51 generate heat and melt. To do. As a result, the narrowed portions 50 and 51 are disconnected. That is, the narrowed portions 50 and 51 have a fuse function.
  • the narrow portions 50 and 51 coincide with the lead conductors 20 and 21, respectively. Therefore, the narrowed portions 50a and 50b are arranged in two locations when viewed in plan from the z-axis direction. The narrowed portions 50a and 50b do not overlap when viewed in plan from the z-axis direction. Similarly, the narrowed portions 51a and 51b are arranged in two locations when viewed in plan from the z-axis direction. The narrowed portions 51a and 51b do not overlap when viewed in plan from the z-axis direction.
  • the raw material powder of BaTiO 3, Bi 2 O 3, BaCO 3, by adding an organic solvent such as polyvinyl butyral binder and ethanol were charged into a ball mill, carried out wet blended to obtain a ceramic slurry.
  • the raw material powder is composed of 100 parts by mole of BaTiO 3 , 3 parts by mole of Bi 2 O 3 and 2 parts by mole of BaCO 3 .
  • the obtained ceramic slurry is formed into a sheet shape on a carrier sheet by a doctor blade method and dried to produce a ceramic green sheet to be the ceramic layer 17.
  • the thickness of the ceramic green sheet to be the ceramic layer 17 is, for example, 6 ⁇ m.
  • Al is vapor-deposited on the ceramic green sheet to be the ceramic layer 17 to form capacitor conductors 30 and 31.
  • the thickness of the capacitor conductors 30 and 31 after firing is 0.4 ⁇ m.
  • ceramic green sheets to be the ceramic layer 17 are laminated to obtain an unfired mother laminate. Thereafter, the unfired mother laminate is subjected to pressure bonding with an isostatic press.
  • the unfired mother laminate is cut into a predetermined size to obtain a plurality of unfired laminates 11. Thereafter, the surface of the laminate 11 is subjected to polishing such as barrel polishing.
  • the unfired laminate 11 is heated to 270 ° C. in the air, and the binder in the unfired laminate 11 is burned. Further, the unfired laminate 11 is fired at 650 ° C. for 1 hour. When the fired laminate 11 was dissolved and ICP emission spectroscopic analysis was performed, it was confirmed that the composition ratio of Ti and Bi was almost the same as that at the time of preparation.
  • the external electrode 12 is formed on the multilayer body 11. Specifically, an Ag paste containing Bi 2 O 3 —SiO 2 —BaO glass frit is applied to the surface of the laminate 11 by a known dipping method, slitting method, or the like. Then, the external electrode 12 is formed by baking the Ag paste at 600 ° C. in the atmosphere. Through the above steps, the electronic component 10c is completed.
  • the electronic component 10 c similarly to the electronic component 10, occurrence of damage to the electronic component 10 due to Al diffusion is suppressed. According to the electronic component 10c, similarly to the electronic component 10, a decrease in the capacitance value of the capacitor is suppressed. According to the electronic component 10c, a large capacitance value can be obtained as with the electronic component 10.
  • the narrowed portion 50 overlap each other when viewed in plan from the z-axis direction. For this reason, if fusing occurs in any of the plurality of constricted portions 50, cracks may occur in the laminated body 12 in the z-axis direction, and the constricted portions 50 other than the constricted portion 50 in which fusing has occurred may be damaged. is there. As a result, all the constricted portions 50 may be damaged, and the capacitance value of the capacitor may be rapidly reduced to zero.
  • the narrowed portions 50a and 50b are arranged in two locations when viewed in plan from the z-axis direction. Therefore, the distance between the narrowed portions 50 a and 50 b in the electronic component 10 c is larger than the distance between the narrowed portions 50 in the electronic component 10. Thereby, even if fusing occurs in the narrowed portion 50a, cracks are not easily transmitted to the narrowed portion 50b. Therefore, damage to the narrowed portion 50b is suppressed. As described above, in the electronic component 10c, it is suppressed that all the constricted portions 50a and 50b are damaged and the capacitance value of the capacitor is rapidly reduced to zero.
  • FIG. 9 is a cross-sectional structure diagram of an electronic component 10c according to the second embodiment.
  • FIG. 10 is a cross-sectional structure diagram of the electronic component 10 according to the first embodiment.
  • the inventor of the present application produced 30 samples each of the third sample and the fourth sample.
  • the third sample is the electronic component 10c shown in FIG.
  • the fourth sample is the electronic component 10 shown in FIG.
  • the common conditions for the third sample and the fourth sample are as follows. Moreover, the manufacturing method of the third sample and the fourth sample is the same as the manufacturing method of the electronic component 10c.
  • Electronic component size 1.0 mm x 2.0 mm x 1.0 mm Ceramic layer thickness: 5 ⁇ m Number of ceramic layers sandwiched between capacitor conductors: 10 layers
  • the total of the capacitor conductors 30 and 31 is 11 layers. More specifically, in the third sample, as shown in FIG. 9A, a three-layer capacitor conductor 30a and a three-layer capacitor conductor 30b are provided. In the third sample, as shown in FIG. 9B, a three-layer capacitor conductor 31a and a two-layer capacitor conductor 31b are provided. On the other hand, in the fourth sample, as shown in FIG. 10, six layers of capacitor conductors 30a to 30f are provided. In the fourth sample, as shown in FIG. 10B, five layers of capacitor conductors 31a to 31e are provided.
  • the inventor of the present application performed a BDV test on the third sample and the fourth sample.
  • the applied voltage was boosted from 0 V to 1000 V at a boosting rate of 100 V / s in the third sample and the fourth sample.
  • this inventor investigated the relationship between an applied voltage and the capacitance value of a capacitor
  • FIG. 11 is a graph showing the experimental results of the fourth sample.
  • FIG. 12 is a graph showing experimental results specific to the fourth sample.
  • FIG. 13 is a graph showing experimental results specific to the third sample. The vertical axis indicates the applied voltage and the capacitance value, and the horizontal axis indicates time.
  • the constrictions 50 and 51 were melted one by one as the applied voltage increased.
  • the capacitance value of the capacitor decreases in a stepwise manner.
  • the capacitance value of the capacitor does not rapidly decrease to 0, but gradually decreases. Such a gradual decrease in the capacitance value was similarly observed in the third sample.
  • the capacitance value of the capacitor decreases stepwise as the applied voltage increases. More specifically, the capacitance value of the capacitor decreases when the applied voltage is between 375 V and 400 V, and the capacitor capacitance value decreases when the applied voltage is between 425 V and 450 V. This is considered to be because, for example, even when the stenosis part 50a is all damaged, the stenosis part 50b remains without being disconnected, and then the stenosis part 50b is damaged.
  • the constricted portions 50a and 50b are dispersedly arranged, and the constricted portions 51a and 51b are dispersedly arranged, so that the capacitance value of the capacitor is rapidly reduced to 0. It can be seen that the decrease is suppressed.
  • the electronic component according to the present invention is not limited to the electronic components 10 and 10a to 10c according to the above-described embodiment, and can be changed within the scope of the gist thereof.
  • the narrowed portions 50 and 51 overlap when viewed in plan from the z-axis direction. However, the narrowed portions 50 and 51 do not have to overlap when viewed in plan from the z-axis direction.
  • capacitor conductors 30, 31 are stacked, but three or more types of capacitor conductors may be stacked.
  • the present invention is useful for electronic parts, and is particularly excellent in that the function of the capacitor can be more reliably suppressed when a short circuit occurs between the capacitor conductors.

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Abstract

　コンデンサ導体間に短絡が発生した場合に、コンデンサの機能が損なわれることをより確実に抑制できる。　積層体（１１）は、複数のセラミック層（１７）が積層されて構成されている。コンデンサ導体（３０,３１）は、積層体（１１）に内蔵され、かつ、セラミック層（１７）を介して互いに対向することによってコンデンサを構成している。コンデンサ導体（３０，３１）はそれぞれ、Ａｌを主成分とする材料によって作製されていると共に、ヒューズ機能を有する狭窄部（５０，５１）を有している。狭窄部（５０,５１）の幅Ｗ１の平均は、コンデンサ導体（３０,３１）の狭窄部（５０,５１）以外の部分の幅Ｗ２の平均よりも小さい。

Description

電子部品
　本発明は、電子部品に関し、より特定的には、コンデンサを内蔵している電子部品に関する。
　従来の電子部品としては、例えば、特許文献１に記載の積層セラミックコンデンサが知られている。特許文献１に記載の積層セラミックコンデンサでは、誘電体セラミック層と低抵抗導体からなる内部電極層とが複数回数積み重ねられて形成された積層セラミック体に外部電極が設けられている。内部電極層には、ヒューズ機能を持つ素子部が付与されている。これにより、内部電極層間で短絡が発生したとしても、素子部に過電流が流れて、素子部が断線する。その結果、積層セラミックコンデンサのコンデンサとしての機能が損なわれることが防止される。
　しかしながら、特許文献１に記載の積層セラミックコンデンサは、以下に説明するように、内部電極層間で短絡が発生した場合に、コンデンサとしての機能が損なわれることを十分に防止できないという問題を有している。より詳細には、内部電極層は、Ｎｉ、Ｃｕ、Ａｇ、ＡｇコートＣｕあるいはＡｇ－Ｐｄ系等の金属材料により作製されている。これらの金属材料は、比較的に高い融点を有している。そのため、素子部に過電流が流れたとしても、素子部が容易に溶融しないために断線しにくい。更に、これらの金属材料は、酸化されにくい性質を有している。そのため、素子部が断線したとしても、素子部の断線した部分が酸化されにくいために、素子部の断線した部分において放電が起こりショートが発生するおそれがある。
特開２０００－１００６５４号公報
　そこで、本発明の目的は、コンデンサ導体間に短絡が発生した場合に、コンデンサの機能が損なわれることをより確実に抑制できる電子部品を提供することである。
　本発明の一形態に係る電子部品は、複数のセラミック層が積層されて構成されている積層体と、前記積層体に内蔵され、かつ、前記セラミック層を介して互いに対向することによってコンデンサを構成している第１のコンデンサ導体及び第２のコンデンサ導体と、を備えており、前記第１のコンデンサ導体は、Ａｌを主成分とする材料によって作製されていると共に、ヒューズ機能を有する第１の狭窄部を有しており、前記第１の狭窄部の幅の平均は、前記第１のコンデンサ導体の該第１の狭窄部以外の部分の幅の平均よりも小さいこと、を特徴とする。
　本発明によれば、コンデンサ導体間に短絡が発生した場合に、コンデンサの機能が損なわれることをより確実に抑制できる。
第１の実施形態に係る電子部品の外観斜視図である。 図１の電子部品の積層体の分解斜視図である。 図１の電子部品の内部平面図である。 第１の変形例に係る電子部品の内部平面図である。 第２の変形例に係る電子部品の内部平面図である。 第２の実施形態に係る電子部品の積層体の分解斜視図である。 図６の電子部品の内部平面図である。 図６の電子部品の内部平面図である。 第２の実施形態に係る電子部品の断面構造図である。 第１の実施形態に係る電子部品の断面構造図である。 第４のサンプルの実験結果を示したグラフである。 第４のサンプルに固有の実験結果を示したグラフである。 第３のサンプルに固有の実験結果を示したグラフである。
　以下に、本発明の実施形態に係る電子部品について図面を参照しながら説明する。
（第１の実施形態）
（電子部品の構成）
　まず、第１の実施形態に係る電子部品の構成について図面を参照しながら説明する。図１は、第１の実施形態に係る電子部品１０の外観斜視図である。図２は、図１の電子部品１０の積層体１１の分解斜視図である。図３は、図１の電子部品の内部平面図である。以下では、積層体１１の積層方向をｚ軸方向と定義する。積層体１１をｚ軸方向から平面視したときに、積層体１１の長辺が延在している方向をｘ軸方向と定義する。積層体１１をｚ軸方向から平面視したときに、積層体１１の短辺が延在している方向をｙ軸方向と定義する。
　電子部品１０は、チップコンデンサであり、図１ないし図３に示すように、積層体１１、外部電極１２（１２ａ，１２ｂ）及びコンデンサ導体３０（３０ａ～３０ｃ），３１（３１ａ～３１ｃ）（図１には図示せず）を備えている。
　積層体１１は、直方体状をなしている。ただし、積層体１１は、面取りが施されることにより角及び稜線において丸みを帯びた形状をなしている。以下では、積層体１１において、ｚ軸方向の正方向側の面を上面Ｓ１とし、ｚ軸方向の負方向側の面を下面Ｓ２とする。また、ｘ軸方向の負方向側の面を端面Ｓ３とし、ｘ軸方向の正方向側の面を端面Ｓ４とする。また、ｙ軸方向の正方向側の面を側面Ｓ５とし、ｙ軸方向の負方向側の面を側面Ｓ６とする。下面Ｓ２は、電子部品１０が回路基板に実装される際に、該回路基板の主面と対向する実装面である。
　積層体１１は、図２に示すように、複数のセラミック層１７（１７ａ～１７ｈ）がｚ軸方向の正方向側から負方向側へとこの順に並ぶように積層されることにより構成されている。セラミック層１７は、長方形状をなしており、ＢａおよびＴｉを含むペロブスカイト型化合物を主成分とする誘電体セラミックであって、Ｂｉ成分を含む誘電体セラミックにより作製されている。具体的には、セラミック層１７は、主成分であるＢａおよびＴｉを含むペロブスカイト型化合物中の１００モル部のＴｉに対して２モル部以上２０モル部以下のＢｉが添加された材料である。以下では、セラミック層１７のｚ軸方向の正方向側の主面を表面と称し、セラミック層１７のｚ軸方向の負方向側の主面を裏面と称す。
　積層体１１の上面Ｓ１は、ｚ軸方向の最も正方向側に設けられているセラミック層１７ａの表面により構成されている。積層体１１の下面Ｓ２は、ｚ軸方向の最も負方向側に設けられているセラミック層１７ｈの裏面により構成されている。また、端面Ｓ３は、セラミック層１７ａ～１７ｈのｘ軸方向の負方向側の短辺が連なることによって構成されている。端面Ｓ４は、セラミック層１７ａ～１７ｈのｘ軸方向の正方向側の短辺が連なることによって構成されている。側面Ｓ５は、セラミック層１７ａ～１７ｈのｙ軸方向の正方向側の長辺が連なることによって構成されている。側面Ｓ６は、セラミック層１７ａ～１７ｈのｙ軸方向の負方向側の長辺が連なることによって構成されている。
　コンデンサ導体３０ａ～３０ｃ，３１ａ～３１ｃは、Ａｌを主成分とする材料により作製されている導体層であり、セラミック層１７を介して互いに対向することによってコンデンサを構成している。コンデンサ導体３０ａ～３０ｃはそれぞれ、図２及び図３に示すように、セラミック層１７ｂ，１７ｄ，１７ｆの表面上に設けられており、積層体１１に内蔵されている。コンデンサ導体３１ａ～３１ｃはそれぞれ、セラミック層１７ｃ，１７ｅ，１７ｇの表面上に設けられており、積層体１１に内蔵されている。
　コンデンサ導体３０（３０ａ～３０ｃ）は、容量導体１８（１８ａ～１８ｃ）及び引き出し導体２０（２０ａ～２０ｃ）を有している。容量導体１８は、長方形状をなしており、セラミック層１７の表面上に設けられている。
　引き出し導体２０は、容量導体１８に接続され、かつ、積層体１１の端面Ｓ３に引き出されることにより端面Ｓ３から露出している。より詳細には、引き出し導体２０は、容量導体１８のｘ軸方向の負方向側の短辺から、ｘ軸方向の負方向側に向かって引き出されることにより、セラミック層１７のｘ軸方向の負方向側の短辺に引き出されている。
　コンデンサ導体３１（３１ａ～３１ｃ）は、容量導体１９（１９ａ～１９ｃ）及び引き出し導体２１（２１ａ～２１ｃ）を有している。容量導体１９は、長方形状をなしており、セラミック層１７の表面上に設けられている。容量導体１９は、ｚ軸方向から平面視したときに、セラミック層１７を介して容量導体１８と重なっている。これにより、容量導体１８，１９間には静電容量（すなわち、コンデンサ）が形成されている。
　引き出し導体２１は、容量導体１９に接続され、かつ、積層体１１の端面Ｓ４に引き出されることにより端面Ｓ４から露出している。より詳細には、引き出し導体２１は、容量導体１９のｘ軸方向の正方向側の短辺から、ｘ軸方向の正方向側に向かって引き出されることにより、セラミック層１７のｘ軸方向の正方向側の短辺に引き出されている。
　外部電極１２ａ，１２ｂは、Ａｇペーストが塗布されて形成される電極である。外部電極１２ａ，１２ｂはそれぞれ、端面Ｓ３，Ｓ４のそれぞれと積層体１１の上面Ｓ１、下面Ｓ２及び側面Ｓ５，Ｓ６とに跨って設けられ、かつ、引き出し導体２０ａ～２０ｃ，２１ａ～２１ｃのそれぞれに接続されている。より詳細には、外部電極１２ａは、引き出し導体２０ａ～２０ｃが端面Ｓ３から露出している部分を覆うように、積層体１１の端面Ｓ３の全面を覆っている。更に、外部電極１２ａは、端面Ｓ３から上面Ｓ１、下面Ｓ２及び側面Ｓ５，Ｓ６に折り返されている。外部電極１２ｂは、引き出し導体２１ａ～２１ｃが端面Ｓ４から露出している部分を覆うように、積層体１１の端面Ｓ４の全面を覆っている。更に、外部電極１２ｂは、端面Ｓ４から上面Ｓ１、下面Ｓ２及び側面Ｓ５，Ｓ６に折り返されている。
　ところで、電子部品１０は、コンデンサ導体３０，３１間に短絡が発生した場合に、コンデンサの機能が損なわれることを防止するために、以下に説明する構成を有している。
　図２及び図３に示すように、コンデンサ導体３０，３１はそれぞれ、狭窄部５０，５１を有している。狭窄部５０，５１の幅Ｗ１は、コンデンサ導体３０，３１の狭窄部５０，５１以外の部分の幅Ｗ２よりも小さい。狭窄部５０，５１の幅方向及びコンデンサ導体３０，３１の狭窄部５０，５１以外の部分の幅方向は、端面Ｓ３の法線方向（すなわち、ｘ軸方向）に直交する方向（すなわち、ｙ軸方向）である。
　以上のような狭窄部５０，５１を有する電子部品では、コンデンサ導体３０，３１間に短絡が発生した場合に、狭窄部５０，５１間に過電流が流れ、狭窄部５０，５１が発熱し溶融する。その結果、狭窄部５０，５１が断線する。すなわち、狭窄部５０，５１は、ヒューズ機能を有している。
　なお、電子部品１０では、狭窄部５０，５１はそれぞれ、引き出し導体２０，２１と一致している。よって、狭窄部５０，５１はそれぞれ、コンデンサ電極３０，３１において、容量導体１８，１９以外の部分に設けられている。
（電子部品の製造方法）
　次に、電子部品１０の製造方法について説明する。なお、図面は、図１ないし図３を援用する。
　まず、ＢａＴｉＯ3、Ｂｉ2Ｏ3、ＢａＣＯ3の原料粉末に対して、ポリビニルブチラール系バインダ及びエタノール等の有機溶剤を加えてボールミルに投入し、湿式調合を行って、セラミックスラリーを得る。原料粉末は、ＢａＴｉＯ3が１００モル部、Ｂｉ2Ｏ3が３モル部、ＢａＣＯ3が２モル部の割合で混合されて構成されている。得られたセラミックスラリーをドクターブレード法により、キャリアシート上にシート状に形成して乾燥させ、セラミック層１７となるべきセラミックグリーンシートを作製する。セラミック層１７となるべきセラミックグリーンシートの厚さは、例えば、６μｍである。
　次に、セラミック層１７となるべきセラミックグリーンシート上に、導電性材料からなるペーストをスクリーン印刷法で塗布することにより、コンデンサ導体３０，３１を形成する。導電性材料からなるペーストは、金属粉末に、有機バインダ及び有機溶剤が加えられたものである。金属粉末は、Ａｌである。コンデンサ導体３０，３１の焼成後の厚さは、０．４μｍである。
　次に、セラミック層１７となるべきセラミックグリーンシートを積層して未焼成のマザー積層体を得る。この後、未焼成のマザー積層体に対して、静水圧プレスにて圧着を施す。
　次に、未焼成のマザー積層体を所定寸法にカットして、複数の未焼成の積層体１１を得る。この後、積層体１１の表面に、バレル研磨加工等の研磨加工を施す。
　次に、未焼成の積層体１１を大気中で２７０℃に加熱して、未焼成の積層体１１中のバインダを燃焼させる。更に、未焼成の積層体１１を６５０℃で１時間焼成する。この焼成後の積層体１１を溶解し、ＩＣＰ発光分光分析をしたところ、ＴｉとＢｉの組成比が調合時と殆ど同一組成比であることが確認された。
　次に、積層体１１に外部電極１２を形成する。具体的には、公知のディップ法やスリット工法等により、積層体１１の表面にＢｉ2Ｏ3－ＳｉＯ2－ＢａＯ系ガラスフリットを含有するＡｇペーストを塗布する。そして、大気中でＡｇペーストを６００℃で焼付けを行うことにより、外部電極１２を形成する。以上の工程により、電子部品１０が完成する。
（効果）
　以上の電子部品１０によれば、以下に説明するように、コンデンサ導体３０，３１間に短絡が発生した場合に、コンデンサの機能が損なわれることをより確実に抑制できる。より詳細には、特許文献１に記載の積層セラミックコンデンサでは、内部電極層は、Ｎｉ、Ｃｕ、Ａｇ、ＡｇコートＣｕあるいはＡｇ－Ｐｄ系等の金属材料により作製されている。これらの金属材料は、比較的に高い融点を有している。そのため、素子部に過電流が流れたとしても、素子部が溶融して断線しにくい。
　一方、電子部品１０では、コンデンサ導体３０，３１は、Ａｌを主成分とする材料により作製されている。Ａｌは、Ｎｉ、Ｃｕ、Ａｇ、ＡｇコートＣｕあるいはＡｇ－Ｐｄ系等の金属材料に比べて、低い融点を有している。そのため、コンデンサ導体３０，３１間に短絡が発生して、狭窄部５０，５１に過電流が流れると、狭窄部５０，５１は比較的に容易に溶融して断線する。その結果、電子部品１０では、コンデンサ導体３０，３１間に短絡が発生した場合に、コンデンサの機能が損なわれることがより確実に抑制される。
　更に、Ａｌは、Ｎｉ、Ｃｕ、Ａｇ、ＡｇコートＣｕあるいはＡｇ－Ｐｄ系等の金属材料に比べて、酸化されやすい。そのため、狭窄部５０，５１が断線した際に、狭窄部５０，５１の断線した部分が速やかに酸化されて絶縁膜が形成される。そのため、狭窄部５０，５１の断線した部分においてショートが発生することが抑制される。よって、電子部品１０では、コンデンサ導体３０，３１間に短絡が発生した場合に、コンデンサの機能が損なわれることがより確実に抑制される。
　また、電子部品１０では、セラミック層１７は、Ｂｉ成分を含有する材料により作製されている。Ｂｉ成分、特にＢｉ2Ｏ3は、Ａｌの酸化を促進する性質を有している。よって、電子部品１０では、狭窄部５０，５１の断線した部分がより速やかに酸化されるので、コンデンサ導体３０，３１間に短絡が発生した場合に、コンデンサの機能が損なわれることがより確実に抑制される。
　また、電子部品１０では、コンデンサ電極３０，３１が比較的に酸化しやすいＡｌにより作製されているので、コンデンサ電極３０，３１の表面は酸化膜により覆われている。そのため、狭窄部５０，５１に過電流が流れて断線する際に、溶融したＡｌが周囲に拡散することが抑制される。その結果、Ａｌの拡散による電子部品１０の破損の発生が抑制される。
　また、電子部品１０では、狭窄部５０，５１はそれぞれ、コンデンサ電極３０，３１において、容量導体１８，１９以外の部分に設けられている。よって、電子部品１０において、狭窄部５０，５１が設けられることによって、容量導体１８，１９の面積が小さくなることが防止される。その結果、電子部品１０では、コンデンサの容量値の低下が抑制される。
　また、電子部品１０では、セラミック層１７は、ＢａおよびＴｉを含むペロブスカイト型化合物を含有する材料により作製されているので、大きな誘電率を有している。よって、電子部品１０では、大きな容量値を得ることができる。
（実験）
　以上のように構成された電子部品１０が奏する効果をより明確にするために、本願発明者は以下に説明する実験を行った。
　まず、本願発明者は、第１のサンプル及び第２のサンプルを３０個ずつ作製した。第１のサンプルでは、コンデンサ導体３０，３１がＡｌを主成分とする材料により作製されており、第２のサンプルでは、コンデンサ導体３０，３１がＡｇにより作製されている。
　なお、第１のサンプル及び第２のサンプルにおける共通の条件は以下の通りである。また、第１のサンプル及び第２のサンプルの製造方法は、前記電子部品１０の製造方法と同じである。
電子部品のサイズ：１．０ｍｍ×２．０ｍｍ×１．０ｍｍ
セラミック層の厚み：５μｍ
コンデンサ導体により挟まれているセラミック層の数：１０層
コンデンサ導体のサイズ：Ｗ１＝０．１ｍｍ　Ｗ２＝０．９ｍｍ　Ｌ＝１．８ｍｍ
コンデンサ導体の容量導体の面積：１．６２×１０-6ｍ2
　本願発明者は、第１のサンプル及び第２のサンプルに対して、ＢＤＶ試験を行った。ＢＤＶ（Ｂｒｅａｋ　Ｄｏｗｎ　Ｖｏｌｔａｇｅ）試験では、第１のサンプル及び第２のサンプルに０Ｖから１０００Ｖまで１００Ｖ／ｓの昇圧速度で印加電圧を昇圧させた。そして、本願発明者は、ＢＤＶ試験において、絶縁破壊電圧（すなわち、ショートが発生した電圧）及び破損の発生率を調べた。表１は、実験結果を示した表である。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000001
　実験では、全てのサンプルにおいて、４００Ｖ～４５０Ｖにおいて、容量導体１８，１９間（すなわち、容量形成部）でショートが発生し、狭窄部５０,５１が溶断した。その後、更に、印加電圧を昇圧させると、３０個中１０個の第２のサンプルでは、６００Ｖにおいて狭窄部５０,５１においてショートが発生し、チップ破壊が発生した。一方、第１のサンプルでは、１０００Ｖまで印加電圧を昇圧させても、ショート及びチップ破壊が発生しなかった。よって、本実験によれば、コンデンサ導体３０，３１をＡｌとすることによって、狭窄部５０，５１の断線した部分においてショートが発生することを抑制できると共に、電子部品１０の破損を抑制できることが分かる。
　なお、本実験において、ショートが発生した部分及び溶断が発生した部分は以下に説明する方法によって特定した。より詳細には、本願発明者は、第１のサンプル及び第２のサンプルを各３０個準備した。第１のサンプル及び第２のサンプルに０Ｖから４５０Ｖまで印加電圧を昇圧させた。そして、印加電圧が４５０Ｖとなった時点で、第１のサンプル及び第２のサンプルのショートが発生した部分及び溶断が発生した部分を調べた。その結果、容量導体１８，１９間においてショートが発生し、狭窄部５０，５１において溶断が発生した。
（第１の変形例）
　以下に第１の変形例に係る電子部品１０ａについて説明する。図４は、第１の変形例に係る電子部品１０ａの内部平面図である。
　図４に示すように、狭窄部５０，５１は、容量導体１８，１９に設けられていてもよい。この場合、狭窄部５０，５１は、ｚ軸方向から平面視したときに、重なっていることが好ましい。これにより、電子部品１０ａにおいて、狭窄部５０，５１が設けられることによって、容量導体１８，１９が対向している部分の面積が小さくなることが防止される。その結果、電子部品１０ａでは、コンデンサの容量値の低下が抑制される。
（第２の変形例）
　以下に第２の変形例に係る電子部品１０ｂについて説明する。図５は、第２の変形例に係る電子部品１０ｂの内部平面図である。
　図５に示すように、狭窄部５０，５１は、均一な幅を有していなくてもよい。具体的には、長方形状の容量導体１８，１９に三角形状の切り欠きが設けられることによって、狭窄部５０，５１が設けられていてもよい。
　なお、電子部品１０ｂでは、狭窄部５０，５１の幅の平均Ｗ１は、コンデンサ導体３０，３１の狭窄部５０，５１以外の部分の幅Ｗ２よりも小さい。このように平均を用いる理由は、電子部品１０ｂでは狭窄部５０,５１の幅が均一でないからである。また、コンデンサ導体３０,３１の狭窄部５０,５１以外の部分の幅も均一でない場合には、電子部品１０，１０ｂでは、狭窄部５０，５１の幅の平均Ｗ１は、コンデンサ導体３０，３１の狭窄部５０，５１以外の部分の幅の平均Ｗ２よりも小さければよい。
（第２の実施形態）
（電子部品の構成）
　次に、第２の実施形態に係る電子部品の構成について図面を参照しながら説明する。図６は、第２の実施形態に係る電子部品１０ｃの積層体１１の分解斜視図である。図７及び図８は、図６の電子部品１０ｃの内部平面図である。以下では、積層体１１の積層方向をｚ軸方向と定義する。積層体１１をｚ軸方向から平面視したときに、積層体１１の長辺が延在している方向をｘ軸方向と定義する。積層体１１をｚ軸方向から平面視したときに、積層体１１の短辺が延在している方向をｙ軸方向と定義する。なお、電子部品１０ｃの外観斜視図については、図１を援用する。
　電子部品１０ｃは、チップコンデンサであり、図１、図６ないし図８に示すように、積層体１１、外部電極１２（１２ａ，１２ｂ）及びコンデンサ導体３０（３０ａ，３０ｂ），３１（３１ａ，３１ｂ）（図１には図示せず）を備えている。
　積層体１１は、直方体状をなしている。ただし、積層体１１は、面取りが施されることにより角及び稜線において丸みを帯びた形状をなしている。以下では、積層体１１において、ｚ軸方向の正方向側の面を上面Ｓ１とし、ｚ軸方向の負方向側の面を下面Ｓ２とする。また、ｘ軸方向の負方向側の面を端面Ｓ３とし、ｘ軸方向の正方向側の面を端面Ｓ４とする。また、ｙ軸方向の正方向側の面を側面Ｓ５とし、ｙ軸方向の負方向側の面を側面Ｓ６とする。下面Ｓ２は、電子部品１０ｃが回路基板に実装される際に、該回路基板の主面と対向する実装面である。
　積層体１１は、図６に示すように、複数のセラミック層１７（１７ａ～１７ｆ）がｚ軸方向の正方向側から負方向側へとこの順に並ぶように積層されることにより構成されている。ただし、セラミック層１７ｂ，１７ｃは、図６ではそれぞれ１層ずつ設けられているが、交互にｚ軸方向に複数層ずつ並んでいる。同様に、セラミック層１７ｄ，１７ｅは、図６ではそれぞれ１層ずつ設けられているが、交互にｚ軸方向に複数層ずつ並んでいる。
　セラミック層１７は、長方形状をなしており、ＢａおよびＴｉを含むペロブスカイト型化合物を主成分とする誘電体セラミックであって、Ｂｉ成分を含む誘電体セラミックにより作製されている。具体的には、セラミック層１７は、主成分であるＢａおよびＴｉを含むペロブスカイト型化合物中の１００モル部のＴｉに対して２モル部以上２０モル部以下のＢｉが添加された材料である。以下では、セラミック層１７のｚ軸方向の正方向側の主面を表面と称し、セラミック層１７のｚ軸方向の負方向側の主面を裏面と称す。
　積層体１１の上面Ｓ１は、ｚ軸方向の最も正方向側に設けられているセラミック層１７ａの表面により構成されている。積層体１１の下面Ｓ２は、ｚ軸方向の最も負方向側に設けられているセラミック層１７ｆの裏面により構成されている。また、端面Ｓ３は、セラミック層１７ａ～１７ｆのｘ軸方向の負方向側の短辺が連なることによって構成されている。端面Ｓ４は、セラミック層１７ａ～１７ｆのｘ軸方向の正方向側の短辺が連なることによって構成されている。側面Ｓ５は、セラミック層１７ａ～１７ｆのｙ軸方向の正方向側の長辺が連なることによって構成されている。側面Ｓ６は、セラミック層１７ａ～１７ｆのｙ軸方向の負方向側の長辺が連なることによって構成されている。
　コンデンサ導体３０ａ，３０ｂ，３１ａ，３１ｂは、Ａｌを主成分とする材料により作製されている導体層であり、セラミック層１７を介して互いに対向することによってコンデンサを構成している。コンデンサ導体３０ａ，３０ｂはそれぞれ、図６ないし図８に示すように、セラミック層１７ｂ，１７ｄの表面上に設けられており、積層体１１に内蔵されている。コンデンサ導体３１ａ，３１ｂはそれぞれ、セラミック層１７ｃ，１７ｅの表面上に設けられており、積層体１１に内蔵されている。
　前記の通り、複数のセラミック層１７ｂ，１７ｃが交互にｚ軸方向に並んでいる。よって、セラミック層１７ｂ，１７ｃの表面上に設けられているコンデンサ導体３０ａ，３１ａも交互にｚ軸方向に複数層ずつ並んでいる。同様に、複数のセラミック層１７ｄ，１７ｅが交互にｚ軸方向に並んでいる。よって、セラミック層１７ｄ，１７ｅの表面上に設けられているコンデンサ導体３０ｂ，３１ｂも交互にｚ軸方向に複数層ずつ並んでいる。
　コンデンサ導体３０（３０ａ，３０ｂ）は、容量導体１８（１８ａ，１８ｂ）及び引き出し導体２０（２０ａ，２０ｂ）を有している。容量導体１８は、長方形状をなしており、セラミック層１７の表面上に設けられている。
　引き出し導体２０ａ，２０ｂは、容量導体１８に接続され、かつ、積層体１１の端面Ｓ３に引き出されることにより端面Ｓ３から露出している。更に、引き出し導体２０ａ，２０ｂは、ｚ軸方向から平面視したときに、２箇所に分散して配置されている。より詳細には、引き出し導体２０ａは、図６及び図７（ａ）に示すように、容量導体１８ａのｘ軸方向の負方向側の短辺の中央よりもｙ軸方向の負方向側から、ｘ軸方向の負方向側に向かって引き出されることにより、セラミック層１７のｘ軸方向の負方向側の短辺に引き出されている。引き出し導体２０ｂは、図６及び図８（ａ）に示すように、容量導体１８ｂのｘ軸方向の負方向側の短辺の中央よりもｙ軸方向の正方向側から、ｘ軸方向の負方向側に向かって引き出されることにより、セラミック層１７のｘ軸方向の負方向側の短辺に引き出されている。そして、引き出し導体２０ａ，２０ｂは、ｚ軸方向から平面視したときに、重なり合っていない。
　コンデンサ導体３１（３１ａ，３１ｂ）は、容量導体１９（１９ａ，１９ｂ）及び引き出し導体２１（２１ａ，２１ｂ）を有している。容量導体１９は、長方形状をなしており、セラミック層１７の表面上に設けられている。容量導体１９は、ｚ軸方向から平面視したときに、セラミック層１７を介して容量導体１８と重なっている。これにより、容量導体１８，１９間には静電容量（すなわち、コンデンサ）が形成されている。
　引き出し導体２１ａ，２１ｂは、容量導体１９に接続され、かつ、積層体１１の端面Ｓ４に引き出されることにより端面Ｓ４から露出している。更に、引き出し導体２１ａ，２１ｂは、ｚ軸方向から平面視したときに、２箇所に分散して配置されている。より詳細には、引き出し導体２１ａは、図６及び図７（ｂ）に示すように、容量導体１９ａのｘ軸方向の正方向側の短辺の中央よりもｙ軸方向の正方向側から、ｘ軸方向の正方向側に向かって引き出されることにより、セラミック層１７のｘ軸方向の正方向側の短辺に引き出されている。引き出し導体２１ｂは、図６及び図８（ｂ）に示すように、容量導体１９ｂのｘ軸方向の正方向側の短辺の中央よりもｙ軸方向の負方向側から、ｘ軸方向の正方向側に向かって引き出されることにより、セラミック層１７のｘ軸方向の正方向側の短辺に引き出されている。そして、引き出し導体２１ａ，２１ｂは、ｚ軸方向から平面視したときに、重なり合っていない。
　外部電極１２ａ，１２ｂは、Ａｇペーストが塗布されて形成される電極である。外部電極１２ａ，１２ｂはそれぞれ、端面Ｓ３，Ｓ４のそれぞれと積層体１１の上面Ｓ１、下面Ｓ２及び側面Ｓ５，Ｓ６とに跨って設けられ、かつ、引き出し導体２０ａ，２０ｂ，２１ａ，２１ｂのそれぞれに接続されている。より詳細には、外部電極１２ａは、引き出し導体２０ａ，２０ｂが端面Ｓ３から露出している部分を覆うように、積層体１１の端面Ｓ３の全面を覆っている。更に、外部電極１２ａは、端面Ｓ３から上面Ｓ１、下面Ｓ２及び側面Ｓ５，Ｓ６に折り返されている。外部電極１２ｂは、引き出し導体２１ａ，２１ｂが端面Ｓ４から露出している部分を覆うように、積層体１１の端面Ｓ４の全面を覆っている。更に、外部電極１２ｂは、端面Ｓ４から上面Ｓ１、下面Ｓ２及び側面Ｓ５，Ｓ６に折り返されている。
　ところで、電子部品１０ｃは、コンデンサ導体３０，３１間に短絡が発生した場合に、コンデンサの機能が損なわれることを防止するために、以下に説明する構成を有している。
　図６ないし図８に示すように、コンデンサ導体３０，３１はそれぞれ、狭窄部５０，５１を有している。狭窄部５０，５１の幅Ｗ１は、コンデンサ導体３０，３１の狭窄部５０，５１以外の部分の幅Ｗ２よりも小さい。狭窄部５０，５１の幅方向及びコンデンサ導体３０，３１の狭窄部５０，５１以外の部分の幅方向は、端面Ｓ３の法線方向（すなわち、ｘ軸方向）に直交する方向（すなわち、ｙ軸方向）である。
　以上のような狭窄部５０，５１を有する電子部品では、コンデンサ導体３０，３１間に短絡が発生した場合に、狭窄部５０，５１間に過電流が流れ、狭窄部５０，５１が発熱し溶融する。その結果、狭窄部５０，５１が断線する。すなわち、狭窄部５０，５１は、ヒューズ機能を有している。
　なお、電子部品１０ｃでは、狭窄部５０，５１はそれぞれ、引き出し導体２０，２１と一致している。よって、狭窄部５０ａ，５０ｂは、ｚ軸方向から平面視したときに、２箇所に分散して配置されている。そして、狭窄部５０ａ，５０ｂは、ｚ軸方向から平面視したときに、重なり合っていない。同様に、狭窄部５１ａ，５１ｂは、ｚ軸方向から平面視したときに、２箇所に分散して配置されている。そして、狭窄部５１ａ，５１ｂは、ｚ軸方向から平面視したときに、重なり合っていない。
（電子部品の製造方法）
　次に、電子部品１０ｃの製造方法について説明する。なお、図面は、図１、図６ないし図８を援用する。
　まず、ＢａＴｉＯ3、Ｂｉ2Ｏ3、ＢａＣＯ3の原料粉末に対して、ポリビニルブチラール系バインダ及びエタノール等の有機溶剤を加えてボールミルに投入し、湿式調合を行って、セラミックスラリーを得る。原料粉末は、ＢａＴｉＯ3が１００モル部、Ｂｉ2Ｏ3が３モル部、ＢａＣＯ3が２モル部の割合で混合されて構成されている。得られたセラミックスラリーをドクターブレード法により、キャリアシート上にシート状に形成して乾燥させ、セラミック層１７となるべきセラミックグリーンシートを作製する。セラミック層１７となるべきセラミックグリーンシートの厚さは、例えば、６μｍである。
　次に、セラミック層１７となるべきセラミックグリーンシート上に、Ａｌを蒸着してコンデンサ導体３０，３１を形成する。コンデンサ導体３０，３１の焼成後の厚さは、０．４μｍである。
　次に、セラミック層１７となるべきセラミックグリーンシートを積層して未焼成のマザー積層体を得る。この後、未焼成のマザー積層体に対して、静水圧プレスにて圧着を施す。
　次に、未焼成のマザー積層体を所定寸法にカットして、複数の未焼成の積層体１１を得る。この後、積層体１１の表面に、バレル研磨加工等の研磨加工を施す。
　次に、未焼成の積層体１１を大気中で２７０℃に加熱して、未焼成の積層体１１中のバインダを燃焼させる。更に、未焼成の積層体１１を６５０℃で１時間焼成する。この焼成後の積層体１１を溶解し、ＩＣＰ発光分光分析をしたところ、ＴｉとＢｉの組成比が調合時と殆ど同一組成比であることが確認された。
　次に、積層体１１に外部電極１２を形成する。具体的には、公知のディップ法やスリット工法等により、積層体１１の表面にＢｉ2Ｏ3－ＳｉＯ2－ＢａＯ系ガラスフリットを含有するＡｇペーストを塗布する。そして、大気中でＡｇペーストを６００℃で焼付けを行うことにより、外部電極１２を形成する。以上の工程により、電子部品１０ｃが完成する。
（効果）
　以上のように構成された電子部品１０ｃによれば、電子部品１０と同様に、コンデンサ導体３０，３１間に短絡が発生した場合に、コンデンサの機能が損なわれることがより確実に抑制される。また、電子部品１０ｃによれば、電子部品１０と同様に、コンデンサ導体３０，３１間に短絡が発生した場合に、コンデンサの機能が損なわれることがより確実に抑制される。電子部品１０ｃでは、電子部品１０と同様に、狭窄部５０，５１の断線した部分がより速やかに酸化されるので、コンデンサ導体３０，３１間に短絡が発生した場合に、コンデンサの機能が損なわれることがより確実に抑制される。電子部品１０ｃでは、電子部品１０と同様に、Ａｌの拡散による電子部品１０の破損の発生が抑制される。電子部品１０ｃによれば、電子部品１０と同様に、コンデンサの容量値の低下が抑制される。電子部品１０ｃによれば、電子部品１０と同様に、大きな容量値を得ることができる。
　また、電子部品１０ｃによれば、狭窄部５０，５１に溶断が発生した際に、コンデンサの容量値が急激に０まで減少することが抑制される。以下では、狭窄部５０を例に挙げて説明する。電子部品１０では、狭窄部５０はそれぞれ、ｚ軸方向から平面視したときに、重なっている。そのため、複数の狭窄部５０のいずれかの狭窄部５０において溶断が発生すると、積層体１２にｚ軸方向にクラックが発生し、溶断が発生した狭窄部５０以外の狭窄部５０が破損するおそれがある。その結果、全ての狭窄部５０が破損して、コンデンサの容量値が急激に０まで減少するおそれがある。
　一方、電子部品１０ｃでは、狭窄部５０ａ，５０ｂは、ｚ軸方向から平面視したときに、２箇所に分散して配置されている。そのため、電子部品１０ｃにおける狭窄部５０ａ，５０ｂ間の距離が、電子部品１０における狭窄部５０間の距離よりも大きくなっている。これにより、狭窄部５０ａに溶断が発生しても、クラックが狭窄部５０ｂに伝わりにくい。よって、狭窄部５０ｂが破損することが抑制される。以上より、電子部品１０ｃでは、全ての狭窄部５０ａ，５０ｂが破損して、コンデンサの容量値が急激に０まで減少することが抑制される。
（実験）
　以上のように構成された電子部品１０ｃが奏する効果をより明確にするために、本願発明者は以下に説明する実験を行った。図９は、第２の実施形態に係る電子部品１０ｃの断面構造図である。図１０は、第１の実施形態に係る電子部品１０の断面構造図である。
　まず、本願発明者は、第３のサンプル及び第４のサンプルを３０個ずつ作製した。第３のサンプルは、図９に示す電子部品１０ｃである。第４のサンプルは、図１０に示す電子部品１０である。
　なお、第３のサンプル及び第４のサンプルにおける共通の条件は以下の通りである。また、第３のサンプル及び第４のサンプルの製造方法は、前記電子部品１０ｃの製造方法と同じである。
電子部品のサイズ：１．０ｍｍ×２．０ｍｍ×１．０ｍｍ
セラミック層の厚み：５μｍ
コンデンサ導体により挟まれているセラミック層の数：１０層
コンデンサ導体のサイズ：Ｗ１＝０．１ｍｍ　Ｗ２＝０．９ｍｍ　Ｌ＝１．８ｍｍ
コンデンサ導体の容量導体の面積：１．６２×１０-6ｍ2
　コンデンサ導体により挟まれているセラミック層の数が１０層であるので、コンデンサ導体３０，３１の合計は、１１層である。より詳細には、第３のサンプルでは、図９（ａ）に示すように、３層のコンデンサ導体３０ａ及び３層のコンデンサ導体３０ｂが設けられている。また、第３のサンプルでは、図９（ｂ）に示すように、３層のコンデンサ導体３１ａ及び２層のコンデンサ導体３１ｂが設けられている。一方、第４のサンプルでは、図１０に示すように、６層のコンデンサ導体３０ａ～３０ｆが設けられている。また、第４のサンプルでは、図１０（ｂ）に示すように、５層のコンデンサ導体３１ａ～３１ｅが設けられている。
　本願発明者は、第３のサンプル及び第４のサンプルに対して、ＢＤＶ試験を行った。ＢＤＶ（Ｂｒｅａｋ　Ｄｏｗｎ　Ｖｏｌｔａｇｅ）試験では、第３のサンプル及び第４のサンプルに０Ｖから１０００Ｖまで１００Ｖ／ｓの昇圧速度で印加電圧を昇圧させた。そして、本願発明者は、印加電圧とコンデンサの容量値との関係を調べた。図１１は、第４のサンプルの実験結果を示したグラフである。図１２は、第４のサンプルに固有の実験結果を示したグラフである。図１３は、第３のサンプルに固有の実験結果を示したグラフである。縦軸は印加電圧及び容量値を示し、横軸は時間を示す。
　３０個中５個の第４のサンプルでは、印加電圧の上昇に伴って、狭窄部５０，５１が１つずつ溶断した。この場合には、図１１に示すように、コンデンサの容量値は、段階的に減少していることが分かる。このように、コンデンサの容量値は、急激に０に減少するのではなく、段階的に減少することが好ましい。このような容量値の段階的な減少は、第３のサンプルにも同様に見られた。
　しかしながら、３０個中２５個の第４のサンプルでは、図１２に示すように、印加電圧の上昇に伴って、全ての狭窄部５０又は全ての狭窄部５１が突然に断線して、コンデンサの容量値が急激に０に低下した。これは、前記の通り、狭窄部５０，５１がそれぞれ、ｚ軸方向から平面視したときに、一致して重なっているため、クラックにより連鎖的に破損したためと考えられる。
　一方、第３のサンプルでは、図１３に示すように、印加電圧の上昇に伴って、コンデンサの容量値が段階的に減少していることが分かる。より詳細には、印加電圧が３７５Ｖと４００Ｖとの間であるときに、コンデンサの容量値が減少し、印加電圧が４２５Ｖと４５０Ｖとの間であるときに、コンデンサ容量値が減少している。これは、例えば、狭窄部５０ａが全て破損した場合でも狭窄部５０ｂは断線せずに残り、その後に、狭窄部５０ｂが破損したためであると考えられる。
　以上のように、第３のサンプルのように、狭窄部５０ａ，５０ｂが分散して配置され、かつ、狭窄部５１ａ，５１ｂが分散して配置されることにより、コンデンサの容量値が急激に０に低下することが抑制されることが分かる。
（その他の実施形態）
　本発明に係る電子部品は、前記実施形態に係る電子部品１０，１０ａ～１０ｃに限らず、その要旨の範囲内において変更可能である。
　電子部品１０ａ，１０ｂでは、狭窄部５０，５１は、ｚ軸方向から平面視したときに重なっている。しかしながら、狭窄部５０，５１は、ｚ軸方向から平面視したときに重なっていなくてもよい。
　なお、電子部品１０，１０ａ～１０ｃでは、２種類のコンデンサ導体３０,３１が積層されているが、３種類以上のコンデンサ導体が積層されていてもよい。
　以上のように、本発明は、電子部品に有用であり、特に、コンデンサ導体間に短絡が発生した場合に、コンデンサの機能が損なわれることをより確実に抑制できる点において優れている。
　１０，１０ａ，１０ｂ，１０ｃ　電子部品
　１１　積層体
　１２ａ，１２ｂ　外部電極
　１７ａ～１７ｈ　セラミック層
　１８ａ～１８ｃ，１９ａ～１９ｃ　容量導体
　２０ａ～２０ｃ，２１ａ～２１ｃ　引き出し導体
　３０ａ～３０ｃ，３１ａ～３１ｃ　コンデンサ導体
　５０ａ～５０ｃ，５１ａ～５１ｃ　狭窄部

Claims (9)

  1. 　複数のセラミック層が積層されて構成されている積層体と、
    　前記積層体に内蔵され、かつ、前記セラミック層を介して互いに対向することによってコンデンサを構成している第１のコンデンサ導体及び第２のコンデンサ導体と、
    　を備えており、
    　前記第１のコンデンサ導体は、Ａｌを主成分とする材料によって作製されていると共に、ヒューズ機能を有する第１の狭窄部を有しており、
    　前記第１の狭窄部の幅の平均は、前記第１のコンデンサ導体の該第１の狭窄部以外の部分の幅の平均よりも小さいこと、
    　を特徴とする電子部品。
  2. 　複数の前記第１のコンデンサ導体が設けられており、
    　前記複数の第１の狭窄部は、積層方向から平面視したときに、複数個所に分散して配置されていること、
    　を特徴とする請求項１に記載の電子部品。
  3. 　複数個所に分散して配置されている前記第１の狭窄部のうちの少なくとも２つは、積層方向から平面視したときに、互いに重なっていないこと、
    　を特徴とする請求項２に記載の電子部品。
  4. 　前記セラミック層は、ＢａおよびＴｉを含むペロブスカイト型化合物を主成分とする誘電体材料であって、Ｂｉ成分を含む誘電体材料により作製されていること、
    　を特徴とする請求項１ないし請求項３のいずれかに記載の電子部品。
  5. 　前記誘電体材料は、１００モル部のＴｉに対して２モル部以上２０モル部以下のＢｉを含有する組成を有していること、
    　を特徴とする請求項４に記載の電子部品。
  6. 　前記積層体は、直方体状をなしており、
    　前記電子部品は、
    　前記第１のコンデンサ導体に接続され、かつ、前記積層体の第１の端面を覆っている第１の外部電極と、
    　前記第２のコンデンサ導体に接続され、かつ、前記積層体の第２の端面を覆っている第２の外部電極と、
    　を更に備えており、
    　前記第１の狭窄部の幅方向及び前記第１のコンデンサ導体の該第１の狭窄部以外の部分の幅方向は、前記第１の端面の法線方向に対して直交していること、
    　を特徴とする請求項１ないし請求項５のいずれかに記載の電子部品。
  7. 　前記第１の狭窄部は、積層方向から平面視したときに、前記第１のコンデンサ導体と前記第２のコンデンサ導体とが重なっている部分以外の部分に設けられていること、
    　を特徴とする請求項１ないし請求項６のいずれかに記載の電子部品。
  8. 　前記第２のコンデンサ導体は、Ａｌによって作製されていると共に、ヒューズ機能を有する第２の狭窄部を有しており、
    　前記第２の狭窄部の幅の平均は、前記第２のコンデンサ導体の該第２の狭窄部以外の部分の幅の平均よりも小さいこと、
    　を特徴とする請求項１ないし請求項７のいずれかに記載の電子部品。
  9. 　前記第１の狭窄部は、積層方向から平面視したときに、前記第２の狭窄部と重なっていること、
    　を特徴とする請求項８に記載の電子部品。
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WO (1) WO2012132684A1 (ja)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104021934A (zh) * 2013-02-28 2014-09-03 株式会社电装 电子部件和电子控制单元
CN104021932A (zh) * 2013-02-28 2014-09-03 株式会社电装 电子部件和电子控制单元
WO2014139696A1 (de) * 2013-03-15 2014-09-18 Epcos Ag Elektronisches bauelement
US10937593B2 (en) 2018-10-30 2021-03-02 Murata Manufacturing Co., Ltd. Ceramic electronic component and method of manufacturing ceramic electronic component
US11742142B2 (en) 2021-02-09 2023-08-29 Tdk Corporation Capacitor component

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2016009852A1 (ja) * 2014-07-14 2016-01-21 株式会社村田製作所 積層セラミックコンデンサ
KR102016485B1 (ko) * 2014-07-28 2019-09-02 삼성전기주식회사 적층 세라믹 커패시터 및 그 실장 기판
US20200066457A1 (en) * 2018-08-24 2020-02-27 Apple Inc. Self-fused capacitor
KR102694712B1 (ko) * 2019-12-20 2024-08-13 삼성전기주식회사 적층형 전자 부품
KR20220048221A (ko) * 2020-10-12 2022-04-19 삼성전기주식회사 적층형 커패시터

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002531939A (ja) * 1998-12-03 2002-09-24 エヌイーシートーキン株式会社 過電流を遮断するためのフィルム電極を有する積層型電子装置
JP2009206430A (ja) * 2008-02-29 2009-09-10 Tdk Corp 積層電子部品およびその製造方法

Family Cites Families (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS58204519A (ja) * 1982-05-24 1983-11-29 日本電気株式会社 積層磁器コンデンサ
US4894746A (en) * 1987-06-06 1990-01-16 Murata Manufacturing Co., Ltd. Laminated capacitor with fuse function
JPS6469008A (en) * 1987-09-10 1989-03-15 Murata Manufacturing Co Layer-built capacitor
JPH02152212A (ja) * 1988-12-02 1990-06-12 Murata Mfg Co Ltd ヒューズ機能付積層型コンデンサ
US5600533A (en) * 1994-06-23 1997-02-04 Murata Manufacturing Co., Ltd. Multilayer ceramic capacitor having an anti-reducing agent
JPH11354368A (ja) * 1998-06-03 1999-12-24 Tokin Corp 積層セラミックコンデンサ
JP2000049037A (ja) * 1998-07-31 2000-02-18 Kyocera Corp 積層セラミックコンデンサ
JP2000049038A (ja) * 1998-07-31 2000-02-18 Kyocera Corp 積層セラミックコンデンサ
JP2000100654A (ja) * 1998-09-22 2000-04-07 Tokin Corp 積層セラミックコンデンサ
JP2000223352A (ja) * 1999-01-29 2000-08-11 Kyocera Corp 積層セラミックコンデンサ
JP2001307942A (ja) * 2000-04-24 2001-11-02 Murata Mfg Co Ltd 導電性ペーストおよび積層セラミック電子部品
JP2003146746A (ja) * 2001-11-16 2003-05-21 Ngk Spark Plug Co Ltd 誘電体磁器およびその製造方法
JP2005072294A (ja) * 2003-08-26 2005-03-17 Shizuki Electric Co Inc 金属化フィルムコンデンサ
JP2006190774A (ja) * 2005-01-05 2006-07-20 Murata Mfg Co Ltd 積層セラミック電子部品
US7786036B2 (en) * 2005-03-28 2010-08-31 Panasonic Corporation Dielectric porcelain composition, and method for manufacturing capacitor using the same
JP2007317786A (ja) * 2006-05-24 2007-12-06 Tdk Corp 積層コンデンサ
CA2560027A1 (en) * 2006-09-13 2008-03-13 David A. Kelly Ceramic polymer capacitor
KR100925628B1 (ko) * 2008-03-07 2009-11-06 삼성전기주식회사 적층형 칩 커패시터
CN101465251A (zh) * 2008-12-31 2009-06-24 上海长园维安电子线路保护股份有限公司 小型贴片保险丝及其制造方法
JP5142090B2 (ja) * 2009-04-01 2013-02-13 Ｔｄｋ株式会社 セラミック積層電子部品およびその製造方法

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002531939A (ja) * 1998-12-03 2002-09-24 エヌイーシートーキン株式会社 過電流を遮断するためのフィルム電極を有する積層型電子装置
JP2009206430A (ja) * 2008-02-29 2009-09-10 Tdk Corp 積層電子部品およびその製造方法

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104021934A (zh) * 2013-02-28 2014-09-03 株式会社电装 电子部件和电子控制单元
CN104021932A (zh) * 2013-02-28 2014-09-03 株式会社电装 电子部件和电子控制单元
WO2014139696A1 (de) * 2013-03-15 2014-09-18 Epcos Ag Elektronisches bauelement
US10937593B2 (en) 2018-10-30 2021-03-02 Murata Manufacturing Co., Ltd. Ceramic electronic component and method of manufacturing ceramic electronic component
US11742142B2 (en) 2021-02-09 2023-08-29 Tdk Corporation Capacitor component

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Publication number Publication date
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